本発明のフィルタ装置について以下に詳細に説明する。図1〜図3はそれぞれ本発明のフィルタ装置の実施の形態の一例を示す分解斜視図である。図1〜図3において、1aは誘電体層、1は複数の誘電体層1aが積層されてなる積層体、2は接地電極、2aは内部接地電極、3a〜3eは共振器電極、3aは初段の共振器電極、3cは最終段の共振器電極、4は入力結合電極、5は出力結合電極、4aは入力端子電極、5aは出力端子電極、6は結合電極である。また、破線は、誘電体層1aの上下に位置する導体層を電気的に接続するための、誘電体層1aを貫通する貫通導体があることを示している。なお、以下の図においても、同様の部位には同じ符号を付してある。
図1〜図3に示す例では、本発明のフィルタ装置は、積層体1の外表面に形成された入力端子電極4aに外部回路から入力された電気信号は、入力端子電極4aが接続された電気信号入力点から入力結合電極4へ伝達され、主に、入力結合電極4と電磁界結合した初段の共振器電極3aへ、さらに電磁結合により最終段の共振器電極3cへ伝達され、最終段の共振器電極3cと電磁結合された出力結合電極5を介して出力端子電極5aへと伝達されてフィルタとして機能する。
本発明のフィルタ装置は、図1に示す例のように、複数の誘電体層1aが積層されてなる積層体1と、この積層体1を挟んで対向するように配置された接地電極2・2と、積層体1内において電磁界結合するように平面視で短絡端と開放端とが互い違いに横並びに整列された3個以上の奇数個の共振器電極3a〜3cと、積層体1内において共振器電極3a〜3cが配置された誘電体層1aの層間とは異なる層間に形成され、初段の共振器電極3aに沿った形状で対向して電磁界結合するとともに、平面視で初段の共振器電極3aの開放端側に外部回路から電気信号が入力される電気信号入力点を有する入力結合電極4と、積層体1内において共振器電極3a〜3cが配置された誘電体層1a・1a間とは異なる層間に形成され、最終段の共振器電極3cに沿った形状で対向して電磁界結合するとともに、平面視で最終段の共振器電極3cの開放端側に外部回路へ電気信号が出力される電気信号出力点を有する出力結合電極5と、一端部および他端部を有しており、一端部が、入力結合電極4または出力結合電極5に対して初段または最終段の共振器電極3a,3cとは反対側に配置されて対向して電磁界結合しており、他端部が、一端部が対向する入力結合電極4または出力結合電極5が対向している初段または最終段の共振器電極3a,3c以外の共振器電極3bに誘電体層1aを挟んで、間に入力結合電極および出力結合電極3a,3cが介在することなく対向して電磁界結合する結合電極6とを備えることを特徴とするものである。
本発明のフィルタ装置によれば、このような構成としたことから、入力結合電極4と初段の共振器電極3aとの結合および出力結合電極5と最終段の共振器電極3cとの結合は、誘電体層1aを介してブロードサイドにインターデジタル型で結合するので、磁界による結合と電界による結合とが加算されてさらに強く電磁界結合することができ、従来の1/4波長共振器を利用したフィルタで実現可能だった領域を遙かに超えた広い通過帯域であっても、挿入損失が大きく増加することのない、広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失な通過特性を有するフィルタ装置を得ることができる。また、入力結合電極4と出力結合電極5との間で、横並びの共振器電極3a〜3cを介して伝達される信号と、結合電極6と複数の共振器電極の一部3b,3cを介して伝達される信号との間に180°の位相差が生じて互いに打ち消し合うので、通過帯域の高周波側および低周波側に減衰極が形成され、通過帯域の高周波側および低周波側の減衰量が大きくなる。このような結果として、広い通過帯域を有し、その高周波側および低周波側の減衰量が大きく低損失な、減衰特性が優れたフィルタ装置を得ることができる。
図4(a)〜(e)は、それぞれ本発明のフィルタ装置の実施の形態の一例について図1に示す例における結合電極6が形成された絶縁層1aを透視して上面視した平面図であり、結合電極6とその下の絶縁層1a上に形成された入力結合電極4および出力結合電極5との重なりの例を示している。図4(a)〜(e)において、4cは電気信号入力点、5cは電気信号出力点、6aは結合電極6の一端部、6bは結合電極6の接続部、6cは結合電極6の他端部である。
本発明のフィルタ装置は、上記構成において、図4(a)〜(e)に示す例のように、結合電極6の一端部6aと他端部6cとを接続する接続部6bが、入力結合電極4または出力結合電極5の長さ方向の中央よりも電気信号入力点4cまたは電気信号出力点5cから離れた側に配置されていることが好ましい。このようにすると、通過帯域の高周波側において、入力結合電極4および出力結合電極5のそれぞれが1/2波長共振することにより発生する減衰極より通過帯域に近い側(低周波側)に減衰極が発生することとなる。これにより、通過帯域の高周波側の減衰がより大きく、また、より急峻なものとなり、特に通過帯域の高周波側における減衰特性がより優れたフィルタ装置となる。
また、本発明のフィルタ装置は、図2に示す例のように、上記構成において、結合電極6は、入力結合電極4に電磁界結合するものと出力結合電極5に電磁界結合するものとの2つあることが好ましい。このようにすると、結合電極6による減衰極が形成される周波数の調整が容易となるので、結合電極6の大きさを極端に大きくしたり、誘電体層1aを極端に薄くしたりする必要がなく、容易にフィルタ装置を形成することができる。
また、本発明のフィルタ装置は、図2および図3に示す例のように、上記構成において、共振器電極3a〜3eが配置された誘電体層間1a・1a間に、平面視で奇数個の共振器電極3a〜3eの周囲を取り囲むように形成された内部接地電極2aを備えることが好ましい。このように内部接地電極2aが共振器電極3a〜3eの周囲を取り囲むことによって、共振器電極3a〜3eから発生する電磁波の周囲への漏洩を低減することができる。この効果は、モジュール基板の中の一部の領域にフィルタ装置が形成される場合に、モジュール基板の他の領域への悪影響を防止する上で特に有用である。また、内部接地電極2aにより、共振器電極3a〜3eの長さ方向の両側に接地電位に接続される電極が存在することになるため、互い違いに配置された各々の共振器電極3a〜3eの一方端を容易に短絡させることができる。
図5および図6は図1と同様の分解斜視図であり、図5および図6において、4bは補助入力結合電極、5bは補助出力結合電極、7a〜7cは容量電極である。
また、本発明のフィルタ装置は、上記各構成において、図5および図6に示す例のように、接地電極2と共振器電極3a〜3cとの間において誘電体層1aを挟んで接地電極2と対向するとともに、複数の共振器電3a〜3cの開放端にそれぞれ接続された複数の容量電極7a〜7cを有することが好ましい。このような構成とすると、容量電極7a〜7cと接地電極2との距離は共振器電極3a〜3cと接地電極2との距離より短くなり、これにより、共振器電極3a〜3cと接地電極2との間の結合がより強くなり共振器電極3a〜3cの容量結合が強化されるので、各共振器電極3a〜3cの長さを短縮することができ、より小型なフィルタ装置を提供することができる。
また、本発明のフィルタ装置は、上記構成において、図6に示す例のように、容量電極7a〜7cの一部が誘電体層1aを挟んで内部接地電極2aと対向して電磁界結合するように配置されていることが好ましい。このようにすると、内部接地電極2aは共振器電極3a〜3cが形成された誘電体層1a・1a間と同じ誘電体層1a・1a間に形成されており、容量電極7a〜7cを内部接地電極2aと結合させるように対向させると、容量電極7a〜7cを接地電極2のみと結合させるように対向させた場合と比較して、共振器電極3a〜3cと容量電極7a〜7cとの電気的接続を行なう貫通導体等の配線長を短くすることができるので、この配線による不要なインダクタンスを減らすことができ、このインダクタンスによる副次的な共振のない優れたフィルタ特性を有するフィルタ装置とすることができる。また、共振器電極3a〜3cと容量電極7a〜7cとの電気的接続を行なう貫通導体等の配線長が同じ場合であっても、容量電極7a〜7cと内部接地電極2aとの間の静電容量が加わるので、共振器電極3a〜3cの開放端と接地電位との間の静電容量がさらに増加し、共振器電極3a〜3cの長さを短縮することができるので、より小型なフィルタ装置を得ることができる。
また、本発明のフィルタ装置は、図6に示す例のように、上記構成において、誘電体層1aを挟んで初段の共振器電極3aに接続された容量電極7aと対向して電磁界結合し、入力結合電極4に接続された補助入力結合電極4bと、誘電体層1aを挟んで最終段の共振器電極3cに接続された容量電極7cと対向して電磁界結合し、出力結合電極5に接続された補助出力結合電極5bとを備えることが好ましい。このようにしたときには、初段の共振器電極3aに接続された容量電極7aと入力結合電極4に接続された補助入力結合電極4bとの間の電磁界結合が、初段の共振器電極3aと入力結合電極4との間の電磁界結合に加算される。同様に、最終段の共振器電極3cに接続された容量結合7cと出力結合電極5に接続された補助出力結合電極5bとの間の電磁界結合が、最終段の共振器電極3cと出力結合電極5との間の電磁界結合に加算される。これらによって、入力結合電極4と初段の共振器電極3aとの間の電磁界結合、および出力結合電極5と最終段の共振器電極3cとの間の電磁界結合がさらに強まるので、非常に広い通過帯域幅であっても、挿入損失の増加がさらに低減された、広い通過帯域の全域に渡ってより平坦でより低損失な通過特性を有するフィルタ装置を得ることができる。この効果は、容量電極7a〜7cを形成して共振器電極3a〜3cを短くすると、入力結合電極4と初段の共振器電極3aとが重なる面積、および出力結合電極5と最終段の共振器電極3cとが重なる面積が小さくなり、それぞれの間の電磁界結合が小さくなるので、このような場合に特に有用であり、小型で高性能のフィルタ装置を得ることができる。
接地電極2・2は、誘電体層1aが積層された積層体1の上下面に、入力端子電極4aおよび出力端子電極5aの周囲を除いたほぼ全面に配置されており、接地電位に接続されている。
共振器電極3a〜3eは、積層体1内において互いに電磁界結合するように平面視で横並びに整列されていればよい。通常は、例えば図1に示すように、3つの共振器電極3a〜3cが1つの誘電体層1a・1a間に配置されるが、共振器電極3a,3cを1つの誘電体層1a・1a間に配置し、共振器電極3bを誘電体層1aを1層介した別の誘電体層1a・1a間に配置してもよい。このように配置すると、隣り合う共振器電極間における短絡がないのでその形成は容易になるので好ましいが、誘電体層1aの層数が増加してフィルタ装置の厚みは厚いものとなる。
また、共振器電極3a〜3eは、短絡端と開放端とが互い違いに、いわゆるインターデジタル型に配置されており、これにより、コムライン型の配置と比較して共振器電極3a〜3eの結合は強い結合となる。このため、共振器電極3a〜3eのパターン幅を小さくして磁界を強める必要がないので、共振器電極3a〜3eのパターン幅を大きくすることによって共振器電極3a〜3eの電気抵抗を小さくし、共振器の急峻性共振の鋭さを示すQ値(quality factor)を高くすることができる。その結果として、広い通過帯域であっても、挿入損失が大きく増加することのない、広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失な通過特性を有するフィルタ装置を得ることができる。
共振器電極3a〜3eの間隔は小さい方が強い結合が得られ、容易に通過帯域を広くできるので好ましいが、短絡端から開放端の間において互いに短絡しないようにして等間隔に良好に形成するには、例えば、0.05〜0.5mm程度に設定される。横並びに配置されて相互に電磁界結合するためには、共振器電極3a〜3eの形状は細長い帯状のものであるのが好ましい。
本発明のフィルタ装置においては、共振器電極3a〜3eは奇数個であるが、これは、偶数個であると入力結合電極4と出力結合電極5との間で、横並びの共振器電極3a〜3eを介して伝達される信号の位相が横並びの共振器電極3a〜3eが奇数個の場合と比較して位相の変化が異なるため、上記のような結合電極6による減衰特性の変化が起こらないからである。
また、図1、図2、図5、および図6に示す例では3個の共振器電極3a〜3cでフィルタ装置を形成しているが、さらに広い通過帯域を構成したい場合やさらに通過帯域外の減衰特性が優れたフィルタ装置を得ようとするときには、図3に示す例のように、5個の共振器電極3a〜3eでフィルタ装置を構成してもよい。しかし、共振器電極の数については、多くなりすぎると通過帯域における損失が増加するとともにフィルタ装置が大型化するので、実用上は5個程度以下とされる場合が多い。UWBのローバンド用途では、損失と減衰特性とのバランスから3個が好ましい。
共振器電極3a〜3eは、上下の接地電極2,2と共にストリップライン共振器を構成しており、短絡端が上下の接地電極2,2に接続されて接地電位に接続されることによって、1/4波長共振器として機能する。共振器電極3a〜3eと上下の接地電極2,2との接続は、図1に示す例のように、共振器電極3a〜3cを形成した誘電体層1a・1a間に共振器電極3a〜3cの短絡端同士を接続するための導体層を設け、この導体層と貫通導体(図示せず。)とにより接続したり、この導体層を誘電体層1aの端部まで延ばして誘電体層1aの端面(積層体1の側面)に形成した端面導体(図示せず。)により接続したりすればよい。共振器電極3a〜3eの短絡端同士を接続するための導体層を設けない場合は、共振器電極3a〜3eのそれぞれを貫通導体により接地電極2・2に接続してもよいし、共振器電極3a〜3eの短絡端を誘電体層1aの端部まで延ばして誘電体層1aの端面(積層体1の側面)に形成した端面導体により接地電極2・2に接続してもよい。端面導体で接続すると、共振器電極3a〜3eから発生する電磁波の周囲への漏洩を低減するシールド層として端面導体を機能させることができ、貫通導体の場合でも、その間隔を小さくしたり、共振器電極3a〜3eの周りに二重以上に配列し、側面から見てできるだけ貫通導体を隙間なく配置したりすれば、同様にシールドの機能がより顕著になるので好ましい。図1に示す例のように、共振器電極3a〜3cの短絡端同士を接続するための導体層を設けると、共振器電極3a〜3cの短絡端を接地電極2,2に接続するのが容易となるので好ましい。
内部接地電極2aは、上述した共振器電極3a〜3eの短絡端同士を接続するための導体層と、共振器電極3a〜3eの並びの両側に形成された導体層とからなる環状のものである。内部接地電極2aと共振器電極3a〜3eとの距離は、共振器電極3a〜3eによる磁界に影響を与えてフィルタ装置のQ値が低下し通過帯域の損失が大きくなってしまわないように、共振器電極3a〜3eによる磁束が通過できる距離があればよく、共振器電極3a〜3eと接地電極2との間の距離より大きいことが好ましい。
入力結合電極4および出力結合電極5は、それぞれ初段の共振器電極3aおよび最終段の共振器電極3cと電磁界結合するものであるので、それぞれ初段の共振器電極3aおよび最終段の共振器電極3cに沿った形状である。上述したように、共振器電極3a〜3eの形状は細長い帯状とするのが好ましいので、入力結合電極4および出力結合電極5の形状も細長い帯状とするのが好ましい。
入力結合電極4と出力結合電極5とは、図1、図3および図5に示す例では、両方とも共振器電極3a〜3eに対して誘電体層1aを挟んで上側の同一の誘電体層1a・1a間に配置しているが、図2および図6に示す例のように、共振器3a〜3eに対して誘電体層1aを挟んで上下の異なる誘電体層1a・1a間に配置してもよい。
また、入力結合電極4および出力結合電極5の平面視での配置については、図4(a)や図4(d)に示す例のように、入力結合電極4および出力結合電極5が内部接地電極2aと結合するように平面視で重なると、それらの間に発生する不要な浮遊容量が大きくなってしまうので、図4(b),図4(c)および図4(e)に示す例のように、入力結合電極4および出力結合電極5が平面視で内部接地電極2aと重ならないように配置することが好ましい。
入力結合電極4および出力結合電極5は、積層体1の外表面に形成された入力端子電極4aおよび出力端子電極5aにそれぞれ接続される。図1〜図6に示す例では、積層体1の上面や下面に形成された入力端子電極4aおよび出力端子電極5aに貫通導体で接続されているが、積層体1の側面に形成した端面導体により接続してもよい。また、積層体1の側面に形成した入力端子電極4aおよび出力端子電極5aに入力結合電極4および出力結合電極5から引き出した導体層で接続してもよい。不要な浮遊容量の発生を抑えるためには、積層体1の上面や下面に形成された入力端子電極4aおよび出力端子電極5aに貫通導体で接続するのが好ましい。
結合電極6は、入力結合電極4または出力結合電極5に対向して電磁界結合する一端部6aと、この一端部6aが対向する入力結合電極4または出力結合電極5が対向していない共振器電極3bに対向して電磁界結合する他端部6cと、これらを接続する接続部6bとにより構成された形状である。図1に示す例では、結合電極6の一端部6a、他端部6cおよび接続部は、同一の絶縁層1a・1a間に形成されているが、図3に示す例のように、結合電極6の一端部6aと他端部6cとをそれぞれ異なる絶縁層1a・1a間に形成して、貫通導体等の接続部で接続した形状としてもよい。一端部6aと他端部6cを同一の絶縁層1a・1a間に形成する場合は、1つの結合電極6全体を印刷などにより同時に形成することができるので形成しやすさの点でよく、一端部6aと他端部6cとをそれぞれ異なる絶縁層1a・1a間に形成する場合は、一端部6aまたは他端部6cと対向する電極との距離を変えることができ、それらの間の結合量を調整することができるのでよい。
結合電極6の一端部6aおよび他端部6cは、それぞれが対向する入力結合電極4または出力結合電極5、共振器電極3bに沿った形状、例えば図1に示す例のような矩形状とすればよく、必要な結合量に応じてその幅や長さ等を調節すればよい。
入力結合電極4または出力結合電極5に沿った形状の一端部6aと、共振器電極3bに沿った形状の他端部6cとを接続する接続部6bは、その長さをできるだけ短くして抵抗成分の小さいものとすることが好ましいので、平面視で入力結合電極4および出力結合電極5または共振器電極3bの長さ方向に垂直な方向に延びる矩形状とすればよい。
結合電極6の形状は、図4(a)および図4(b)に示す例のような、一端部6aと他端部6cとを平行に並べてその長さ方向にずらし、互いに近い端同士を接続部6bで接続したクランク型や、図4(c)および図4(d)に示す例のような、一端部6aと他端部6cとを平行に並べて、それぞれの一方の端同士を接続部6bで接続したコの字型(U字型)や、図4(e)に示す例のような、一端部6aと他端部6cとを平行に並べて、それぞれの長さ方向の中央において接続部6bで接続したH型等、特に限定されるものではない。
そして、結合電極6の接続部6bは、上述したように、入力結合電極4または出力結合電極5の長さ方向の中央よりも電気信号入力点4cまたは電気信号出力点5cから離れた側に配置されていることが好ましい。なお、図4(a)〜(e)のそれぞれに示す1点鎖線は、図4(a)〜(e)に記号で示すように、一端部6aが対向する入力結合電極4の長さ方向の中央に位置する中心線であり、接続部6bはこの中心線より電気信号入力点4cから離れた側に配置する。このようにすることで、通過帯域より高周波側において、通過帯域により近い位置に結合電極6による減衰極を発生させることができるので、より急峻な減衰特性が求められるフィルタ装置に特に好適である。このように中心線で示した入力結合電極4または出力結合電極5の長さ方向の中央は、入力結合電極4または出力結合電極5の長さや位置によらず、入力結合電極4または出力結合電極5の長さ方向の中央にあたる。
結合電極6は、図1に示す例では、一端部6aは入力結合電極4に対向し、他端部6cは2段の共振器電極3bと対向しているが、一端部6aは出力結合電極5と対向していてもよいし、図2や図6に示す例のように、入力結合電極4と出力結合電極5とを共振器3a〜3cに対して誘電体層1aを挟んで上下に別々の誘電体層1a・1a間に配置した場合は、結合電極6の他端部6cは最終段の共振器電極3cと対向させてもよい。また、図3に示す例のように5段の共振器電極3a〜3eを有する場合も同様に、一端部6aが入力結合電極4と対向している場合は、他端部6cは2段から最終段の共振電極3b〜3eのどれと結合させてもよい。しかしながら、他端部6cが対向する共振電極3b〜3eが初段の共振器電極3aから遠くなるに従って、入力結合電極4と出力結合電極5との間で、結合電極6と複数の共振器電極3b〜3eの一部を介して伝達される信号が増えて横並びの共振器電極3a〜3eを介して伝達される信号が減るので、通過帯域よりも高周波側の減衰特性が低化してしまう傾向がある。従って、結合電極6の他端部6cは、一端部6aが対向する入力結合電極4または出力結合電極5が対向する初段の共振器電極3aまたは最終段の共振器電極3cにより近い共振器電極3b,3eに対向するのが好ましい。
結合電極6の他端部6cは、一端部6aが対向する入力結合電極4または出力結合電極5が対向していない共振器電極3a〜3eであれば複数個のものと対向しても構わないが、上述したように、一端部6aが対向する入力結合電極4または出力結合電極5が対向する初段の共振器電極3aまたは最終段の共振器電極3cからより離れた共振器電極3a〜3eと対向して電磁界結合することによる影響が出るので、意味のないものとなってしまう。
結合電極6が入力結合電極4に電磁界結合するものと出力結合電極5に結合するものとの2つある場合は、図2および図6に示す例のように、入力結合電極4と出力結合電極5を共振器3a〜3cに対して誘電体層1aを挟んで上下の異なる誘電体層1a・1a間に配置して、2つの結合電極6,6の距離を離すことが好ましい。これは、図5に示す例のように、3段の共振器電極3a〜3cに対して誘電体層1aを挟んで同一の誘電体層1a・1a間に2つの結合電極6・6を配置すると、2つの結合電極6・6間の距離が短く、2つの結合電極6・6が電磁界結合してしまい、入力結合電極4に入力された信号が、結合電極6を介して出力結合電極5へ伝達されやすくなり、通過帯域よりも高周波側の減衰特性が低化してしまうからである。同様の理由で、1つの他端部6cを2つの結合電極6・6で共有してしまうなど、2つの結合電極6・6の一端部6a・6a同士を接続してしまうと結合電極6として機能しなくなってしまう。
容量電極7a〜7cと共振器電極3a〜3eとは、平面視での重なりができるだけ小さくなるように配置するのが好ましい。容量電極7a〜7cと共振器電極3a〜3eとが平面視で重なると、その重なった面積分だけ共振器電極3a〜3eと接地電極2や内部接地電極2aとの結合が小さくなってしまい、また、例えば初段の共振器電極3aに接続された容量電極7aと他の共振器電極3b〜3eとが平面視で重なると、初段の共振器電極3aと他の共振器電極3b〜3eとの結合量が変わってしまうからである。このようなことから、容量電極7a〜7cを長方形や楕円形のような細長い形状とし、共振器電極3a〜3eの開放端と容量電極7a〜7cの一方端とを貫通導体で接続し、容量電極7a〜7cの他方端を共振器電極3a〜3eの開放端を延長する方向に向けるとよい。図5や図6に示す例のように、容量電極7a〜7cの共振器電極3a〜3cと平面視で重なる部分の幅は細く、接地電極2や内部接地電極2aと重なる部分の幅は太い、例えば凸形状とすると、上記のような不具合がなく、短い容量電極7a〜7cでも接地電極2や内部接地電極2aとの結合が得やすいのでより好ましい。
また、容量電極7a〜7cは、図5に示す例では、共振器電極3a〜3cに対して誘電体層1aを挟んで下方のみにそれぞれ1つずつ設けており、図6に示す例では、共振器電極3a〜3cに対して誘電体層1aを挟んで上方または下方のいずれかにそれぞれ1つずつ設けているが、共振器電極3a〜3cに対して誘電体層1aを挟んで上方のみ、あるいは上方および下方にそれぞれ1つずつ設けてもよい。容量電極7a〜7cが上述した凸形状の場合は、図6に示す例のように、共振器電極3a〜3cに対して誘電体層1aを挟んで上方と下方とに分けて容量電極7a〜7cを配置すると、接地電極2や内部接地電極2aと重なる部分の幅をより太くすることができるので好ましい。
補助入力結合電極4b、補助出力結合電極5bは、内部接地電極2aが形成されて容量電極7a〜7cが内部接地電極2aと主に結合する場合は、容量電極7a〜7cと接地電極2,2との間に形成すればよい。内部接地電極2aが形成されないか、または形成されても接地電極2と主に結合する場合は、例えば図6に示す例における補助入力結合電極4bを配置している位置に容量電極7aを配置し、入力結合電極4の、初段の共振器電極3aの開放端側に補助入力結合電極4bを配置して、接続導体層で入力結合電極4と接続すればよい。この接続導体層は、容量電極7aと初段の共振器電極3aとを接続する貫通導体と短絡しないようにする。補助出力結合電極5bも同様にすればよい。
補助入力結合電極4b、補助出力結合電極5bは、対向する容量電極7a,7cと相似形で、一回り小さいものにすることで、容量結合電極7a,7cと結合しつつ、接地電極2や内部接地電極2aと容量結合電極7a,7cとの間に補助入力結合電極4bや補助出力結合電極5bが配置されることで、容量結合電極7a,7cと接地電極2や内部接地電極2aとの電磁界結合が大きく減少することを抑えられる。
また、図6に示す例のように、接地電極2と容量電極7a,7cとの間に補助入力結合電極4bや補助出力結合電極5bが配置される場合は、補助入力結合電極4bと容量電極7aとの電磁界結合ならびに補助出力結合電極5bと容量電極7cとの電磁界結合を強めて、補助入力結合電極4bや補助出力結合電極5bと接地電極2,2との電磁界結合を相対的に弱めるために、補助入力結合電極4bおよび補助入力結合電極4bと接地電極2,2との間の誘電体層1aの厚みよりも、補助入力結合電極4bと容量電極7aとの間の誘電体層1aおよび補助入力結合電極4bと容量電極7aとの間の誘電体層1aの厚みを薄くするほうが好ましい。また、接地電極2,2と容量電極7a,7cとの電磁界結合が弱まるので、容量電極7a,7cと内部接地電極2aとの電磁界結合を強めるために、これらの間の誘電体層1a,1aも薄くして、この電磁界結合が主となるようにするのが好ましい。
誘電体層1aとしては、例えば、アルミナ,ムライト,窒化アルミニウム,BaO−TiO2系,CaO−TiO2系,MgO−TiO2系およびガラスセラミックス等のセラミック材料、あるいは四ふっ化エチレン樹脂(ポリテトラフルオロエチレン;PTFE),四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂;ETFE),四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂;PFA)等のフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂,ポリイミド等の有機樹脂材料が用いられる。これらの材料による誘電体層1aの形状や寸法(厚みや幅,長さ)は、使用される周波数や用途等に応じて設定される。セラミック材料の場合は、より高周波の信号を伝送することが可能な、Au,Ag,Cu等の低抵抗金属からなる導体材料と同時焼成が可能な低温焼成セラミックスが好ましい。
接地電極2,内部接地電極2a,共振器電極3a〜3e,入力結合電極4,出力結合電極5,入力端子電極4a,出力端子電極5a,補助入力結合電極4b,補助出力結合電極5b,結合電極6,容量電極7a〜7cは、誘電体層1aがセラミック材料からなる場合は、W,Mo,Mo−Mn,Au,Ag,Cu等の金属を主成分とするメタライズ層により形成される。また、誘電体層1aが樹脂系材料からなる場合は、厚膜印刷法,各種の薄膜形成方法,めっき法あるいは箔転写法等により形成した金属層や、このような金属層上にめっき層を形成したもの、例えばCu層,Cr−Cu合金層,Cr−Cu合金層上にNiめっき層およびAuめっき層を被着させたもの,TaN層上にNi−Cr合金層およびAuめっき層を被着させたもの,Ti層上にPt層およびAuめっき層を被着させたもの,Ni−Cr合金層上にPt層およびAuめっき層を被着させたもの等が挙げられる。その厚みや幅は、伝送される高周波信号の周波数や用途等に応じて設定される。
接地電極2,内部接地電極2a,共振器電極3a〜3e,入力結合電極4,出力結合電極5,入力端子電極4a,出力端子電極5a,補助入力結合電極4b,補助出力結合電極5b,結合電極6,容量電極7a〜7cの形成は、従来周知の方法を用いればよい。例えば誘電体層1aがガラスセラミックスから成る場合であれば、まず、それら誘電体層1aとなるガラスセラミックスのグリーンシートを準備し、グリーンシート上にスクリーン印刷法によりAg等の導体ペーストを所定形状で印刷塗布して接地電極2,内部接地電極2a,共振器電極3a〜3e,入力結合電極4,出力結合電極5,入力端子電極4a,出力端子電極5a,補助入力結合電極4b,補助出力結合電極5b,結合電極6,容量電極7a〜7cの各電極パターンを形成する。次に、これらの電極パターンが形成されたグリーンシートを重ねて圧着するなどして積層体を作製し、この積層体を850〜1000℃で焼成することにより形成する。その後、外表面に露出している導体層上には、NiめっきおよびAuめっき等のめっき皮膜を形成する。誘電体層1aが有機樹脂材料から成る場合であれば、例えば有機樹脂シート上に接地電極2,内部接地電極2a,共振器電極3a〜3e,入力結合電極4,出力結合電極5,入力端子電極4a,出力端子電極5a,補助入力結合電極4b,補助出力結合電極5b,結合電極6,容量電極7a〜7cの各電極パターン形状に加工したCu箔を転写し、Cu箔が転写された有機樹脂シートを積層して接着剤で接着することにより形成する。
接地電極2と共振器電極3a〜3eの短絡端とを接続する接続導体は、それらの間に位置する誘電体層1a内に形成された貫通導体、または誘電体層1aの端面に形成された端面導体の形態で形成することにより、積層されたそれら誘電体層1aの内部に形成するフィルタ装置の設計自由度が向上するとともに、より小型で高性能なフィルタ装置とすることができる。
このような接続導体となる貫通導体や側面導体は、誘電体層1aがガラスセラミックス等のセラミックスから成る場合には、貫通導体については、例えば前述の製造方法において、接地電極2,内部接地電極2a,共振器電極3a〜3e,入力結合電極4,出力結合電極5,入力端子電極4a,出力端子電極5a,補助入力結合電極4b,補助出力結合電極5b,結合電極6,容量電極7a〜7cの各電極パターンを形成する前に、グリーンシートに金型加工やレーザー加工によりあらかじめ形成しておいた貫通孔内に同様の導体ペーストを印刷法等により充填することで形成することができる。そして、端面導体は、例えば共振器電極3a〜3eの電極パターンの短絡端を端面に露出させたグリーンシート積層体を形成した後、同様の導体ペーストをグリーンシート積層体の側面に印刷することにより形成することができる。また、端面導体は、グリーンシートに共振器電極3a〜3eの列の幅程度の貫通孔を形成しておき、共振器電極3a〜3eの電極パターンの短絡端をこの貫通孔に接するように形成した後、グリーンシートの積層前または積層後に導体ペーストを貫通孔の内面に印刷し、または貫通穴に充填して、貫通孔の部分で切断することによっても形成することができる。誘電体層1aが樹脂系材料から成る場合も同様に、グリーンシートに代えて有機樹脂シートを用い、導体ペーストの印刷やめっきにより貫通孔内に貫通導体を形成したり、薄膜法等により側面導体を形成したりすればよい。共振器電極3a〜3eの電極パターンの短絡端を積層体の側面に露出させるには、共振器電極3a〜3eの電極パターンの短絡端がグリーンシート(あるいは有機樹脂シート)の端部に位置するように形成したり、共振器電極3a〜3eの電極パターンを形成したグリーンシート(有機樹脂シート)を積層した後に、共振器電極3a〜3eの電極パターンの短絡端が側面に露出するように積層体を切断したりすればよい。
このようなフィルタ装置で所望のフィルタ特性を得るには、誘電体層1aの厚み,共振器電極3a〜3eの長さや幅,各共振器間の距離,入力結合電極4および出力結合電極5の長さや幅,結合電極6の一端部6aや他端部6cの長さや幅や各電極への結合位置を所望の減衰特性となるように調整すればよい。
具体的には、UWBのローバンド規格に用いられるような、通過帯域の中心周波数が3.9GHzのバンドパスフィルタとしてのフィルタ装置は、図1に示すような形態であれば、例えば誘電体層1aとして比誘電率が9.2のガラスセラミックスを用い、接地電極2,内部接地電極2a,共振器電極3a〜3c,入力結合電極4,出力結合電極5,入力端子電極4a,出力端子電極5a,結合電極6および貫通導体にAgメタライズを用いることにより得られる。比誘電率が9.2のガラスセラミックスは、例えば、ガラス成分としてPbO,B2O3,SiO2,Al2O3,ZnOおよびアルカリ土類金属酸化物を主成分とする結晶化ガラスが50質量%とフィラー成分としてアルミナが50質量%とからなるものを用いればよい。
このとき、誘電体層1aは、厚みを上から順に、140μm,80μm,80μm,300μmとする。接地電極2・2は、寸法を6.9mm×3.3mmとし、入力端子電極4aおよび出力端子電極5aを配置するための0.5mm×0.5mmの開口部を2つ設ける。内部接地電極2aは、外寸を6.9mm×3.3mmとし、内寸(開口の寸法)を5.9mm×2.9mmとする。この開口内に、寸法が5.75mm×0.4mmの共振器電極3a,3b,3cを0.095mm,0.095mmの間隔で横並びに整列し、各短絡端を内部接地電極2aに接続して、各開放端と内部接地電極2aとの間隔が0.15mmとなり、共振器電極3a,3cと内部接地電極2aとの間隔が0.755mmとなるように配置する。内部接地電極2aと積層体1の上下面の接地電極2・2とは、外周部に配列した直径0.1mmの貫通導体で接続する。入力結合電極4は、寸法が5.65mm×0.3mmで、初段の共振器電極3aと幅方向の中心を合わせて、その開放端側と平面視で5.65mm×0.3mmの範囲で重なるように配置する。出力結合電極7も同様に、寸法が5.65mm×0.3mmで、最終段の共振器電極3cと幅方向の中心を合わせて、その開放端側と平面視で5.65mm×0.3mmの範囲で重なるように配置する。入力端子電極4aは、寸法が0.2mm×0.2mmで、接地電極2の開口部内の中心に、初段の共振器電極3aと幅方向の中心を合わせて、その開放端側と平面視で0.2mm×0.2mmの範囲で重なるように配置し、入力結合電極4の、初段の共振器電極3aの開放端側の端部と直径0.1mmの貫通導体で接続する。出力端子電極5aも同様に、寸法が0.2mm×0.2mmで、接地電極2に設けた開口部内の中心に、最終段の共振器電極3cと幅方向の中心を合わせて、その開放端側と平面視で0.2mm×0.2mmの範囲で重なるように配置し、出力結合電極5の、最終段の共振器電極3cの開放端側の端部と直径0.1mmの貫通導体で接続する。結合電極6は、一端部6aおよび他端部6cがともに寸法が1.55mm×0.2mmで、それぞれ初段の共振器電極3a、2段の共振器電極3bと幅方向の中心を合わせて、それぞれ初段の共振器電極3aおよび2段の共振器電極3bの開放端から2.325mmおよび3.175mmの位置で平面視で1.55mm×0.2mmの範囲で重なるように配置し、初段の共振器電極3aの開放端側から2.325mm離れた位置で、それぞれの端部を線幅0.1mmの接続部6bで接続したクランク型とする。
このような例の本発明のフィルタ装置(実施例1)のフィルタ特性は、図7の線図に実線の特性曲線で示すようなものとなる。また、このような例の本発明のフィルタ装置によるフィルタ特性に対して、結合電極6のみを有さないフィルタ装置(比較例)において得られるフィルタ特性は、図7に破線の特性曲線で示すようなものとなる。なお、図7に示す線図において、縦軸は挿入損失(単位:dB)を、横軸は周波数(単位:GHz)を示す。
また、実施例1のフィルタ装置に対して、結合電極6の一端部6aおよび他端部6cを、初段の共振器電極3aおよび2段の共振器電極3bの開放端から3.225mmおよび2.275mmの位置に配置して、接続部6bを初段の共振器電極3aの開放端側から3.225mm離れた位置に配置した以外は同じにした本発明のフィルタ装置の他の例(実施例2)のフィルタ特性は、図8の線図に点線の特性曲線で示すようなものとなる。図8の線図において実線の特性曲線は、図7と同様に実施例1のフィルタ特性を示す。実施例1のフィルタ装置の接続部6bが入力結合電極4の長さ方向の中央より電気信号入力点4cに近い側に位置するのに対して、実施例2のフィルタ装置の接続部6bは、入力結合電極4の長さ方向の中央より電気信号入力点4cから離れた側に位置する。
図7および図8に示すフィルタ特性から、いずれのフィルタ装置においても、従来の1/4波長共振器を用いたフィルタで実現されていた領域よりも遙かに広い、比帯域で40%程度の非常に広い通過帯域の全体において、低損失な特性が得られていることがわかる。なお、6.6GHzの減衰極は、初段の共振電極3aと最終段の共振電極3cとが近接配置されたことによって両者が自然に弱く誘導結合したことにより発生したものであり、8.3GHzの減衰極は、入力結合電極4および出力結合電極5のそれぞれが1/2波長共振することにより発生したものと考えられる。比較例と比較すると、実施例1の本発明のフィルタ装置では、通過帯域よりも低周波側(0.5GHz)に1個、通過帯域よりも高周波側(9.3GHz)に1個の合計2個の減衰極がさらに形成されており、これにより阻止域における減衰量が大きくなっている。また、実施例2の本発明のフィルタ装置では、実施例1と同様の、通過帯域よりも低周波側(0.5GHz)に1個の減衰極と、通過帯域よりも高周波側においては、上記6.6GHzの減衰極と8.3GHzの減衰極との間の7.5GHzに1個の減衰極が形成されており、これにより阻止域における減衰量が大きく、また減衰がより急峻になっている。
以上のことから、本発明のフィルタ装置は、入力結合電極4と出力結合電極5とを備えることにより、広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失である優れた通過特性が得られ、さらに結合電極6を備えることにより、通過帯域よりも高周波側および低域側の減衰量が大きい減衰特性を有することが確認できた。
図9は本発明のフィルタ装置を用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器の構成例を示すブロック図である。図9において、20は無線通信モジュール、21はベースバンド部、21aはベースバンドIC、22はRF部、22aはフィルタ装置、22bはRF−IC、23はアンテナ、24は無線通信器である。
本発明の無線通信モジュール20は、例えば、ベースバンド信号が処理されるベースバンド部21と、ベースバンド部21に接続されベースバンド信号の変調後および復調前のRF信号が処理されるRF部22とを備えている。
RF部22には前述の本発明のフィルタ装置22aが含まれており、ベースバンド信号が変調されてなるRF信号または受信したRF信号における通信帯域以外の信号をフィルタ装置22aによって減衰させている。
具体的な構成としては、ベースバンド部21にはベースバンドIC21aが配置され、RF部22にはフィルタ装置22aとベースバンド部21との間にRF−IC22bが配置されている。なお、これらの回路間には別の回路が介在していてもよい。
そして、無線通信モジュール20のフィルタ装置22aにアンテナ23を接続することによって、RF信号の送受信がなされる本発明の無線通信機器24が構成される。
このような構成を有する本発明の無線通信モジュール20および無線通信機器24によれば、通信帯域の全域に渡って通過する信号の損失が小さい本発明のフィルタ装置22aを用いて送信信号および受信信号の濾波を行なうことから、通信帯域の全体に渡ってフィルタ装置22aを通過する送信信号および受信信号の減衰を少なくすることができるため、受信感度が向上するとともに、送信信号および受信信号の増幅度を小さくすることができるので、増幅回路における消費電力が少なくなる。よって、受信感度が高く消費電力が少ない高性能な無線通信モジュール20および無線通信機器24を得ることができる。