JP4987191B2

JP4987191B2 - Method for manufacturing integrated thin film solar cell

Info

Publication number: JP4987191B2
Application number: JP2001081072A
Authority: JP
Inventors: 年信中田; 克彦林
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2001-03-21
Filing date: 2001-03-21
Publication date: 2012-07-25
Anticipated expiration: 2021-03-21
Also published as: JP2002280579A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は集積化薄膜太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スーパーストレート構造の集積化薄膜太陽電池は、ガラス基板の裏面に積層された透明電極層、光電変換半導体層および裏面電極層からなるストリング状の複数段の太陽電池セルを直列に接続した構造を有する。また、光電変換半導体層に用いられるシリコンの保護などを目的として、太陽電池セルの裏面は架橋剤を含むエチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡと記す）などを主成分とする封止樹脂とテドラーなどを用いた保護シートで封止している。
【０００３】
こうした集積化薄膜太陽電池のコストを低減するためには、窓ガラス用として大量に生産されている安価なフロート板ガラスを使用する必要がある。フロート板ガラスを使用した場合でも、フロートガラス引きとはオフラインで特にマスクを利用して透明導電膜（ＴＣＯ）からなる透明電極層を形成すると、コスト増が避けられない。現実的な選択として、フロートガラス引きとオンラインでマスクを使用せずにＴＣＯを成膜する必要がある。この場合、ガラス基板の一方の面には全面にＴＣＯが付いている。
【０００４】
このように一面全面にＴＣＯが形成されたガラス基板を用いて太陽電池モジュールを作製した場合、最終的にはモジュールの側面に裏面電極層、光電変換半導体層および透明電極層が存在するためモジュールの耐絶縁性が損なわれる。このため、太陽電池モジュールの長期信頼性を向上する観点から、ガラス基板の周縁部を研磨する、いわゆる縁研磨が行われている。
【０００５】
従来、例えば特開平２０００−１５０９４４号公報に示されているように、ガラス基板上の透明電極層をスクライブして分離し、透明電極層上に光電変換半導体層を成膜し、光電変換半導体層をスクライブして接続用溝を形成し、光電変換半導体層上に裏面電極層を成膜し、裏面電極層および光電変換半導体層をスクライブして分離した後に、ガラス基板の周縁部に形成されている裏面電極層、光電変換半導体層および透明電極層を、例えばブラスト処理により一度に除去（縁研磨）する方法が用いられていた。
【０００６】
ところで、ＴＣＯとしては一般的に水素プラズマ耐性の高いＦドープＳｎＯ₂が用いられる。このＦドープＳｎＯ₂は非常に硬く、またエッチングが困難である（還元剤として金属粉を要し、塩酸を使用する）という問題がある。このため、ブラスト処理による研磨速度を１５ｃｍ／ｓｅｃ以下に設定して厳しい条件でＴＣＯを確実に除去するようにしている。
【０００７】
しかし、このような厳しい条件でブラスト処理を行うと、太陽電池セルのセル面から３ｍｍ以上離した位置でブラスト処理を行っているにもかかわらずセル面に損傷が生じてセル性能の低下を招き、歩留りが低下するという問題が生じていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、縁研磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低下、ひいては歩留りの低下を防止できる集積化薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の集積化薄膜太陽電池の製造方法は、透明絶縁基板上に形成された透明電極層をスクライブして分離する工程と、前記透明絶縁基板の周縁部に形成されている透明電極層をブラスト処理によって除去する工程と、前記透明電極層上に光電変換半導体層を成膜した後、光電変換半導体層をスクライブして接続用溝を形成する工程と、前記光電変換半導体層上に裏面電極層を成膜した後、裏面電極層および光電変換半導体層をスクライブして分離する工程と、前記透明絶縁基板の周縁部に形成されている裏面電極層および光電変換半導体層をブラスト処理によって除去する工程とを順次行うことを特徴とする。
【００１０】
基板周縁部の透明電極層の除去はブラスト処理によって行うことが好ましい。また、基板周縁部の透明電極層のブラスト処理を行う前に、透明電極層のスクライブを行うことが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
上記のように本発明の方法では、最初に透明絶縁基板の周縁部に形成されている透明電極層を除去（縁研磨）しておき、その後に光電変換半導体層の成膜・加工、裏面電極層の成膜・加工を行う。このため、これらの工程の後に再び縁研磨を行う際には透明電極層が残っていないので、従来透明電極層を含んで一括で行っていた縁研磨よりも、条件の緩やかな方法を用いることができる。したがって、再度の縁研磨の際に、太陽電池セルのセル面の損傷が低減され、セル性能の低下を防止でき、従来よりも歩留りを向上できる。
【００１２】
本発明においては、透明絶縁基板上に形成された透明電極層のスクライブを行った後に、基板周縁部の透明電極層のブラスト処理を行うことが好ましい。これは、ブラスト処理→スクライブの順序で加工すると、縁研磨残滓によってスクライブが阻害されるのでそれぞれの処理の後に合計２度の洗浄が必要になり、またスクライブ時にレーザー光が縁研磨された領域からＴＣＯが存在する領域へ移る境界でスクライブが確実に行われない部分が生じるためである。スクライブ→ブラスト処理の順序で加工すると、どの領域でもスクライブを確実に行うことができ、洗浄はブラスト処理後に１度だけ行えばよい。
【００１３】
なお、大面積の透明絶縁基板上に集積化セルを作製した後、各種モジュールに適応したサイズに分割する場合には、透明絶縁基板の周縁部に加えて中央部の分割領域に対してもブラスト処理を行う。
【００１４】
上述したように、透明電極層のスクライブ、透明電極層の縁研磨および洗浄を行った後、ＣＶＤによる光電変換半導体層の成膜が行われるが、洗浄とＣＶＤ成膜との間に加熱処理を行ってもよい。この加熱処理の温度は、８０℃〜５００℃、好ましくは２００〜４００℃、さらに好ましくは３００〜３５０℃に設定される。８０℃以上であれば水分を高速に除去することができる。２００℃以上であればＣＶＤにおいて不純物が発生しにくくなる。１５０℃以上であればブラスト処理およびレーザースクライブによって生じたマイクロクラックを減少してガラス強度を高めることができ、特に３００℃以上でこの効果が顕著になる。しかし、３５０℃を超えると装置コストが増大し、ガラス熱歪みが発生するようになる。また、４００℃を超えると歪みが増大し、５００℃を超えると歪みが顕著になる。
【００１５】
光電変換半導体層の構造は特に限定されず、例えばｐｉｎ型アモルファスシリコン層でもよいし、ｐｉｎ型アモルファスシリコン層とｐｉｎ型ポリシリコン層とからなるハイブリッド型でもよい。
【００１６】
上述したように、光電変換半導体層の成膜・加工、裏面電極層の成膜・加工を行った後には再び縁研磨が行われる。この際、少なくとも基板周縁部の裏面電極層を除去すれば、太陽電池モジュールの絶縁性を確保することができる。また、基板周縁部の裏面電極層および光電変換半導体層を除去して基板面を露出させれば、裏面の封止に用いられるＥＶＡが良好に付着するようになるので、信頼性を向上できる。
【００１７】
上述したように、再度の縁研磨は、透明電極層よりも除去しやすい裏面電極層および光電変換半導体層に対するものなので、条件の緩やかな方法により行うことができる。例えば、研磨速度を３０ｃｍ／ｓｅｃ以上に設定した弱いブラスト処理を用いることができる。また、平面回転歯を有する研磨機（ホイール）を用いてもよい。さらに、レーザー加工を用いてもよい。これらの方法を用いれば、再度の縁研磨の際に、太陽電池セルのセル面の損傷が低減され、セル性能の低下を防止でき、従来よりも歩留りを向上できる。
【００１８】
【実施例】
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。
実施例
図１（Ａ）〜（Ｅ）を参照して本実施例に係るハイブリッド型の集積化薄膜太陽電池の製造方法を説明する。図１（Ａ）〜（Ｅ）はガラス基板の周縁部を示す断面図である。本実施例では、９１０ｍｍ×９１０ｍｍのガラス基板を用いて太陽電池セルを形成し、最終的に２分割して９１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュールを製造する。
【００１９】
図１（Ａ）に示すように、９１０ｍｍ×９１０ｍｍ、厚み４ｍｍのガラス基板１上に厚さ約０．８μｍのＳｎＯ₂からなる透明電極層２が形成されており、この透明電極層２にスクライブライン３を設けることにより単位セルごとに分離した。図示しないが、ガラス基板１の光入射面には反射防止膜（ＡＲコート）が施されている。透明電極層２のレーザースクライブ工程は、レーザースクライバーのＸ−Ｙテーブル上に透明電極層２を上向きにしてガラス基板１を載置し、上方からレーザー光を照射することによって行った。このとき、ＹＡＧレーザーの基本波を用い、加工点出力を１３Ｗに設定して、線幅約８０μｍのスクライブライン３を形成した。
【００２０】
図１（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の周縁部１１に形成されている透明電極層２を周囲から約５ｍｍの幅でブラスト処理して除去した。図２にこの工程に対応する平面図を示す。本実施例においては、最終的にガラス基板１を２分割するので、図２に示すように周縁部１１に加えて中央部１２の透明電極層２もブラスト処理により除去した。このとき、ブラスト処理による研磨速度は１５ｃｍ／ｓｅｃに設定した。
【００２１】
図１（Ｃ）に示すように、透明電極層２上に、厚さ約０．２５μｍのｐｉｎ型アモルファスシリコン層４および厚さ約２μｍのｐｉｎ型ポリシリコン層５を成膜した。その後、アモルファスシリコン層４およびポリシリコン層５に接続溝となるスクライブライン６を設けた。半導体層（ポリシリコン層５とアモルファスシリコン層４）のレーザースクライブ工程は、レーザースクライバーのＸ−Ｙテーブル上に膜面を下向きにしてガラス基板１を載置し、上方からガラス基板１を通してレーザー光を照射することによって行った。このとき、ＹＡＧレーザーの第二高調波を用い、出力０．５５Ｗ、１０ｋＨｚ、加工速度４００ｍｍ／ｓに設定して、線幅約８０μｍのスクライブライン６を形成した。
【００２２】
図１（Ｄ）に示すように、半導体層上に、厚さ約０．１μｍのＺｎＯと厚さ約０．３μｍのＡｇとの積層膜からなる裏面電極層７を成膜した。その後、裏面電極層７および半導体層（ポリシリコン層５、アモルファスシリコン層４）にスクライブライン８を設けて単位セルごとに分離した。このレーザースクライブ工程は、レーザースクライバーのＸ−Ｙテーブル上に膜面を下向きにしてガラス基板１を載置し、上方からガラス基板１を通してレーザー光を照射することによって行った。このとき、ＹＡＧレーザーの第二高調波を用い、出力０．４０Ｗ、６ｋＨｚ、加工速度４００ｍｍ／ｓに設定して、線幅約１００μｍのスクライブライン８を形成した。
【００２３】
図１（Ｅ）に示すように、ガラス基板１の周縁部１１に形成されている裏面電極層７および半導体層（ポリシリコン層５、アモルファスシリコン層４）を周囲から約５ｍｍの幅でブラスト処理して除去した。このとき、ブラスト処理による研磨速度は３０ｃｍ／ｓｅｃに設定した。
【００２４】
得られた太陽電池モジュールを２分割して９１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュールを製造した。
【００２５】
比較例
上記実施例に対して以下のように工程を変更した。すなわち、図１（Ｂ）に対応する工程においてガラス基板１の周縁部１１に形成されている透明電極層２のブラスト処理を行わず、図１（Ｅ）に対応する工程でガラス基板１の周縁部１１に形成されている裏面電極層７、半導体層（ポリシリコン層５、アモルファスシリコン層４）および透明電極層２を一括してブラスト処理により除去した。このとき、ブラスト処理による研磨速度は１５ｃｍ／ｓｅｃに設定した。
【００２６】
上記の変更点以外は実施例と同様にして９１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュールを製造した。
【００２７】
以上の実施例および比較例の方法により製造された太陽電池モジュールについて、開放端電圧（Ｖ_OC）、フィルファクター（ＦＦ）および変換効率（ｅｆｆｉ）を評価した結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】

【００２９】
表１から明らかなように、実施例の方法を用いれば、比較例の方法よりも特性の良好な太陽電池モジュールが得られることがわかる。また、実施例の方法を用いた場合、比較例よりも収率が向上した。
【００３０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、縁研磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低下、ひいては歩留りの低下を防止できる集積化薄膜太陽電池の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例におけるハイブリッド型の集積化薄膜太陽電池の製造方法を示す断面図。
【図２】図１（Ｂ）に対応する平面図。
【符号の説明】
１…ガラス基板
２…透明電極層
３…スクライブライン
４…アモルファスシリコン層
５…ポリシリコン層
６…スクライブライン
７…裏面電極層
８…スクライブライン
１１…周縁部
１２…中央部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an integrated thin film solar cell.
[0002]
[Prior art]
An integrated thin film solar cell having a super straight structure has a structure in which a plurality of string-like solar cells formed of a transparent electrode layer, a photoelectric conversion semiconductor layer, and a back electrode layer stacked on the back surface of a glass substrate are connected in series. . In addition, for the purpose of protecting silicon used in the photoelectric conversion semiconductor layer, the back surface of the solar cell is a sealing resin whose main component is an ethylene-vinyl acetate copolymer (hereinafter referred to as EVA) containing a crosslinking agent. And sealed with a protective sheet using Tedlar.
[0003]
In order to reduce the cost of such an integrated thin film solar cell, it is necessary to use an inexpensive float plate glass that is produced in large quantities for window glass. Even when a float plate glass is used, an increase in cost is inevitable if a transparent electrode layer made of a transparent conductive film (TCO) is formed off-line with float glass, particularly using a mask. As a realistic choice, it is necessary to deposit TCO without using float masking and on-line masks. In this case, TCO is attached to the entire surface of one side of the glass substrate.
[0004]
When a solar cell module is produced using a glass substrate having a TCO formed on the entire surface in this way, the back electrode layer, the photoelectric conversion semiconductor layer, and the transparent electrode layer are finally present on the side surface of the module. Insulation resistance is impaired. For this reason, from the viewpoint of improving the long-term reliability of the solar cell module, so-called edge polishing is performed in which the peripheral edge of the glass substrate is polished.
[0005]
Conventionally, for example, as disclosed in JP-A-2000-150944, a transparent electrode layer on a glass substrate is scribed and separated, a photoelectric conversion semiconductor layer is formed on the transparent electrode layer, and a photoelectric conversion semiconductor layer is formed. Are formed on the peripheral portion of the glass substrate after forming the back electrode layer on the photoelectric conversion semiconductor layer and scribing and separating the back electrode layer and the photoelectric conversion semiconductor layer. A method has been used in which the back electrode layer, the photoelectric conversion semiconductor layer, and the transparent electrode layer are removed (edge polishing) at a time, for example, by blasting.
[0006]
By the way, as the TCO, F-doped SnO ₂ having high hydrogen plasma resistance is generally used. This F-doped SnO ₂ is very hard and difficult to etch (requires metal powder as a reducing agent and uses hydrochloric acid). For this reason, the polishing rate by blasting is set to 15 cm / sec or less so that TCO is reliably removed under severe conditions.
[0007]
However, if the blasting process is performed under such severe conditions, the cell surface is damaged and the cell performance is degraded even though the blasting process is performed at a position 3 mm or more away from the cell surface of the solar battery cell. There was a problem that the yield decreased.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an integrated thin film solar cell that can prevent cell surface damage, cell performance degradation, and, in turn, yield loss associated with edge polishing.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The method for manufacturing an integrated thin film solar cell according to the present invention includes a step of scribing and separating a transparent electrode layer formed on a transparent insulating substrate, and a blasting of the transparent electrode layer formed on a peripheral portion of the transparent insulating substrate. A step of removing by treatment, a step of forming a photoelectric conversion semiconductor layer on the transparent electrode layer, and then scribing the photoelectric conversion semiconductor layer to form a connection groove; and a back electrode layer on the photoelectric conversion semiconductor layer After the film is formed, the step of scribing and separating the back electrode layer and the photoelectric conversion semiconductor layer, and the step of removing the back electrode layer and the photoelectric conversion semiconductor layer formed on the peripheral edge of the transparent insulating substrate by blasting wherein the sequentially performed and.
[0010]
The removal of the transparent electrode layer at the peripheral edge of the substrate is preferably performed by blasting. Moreover, it is preferable to perform scribing of the transparent electrode layer before performing the blasting treatment of the transparent electrode layer on the peripheral edge of the substrate.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
As described above, in the method of the present invention, the transparent electrode layer formed on the peripheral edge of the transparent insulating substrate is first removed (edge polishing), and then the photoelectric conversion semiconductor layer is formed and processed, and the back electrode Layer deposition and processing. For this reason, when the edge polishing is performed again after these steps, the transparent electrode layer does not remain, so a method with milder conditions than the edge polishing that has been performed collectively including the conventional transparent electrode layer should be used. Can do. Therefore, when the edge is polished again, damage to the cell surface of the solar battery cell is reduced, cell performance can be prevented from being lowered, and the yield can be improved as compared with the prior art.
[0012]
In the present invention, it is preferable to blast the transparent electrode layer at the peripheral edge of the substrate after scribing the transparent electrode layer formed on the transparent insulating substrate. This is because if the processing is performed in the order of blasting → scribing, scribing will be hindered by the edge polishing residue, so a total of two cleanings will be required after each processing, and the laser light will be polished from the region where edge polishing was performed during scribing. This is because there is a portion where scribing is not reliably performed at the boundary where the TCO moves to an area. When processing is performed in the order of scribing → blasting, scribing can be reliably performed in any region, and cleaning only needs to be performed once after the blasting.
[0013]
When an integrated cell is fabricated on a large-area transparent insulating substrate and then divided into sizes suitable for various modules, blasting is performed not only on the periphery of the transparent insulating substrate but also on the central divided region. Process.
[0014]
As described above, after scribing the transparent electrode layer, polishing the edge of the transparent electrode layer, and cleaning, the photoelectric conversion semiconductor layer is formed by CVD. A heat treatment is performed between the cleaning and the CVD film formation. You may go. The temperature of this heat treatment is set to 80 to 500 ° C, preferably 200 to 400 ° C, more preferably 300 to 350 ° C. If it is 80 degreeC or more, a water | moisture content can be removed at high speed. If it is 200 ° C. or higher, impurities are less likely to be generated in CVD. If it is 150 degreeC or more, the microcrack produced by the blasting process and the laser scribing can be reduced and the glass strength can be increased, and this effect becomes remarkable especially at 300 degreeC or more. However, if it exceeds 350 ° C., the cost of the apparatus increases and glass thermal distortion occurs. Moreover, when it exceeds 400 degreeC, distortion will increase, and when it exceeds 500 degreeC, distortion will become remarkable.
[0015]
The structure of the photoelectric conversion semiconductor layer is not particularly limited, and may be, for example, a pin type amorphous silicon layer or a hybrid type composed of a pin type amorphous silicon layer and a pin type polysilicon layer.
[0016]
As described above, after film formation / processing of the photoelectric conversion semiconductor layer and film formation / processing of the back electrode layer, edge polishing is performed again. At this time, the insulation of the solar cell module can be secured by removing at least the back electrode layer on the peripheral edge of the substrate. In addition, if the back electrode layer and the photoelectric conversion semiconductor layer at the peripheral edge of the substrate are removed to expose the substrate surface, EVA used for sealing the back surface can be satisfactorily adhered, so that reliability can be improved.
[0017]
As described above, the second edge polishing is performed on the back electrode layer and the photoelectric conversion semiconductor layer that are easier to remove than the transparent electrode layer, and thus can be performed by a method with mild conditions. For example, a weak blast process in which the polishing rate is set to 30 cm / sec or more can be used. Moreover, you may use the grinder (wheel) which has a plane rotation tooth. Further, laser processing may be used. When these methods are used, damage to the cell surface of the solar battery cell is reduced at the time of edge polishing again, deterioration of the cell performance can be prevented, and the yield can be improved as compared with the conventional method.
[0018]
【Example】
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
EXAMPLE A method of manufacturing a hybrid integrated thin film solar cell according to this example will be described with reference to FIGS. 1 (A) to (E). 1A to 1E are cross-sectional views showing the peripheral edge of a glass substrate. In this example, a solar battery cell is formed using a glass substrate of 910 mm × 910 mm, and finally divided into two to produce two solar battery modules of 910 mm × 455 mm.
[0019]
As shown in FIG. 1A, a transparent electrode layer 2 made of SnO ₂ having a thickness of about 0.8 μm is formed on a glass substrate 1 having a thickness of 910 mm × 910 mm and a thickness of 4 mm. By providing the line 3, it was separated for each unit cell. Although not shown, an antireflection film (AR coating) is applied to the light incident surface of the glass substrate 1. The laser scribing process of the transparent electrode layer 2 was performed by placing the glass substrate 1 with the transparent electrode layer 2 facing upward on an XY table of a laser scriber and irradiating laser light from above. At this time, the basic wave of the YAG laser was used, the processing point output was set to 13 W, and the scribe line 3 having a line width of about 80 μm was formed.
[0020]
As shown in FIG. 1B, the transparent electrode layer 2 formed on the peripheral edge portion 11 of the glass substrate 1 was removed by blasting with a width of about 5 mm from the periphery. FIG. 2 shows a plan view corresponding to this step. In this example, the glass substrate 1 is finally divided into two parts, so that the transparent electrode layer 2 in the central part 12 as well as the peripheral part 11 is removed by blasting as shown in FIG. At this time, the polishing rate by blasting was set to 15 cm / sec.
[0021]
As shown in FIG. 1C, a pin-type amorphous silicon layer 4 having a thickness of about 0.25 μm and a pin-type polysilicon layer 5 having a thickness of about 2 μm were formed on the transparent electrode layer 2. Thereafter, scribe lines 6 serving as connection grooves were provided in the amorphous silicon layer 4 and the polysilicon layer 5. In the laser scribing process of the semiconductor layers (polysilicon layer 5 and amorphous silicon layer 4), the glass substrate 1 is placed on the XY table of a laser scriber with the film surface facing downward, and laser light is transmitted through the glass substrate 1 from above. Was performed by irradiation. At this time, the second harmonic of the YAG laser was used, the output was set to 0.55 W, 10 kHz, the processing speed was 400 mm / s, and the scribe line 6 having a line width of about 80 μm was formed.
[0022]
As shown in FIG. 1D, a back electrode layer 7 made of a laminated film of about 0.1 μm thick ZnO and about 0.3 μm thick Ag was formed on the semiconductor layer. Thereafter, a scribe line 8 was provided on the back electrode layer 7 and the semiconductor layer (polysilicon layer 5 and amorphous silicon layer 4) to separate each unit cell. This laser scribing step was performed by placing the glass substrate 1 with the film surface facing downward on an XY table of a laser scriber and irradiating the laser beam through the glass substrate 1 from above. At this time, a scribe line 8 having a line width of about 100 μm was formed using a second harmonic of a YAG laser, setting an output of 0.40 W, 6 kHz, and a processing speed of 400 mm / s.
[0023]
As shown in FIG. 1E, the back electrode layer 7 and the semiconductor layer (polysilicon layer 5 and amorphous silicon layer 4) formed on the peripheral edge 11 of the glass substrate 1 are blasted with a width of about 5 mm from the periphery. And removed. At this time, the polishing rate by blasting was set to 30 cm / sec.
[0024]
The obtained solar cell module was divided into two to produce two solar cell modules of 910 mm × 455 mm.
[0025]
Comparative Example The process was changed as described below with respect to the above example. That is, the blast process of the transparent electrode layer 2 formed on the peripheral edge portion 11 of the glass substrate 1 is not performed in the step corresponding to FIG. 1B, and the peripheral edge of the glass substrate 1 is performed in the step corresponding to FIG. The back electrode layer 7, the semiconductor layer (polysilicon layer 5, amorphous silicon layer 4) and the transparent electrode layer 2 formed in the part 11 were removed by blasting all at once. At this time, the polishing rate by blasting was set to 15 cm / sec.
[0026]
Except for the above changes, two solar cell modules of 910 mm × 455 mm were manufactured in the same manner as in the example.
[0027]
Table 1 shows the results of evaluating the open-circuit voltage (V _OC ), fill factor (FF), and conversion efficiency (effi) for the solar cell modules manufactured by the methods of the above Examples and Comparative Examples.
[0028]
[Table 1]

[0029]
As is apparent from Table 1, it is understood that a solar cell module having better characteristics than the method of the comparative example can be obtained by using the method of the example. Moreover, when the method of the Example was used, the yield improved rather than the comparative example.
[0030]
【Effect of the invention】
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing an integrated thin-film solar cell that can prevent cell surface damage, cell performance degradation, and thus yield reduction associated with edge polishing.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a hybrid integrated thin film solar cell in an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view corresponding to FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate 2 ... Transparent electrode layer 3 ... Scribe line 4 ... Amorphous silicon layer 5 ... Polysilicon layer 6 ... Scribe line 7 ... Back electrode layer 8 ... Scribe line 11 ... Peripheral part 12 ... Center part

Claims

Scribing and separating the transparent electrode layer formed on the transparent insulating substrate;
Removing the transparent electrode layer formed on the peripheral edge of the transparent insulating substrate by blasting;
Forming a connecting groove by scribing the photoelectric conversion semiconductor layer after forming the photoelectric conversion semiconductor layer on the transparent electrode layer;
A step of forming a back electrode layer on the photoelectric conversion semiconductor layer and then scribing and separating the back electrode layer and the photoelectric conversion semiconductor layer ;
A method for manufacturing an integrated thin film solar cell, comprising sequentially performing a step of removing a back electrode layer and a photoelectric conversion semiconductor layer formed on a peripheral portion of the transparent insulating substrate by a blasting process .