JP4954967B2 - 構造物と2以上の能動減衰システムの組合せ、リソグラフィ装置、および投影アセンブリ - Google Patents
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- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 49
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 45
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 36
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000036461 convulsion Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F15/00—Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion
- F16F15/02—Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F7/00—Vibration-dampers; Shock-absorbers
- F16F7/10—Vibration-dampers; Shock-absorbers using inertia effect
- F16F7/1005—Vibration-dampers; Shock-absorbers using inertia effect characterised by active control of the mass
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
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- Public Health (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Claims (15)
- 構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムアセンブリであって、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも2つの弾性接続を用いて前記構造物に取り付けられたインタフェースマスと、
複数の能動ダンパと
を備え、
前記各能動ダンパは、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサと、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加えるアクチュエータと
を含み、
前記複数の能動ダンパの各々が前記インタフェースマスに接続されている能動減衰システムアセンブリ。 - 前記インタフェースマスは前記構造物に減衰バネを介して取り付けられている、
請求項1記載の能動システムアセンブリ。 - 前記反作用物体は基盤フレームであり、前記アクチュエータは、前記基盤フレームと前記インタフェースマスとの間に接続されている、
請求項1又は2記載の能動減衰システムアセンブリ。 - 前記インタフェースマスが環状である、請求項1〜3のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
- 前記能動ダンパが投影システムの周囲に一様に分布されている、請求項1〜4のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
- 4以上の能動ダンパを備え、2以上のインタフェースマス各々が前記投影システムに弾性的に取り付けられ、さらに前記4以上の能動ダンパのうちの少なくとも2つが、前記2以上のインタフェースマスの各々に接続されている、請求項1〜5のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
- 前記構造物が投影システムである、請求項1〜6のいずれかに記載の能動減衰システムアセンブリ。
- 放射ビームを調節する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムアセンブリとを備えるリソグラフィ装置であって、
前記能動減衰システムアセンブリが、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも2つの弾性接続を用いて前記構造物に取り付けられたインタフェースマスと、
複数の能動ダンパと
を備え、
前記各能動ダンパは、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサと、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加えるアクチュエータと
を含み、
前記複数の能動ダンパの各々が前記インタフェースマスに接続されている、リソグラフィ装置。 - 前記構造物が投影システムである、請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記投影システムの周囲を囲むように、前記投影システムの周囲に対して少なくとも2つの弾性接続を用いて前記投影システムに取り付けられたインタフェースマスと、
前記投影システムの少なくとも一部分の振動を減衰させる複数の能動ダンパとを備え、
前記複数の能動ダンパの各々が、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサと、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加えるアクチュエータとを備え、
前記複数の能動ダンパの各々が前記インタフェースマスに接続されている、投影アセンブリ。 - 構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰アセンブリであって、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも2つの弾性接続を用いて前記構造物に取り付けられたインタフェースマスと、
複数の能動ダンパと、
モード分離マトリックス、複数のモード制御装置およびモード結合マトリックスを有する多変数制御装置と、
を備え、
前記各能動ダンパは、
前記インタフェースマスに接続され、かつ、前記インタフェースマスの位置量を測定するセンサ、および、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間に取り付けられ、前記センサによって供給される信号に基づいてインタフェースマスに力を加えるように構成されたアクチュエータと
を含む能動減衰アセンブリ。 - 前記構造物が投影システムである、請求項11に記載の能動減衰アセンブリ。
- 前記投影システムがリソグラフィ装置の部分である、請求項12に記載の能動減衰アセンブリ。
- 構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるように2以上の能動ダンパを制御する方法であって、
前記構造物の周囲を囲むように、前記構造物の周囲に対して少なくとも2つの弾性接続を用いて前記構造物に弾性的に少なくとも1つのインタフェースマスを取り付け、
前記インタフェースマスにそれぞれ接続された複数のセンサを使用して前記インタフェースマスの位置量を測定し、
反作用物体と前記インタフェースマスとの間にそれぞれ取り付けられた複数のアクチュエータを使用して、前記センサによって供給される信号に基づいて前記インタフェースマスに力を加え、
モード分離マトリックス、複数のモード制御装置およびモード結合マトリックスを備える多変数制御装置を設け、
前記センサの出力信号を前記モード分離マトリックスに、前記モード分離マトリックスの出力を前記複数のモード制御装置に、さらに前記モード制御装置の出力を前記モード結合マトリックスを介して前記アクチュエータに供給することによって、前記出力信号に基づいて前記アクチュエータを作動させること、を含む方法。 - 多変数制御装置を設けることが、前記構造物および前記インタフェースマスの動力学に基づいて前記モード結合および分離マトリックスを決定することを含む、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US99650207P | 2007-11-20 | 2007-11-20 | |
| US60/996,502 | 2007-11-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009127861A JP2009127861A (ja) | 2009-06-11 |
| JP4954967B2 true JP4954967B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=40943786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008290443A Expired - Fee Related JP4954967B2 (ja) | 2007-11-20 | 2008-11-13 | 構造物と2以上の能動減衰システムの組合せ、リソグラフィ装置、および投影アセンブリ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8059259B2 (ja) |
| JP (1) | JP4954967B2 (ja) |
| NL (1) | NL1036160A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10591018B2 (en) | 2016-06-27 | 2020-03-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vibration-suppressing mechanism to be attached to charged particle beam device, and charged particle beam device |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1036161A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Combination of structure and an active damping system, and a lithographic apparatus. |
| US20090153832A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Yosuke Tatsuzaki | Apparatus and method for isolating vibrations in a lithography machine using two active control units |
| DE102009005954B4 (de) * | 2009-01-20 | 2010-10-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Dämpfungsvorrichtung |
| WO2011033763A1 (ja) | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 三菱電機株式会社 | 制振装置および制振装置を備えたディスク装置 |
| NL2006097C2 (nl) * | 2010-03-30 | 2013-01-17 | Mi Partners B V | Inrichting voor het ondersteunen en positioneren van een substraat. |
| EP2447777B1 (en) * | 2010-10-27 | 2019-08-07 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus for transferring pattern from patterning device onto substrate, and damping method |
| WO2013050081A1 (en) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for controlling a motion of optical elements in lithography systems |
| NL2009902A (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| TWD153552S (zh) | 2012-02-17 | 2013-05-11 | 諾菲勒斯系統公司 | 用於半導體晶圓操作之末端受動器之質量阻尼 |
| DE102012206230A1 (de) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Carl Zeiss Sports Optics Gmbh | Optisches System zur Abbildung eines Objekts |
| JP6105906B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-03-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE102013201082A1 (de) | 2013-01-24 | 2014-03-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anordnung zur Aktuierung eines Elementes in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| US20150124321A1 (en) * | 2013-11-06 | 2015-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus, method for controlling display apparatus, and program |
| DE102016202408A1 (de) * | 2016-02-17 | 2017-01-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anordnung zur Positionsmanipulation eines Elementes in einem optischen System |
| WO2021152793A1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置及び振動抑制機構 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999534A (en) * | 1990-01-19 | 1991-03-12 | Contraves Goerz Corporation | Active vibration reduction in apparatus with cross-coupling between control axes |
| JPH094677A (ja) | 1995-06-15 | 1997-01-07 | Nikon Corp | 防振方法 |
| WO1999025011A1 (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP3825921B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP3726207B2 (ja) | 1999-07-14 | 2005-12-14 | 株式会社日立製作所 | アクティブ除振装置 |
| EP1321822A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| GB0319552D0 (en) * | 2003-08-20 | 2003-09-24 | Reactec Ltd | Improvments in or relating to vibration contol |
| US7817243B2 (en) * | 2004-04-12 | 2010-10-19 | Asml Netherlands B.V. | Vibration isolation system |
| US8400613B2 (en) * | 2005-05-02 | 2013-03-19 | Nikon Corporation | Optical element driving apparatus, projection optical system, exposure apparatus and device manufacturing method |
-
2008
- 2008-11-06 NL NL1036160A patent/NL1036160A1/nl active Search and Examination
- 2008-11-11 US US12/268,622 patent/US8059259B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-11-13 JP JP2008290443A patent/JP4954967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10591018B2 (en) | 2016-06-27 | 2020-03-17 | Hitachi High-Technologies Corporation | Vibration-suppressing mechanism to be attached to charged particle beam device, and charged particle beam device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8059259B2 (en) | 2011-11-15 |
| US20090207393A1 (en) | 2009-08-20 |
| NL1036160A1 (nl) | 2009-05-25 |
| JP2009127861A (ja) | 2009-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110922 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120127 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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