JP4948778B2 - 太陽電池およびその色調整方法 - Google Patents
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Description
以下の手順を経ることにより、上記実施の形態において説明した太陽電池を製造した。すなわち、まず、基板としてPENフィルムを準備したのち、その基板上に、DCスパッタリング法を使用してアルミニウムを成膜することにより、300nmの厚さとなるように反射電極層を形成した。続いて、反射電極層上に、DCスパッタリング法を使用して金属を成膜することにより、光吸収層を形成した。続いて、光吸収層上に、プラズマCVD(chemical vaper deposition )法を使用して非晶質シリコン(nip接合膜)を成膜することにより、650nmの厚さとなるように光電変換層を形成した。続いて、光電変換層上に、スパッタリング法を使用してITOを成膜することにより、透明電極層を形成した。この際、光電変換層において発電可能とするために、その光電変換層と反射電極層および透明電極層とを集積化した。最後に、透明電極層上に、スクリーン印刷法を使用してエポキシ系樹脂を印刷することにより、封止材を形成した。これにより、太陽電池が完成した。
金属に代えてケイ化物を使用して光吸収層を形成した点を除き、実施例1の製造手順と同様の手順を経ることにより太陽電池を製造した。
金属に代えてステンレス鋼(SUS)を使用して光吸収層を形成した点を除き、実施例1の製造手順と同様の手順を経ることにより太陽電池を製造した。
光電変換層と反射電極層との間に光吸収層を形成しなかった点を除き、実施例1の製造手順と同様の手順を経ることにより太陽電池を製造した。
Claims (5)
- 光透過性を有する第1の電極層と、
光反射性を有する第2の電極層と、
前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられ、非晶質シリコンを含むと共に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層と、
前記光電変換層と前記第2の電極層との間に設けられ、導電性および光吸収性を有すると共にケイ化物を含む光吸収層と、を備え、
分光光度計により前記第1の電極層側から測定される外観色の色度xは、0.41以上0.50以下の範囲内である
ことを特徴とする太陽電池。 - 前記光吸収層の吸収係数αおよび厚さTの積αTが、0.2以上3.0以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。 - 前記光吸収層が、ケイ化クロム(CrSiまたはCrSi2 )、ケイ化コバルト(CoSi、Co2 SiまたはCoSi2 )、ケイ化鉄(FeSiまたはFeSi2 )、ケイ化マンガン(MnSi)、ケイ化モリブデン(Mo2 Si)、ケイ化ニオブ(NbSi2 )、ケイ化パラジウム(Pd2 Si)、ケイ化白金(PtSiまたはPt2 Si)、ケイ化タンタル(TaSi2 )、ケイ化チタン(TiSiまたはTiSi2 )、ケイ化タングステン(WSi2 )またはケイ化ニッケル(NiSi、Ni2 SiまたはNiSi2 )を含んでいる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の太陽電池。 - 前記第2の電極層がアルミニウム(Al)、白金(Pt)、銀(Ag)またはチタン(Ti)を含む
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の太陽電池。 - 光透過性を有する第1の電極層と、光反射性を有する第2の電極層と、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に設けられ、非晶質シリコンを含むと共に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層と、を備えた太陽電池の外観色を調整する方法であって、
前記光電変換層と前記第2の電極層との間に、導電性および光吸収性を有すると共にケイ化物を含む光吸収層を設けることにより、分光光度計により前記第1の電極層側から測定される外観色の色度xが0.41以上0.50以下の範囲内となるように、前記光電変換層を経由した光を前記光吸収層において吸収させる
ことを特徴とする太陽電池の色調整方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005098071A JP4948778B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 太陽電池およびその色調整方法 |
| US11/362,913 US8373058B2 (en) | 2005-03-30 | 2006-02-28 | Solar cell and method of adjusting color of the same |
| DE102006014607A DE102006014607A1 (de) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | Solarzelle |
| CN200610073777.6A CN1841789B (zh) | 2005-03-30 | 2006-03-30 | 太阳能电池及其色调节方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005098071A JP4948778B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 太陽電池およびその色調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006278878A JP2006278878A (ja) | 2006-10-12 |
| JP4948778B2 true JP4948778B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=36999164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005098071A Expired - Fee Related JP4948778B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 太陽電池およびその色調整方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8373058B2 (ja) |
| JP (1) | JP4948778B2 (ja) |
| CN (1) | CN1841789B (ja) |
| DE (1) | DE102006014607A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100037948A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Integrated Digital Technologies, Inc. | Solar cells provided with color modulation and method for fabricating the same |
| KR101519138B1 (ko) | 2008-08-22 | 2015-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| US8436444B2 (en) | 2008-12-10 | 2013-05-07 | Si-Nano Inc. | Thin film photoelectric conversion device and method for manufacturing thin film photoelectric conversion device |
| US20110215434A1 (en) * | 2009-08-11 | 2011-09-08 | Si-Nano Inc. | Thin-film photoelectric conversion device and method of manufacturing thin-film photoelectric conversion device |
| US8362356B2 (en) * | 2009-08-13 | 2013-01-29 | Gtat Corporation | Intermetal stack for use in a photovoltaic device |
| KR101303471B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2013-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 태양전지 및 그 제조방법 |
| CN102479832A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 高光电转换效率太阳能电池 |
| CN102479833A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 穿透光可调整的高光电转换效率太阳能电池 |
| EP2711990A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-03-26 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Solar module and its production process |
| GB201306611D0 (en) * | 2013-04-11 | 2013-05-29 | Pilkington Group Ltd | Heat treatable coated glass pane |
| JP6193688B2 (ja) * | 2013-05-07 | 2017-09-06 | 株式会社豊田自動織機 | 太陽光−熱変換装置及び太陽熱発電装置 |
| JP2016195175A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社東芝 | 光発電モジュール |
| WO2017065251A1 (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 三菱化学株式会社 | 有機光電変換素子及び有機薄膜太陽電池モジュール |
| WO2019181835A1 (ja) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその太陽電池を備えた電子機器 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103370A (en) | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Amorphous semiconductor solar cell |
| JPS5955012A (ja) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | アモルフアスシリコン半導体材料用基板 |
| JPH0656883B2 (ja) * | 1986-03-03 | 1994-07-27 | 鐘淵化学工業株式会社 | 半導体装置 |
| JPH01139458A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-31 | Akitomo Yano | 蛇行修正装置 |
| JPH01139458U (ja) | 1988-03-17 | 1989-09-22 | ||
| JPH05251723A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-09-28 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型太陽電池モジュール |
| JP3792281B2 (ja) * | 1995-01-09 | 2006-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 太陽電池 |
| JP4063896B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2008-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有色シースルー光起電力装置 |
| DE69734183T8 (de) | 1996-10-15 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Sonnenzelle und Herstellungsverfahren |
| JP2000299482A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2005197608A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置 |
-
2005
- 2005-03-30 JP JP2005098071A patent/JP4948778B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-28 US US11/362,913 patent/US8373058B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 DE DE102006014607A patent/DE102006014607A1/de not_active Ceased
- 2006-03-30 CN CN200610073777.6A patent/CN1841789B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1841789A (zh) | 2006-10-04 |
| JP2006278878A (ja) | 2006-10-12 |
| US20060219293A1 (en) | 2006-10-05 |
| US8373058B2 (en) | 2013-02-12 |
| DE102006014607A1 (de) | 2006-10-05 |
| CN1841789B (zh) | 2011-07-13 |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
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