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JP4985566B2 - 膜形成方法、電子装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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膜形成方法、電子装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、ディスプレイ、表示光源などとして用いられる電気光学装置の製造方法に適用可能なパターニング方法、及び膜形成方法、パターニング装置、膜形成装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及び電子装置とその製造方法に関する。
近年、液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして、発光層に有機物を用いた有機エレクトロルミネセンス素子の開発が加速している。このような有機エレクトロルミネッセンス素子の製造において、発光層形成材料などの機能性材料を所望のパターンに形成するパターニング方法は、特に重要な技術のうちの一つであるとされている。
有機エレクトロルミネッセンス素子における有機物からなる発光層の形成プロセスとしては、低分子材料を蒸着法で成膜する方法（例えば、非特許文献１参照）と、高分子材料を塗布する方法（例えば、非特許文献２参照）とが主に知られている。
カラー化の手段としては、低分子系材料を用いる場合、所定パターンのマスク越しに異なる発光色の発光材料を所望の画素対応部分に蒸着し形成するマスク蒸着法が行われている。一方、高分子系材料を用いる場合には、微細かつ容易にパターニングができることから、インクジェット法を用いたカラー化が注目されており、このようなインクジェット法による有機エレクトロルミネッセンス素子の作製について開示されたものが従来より知られている（例えば、特許文献１〜特許文献４参照）。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子では、発光効率、耐久性を向上させるために、正孔注入層または正孔輸送層を陽極と発光層との間に形成することが提示されている（例えば、非特許文献１参照）。
なお、上記の特許文献１〜４は、それぞれ、特開平７−２３５３７８号公報、特開平１０−１２３７７号公報、特開平１１−４０３５８号公報、及び特開平１１−５４２７０号公報であり、非特許文献１及び２は、それぞれ、Appl.Phys.Lett.51(12)、21 September 1987、p.913及びAppl.Phys.Lett.71(1)、7 July 1997、p.34である。
特開平７−２３５３７８号公報 特開平１０−１２３７７号公報 特開平１１−４０３５８号公報 特開平１１−５４２７０号公報 Appl.Phys.Lett.51(12)、21 September 1987、p.913 Appl.Phys.Let t.71(1)、7 July 1997、p.34
ところで、このような有機エレクトロルミネッセンス素子などの製造においては、各種構成要素に対する材料の多様化などにより、特に材料の選択自由度を高くした新たなパターニング方法の提供が望まれている。
そこで、本発明は、材料の選択自由度を高くした新たなパターニング方法を提供するとともに、膜形成方法、パターニング装置、膜形成装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及び電子装置とその製造方法を提供することを目的としている。
本発明に係る膜形成方法は、第１の材料を前記第１の材料の供給源となる第１の材料供給源に接続された第１のノズルから0.133 Pa以下の圧力に調整された雰囲気中に吐出するとともに、第２の材料を前記第２の材料の供給源となる第２の材料供給源に接続された第２のノズルから第２の材料を前記雰囲気中に吐出することにより、基体の第１の領域上に前記第１の材料及び前記第２の材料を含む第１の膜を形成する第１のステップと、前記第１のノズルから前記雰囲気中に前記第１の材料を吐出するとともに前記第２の材料を前記第２のノズルから前記雰囲気中に吐出することにより、前記第１の領域とは異なる前記基体の第２の領域上に前記第１の材料及び前記第２の材料を含む第２の膜を形成する第２のステップと、を含み、前記第１の膜と前記第２の膜とを含む複数の膜を前記基体上に配置することを特徴とする。
上記の膜形成方法において、前記第１の材料と前記第２の材料とは異なっていてもよい。
上記の膜形成方法において、前記第１の材料はホスト材料であり、前記第２の材料はゲスト材料であってもよい。
上記の膜形成方法において、前記第２の材料が前記第１の膜及び前記第２の膜の発光色を決定するようにしてもよい。
上記の膜形成方法において、前記第１の材料の励起状態のエネルギー準位は、前記第２の材料の励起状態のエネルギー準位より高いことが好ましい。
上記の膜形成方法において、前記第１の材料は、前記雰囲気中で気化していることが好ましい。
上記の膜形成方法において、前記第２の材料は、前記雰囲気中で気化していてもよい。
上記の膜形成方法において、前記第１の材料は、前記雰囲気中で超音速分子噴流となっていてもよい。
上記の膜形成方法において、前記雰囲気中に圧力は、0.00133 Pa以下であってもよい。
上記の膜形成方法において、前記第１のノズルからの前記第１の材料の吐出及び前記第２のノズルからの前記第２の材料の吐出を間欠的に行うことが好ましい。
上記の膜形成方法において、前記第１の材料を、キャリアガスに同伴させて前記第１のノズルから吐出するようにしてもよい。
上記の膜形成方法において、前記第２の材料を、キャリアガスに同伴させて前記第２のノズルから吐出するようにしてもよい。
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、上記の膜形成方法を用いて電気光学装置の構成要素の少なくとも一部を形成する。
上記の膜形成方法を用いて電子装置の構成要素の少なくとも一部を形成するようにしてもよい。
上記の電気光学装置の製造方法において、前記第１の材料及び前記第２の材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる発光層を構成するこようにしてもよい。
上記の電気光学装置の製造方法において、前記基体上に予め画素間を隔てる隔壁を形成しておき、前記隔壁内に前記発光層を形成するようにしてもよい。
前記目的を達成するため本発明のパターニング方法は、高真空度に調整された真空雰囲気中に基体を配置し、材料供給源に接続されたノズルから前記真空雰囲気中に材料を吐出して、前記基体上に前記材料からなるパターンを形成することを特徴としている。
このパターニング方法において、ノズル内より十分に低い圧力雰囲気である真空雰囲気中に材料を吐出すれば、この材料を例えば気化した状態で、かつ理想的には分子線状に吐出することができる。したがって、ノズルと基体との相対的な位置を制御しつつ、この材料を基体上に射出することにより、特にマスクを必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
また、本発明の別のパターニング方法は、高真空度に調整された真空雰囲気中に基体を配置し、材料供給源に接続された複数のノズルのうちの少なくとも一つから前記真空雰囲気中に材料を吐出して、前記基体上に前記材料からなるパターンを形成することを特徴としている。
このパターニング方法において、ノズル内より十分に低い圧力雰囲気である真空雰囲気中に材料を吐出すれば、この材料を気化した状態で、理想的には分子線状に吐出することができる。したがって、ノズルと基体との相対的な位置を制御しつつ、この材料を基体上に射出することにより、特にマスクを必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
また、材料供給源に複数のノズルが接続されていることにより、一度に材料を配置できる領域を拡大したり、時間あたりの材料の供給量を増やしたり、あるいは異なる材料を同時に放出したりすることが可能になり、スループットの向上が図られる。
なお、このパターニング方法においては、前記複数のノズルのうちの少なくとも二つから同一の前記材料を吐出するようにしてもよい。
このようにすれば、少なくとも二つのノズルから同一の材料を放出することにより、例えば、一度に材料を配置できる領域を拡大したり、あるいは複数の領域に一度に材料を配置することが可能となり、また、時間あたりの材料の供給量を増やしたりできる。
また、このパターニング方法においては、前記ノズルと前記基体とを相対的に移動させて、前記基体に対して前記ノズルを位置決めするようにしてもよい。
このようにすれば、複数のノズルと基体とを相対的に移動させて、基体に対して複数のノズルを位置決めすることにより、基体上の所定の位置に材料を確実に配置することができる。また、基体上の複数の位置への材料の配置も容易にできる。
また、前記パターニング方法においては、前記ノズルからの真空雰囲気中への材料の吐出を、該材料が真空雰囲気中で気化した状態となるようにして行うのが好ましい。
理想的には、材料を分子線状に吐出することが更に好ましい。このようにすれば、材料を気化させるので特に溶媒を必要とすることなく使用することができるので、溶媒に容易に溶解しない材料でも特に制限されることなく、より確実にパターニングすることができる。
また、前記パターニング方法においては、前記ノズルからの材料の吐出を間欠的に行うようにしてもよい。
このようにすれば、例えば連続しないパターンの形成が可能となり、したがってこの方法を例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に適用した場合に、多数の独立した画素に対して発光層等の形成材料をパターニングするといったことが容易に行えるようになる。
また、前記パターニング方法においては、材料を、キャリアガスに同伴させてノズルから吐出するのが好ましい。
このようにすれば、例えば材料をキャリアガスに同伴させることでこれの吐出が確実になされるようになるとともに、所望する位置により確実に配置させることができ、したがってパターニングの精度を高めることができる。
また、前記パターニング方法においては、必要とされる真空度はノズルから吐出される材料に基本的には依存し、低沸点材料では７３０Ｔｏｒｒ（９８０００Ｐａ）以下でも良い場合があるが、一般的な材料であれば、前記真空雰囲気を１０-3Ｔｏｒｒ（０．１３３Ｐａ）以下の真空度とするのが好ましく、さらに１０-5Ｔｏｒｒ（０．００１３３Ｐａ）以下の真空度とするのがより好ましい。真空雰囲気を１０-3Ｔｏｒｒ（０．１３３Ｐａ）以下にすれば、例えば吐出されにくい材料についてもこれを容易に吐出することができ、１０-5Ｔｏｒｒ（０．００１３３Ｐａ）以下にすれば、さらに多くの種類の材料を吐出可能にできるとともに、吐出する材料を気化させてこれを分子線状にし易くすることができる。
本発明の第１の膜形成方法は、材料供給源に接続されたノズルから所定の真空度に調整された雰囲気中に材料を吐出して、基体の第１の領域上に前記材料を含む膜または前記材料を前駆体とする膜を形成する第１のステップと、前記ノズルから前記雰囲気中に前記材料を吐出して、前記第１の領域とは異なる第２の領域上に前記材料を含む膜または前記材料を前駆体とする膜を形成する第２のステップと、を含んでいることを特徴とする。
前記の膜形成方法において、前記第１のステップ及び前記第２のステップを大気圧に戻すことなしに、前記所定の真空度に調整された雰囲気中で連続して行うことが好ましい。
このようにすることにより、外部からの不純物の混入を低減すると同時に前記基体上の複数の領域に対応して膜を形成することができる。
本発明の第２の膜形成方法は、材料供給源に接続された第１のノズルから真空雰囲気中に材料を吐出して、基体の第１の領域上に前記材料を含む膜または前記材料を前駆体とする膜を形成する同時に、前記材料供給源に接続された第２のノズルから前記雰囲気中に前記材料を吐出して、前記第１の領域とは異なる第２の領域上に前記材料を含む膜または前記材料を前駆体とする膜を形成すること、を特徴とする。
前記の第２の膜形成方法により、前記基体の複数の領域上に同時に膜を形成することができるので、膜形成工程の短縮が図られる。
本発明の第３の膜形成方法は、第１の材料供給源に接続された第１のノズルから真空雰囲気中に第１の材料を吐出して、前記基体の第１の領域上に前記第１の材料を含む膜または前記材料を前駆体とする膜を形成する同時に、第２の材料供給源に接続された第２のノズルから前記雰囲気中に第２の材料を吐出して、前記第１の領域とは異なる第２の領域上に前記第２の材料を含む膜または前記材料を前駆体とする膜を形成すること、を特徴とする。
前記の第３の膜形成方法により、前記基体の複数の領域上に同時に異なる組成を有する膜を形成することができるので、膜形成工程の短縮が図られる。
なお、前記の膜形成方法において、必要とされる真空度はノズルから吐出される材料に基本的には依存し、低沸点材料では７３０Ｔｏｒｒ（９８０００Ｐａ）以下でも良い場合があるが、一般的な材料であれば、前記真空雰囲気を１０-3Ｔｏｒｒ（０．１３３Ｐａ）以下の真空度とするのが好ましく、さらに１０-5Ｔｏｒｒ（０．００１３３Ｐａ）以下の真空度とするのがより好ましい。
本発明のパターニング装置は、高真空度に調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続されかつ前記真空チャンバーに取り付けられて、該真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を気化させた状態で供給するノズルと、前記真空チャンバー内に設けられて基体を保持固定する基体ステージとを備えてなり、前記ノズルまたは基体ステージに、前記ノズルと前記基体ステージとの相対的な位置を移動させる移動機構が設けられていることを特徴としている。
このパターニング装置によれば、ノズル内より十分に低い圧力雰囲気となる真空チャンバー内に材料を吐出することにより、この材料を容易にかつ安定して吐出することができる。したがって、移動機構によってノズルと基体との相対的な位置を移動させつつ、この材料を基体上に射出することにより、マスクを特に必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
また、本発明の別のパターニング装置は、高真空度に調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続されかつ前記真空チャンバーに取り付けられて、該真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を供給する複数のノズルと、前記真空チャンバー内に設けられて基体を保持固定する基体ステージとを備えてなり、前記ノズルまたは基体ステージに、前記ノズルと前記基体ステージとの相対的な位置を移動させる移動機構が設けられていることを特徴としている。
このパターニング装置によれば、ノズル内より十分に低い圧力雰囲気となる真空チャンバー内に材料を吐出することにより、この材料を容易にかつ安定して吐出することができる。したがって、移動機構によってノズルと基体との相対的な位置を移動させつつ、この材料を基体上に射出することにより、マスクを特に必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
また、ノズルを複数備えてなることにより、一度に材料を配置できる領域を拡大したり、時間あたりの材料の供給量を増やしたり、あるいは異なる材料を同時に放出したりすることが可能になり、スループットの向上が図られる。
なお、前記のパターニング装置においては、前記複数のノズルと前記基体との相対的な位置を制御可能とするのが好ましい。この制御とは、例えば、前記ノズルの位置を前記基体の水平方向における位置を相対的に制御することが挙げられる。このようにすることにより、前記基体の所望の位置に膜を選択的に形成することができる。また、前記ノズルと前記基体との距離を制御することにより、膜を形成する領域の面積を適宜設定することができる。特に、ノズルから材料を吐出する際に分子線あるいは超音速分子噴流状態（supersonic free jet）となる場合は、材料の空間的な広がりはノズル径と特に強く正に相関し、またノズルからの距離と特に強く正に相関するため、ノズル径が一定の場合は、ノズルと基体の距離を制御することにより、ある程度正確に膜の形成の面積を決定することができる。
また、このパターニング装置においては、前記複数のノズルのうちの少なくとも二つは、同一の前記材料を吐出するのが好ましい。
このようにすれば、少なくとも二つノズルから同一の材料を放出することにより、一度に材料を配置できる領域を拡大したり、時間あたりの材料の供給量を増やしたりできる。
また、このパターニング装置においては、前記複数のノズルのうちの少なくとも二つは、それぞれ異なる前記材料を吐出するのが好ましい。
このようにすれば、複数のノズルからそれぞれ異なる材料を放出することにより、異なる複数の材料からなる膜を基体上に形成することができる。この場合、異なる複数の材料膜を所定の配列パターンで配列させたり、あるいは異なる複数の材料を混合させ、特定の機能を持たせた機能膜を基体上に形成したりすることができる。
また、前記パターニング装置においては、前記ノズルの材料供給源側に、材料を加熱するための加熱手段を設けるのが好ましい。
このように構成すれば、加熱手段によってノズルに供給する材料を予め加熱することにより、吐出時に材料を気化させ易くすることができ、したがって比較的気化しにくい材料でも容易に気化させてパターニングを行うことができる。
また、前記パターニング装置においては、前記ノズルの材料供給源側に、キャリアガス供給源を設けるのが好ましい。
このように構成すれば、分子線状に吐出した材料をキャリアガス供給源からのキャリアガスに同伴させることで、所望する位置により確実に配置させることができ、したがってパターニングの精度を高めることができる。
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記のパターニング方法または膜形成方法を用いて構成要素の少なくとも一部をパターニングすることを特徴としている。
この電気光学装置の製造方法によれば、前述したようにノズルと基体との相対的な位置を制御しつつ、材料を基体上に塗布することにより、マスクを特に必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、溶媒に容易に溶解しない材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
本発明の電子装置の製造方法は、前記のパターニング方法または膜形成方法を用いて構成要素の少なくとも一部をパターニングすることを特徴としている。
この電子装置の製造方法によれば、前述したようにノズルと基体との相対的な位置を制御しつつ、材料を基体上に塗布することにより、マスクを特に必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、溶媒に容易に溶解しない材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
本発明の第１の膜形成装置は、所定の真空度に調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続されかつ前記真空チャンバーに取り付けられて、該真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を供給するノズルと、前記真空チャンバー内に設けられて基体を保持固定する基体ステージと、前記ノズル及び基体ステージのうち少なくともいずれか一方を移動させる移動機構と、を備え、前記移動機構により前記ノズルと前記基体との相対的な位置を制御可能となっていること、を特徴とする。
本発明の第２の膜形成装置は、所定の真空度に調整可能な真空チャンバーと、材料供給源に接続されかつ前記真空チャンバーに取り付けられて、該真空チャンバー内に前記材料供給源からの材料を供給する複数のノズルと、前記真空チャンバー内に設けられて基体を保持固定する基体ステージと、前記複数のノズル及び基体ステージのうち少なくともいずれか一方を移動させる移動機構と、を備え、前記移動機構により前記複数のノズルと前記基体との相対的な位置を制御可能となっていること、を特徴とする。
前記の第１の膜形成装置及び第２の膜形成装置において、前記（複数の）ノズルと前記基体との相対的な位置の制御とは、例えば、前記ノズルの位置を前記基体の水平方向における位置を相対的に制御することが挙げられる。このようにすることにより、前記基体の所望の位置に膜を選択的に形成することができる。また、前記ノズルと前記基体との距離を制御することにより、膜を形成する領域の面積を適宜設定することができる。特に、ノズルから材料を吐出する際に分子線あるいは超音速分子噴流状態となる場合は、材料の空間的な広がりはノズル径と特に強く正に相関し、またノズルからの距離と特に強く正に相関するため、ノズル径が一定の場合は、ノズルと基体の距離を制御することにより、ある程度正確に膜の形成の面積を決定することができる。
また、前記電気光学装置の製造方法においては、材料として有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する電子輸送層、正孔輸送層、発光層、電極のうちの少なくとも一つの形成材料を吐出し、電子輸送層、正孔輸送層、発光層または電極をパターニングするのが好ましい。
このようにすれば、電子輸送層、正孔輸送層、発光層あるいは電極の形成材料を高い自由度で選択することができ、また溶媒を使用しないでこれら電子輸送層、正孔輸送層、発光層あるいは電極を形成した場合には、溶媒などから混入する不純物量を低減することができるので、得られる素子の寿命向上化を図ることができる。
また、前記電気光学装置の製造方法においては、前記基体上に予め画素間を隔てる隔壁を形成しておき、該隔壁内に前記形成材料を吐出して電子輸送層、正孔輸送層、または発光層をパターニングするのが好ましい。
このようにすれば、形成材料を吐出した際、その着弾位置に少々バラツキがあっても、隔壁内に着弾すれば所望の位置に発光層等を形成することができ、したがって発光層等からなる画素をそれぞれ所望位置に形成することにより、表示品質を高めることができる。
本発明の電気光学装置は、前記の電気光学装置の製造方法によって得られてなることを特徴としている。
この電気光学装置によれば、前述したように低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングされたことにより、その構成要素の少なくとも一部が形成されたものとなるため、製造に際して材料の選択自由度の高いものとなる。
本発明の電子機器は、前記の電気光学装置を表示手段として備えてなることを特徴としている。
この電子機器にあっても、特にその表示手段について、前述したように製造に際して材料の選択自由度の高いものとなる。
また、本発明の電子装置では、前記パターニング装置を用いて作製されたことを特徴としている。
この電子装置にあっては、前記パターニング装置を用いて作製されていることにより、そのパターニングの際、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなく選択が可能となっている。
以下、本発明を詳しく説明する。
図１は本発明のパターニング装置の概略構成を示す図であり、図１中符号１はパターニング装置である。なお、このパターニング装置１は、本発明における膜形成装置の一例ともなるものである。このパターニング装置１は、真空チャンバー２と、この真空チャンバー２に取り付けられたノズル３と、真空チャンバー２内に設けられた基体ステージ４とを備えて構成されたものである。
真空チャンバー２は、配管５を介して真空装置６に接続されたもので、その内部空間に基体ステージ４を配設し、また被パターニング体となる基体Ｓの出し入れを行うためのドア（図示せず）を気密に取り付けたものである。なお、配管５は、その端部が真空チャンバー２内に開口しており、これによって後述する真空装置の作動により、真空チャンバー２内を排気して高真空雰囲気にし得るようになっている。
真空装置６は、分子ターボポンプやロータリーポンプなどが組み合わされたことによってチャンバー２内を高真空度に調整可能となるよう構成されたものである。ここで、真空チャンバー２内は、真空装置６によって好ましくは１０-3Ｔｏｒｒ（１．３３３２２×１０-1Ｐａ）以下、より好ましくは１０-5Ｔｏｒｒ（１．３３３２２×１０-3Ｐａ）以下の高真空雰囲気に調整されるようになっている。真空雰囲気を１０-3Ｔｏｒｒ以下にすれば、例えば吐出されにくい材料についてもこれを容易に吐出することができ、１０-5Ｔｏｒｒ以下にすれば、さらに多くの種類の材料を吐出可能にできるとともに、吐出する材料を気化させてこれを分子線状にし易くすることができる。なお、この真空装置６については、この装置を構成するポンプの振動が真空チャンバー２内に伝播しないよう、これらポンプを真空チャンバー２から十分に離しておくか、あるいはポンプ等に除振機能を付加させておくのが好ましい。
ノズル３は、ノズル孔３ａを形成した先端側が真空チャンバー２内に配置され、その後端側が真空チャンバー２の外側にて材料供給源となる材料供給室７に接続されたもので、さらにこの材料供給室７にはキャリアガス供給源８が接続されている。材料供給室７は、パターニング材料を収納保持するためのもので、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層や電子輸送層、正孔輸送層などの形成材料を、セルやルツボなどの保持具（図示せず）に保持した状態でこれを収納するものである。この材料供給室７には、前記保持具内に保持された形成材料を加熱してこれを液化させ、あるいは気化させるための加熱手段９が設けられている。加熱手段９としては、例えば、一般的な電気ヒータやＹＡＧレーザ、窒素レーザ、エキシマレーザ、チタンサファイアレーザ等のレーザ、高周波加熱装置などが採用可能であり、材料に応じて、すなわち常温で液体か固体か、さらにはその沸点の高さなど気化し易さの度合いに応じて適宜に選択される。
キャリアガス供給源８は、主にヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガスをキャリアガスとして材料供給室７に圧送するものである。なお、材料によっては、これと反応する反応性ガスをキャリアガスとして材料供給室７に圧送するようにしてもよい。材料供給室７に圧送されるキャリアガスは、材料供給源７内にて液化しあるいは気化している材料を後述する吐出機構側に同伴するものである。ここで、材料供給室７内での材料の調製、すなわち材料を液体の状態にするか気体の状態にするかといった調製については、後述するノズル３の吐出機構との関係で適宜に選択され、前記加熱手段９による加熱の度合いなどが決定されるようになっている。なお、ノズル３の吐出機構によっては、キャリアガス供給源８からのキャリアガスを使用することなく、材料を真空チャンバー２内に吐出するようにしてもよい。
ノズル３には、その先端部に吐出機構１０が設けられている。この吐出機構１０は、特に限定されることなく種々のタイプのものが使用可能である。例えば、一般的なメカニカルシャッターによる機構や、さらには帯電制御型、加圧振動型といった連続方式による機構、電気機械変換式（いわゆるピエゾタイプ）、電気熱変換方式、静電吸引方式といったオンデマンド方式による機構などが採用可能である。
ここで、メカニカルシャッターによる機構とは、例えば、ノズル孔３ａにシャッター（図示せず）を設けておき、これを機械的に開閉することで、キャリアガスに同伴され圧送されてきた材料を間欠的（パルス的）に吐出するようにしたものである。なお、キャリアガスを用いることなく、ノズル孔３ａの外側となる真空チャンバー２内とノズル３内との圧力差により、シャッターの開閉に伴ってノズル３内の材料を自発的にノズル孔３ａより吐出させるような構成としてもよい。また、材料供給室７からノズル孔３ａに至る経路のうち適当な箇所にメカニカルシャッターを設けてもよく、材料供給室７の出口側に設けてもよい。
帯電制御型とは、送られてきた材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズル孔３ａから吐出させるようにしたものである。また、加圧振動型とは、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるもので、制御電圧をかけない場合に材料が直進してノズル孔３ａを吐出し、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料を飛散させてノズル孔３ａを通過しないようにしたものである。
また、電気機械変換方式とは、ピエゾ素子がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズル孔３ａから吐出させるようにしたものである。ここで、材料を貯留する空間については、例えば材料供給室７の内部空間に連通する微小な材料貯留空間を形成するようにすればよい。
また、電気熱変換方式とは、一般には材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるようにしたものである。なお、本発明においては、これを加熱手段として用いることができる。
静電吸引方式とは、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すようにしたものである。
なお、これら帯電制御型、加圧振動型、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式といった各機構については、先のメカニカルシャッターによる機構を併用して用いることにより、材料の吐出制御をより確実に行うようにし、または間欠的な吐出を確実に行うようにしてもよい。
また、キャリアガスを用いる場合には、キャリアガスの送出を制御することにより、間欠的な吐出を行うようにしてもよい。
基体ステージ４は、前記ノズル孔３ａの直下に配置されたもので、例えば後述するように有機エレクトロルミネッセンス素子等からなる電気光学装置作製用の基体Ｓを保持固定するものである。この基体ステージ４には、保持固定した基体Ｓを前記ノズル孔３ａに対してＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能にする移動機構１１が設けられている。すなわち、この移動機構１１は、ノズル孔３ａに対して基体Ｓをその鉛直方向（Ｚ方向）に移動可能かつ位置決めし、基体Ｓとノズル孔３ａとの間の距離を調整するＺ可動部（図示せず）と、基体ステージ４をノズル孔３ａに対して水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）にそれぞれ移動させかつ位置決めするＸ可動部（図示せず）及びＹ可動部（図示せず）とを備えてなるもので、これらの可動部の動作をそれぞれ制御部（図示せず）で設定したとおりに制御できるように構成されたものである。なお、これらＸ可動部、Ｙ可動部及びＺ可動部は、例えばリニアモータによって構成されたものとなっている。
また、この基体ステージ４には、その載置面側に水冷式等の温度調整手段（図示せず）が設けられており、これによって基体ステージ４上の基体Ｓを所望温度に調整できるようになっている。
次に、このような構成のパターニング装置１によるパターニングを、電気光学装置の製造に適用した例について説明する。なお、ここでのパターニング装置１によるパターニングは、本発明の膜形成装置による膜形成方法の一例とすることができる。
まず、この製造によって得られる電気光学装置について、その概略構成を説明する。
図２、図３は本発明に係る電気光学装置を、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置に適用した場合の一例を示すもので、これらの図において符号２０は表示装置である。なお、この例では、特に配線としての走査線、信号線及び共通給電線を利用して、光学材料としての発光層形成材料等を前記パターニング装置１によって配置する例を示している。
この表示装置２０は、回路図である図２に示すように透明の基体上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素（画素領域素）１Ａが設けられて構成されたものである。
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路４が設けられている。また、画素領域１Ａの各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ１４２と、この第１の薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ１４３と、この第２の薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素電極１４１と対向電極１５４との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ１４３の導通状態が決まる。そして、第２の薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光素子１４０を通じて対向電極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
ここで、各画素１Ａの平面構造は、対向電極や有機エレクトロルミネッセンス素子を取り除いた状態での拡大平面図である図３に示すように、平面形状が長方形の画素電極１４１の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
次に、このような表示装置２０に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法について、図４〜図６を用いて説明する。なお、図４〜図６では、説明を簡略化するべく、単一の画素１Ａについてのみ図示する。
まず、基板を用意する。ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子では後述する発光層による発光光を基板側から取り出すことも可能であり、また基板と反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板側から取り出す構成とする場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものが用いられるが、特に安価なソーダガラスが好適に用いられる。ソーダガラスを用いた場合、これにシリカコートを施すのが、酸アルカリに弱いソーダガラスを保護する効果を有し、さらに基板の平坦性をよくする効果も有するため好ましい。
また、基板に色フィルター膜や発光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。
また、基板と反対側から発光光を取り出す構成の場合、基板は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
本例では、基板として図４（ａ）に示すようにソーダガラス等からなる透明基板１２１を用意する。そして、これに対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。
次に、透明基板１２１の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜２００を形成する。次いで、この半導体膜２００に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜２００をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
次いで、図４（ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）２００をパターニングして島状の半導体膜２１０とし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体膜２１０は、図２に示した第２の薄膜トランジスタ１４３のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては第１の薄膜トランジスタ１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、図４〜図６に示す製造工程では二種類のトランジスタ１４２、１４３が同時に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以下の説明ではトランジスタに関しては、第２の薄膜トランジスタ１４３についてのみ説明し、第１の薄膜トランジスタ１４２についてはその説明を省略する。
次いで、図４（ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含む導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極１４３Ａを形成する。
次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜２１０に、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。
次いで、図４（ｄ）に示すように、層間絶縁膜２３０を形成した後、コンタクトホール２３２、２３４を形成し、それらコンタクトホール２３２、２３４内に中継電極２３６、２３８を埋め込む。
次いで、図４（ｅ）に示すように、層間絶縁膜２３０上に、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図４に示さず）を形成する。このとき、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線の各配線については、配線として必要な厚さに捕らわれることなく、後述するようにこれらを隔壁として機能させるべく十分に厚く形成する。具体的には、各配線を１〜２μｍ程度の厚さに形成する。ここで、中継電極２３８と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。このとき、中継電極２３６は、後述するＩＴＯ膜により形成されることになる。
そして、各配線の上面をも覆うように層間絶縁膜２４０を形成し、中継電極２３６に対応する位置にコンタクトホール（図示せず）を形成し、そのコンタクトホール内にも埋め込まれるようにＩＴＯやフッ素をドープしてなるＳｎＯ2、さらにＺｎＯやポリアニリン等の透明電極材料からなる膜を形成し、さらにこの膜をパターニングして、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線（図示せず）に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域１４３ａに電気的に接続する画素電極１４１を形成する。
ここで、信号線１３２及び共通給電線１３３、さらには走査線（図示せず）に挟まれた部分が、後述するように正孔輸送層や発光層の形成場所となっている。すなわち、これら配線とこれを覆う層間絶縁膜２４０とから、画素１Ａ間を隔てる隔壁１５０が形成されているのである。そして、このような構成のもとに、正孔輸送層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の配置（射出）位置とその周囲の隔壁１５０との間には、十分な高さの段差１１１が形成されているのである。
このようにして各配線からなる隔壁１５０を形成したら、この基板１２１を図１に示した真空チャンバー２内に入れ上面側を上に向けた状態で基体ステージ４上に載置し、さらにここに保持固定させる。また、必要に応じて温度調整手段（図示せず）で基体ステージ４上の基板１２１を所望温度に、すなわちノズル孔３ａから例えば気化した状態で射出されてきた形成材料を十分に冷却して、液化あるいは固化し得る温度に調整しておく。また、予め材料供給室７内の保持具に保持させておいた正孔輸送層の形成材料を加熱手段９によって所定温度にまで加熱しておく。
ここで、正孔輸送層の形成材料としては、特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が挙げられる。具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
このような形成材料を前述したように加熱手段９で所定温度にまで加熱したら、キャリアガス供給源８からヘリウム等のキャリアガスを材料供給室７に導入するとともに、前記吐出機構１０を作動させて形成材料をキャリアガスに同伴させた状態でノズル孔３ａから真空チャンバー２内に吐出させる。すると、ほぼ常圧にあるノズル３内より十分に低い圧力雰囲気である真空チャンバー２内に形成材料が吐出されることにより、図５（ａ）に示すようにこの形成材料は気化した状態で吐出されることになる。なお、真空チャンバー２が特に高い真空度にある理想的な場合には、形成材料が分子線状に吐出されることもある。したがって、制御部（図示せず）によって移動機構１１の動作を制御し、これによりノズル孔３ａと基板１２１との相対的な位置関係を予め設定したとおりに移動させることにより、この形成材料１１４Ａを基板１２１上の所定位置、すなわち隔壁１５０に囲まれた各画素１Ａの領域に所望量射出することができる。このようにして形成材料を画素１Ａ上に射出すると、この形成材料は基板１２１の温度にまで冷却されることにより、液化しあるいは固化してここに固定される。このとき、吐出された形成材料１１４Ａが基板１２１上にて液状となった場合には、その流動性によって水平方向に広がろうとするものの、射出された位置を囲んで隔壁１５０が形成されていることにより、形成材料１１４Ａは隔壁１５０を越えてその外側に広がることが防止されている。
このように吐出された形成材料１１４Ａが基板１２１上にて液化した場合には、基板１２１を真空チャンバー２内から一旦、出し、必要に応じて加熱あるいは光照射等の処理を行うことにより、図５（ｂ）に示すように画素電極１４１上に、固状の正孔輸送層１４０Ａを形成することもできる。ここで、吐出された形成材料１１４Ａが基板１２１上にて固化した場合には、前記の処理を行うことなく、続けて発光層の形成を行う。
なお、このような正孔輸送層１４０Ａの形成に代えて、前記の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等を用いて正孔注入層を形成するようにしてもよい。また、特に正孔輸送層１４０Ａの形成に先立って正孔注入層を画素電極１４１側に形成し、さらに正孔輸送層１４０Ａを形成するのが好ましい。このように正孔注入層を正孔輸送層１４０Ａとともに形成することにより、駆動電圧の上昇を制御することができるとともに、駆動寿命（半減期）を長くすることもできる。
次いで、先の正孔輸送層（及び／又は正孔注入層）の形成材料の場合と同様にして、図５（ｃ）に示すようにパターニング装置１により発光層の形成材料１１４Ｂを基板１２１上に吐出（射出）し、これによって図６（ａ）に示すように発光層１４０Ｂを形成する。発光層の形成材料１１４Ｂとしては、特に限定されることなく、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質からなる発光物質が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン構造を含むものが特に好ましい。低分子蛍光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１号公報、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
発光層の形成材料として高分子発光材料を用いる場合には、側鎖に発光基を有する高分子を用いることができるが、好ましくは共役系構造を主鎖に含むもので、特に、ポリチオフェン、ポリ−ｐ−フェニレン、ポリアリーレンビニレン、ポリフルオレンおよびその誘導体が好ましい。中でもポリアリーレンビニレンおよびその誘導体が好ましい。該ポリアリーレンビニレンおよびその誘導体は、下記化学式（１）で示される繰り返し単位を全繰り返し単位の５０モル％以上含む重合体である。繰り返し単位の構造にもよるが、化学式（１）で示される繰り返し単位が全繰り返し単位の７０％以上であることがさらに好ましい。
Figure 0004985566
 〔ここで、Ａｒは、共役結合に関与する炭素原子数が４個以上２０個以下からなるアリーレン基または複素環化合物基、Ｒ、Ｒ’はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数４〜２０の複素環化合物、シアノ基からなる群から選ばれた基を示す〕。
該高分子発光材料は、化学式（１）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、芳香族化合物基またはその誘導体、複素環化合物基またはその誘導体、およびそれらを組み合わせて得られる基などを含んでいてもよい。また、化学式（１）で示される繰り返し単位や他の繰り返し単位が、エーテル基、エステル基、アミド基、イミド基などを有する非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。
ポリアリーレンビニレン類としては、例えば、式（２）に示したような、ＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））、ＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレンビニレン））、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ビスヘキシルオキシ−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）））、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）］−パラ−フェニレンビニレン）等のＰＰＶ誘導体などが挙げられる。
Figure 0004985566
前記に示した材料以外に、例えば、ポリ（パラフェニレン）、ポリアルキルフルオレン等が挙げられるが、化学式（３）に示すようなポリアルキルフルオレン（具体的には化学式（４）に示すようなポリアルキルフルオレン系共重合体）が特に好ましい。
Figure 0004985566
Figure 0004985566
なお、前記高分子発光材料は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。発光の量子収率の高い高分子発光材料を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。また、ここで形成する有機ＥＬ素子は、薄膜からの発光を利用することから、高分子発光材料は固体状態で良好な発光量子収率を有するものが用いられる。
前記の材料のうち、発光層を形成する際の温度において液状の材料、あるいは所望の溶媒に対して良好な溶解性を示す材料を、インクジェット法などの液体材料を用いた発光層の形成に用いることができる。該溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレンなどが好適に用いられる。高分子発光材料の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１ｗｔ％以上溶解させることができる。
また、前記高分子発光材料としては、分子量がポリスチレン換算で１０３〜１０７であることが好ましい場合もあるが、分子量１０３以下のオリゴマーも使用することができる。
なお、ここではインクジェット法に代えて本発明のパターニング方法または膜形成方法を用いることもできる。
所望の高分子発光材料に応じた合成法を採用することにより、当該所望の高分子発光材料を得ることができる。例えば、アリーレン基にアルデヒド基が２つ結合したジアルデヒド化合物と、アリーレン基にハロゲン化メチル基が２つ結合した化合物とトリフェニルホスフィンとから得られるジホスホニウム塩からのＷｉｔｔｉｇ反応が例示される。また、他の合成法としては、アリーレン基にハロゲン化メチル基が２つ結合した化合物からの脱ハロゲン化水素法が例示される。さらに、アリーレン基にハロゲン化メチル基が２つ結合した化合物のスルホニウム塩をアルカリで重合して得られる中間体から熱処理により該高分子発光材料を得るスルホニウム塩分解法が例示される。
さらに具体的に、前記高分子発光材料の１つの例であるアリーレンビニレン系共重合体の合成法を説明する。例えば、Ｗｉｔｔｉｇ反応により高分子発光材料を得る場合には、例えば、まず、ビス（ハロゲン化メチル）化合物、より具体的には、例えば２，５−ジオクチルオキシ−ｐ−キシリレンジブロミドをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒中、トリフェニルホスフィンと反応させてホスホニウム塩を合成し、これとジアルデヒド化合物、より具体的には、例えば、テレフタルアルデヒドとを、例えばエチルアルコール中、リチウムエトキシドを用いて縮合させるＷｉｔｔｉｇ反応により、フェニレンビニレン基と２，５−ジオクチルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン基を含む高分子発光材料が得られる。
このとき、共重合体を得るために２種類以上のジホスホニウム塩および／または２種類以上のジアルデヒド化合物を反応させてもよい。
Figure 0004985566
これらの高分子発光材料を発光層の形成材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、合成後、例えば、再沈精製、クロマトグラフなどによる分別等の精製処理をすることが望ましい。高分子材料の溶解性の低い材料の場合など、例えば、対応する前駆体を塗布した後、化学式（５）に示すように加熱硬化されることによって発光層を得ることができるものがある。例えば、ポリフェニレン−ビニレンが発光層を構成する高分子発光材料である場合、対応する前駆体のスルホニウム塩を発光層となる部位に配置した後、加熱処理することによりスルホニウム基が脱離し、ポリフェニレン−ビニレン（ＰＰＶ）を得ることができる。ここで、このような材料を本発明に用いる場合、前記の前駆体を本発明のパターニング方法または膜形成方法によってパターニングしてから加熱処理してポリフェニレン−ビニレンとしてもよく、また、前駆体を加熱処理して得られたポリフェニレン−ビニレンを本発明のパターニング方法または膜形成方法によってパターニングするようにしてもよい。
つまり、発光層、電子輸送層、正孔輸送層等、種々の機能層を形成する際、当該機能層を構成する材料を、本発明のパターニング方法あるいは膜形成方法により直接パターニングすることも可能であり、当該機能層の前駆体となる材料をパターニングすることも可能である。
発光層を形成し得る低分子材料としては、可視域の発光を示す物質ならば、基本的に使用可能である。中でも芳香族系の置換基を有する材料が好適である。例えば、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）やジスチリルビフェニル、さらに化学式（６）に示すＢｅＢｑ2やＺｎ（ＯＸＺ）2等の従来より一般的に用いられているものに加え、ピラゾリンダイマー、キノリジンカルボン酸、ベンゾピリリウムパークロレート、ベンゾピラノキノリジン、ルブレン、フェナントロリンユウロピウム錯体等が挙げられる。
前記に代表される高分子材料及び低分子材料から、青色、緑色、及び赤色の発光を示す材料を適宜選択し、所定の位置に配置すればカラー表示が可能である。所定の位置に配置する際は、マスク蒸着法や印刷法も採用可能であるが、本発明のパターニング方法または膜形成方法を用いるのがより好ましい。
Figure 0004985566
発光層を、媒質として機能するゲストにホストを分散させた、いわゆるホスト／ゲスト型発光層とすることもできる。
ホスト／ゲスト型発光層において、当該発光層の発光色を決定するのは、基本的にはゲスト材料であるので、所望の発光色に応じてゲスト材料を選択することができる。一般には、効率良く発光をなす材料が用いられる。ホスト材料は、基本的には、ゲスト材料の発光に関与する励起状態の準位より高いエネルギー準位を有する材料がホスト材料として好適である。キャリアの移動度が高い材料であることも要求される場合があるが、その場合は、上述の高分子発光材料の中から選択することもできる。
青色発光を示すゲスト材料としては、例えば、コロネン類、ジスチリルビフェニル類などが挙げられ、緑色発光を示すゲスト材料としては、例えば、キナクリドン類、ルブレン類、などが挙げられ、赤色発光を示すゲスト材料としては、蛍光色素としては、赤色発光を示すゲスト材料としては、例えば、ローダミン類が挙げられる。
ホスト材料は、ゲスト材料に応じて適宜選択することができる。数例を挙げれば、ホスト材料及びゲスト材料を、それぞれ、Ｚｎ（ＯＸＺ）2及びコロネンとした発光層を形成することにより青色発光を示す発光層が得られる。
ゲスト材料としては燐光材料も使用することができる。例えば、化学式（７）に示すＩｒ（ｐｐｙ）3、Ｐｔ（ｔｈｐｙ）2、ＰｔＯＥＰなどが好適に用いられる。
Figure 0004985566
 なお、前記の化学式（７）に示した燐光物質をゲスト材料とした場合、ホスト材料としては、例えば、化学式（８）に示すＣＢＰ、ＤＣＴＡ、ＴＣＰＢ、あるいはＡｌｑ３などが好適に用いられる。
ホスト／ゲスト型発光層は、本発明の方法を採用する場合、例えば以下の方法で形成される。
第１の方法としては、予め所定の比率で混合したホスト／ゲスト材料を形成しておき、これをノズル孔から吐出する。
第２の方法としては、異なる材料供給室にそれぞれホスト材料とゲスト材料とを格納しておき、それぞれの材料供給室へのキャリアガスの流量を適宜に設定することで吐出するホスト材料とゲスト材料との量比を調整し、または、材料供給室のノズル孔側に設けたバルブを調整することで基体上に吐出するゲスト材料とホスト材料の量比を調整し、その状態で基体上に吐出する。
さらに、適当な媒質に発光を担う材料を添加するドープ型の発光層も有用であり、したがってこのようなドープ型の発光層の形成材料も当然使用可能である。
Figure 0004985566
このようにして各画素１Ａの正孔輸送層１４０Ａ上に発光層１４０Ｂを形成したら、これら正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂの場合と同様にして、パターニング装置１により電子輸送層の形成材料を基板１２１上に吐出（射出）し、図６（ｂ）に示すように電子輸送層１４０Ｃを形成する。電子輸送層の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
なお、前述した正孔輸送層１４０Ａの形成材料や電子輸送層１４０Ｃの形成材料を発光層１４０Ｂの形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよく、その場合に、正孔輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して１〜４０重量％とされ、さらに好ましくは２〜３０重量％とされる。
ここで、このようにして形成する正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃの膜厚については、予めノズル孔３ａからの吐出量を適宜に設定しておくことにより、好ましい厚さ（例えば６５ｎｍ）に形成する。なお、吐出量の調整については、ノズル孔３ａの内径やキャリアガスの流量を適宜に設定しておくことなどによって行うことができる。また、水晶式膜厚モニターを用いたり、発光強度や吸光強度等の分光学的データをモニターすることにより、最適な膜厚（適宜厚さ）となるように制御してもよい。
その後、図６（ｃ）に示すように、透明基板１２１の表面全体に、あるいはストライプ状に対向電極１５４を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を得る。このような対向電極１５４については、もちろんＡｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの単体材料やＭｇ：Ａｇ（１０：１合金）の合金材料からなる１層で形成してもよいが、２層あるいは３層からなる金属（合金を含む。）層として形成してもよい。具体的には、Ｌｉ2Ｏ（０．５ｎｍ程度）／ＡｌやＬｉＦ（０．５ｎｍ程度）／Ａｌ、ＭｇＦ2／Ａｌといった積層構造のものも使用可能である。
なお、本例では画素電極１４１、対向電極１５４のいずれについても従来法によって形成しているが、これら電極についても、本発明のパターニング装置１によって形成するようにしてもよい。すなわち、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明電極（陽極）や、Ａｌ／Ｃａ等の積層構造などによる陰極についても、本発明のパターニング装置１によって形成することができる。
また、前記の正孔注入層（図示せず）、正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃに加えて、ホールブロッキング層を例えば発光層１４０Ｂの対向電極１５４側に形成して、発光層１４０Ｂの長寿命化を図ってもよい。このようなホールブロッキング層の形成材料としては、例えば化学式（９）に示すＢＣＰや化学式（１０）で示すＢＡｌｑが用いられるが、長寿命化の点ではＢＡｌｑの方が好ましい。
Figure 0004985566
Figure 0004985566
また、本例では各材料を気化させた状態で真空チャンバー２内に吐出させているが、真空チャンバー２内の真空度や加熱手段９による加熱の度合い等を調整することにより、材料を例えば霧状、ミスト状のような液体として吐出させてもよく、さらにはヒューム状に吐出させるようにしてもよい。
このようなパターニング装置１による正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃのパターニング方法にあっては、それぞれの形成材料をノズル３から真空雰囲気中に吐出することによってこれらの材料を例えば気化した状態で吐出するので、この材料を基板上に射出することにより、マスクを用いることなくパターニングを行うことができる。また、各形成材料を気化させて射出した場合、特に溶媒を必要とすることなく使用することができる。よって、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングし、正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃを形成することができる。
また、各形成材料の吐出を間欠的に行っているので、それぞれが独立した多数の画素１ａに対して、正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃのパターニングを容易に行うことができる。
また、各形成材料をキャリアガスに同伴させてノズル孔３ａから吐出するようにしているので、材料の吐出を確実に行うことができるとともに、所望する位置により確実に配置させることができ、したがってパターニングの精度を高めることができる。
また、このようなパターニング装置１にあっては、前記のパターニング方法を実施できることから、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができ、したがって正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃの形成についてもその材料の選択を高い自由度で行うことができる。また、材料を気化させた状態で吐出（射出）してパターニングするので、特に溶媒を必要とすることなく各形成材料を用いることができ、したがって例えば得られた有機エレクトロルミネッセンス素子を用いてなる電気光学装置が、溶剤に起因して寿命が短くなってしまうといった不都合を回避することができる。
また、材料供給室７に、材料を加熱するための加熱手段９を設けているので、この加熱手段９によって材料を加熱することにより、吐出時での材料の気化をより容易になさせることができ、したがって比較的気化しにくい材料でも確実に気化させてパターニングを行うことができる。
また、材料供給室７に、キャリアガス供給源８を設けているので、分子線状に吐出した材料をキャリアガスに同伴させることで、所望する位置により確実に配置させることができ、したがってパターニングの精度を高めることができる。
また、このようなパターニング装置１によるパターニング方法を用いた電気光学装置の製造方法にあっても、前述したように低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができ、したがって正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃの形成についてもその材料の選択を高い自由度で行うことができる。また、材料を気化させた状態で吐出（射出）してパターニングするので、特に溶媒を必要とすることなく各形成材料を用いることができ、したがって得られた有機エレクトロルミネッセンス素子を用いてなる電気光学装置が、溶剤に起因して寿命が短くなってしまうといった不都合を回避することができる。
なお、前記パターニング装置１では、真空チャンバー２にノズル３を一つ取り付けた例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、ノズル３を複数取り付けた構成としてもよい。また、多数のノズル３を備えたヘッドを取り付けてもよい。図７（ａ）は、真空チャンバー２にノズル３を三つ取り付けた例を示す模式図であり、この例では、三つのノズル３‥が同じ材料供給室７に接続されている。このような構成とすることにより、三つのノズル３‥から同一の材料を基体Ｓに向けて放出することができ、したがって一度に材料を吐出し配置できる領域を拡大したり、時間あたりの材料の供給量を増やしたりしてスループットの向上を図ることができる。
図７（ｂ）は、真空チャンバー２に取り付けた三つのノズル３を、それぞれ異なる材料供給室７ａ、７ｂ、７ｃに接続した例を示す模式図である。このような構成とすることにより、三つのノズル３からそれぞれ異なる材料を基体Ｓに向けて放出することができ、したがって三つの異なる材料によって基体Ｓ上にパターニングを行うことができる。例えば、前述の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光層を基体上に形成する場合、赤（Ｒｅｄ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、青（Ｂｌｕｅ）の各色に対応する発光層形成材料をそれぞれ異なるノズルから放出することにより、各色に対応する発光層を所定の配列パターンで基体上に形成することが可能となる。
また、本発明では、ノズル３を複数設けた場合に、これらノズル３を同一の物体にまとめて設け、この物体を真空チャンバー２に取り付けるようにしてもよい。図８（ａ）〜（ｄ）に、前記複数のノズル３を設ける物体としての吐出ヘッド１２の構成例を模式的に示す。
図８（ａ）に示した吐出ヘッド１２は、単一の材料供給室７に接続されたものとなっている。また、材料供給室７から供給された材料は、吐出ヘッド１２内で分岐して各ノズル３に送られるようになっている。
図８（ｂ）に示した吐出ヘッド１２は、単一の材料供給室７に接続されたものとなっている。また、材料供給室７から供給された材料は、吐出ヘッド１２に入る前に分岐され、吐出ヘッド１２内では分岐されることなくそのまま各ノズル３に送られるようになっている。この例では、吐出ヘッド１２内での分岐によるエネルギー損失の不均一をなくし、各ノズル３間での材料の吐出をより均一に行うことができるようになる。
図８（ｃ）に示した吐出ヘッド１２は、異なる複数の材料供給室７ａ、７ｂ、７ｃに接続されている。また、各材料供給室７ａ、７ｂ、７ｃから供給された材料は、吐出ヘッド１２に設けられた複数のノズルのうち、予め対応付けられた所定のノズルに送られるようになっている。
図８（ｄ）に示した吐出ヘッドは複数（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）からなり、それぞれが異なる材料供給室７ａ、７ｂ、７ｃに個別に接続されている。こうした吐出ヘッド１２の構成やその材料の供給経路は、使用する材料に応じて適宜定められる。なお、吐出ヘッド１２に設けられた複数のノズル３は、吐出機構１０（図１参照）によってその材料吐出のタイミングが個々に制御されるようになっている。
このようにしてノズル３を複数設けたパターニング装置によれば、一度に材料を吐出し配置（パターニング）できる領域を拡大することができ、したがって時間あたりの材料の供給量を増やしたり、あるいは異なる材料を同時に吐出したりすることができ、これによりスループットの向上を図ることができる。
また、複数のノズル３と基体Ｓとを相対的に移動させて、基体Ｓに対して複数のノズル３を個々に位置決めできるようにすれば、基体Ｓ上の所定の位置にいずれのノズル３からも材料を確実に配置することができる。
また、複数のノズル３にそれぞれ異なる材料供給室７ａ、７ｂ、７ｃを接続しておけば、基体Ｓ上に異なる材料を吐出し配置する場合に、単に動作させるノズル３を切り替えるだけで、真空チャンバー２から基体Ｓを出し入れすることなく容易に異なる材料のパターニングを行うことができる。
なお、三つ以上のノズル３を設けた場合に、全部のノズル３から同一の材料を吐出させ、あるいは全部のノズルから全て異なる材料を吐出させるよう構成する必要は特にはなく、三つ以上のノズル３のうち二つ以上から同一の材料を吐出させるようにし、かつ少なくとも二つのノズル３については異なる材料を吐出させるように構成してもよい。
このようにすれば、前述したスループットの低減効果と、真空チャンバー２から基体Ｓを出し入れすることなく容易に異なる材料のパターニングを行うことができるといった効果を共に奏することができる。
前記の単一あるいは複数のノズル３を有するパターニング装置１によって各種の構成要素をパターニングすることにより、本発明の電子装置、例えば有機エレクトロルミネッセンスなどの電気光学装置や、トランジスタやダイオードなどの電子素子を含む電子装置を作製することができる。
このようにして作製された電子装置にあっては、前記パターニング装置１を用いて作製されていることにより、そのパターニングの際、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなく選択が可能となっている。
図９は、前記パターニング装置１によるパターニングを、電気光学装置の製造に適用した場合の他の例について示す図であり、すなわち、本発明に係る電気光学装置を、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたパッシブマトリクス型の表示装置に適用した場合の一例を示すものである。なお、図９（ａ）は複数の第１のバス配線３００と、これに直交する方向に配設された複数の第２のバス配線３１０との配置関係を示す平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。なお、図２〜図６に示した例と同じ構成については同じ符号を付し、その説明を省略する。また、製造工程等も先の例と同様であるため、その図示及び説明は要略する。
すなわち、本例にあっては、発光部１４０が配置される所定位置を取り囲むようにして、例えばＳｉＯ2等の絶縁膜３２０からなる隔壁１５０が配設されていて、これにより所定位置とその周囲との間に、段差１１１が形成されている。このような構成の表示装置にあっても、先の例と同様に正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃの形成材料として、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。したがって、これら正孔輸送層１４０Ａ、発光層１４０Ｂ、電子輸送層１４０Ｃの形成について、その材料の選択を高い自由度で行うことができる。また、特に溶媒を必要とすることなく各形成材料を用いることができることから、得られた有機エレクトロルミネッセンス素子を用いてなる電気光学装置が、溶剤に起因して寿命が短くなってしまうといった不都合を回避することができる。
なお、前記例では発光層１４０Ｂの下層として正孔輸送層１４０Ａを形成し、上層として電子輸送層１４０Ｃを形成したが、本発明はこれに限定されることなく、例えばこの正孔輸送層１４０Ａと電子輸送層Ｃのうちの一方のみを形成するようにしてもよく、また、前述したように正孔輸送層１４０Ａに加えて正孔注入層を形成するようにしてもよい。
また、前記例では画素１Ａ間を隔てる隔壁１５０を、信号線１３２、共通給電線１３３及び走査線と、これを覆う層間絶縁膜２４０とから形成し、あるいは絶縁膜３２０によって隔壁１５０を形成したが、本発明はこれに限定されることなく、例えば樹脂ブラックレジストなどによって隔壁を形成してもよく、さらには隔壁を設けることなく正孔輸送層や発光層を形成するようにしてもよい。
次に、前記例の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた電気光学装置が備えられた電子機器の具体例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、５００は携帯電話本体を示し、５０１は図２、図３に示した表示装置を備えたエレクトロルミネッセンス表示部（表示手段）を示している。
図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、６００は情報処理装置、６０１はキーボードなどの入力部、６０３は情報処理本体、６０２は前記の図２、図３に示したエレクトロルミネッセンス表示部（表示手段）を示している。
図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、７００は時計本体を示し、７０１は前記の図２、図３に示したエレクトロルミネッセンス表示部（表示手段）を示している。
図１０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前記電気光学装置が備えられたものであるので、優れた表示品質が得られる表示手段を備えた電子機器となる。
以上説明したように本発明のパターニング方法によれば、ノズル内より十分に低い圧力雰囲気である真空雰囲気中に材料を吐出するので、この材料を例えば気化した状態、かつ理想的には分子線状に吐出することができる。したがって、ノズルと基体との相対的な位置を制御しつつ、この材料を基体上に射出することにより、特にマスクを必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、溶媒に容易に溶解しない材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
また、本発明の別のパターニング方法によれば、前記パターニング方法による効果に加え、特に材料供給源に複数のノズルが接続されていることにより、一度に材料を配置できる領域を拡大したり、時間あたりの材料の供給量を増やしたり、あるいは異なる材料を同時に放出したりすることができ、したがってスループットの向上を図ることができる。また、本発明の膜形成方法および膜形成装置によれば、外部からの不純物の混入を低減すると同時に前記基体上の複数の領域に対応して膜を形成することができ、または膜形成工程の短縮を図ることができる。
本発明のパターニング装置によれば、ノズル内より十分に低い圧力雰囲気となる真空チャンバー内に材料を吐出することにより、この材料を容易にかつ安定して吐出することができる。したがって、移動機構によってノズルと基体との相対的な位置を移動させつつ、材料を基体上に射出することにより、マスクを必要とすることなくパターニングを行うことができ、また材料を気化させるので特に溶媒を必要とすることなく使用することができる。よって、溶媒に容易に溶解しない材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。
また、本発明の別のパターニング装置によれば、前記パターニング装置による効果に加え、特にノズルを複数備えてなることにより、一度に材料を配置できる領域を拡大したり、時間あたりの材料の供給量を増やしたり、あるいは異なる材料を同時に放出したりすることができ、したがってスループットの向上を図ることができる。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、前述したようにノズルと基体との相対的な位置を制御しつつ、材料を基体上に塗布することにより、マスクを必要とすることなくパターニングを行うことができる。よって、低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングすることができる。また、特に材料として有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する電子輸送層、正孔輸送層、発光層、電極のうちの少なくとも一つの形成材料を吐出し、電子輸送層、正孔輸送層、発光層または電極をパターニングするようにすれば、電子輸送層、正孔輸送層、発光層あるいは電極の形成材料を高い自由度で選択することができ、また溶媒を使用しないでこれら電子輸送層、正孔輸送層、発光層あるいは電極を形成した場合に、得られる素子の寿命向上化を図ることができる。
本発明の電気光学装置によれば、前述したように低分子系材料でも高分子系材料でも特に制限されることなくパターニングされたことにより、その構成要素の少なくとも一部が形成されたものとなるため、製造に際して材料の選択自由度の高いものとなる。本発明の電子機器にあっても、特にその表示手段について、前述したように製造に際して材料の選択自由度の高いものとなる。
本発明の電子装置とその製造方法によれば、前記パターニング装置を用いて作製されていることにより、そのパターニングの際、溶媒に容易に溶解しない材料でも特に制限されることなく選択することができる。
本発明のパターニング装置の一例の、概略構成を示す側面図である。 本発明の電気光学装置の配置部を示す回路図である。 図２に示した電気光学装置における画素部の平面構造を示す拡大平面図である。 （ａ）〜（ｅ）は図２、図３に示した電気光学装置の製造方法を工程順に説明するための要部側断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は図４に続く工程を順に説明するための要部側断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は図５に続く工程を順に説明するための要部側断面図である。 複数のノズルと材料供給源との接続例を模式的に示す図である。 複数のノズルが設けられた吐出ヘッドの構成例を模式的に示す図である。 本発明の電気光学装置の他の例を説明するための図であり、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。 エレクトロルミネッセンスディスプレイが備えられた電子機器の具体例を示す図であり、（ａ）は携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、（ｂ）は情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視図、（ｃ）は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を示す斜視図である。
符号の説明
１…パターニング装置、２…真空チャンバー、３…ノズル、３ａ…ノズル孔、４…基体ステージ、６…真空装置、７…材料供給室（材料供給源）、８…キャリアガス供給源、９…加熱手段、１０…吐出機構、１１…移動機構、２０…表示装置、１２１…透明基板、１４０Ａ…正孔輸送層、１４０Ｂ…発光層、１４０Ｃ…電子輸送層。

Claims (16)

  1. 第１の材料を前記第１の材料の供給源となる第１の材料供給源に接続された第１のノズルから０．１３３ Ｐａ以下の圧力に調整された雰囲気中に吐出するとともに、第２の材料を前記第２の材料の供給源となる第２の材料供給源に接続された第２のノズルから第２の材料を前記雰囲気中に吐出することにより、基体の第１の領域上に前記第１の材料及び前記第２の材料を含む第１の膜を形成する第１のステップと、
    前記第１のノズルから前記雰囲気中に前記第１の材料を吐出するとともに前記第２の材料を前記第２のノズルから前記雰囲気中に吐出することにより、前記第１の領域とは異なる前記基体の第２の領域上に前記第１の材料及び前記第２の材料を含む第２の膜を形成する第２のステップと、を含み、
    前記第１の膜と前記第２の膜とを含む複数の膜を前記基体上に配置し、
    前記第１の材料は、前記雰囲気中で分子線状となっていること、
    を特徴とする膜形成方法。
  2. 請求項１に記載の膜形成方法において、
    前記第１の材料と前記第２の材料とは異なっていること、
    を特徴とする膜形成方法。
  3. 請求項１又は２に記載の膜形成方法において、
    前記第１の材料はホスト材料であり、前記第２の材料はゲスト材料であること、
    を特徴とする膜形成方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記第２の材料が前記第１の膜及び前記第２の膜の発光色を決定すること、
    を特徴とする膜形成方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記第１の材料の励起状態のエネルギー準位は、前記第２の材料の励起状態のエネルギー準位より高いこと、
    を特徴とする膜形成方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記第１の材料は、前記雰囲気中で気化していること、
    を特徴とする膜形成方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記第２の材料は、前記雰囲気中で気化していること、
    を特徴とする膜形成方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記第１の材料は、前記雰囲気中で超音速分子噴流となっていること、
    を特徴とする膜形成方法。
  9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記雰囲気中に圧力は、０．００１３３ Ｐａ以下であること、
    を特徴とする膜形成方法。
  10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記第１のノズルからの前記第１の材料の吐出及び前記第２のノズルからの前記第２の材料の吐出を間欠的に行うこと、
    を特徴とする膜形成方法。
  11. 請求項１乃至１０のいずれかに記載の膜形成方法において、
    前記第１の材料を、キャリアガスに同伴させて前記第１のノズルから吐出すること、
    を特徴とする膜形成方法。
  12. 請求項３に記載の膜形成方法において、
    前記第２の材料を、キャリアガスに同伴させて前記第２のノズルから吐出すること、
    を特徴とする膜形成方法。
  13. 請求項１乃至１２のいずれかに記載の膜形成方法を用いて電気光学装置の構成要素の少なくとも一部を形成すること、
    を特徴とする電気光学装置の製造方法。
  14. 請求項１乃至１２のいずれかに記載の膜形成方法を用いて電子装置の構成要素の少なくとも一部を形成すること、
    を特徴とする電子装置の製造方法。
  15. 請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記第１の材料及び前記第２の材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する発光層を構成すること、
    を特徴とする電気光学装置の製造方法。
  16. 請求項１５に記載の電気光学装置の製造方法において、
    前記基体上に予め画素間を隔てる隔壁を形成しておき、前記隔壁内に前記前記発光層を形成すること、
    を特徴とする電気光学装置の製造方法。
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7099353B2 (en) * 2002-01-30 2006-08-29 Texas Instruments Incorporated Orthogonal frequency division multiplexing system with superframe synchronization using correlation sequence
JP3965562B2 (ja) * 2002-04-22 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器
US6858464B2 (en) 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
JP3690380B2 (ja) * 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
KR100508002B1 (ko) * 2002-09-03 2005-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노즐코팅을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조 방법
CN101694871B (zh) * 2002-11-11 2012-12-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置的制造方法
US6853133B2 (en) * 2003-05-07 2005-02-08 Eastman Kodak Company Providing an emission-protecting layer in an OLED device
CN1574214A (zh) * 2003-06-03 2005-02-02 国际商业机器公司 用于制造电子器件的基于熔化的图案化工艺
JP2005270929A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Hosokawa Funtai Gijutsu Kenkyusho:Kk 液滴配列方法および液滴配列装置
JP2006289355A (ja) * 2005-03-18 2006-10-26 Ran Technical Service Kk 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2006269670A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌディスプレイ
JP2007049128A (ja) * 2005-07-12 2007-02-22 Seiko Epson Corp 製膜装置
JP4911345B2 (ja) * 2005-07-25 2012-04-04 セイコーエプソン株式会社 パターニング方法、並びにこれを用いた電子装置の製造方法
KR100822421B1 (ko) * 2005-08-08 2008-04-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 제막 장치, 제막 방법, 패터닝 방법, 광학 장치의 제조방법, 및 전자 장치의 제조 방법
WO2007108364A1 (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Lan Technical Service Co., Ltd. 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2007265715A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Hioki Ee Corp 有機ｅｌ素子製造装置
JP4716509B2 (ja) * 2006-06-09 2011-07-06 大日本スクリーン製造株式会社 塗布装置および塗布方法
US7718997B2 (en) * 2006-10-13 2010-05-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetrasubstituted coronenes
JP4799365B2 (ja) * 2006-10-27 2011-10-26 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法
JP5186757B2 (ja) * 2006-11-27 2013-04-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5084236B2 (ja) 2006-11-30 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造装置およびデバイス製造方法
US7879401B2 (en) * 2006-12-22 2011-02-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet deposition using an exhaust
TW201011114A (en) * 2008-05-19 2010-03-16 Du Pont Apparatus and method of vapor coating in an electronic device
JP2010221182A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toppan Printing Co Ltd インキ供給装置
JP5439097B2 (ja) * 2009-09-08 2014-03-12 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5469966B2 (ja) * 2009-09-08 2014-04-16 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5639816B2 (ja) * 2009-09-08 2014-12-10 東京応化工業株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP5719546B2 (ja) * 2009-09-08 2015-05-20 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
WO2011148409A1 (ja) * 2010-05-24 2011-12-01 パナソニック株式会社 薄膜半導体装置、表示装置及び薄膜半導体装置の製造方法
KR101246166B1 (ko) * 2011-03-08 2013-03-21 주식회사 탑 엔지니어링 액정 적하용 노즐
JP6057406B2 (ja) * 2012-01-06 2017-01-11 住友重機械工業株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP5529220B2 (ja) * 2012-08-16 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 デバイス製造方法
US9653709B2 (en) * 2012-11-20 2017-05-16 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device formed with controlled vapor flow
WO2014101020A1 (zh) * 2012-12-26 2014-07-03 机械科学研究总院先进制造技术研究中心 多金属液态喷射沉积增材制造设备
US9092187B2 (en) 2013-01-08 2015-07-28 Apple Inc. Ion implant indicia for cover glass or display component
US9623628B2 (en) * 2013-01-10 2017-04-18 Apple Inc. Sapphire component with residual compressive stress
CN104145320B (zh) 2013-02-12 2018-02-02 苹果公司 多步骤离子注入
US9416442B2 (en) 2013-03-02 2016-08-16 Apple Inc. Sapphire property modification through ion implantation
KR102163521B1 (ko) * 2013-05-15 2020-10-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN104353584A (zh) * 2014-11-19 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种涂布装置及涂布方法
US10280504B2 (en) 2015-09-25 2019-05-07 Apple Inc. Ion-implanted, anti-reflective layer formed within sapphire material
CN107053860B (zh) * 2016-09-05 2019-02-01 广东聚华印刷显示技术有限公司 喷墨打印装置及喷墨打印方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
WO1985003460A1 (en) * 1984-02-13 1985-08-15 Schmitt Jerome J Iii Method and apparatus for the gas jet deposition of conducting and dielectric thin solid films and products produced thereby
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JP2651237B2 (ja) 1989-02-10 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US4904526A (en) * 1988-08-29 1990-02-27 3M Company Electrically conductive metal oxide coatings
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02269703A (ja) * 1989-04-11 1990-11-05 Seiko Epson Corp 有機薄膜の形成方法
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US5164040A (en) * 1989-08-21 1992-11-17 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method and apparatus for rapidly growing films on substrates using pulsed supersonic jets
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
US5256205A (en) * 1990-05-09 1993-10-26 Jet Process Corporation Microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin film materials
US5356673A (en) * 1991-03-18 1994-10-18 Jet Process Corporation Evaporation system and method for gas jet deposition of thin film materials
JP3182909B2 (ja) * 1991-09-25 2001-07-03 セイコーエプソン株式会社 強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
JP3054900B2 (ja) * 1993-03-10 2000-06-19 セイコーインスツルメンツ株式会社 微細加工装置
JP3059972B2 (ja) * 1993-03-12 2000-07-04 工業技術院長 有機系光学薄膜の製造法とその装置
JP3463362B2 (ja) 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JP3030309B2 (ja) * 1994-03-09 2000-04-10 工業技術院長 薄膜製造装置
US5534314A (en) * 1994-08-31 1996-07-09 University Of Virginia Patent Foundation Directed vapor deposition of electron beam evaporant
US5571332A (en) * 1995-02-10 1996-11-05 Jet Process Corporation Electron jet vapor deposition system
JPH09246161A (ja) * 1996-03-11 1997-09-19 Fujitsu Ltd レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置
JP3036436B2 (ja) 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
JP3115549B2 (ja) * 1996-09-30 2000-12-11 キヤノン株式会社 インクジェット記録装置及び記録方法及び補助部材及びインクジェットヘッド及び反り調整方法
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
EP0884754B1 (en) * 1996-12-17 2006-04-12 Toray Industries, Inc. Method and device for manufacturing plasma display
JP3162313B2 (ja) * 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
DE19717353A1 (de) * 1997-04-24 1998-11-05 Wagner Int Pulverbeschichtungsanlage
JP3911775B2 (ja) 1997-07-30 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP3941169B2 (ja) 1997-07-16 2007-07-04 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
US5942015A (en) * 1997-09-16 1999-08-24 3M Innovative Properties Company Abrasive slurries and abrasive articles comprising multiple abrasive particle grades
US5869135A (en) * 1997-10-03 1999-02-09 Massachusetts Institute Of Technology Selective chemical vapor deposition of polymers
US6165554A (en) * 1997-11-12 2000-12-26 Jet Process Corporation Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films
GB9803763D0 (en) * 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
US6878312B1 (en) * 1999-03-29 2005-04-12 Seiko Epson Corporation Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefore
JP2000323276A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US6537607B1 (en) * 1999-12-17 2003-03-25 Texas Instruments Incorporated Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
JP2001219400A (ja) * 2000-02-09 2001-08-14 Seiko Epson Corp 構造体の形成方法

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