JP4917469B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
この洗浄処理において、複数種の薬液が用いられることがある。複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せである場合、薬液の混触を確実に防止するため、通常は、各薬液ごとに処理チャンバを替えて、基板に対する各薬液による処理が実施される。たとえば、王水と硫酸とが混触すると、激しい発熱反応により突沸を生じ、また、反応生成物として塩素ガスが発生する。そのため、王水と硫酸とを用いる洗浄処理では、王水用の処理チャンバにおいて、基板に対する王水による処理が実施され、その処理チャンバとは別の硫酸用の処理チャンバにおいて、基板に対する硫酸による処理が実施される。
この構成によれば、最終供給記憶手段に、第1薬液供給手段、第2薬液供給手段およびリンス液供給手段のいずれの供給動作が過去直近に制御されたかが記憶されている。供給動作制御手段による第1薬液供給手段または第2薬液供給手段の供給動作の制御に先立ち、制御禁止手段によって、その最終供給記憶手段の記憶内容が参照される。そして、第1薬液供給手段の供給動作に引き続いて、第2薬液供給手段の供給動作が制御されることになる場合、または、第2薬液供給手段の供給動作に引き続いて、第1薬液供給手段の供給動作が制御されることになる場合には、その新たな供給動作の制御が禁止される。これにより、処理室内や処理室に接続された配管内に第1薬液が付着した状態で、処理室内の基板に第2薬液が供給されたり、処理室内や処理室に接続された配管内に第2薬液が付着した状態で、処理室内の基板に第1薬液が供給されたりすることがない。そのため、処理室内や処理室に接続された配管内における第1薬液と第2薬液との混触を確実に防止することができる。その結果、1つの処理室において、第1薬液および第2薬液を用いた基板処理を完遂することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
基板処理装置1は、第1薬液、第2薬液、第3薬液およびDIW(deionized water)を用いて、基板の一例である半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)から汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。この基板処理装置1は、隔壁(図示せず)により区画された処理室2内に、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック3と、スピンチャック3に保持されたウエハWの表面(上面)に第1薬液を供給するための第1薬液ノズル4と、スピンチャック3に保持されたウエハWの表面に第2薬液を供給するための第2薬液ノズル5と、スピンチャック3に保持されたウエハWの表面に第3薬液を供給するための第3薬液ノズル6と、スピンチャック3に保持されたウエハWの表面にDIWを供給するためのDIWノズル7とを備えている。
スピン軸8には、裏面処理液供給管12が相対回転可能に挿通されている。裏面処理液供給管12の上端は、スピン軸8の上端に設けられた裏面ノズル13に接続されている。また、裏面処理液供給管12には、第1薬液キャビネット65(図2参照)から第1薬液が供給される第1薬液裏面側供給管14と、第2薬液キャビネット66(図2参照)から第2薬液が供給される第2薬液裏面側供給管15と、第3薬液キャビネット67(図2参照)から第3薬液が供給される第3薬液裏面側供給管16と、DIW供給ライン(図示せず)からDIWが供給されるDIW裏面側供給管17とが接続されている。
第2薬液裏面側バルブ19、第3薬液裏面側バルブ20およびDIW裏面側バルブ21が閉じられた状態で、第1薬液裏面側バルブ18が開かれると、第1薬液裏面側供給管14から裏面処理液供給管12に第1薬液が供給される。裏面処理液供給管12に供給された第1薬液は、裏面処理液供給管12を通して裏面ノズル13に供給され、裏面ノズル13から上方に向けて吐出される。スピンチャック3にウエハWが保持された状態で、裏面ノズル13から第1薬液を吐出させることにより、ウエハWの裏面(下面)に第1薬液を供給することができる。
なお、DIW裏面側供給管17は、裏面ノズル13に対して第1薬液裏面側供給管14、第2薬液裏面側供給管15および第3薬液裏面側供給管16よりも遠い位置で、裏面処理液供給管12に接続されている。そのため、裏面ノズル13からの第1薬液、第2薬液または第3薬液の吐出終了後に、DIW裏面側バルブ21が開かれて、裏面処理液供給管12にDIWが供給されると、そのDIWにより、裏面処理液供給管12内に残留している第1薬液、第2薬液または第3薬液が排除される。したがって、第1薬液裏面処理工程、第2薬液裏面処理工程および第3薬液裏面処理工程の終了後に裏面リンス工程(後述する)が行われることにより、裏面処理液供給管12内において、第1薬液、第2薬液および第3薬液間での混触を生じるおそれはない。
DIWノズル7には、DIW供給ライン(図示せず)からDIWが供給されるDIW表面側供給管36が接続されている。このDIW表面側供給管36には、DIW表面側バルブ37が介装されている。DIW表面側バルブ37が開かれると、DIW表面側供給管36からDIWノズル7にDIWが供給され、DIWノズル7からDIWが吐出される。スピンチャック3にウエハWが保持された状態で、DIWノズル7からDIWを吐出させることにより、ウエハWの表面にDIWを供給することができる。
カップ38の底部には、第3薬液およびDIWを廃液するための廃液溝40が、ウエハWの回転軸線(スピン軸8の中心軸線)を中心とする円環状に形成されている。また、カップ38の底部には、廃液溝40を取り囲むように、第1薬液を回収するための第1回収溝41および第2薬液を回収するための第2回収溝42が2重円環状に形成されている。廃液溝40、第1回収溝41および第2回収溝42には、それぞれ廃液ライン43、第1回収ライン44および第2回収ライン45が接続されている。
傘状部材46は、ウエハWの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部50,51と、これら円筒部50,51の上端を連結し、ウエハWの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部52とを一体的に備えている。内側(中心側)の円筒部50の下端は、廃液溝40上に位置している。外側の円筒部51の下端は、第1回収溝41上に位置している。また、円筒部50,51は、スプラッシュガード39が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ38の底面に接触しないような長さを有している。
なお、この実施形態では、ウエハWの処理に使用された第3薬液が廃液される場合の構成を取り上げているが、第3薬液を回収する場合には、第2回収溝42を取り囲むように第3回収溝を設けるとともに、傘状部材48に第3回収溝上に位置する円筒部を追加して設け、また、第3回収溝上に位置する円筒部と、円筒部の上端からウエハWの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部とを一体的に備える傘状部材を、その傘状部材48を取り囲むように設ければよい。
基板処理装置1は、CPU60およびメモリ61を含む構成のコンピュータ62を備えている。このコンピュータ62には、制御対象として、第1薬液裏面側バルブ18、第2薬液裏面側バルブ19、第3薬液裏面側バルブ20、DIW裏面側バルブ21、第1薬液表面側バルブ23、第2薬液表面側バルブ25、第3薬液表面側バルブ31、窒素ガスバルブ32、DIW表面側バルブ37、チャック回転機構11、ノズル駆動機構28、第3薬液ノズル用駆動機構35およびガード昇降機構49が接続されている。また、コンピュータ62には、ウエハWの洗浄処理における各処理工程の実行順序を規定するレシピを入力するためのレシピ入力キー63と、計時のためのタイマ64とが接続されている。
(1)第1薬液表面処理工程
第1薬液表面処理工程は、第1薬液ノズル4からウエハWの表面に第1薬液を供給して、ウエハWの表面を第1薬液により処理する工程である。この第1薬液表面処理工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に第1回収捕獲口58が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、600rpm)で回転されつつ、そのウエハWの表面に第1薬液ノズル4から第1薬液が供給される。また、この第1薬液の供給時には、ノズルアーム26が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハWの表面における第1薬液の着液位置が、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハWの表面の全域に第1薬液がむらなく供給される。ウエハWの表面に供給された第1薬液は、ウエハWの回転による遠心力によって、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に第1回収捕獲口58が対向しているので、ウエハWから飛散する第1薬液は、第1回収捕獲口58に飛入して捕獲される。
第2薬液表面処理工程は、第2薬液ノズル5からウエハWの表面に第2薬液を供給して、ウエハWの表面を第2薬液により処理する工程である。この第2薬液表面処理工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に第2回収捕獲口59が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、700rpm)で回転されつつ、そのウエハWの表面に第2薬液ノズル5から第2薬液が供給される。また、この第2薬液の供給時には、ノズルアーム26が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハWの表面における第2薬液の着液位置が、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハWの表面の全域に第2薬液がむらなく供給される。ウエハWの表面に供給された第2薬液は、ウエハWの回転による遠心力によって、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に第2回収捕獲口59が対向しているので、ウエハWから飛散する第2薬液は、第2回収捕獲口59に飛入して捕獲される。
第3薬液表面処理工程は、第3薬液ノズル6からウエハWの表面に第3薬液を供給して、ウエハWの表面を第3薬液により処理する工程である。この第3薬液表面処理工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に傘状部材46の傾斜部51が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、500rpm)で回転されつつ、そのウエハWの表面に第3薬液ノズル6から第3薬液の液滴の噴流が供給される。また、この第3薬液の供給時には、第3薬液ノズル用アーム33が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハWの表面における第3薬液の着液位置が、ウエハWの回転中心からウエハWの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハWの表面の全域に第3薬液がむらなく供給される。ウエハWの表面に供給された第3薬液は、ウエハWの回転による遠心力によって、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に傘状部材46の傾斜部51が対向しているので、ウエハWから飛散する第3薬液は、傘状部材46の円筒部50および傾斜部52の内側の面を伝って、廃液溝40へと導かれる。
表面リンス工程は、DIWノズル7からウエハWの表面にDIWを供給して、ウエハWの表面をDIWで水洗する工程である。この表面リンス工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に傘状部材46の傾斜部51が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、500rpm)で回転されつつ、そのウエハWの表面の中央部にDIWノズル7からDIWが供給される。ウエハWの表面に供給されたDIWは、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの表面の全域にDIWがむらなく供給される。ウエハWの表面の周縁に達したDIWは、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に傘状部材46の傾斜部51が対向しているので、ウエハWから飛散するDIWは、傘状部材46の円筒部50および傾斜部52の内側の面を伝って、廃液溝40へと導かれる。
第1薬液裏面処理工程は、裏面ノズル13からウエハWの裏面に第1薬液を供給して、ウエハWの裏面を第1薬液により処理する工程である。この第1薬液裏面処理工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に第1回収捕獲口58が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、600rpm)で回転されつつ、そのウエハWの裏面の中央部に裏面ノズル13から第1薬液が供給される。ウエハWの裏面に供給された第1薬液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの裏面の全域に第1薬液がむらなく供給される。ウエハWの裏面の周縁に達した第1薬液は、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に第1回収捕獲口58が対向しているので、ウエハWから飛散する第1薬液は、第1回収捕獲口58に飛入して捕獲される。
第2薬液裏面処理工程は、裏面ノズル13からウエハWの裏面に第2薬液を供給して、ウエハWの裏面を第2薬液により処理する工程である。この第2薬液裏面処理工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に第2回収捕獲口59が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、700rpm)で回転されつつ、そのウエハWの裏面の中央部に裏面ノズル13から第2薬液が供給される。ウエハWの裏面に供給された第2薬液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの裏面の全域に第2薬液がむらなく供給される。ウエハWの裏面の周縁に達した第2薬液は、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に第2回収捕獲口59が対向しているので、ウエハWから飛散する第2薬液は、第2回収捕獲口59に飛入して捕獲される。
第3薬液裏面処理工程は、裏面ノズル13からウエハWの裏面に第3薬液を供給して、ウエハWの裏面を第3薬液により処理する工程である。この第3薬液裏面処理工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に傘状部材46の傾斜部51が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、500rpm)で回転されつつ、そのウエハWの裏面の中央部に裏面ノズル13から第3薬液が供給される。ウエハWの裏面に供給された第3薬液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの裏面の全域に第3薬液がむらなく供給される。ウエハWの裏面の周縁に達した第3薬液は、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に傘状部材46の傾斜部51が対向しているので、ウエハWから飛散する第3薬液は、傘状部材46の円筒部50および傾斜部52の内側の面を伝って、廃液溝40へと導かれる。
裏面リンス工程は、裏面ノズル13からウエハWの裏面にDIWを供給して、ウエハWの裏面をDIWで水洗する工程である。この裏面リンス工程では、スピンチャック3に保持されたウエハWの周端面に傘状部材46の傾斜部51が対向するように、スプラッシュガード39が配置される。そして、スピンチャック3によりウエハWが所定の回転速度(たとえば、500rpm)で回転されつつ、そのウエハWの裏面の中央部に裏面ノズル13からDIWが供給される。ウエハWの裏面に供給されたDIWは、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハWの裏面の全域にDIWがむらなく供給される。ウエハWの裏面の周縁に達したDIWは、ウエハWの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハWの端面に傘状部材46の傾斜部51が対向しているので、ウエハWから飛散するDIWは、傘状部材46の円筒部50および傾斜部52の内側の面を伝って、廃液溝40へと導かれる。
メモリ61には、混触すると激しい発熱反応により突沸を生じるなど、混触に危険を伴う薬液の組合せが混触禁止薬液データベースとして記憶されている。
基板処理装置1が起動されると、CPU60(コンピュータ62)は、まず、使用薬液メモリ68,69,70にアクセスし、第1薬液、第2薬液および第3薬液の各薬液名を取得する(S1:使用薬液名取得)。
次に、CPU60は、第1薬液の薬液名と第1薬液裏面側バルブ18および第1薬液表面側バルブ23とを対応づけ、第2薬液の薬液名と第2薬液裏面側バルブ19および第2薬液表面側バルブ25とを対応づけ、第3薬液の薬液名と第3薬液裏面側バルブ20および第3薬液表面側バルブ31とを対応づけて、その対応関係を表す薬液−バルブ対応テーブルを作成する(S2)。
テーブル間に変更箇所が存在する場合には(S3のYES)、CPU60は、メモリ61に記憶されている混触禁止薬液データベースにアクセスし、混触に危険を伴う薬液の組合せに関する情報を取得する(S4:混触禁止情報取得)。
図4は、連続吐出不可情報テーブルの一例を示す図である。
このインターロック処理は、メモリ61に保持されたレシピに従って一連の洗浄処理が行われる過程において、各処理工程の開始時に実行される。複数の処理工程が並行して行われる場合、それらの処理工程に対して、このインターロック処理が1回実行される。
一方、ユーザによるレシピ入力キー63の操作により作成されたレシピにおいて、たとえば、第1薬液表面処理工程および第2薬液裏面処理工程が並行して行われることが規定されていた場合、これらの処理工程の開始時におけるインターロック処理では、第1薬液表面側バルブ23および第2薬液裏面側バルブ19が新規開バルブに特定される(S11)。同時吐出不可情報テーブルによれば、第1薬液表面側バルブ23と第2薬液裏面側バルブ19との組合せは、同時開成を禁止するバルブの組合せである。したがって、この場合、CPU60は、新規開バルブが開成可能でないと判断する(S13のNO)。そして、CPU60は、新規開バルブである第1薬液表面側バルブ23および第2薬液裏面側バルブ19の開成を禁止し(S19)、このインターロック処理を終了する。この場合、新規開バルブの開成が禁止された旨の警報が出されてもよい。
この図6に示すインターロック処理は、図5に示すインターロック処理に代えて実行される。以下、図5に示すインターロック処理において前述の各ステップと同様のステップについては、その詳細な説明を省略する。
まず、CPU60は、新規開バルブを特定する(S21)。
CPU60は、新規開バルブが開成可能であると判断した場合には(S23のYES)、つづいて、最終開バルブを特定する(S24)。
次いで、CPU60は、最終開バルブがDIW表面側バルブ37およびDIW裏面側バルブ21であれば、それらのDIW表面側バルブ37およびDIW裏面側バルブ21が継続的に開成されていた時間が調べられる。この時間は、DIW表面側バルブ37およびDIW裏面側バルブ21して行われる表面リンス工程および裏面リンス工程の継続時間であり、レシピから取得されてもよいし、タイマ64によりDIW表面側バルブ37およびDIW裏面側バルブ21の開成時間が実際に計測されてもよい。そして、CPU60は、DIW表面側バルブ37およびDIW裏面側バルブ21が一定時間以上開成され、DIWノズル7および裏面ノズル13からDIWが一定時間以上吐出されていた場合には(S25のYES)、最終開バルブを特定するための情報をメモリ61から消去する(S26)。一方、最終開バルブがDIW表面側バルブ37およびDIW裏面側バルブ21でない場合、およびDIW表面側バルブ37およびDIW裏面側バルブ21が一定時間以上開成されていない場合には(S25のNO)、最終開バルブを特定するための情報は消去されない。
一方、CPU60は、新規開バルブに同時開成を禁止するバルブの組合せが含まれており、これにより新規開バルブが開成可能でないと判断した場合には(S23のNO)、新規開バルブの開成を禁止し(S31)、このインターロック処理を終了する。
前述の説明においては、レシピ入力キー63の操作により作成されたレシピは、コンピュータ62のメモリ61に記憶され、このメモリ61に保持されたレシピに従って一連の洗浄処理が行われる過程において、各処理工程の開始時にインターロック処理が実行されるとした。しかしながら、レシピ入力キー63の操作によるレシピの作成後に、図7に示すレシピ可否判断処理が実行されて、その作成されたレシピが第1薬液、第2薬液および第3薬液間での混触を生じるような処理工程順を規定していないか否かが調べられ、そのような処理工程順を規定していない場合にのみ、レシピがメモリ61に記憶されて保存されるようにしてもよい。
そして、CPU60は、各処理工程の開始時に、図5または図6に示すインターロック処理を仮想的に実行する(S42)。
一方、すべての処理工程におけるインターロック処理において、新規開バルブの開成が禁止されなかった場合には(S43のNO)、CPU60は、レシピ入力キー63から入力されたレシピを、第1薬液、第2薬液および第3薬液間での混触を生じるような処理工程順を規定していないものであると判断して、メモリ61に記憶させて保存する(S45)。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、相互間での混触に危険を伴うような第1薬液、第2薬液および第3薬液の組合せとして、王水、硫酸およびアンモニア過酸化水素水を例示したが、この他に、ポリマ除去液として用いられるフッ化アンモン系液、ふっ酸およびバッファードふっ酸の組合せを例示することもできる。また、第1薬液と第2薬液との混触に危険を伴い、第1薬液および第2薬液と第3薬液との混触に危険を伴わないような第1薬液、第2薬液および第3薬液の組合せとしては、第1薬液として王水、第2薬液として硫酸、第3薬液として過酸化水素水を例示することができる。
また、第3薬液が液滴の噴流の状態でウエハWに供給される構成を取り上げたが、第3薬液ノズル6がストレートノズルとされて、第3薬液が連続流の状態でウエハWに供給されてもよい。さらにまた、第1薬液ノズル4および/または第2薬液ノズル5が二流体ノズルとされて、第1薬液および/または第2薬液が液滴の噴流の状態でウエハWに供給されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 処理室
18 第1薬液裏面側バルブ
19 第2薬液裏面側バルブ
20 第3薬液裏面側バルブ
21 DIW裏面側バルブ
23 第1薬液表面側バルブ
25 第2薬液表面側バルブ
31 第3薬液表面側バルブ
37 DIW表面側バルブ
60 CPU
61 メモリ
62 コンピュータ
63 レシピ入力キー
64 タイマ
W ウエハ
Claims (4)
- 処理室と、
前記処理室内の基板に第1薬液を供給するための第1薬液供給手段と、
前記処理室内の基板に前記第1薬液とは種類の異なる第2薬液を供給するための第2薬液供給手段と、
前記処理室内の基板にリンス液を供給するためのリンス液供給手段と、
前記第1薬液供給手段、前記第2薬液供給手段および前記リンス液供給手段の各供給動作を制御する供給動作制御手段と、
前記供給動作制御手段によって前記第1薬液供給手段、前記第2薬液供給手段および前記リンス液供給手段のいずれの供給動作が過去直近に制御されたかを記憶する最終供給記憶手段と、
前記供給動作制御手段による前記第1薬液供給手段または前記第2薬液供給手段の供給動作の制御に先立って、前記最終供給記憶手段の記憶内容を参照し、前記第1薬液供給手段の供給動作に引き続いて、前記第2薬液供給手段の供給動作が制御されることになる場合、または、前記第2薬液供給手段の供給動作に引き続いて、前記第1薬液供給手段の供給動作が制御されることになる場合に、その前記供給動作制御手段による供給動作の制御を禁止する制御禁止手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 - 前記リンス液供給手段の供給動作が継続的に実行されている時間を計測する継続時間計測手段と、
前記最終供給記憶手段に前記リンス液供給手段の供給動作が過去直近に制御されたことが記憶され、かつ、当該過去直近の供給動作時に前記継続時間計測手段により計測された時間が予め定める時間以上である場合に、前記最終供給記憶手段の記憶内容を消去する記憶消去手段とを含み、
前記制御禁止手段は、前記最終供給記憶手段に前記リンス液供給手段の供給動作が過去直近に制御されたことが記憶されており、かつ、前記リンス液供給手段の供給動作に引き続いて、前記第1薬液供給手段または前記第2薬液供給手段の供給動作が制御される場合には、その供給動作の制御を禁止することを特徴とする、請求項1記載の基板処理装置。 - 処理室と、
前記処理室内の基板に第1薬液を供給するための第1薬液供給手段と、
前記処理室内の基板に前記第1薬液とは種類の異なる第2薬液を供給するための第2薬液供給手段と、
前記処理室内の基板にリンス液を供給するためのリンス液供給手段と、
前記第1薬液供給手段、前記第2薬液供給手段および前記リンス液供給手段の各供給動作を制御する供給動作制御手段と、
前記供給動作制御手段による供給動作の制御順序を定めたレシピを入力するレシピ入力手段と、
前記レシピ入力手段から入力されたレシピを記憶するためのレシピ記憶手段と、
前記レシピ入力手段から入力されたレシピに従って前記供給動作制御手段による制御を仮想的に実行する仮想実行過程において、前記供給動作制御手段によって前記第1薬液供給手段、前記第2薬液供給手段および前記リンス液供給手段のいずれの供給動作が過去直近に制御されたかを記憶する最終供給記憶手段と、
前記仮想実行過程において、前記供給動作制御手段による前記第1薬液供給手段または前記第2薬液供給手段の供給動作の制御に先立って、前記最終供給記憶手段の記憶内容を参照し、前記第1薬液供給手段の供給動作に引き続いて、前記第2薬液供給手段の供給動作が制御されることになる場合、または、前記第2薬液供給手段の供給動作に引き続いて、前記第1薬液供給手段の供給動作が制御されることになる場合に、前記レシピ入力手段から入力されたレシピの前記レシピ記憶手段への記憶を禁止するレシピ記憶禁止手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 - 前記仮想実行過程において、前記リンス液供給手段の供給動作が継続的に実行されている時間を計測する継続時間計測手段と、
前記仮想実行過程において、前記最終供給記憶手段に前記リンス液供給手段の供給動作が過去直近に制御されたことが記憶され、かつ、当該過去直近の供給動作時に前記継続時間計測手段により計測された時間が予め定める時間以上である場合に、前記最終供給記憶手段の記憶内容を消去する記憶消去手段とを含み、
前記レシピ記憶禁止手段は、前記仮想実行過程において、前記最終供給記憶手段に前記リンス液供給手段の供給動作が過去直近に制御されたことが記憶されており、かつ、前記リンス液供給手段の供給動作に引き続いて、前記第1薬液供給手段または前記第2薬液供給手段の供給動作が制御される場合には、前記レシピ入力手段から入力されたレシピの前記レシピ記憶手段への記憶を禁止することを特徴とする、請求項3記載の基板処理装置。
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