JP4963366B2 - 真空チャンバ装置、静電潜像形成装置及び静電潜像測定装置 - Google Patents

Description

本発明は、真空チャンバ装置、静電潜像形成装置及び静電潜像測定装置に関し、特に、試料台の取り付けが容易な真空チャンバ装置、静電潜像形成装置及び静電潜像測定装置に関する。

複写機やレーザプリンタといった電子写真方式の画像形成装置は、出力画像を得るために、通常、以下のプロセスを行っている。なお、各プロセスを実行して出力画像を得る電子写真装置の構成を図８に示す。

１．帯電：電子写真感光体（感光体）を均一に帯電させる。
２．露光：帯電した感光体に光を照射することによって画像に対応して部分的に電荷を逃がし、静電潜像を形成する。
３．現像：帯電した微粒子（以下、トナー）で静電潜像上に可視画像を形成する。
４．転写：トナー像を紙又は他の転写材に移動させる。
５．定着：転写画像を形成しているトナーを融着して、転写材上に画像を固定する。
６．クリーニング：感光体上の残留トナーを清掃する。
７．除電：感光体上の残留電荷を除去する。

上記の工程のそれぞれでのプロセスファクターやプロセスクオリティは、最終的な出力画像品質に大きく影響を与える。このため、より高い画質の画像を得るためには、各工程のプロセスクオリティを向上させる必要があり、中でも静電潜像の品質を評価することは、質の高い画像を得る上で極めて重要である。

ところで、露光工程で用いる書き込み光学系は、感光体面上におけるビームスポット径として最適化設計されている。すなわち、本来トナー粒子の挙動に直接影響を与える感光体上の静電潜像として最適なものが形成されるように設計されるべきであるにもかかわらず、そのような設計が行われている訳ではない。また、露光エネルギーが静電潜像へ変換されるときの明確なメカニズムも確立されていない。
従って、静電潜像から得られる情報を光学系設計に取り込むことができれば、さらに高画質化を図れ、画像形成装置の低コスト設計が可能になると期待される。

しかしながら、静電潜像は測定することが極めて困難であり、実際の使用上全く測定できないのが現状である。良く知られている静電潜像の測定方法は、カンチレバーなどのセンサヘッドを、電位分布を有する試料に近づけ、そのとき静電潜像とカンチレバーなどどの間に相互作用として起こる静電引力や誘導電流を計測し、これを電位分布に換算する方式である。静電引力タイプはＳＰＭ（Scanning probe microscope）として市販されており、また誘導電流タイプは特許文献１や特許文献２に開示されている。

これらの方式を用いるためには、センサヘッドを試料に近接させる必要がある。例えば、１０μｍの空間分解能を得るためには、センサと試料との距離は１０μｍ以下にする必要がある。
このような条件では、
○絶対距離計測が必要となる。
○測定に時間がかかり、その間に潜像の状態が変化する。
○放電、吸着が起こる。
○センサ自体が磁場を乱す。
といった問題を有しており、他の用途には適用できても、実使用上静電潜像を測定することはできない。

このため現実的な測定方法として、有色微粉末であるトナーに電荷を与え、電荷を持ったトナーと静電潜像との間に働くクーロン力によってトナーを感光体に付着させて現像（静電潜像を可視化）し、さらにこのトナー像を紙やテープに転写させる方法が一般的に用いられている。
しかし、この方法は現像及び転写のプロセスを経ているため、静電潜像そのものを計測したことにはならない。

一方、電子ビームを用いた電位パターンの測定方法が知られている。これは、ＬＳＩの故障解析のために既に実用化されている手法である。しかし、この測定方法は試料が導体の場合にのみ適用可能な方法であり、感光体のような誘電体が測定対象であると適用できない。
これは、測定対象が導体であれば、これに定電流を流すことにより電位分布を長時間保持することができ、また、電位量は高々０〜５Ｖの狭い範囲であるから、チャージアップ現象も発生しないからである。さらに、測定対象が導体であれば、電子ビームの照射によって電位状態が変わることもない。

電子ビームによる静電潜像の観察方法としては、特許文献３に開示される方法もある。
特許第３００９１７９号公報 特開平１１−１８４１８８号公報 特開平０３−０４９１４３号公報

だが、特許文献３に開示される方法では、試料はＬＳＩサイズのチップや静電潜像を記録・保持できるものに限定されている。すなわち、暗減衰を生じる通常の感光体は測定できない。
通常の誘電体は、電荷を半永久的に保持できるため、電荷分布を形成後、時間をかけて測定しても測定結果に影響は現れない。しかしながら感光体の場合は抵抗値が無限大ではないため、上記のように暗減衰が生じ、時間とともに表面電位が低下してしまう。暗室であっても、感光体が電荷を保持できる時間はせいぜい数十秒である。従って、帯電・露光後に電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察しようとしても、その準備段階で静電潜像は消失してしまう。

さらに、電子写真プロセスで用いられる感光体試料は、一般的に円筒形状をしており、円筒形状の感光体に生じる静電潜像分布を非破壊で、高分解能に測定することが望まれる。また、電荷分布形成手段が同じであっても、感光体の経時的な劣化により、静電潜像は変化する。このため、経時的な静電潜像の変動を評価することも望まれている。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、潜像形成後の短い時間内で静電潜像を測定できる静電潜像測定装置を提供することを目的とする。
また、真空試料台ユニットの真空チャンバに対する着脱を容易化するとともに、被検物である感光体の設置条件設定、露光光学系の設定等に関わるチャンバ外での作業性の向上を図ることを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、第１の態様として、試料を保持し一側の開口部を通して真空チャンバ内に収容され任意の方向へ移動可能とする試料台を備えた真空チャンバ装置であって、前記真空チャンバの外壁部に、載置台と、前記試料台が前記開口部を通して前記真空チャンバ内に収容されるように前記載置台を前記開口部に直交する方向に案内するためのガイドレールとが設置され、前記載置台には、前記開口部に取り付けられ該開口部を密閉するフランジと、前記試料台と、該試料台の駆動機構と、前記フランジを支持する構造体とを有する真空試料台ユニットが搭載され、前記取り付けフランジは、基準ピンが植設され該基準ピンが前記真空チャンバの外壁部に設けられた基準穴に嵌合されて位置決めされる構造であり、前記載置台は、前記ガイドレールに案内される載置台基部と、該載置台基部の前記フランジ側に備えられ前記フランジを支持するフランジ支持部と、前記載置台基部の前記フランジ支持部から前記ガイドレールの案内方向に離間した側に備えられ前記構造体を支持する構造体支持部と、を含み、鉛直方向を第１の方向、ガイドレールにより載置台が案内される方向を第２の方向、前記第１の方向及び前記第２の方向に垂直な方向を第３の方向としたとき、前記フランジ支持部により前記フランジを前記第１の方向および前記第３の方向において位置決めし、かつ、前記構造体支持部により前記構造体を前記第１の方向、前記第２の方向において位置決めし、かつ、前記構造体の一端部を前記載置台基部に嵌合することにより第３の方向における位置決めをすること
を特徴とする真空チャンバ装置を提供するものである。

本発明の第１の態様の上記のいずれの構成においても、前記第１の方向において前記フランジの底面と前記構造体の底面が同じ高さであり、
前記載置台に搭載した状態の前記真空試料台ユニットの姿勢と前記載置台から取り外し水平面に設置した状態の前記真空試料台ユニットの姿勢とが略同一となることが好ましく、また、前記フランジ支持部は、第３の方向において前記フランジの両端を挟むように支持していることが好ましく、また、前記構造体支持部は、前記第１の方向に対して傾きを有する傾斜部を備えたことが好ましく、また、前記ガイドレールに沿った前記載置台の動きを規制する部材と、前記載置台と前記真空試料台ユニットとを連結固定するロック部材とを有することが好ましい。

また、上記目的を達成するため、本発明は、第３の態様として、上記本発明の第１の態様のいずれかの構成にかかる真空チャンバ装置を用いた静電潜像測定装置であって、荷電子ビームを出力・走査する手段を有し、該荷電子ビームの走査によって得られる検出信号に基づいて試料面上の静電潜像を検出し、該静電潜像は、帯電させた試料を露光光学系で露光して試料上に電荷分布を発生させて形成することを特徴とする静電潜像測定装置を提供するものである。

本発明によれば、潜像形成後の短い時間内で静電潜像を測定できる静電潜像測定装置を提供できる。また、真空試料台ユニットの真空チャンバに対する着脱を容易化するとともに、被検物である感光体の設置条件設定、露光光学系の設定等に関わるチャンバ外での作業性の向上を図れる。

本発明の好適な実施の形態について説明する。
図６に、静電潜像測定方法の一例を示す。この静電潜像測定方法には、荷電粒子ビームを照射する荷電粒子照射部１０と、露光部２０と、試料設置部１６と、二次電子検出部１８とを備えた測定装置を用いる。これらは全て同一のチャンバ内に配置されており、チャンバ内は真空となっている。

ここでいう荷電粒子とは、電子やイオンなど、電界や磁界の影響を受ける粒子を指す。以下の説明においては、荷電粒子照射部１０は電子ビームを照射するものとし、電子ビーム照射部１０とも表記する。

電子ビーム照射部１０は、電子銃１１、コンデンサレンズ１２、ビームブランカ１３、走査レンズ１４及び対物レンズ１５を有する。電子銃１１は、電子ビームを発生させる。コンデンサレンズ１２は、電子銃１１から発射された電子ビームを収束させる。ビームブランカ１３は、電子ビームをＯＮ／ＯＦＦさせる。走査レンズ１４は、ビームブランカ１３を通過した電子ビームを走査させる。対物レンズ１５は、走査レンズ１４を通過した電子ビームを再び集光させる。なお、走査レンズ１４は、いわゆる偏向コイルである。なお、他のそれぞれのレンズなどには、不図示の駆動用電源が接続されている。

電子ビームの代わりにイオンビームを使用する場合には、電子銃１１の代わりに液体金属イオン銃などを用いる。

２次電子検出部１８には、シンチレータや光電倍増管などが用いられる。

露光部２０は、感光体（構成は後述）に関して感度を持つ波長の光源２１、コリメートレンズ２２、アパーチャ２３、結像レンズ２５を有しており、試料設置部１６に設置された試料３０上に、所望のビーム径、ビームプロファイルを形成する。光源２１としては、ＬＤ（レーザ・ダイオード）などが用いられる。また、ＬＤ制御手段などによって光源２１を制御し、適切な露光時間、露光エネルギーを照射できるようになっている。試料３０上に静電潜像からなるライン状のパターンを形成するために、露光部２０の光学系にガルバノミラーやポリゴンミラーを用いたスキャニング機構を設けても良い。

試料３０の実体をなす感光体の構成を図９に示す。
感光体は、導電性支持体の上に電荷発生層（ＣＧＬ）、電荷輸送層（ＣＴＬ）が形成された構造である。表面に電荷が帯電している状態で露光されると、電荷発生層の電荷発生材料（ＣＧＭ）によって光が吸収され、正負両極性のチャージキャリアが発生する。このキャリアは電界によって、一方は電荷輸送層に、他方は導電性支持体に注入される。電荷輸送層に注入されたキャリアは、電界によって電荷輸送層の表面にまで移動し、感光体表面の電荷と結合して消滅する。これにより、感光体表面には電荷分布、すなわち静電潜像が形成される。

図１１に静電潜像測定装置の構成を示す。この装置を用いて静電潜像を測定する際の手順について説明する。
まず、電子ビーム照射部１０によって感光体試料３０に電子ビームを照射する。このときの加速電圧と２次電子放出比δとの関係を図７に示す。加速電圧Ｅ１を２次電子放出比δが１となる加速電圧Ｅ０よりも高く設定することにより、入射電子量が放出電子量を上回るため、電子が感光体試料３０に蓄積されてチャージアップを起こす。この結果、試料３０はマイナスの電荷で一様に帯電する。なお、感光体試料３０は、加速電圧と照射時間とを変化させることにより、所望の帯電電位に帯電させることが可能である。

感光体試料３０に帯電電位が形成されたら、電子ビームを一旦ＯＦＦとする。

次に、露光部２０の光学系を用いて感光体試料３０を露光する。光学系は、所望のビーム径及びビームプロファイルを形成するように調整されている。露光により感光体試料３０に静電潜像が形成される。

感光体試料３０に静電潜像を形成した後、測定装置を観測モードに切り替える。観測モードでは、感光体試料３０を電子ビームで走査し、放出される２次電子をシンチレータや光電子倍増管などからなる２次電子検出部１８で検出し、これを電気信号に変換して電位コントラスト像を観察する。

電位コントラスト像から電位に変換するために、予め電位と信号強度との相関関係を表す変換テーブルを用意しておき、それを基に信号強度から電位分布を算出しても良い。

また、電子ビームスキャン領域内に既知となる参照電位を配置し、２次電子信号強度を参照電位と比較することによって電位分布を算出する方法を用いても良い。
参照電位を配置する方法としては、図１０に示すように、絶縁体３３上に複数の導電性基板３４を配置し、それぞれの導電性基板３４に基準となる電位を設定する方法がある。具体的には、基準電圧源の電圧を抵抗で分圧し、導電性基板３４ごとに基準となる電位をそれぞれ印加する。

一般的に、電位が高い部分よりも低い部分の方が２次電子の放出量が多くなるため明るくなる。図１０では、相対的に電位の低い部分を白、電位の高い部分を黒で表示している。図１０において、符号３０は感光体試料を、３１は静電潜像を、３２は電子ビームスキャン領域をそれぞれ示している。感光体試料３０の表面を電子ビームでスキャンしながら２次電子検出部１８で２次電子を検出する。そのときの検出信号の変化の様子も図１０に示す。
２次電子検出部１８上での信号強度は、設定条件により変化する場合には補正しても良い。また、事前にキャリブレーションしても良い。

測定終了後は、図１１に示す光源１７（ＬＥＤなど）を用いて感光体試料３０の面全体に光を照射することにより、感光体試料３０の残留電荷を除去する。

図１１には、測定装置の制御系も示している。
測定装置の制御系は、ＬＤ制御部３６、荷電粒子制御部３７、ＬＥＤ制御部３８及び試料台制御部３９を有する。ＬＤ制御部３６は、光源２１を制御する。荷電粒子制御部３７は、走査レンズ１４を制御する。ＬＥＤ制御部３８は、残留電荷除去用の光源１７を制御する。試料台制御部３９は、試料台１６の移動を制御する。
ＬＤ制御部３６、荷電粒子制御部３７、ＬＥＤ制御部３８及び試料台制御部３９は、ホストコンピュータ３５によって制御される。また、２次電子検出部１８の出力は、２次電子検出器４１で検出され、この検出信号は信号処理部４２で処理されて測定結果出力部４３から２次電子測定結果として出力される。

２次電子放出比δは、
δ＝放出電子／入射電子
として表されるが、より厳密に言えば、透過電子と反射電子とを考慮する必要があるため、
放出電子＝透過電子＋反射電子＋２次電子
としてδを算出すると良い。

正電荷で帯電させたい場合には、図７に示すような２次電子放出比が１以上となる加速電圧で電子ビームを感光体試料３０に照射すれば良い。通常のＳＥＭによる試料観察では、チャージアップの影響を避けるためδ＝１の条件下で観察することが一般的で、それ以外の加速電圧を用いないことが知られている。本実施形態では、意図的にチャージアップさせて帯電電位を形成するようにしている。

なお、上記方式では、帯電電位形成後に一旦電子ビームをＯＦＦにしているが、ＯＦＦにすることなく、δ＝１となる加速電圧に変更してチャージアップの起きない観察条件とし、その状態で露光させるようにしてもよい。
また、帯電方法は、接触帯電など別の手法を用いても良い。

図１〜図５に、真空チャンバ装置の構成を示す。
図１は、真空チャンバ５０に真空試料台ユニット６０を装着した状態を示す。図４は、真空チャンバ５０から真空試料台ユニット６０を引き出した状態を示す。
真空チャンバは円筒状の材料に内径加工を行い、上方からＤカット（上面視Ｄ字状に切断）することで、開口部とフランジ取り付け部とが形成されている。真空チャンバ５０の底面と平行な面にガイドレール取り付け部が設けられ、開口部と直交する方向にガイドレール５２が取り付けられている。本実施形態においては、真空試料台ユニットの位置決め精度向上及び耐荷重性向上のため２本のガイドレール５２と補強板５３とで構成している。ガイドレール５２のそれぞれには各１個の移動台５４がセットされ、２個の移動台５４をブリッジした載置台５５がガイドレール５２にねじによって締結されている。

図２に、真空チャンバ５０の構成を示す。また、図３に、真空試料台ユニット６０の構成を示す。
真空試料台ユニットのフランジ６１（真空チャンバに連結するためのフランジ）には、真空チャンバ５０内で試料を３方向に移動させるためのステージ部６２が取り付けられる。フランジ６１のステージとは反対側には箱型の構造体が形成され、ステージ駆動部６３（ステッピングモータやマイクロヘッドなど）がＯリングでリーク防止した上で取り付けられる構造となっている。真空チャンバ５０内部への電力及び信号取り出しのためのハーネスは、フィールドスルー６４で真空を保ったまま中継されている。

図５に示すように、箱型構造体６９の底部に断面がＬ字の位置決め部材６５が締結され、短辺側の両サイドの角が面取りされ、端面底部の高さとフランジ下端の底面高さとが略同一とされている。さらに、位置決め部材６４の端部底面とフランジ６１下端の底面とを結んで形成する台形面の中に真空試料台ユニット６０全体の重心が位置しており、これによって、真空試料台ユニット６０の姿勢を略水平に保ったまま机などの上に設置できるため、組み付け調整やその他の作業を容易に行えるようになっている。

次に、載置台５５と真空試料台ユニット６０との位置決めについて説明する。
載置台５５は真空試料台ユニット６０を容易にセットするためのガイド部、真空試料台ユニット６０を水平に保持するための受け部及び載置時の安定、安全性を確保するための部分から成り立っている。
ガイド部はスライド方向前後に２カ所設けられている。真空チャンバ５０側にはＵ字型に開いた突起形状のＵ字型ガイド部５６が設けられ、真空試料台ユニット６０のフランジ６１のステージと反対面の突起部に外側からガイドしながら突き当たる。互いの角部はＲ形状になっているため、スライド方向と直交する方向にズレが生じてもガイドされる。もう一方のガイドは、Ｕ字型ガイド部５６の真空チャンバ５０側の端部と載置台５５の真空チャンバ５０とは反対側の端部とにそれぞれ切り欠きを設けてそれぞれ斜面５６ａ、５５ａを形成し、載置台５５とＵ字型ガイド部５６とがこの切り欠き部に沿って真空試料台ユニット６０の位置決め部材６５とフランジ６１との間に嵌ることでガイドされる。
ガイドレール５２に沿った方向の位置決めは、フランジ６１のステージの反対面と位置決め部材６５との間に載置台５５を挟持することで行われる。
鉛直方向の真空試料台ユニット６０の位置決めは、載置台５５の受け面高さを適正に設定することで、自重によって水平に保持される。

載置台５５と真空試料台ユニット６０の位置決め部６５がガイドレール５２に沿った方向及びそれに直交する方向で挟持し互いに嵌合しているため、着脱時の負荷や通常の衝撃によって載置台から真空試料台ユニット６０が落下することはない。
また、載置台５５の後端部にタップを設け、真空試料台ユニット６０の位置決め部材６５に穴を設けツマミねじ６６で互いに締結することで更なる安全性を確保できる。

載置台５５の中央にタップを設け、ツマミねじ６６で補強板５３の穴にねじを差し込む、又は補強板５３の表面に突き当てることで、載置台５５のロックあるいは任意の位置でブレーキをかけることができる。このような安全装置が備えられているため、重量物である真空試料台ユニット６０を載置台５５から取り外さなくとも、真空チャンバ５０から取り出した状態で各種作業を行うことができ、安全性と作業効率とが向上する。

真空試料台ユニット６０の真空チャンバ５０への装着は、載置台５５に搭載した状態で箱型構造体の左右に取り付けられた取っ手６７を用いて真空試料台ユニット６０を真空チャンバ５０側へ押し込み、フランジ６１の基準面（突き当て面）が真空チャンバ５０のフランジ取り付け面（接触面）にＯリングを所定量圧縮してねじ締結されることによってなされる。このとき真空チャンバ５０のフランジ取り付け面には主基準となる穴と従基準となる長穴とが所定ピッチであけられ（これらを基準穴５７と言う）、フランジ６１に植設された先端がテーパ状の基準ピン６８と嵌合することで高精度に位置決めされ、真空チャンバ５０内に設けられた不図示の電子銃との位置関係を、着脱によるバラツキを抑えて高精度に維持している。

このように、本実施形態にかかる静電潜像測定装置によれば、重量物である真空試料台ユニット６０と載置台５５との位置決めを高精度に行い、更にガイドレール５２に沿って容易に移動させることができる。真空チャンバ５０に設けられた基準穴５７にフランジ６１に植設された基準ピン６８が嵌合することで、電子銃と真空試料台との位置関係が高精度に保たれる。
また、操作性も大きく向上する。

なお、上記の説明は本発明の好適な実施の一例であり、本発明はこれに限定されることはない。
例えば、上記実施形態では載置台及びＵ字型ガイド部を切り欠いて斜面を形成したが、面取りの代わりに丸め（Ｒ加工）を施してもよい。
このように、本発明は様々な変形が可能である。

本発明の好適な実施の形態にかかる真空チャンバ装置の構成を示す図である。 真空チャンバの構成を示す図である。 真空試料台ユニットの構成を示す図である。 真空チャンバから真空試料台ユニットを引き出した状態を示す図である。 ガイドレール方向の位置決め状態を示す図である。 静電潜像測定方法の一例を示す図である。 加速電圧と２次電子放出比δとの関係を示す図である。 電子写真装置の構成を示す図である。 感光体の構成を示す図である。 参照電位を配置する方法の一例を示す図である。 静電潜像測定装置の構成を示す図である。

符号の説明

１１ 電子銃
１２ コンデンサレンズ
１３ ビームブランカ
１４ 走査レンズ
１５ 対物レンズ
１６ 試料台
１７ 光源
１８ ２次電子検出部
２０ 露光部
２１ 光源
２２ コリメートレンズ
２３ アパーチャ
２５ 結像レンズ
３０ 試料
３１ 静電潜像
３２ ビームスキャン領域
３３ 絶縁体
３４ 導電性基板
３５ コンピュータ
３６ ＬＤ制御部
３７ 荷電粒子制御部
３８ ＬＥＤ制御部
３９ 試料台制御部
４１ ２次電子検出器
４２ 信号処理部
４３ 測定結果出力部
５０ 真空チャンバ
５２ ガイドレール
５３ 補強板
５４ 移動台
５５ 載置台
５６ Ｕ字型ガイド部
５７ 基準穴
６０ 真空試料台ユニット
６１ フランジ
６２ ステージ部
６３ ステージ駆動部
６４ フィールドスルー
６５ 位置決め部材
６６ ツマミねじ
６７ 取っ手
６８ 基準ピン
６９ 箱型構造体

Claims (6)

1. 試料を保持し一側の開口部を通して真空チャンバ内に収容され任意の方向へ移動可能とする試料台を備えた真空チャンバ装置であって、
   前記真空チャンバの外壁部に、載置台と、前記試料台が前記開口部を通して前記真空チャンバ内に収容されるように前記載置台を前記開口部に直交する方向に案内するためのガイドレールとが設置され、
   前記載置台には、前記開口部に取り付けられ該開口部を密閉するフランジと、前記試料台と、該試料台の駆動機構と、前記フランジを支持する構造体とを有する真空試料台ユニットが搭載され、
   前記取り付けフランジは、基準ピンが植設され該基準ピンが前記真空チャンバの外壁部に設けられた基準穴に嵌合されて位置決めされる構造であり、
   前記載置台は、前記ガイドレールに案内される載置台基部と、該載置台基部の前記フランジ側に備えられ前記フランジを支持するフランジ支持部と、前記載置台基部の前記フランジ支持部から前記ガイドレールの案内方向に離間した側に備えられ前記構造体を支持する構造体支持部と、を含み、
   鉛直方向を第１の方向、ガイドレールにより載置台が案内される方向を第２の方向、前記第１の方向及び前記第２の方向に垂直な方向を第３の方向としたとき、
   前記フランジ支持部により前記フランジを前記第１の方向および前記第３の方向において位置決めし、かつ、前記構造体支持部により前記構造体を前記第１の方向、前記第２の方向において位置決めし、かつ、前記構造体の一端部を前記載置台基部に嵌合することにより第３の方向における位置決めをすること
   を特徴とする真空チャンバ装置。
2. 前記第１の方向において前記フランジの底面と前記構造体の底面が同じ高さであり、前記載置台に搭載した状態の前記真空試料台ユニットの姿勢と前記載置台から取り外し水平面に設置した状態の前記真空試料台ユニットの姿勢とが略同一となることを特徴とする請求項１記載の真空チャンバ装置。
3. 前記フランジ支持部は、第３の方向において前記フランジの両端を挟むように支持していることを特徴とする請求項１記載の真空チャンバ装置。
4. 前記構造体支持部は、前記第１の方向に対して傾きを有する傾斜部を備えたことを特徴とする請求項１記載の真空チャンバ装置。
5. 前記ガイドレールに沿った前記載置台の動きを規制する部材と、前記載置台と前記真空試料台ユニットとを連結固定するロック部材とを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の真空チャンバ装置。
6. 請求項１から５のいずれか１項記載の真空チャンバ装置を用いた静電潜像測定装置であって、
   荷電子ビームを出力・走査する手段を有し、該荷電子ビームの走査によって得られる検出信号に基づいて試料面上の静電潜像を検出し、
   該静電潜像は、帯電させた試料を露光光学系で露光して前記試料上に電荷分布を発生させて形成することを特徴とする静電潜像測定装置。

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