JP4933715B2 - フラットパネルデバイスのシーリング方法 - Google Patents

Description

【０００１】
（技術分野）
本発明は、フラットパネルディスプレイのようなフラットパネルデバイスのシーリング技術に関するものである。
【０００２】
（背景技術）
フラットパネルは通常、互いに向かい合わせは配置された概ね平坦な2つのプレートを含んでいる。フラットパネルディスプレイは情報を表示するために用いられるフラットパネルデバイスの一種である。フラットパネルディスプレイ中の2つのプレートは一般的に表面板及び背面板と呼ばれる。ディスプレイ画面を提供する表面板は表面板構造の一部であり、この表面板構造は表面板の上に形成された1以上の層若しくは領域を含んでいる。同様にして背面板は背面板構造の一部であり、背面板構造は背面板の上に形成された1以上の層若しくは領域を含んでいる。2つのこのプレート構造は通常は外壁を通して互いにシールされ、それにより密封された密閉空間を形成する。
【０００３】
フラットパネルディスプレイは、表面板上に情報を表示するために陰極線（電子）、プラズマ、及び液晶のような機構を利用している。これら3機構が用いられたフラットパネルディスプレイは、一般的にブラウン管ディスプレイ（CRT）、プラズマディスプレイ、及び液晶ディスプレイと呼ばれる。ディスプレイの2プレート構造の支持基盤及び配置は、表面板上に情報を表示するために用いられる機構の種類に依存する。
【０００４】
フラットパネルCRTディスプレイでは、電子放出素子が通常背面板に設けられる。また、光放出素子が表面板上に渡って配置される。電子放出素子が適切に励起されると、光放出素子に突き当たっていく電子を放射し、それにより光放出素子が表面板上で可視光を発する。背面板構造から表面板構造への電子の流れを適切に制御することによって、表面板上に適切な像が表示される。CRTディスプレイについては、適切に作動させ、且つ性能の急速な劣化を防ぐために、真空性の高い環境で電子の流れが生じている必要がある。従って、フラットパネルCRTディスプレイを密封シールするのは重要である。
【０００５】
図１a乃至図1ｃ（まとめて「図１」）は、しばしば単純に電界放出ディスプレイ（「FED」）と呼ばれる電界放出型のフラットパネルCRTディスプレイをシールするための従来技術を図示している。図１中の、シールされるFEDの構成要素には、背面板構造１０、表面板構造１２、外壁１４、及び気圧等の外部の力によってFEDがつぶれたり、その他の損傷を受けたりしないようにプレート構造１０と１２との間に配置される複数のスペーサ壁１６が含まれる。
【０００６】
図１ａに示されている特徴を述べると、スペーサ壁１６が表面板構造上に取付けられており、外壁１４の表面板端部に沿って設けられたフリット（シールガラス）１８を介して、外壁１４が表面板構造１２に結合されている。フリット２０が、外壁１４の背面板の端部に沿って配置されている。シールされたFEDを後で真空にするために通常、背面板１０にポンプアウト管（図示せず）が取付けられている。シール作業の前に、表面板構造１２、外壁１４、及びスペーサ壁１６で形成された複合構造から背面板構造１０が物理的に分離される。
【０００７】
図１ｂに示されるように、構造１０と１２／１４／１６とは、位置合わせシステム２２中に配置されて互いの位置合わせがなされ、更にフリット２０に沿って物理的な接触をするように設定される。位置合わせシステム２２は炉２４の中に配置される。位置合わせと、フリット２０に沿った接触の設定とがなされた後、構造１０と１２／１４／１６とは空気中で、シール温度（450°Cから600°Cを越える温度までの温度範囲）にゆっくりと加熱される。フリット２０は融解する。その後、FEDは室温まで冷却される。フリット２０が冷却されることで、複合構造１２／１４／１６が背面板構造１０にシールされる。
【０００８】
冷却終了時若しくはその付近の時点で、FEDが位置合わせシステム２２及び炉２４から取外される。ポンプアウト管を通して空気を除去することによって、FED内部の圧力が所望の真空レベルに落とされる。次にポンプアウト管が閉じられる。図１ｃには、密封シールがされた最終的なFEDが、ポンプアウト管を除いて示されている。
【０００９】
シール作業の際、フリット１８及びフリット２０を含む外壁１４の上端部は最初に、スペーサ壁１６の上端部よりも少し高くなっている。フリット２０が融解するにつれて、スペーサ壁１６が背面板構造１０と接するまで、プレート構造１０及び１２と垂直な、一般的にz軸と呼ばれる方向にいくらか圧縮される。シール作業の際にフリット１８もz軸方向に圧縮され得る。それゆえに、プレート構造１０及び１２は、FEDがシールされるように互いに関してz軸方向に動く。複合型外壁１４／１８／２０に対して長方形型のリングであるフリットを配置した場合も同様のz軸方向の動きが生じる。
【００１０】
z軸方向の動きの副作用は、表面板構造１２が背面板構造１０に対してz軸方向と垂直な方向に動くことがある点である。それゆえに、プレート構造１０及び１２の位置合わせは、構造１０及び１２のz軸方向運動の結果として若干崩れる。主としてプレート構造１０及び１２と位置合わせシステム２２との熱膨張係数の差異によって、システム２２を用いても位置合わせの崩れが生じ得る。ディスプレイの2つのプレート構造間のz軸の動きをほぼ防ぎ、従って、そのようなz軸方向の動きによる位置合わせの崩れを防ぐ技術により、フラットパネルディスプレイ、特にFED等のフラットパネルCRTディスプレイの密封シールすることが望ましい。
【００１１】
フリット２０は融解してz軸方向に圧縮されるため、通常、表面板構造１２上の横方向に広がる。構造１２の側部領域が可視領域の外側周辺領域に増大していくことができて、それによりフリット２０が横方向に広がっていく可能性がある。しかしながら、通常は周辺のディスプレイ領域が、可能な限り構造１２の側部領域全体のごくわずかな部分になっていることが望ましい。したがって、構造１２の側部領域が増大して、それはより部屋のフリット２０が広がってしまう可能性があるということは不利益な点である。
【００１２】
更に、時にはフリット２０の拡張のために割当てられた通常領域を越えてフリット２０が側方に広がって、FEDの構成要素を損傷する可能性がある。同様の不利益は、複合外壁１４／１８／２０が、同じく長方形であるフリットのリングと交換された場合に生じ得る。フラットパネルディスプレイ、特にFED等のフラットパネルCRTディスプレイの2つのプレート構造をシール構造を通して共にシールする際に、シール構造中のシール材料が側方へ広がるのを適切に制限する技術を有しているのが望ましい。
【００１３】
PCT公開広報第WO 98/26440号には、フラットパネルディスプレイの背面板構造及び表面板構造のシールに対する局所エネルギーギャップジャンピング技術が説明されている。シール材料（通常はフリット）の長方形状フレームが表面板構造にシールされる。シールフレームは、表面板構造からシーフフレームより更に離れて延在するスペーサ壁の集まりを側部で囲む。背面板構造は、シールフレームとスペーサ壁とが2つのプレート構造の間に配置されるように表面板構造の鉛直方向上方に配置される。背面板構造は、スペーサ壁上に直接配置される。この時点において、スペーサ壁がシールフレームよりも高いので、背面構造とシールフレームとの間にギャップが存在する。
【００１４】
PCT公開広報第WO 98/26440号の2つのプレート構造は、適切なタッキング機構を用いて所望の位置に支持される。次に背面板構造付近のシールフレーム部分にエネルギーが局所的に運ばれる。この局所エネルギー（通常は、集束ランプ若しくはレーザーから与えられる光エネルギー）によって、シール材料が背面板構造とシールフレームとのギャップをジャンプし、プレート構造は互いに密封シールされる。
【００１５】
PCT公開広報第WO 98/26440号のシール技術では、初期段階でシールフレームよりも高いスペーサ壁を用いることによって、シール作業の際の望まれないz軸方向の動きがかなり防がれている。しかしながら、レーザー、集束ランプ、若しくはその他のシールフレーム上に局所的にエネルギーを方向付けるための局所エネルギー生成機構を用いると、かなりの時間の浪費したり、即ちまた、非常に費用がかかったりする場合がある。FEDのようなフラットパネルディスプレイをシールするための、迅速に実装可能であり、且つ比較的安価である技術を有することが望まれる。
【００１６】
（発明の開示）
本発明は、フラットパネルデバイスをシールするための技術を提供しており、それにより上記した従来技術の不都合を回避する一方で、密封シールが達成される。本発明のシール技術は、ディスプレイ動作の際にディスプレイ内部に高い真空性を必要とするFED等のフラットパネルCRTディスプレイをシールするのに特に適している。それでもなお、本発明のシール技術の各々を、ディスプレイ動作の際にディスプレイ内部に高い真空性を必要としないが強いシールを必要とするディスプレイに適用することが可能である。
【００１７】
本発明の一実施例では、重力の作用下でフラットパネルデバイスの第1及び第2構造が互いにシールされている。より具体的には、シール材料が第2プレート構造上に特定パターンで提供されている。シール材料が2つのプレート構造の間に配置されるように第1プレート構造は第2プレート構造の鉛直方向真下に配置されている。重力を用いた2つのプレート構造のシールを説明するためにここで用いられたように、用語「鉛直方向に」は、地球等の重力を提供する物に関して鉛直方向であることを意味している。次に、シール材料が加熱され、それにより重力の作用の下で第1プレート構造と接触してプレート構造を互いにシールするように下方に動く。
【００１８】
好適には、加熱ステップの際にプレート構造は、大部分が互いに固定された位置関係に保持される。例えば、第2プレート構造の下への第1プレート構造の配置は、好適には、ほとんど不変の方法を用いて鉛直方向に互いに間隔をあけて離して配置するという方法で実行される。即ち、プレート構造を通る任意の鉛直線に沿ったプレート構造間の間隔はほぼ一定になっている。更に、加熱ステップの際に、例えば、プレート構造の間に配置される中間機構を用いてこの位置関係が保持される。
【００１９】
重要なことは、加熱ステップの際に複数のプレート構造を互いにほぼ固定された位置関係に保持することによって、加熱ステップの際にプレート構造のうちの1つが他に対して、z軸方向の動きをほぼ行わないということである。一組のプレート構造を互いにシールする際のそのようなz軸方向の運動によってプレート構造の互いの位置合わせが崩れるので、重力の作用下で第1及び第2構造を互いにシールするときは、プレート構造を互いにほぼ不変の位置関係になるように保持して、それによりz軸方向の動き及び関連する位置合わせの崩れを防ぐ。
【００２０】
重力を用いたシール作業の際の加熱ステップは、好適にはシール材料及び2つのプレート構造の全体的な加熱を必要とする。ここでデバイスの部品に対して実行される加熱作業を表現する用語「全体的な」若しくは「全体的に」は、デバイスの部品に概ね選択的でない方法を用いて熱が加えられることを意味している。従って全体的加熱作業は、エネルギーを受け取らせたい特定の材料に選択的にエネルギーを方向付ける際に、その付近に存在するエネルギーを受け取らせたくない材料に相当量が方向付けられてしまわないようにする局所的加熱作業とは基本的に逆である。全体的加熱は通常、局所的加熱よりも時間がかからず、従って費用もかからない。結果として、本発明の重力利用シール作業の加熱ステップを実行するために全体的加熱を用いることは、シール作業の経費削減を維持するのに役立つ。
【００２１】
本発明の別実施例では、1以上の制限構造を用いてフラットパネルデバイスの第1及び第2プレート構造が互いにシールされる領域を制限している。1つ若しくは複数のシール制限構造によって、シール材料がデリケートなデバイス領域に広がってそのデバイスを傷付けてしまうことが防がれる。
【００２２】
具体的には、1つ若しくは2つのシール構造が第1プレート構造の上に設けられる。シール材料は、第2プレート構造上に特定のパターンで設けられる。次に、プレート構造は、シール材料と制限構造とがプレート構造の間に配置されるように互いに概ね向かい合わせに配置される。第1プレート構造上に1つだけの制限構造が設けられる場合には、シール材料は制限構造の近くに向かい合わせに配置される。2つの制限構造が第1プレート構造上に設けられる場合には、シール材料は制限構造の間に向かい合わせは配置される。
【００２３】
シール材料は、プレート構造を互いにシールするために加熱される。第1プレート構造上に1つだけの制限構造が設けられる場合、シール材料は制限構造付近で第1プレート構造と接触する。制限構造は、シール材料が制限構造を越えて側方に広がり制限構造の先にある第1プレート構造と接触してしまうのをほぼ防ぐ。2つの制限構造が第2プレート構造上に配置される場合、シール材料は制限構造の間にある第1プレートと接触する。次に、2つのその制限構造は、シール材料が制限構造を越えて側方に広がり、その制限構造の一方、若しくは両方を超えた先にある第1プレートと接触してしまうのをほぼ防ぐ。いずれの場合にも、1つ若しくは複数の制限構造を用いることによって、シール材料が側方に広がってフラットパネルデバイスが劣化することがほぼ防がれる。更に、シール材料の側方への広がりを可能にしてしまう、フラットパネルデバイスの側方領域への著しく増大の必要がない。
【００２４】
本発明の更なる実施例では、全体加熱間隙ジャンプ方法により、フラットパネルデバイスの第1及び第2プレート構造が1つにシールされる。特に、シール材料が同様に第2プレート構造上に特定パターンで提供される。次に、プレート構造の間にシール材料が配置されるように、2つのプレート構造が互いに向かい合わせに配置される。配置ステップは、第1プレート構造が間隙によって第2プレート構造上に設けられたシール材料から分離されるように行われる。
【００２５】
好適には、第1プレート構造は、第2プレート構造の鉛直方向で上に配置される。本発明の重力式シール方法に関連して、用語「鉛直方向に」の意味について上記で述べたのと同様に、用語「鉛直方向に」は、本発明の全体加熱間隙ジャンプ方法に関連して用いられるものとしての用語「鉛直方向に」は、下に位置しており且つその上で全体加熱間隙ジャンプ方法が実行される、主要な重力を生じさせる物体に関して鉛直であることを意味している。このことを考慮すると、全体加熱間隙ジャンプ方法における第2プレート構造の上の第1プレート構造の好適な位置は、重力式シール方法の加熱ステップの際に配置されるプレート構造の配置とは反対になる。
【００２６】
次に、本発明の全体加熱間隙ジャンプ方法中でのシール材料及びプレート構造が全体的に加熱され、それによりシーズ材料がプレート構造の間の間隙を架橋して、プレート構造を1つにシールする。好適な場合には、第1プレート構造が第2プレート構造の鉛直方向で上に配置され、第2プレート構造の上に設けられたシール材料は鉛直方向で上向きに間隙を飛び越えて移動する。間隙ジャンプを生じさせるために全体加熱を用いることにより、シール作業の費用を非常に低くおさえることができる。
【００２７】
本発明の重力式シール方法は、1つ若しくは2つのシール制限構造を用いて実行することが可能である。本発明の全体加熱間隙ジャンプシール方法にも同様に適用される。加熱ステップの際に、互いに関してほぼ固定位置にプレート構造を保持することにより、その結果のシール方法は、1つ若しくは2つのシール制限構造を用いることによる利点と、重力式又は全体加熱間隙ジャンプ方法の利点との両方を達成する。即ち、シール作業の際にz軸運動によりデバイスの位置合わせが崩れることがほぼ防がれ、シール材料が望まれない領域に渡って広がってデリケートなデバイス素子を損傷することがほぼ防がれ、更に、シール材料の広がりを調整するためにデバイスの側方領域を著しく増大させる必要がなくなる。
【００２８】
簡潔には、本発明のシール方法によって、フラットパネルデバイスは位置合わせが崩れる問題を防ぐ方法で密封シールすることを可能にする。このシール作業は非常に費用効率のよい方法で実行することができる。それにより、本発明は、先行技術を超える重要な利点を提供する。
【００２９】
（発明を実施するための最良の形態）
概論
本発明によりシールされたフラットパネルディスプレイは、背面板構造及び表面板構造と呼ばれる2つのプレート構造を有している。ここで用いられている表面板構造の「外」面は、見る人がディスプレイ画像を見る事ができる面のことである。表面板構造の反対側の面は一部分が通常、外壁を介して表面板構造を背面板構造にシールされることにより形成される密閉空間の外側にあるとしても、「内」面と呼ばれる。同様に、表面板構造の内面と向かい合わせは配置された背面板構造の面は、一部分が通常、ディスプレイのシールされた密閉空間の外側にあるとしても背面板構造の「内」面と呼ばれる。背面板構造の内面の反対側の面は、背面板構造の「外」面と呼ばれる。
【００３０】
重力式シーリング
図２a乃至図２i（まとめて「図２」）は、本発明にしたがってフラットパネルディスプレイを密封シールするための重力に基づく一般的な方法を図示している。図２のプロセスによりシールされるフラットパネルディスプレイの構成要素は、背面板構造３０、表面板構造３２、外壁３４、及びスペーサ壁３６群から成る内部スペーサシステムである。背面板構造３０、表面板構造３２、外壁３４、及びスペーサ壁３６は別個に製造される。図２aは表面板構造３２のみを示している。図２iは、プレート構造３０及び３２が外壁３４を介して互いにシールされた後の全構成要素３０、３２、３４、及び３６を示している。
【００３１】
背面板構造３０及び表面板構造３２は概ね長方形形状をしている。プレート構造３０及び３２の内部支持基盤は、図面に示されていない。しかしながら、背面板構造３０は、背面板と背面板の内面上に形成された1以上の層若しくは領域で構成される。表面板構造３２は、透明な表面板と表面板の内面上に形成された1以上の層若しくは領域で構成される。
【００３２】
外壁３４は特定パターンで配置されており、通常、プレート構造３０若しくは３２を垂直に見たときに長方形になっている。更に詳しくは、壁３４は通常、所望の長方形パターンに配置された4つの副壁で構成される。スペーサ壁３６は、シールされたディスプレイのプレート構造３０と３２との間で一定間隔を保持し、ディスプレイが気圧等の外部の力に耐えられるようにする。通常、ディスプレイシール作業は、フラットパネルディスプレイの構成要素を高温に上昇させるステップを含む。ディスプレイに亀裂が入る可能性、特に、室温にクールダウンする際の亀裂の可能性を軽減するために、外壁３４は通常、背面板及び表面板の熱膨張係数（CTE）と概ね一致するCTEを有する材料で構成されるように選択される。
【００３３】
図２のプロセスにしたがってシールされるフラットパネルディスプレイは、CRTディスプレイ、プラズマディスプレイ、蛍光表示管、液晶ディスプレイ、及び発光ダイオードディスプレイ等の多種多様なフラットパネルディスプレイのうちのどれであってもよい。電界放出型のフラットパネルCRTディスプレイや、熱電子放出型のフラットパネルCRTディスプレイの一部は、背面板構造３０が背面板上に配置された電子放出領域の行及び列からなる二次元アレイを含んでいる。更に、構造３０が電子放出デバイスになっている。
【００３４】
具体的には、電界放出型フラットパネルCRTディスプレイは通常、背面板の行方向に渡って延在するエミッタ電極群を有している。エミッタ電極の上に誘電体層が配置されている。更に、電子放出領域の並びが各エミッタ電極の上に配置される。電子放出領域に対しての各位置で、各々が電子放出素子で占有されている多数の孔が、対応するエミッタ電極の1つに誘電体層を通って下方に延びている。
【００３５】
パターン化されたゲート層が誘電体層の上に配置される。各電子放出素子はゲート層の中の対応する孔を通して配置される。パターン化されたゲート層若しくはゲート層と接触する別個の制御電極層のいずれかより生成された制御電極の集まりが、誘電体層上で行方向に垂直な列方向に延びている。各制御電極は、電子放出領域の１つの列に渡って延びている。各エミッタ電極と各制御電極の交差部分での電子放出領域からの電子の放出は、エミッタ及び列の電極に適切な電圧を加えることによって制御される。
【００３６】
或いは、エミッタ電極が列方向に延びて、制御電極が行方向に延びていてもよい。行方向は通常、ディスプレイの像のラインが存在する方向であるが、用語「行」及び「列」は任意であり、意味するものが反対であってよい。
【００３７】
電界放出ディスプレイ（別表現で「FED」）中の表面板構造３２は、透明な表面板の内面上に設けられた発光素子の二次元アレイを含んでいる。構造３２中の発光素子に隣接して陽極が配置される。陽極は、発光素子全体に渡って配置されてよい。その場合に陽極は通常、放出電子が容易に通過して発光素子にぶつかることが可能なアルミニウムのような導電性光反射材料の薄膜で構成されている。先行技術を用いた配置による表面板構造を備えたFEDの例が米国特許第5,424,605号及び5,477,105号に説明されている。
【００３８】
別実施例として、FED中の陽極が、インジウム酸化スズ等の透明な導電性材料の薄い層を表面板と発光素子との間に配置することで形成される。いずれの場合にも、放出電子を引っ張ってターゲットの表面板構造３２中の発光素子に向かわせる適切な高電圧が陽極に提供される。それら電子が発光素子にぶつかることによって表面板の外面上で可視光が発光されて所望の像が形成される。
【００３９】
外壁３４の厚さは通常は1〜6mmであり、一般的には2.5〜3.5mmである。図２中ではフラットパネルディスプレイの構成要素を簡易化して図示するために寸法が調整されているが、通常、外壁３４の高さは外壁の厚さと同程度になっている。例えば、外壁の高さは通常1〜1.5mmであり、一般的には1.2mmである。
【００４０】
外壁３４の4つの副壁は、個々に形成して後で直接的に、若しくは4つのコーナー部材を介して1つに結合させることが可能である。更に、4つの副壁は適切な形状をなす材料でできた単一部材であってもよい。外壁３４は通常、四角形状環に配置され、充填剤及び着色剤と結合された鉄2004フリット（Ferro 2004 frit）のようなフリットで構成される。外壁３４中のフリットは通常、300〜400°Cの温度で融解する。フリット融解温度は、プレート構造３０及び３２とスペーサ壁３６のいずれの材料の融解温度よりもかなり小さく（概ね100°小さく）なっている。
【００４１】
スペーサ壁３６は通常、行方向に延在している。スペーサ壁３６の各組は通常複数のピクセル行によって分離される。スペーサ壁３６は通常、電気的に絶縁であるか若しくは電気抵抗の高い（ただし、わずかな導電性はある）材料で主として構成されている。単純化のために、スペーサ壁３６は電気的に絶縁である材料に対する陰影を用いて図２に図示されている。フラットパネルディスプレイがFEDである場合、背面板構造３０から表面板構造３２への電子の流れを制御するために各スペーサ壁３６の片面若しくは両面に沿って1以上の電極（図示せず）が通常設けられる。電極（同様に図示せず）は更に、スペーサ壁３６とプレート構造３０及び３２とが接触するスペーサ壁の端部沿いにも存在する。
【００４２】
図２のシーリングプロセスは、図２aの表面板構造３２を用いて開始される以下の方法によって実行される。構造３２の内面の一部は四角形状環のシール領域３２Ｓを形成し、それに沿って外壁３４が構造３２に結合される。表面板シール領域３２Ｓは図２中に濃い線で示されている。しかしながら、これは説明目的のためだけのものである。構造３２は通常、以下の2つのパラグラフで説明される場合を除いて、シール領域３２Ｓの位置をわざわざ特定するという特性を有していない。シール領域３２Ｓの四角形形状は図３で見ることができ、そこには図２aのステージ上における構造３２の配置図が図示されている。
【００４３】
表面板３２Ｓは、シール領域３２Ｓの内側部分及び外側部分に沿って各々隣接し、且つ延在する、表面板構造３２の内面の（図３で記号３２ＮＩ及び３２ＮＯと示された）2部分とは異なる表面エネルギーになっていてよい。そうなっている場合、表面エネルギー領域３２Ｓは、外壁３４のシール材料に対して領域３２Ｓの結合を促進させるような性質を有する。これは一般的に、領域３２Ｓが壁シール材料によって接着力を有することを意味している。また、隣接部分３２ＮＩ及び３２ＮＯの各々の表面エネルギーは、３２ＮＩ及び３２ＮＯ部分が外壁３４のシーワ材料に結合するのを妨げる性質を有する。これは概して、非シール部分３２ＮＩ及び３２ＮＯが３２Ｓに比べて壁シール材料によってほとんど接着力を有しないことを意味している。
【００４４】
表面板シール領域３２Ｓと非シール領域３２ＮＩ及び３２ＮＯの各々との間の表面エネルギー差異の達成は、種々の方法で可能である。例えば、領域３２Ｓ及び／又は３２ＮＩと３２ＮＯ部分は、表面エネルギーを変える1以上の適切な化学物質を用いて所望の方法で処理することが可能である。所望の表面エネルギーを生じる材料を付着させて、領域３２Ｓ及び／又は非シール領域部分３２ＮＩと３２ＮＯを形成することができる。その場合、領域３２Ｓは目で識別することができる。領域３２Ｓに非シール領域３２ＮＩ及び３２ＮＯと異なる表面エネルギーを生じさせるように付着可能な材料の例としては、（ａ）炭素、（ｂ）ポリイミド、フォトレジスト、炭化水素、及びフッ化プラスチック等の有機化合物、（ｃ）酸化アルミニウム、酸化ケイ素、及びチッ化ケイ素等の電気的絶縁体がある。
【００４５】
外壁３４は、炉３８の中に配置される（図２ｂ参照）。壁３４は、炉３８中で水平方向に適切な支持体の上に配置される。表面板構造３２は、壁３４の上端に、シール領域３２Ｓが壁３４と鉛直方向に整列するように構造３２の内面を下方向に向けて炉３２中に配置される。位置合わせは、適切な位置合わせシステム（図示せず）を用いて行われる。配置ステップが完了すると、領域３２Ｓは壁３４と垂直に接触する。
【００４６】
位置合わせ完了後、表面板構造３２が外壁３４にシールされる。表面板構造と外壁とのシーリングは、種々の方法のいずれを用いて行ってもよい。通常、構造３２への壁３４のシーリングは、乾燥窒素若しくはアルゴン等の不活性ガスの環境の中で、室内圧力（通常1気圧若しくは760torr）に近い圧力の非真空状態で行われる。実施の際、炉３８は通常、約710torrの圧力の乾燥窒素で満たされる。
【００４７】
表面板構造と外壁のシーリング作業は、通常、外壁３４を適切に加熱して壁３４を軟化させることが必要である。シール領域３２Ｓに沿った壁３４の薄い部分が融解されてよい。領域３２Ｓが、壁３４のシール材料の領域３２Ｓへの結合を促進させる表面エネルギーとなっているのに対し、隣接部分３２ＮＩ及び３２ＮＯは、壁のシール材料が３２ＮＩ及び３２ＮＯ部分に結合するのを妨げる表面エネルギーとなっており、更に、３２ＮＩ及び３２ＮＯ部分は、壁３４のシール材料が領域３２Ｓを越えて側方に広がるのを防いでいる。
【００４８】
好適には、外壁３４及び構造３２全体を温度200〜400°C（通常は340°C）に上昇させた後に、外壁３４が表面板構造３２にレーザー４０を用いてシールされる。レーザーシールの際の上昇温度によって、シール表面に沿った張力が緩和され、亀裂が生じたりするのを減少させる。レーザー４０は、炉３８の上部に沿って配置された水晶の窓３８Wを通過するレーザー光線４２を作り出す。レーザー光線４２は、表面板構造３２の透明な材料を通過して、シール領域３２Ｓ沿いの外壁３４に衝突する。光線４２は通常、シール領域３２Ｓの長手方向に沿った一経路を生じる。光線４２の光エネルギーによって、シール領域３２Ｓに沿った外壁３４の薄い部分に、外壁３４の融点に達する、若しくはそれを越える温度上昇が生じる。続いて、壁３４のそのように融解した部分は、室温（通常は20〜25°C）に冷却される。冷却の際に、壁３４が領域３２Ｓ沿いに構造３２にシールされる。
【００４９】
表面板構造と外壁のシール作業の際に、表面板構造３２及び外壁３４は、上述の、図２ｂで示された、外壁３４の上部に表面板構造３２が設けられた配置とは異なる配置であってもよい。例えば、構造３２の鉛直方向上部に壁３４が設けられてもよい。その場合、レーザー４０は通常、炉３８の鉛直下方向に配置される。
【００５０】
或いは、表面板構造３２及び外壁３４全体を適切なシール温度に上昇させてシーリングを行い、次に複合構造３２／３４を室温に冷却することで、シール用の炉の中の表面板構造と外壁のシーリングが実施されてもよい。構成要素３２及び３４の一方が他方の鉛直方向上部に配置された状態で、構造３２は通常、シール用の炉の中で概ね水平方向に配置される。表面板構造と外壁とのシール温度は、概ね300〜600°C近くであって、外壁３４中のフリットの融点と等しいか若しくはわずかに越えているため、フリットが微小時間だけ溶融状態となる。表面板構造と外壁とのシール温度は、表面板構造３２のいずれかの部分を融解してしまうか、若しくはその他の損傷を与えてしまうことを防ぐために非常に低くなっている。
【００５１】
表面板構造と外壁とのシーリングの終了後、できあがった構造３２／３４が炉３８（若しくはその他の炉）から取外される。表面板構造３２が外壁３４の鉛直方向上部にある場合、例えば、構造３２／３４を裏返すことによって、表面板構造と外壁とのシール作業の際に外壁３４が表面板構造３２の鉛直方向上部になるように、構造３２／３４が概ね配置される。図２ｃ参照。
【００５２】
スペーサ壁３６は、外壁３４の内側にある表面板構造３２の内面上に取付けられる（図２ｄ参照。更に、図２ｄのステージでできあがった構造３２／３４／３６の平面図である図４も参照。）。スペーサ壁３６は通常、外壁３４よりも高くなっている。特に、スペーサ壁３６は、表面板構造３２からの伸長が外壁３４の伸長よりも大体の平均で少なくとも50μmは大きくなっている。
【００５３】
スペーサ壁３６は、構造３２への外壁３４のシーリングが実行された後に表面板構造３２上に垂直に取付けられるが、表面板構造と外壁のシーリングの前にスペーサ壁３６を取付けてもよい。その場合、表面板構造と外壁のシーリング温度は壁３６の融解、若しくはその他の損傷を防ぐために十分に低くなっている。
【００５４】
背面板構造３０は、構造３２／３４／３６の外壁３４に、背面板構造３０の内面の四角形環状シール領域３０Ｓに沿って密封シールされる。背面板シール領域３０Ｓの四角形状は、外壁３４が結合される前の構造３０の見取り図である図５で見ることができる。
【００５５】
表面板シール領域３２Ｓについて上述したのと同様に、背面板シール領域３０Ｓは、背面板構造３２内面におけるシール領域３０Ｓの内側及び外側に沿って各々隣接し且つ延びている、図５中に参照記号３０ＮＩ及び３０ＮＯで示されている2部分とは異なる表面エネルギーになっていてよい。そうなっている場合、領域３０Ｓの表面エネルギーは、外壁３４の対応するシール領域への領域３０Ｓの結合を促進させる性質を有している。これは一般的には、領域３０Ｓが壁シール材料によって接着力を有することを意味している。また、背面板領域の隣接部分３０ＮＩ及び３０ＮＯの各々の表面エネルギーは、３０ＮＩ及び３０ＮＯ部分が外壁３４のシール材料に結合するのを妨げる性質を有する。即ち、非シール部分３０ＮＩ及び３０ＮＯが３０Ｓに比べて壁シール材料によってほとんど接着力を有しない。
【００５６】
背面板シール領域３０Ｓと非シール領域３０ＮＩ及び３０ＮＯの各々との間の表面エネルギー差異の達成は、種々の方法で可能である。例えば、領域３０Ｓ及び／又は３０ＮＩと３０ＮＯ部分は、表面エネルギーを変えるために所望の方法で化学的に処理することが可能である。所望の表面エネルギーを生じる材料を付着させて、領域３０Ｓ及び／又は部分３０ＮＩと３０ＮＯを形成することができる。更に、上述した、付着が表面板シール領域３２に表面板非シール領域３２ＮＩ及び３２ＮＯと異なる表面エネルギーを生じさせるのに最適である炭素含有材料及び電気的絶縁体を付着させて、背面板構造のシール領域３０Ｓに背面板非シール部分３０ＮＩ及び３０ＮＯと異なる表面エネルギーを提供してもよい。
【００５７】
背面板構造３０内面上のシール領域３０Ｓ内部若しくは表面板構造３２内面上のシール領域３２Ｓ内部と、従って外壁３４内のシールプロセスにおける対応点とに吸着材（図示せず）が配置されてもよい。結果として、背面板構造３０が複合構造３２／３４／３６にシールされた時に形成される密閉空間内部に吸着材が配置される。一般的にはディスプレイを真空にするためのポンプアウト管（図示せず）がディスプレイの、通常は背面板構造３０に接続されている。或いは、吸着材が部分的に若しくは全体がポンプアウト管中に配置されてもよい。
【００５８】
別の代替実施例として、吸着材が背面板の外面上に後で配置される細長い補助区画（図示せず）の中に配置され、更に、背面板中の1以上の孔及び／又は、この補助区画の構造に応じた、外壁３４中の1以上の孔を経由して、プレート構造３０と３２の間の密閉空間領域にアクセス可能であってもよい。この場合、補助区画は表示動作を制御するように背面板の外面上に取付けられた回路のかなり上まで拡張せず、それゆえにフラットパネルディスプレイを処理する上で何らかの著しい難点が生じることはない。そのような補助区画に吸着材が配置されると、通常はポンプアウト管が補助区画に接続される。吸着材の一部はポンプアウト管の中に配置されてよい。
【００５９】
吸着材は、フラットパネルディスプレイを密封シールする際に生じる汚染ガスを含め、背面板構造３０を複合構造３２／３４／３６にシールする際及びその後に生じる汚染ガスを吸着する（集める）。吸着材は非揮発性及び／又は揮発性の吸着材から成っていてよい。非揮発性吸着材を活性化する方法が米国特許第5,977,706号に説明されており、言及を以って全文を本明細書の一部となす。
【００６０】
次に、背面板シール領域３０Ｓと外壁３４とを整合させながら背面板構造３０内面とスペーサ壁３６とを接触させるような方法で、背面板構造３０は複合構造３２／３４／３６への接触がなされる。スペーサ壁３６は、外壁３４よりも表面板構造３２から離れているので、外壁３４は、領域３０Ｓの全体若しくはほぼ全体に沿って、間隙により背面板構造３０から隔てられる。
【００６１】
背面板構造３０と複合構造３２／３４／３６を整合させる過程で、背面板構造３０を表面構造３２に対して固定位置に保持するように、即ち、構造３２／３４／３６に対して固定位置に保持するように通常はタッキング作業が実行される。このタッキング作業は、構造３０及び３２に沿って横方向に離れ離れに間隔付けて複数配置された適切な中間機構を介して、プレート構造３０及び３２を1つに固く結合させるステップを概して必要とする。位置合わせ及びタッキング作業は種々の方法で行われてよい。図２ｅ及び図２ｆは、位置合わせ及びタッキング作業を実行する1つの方法を図示している。
【００６２】
図２ｅ及び図２ｆの例では、まず、表面板構造３２は上方向を向いている内面が概ね水平方向に延在している（図２参照）。横方向に隔てられたタック構造４４の集まりから成るタッキングシステムが外壁３４外側の表面板構造３２の内面上に設けられている。各タック構造４４は、メインタックボディ４４Ｍと、及びメインタックボディ４４Ｍの底面及び上面に各々設けられた一対の結合部分４４Ｆ及び４４Ｂとで構成される。結合部分４４Ｆ及び４４Ｂは、通常、適切な接着剤で構成される。例えば、結合部分４４Ｆ及び４４Ｂは、紫外線（「UV」）を適切に受けたり、若しくは例えば可視光及び／又は赤外線（「IR」）による加熱を受けたりすると硬化する接着剤から成っていてよい。各タック構造４４の部分４４Ｆは、そのタック構造４４のタックボディ４４Ｍと表面板構造３２の内面との間に配置される。通常、タック構造４４は、スペーサ壁３６とほぼ同じ距離だけ表面板構造（上述の図２ｅの例では）３２から伸長している。
【００６３】
背面板構造３０は、シール領域３０Ｓが外壁３４と鉛直方向で整合するように内面が下向きにされると共に、複合構造３２／３４／３６の上部の上に配置されている（図２ｆ参照）。位置合わせは適切な位置合わせシステム（図示せず）を用いて行われる。スペーサ壁３６との接触に加えて、構造３０の内面はタック構造４４の結合部分４４Ｂと接触する。位置合わせは通常、非真空環境、室内圧力でプレート構造３０及び３２上に位置合わせマークを設けて光学的に行われる。特に、背面板構造３０が表面板構造３２に光学的に位置合わせされる。
【００６４】
背面板構造３０と複合構造３２／３４／３６との位置合わせにおいて、スペーサ壁３６が確実に背面板構造３０に関する固定位置に保持されるように種々の方法が用いられてよい。例えば、壁３６は構造３０の内面沿いに設けられた複数の浅い溝（図示せず）の中を進んでもよい。溝は、構造３０の内面の面全体の下に広がっていてもよいし、若しくは構造３０の内面の面全体の上に広がる構造中に設けられてもよい。壁３６は構造３０に取付けられる足部分を有していてよい。
【００６５】
図２ｆには、遭切な放射を受けると強い結合を提供する紫外線硬化接着剤、若しくは熱硬化接着剤等で構成される結合部分４４Ｆ及び４４Ｂの例が示されている。この目的のために、タック構造４４を含む複合構造３２／３４／３６が、一組のレーザー４６と４８との間の、位置合わせシステムの中に配置される。レーザー４６は、構造３２／３４／３６の上に配置される。レーザー４８は、構造３２／３４／３６の下に配置される。レーザー４６及び４８は、構造３２／３４／３６のタック構造４４に対応する位置にそれぞれ下向き及び上向きに衝突するレーザー光線５０及び５２を各々生じる。結合部分４４Ｆ及び４４Ｂが紫外線硬化接着剤で構成されている場合、レーザー光線５０及び５２は1以上の適切な紫外線波長の光で構成される。同様に、４４Ｆ及び４４Ｂ部分が熱硬化接着剤で形成される場合、レーザー光線５０及び５２は可視光及び／又は赤外線で形成される。
【００６６】
背面板構造３０は、タック構造４４上の位置に（紫外線及び／又は赤外線を含む）光を照射するように透明、若しくは概ね透明になっている。タック構造４４の真上の構造３０の範囲内に例えば金属電極等の不透明領域を有していてもよい。なぜならば、これらの不透明部分は十分に狭く、構造３０を通る光の通過にほとんど影響を及ぼさないからである。従って、レーザー光線５０及び５２は各々プレート構造３０及び３２の透明材料を通過して、結合部分４４Ｂ及び４４Ｆに各々突き当たり、それらが化学的及び／又は物理的に構造３０及び３２と相互作用するように硬化させる。結果として、部分４４Ｂ及び４４Ｆはタック構造４４をプレート構造３０及び３２に固定して結合させる。次に、タック構造４４はスペーサ壁３６と協働し、それにより、ほとんど固定された方法でプレート構造３０及び３２が互いに間隔をあけて離して配置される。レーザー４６及び４８は、部分４４Ｂ及び４４Ｆを硬化させるように適切な光を提供する集束ランプで置き換えられてもよい。
【００６７】
背面板構造３０を表面板構造３２（即ち、複合構造３２／３４／３６）に取付けるためにタック構造４４を用いるよりもむしろ、タッキング作業は、背面板構造３０を外壁３４に沿って表面板構造３２に、背面板シール領域３０Ｓの側方に分離された複数のタッキングシール部分で結合させることにより実行することが可能である。これは通常、レーザー若しくは集束ランプの光エネルギーを領域３０Ｓのタッキングシール部分を通して、壁３４の対応そる隣接部分に方向付けることによって実行される。光エネルギーを持つ光線によって照射されると壁３４のこの部分は融解する。次に冷却によって、壁３４の薄い部分が背面板構造３０の表面板構造３２に関する固定部分に固定して保持される。
【００６８】
別の大体実施例として、全ての若しくは選択されたスペーサ壁３６を通して表面板構造３２が背面板構造３０にタッキングされてよい。構造３２を構造３０にタッキングするためのタッキング要素として機能するように意図された各壁３６を、本明細書ではタッキングスペーサ壁と呼ぶ。各タッキングスペーサ壁３６は、タッキング作業の際、若しくはそれより早い時点（例えば、図２ｄのステージで構造３２の内面上に壁３６を配置する際）に表面板構造３２に結合される。タッキング作業の際に、各タッキングスペーサ壁３６は、背面板構造３０の内面に固定して結合される。
【００６９】
タッキングスペーサ壁３６のプレート構造３０及び３２への固定結合は、種々の方法で実行することができる。例えば、プレート構造３０及び／又は３２は中に各タッキングスペーサ壁３６を挿入可能な1以上のグリッパーが設けられてよい。このグリッパーは、表面板構造３２が背面板構造３０と固定した位置関係に保持されるようにタッキングスペーサ壁３６を構造３０及び／又は構造３２に物理的に固定してクランプする。
【００７０】
各タッキングスペーサ壁３６を背面板構造３０及び／又は表面板構造３２に固定結合するように種々の接着剤が用いられてよい。タッキングスペーサ壁３６を構造３０及び／又は構造３２に固定結合する前に、接着剤が各タッキングスペーサ壁３６の互いに反対に位置する上端部及び下端部及び／又は、構造３０及び／又は構造３２の適切な部分に配置されてよい。固定結合を生じるために接着剤が紫外線硬化若しくは熱的硬化を必要とする場合、例えば、熱的硬化はために加熱炉中で全体的に、若しくは熱的硬化又は紫外線硬化のために1つ若しくは2つのレーザー又は集束ランプを用いて局所的に適切な硬化ステップが実行される。1つ若しくは複数のレーザーを用いる際、それらはレーザー４６及び４８に対して図２ｆで示された方法で概ね配置される。
【００７１】
タッキングスペーサ壁３６は、適切な共晶、はんだ、若しくは真鍮の結合剤のような金属によって背面板構造３０及び／又は表面板構造３２に固定結合される。更に、タッキングスペーサ壁３６は構造３０及び／又は構造３２に超音波によって結合されてもよい。タッキング作業の際にタッキングスペーサ壁３６を背面板構造３０に結合させるために従来のタッキング方法のうちの1つが用いられてもよく、タッキング作業の際若しくはタッキング作業の前にタッキングスペーサ壁３６を表面板構造３２に結合させるために前記タッキング方法のうちの別のものが用いられてもよい。
【００７２】
タッキングされ、位置合わせが行われた（通常、タック構造４４を含む）構造３０／３２／３４／３６は、例えば、背面板構造３０が鉛直方向で既に上部にあり、且つ背面板構造３０を外壁３４にシールするためにシール用炉５４の中に配置されている場合、構造３０／３２／３４／３６を裏返すことによって、図２ｇに示されるように表面板構造が鉛直方向で上部になるように配置される（図２ｈ参照）。炉５４中に配置される際に、背面板構造３０は表面板構造３２の鉛直方向で下に配置され、それにより外壁３４と共に形成されたシール材料及びスペーサ壁３６はプレート構造３０と３２との間に配置される。タッキングされた構造３０／３２／３４／３６は、通常、概ね水平方向に延びている（即ち、概ね鉛直方向に延びているプレート構造３０若しくは３２の外面と垂直である）。しかしながら、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６は、背面板構造と外壁とのシールにそれほど影響を与えることなしに水平方向からやや外れて（通常、水平方向からの外れは少なくとも20°に達する）延びている。
【００７３】
表面板構造３２及び外壁３４は、背面板シール領域３０Ｓ全体に沿って、若しくは背面板構造３０が直接外壁３４にタッキングされている場合には領域３０Ｓのほぼ全体に沿って、背面板構造３０から鉛直方向に隔てられている。スペーサ壁３６及び（存在する場合に）タッキング構造４４は、プレート構造３０と３２の間に配置され、ほぼ固定された方法で構造３０及び構造３２が鉛直方向に互いに間隔をあけて離れているようにする中間システムを形成する。複合構造３０／３２／３４／３６が炉５４の中に配置される際、背面板構造３０と外壁３４との間の間隙はその時に存在する壁３４の下端部に沿って延びている。
【００７４】
炉５４の中での外壁３４の背面板構造３０へのシーリングは、複合構造３０／３２／３４／３６（同様に通常はタック構造４４を含む）が前述の方法で配置された後に種々の方法で実行されてよい。背面板構造と外壁とのシーリング作業は通常、室内圧力に近い圧力下の非真空状態で、一般的には乾燥窒素若しくはアルゴン等の不活性ガスの環境中で行われる。通常は実施の際に、炉５４が約710torrの圧力の乾燥窒素で満たされる。或いは、背面板構造と外壁とのシール作業は、十分に大きい真空室中で、通常は10^{− 6}torr若しくはそれ未満の、適切な高い真空状態で実行されてもよい。その場合には、最終成果物のフラットディスプレイは通常、ディスプレイを真空にするためのポンプアウト管は設けられない。
【００７５】
重力式加熱作業と呼ばれる加熱作業は、背面板構造３０とシールプレート構造３０及び３２が外壁３４を介して接触して1つになるように、外壁３４に形成されたシール材料を軟化させて、重力の影響によって鉛直方向下向きに移動させる。特に、壁３４の温度が非常に高められ、重力式加熱作業の際に、壁３４のシール材料は軟化して下方向にゆっくりと移動し、構造３０と接触する。次に壁３４は冷却される。冷却の際、背面板シール領域３０Ｓ全体に沿って壁３４が構造３０に密封シールされる。
【００７６】
スペーサ壁３６及び（存在する場合に）タック構造４４を用いて形成された中間システムは、重力式加熱作業の直前に確立されたほぼ固定された方法によって、重力式加熱作業の際にプレート構造３０及び３２が鉛直方向に互いに間隔をあけて保たれるようにする。特に、構造３０及び３２を通る任意の鉛直線に沿ったプレート構造３０と３２との間の距離は、重力式加熱作業の際にほぼ一定に保たれる。従って、重力式加熱作業の際に、構造３０と３２との間でz軸方向の運動はほとんど生じず、それによって、そうでない場合にz軸方向の運動の結果として生じる可能性のある位置合わせの著しい崩れが防止される。
【００７７】
更に、タック構造４４、外壁３４が背面板構造３０に直接タッキングされている領域、若しくはタッキング要素として用いられている場合のスペーサ壁３６によって形成されたタックシステムは、プレート構造３０及び３２が重力式加熱作業の際に互いに関して水平方向に動くことをほぼ防止する。最終的な結果として、重力式加熱作業の際に構造３０及び３２は互いに関して概ね固定された位置関係に保持される。背面板シール領域３０Ｓが外壁３４を領域３０Ｓへの結合を促進させる表面エネルギーを有し、隣接する背面板領域３０ＮＩ及び３０ＮＯが壁３４の部分３０ＮＩ及び３０ＮＯへの結合を妨げる表面エネルギーを有していると、非シール部分３０ＮＩ及び３０ＮＯは外壁３４のシール材料が領域３０Ｓを越えて側方に広がることが防がれる。
【００７８】
好適には、重力式加熱作業は、構造３０及び３２／３４／３６を15〜30分（通常は20分）間、300〜600°C（好適には320〜500°Cであり、通常は450°C）のシール温度に上昇させることによって、構造３０及び３２／３４／３６（通常はタック構造４４を含む）を全体的に加熱するステップで構成される。例えば、炉の温度を、室温から450°Cに5°C／分で上昇させ、20分間450°Cに保ち、次に450°Cから室温に−5°C／分で下降させてよい。シール温度は、外壁３４のシール材料を軟化させるのに十分高くなっているが、構造３０若しくは３２の何らかの重要な構成要素、又はいずれかのスペーサ壁３６にかなりの損傷を与えてしまうことを防止するように融解若しくは融解の間際にシール温度が十分低なっている場合もある。
【００７９】
或いは、重力式加熱作業は、外壁３４を十分高い温度に局所的に加熱することによって実行され、それにより外壁３４のシール材料は軟化され、下方向への移動が生じて背面板構造３０と接触するようになる。この局所的加熱は、壁３４上へのエネルギー光線の方向付けが必要である。エネルギー光線は、レーザー若しくは集束ランプから提供される光エネルギーで生じているように、高度に集束される。更に、エネルギー光線は、大量の熱エネルギーが壁３４を越えていかないという条件で、レーザー若しくは集束ランプで生じる場合よりも集束の度合いが低くてもよい。例えば、マイクロ波若しくは赤外線放射の形態の波エネルギーが、壁３４の局所的加熱に用いられてもよい。
【００８０】
更なる代替実施例として、構造３０及び３２／３４／３６の全体的加熱は、外壁３４の局所的加熱とを併用してもよい。具体的には、炉５４の温度は、壁３４のシール材料を軟化させて重力の影響下でかなり下方向に移動させるために必要な温度よりもやや低い温度点までの上昇であってよい。次に、例えばレーザー若しくは集束ランプによって、局所的加熱が壁３４上で実行されて壁の温度が非常に高い温度点まで上昇され、それにより壁３４のシール材料が軟化して重力の影響の下で下方向に移動して背面板構造３０と接触し、更に、冷却によって、構造３０が密封シールされる。
【００８１】
重力式加熱作業が終了した後、シール構造３０／３２／３４／３６（通常、タック構造４４を含む）が、炉５４から取除かれる。図２iには、シールされたフラットパネルディスプレイがこの段階でどのように見えるか図示されている。外壁３４で形成されたシール材料が、背面板構造３０のシール領域３０Ｓを著しく越えて延在することはない。更に、壁のシール材料が表面板構造３２から背面板構造３０へと連続的に延びている。
【００８２】
（存在する場合には）タック構造４４は、通常、最終成果物のフラットパネルディスプレイに残っているが、ディスプレイから除去されてもよい。いずれにしても、その後の作業は重力式加熱作業が真空状態で実行されるか、非真空状態で実行されるかどうかに（部分的に）依存する。重力式加熱作業が非真空状態で実行された場合、その後の作業はシールされたディスプレイ内部を10^{− 6}torr若しくはそれより低い圧力へと真空にするステップ、ポンプアウト管（図示せず）を閉じるステップ、及び吸着材が非揮発性吸着材料で構成されている場合に吸着材（同様に図示せず）を活性化させるステップを必要とする。
【００８３】
フラットパネルディスプレイが真空に引かれた後に活性化状態にされる場合、ポンプアウト管を閉じる前、最中、及び／又は後に吸着材の活性化が実行される。ディスプレイの全体的加熱及び、例えばレーザー若しくは集束ランプによる吸着材の局所的加熱を含めた種々の方法が、吸着材の活性化に用いられてよい。背面板構造３０に取付けられた補助的な区画内に吸着材が配置されると、通常、構造３０への外壁３４のシーリングの後、吸着材を活性化させる前且つポンプアウト管が閉じられる前に、補助区画が構造３０にシールされる。それでもなお、複合構造３２／３４／３６が構造３０にシールされると同時に、即ち、重力式加熱作業の際に、補助区画が構造３０にシールされてもよい。
【００８４】
重力式加熱作業が真空状態で行われる場合、その後の作業は主として吸着材の活性を必要とする。吸着材が部分的若しくは全体的に補助区画の中に配置される場合、重力式加熱作業の際、若しくは重力式加熱作業の後（即ち、真空条件の下）のいずれかで補助区画が背面板構造３０にシールされる。真空条件の下で重力式加熱作業がなされる場合にポンプアウト管が用いられていない限りにおいては、フラットパネルディスプレイは重力式加熱作業の最後に、若しくは、場合によっては、真空条件の下で補助区画を背面板構造３０にシールした後に、完全にシールされる。シールされたディスプレイの内部は、表示作業のために適切な低圧力になっている。
【００８５】
外壁３４は、重力式加熱作業の際に軟化して下方向に移動するシール材料によって全体が構成されるよりもむしろ、そのようなシール材料で部分的に構成されてよい。そのような壁３４の図２ｄの段階での変形実施例が図６に図示されている。この変形実施例では、壁３４は外壁主部分３４Ｍ及び一組のシール部分３４Ｂ及び３４Ｆで構成される。シール部分３４Ｂは、壁主部分３４Ｍの一端上に配置される。シール部分３４Ｆは、壁主部分３４Ｍの他端上に配置される。図６に示されている特徴点は、シール部分３４Ｆが主部分３４Ｍを、即ち、外壁３４を表面板構造３２に結合していることである。
【００８６】
シール部分３４Ｂ及び３４Ｆは、通常、フリットで構成されており、外壁３４が背面板構造３０にシールされる重力式加熱作業の際に軟化され、鉛直方向下向きに移動する。壁主部分３４Ｍは、重力式加熱作業の際にシール部分３４Ｂ及び３４Ｆが曝される温度に曝された場合にも形状が概ね変わらないセラミック等の材料で構成される。通常、重力式加熱作業の際に、シール部分３４Ｆの下方向の移動によって主部分３４Ｍは下方向に移動するが、この重量式加熱作業の際に主部分３４Ｍはほとんど軟化しない、即ち、ほとんど形状を変えない。
【００８７】
シール制限構造
加熱ステップの際、特に、背面板構造３０を外壁３４にシールするために用いられた重力式加熱作業の際に、シール材料の粘着性がかなり小さな変化しか存在しない場合、図２のプロセスは、フラットパネルディスプレイをシールするのに適切である。しかしながら、加熱ステップの際にかなり大きな粘性の変化を生じるシール材料を用いることが望まれる場合もある。そのような場合、壁３４のシール材料が重力式加熱作業等の昇温作業の際に側方に広がらないように抑制する表面エネルギー調整の代わりに、若しくは付け加えて、1以上のシール制限構造が利用されてもよい。
【００８８】
図７ａ乃至図７ｄ（まとめて「図７」）は、本発明によるシール制限構造を利用したフラットパネルディスプレイの密封シーリングのための一般的なプロセスの一部分を示している。図７のプロセスは、上述した複合構造３２／３４／３６（タック構造４４を含む）を作るための図２ａ乃至図２ｅのステップで開始する。図７ａ乃至図７ｄは各々図２ｆ乃至図２ｉのステップと対応している。
【００８９】
一組の同心四角形環状シール制限構造６０及び６２が背面板構造３０の内面上に設けられる。背面板構造３０と、背面板制限構造６０及び６２との組合わせによって複合背面板構造３０／６０／６２が構成される。制限構造６０及び６２の四角形形状は、図７のプロセスに従った、外壁３４に結合される前の複合背面板構造３０／６０／６２の見取り図を示した図８で見ることができる。更に以下で詳述していくように、シールされたフラットパネルディスプレイの中に、壁３４の内側に沿って内部制限構造６０が延びて、且つ外側制限構造６２が壁３４の外側に沿って延びるように、制限構造６０及び６２が背面板構造３０上に配置される。背面板シール領域３０Ｓは構造６０と６２との間に延びている。
【００９０】
背面板制限構造６０及び６２は、（必ずではないが）通常、背面板構造３０のシール領域３０Ｓに関する外壁３４のシール材料によって粘着力をほとんど有しない材料で構成される。少なくとも領域３２Ｓ沿いで、壁３４がフリットで構成されている場合、制限構造６０及び６２は通常、炭素含有材料、特に炭化水素材料で構成される。一例はポリイミドである。別の例として炭化ケイ素がある。構造６０及び６２は、炭素をさほど含んでいない窒化ケイ素等の材料で構成されていてよい。通常、構造６０及び６２は横方向に測定して0.2〜2mm（通常は0.5mm）の幅を有する。
【００９１】
背面板制限構造６０及び６２は、種々の方法で形成されてよい。例えば、複合背面板構造３０／６０／６２を製造する際の適切な段階で、シール制限材料のブランケット層が背面板構造３０のその時点で存在する内面上に形成されてよい。ブランケット層の形成は、蒸着、スパッタリング、液体噴霧法、スピンコーティング、メニスカスコーティング、押出しコーティング、若しくは化学蒸着法などの成膜方法によって実行されてよい。付着したある量のシール制限材料は、ドクターブレードを用いて広げられてよい。適切なフォトレジストマスクを用いることにより、シール制限材料の望まれない部分が除去されて、制限構造６０及び６２が作られる。
【００９２】
或いは、背面板制限構造６０及び６２は、背面板構造３０のその時点で存在する内面上に、望まれない部分の上にシール制限材料が積重ねられないようにシャドーマスクを用いて、通常、蒸着若しくはスパッタリングによって、選択的に成膜される。シャドーマスクの代わりに、背面板構造３０のその時点で存在する面の、シール制限材料を受取らせたくない部分の上にフォトレジストが形成されてもよい。次に、マスクの上に積重ねられた任意のシール制限材料を除去するためにフォトレジストマスクが除去された後、通常、シール制限材料のブランケット層を成膜するための任意の上述の方法によって、シール制限構造が成膜される。制限構造６０及び６２は更に、シール制限材料を含む液体若しくは懸濁液を用いて背面板構造３０のその時点で存在する内面の上にスクリーン印刷される。
【００９３】
背面板制限構造６０及び６２は、背面板構造３０のその時点で存在する内面の上に化学線作用性シール制限材料の層を成膜するステップ、その材料の部分に適切な化学線放射を行うステップ、及び適切な現像液を用いて露出された化学線作用性材料、若しくは露出されない化学線作用性材料のいずれかを除去するステップによって、化学線作用性材料から作り出されてよい。化学線作用性材料が、感光性前駆物質ポリイミド材料（photopolymerizable precursor polymide material）等の感光性材料である場合、化学線放射は通常、露出された感光性材料を重合させるような紫外線の光である。次に、露出されなかった感光性材料は現像液で除去される。
【００９４】
前記の方法で形成された複合背面板構造３０／６０／６２によって、構造３０／６０／６２は図７ａに示されているように複合構造３２／３４／３６の上部に配置される。特に、構造３０／６０／６２は、対応する段階が図２のプロセスに対して示されている図２ｆにおいて構造３２／３４／３６の上に背面板構造３０を配置するのと同様の方法で、構造３０／６０／６２が構造３２／３４／３６の上に配置される。従って、複合構造３０／６０／６２中の背面板構造３０の内面は、背面板シール領域３０Ｓを外壁３４と鉛直方向で整合させながら下方向に向けられる。背面板構造３０の内面は、スペーサ壁３６とタック構造４４の結合部分４４Ｂと接触する。スペーサ壁３６が外壁３４より高いので、領域３０Ｓ全体に沿って、若しくは領域３０Ｓのほぼ全体に沿って、背面板構造３０と外壁３４との間に間隙が存在する。位置合わせは、図２ｆに関連して上述された方法によって実行される。
【００９５】
外壁３４は、背面板シール領域３０Ｓと向かい合わせに配置され、それゆえに背面板制限構造６０と６２との間の位置と向かい合わせに配置される。壁３４は構造６０と６２との間の空間に延在してもよいし、延在しなくてもよい。壁３４は、通常、図７ａの段階で構造６０若しくは６２と接触しない。通常、壁３４と構造６０若しくは６２との間の側部方向の間隔は5〜500μm（通常は250μm）である。しかしながら、壁３４はこの時点で構造６０及び／又は構造６２と接触し得る。いずれにしても、構造６０及び６２はスペーサ壁３６より短くなっており、従って表面板構造３２とは接触しない。
【００９６】
制限構造６０及び６２のうちの一方だけが背面板構造３０上に設けられる。その場合、外壁３４は、図７ａの段階における構造６０及び６２のその一方の付近に配置される。構造６０及び６２が共に存在している場合、通常、背面板構造３０上に存在する構造６０若しくは６２と壁３４との間の側方の間隔は5〜500μm（通常250μm）であるが、ゼロまで狭めてもよい。制限構造６０及び６２のうちの一方のみが存在する場合、その一方は通常、内側構造６０である。
【００９７】
下記で特別に示される場合を除き、図７のプロセスの説明の残りは、背面板構造３０に制限構造６０及び６２が共に設けられているものとして下記に説明される。構造６０若しくは６２の一方がない場合に限り、構造６０及び６２のうちのない方の参照（例えば、表示される参照記号）は図７のプロセスの残りの説明の中で無視されてよい。それにより、例えば、複合背面板構造３０／６０／６２の参照は、外側制限構造６２がない場合には複合背面板構造３０／６０を意味し、内側制限構造６０がない場合には複合背面板構造３０／６２を意味する。
【００９８】
通常、複合背面板構造３０／６０／６２は、図２のプロセスの図２ｆの段階において背面板構造３０を複合構造３２／３４／３６にタッキングするように用いられたのと同様の方法でレーザー４６及び４８を用いて複合構造３２／３４／３６にタッキングされる。図７ａに示されるように、レーザー光線５０及び５２は各々、構造３２／３４／３６上にタック構造４４の位置で下向き及び上向きに突き当たる。結合部分４４Ｂ及び４４Ｆは、レーザー光線５０及び５２によって硬化され、それにより化学的及び／又は物理的にプレート構造３０及び３２と相互作用する。レーザー４６及び４８のために集束ランプを代わりに用いてよい。いずれにしろ、結合部分４４Ｂ及び４４Ｆは構造４４をプレート構造３０及び３２にタッキングする。同様にして、タック構造４４がスペーサ壁３６と協働して、ほぼ固定方式でプレート構造３０と３２とが鉛直方向で互いに離れた状態で間隔付けられているようにする。
【００９９】
図２のプロセスにおける背面板構造３０の表面板構造３２へのタッキングの代替的な方法について上述したのと同様に、図７のプロセス中の複合背面板構造３０／６０／６２は、構造３２にタック構造４４を用いてタッキングされるよりも、別法を用いて、背面板シール領域３０Ｓの側方に分離された複数のタッキングシール部分で構造３２にタッキングされてよい。この代替的なタッキング手順は通常、図２のプロセスについて上述された方法で、レーザー若しくは集束ランプの光エネルギーを領域３０Ｓのタッキングシール部分を通して、外壁３４の隣接部分に当てることによって実行される。それにより、壁３４は、領域３０Ｓに沿って側方に離して間隔があけられた複数位置で背面板構造３０に結合される。
【０１００】
更に、複合背面板構造３０／６０／６２は、全スペーサ壁３６若しくは選択されたスペーサ壁３６に沿ってタッキングされてよい。この代替実施例は、図７のプロセスにおいて背面板構造３０／６０／６２が図２のプロセスにおける背面板構造３０と置き換えられること以外は、全スペーサ壁３６若しくは選択されたスペーサ壁３６を介した図２のプロセスにおける背面板構造３０の表面板構造３２へのタッキングについて上述した方法で実行される。
【０１０１】
タッキングされ、位置合わせがなされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２（通常、タック構造４４を含む）は通常、図７ｂに示されるように構造３０／３２／３４／３６／６０／６２を裏返すことにより表面板構造３２が一番上になるように配置され、更に炉５４の中に配置される（図７ｃ参照）。図２のプロセスの図２ｈの対応する段階でそうであったように、図７ｃの段階で、背面板構造３０は炉５４の中に表面板構造３２の鉛直方向で下に配置され、且つ外壁３４がプレート構造３０と３２との間に配置される。スペーサ壁３６及び（存在する場合に）タック構造４４は同様にして、構造３０及び３２がほぼ固定された方法で鉛直方向に互いに離れて間隔付けられるようにプレート構造３０と３２との間に配置された中間機構を形成する。
【０１０２】
次に、図２のプロセスの図２ｈの段階に関連して上述した方法で、外壁３４が背面板構造３０にシールされる。炉５４は、通常、室内圧力に近い圧力で乾燥窒素及び／又は不活性ガスによって満たされる。別法では、タック構造３０／３２／３４／３６／６０／６０／６２が炉５４に配置された後、真空室は高い真空状態（通常10^{− 6}torr以下の圧力）にポンプで引かれる。
【０１０３】
壁３４に形成されたシール材料が軟化されて重力の影響により鉛直下方向に移動させるように加熱作業が実行される。この加熱作業（同様に、重力式加熱作業と呼ぶ）の際に、壁シール材料は背面板シール領域３０Ｓに沿って背面板構造３０と接触する。プレート構造３０及び３２はそれにより壁３４を介してシールされる。
【０１０４】
スペーサ壁３６及び（存在する場合に）タック構造４４で形成された中間構造は、同様に、重力式加熱作業の直前に確立されたほぼ固定された方法で、プレート構造３０及び３２が互いに鉛直方向に離れて間隔付けられて保持されるようにする。タックシステムは構造３０及び３２が互いに関して水平方向で移動するのを防止する。それゆえに、重力式加熱作業の際に構造３０及び３２は、互いに関してほぼ固定位置に保持される。重力式加熱作業の際に構造３０と３２との間でほとんどz軸方向の動きがないので、そのようなz軸方向運動に起因する位置合わせの崩れが防止される。
【０１０５】
重力式加熱作業の際に、外壁３４のシール材料は制限構造６０と６２との間にある背面板構造３０と接触する。重力式加熱の前の壁３４と制限構造６０及び６２の各々との側方間隔、並びにシール材料の粘着力に応じて、壁３４は内側制限構造６０の外側側壁及び／又は外側制限構造６２の内側側壁と接触してよい。しかしながら、構造６０及び６２は、壁シール材料が構造６０及び６２を越えて広がり、構造６０及び６２を越えた側方に位置する背面板構造３０との接触することをほぼ防止する。即ち、内側制限構造６０は、壁シール材料が内側構造６０の内側にある背面板構造３０と接触して、背面板構造３０の作動部分中にある電子放出素子等のデリケートな素子が損傷するのをほぼ防止する。同様にして、外側制限構造６２は、壁シール材料が外側構造６２の外側にある背面板構造３０と接触するのをほぼ防止する。そのような制限をできる能力は、通常、制限構造６０及び６２の製造によって高められ、壁シール材料によってほとんど粘着力を有さないようになる。
【０１０６】
重力式加熱作業の前に、壁３４と背面板制限構造６０及び６２の各々との間の側方間隔を適切に選択することにより、通常、外壁３４のシール材料が側方に広がって外側側壁を越えて内側構造６０と接触する、若しくは内側側壁を越えて外側構造６２と接触することがなくなる。即ち、壁シール材料は通常、構造６０若しくは６２の上部を越えて広がらない。構造６０若しくは６２によって、重力式加熱ステップの際に壁シール材料が側方に広がることに対する物理的及び／又は化学的抑制が提供されるので、重力式加熱作業の際の図７のプロセスでの外壁３４の粘着力は、図２のプロセスの場合よりもより変化してもよい。
【０１０７】
制限構造６０及び６２の一方だけが背面板構造３０の上に設けられている場合、重力式加熱作業の際に、外壁３４は構造６０及び６２のその一方の近くで背面板構造３０と接触する。例えば、内側構造６０が存在して外側構造６２が存在しない場合、壁３４は内側構造６０の外側側壁の近くで背面板構造３０と接触する。他方、外側構造６２が存在して内側構造６０が存在しない場合、壁３４は構造６２の内側側壁の近くで背面板構造３０と接触する。
【０１０８】
更に、制限構造６０及び６２の一方だけが存在する場合、背面板シール領域３０Ｓの表面エネルギーは、構造６０及び６２の存在する一方と領域３０Ｓに関して反対側に配置され、隣接領域３０Ｓに沿って延びている背面板構造３０の内面の３０ＮＩ若しくは３０ＮＯ部分の表面エネルギーと異なっていてよい。例えば、内側構造６０だけが存在する場合、領域３０Ｓは、領域３０Ｓの外側に沿って延びている３０ＮＯ部分とは異なる表面エネルギーであってよい。外側構造６２だけが存在する場合、領域３０Ｓは、領域３０Ｓの内側に沿って延びている３０ＮＩ部分とは異なる表面エネルギーであってよい。背面板領域部分３０ＮＩ及び３０ＮＯのいずれも図７若しくは図８に示されていないが、背面板構造３０上に制限構造６０及び６２を形成する前の、図８の背面板領域部分と対応した見取り図が示されている図５に、３０ＮＩ及び３０ＮＯ部分の位置が示されている。従って、図５には、制限構造６０及び６２を形成する前の、図７のプロセスに対する背面板構造３０の見取り図が効果的に示されている。
【０１０９】
背面板シール領域３０Ｓの表面エネルギーは、外壁３４のシール材料が領域３０Ｓに結合するのを促進させる。重力式加熱作業の際、壁シール材料は領域３０Ｓに粘着力を持たせる。背面板領域部分３０ＮＩ若しくは３０ＮＯの表面エネルギーが領域３０Ｓの表面エネルギーと異なる場合、３０ＮＩ若しくは３０ＮＯ部分の表面エネルギーは、３０ＮＩ若しくは３０ＮＯ部分に壁シール材料を結合させるのを抑制するように選択される。重力式加熱作業の際に壁シール材料は、領域３０Ｓに粘着力を持たせるのに比べて、３０ＮＩ若しくは３０ＮＯ部分にはほとんど粘着力を持たせない。それにより３０ＮＩ若しくは３０ＮＯ部分は、（ａ）３０ＮＩ部分がそのような選択された表面エネルギーを有する場合には、壁３４のシール材料が内側に広がるのを抑制し、（ｂ）３０ＮＯ部分がそのような選択された表面エネルギーを有する場合には、壁シール材料が外側に広がるのを抑制する。
【０１１０】
重力式加熱作業が終了した後、背面板制限構造６０及び／又は背面板制限構造６２と、通常は更にタック構造４４とを含むシールされた構造３０／３２／３４／３６は、炉５４から取外される。図７ｄには、この段階でのシールされたフラットパネルディスプレイが図示されている。外壁３４に形成されたシール材料は、制限構造６０及び６２が共に背面板構造３０の上に存在している場合は、それらを越えて側方に著しく広がりはしない。構造６０及び６２の一方だけが存在している場合、壁シール材料は構造６０及び６２のうちで存在するその一方を越えて側方に著しく広がりはせず、更に、その構造６０若しくは６２の反対にある背面板シール部分３０ＮＯ若しくは３０ＮＩの表面エネルギーが上述した方法で選択された場合、背面板シール領域３０Ｓを越えて著しく広がりはしない。重力式加熱作業が真空若しくは非真空のいずれでの状態で実行されたかに（部分的に）依存する更なる作業が、図２ｉのディスプレイに対して上述した方法によって、図７ｄのディスプレイ上で実行される。
【０１１１】
図２のプロセスによるフラットパネルディスプレイ中でのシールがそうであったように、図７のプロセスに従ってシールされるディスプレイ中の外壁３４の一部分だけが、重力式加熱作業の際に軟化し且つ下方向に移動するシール材料で構成されてよい。図９は、図７のプロセスに従ってシールされたフラットパネルディスプレイに対する壁３４のそのような変形実施例を含む構造が図示されている。図９の構造は、図７ｂの段階で生じる。前述の図６の変形実施例でそうであったように、図９の変形実施例中の壁３４は、外壁主部分３４Ｍとシール部分３４Ｂ及び３４Ｆとで構成される。壁主部分３４Ｍは、同様にして、重力式加熱作業の際にほぼ変形しないセラミック等の材料で構成される。
【０１１２】
図１０ａ乃至図１０ｉ（まとめて「図１０」）は、本発明に従ったシール制限構造を用いたフラットパネルディスプレイを密封シールする別のプロセスが図示されている。図７のプロセスでは背面板構造３０上だけであったのに対して、図１０のプロセスでは、シール制限構造がプレート構造３０及び３２の両方に設けられているという点で図７のプロセスと異なっている。この差異及び図７のプロセスが図２ａ乃至図２ｅのステップで開始されることに留意すると、図１０ａ乃至図１０ｉのステップは図２ａ乃至図２ｅ及び図７ａ乃至図７ｄのステップと各々対応している。
【０１１３】
一組の同心四角形環状シール制限構造６４及び６６が、図１０ａに示されるように表面板構造３２の内面上に設けられる。表面板構造３２と表面板制限構造６４及び６６とを組合わせて、複合表面板構造３２／６４／６６が形成される。この四角形状の制限構造６４及び６６は図１１で見ることができて、そこには図１０ａの段階での複合表面板構造３２／６４／６６の見取り図が示されている。更に下記で説明されるように、制限構造６４及び６６は、制限構造６４が外壁３４の内側に沿って延びて、制限構造６６が外壁３４の外側に沿って延びるような方法で表面板構造３２に配置される。表面板シール領域３２Ｓは、構造６４と６６の間に延在する。
【０１１４】
表面板制限構造６４及び６６は通常（必ずである必要はない）、表面板構造３２のシール領域３２Ｓに対して外壁３４のシール材料による粘着力をほとんど有しない材料で構成される。壁３４が少なくとも領域３２Ｓに沿ってフリットで構成される場合、制限構造６４及び６６は通常、背面板構造３０上の制限構造６０及び６２と同様の方法で構成される。更に、表面板制限構造６４及び６６は通常は、壁５４が少なくとも領域３２Ｓに沿ってフリットで構成される場合、炭素含有材料、特に炭化水素材料でできている。構造６４及び６６に対する炭素含有材料の例としては、ポリイミド及び炭化ケイ素である。更に、構造６４及び６６は、炭素を大量に含んでいない窒化ケイ素若しくはその他の材料で構成されてもよい。通常、構造６４及び６６は、横方向に測定すると0.2〜2mm（通常は0.5mm）である幅（若しくは厚さ）を有する。
【０１１５】
表面板制限構造６４及び６６は、背面板制限構造６０及び６２と同様の方法で形成されてよい。例えば、複合表面板構造３２／６４／６６を製造する際の適切な段階で、シール制限材料のブランケット層が表面板構造３２のその時点で存在する内面上に形成されてよい。表面板制限構造６４及び６６に対するシール制限材料のブランケット層の形成は、背面板制限構造６０及び６２に対してシール制限材料のブランケット層を生成するための上述の方法のいずれを用いて実行されてもよい。適切なフォトレジストマスクを用いて、シール制限材料の望んでいない部分が除去されて表面板制限構造６４及び６６が作成される。
【０１１６】
或いは、シール制限材料が構造３２のその時点で存在する内面上の望まれない領域に積重ねられることを防ぐためにシャドーマスクを用いて、表面板制限構造６４及び６６が表面板構造３２のその時点で存在している内面上に選択的に成膜されてもよい。このシャドーマスクは、表面板構造３２のその時点で存在する面上の、シール制限材料が望まれない部分に直接形成されるフォトレジストで置き換えられてもよい。シーワ制限材料の付着後、マスク上に成膜された任意のシール制限材料を除去するためにフォトレジストマスクが除去される。更に、制限構造６４及び６６は表面板構造３２のその時点で存在する内面上にスクリーン印刷されてよい。
【０１１７】
表面板制限構造６４及び６６は、表面板構造３２のその時点で存在する内面の上に化学線作用性シール制限材料の層を成膜するステップ、その材料の部分に適切な化学線放射を行うステップ、及び適切な現像液を用いて露出された化学線作用性材料、若しくは露出されない化学線作用性材料のいずれかを除去するステップによって、化学線作用性材料から作られてよい。化学線作用性材料が、感光性（例えば、前駆物質ポリイミド材料）である場合、化学線放射は通常、露出された感光性材料を重合させるような紫外線の光である。次に、露出されなかった感光性材料は現像液で除去される。
【０１１８】
外壁３４は、炉３８の中に配置される（図１０ｂ参照）。壁３４は、同様に、炉３８中に水平方向に適切な支持体（図示せず）上に配置される。複合表面板構造３２／６４／６６は炉３８の中に配置され、更に、壁３４が表面板制限構造６４と６６との間の空間の構造３２と接触するように表面板構造３２の内面を下方向に向けた状態で壁３４の上に配置される。制限構造６４と６６との間の間隔に対する壁３４の厚さに依存して、壁３４がこの場所の構造６４及び６６の一方若しくは両方と接触してよい。いずれにせよ、壁３４は表面板シール領域３２Ｓと鉛直方向に位置合わせがなされる。必要に応じて、必要とされる位置合わせを達成するための適切な位置合わせシステム（図示せず）が用いられてよい。
【０１１９】
表面板制限構造６４及び６６の一方のみが実際に表面板構造３２上に設けられてよい。その場合、図１０ａの段階で外壁３４が制限構造６４及び６６のその一方の近くの位置に配置される。制限構造６４及び６６の一方しか存在していない場合、その一方は通常内部構造６４である。
【０１２０】
下記で特別に示される場合を除き、図１０のプロセスの説明の残りは、表面板構造３２に制限構造６４及び６６が共に設けられているものとして下記に説明される。構造６４及び６６の一方がない場合に限り、構造６４及び６６の存在しない方の参照（例えば、表示される参照記号）は図１０のプロセスの残りの説明の中で無視されてよい。それにより、例えば、複合表面板構造３２／６４／６６の参照は、外側制限構造６６がない場合には複合表面板構造３２／６４を意味し、内側制限構造６４がない場合には複合表面板構造３２／６６を意味する。
【０１２１】
複合表面板構造３２／６４／６６が外壁３４に適切に位置合わせされることによって、構造３２／６４／６６が壁３４にシールされる。表面板構造と外壁とのシーリング作業は、図２のプロセスの図２ｂの段階に関連して上述された方法で実行される。それゆえに、炉３８が室内圧力に近い圧力で乾燥窒素若しくは不活性ガスで満たされた後に、軟化するように壁３４が加熱される。図２ｂに関連した上述の好適な加熱プロセス中で、壁３４の領域３２Ｓに渡る薄い部分が融解するようにレーザー４０のレーザー光線４２が表面板シーリング領域３２Ｓに沿って方向付けられた後、壁３４が適切な温度（bias temperature）に上げられる。その後の冷却の際に、壁３４は複合表面板構造３２／６４／６６にシールされる。
【０１２２】
表面板構造と外壁とのシールは、表面板制限構造６４と６６との間に配置された表面板シール領域３２Ｓに沿って行われる。構造６４及び６６は、外壁３４のシール材料が構造６４及び６６を越えて広がり、構造６４及び６６を越えた側方にある表面板構造３２と接触するのを防止する。別の表現をすると、内部制限構造６４は、壁シール材料が内側構造６４の内側にある表面板構造３２と接触して、表面板構造３２の作動部分の発光素子等のデリケートな素子を損傷するのを防止する。同様にして、外側制限構造６６は、壁シール材料が外側構造６６の外側にある表面板構造３２と接触するのを防止する。通常、そのような制限を達成する能力は、壁シール材料による粘着力をほとんど持たないように制限構造６４及び６６を製造することによって高められる。
【０１２３】
表面板構造と外壁とのシール作業を適切に制御することによって、通常、壁シール材料が側方に広がって内側表面板制限構造６４と接触してその外側側壁を著しく越えていくことや、若しくは外側表面板制限構造６６と接触してその内側側壁を著しく越えていくことがなくなる。即ち、通常、壁シール材料が構造６４若しくは６６の上部を著しく越えていくことはない。構造６４及び６６は、表面板構造と外壁とのシーリング作業の際に壁３４のシール材料が側方に広がることを物理的及び／又は化学的に抑制するので、表面板構造と外壁とのシールの際に図２のプロセスの場合よりも壁３４の粘着力をより変化させることができる。
【０１２４】
制限構造６４及び６６の一方のみが表面板構造３２の上に設けられた場合、表面板構造と外壁とのシールの際に、外壁３４は構造６４及び６６のその一方の近くの表面板構造と接触する。例えば、内側構造６４が存在して、外側構造６６が存在しない場合、壁３４は内側構造６４の外側側壁の近くの表面板構造３２と接触する。他方、外側構造６６が存在して、内側構造６４が存在しない場合、壁３４は外側構造６６の内側側壁の近くの表面板構造３２と接触する。
【０１２５】
更に、表面板制限構造６４及び６６の一方だけが存在する場合、表面板シール領域３２Ｓの表面エネルギーは、構造６４及び６６の存在する一方と領域３２Ｓに関して反対側に配置され、隣接領域３２Ｓに沿って延びている表面板構造３２の内面の３２ＮＩ若しくは３２ＮＯ部分の表面エネルギーと異なっていてよい。例えば、内側構造６４だけが存在する場合、領域３２Ｓは、領域３２Ｓの外側に沿って延びている３２ＮＯ部分とは異なる表面エネルギーであってよい。外側構造６６だけが存在する場合、領域３２Ｓは、領域３２Ｓの内側に沿って延びている３２ＮＩ部分とは異なる表面エネルギーであってよい。表面板領域部分３０ＮＩ及び３０ＮＯのいずれも図１０若しくは図１１に示されていないが、表面板構造３２上に制限構造６４及び６６を形成する前の、図１１の表面板領域部分と対応した見取り図が示されている図３に、３０ＮＩ及び３０ＮＯ部分の位置が示されている。従って、図３には、制限構造６４及び６６を形成する前の、図１０のプロセスに対する表面板構造３２の見取り図が効果的に示されている。
【０１２６】
表面板シール領域３２Ｓの表面エネルギーは、外壁３４のシール材料が領域３２Ｓに結合するのを促進させる。表面板構造と外壁とのシーリングの際、壁シール材料は領域３２Ｓに粘着力を持たせる。表面板領域部分３２ＮＩ若しくは３２ＮＯの表面エネルギーが領域３２Ｓの表面エネルギーと異なる場合、３２ＮＩ若しくは３２ＮＯ部分の表面エネルギーは、３２ＮＩ若しくは３２ＮＯ部分に壁シール材料を結合させるのを抑制するように選択される。表面板構造と外壁とのシーリングの際に壁シール材料は、領域３２Ｓに粘着力を持たせるのに比べて、３２ＮＩ若しくは３２ＮＯ部分にはほとんど粘着力を持たせない。それにより３２ＮＩ若しくは３２ＮＯ部分は、（ａ）３２ＮＩ部分がそのような選択された表面エネルギーを有する場合には、壁３４のシール材料が内側に広がるのを抑制し、（ｂ）３２ＮＯ部分がそのような選択された表面エネルギーを有する場合には、壁シール材料が外側に広がるのを抑制する。
【０１２７】
表面板構造と外壁とのシールが終了した後、複合シール構造３２／３４／６４／６６は、炉３８若しくはその他の炉から取外される。構造３２／３４／６４／６６は、表面板構造と外壁とのシールの際に複合表面板構造３２／６４／６６が鉛直方向で外壁３４の上になっている場合に、例えば、構造３２／３４／６４／６６を裏返すことによって、外壁３４が表面板構造３２の上部になるように配置される（図１０ｃ参照）。
【０１２８】
更に、複合構造３２／３４／６４／６６上でのプロセスは通常、図２のプロセスに対する図２ｄ及び図２ｅに関連して上述された方法で実行される。特に、図１０ｄに示されるように、表面板構造３２の内面上にスペーサ壁３６が設けられる。更に、図１０ｄの段階でできあがった構造の平面図が示された図１２も参照されたい。タック構造４４は通常、図１０ｅで示されるように外壁３４の外側の表面板構造３２の上に設けられる。或いは、選択されたスペーサ壁３６若しくは全てのスペーサ壁３６が、図２のプロセスでタッキングスペーサ壁３６を表面板構造３２に結合させるための上述の方法で、複合表面板構造３２／６４／６６にタッキングされてよい。
【０１２９】
図１０のプロセスにおけるシール作業の残りが、図７のプロセスに関連して上記で説明された方法によって実行される。特に、シール制限構造６０及び６２が背面板構造３０の内面上に設けられる。複合背面板構造３０／６０／６２は、図１０ｆに示されるように複合構造３２／３４／３６／６４／６６の上部に配置される。それにより、背面板シール領域３０Ｓの外壁３４との鉛直方向での位置合と共に背面板構造３０の内面が下方向に向けられる。背面板構造３０の内面はタック構造４４の結合部分４４Ｂ及びスペーサ壁３６と接触する。シール領域３０Ｓの全体、若しくはほぼ全体に沿って、壁３４との間に間隙が前と同様に存在している。表面板制限構造６４及び６６は各々、背面板制限構造６０及び６２と向き合わせに配置されるが、構造６０及び６２とは接触しない。
【０１３０】
通常、図７のプロセスにおいて複合背面板構造３０／６０／６２を複合構造３２／３４／３６にタッキングするのにレーザー４６及び４８が用いられたのと同様の方法で、即ち、図２のプロセスにおいて背面板構造３０を複合構造３２／３４／３６にタッキングするのにレーザー４６及び４８が用いられたのと同様の方法でレーザー４６及び４８を用いて、複合背面板構造３０／６０／６２が複合構造３２／３４／３６／６４／６６にタッキングされる。レーザー光線５０及び５２で打たれることにより、タック構造４４の結合部分４４Ｂ及び４４Ｆは、構造４４をプレート構造３０及び３２に固定して結合する。或いは、複合背面板構造３０／６０／６２は、（ａ）図２のプロセスにおいて外壁３４を介して背面板構造３０を表面板構造３２にタッキングするために上記で示された方法で外壁３４に沿って、若しくは（ｂ）図２のプロセスにおいてタッキングスペーサ壁３６を背面板構造３０に結合するために上記で示された方法により選択されたスペーサ壁３６若しくは全てのスペーサ壁３６を介して、複合表面板構造３２／６４／６６にタッキングされてよい。
【０１３１】
タッキングされ、位置合わせが行われた（通常、タック構造４４を含む）構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６は、例えば、背面板構造３０が鉛直方向で既に上部にあり、炉５４の中に配置されている場合、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６を裏返すことによって、図１０ｇに示されるように表面板構造が鉛直方向で上部になるように配置される（図１０ｈ参照）。対応する図２における図２ｈの段階、若しくは対応する図７における図７ｃの段階でそうであるように、図１０ｈの段階で炉５４中に背面板構造３０が表面板構造３２の鉛直方向で下に配置され、且つ、外壁３４がプレート構造３０と３２との間に配置される。プレート構造３０と３２とが概ね固定された方法で互いに離れて鉛直方向に間隔付けられるように中間機構を形成するスペーサ壁３６及び（存在する場合には）タック構造４４を用いて、複合表面板構造３２／６４／６６の複合背面板構造３０／６０／６２への外壁３４を介した密封シールを実行するために重力式加熱作業が実行される。この重力式加熱作業は、背面板制限構造６０及び６２の説明をしている図７の修正に従って、図２に関連して上述されたように実行される。
【０１３２】
（図２のプロセスに従ってシールされたフラットパネルディスプレイでそうであったように）制限構造６４及び６６が表面板構造３２に設けられない場合、重力式加熱作業の際に外壁３４のシール材料は通常、表面板構造３２を越えて側方に著しく広がることはない。それにも関わらず、そのような側方への広がりが別の状態として起こり得る限りにおいては、内側制限構造６４及び／又は外側制限構造６６が、一方のみ若しくは共に存在するかに応じて、壁シール材料がシール領域３２Ｓを越えて側方への広がるのを抑制する。
【０１３３】
図７のプロセスに従ってシールされたフラットパネルディスプレイと同様に、制限構造６０及び６２の一方のみが、図１０のプロセスに従ってシールされたフラットパネルディスプレイ中の背面板構造上に実際に設けられてよい。いずれにしろ、図７のプロセスにおいて存在する構造６０及び６２の一方の構造のみについて言及されたことが全て図１０のプロセスに適用される。これは、上述されたように背面板シール領域３０Ｓの表面エネルギーを隣接する背面板領域部分３２ＮＩ若しくは３２ＮＯの表面エネルギーと異なるように配置するステップを含む。
【０１３４】
表面板内側制限構造６４及び／又は表面板外側制限構造６６、背面板内側制限構造６０及び／又は背面板外側制限構造６２、及び通常はタック構造４４を含むシール構造３０／３２／３４／３６が、重力式加熱作業が終了した後に炉５４から取外される。シールされたフラットパネルディスプレイが、図１０ｉに示されている。外壁３４に形成されたシール材料は、表面板構造３２上に制限構造６４及び６６が共に存在する場合、両構造を越えて側方に著しく広がらない。構造６４及び６６の一方のみが存在する場合、壁シール材料は構造６４及び６６のその一方を越えて側方に著しく広がらず、更に、構造６４及び６６と反対にある表面板領域部分３２ＮＩ若しくは３２ＮＯの表面エネルギーが上述した方法で選択された場合に表面板領域３２Ｓを越えて著しく広がることはない。更に、図１０ｉのディスプレイ上での作業が、図２ｉのディスプレイに対して上述したように実行される。
【０１３５】
図２及び図７のプロセスに対して上述した全ての変形実施例は、図１０のプロセスに概ね適用される。これには、タック構造４４を用いずにプレート構造３０と３２を、外壁３４に沿って側方に分離している複数位置で直接１つにタッキングするステップ、若しくはスペーサ壁３６全部又は選択されたスペーサ壁３６を介して１つにタッキングするステップも含まれる。更に、外壁主部３４Ｍとシール部分３４Ｂ及び３４Ｆとで構成されるように、図６及び図９に関連して上述されたように外壁３４が構成されてよい。
【０１３６】
全体加熱間隙ジャンプシーリング
図１３ａ〜図１３ｃ（まとめて「図１３」）は、本発明に従ってフラットパネルディスプレイを密封シールするための一般的な全体加熱ギャップジャンプ方法の一部を図示している。図１３のプロセスは上述のように、タッキングされ、位置合わせがなされた構造３０／３２／３４／３６（通常、タック構造４４を含む）を作るための図２ａ〜図２ｆのステップで開始される。図２ａ〜図２ｆのステップの全変形実施例は、図１３のプロセスに従ってシールをするためのタック構造３０／３２／３４／３６を形成するために適用される。図１３ａは、図２ａ〜図２ｆのステップが終了した後に構造３０／３２／３４／３６（この場合にはタック構造４４を含む）がどのように見えるか図示している。
【０１３７】
タック構造３０／３２／３４／３６（通常、タック構造４４を含む）は、シール用炉５４に配置される（図１３ｂ参照）。構造３０／３２／３４／３６は、種々の方法で炉５４中に配置されてよい。好適には背面板構造３０が、鉛直方向でタック構造３０／３２／３４／３６の一番上になっている。それにより、炉５４に配置される際、スペーサ壁３６及び壁３４に形成されたシール材料がプレート構造３０と３２との間に配置されるように、表面板構造３２の鉛直方向で上に背面板構造３０が配置される。これは、図２のプロセスにおける重力式加熱の際の構造３０／３２／３４／３６の配置と概ね反対になっている。図１３のプロセスにおける構造３０／３２／３４／３６は通常、図１３ｂの段階で概ね水平方向に広がっている。しかしながら、構造３０／３２／３４／３６は、図１３のプロセスにおける背面板構造と外壁とのシールにほとんど影響を与えることなく、水平方向から多少外れて（通常、水平方向からの外れは少なくとも40°に達する）広がってよい。
【０１３８】
図２のプロセスと同様に、図１３のプロセスにおける表面板構造３２及び外壁３４は、背面板シール領域３０Ｓ全体に沿って、若しくは背面板構造３０が直接外壁３４にタッキングされる場合には領域３０Ｓのほぼ全体に沿って、背面板構造３０から離れて間隔付けられる。従って、同様に間隙によって壁３４が背面板構造３０から領域３０Ｓ全体若しくはほぼ全体に沿って分離される。この間隙は、スペーサ壁３６が外壁３４よりも表面板構造３２からより伸長しているために生じる。それにより、スペーサ壁３６及び（存在する場合に）タック構造４４は、プレート構造３０と３２との間に配置され、ほぼ固定された方法によって構造３０及び３２を互いに鉛直方向に離れて間隔付ける中間システムを同様に形成する。
【０１３９】
外壁３４と背面板構造３０との間の間隙は、通常、少なくとも25μmの平均の高さを有している。この平均の高さは、通常75μmであり、又、少なくとも300μmくらいであってもよい。図１３ｂの配置において間隙は、図２のプロセスにおける重力式加熱ステップの際のように壁３４のその時点で存在する下端部に沿ってではなく、壁３４のその時点で存在する上端部に沿って設けられている。
【０１４０】
図１３のプロセスにおけるタッキングされた構造３０／３２／３４／３６（通常、タック構造４４を含む）は、壁３４のシール材料が間隙をジャンプして、図１３ｂに示されるように外壁３４を介してプレート構造３０及び３２を1つに密封シールするように全体加熱される。全体加熱間隙ジャンプ作業の際、壁３４は軟化し、その外壁に沿って融解する可能性すらある。表面張力によって壁３４の軟化した材料が丸くなる。壁３４の上側角部の軟化した材料は壁３４の長手軸方向中心に向かって移動する。次に、このことによって、背面板構造３０付近の壁３４の長手軸方向中心に沿った材料が、シール領域３０Ｓ沿いの背面板構造３０と接触するように表面板構造３２から離れて移動するようになる。背面板構造３０が表面板構造３２の鉛直方向で上にある好適な実行作業では、壁シール材料が鉛直方向上向きに移動する。
【０１４１】
外壁３４の軟化した部分中に含まれるガス、若しくは壁シール材料の軟化（又は融解）の結果生じたガスが、壁３４の上方向への拡張に寄与してよい。更に、壁３４の構成及び全体加熱間隙ジャンプ作業の状態に応じて、壁３４の外壁沿いの材料は、材料の密度が減少する相変化を受ける。それに伴う壁３４の体積増加が、壁シール材料が背面板構造３０に向かう移動に更に寄与する。
【０１４２】
全体加熱間隙ジャンプ作業は通常、構造３０及び３２／３４／３６（通常、タック構造４４を含む）を300〜600°C（好適には320°〜500°Cで通常は450°C）のシール温度に15〜30分（通常、20分）の間、上昇させるステップで構成される。続いて外壁３４が、タック構造３０／３２／３４／３６の残りの部分と共に冷却される。冷却の際、シール領域３０Ｓの全体に沿って壁３４が背面板構造３０に密封シールされる。通常の実行の際は、炉５４の中の温度が、室温から450°Cに5°C／分で上げられ、450°Cで20分間保持され、次に450°Cから室温まで−5°C／分で下げられる。シール温度は、壁３４のシール材料をその外面に沿って軟化させ且つ場合によっては融解させるか若しくは融解間際の状態にするのに十分高い温度であるが、プレート構造３０若しくは３２の重要な構成要素のいずれか、又はスペーサ壁３６のいずれかの損傷を防ぐのには十分低い温度である。
【０１４３】
全体加熱間隙ジャンプ作業は、真空若しくは非真空の状態で行われてよい。非真空の場合、全体加熱間隙ジャンプ作業は通常、乾燥窒素若しくはアルゴン等の不活性ガスの環境中で室内圧力に近い圧力で行われる。通常の実行の際には、炉５４を約710torrの乾燥窒素で満たす必要がある。真空の場合には、炉５４中の圧力は通常、10^{− 6}torr以下にポンプで引かれる。
【０１４４】
図２の重力式加熱の際と同様に、スペーサ壁３６及び（存在する場合に）タック構造４４で形成される中間システムによって、全体加熱間隙ジャンプ作業の前に確立されたほぼ固定された方法で、全体加熱間隙ジャンプ作業の際に図１３のプロセスにおけるプレート構造３０及び３２が、互いに鉛直方向に離れて間隔付けられ保持されるようになる。従って、全体加熱間隙ジャンプ作業の際、z軸方向運動はほとんど生じない。そうでない場合に、そのようなz軸方向運動によって生じ得る位置合わせの崩れが、ほぼ防止される。
【０１４５】
同様にして、タック構造４４、外壁３４が背面板構造３０に直接タッキングされる領域、若しくはタッキング要素として用いられる場合のスペーサ壁３６で形成されたタックシステムによって、全体加熱間隙ジャンプ作業の際にプレート構造３０及び３２が互いに関して水平方向に動くことがほぼ防がれる。それゆえに、構造３０及び３２は、全体加熱間隙ジャンプ作業の際に、互いに関してほぼ固定位置に保持される。背面板シール領域３０Ｓが、外壁３４の領域３０Ｓへの結合を促進させる表面エネルギーを有し、他方、隣接する背面板領域３０ＮＩ及び３０ＮＯが、壁３４の部分３０ＮＩ及び３０ＮＯへの結合を抑制する表面エネルギーを有していてよい。その場合、非シール部分３０ＮＩ及び３０ＮＯは、全体加熱間隙ジャンプ作業の際に、外壁３４のシール材料が領域３０Ｓを越えて側方に広がるのを抑制する。
【０１４６】
シールされた構造３０／３２／３４／３６（通常、タック構造４４を含む）は、全体加熱間隙ジャンプ作業が終了した後に炉５４から取外される。図１３ｃは、シールされたフラットパネルディスプレイがその時点でどのように見えるかを示したものである。外壁３４に形成されるシール材料が、背面板構造３０のシール領域３０Ｓを著しく越えて広がることはない。全体加熱間隙ジャンプ作業が真空状態若しくは非真空状態で実行されたかどうかに（部分的に）応じて、図２のプロセスに対して上述された方法でその後の作業が実行される。
【０１４７】
外壁３４は、概ね四角形状の鉛直方向断面を備えているものとして図１３に図示されている。しかしながら、壁３４の鉛直方向断面は四角形状でなくてもよい。一例として、図１３ａの段階での壁３４の鉛直方向断面が概ね逆台形形状、好適には、台形の平行な二辺の短い方が表面板シール領域３２Ｓと接触している逆二等辺台形の形状であってよい。それにより、フラットパネルディスプレイをシールするための間隙ジャンプは、台形の平行二辺の長い方に沿って生じる。壁３４に対する台形状鉛直方向断面は、背面板構造３０の近くの位置に間隙ジャンプのための付加的な材料を設けることができるので有利である。
【０１４８】
図１３ｃの例では、外壁３４のシール材料は、表面板構造３２から背面板構造３０に連続的に広がっている。しかしながら、図２のプロセスによりシールされたフラットパネルディスプレイ中の壁３４の基盤についての上述と同様に、図１３に従ってシールされたフラットパネルディスプレイ中の壁３４は、軟化して壁３４と背面板３０との間の間隙をジャンプするシール材料で部分的にだけ構成されてよい。図１３のプロセスによりシールされたディスプレイ中の壁３４が図６に示されたように形成され、壁主部分３４Ｍとシール部分３４Ｂ及び３４Ｆで構成されてよい。
【０１４９】
全体加熱間隙ジャンプ作業の際、シール部分３４Ｂは形状を変え、それにより壁３４と背面板構造３０との間の間隙をジャンプする。主部分３４Ｍは、全体加熱間隙ジャンプ作業の際にその形状をほぼ保持する。この変形実施例の外壁３４は更に、非四角形状鉛直方向断面、例えば、シール部分３４Ｂがシール部分３４Ｆよりも側方の幅が広くなっている概ね台形状の鉛直方向断面を備えていてよい。この形状によって、ディスプレイをシールするための間隙ジャンプを容易化できる。
【０１５０】
図１４ａ〜図１４ｃ（まとめて「図１４」）は、本発明に従って、全体加熱間隙ジャンプ方法及び背面板制限構造６０及び６２を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための一般的なプロセスの一部を図示している。図１４のプロセスは、複合構造３２／３４／３６（通常、タック構造４４を含む）を作るためのステップ２ａ〜２ｅで開始され、その後に、タッキング及び位置合わせがなされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２を形成するように、背面板構造３０及び制限構造６０及び６２で構成される複合背面板構造３０／６０／６２を複合構造３２／３４／３６にタッキングするための図７ａのステップが続いている。図１４ａ〜１４ｃのステップは各々図１３ａ〜１３ｃと対応している。図１４ａには、ステップ２ａ〜２ｅ及び７ａの終了後にタッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２（ここではタック構造４４を含む）がどのように見えるかが示されている。
【０１５１】
タッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２（通常は、タック構造４４を含む）は、シール用炉５４中に配置される（図１４ｂ参照）。背面板構造３０と外壁３４との間の間隙が存在することを含め、図１３のプロセスにおいて、炉５４中への構造３０／３２／３４／３６の配置後且つ全体加熱間隙ジャンプ作業前の、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６の構成及び配置について上記で言及したことは全て、図１４のプロセスにおけるこの時点の構造３０／３２／３４／３６／６０／６２の構成及び配置に適用される。それゆえに、背面板構造３０と壁３４との間の間隙が、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２中の壁３４の上端部に沿って設けられるように、好適には、図１４のプロセスにおいて背面板構造３０が外壁３４の鉛直方向の上に位置する。
【０１５２】
タッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２は、図１３ｂの段階でのタッキングされた構造３０／３２／３４／３６に対して上述されたように全体加熱される。全体加熱によって、外壁３４のシール材料が間隙を鉛直方向にジャンプして、図１４ｂに示されたように壁３４を介してプレート構造３０と３２を1つに密封シールする。図１３プロセスにおける全体加熱間隙ジャンプ作業について上述したことは全て、図１４のプロセスにおける全体加熱間隙ジャンプ作業に適用される。これには、壁３４の鉛直方向断面が図１４ａの段階で逆台形状等の非四角形状の構成になっている代替実施例が含まれる。
【０１５３】
同様にして、図７のプロセスにおける重力式加熱作業の際に背面板制限構造６０及び６２についての上述は、図１４のプロセスにおける全体加熱間隙ジャンプ作業の際の構造６０及び６２に概ね適用される。更に、構造６０及び６２を用いる結果、全体加熱間隙ジャンプ作業の際に構造６０及び６２の少なくとも一方によって外壁３４のシール材料が側方を実際に制限されると、制限構造６０及び６２が存在しない場合よりもより多くの壁シール材料が上に位置する背面板構造３０に向かって上方に強制される。従って、構造６０及び６２は一般的に、間隙を飛び越える能力を高める。構造６０及び６２の一方のみが存在する場合にもこの利点が生じる。
【０１５４】
シールされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２は、全体加熱間隙ジャンプ作業が終了した後に炉５４から取外される。図１４ｂの構造３０／３２／３４／３６／６０／６２の配置と比較して構造３０／３２／３４／３６／６０／６２が裏返されている図１４ｃを参照されたい。ここでも、壁３４のシール材料が背面板構造３０のシール領域３０Ｓを著しく越えて広がることはない。図２のプロセスに対して上述されたようにその後の作業が実行される。
【０１５５】
図１５ａ〜１５ｃ（まとめて「図１５」）には、本発明による全体加熱間隙ジャンプ方法、背面板シール制限構造６０及び６２、並びに表面板シール制限構造６４及び６６を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための一般的な手順の一部が図示されている。図１５のプロセスは、同様にして、背面板構造３０と制限構造６０及び６２とから構成される複合背面板構造３０／６０／６２が、表面板構造３２と制限構造６４及び６６とで構成される複合表面板構造３２／６４／６６にタッキングされている（通常はタック構造４４を含む）位置合わせ及びタッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６を作るための図１０ａ〜図１０ｆのステップで開始される。図１５ａ〜１５ｃのステップは各々図１３ａ〜１３ｃのステップに対応している。図１５ａは、図１０ａ〜図１０ｆのステップが終了した後にタッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６がどう見えるかを示している。
【０１５６】
タッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６（通常、タック構造４４を含む）は、シール用炉５４中に配置される（図１５ｂ参照）。背面板構造３０と外壁３４との間の間隙が存在することを含め、図１３のプロセスにおいて、炉５４中への構造３０／３２／３４／３６の配置後且つ全体加熱間隙ジャンプ作業前の、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６の構成及び配置について上記で言及したことは全て、図１５のプロセスにおけるこの時点のタッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６の構成及び配置に適用される。従って、背面板構造３０と壁３４との間の間隙が、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６中の壁３４の上端部に沿って設けられるように、好適には、図１５のプロセスのこの時点において背面板構造３０が外壁３４の鉛直方向の上に位置する。
【０１５７】
タッキングされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６は、図１３ｂの段階でのタッキングされた構造３０／３２／３４／３６に対して上述されたように全体加熱される。全体加熱によって、外壁３４のシール材料が間隙を鉛直方向にジャンプして、図１５ｂに示されたように外壁３４を介してプレート構造３０と３２を1つに密封シールする。図１３プロセスにおける全体加熱間隙ジャンプ作業について上述したことは全て、図１５のプロセスにおける全体加熱間隙ジャンプ作業に適用される。
【０１５８】
同様にして、図１０のプロセスにおける重力式加熱作業の際に背面板制限構造６０及び６２と表面板制限構造６４及び６６とについての上述は、図１５のプロセスにおける全体加熱間隙ジャンプ作業の際の構造６０、６２、６４、及び６６に概ね適用される。更に、図１４のプロセスと同様の方法によって、背面板制限構造６０及び６２は、図１５のプロセスにおける背面板構造３０と外壁３４との間の間隙を飛び越える能力を高める。表面板制限構造６４及び６６の一方のみが存在する場合、更に、通常は背面板制限構造６０及び６２の一方のみが存在する場合にもこの利点が生じる。
【０１５９】
シールされた構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６は、全体加熱間隙ジャンプ作業が終了した後に炉５４から取外される。図１５ｂの構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６の配置と比較して構造３０／３２／３４／３６／６０／６２／６４／６６が裏返されている図１５ｃを参照されたい。ここでも、壁３４のシール材料が背面板構造３０のシール領域３０Ｓを著しく越えて広がることはない。図２のプロセスに対して上述されたようにその後の作業が実行される。
【０１６０】
変形実施例
本発明は、特定の実施例に関して説明されてきたが、この説明は単に例解が目的であり、本明細書中にある本発明の請求項の範囲を制限するものとして構成されてはいない。例えば、外壁３４が四角形状環ではない側部側形状を備えていてよい。壁３４への表面板構造３２のシーリングは、図２ｂ及び図１０ｂに示される配置以外で実行されてよい。同様にして、表面板構造３２のタック構造４４を介した背面板構造３０へのタッキングが、図２ｆ、図７ａ及び図１０ｆに示される配置以外で実行されてよい。
【０１６１】
プレート構造３０及び３２の役割は、全体シール作業中で逆にされてもよい。即ち、外壁３４及びスペーサ壁３６が最初に表面板構造３２ではなく背面板構造３０に結合される。その場合、できあがった複合構造３０／３４／３６中のスペーサ壁３６は、外壁３４よりも背面板構造３０からより遠くに伸長する。次に、表面板構造３２が、複合構造３０／３４／３６上に配置され、構造３０／３４／３６と適切に位置合わせされ、更に、背面板構造３０にタッキングされる。タッキング作業は、外壁３４の側方に分離された複数部分３４に沿って、若しくは、選択されたスペーサ壁３６又は全スペーサ壁３６を通して、タック構造４４で実行される。スペーサ壁３６は外壁３４よりも高いので、表面板構造３２は外壁３４から間隙で隔てられる。
【０１６２】
シール作業を完了するために、背面板構造３０が外壁３４の鉛直方向で上となるように、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６がシール用炉５４の中に配置されてよい。更に、外壁３４と表面板構造３２との間隙が、壁３４のその時点で存在する下端部に沿って存在している。プレート構造３０及び３２の役割が逆にされたのを条件として、図２のプロセスに対して概ね上述されたように、重力式加熱作業が構造３０／３２／３４／３６の上で実行される。これによって、重力の影響の下で壁３４のシール材料が下方向に移動して表面板構造３２と接触して、フラットパネルディスプレイを密封シールする。
【０１６３】
或いは、表面板構造３２が鉛直方向に外壁３４の上になるようにタック構造３０／３２／３４／３６が炉５４の中に配置される。構造３０／３２／３４／３６をそのように配置することで、外壁３４と表面板構造３２との間の間隙が、壁３４のその時点で存在する上端部に沿って存在する。同様にして、プレート構造３０と３２との役割が逆にされたのを条件として、図１３のプロセスに対して概ね上述されたように、構造３０／３２／３４／３６上で全体加熱間隙ジャンプ作業が実行される。次に、壁３４のシール材料は鉛直上方に移動して間隙を飛び越え、ディスプレイを密封シールする。
【０１６４】
プレート構造３０と３２との役割が逆にされた状態の背面板構造３０上に、背面板制限構造６０及び６２の一方若しくは両方が設けられる。同様にして、この状態の表面板構造３２上に表面板制限構造６４及び６６の一方若しくは両方が設けられる。プレート構造３０と３２の役割が逆にされているため、背面板制限構造６４及び６６は、壁シール材料が外壁３４と表面板構造３２との間の間隙を横切って鉛直方向に上向き若しくは下向きのいずれかに動く際の側方への動きを制限する。それゆえに、背面板制限構造６４及び６６の役割は表面板制限構造６０及び６２の役割とは基本的に逆になっており、その逆も同様である。
【０１６５】
外壁３４がプレート構造３０及び３２の一方と最初に結合され、且つスペーサ壁３６が構造３０及び３２の他方と最初に結合されてよい。この時点で外壁３４若しくはスペーサ壁３６のいずれかに結合された背面板構造３０が、この時点でスペーサ壁３６若しくは外壁３４のいずれかに結合された表面板構造３０に位置合わせ及びタッキングされる。これら2つの代替実施例のいずれが用いられるかに応じて、外壁３４と背面板構造３０との間、若しくは外壁３４と表面板構造３４との間のいずれかに間隙が存在する。
【０１６６】
前記に説明された代替実施例の中のタッキング及び位置合わせされた構造３０／３２／３４／３６は、外壁３４のその時点で存在する外端部に沿って間隙が設けられるように配置されてよい。次に、図２のプロセスに対して概ね上述されたように重力式シール作業が実行され、それにより間隙が塞がれてフラットパネルディスプレイがシールされる。或いは、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６は、壁３４のその時点で存在する上端部に沿って設けられるように配置される。その場合、図１３のプロセスに対して概ね上述されたような全体加熱間隙ジャンプ作業が、間隙を塞いでディスプレイをシールするのに用いられる。これら2つの変形実施例のいずれかに、1以上のシール制限構造６０、６２、６４、及び６６が用いられてよい。
【０１６７】
上述したように、本発明の重力式加熱作業は、タッキングされた構造３０／３２／３４／３６を全体的に加熱するよりもむしろ局所的に加熱することによって実行される。次に、エネルギーが壁３４のシール材料に局所的に伝達され、それにより壁シール材料が鉛直方向下向きに移動し、壁３４を介してプレート構造３０及び３２が1つにシールされる。勿論、選択されたスペーサ壁３６若しくは全スペーサ壁３６を介して背面板構造３０に表面板構造３２をタッキングする場合に、この変形実施例が用いられてもよい。
【０１６８】
全体加熱間隙ジャンプは、選択されたスペーサ壁３６若しくは全スペーサ壁３６を介して背面板構造３０に表面板構造３２をタッキングした後に、背面板構造３０を表面板構造３２にシールするのに用いられ、場合によっては、タッキング構造３０／３２／３４／３６の全体的な加熱を局所的な加熱に置き換えることが利点となり得る。即ち、背面板構造３０と複合構造３２／３４／３６との間に間隙が存在するように、選択されたスペーサ壁３６若しくは全スペーサ壁３６を介して背面板構造３０に表面板構造３２をタッキングした後、エネルギーが外壁３４のシール材料に局所的に伝達されて、それにより壁シール材料が間隙を飛び越えて背面板構造３０が表面板構造３２に外壁３４を介して密封シールされる。背面板構造３０がタッキングされた構造３０／３２／３４／３６中で鉛直方向上部に位置している好適実施例では、壁シール材料は鉛直方向上向きに移動して背面板構造３０と接触する。
【０１６９】
選択されたスペーサ壁３６若しくは全スペーサ壁３６を介して表面板構造３２が背面板構造３０にタッキングされる際に間隙ジャンピングを生じさせるように外壁３４に伝達された局所的なエネルギーは、通常、レーザー若しくは集束ランプによって提供される光エネルギーである。本発明の重力式加熱作業が局所的なエネルギー伝達によって実行される場合と同様に、局所的なエネルギーは、該エネルギーを適切に集束させるエネルギー源から提供されるマイクロ波若しくは赤外線であってよい。フラットパネルディスプレイを密封シールするために局所的エネルギーを用いる上での詳述は、PCT特許公報第WO 98/26440号に示されており、上記の引用を以ってその全文を本明細書の一部となす。
【０１７０】
役割を逆にすること等を扱っている上述の変更実施例は、選択されたスペーサ壁３６若しくは全スペーサ壁３６を介して背面板構造３０を表面板構造３２にタッキングした後に、背面板構造３０を複合構造３２／３４／３６にシールするために外壁３４の局所的な加熱が用いられる状況で概ね適用される。例えば、外壁３４及びスペーサ壁３６が表面板構造３２ではなく、背面板構造３０に最初に結合されるようにプレート構造３０と３２との役割が逆にされる。同様にして、外壁３４がプレート構造３０及び３２の一方に最初に結合され、且つスペーサ壁３６がプレート構造３０及び３２の他方に最初に結合される。更に、シール制限構造６０及び６２の一方若しくは両方が背面板構造３０の上に設けられ、シール制限構造６４及び６６の一方若しくは両方が表面板構造３２の上に設けられる。
【０１７１】
内側スペーサシステム中のスペーサ壁３６は、概ね平坦な壁以外の形状を備えたスペーサに置き換えられてもよい。そのようなスペーサのための代替的な形状には、スペーサ壁の組合わせ及び柱部分が含まれる。プレート構造３０及び３２を垂直に見たときにスペーサ柱が、例えば、四角形若しくは円形の形状であってよい。複数の壁で形成されたスペーサが、プレート構造３０及び３２を垂直に見たときに、「T」型形状、「Ｌ」型形状、「Ｈ」型形状等のような形状であってよい。
【０１７２】
特定状況下では、本発明により製造されたフラットパネルディスプレイは、プレート構造３０と３２との間に一定間隔を保持し、且つ外部からの力、特に気圧によってディスプレイが損傷するのを防止するように内側スペーサシステムを有さなくてもよい。例えば、ディスプレイは側方領域が十分小さくて、内側スペーサシステムが不要であってよい。代替的に、若しくは付加的に、気圧及び同様の外部力に対して、プレート構造３０及び３２自体の耐性が十分強くなっていてもよい。内側スペーサシステムを備えていないフラットパネルCRTディスプレイの例は、米国特許第5,964,630号を参照されたい。
【０１７３】
スペーサシステムがプレート構造３０及び３２の間に存在するしないに関わらず、本発明の重力式加熱若しくは全体加熱間隙ジャンピング作業の前に、外壁３４と、プレート構造３０若しくは３２のいずれかとの間に、間隙を生じさせるようには用いられず、（タック構造が存在する場合には）タック構造によって間隙が設けられてよい。或いは、外壁３４に配置された別の機構によって間隙が設けられてもよい。例えば、重力式加熱若しくは全体加熱間隙ジャンピング作業の際に、構造３０及び３２を互いに関して概ね固定位置に保持し、且つ間隙を設けるために、位置合わせシステムを用いて構造３０及び３２がクランプされてもよい。1以上の外部スペーサで構成される外部スペーサシステムが、壁３４の外側の構造３０及び３２の間に配置されてもよい。タック構造同様に、外部スペーサシステムは、シールされたフラットパネルディスプレイ中に残されてもよいし、若しくはディスプレイから除去されてもよい。
【０１７４】
本発明は、ディスプレイ以外の密封シール式フラットパネルデバイスに用いられてよい。例には、（ａ）光電子増倍管に似た高真空室中のマイクロチャンネルプレート（ｂ）角度計、ジャイロスコープ、及び圧力センサー等のデバイスのための微視的機構パッケージ、及び（ｃ）生物医学的インプラントのパッケージが含まれる。そのようにして、付随の請求項の中で規定される本発明の本質的な精神及び範囲から外れることなしに、当業者によって種々の変形及び応用がなされてよい。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】 図１ａは、フラットパネルCRTディスプレイをシールするための従来のプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図１ｂ】 図１ｂは、フラットパネルCRTディスプレイをシールするための従来のプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図１ｃ】 図１ｃは、フラットパネルCRTディスプレイをシールするための従来のプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ａ】 図２ａは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｂ】 図２ｂは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｃ】 図２ｃは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｄ】 図２ｄは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｅ】 図２ｅは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｆ】 図２ｆは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｇ】 図２ｇは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｈ】 図２ｈは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図２ｉ】 図２ｉは、フラットパネルディスプレイをシールするための、本発明にしたがって重力を用いたプロセス中のステップを示す側部断面図である。
【図３】 図３は、図２ａの表面板構造の見取り図である。図２ａの断面は、図３の面２ａ−２ａに沿ってとられたものである。図３の見取り図は、図２ａの面３−３から見たものとして示されている。
【図４】 図４は、図２ｄの表面板構造、外壁、及びスペーサ壁の断面の見取り図である。図２ｄの断面は、図４の面２ｄ−２ｄに沿ってとられたものである。図４の断面は、図２ｄの面４−４に沿ってとられたものである。
【図５】 図５は、図２ｆにおいてスペーサ壁及びタッキング構造と接触する前の状態を示した背面板構造の見取り図である。
【図６】 図６は、図２ｄの表面板構造、外壁、及びスペーサ壁の変形実施例の側部断面図である。
【図７ａ】 図７ａは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図７ａ〜７eのプロセスは図２ａ〜図２ｅのステップより開始する。
【図７ｂ】 図７ｂは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図７ａ〜７eのプロセスは図２ａ〜図２ｅのステップより開始する。
【図７ｃ】 図７ｃは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図７ａ〜７eのプロセスは図２ａ〜図２ｅのステップより開始する。
【図７ｄ】 図７ｄは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図７ａ〜７eのプロセスは図２ａ〜図２ｅのステップより開始する。
【図８】 図８は、図７ａにおいてスペーサ壁及びタッキング構造と接触する前の状態を示した背面板構造の見取り図である。
【図９】 図９は、図７ｂの表面板構造、外壁、及びスペーサ壁の変形実施例の側部断面図である。
【図１０ａ】 図１０ａは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｂ】 図１０ｂは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｃ】 図１０ｃは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｄ】 図１０ｄは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｅ】 図１０ｅは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｆ】 図１０ｆは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｇ】 図１０ｇは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｈ】 図１０ｈは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１０ｉ】 図１０ｉは、本発明によりシール制限構造を用いてフラットパネルディスプレイをシールするための別のプロセスのステップを示した側部断面図である。
【図１１】 図１１は、図１０ａの表面板構造の見取り図である。図１０ａの断面は、図１１の面１０ａ−１０ａに沿ってとられたものである。図１１の見取り図は、図１０ａの面１１−１１から見たものとして示されている。
【図１２】 図１２は、図１０ｄの表面板構造、外壁、及びスペーサ壁の断面の見取り図である。図１０ｄの断面は、図１２の面１０ｄ−１０ｄに沿ってとられたものである。図１２の断面は、図１０ｄの面１２−１２に沿ってとられたものである。
【図１３ａ】 図１３ａは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法を用いてフラットパネルデバイスをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１３ａ〜１３ｃのプロセスは図２ａ〜図２ｆのステップより開始する。
【図１３ｂ】 図１３ｂは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法を用いてフラットパネルデバイスをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１３ａ〜１３ｃのプロセスは図２ａ〜図２ｆのステップより開始する。
【図１３ｃ】 図１３ｃは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法を用いてフラットパネルデバイスをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１３ａ〜１３ｃのプロセスは図２ａ〜図２ｆのステップより開始する。
【図１４ａ】 図１４ａは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法及びシール制限構造を用いてフラットパネルデバイスをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１４ａ〜１４ｃのプロセスは図２ａ〜図２e及び図７ａのステップより開始する。
【図１４ｂ】 図１４ｂは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法及びシール制限構造を用いてフラットパネルデバイスをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１４ａ〜１４ｃのプロセスは図２ａ〜図２e及び図７ａのステップより開始する。
【図１４ｃ】 図１４ｃは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法及びシール制限構造を用いてフラットパネルデバイスをシールするためのプロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１４ａ〜１４ｃのプロセスは図２ａ〜図２e及び図７ａのステップより開始する。
【図１５ａ】 図１５ａは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法及びシール制限構造を用いてフラットパネルデバイスをシールするための別プロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１５ａ〜１５ｃのプロセスは図１０ａ〜図１０ｆのステップより開始する。
【図１５ｂ】 図１５ｂは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法及びシール制限構造を用いてフラットパネルデバイスをシールするための別プロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１５ａ〜１５ｃのプロセスは図１０ａ〜図１０ｆのステップより開始する。
【図１５ｃ】 図１５ｃは、本発明により全体加熱間隙ジャンプ方法及びシール制限構造を用いてフラットパネルデバイスをシールするための別プロセスの部分的なステップを示した側部断面図である。図１５ａ〜１５ｃのプロセスは図１０ａ〜図１０ｆのステップより開始する。

Claims (25)

1. 第２のプレート構造上に指定の環状パターンで設けられたシーリング材料が第１のプレート構造と前記第２のプレート構造との間に位置するように、前記第１のプレート構造を前記第２のプレート構造の鉛直方向下側に位置合わせするステップと、
   前記シーリング材料が重力により概ね下側に移動し、前記第１のプレート構造に接触して、前記プレート構造を共にシーリングするように、前記シーリング材料を加熱するステップとを含み、
   前記加熱ステップの間、前記プレート構造が互いに概ね固定された位置関係に維持されることを特徴とする方法。
2. 前記位置合わせステップが、前記加熱ステップの際に、前記両プレート構造が概ね固定された状態で互いに鉛直方向に離間するように、前記両プレート構造を概ね固定された状態に互いに鉛直方向に離間するように配置するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記位置合わせステップが、前記加熱ステップの前に、前記第２のプレート構造及び前記シーリング材料が、概ね前記シーリング材料の全体において前記第１のプレート構造から鉛直方向に離間するように、前記両プレート構造間にスペーサ手段を配置するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 更に、前記位置合わせステップと前記加熱ステップとの間に、前記第１のプレート構造において横方向に離間した複数の位置に前記第１のプレート構造に前記シーリング材料を接着するステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記加熱ステップが、前記シーリング材料及び前記両プレート構造を全体的に加熱することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記第１のプレート構造が、
   （ａ）前記加熱ステップの際に前記シーリング材料に接触する、前記シーリング材料の接着を促進する表面エネルギーを備えた、シーリング領域と、
   （ｂ）前記シーリング領域に横方向に隣接し、前記シーリング材料の接着を妨げる表面エネルギーを備えた別の領域とを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記第２のプレート構造が、
   （ａ）前記シーリング材料に接触する、前記シーリング材料の接着を促進する表面エネルギーを備えた、シーリング領域と、
   （ｂ）前記シーリング領域に横方向に隣接し、前記シーリング材料の接着を妨げる表面エネルギーを備えた別の領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
8. 前記加熱ステップが終了すると、前記シーリング材料が一方の前記プレート構造から他方の前記プレート構造に連続して延在していることを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 外壁部分が、前記シーリング材料の第１の部分で覆われた第１の端部と、前記シーリング材料の第２部分で覆われた、前記第１の端部とは反対側の第２の端部とを有し、
   前記位置合わせステップの前に、前記シーリング材料の第２の部分により、前記第２の端部に沿って前記外壁部分が前記第２のプレート構造に接続されるように、前記外壁部分が前記第２のプレート構造上に設けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
10. 第２のプレート構造に概ね対向するように第１のプレート構造を位置合わせするステップであって、前記第２のプレート構造に指定のパターンで設けられたシーリング材料が、前記両プレート構造間に位置し、間隙により前記シーリング材料と前記第１のプレート構造とが少なくとも部分的に離間される、前記位置合わせステップと、
    前記シーリング材料と前記プレート構造とを全体的に加熱して、前記シーリング材料が前記間隙をブリッジして前記プレート構造を共にシールする加熱ステップとを含み、
    前記両プレート構造が、前記加熱ステップの間、互いに概ね固定された位置関係で維持されることを特徴とする方法。
11. 前記位置合わせステップが、前記第２のプレート構造の鉛直方向上側に前記第１のプレート構造を位置合わせするステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
12. 前記間隙が少なくとも２５μｍの平均高さを有することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
13. 前記加熱ステップが、前記シーリング材料及び前記両プレート構造を、前記プレート構造のあらゆる重要な部分に有意な損傷を与えることなく前記シーリング材料を前記間隙に沿って軟化する即ち溶解するのに十分なシーリング温度まで加熱するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
14. 前記位置合わせステップが、前記加熱ステップの間、前記両プレート構造が概ね固定された状態で互いに鉛直方向に離間するように、前記両プレート構造を概ね固定された状態に互いに鉛直方向に離間するように配置するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
15. 前記位置合わせステップが、前記加熱ステップの前に、前記第２のプレート構造及び前記シーリング材料が、概ね前記シーリング材料の全体において前記第１のプレート構造から鉛直方向に離間するように、前記両プレート構造間にスペーサ手段を配置するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
16. 更に、前記位置合わせステップと前記加熱ステップとの間に、前記第１のプレート構造において横方向に離間した複数の位置に前記第１のプレート構造に前記シーリング材料を接着するステップを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
17. 前記第１のプレート構造が、
    （ａ）前記加熱ステップの際に前記シーリング材料に接触する、前記シーリング材料の接着を促進する表面エネルギーを備えた、シーリング領域と、
    （ｂ）前記シーリング領域に横方向に隣接し、前記シーリング材料の接着を妨げる表面エネルギーを備えた別の領域とを有することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
18. 前記第２のプレート構造が、
    （ａ）前記シーリング材料に接触する、前記シーリング材料の接着を促進する表面エネルギーを備えた、シーリング領域と、
    （ｂ）前記シーリング領域に横方向に隣接し、前記シーリング材料の接着を妨げる表面エネルギーを備えた別の領域とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
19. 前記加熱ステップが終了すると、前記シーリング材料が一方の前記プレート構造から他方の前記プレート構造に連続して延在していることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
20. 外壁部分が、前記シーリング材料の第１の部分で覆われた第１の端部と、前記シーリング材料の第２部分で覆われた、前記第１の端部とは反対側の第２の端部とを有し、
    前記位置合わせステップの前に、前記シーリング材料の第２の部分により、前記第２の端部に沿って前記外壁部分が前記第２のプレート構造に接着されるように、前記外壁部分が前記第２のプレート構造上に設けられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
21. 前記加熱ステップの後に、前記シーリング材料が、概ね四角形に似た形状の鉛直方向断面形状を備えていることを特徴とする請求項１乃至２０の何れかに記載の方法。
22. 前記加熱ステップの後に、前記シーリング材料が、（ａ）前記第1プレート構造と接触する第1の側辺と、（ｂ）前記第1の側辺と概ね平行に延在し、前記第1の側辺よりも短い、前記第２のプレート構造と接触する第2の側辺とを有する鉛直方向断面形状を備えていることを特徴とする請求項１乃至２０の何れかに記載の方法。
23. 前記加熱ステップの前に、前記シーリング材料が、第1の側辺と、該第1の側辺と概ね平行に延在し、前記第1の側辺よりも短い、前記第２のプレート構造と接触する第2の側辺とを有する鉛直方向断面形状を備えていることを特徴とする請求項１０乃至２０の何れかに記載の方法。
24. 前記シーリング材料が概ね横方向の環状構造であることを特徴とする請求項１０乃至２０の何れかに記載の方法。
25. 前記両プレート構造が、フラットパネルディスプレイの構成部品であることを特徴とする請求項１乃至２４の何れかに記載の方法。

Images