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JP4941203B2 - Mounting structure, inspection method for mounting structure, and electro-optical device - Google Patents
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Mounting structure, inspection method for mounting structure, and electro-optical device Download PDF

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Description

本発明は、IC(Integrated Circuit:集積回路)等といった電子部品を基板上に実装してなる実装構造体及びその実装構造体の検査方法に関する。また、本発明は、その実装構造体を用いて構成される電気光学装置に関する。   The present invention relates to a mounting structure in which an electronic component such as an IC (Integrated Circuit) is mounted on a substrate, and a method for inspecting the mounting structure. The present invention also relates to an electro-optical device configured using the mounting structure.

IC等といった電子部品を基板上に実装する実装構造体においては、いわゆるCOG(Chip On Glass)方式やCOF(Chip On Film)方式等といった実装方式によって接合部材を用いて電子部品を基板上に実装している。電子部品を基板に実装する方法として、電子部品と基板とを接合部材であるACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜)を用いて接着する方法が知られている。この方法では、電子部品の入力用端子又は出力用端子となる突起状の端子(以下、バンプという)が、ACF内にランダムに配置された導電性粒子を介して、基板上に形成された基板側端子に導電接続される。   In a mounting structure that mounts electronic components such as ICs on a substrate, the electronic components are mounted on the substrate using a bonding member such as a so-called COG (Chip On Glass) method or COF (Chip On Film) method. is doing. As a method of mounting an electronic component on a substrate, a method of bonding the electronic component and the substrate using an ACF (Anisotropic Conductive Film) that is a bonding member is known. In this method, a protruding terminal (hereinafter referred to as a bump) serving as an input terminal or output terminal of an electronic component is formed on a substrate via conductive particles randomly arranged in the ACF. Conductive connection is made to the side terminal.

また、電子部品を基板に実装する他の方法として、電子部品と基板とをNCF(Non Conductive Film:非導電膜)を用いて接続する方法が知られている。この方法では、電子部品に弾性変形可能なバンプを設け、その電子部品を基板に適宜の押圧力の下に接着(以下、圧接ということがある)することによりそのバンプを変形させて基板側端子に接触させる。こうしてバンプと基板側端子とを直接的に接続している。   As another method for mounting an electronic component on a substrate, a method of connecting the electronic component and the substrate using an NCF (Non Conductive Film) is known. In this method, bumps that can be elastically deformed are provided on an electronic component, and the electronic component is bonded to the substrate under an appropriate pressing force (hereinafter also referred to as pressure contact), thereby deforming the bumps so that the substrate side terminal Contact. In this way, the bump and the substrate side terminal are directly connected.

電子部品と基板との実装が正常であるかどうかは、電子部品のバンプと基板側端子との接触状態に大きく影響される。このため、電子部品のバンプと基板側端子との実際の接触部分を人間が顕微鏡を用いて目視で確認することにより両者の接触状態を検査する場合がある。この場合、あらかじめ用意された判定基準を元に確認が行われる。しかしながら、人間の目視で確認する場合には、その作業者が熟練した技術を有することが必要である。特にACFを用いた接続方法では、基板側端子の領域内における導電性粒子の数、分布状態、潰れ形状等を判定基準に基づき判断するので、目視にて良否を正確に判断することは困難である。   Whether or not the mounting of the electronic component and the substrate is normal is greatly influenced by the contact state between the bump of the electronic component and the substrate-side terminal. For this reason, there is a case in which the contact state between the bumps of the electronic component and the board-side terminal is inspected by a human by visually confirming the contact portion using a microscope. In this case, confirmation is performed based on a judgment criterion prepared in advance. However, when confirming with human eyes, it is necessary for the operator to have skill. In particular, in the connection method using ACF, the number of conductive particles in the region of the substrate-side terminal, the distribution state, the collapsed shape, and the like are determined based on the determination criteria. is there.

そこで、従来、高度な機能を有するカメラ等を備えた実装構造体の検査装置が知られている(例えば、特許文献1〜5参照)。これらの特許文献1〜5に開示された検査装置は、カメラ、微分干渉顕微鏡及びそれらを制御するコンピュータ等を有し、それらを用いて電子部品の実装状態を判定している。   Therefore, conventionally, a mounting structure inspection apparatus including a camera or the like having an advanced function is known (see, for example, Patent Documents 1 to 5). The inspection apparatuses disclosed in these Patent Documents 1 to 5 include a camera, a differential interference microscope, a computer that controls them, and the like, and use them to determine the mounting state of the electronic component.

特開2003−269934号公報(第6〜7頁、図4)JP 2003-269934 A (pages 6-7, FIG. 4) 特開2007−53207号公報(第5〜6頁、図1)JP 2007-53207 A (pages 5-6, FIG. 1) 特開2005−227217号公報(第5頁、図2)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-227217 (5th page, FIG. 2) 特開2006−186179号公報(第6頁、図1)JP 2006-186179 A (6th page, FIG. 1) 特開2006−266804号公報(第5〜6頁、図1)Japanese Patent Laying-Open No. 2006-266804 (pages 5-6, FIG. 1)

しかしながら、特許文献1〜5に開示された検査装置はカメラ等の構成要素が非常に高価であり、その検査装置を用いて実装状態の検査を行うことにすれば、検査のためのコストが増加する。そして、その検査装置を用いた検査工程を実装構造体の製造工程に組み入れれば、実装構造体の製造工程全体のコストが増加するという問題がある。   However, the inspection apparatuses disclosed in Patent Documents 1 to 5 have very expensive components such as a camera, and if the inspection of the mounting state is performed using the inspection apparatus, the cost for the inspection increases. To do. If the inspection process using the inspection apparatus is incorporated in the manufacturing process of the mounting structure, there is a problem that the cost of the entire manufacturing process of the mounting structure increases.

ところで、上記の弾性変形可能なバンプを備えた電子部品をNCFを用いて基板上に実装する方法においては、その実装状態の良否判定を、電子部品を実装した状態における当該電子部品のバンプの変形量に基づいて判定することが可能である。例えば、電子部品のバンプが所定の変形量だけ弾性変形していれば、当該バンプと基板側端子との接触面積が十分に確保されていることになり、その接触状態が適正であると判定することができる。ACFを用いた接着方法によって作製された実装構造体を検査する際にはカメラが必要であったが、バンプの変形量に基づいた本判定方法によれば、カメラ等といった高価な装置を用いなくても人間の目視によって接触状態を確認することができる。しかしながら、この場合においても、作業者の熟練度に依存しないための簡単且つ明確な判定基準が必要である。   By the way, in the method of mounting the electronic component provided with the elastically deformable bump on the substrate using the NCF, whether the mounting state is good or bad is determined by the deformation of the bump of the electronic component in the state where the electronic component is mounted. It is possible to determine based on the quantity. For example, if the bump of the electronic component is elastically deformed by a predetermined deformation amount, the contact area between the bump and the board side terminal is sufficiently secured, and it is determined that the contact state is appropriate. be able to. A camera is required when inspecting a mounting structure manufactured by an adhesion method using ACF, but according to this determination method based on the deformation amount of bumps, an expensive apparatus such as a camera is not used. However, the contact state can be confirmed by human eyes. However, even in this case, a simple and clear determination criterion is necessary so as not to depend on the skill level of the operator.

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、電子部品の端子を弾性変形させて当該電子部品を基板に実装する構成において、電子部品の端子と基板の端子との接触状態を目視にて容易に確認できる実装構造体、その実装構造体の検査方法及びその実装構造体を備えた電気光学装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in a configuration in which the terminal of the electronic component is elastically deformed and the electronic component is mounted on the substrate, the contact between the terminal of the electronic component and the terminal of the substrate It is an object of the present invention to provide a mounting structure whose state can be easily confirmed visually, an inspection method for the mounting structure, and an electro-optical device including the mounting structure.

本発明に係る実装構造体は、透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品とを有する実装構造体であって、前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と、弾性を有する少なくとも一組の第1突部及び第2突部とを有し、前記第1突部及び第2突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して弾性変形された接触面を形成し、前記第1突部の接触面は縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とし、前記第2突部の接触面は前記第1突部に対応する縦方向及び横方向の幅を有すると共に、前記第1突部の接触面の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする、又は縦方向と横方向の幅を同じ長さとし、前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面は、前記透光性基板を通して観察でき、前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面との形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができることを特徴とする。
A mounting structure according to the present invention is a mounting structure having a light-transmitting substrate and an electronic component mounted on a mounting surface of the light-transmitting substrate via a bonding member, the light-transmitting substrate. A plurality of board-side terminals are provided on a surface on which the electronic component is mounted, and the electronic component includes a plurality of protruding terminals including an elastic protrusion on the surface on which the light-transmitting substrate is mounted. , Having at least one pair of first and second protrusions having elasticity, and each of the first and second protrusions comes into contact with the mounting surface of the translucent substrate and elastically deforms. The contact surface of the first protrusion has a long side in either the vertical direction or the horizontal direction, and the contact surface of the second protrusion corresponds to the vertical protrusion corresponding to the first protrusion. It has a width in the direction and the horizontal direction, and is different from the width in the vertical direction or the horizontal direction, which is the long side of the contact surface of the first protrusion. The direction or lateral width and long sides, or longitudinal and transverse width as long Satoshi the contact surface of the contact surface and the second projection of the first projection, through the transparent substrate Based on the difference in shape between the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion, the contact state between the plurality of protrusion-shaped terminals and the substrate-side terminal that individually contacts them can be observed. It can be inspected .

上記の実装構造体を構成する電子部品は、樹脂によって形成した核(コア)となる突起体の表面に導電膜を形成してなるバンプ、いわゆる樹脂コアバンプを有する電子部品である。本発明の電子部品において、突起状端子の構成要素である突起体は、1つの突起状端子に対応した個々に分離された島状に形成される場合もあれば、複数の突起状端子間で繋がった一体形状に形成される場合もある。複数の突起状端子間で繋がった形状に形成される場合も、その突起体の一部分に導電膜が島状に形成されて1つの突起状端子を構成することになる。   The electronic component constituting the mounting structure is an electronic component having a so-called resin core bump, a bump formed by forming a conductive film on the surface of a protrusion that is a core formed of resin. In the electronic component of the present invention, the protrusion that is a constituent element of the protruding terminal may be formed in an individual island shape corresponding to one protruding terminal, or between the plurality of protruding terminals. In some cases, it is formed into a connected integral shape. Even when formed in a shape connected between a plurality of protruding terminals, a conductive film is formed in an island shape in a part of the protruding body to constitute one protruding terminal.

この電子部品では、弾性を有する突起体上に設けられた導電膜が、例えば電子部品内部に導電接続された電極まで延びて導電接続されることにより、導電膜が電子部品内部の電子素子等に導電接続される。すなわち、電子部品の内部と当該電子部品が実装される透光性基板の基板側端子とが、突起状端子の導電膜を介して導電接続される。   In this electronic component, the conductive film provided on the elastic protrusion is extended and connected to, for example, an electrode conductively connected to the inside of the electronic component, so that the conductive film is connected to an electronic element or the like inside the electronic component. Conductive connection. That is, the inside of the electronic component and the substrate-side terminal of the translucent substrate on which the electronic component is mounted are conductively connected through the conductive film of the protruding terminal.

電子部品は、導電膜と基板側端子とが直接的に接触した状態で接合部材を用いて透光性基板上に実装される。上記構成の電子部品を用いた実装構造体では、導電粒子を用いないで導電膜と基板側端子とを導電接続できるので、互いに隣接する導電膜の間、又は互いに隣接する基板側端子の間に導電粒子が介在するということがなく、よって、それらの端子間にて短絡が生じてしまうことがなくなる。また、電子部品を基板に実装した後に、使用環境によって導電接続部が離れてしまった場合でも、それに応じて突起体が弾性変形するため、その復元力により突起体上の導電膜と基板側端子との接触が維持されて接触不良が生じることがなくなる。   An electronic component is mounted on a translucent board | substrate using a joining member in the state which the electrically conductive film and the board | substrate side terminal contacted directly. In the mounting structure using the electronic component having the above configuration, since the conductive film and the substrate-side terminal can be conductively connected without using conductive particles, the conductive film and the substrate-side terminal are adjacent to each other or between the adjacent substrate-side terminals. There is no intervening conductive particles, and therefore no short circuit occurs between these terminals. In addition, even if the conductive connection part is separated due to the usage environment after mounting the electronic component on the board, the protrusion is elastically deformed accordingly, so that the restoring force causes the conductive film on the protrusion and the board-side terminal. Contact failure is not caused and contact failure does not occur.

上記構成の電子部品を透光性基板の実装面に実装した実装構造体では、第1突部の接触面は縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とし、第2突部の接触面は第1突部の接触面の長辺とは異なる方向の幅を長辺とするか、又は縦方向と横方向の幅を同じ長さとしている。本発明の実装構造体における接触面の具体的な態様は以下の(1)〜(4)の通りである。(1)第1突部の接触面は縦方向の幅が長辺であり、第2突部の接触面は横方向の幅が長辺である。(2)第1突部の接触面は横方向の幅が長辺であり、第2突部の接触面は縦方向の幅が長辺である。(3)第1突部の接触面は縦方向の幅が長辺であり、第2突部の接触面は縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さである。(4)第1突部の接触面は横方向の幅が長辺であり、第2突部の接触面は縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さである。   In the mounting structure in which the electronic component having the above configuration is mounted on the mounting surface of the translucent substrate, the contact surface of the first protrusion has a long side in either the vertical direction or the horizontal direction, and the contact of the second protrusion The surface has a long side having a width in a direction different from the long side of the contact surface of the first protrusion, or has the same length in the vertical and horizontal directions. Specific embodiments of the contact surface in the mounting structure of the present invention are as follows (1) to (4). (1) The contact surface of the first protrusion has a long side in the vertical direction, and the contact surface of the second protrusion has a long side in the horizontal direction. (2) The contact surface of the first protrusion has a long side in the horizontal direction, and the contact surface of the second protrusion has a long side in the vertical direction. (3) The contact surface of the first protrusion has a long side in the vertical direction, and the contact surface of the second protrusion has the same length in the vertical direction and in the horizontal direction. (4) The contact surface of the first protrusion has a long side in the horizontal direction, and the contact surface of the second protrusion has the same length in the vertical direction and in the horizontal direction.

なお、上記構成の接触面の形状は、例えば正方形状、長方形状、一対の湾曲した辺を有する形状(いわゆる樽形状)、円形状、又は楕円形状等が考えられる。また、接触面の幅とは、接触面の所定方向に沿った部分のことである。例えば、接触面が正方形状又は長方形状であれば、縦方向及び横方向の辺が接触面の幅である。接触面が樽形状であれば、湾曲した辺が延びる方向に沿った部分及び当該湾曲した辺が延びる方向に直角方向の部分が接触面の幅である。接触面が円形状又は楕円形状であれば、縦方向及び横方向の径の部分が接触面の幅である。   In addition, as the shape of the contact surface having the above configuration, for example, a square shape, a rectangular shape, a shape having a pair of curved sides (so-called barrel shape), a circular shape, an elliptical shape, or the like can be considered. The width of the contact surface is a portion along the predetermined direction of the contact surface. For example, if the contact surface is square or rectangular, the sides in the vertical and horizontal directions are the width of the contact surface. If the contact surface is barrel-shaped, the width of the contact surface is a portion along the direction in which the curved side extends and a portion perpendicular to the direction in which the curved side extends. If the contact surface is circular or elliptical, the vertical and horizontal diameter portions are the width of the contact surface.

本発明に係る実装構造体によれば、電子部品のうちの透光性基板へ実装される面上に第1突部と第2突部を設けたので、それらの突部を用いて、複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができる。第1突部と第2突部は、それぞれ透光性基板と接触して接触面を形成する。その接触面は、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板を通して観察することができる。このとき観察した接触面が上記接触面の具体的態様の(1)〜(4)に示す関係であれば、突起状端子と基板側端子との接触状態は適正である。このように透光性基板を通して接触面を観察することにより、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては電子部品を実装する工程全体のコストを低く抑えることができる。   According to the mounting structure according to the present invention, the first protrusion and the second protrusion are provided on the surface of the electronic component to be mounted on the light-transmitting substrate. It is possible to inspect the contact state between the protruding terminals and the board-side terminals that individually contact them. The first protrusion and the second protrusion are in contact with the translucent substrate to form a contact surface. The contact surface can be observed through the translucent substrate from the opposite side of the translucent substrate where the electronic component is mounted. If the contact surface observed at this time is the relationship shown in (1) to (4) of the specific modes of the contact surface, the contact state between the protruding terminal and the substrate-side terminal is appropriate. By observing the contact surface through the light-transmitting substrate in this way, it is possible to easily and clearly determine whether or not the contact state between the protruding terminal and the substrate-side terminal is good by human eyes. As a result, the cost required for the inspection can be remarkably reduced as compared with the case where the inspection is performed using an inspection apparatus equipped with an advanced camera or the like, and as a result, the cost of the entire process for mounting the electronic components can be kept low.

また、本発明に係る実装構造体において、第1突部及び第2突部は、弾性を有する突起体と、該突起体上に設けられた島状の金属膜とを有し、前記接触面は、前記第1突部の金属膜又は前記第2突部の金属膜が前記透光性基板に接触することによりそれらの金属膜の表面に形成される。本発明の実装構造体を構成する電子部品において、第1突部及び第2突部は、それぞれが透光性基板の実装面に接触して弾性変形することにより接触面を形成している。第1突部及び第2突部は、電子部品の実装時の圧力の変化によって弾性変形の量が異なり、その変形量の違いによって接触面の接触長さが変化する。そして、前記第1突部の金属膜と前記第2突部の金属膜とは、前記接触面の接触長さが変化する方向(例えば縦方向)に対して直角方向(例えば横方向)の幅が互いに異なっていることが望ましい。第1突部及び第2突部の突起体上に金属膜を設ければそれらの金属膜において光が反射できる。その結果、各突部の接触面を、例えば顕微鏡を用いて人間の目視で観察する際に接触面が光沢面となって見えるので、金属膜が無い場合に比べて接触面を明確に観察することができる。   Further, in the mounting structure according to the present invention, the first protrusion and the second protrusion include an elastic protrusion and an island-shaped metal film provided on the protrusion, and the contact surface The metal film of the first protrusion or the metal film of the second protrusion is formed on the surface of the metal film by contacting the light-transmitting substrate. In the electronic component constituting the mounting structure of the present invention, the first protrusion and the second protrusion each contact the mounting surface of the translucent substrate and elastically deform to form a contact surface. The amount of elastic deformation differs between the first protrusion and the second protrusion due to a change in pressure during mounting of the electronic component, and the contact length of the contact surface changes depending on the difference in the amount of deformation. The metal film of the first protrusion and the metal film of the second protrusion have a width in a direction perpendicular to the direction in which the contact length of the contact surface changes (for example, the vertical direction). Are preferably different from each other. If a metal film is provided on the protrusions of the first protrusion and the second protrusion, light can be reflected from these metal films. As a result, when the contact surface of each protrusion is visually observed with a human eye using, for example, a microscope, the contact surface appears to be a glossy surface, so the contact surface is clearly observed as compared with the case where there is no metal film. be able to.

また、本発明態様において、第1突部及び第2突部を構成する突起体は、突起状端子を構成する突起体と同じ形状、同じ大きさ、及び同じ材質とすることができる。そして、突起体上に形成される金属膜は、突起状端子の突起体上に設けられる導電膜と同様に島状に形成される。ただし、第1突部の金属膜又は第2突部の金属膜うちの少なくとも一方は、接触面の長さが変化する方向に対して直角方向の幅が、突起状端子の導電膜と異なっている。すなわち、第1突部及び第2突部は、それらの幅を除いて実質的に突起状端子と同じ構成とすることができる。こうすれば、実際の導電接続部分である突起状端子の導電膜と相手側、すなわち透光性基板との接触状態と略同じ状態で検査を行うことができる。なお、各突部の突起体は、突起状端子の突起体とは別体に形成することもできるし、半導体端子の突起体と一体にその一部分として形成することもできる。   In the aspect of the present invention, the protrusions constituting the first protrusion and the second protrusion can have the same shape, the same size, and the same material as the protrusions forming the protrusion-like terminal. Then, the metal film formed on the protrusion is formed in an island shape like the conductive film provided on the protrusion of the protrusion terminal. However, at least one of the metal film of the first protrusion or the metal film of the second protrusion has a width in a direction perpendicular to the direction in which the length of the contact surface changes, unlike the conductive film of the protruding terminal. Yes. That is, the first protrusion and the second protrusion can have substantially the same configuration as the protruding terminals except for their widths. By doing so, the inspection can be performed in substantially the same state as the contact state between the conductive film of the protruding terminal, which is an actual conductive connection portion, and the counterpart, that is, the translucent substrate. Note that the protrusions of the protrusions can be formed separately from the protrusions of the protruding terminals, or can be formed as a part of the protrusions of the semiconductor terminals.

次に、本発明に係る実装構造体において、前記第1突部及び第2突部のうち少なくとも一方は端子を構成することが望ましい。本発明態様において、第1突部及び第2突部のうちの少なくとも一方の金属膜は、突起状端子の導電膜と同じ材料を用いて形成され、さらに電子部品内部に導電接続された電極を介して電子部品の内部の電子素子等に導電接続させることができる。こうすれば、第1突部及び第2突部のうちの少なくとも一方は電気的な端子としての機能を有することができる。すなわち、第1突部及び第2突部を突起状端子として電子部品の駆動に用いることができる。なお、第1突部及び第2突部の金属膜は、電子部品内部の素子等に導電接続されていない状態、すなわち金属膜が電気的に独立した状態に形成することができる。この構成の第1突部及び第2突部は、専ら突起状端子と相手側との接触状態の検査のために用いられる。   Next, in the mounting structure according to the present invention, it is desirable that at least one of the first protrusion and the second protrusion constitute a terminal. In the aspect of the present invention, at least one metal film of the first protrusion and the second protrusion is formed using the same material as the conductive film of the protruding terminal, and further includes an electrode that is conductively connected inside the electronic component. Thus, it can be conductively connected to an electronic element or the like inside the electronic component. If it carries out like this, at least one of a 1st protrusion and a 2nd protrusion can have a function as an electrical terminal. That is, the first protrusion and the second protrusion can be used as a protruding terminal for driving an electronic component. The metal film of the first protrusion and the second protrusion can be formed in a state where the metal film is not conductively connected to an element or the like inside the electronic component, that is, the metal film is electrically independent. The first protrusion and the second protrusion of this configuration are exclusively used for inspecting the contact state between the protruding terminal and the counterpart.

次に、第1突部及び第2突部の少なくとも一方を端子とした本発明に係る実装構造体において、端子として形成された前記第1突部と前記第2突部の少なくとも一方は、透光性材料で形成された基板側端子に接続されることが望ましい。本発明態様では、透光性基板の基板側端子を透光性部材を用いて形成している。そして、第1突部及び第2突部のうちの少なくとも一方はその透光性部材からなる基板側端子に接触して接触面を形成する。このように、透光性部材を用いて形成された基板側端子に各突部を接触させるようにすれば、各突部を透光性基板の他の部分に接触させる場合に比べて、実際の導電接続部分である突起状端子と基板側端子との接触状態により近い状態で検査を行うことができる。基板側端子を構成する透光性部材は、例えば導電性の材料であるITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)やIZO(Indium Zinc Oxide:インジウム亜鉛酸化物)を用いて形成することができる。   Next, in the mounting structure according to the present invention in which at least one of the first protrusion and the second protrusion is a terminal, at least one of the first protrusion and the second protrusion formed as a terminal is transparent. It is desirable to be connected to a substrate-side terminal formed of a light material. In the aspect of the present invention, the substrate-side terminal of the translucent substrate is formed using a translucent member. And at least one of the 1st protrusion and the 2nd protrusion contacts the board | substrate side terminal which consists of the translucent member, and forms a contact surface. In this way, if each protrusion is brought into contact with the board-side terminal formed using the translucent member, it is actually compared to the case where each protrusion is brought into contact with the other part of the translucent substrate. Inspection can be performed in a state closer to the contact state between the protruding terminal, which is the conductive connection portion, and the substrate-side terminal. The translucent member constituting the substrate side terminal can be formed using, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) which is a conductive material. .

なお、第1突部及び第2突部に接触する透光性部材は、その形状が基板側端子と同じであっても、機能的には端子(すなわち、電気的な接続の用を成す部材)ではなく、いわゆるダミー端子として設けることもできる。この場合の透光性部材は、例えば非導電性の材料であるSiOやSiN等を用いて形成することができる。この場合、透光性部材は、基板側端子と同じ形状であって専ら導電膜と基板側端子との接触状態の検査のために用いられる。 The translucent member that contacts the first and second protrusions is functionally a terminal (that is, a member that is used for electrical connection) even if the shape thereof is the same as that of the board-side terminal. ), It can also be provided as a so-called dummy terminal. In this case, the translucent member can be formed using, for example, SiO 2 or SiN which is a non-conductive material. In this case, the translucent member has the same shape as the substrate-side terminal and is exclusively used for inspecting the contact state between the conductive film and the substrate-side terminal.

本発明態様によれば、第1突部及び第2突部のうちの少なくとも一方は、透光性部材に接触して接触面を形成する。その接触面は、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板及び透光性部材を通して観察することができる。従って、第1突部の接触面と第2突部の接触面との相対的な形状の違いを基に、導電膜と基板側端子との接触状態を検査することにより、導電膜と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。   According to the aspect of the present invention, at least one of the first protrusion and the second protrusion is in contact with the translucent member to form a contact surface. The contact surface can be observed through the translucent substrate and the translucent member from the opposite side of the translucent substrate on which the electronic component is mounted. Therefore, by inspecting the contact state between the conductive film and the substrate-side terminal based on the relative shape difference between the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion, the conductive film and the substrate side Whether the contact state with the terminal is good or bad can be easily and clearly determined by human eyes.

次に、本発明に係る実装構造体において、複数の前記突起状端子は透光性基板へ実装される面である前記能動面の1つの辺に沿って1列に並べて配置され、前記第1突部と前記第2突部とは、複数の前記突起状端子が形成する列内に互いに隣接して設けられていることが望ましい。本発明態様の電子部品は、能動面の端辺に沿って1列の端子列を設けた構成である。この構成の電子部品においては、互いに対向する2つの辺のそれぞれに1列の端子列を設けることができる。こうすれば、一方の端子列を電子部品の入力用端子とし、他方の端子列を電子部品の出力用端子とすることができる。   Next, in the mounting structure according to the present invention, the plurality of protruding terminals are arranged in a line along one side of the active surface which is a surface mounted on the light-transmitting substrate, and the first It is desirable that the protrusion and the second protrusion are provided adjacent to each other in a row formed by the plurality of protruding terminals. The electronic component according to the aspect of the present invention has a configuration in which one terminal row is provided along the edge of the active surface. In the electronic component having this configuration, one terminal row can be provided on each of two sides facing each other. If it carries out like this, one terminal row | line | column can be used as the input terminal of an electronic component, and the other terminal row | line | column can be used as the output terminal of an electronic component.

本発明態様においては、互いに幅が異なる第1突部と第2突部とが互いに隣接して配置されている。こうすれば、例えば、第1突部と第2突部を顕微鏡で観察したときに、顕微鏡の1つの視野内に収まる領域内にそれらの検査用突部を収めることができるので、第1突部と第2突部との相対的な関係を1つの同じ視野内で観察することができる。また、第1突部と第2突部とを複数の突起状端子が形成する列内に互いに隣接させて設けることにより、その列内に設けられた複数の突起状端子に関して、導電膜と基板側端子との接触状態について間接的に検査することができる。   In the aspect of the present invention, the first protrusion and the second protrusion having different widths are arranged adjacent to each other. In this way, for example, when the first protrusion and the second protrusion are observed with a microscope, the inspection protrusions can be accommodated in a region that fits in one field of view of the microscope. The relative relationship between the portion and the second protrusion can be observed within one and the same field of view. Further, by providing the first protrusion and the second protrusion adjacent to each other in the row formed by the plurality of protruding terminals, the conductive film and the substrate with respect to the plurality of protruding terminals provided in the row. The contact state with the side terminal can be inspected indirectly.

次に、本発明に係る電子部品において、複数の前記突起状端子は前記能動面の1つの辺に沿って互いに平行な複数列に並べて配置され、第1突部は複数の前記突起状端子が形成する1つの列に配置され、第2突部は複数の前記突起状端子が形成する他の列に配置され、前記第1突部と前記第2突部とは互いに隣接して配置されていることが望ましい。   Next, in the electronic component according to the present invention, the plurality of protruding terminals are arranged in parallel to each other along one side of the active surface, and the first protrusion includes the plurality of protruding terminals. Arranged in one row to be formed, the second protrusion is arranged in another row formed by the plurality of protruding terminals, and the first protrusion and the second protrusion are arranged adjacent to each other. It is desirable that

本発明態様の電子部品は、能動面の1つの端辺に沿って複数の端子列を設けた構成である。この構成の電子部品において、互いに対向する2つの辺のそれぞれに複数の端子列を設けることができる。こうすれば、一方の辺に沿った端子列を電子部品の入力用端子とし、他方の辺に沿った端子列を電子部品の出力用端子とすることができる。また、能動面の1つの辺に沿って複数の端子列を設ければ、能動面の1つの辺に沿って1列の端子列を設ける場合に比べて、能動面の面積を変えることなく(すなわち、電子部品を大きくすることなく)、突起状端子の数を増やすことができる。突起状端子の数が増えることにより、電子部品を実装する相手側の端子の数も増やすことができる。その結果、複数の相手側の端子から延びる配線の数を増やすことができる。これにより、例えば、電子部品を液晶表示装置等の駆動用ICとして用いる場合に、その液晶表示装置等の表示の高精細化に寄与できる。なお、配線数が増えた場合にはそれらの配線同士の間の距離(いわゆる配線ピッチ)が狭くなる。   The electronic component according to the aspect of the present invention has a configuration in which a plurality of terminal rows are provided along one end side of the active surface. In the electronic component having this configuration, a plurality of terminal rows can be provided on each of two opposite sides. In this way, the terminal row along one side can be used as an input terminal for the electronic component, and the terminal row along the other side can be used as an output terminal for the electronic component. Further, if a plurality of terminal rows are provided along one side of the active surface, the area of the active surface is not changed as compared with a case where one row of terminal rows is provided along one side of the active surface ( That is, the number of protruding terminals can be increased without increasing the size of the electronic component. By increasing the number of protruding terminals, it is possible to increase the number of counterpart terminals on which electronic components are mounted. As a result, the number of wires extending from a plurality of counterpart terminals can be increased. Thereby, for example, when an electronic component is used as a driving IC for a liquid crystal display device or the like, it can contribute to high definition of the display of the liquid crystal display device or the like. In addition, when the number of wirings increases, the distance (so-called wiring pitch) between those wirings becomes narrow.

また、本発明態様においては、互いに幅が異なる第1突部と第2突部とが互いに隣接して配置されている。こうすれば、例えば、検査の際に顕微鏡で観察したときに顕微鏡の1つの視野内に収まる領域内に互いに幅が異なる第1突部と第2突部を収めることができるので、第1突部と第2突部との相対的な関係を1つの同じ視野内で観察することができる。また、第1突部を複数の突起状端子が形成する1つの列に設け、第2突部を他の列に設けている。これにより、それらの複数の列内に設けられた複数の突起状端子に関して、導電膜と基板側端子との接触状態について間接的に検査することができる。また、1つの端子列と他の端子列との間隔は、一般に、1つの端子列内の端子間距離よりも広いので、第1突部と第2突部とが同じ列内で隣接する場合に比べて、隣接する検査用突部同士の間隔を広くすることができる。そのため、検査用突部を目視にて観察する際にそれらの相対的な関係が見易くなる。   In the aspect of the present invention, the first protrusion and the second protrusion having different widths are arranged adjacent to each other. In this way, for example, the first protrusion and the second protrusion having different widths can be accommodated in a region that fits within one field of view of the microscope when observed with a microscope during inspection. The relative relationship between the portion and the second protrusion can be observed within one and the same field of view. Further, the first protrusion is provided in one row formed by the plurality of protruding terminals, and the second protrusion is provided in the other row. Thereby, it can test | inspect indirectly about the contact state of a electrically conductive film and a board | substrate side terminal regarding the some protruding terminal provided in those several rows | lines. In addition, since the distance between one terminal row and the other terminal row is generally wider than the distance between the terminals in one terminal row, the first protrusion and the second protrusion are adjacent in the same row. As compared with the above, it is possible to widen the interval between adjacent inspection projections. Therefore, it becomes easy to see the relative relationship when visually inspecting the inspection projection.

次に、本発明に係る実装構造体において、電子部品の能動面は長方形状であり、前記第1突部と前記第2突部は、前記能動面の少なくとも2つの隅部の近傍に互いに隣接して設けられることが望ましい。こうすれば、能動面上の複数箇所に第1突部と第2突部を含む一組の突起を設けることができるので、それら複数箇所において第1突部の接触面と第2突部の接触面を観察することができる。それ故、能動面の1箇所に第1突部と第2突部を設ける場合に比べて検査の精度が向上する。また、第1突部と第2突部を含む一組の検査用突部を能動面の少なくとも2つの隅部近傍に設けた。こうすれば、能動面上の互いに離れた位置のそれぞれにある一組の突部において接触面を観察できるので、それらの間に設けられた複数の突起状端子の変形状態について間接的に検査することができる。   Next, in the mounting structure according to the present invention, the active surface of the electronic component is rectangular, and the first protrusion and the second protrusion are adjacent to each other in the vicinity of at least two corners of the active surface. It is desirable to be provided. If it carries out like this, since one set of protrusions including the 1st protrusion and the 2nd protrusion can be provided in a plurality of places on an active surface, the contact surface of the 1st protrusion and the 2nd protrusion in those multiple places The contact surface can be observed. Therefore, the accuracy of the inspection is improved as compared with the case where the first protrusion and the second protrusion are provided at one place on the active surface. Further, a pair of inspection protrusions including the first protrusion and the second protrusion is provided in the vicinity of at least two corners of the active surface. In this way, the contact surface can be observed at a pair of protrusions located at positions apart from each other on the active surface, so the deformation state of the plurality of protruding terminals provided between them is indirectly inspected. be able to.

次に、本発明に係る実装構造体において、前記接触面の前記接触長さが変化する方向(例えば縦方向)に沿った前記突起体の断面は、該突起体が弾性変形していない状態で、前記電子部品の能動面側の部分である底部から前記透光性基板側の部分である頂部にかけて幅が徐々に狭くなる形状とすることができる。これにより、第1突部及び第2突部が平面的に押された際にそれらの突部の表面に形成される接触面の接触長さを押圧力の強弱に対応して変化させるという状態を実現できる。このような断面形状としては、例えば、底部から頂部にかけて曲線を有する半円形状、半楕円形状、半長円形状、又は直線的な傾斜を有する多角形状が考えられる。断面形状がこれらのいずれかの形状に形成された突起体を有する第1突部及び第2突部は、その接触面の形状が平面視で正方形状又は長方形状(以下、矩形状ということがある)になる。ここでいう接触面の正方形状又は長方形状とは、正方形状又は長方形状に近い形状を含むものである。例えば、正方形状又は長方形状の角部が丸みを帯びていたり、正方形状又は長方形状の縁辺の一部が欠けていたり、縁辺がわずかに曲がっている場合も含むものである。   Next, in the mounting structure according to the present invention, the cross section of the protrusion along the direction (for example, the vertical direction) in which the contact length of the contact surface changes is in a state where the protrusion is not elastically deformed. The electronic component can have a shape in which the width gradually decreases from the bottom portion which is the active surface side portion to the top portion which is the translucent substrate side portion. Thereby, when the 1st protrusion and the 2nd protrusion are pushed planarly, the state of changing the contact length of the contact surface formed in the surface of those protrusions corresponding to the strength of pressing force Can be realized. As such a cross-sectional shape, for example, a semicircular shape having a curve from the bottom to the top, a semi-elliptical shape, a semi-elliptical shape, or a polygonal shape having a linear inclination can be considered. As for the 1st protrusion and the 2nd protrusion which have the projection body in which the cross-sectional shape was formed in either of these shapes, the shape of the contact surface is a square shape or a rectangular shape (hereinafter referred to as a rectangular shape) in plan view. Is). The square shape or the rectangular shape of the contact surface here includes a shape close to a square shape or a rectangular shape. For example, a case where a square or rectangular corner is rounded, a part of a square or rectangular edge is missing, or the edge is slightly bent is included.

次に、本発明に係る実装構造体の検査方法は、透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品とを有する実装構造体の検査方法であって、前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と弾性を有する少なくとも一組の第1突部及び第2突部とを有し、前記第1突部及び前記第2突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して接触面を形成し、該接触面は、前記電子部品の実装時の圧力の変化によって接触長さが変化し、前記第1突部と前記第2突部とは、前記接触長さが変化する方向に対して直角方向の幅が互いに異なっており、前記透光性基板を通して前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面を観察して、前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面との形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することを特徴とする。

Next, a mounting structure inspection method according to the present invention includes a translucent substrate and an electronic component mounted on the mounting surface of the translucent substrate via a bonding member. A plurality of board-side terminals are provided on a surface of the translucent substrate on which the electronic component is mounted, and the electronic component has an elastic protrusion on the surface on which the translucent substrate is mounted. A plurality of projecting terminals including a body and at least one pair of first and second protrusions having elasticity, each of the first and second protrusions being the translucent substrate A contact surface is formed in contact with the mounting surface, the contact surface changes in contact length due to a change in pressure during mounting of the electronic component, the first protrusion and the second protrusion, are different width perpendicular to each other with respect to the direction in which the contact length is changed, the first through the transmissive substrate By observing the contact surface of the second projection and the contact surface parts, based on the difference in shape of the contact surface of the contact surface and the second projection of the first projection, wherein the plurality of projecting terminal And inspecting the contact state with the board-side terminals that individually contact them.

本発明に係る実装構造体の検査方法によれば、電子部品のうちの透光性基板へ実装される側の面上に第1突部と第2突部を設けたので、それらの突部を用いて、複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができる。第1突部及び第2突部は、それぞれ透光性基板と接触して接触面を形成する。その接触面は、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板を通して観察することができる。第1突部と第2突部とは、接触面の接触長さが変化する方向に対して直角方向の幅が互いに異なっているので、それらの突部間で接触面の形状が異なる。第1突部の接触面と第2突部の接触面との相対的な形状の違いを基に、突起状端子と基板側端子との接触状態を検査することにより、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては実装工程全体のコストを低く抑えることができる。   According to the mounting structure inspection method of the present invention, the first protrusion and the second protrusion are provided on the surface of the electronic component that is to be mounted on the light-transmitting substrate. Can be used to inspect the contact state between the plurality of protruding terminals and the board-side terminals that individually contact them. The first protrusion and the second protrusion are in contact with the translucent substrate to form a contact surface. The contact surface can be observed through the translucent substrate from the opposite side of the translucent substrate where the electronic component is mounted. Since the first protrusion and the second protrusion have mutually different widths in the direction perpendicular to the direction in which the contact length of the contact surface changes, the shape of the contact surface is different between the protrusions. Based on the difference in relative shape between the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion, the contact state between the protrusion terminal and the substrate side terminal is inspected, thereby Whether the contact state with the terminal is good or bad can be easily and clearly determined by human eyes. As a result, the cost required for the inspection can be significantly reduced as compared with the case where the inspection is performed using an inspection apparatus equipped with an advanced camera or the like, and as a result, the cost of the entire mounting process can be kept low.

次に、本発明に係る実装構造体の検査方法において、前記第1突部及び第2突部の接触面は各々対応する縦方向及び横方向の幅を有し、前記第1突部の接触面は、縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とした接触面であり、前記第2突部の接触面は、前記第1突部の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする接触面であるか、又は縦方向と横方向の幅が同じ長さである接触面であるかに基づいて検査することが望ましい。   Next, in the inspection method of the mounting structure according to the present invention, the contact surfaces of the first protrusion and the second protrusion have corresponding vertical and horizontal widths, respectively, and the contact of the first protrusion The surface is a contact surface having a longer side in either the vertical direction or the horizontal direction, and the contact surface of the second protrusion is a vertical or horizontal width that is the long side of the first protrusion. It is desirable to inspect based on whether the contact surface has a longitudinal or lateral width different from that of the contact surface having the longer side, or the contact surface having the same length in the longitudinal and lateral directions.

本発明に係る実装構造体の検査方法によれば、透光性基板のうちの電子部品が実装された側と反対側から、当該透光性基板を通して観察した接触面が、既述の接触面の具体的態様の(1)〜(4)に示す関係であれば、突起状端子と基板側端子との接触状態は適正と判定できる。このように透光性基板を通して接触面を観察することにより、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては電子部品を実装する工程全体のコストを低く抑えることができる。   According to the inspection method of the mounting structure according to the present invention, the contact surface observed through the translucent substrate from the side opposite to the side where the electronic component is mounted in the translucent substrate is the above-described contact surface. If it is the relationship shown to (1)-(4) of the specific aspect of this, the contact state of a protruding terminal and a board | substrate side terminal can be determined to be appropriate. By observing the contact surface through the light-transmitting substrate in this way, it is possible to easily and clearly determine whether or not the contact state between the protruding terminal and the substrate-side terminal is good by human eyes. As a result, the cost required for the inspection can be remarkably reduced as compared with the case where the inspection is performed using an inspection apparatus equipped with an advanced camera or the like, and as a result, the cost of the entire process for mounting the electronic components can be kept low.

また、本発明に係る実装構造体の検査方法では、基板側端子を透光性部材を用いて形成し、その透光性部材に第1突部及び第2を接触させることができる。こうすれば、第1突部及び第2突部を透光性基板に接触させる場合に比べて、実際の導電接続部分である導電膜と基板側端子との接触状態により近い状態で検査を行うことができる。   Moreover, in the mounting structure inspection method according to the present invention, the board-side terminal can be formed using a translucent member, and the first protrusion and the second can be brought into contact with the translucent member. By doing so, the inspection is performed in a state closer to the contact state between the conductive film which is the actual conductive connection portion and the substrate-side terminal, as compared with the case where the first protrusion and the second protrusion are brought into contact with the translucent substrate. be able to.

次に、本発明に係る各実装構造体の検査方法において、前記接触面は平面視で正方形状又は長方形状であり、前記接触長さが変化する方向(例えば縦方向)に対して直角方向(例えば横方向)の前記第1突部の幅は前記接触長さの許容できる最小の長さに設定され、前記接触長さが変化する方向に対して直角方向の前記第2突部の幅は前記接触長さの許容できる最大の長さに設定され、前記第1突部の幅、前記第2突部の幅、及び前記接触長さの相対的な関係に基づいて、前記複数の突起状端子とそれらの個々に接触する前記基板側端子との接触状態を検査することが望ましい。以下の説明において、接触長さが変化する方向に対して直角方向の第1突部の幅は、単に第1突部の幅ということがある。一方、接触長さが変化する方向に対して直角方向の第2突部の幅は、単に第2突部の幅ということがある。   Next, in the inspection method for each mounting structure according to the present invention, the contact surface has a square shape or a rectangular shape in plan view, and a direction perpendicular to a direction in which the contact length changes (for example, a vertical direction) ( For example, the width of the first protrusion in the lateral direction is set to the minimum allowable length of the contact length, and the width of the second protrusion in the direction perpendicular to the direction in which the contact length changes is The plurality of protrusions are set based on the relative relationship among the width of the first protrusion, the width of the second protrusion, and the contact length. It is desirable to inspect the contact state between the terminals and the board-side terminals that are individually in contact with them. In the following description, the width of the first protrusion in the direction perpendicular to the direction in which the contact length changes may be simply referred to as the width of the first protrusion. On the other hand, the width of the second protrusion perpendicular to the direction in which the contact length changes may be simply referred to as the width of the second protrusion.

本発明態様においては、第1突部の幅を接触長さの許容最小長さに設定し、第2突部の幅を接触長さの許容最大長さに設定する。そして、第1突部の幅と、第2突部の幅と、接触面の接触長さとの相対的な関係に基づいて導電膜と基板側端子との接触状態の良否判定を行うことができる。   In the aspect of the present invention, the width of the first protrusion is set to the allowable minimum length of the contact length, and the width of the second protrusion is set to the allowable maximum length of the contact length. And the quality determination of the contact state of a electrically conductive film and a board | substrate side terminal can be performed based on the relative relationship between the width | variety of a 1st protrusion, the width | variety of a 2nd protrusion, and the contact length of a contact surface. .

以上のように、第1突部の幅を接触長さの最小の長さに設定し、第2突部の幅を接触長さの最大の長さに設定した実装構造体の検査方法における具体的な判定基準としては、以下の(a)〜(e)の各態様が考えられる。   As described above, in the mounting structure inspection method, the width of the first protrusion is set to the minimum length of the contact length, and the width of the second protrusion is set to the maximum length of the contact length. As typical determination criteria, the following aspects (a) to (e) may be considered.

(a)前記第1突部の幅をW1とし、前記第2突部の幅をW2とし、前記接触面の前記接触長さをLとしたとき、
L>W1
であり、且つ
L≦W2
の関係にあるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。
(A) When the width of the first protrusion is W1, the width of the second protrusion is W2, and the contact length of the contact surface is L,
L> W1
And
L ≦ W2
Therefore, it is possible to determine that the mounting state of the electronic component is normal.

(b)前記第1突部の幅をW1とし、前記第2突部の幅をW2とし、前記接触面の前記接触長さをLとしたとき、
L≧W1
であり、且つ
L<W2
の関係にあるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。
(B) When the width of the first protrusion is W1, the width of the second protrusion is W2, and the contact length of the contact surface is L,
L ≧ W1
And
L <W2
Therefore, it is possible to determine that the mounting state of the electronic component is normal.

(c)前記第1突部の接触面の長辺の方向と前記第2突部の接触面の長辺の方向とが異なるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。   (C) When the direction of the long side of the contact surface of the first protrusion is different from the direction of the long side of the contact surface of the second protrusion, the mounting state of the electronic component can be determined to be normal.

(d)前記第1突部の接触面の長辺の方向と前記第2突部の接触面の長辺の方向とが同じとき、電子部品の実装状態を不良と判定することができる。   (D) When the direction of the long side of the contact surface of the first protrusion is the same as the direction of the long side of the contact surface of the second protrusion, the mounting state of the electronic component can be determined to be defective.

(e)前記第1突部の接触面又は前記第2突部の接触面のいずれか一方が正方形であるとき、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。すなわち、接触面の接触長さが、その接触長さの許容される最小の長さであるか又は許容される最大の長さである場合には、電子部品の実装状態を正常と判定することができる。   (E) When one of the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion is a square, the electronic component mounting state can be determined to be normal. That is, when the contact length of the contact surface is the minimum allowable length or the maximum allowable length, the electronic component mounting state is determined to be normal. Can do.

上記(a)〜(e)のいずれの判定基準を用いた場合であっても、第1突部の接触面と第2突部の接触面との相対的な形状の違いを人間の目視によって観察するだけの簡単な作業により、導電膜と基板側端子との接触状態の良否判定を簡単且つ明確に行うことができる。   Even when any of the above criteria (a) to (e) is used, the difference in relative shape between the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion is visually observed by human eyes. By simply performing the observation, it is possible to easily and clearly determine whether or not the contact state between the conductive film and the substrate-side terminal is good.

次に、本発明に係る電気光学装置は、以上に記載した構成の実装構造体を有することを特徴とする。本発明に係る実装構造体によれば、電子部品のうちの透光性基板へ実装される側の面上に第1突部と第2突部を設け、それらの突部が実装時に形成する接触面の相対的な形状の違いを基に、突起状端子と基板側端子との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては実装工程全体のコストを低く抑えることができる。従って、その実装構造体を有する本発明に係る電気光学装置も不良品の発生が少なく、しかも低コストで作製できる。   Next, an electro-optical device according to the invention includes the mounting structure having the above-described configuration. According to the mounting structure according to the present invention, the first protrusion and the second protrusion are provided on the surface of the electronic component that is to be mounted on the light-transmitting substrate, and these protrusions are formed at the time of mounting. Based on the difference in the relative shape of the contact surface, the quality of the contact state between the protruding terminal and the board-side terminal can be determined easily and clearly by human eyes. As a result, the cost required for the inspection can be significantly reduced as compared with the case where the inspection is performed using an inspection apparatus equipped with an advanced camera or the like, and as a result, the cost of the entire mounting process can be kept low. Therefore, the electro-optical device according to the present invention having the mounting structure can be produced at a low cost with few defective products.

(実装構造体の第1実施形態)
以下、本発明に係る実装構造体を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素を解り易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。
(First Embodiment of Mounting Structure)
Hereinafter, a mounting structure according to the present invention will be described based on embodiments. Of course, the present invention is not limited to this embodiment. In the following description, the drawings will be referred to as necessary, but in this drawing, in order to show the important components of the structure composed of a plurality of components in an easy-to-understand manner, May be indicated by dimensions.

図1は、本発明に係る実装構造体の一実施形態を示す平面図である。図2(a)は、図1のA−A線に従った実装構造体の断面構造を拡大して示している。図2(b)は、電子部品としての半導体装置が実装された側と反対側(図2(a)の矢印C側)から見た実装構造体の平面構造を示しており、主に透光性基板を通して見た半導体装置の能動面上の構造を示している。図3(a)は、図1の実装構造体を構成する半導体装置を端子等が設けられた能動面側(図2(a)の矢印Cで示す側)から見た斜視図である。また、図3(b)は、図3(a)の部分拡大図のD−D線に従って1つのバンプの断面構造を拡大して示している。   FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a mounting structure according to the present invention. FIG. 2A shows an enlarged cross-sectional structure of the mounting structure according to the line AA in FIG. FIG. 2B shows a planar structure of the mounting structure viewed from the side opposite to the side on which the semiconductor device as the electronic component is mounted (the arrow C side in FIG. 2A). 1 shows a structure on an active surface of a semiconductor device viewed through a conductive substrate. 3A is a perspective view of the semiconductor device constituting the mounting structure of FIG. 1 as viewed from the active surface side (the side indicated by the arrow C in FIG. 2A) provided with terminals and the like. FIG. 3B shows an enlarged cross-sectional structure of one bump according to the line DD in the partially enlarged view of FIG.

図1において、実装構造体1は、電子部品としての半導体装置2と、当該半導体装置2が実装された透光性基板3とを有する。半導体装置2と透光性基板3とは接合部材としてのNCF(Non Conductive Film:非導電膜)4によって互いに接着されている。透光性基板3は、透光性を有する材料、例えば透光性ガラスや透光性樹脂等から成る基材上に、配線23、入力用端子21及び出力用端子22を形成することによって形成されている。端子21,22は、配線23の先端部分である。透光性基板3には必要に応じて他の要素、例えば保護膜が形成される。入力用端子21及び出力用端子22は基板側端子である。   In FIG. 1, a mounting structure 1 includes a semiconductor device 2 as an electronic component and a translucent substrate 3 on which the semiconductor device 2 is mounted. The semiconductor device 2 and the translucent substrate 3 are bonded to each other by an NCF (Non Conductive Film) 4 as a bonding member. The translucent substrate 3 is formed by forming the wiring 23, the input terminal 21 and the output terminal 22 on a base material made of a translucent material, for example, translucent glass or translucent resin. Has been. Terminals 21 and 22 are tip portions of the wiring 23. Other elements such as a protective film are formed on the translucent substrate 3 as necessary. The input terminal 21 and the output terminal 22 are board side terminals.

半導体装置2は、図3(a)に示すように、基材11と、該基材11の能動面11a上に形成された突起状端子である複数のバンプ12と、同じく能動面11a上に形成された一組の突部である検査用バンプ対20とを有する。能動面とは、半導体素子が形成された面であると共に半導体素子を含む内部回路につながった端子(パッドと呼ばれることがある)が外部に臨み出ている面である。基材11は、例えばシリコン(Si)等の材料を用いて略直方体形状に形成されている。半導体装置2は、例えば液晶表示装置等といった電気光学装置の画素を駆動する駆動用IC等に用いられる。半導体装置2の能動面下には、図示は省略するが、例えば薄膜トランジスタ等といった複数の電子素子や各電子素子間を接続する配線等が形成されている。   As shown in FIG. 3A, the semiconductor device 2 includes a base material 11, a plurality of bumps 12 that are protruding terminals formed on the active surface 11a of the base material 11, and the active surface 11a. The inspection bump pair 20 is a set of protrusions formed. An active surface is a surface on which a semiconductor element is formed and a terminal (sometimes referred to as a pad) connected to an internal circuit including the semiconductor element is exposed to the outside. The base material 11 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape using a material such as silicon (Si). The semiconductor device 2 is used in a driving IC that drives pixels of an electro-optical device such as a liquid crystal display device. Under the active surface of the semiconductor device 2, although not shown, a plurality of electronic elements such as thin film transistors and wirings connecting the electronic elements are formed.

バンプ12は、複数個が能動面11aの互いに対向する2つの長辺11b及び11cに沿って一定の間隔をおいて配設されている。個々のバンプ12は、矢印Fで拡大して示すように、電極パッド13と、突起体14と、導電膜15とによって構成されている。電極パッド13は、例えばAl(アルミニウム)等といった導電性の金属材料を用いて形成されている。この電極パッド13は、上述した半導体装置2内の電子素子等に接続される電極である。従って、導電膜15は電極パッド13を介して半導体装置2内部の電子素子等に導電接続されている。なお、半導体装置2の能動面11aの全域には、図3(b)に示すように、例えばSiN等から成るパッシベーション膜16が形成されている。各電極パッド13に対応する位置のパッシベーション膜16には開口部16aが形成され、その開口部16aから電極パッド13が能動面11aの表面に臨んでいる。   A plurality of the bumps 12 are arranged at regular intervals along the two long sides 11b and 11c of the active surface 11a facing each other. Each bump 12 is constituted by an electrode pad 13, a protrusion 14, and a conductive film 15 as shown in an enlarged manner by an arrow F. The electrode pad 13 is formed using a conductive metal material such as Al (aluminum). The electrode pad 13 is an electrode connected to the electronic element or the like in the semiconductor device 2 described above. Accordingly, the conductive film 15 is conductively connected to an electronic element or the like inside the semiconductor device 2 through the electrode pad 13. Note that a passivation film 16 made of, for example, SiN is formed over the entire active surface 11a of the semiconductor device 2 as shown in FIG. 3B. An opening 16a is formed in the passivation film 16 at a position corresponding to each electrode pad 13, and the electrode pad 13 faces the surface of the active surface 11a from the opening 16a.

突起体14は、図3(a)に示すように、能動面11aの長辺11b及び11cに沿って直線状に延在している。この突起体14は、図3(b)に示すように、その延在方向に対して直角方向の断面(図3(a)のD−D線に従った断面)の形状が半円形状となっている。なお、突起体の断面形状は、半円形状に限られず、底部から頂部へ向かって徐々に狭くなる形状であれば良い。例えば半楕円形状、半長円形状、三角形状等に形成できる。突起体14は、弾性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂等により形成されている。   As shown in FIG. 3A, the protrusion 14 extends linearly along the long sides 11b and 11c of the active surface 11a. As shown in FIG. 3 (b), the protrusion 14 has a semicircular cross section (cross section taken along line DD in FIG. 3 (a)) in a direction perpendicular to the extending direction. It has become. Note that the cross-sectional shape of the protrusion is not limited to a semicircular shape, and may be any shape that gradually narrows from the bottom to the top. For example, it can be formed in a semi-elliptical shape, a semi-ellipse shape, a triangular shape, or the like. The protrusions 14 are made of an elastic resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, an acrylic resin, a phenol resin, a silicon resin, or the like.

導電膜15は、電極パッド13の表面から突起体14の表面にわたって形成されている。この導電膜15は、導電性の金属材料、例えばAu(金)、TiW(チタンタングステン)、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、Al(アルミニウム)、Cr(クロム)等を用いて単層構造又は多層構造に形成することができる。本実施形態では、TiW層15aの上にAu層15bを積層して成る2層構造を採用している。このようにTiW層15aの上にAu層15bを積層することにより、導電膜15の電気抵抗を低減することができる。この導電膜15を突起体14の表面に島状に等間隔に複数個並べて形成することにより、図3(a)に示すように複数のバンプ12から成る1つのバンプ列17が形成される。   The conductive film 15 is formed from the surface of the electrode pad 13 to the surface of the protrusion 14. The conductive film 15 has a single layer structure using a conductive metal material such as Au (gold), TiW (titanium tungsten), Cu (copper), Ni (nickel), Al (aluminum), Cr (chromium), or the like. Alternatively, it can be formed in a multilayer structure. In the present embodiment, a two-layer structure in which an Au layer 15b is stacked on a TiW layer 15a is employed. Thus, by laminating the Au layer 15b on the TiW layer 15a, the electrical resistance of the conductive film 15 can be reduced. A plurality of the conductive films 15 are formed on the surface of the protrusion 14 so as to be arranged at equal intervals in an island shape, thereby forming one bump row 17 including a plurality of bumps 12 as shown in FIG.

検査用バンプ対20は、バンプ列17の両端部、すなわち、バンプ列17のうち能動面11aの隅部に最も近い位置に設けられている。この検査用バンプ対20は、第1突部としての第1検査用バンプ18と、第2突部としての第2検査用バンプ19を有している。これらの第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とは互いに隣接して配置されている。これらの第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、矢印Fで拡大して示すように、信号伝送用のバンプ12と同様に、突起体14の表面に金属膜としての導電膜15が形成された構成となっている。ただし、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19に関しては基材11内に電極パッド13は設けられていない。従って、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、半導体装置2内部の電子素子等とは導通せずに電気的に絶縁されている。検査用バンプ対20については、後に詳しく説明する。   The inspection bump pair 20 is provided at both ends of the bump row 17, that is, at a position closest to the corner of the active surface 11 a in the bump row 17. The inspection bump pair 20 includes a first inspection bump 18 as a first protrusion and a second inspection bump 19 as a second protrusion. The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are arranged adjacent to each other. The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are enlarged as indicated by an arrow F, and like the signal transmission bump 12, the conductive film 15 as a metal film is formed on the surface of the protrusion 14. Is formed. However, the electrode pad 13 is not provided in the substrate 11 with respect to the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19. Accordingly, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are electrically insulated without being electrically connected to the electronic elements or the like inside the semiconductor device 2. The inspection bump pair 20 will be described in detail later.

上記構成のバンプ12、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、以下の方法によって形成することができる。まず、図3(b)の開口部16aが形成された状態のパッシベーション膜16の表面に、突起体14の材料である感光性樹脂を、例えばスピンコートにより成膜する。次に、成膜した感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によって、図3(a)の長辺11b及び11cに沿った直線状にパターニングする。その後、樹脂に対して熱処理(いわゆるキュア)を行うことにより突起体14の断面を半円形状に形成する。   The bump 12, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 having the above-described configuration can be formed by the following method. First, a photosensitive resin, which is a material of the protrusions 14, is formed on the surface of the passivation film 16 in a state where the opening 16a of FIG. Next, the formed photosensitive resin is patterned into a straight line along the long sides 11b and 11c of FIG. Thereafter, a heat treatment (so-called curing) is performed on the resin to form a cross section of the protrusion 14 in a semicircular shape.

その後、能動面11aの全体にTiW層とAu層をスパッタにより順次に成膜する。次に、Au層の上にレジストを所定パターンに形成し、エッチング処理によってAu層をパターニングする。レジストを除去した後、Au層をマスクとして用いてTiW層をパターニングして、図3(b)のTiW層15aとAu層15bから成る導電膜15が形成される。このとき、バンプ12を構成する導電膜15は平面的に見て開口部16aに重なることができる形状にパターニングする。一方、第1検査用バンプ18(図3(a)参照)を構成する導電膜15と第2検査用バンプ19を構成する導電膜15は開口部16aには重ならない形状にパターニングする。検査用バンプ18,19を構成する導電膜15へは予め開口部を形成させない。以上により、バンプ12、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19が形成される。   Thereafter, a TiW layer and an Au layer are sequentially formed on the entire active surface 11a by sputtering. Next, a resist is formed in a predetermined pattern on the Au layer, and the Au layer is patterned by an etching process. After removing the resist, the TiW layer is patterned using the Au layer as a mask to form the conductive film 15 composed of the TiW layer 15a and the Au layer 15b in FIG. At this time, the conductive film 15 constituting the bump 12 is patterned into a shape that can overlap the opening 16a when seen in a plan view. On the other hand, the conductive film 15 constituting the first inspection bump 18 (see FIG. 3A) and the conductive film 15 constituting the second inspection bump 19 are patterned into a shape that does not overlap the opening 16a. No opening is formed in advance in the conductive film 15 constituting the inspection bumps 18 and 19. Thus, the bump 12, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are formed.

図1に戻って、透光性基板3のうちの半導体装置2を実装する側(図1の紙面手前側)の面S上であって、半導体装置2のバンプ12に対応する位置には、基板側端子である複数の入力用端子21と、同じく基板側端子である複数の出力用端子22が設けられている。また、配線23が個々の入力用端子21及び個々の出力用端子22から延びるように基板3上にパターニングによって形成されている。 Returning to FIG. 1, a on the surface S 1 on the side of mounting the semiconductor device 2 of the light transmitting substrate 3 (front side in FIG. 1), at positions corresponding to the bumps 12 of the semiconductor device 2 A plurality of input terminals 21 that are board-side terminals and a plurality of output terminals 22 that are also board-side terminals are provided. Further, the wiring 23 is formed on the substrate 3 by patterning so as to extend from the individual input terminals 21 and the individual output terminals 22.

各入力用端子21には、矢印Eで示すように、FPC(Flexible Printed Circuit:可撓性プリント回路)基板等といった配線基板(図示せず)及び配線23を介して外部から電気信号が入力される。一方、各出力用端子22には半導体装置2からの電気信号が出力され、その出力信号は配線23を介して矢印Eで示す方向へ伝送される。なお、各出力用端子22を通じて出力された電気信号は、例えば、図示しない信号処理回路等による処理の用に供される。入力用端子21、出力用端子22及び配線23は、導電性の金属材料、例えばAl,Mo(モリブデン),W(タングステン)等によって形成される。なお、以下の説明において、入力用端子21と出力用端子22を、単に、基板側端子という場合がある。 Each input terminal 21 receives an electrical signal from the outside through a wiring board (not shown) such as an FPC (Flexible Printed Circuit) board and the wiring 23 as indicated by an arrow E 1. Is done. On the other hand, an electrical signal from the semiconductor device 2 is output to each output terminal 22, and the output signal is transmitted through the wiring 23 in the direction indicated by the arrow E 2 . The electrical signal output through each output terminal 22 is used for processing by, for example, a signal processing circuit (not shown). The input terminal 21, the output terminal 22, and the wiring 23 are formed of a conductive metal material such as Al, Mo (molybdenum), W (tungsten), or the like. In the following description, the input terminal 21 and the output terminal 22 may be simply referred to as board side terminals.

次に、半導体装置2を透光性基板3上に実装する方法について説明する。
図4は、図1において矢印Z1で示す部分、すなわち、半導体装置2の能動面11aの隅部近傍に設けられた検査用バンプ対20、及び当該検査用バンプ対20に隣接した1つのバンプ12を拡大して示している。なお、図4では、図1において透光性基板3の半導体装置2が実装される面S1側と反対側(紙面奥側)から検査用バンプ対20等を見た状態を示している。また、図4では、便宜的に、手前側にある透光性基板3の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある要素を実線で示している。また、図1において、検査用バンプ対20は4箇所に設けられているが、本実施形態においてこれらは全て同じ構成であるので、以下の説明では矢印Z1で拡大する部分の1つのみを挙げて説明する。
Next, a method for mounting the semiconductor device 2 on the translucent substrate 3 will be described.
4 shows a portion indicated by an arrow Z1 in FIG. 1, that is, an inspection bump pair 20 provided in the vicinity of a corner of the active surface 11a of the semiconductor device 2, and one bump 12 adjacent to the inspection bump pair 20. Is shown enlarged. 4 shows a state in which the inspection bump pair 20 and the like are viewed from the side opposite to the surface S1 side (the back side of the paper surface) on which the semiconductor device 2 of the translucent substrate 3 is mounted in FIG. Moreover, in FIG. 4, the translucent base material of the translucent board | substrate 3 in the near side is shown with the chain line for convenience, and the element in the back | inner side of the said translucent base material is shown with the continuous line. In FIG. 1, the inspection bump pairs 20 are provided at four locations. In the present embodiment, these are all the same configuration, and therefore, in the following description, only one of the portions enlarged by the arrow Z1 is given. I will explain.

まず、図2(a)に示すように、バンプ12と入力用端子21との相対位置、及びバンプ12と出力用端子22との相対位置を合わせた状態で、半導体装置2を透光性基板3上に載せる。このとき、図1に示すように、検査用バンプ対20は透光性基板3の表面であって端子21,22が無い領域に対向して位置している。そして、図2(a)において、半導体装置2に矢印B方向及び矢印C方向から所定の圧力を加えた状態で、当該半導体装置2をNCF4によって透光性基板3の実装面に接着する。このとき、バンプ12の突起体14が接着時の圧力によってつぶれた状態へ弾性変形し、その変形に従って、その表面の導電膜15が平らになるように変形する。その結果、導電膜15と基板側端子21,22は、互いに面状に接触することになる。このときのバンプ12の導電膜15と基板側端子21,22との接触面は、図4に符号24で示すように平面的に見て長方形状となる。なお、接触面24は、その幅W3によっては正方形状となる場合もある。突起体14の断面形状を半円形状、すなわち底部が頂部へ向かって狭くなる形状としたので、突起体14の延在方向と直角方向の接触面24の長さL(以下、接触長さという)は、押圧力の強弱に従って長く又は短くなるように変化する。   First, as shown in FIG. 2A, the semiconductor device 2 is placed in a state in which the relative positions of the bumps 12 and the input terminals 21 and the relative positions of the bumps 12 and the output terminals 22 are matched. 3. Place on top. At this time, as shown in FIG. 1, the inspection bump pair 20 is located on the surface of the translucent substrate 3 so as to face the region where the terminals 21 and 22 are not provided. 2A, the semiconductor device 2 is bonded to the mounting surface of the translucent substrate 3 with NCF 4 in a state where a predetermined pressure is applied to the semiconductor device 2 from the arrow B direction and the arrow C direction. At this time, the protrusions 14 of the bumps 12 are elastically deformed into a collapsed state by the pressure at the time of adhesion, and the conductive film 15 on the surface thereof is deformed so as to be flat according to the deformation. As a result, the conductive film 15 and the substrate-side terminals 21 and 22 come into contact with each other in a planar shape. At this time, the contact surface between the conductive film 15 of the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 has a rectangular shape as seen in plan view as indicated by reference numeral 24 in FIG. The contact surface 24 may be square depending on its width W3. Since the cross-sectional shape of the protrusion 14 is a semicircular shape, that is, a shape in which the bottom portion becomes narrower toward the top portion, the length L of the contact surface 24 perpendicular to the extending direction of the protrusion 14 (hereinafter referred to as the contact length). ) Changes to become longer or shorter according to the strength of the pressing force.

一方、検査用バンプ対20の導電膜15は、透光性基板3の透光性基材表面に面状に接触する。第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、それら自身の突起体14が接着時の圧力によってつぶれた状態へ弾性変形し、その変形に従って、その表面の導電膜15が平らになるように変形する。その結果、導電膜15と透光性基板3は、互いに面状に接触することになる。このときの第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19のそれぞれの導電膜15と透光性基板3との接触面は、図4に符号25及び26で示すように平面的に見て長方形状となる。   On the other hand, the conductive film 15 of the inspection bump pair 20 contacts the surface of the translucent substrate of the translucent substrate 3 in a planar shape. The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are elastically deformed so that the protrusions 14 thereof are crushed by the pressure at the time of bonding, and the conductive film 15 on the surface thereof becomes flat according to the deformation. Transforms into As a result, the conductive film 15 and the translucent substrate 3 come into contact with each other in a planar shape. The contact surfaces of the conductive film 15 and the translucent substrate 3 of the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 at this time are viewed in plan as indicated by reference numerals 25 and 26 in FIG. It becomes a rectangular shape.

本実施形態の実装構造体では、検査用バンプ対20の導電膜15と透光性基板3の透光性基材との接触状態を確認することにより、バンプ12の導電膜15と基板側端子21,22との接触状態を間接的に検査し、その結果から、半導体装置2の実装状態を検査する。以下、その実装状態を検査するための半導体装置2の検査用バンプ対20(第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19)の構成について詳しく説明する。   In the mounting structure of this embodiment, the conductive film 15 of the bump 12 and the substrate-side terminal are confirmed by checking the contact state between the conductive film 15 of the inspection bump pair 20 and the translucent substrate of the translucent substrate 3. The contact state with 21 and 22 is indirectly inspected, and the mounting state of the semiconductor device 2 is inspected from the result. Hereinafter, the configuration of the inspection bump pair 20 (first inspection bump 18 and second inspection bump 19) of the semiconductor device 2 for inspecting the mounting state will be described in detail.

図1において、検査用バンプ対20は、能動面11aの四隅の近傍に各1個、合計4個設けられている。検査用バンプ対20を構成する第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とは、図4に示すように、導電膜15の大きさが互いに異なっている。具体的には、突起体14の延在方向の中心線X0に沿った方向(すなわち、図の左右方向)に関して、第1検査用バンプ18の幅W1と第2検査用バンプ19の幅W2とが互いに異なっている。すなわち、接触面25,26の横方向の幅の長さが互いに異なっている。   In FIG. 1, a total of four inspection bump pairs 20 are provided in the vicinity of the four corners of the active surface 11a. As shown in FIG. 4, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 constituting the inspection bump pair 20 are different in size of the conductive film 15. Specifically, the width W1 of the first inspection bump 18 and the width W2 of the second inspection bump 19 with respect to the direction along the center line X0 in the extending direction of the protrusion 14 (that is, the horizontal direction in the drawing) Are different from each other. That is, the lateral widths of the contact surfaces 25 and 26 are different from each other.

第1検査用バンプ18の幅W1は、図2(b)の導電膜15と基板側端子21,22との接触面24の接触長さLの許容最小長さに設定されている。許容最小長さとは、図2(a)に示すように半導体装置2を透光性基板3に実装した状態で、バンプ12の導電膜15と基板側端子21,22とが正常に接続されていると判定できる接触長さLの最小の長さである。本実施形態では、図4に示す幅W1を10μmに設定している。   The width W1 of the first inspection bump 18 is set to an allowable minimum length of the contact length L of the contact surface 24 between the conductive film 15 and the substrate-side terminals 21 and 22 in FIG. The allowable minimum length means that the conductive film 15 of the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 are normally connected in a state where the semiconductor device 2 is mounted on the translucent substrate 3 as shown in FIG. It is the minimum length of the contact length L that can be determined to be present. In the present embodiment, the width W1 shown in FIG. 4 is set to 10 μm.

一方、第2検査用バンプ19の幅W2は、図2(b)の導電膜15と基板側端子21,22との接触面24の接触長さLの許容最大長さに設定されている。許容最大長さとは、図2(a)に示すように半導体装置2を透光性基板3に実装した状態で、バンプ12の導電膜15と基板側端子21,22とが正常に接続されていると判定できる接触長さLの最大の長さである。本実施形態では、図4に示す幅W2を25μmに設定している。なお、本実施形態において、第1検査用バンプ18の幅W1及び第2検査用バンプ19の幅W2は、いずれも信号伝送用のバンプ12の幅W3とは異なっている。   On the other hand, the width W2 of the second inspection bump 19 is set to the allowable maximum length of the contact length L of the contact surface 24 between the conductive film 15 and the substrate side terminals 21 and 22 in FIG. The allowable maximum length means that the conductive film 15 of the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 are normally connected in a state where the semiconductor device 2 is mounted on the translucent substrate 3 as shown in FIG. This is the maximum length of the contact length L that can be determined to be present. In the present embodiment, the width W2 shown in FIG. 4 is set to 25 μm. In the present embodiment, the width W1 of the first inspection bump 18 and the width W2 of the second inspection bump 19 are all different from the width W3 of the signal transmission bump 12.

第1検査用バンプ18の接触面25及び第2検査用バンプ19の接触面26は、半導体装置2を透光性基板3に実装するときの押圧力の変化によって接触長さが変化する。この接触長さは接触面25,26の縦方向の幅の長さのことであり、図4に符号Lで示すように、突起体14の中心線X0に対して直角方向(図の上下方向)の接触面25,26の長さである。この接触長さLは、突起体14の変形量が大きい(すなわち、半導体装置2の実装時の押圧力が大きい)場合に長くなり、逆に、突起体14の変形量が小さい(すなわち、半導体装置2の実装時の押圧力が小さい)場合に短くなる。なお、本実施形態において、第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とは、互いに隣接して配置されている。そのため、半導体装置2の実装時には、第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とは略等しい押圧力によって押されることになる。従って、接触面25の接触長さLと接触面26の接触長さLとは略同じ長さになる。   The contact lengths of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 change due to a change in pressing force when the semiconductor device 2 is mounted on the translucent substrate 3. This contact length is the length of the vertical width of the contact surfaces 25 and 26, and as indicated by the symbol L in FIG. 4, the direction perpendicular to the center line X0 of the protrusion 14 (the vertical direction in the figure). ) Of the contact surfaces 25, 26. This contact length L is longer when the deformation amount of the protrusion 14 is large (that is, when the pressing force during mounting of the semiconductor device 2 is large), and conversely, the deformation amount of the protrusion 14 is small (that is, the semiconductor It becomes shorter when the pressing force when mounting the device 2 is small). In the present embodiment, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are disposed adjacent to each other. Therefore, when the semiconductor device 2 is mounted, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are pressed by substantially the same pressing force. Accordingly, the contact length L of the contact surface 25 and the contact length L of the contact surface 26 are substantially the same length.

本実施形態の実装構造体1は、半導体装置2が透光性基板3の実装面S1に適正に実装された状態であり、第1検査用バンプ18の接触面25は縦方向の幅が長辺となり、第2検査用バンプ19の接触面26は第1検査用バンプ18の接触面25の長辺とは異なる方向の幅、すなわち横方向の幅が長辺となっている。   The mounting structure 1 of the present embodiment is a state in which the semiconductor device 2 is properly mounted on the mounting surface S1 of the translucent substrate 3, and the contact surface 25 of the first inspection bump 18 has a long vertical width. The contact surface 26 of the second inspection bump 19 has a width in a direction different from the long side of the contact surface 25 of the first inspection bump 18, that is, the lateral width is the long side.

本実施形態の実装構造体によれば、半導体装置2のうちの透光性基板3へ実装される面11a上に第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19から成る1組の検査用バンプ対20を設けた。その検査用バンプ対20を用いて、複数のバンプ12とそれらに個々に接触する基板側端子21,22との接触状態を検査することができる。第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19は、それぞれ透光性基板3と接触して接触面25,26を形成する。それらの接触面25,16は、透光性基板3のうちの半導体装置2が実装された側と反対側から、当該透光性基板3を通して観察することができる。このとき観察した接触面25,26が、図4に示す態様であれば、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は適正である。このように透光性基板3を通して接触面25,26を観察することにより、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態の良否判定を人間の目視によって簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては半導体装置を実装する工程全体のコストを低く抑えることができる。   According to the mounting structure of the present embodiment, a set of inspections composed of the first inspection bumps 18 and the second inspection bumps 19 on the surface 11a of the semiconductor device 2 to be mounted on the translucent substrate 3. A bump pair 20 was provided. By using the inspection bump pair 20, it is possible to inspect the contact state between the plurality of bumps 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 that individually contact them. The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are in contact with the translucent substrate 3 to form contact surfaces 25 and 26, respectively. The contact surfaces 25 and 16 can be observed through the translucent substrate 3 from the opposite side of the translucent substrate 3 on which the semiconductor device 2 is mounted. If the contact surfaces 25 and 26 observed at this time are in the form shown in FIG. 4, the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is appropriate. By observing the contact surfaces 25 and 26 through the translucent substrate 3 as described above, it is possible to easily and clearly determine whether or not the contact state between the bumps 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is good or not by human eyes. As a result, compared with the case of inspecting using an inspection apparatus equipped with an advanced camera or the like, the cost required for the inspection can be remarkably reduced, and as a result, the cost of the entire process for mounting the semiconductor device can be kept low.

(変形例1)
次に、本発明に係る実装構造体における、第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26の他の態様について、図5を用いて説明する。図5(a)は、検査用バンプ対20と透光性基板3の透光性基材との接触部分を側面(図1の矢印H方向)から見た状態を示している。図5(b)は、検査用バンプ対20と透光性基板3の透光性基材との接触部分を、図5(a)の矢印C方向から透光性基材を通して見た状態を示している。なお、図5(b)は、半導体装置2の実装状態、特に実装時の押圧力が図4の場合と異なる状態を示している。また、図5(b)では、要部を見易く示すために、手前側にある透光性基板3の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある検査用バンプ対20及びそれに含まれる突起体14を実線で示している。
(Modification 1)
Next, another aspect of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 in the mounting structure according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5A shows a state in which the contact portion between the inspection bump pair 20 and the translucent substrate of the translucent substrate 3 is viewed from the side (in the direction of arrow H in FIG. 1). FIG. 5B shows a state in which the contact portion between the inspection bump pair 20 and the translucent substrate of the translucent substrate 3 is viewed through the translucent substrate from the direction of arrow C in FIG. Show. FIG. 5B shows a state in which the semiconductor device 2 is mounted, particularly a state in which the pressing force during mounting is different from that in FIG. Moreover, in FIG.5 (b), in order to show an important part easily, the translucent base material of the translucent board | substrate 3 in a near side is shown with a chain line, and it is for the test | inspection in the back side of the said translucent base material. The bump pair 20 and the protrusions 14 included therein are indicated by solid lines.

図5(b)に示す実施形態では、第1突部としての第1検査用バンプ18の接触面25の縦方向の幅が長辺であり、第2突部としての第2検査用バンプ19の接触面26の縦方向の幅と横方向の幅とが同じ長さである、すなわち接触面26が正方形となっている。接触面25,26が、図5(b)に示す態様であれば、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は適正である。   In the embodiment shown in FIG. 5B, the vertical width of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 as the first protrusion is the long side, and the second inspection bump 19 as the second protrusion. The vertical width and the horizontal width of the contact surface 26 are the same length, that is, the contact surface 26 is square. If the contact surfaces 25 and 26 are in the form shown in FIG. 5B, the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is appropriate.

(変形例2)
次に、本発明に係る実装構造体における、第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26のさらに他の態様について説明する。図5(c)は、検査用バンプ対20と透光性基板3の透光性基材との接触部分を、図5(a)の矢印C方向から透光性基材を通して見た状態を示している。なお、図5(c)は、半導体装置2の実装状態、特に実装時の押圧力が図4及び図5(b)の場合と異なる状態を示している。また、図5(c)でも、要部を見易く示すために、手前側にある透光性基板3の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある検査用バンプ対20及びそれに含まれる突起体14を実線で示している。
(Modification 2)
Next, still another aspect of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 in the mounting structure according to the present invention will be described. FIG. 5C shows a state in which the contact portion between the inspection bump pair 20 and the translucent substrate of the translucent substrate 3 is viewed through the translucent substrate from the direction of arrow C in FIG. Show. FIG. 5C shows a state in which the semiconductor device 2 is mounted, particularly a state in which the pressing force at the time of mounting is different from that in FIGS. 4 and 5B. Also, in FIG. 5C, in order to show the main part in an easy-to-see manner, the translucent substrate of the translucent substrate 3 on the near side is indicated by a chain line, and for inspection on the back side of the translucent substrate. The bump pair 20 and the protrusions 14 included therein are indicated by solid lines.

なお、図4及び図5(b)に示す実施形態では、第1検査用バンプ18が第1突部に相当し、とし、第2検査用バンプ19が第2突部に相当している。これに対し、図5(c)に示す本実施形態では、図4及び図5(b)の場合とは逆に、第1検査用バンプ18が第2突部に相当し、第2検査用バンプ19が第2突部に相当している。   In the embodiment shown in FIGS. 4 and 5B, the first inspection bump 18 corresponds to the first protrusion, and the second inspection bump 19 corresponds to the second protrusion. On the other hand, in the present embodiment shown in FIG. 5C, the first inspection bump 18 corresponds to the second protrusion, contrary to the case of FIG. 4 and FIG. The bump 19 corresponds to the second protrusion.

図5(c)に示す実施形態では、第1検査用バンプ18の接触面25の縦方向の幅と横方向の幅とが同じ長さ(すなわち、接触面26が正方形)となっており、第2検査用バンプ19の接触面26の横方向の幅が長辺となっている。接触面25,26が、図5(c)に示す態様であれば、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は適正である。   In the embodiment shown in FIG. 5C, the vertical width and the horizontal width of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 are the same length (that is, the contact surface 26 is square). The lateral width of the contact surface 26 of the second inspection bump 19 is a long side. If the contact surfaces 25 and 26 are in the form shown in FIG. 5C, the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is appropriate.

(実装構造体の第2実施形態)
次に、本発明に係る実装構造体の他の実施形態を説明する。図6は、本実施形態の実装構造体の全体的な構成を示す平面図である。図6のA−A線に従った断面構造は、図2に示した第1実施形態と同じとすることができる。また、図6の矢印Z1で示す部分は、透光性基板上の端子の構成を除いて、図4に示した第1実施形態と同じとすることができる。図1に示す第1実施形態では、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は透光性基板3の透光性基材に直接に接触している。これに対し本実施形態では、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、透光性基板3上に設けられた透光性部材に接触している。以下、先の実施形態と異なる点を中心として本実施形態を詳しく説明する。
(Second Embodiment of Mounting Structure)
Next, another embodiment of the mounting structure according to the present invention will be described. FIG. 6 is a plan view showing the overall configuration of the mounting structure according to the present embodiment. The cross-sectional structure according to the AA line of FIG. 6 can be the same as that of the first embodiment shown in FIG. Moreover, the part shown by the arrow Z1 of FIG. 6 can be made the same as 1st Embodiment shown in FIG. 4 except the structure of the terminal on a translucent board | substrate. In the first embodiment shown in FIG. 1, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are in direct contact with the translucent substrate of the translucent substrate 3. On the other hand, in the present embodiment, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are in contact with a translucent member provided on the translucent substrate 3. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with a focus on differences from the previous embodiment.

図6において、半導体装置2の四隅の近傍に設けられた第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、他の多数のバンプ12と同様に半導体装置2内部の電子素子等に導電接続している。つまり、本実施形態の半導体装置2には、図3において矢印Fで拡大して示すバンプ12の電極パッド13が、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19にも設けられている。そして、半導体装置2の四隅に設けられた第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19に対応する位置には、図6において矢印Gで拡大して示すように、それぞれに配線23が接続された透光性部材としての入力用端子31又は出力用端子32が配設されている。それらの端子31,32は、能動面11aの四隅に設けられた検査用バンプ対20の構成要素である金属膜としての導電膜15に導電接続されている。   In FIG. 6, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 provided in the vicinity of the four corners of the semiconductor device 2 are conductively connected to an electronic element or the like inside the semiconductor device 2, as with many other bumps 12. is doing. That is, in the semiconductor device 2 of the present embodiment, the electrode pads 13 of the bumps 12 which are enlarged by arrows F in FIG. 3 are also provided on the first inspection bumps 18 and the second inspection bumps 19. Then, wirings 23 are connected to the positions corresponding to the first inspection bumps 18 and the second inspection bumps 19 provided at the four corners of the semiconductor device 2 as shown by an arrow G in FIG. The input terminal 31 or the output terminal 32 as the translucent member is provided. These terminals 31 and 32 are conductively connected to a conductive film 15 as a metal film, which is a component of the inspection bump pair 20 provided at the four corners of the active surface 11a.

入力用端子31及び出力用端子32は、複数のバンプ12に導電接続される基板側端子21,22と同じ形状に形成されている。また、端子31,32は、透光性を有する導電材料、例えばITOやIZOを用いて形成されている。なお、本実施形態では、基板側端子21及び22ならびに配線23に関しても、ITOやIZO等といった透光性の導電膜を用いて形成することができる。こうすれば、基板側端子21,22と、配線23と、端子31,32とを同じ材料を用いて同時に形成できる。   The input terminal 31 and the output terminal 32 are formed in the same shape as the substrate-side terminals 21 and 22 that are conductively connected to the plurality of bumps 12. The terminals 31 and 32 are formed using a light-transmitting conductive material such as ITO or IZO. In the present embodiment, the substrate-side terminals 21 and 22 and the wiring 23 can also be formed using a light-transmitting conductive film such as ITO or IZO. In this way, the board-side terminals 21 and 22, the wiring 23, and the terminals 31 and 32 can be simultaneously formed using the same material.

本実施形態における第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26の態様は、図4、図5(b)及び図5(c)に示した態様のいずれかと同じであるので、その説明は省略する。なお、本実施形態では、検査用バンプ対20に接触する端子31,32は透光性を有している。従って、検査用バンプ対20の接触面25,26を、透光性基板3の半導体装置2が実装される面と反対側(図6の紙面奥側)から、当該透光性基板3と端子31,32を通して観察することができる。   In the present embodiment, the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 are either of the forms shown in FIGS. 4, 5 (b) and 5 (c). Since it is the same, the description is abbreviate | omitted. In the present embodiment, the terminals 31 and 32 that are in contact with the inspection bump pair 20 are translucent. Accordingly, the contact surfaces 25 and 26 of the inspection bump pair 20 are connected to the translucent substrate 3 and the terminal from the side opposite to the surface on which the semiconductor device 2 of the translucent substrate 3 is mounted (the back side in FIG. 6). 31 and 32 can be observed.

本実施形態の検査用バンプ対20は、透光性の端子31,32に導電接続され、バンプ12と同様に半導体装置2を駆動するために用いることができる。こうすれば、検査用バンプ対20を、検査のためだけに用いる場合と異なって、半導体装置2に検査用バンプ対20を設けるための専用のスペースが必要なくなる。そのため、半導体装置2の小型化に寄与できる。また、検査用バンプ対20が接触するための領域を透光性基板3に設ける必要がなくなるので、透光性基板3の小型化にも寄与でき、ひいては実装構造体1の全体の小型化に寄与できる。   The inspection bump pair 20 of the present embodiment is conductively connected to the translucent terminals 31 and 32 and can be used to drive the semiconductor device 2 in the same manner as the bump 12. In this case, unlike the case where the inspection bump pair 20 is used only for inspection, a dedicated space for providing the inspection bump pair 20 in the semiconductor device 2 is not necessary. As a result, the semiconductor device 2 can be reduced in size. In addition, since it is not necessary to provide a region for contacting the inspection bump pair 20 in the translucent substrate 3, it is possible to contribute to the miniaturization of the translucent substrate 3, and consequently to the overall miniaturization of the mounting structure 1. Can contribute.

また、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、それらの幅W1,W2がバンプ12の幅W3と異なっているのであるが、それ以外の外観形状はバンプ12と同じである。また、透光性端子31,32は外観形状的に基板側端子21,22と同じである。そのため、検査用バンプ対20と透光性端子31,32とが接触して接触面25,26を形成する状態は、他の複数のバンプ12とそれらのバンプ12に個々に接触する基板側端子21,22とが接触して接触面24を形成する状態と実質的に同じである。そのような同じ接触状態である端子31,32が直接的な検査対象となるので、他の複数のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態により近い状態で検査することができ、実装状態の検査をより確実に行うことができる。   Further, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are different in width W1 and W2 from the width W3 of the bump 12, but the other external appearance is the same as the bump 12. The translucent terminals 31 and 32 are the same as the board-side terminals 21 and 22 in appearance. Therefore, the state in which the test bump pair 20 and the translucent terminals 31 and 32 are in contact with each other to form the contact surfaces 25 and 26 is a plurality of other bumps 12 and substrate-side terminals that are in contact with the bumps 12 individually. This is substantially the same as the state in which 21 and 22 come into contact with each other to form the contact surface 24. Since the terminals 31 and 32 having the same contact state are directly inspected, the inspection can be performed in a state closer to the contact state between the other plurality of bumps 12 and the board-side terminals 21 and 22, and mounting. A state check can be performed more reliably.

(実装構造体の第3実施形態)
次に、本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を説明する。図7は、本実施形態の実装構造体の全体的な構成を示す平面図である。図8は、図7の実装構造体を構成する半導体装置42を能動面側(図7の紙面奥側)から見た斜視図である。また、図9は、図7の矢印Z2で示す部分、すなわち、半導体装置2の能動面11aの隅部近傍を拡大して示している。なお、図9では、図7において透光性基板3の半導体装置42が実装される面S1と反対側(紙面奥側)から基板3の能動面を示している。また、図9では、主要構成を分かり易く示すために、手前側にある透光性基板3の透光性基材を鎖線で示し、当該透光性基材の奥側にある要素を実線で示している。図7に示す本実施形態は、図1に示す第1実施形態に対して、半導体装置のバンプと透光性基板の基板側端子の配置が異なっている。以下、第1実施形態と異なる点を中心として本実施形態を詳しく説明する。
(Third embodiment of mounting structure)
Next, still another embodiment of the mounting structure according to the present invention will be described. FIG. 7 is a plan view showing the overall configuration of the mounting structure of the present embodiment. FIG. 8 is a perspective view of the semiconductor device 42 constituting the mounting structure of FIG. 7 as viewed from the active surface side (the back side of the paper surface of FIG. 7). FIG. 9 is an enlarged view of the portion indicated by the arrow Z2 in FIG. 7, that is, the vicinity of the corner of the active surface 11a of the semiconductor device 2. In FIG. 9, the active surface of the substrate 3 is shown from the side opposite to the surface S1 on which the semiconductor device 42 of the translucent substrate 3 is mounted in FIG. Moreover, in FIG. 9, in order to show the main configuration in an easy-to-understand manner, the translucent substrate of the translucent substrate 3 on the near side is shown by a chain line, and the elements on the back side of the translucent substrate are shown by a solid line. Show. This embodiment shown in FIG. 7 differs from the first embodiment shown in FIG. 1 in the arrangement of the bumps of the semiconductor device and the substrate-side terminals of the translucent substrate. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with a focus on differences from the first embodiment.

図8において、半導体装置42は、基材11と、基材11の能動面上に設けられた複数のバンプ12と、基材11の4つの隅部の近傍に設けられた検査用バンプ対20とを有する。そして各検査用バンプ対20は、第1検査用バンプ18と、第2検査用バンプ19とを有する。バンプ12は、複数個が能動面11aの一方の長辺11bに沿って2列に並べて配置されている。また、バンプ12は、複数個が他方の長辺11cに沿って2列に並べて配置されている。すなわち、一方の長辺11bに沿って2列のバンプ列17a,17bが設けられ、他方の長辺11cに沿って2列のバンプ列17a,17bが設けられている。個々のバンプ12の構成は、図3に示す第1実施形態のものと同じである。すなわち、突起体14が長辺11b及び11cに沿って直線状に延在し、その突起体14上に複数の島状の導電膜15が等間隔に並べて形成されている。   In FIG. 8, the semiconductor device 42 includes a base material 11, a plurality of bumps 12 provided on the active surface of the base material 11, and an inspection bump pair 20 provided in the vicinity of four corners of the base material 11. And have. Each inspection bump pair 20 includes a first inspection bump 18 and a second inspection bump 19. Plural bumps 12 are arranged in two rows along one long side 11b of the active surface 11a. A plurality of bumps 12 are arranged in two rows along the other long side 11c. That is, two bump rows 17a and 17b are provided along one long side 11b, and two bump rows 17a and 17b are provided along the other long side 11c. The configuration of each bump 12 is the same as that of the first embodiment shown in FIG. That is, the protrusions 14 extend linearly along the long sides 11b and 11c, and a plurality of island-shaped conductive films 15 are formed on the protrusions 14 at regular intervals.

次に、図7において、透光性基板3の半導体装置42を実装する側(図7の紙面手前側)の面S1上に形成される基板側端子21,22は、対応する個々のバンプ12に合わせて配置されている。すなわち、能動面11aの一方の長辺11bに沿って2列に並べられたバンプ列17a,17bに対応して、入力用端子21が2列に並べて配置されている。一方、能動面11aの他方の長辺11cに沿って2列に並べられたバンプ列17a,17bに対応して、出力用端子22が2列に並べて配置されている。そして、配線23が、個々の端子21,22から延びるように基板3上に形成されている。   Next, in FIG. 7, the substrate-side terminals 21 and 22 formed on the surface S <b> 1 on the side where the semiconductor device 42 of the translucent substrate 3 is mounted (the front side in FIG. 7) are the corresponding individual bumps 12. It is arranged according to. That is, the input terminals 21 are arranged in two rows corresponding to the bump rows 17a and 17b arranged in two rows along one long side 11b of the active surface 11a. On the other hand, the output terminals 22 are arranged in two rows corresponding to the bump rows 17a and 17b arranged in two rows along the other long side 11c of the active surface 11a. A wiring 23 is formed on the substrate 3 so as to extend from the individual terminals 21 and 22.

図8において、検査用バンプ対20の第2検査用バンプ19は、能動面11aの隅部に最も近い位置、すなわち、長辺11bに近い方のバンプ列17aの両端部、及び長辺11cに近い方のバンプ列17aの両端部にそれぞれ配置されている。一方、第1検査用バンプ18は、長辺11bに近い方のバンプ列17aに隣接したバンプ列17bの両端部、及び長辺11cに近い方のバンプ列17aに隣接したバンプ列17bの両端部にそれぞれ配置されている。そして、第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とは、能動面11aの短辺11d及び短辺11eに沿って互いに隣接している。   In FIG. 8, the second inspection bump 19 of the inspection bump pair 20 is located at the position closest to the corner of the active surface 11a, that is, at both ends of the bump row 17a closer to the long side 11b and the long side 11c. They are arranged at both ends of the closer bump row 17a. On the other hand, the first inspection bump 18 includes both end portions of the bump row 17b adjacent to the bump row 17a closer to the long side 11b and both end portions of the bump row 17b adjacent to the bump row 17a closer to the long side 11c. Respectively. The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are adjacent to each other along the short side 11d and the short side 11e of the active surface 11a.

個々の第1検査用バンプ18の構成及び個々の第2検査用バンプ19の構成は、図3に示す第1実施形態のものと同じである。すなわち、図8において矢印Fで拡大して示すように、突起体14の表面に島状の導電膜15が形成された構成となっている。なお、本実施形態において、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19に対しては、電極パッド13は設けられていない。従って、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、半導体装置2内部の電子素子等とは導通せずに電気的に絶縁されている。   The configuration of the individual first inspection bumps 18 and the configuration of the individual second inspection bumps 19 are the same as those of the first embodiment shown in FIG. That is, as shown by an enlarged arrow F in FIG. 8, the island-shaped conductive film 15 is formed on the surface of the protrusion 14. In the present embodiment, the electrode pad 13 is not provided for the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19. Accordingly, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are electrically insulated without being electrically connected to the electronic elements or the like inside the semiconductor device 2.

一方のバンプ列17bに設けられた第1検査用バンプ18と他方のバンプ列17aに設けられた第2検査用バンプ19とは、導電膜15の大きさが互いに異なっている。具体的には、図9において、突起体14の中心線X0に沿った方向(すなわち、図の左右方向)に関して、第1検査用バンプ18の幅W1と第2検査用バンプ19の幅W2とが互いに異なっている。さらには、第2検査用バンプ19の幅W2は、第1検査用バンプ18の幅W1よりも広くなっている。そして、第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26とは、同じ押圧力の下で、互いに異なる形状となっている。本実施形態における第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26の態様は、第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とがそれぞれ異なるバンプ列に配設されていることを除いて、図4、図5(b)及び図5(c)に示した態様と同じであるので、その説明は省略する。   The first inspection bump 18 provided in one bump row 17b and the second inspection bump 19 provided in the other bump row 17a are different in size of the conductive film 15. Specifically, in FIG. 9, the width W1 of the first inspection bump 18 and the width W2 of the second inspection bump 19 with respect to the direction along the center line X0 of the protrusion 14 (that is, the horizontal direction in the figure). Are different from each other. Furthermore, the width W2 of the second inspection bump 19 is wider than the width W1 of the first inspection bump 18. The contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 have different shapes under the same pressing force. In this embodiment, the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 are arranged so that the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are arranged in different bump rows. Since it is the same as the aspect shown in FIG.4, FIG.5 (b) and FIG.5 (c) except being provided, the description is abbreviate | omitted.

本実施形態の半導体装置42では、図8に示すように、能動面11aの互いに対向する2つの端辺11b,11cのそれぞれに2列のバンプ列17a,17bを設けた。こうすれば、能動面11aの1つの辺に沿って1列の端子列を設ける場合に比べて、能動面11aの面積を変えることなく(すなわち、半導体装置42を大きくすることなく)、バンプ12の数を増やすことができる。バンプ12の数が増えることにより、半導体装置42を実装する透光性基板3の基板側端子21,22の数も増やすことができる。その結果、複数の基板側端子21,22から延びる配線23の数を増やすことができる。これにより、例えば、半導体装置42を液晶表示装置等の駆動用ICとして用いる場合に、その液晶表示装置等の表示の高精細化に寄与できる。なお、配線23の数が増えた場合にはそれらの配線23,23同士の間の距離(いわゆる配線ピッチ)が狭くなる。   In the semiconductor device 42 of the present embodiment, as shown in FIG. 8, two rows of bumps 17a and 17b are provided on each of two opposite sides 11b and 11c of the active surface 11a. In this way, the bump 12 can be formed without changing the area of the active surface 11a (that is, without increasing the size of the semiconductor device 42) as compared with the case where one terminal row is provided along one side of the active surface 11a. The number of can be increased. As the number of bumps 12 increases, the number of substrate-side terminals 21 and 22 of the translucent substrate 3 on which the semiconductor device 42 is mounted can also be increased. As a result, the number of wirings 23 extending from the plurality of substrate side terminals 21 and 22 can be increased. Thereby, for example, when the semiconductor device 42 is used as a driving IC for a liquid crystal display device or the like, it can contribute to high definition of the display of the liquid crystal display device or the like. In addition, when the number of the wirings 23 increases, the distance (what is called wiring pitch) between those wirings 23 and 23 becomes narrow.

また、本実施形態の半導体装置42では、第1検査用バンプ18を一方のバンプ列17bに設け、第2検査用バンプ19を他方のバンプ列17aに設けている。そして、それらの第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とは互いに隣接している。これらの構成により、2つのバンプ列17a,17bのそれぞれに設けられた複数のバンプ12に関して、導電膜15と基板側端子21,22との接触状態を第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19を介して間接的に検査することができる。また、バンプ列17aとバンプ列17bとの間隔は、一般に、1つのバンプ列内の端子間距離よりも広いので、第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とが同じバンプ列内で隣接する場合に比べて、隣接する第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19との間隔を広くすることができる。そのため、検査用バンプ対20を目視にて観察する際にそれらの相対的な関係が見易くなる。   In the semiconductor device 42 of the present embodiment, the first inspection bump 18 is provided in one bump row 17b, and the second inspection bump 19 is provided in the other bump row 17a. The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are adjacent to each other. With these configurations, the contact state between the conductive film 15 and the substrate-side terminals 21 and 22 with respect to the plurality of bumps 12 provided in each of the two bump rows 17a and 17b is changed to the first inspection bump 18 and the second inspection. The inspection can be performed indirectly through the bumps 19. In addition, since the distance between the bump row 17a and the bump row 17b is generally wider than the distance between terminals in one bump row, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are within the same bump row. Compared to the case of being adjacent, the distance between the adjacent first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 can be increased. Therefore, when the inspection bump pair 20 is visually observed, it becomes easy to see the relative relationship between them.

(実装構造体の第4実施形態)
次に、本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を説明する。図10は、本実施形態の実装構造体の全体的な構成を示す平面図である。図10の矢印Z2で示す部分は、基板側端子の構成を除いて、図7に示した第3実施形態と同じとすることができる。図7に示す第3実施形態では、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は透光性基板3の透光性基材に直接に接触して接触面を形成している。これに対し本実施形態では、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、透光性基板3の透光性基材上に設けられた透光性部材に接触している。以下、先の実施形態と異なる点を中心として本実施形態を詳しく説明する。
(Fourth Embodiment of Mounting Structure)
Next, still another embodiment of the mounting structure according to the present invention will be described. FIG. 10 is a plan view showing the overall configuration of the mounting structure according to the present embodiment. A portion indicated by an arrow Z2 in FIG. 10 can be the same as that of the third embodiment shown in FIG. 7 except for the configuration of the board-side terminal. In the third embodiment shown in FIG. 7, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are in direct contact with the translucent substrate of the translucent substrate 3 to form a contact surface. On the other hand, in the present embodiment, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are in contact with the translucent member provided on the translucent substrate of the translucent substrate 3. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with a focus on differences from the previous embodiment.

本実施形態では、図10に示すように、半導体装置42の四隅の近傍に第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とからなる検査用バンプ対20が設けられている。第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、他の多数のバンプ12と同様に半導体装置2内部の電子素子等に導電接続している。つまり、本実施形態の半導体装置42には、図8に矢印Fで拡大して示すバンプ12の電極パッド13が、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19に対しても設けられている。そして、図10に示すように、半導体装置42の四隅に設けられた第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19に対応する位置の透光性基板3上には、それぞれに配線23が接続された透光性部材としての入力用端子31及び出力用端子32が配設され、それらの端子31,32がそれら四隅の検査用バンプ対20の構成要素である導電膜15に面接触して導電接続されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 10, an inspection bump pair 20 including a first inspection bump 18 and a second inspection bump 19 is provided in the vicinity of the four corners of the semiconductor device 42. The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are conductively connected to an electronic element or the like in the semiconductor device 2 in the same manner as many other bumps 12. That is, in the semiconductor device 42 of the present embodiment, the electrode pads 13 of the bumps 12 which are enlarged by the arrow F in FIG. 8 are also provided for the first inspection bumps 18 and the second inspection bumps 19. Yes. As shown in FIG. 10, wirings 23 are respectively provided on the translucent substrate 3 at positions corresponding to the first inspection bumps 18 and the second inspection bumps 19 provided at the four corners of the semiconductor device 42. An input terminal 31 and an output terminal 32 serving as a translucent member connected to each other are disposed, and these terminals 31 and 32 are in surface contact with the conductive film 15 that is a component of the inspection bump pair 20 at the four corners. Are electrically connected.

入力用端子31及び出力用端子32は、複数のバンプ12に導電接続される端子21,22と同じ形状に形成されている。また、端子31,32は、透光性を有する導電材料、例えばITOやIZOを用いて形成されている。   The input terminal 31 and the output terminal 32 are formed in the same shape as the terminals 21 and 22 that are conductively connected to the plurality of bumps 12. The terminals 31 and 32 are formed using a light-transmitting conductive material such as ITO or IZO.

本実施形態における第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26の態様は、第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とがそれぞれ異なるバンプ列に配設されていることを除いて、図4、図5(b)及び図5(c)に示した態様と同じであるので、その説明は省略する。なお、本実施形態では、検査用バンプ対20に接触する端子31,32は透光性を有している。従って、検査用バンプ対20の接触面25,26を、透光性基板3の半導体装置2が実装される面と反対側(図10の紙面奥側)から、当該透光性基板3の透光性基材と端子31,32を通して観察することができる。   In this embodiment, the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 are arranged so that the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are arranged in different bump rows. Since it is the same as the aspect shown in FIG.4, FIG.5 (b) and FIG.5 (c) except being provided, the description is abbreviate | omitted. In the present embodiment, the terminals 31 and 32 that are in contact with the inspection bump pair 20 are translucent. Accordingly, the contact surfaces 25 and 26 of the inspection bump pair 20 are transmitted from the side opposite to the surface on which the semiconductor device 2 of the translucent substrate 3 is mounted (the back side of the paper surface in FIG. 10) of the translucent substrate 3. It can be observed through the optical substrate and the terminals 31 and 32.

本実施形態の検査用バンプ対20は、透光性の端子31,32に導電接続され、バンプ12と同様に半導体装置2の駆動に用いることができる。こうすれば、検査用バンプ対20を検査のためだけに用いる場合と異なって、半導体装置42に検査用バンプ対20を設けるための専用のスペースが必要なくなる。そのため、半導体装置42の小型化に寄与できる。また、透光性基板3に検査用バンプ対20が接触するための領域を設ける必要がなくなるので、透光性基板3の小型化にも寄与でき、ひいては実装構造体1の全体の小型化に寄与できる。   The inspection bump pair 20 of the present embodiment is conductively connected to the translucent terminals 31 and 32 and can be used for driving the semiconductor device 2 like the bump 12. In this case, unlike the case where the inspection bump pair 20 is used only for inspection, a dedicated space for providing the inspection bump pair 20 in the semiconductor device 42 is not necessary. As a result, the semiconductor device 42 can be reduced in size. Further, since it is not necessary to provide a region for contacting the inspection bump pair 20 on the translucent substrate 3, it is possible to contribute to the miniaturization of the translucent substrate 3, and consequently to the overall miniaturization of the mounting structure 1. Can contribute.

また、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、それらの幅W1,W2が導電接続用のバンプ12の幅W3と異なっているのであるが、それ以外の外観形状はバンプ12と同じである。また、透光性端子31,32は外観形状的に基板側端子21,22と同じである。そのため、検査用バンプ対20と透光性端子31,32とが接触して接触面25,26を形成する状態は、他の複数のバンプ12とそれらのバンプ12に個々に接触する基板側端子21,22とが接触して接触面24を形成する状態と実質的に同じである。そのような同じ接触状態である検査用バンプ対20と端子31,32が直接的な検査対象となるので、他の複数のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態により近い状態で検査することができ、実装状態の検査をより確実に行うことができる。   The first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are different in width W1 and W2 from the width W3 of the conductive connection bump 12, but the other external shapes are the same as those of the bump 12. The same. The translucent terminals 31 and 32 are the same as the board-side terminals 21 and 22 in appearance. Therefore, the state in which the test bump pair 20 and the translucent terminals 31 and 32 are in contact with each other to form the contact surfaces 25 and 26 is a plurality of other bumps 12 and substrate-side terminals that are in contact with the bumps 12 individually. This is substantially the same as the state in which 21 and 22 come into contact with each other to form the contact surface 24. Since the inspection bump pair 20 and the terminals 31 and 32 having the same contact state are directly inspected, the inspection is performed in a state closer to the contact state between the other plurality of bumps 12 and the substrate-side terminals 21 and 22. It is possible to perform the inspection of the mounting state more reliably.

(実装構造体の検査方法の実施形態)
次に、本実施形態の実装構造体の検査方法について説明する。本実施形態では、図1〜図3に示した構成の実装構造体の実装状態を検査する方法を例示する。
本実施形態の実装構造体の検査方法は、図2(a)に示すように半導体装置2を透光性基板3に実装した状態の実装構造体に対して、矢印C方向から透光性基板3を通して顕微鏡を用いた目視によって行われる。特に、図3(a)における基材11の4つの隅部に設けた検査用バンプ対20に対して行われる。具体的には、図1において検査用バンプ対20が設けられている4つの個所に着目し、第1検査用バンプ18の構成要素である導電膜15(図3(a)参照)と透光性基板3との接触面25(図4参照)の状態、及び第2検査用バンプ19の構成要素である導電膜15と透光性基板3との接触面26(図4参照)の状態を検査する。このときの接触面25と接触面26との相対的な形状に基づいて、複数のバンプ12とそれらの個々にそれぞれ接触する端子21,22との接触状態の良否、すなわち半導体装置2の透光性基板3への実装状態の良否を判定することができる。
(Embodiment of inspection method of mounting structure)
Next, a mounting structure inspection method according to this embodiment will be described. In the present embodiment, a method for inspecting the mounting state of the mounting structure having the configuration shown in FIGS.
As shown in FIG. 2A, the mounting structure inspection method of this embodiment is a transparent substrate from the direction of arrow C with respect to the mounting structure in a state where the semiconductor device 2 is mounted on the transparent substrate 3. 3 through the eyes using a microscope. In particular, this is performed on the inspection bump pairs 20 provided at the four corners of the substrate 11 in FIG. Specifically, paying attention to the four places where the inspection bump pairs 20 are provided in FIG. 1, the conductive film 15 (see FIG. 3A), which is a component of the first inspection bump 18, and the light transmission. The state of the contact surface 25 (see FIG. 4) with the conductive substrate 3 and the state of the contact surface 26 (see FIG. 4) between the conductive film 15 and the translucent substrate 3 which are constituent elements of the second inspection bump 19 are shown. inspect. Based on the relative shapes of the contact surface 25 and the contact surface 26 at this time, the contact state between the plurality of bumps 12 and the terminals 21 and 22 that are in contact with each of the bumps 12, respectively, that is, the light transmission of the semiconductor device 2 The quality of the mounting state on the conductive substrate 3 can be determined.

なお、図1において複数の導電接続用のバンプ12は、透光性基板3上に形成された基板側端子21又は基板側端子22の表面に接触している。これに対し、検査用バンプ対20は透光性基板3の透光性基材の表面に直接に接触している。従って、基板側端子21,22とバンプ12との接触状態と、透光性基板3と検査用バンプ対20との接触状態とは必ずしも一致しないことが考えられる。しかしながら、基板側端子21,22を構成する導電膜の膜厚は非常に薄いものであり、バンプ12の弾性変形の量と検査用バンプ対20の弾性変形の量との関係に影響を与える程のものではない。従って、検査用バンプ対20と透光性基板3との接触状態をもってバンプ12と基板側端子21,22との接触状態の良否判定を行うことは実用上何等の問題もない。   In FIG. 1, the plurality of conductive connection bumps 12 are in contact with the surface of the substrate-side terminal 21 or the substrate-side terminal 22 formed on the translucent substrate 3. In contrast, the inspection bump pair 20 is in direct contact with the surface of the translucent substrate of the translucent substrate 3. Therefore, it is conceivable that the contact state between the substrate-side terminals 21 and 22 and the bumps 12 does not necessarily match the contact state between the translucent substrate 3 and the inspection bump pair 20. However, the film thickness of the conductive film constituting the substrate-side terminals 21 and 22 is very thin and affects the relationship between the amount of elastic deformation of the bump 12 and the amount of elastic deformation of the inspection bump pair 20. Is not. Therefore, there is no practical problem in determining whether the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is good or bad with the contact state between the inspection bump pair 20 and the translucent substrate 3.

仮に基板側端子21,22が検査に影響を与えるほどの厚みを有している場合には、バンプ12と検査用バンプ18,19との変形量の差を補償することが望ましい。例えば、図4において、第1検査用パターン18の幅W1及び第2検査用パターン19の幅W2を適宜変更することによりバンプ12と検査用バンプ18,19との変形量の差を補償できる。   If the board-side terminals 21 and 22 have such a thickness that affects the inspection, it is desirable to compensate for the difference in deformation between the bump 12 and the inspection bumps 18 and 19. For example, in FIG. 4, the difference in deformation amount between the bump 12 and the inspection bumps 18 and 19 can be compensated by appropriately changing the width W1 of the first inspection pattern 18 and the width W2 of the second inspection pattern 19.

本実施形態の実装構造体の検査方法において、複数のバンプ12とそれらに接触する端子21,22との接触状態の良否を判定するには、第1検査用バンプ18の接触面25の形状と、第2検査用バンプ19の接触面26の形状とを比較する。具体的には、接触面25の形状と接触面26の形状とを透光性基板3を通して目視にて観察し、それらの形状の違いから良否判定を行う。その良否判定は、例えば、接触面25と接触面26との間における長方形状の長辺の延在方向の違い、長方形状であるか正方形状であるかの違い、幅と接触長さとの関係等を基にして判定できる。その具体的な判定基準である(判定基準1)〜(判定基準5)について以下に説明する。   In the mounting structure inspection method according to the present embodiment, in order to determine whether or not the contact state between the plurality of bumps 12 and the terminals 21 and 22 contacting them is good, the shape of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and The shape of the contact surface 26 of the second inspection bump 19 is compared. Specifically, the shape of the contact surface 25 and the shape of the contact surface 26 are visually observed through the translucent substrate 3, and the quality is determined from the difference between the shapes. The pass / fail judgment is made, for example, by the difference in the extending direction of the long side of the rectangular shape between the contact surface 25 and the contact surface 26, the difference between the rectangular shape or the square shape, and the relationship between the width and the contact length. It can be determined based on the above. Specific determination criteria (determination criterion 1) to (determination criterion 5) will be described below.

(判定基準1)
第1検査用バンプ18の幅W1と、第2検査用バンプ19の幅W2と、接触面25,26の接触長さLとの関係が
L>W1
であり、且つ
L≦W2
であるとき、半導体装置2の実装状態を正常と判定する。なお、図4ではL>W1,L<W2の状態を示しており、L=W2となるのは第2検査用バンプ19の接触面26が正方形となるときである。
(判定基準2)
第1検査用バンプ18の幅W1と、第2検査用バンプ19の幅W2と、接触面25,26の接触長さLとの関係が
L≧W1
であり、且つ
L<W2
であるとき、半導体装置2の実装状態を正常と判定する。なお、図4ではL>W1,L<W2の状態を示しており、L=W1となるのは第1検査用バンプ18の接触面25が正方形となるときである。
(Criteria 1)
The relationship between the width W1 of the first inspection bump 18, the width W2 of the second inspection bump 19, and the contact length L of the contact surfaces 25 and 26 is as follows.
L> W1
And
L ≦ W2
When it is, it determines with the mounting state of the semiconductor device 2 being normal. FIG. 4 shows a state of L> W1, L <W2, and L = W2 is when the contact surface 26 of the second inspection bump 19 is square.
(Criteria 2)
The relationship between the width W1 of the first inspection bump 18, the width W2 of the second inspection bump 19, and the contact length L of the contact surfaces 25 and 26 is as follows.
L ≧ W1
And
L <W2
When it is, it determines with the mounting state of the semiconductor device 2 being normal. FIG. 4 shows a state of L> W1, L <W2, and L = W1 is when the contact surface 25 of the first inspection bump 18 is square.

(判定基準3)
図4に示すように、第1検査用バンプ18の接触面25の長辺の延在方向(図4の上下方向)と第2検査用バンプ19の接触面26の長辺の延在方向(図4の左右方向)とが異なるとき半導体装置2の実装状態を正常と判定する。
(判定基準4)
第1検査用バンプ18の接触面25の長辺の延在方向と第2検査用バンプ19の接触面26の長辺の延在方向とが同じとき、半導体装置2の実装状態を不良と判定する。
(判定基準5)
第1検査用バンプ18の接触面25又は第2検査用バンプ19の接触面26のいずれか一方が正方形であるとき、半導体装置2の実装状態を正常と判定する。
(Criteria 3)
As shown in FIG. 4, the extending direction of the long side of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 (vertical direction in FIG. 4) and the extending direction of the long side of the contact surface 26 of the second inspection bump 19 ( When it is different from the left-right direction in FIG.
(Criteria 4)
When the extending direction of the long side of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the extending direction of the long side of the contact surface 26 of the second inspection bump 19 are the same, the mounting state of the semiconductor device 2 is determined to be defective. To do.
(Criteria 5)
When one of the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 is square, the mounting state of the semiconductor device 2 is determined to be normal.

本実施形態の実装構造体の検査方法では、図4に示すように、透光性基板3を通して第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26の形状を目視にて確認し、上記の(判定基準1)〜(判定基準5)のいずれかを用いて判定することにより、個々のバンプ12とそれに対応する基板側端子21,22の接触状態を非常に容易に判定できる。そして、図1に示す4箇所全ての検査用バンプ対20において、接触状態が正常であると判定されることにより、半導体装置2の実装状態が正常であると判定することができる。仮に、4箇所のうちの1箇所でも検査用バンプ対20の接触状態が不良であると判定された場合には、半導体装置2が透光性基板3上の所定位置から平面的にずれていたり、半導体装置2が基板3の実装面に対して傾いていることが考えられるので、半導体装置2の実装状態を不良であると判定することができる。この場合には、半導体装置2及びNCF4を透光性基板3から剥離して、再度、位置合わせ等を行った上で実装すること、いわゆるリワークを行うことができる。   In the mounting structure inspection method of this embodiment, as shown in FIG. 4, the shapes of the contact surfaces 25 of the first inspection bumps 18 and the contact surfaces 26 of the second inspection bumps 19 are visually observed through the translucent substrate 3. The contact state of each bump 12 and the corresponding board-side terminals 21 and 22 is very easy by making a determination using any one of the above (determination criteria 1) to (determination criteria 5). Can be determined. Then, it is possible to determine that the mounting state of the semiconductor device 2 is normal by determining that the contact state is normal in all of the four inspection bump pairs 20 illustrated in FIG. If it is determined that the contact state of the inspection bump pair 20 is poor even at one of the four locations, the semiconductor device 2 may be displaced in plan from a predetermined position on the translucent substrate 3. Since the semiconductor device 2 may be inclined with respect to the mounting surface of the substrate 3, the mounting state of the semiconductor device 2 can be determined to be defective. In this case, the semiconductor device 2 and the NCF 4 can be peeled off from the light-transmitting substrate 3 and re-positioning can be performed after so-called rework.

以下、上記の(判定基準1)〜(判定基準5)を用いて行われる実装状態の良否判定の具体的な判定例を、図4、図5及び図11を用いて説明する。
なお、図4、図5(b)及び図5(c)は、図1のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態が正常であるときの、第1検査用バンプ18の接触面25及び第2検査用バンプ19の接触面26の状態を示している。
Hereinafter, a specific determination example of the quality determination of the mounting state performed using the above (determination criterion 1) to (determination criterion 5) will be described with reference to FIGS. 4, 5, and 11.
4, FIG. 5 (b) and FIG. 5 (c) are contact surfaces of the first inspection bump 18 when the contact state between the bump 12 and the substrate side terminals 21 and 22 in FIG. 1 is normal. 25 and the state of the contact surface 26 of the second inspection bump 19 are shown.

まず、第1の判定例に関して説明する。図5(a)において、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19は、特に突起体14が変形した状態で透光性基板3に接触している。これを矢印C方向から透光性基板3を通して見た場合、図4に示すように、第1検査用バンプ18の接触面25は、鎖線X0で示す突起体14の延在方向(図の左右方向)に沿った辺25aを短辺とする長方形状になっている。一方、第2検査用バンプ19の接触面26は、鎖線X0で示す突起体14の延在方向に沿った辺26aを長辺とする長方形状になっている。すなわち、接触面25の縦方向の幅が長辺となり、接触面26は接触面25とは異なる方向、すなわち横方向の幅が長辺となっている。この場合は、既述の(判定基準3)に適合するので、図1のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態は正常であると判定できる。   First, the first determination example will be described. In FIG. 5A, the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are in contact with the translucent substrate 3 particularly in a state where the protrusions 14 are deformed. When this is viewed through the translucent substrate 3 from the direction of the arrow C, as shown in FIG. 4, the contact surface 25 of the first inspection bump 18 is in the extending direction of the protrusions 14 indicated by the chain line X0 (left and right in the figure). The rectangular shape has a side 25a along the direction) as a short side. On the other hand, the contact surface 26 of the second inspection bump 19 has a rectangular shape having a side 26a along the extending direction of the protrusion 14 indicated by a chain line X0 as a long side. That is, the longitudinal width of the contact surface 25 is a long side, and the contact surface 26 is a direction different from the contact surface 25, that is, the lateral width is a long side. In this case, since it matches the above-mentioned (determination criterion 3), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate side terminals 21 and 22 in FIG. 1 is normal.

また、図4における第1検査用バンプ18の幅W1と接触面25の接触長さLとの関係は、
L>W1
となっている。すなわち、接触面25の接触長さLが当該接触長さLの許容最小長さより長くなっている。一方、第2検査用バンプ19の幅W2と接触面26の接触長さLとの関係は、
L<W2
となっている。すなわち、接触面26の接触長さLが当該接触長さLの許容最大長さより短くなっている。この場合は、既述の(判定基準1)に適合するので、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は正常であると判定できる。
Further, the relationship between the width W1 of the first inspection bump 18 and the contact length L of the contact surface 25 in FIG.
L> W1
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 25 is longer than the allowable minimum length of the contact length L. On the other hand, the relationship between the width W2 of the second inspection bump 19 and the contact length L of the contact surface 26 is:
L <W2
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 26 is shorter than the allowable maximum length of the contact length L. In this case, since it conforms to the aforementioned (determination criterion 1), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is normal.

次に、第2の判定例に関して、図5(b)を用いて説明する。図5(b)は、図4の場合に比べて半導体装置2の実装時の押圧力が強い場合を例示している。第1検査用バンプ18の接触面25は、辺25aを短辺とする(すなわち、縦方向の幅が長辺である)長方形状になっている。一方、第2検査用バンプ19の接触面26は正方形状(すなわち、縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さ)になっている。この場合は、既述の(判定基準5)に適合するので、図1のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態は正常であると判定できる。   Next, a second determination example will be described with reference to FIG. FIG. 5B illustrates a case where the pressing force when mounting the semiconductor device 2 is stronger than in the case of FIG. The contact surface 25 of the first inspection bump 18 has a rectangular shape in which the side 25a is a short side (that is, the vertical width is a long side). On the other hand, the contact surface 26 of the second inspection bump 19 has a square shape (that is, the length in the vertical direction is the same as the width in the horizontal direction). In this case, since it conforms to the aforementioned (determination criterion 5), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate side terminals 21 and 22 in FIG. 1 is normal.

また、図5(b)における第1検査用バンプ18の幅W1と接触面25の接触長さLとの関係は、
L>W1
となっている。すなわち、接触面25の接触長さLが当該接触長さLの許容最小長さより長くなっている。一方、第2検査用バンプ19の幅W2と接触面26の接触長さLとの関係は、
L=W2
となっている。これは、接触面26の接触長さLが当該接触長さLの許容最大長さと一致している。この場合は、既述の(判定基準1)に適合するので、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は正常であると判定できる。
Also, the relationship between the width W1 of the first inspection bump 18 and the contact length L of the contact surface 25 in FIG.
L> W1
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 25 is longer than the allowable minimum length of the contact length L. On the other hand, the relationship between the width W2 of the second inspection bump 19 and the contact length L of the contact surface 26 is:
L = W2
It has become. This is because the contact length L of the contact surface 26 matches the allowable maximum length of the contact length L. In this case, since it conforms to the aforementioned (determination criterion 1), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is normal.

次に、第3の判定例に関して、図5(c)を用いて説明する。図5(c)は、図4の場合に比べて半導体装置2の実装時の押圧力が弱い場合を例示している。第1検査用バンプ18の接触面25は正方形状(すなわち、縦方向の幅と横方向の幅が同じ長さ)になっている。一方、第2検査用バンプ19の接触面26は、鎖線X0で示す突起体14の延在方向に沿った辺26aを長辺とする(すなわち、縦方向の幅が長辺である)長方形状になっている。この場合は、既述の(判定基準5)に適合するので、図1のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態は正常であると判定できる。   Next, a third determination example will be described with reference to FIG. FIG. 5C illustrates a case where the pressing force at the time of mounting the semiconductor device 2 is weaker than in the case of FIG. The contact surface 25 of the first inspection bump 18 has a square shape (that is, the length in the vertical direction is the same as the width in the horizontal direction). On the other hand, the contact surface 26 of the second inspection bump 19 has a rectangular shape in which the side 26a along the extending direction of the protrusion 14 indicated by the chain line X0 is a long side (that is, the vertical width is the long side). It has become. In this case, since it conforms to the aforementioned (determination criterion 5), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate side terminals 21 and 22 in FIG. 1 is normal.

また、図5(c)における第1検査用バンプ18の幅W1と接触面25の接触長さLとの関係は、
L=W1
となっている。すなわち、接触面25の接触長さLが当該接触長さLの許容最小長さと等しくなっている。一方、第2検査用バンプ19の幅W2と接触面26の接触長さLとの関係は、
L<W2
となっている。すなわち、接触面26の接触長さLが当該接触長さLの許容最大長さより短くなっている。この場合は、既述の(判定基準2)に適合するので、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は正常であると判定できる。
Further, the relationship between the width W1 of the first inspection bump 18 and the contact length L of the contact surface 25 in FIG.
L = W1
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 25 is equal to the allowable minimum length of the contact length L. On the other hand, the relationship between the width W2 of the second inspection bump 19 and the contact length L of the contact surface 26 is:
L <W2
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 26 is shorter than the allowable maximum length of the contact length L. In this case, since it conforms to the above-mentioned (determination criterion 2), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 is normal.

次に、図11(a)及び図11(b)は、検査用バンプ対20と透光性基板3の透光性基材との接触部分を、図5(a)の矢印C方向から透光性基材を通して見た状態を示している。なお、図11(a)と図11(b)とは、図5(a)の半導体装置2の実装状態が異なる状態をそれぞれ示している。また、図11(a)及び図11(b)では、要部を見易く示すために、手前側にある透光性基板3を鎖線で示し、当該透光性基板3の奥側にある検査用バンプ対20及びそれに含まれる突起体14を実線で示している。   Next, FIG. 11A and FIG. 11B show the contact portion between the inspection bump pair 20 and the translucent substrate of the translucent substrate 3 from the direction of arrow C in FIG. The state seen through the light base material is shown. FIG. 11A and FIG. 11B show states in which the mounting state of the semiconductor device 2 in FIG. 5A is different. Further, in FIGS. 11A and 11B, the transparent substrate 3 on the near side is indicated by a chain line in order to show the main part in an easy-to-see manner, and for inspection on the back side of the transparent substrate 3. The bump pair 20 and the protrusions 14 included therein are indicated by solid lines.

まず、第4の判定例に関して、図11(a)を用いて説明する。第1検査用バンプ18の接触面25は、鎖線X0で示す突起体14の延在方向(図の左右方向)に沿った辺25aを短辺とする長方形状になっている。一方、第2検査用バンプ19の接触面26は、鎖線X0で示す突起体14の延在方向に沿った辺26aを短辺とする長方形状になっている。すなわち、接触面25と接触面26とは、長方形の長辺の方向が同じである。この場合は、既述の(判定基準4)に適合するので、図1のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態は不良であると判定できる。   First, the fourth determination example will be described with reference to FIG. The contact surface 25 of the first inspection bump 18 has a rectangular shape with a side 25a along the extending direction (left-right direction in the drawing) of the protrusion 14 indicated by a chain line X0 as a short side. On the other hand, the contact surface 26 of the second inspection bump 19 has a rectangular shape having a side 26a along the extending direction of the protrusion 14 indicated by a chain line X0 as a short side. That is, the contact surface 25 and the contact surface 26 have the same direction of the long side of the rectangle. In this case, since it matches the above-mentioned (determination criterion 4), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 in FIG.

また、図11(a)における第1検査用バンプ18の幅W1と接触面25の接触長さLとの関係は、
L>W1
となっている。すなわち、接触面25の接触長さLが当該接触長さLの許容最小長さより長くなっている。一方、第2検査用バンプ19の幅W2と接触面26の接触長さLとの関係は、
L>W2
となっている。すなわち、接触面26の接触長さLが当該接触長さLの許容最大長さより長くなっている。この場合は、(判定基準1)及び(判定基準2)のいずれにも適合しないので、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は不良であると判定できる。
Further, the relationship between the width W1 of the first inspection bump 18 and the contact length L of the contact surface 25 in FIG.
L> W1
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 25 is longer than the allowable minimum length of the contact length L. On the other hand, the relationship between the width W2 of the second inspection bump 19 and the contact length L of the contact surface 26 is:
L> W2
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 26 is longer than the allowable maximum length of the contact length L. In this case, since neither of the (judgment criterion 1) and the (judgment criterion 2) is met, it can be determined that the contact state between the bump 12 and the board-side terminals 21 and 22 is defective.

次に、第5の判定例に関して、図11(b)を用いて説明する。第1検査用バンプ18の接触面25は、鎖線X0で示す突起体14の延在方向(図の左右方向)に沿った辺25aを長辺とする長方形状になっている。一方、第2検査用バンプ19の接触面26は、鎖線で示す突起体14の延在方向に沿った辺26aを長辺とする長方形状になっている。すなわち、接触面25と接触面26とは、長方形の長辺の方向が同じである。この場合は、既述の(判定基準4)に適合するので、図1のバンプ12と基板側端子21,22との接触状態は不良であると判定できる。   Next, a fifth determination example will be described with reference to FIG. The contact surface 25 of the first inspection bump 18 has a rectangular shape with a side 25a along the extending direction (left and right direction in the figure) of the protrusion 14 indicated by a chain line X0 as a long side. On the other hand, the contact surface 26 of the second inspection bump 19 has a rectangular shape having a side 26a along the extending direction of the protrusion 14 indicated by a chain line as a long side. That is, the contact surface 25 and the contact surface 26 have the same direction of the long side of the rectangle. In this case, since it matches the above-mentioned (determination criterion 4), it can be determined that the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 in FIG.

また、図11(b)における第1検査用バンプ18の幅W1と接触面25の接触長さLとの関係は、
L<W1
となっている。すなわち、接触面25の接触長さLが当該接触長さLの許容最小長さより短くなっている。一方、第2検査用バンプ19の幅W2と接触面26の接触長さLとの関係は、
L<W2
となっている。すなわち、接触面26の接触長さLが当該接触長さLの許容最大長さより短くなっている。この場合は、(判定基準1)及び(判定基準2)のいずれにも適合しないので、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態は不良であると判定できる。
Further, the relationship between the width W1 of the first inspection bump 18 and the contact length L of the contact surface 25 in FIG.
L <W1
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 25 is shorter than the allowable minimum length of the contact length L. On the other hand, the relationship between the width W2 of the second inspection bump 19 and the contact length L of the contact surface 26 is:
L <W2
It has become. That is, the contact length L of the contact surface 26 is shorter than the allowable maximum length of the contact length L. In this case, since neither of the (judgment criterion 1) and the (judgment criterion 2) is met, it can be determined that the contact state between the bump 12 and the board-side terminals 21 and 22 is defective.

以上のように、上記の第1〜第5の判定例では、第1検査用バンプ18の接触面25と第2検査用バンプ19の接触面26との形状の違いを人間の目視によって観察し、その形状の違いが(判定基準1)〜(判定基準5)のうちのいずれにあてはまるかを判断する。この判断により、バンプ12と基板側端子21,22との接触状態の良否を簡単且つ明確に判定することができる。   As described above, in the first to fifth determination examples, the difference in shape between the contact surface 25 of the first inspection bump 18 and the contact surface 26 of the second inspection bump 19 is observed by human eyes. Then, it is determined which of the determination criteria (determination criterion 1) to (determination criterion 5) is applicable. This determination makes it possible to easily and clearly determine the quality of the contact state between the bump 12 and the substrate-side terminals 21 and 22.

ところで、従来の実装構造体の検査方法では、バンプと基板側端子との接触状態を確認するための検査装置を、高度な機能を有するカメラ、微分干渉顕微鏡及びそれらを制御するコンピュータ等を用いて構成し、その検査装置を用いて半導体装置の実装状態を判定していた。しかしながら、このような検査装置を構成するカメラ等は高価であり、そのカメラを有した検査装置も高価であった。それ故、カメラを用いた従来の実装構造体の検査方法を半導体装置の実装方法に導入した場合には、その半導体装置の実装方法の全体のコストが増加するという問題があった。   By the way, in the conventional inspection method of the mounting structure, an inspection device for confirming the contact state between the bump and the board side terminal is used by using a camera having a high function, a differential interference microscope, a computer for controlling them, and the like. And the mounting state of the semiconductor device is determined using the inspection apparatus. However, a camera or the like constituting such an inspection apparatus is expensive, and an inspection apparatus having the camera is also expensive. Therefore, when a conventional mounting structure inspection method using a camera is introduced into a semiconductor device mounting method, there is a problem that the overall cost of the semiconductor device mounting method increases.

これに対し、本実施形態では、図1に示すように、半導体装置2のうちの透光性基板3に対向する側の面である能動面11aに第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19とが一組になった検査用バンプ対20を設けた。そして、その検査用バンプ対20を用いて、複数のバンプ12とそれらに個々に接触する基板側端子21,22との接触状態を検査することにした。第1検査用バンプ18は、透光性基板3の透光性基材と接触して接触面25を形成する。一方、第2検査用バンプ19は透光性基板3の透光性基材と接触して接触面26を形成する。それらの接触面25,26は、透光性基板3のうちの半導体装置2が実装された側と反対側(すなわち、図1の紙面奥側)から、当該透光性基板3を通して観察することができる。図4において、第1検査用バンプ18の幅W1と第2検査用バンプ19の幅W2とは互いに異なっているので、接触面25と接触面26との形状が異なる。それら接触面25と接触面26との相対的な形状の違いを人間の目視にて確認することにより、導電膜15と基板側端子21,22との接触状態の良否判定を簡単且つ明確に行うことができる。その結果、高度なカメラ等を備えた検査装置を用いて検査する場合に比べて、検査に掛かるコストを著しく低減でき、ひいては実装工程全体のコストを低く抑えることができる。   On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 1, the first inspection bump 18 and the second inspection bump are formed on the active surface 11a which is the surface of the semiconductor device 2 on the side facing the translucent substrate 3. A pair of inspection bumps 20 in which the bumps 19 were paired with each other was provided. The inspection bump pair 20 is used to inspect the contact state between the plurality of bumps 12 and the substrate-side terminals 21 and 22 that individually contact them. The first inspection bump 18 is in contact with the translucent substrate of the translucent substrate 3 to form the contact surface 25. On the other hand, the second inspection bump 19 is in contact with the translucent substrate of the translucent substrate 3 to form the contact surface 26. The contact surfaces 25 and 26 are observed through the translucent substrate 3 from the side of the translucent substrate 3 opposite to the side on which the semiconductor device 2 is mounted (that is, the back side in FIG. 1). Can do. In FIG. 4, since the width W1 of the first inspection bump 18 and the width W2 of the second inspection bump 19 are different from each other, the shapes of the contact surface 25 and the contact surface 26 are different. By checking the relative shape difference between the contact surface 25 and the contact surface 26 with human eyes, it is possible to easily and clearly determine whether or not the contact state between the conductive film 15 and the substrate-side terminals 21 and 22 is good. be able to. As a result, the cost required for the inspection can be significantly reduced as compared with the case where the inspection is performed using an inspection apparatus equipped with an advanced camera or the like, and as a result, the cost of the entire mounting process can be kept low.

(実装構造体及びその検査方法のその他の実施形態)
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の各実施形態では、第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19に、通常の導電接続用のバンプ12と同じく導電膜15を金属膜として設けている。しかしながら、第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19には金属膜を必ずしも設けなくても良い。ただし、金属膜15を設けない場合には、その金属膜15の膜厚分だけ、バンプ12と第1検査用バンプ18の間、及びバンプ12と第2検査用バンプ19との間で変形量に差が生じる可能性がある。そのため、バンプの変形量の差を補償することが必要である。例えば、金属膜15を設けた図4の実施形態に対して、第1検査用バンプ18の幅W1と第2検査用バンプ19の幅W2を変更することにより変形量の差を補償できる。
(Other embodiment of mounting structure and its inspection method)
The present invention has been described with reference to the preferred embodiments. However, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims.
For example, in each of the above-described embodiments, the conductive film 15 is provided as a metal film on the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 in the same manner as the normal conductive connection bump 12. However, the metal film is not necessarily provided on the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19. However, when the metal film 15 is not provided, the amount of deformation between the bump 12 and the first inspection bump 18 and between the bump 12 and the second inspection bump 19 is equal to the thickness of the metal film 15. There may be a difference in Therefore, it is necessary to compensate for the difference in the deformation amount of the bump. For example, with respect to the embodiment of FIG. 4 in which the metal film 15 is provided, the difference in deformation can be compensated by changing the width W1 of the first inspection bump 18 and the width W2 of the second inspection bump 19.

また、上記の各実施形態では、図1に示すように、半導体装置2の能動面11aの四隅に最も近い位置に検査用バンプ対20を配設している。しかしながら、検査用バンプ対20は能動面11aの平面内の少なくとも1箇所に配設されていれば良い。また、2箇所以上の複数箇所に設ける場合には、例えば、半導体装置2の能動面11aの対角2箇所でも良いし、能動面11aの四隅に最も近い位置と能動面11aの長辺11b,11cの中心の2箇所とを合わせた6箇所に設けても良い。   Further, in each of the above embodiments, as shown in FIG. 1, the inspection bump pair 20 is disposed at a position closest to the four corners of the active surface 11 a of the semiconductor device 2. However, the inspection bump pair 20 may be disposed at least at one place in the plane of the active surface 11a. Moreover, when providing in two or more places, two diagonal positions of the active surface 11a of the semiconductor device 2 may be sufficient, for example, the position nearest to the four corners of the active surface 11a and the long side 11b of the active surface 11a, You may provide in six places combining the two places of the center of 11c.

(電気光学装置の実施形態)
次に、本発明に係る電気光学装置の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図12は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置100を模式的に示す平面図である。本実施形態の液晶装置100は、透過型でカラー表示が可能なアクティブマトリクス方式の液晶パネルを備えた液晶装置である。また、スイッチング素子としては、アモルファスシリコンTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)素子を用いている。
(Embodiment of electro-optical device)
Next, an embodiment of the electro-optical device according to the invention will be described. In addition, this embodiment shows an example of this invention and this invention is not limited to this embodiment. FIG. 12 is a plan view schematically showing a liquid crystal device 100 which is an embodiment of the electro-optical device according to the invention. The liquid crystal device 100 of the present embodiment is a liquid crystal device including an active matrix type liquid crystal panel capable of color display that is transmissive. As the switching element, an amorphous silicon TFT (Thin Film Transistor) element is used.

液晶装置100は、電気光学パネルとしての液晶パネル101と、その液晶パネル101の表示面側と反対側に設けられた照明装置(図示せず)とを有している。液晶パネル101は、紙面奥側に配置された透光性基材としての素子基板102と、その素子基板102に対向して紙面手前側に配置されたカラーフィルタ基板103とをそれらの周囲で枠状のシール材104によって貼り合せて形成されている。素子基板102とカラーフィルタ基板103の間であってシール材104で囲まれた領域内には、例えばTN(Twisted Nematic)モード等の液晶が封入されて液晶層が形成されている。   The liquid crystal device 100 includes a liquid crystal panel 101 as an electro-optical panel, and an illumination device (not shown) provided on the side opposite to the display surface side of the liquid crystal panel 101. The liquid crystal panel 101 includes a device substrate 102 as a translucent substrate disposed on the back side of the paper and a color filter substrate 103 disposed on the front side of the paper so as to face the device substrate 102 around the frame. Are formed by sticking together with a sealing material 104 in the form of a plate. In a region between the element substrate 102 and the color filter substrate 103 and surrounded by the sealing material 104, for example, a liquid crystal layer such as a TN (Twisted Nematic) mode is sealed to form a liquid crystal layer.

本実施形態では、観察側(紙面手前側)にカラーフィルタ基板103が配置され、観察側から見て背面側(紙面奥側)に素子基板102が配置されている。従って、照明装置は図12で素子基板102に対向して紙面奥側に配置されている。なお、図12では、奥側の素子基板102の内部構造を見易く示すため、手前側のカラーフィルタ基板103の一部を破断して示している。   In this embodiment, the color filter substrate 103 is disposed on the observation side (front side of the paper), and the element substrate 102 is disposed on the back side (back side of the paper surface) as viewed from the observation side. Accordingly, the lighting device is disposed on the back side of the drawing in FIG. In FIG. 12, a part of the color filter substrate 103 on the front side is shown in a cutaway manner so that the internal structure of the element substrate 102 on the back side can be easily seen.

まず、素子基板102の構成について説明する。素子基板102は、観察側から平面的に見て長方形状又は正方形状の第1透光性基材102aを有する。この第1透光性基材102aは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第1透光性基材102aの外側(すなわち、紙面奥側)の表面には、偏光層等といった光学要素(図示せず)が必要に応じて設けられている。第1透光性基材102aの内側(液晶層側)面には、主に、ソース線111、ゲート線112、TFT素子113、画素電極114等が、それぞれ、複数形成されている。   First, the configuration of the element substrate 102 will be described. The element substrate 102 includes a first light-transmitting substrate 102a having a rectangular shape or a square shape when viewed in plan from the observation side. The first translucent substrate 102a is formed of translucent glass, translucent plastic, or the like, for example. An optical element (not shown) such as a polarizing layer is provided on the outer surface (that is, the back side of the paper) of the first light-transmitting substrate 102a as necessary. A plurality of source lines 111, gate lines 112, TFT elements 113, pixel electrodes 114, and the like are mainly formed on the inner (liquid crystal layer side) surface of the first translucent substrate 102a.

各ソース線111は列方向Y(すなわち、図12の上下方向)に延びている。また、各ゲート線112が行方向X(すなわち、図12の左右方向)に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるTFT素子113がソース線111及びゲート線112に接続して形成されている。ソース線111、ゲート線112、及び画素電極114は、それぞれ、TFT素子113のソース、ゲート、及びドレインに接続されている。なお、ソース線111は、TFT素子113にデータ信号を伝送するデータ線として機能する。一方、ゲート線112は、TFT素子113に走査信号を伝送する走査線として機能する。   Each source line 111 extends in the column direction Y (that is, the vertical direction in FIG. 12). Each gate line 112 extends in the row direction X (that is, the left-right direction in FIG. 12). A TFT element 113 which is an active element functioning as a switching element is formed connected to the source line 111 and the gate line 112. The source line 111, the gate line 112, and the pixel electrode 114 are connected to the source, gate, and drain of the TFT element 113, respectively. The source line 111 functions as a data line that transmits a data signal to the TFT element 113. On the other hand, the gate line 112 functions as a scanning line for transmitting a scanning signal to the TFT element 113.

一方、素子基板102に対向するカラーフィルタ基板103は、観察側から平面的に見て長方形状又は正方形状の第2透光性基材103aを有する。この第2透光性基材103aは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。この第2透光性基材103aの外側(すなわち、紙面手前側)の表面には、偏光層等といった光学要素(図示せず)が必要に応じて設けられている。第2透光性基材103aの内側(液晶層側)面には、例えば格子状の遮光層(図示せず)、着色層125及び共通電極126が設けられている。   On the other hand, the color filter substrate 103 opposed to the element substrate 102 has a second light-transmitting substrate 103a having a rectangular or square shape when viewed in plan from the observation side. The second translucent base material 103a is formed of, for example, translucent glass, translucent plastic, or the like. An optical element (not shown) such as a polarizing layer is provided on the outer surface (that is, the front side of the paper) of the second translucent substrate 103a as necessary. On the inner side (liquid crystal layer side) surface of the second translucent substrate 103a, for example, a lattice-shaped light shielding layer (not shown), a colored layer 125, and a common electrode 126 are provided.

着色層125の個々はR(赤)、G(緑)、B(青)の1つを通過させる光学的特性に設定され、それらR,G,Bの着色層125が平面的に見て所定の配列、本実施形態ではストライプ配列で並べられている。遮光層は、異なる色の着色層125を重ねたり、あるいは、所定の材料(例えば、Cr)によって形成される。   Each of the colored layers 125 is set to an optical characteristic that allows one of R (red), G (green), and B (blue) to pass therethrough, and the colored layers 125 of R, G, and B are predetermined in plan view. These are arranged in a stripe arrangement in this embodiment. The light shielding layer is formed by overlapping colored layers 125 of different colors or by using a predetermined material (for example, Cr).

共通電極126は、カラーフィルタ基板103の表面の略全域に設けられている。一方、素子基板102上に設けられた複数の画素電極114は平面的に見て行方向X及び列方向Yに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極114とカラーフィルタ基板103上に設けられた共通電極126とは、平面的に見て複数のドット状(すなわち島状)の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のための単位領域であるサブ画素Pを形成している。そして、複数のサブ画素Pが行方向X及び列方向Yにマトリクス状に並ぶことにより長方形状又は正方形状の有効表示領域Vが形成され、この有効表示領域V内に文字、数字、図形等といった像が表示される。有効表示領域Vは共通電極126と略等しい面積であるので、図では共通電極126と同じ線で示している。   The common electrode 126 is provided over substantially the entire surface of the color filter substrate 103. On the other hand, the plurality of pixel electrodes 114 provided on the element substrate 102 are arranged in a matrix along the row direction X and the column direction Y as viewed in plan. These pixel electrodes 114 and the common electrode 126 provided on the color filter substrate 103 overlap with each other in a plurality of dot-like (that is, island-like) regions when seen in a plan view. The overlapping region forms a sub-pixel P that is a unit region for display. A plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix in the row direction X and the column direction Y, thereby forming a rectangular or square effective display region V. In this effective display region V, characters, numbers, figures, etc. An image is displayed. Since the effective display area V has substantially the same area as the common electrode 126, it is indicated by the same line as the common electrode 126 in the figure.

素子基板102を構成する第1透光性基材102aは基板103の外側へ張り出す張出し部105を有している。この張出し部105の表面には、配線118が、例えばフォトエッチング処理等によって形成されている。配線118は複数本形成されており、それらの複数本が行方向Xに沿って互いに間隔を空けて並べられている。また、張出し部105の辺端近傍には複数の配線119が行方向Xに沿って互いに間隔を空けて並ぶように形成されている。これらの配線119の外部側の一端は、張出し部105の辺端に配設され、FPC(Flexible Printed circuit:可撓性プリント回路)基板122上の配線端子が導電接続される外部基板側端子115として機能する。配線119の内部側の他端は、後述する駆動用IC120のバンプに対応する位置に配設され、基板側端子としての入力用端子116として機能する。   The first translucent base material 102 a constituting the element substrate 102 has an overhanging portion 105 that projects to the outside of the substrate 103. A wiring 118 is formed on the surface of the overhang portion 105 by, for example, a photoetching process. A plurality of wirings 118 are formed, and the plurality of the wirings 118 are arranged along the row direction X at intervals. In addition, a plurality of wirings 119 are formed in the vicinity of the side edge of the overhang portion 105 so as to be arranged along the row direction X at intervals. One end on the outer side of these wirings 119 is disposed on the side end of the overhanging portion 105, and an external board side terminal 115 to which a wiring terminal on an FPC (Flexible Printed Circuit) board 122 is conductively connected. Function as. The other end on the inner side of the wiring 119 is disposed at a position corresponding to a bump of a driving IC 120 described later, and functions as an input terminal 116 as a board side terminal.

複数の配線118は、張出し部105からシール材104に囲まれた領域内に向けて列方向Yに延びるように形成されている。これらの配線118の一部は、シール材104に囲まれた領域内において基材102a上のソース線111に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線118の他の一部は、シール材104によって囲まれた領域内で基板102aの側辺に沿って列方向Yに延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Xに延びるパターンとして形成されている。このパターンの配線118は、基材102a上のゲート線112に直接に繋がって走査線として機能する。一方、張出し部105上に位置する配線118の端部は、後述の駆動用IC120のバンプに対応する位置に配設され、基板側端子としての出力用端子117として機能する。   The plurality of wirings 118 are formed so as to extend in the column direction Y from the overhanging portion 105 into the region surrounded by the sealing material 104. A part of these wirings 118 is directly connected to the source line 111 on the base material 102a in a region surrounded by the sealing material 104 and functions as a data line. In addition, another part of the plurality of wirings 118 is formed so as to extend in the column direction Y along the side edge of the substrate 102a in the region surrounded by the sealant 104, and further bent and extends in the row direction X. It is formed as a pattern. The wiring 118 of this pattern is directly connected to the gate line 112 on the base material 102a and functions as a scanning line. On the other hand, the end of the wiring 118 located on the overhanging portion 105 is disposed at a position corresponding to a bump of a driving IC 120 described later, and functions as an output terminal 117 as a substrate side terminal.

張出し部105の表面には、NCF121を用いて、半導体装置としての駆動用IC120が実装されている。駆動用IC120は、ソース線111へデータ信号を伝送し、ゲート線112へ走査信号を伝送する。ソース線111とゲート線112が接続されたスイッチング素子群である複数のTFT素子113は、駆動用IC120を用いて駆動される。すなわち、TFT素子113が備えられた複数のサブ画素Pは、駆動用IC120によって駆動される。   A driving IC 120 as a semiconductor device is mounted on the surface of the overhang portion 105 using an NCF 121. The driving IC 120 transmits a data signal to the source line 111 and transmits a scanning signal to the gate line 112. The plurality of TFT elements 113 that are a switching element group in which the source line 111 and the gate line 112 are connected are driven using the driving IC 120. That is, the plurality of subpixels P provided with the TFT element 113 are driven by the driving IC 120.

以上の構成の液晶パネル101は、その駆動時に次の動作を行う。
走査線としてのゲート線112に順次に走査信号(オン信号)が伝送され、その走査ライン内の適宜のソース線(データ線)111にデータ信号が伝送されると、該当するTFT素子113がオン状態になり、該当するサブ画素P内の液晶への書き込みが行われる。また、引続いてTFT素子113がオフ状態になると、書き込まれた状態が保持される。この一連の書き込み動作及び保持動作により液晶分子の配向が制御される。照明装置から出射した光が液晶層に入射すると、その液晶層を通過する偏光が上記の配向制御に従って変調され、その変調された偏光の進行が偏光層によって調整されることにより所望の表示が行われる。
The liquid crystal panel 101 having the above configuration performs the following operation when driven.
When a scanning signal (ON signal) is sequentially transmitted to the gate line 112 as a scanning line and a data signal is transmitted to an appropriate source line (data line) 111 in the scanning line, the corresponding TFT element 113 is turned ON. In this state, writing to the liquid crystal in the corresponding sub-pixel P is performed. Further, when the TFT element 113 is subsequently turned off, the written state is maintained. The alignment of the liquid crystal molecules is controlled by this series of writing operation and holding operation. When the light emitted from the illumination device enters the liquid crystal layer, the polarized light passing through the liquid crystal layer is modulated according to the above-described alignment control, and the progress of the modulated polarized light is adjusted by the polarizing layer, thereby performing a desired display. Is called.

以上の構成の液晶装置100において、駆動用IC120を第1透光性基材102aに実装してなる実装構造体として、図1の実装構造体1を適用できる。すなわち、図12の駆動用IC120は、図1の半導体装置2と同じく、複数のバンプ12と、第1検査用バンプ18と、第2検査用バンプ19とを有している。   In the liquid crystal device 100 having the above configuration, the mounting structure 1 in FIG. 1 can be applied as a mounting structure in which the driving IC 120 is mounted on the first light-transmitting substrate 102a. That is, the driving IC 120 in FIG. 12 has a plurality of bumps 12, first inspection bumps 18, and second inspection bumps 19, similar to the semiconductor device 2 in FIG. 1.

駆動用IC120を第1透光性基材102a上に実装した状態で、駆動用IC120の一方の辺120aに沿って設けられた複数のバンプ12が第1透光性基材102aの複数の入力用端子116に押圧されて接触し、他方の辺120bに沿って設けられた複数のバンプ12が複数の出力用端子117に押圧されて接触している。駆動用IC120の構成要素である基材の四隅の最も近くに位置するバンプが第1検査用バンプ18であり、その第1検査用バンプ18に隣接するバンプが第2検査用バンプ19である。これらの第1検査用バンプ18及び第2検査用バンプ19が図4から理解されるように基板102aの表面と面接触して接触面を形成する。   In a state where the driving IC 120 is mounted on the first translucent substrate 102a, a plurality of bumps 12 provided along one side 120a of the driving IC 120 are a plurality of inputs of the first translucent substrate 102a. The plurality of bumps 12 provided along the other side 120 b are pressed and contacted with the plurality of output terminals 117. A bump located closest to the four corners of the base material, which is a component of the driving IC 120, is the first inspection bump 18, and a bump adjacent to the first inspection bump 18 is the second inspection bump 19. These first inspection bumps 18 and second inspection bumps 19 come into surface contact with the surface of the substrate 102a to form contact surfaces, as can be understood from FIG.

本実施形態の液晶装置100においても、張出し部105の駆動用IC120が実装された側と反対側(紙面奥側)から、検査用バンプ18と検査用パターン30等との接触面を顕微鏡像として観察し、さらに、既述の(判定基準1)〜(判定基準5)に基づいて判定を行うことにより、バンプ12と入力用端子116の接触状態、及びバンプ12と出力用端子117の接触状態の良否判定を人間の目視によって容易に行うことができる。これにより、駆動用IC120の基材102aに対する実装状態の良否を容易に判定することができる。   Also in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, the contact surface between the inspection bump 18 and the inspection pattern 30 or the like is taken as a microscopic image from the side opposite to the side where the driving IC 120 of the overhang portion 105 is mounted (the back side of the paper). By observing and making a determination based on the above-mentioned (determination criteria 1) to (determination criteria 5), the contact state between the bump 12 and the input terminal 116 and the contact state between the bump 12 and the output terminal 117 It is possible to easily determine whether the quality is good or bad by human eyes. Thereby, the quality of the mounting state with respect to the base material 102a of the drive IC 120 can be easily determined.

(電子機器への第1の適用例)
本発明に係る電気光学装置は種々の電子機器に適用できる。図13はその適用例の一例を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置201と、これを制御する制御回路202とを有する。液晶装置201は液晶パネル203及び駆動回路204を有する。また、制御回路202は、表示情報出力源205、表示情報処理回路206、電源回路207及びタイミングジェネレータ208によって構成されている。
(First application example to electronic equipment)
The electro-optical device according to the invention can be applied to various electronic apparatuses. FIG. 13 shows an example of the application. The electronic device shown here includes a liquid crystal device 201 and a control circuit 202 that controls the liquid crystal device 201. The liquid crystal device 201 includes a liquid crystal panel 203 and a drive circuit 204. The control circuit 202 includes a display information output source 205, a display information processing circuit 206, a power supply circuit 207, and a timing generator 208.

表示情報出力源205は、RAM(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ208により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路206に供給する。   The display information output source 205 includes a memory such as a RAM (Random Access Memory), a storage unit such as various disks, a tuning circuit that tunes and outputs a digital image signal, and various clock signals generated by the timing generator 208. The display information processing circuit 206 is supplied with display information such as an image signal in a predetermined format.

表示情報処理回路206は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号CLKと共に駆動回路204へ供給する。ここで、駆動回路204は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路207は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。   The display information processing circuit 206 includes a number of well-known circuits such as an amplification / inversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, a clamp circuit, and the like. The display information processing circuit 206 executes processing of input display information and converts an image signal into a clock signal CLK. At the same time, it is supplied to the drive circuit 204. Here, the drive circuit 204 is a general term for an inspection circuit and the like together with a scanning line drive circuit and a data line drive circuit. The power supply circuit 207 supplies a predetermined power supply voltage to each of the above components.

液晶装置201は、例えば、図12に示した液晶装置100を用いて構成する。この液晶装置100によれば、駆動用IC120に第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19を設けたので、張出し部105の駆動用IC120が実装された側と反対側(紙面奥側)から第1検査用バンプ18の接触面及び第2検査用バンプ19の接触面を観察することにより、信号等の伝送用のバンプ12と入力用端子116との接触状態、及びバンプ12と出力用端子117との接触状態の良否判定を人間の目視によって容易に行うことができる。これにより、駆動用IC120の実装状態の良否を安価に且つ正確に判定することができる。従って、この液晶装置100を用いた図13の電子機器は、表示部において不良の発生が少なく、しかも安価に製造できる。   The liquid crystal device 201 is configured using, for example, the liquid crystal device 100 shown in FIG. According to the liquid crystal device 100, since the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are provided on the driving IC 120, the side opposite to the side where the driving IC 120 is mounted on the overhanging portion 105 (the back side of the drawing). , By observing the contact surface of the first inspection bump 18 and the contact surface of the second inspection bump 19, the contact state between the signal transmission bump 12 and the input terminal 116, and the bump 12 and output It is possible to easily determine whether the contact state with the terminal 117 is good or not by human eyes. Thereby, the quality of the mounting state of the driving IC 120 can be determined inexpensively and accurately. Therefore, the electronic apparatus of FIG. 13 using the liquid crystal device 100 is less likely to be defective in the display portion and can be manufactured at low cost.

(電子機器への第2の適用例)
図14は、本発明に係る電気光学装置の電子機器への他の適用例である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機210は、本体部211と、この本体部211に対して開閉可能に設けられた表示体部212とを有する。表示体部212には表示装置213及び受話部214が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置213の表示画面215に表示される。表示装置213の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部211又は表示体部212の内部に格納される。本体部211には操作ボタン216及び送話部217が設けられる。
(Second application example to electronic equipment)
FIG. 14 shows a mobile phone which is another example of application of the electro-optical device according to the present invention to an electronic apparatus. A cellular phone 210 shown here includes a main body 211 and a display body 212 provided so as to be openable and closable with respect to the main body 211. The display unit 212 is provided with a display device 213 and a receiver 214. Various displays relating to telephone communication are displayed on the display screen 215 of the display device 213. A control unit for controlling the operation of the display device 213 is stored in the main body unit 211 or the display body unit 212 as a part of the control unit that controls the entire mobile phone or separately from the control unit. The The main body 211 is provided with an operation button 216 and a transmitter 217.

表示装置213は、例えば、図12に示した液晶装置100を用いて構成する。この液晶装置100によれば、駆動用IC120に第1検査用バンプ18と第2検査用バンプ19を設けたので、張出し部105の駆動用IC120が実装された側と反対側(紙面奥側)から第1検査用バンプ18の接触面及び第2検査用バンプ19の接触面を観察することにより、バンプ12と入力用端子116の接触状態、及びバンプ12と出力用端子117の接触状態の良否判定を人間の目視によって容易に行うことができる。これにより、駆動用IC120の実装状態の良否を安価に且つ正確に判定することができる。従って、この液晶装置100を用いた図14の電子機器は、表示部において不良の発生が少なく、しかも安価に製造できる。   The display device 213 is configured using, for example, the liquid crystal device 100 shown in FIG. According to the liquid crystal device 100, since the first inspection bump 18 and the second inspection bump 19 are provided on the driving IC 120, the side opposite to the side where the driving IC 120 is mounted on the overhanging portion 105 (the back side of the drawing). By observing the contact surface of the first inspection bump 18 and the contact surface of the second inspection bump 19, the contact state between the bump 12 and the input terminal 116 and the contact state between the bump 12 and the output terminal 117 are determined. The determination can be easily performed by human eyes. Thereby, the quality of the mounting state of the driving IC 120 can be determined inexpensively and accurately. Therefore, the electronic device of FIG. 14 using the liquid crystal device 100 is less likely to be defective in the display portion and can be manufactured at low cost.

なお、本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機に限られず、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話装置、POS端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種の電子機器に適用できる。   The electro-optical device according to the present invention is not limited to a mobile phone, but is a personal computer, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, a calculator, a word processor, a workstation. It can be applied to various electronic devices such as a video phone device, a POS terminal, a digital still camera, and an electronic book.

本発明に係る実装構造体の一実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows one Embodiment of the mounting structure which concerns on this invention. (a)は図1のA−A線に従った実装構造体の断面図であり、(b)は(a)の矢印C側から見た平面図である。(A) is sectional drawing of the mounting structure according to the AA line of FIG. 1, (b) is the top view seen from the arrow C side of (a). 図1の実装構造体で用いる半導体装置を示す図であり、(a)はその半導体装置を能動面側から見た全体斜視図、(b)は(a)のD−D線に従った断面図である。It is a figure which shows the semiconductor device used with the mounting structure of FIG. 1, (a) is the whole perspective view which looked at the semiconductor device from the active surface side, (b) is the cross section according to the DD line of (a). FIG. 図1の主要部である検査用バンプ対を平面的に示す平面図である。It is a top view which shows the bump pair for a test | inspection which is the principal part of FIG. 図4の検査用バンプ対の接触面の他の態様を示す平面図である。It is a top view which shows the other aspect of the contact surface of the test bump pair of FIG. 本発明に係る実装構造体の他の実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows other embodiment of the mounting structure which concerns on this invention. 本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows other embodiment of the mounting structure which concerns on this invention. 図7の実装構造体で用いる半導体装置を能動面側から示す全体斜視図である。It is a whole perspective view which shows the semiconductor device used with the mounting structure of FIG. 7 from the active surface side. 図7の主要部である検査用バンプ対を平面的に示す平面図である。FIG. 8 is a plan view illustrating a pair of inspection bumps, which is a main part of FIG. 本発明に係る実装構造体のさらに他の実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows other embodiment of the mounting structure which concerns on this invention. 本発明に係る実装構造体の検査方法における判定例を示す平面図である。It is a top view which shows the example of determination in the inspection method of the mounting structure which concerns on this invention. 本発明に係る電気光学装置の一実施形態を一部を破断して示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a part of an embodiment of the electro-optical device according to the invention. 本発明に係る電気光学装置の応用例を示す回路ブロック図である。FIG. 10 is a circuit block diagram illustrating an application example of the electro-optical device according to the invention. 本発明に係る電気光学装置の他の応用例である携帯電話機を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a mobile phone as another application example of the electro-optical device according to the invention.

符号の説明Explanation of symbols

1.実装構造体、 2,42.半導体装置、 3.透光性基板、
4,121.NCF(接着剤)、 11.基材、 11a.能動面、
12.バンプ(突起状端子)、 13.電極パッド、 14.突起体、 15.導電膜、16.パッシベーション膜、 16a.開口部、 17,17a,17b.バンプ列、 18.第1検査用バンプ(第1突部)、
19.第2検査用バンプ(第2突部)、 20.検査用バンプ対、
21.入力用端子(基板側端子)、 22.出力用端子(基板側端子)、 23.配線、 24,25,26.接触面、 25a,26a.接触面の辺、
31,32.透光性端子(透光性部材)、 100.液晶装置(電気光学装置)、
101.液晶パネル、 102.素子基板(透光性基板)、
102a.第1透光性基材、 103.カラーフィルタ基板、
103a.第2透光性基材、 104.シール材、 105.張出し部、
111.ソース線、 112.ゲート線、 113.TFT素子、 114.画素電極、
115.外部基板側端子、 116.入力用端子(基板側端子)、
117.出力用端子(基板側端子)、 118,119.配線、
120.駆動用IC(半導体装置)、 120a,120b.駆動用ICの辺、
122.FPC基板、 125.着色層、 126.共通電極、 201.液晶装置、
202.制御回路、 203.液晶パネル、 204.駆動回路、
210.携帯電話機(電子機器)、 W1.第1検査用バンプの幅、
W2.第2検査用バンプの幅、 W3.バンプの幅、 L.接触長さ、 P.サブ画素、
V.表示領域
1. Mounting structure 2,42. 2. semiconductor device; Translucent substrate,
4,121. NCF (adhesive), 11. Substrate, 11a. Active surface,
12 12. Bump (protruding terminal), Electrode pads, 14. Protrusions, 15. Conductive film, 16. A passivation film, 16a. Openings, 17, 17a, 17b. Bump train, 18. First inspection bump (first protrusion),
19. 20. Second inspection bump (second protrusion), Bump pair for inspection,
21. 21. Input terminal (board side terminal) Output terminal (board side terminal), 23. Wiring, 24, 25, 26. Contact surface, 25a, 26a. The side of the contact surface,
31, 32. Translucent terminal (translucent member), 100. Liquid crystal device (electro-optical device),
101. Liquid crystal panel, 102. Element substrate (translucent substrate),
102a. First light-transmitting substrate, 103. Color filter substrate,
103a. Second translucent substrate, 104. Sealing material, 105. Overhang,
111. Source line, 112. Gate line, 113. TFT element, 114. Pixel electrodes,
115. 116. External substrate side terminal Input terminal (board side terminal),
117. Output terminals (board side terminals) 118,119. wiring,
120. Driving IC (semiconductor device), 120a, 120b. Sides of the driving IC,
122. FPC board, 125. 126 colored layer; Common electrode, 201. Liquid crystal device,
202. Control circuit, 203. Liquid crystal panel, 204. Drive circuit,
210. Mobile phone (electronic device), W1. The width of the first inspection bump,
W2. Width of second inspection bump, W3. Bump width, L. Contact length, P.I. Sub-pixel,
V. Indicated Area

Claims (6)

透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品と、を有する実装構造体であって、
前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、
前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と、弾性を有する少なくとも一組の第1突部及び第2突部と、を有し、
前記第1突部及び第2突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して弾性変形された接触面を形成し、前記第1突部の接触面は縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とし、前記第2突部の接触面は前記第1突部に対応する縦方向及び横方向の幅を有すると共に、前記第1突部の接触面の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする、又は縦方向と横方向の幅を同じ長さとし、
前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面は、前記透光性基板を通して観察でき、
前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面と形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査することができる
ことを特徴とする実装構造体。
A mounting structure having a light-transmitting substrate and an electronic component mounted on a mounting surface of the light-transmitting substrate via a bonding member,
A plurality of board-side terminals are provided on the surface on which the electronic component of the translucent board is mounted,
The electronic component includes a plurality of protruding terminals including protrusions having elasticity on a surface on which the light-transmitting substrate is mounted, and at least a pair of first protrusions and second protrusions having elasticity. Have
Each of the first protrusion and the second protrusion forms a contact surface that is elastically deformed in contact with the mounting surface of the translucent substrate, and the contact surface of the first protrusion is in a vertical direction or a horizontal direction. And the contact surface of the second protrusion has vertical and horizontal widths corresponding to the first protrusion, and the long side of the contact surface of the first protrusion. vertical to the long side width of the different longitudinal or transverse direction to the direction or lateral width or the vertical and horizontal width equal length becomes,
The contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion can be observed through the translucent substrate,
Based on the difference in shape between the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion, the contact state between the plurality of protruding terminals and the board-side terminal that individually contacts them can be inspected. A mounting structure characterized in that it can .
請求項1記載の実装構造体において、
前記第1突部及び第2突部のうち少なくとも一方は端子を構成する
ことを特徴とする実装構造体。
The mounting structure according to claim 1,
At least one of the first protrusion and the second protrusion constitutes a terminal.
請求項2記載の実装構造体において、
前記第1突部と前記第2突部の少なくとも一方の端子は、透光性材料で形成された基板側端子に接続される
ことを特徴とする実装構造体。
The mounting structure according to claim 2,
At least one terminal of said 1st protrusion and said 2nd protrusion is connected to the board | substrate side terminal formed with the translucent material, The mounting structure characterized by the above-mentioned.
透光性基板と、該透光性基板の実装面上に接合部材を介して実装された電子部品と、を有する実装構造体の検査方法であって、
前記透光性基板の前記電子部品を実装する面上には複数の基板側端子が設けられ、
前記電子部品は、前記透光性基板の実装される面上に弾性を有する突起体を含む複数の突起状端子と弾性を有する少なくとも一組の第1突部及び第2突部と、を有し、
前記第1突部及び前記第2突部は、それぞれが前記透光性基板の実装面に接触して接触面を形成し、
該接触面は、前記電子部品の実装時の圧力の変化によって接触長さが変化し、
前記第1突部と前記第2突部とは、前記接触長さが変化する方向に対して直角方向の幅が互いに異なっており、
前記透光性基板を通して前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面を観察して、前記第1突部の接触面と前記第2突部の接触面との形状の違いに基づいて、前記複数の突起状端子とそれらに個々に接触する基板側端子との接触状態を検査する
ことを特徴とする実装構造体の検査方法。
A method for inspecting a mounting structure having a light-transmitting substrate and an electronic component mounted on a mounting surface of the light-transmitting substrate via a bonding member,
A plurality of board-side terminals are provided on the surface on which the electronic component of the translucent board is mounted,
The electronic component has a plurality of projecting terminals including a projecting body having elasticity on a surface on which the translucent substrate is mounted, and at least one pair of first projecting section and second projecting section having elasticity. And
Each of the first protrusion and the second protrusion is in contact with the mounting surface of the translucent substrate to form a contact surface,
The contact surface changes in contact length due to a change in pressure when the electronic component is mounted,
The first protrusion and the second protrusion have different widths in a direction perpendicular to the direction in which the contact length changes,
By observing the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion through the translucent substrate , the difference in shape between the contact surface of the first protrusion and the contact surface of the second protrusion Based on the above, the inspection method of the mounting structure is characterized by inspecting the contact state between the plurality of protruding terminals and the board-side terminals that individually contact them.
請求項4記載の実装構造体の検査方法において、
前記第1突部及び第2突部の接触面は各々対応する縦方向及び横方向の幅を有し、
前記第1突部の接触面は、縦方向もしくは横方向のいずれかの幅を長辺とした接触面であり、
前記第2突部の接触面は、前記第1突部の長辺となる縦方向もしくは横方向の幅とは異なる縦方向もしくは横方向の幅を長辺とする接触面であるか、又は縦方向と横方向の幅が同じ長さである接触面であるかに基づいて検査する
ことを特徴とする実装構造体の検査方法。
In the mounting structure inspection method according to claim 4,
The contact surfaces of the first and second protrusions have corresponding vertical and horizontal widths, respectively.
The contact surface of the first protrusion is a contact surface having a long side in either the vertical direction or the horizontal direction,
The contact surface of the second protrusion is a contact surface having a longitudinal side or a lateral width different from the longitudinal or lateral width which is the long side of the first projection, or a longitudinal side. A method for inspecting a mounting structure, wherein inspection is performed based on whether the contact surface has the same length in the horizontal direction and in the horizontal direction.
請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の実装構造体を有することを特徴とする電気光学装置。   An electro-optical device comprising the mounting structure according to claim 1.
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