JP4945339B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体集積回路装置（または半導体装置）の製造方法におけるダイ・ボンディング技術またはチップ剥離技術に適用して有効な技術に関する。

日本特開２００５−３２２８１５号公報（特許文献１）には、凸状の弾性を有するコレットによってボンディングし、コレットの真空引きを解除して大気圧にし、チップに対する吸着力をなくした状態でコレットを上昇させるダイ・ボンディング技術が開示されている。

日本特開平１０−００４２５８号公報（特許文献２）には、チップ等をマウントするコレットにおいて、コレットの一側面に貫通孔を形成し、マウント時の半田の吸い上がりを防止するチップマウント技術が開示されている。

日本特開２００６−１６５１８８号公報（特許文献３）には、薄膜チップにボイドを残留させないように弾性を有するコレット先端ラバー・チップ（硬度JIS-A60）の周辺のみに真空吸引孔を設けて、チップが下に凸の状態でダイ・ボンディングする技術が開示されている。

日本特開２００４−０２２９９５号公報（特許文献４）または日本特開２００５−１５０３１１号公報（特許文献５）には、凸状の弾性を有するコレットが開示されている。

日本特開２００５−０９３８３８号公報（特許文献６）または米国特許公開２００５−００６１８５６号公報（特許文献７）には、仮圧着と本圧着を個別のステージで実行するダイ・ボンディング技術が開示されている。

日本特開２００５−９１６６号公報（特許文献８）または米国特許公開２００５−０２００１４２号公報（特許文献９）には、電子部品のマウンタ等の吸着ノズルに関して、部品が吸着されたか否かを空気流量センサの検出流量変化によって検出することが開示されている。

日本特開２００３−１３３７９１号公報（特許文献１０）、日本特開２００４−２３０２７号公報（特許文献１１）、または日本特開２００７−１０３７７７号公報（特許文献１２）には、電子部品のマウンタ等で吸着ノズルによって電子部品を吸着搬送する際、部品が正しく吸着されているか否かを空気流量センサの検出流量変化によって検出することが開示されている。

日本特開２００４−１８６３５２号公報（特許文献１３）または米国特許公開２００６−０２５２２３３号公報（特許文献１４）には、ウエハ・ダイシング後の薄膜チップのピックアップに関して、ダイシングテープの下方から超音波振動を印加して、上方から吸着コレットによりチップを粘着シート（ダイシングテープ）から剥離する際に、吸着コレットの吸着流量を計測してチップがダイシングテープから完全に剥離して吸着コレットに吸着されているかを確認することが開示されている。

日本特開２００５−１１７０１９号公報（特許文献１５）または米国特許７１１５４８２号公報（特許文献１６）には、ウエハ・ダイシング後の薄膜チップのピックアップに関して、ダイシングテープの下方から多段の突き上げ機構でチップ下面を突き上げて、上方から吸着コレットによりチップを粘着シート（ダイシングテープ）から剥離することが開示されている。

特開２００５−３２２８１５号公報 特開平１０−００４２５８号公報 特開２００６−１６５１８８号公報 特開２００４−０２２９９５号公報 特開２００５−１５０３１１号公報 特開２００５−０９３８３８号公報 米国特許公開２００５−００６１８５６号公報 特開２００５−９１６６号公報 米国特許公開２００５−０２００１４２号公報 特開２００３−１３３７９１号公報 特開２００４−２３０２７号公報 特開２００７−１０３７７７号公報 特開２００４−１８６３５２号公報 米国特許公開２００６−０２５２２３３号公報 特開２００５−１１７０１９号公報 米国特許７１１５４８２号公報

半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程またはダイ・ボンディング工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良またはダイ・ボンディング工程不良の低減が重要な課題となっている。特に、本願発明者が検討したところによると、剥離動作によるチップ周辺部の湾曲がチップの割れ、欠けを惹起する可能性が高く、また、ダイ・ボンディング時のコレットの真空吸着に起因するボイドの発生が無視できないことが明らかになった。本願発明はこれらの問題を解決するためになされたものである。

本発明の目的は、信頼性の高い半導体集積回路装置の製造プロセスを提供することにある。

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

すなわち、本願発明は、ダイシング・テープ（粘着テープ）等からチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合またはチップをコレットで真空吸着してダイ・ボンディングする場合において、吸引コレットの真空吸着を早期に解除して、ダイ・ボンディング時のチップの真空吸着による湾曲状態に起因するボイド等の発生を回避するものである。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。

すなわち、チップをコレットで真空吸着してダイ・ボンディングする場合において、吸引コレットの真空吸着を早期に解除し、大気圧状態で着地するようにしたため、ボイド発生の少ないダイ・ボンディング・プロセスを提供することができる。

〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。

１．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程；
（ｂ）前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第１のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、主に、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着（または真空源を使用しない吸着、以下同じ）により保持した状態で、前記第１のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第１のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程。

２．前記１項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）から（ｄ）においては、真空吸着はオフとされている（真空吸着を使用しない吸着、すなわち、真空源を使用しない吸着、以下同じ）。

３．前記１または２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップは中央部に真空吸引孔を有する（必ずしも中央部に真空吸引孔を有する必要はない。リーク検出を利用しない場合は周辺一列だけでもよい。リークを検出する場合でも、少なくとも、中心からの距離が異なる複数群の真空吸引孔があればよい。以下同じ）。

４．前記１から３項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記第１のチップを、前記配線基板の前記上面へ向けて第１の速度で降下させる工程；
（ｂ２）前記工程（ｂ１）に引き続き、前記第１のチップを、前記第１の速度よりも遅い第２の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程、
更に、前記工程（ｃ）は、以下の下位工程を含む：
（ｃ１）前記第１のチップを、着地するまで前記第２の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程。

５．前記１から４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１０以上、７０未満である。

６．前記１から４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１５以上、５５未満である。

７．前記１から４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は２０以上、４０未満である。

８．前記１から７項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーは熱硬化性エラストマーである。

９．前記１から８項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーはシリコーン系エラストマーである。

１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記接着部材層はＤＡＦ部材層である。

１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、更に以下の工程を有する：
（ｅ）前記工程（ｂ）より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からＵＶ光を照射する工程。

１２．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ほぼ元のウエハの際の２次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程；
（ｂ）前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着し、且つ、前記第１のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第１のチップの前記裏面から剥離させる工程、
ここで、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１５以上、５５未満である。

１３．前記１２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記硬度は２０以上、４０未満である。

１４．前記１２または１３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーは熱硬化性エラストマーである。

１５．前記１２から１４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーはシリコーン系エラストマーである。

１６．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程；
（ｂ）前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第１のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、主に、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第１のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第１のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１５以上、５５未満である。

１７．前記１６項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーのその硬度は２０以上、４０未満である。

１８．前記１６または１７項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーは熱硬化性エラストマーである。

１９．前記１６から１８項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーはシリコーン系エラストマーである。

２０．前記１６から１９項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記吸着コレット本体内の真空吸引系にはリーク孔が設けられ、そこを介してリークした状態で真空吸着が行われる。

２１．前記１６から２０項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記接着部材層はＤＡＦ部材層である。

２２．前記１６から２１項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、更に以下の工程を有する：
（ｅ）前記工程（ｂ）より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からＵＶ光を照射する工程。

２３．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ほぼ元のウエハの際の２次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程；
（ｂ）前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着し、且つ、前記第１のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第１のチップの前記裏面から剥離させる工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記吸着コレットの前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第１のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第１のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第１のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記ラバーチップはエラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１５以上、５５未満である。

２４．前記２３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記硬度は２０以上、４０未満である。

２５．前記２３または２４項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーは熱硬化性エラストマーである。

２６．前記２３から２５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーはシリコーン系エラストマーである。

２７．前記２３から２６項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記吸着コレット本体内の真空吸引系にはリーク孔が設けられ、そこを介してリークした状態で真空吸着が行われる。

２８．前記２３から２７項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記接着部材層はＤＡＦ部材層である。

２９．前記２３から２８項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、更に以下の工程を有する：
（ｅ）前記工程（ｂ）より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からＵＶ光を照射する工程。

３０．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程；
（ｂ）前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第１のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第１のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第１のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記ラバーチップは中央部に真空吸着孔を有するとともに、エラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１０以上、７０未満である。

３１．前記３０項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーは熱硬化性エラストマーである。

３２．前記３０または３１項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーはシリコーン系エラストマーである。

３３．前記３０から３２項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記吸着コレット本体内の真空吸引系にはリーク孔が設けられ、そこを介してリークした状態で真空吸着が行われる。

３４．前記３０から３３項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記接着部材層はＤＡＦ部材層である。

３５．前記３０から３４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、更に以下の工程を有する：
（ｅ）前記工程（ｂ）より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からＵＶ光を照射する工程。

３６．前記３０から３５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）における前記ラバーチップの前記下面への吸着は、主に物理吸着によっている。

３７．前記３０から３６項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）から（ｄ）においては、真空吸着はオフとされている。

３８．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程；
（ｂ）前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第１のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、主に、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面に吸着した状態で、前記第１のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第１のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程、
ここで、前記吸着コレット本体内の真空吸引系にはリーク孔が設けられ、そこを介してリークした状態で真空吸着が行われる。

３９．前記３８項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップは中央部に真空吸着孔を有するとともに、エラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１０以上、７０未満である。

４０．前記３８または３９項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記接着部材層はＤＡＦ部材層である。

４１．前記３８から４０項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、更に以下の工程を有する：
（ｅ）前記工程（ｂ）より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からＵＶ光を照射する工程。

４２．前記３８から４１項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）における前記ラバーチップの前記下面への吸着は、主に物理吸着によっている。

４３．前記３８から４２項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）から（ｄ）においては、真空吸着はオフとされている。

４４．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程；
（ｂ）前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第１のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、主に、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着により保持した状態で、前記第１のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第１のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程；
（ｅ）前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第２のチップの表面を前記吸着コレットの前記ラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第２のチップを、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、主に、前記第２のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着により保持した状態で、前記第２のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた前記配線基板の前記上面に着地させる工程；
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、前記第２のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第２のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の前記接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記第１および第２のチップの前記表面側を一括して前記コレットと異なる部材により加圧することにより、前記配線基板の前記上面との熱圧着を進行させる工程。

４５．前記４４項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップは中央部に真空吸着孔を有するとともに、エラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１０以上、７０未満である。

４６．前記４４または４５項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記接着部材層はＤＡＦ部材層である。

４７．前記４４から４６項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、更に以下の工程を有する：
（ｅ）前記工程（ｂ）より前に、粘着テープにその裏面が固定された前記複数のチップの前記粘着テープ側からＵＶ光を照射する工程。

４８．前記４４から４７項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）および（ｆ）における前記ラバーチップの前記下面への吸着は、主に物理吸着によっている。

４９．前記４４から４８項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）から（ｄ）、および（ｆ）から（ｇ）においては、真空吸着はオフとされている。

５０．前記４４および４６から４９項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップは、エラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１０以上、７０未満である。

次に、本願において開示される発明のその他の実施の形態について概要を説明する。

５１．以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ほぼ元のウエハの際の２次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程；
（ｂ）前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着し、且つ、前記第１のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第１のチップの前記裏面から剥離させる工程、
ここで、前記工程（ｂ）は以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記第１のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第１のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程、
更に、ここで、前記ラバーチップは、エラストマーを主要な構成要素とし、その硬度は１０以上、７０未満である。

５２．前記５１項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または中断させる工程；
（ｂ３）前記剥離動作を中断させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再開する工程。

５３．前記５１または５２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ４）前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または減速させる工程；
（ｂ５）前記剥離動作を減速させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再加速させる工程。

５４．前記５１から５３項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ６）前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続させ、または前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。

５５．前記５１から５４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ７）前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続させ、または前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を減速させる工程。

５６．前記５１から５５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ８）前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程；
（ｂ９）前記下位工程（ｂ８）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。

５７．前記５１から５６項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ１０）前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程；
（ｂ１１）前記下位工程（ｂ１０）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。

５８．前記５１から５７項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ１２）前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程；
（ｂ１３）前記下位工程（ｂ１２）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程。

５９．前記５１から５８項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ１４）前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程；
（ｂ１５）前記工程（ｂ１４）の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程；
（ｂ１６）前記下位工程（ｂ１５）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。

６０．前記５１から５９項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ１７）前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程；
（ｂ１８）前記工程（ｂ１７）の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程；
（ｂ１９）前記下位工程（ｂ１８）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。

６１．前記５１から６０項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２０）前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程；
（ｂ２１）前記工程（ｂ２０）の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程；
（ｂ２２）前記下位工程（ｂ２１）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックの降下を前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程。

６２．前記６１から６１項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２３）前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記下部基体の主要部を成すスライド板を前記第１のチップとのオーバラップが減少するようにスライドさせる工程；
（ｂ２４）前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記スライド板を前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程。

６３．前記６１から６２項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２５）前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または中断させる工程；
（ｂ２６）前記剥離動作を中断させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再開させるか、または前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。

６４．前記６１から６３項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２７）前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を継続または減速させる工程；
（ｂ２８）前記剥離動作を減速させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記剥離動作を再加速させるか、または前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲内になるまで前記剥離動作を後退させる工程。

６５．前記６１から６４項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２９）前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程；
（ｂ３０）前記下位工程（ｂ２９）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程；
（ｂ３１）前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を再開するか、または前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。

６６．前記６１から６５項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ３２）前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程；
（ｂ３３）前記工程（ｂ３２）の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程；
（ｂ３４）前記下位工程（ｂ３３）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させる工程；
（ｂ３５）前記突き上げブロックを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を再開させるか、または前記突き上げブロックを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。

６７．前記６１から６６項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ３６）前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、前記吸着コレットを上昇させる工程；
（ｂ３７）前記下位工程（ｂ３６）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を継続するか、または前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程；
（ｂ３８）前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記吸着コレットの上昇を再開するか、または前記吸着コレットを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで降下させる工程。

６８．前記６１から６７項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は更に以下の下位工程を含む：
（ｂ３９）前記下部基体の主要部を成す突き上げブロックを、前記吸着コレットとともに、上昇させる工程；
（ｂ４０）前記工程（ｂ３９）の後、前記突き上げブロックおよび前記吸着コレットの内、前記突き上げブロックのみを、前記第１のチップの前記湾曲状態が許容範囲を超えるまで、降下させる工程；
（ｂ４１）前記下位工程（ｂ４０）の後、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を継続するか、または前記突き上げブロックの降下を前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで減速させる工程；
（ｂ４２）前記突き上げブロックを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで待機させている場合において、前記下位工程（ｂ１）のモニタ情報に基づいて、前記突き上げブロックの降下を再開させるか、または前記突き上げブロックを前記第１のチップの前記湾曲状態が前記許容範囲内になるまで上昇させる工程。

６９．前記６１から６８項のいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１のチップの前記裏面にはあらかじめダイ・ボンディング用接着剤層が形成されている。

７０．前記５１から６９項ののいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーのその硬度は１５以上、５５未満である。

７１．前記５１から６９項ののいずれか一つの半導体集積回路装置の製造方法において、前記エラストマーのその硬度は２０以上、４０未満である。

〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。

２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。

３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。

４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。

５．「ウエハ」というときは、通常は半導体集積回路装置（半導体装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。

６．「チップ」または「ダイ」というときは、一般的にはウエハ分割工程(ブレードダイシング、レーザダイシングその他のペレタイズ工程)後の完全分離したものを指すが、本願では便宜上、分離前のチップ領域も同じ用語で示す。たとえば、いわゆるＤＢＧ(Dicing before Grinding)プロセスでは、ハーフカット・ダイシング後にグラインディングして最終的にチップに分離して、その状態でチップ裏面を保持用の粘着テープに貼り付けた後、剥離工程に進む。このような場合を含めて、たとえば「ウエハ」は分離されれば厳密にはすでにウエハではなく、チップ等も分離される前はチップ領域であってチップではないが、いつ分離されるかは個々のプロセスに依存するので、分離の前後を問わず、これらを包括して「ウエハ」、「チップ」または「ダイ」という。

７．「配線基板」というときは、一般的には有機配線基板、セラミック配線基板、リードフレーム等の外、他のチップ、ウエハその他の薄膜状集積回路装置を指す。すなわち、近年、チップ上に数十枚のチップを接着剤で積層する積層技術が広く用いられており、本願に開示された発明は、それらを含めて広い範囲に適用される。

８．「下部基体」は、一般に「吸着駒」とも言うが、「チップ処理装置」のチップ剥離機構の中心をなし、粘着シートに固定されたウエハ（ほぼ元のウエハの際の２次元的配置のままで粘着シートに固定されたチップ群）を粘着シートを真空吸着することにより位置固定するものである。また、その中央部は、ある装置では「突き上げブロック」であり、他の装置では「スライド板」である。「下部基体」は前記中央部と周辺部からなり、周辺部はピックアップ対象チップの周辺のチップおよび粘着テープを吸着固定する働きがある。中央部と周辺部ともに吸着孔や間隙を通して真空吸引される構造となっており、位置合わせ以外では、ほとんど常に吸引状態である。

９．「吸着コレット」は、従来はメタル（ステンレスなど）、セラミック、ポリマー等の一体もので構成されていたが、本願が主に扱う薄膜ウエハまたは薄膜チップ（主に厚さが１５０マイクロメータ以下、特に１００マイクロメータ以下）用では、チップにクラック等が入らないように、チップに直接触れるエラストマー等のポリマーを主要な構成要素とするラバー・チップとそれを保持する吸着コレット本体またはラバー・チップ・ホールダから構成されるようになっている。ラバー・チップは、一般にフッ素ゴム、二トリル・ラバー、シリコーン・ラバー等の熱硬化性エラストマー、または熱可塑性エラストマー等の弾性ポリマー材料を主要な構成要素としている。なお、具体的説明では、コレットや突き上げブロックの上下の動きを、下部基体周辺部（これが動かないものと仮定して）を基準として進めているが、これは、原理的には相対的な運動と考えられる。

１０．ラバーチップの硬度は、国際標準化機構ISO規格7619デュロメーター・タイプＡ（米国規格ショアＡ；JIS K 6253）に準じて表示する。

〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。

なお、コレットの真空系の流量をモニタして剥離動作を制御する技術については、本願発明者らの日本特許出願番号第２００７−１６０９２２号（出願日：２００７．６．１９）に詳しく説明されている。

（実施の形態１）
１．全体プロセス・装置説明（主に図１から３０）
本実施の形態は、配線基板上にチップを実装する半導体パッケージの製造に適用したものであり、その製造方法を図１〜図２９を用いて工程順に説明する。

なお、本願発明者らによる関連する技術分野の代表的先行出願としては、日本特許出願第２００６−１４３２７７号（出願日：２００６年５月２３日）およびその対応米国出願第１１/７３５７４１号（出願日：２００７年４月１２日）がある。

まず、図１に示すような単結晶シリコンからなるウエハ１Ａの主面に周知の製造プロセスに従って集積回路を形成した後、格子状のスクライブラインによって区画された複数のチップ形成領域１Ａ'のそれぞれに形成された集積回路の電気試験を行い、その良否を判定する。本実施の形態で使用するウエハ１Ａのチップ形成領域１Ａ'は、縦と横の長さが等しい正方形の平面形状を有している。本実施の形態では、作図上の都合から正方形のチップを例に取り説明するが、より一般的な長方形のチップでもまったく同様に処理できることは言うまでもない。長方形の場合は、図３３または図３６に示されたブロック、コレット等の平面形状を長方形にしたものがより適合している。

次に、図２に示すように、ウエハ１Ａの集積回路形成面（図の下面側）に集積回路保護用のバックグラインドテープ３を貼り付る。そして、この状態でウエハ１Ａの裏面（図の上面側）をグラインダで研削し、続いて、この研削によって生じた裏面のダメージ層を、ウエットエッチング、ドライポリッシング、プラズマエッチングなどの方法によって除去することにより、ウエハ１Ａの厚さを１００μｍ以下、例えば９０μｍ〜１５μｍ程度まで薄くする。前記ウエットエッチング、ドライポリッシング、プラズマエッチングなどの
処理方法は、ウエハの厚さ方向に進行する処理速度が、グラインダによる研削の速度に比べて遅い反面、ウエハ内部に与えるダメージがグラインダによる研削に比較して小さいだけでなく、グラインダによる研削で発生したウエハ内部のダメージ層を除去することができ、ウエハ１Ａおよびチップが割れにくくなるという効果がある。

次に、バックグラインドテープ３を除去した後、図３に示すように、ウエハ１Ａの裏面（集積回路形成面の反対側の面）にダイシングテープ４を貼り付け、この状態でダイシングテープ４の周辺部をウエハリング５に固定する。ダイシングテープ４は、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などからなるテープ基材の表面に感圧粘着剤を塗布して粘着性(tackness)を持たせた感圧型粘着テープやＵＶ硬化型粘着テープを円形に裁断したものである。

次に、図４に示すように、周知のダイシングブレード６を使ってウエハ１Ａをダイシングすることにより、前記複数のチップ形成領域１Ａ'のそれぞれを正方形のチップ１に分割する。このとき、分割されたそれぞれのチップ１を円形のダイシングテープ４上に残しておく必要があるので、ダイシングテープ４は、その厚さ方向の半分程度だけ切断する。なお、ダイシングテープ４としてＵＶ硬化型粘着テープを使用した場合は、以下で説明するチップ１の剥離工程に先立ってダイシングテープ４に紫外線を照射し、感圧粘着剤の粘着力を低下させておく。

次に、図５（平面図）および図６（断面図）に示すように、ウエハリング５に固定したダイシングテープ４の上方に押さえ板７を配置すると共に、下方にエキスパンドリング８を配置する。そして、図７に示すように、ウエハリング５の上面に押さえ板７を押し付けることにより、ダイシングテープ４の裏面の周辺部をエキスパンドリング８に押し付ける。このようにすると、ダイシングテープ４は、その中心部から周辺部に向かう強い張力を受けるので、水平方向に弛みなく引き伸ばされる。

次に、この状態でエキスパンドリング８を図８に示すチップ剥離装置１００のステージ１０１上に位置決めし、水平に保持する。このステージ１０１の中央には、図示しない駆動機構によって水平方向および上下方向に移動する吸着駒１０２が配置されている。ダイシングテープ４は、その裏面が吸着駒１０２の上面と対向するように保持される。

図９は、吸着駒１０２の断面図、図１０は、吸着駒１０２の上面近傍の拡大断面図、図１１は、吸着駒１０２の上面近傍の拡大斜視図である。

吸着駒１０２の上面の周辺部には、複数の吸引口１０３と、同心円状に形成された複数の溝１０４とが設けられている場合と複数の吸引孔のみの場合がある。吸引口１０３および溝１０４のそれぞれの内部は、吸着駒１０２を上昇させてその上面をダイシングテープ４の裏面に接触させる際、図示しない吸引機構によって減圧される。このとき、ダイシングテープ４の裏面が下方に吸引され、吸着駒１０２の上面と密着する。

なお、ダイシングテープ４を下方に吸引する際、上記溝１０４の幅や深さが大きいと、剥離の対象となるチップ１に隣接するチップ１の下方のダイシングテープ４が溝１０４に吸引された際、隣接するチップ１とその下方のダイシングテープ４との界面が溝１０４の上部領域で剥離することがある。特に、比較的粘着力が弱い感圧粘着剤を使用したダイシングテープ４では、このような剥離が生じ易い。このような現象が発生すると、剥離の対象となるチップ１をダイシングテープ４から剥がしている作業中に、隣接するチップ１がダイシングテープ４から脱落してしまうことがあるので、好ましくない。そこで、このような現象が発生するのを防ぐには、上記溝１０４の幅や深さをできるだけ小さくし、隣接するチップ１の下方のダイシングテープ４と吸着駒１０２の上面との間にできるだけ隙間が生じないようにすることが有効であり、吸引孔を多くし溝を設けないことも有効である。

吸着駒１０２の中心部には、ダイシングテープ４を上方に突き上げる３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃが組み込まれている。３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃは、外形が最も大きい第１のブロック１１０ａの内側に、それよりも外形の小さい第２のブロック１１０ｂが配置され、さらにその内側に最も外形の小さい第３のブロック１１０ｃが配置されている。後述するように、３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃは、外側のブロック１１０ａと中間のブロック１１０ｂとの間に介在する第１の圧縮コイルばね１１１ａ、中間のブロック１１０ｂと内側のブロック１１０ｃとの間に介在し、上記第１の圧縮コイルばね１１１ａよりもばね定数の大きい第２の圧縮コイルばね１１１ｂ、および内側ブロック１１０ｃに連結され、図示しない駆動機構によって上下動するプッシャ１１２と連動して上下動するようになっている。

上記３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃのうち、最も外形の大きい外側のブロック１１０ａは、剥離の対象となるチップ１よりも一回り（例えば約０．５ｍｍ〜３ｍｍ程度）外形の小さいものを使用するとよい。例えば、チップ１が正方形である場合には、それよりも一回り小さい正方形とすることが望ましい。また、後述する他の実施の形態で説明するように、チップ１が長方形である場合には、それよりも一回り小さい長方形とすることが望ましい。これにより、ブロック１１０ａの上面の外周となる角部がチップ１の外縁よりもわずかに内側に位置するようになるので、チップ１とダイシングテープ４とが剥離する際の起点となる箇所（チップ１の最外周部）に両者を剥離させる力を集中させることができる。

また、ブロック１１０ａの上面は、ダイシングテープ４との接触面積を確保するために、平坦な面または大きな局率半径を有する面にすることが望ましい。ブロック１１０ａの上面とダイシングテープ４との接触面積が小さい場合は、ブロック１１０ａの上面によって下から支えられるチップ１の周辺部に大きな曲げ応力が集中するので、チップ１の周辺部が割れる恐れがある。

上記ブロック１１０ａの内側に配置された中間のブロック１１０ｂは、ブロック１１０ａよりも１ｍｍ〜３ｍｍ程度小さい外形を有している。また、このブロック１１０ｂよりもさらに内側に配置された最も外形の小さいブロック１１０ｃは、中間のブロック１１０ｂよりもさらに１ｍｍ〜３ｍｍ程度小さい外形を有している。本実施の形態では、加工の容易さなどを考慮して、中間のブロック１１０ｂおよび内側のブロック１１０ｃのそれぞれの形状を円柱状にしたが、外側のブロック１１０ａと同じく四角柱状あるいはそれに近い形状にしてもよい。３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃのそれぞれの上面の高さは、初期状態（ブロック１１０ａ〜１１０ｃの非動作時）においては互いに等しく、また吸着駒１０２の上面周辺部の高さとも等しくなっている。

図１０に拡大して示すように、吸着駒１０２の周辺部と外側のブロック１１０ａとの間、および３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃの間には、隙間（Ｓ）が設けられている。これらの隙間（Ｓ）の内部は、図示しない吸引機構によって減圧されるようになっており、吸着駒１０２の上面にダイシングテープ４の裏面が接触すると、ダイシングテープ４が下方に吸引され、ブロック１１０ａ〜１１０ｃの上面と密着するようになっている。

上記のような吸着駒１０２を備えたチップ剥離装置１００を使ってチップ１をダイシングテープ４から剥離するには、まず、図１２に示すように、剥離の対象となる１個のチップ１（同図の中央部に位置するチップ１）の真下に吸着駒１０２の中心部（ブロック１１０ａ〜１１０ｃ）を移動させると共に、このチップ１の上方に吸着コレット１０５を移動させる。図示しない移動機構に支持された吸着コレット１０５の底面の中央部には、内部が減圧される吸着口１０６が設けられており、剥離の対象となる１個のチップ１のみを選
択的に吸着、保持できるようになっている。図１２から図３１においては、簡潔性を確保するためにコレット１０５の詳細構造を省略して示している。この詳細構造は、図３２以降で詳しく説明する。

次に、図１３に示すように、吸着駒１０２を上昇させてその上面をダイシングテープ４の裏面に接触させると共に、前述した吸引口１０３、溝１０４および隙間（Ｓ）の内部を減圧する。これにより、剥離の対象となるチップ１と接触しているダイシングテープ４がブロック１１０ａ〜１１０ｃの上面に密着する。また、このチップ１に隣接する他のチップ１と接触しているダイシングテープ４が吸着駒１０２の上面周辺部に密着する。なお、このとき、吸着駒１０２を僅かに（例えば４００μｍ程度）突き上げると、前述した押さ
え板７とエキスパンドリング８によって水平方向の張力が加えられているダイシングテープ４に対して、さらに張力を加えることができるので、吸着駒１０２とダイシングテープ４をより確実に密着させることができる。

また、吸着駒１０２の上昇とほぼ同時に吸着コレット１０５を下降させ、吸着コレット１０５の底面を剥離の対象となるチップ１の上面に接触させてチップ１を吸着すると共に、チップ１を下方に軽く押さえ付ける。このように、吸着駒１０２を使ってダイシングテープ４を下方に吸引する際、吸着コレット１０５を使ってチップ１を上方に吸引すると、ブロック１１０ａ〜１１０ｃの突き上げによるダイシングテープ４とチップ１の剥離を促進させることができる。

次に、図１４に示すように、３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃを同時に上方に突き上げてダイシングテープ４の裏面に上向きの荷重を加え、チップ１とダイシングテープ４とを押し上げる。また、この際、チップ１の裏面を、ダイシングテープ４を介してブロック１１０ａ〜１１０ｃの上面（接触面）で支え、チップ１にかかる曲げ応力を軽減するとともに、ブロック１１０ａの上面の外周（角部）を、チップ１の外周よりも内側に配置することにより、チップ１とダイシングテープ４の剥離起点となっている界面に剥離する応力を集中し、チップ１の周縁部をダイシングテープ４から効率的に剥離する。このとき、剥離の対象となるチップ１に隣接する他のチップ１の下方のダイシングテープ４を下方に吸引し、吸着駒１０２の上面周辺部に密着させておくことにより、チップ１の周縁部におけるダイシングテープ４の剥離を促進させることができる。図１５は、このときの吸着駒１０２の上面近傍を示す拡大斜視図である（チップ１とダイシングテープ４の図示は省略）。

上記ブロック１１０ａ〜１１０ｃの突き上げ量（ストローク）は、例えば０．２ｍｍから０．４ｍｍ程度であるが、チップ１のサイズに応じて増減することが望ましい。すなわち、チップ１のサイズが大きい場合は、チップ１とダイシングテープ４との接触面積が大きく、従って両者の粘着力も大きいので、突き上げ量を増やす必要がある。他方、チップ１のサイズが小さい場合は、チップ１とダイシングテープ４との接触面積が小さく、従って両者の粘着力も小さいので、突き上げ量を少なくしても容易に剥離する。なお、ダイシングテープ４に塗布されている感圧粘着剤は、製造元や品種によって粘着力に差がある。従って、チップ１のサイズが同じ場合でも、粘着力の大きい感圧粘着剤を使用している場合には、突き上げ量を増やす必要がある。

また、ブロック１１０ａ〜１１０ｃを上方に突き上げてチップ１の裏面に荷重を加える際は、チップ１の最外周部において、チップの外周と直交する方向への曲げ応力を、チップの外周と平行な方向への曲げ応力より小さくすることが望ましい。チップ１の最外周部は、前述したダイシングブレード６を使ってウエハ１Ａをダイシングした際に生じた微細なクラックが残留している。そのため、ブロック１１０ａ〜１１０ｃを上方に突き上げた際にチップ１の最外周部に、チップ１の外周と直交する方向に沿った強い曲げ応力が加わると、クラックが成長してチップ１が割れる恐れがある。本実施の形態では、チップ１のサイズより一回り小さい上面を有するブロック１１０ａを使って、チップ１の最外周部より僅かに内側に均等な荷重を加えるので、上記のような問題を回避しつつ、チップ１の周縁部全体をダイシングテープ４から均等に剥離することができる。

３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃを同時に上方に突き上げるには、図１６に示すように、プッシャ１１２を上方に押し上げることによって、プッシャ１１２に連結された内側のブロック１１０ｃを押し上げる。これにより、内側ブロック１１０ｃと中間のブロック１１０ｂとの間に介在する圧縮コイルばね１１１ｂのばね力によって中間のブロック１１０ｂが押し上げられ、さらに外側のブロック１１０ａと中間のブロック１１０ｂとの間に介在する圧縮コイルばね１１１ａのばね力によって外側のブロック１１０ａが押し上げら
れるので、３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃが同時に押し上げられる。そして、外側のブロック１１０ａの一部（図の矢印で示す面）が吸着駒１０２の周辺部と接触することによって、ブロック１１０ａ〜１１０ｃの上昇が停止する。このとき、剥離の対象となるチップ１の大部分の領域は、３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃの上面によって支えられており、ブロック１１０ａの上面の外周（角部）よりも外側の領域において、チップ１とダイシングテープ４との界面での剥離が効率的に進行する。

３個のブロック１１０ａ〜１１０ｃを同時に上方に突き上げる際は、ばね力が弱い圧縮コイルばね１１１ａが収縮しないような弱い力でプッシャ１１２がブロック１１０ｃを押し上げる。このようにすると、外側のブロック１１０ａの一部が吸着駒１０２の周辺部と接触するまでは、中間のブロック１１０ｂと内側のブロック１１０ｃがさらに上方に突き上ることはない。

また、圧縮コイルばね１１１ａは、少なくともダイシングテープ４の張力に抗してブロック１１０ａを持ち上げることができる程度のばね力を備えている必要がある。圧縮コイルばね１１１ａのばね力がダイシングテープ４の張力よりも小さい場合は、プッシャ１１２を押し上げても外側のブロック１１０ａが持ち上がらないので、外側のブロック１１０ａの上面によってチップ１を支えることができなくなる。この場合は、チップ１とダイシングテープ４との剥離起点に十分な応力を集中させることができないので、剥離速度の低下を招いたり、チップ１に過大な曲げ応力が加わってチップ１が割れてしまうといった問題を引き起こす可能性がある。

次に、図１７に示すように、中間のブロック１１０ｂと内側のブロック１１０ｃとを同時に上方に突き上げてダイシングテープ４を押し上げる。これにより、チップ１を支えるブロック１１０ｂの上面の外周（角部）の位置が、ブロック１１０ａによって支えられていた状態に比較して、より内側に移るため、チップ１とダイシングテープ４との剥離がブロック１１０ｂの上面の外周より外側の領域からチップ１の中心方向へと進行する。図１８は、このときの吸着駒１０２の上面近傍を示す拡大斜視図である（チップ１とダイシングテープ４の図示は省略）。

２個のブロック１１０ｂ、１１０ｃを同時に上方に突き上げるには、図１９に示すように、プッシャ１１２を押し上げることによって、プッシャ１１２に連結されたブロック１１０ｃをさらに押し上げる。このとき、圧縮コイルばね１１１ｂのばね力によって中間のブロック１１０ｂが押し上げられるので、２個のブロック１１０ｂ、１１０ｃが同時に押し上げられる。そして、中間のブロック１１０ｂの一部（図の矢印で示す面）が外側のブロック１１０ａと接触した時点でブロック１１０ｂ、１１０ｃの上昇が停止する。また、プッシャ１１２がブロック１１０ｃを押し上げる力は、ばね力が弱い圧縮コイルばね１１１ａは収縮するが、ばね力が強い圧縮コイルばね１１１ｂは収縮しない大きさとする。これにより、中間のブロック１１０ｂの一部が外側のブロック１１０ａと接触するまでは、内側のブロック１１０ｃがさらに上方に突き上ることはない。

２個のブロック１１０ｂ、１１０ｃを上方に突き上げる際には、チップ１とダイシングテープ４との剥離を促進させるために、ブロック１１０ａ〜１１０ｃの隙間（Ｓ）の内部を減圧することによって、チップ１と接触しているダイシングテープ４を下方に吸引する。また、溝１０４の内部を減圧し、吸着駒１０２の上面周辺部に接するダイシングテープ４を吸着駒１０２の上面に密着させる（図１７）。

次に、図２０に示すように、内側のブロック１１０ｃをさらに上方に突き上げてダイシングテープ４の裏面を押し上げ、ブロック１１０ｃの上面でチップ１の裏面を支える。図２１は、このときの吸着駒１０２の上面近傍を示す拡大斜視図である（チップ１とダイシングテープ４の図示は省略）。内側のブロック１１０ｃを上方に突き上げるには、図２２に示すように、圧縮コイルばね１１１ｂが収縮するような強い力でブロック１１０ｃを押し上げる。これにより、ダイシングテープ４と接触しているブロック１１０ｃの上面の外周（角部）よりも外側の領域において、チップ１とダイシングテープ４との剥離が進行する。

続いて、図２３に示すように、ブロック１１０ｃを下方に引き下げると共に、吸着コレット１０５を上方に引き上げることにより、チップ１をダイシングテープ４から剥がす作業が完了する。

上記ブロック１１０ｃの上面は、ブロック１１０ｃを上方に突き上げた際、吸着コレット１０５の吸引力だけでチップ１がダイシングテープ４から剥がれる程度に面積を小さくしておく必要がある。ブロック１１０ｃの上面の面積が大きいと、チップ１とダイシングテープ４との接触面積が大きくなり、両者の粘着力も大きくなるので、吸着コレット１０５がチップ１を吸引する力だけではチップ１をダイシングテープ４から剥がせない。

一方、ブロック１１０ｃの上面の面積を小さくした場合は、ブロック１１０ｃがダイシングテープ４の裏面を押し上げる際、チップ１の狭い領域（中央部分）に強い荷重が集中的に加わるので、極端な場合にはチップ１が割れる恐れがある。そこで、ブロック１１０ｃを突き上げる際は、突き上げ速度を遅くしたり、ブロック１１０ｃの上面がダイシングテープ４と接触している時間を短くしたり、ブロック１１０ｃの突き上げ量（ストローク）を少なく（例えば０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度）したりすることによって、チップ１の狭い領域に強い荷重が加わらないようにすることが望ましい。

また、吸着コレット１０５の吸引力を大きくする一つの方法として、吸着コレット１０５の引き上げ速度を遅くすることが有効である。チップ１の一部がダイシングテープ４に密着した状態で吸着コレット１０５を急速に引き上げると、吸着コレット１０５の底面とチップ１の上面とに隙間が生じ、吸着コレット１０５の内部の真空度が低下するので、チップ１を吸引する力が低下してしまう。他方、吸着コレット１０５の引き上げ速度を遅くした場合は、チップ１をダイシングテープ４から剥がすのに要する時間が長くなる。そこで吸着コレット１０５の引き上げ速度を可変にし、引き上げ開始時には引き上げ速度を遅くして吸引力を充分確保し、チップ１とダイシングテープ４との接触面積がある程度まで小さくなったら引き上げ速度を速くして剥離時間の遅延を防ぐようにするとよい。また、吸着コレット１０５の底面の面積をブロック１１０ｃの上面の面積より大きくすることも、吸着コレット１０５の吸引力を大きくする有効な方法である。

このように、吸着コレット１０５の吸引力を大きくすることにより、チップ１とダイシングテープ４との接触面積が比較的大きい場合であっても、吸着コレット１０５の吸引力だけでチップ１をダイシングテープ４から剥がすことが可能となるので、剥離時間を短縮することができると共に、ブロック１１０ｃの上面の面積を小さくした場合に生じる上記の問題を回避することができる。

また、チップ１が吸着コレット１０５によって下方に押さえ付けられた状態でブロック１１０ｃを下方に引き下げると、吸着コレット１０５も下方に移動するために、チップ１がブロック１１０ｃに当たって割れる恐れがある。従って、ブロック１１０ｃを下方に引き下げる際は、その直前に吸着コレット１０５を引き上げるか、少なくとも吸着コレット１０５が下方に移動しないように、その位置を固定しておくことが望ましい。

このようにして、ダイシングテープ４から剥離されたチップ１は、吸着コレット１０５に吸着、保持されて次工程（ペレット付け工程）に搬送される（一般に同一の装置のピックアップステージからダイボンディングステージ１３２またはダイボンディング部３００へ搬送される）。そして、チップ１を次工程に搬送した吸着コレット１０５がチップ剥離装置１００（チップ剥離部）に戻ってくると、前記図１２〜図２３に示した手順に従って、次のチップ１がダイシングテープ４から剥がされる。以後、同様の手順に従ってチップ１が１個ずつダイシングテープ４から剥がされる。

次にペレット付け工程（ダイボンディング工程）を説明する。図２４に示すように、ペレット付け工程に搬送されたチップ１は、接着剤または接着部材層１０（通常、ウエハをチップに分割前、例えばダイシングテープを張る時、またはその前にウエハの裏面にＤＡＦすなわち「ダイ・アタッチ・フィルム」と呼ばれるダイ・ボンディング用両面粘着シートまたはダイ・ボンディング用接着剤層を貼り付けておくか、ダイボンディング直前に液状の接着剤を配線基板に塗布または滴下する（すなわち、ダイボンディングのときにチップと配線基板の間に接着部材層が介在するようにする）。ＤＡＦは一般にウエハの裏面とダイシングテープの間に挟まれる形で張られ、ダイシング等の際にチップとともに分割される。チップのピックアップの際はチップとともにピックアップされる。ダイ・アタッチ・フィルムをあらかじめ貼り付けておくとダイ・ボンディング時に改めて接着剤層を形成する必要がないので量産上有利である。）などを介して配線基板１１上に実装される。すなわち、ダイシングテープ４から剥がされたチップ１は吸着コレット１０５に真空吸引がオフされた状態で物理吸着により吸着され、摂氏１００度から１５０度程度（有機配線基板のガラス転移温度は一般に摂氏２４０度から３３０度程度であるから、基板加熱温度は摂氏１００度から２００度程度でも可能であるが、基板の変形を最小限に抑えるためには、摂氏１００度から１５０度程度が望ましい。ただし、少なくとも、基板のガラス転移温度以下であることが必要である）に加熱されたダイボンディングステージ１３２上の配線基板１１へ向けて降下する。

図２５に示すように、チップ１が配線基板１１に着地したのを確認すると、コレット１０５は所定の圧力でチップ１を押し付けたまま、真空吸引をオフのままの状態で所定の時間（たとえば１秒から数秒）その位置で留まる。この間に熱圧着が進行する。

その後、図２６に示すように、真空吸引をオフしたまま、コレット１０５はチップ１から退避する。

熱圧着が完了したチップ１は、図２７に示すように、Ａｕワイヤ１２を介して配線基板１１の電極１３と電気的に接続される。このようにすることによって、真空吸引がオフされた状態で、着地が行われるので、薄膜チップに剥離吸着時に湾曲があっても、着地時には湾曲が解除されているので、ダイボンディング後のチップに湾曲や不所望な応力が残存することがない。

次に、図２８に示すように、配線基板１１上に実装されたチップ１の上に接着剤１０などを介して第２のチップ１４が積層され、Ａｕワイヤ１５を介して配線基板１１の電極１６と電気的に接続される。第２のチップ１４は、チップ１と異なる集積回路が形成されたシリコンチップであり、前述した方法でダイシングテープ４から剥がされた後、ペレット付け工程に搬送されてチップ１の上に積層される。

その後、配線基板１１をモールド工程に搬送し、図２９に示すように、チップ１、１４をモールド樹脂１７で封止することによって、積層パッケージ１８が完成する。

なお、本実施の形態では、剥離の対象となるチップ１が外側のブロック１１０ａよりも一回り大きい場合について説明したが、例えば図３０（ａ）に示すように、剥離の対象となるチップ１が外側のブロック１１０ａより小さく、中間のブロック１１０ｂより大きい場合には、図３０（ｂ）に示すように、まず中間のブロック１１０ｂを突き上げてチップ１の周縁部をダイシングテープ４から剥がし、次に、図３０（ｃ）に示すように、内側のブロック１１０ｃを突き上げてチップ１の中央部をダイシングテープ４から剥がすこともできる。この場合は、例えば吸着駒１０２と外側のブロック１１０ａとの間にスペーサを挟んでおき、プッシャ１１２を押し上げても外側のブロック１１０ａが持ち上がらないようにしておく。

なお、本実施の形態では、３個のブロック（１１０ａ〜１１０ｃ）を使ってチップを剥離する方法を説明したが、ブロックの数は３個に限定されるものではなく、剥離の対象となるチップ１のサイズが大きい場合には、４個以上のブロックを使ってもよい。また、剥離の対象となるチップ１のサイズが非常に小さい場合には、２個のブロックを使ってもよい。

２．ピックアップ部周辺詳細説明（主に図３１から３８）
図３１から３８を用いて、剥離動作制御、コレット１０５の詳細構造、およびそれらと下部基体１０２（吸着駒）との関係を説明する。

図３１はピックアップ部およびその制御系を模式的に示した概念図（図３１a）、タイムチャート（図３１b）、および断面図（図３１b）である。ピックアップ動作はダイシングテープ４上の目的とするチップ１が吸着駒１０２とコレット１０５に位置決めされるところから開始する。位置決めが完了すると吸着駒１０２の吸引孔１０３や間隙Ｓを介して真空引きすることによって、ダイシングテープ４が吸着駒１０２の上面に吸着される。その状態でピックアップ部制御系１４４の指令により真空吸引系１０７（たとえば吸引圧マイナス８０から９０キロパスカル程度、吸引流量７L/min.）のバルブ１４３（この三方バルブは真空吸着がオフのときは、真空供給源側が閉鎖され、コレット側が大気に開放されるようになっている）が開き工場真空供給源から真空供給パイプ１４１を介して真空が供給され、コレット１０５がチップ１のデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。ここで、吸着駒１０２の主要部である突き上げブロック１１０が上昇すると、チップ１はコレット１０５と突き上げブロック１１０に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープ４の周辺部は吸着駒周辺部１０２ａに真空吸着されたままなので、チップ１の周辺で張力が生じ、その結果、チップ周辺でダイシングテープ４が剥離されることになる。しかし、一方この時、チップ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット１０５の真空吸引系１０７に流入することになる。その結果、真空吸引系１０７に設けられたガス流量センサ２１の吸引量出力が増加する。ここで、たとえば、ピックアップ部制御系１４４の指令により、突き上げブロック１１０の上昇を停止し待機状態を維持すると、ダイシングテープ４の剥離が進行して、チップ１の湾曲状態が緩和して許容範囲に戻る場合が多い。図３１ｂに、このような過程でのガス流量センサ２１の吸引量出力（デジタル出力信号およびアナログ出力信号）の推移を示す。コレット降下時には開放状態に対応して大きな吸引量を示す。ｔ₁で着地すると急速に流量が減少してｔ₂でほぼ“０”になる。突き上げブロックが上昇開始してもしばらくは張力が小さいのでリークは発生しないが、ｔ₃までくるとチップの湾曲によるリークが始まる。ブロック１１０の上昇を停止し待機状態を維持するリークは解消して、ｔ₄で流量は再びほぼ“０”に戻る。なお、ガス流量センサ２１はガス流量またはそれに対応した物理量が計測できるものであれば、何でもよい。言うまでもないことであるが、ラバーチップの形状・寸法は対象チップの形状・寸法とほぼ同一とする（チップが長方形なら長方形）のがチップ周辺でのクラック等を防止する観点から好適と考えられる（大きめにしたり、若干小さめにすることを排除するものではない）。これについては、突き上げブロックも同じで、本実施形態では周辺剥離の促進のためチップよりも若干小さめの例を示したが、それに限定されないのは言うまでもないく、チップと形状・寸法をほぼ同一にしてもよいし、若干大きめにしてもよい。

図３２から図３８に吸着コレット１０５の詳細構造、特にその下端部すなわちラバーチップ１２５とそのバリエーションおよびそれらと下部基体１０２（吸着駒）の関係を説明する。図３２ａは図１から３０の説明に対応する突き上げブロック１１０の上面図であって、突き上げブロック１１０とラバーチップ１２５との位置関係を示す。ラバーチップ１２５の形状はピックアップするチップとほぼ同一である。図３２ｂはコレット本体１０５（またはラバーチップ・ホールダ）の下面図である。中央に真空吸引孔１２２（たとえば径４mm）があり、各軸方向と対角線方向に真空吸引溝１２１が設けられている。このラバーチップ１２５には真空吸引溝１２１と突き上げブロック１１０ａから１１０ｃに対応して真空吸引孔１０６ａから１０６ｉが設けられている（たとえば径０．８mm）。

図３３はラバーチップ１２５のバリエーションで内側の二つの突き上げブロック１１０ｂ，１１０ｃがチップ１とほぼ同一の上面形状をしている。このようにすることで、チップのコーナ部での応力の集中を緩和することができる。図３２または図３３に示したラバーチップの構造は、剥離プロセスでは非常に重要である。特に中央部（中央近傍領域を含む）に真空吸引孔１０６aがあると、粘着テープの張力でチップが湾曲したとしても中央部の真空吸引孔１０６aでチップの保持状態を維持することができる。チップを１０mm角（チップ厚２５ミクロン、ＤＡＦ厚さ２５ミクロン）と仮定すると、１段目ブロック（セグメント）がたとえば８．６mm角、第２ブロックが６．３mm角、第３ブロックが４．０mm角となる。

図３４はコレット１０５が着地している状態の図３２および図３３のＡ−Ａ断面の略断面図であり、図３５は図３２および図３３のＢ−Ｂ断面の略断面図である。このときダイシングテープ４の下側は下部基体周辺部１０２ａに設けられた吸引孔１０３および下部基体主要部１１０間等の間隙Ｓを通して吸着されている。また、このときダイシングテープ４の上側は真空吸引孔１０６を介して、真空吸引されている。

図３６は、ラバーチップ１２５の更に別のバリエーションで、より細かくリークを検出可能にされている。すなわち、突き上げブロック１１０の各サブブロックと吸着駒１０２ａの最内側部に対応してラバーチップ１２５内に多数の真空吸引孔１０６ａから１０６ｗが配置されている。この様な配置では、各突き上げブロックの個々のセグメント（加えて最外側セグメント外部）に対応して少なくとも一つまたは複数の吸着孔が設けられているので、リークにより剥離状況を検出する精度を高めることができる。また、比較的軟らかいエラストマーによるラバーチップとの組み合わせでは、吸着力をチップ全体に分散できるので、チップが湾曲しても、局所的に応力が集中することがない。

図３７はコレット１０５が着地している状態の図３６のＡ−Ａ断面の略断面図であり、図３８は図３６のＢ−Ｂ断面の略断面図である。

なお、図３１，３２、および３６における中心孔１０６aは、必ずしも必須のものではない。たとえば、図４６に示すような、スライド式の剥離方法では、中心に吸着孔があることは特に重要ではない。また、図３６のように吸引孔が多数あり場合には、特に中心になくとも中間孔群（１０６tなど）で代替可能である。

３．各剥離プロセスの詳細（主に図３９から４７）
以下の剥離プロセスは、セクション１で説明した全体プロセスに適宜選択して単独でまたは複数組み合わせて適用することができる。

３−１．突き上げブロック待機・後退プロセス（「剥離プロセス１」、図３９から４０）
図３９は突き上げブロック１１０の各サブブロック１１０ａから１１０ｃを順次突き上げてダイシングテープ４を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図４０はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。以下の各例では、明確に説明できるように、各剥離素過程ごとに最初はリークして２度目はリークしない例をあげて例示している。
（１）ダイシングテープ４を下部基体１０２上面に真空吸着する（テープ吸着ステップ３１）。
（２）コレット１０５が真空吸引しながらチップ１の上面（限定はされないが一般にデバイス面）に着地する（コレット着地ステップ３２）。着地した状態を図４０ａに示す。
（３）突き上げブロック１１０が一括上昇する（１段目上昇ステップ３３）。チップ１およびコレット１０５もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部１０２ａは動かないのでチップ１の外周のダイシングテープ４を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。
（４）リークありを検知する（リーク検知ステップ３４；図４０b参照）。なお、リークなしの場合は即ステップ（９）に進む。リーク１３３を検出したときの状態を図４０ｂに示す。
（５）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（３）の上昇動作を減速（停止を含む）する（図４０c参照）。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（７）へ進む。ただ、このステップは（４）から即次のステップ（６）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。なお、以下の例でも同じであるが、一般に粘着テープからの剥離は、レオロジー的な現象であり、高速では剥離困難でも、弱めの張力をかけながら時間を置くと簡単に剥離する場合が多い。従って、停止待機や減速待機は有効な場合が多い。
（６）ステップ(３)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（３）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０を一括降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。これは以下の例でも同じであるが、チップが湾曲することで、張力が緩和され、その結果、時間をかけても剥離が一向に進行しない場合に有効である。このようにもとの状態に戻ると粘着テープは再びチップの裏面に粘着することになるが、一般に再粘着時の粘着力は初期粘着の際の粘着力と比較して弱いと考えられる。また、ＵＶ硬化型テープでＵＶ照射されたものは、特に再粘着時の粘着力は大幅に減少している。
（７）突き上げブロック１１０が一括再上昇する（１段目上昇）。
（８）リークなしを検知する。リークがなくなった状態を図４０ｃに示す。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
（９）突き上げブロック１１０ｂおよび１１０ｃが一括上昇する（２段目上昇ステップ３５）。このとき、突き上げブロック１１０ａや下部基体周辺部１０２ａは動かない。
（１０）リークあり（リーク検知ステップ３６）。なお、リークなしの場合は即ステップ（１５）に進む。
（１１）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（９）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（１３）へ進む。ただ、このステップは（１０）から即次のステップ（１２）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（１２）ステップ(９)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（９）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０ｂおよび１１０ｃを一括降下させる。
（１３）２段目を再上昇させる(２段目再上昇)。
（１４）リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
（１５）最終段すなわち突き上げブロック１１０ｃを単独上昇させる（最終段上昇ステップ３７）。当然、チップ１とコレット１０５はそれに伴って上昇する。
（１６）リークあり（リーク検知ステップ３８）。なお、リークなしの場合は即ステップ（２１）に進む。
(１７)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（１５）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（１９）へ進む。ただ、このステップは（１６）から即次のステップ（１８）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（１８）ステップ（１５）の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（１５）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０ｃを単独降下させる。当然、チップ１とコレット１０５はそれに伴って降下する。
（１９）最終段を再上昇させる(最終段再上昇)。
（２０）リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(２１)コレットが上昇して完全剥離する（完全剥離ステップ３９）。

なお、ステップ（１）、（２）以降ステップ（２１）までは、コレット側、および下部基体側の吸着用真空は引いたままである。すなわち、ＯＮのままである。

この剥離プロセスのメリットは、どのような形状のチップでもその形状に対応した突き上げが可能出るところにある。

３−２．コレット待機・後退プロセス（「剥離プロセス２」、図４１から４２）
図４１は主にコレット１０５の上昇・下降を繰り返すことによってダイシングテープ４を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図４２はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
（１）ダイシングテープ４を下部基体１０２上面に真空吸着する（テープ吸着ステップ４１）。
（２）コレット１０５が真空吸引しながらチップ１の上面（限定はされないが一般にデバイス面）に着地する（コレット着地ステップ４２）。着地した状態を図４２ａに示す。
（３）突き上げブロック１１０が一括上昇する（１段目上昇ステップ４３；図４２b参照）。チップ１およびコレット１０５もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部１０２ａは動かないのでチップ１の外周のダイシングテープ４を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。
（４）リークありを検知する（リーク検知ステップ４４）。なお、リークなしの場合は即ステップ（９）に進む。
（５）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（３）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（７）へ進む。ただ、このステップは（４）から即次のステップ（６）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（６）ステップ(３)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（３）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０を一括降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
（７）突き上げブロック１１０が一括再上昇する（１段目再上昇）。
（８）リークなしを検知する。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
（９）チップ１を真空吸着した状態でコレット１０５を上昇させる（コレット単独上昇ステップ４５；図４２cおよびd参照）。
（１０）リークありを検知する（リーク検知ステップ４６）。なお、リークなしの場合はそのまま完全剥離する。
（１１）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（９）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（１３）へ進む。ただ、このステップは（１０）から即次のステップ（１２）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（１２）ステップ（９）開始前の状態に戻る（コレット降下ステップ４７；図４２e参照）。または、リークモニタでリークがなくなるまで（９）の処理を後退させる。すなわち、コレット１０５を降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
（１３）突き上げブロック１１０ｂおよび１１０ｃが一括上昇する（２段目上昇ステップ４８）。このとき、突き上げブロック１１０ａや下部基体周辺部１０２ａは動かない。
（１４）リークあり（リーク検知ステップ４９）。なお、リークなしの場合は即ステップ（１９）に進む。
（１５）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（１３）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（１７）へ進む。ただ、このステップは（１４）から即次のステップ（１６）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（１６）ステップ(１３)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（１３）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０ｂおよび１１０ｃを一括降下させる。
（１７）２段目を再上昇させる(２段目再上昇)。
（１８）リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
（１９）チップ１を真空吸着した状態でコレット１０５を上昇させる（コレット単独上昇ステップ５０）。
（２０）リークありを検知する（リーク検出ステップ５１）。なお、リークなしの場合はそのまま完全剥離する。
（２１）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（１９）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（２３）へ進む。ただ、このステップは（２０）から即次のステップ（２２）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（２２）ステップ（１９）開始前の状態に戻る（コレット降下ステップ５２）。または、リークモニタでリークがなくなるまで（１９）の処理を後退させる。すなわち、コレット１０５を降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
（２３）最終段すなわち突き上げブロック１１０ｃを単独上昇させる（最終段上昇ステップ５３）。当然、チップ１とコレット１０５はそれに伴って上昇する。
（２４）リークあり（リーク検知ステップ５４）。なお、リークなしの場合は即ステップ（２９）に進む。
(２５)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（２３）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（２７）へ進む。ただ、このステップは（２４）から即次のステップ（２６）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（２６）ステップ（２３）の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（２３）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０ｃを単独降下させる。当然、チップ１とコレット１０５はそれに伴って降下する。
（２７）最終段を再上昇させる(最終段再上昇)。
（２８）リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(２９)コレットが上昇して完全剥離する（完全剥離ステップ５５）。

なお、ステップ（１）、（２）以降ステップ（２９）までは、コレット側、および下部基体側の吸着用真空は引いたままである。すなわち、ＯＮのままである。

この剥離プロセスのメリットは容易に剥離できる場合には、主にコレットの動きのみで比較的簡単に剥離が実行できるところにある。

３−３．突き上げブロックのみ降下剥離プロセス（「剥離プロセス３」、図４３から４４）
図４３は、突き上げブロック１１０が一旦上昇し、コレット１０５がチップ１を吸着した状態で、突き上げブロック１１０のみが降下することによって、剥離を進行させるプロセスを示す。図４４はその要部断面フロー図である。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
（１）ダイシングテープ４を下部基体１０２上面に真空吸着する（テープ吸着ステップ６１）。
（２）コレット１０５が真空吸引しながらチップ１の上面（限定はされないが一般にデバイス面）に着地する（コレット着地ステップ６２）。着地した状態を図４４ａに示す。
（３）突き上げブロック１１０が一括上昇する（１段目上昇ステップ６３；図４４b参照）。チップ１およびコレット１０５もそれに連れて押し上げられる。このとき下部基体周辺部１０２ａは動かないのでチップ１の外周のダイシングテープ４を剥離する張力が働く。また、このステップで、リークのモニタが開始されている。
（４）リークありを検知する（リーク検知ステップ６４）。なお、リークなしの場合は即ステップ（９）に進む。
（５）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（３）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（７）へ進む。ただ、このステップは（４）から即次のステップ（６）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（６）ステップ(３)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（３）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０を一括降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
（７）突き上げブロック１１０が一括再上昇する（１段目再上昇）。
（８）リークなしを検知する。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
（９）コレット１０５がチップ１を真空吸着した状態で、突き上げブロック１１０のみを降下させる（突き上げブロック一括単独降下ステップ６５；図４４c参照）。
（１０）リークありを検知する（リーク検知ステップ４６）。なお、リークなしの場合はそのまま(１３)に進む。
（１１）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（９）の降下動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（１３）へ進む。ただ、このステップは（１０）から即次のステップ（１２）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（１２）ステップ（９）開始前の状態に戻る（突き上げブロック再上昇ステップ６７；図４４d参照）。または、リークモニタでリークがなくなるまで（９）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０のみを降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
（１３）突き上げブロック１１０ｂおよび１１０ｃが一括上昇する（２段目上昇ステップ６８）。このとき、突き上げブロック１１０ａや下部基体周辺部１０２ａは動かない。
（１４）リークあり（リーク検知ステップ６９）。なお、リークなしの場合は即ステップ（１９）に進む。
（１５）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（１３）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（１７）へ進む。ただ、このステップは（１４）から即次のステップ（１６）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（１６）ステップ(１３)の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（１３）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０ｂおよび１１０ｃを一括降下させる。
（１７）コレット１０５がチップ１を真空吸着した状態で、突き上げブロック１１０bおよび１１０cのみを降下させる（突き上げブロック一括単独降下ステップ７０）。
（１８）リークありを検知する（リーク検知ステップ７１）。なお、リークなしの場合はそのまま(２１)に進む。
（１９）所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（１７）の降下動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（２１）へ進む。ただ、このステップは（１８）から即次のステップ（２０）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（２０）ステップ（１７）開始前の状態に戻る（突き上げブロック再上昇ステップ７２）。または、リークモニタでリークがなくなるまで（１７）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０bおよび１１０cのみを降下させる。すなわち、「後退ステップ」である。
（２１）最終段すなわち突き上げブロック１１０ｃを単独上昇させる（最終段上昇ステップ７３）。当然、チップ１とコレット１０５はそれに伴って上昇する。
（２２）リークあり（リーク検知ステップ７４）。なお、リークなしの場合は即ステップ（２７）に進む。
(２３)所定の時間だけ、またはリークがなくなるまで（２１）の上昇動作を減速（停止を含む）する。すなわち、「待機ステップ」である。この間も、リークのモニタが連続的または断続的に実行されている。なお、リークがなくなればステップ（２７）へ進む。ただ、このステップは（２２）から即次のステップ（２４）に移行する場合には省略可能である。その方が処理時間が短くなる場合もある。
（２４）ステップ（２１）の開始前に戻る。または、リークモニタでリークがなくなるまで（２１）の処理を後退させる。すなわち、突き上げブロック１１０ｃを他のブロックとともに降下させる。当然、チップ１とコレット１０５はそれに伴って降下する。
（２５）最終段を再上昇させる(最終段再上昇)。
（２６）リークなし。なお、所定の回数繰り返しても「リークなし」とならないときは、設定により、そのチップをスキップするか、リークが出ないように初期上昇量を下げて再実行するか、アラームを表示して（またはアラーム信号をホストに送信）停止するいずれかまたはそのうちの複数を選択する。
(２７)コレットが上昇して完全剥離する（完全剥離ステップ７５）。

なお、ステップ（１）、（２）以降ステップ（２７）までは、コレット側、および下部基体側の吸着用真空は引いたままである。すなわち、ＯＮのままである。

この剥離プロセスのメリットは、突き上げブロックのトータル・ストロークを短くできるところにある。

３−４．スライド剥離プロセス（「剥離プロセス４」、図４５から４７）
先のセクションまでの剥離装置では、チップ１の下部には突き上げブロック１１０があったが、他の装置では、図４６ｂに示すように、その代わりにスライド板１８３が水平方向にスライドすることによって、剥離を進行させるものがある。同図において、構造を説明する。図４６aは対象とするチップ１側から見た上面図である。吸着駒１０２にはスライド板１８３を収容するためのリセス部１８１が設けられており、リセス部１８１の底面には真空吸引孔１８２があり、他の装置同様にリセス部１８１外部周辺の吸着駒１０２には真空吸引孔１０３が設けられている。図４５はこの装置によってダイシングテープ４を剥離する際に、リーク検出を利用する方法について具体的処理ステップを示すプロセスフロー図である。図４７はその要部断面フロー図である。図４５から４７に基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
（１）ダイシングテープ４を下部基体１０２上面に真空吸着する（テープ吸着ステップ８１）。
（２）コレット１０５が真空吸引しながらチップ１の上面（限定はされないが一般にデバイス面）に着地する（コレット着地ステップ８２）。着地した状態を図４７ａに示す。
（３）コレットリークありを検出する（リーク検出ステップ８３；図４７ｂ）。
（４）待機する（流量設定値到達待ちステップ８４；図４７ｃ）。リーク量が許容範囲になったら次のステップに進む。
（５）スライド板１８３をチップ１とのオーバーラップが減少する方向にスライド開始する（スライド・ステップ８５；図４７ｄ）。コレットリークありを検出するまでそのままスライドする。
（６）リークありを検出する。
（７）スライド速度をリークが許容範囲となるまで減速する（または、停止して、待つ）。すなわち、待機ステップ８６である。
（８）リークなし検出。
（９）スライド再開し、スライド・ストローク・エンドに到達し、コレットが上昇を開始する（スライド・エンド＆コレット上昇ステップ８７）。
（１０）リークありを検出する（リーク検出ステップ８８）。
（１１）コレット上昇速度をリークが許容範囲となるまで減速する（または、停止して、待つ）。すなわち、待機ステップ８９である。
（１２）リークなしを検出。
(１３)コレットが上昇して完全剥離する（完全剥離ステップ９０）
この剥離プロセスのメリットは比較的簡単なステップ構成で実行できるところにある。

４．各剥離ティーチング・プロセスの詳細（主に図４８から５０および図３１）
以下のティーチング・プロセスはセクション３で説明した各種の剥離プロセス、セクション２で説明した各種のコレット構造、およびセクション１で説明した全体プロセスに適宜選択して単独でまたは複数組み合わせて適用することができる。

なお、以下のティーチングは、良品製品チップ、不良品製品チップ、または非製品チップ（上は周辺の製品と同一形状のチップでパターンが完全には形成されていないもの）のいずれかを用いて実行可能である。また、製品チップで擬似ピックアップ（完全には剥離しないピックアップ）しても、完全剥離をしなければ元の状態にもどるので、製品信頼性等の一定のリスクはあるが大きな問題はない。

４−１．突き上げブロック動作ティーチング（「ティーチング方法１」、図４８から４９および図３１）
図４８は、リーク検出とそれを用いたプロセスパラメータの自動取得すなわちティーチング・プロセスの原理を説明するための説明図である。図４８a、b、およびcはその要部断面フロー図であり、図４８dは図３１に説明したリーク検出の原理との関係を示すタイミングチャートである。これらに基づいて、具体的ステップの進行を説明する。
（１）目的とするチップ１が吸着駒（下部基体）１０２と吸着コレット１０５の中心に来るように位置あわせする。ここで流量検出がオンになる（検出動作開始ステップすなわちティーチング開始ステップ１５１）。
（２）ダイシングテープ４を下部基体１０２上面に真空吸着する（テープ吸着ステップ１５２）。
（３）コレット１０５が真空吸引しながらチップ１の上面（限定はされないが一般にデバイス面）に着地する（コレット着地ステップ１５３）。着地した状態を図４８ａに示す。
（４）十分に遅い速度（初期速度）で突き上げブロック（突き上げ治具）全体が上面をそろえて上昇する（突き上げブロック上昇ステップ１５４）。
（５）リークありを検出する（リーク検出ステップ１５７）。その突き上げ高さ（「リーク検出開始高さ」）を記憶する。
（６）十分に遅い速度（初期速度）で突き上げブロック全体が上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さ（「リーク検出終了高さ」）を記憶する。すなわち、これを「暫定第１段目上昇高さ」として記憶する（突き上げたかさ記憶ステップ１５８）。
（７）十分に遅い速度（初期速度）で突き上げブロックの内、突き上げブロック（突き上げ治具）１１０bおよび１１０cのみが上面をそろえて上昇する（２段目突き上げブロック上昇ステップ）。
（８）リークありを検出する（リーク検出ステップ１５９）。その突き上げ高さ（「リーク検出開始高さ」）を記憶する。
（９）十分に遅い速度（初期速度）で突き上げブロックの内、突き上げブロック（突き上げ治具）１１０bおよび１１０cのみが上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さ（「リーク検出終了高さ」）を記憶する。すなわち、これを「暫定第２段目上昇高さ」として記憶する（突き上げたかさ記憶ステップ１６０）。
（１０）十分に遅い速度（初期速度）で突き上げブロックの内、突き上げブロック（突き上げ治具）１１０cのみが上昇する（３段目突き上げブロック上昇ステップ）。
（１１）リークありを検出する。その突き上げ高さ（「リーク検出開始高さ」）を記憶する。
（１２）十分に遅い速度（初期速度）で突き上げブロックの内、突き上げブロック（突き上げ治具）１１０cのみが上面をそろえてリークが許容範囲になるまで降下する。その高さ（「リーク検出終了高さ」）を記憶する。すなわち、これを「暫定第３段目上昇高さ」として記憶する。
（１３）ここで、「暫定第３段目上昇高さ」でリークなし（リーク検出ステップ１６１）となっているかを突き上げブロック（突き上げ治具）１１０cのみを追加上昇（追加上昇１６２）させて確認する。
（１４）これにより、最終的にリークなしとなる「設定暫定第３段目上昇高さ」すなわち、「上死点」（３段目上昇高さ設定値）を記憶する（上死点設定ステップ１５５）。
（１５）「暫定第１段目上昇高さ」、「暫定第２段目上昇高さ」および「設定暫定第３段目上昇高さ」を停止高さとして設定する（停止高さ設定ステップ１５６）。
（１６）次に、（１５）で設定した停止高さで対応するセクション３のいずれかのピックアップを実行する。そして、各回ごとに上昇速度を徐々に上げて、または下げて最適速度を記憶し、それに変更する。これは、非製品チップでも可能であるが、製品チップのピックアップを実行しながら行うことが効率的である。

４−２．スライド動作ティーチング（「ティーチング方法２」、図４６から４７および図５０）
ここでは、セクション３−４に説明した装置構成でのスライド速度のティーチング方法を説明する。図５０はそのプロセスフロー図である。図４６から４７および図５０に基づいて具体的ステップの進行を説明する。
（１）目的とするチップ１が吸着駒（下部基体）１０２と吸着コレット１０５の中心に来るように位置あわせする。ここで流量検出がオンになる（検出動作開始ステップすなわちティーチング開始ステップ１７１）。
（２）ダイシングテープ４を下部基体１０２上面に真空吸着する（テープ吸着ステップ１７２）。
（３）コレット１０５が真空吸引しながらチップ１の上面（限定はされないが一般にデバイス面）に着地する（コレット着地ステップ１７３）。
（４）十分に遅い速度（初期速度）で第１のチップに対してスライド動作を開始する（スライド開始ステップ１７４）。リークなければストロークエンドまでスライドする（ストロークエンド・ステップ１７６）。製品チップの場合は剥離完了まで進む。そのスライド速度を記憶する。
（５）もう少し早い速度で第２のチップに対してスライド動作を開始する。リークなければストロークエンドまでスライドする。製品チップの場合は剥離完了まで進む。そのスライド速度を記憶する。
（６）これを繰り返して、n番目のチップでリークありを検出する（リーク検出ステップ１７５）。
（７）そのn番目のチップに対するスライド速度を記憶する。
（８）リークが許容範囲になるまで待機してその待機時間を記憶する。
（９）スライド動作を再開し、リークありを検出すると（８）に戻り、リークなしであれば次に進む。
（１０）ストロークエンドまでスライドする。ここで、（７）またはそれ以前に記憶した速度から最適速度を所定のルールに従って選択または算出する場合は以後のステップは不要となる。
（１１）必要に応じて、更に速度を上げて（６）かた（１０）を繰り返し、そこで得られたデータから最適速度を設定し記憶する（最適速度記憶ステップ１７７）。

５．各剥離プロセスの好適な組み合わせおよびその特徴
セクション３の各剥離プロセスは、典型的な例についてその類型に分類して説明したが、実際には適宜取捨選択して、または適宜相互に組み合わせて実行するとピックアップ効率が向上したり、製品信頼性が向上することが期待できる。たとえば、セクション３−２のコレット上昇セグメント（図４１ステップ４５から４７または５０から５２）すなわち、ステップの集合は剥離プロセス３のステップ６７の後や剥離プロセス４の適切なステップとパラレルに適用するとピックアップ時間短縮に有効である。

６．チップ搬送、物理吸着着地およびダイボンディング・プロセスの説明（主に図５１から６０を参照）
一般にチップ剥離から配線基板への着地完了までの処理は、チップを吸着コレットに真空吸着したまま実行される。しかしこれでは、薄膜チップの場合（特に１００マイクロメータ以下のチップ厚のもの）は、真空吸着によってチップが局部的に変形したまま（真空吸着によるチップのひずみは図５４から図５６を参照するとよい）着地して、基板に接着・固定されることになるので、ボンディング後にボイドやひずみが残りやすい。この傾向は、あらかじめチップの裏面に接着剤層（ＤＡＦを使用する方式）を形成しておく方式では、特に強い。また、デバイス面、すなわち、チップの主にトランジスタ等の主要部や多層配線が形成される面（裏面の反対側の主面）が上向きで吸着される場合（いわゆるフェースアップ品）には、デバイスの信頼性の面でも、ボイド、ひずみ、または変形を残さずにボンディングすることは重要である。また、一般に周辺のボイドは、モールド工程において一部解消されるが、中央付近のものは解消されない。

このセクションでは、これらの問題を解決するために、他のセクションで説明されるボンディングプロセスの配線基板への着地部分またはその周辺に、早期に真空吸着をオフする方法を適用する場合について説明する。以下の実施態様では、真空吸着をオフするとは、特にそれ以外であることを明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、真空吸着を完全にオフして、物理吸着のみで（図３１のピックアップ部制御系１４４の指示に従って三方切り替えバルブ１４３が切り替わることによって、吸着コレットの真空吸引系が真空供給源から切り離され、大気開放された状態で）チップを吸着していることを示す。なお、他のセクションについても同様であるが、本セクションの着地技法は他のセクションで説明したプロセスの当該部分の代替プロセスまたは詳細プロセスであり、他のセクションで説明したプロセスに関して、必須のものではないことは言うまでもない。

ここで、チップ剥離後からダイボンディングに至るプロセスの詳細なフローを主に図５１から図６０を用いて説明する。先に説明したように図５１において、まず、ピックアップ部においてピックアップ動作が開始される（図５１のピックアップ動作開始ステップ２０１、以下同じ図５１による）。まず、ダイシングテープ４が下部基体１０２に吸着される（ＤＣテープ吸着ステップ２０２）。図５２の時間ｔ_１１でコレット１０５が目的とするチップ１上に来ると降下を開始する。時間ｔ_１２で低速の降下に切り替わる。そして、時間ｔ_１３でコレット１０５の真空引きが開始される。時間ｔ_１４で真空吸引しながらコレット１０５が降下してきて、チップ１上に着地する（コレット吸着開始ステップ２０３）。図５３にこのときの断面の概要を示す。直後、時間ｔ_１５で突き上げ動作とコレット１０５の上昇が開始される。時間ｔ_１６で突き上げ動作は終了して時間ｔ_１７で突き上げブロックは元に戻るが（t₁₅-t₁₇間たとえば１００ミリ秒）、問題がなければコレット１０５はそのまま上昇を続けて剥離を完了させる。完全剥離後、時間ｔ_１８でコレット１０５は上昇速度を上げて、時間ｔ_１９で所定の平行移動高度に達する。すなわち、コレット１０５はラバーチップ１２５で真空吸着により保持したまま上昇する（ピックアップステップ２０４）。このときの断面の概要を示したものが図５４である。所定の高さまで上昇した後、コレット１０５はダイボンディング位置上方すなわちボンディングステージ１３２上の配線基板１１上方へ移動する（ボンド位置上方へ移動するステップ２０５）。このときの断面の概要を示したものが図５５である。時間ｔ_２０からコレット１０５はラバーチップ１２５で真空吸着により保持したままで降下を開始する。このときの断面の概要を示したものが図５６である。時間ｔ_２１で低速降下に切り替わる。ここで最終着地体勢に入ったことになる。時間ｔ_２２でコレットの真空引きがオフされ（吸着オフステップ２０６）、チップ１はラバーチップ１２５に実質的に分子間力（物理吸着）のみで保持されながら降下する。このときの断面の概要を示したものが図５７である（図５４から図５６と図５７を比較すると図５７ではチップの真空吸引による歪が解消していることがわかる。）。時間ｔ_２３でチップ１は配線基板１１上に着地する（着地ステップ２０７；t_２１-t_２３間たとえば速度２０mm/sec；時間約３０ミリ秒）。なお、図５２でefgのような経路（fg間の時間はたとえば速度２mm/sec；時間約４０ミリ秒）で降下する場合は、その方式での最終着地体勢に入った時点すなわち"f"点の直後に真空吸引をオフするようにするとよい（その他のタイミングでオフしてもよい）。時間ｔ２４で着地が確認されると、ボンディング荷重（たとえば５N）がコレット１０５に付与される（ボンディング・ステップ２０８）。このときの断面の概要を示したものが図５８である。時間ｔ２５にボンディングが完了する（t_２３-t_２５間の時間はたとえば１秒程度）と、コレットは上昇を開始する。このときの断面の概要を示したものが図５９である。そして、時間t２６で所定の平行移動高度に達する。このときの断面の概要を示したものが図６０である。その後、コレット１０５は再び次のチップの剥離のため、ピックアップ部へ移動する。

ここで、本プロセスでは、図５２において経路abcをとるので、すなわち着地前に真空吸着をオフとしているので（平行移動時と比較して微弱にすることを含む）、図５２において経路adcをとる場合と比較して、着地時にチップ１に吸着による変形や応力が存在しないので、ボンディング特性が良好となる。また、着地時にチップ１に吸着による不要な力がかかっていないので、配線基板のボンディングされるべき面にスムースに習う結果、ボイドや不所望な歪が残存しない。このような効果は、ダイ・ボンディング時のチップ変形が問題となりやすいＤＡＦ（ウエハ裏面に貼り付けるタイプおよびダイシングテープにあらかじめ張っておくタイプを含む）を使用するプロセスに特に有効である。

なお、必ずしも必須ではないが、高速降下から低速降下（最終着地速度）に切り替わった後に真空引きをオフしているので、切り替わりの衝撃力でチップ１が落下することがない（ただし、十分な物理吸着が確保される条件では、速度切り替え前に真空吸着をオフしてもよい。また、速度を切り替えない方がよい場合もある）。すなわち、チップの質量は比較的小さいので物理吸着力は一般に重力と比較して強いと考えられるが、衝撃力は一般に物理吸着力と同程度になりうると考えられる。

なお、真空引きをオン、オフといっても完全にオフする（大気開放）ことは必ずしも必要でなく、たとえば、オンのときの吸引圧をたとえばマイナス８０から９０キロ・パスカルとすると、オフのときの圧力はこれと比べて十分に絶対値の低いもの、たとえば数％以下程度であればよい（ただし、真空吸着を使用しない完全なオフ状態すなわち実効的に物理吸着のみとした方が、薄膜チップのダイ・ボンディング特性の改善、すなわちボイドの減少には有効である。これを圧力で示すと、たとえば絶対値で０．０５から０．０００５キロ・パスカル程度又はそれ以下である。また、真空吸着を完全にオフとする方が制御も簡単であり、圧力応答の速さからも有利である。）。また、完全なオフにせず、強弱で切り替えるようにしてもよい。すなわち、オン時の３０％以下、望ましくは１５％以下の吸引強度にすることも有効である。安定なチップの保持を考慮すると、完全にオフしない場合も、マイナス圧力すなわち（弱い排出ではなく）弱い吸引状態が望ましい。

本セクションに説明した着地方法は、次セクションに説明する低弾性ラバーチップを有するコレットによるダイ・ボンディング方法との組み合わせにおいて、特に有効である。これは、低弾性ラバーチップに真空吸着される場合は、チップにかかる応力をラバーチップが広い範囲で分散させるので、真空吸着をオフしたときに、速やかにチップ変形が回復するからである。また、少なくとも熱圧着進行時に真空吸着をオフしていると、低弾性ラバーチップを介してボンディング加圧が十分に分散するので、チップの局所変形やボイドの解消に特に有効である。

また、本セクションに説明した着地方法は、薄膜チップ（１５０マイクロメータ以下、または１００マイクロメータ以下、更には５０マイクロメータ以下のチップ厚のチップ）に対するラバーチップを有するコレットによるダイ・ボンディング方法との組み合わせにおいて、特に有効である。これは、薄膜チップは局所的な変形が発生しやすく、そのまま着地すると、配線基板面との間で、容易に閉鎖空間を形成するので、ボイドの原因になりやすいからである。

また、本セクションに説明した着地方法は、セクション３に説明したラバーチップを有するコレットによる各剥離＆ダイ・ボンディング方法との組み合わせにおいて、特に有効である。これは、チップが湾曲・回復を繰り返しながら剥離される場合は、特にひずみを残したまま吸着されている場合が多いからである。

７．低弾性ラバーチップ材料の説明（主に図６１参照）
ラバーチップの材料としては、硬度の低いものが選択しやすい点から、熱硬化性エラストマーのうちから選択することが第１に有効である。たとえば、ジェルテック(Geltec)社のアルファ・ゲル（ジェルテック社の登録商標）すなわち、シリコーンを主要な成分とするシリコーン系ゲル状エラストマーがチップの汚染防止等の観点からも好適な候補として挙げられる。また、そのシリーズの中でもシータ・ゲル（ジェルテック社の登録商標）、シータ５（硬度約５６）、シータ６（硬度約１４）、シータ８（硬度約２８）が更に好適である。更に、シータ・ゲルの中でもシータ８（硬度約２８）等が特に好適である。

その他の材料としては、フッ素ゴム、耐熱ニトリル・ラバー、天然ゴム、イソプレンラバー、スチレン-ブタジエン-ラバー、ネオプレンラバー等の熱硬化性エラストマーから選択することができる。

更に、リサイクルを考慮すると、熱可塑性樹脂としてのポリイミド系の熱可塑性エラストマー等の選択肢もある。

硬度範囲は１０以上７０未満までが、弾性を利用する上で好適である。その範囲の中で、硬度１５以上５５未満は弾性を利用する上で特に好適である。また、硬度２０以上４０未満の範囲は薄膜チップを取り扱う上で特に好適である。ただし、それ以外の範囲を排除するものではない。本願の実施形態の中には従来の高度８０程度のエラストマーや金属、セラミックス等の硬質のコレットまたはラバーチップが適した応用分野もある。また、物理吸着の例、リークによるチップ湾曲の検出の例などは、特にこの範囲に限られないことは言うまでもない。

このように低弾性のラバーチップを用いると、凹凸に倣い易いので（チップ上面は必ずしも平坦ではないので）、剥離においてリークしにくくなり、剥離効果を高めることができる。

また、このように低弾性のラバーチップを用いると、剥離工程において、チップが一時的に湾曲しても、それに倣ってラバーチップも相当程度変形するので、応力が分散され、チップの損傷、応力の残存が防止できる。

更に、このように低弾性のラバーチップを用いると、ダイ・ボンディングにおいて、着地時の衝撃を緩和することができる。従って、フェースアップ品等に特に有効である。

更に、このように低弾性のラバーチップを用いると、ダイ・ボンディングにおいて、圧着時のひずみの残存を低減することができる。従って、ＤＡＦ等を用いたプロセスに特に有効である。

また、このように低弾性のラバーチップを用いると、ダイ・ボンディングにおいて、着地前に真空吸引をオフしても、チップ表面との密着面積が大きいので、十分な物理吸着力を確保することができる。

また、このように低弾性のラバーチップを用いると、ダイ・ボンディングにおいて、着地前に真空吸引をオフする又はオフしないにかかわらず、圧着時のチップへのダメージを低減することができる。

一般に物理吸着力は、ファン・デル・ワールス力に起因するが、その到達距離は０．２nmから１０nmの範囲である。半導体チップ上面とラバーチップ間の物理吸着力は、ファン・デル・ワールス力の内、ロンドン力（誘起２重極間の引力）に起因し、比較的弱い部類に属する。したがって、できるだけ多くの面積が到達距離内になるようにする必要がある。そのためには、倣い性にすぐれた部材を用意する必要がある。また、衝撃は落下の原因になりやすいので、極力衝撃吸収性の高い材料が好適である。

なお、ラバーチップは比較的熱伝導が悪いので、一般にラバーチップを用いたコレットによるダイ・ボンディングでは加熱は配線基板側すなわちボンディングステージ側から行う。

８．２段ダイボンディング・プロセスの説明（主に図６２から６５を参照）
以上の説明では、一つのボンディングツール（コレット１０５）で熱圧着を完了する方式を示したが、第１のボンディングツール（コレット１０５）で複数のチップ（たとえば５個）を仮付けし、その後、その複数のチップを第２のボンディングツールで本圧着するようにすれば、スループットを数倍にすることができる。また、セクション７で説明した低弾性ラバーチップと組み合わせた仮圧着では、高速で動作させてもチップへのダメージが少ないので、高速の仮圧着を実行することができる。以下に詳細に説明する。

図６２に、上面図で剥離・ダイボンディング一貫装置４００の構成を示す。同図左に先に説明したチップ剥離部１００（ピックアップ部）があり、右側にはダイボンディング部３００があり、その中に仮ボンディング部３００aと本圧着部３００bがある。仮ボンディング部３００aには仮ボンディング・ステージ１３２aが設けられている。一方、本圧着部３００bには縦長の本圧着ステージ１３２bが設けられている。

図６２のＡＡ断面を図６３から６５に示し、２段ダイボンディング・プロセスを説明する。図６３に示すように、剥離されたチップ１jはコレット１０５で仮ボンディングステージ１３２a上の配線基板１１a上方に移送される。次に図６４に示すようにコレット１０５が降下して短時間（加圧時間たとえば０．１秒程度）で仮の圧着（接着部材層により位置が固定される程度の圧着状態）が行われる。このときタイミングが合えば、本圧着ボンディング・ツール３０５によって、チップ１aヵら１eの基板１１bへの本圧着が行われる。本圧着は仮圧着よりも多くの時間（たとえば加圧時間４秒程度）を要するので、その間にコレット１０５は数回ピックアップ部１００と仮ボンディング部３００aの間を往復して、チップ１fから１jの仮圧着を完了することができる（図６５参照）。完了するとコレット１０５は次のチップ１kの剥離のため、剥離ステージに移動する。

また、先に説明したものと同様に、前記仮圧着ステージおよび本圧着ステージは、摂氏１００度から１５０度程度（有機配線基板のガラス転移温度は一般に摂氏２４０度から３３０度程度であるから、基板加熱温度は摂氏１００度から２００度程度でも可能であるが、基板の変形を最小限に抑えるためには、摂氏１００度から１５０度程度が望ましい。ただし、少なくとも、基板のガラス転移温度以下であることが必要である）に加温されている。また、本圧着ボンディング・ツール３０５も同様の温度、または摂氏５０度程度高めの温度に加温されている。したがって、仮圧着コレットと異なり、本圧着ボンディング・ツール３０５の下端部は比較的に熱伝導の良好な部材で構成することができ、また、チップを構成するシリコン等は比較的熱伝導の良好な部材であり、効率的な加熱が行えるので、熱圧着の進行をスムースに行うことができる。

９．コレット真空吸引系の変形例の説明（主に図６６、６７および５２参照）
これまでに説明したコレット１０５の真空吸引系は完全閉鎖型（図３１のバルブ１４３によって、オンの時は真空源に連結されており、オフ時は真空源とは切り離されて大気開放状態である）であったが、ここに説明するものは、図６７に示すように、その改良型でコレット本体１０５のラバーチップに比較的近い領域にリーク孔２２１を設けたものである。こうすることで、吸着をオフしたときのコレット先端部の圧力応答が速くなる効果がある（勿論、これまでに説明したコレット１０５の真空吸引系でも、オフ時には真空源とは切り離されて大気開放状態となるが、一般に真空源と大気開放の切り替えは、コレット先端部よりも真空源に近い位置に置かれた切り替えバルブ１４３で行われるので、若干の遅延は不可避である。実際、これまでは４０から１００ミリ秒ほど要していた。すなわち、コレット先端部にリーク路を常設しておくと、たとえリーク路が比較的細いとしても、切り替えバルブ１４３までの真空系流路のコンダクタンスの分だけ圧力応答が速くなる）。また、常にリーク路（たとえば、リーク路の孔径０．３mm程度、リーク路のみ開放したときの到達流量０．４L/分、同到達圧８４KPaとする。ちなみに、孔径０．８mm程度のラバーチップの吸着孔を全部開放したときの到達流量は７．０L/分程度である。）があるので、チップによって真空吸引系が閉鎖されるときの衝撃によるチップへの影響を緩和することができる。すなわち、セクション７で説明したような比較的軟らかいエラストマーをラバーチップとして使用する場合、真空シール性が非常によく、チップが湾曲してリーク状態になった状態から湾曲が回復して真空吸引系を閉鎖するときの衝撃が比較的大きいと懸念される。しかし、この場合は常にリーク路が存在するので、真空吸引系が完全閉鎖されるわけではないので、チップに強い衝撃が加わるおそれが少ないと考えられる。また、リーク孔があると、応答が速いため、着地直前に真空吸着をオフにしても、着地時には十分にチップひずみのない状態にすることができる。また、低弾性部材のラバーチップを使用した場合は、この湾曲からの回復は低弾性部材の持つ回復力とあいまって、よりスムースに行われる。

以下図５２にしたがって詳細手順を説明する。先に説明したように図６６において、まず、ピックアップ部においてピックアップ動作が開始される（図６６のピックアップ動作開始ステップ２１１、以下同じ図６６による）。まず、ダイシングテープ４が下部基体１０２に吸着される（ＤＣテープ吸着ステップ２１２）。図５２の時間ｔ_１１でコレット１０５が目的とするチップ１上に来ると降下を開始する。時間ｔ_１２で低速の降下に切り替わる。そして、時間ｔ_１３でコレット１０５の真空引きが開始される。時間ｔ_１４で真空吸引しながらコレット１０５が降下してきて、チップ１上に着地する（コレット吸着開始ステップ２１３）。直後、時間ｔ_１５で突き上げ動作とコレット１０５の上昇が開始される。時間ｔ_１６で突き上げ動作は終了して時間ｔ_１７で突き上げブロックは元に戻るが、問題がなければコレット１０５はそのまま上昇を続けて剥離を完了させる。完全剥離後、時間ｔ_１８でコレット１０５は上昇速度を上げて、時間ｔ_１９で所定の平行移動高度に達する。すなわち、コレット１０５はラバーチップ１２５で真空吸着により保持したまま上昇する（ピックアップステップ２１４）。所定の高さまで上昇した後、コレット１０５はダイボンディング位置上方すなわちボンディングステージ１３２上の配線基板１１上方へ移動する（ボンド位置上方へ移動するステップ２１５）。時間ｔ_２０からコレット１０５はラバーチップ１２５で真空吸着により保持したままで降下を開始する。時間ｔ_２１で低速降下に切り替わる。ここで最終着地体勢に入ったことになる。時間ｔ_２２でコレットの真空引きがオフされ（吸着オフステップ２１６）、チップ１はラバーチップ１２５に実質的に分子間力（物理吸着）のみで保持されながら降下する。時間ｔ_２３でチップ１は配線基板１１上に着地する（着地ステップ２１７）。時間ｔ２４で着地が確認されると、ボンディング荷重がコレット１０５に付与される（ボンディング・ステップ２１８）。時間ｔ２５にボンディングが完了すると、コレットは上昇を開始する。そして、時間t２６で所定の平行移動高度に達する。その後、コレット１０５は再び次のチップの剥離のため、ピックアップ部へ移動する。

１０．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて正方形のシリコン・チップを例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、本発明は長方形のチップ、その他の形状のチップ、GaAsチップ等のシリコン以外のチップ、およびその他のチップ上の電子部品のピックアップに同様に適用できることは言うまでもない。

本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法に用いる半導体チップの斜視図である。 半導体ウエハの研削工程を示す側面図である。 半導体ウエハにダイシングテープを貼り付ける工程を示す側面図である。 半導体ウエハのダイシング工程を示す側面図である。 半導体ウエハおよびダイシングテープをウエハリングに固定し、その上方に押さえ板を配置すると共に、下方にエキスパンドリングを配置した状態を示す平面図である。 半導体ウエハおよびダイシングテープをウエハリングに固定し、その上方に押さえ板を配置すると共に、下方にエキスパンドリングを配置した状態を示す断面図である。 ダイシングテープをウエハリングを押さえ板とエキスパンドリングで挟むことによってダイシングテープの張力を与えた状態を示す断面図である。 ダイシングテープを貼り付けた半導体チップの剥離方法を説明するチップ剥離装置の要部断面図である。 チップ剥離装置の吸着駒を示す断面図である。 吸着駒の上面近傍の拡大断面図である。 吸着駒の上面近傍の拡大斜視図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大斜視図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大斜視図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大斜視図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の断面図である。 半導体チップの剥離方法を説明する吸着駒の上面近傍の拡大断面図である。 図２３で剥離された半導体チップがダイボンディング部へ搬送される様子を示す断面図である。 図２３で剥離された半導体チップがダイボンディング部へ搬送され、配線基板に着地したところを示す断面図である。 図２３で剥離された半導体チップがダイボンディング部で配線基板にボンディングされたところを示す断面図である。 半導体チップのペレット付け工程を示す配線基板の断面図である。 半導体チップの積層およびワイヤボンディング工程を示す配線基板の断面図である。 半導体チップの樹脂封止工程を示す配線基板の断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、半導体チップの剥離方法の他の例を説明する吸着駒の上面近傍の断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、半導体チップの剥離方法の原理を説明するための説明図である。 （ａ）および（ｂ）は、ラバーチップ、突き上げブロックの各一例およびコレット本体の構造を示す平面図である。 ａ）および（ｂ）は、ラバーチップ、突き上げブロックの各他の一例およびコレット本体の構造を示す平面図である。 図３３または図３４のＡ−Ａ断面の状態を説明する断面図である。 図３３または図３４のＢ−Ｂ断面の状態を説明する断面図である。 ａ）および（ｂ）は、ラバーチップ、突き上げブロックの各更に他の一例およびコレット本体の構造を示す平面図である。 図３６のＡ−Ａ断面の状態を説明する断面図である。 図３６のＢ−Ｂ断面の状態を説明する断面図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス１を示す処理フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス１を示す模式断面フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス２を示す処理フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス２を示す模式断面フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス３を示す処理フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス３を示す模式断面フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス４を示す処理フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス４に用いる剥離装置の構造を説明するための装置要部上面図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における剥離プロセス４を示す模式断面フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における初期パラメータ自動設定方法１を示す模式断面フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における初期パラメータ自動設定方法１を示す処理フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法における初期パラメータ自動設定方法２を示す処理フロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明するステップフロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明するタイム・チャートである 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その１である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その２である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その３である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その４である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その５である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その６である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その７である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順を説明する断面模式フロー図その８である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディングに使用するラバー・チップの材料に関する各規格間の硬度比較図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるステップ・ダイボンディング方法に使用するチップ剥離＆ダイ・ボンディング一貫装置の構成を示す模式上面図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるステップ・ダイボンディング方法のフローを示す断面ステップフロー図その１である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるステップ・ダイボンディング方法のフローを示す断面ステップフロー図その２である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるステップ・ダイボンディング方法のフローを示す断面ステップフロー図その３である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順の一変形例を説明するステップフロー図である。 本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造方法におけるダイボンディング手順の一変形例に使用するコレットの断面図である。

符号の説明

１ チップ
１０ 接着部材層
１１ 配線基板
１００ チップ装置剥離（チップ処理装置）
１０５ 吸着コレット
１２５ ラバーチップ
３００ ダイ・ボンディング部
４００ チップ処理装置

Claims (4)

1. 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
   （ａ）複数のチップをチップ処理装置のチップ・ピックアップ部に供給する工程；
   （ｂ）前記チップ・ピックアップ部の前記複数のチップの内の第１のチップの表面を吸着コレットのラバーチップの下面に真空吸着した状態で、前記第１のチップを、前記チップ処理装置のダイ・ボンディング部へ向けて移送する工程；
   （ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記吸引コレットの真空吸着を解除し、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面との間の物理吸着により保持した状態で、前記第１のチップの裏面側を、前記チップ処理装置の前記ダイ・ボンディング部に置かれた配線基板の上面に着地させる工程；
   （ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記第１のチップの前記表面を前記ラバーチップの前記下面で下方に加圧することにより、前記第１のチップを、前記第１のチップの前記裏面と前記配線基板の前記上面間の接着部材層を介して前記配線基板の前記上面に固定する工程。
2. 請求項１項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｃ）の前記吸引コレットの真空吸着を解除した後から（ｄ）においては、真空吸着はオフとされている。
3. 請求項２項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ラバーチップは中央部に真空吸引孔を有する。
4. 請求項３項の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
   （ｂ１）前記第１のチップを、前記配線基板の前記上面へ向けて第１の速度で降下させる工程；
   （ｂ２）前記工程（ｂ１）に引き続き、前記第１のチップを、前記第１の速度よりも遅い第２の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程、
   更に、前記工程（ｃ）は、以下の下位工程を含む：
   （ｃ１）前記第１のチップを、着地するまで前記第２の速度で前記配線基板の前記上面へ向けて降下させる工程。

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