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JP4897312B2 - Fixed carrier - Google Patents
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JP4897312B2 - Fixed carrier - Google Patents

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JP4897312B2 JP2006058881A JP2006058881A JP4897312B2 JP 4897312 B2 JP4897312 B2 JP 4897312B2 JP 2006058881 A JP2006058881 A JP 2006058881A JP 2006058881 A JP2006058881 A JP 2006058881A JP 4897312 B2 JP4897312 B2 JP 4897312B2
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Description

本発明は、研削液を用いたバックグラインドにより薄片化される半導体ウェーハ用の固定キャリアに関するものである。   The present invention relates to a fixed carrier for a semiconductor wafer that is thinned by back grinding using a grinding fluid.

半導体ウェーハは、半導体製造の前工程では反らないように、例えば300mmタイプの場合には、約775μmの厚さに形成されているが、この肉厚のままでは、薄片化が必要な近年の半導体パッケージには適さないので、バックグラインド工程と呼ばれる工程において、裏面の研削処理で場合により100μm以下に薄くされ、その後、ダイシング工程で個々のチップに分離される。   For example, in the case of a 300 mm type, the semiconductor wafer is formed to a thickness of about 775 μm so that it does not warp in the previous process of semiconductor manufacturing. Since it is not suitable for a semiconductor package, in a process called a back grinding process, it is thinned to 100 μm or less in some cases by grinding the back surface, and then separated into individual chips in a dicing process.

半導体ウェーハのバックグラインド工程においては、先ず、図示しない半導体ウェーハのパターン形成面を保護するために柔軟な保護シート(BGシートともいう)を貼着してその大きさが半導体ウェーハよりも僅かに大きくなるようカットし、半導体ウェーハをバックグラインド装置における回転台上の複数のテーブルにセットし、回転台を回転させて研削装置の作業領域に半導体ウェーハを配置して位置決めする。   In the semiconductor wafer back grinding process, first, a flexible protective sheet (also referred to as a BG sheet) is attached to protect the pattern formation surface of the semiconductor wafer (not shown), and the size thereof is slightly larger than that of the semiconductor wafer. Then, the semiconductor wafer is set on a plurality of tables on a turntable in the back grinding apparatus, and the turntable is rotated to place and position the semiconductor wafer in the work area of the grinding apparatus.

保護シートは、例えばEVAや軟質PVCを基材とした50〜200μmの厚さを有する耐溶剤性のフィルムに、アクリル系、ウレタン系、ブタジエン系、シリコーン系の粘着層が10〜60μmの厚さで積層されることにより形成され、使い捨て品として使用後に再使用されることなく廃棄される。   The protective sheet is, for example, a solvent-resistant film having a thickness of 50 to 200 μm based on EVA or soft PVC, and an acrylic, urethane, butadiene, or silicone adhesive layer having a thickness of 10 to 60 μm. And are discarded without being reused after use as a disposable product.

研削装置の作業領域に半導体ウェーハを配置したら、半導体ウェーハの裏面を回転砥石で純水等の研削液を流しながら研削し、その後、半導体ウェーハの裏面を化学薬品により約1μm程度エッチングして研削に伴うダメージ層を除去することにより、半導体ウェーハを薄片化する(特許文献1参照)。   Once the semiconductor wafer is placed in the work area of the grinding machine, the back surface of the semiconductor wafer is ground while flowing a polishing liquid such as pure water with a rotating grindstone, and then the back surface of the semiconductor wafer is etched by about 1 μm with chemicals for grinding. By removing the accompanying damage layer, the semiconductor wafer is thinned (see Patent Document 1).

半導体ウェーハを薄片化したら、半導体ウェーハのエッチングされた裏面を中空のキャリア治具にダイシング工程で使用される粘着テープ、具体的にはUVテープを介して固定し、その後、半導体ウェーハのパターン形成面から保護シートを剥離すれば、キャリア治具に支持された半導体ウェーハをブレードと呼ばれる砥石により個々のチップに分離することができる。   After the semiconductor wafer is thinned, the etched back surface of the semiconductor wafer is fixed to a hollow carrier jig with an adhesive tape used in the dicing process, specifically UV tape, and then the pattern forming surface of the semiconductor wafer. If the protective sheet is peeled off, the semiconductor wafer supported by the carrier jig can be separated into individual chips with a grindstone called a blade.

ところで、半導体ウェーハのバックグラインド工程は、以上のように半導体ウェーハのパターン形成面に保護シートを一枚毎に貼着し、使用後に保護シートを廃棄処分するので、廃棄物の大量発生を抑制することができないという大きな問題がある。この問題を解消するため、出願人は、繰り返して使用することが可能な固定キャリアを提案している。
特開2005‐93882号公報
By the way, in the back grinding process of the semiconductor wafer, as described above, the protective sheet is attached to the pattern forming surface of the semiconductor wafer one by one, and the protective sheet is disposed of after use, so that a large amount of waste is suppressed. There is a big problem that you can't. In order to solve this problem, the applicant has proposed a fixed carrier that can be used repeatedly.
JP-A-2005-93882

出願人が提案した固定キャリアは、以上のように繰り返して使用することができるので、使用後に保護シートを廃棄処分する必要が全くなく、廃棄物の大量発生を抑制することができる。   Since the fixed carrier proposed by the applicant can be used repeatedly as described above, it is not necessary to dispose of the protective sheet after use, and the generation of a large amount of waste can be suppressed.

しかしながら、出願人は、係る効果のみに満足することなく、固定キャリアに様々な改良を施して付加価値を付け、技術の飛躍的進歩を刺激することを欲している。具体的には、バックグラインド工程時に固定キャリア内に研削液が浸入して反復使用に対する信頼性を低下させたり、半導体ウェーハのハンドリング装置や他の周辺装置に研削液が付着して汚染を生じさせるおそれが考えられるので、これらを未然に抑制防止することを望んでいる。   However, the applicant wants to make various improvements to the fixed carrier to add value and stimulate technological breakthroughs without being satisfied with only such effects. Specifically, during the back-grinding process, the grinding fluid enters the fixed carrier to reduce the reliability for repeated use, or the grinding fluid adheres to the semiconductor wafer handling device and other peripheral devices, causing contamination. Since there is a possibility of fear, we hope to prevent and prevent these.

本発明は上記に鑑みなされたもので、研削液の浸入により反復使用に関する信頼性が低下したり、半導体ウェーハの周辺装置に研削液が付着して汚染が生じるおそれを排除することのできる固定キャリアを提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and a fixed carrier capable of eliminating the possibility that the reliability of repeated use decreases due to the ingress of the grinding liquid or that the grinding liquid adheres to the peripheral device of the semiconductor wafer and causes contamination. The purpose is to provide.

本発明においては上記課題を解決するため、少なくとも研削液を用いたバックグラインドにより薄片化される半導体ウェーハ用のものであって、
剛性を有する基板と、この基板に設けられる凹部と、この凹部に設けられる複数の支持突起と、凹部を被覆して複数の支持突起に支持され、半導体ウェーハを着脱自在に粘着保持する変形可能な粘着層と、基板に設けられ、負圧源の駆動に基づいて粘着層に被覆された凹部内の気体を外部に導く給排路と、この給排路に対する研削液の浸入を規制する通気防水材とを含み、
基板を多層構造に構成してその基板層と基板層との間に通気防水材として柔軟な薄膜を介在させ、この薄膜を給排路の途中に位置させるようにしたことを特徴としている。
In the present invention, in order to solve the above problems, at least for a semiconductor wafer to be thinned by back grinding using a grinding fluid,
A substrate having rigidity, a recess provided in the substrate, a plurality of support protrusions provided in the recess, and supported by the plurality of support protrusions so as to cover the recesses and detachably sticking and holding the semiconductor wafer An adhesive layer, a supply / exhaust path that is provided on the substrate and guides the gas in the recesses covered by the adhesive layer to the outside based on driving of the negative pressure source, and a ventilation waterproof that regulates the intrusion of the grinding fluid into the supply / exhaust path Including
The substrate is configured in a multilayer structure, and a flexible thin film is interposed between the substrate layers as a breathable waterproof material, and this thin film is positioned in the middle of the supply / discharge path .

ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハは、口径200mmタイプや300mmタイプ等を特に問うものではない。この半導体ウェーハには、結晶方位を判別したり、整列を容易化するオリフラやノッチが適宜形成される。また、固定キャリアの基板や通気防水材は、平面視で円形、楕円形、矩形、多角形等に形成することができる。   Here, the semiconductor wafer in the claims is not particularly limited to the 200 mm type or the 300 mm type. On this semiconductor wafer, orientation flats and notches for discriminating crystal orientation and facilitating alignment are appropriately formed. Further, the substrate of the fixed carrier and the ventilation waterproofing material can be formed in a circular shape, an elliptical shape, a rectangular shape, a polygonal shape or the like in a plan view.

凹部、粘着層、及び給排路は、単数複数を特に問うものではない。また、複数の支持突起は、凹部に規則的に配列されるものでも良いし、不規則に配列されるものでも良い。この複数の支持突起は、凹部と一体構造でも良いし、別体の構造にすることもできる。支持突起は、円錐台形、角柱形、角錐台形等に形成することが可能である。   The recess, the adhesive layer, and the supply / discharge path are not particularly limited. Further, the plurality of support protrusions may be regularly arranged in the recesses, or may be irregularly arranged. The plurality of support protrusions may be integrated with the recess or may be a separate structure. The support protrusion can be formed in a truncated cone shape, a prism shape, a truncated pyramid shape, or the like.

本発明によれば、通気防水材が基板の凹部に連通する給排路に設けられて研削液の浸入を規制するので、固定キャリア内に研削液が浸入して反復使用に対する信頼性を低下させるのを防ぐことができる。また、通気防水材が給排路に研削液を流通させずに気体のみを通すので、凹部内の気体の吸引に伴い、粘着層が支持突起に追従しながら変形するのに支障を来たすことがない。   According to the present invention, the ventilation waterproof material is provided in the supply / discharge path communicating with the concave portion of the substrate to restrict the ingress of the grinding fluid, so that the grinding fluid enters the fixed carrier to reduce the reliability for repeated use. Can be prevented. In addition, since the ventilation waterproof material allows only the gas to pass through the supply / exhaust passage without passing the grinding fluid, it may interfere with the deformation of the adhesive layer while following the support protrusion as the gas is sucked into the recess. Absent.

本発明によれば、研削液の浸入により固定キャリアの反復使用に関する信頼性が低下するおそれを排除することができるという効果がある。また、半導体ウェーハのハンドリング装置をはじめとする周辺装置に研削液が付着して汚染が生じるのを未然に防ぐことができるという効果がある。また、通気防水材を、給排路を覆う柔軟な薄膜とするので、例え給排路の取付面が不整面でも、給排路を的確に被覆することができ、良好なシーリング性を得ることができる。さらに、基板層と基板層との間に薄膜を挟持させるので、強固な止水構造が期待でき、研削液の流入に伴う薄膜の給排路からの剥離を防止することが可能となる。 According to the present invention, there is an effect that it is possible to eliminate the possibility that the reliability related to repeated use of the fixed carrier is lowered due to the penetration of the grinding fluid. Further, there is an effect that it is possible to prevent the contamination from being caused by the grinding liquid adhering to peripheral devices such as a semiconductor wafer handling device. In addition, since the breathable waterproof material is a flexible thin film that covers the supply / discharge path, even if the mounting surface of the supply / discharge path is irregular, the supply / discharge path can be covered accurately and good sealing properties can be obtained. Can do. Further, since the thin film is sandwiched between the substrate layers, a strong water stop structure can be expected, and the thin film can be prevented from being peeled off from the supply / discharge path due to the inflow of the grinding fluid.

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における固定キャリア20は、図1ないし図4に示すように、バックグラインド装置1にセットされる剛性の基板21と、この基板21に形成される凹み穴22と、この凹み穴22に配設される複数の支持突起24と、バックグラインドされる半導体ウェーハWを着脱自在に粘着保持する弾性変形可能な粘着層25と、この粘着層25に被覆された凹み穴22内の空気を外部に導く給排路26と、この給排路26に対するバックグラインド装置1の研削液の浸入を防止する通気防水膜30とを備え、ウェーハカセット5・5AやFOUP等の基板収納容器に半導体ウェーハWを保持した状態で収納可能に構成される。   Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. A fixed carrier 20 in this embodiment includes a rigid substrate 21 set on a back grinding apparatus 1 as shown in FIGS. An elastically deformable adhesive layer 25 that detachably attaches and holds the recessed hole 22 formed in the substrate 21, a plurality of support protrusions 24 disposed in the recessed hole 22, and the semiconductor wafer W to be back-ground. A supply / exhaust path 26 that guides the air in the recessed hole 22 covered with the adhesive layer 25 to the outside, and a ventilation waterproof film 30 that prevents the grinding fluid of the back grinding apparatus 1 from entering the supply / exhaust path 26. And the semiconductor wafer W can be stored in a state where it is held in a substrate storage container such as a wafer cassette 5 · 5A or FOUP.

バックグラインド装置1は、図1や図2に示すように、本体である架台2上に回転可能に設置される回転台4と、この回転台4上に回転可能に支持されて固定キャリア20を着脱自在に搭載保持する複数のチャックテーブル6と、このチャックテーブル6上の固定キャリア20に保持された半導体ウェーハWの裏面を粗研削と仕上げ研削を通じて研削処理する研削装置7と、研削処理された半導体ウェーハW用の洗浄装置10とを備えて構成される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the back grinding apparatus 1 includes a turntable 4 that is rotatably installed on a gantry 2 that is a main body, and a fixed carrier 20 that is rotatably supported on the turntable 4. A plurality of chuck tables 6 that are detachably mounted and held, a grinding device 7 that grinds the back surface of the semiconductor wafer W held by the fixed carrier 20 on the chuck table 6 through rough grinding and finish grinding, and the grinding processing And a cleaning device 10 for the semiconductor wafer W.

架台2は、前後方向に長く形成され、作業面の前部中央にハンドリング装置3が設置されるとともに、作業面の略中央部に平面円形の回転台4が上部の露出した状態で回転可能に設置されており、作業面の後部には、回転台4の表面後部に上方から対向する研削装置7が立設される。ハンドリング装置3の左右両側部には、固定キャリア20に保持されたバックグラインド前の厚い半導体ウェーハWを複数枚整列収納したウェーハカセット5と、固定キャリア20に保持されたバックグラインド後の薄い半導体ウェーハWを整列収納するウェーハカセット5Aとがそれぞれ搭載される。   The gantry 2 is formed long in the front-rear direction, and the handling device 3 is installed at the front center of the work surface, and the plane circular turntable 4 can be rotated with the upper part exposed at a substantially center portion of the work surface. The grinding device 7 is erected on the rear part of the work surface so as to face the rear part of the surface of the turntable 4 from above. On both the left and right sides of the handling device 3, a wafer cassette 5 in which a plurality of thick semiconductor wafers W before back grinding held by the fixed carrier 20 are arranged and stored, and a thin semiconductor wafer after back grinding held by the fixed carrier 20 are stored. A wafer cassette 5A for aligning and storing W is mounted.

回転台4は、例えば所定の材料を使用して大径の円板形に形成され、その露出した上部表面の周方向には複数のチャックテーブル6が間隔をおき支持されており、所定の回転角度で回転してチャックテーブル6の位置をハンドリング装置3方向や研削装置7方向に変更するよう機能する。   The turntable 4 is formed into a large-diameter disk shape using a predetermined material, for example, and a plurality of chuck tables 6 are supported at intervals in the circumferential direction of the exposed upper surface. It functions to change the position of the chuck table 6 in the direction of the handling device 3 or the direction of the grinding device 7 by rotating at an angle.

チャックテーブル6は、例えばステンレス製の枠体に多孔質セラミックス製の円板が嵌合されることにより平坦な平面円形に構成され、架台2内の図示しない真空装置の減圧に基づき、半導体ウェーハWを粘着保持した固定キャリア20を着脱自在に搭載保持するよう機能する。このチャックテーブル6における固定キャリア20の給排路26に対応する位置には、粘着層25に被覆された凹み穴22内を減圧しないよう目止めが施される。   The chuck table 6 is configured to be a flat planar circle by fitting a porous ceramic disk to a stainless steel frame, for example, and based on the pressure reduction of a vacuum device (not shown) in the gantry 2, the semiconductor wafer W It functions to detachably mount and hold the fixed carrier 20 holding the adhesive. At the position corresponding to the supply / discharge path 26 of the fixed carrier 20 in the chuck table 6, sealing is applied so as not to depressurize the inside of the recessed hole 22 covered with the adhesive layer 25.

研削装置7は、半導体ウェーハWの裏面に上方から♯320〜360程度の回転砥石8aで研削液を介し粗研削処理を施す粗研削装置8と、この粗研削装置8に隣接配置されて粗研削処理された半導体ウェーハWの裏面に上方から♯2000程度の回転砥石9aで研削液を介し仕上げ研削処理を施す仕上げ研削装置9とを備えて構成される。   The grinding device 7 includes a rough grinding device 8 that performs rough grinding processing on the back surface of the semiconductor wafer W from above with a rotating grindstone 8a of about # 320 to 360 through a grinding liquid, and is disposed adjacent to the rough grinding device 8 for rough grinding. The rear surface of the processed semiconductor wafer W is provided with a finish grinding device 9 that performs a finish grinding process with a rotating grindstone 9a of about # 2000 from above through a grinding liquid.

固定キャリア20の基板21は、図1や図3に示すように、所定の材料を使用して0.5〜2.0mm程度の厚さを有する平坦な薄板に形成され、半導体ウェーハWよりも大きい平面円形とされており、ウェーハカセット5・5Aや基板収納容器に収納可能な大きさに形成される。この基板21の材料としては、例えばアルミニウム合金、マグネシウム合金、ステンレス等の金属材料、ポリアミド(PA)、ポリカーボネート(PC)、ポリプロピレン(PP)、アクリル、ポリ塩化ビニル等の樹脂成形材料、ガラスがあげられる。   The substrate 21 of the fixed carrier 20 is formed as a flat thin plate having a thickness of about 0.5 to 2.0 mm using a predetermined material as shown in FIGS. It is a large flat circle, and is formed in a size that can be stored in the wafer cassette 5 or 5A or the substrate storage container. Examples of the material of the substrate 21 include metal materials such as aluminum alloy, magnesium alloy and stainless steel, resin molding materials such as polyamide (PA), polycarbonate (PC), polypropylene (PP), acrylic and polyvinyl chloride, and glass. It is done.

基板21の厚さは0.5〜2.0mmの範囲、好ましくは1.0mm程度とされるが、これは、基板21の厚さが0.5mm未満の場合には、薄片化された半導体ウェーハWのハンドリング時に半導体ウェーハWが撓んだり、折曲して破損するおそれがあるからである。逆に、基板21の厚さが2.0mmを超える場合には、ウェーハカセット5・5A等に対する出し入れ時に引っかかり、支障を来たすおそれがあるからである。   The thickness of the substrate 21 is in the range of 0.5 to 2.0 mm, preferably about 1.0 mm. This is because a thinned semiconductor is formed when the thickness of the substrate 21 is less than 0.5 mm. This is because the semiconductor wafer W may be bent or bent when it is handled. On the contrary, if the thickness of the substrate 21 exceeds 2.0 mm, the substrate 21 may be caught when being taken in and out of the wafer cassette 5 or 5A, etc., which may cause trouble.

凹み穴22は、図4に示すように、基板21の表面周縁部を除く大部分に浅く凹み形成されるとともに、半導体ウェーハWに略対応する大きさの平面円形に形成され、周縁部23が半導体ウェーハWの周縁部に粘着層25を介して略対向する。この凹み穴22は、0.05〜0.5mm、好ましくは0.2mm程度の深さに形成され、その底面には、粘着層25を下方から支持する複数の支持突起24が並設される。   As shown in FIG. 4, the recessed hole 22 is formed in a shallow recess in most of the substrate 21 except for the peripheral edge of the substrate 21, and is formed in a planar circle having a size substantially corresponding to the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W is substantially opposed to the peripheral edge portion of the semiconductor wafer W through the adhesive layer 25. The recessed hole 22 is formed to a depth of about 0.05 to 0.5 mm, preferably about 0.2 mm, and a plurality of support protrusions 24 that support the adhesive layer 25 from below are provided in parallel on the bottom surface. .

複数の支持突起24は、例えば凹み穴22の底面に成形法、サンドブラスト法、エッチング法等により間隔をおき規則的に配列され、各支持突起24が凹み穴22の深さと略同じ高さ、長さの円柱形に形成される。   The plurality of support protrusions 24 are regularly arranged on the bottom surface of the recess hole 22 by a molding method, a sand blasting method, an etching method, or the like, for example, and each support protrusion 24 is approximately the same height and length as the depth of the recess hole 22. It is formed in a cylindrical shape.

粘着層25は、図3や図4に示すように、例えばエチレン‐メチルメタクリレート、シリコーンゴム、ウレタン系エラストマー、直鎖状低密度ポリエチレン(LLPE)、エチレン−メチルメタアクリレート共重合物、オレフィン系熱可塑性エラストマー、プロピレン−オレフィン共重合物、アクリル系粘着剤/オレフィン系基材のエラストマーフィルム等を使用して半導体ウェーハWよりも大きい平面円形の薄膜に成形され、基板21の表面周縁部に接着されるとともに、複数の支持突起24にそれぞれ接着されており、凹み穴22を被覆してその底面との間に空気流通用の空間を区画する。   As shown in FIGS. 3 and 4, the adhesive layer 25 is made of, for example, ethylene-methyl methacrylate, silicone rubber, urethane elastomer, linear low density polyethylene (LLPE), ethylene-methyl methacrylate copolymer, olefin-based heat. Using a plastic elastomer, a propylene-olefin copolymer, an acrylic adhesive / olefin base elastomer film, etc., it is formed into a planar circular thin film larger than the semiconductor wafer W and adhered to the surface peripheral portion of the substrate 21. At the same time, it is bonded to each of the plurality of support protrusions 24, covers the recessed hole 22, and divides a space for air circulation between the bottom surface.

給排路26は、図4に示すように、基板21の下部に穿孔されてその下流部が真空ポンプ27に剥離用テーブル28の連通孔29や図示しない剥離用ハンド等を介し着脱自在に接続されており、真空ポンプ27の駆動に基づき、粘着層25に被覆された凹み穴22内の空気を外部に排気して負圧化するよう機能する。そして、この空気の排気により、平坦な粘着層25は、複数の支持突起24に追従しながら凹み穴22の底面方向に凹凸に変形し、半導体ウェーハWから部分的に離隔して密着状態の半導体ウェーハWの剥離を容易化する。   As shown in FIG. 4, the supply / discharge path 26 is perforated in the lower part of the substrate 21, and the downstream part thereof is detachably connected to the vacuum pump 27 via a communication hole 29 of the peeling table 28, a peeling hand (not shown) or the like. Based on the driving of the vacuum pump 27, the air in the recessed hole 22 covered with the adhesive layer 25 is exhausted to the outside to function as a negative pressure. Then, by this air exhaust, the flat adhesive layer 25 is deformed into an uneven shape in the direction of the bottom surface of the recessed hole 22 while following the plurality of support protrusions 24, and is partially separated from the semiconductor wafer W to be in close contact with the semiconductor. The wafer W can be easily peeled off.

給排路26の大きさは、特に限定されるものではないが、バックグラインド作業に悪影響を及ぼさないようφ2mm以下であることが好ましい。また、剥離用テーブル28は、例えば平面略円板形に形成され、真空ポンプ27と共にバックグラインド装置1の外部に設置されており、バックグラインド装置1から搬出された固定キャリア20の基板21を着脱自在に搭載する。   The size of the supply / discharge path 26 is not particularly limited, but is preferably 2 mm or less so as not to adversely affect the back grinding operation. Further, the peeling table 28 is formed in, for example, a substantially flat disk shape and is installed outside the back grinding apparatus 1 together with the vacuum pump 27, and the substrate 21 of the fixed carrier 20 carried out from the back grinding apparatus 1 is attached and detached. Mount freely.

通気防水膜30は、同図に示すように、空気を通すが、純水からなる研削液等の液体を通さない柔軟な防水透湿素材、例えば多孔質PTFEシート(商品名ゴアテックス(登録商標))等を使用して平面円形の薄膜に形成され、凹み穴22の底面に接着されて給排路26の開口を被覆する。   As shown in the figure, the air-permeable waterproof membrane 30 is a flexible waterproof and moisture-permeable material, such as a porous PTFE sheet (trade name Gore-Tex (registered trademark), which allows air to pass through but does not allow liquids such as grinding fluid made of pure water to pass through. )) Or the like, and is bonded to the bottom surface of the recessed hole 22 to cover the opening of the supply / discharge path 26.

上記において、半導体ウェーハWをバックグラインドにより100μm以下の厚さに薄片化し、ダイシング工程で個々のチップに分離する場合には、先ず、ウェーハカセット5に、予め半導体ウェーハWを粘着保持した固定キャリア20を収納してバックグラインド装置1にセットし、ウェーハカセット5から回転台4のチャックテーブル6に固定キャリア20をハンドリング装置3により移載し、チャックテーブル6に固定キャリア20を対向させて減圧保持させる。   In the above, when the semiconductor wafer W is thinned to a thickness of 100 μm or less by back grinding and separated into individual chips in the dicing process, first, the fixed carrier 20 in which the semiconductor wafer W is adhesively held in advance in the wafer cassette 5. Is stored in the back grinding apparatus 1, the fixed carrier 20 is transferred from the wafer cassette 5 to the chuck table 6 of the turntable 4 by the handling apparatus 3, and the fixed carrier 20 is opposed to the chuck table 6 and held under reduced pressure. .

こうしてチャックテーブル6に固定キャリア20が搭載されると、回転台4が回転してチャックテーブル6をハンドリング装置3側から研削装置7側に搬送するとともに、チャックテーブル6と共に固定キャリア20が回転し、研削装置7が回転する半導体ウェーハWの裏面を粗研削装置8と仕上げ研削装置9の回転砥石8a・9aと研削液で順次研削し、ウェーハカセット5Aが収納する。   When the fixed carrier 20 is thus mounted on the chuck table 6, the turntable 4 rotates to convey the chuck table 6 from the handling device 3 side to the grinding device 7 side, and the fixed carrier 20 rotates together with the chuck table 6. The back surface of the semiconductor wafer W on which the grinding device 7 rotates is sequentially ground with the rotating grindstones 8a and 9a of the rough grinding device 8, the finish grinding device 9, and the grinding liquid, and the wafer cassette 5A is accommodated.

上記研削作業の際、研削液が給排路26を流通して凹み穴22に流入するのを通気防水膜30が制水するので、固定キャリア20の粘着層25や半導体ウェーハWの汚染を招くことが全くない。
その後、図示しないエッチング装置により半導体ウェーハWの裏面が化学薬品により約1μm程度エッチングされて研削に伴うダメージ層が除去される。このダメージ層の除去により、半導体ウェーハWが完全に薄片化される。
At the time of the grinding operation, the ventilation waterproofing film 30 controls the flow of the grinding fluid through the supply / discharge passage 26 and flows into the recessed hole 22, thereby causing contamination of the adhesive layer 25 of the fixed carrier 20 and the semiconductor wafer W. There is nothing at all.
Thereafter, the back surface of the semiconductor wafer W is etched by about 1 μm with a chemical by an etching apparatus (not shown), and a damaged layer due to grinding is removed. By removing the damaged layer, the semiconductor wafer W is completely thinned.

次いで、半導体ウェーハWのエッチングされた裏面が中空のキャリア治具にダイシング工程で使用される粘着テープ、具体的にはUVテープを介して固定されるとともに、半導体ウェーハWが固定キャリア20から取り外される。具体的には、剥離用テーブル28や剥離用ハンド等を介して接続された真空ポンプ27が駆動して固定キャリア20の粘着層25を凹み穴22の底面方向に凹凸に変形させることにより、半導体ウェーハWが容易に剥離可能となるので、固定キャリア20から簡単に取り外すことができる。   Next, the etched back surface of the semiconductor wafer W is fixed to a hollow carrier jig through an adhesive tape used in the dicing process, specifically UV tape, and the semiconductor wafer W is removed from the fixed carrier 20. . Specifically, a vacuum pump 27 connected via a peeling table 28, a peeling hand, or the like is driven to deform the adhesive layer 25 of the fixed carrier 20 into irregularities in the direction of the bottom surface of the recessed hole 22, thereby providing a semiconductor. Since the wafer W can be easily peeled off, it can be easily detached from the fixed carrier 20.

この際、通気防水膜30が給排路26に研削液を流通させずに空気のみを通すので、空気の吸引に伴う粘着層25の変形に支障を来たすことが全くない。   At this time, since the air-permeable waterproof film 30 allows only air to pass through the supply / discharge passage 26 without passing the grinding liquid, there is no hindrance to the deformation of the adhesive layer 25 due to air suction.

半導体ウェーハWをUVテープによりキャリア治具に支持させたら、UVテープの余剰部をカットし、キャリア治具の中空部に配置された半導体ウェーハWを砥石により個々のチップに分離することができる。   When the semiconductor wafer W is supported on the carrier jig by the UV tape, the surplus portion of the UV tape can be cut, and the semiconductor wafer W arranged in the hollow portion of the carrier jig can be separated into individual chips with a grindstone.

上記構成によれば、バックグラインド工程時に通気防水膜30が凹み穴22に連通する給排路26を被覆して研削液の流入を遮断するので、固定キャリア20内に研削液が浸入して反復使用に対する信頼性を低下させることがない。また、半導体ウェーハWのハンドリング装置3や他の周辺装置に研削液が付着して汚染を生じさせるおそれを未然に排除することができる。さらに、通気防水膜30として柔軟な多孔質PTFEシートを使用すれば、優れた加工性、密着性、耐薬品性を得ることができる。   According to the above configuration, the air-permeable waterproof film 30 covers the supply / discharge path 26 communicating with the recessed hole 22 and blocks the inflow of the grinding fluid during the back grinding process, so that the grinding fluid enters the fixed carrier 20 and repeats. It does not reduce reliability for use. Further, it is possible to eliminate the possibility that the grinding liquid adheres to the handling device 3 of the semiconductor wafer W and other peripheral devices to cause contamination. Furthermore, if a flexible porous PTFE sheet is used as the breathable waterproof membrane 30, excellent processability, adhesion, and chemical resistance can be obtained.

次に、図5は本発明の第2の実施形態を示すもので、この場合には、固定キャリア20の基板21を単層構造ではなく、多層構造に構成してその基板層21aと基板層21aとの間に通気防水膜30を介在させ、この通気防水膜30を給排路26の途中に位置させるようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   Next, FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. In this case, the substrate 21 of the fixed carrier 20 is formed not in a single layer structure but in a multilayer structure, and the substrate layer 21a and the substrate layer are formed. A breathable waterproof film 30 is interposed between the air vent waterproof film 21 a and the vented waterproof film 30 so as to be positioned in the middle of the supply / discharge path 26. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、基板層21aと基板層21aとの間に通気防水膜30を挟持させるので、強固な止水構造が期待でき、研削液の流入に伴う通気防水膜30の給排路26からの剥離を防止することができるのは明らかである。   In this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be expected, and since the ventilation waterproof film 30 is sandwiched between the substrate layer 21a and the substrate layer 21a, a strong water stop structure can be expected. It is obvious that the air-permeable waterproof membrane 30 can be prevented from being peeled off from the supply / exhaust passage 26 due to the inflow of water.

次に、図6は本発明の第3の実施形態を示すもので、この場合には、凹み穴22の底面に、給排路26の開口を被覆する平面円形の通気防水膜30を接着し、この通気防水膜30の周縁部には、複数の支持突起24にそれぞれ嵌入する取付孔31を穿孔するようにしている。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。   Next, FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention. In this case, a flat circular ventilation waterproof film 30 covering the opening of the supply / discharge path 26 is bonded to the bottom surface of the recess hole 22. Attaching holes 31 that fit into the plurality of support protrusions 24 are formed in the peripheral edge of the breathable waterproof film 30. The other parts are the same as those in the above embodiment, and the description thereof is omitted.

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、通気防水膜30の周縁部の取付孔31が支持突起24に嵌入してその位置ずれや脱落を規制するので、簡易な構成で研削液の浸入に伴う通気防水膜30の剥離を防止することができるのは明らかである。   In this embodiment, the same effect as that of the above embodiment can be expected, and the mounting hole 31 at the peripheral edge of the breathable waterproof film 30 is fitted into the support protrusion 24 to regulate its positional deviation and dropout. It is obvious that the structure can prevent the breathable waterproof film 30 from peeling off due to the ingress of the grinding fluid.

なお、上記実施形態では単一の通気防水膜30を示したが、何らこれに限定されるものではなく、例えば複数の通気防水膜30を積層して使用しても良い。また、通気防水膜30を、多孔質PTFEシートを用いて形成したが、空気は通すが、研削液等の液体は通さない多孔質PTFEシート以外の周知の素材により形成しても良い。さらに図7に示すように、凹み穴22の周縁部23に、半導体ウェーハWの振動を抑制する抑制体32を備え、この抑制体32を、凹み穴22の周縁部23内面から中心の内方向に突出する複数の櫛歯33から形成しても良い。   In addition, although the single ventilation waterproof membrane 30 was shown in the said embodiment, it is not limited to this at all, For example, you may laminate | stack and use the several ventilation waterproof membrane 30. FIG. In addition, although the ventilation waterproof film 30 is formed using a porous PTFE sheet, it may be formed of a known material other than the porous PTFE sheet that allows air to pass but does not allow liquid such as grinding liquid to pass. Further, as shown in FIG. 7, the peripheral portion 23 of the recess hole 22 is provided with a suppression body 32 that suppresses the vibration of the semiconductor wafer W, and the suppression body 32 is inwardly directed from the inner surface of the peripheral portion 23 of the recess hole 22. You may form from the several comb tooth 33 which protrudes in this.

こうすれば、半導体ウェーハWの周縁部を対向保持する固定キャリア20の保持部分に複数の櫛歯33が存在するので、固定キャリア20に半導体ウェーハWをセットする際に多少位置がずれても、半導体ウェーハWの周縁部を均一に固定することができる。したがって、バックグラインド工程で半導体ウェーハWの周縁部が部分的に大きく振動することがないので、振動部分が固定キャリア20から剥離し、固定キャリア20と半導体ウェーハWとの間に研削液が浸入するおそれをきわめて有効に抑制することができ、半導体ウェーハWの汚染防止が大いに期待できる。   In this way, since there are a plurality of comb teeth 33 in the holding portion of the fixed carrier 20 that holds the peripheral edge of the semiconductor wafer W facing each other, even if the position is slightly shifted when setting the semiconductor wafer W on the fixed carrier 20, The periphery of the semiconductor wafer W can be fixed uniformly. Accordingly, since the peripheral portion of the semiconductor wafer W does not partially vibrate in the back grinding process, the vibrating portion peels off from the fixed carrier 20 and the grinding liquid enters between the fixed carrier 20 and the semiconductor wafer W. The fear can be suppressed very effectively, and contamination of the semiconductor wafer W can be greatly expected.

本発明に係る固定キャリアの実施形態におけるバックグラインド装置を模式的に示す平面説明図である。It is a plane explanatory view showing typically the back grinding device in the embodiment of the fixed carrier concerning the present invention. 本発明に係る固定キャリアの実施形態におけるバックグラインド装置を模式的に示す側面説明図である。It is side surface explanatory drawing which shows typically the back grinding apparatus in embodiment of the fixed carrier which concerns on this invention. 本発明に係る固定キャリアの実施形態を模式的に示す平面説明図である。It is a plane explanatory view showing typically an embodiment of a fixed carrier concerning the present invention. 本発明に係る固定キャリアの実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically an embodiment of a fixed carrier concerning the present invention. 本発明に係る固定キャリアの第2の実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically the 2nd embodiment of the fixed carrier concerning the present invention. 本発明に係る固定キャリアの第3の実施形態を模式的に示す断面説明図である。It is a section explanatory view showing typically a 3rd embodiment of a fixed carrier concerning the present invention. 本発明に係る固定キャリアの第4の実施形態を模式的に示す要部平面説明図である。It is principal part top explanatory drawing which shows typically 4th Embodiment of the fixed carrier which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 バックグラインド装置
3 ハンドリング装置
4 回転台
6 チャックテーブル
7 研削装置
8 粗研削装置
9 仕上げ研削装置
20 固定キャリア
21 基板
21a 基板層
22 凹み穴(凹部)
24 支持突起
25 粘着層
26 給排路
27 真空ポンプ(負圧源)
28 剥離用テーブル
30 通気防水膜(通気防水材、薄膜)
31 取付孔
W 半導体ウェーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Back grinding apparatus 3 Handling apparatus 4 Turntable 6 Chuck table 7 Grinding apparatus 8 Rough grinding apparatus 9 Finish grinding apparatus 20 Fixed carrier 21 Substrate 21a Substrate layer 22 Recessed hole (recessed part)
24 Support protrusion 25 Adhesive layer 26 Supply / exhaust path 27 Vacuum pump (negative pressure source)
28 Peeling table 30 Breathable waterproof membrane (breathable waterproof material, thin film)
31 Mounting hole W Semiconductor wafer

Claims (1)

少なくとも研削液を用いたバックグラインドにより薄片化される半導体ウェーハ用の固定キャリアであって、
剛性を有する基板と、この基板に設けられる凹部と、この凹部に設けられる複数の支持突起と、凹部を被覆して複数の支持突起に支持され、半導体ウェーハを着脱自在に粘着保持する変形可能な粘着層と、基板に設けられ、負圧源の駆動に基づいて粘着層に被覆された凹部内の気体を外部に導く給排路と、この給排路に対する研削液の浸入を規制する通気防水材とを含み、
基板を多層構造に構成してその基板層と基板層との間に通気防水材として柔軟な薄膜を介在させ、この薄膜を給排路の途中に位置させるようにしたことを特徴とする固定キャリア。
A fixed carrier for a semiconductor wafer that is thinned by at least a back grind using a grinding fluid,
A substrate having rigidity, a recess provided in the substrate, a plurality of support protrusions provided in the recess, and supported by the plurality of support protrusions so as to cover the recesses and detachably sticking and holding the semiconductor wafer An adhesive layer, a supply / exhaust path that is provided on the substrate and guides the gas in the recesses covered by the adhesive layer to the outside based on driving of the negative pressure source, and a ventilation waterproof that regulates the intrusion of the grinding fluid into the supply / exhaust path Including
A fixed carrier comprising a substrate having a multilayer structure, a flexible thin film interposed between the substrate layer and the substrate layer as a breathable waterproof material, and the thin film being positioned in the middle of the supply / discharge path .
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