JP5018043B2 - Polymer compound and polymer light emitting device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。 The present invention relates to a polymer compound and a polymer light-emitting device using the polymer compound.
高分子量の発光性材料や電荷輸送材料は、通常、溶媒に可溶であり、塗布法により発光素子の有機層を形成できるので、種々検討されている。その中で、アミン含有ポリマーは、素子性能を向上させるため、発光層、正孔注入層等に使用されている(特許文献1、非特許文献1)。 High-molecular-weight light-emitting materials and charge transport materials are usually soluble in a solvent, and various studies have been made since an organic layer of a light-emitting element can be formed by a coating method. Among them, amine-containing polymers are used in light emitting layers, hole injection layers, and the like in order to improve device performance (Patent Document 1, Non-Patent Document 1).
本発明の目的は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層等の材料として使用可能な新規な高分子化合物および該高分子化合物を用いた高分子発光素子を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a novel polymer compound that can be used as a material for a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and the like, and a polymer light emitting device using the polymer compound.
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を成すに到った。即ち、本発明は第一に、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物を提供する。
〔式中、XはA環上の2個の原子とB環上の2個の原子と一緒になって5員環または6員環を形成する原子または2価の基を表し、該原子または2価の基は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子および珪素原子からなる群から選ばれる原子を少なくとも一つ含む。A環およびB環は独立に置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい複素環を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよく、Ar1は置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する2価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。Ar2およびAr3は独立に置換基を有していてもよい1価の芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する1価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。R*は連結基を表し、hは0又は1を表す。複数存在するR*は同一であっても異なっていてもよい。〕
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have reached the present invention. That is, the present invention first provides a polymer compound comprising a repeating unit represented by the following general formula (1).
[In the formula, X represents an atom or a divalent group that forms a 5-membered ring or a 6-membered ring together with two atoms on the A ring and two atoms on the B ring; The divalent group contains at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom and a silicon atom. A ring and B ring independently represent an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent or a heterocyclic ring which may have a substituent, and when there are a plurality of substituents, they are bonded to each other. In the case where Ar1 represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a divalent organic group having a heterocyclic skeleton, and there are a plurality of substituents May be bonded to each other to form a ring. Ar2 and Ar3 each independently represent a monovalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, and when a plurality of substituents are present, they are bonded to each other. To form a ring. R * represents a linking group, and h represents 0 or 1. A plurality of R * may be the same or different. ]
本発明は第二に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と上記高分子化合物とを含有することを特徴とする高分子組成物を提供する。 Second, the present invention provides a polymer composition comprising at least one material selected from a hole transporting material, an electron transporting material, and a light emitting material and the above polymer compound. .
本発明は第三に、下記一般式(4):
〔式中、Ar1、Ar2、Ar3、R*及びhは、上記のとおりである。〕
で表される2級アミン化合物と、下記一般式(5):
〔式中、Xは上記のとおりであり、Zはハロゲン原子または−SO2R9(ここで、R9は、アルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す。)を表す。〕
で表される化合物とを、金属縮合剤および脱酸剤の存在下で反応させることを特徴とする上記高分子化合物の製造方法を提供する。
Thirdly, the present invention provides the following general formula (4):
[Wherein, Ar1, Ar2, Ar3, R * and h are as described above. ]
A secondary amine compound represented by the following general formula (5):
[Wherein, X is as defined above, and Z represents a halogen atom or —SO 2 R 9 (wherein R 9 represents an alkyl group, an aryl group or an arylalkyl group). ]
And a compound represented by the formula (I) is reacted in the presence of a metal condensing agent and a deoxidizing agent.
本発明は第四に、上記高分子化合物および/または上記高分子組成物と、溶媒とを含有することを特徴とする液状組成物を提供する。 Fourthly, the present invention provides a liquid composition comprising the polymer compound and / or the polymer composition and a solvent.
本発明は第五に、上記高分子化合物および/または上記高分子組成物を含有することを特徴とする薄膜を提供する。 Fifth, the present invention provides a thin film characterized by containing the above polymer compound and / or the above polymer composition.
本発明は第六に、上記薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタを提供する。 Sixth, the present invention provides an organic transistor having the above-mentioned thin film.
本発明は第七に、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた上記高分子化合物および/または上記高分子組成物を含む有機層とを有することを特徴とする高分子発光素子を提供する。 Seventhly, the present invention provides a polymer light emitting device comprising an electrode comprising an anode and a cathode, and an organic layer comprising the polymer compound and / or the polymer composition provided between the electrodes. I will provide a.
本発明は第八に、上記高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源を提供する。 Eighthly, the present invention provides a planar light source using the polymer light emitting device.
本発明は第九に、上記高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置を提供する。 Ninthly, the present invention provides a segment display device using the polymer light emitting device.
本発明は第十に、上記高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置を提供する。 Tenthly, the present invention provides a dot matrix display device using the above polymer light emitting device.
本発明は第十一に、上記高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置を提供する。 Eleventhly, the present invention provides a liquid crystal display device characterized in that the polymer light emitting device is a backlight.
本発明の高分子化合物および該高分子化合物を含有する高分子組成物は、最大電流効率が優れており、発光素子の有機層(発光層、正孔輸送層、正孔注入層等)、インターレイヤー材料等として有用である。したがって、この高分子化合物および/または高分子組成物を用いて、高分子発光素子を作製することができる。こうして作製された本発明の高分子発光素子は、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに好適に使用できる。また、本発明の製造方法を適用することにより、前記高分子化合物を容易に製造することができる。さらに、本発明の液状組成物を適用することにより、本発明の高分子化合物を含有する薄膜を容易に作製することができる。 The polymer compound of the present invention and the polymer composition containing the polymer compound are excellent in the maximum current efficiency, and the organic layer (light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, etc.) of the light emitting element, Useful as a layer material. Therefore, a polymer light emitting device can be produced using this polymer compound and / or polymer composition. The polymer light-emitting device of the present invention thus produced can be suitably used for curved or flat light sources for backlights or illumination of liquid crystal displays, segment type display devices, dot matrix flat panel displays, and the like. Moreover, the said high molecular compound can be easily manufactured by applying the manufacturing method of this invention. Furthermore, a thin film containing the polymer compound of the present invention can be easily produced by applying the liquid composition of the present invention.
以下、本発明について詳細に説明する。
<高分子化合物>
本発明の高分子化合物は、上記一般式(1)で表される繰り返し単位を含むものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
<Polymer compound>
The polymer compound of the present invention includes a repeating unit represented by the general formula (1).
−Xについて−
上記一般式(1)中、XはA環上の2個の原子とB環上の2個の原子と一緒になって5員環または6員環を形成する原子または2価の基(あるいは原子群)を表す。Xの具体例としては、下記のものが挙げられる。
-About X-
In the general formula (1), X is an atom or a divalent group (or a bivalent group that forms a 5- or 6-membered ring together with two atoms on the A ring and two atoms on the B ring (or Represents an atomic group). Specific examples of X include the following.
(式中、Rは独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、置換シリル基、シアノ基、ニトロ基、または複素環骨格を有する1価の有機基を表す。)
(Wherein R is independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an alkenyl group, an alkynyl group) Group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, imine residue, substituted amino group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted silylamino group, substituted silyl group, cyano group, It represents a monovalent organic group having a nitro group or a heterocyclic skeleton.)
Rで表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが例示される。以下、同様に、Rで表される基を具体的に説明する。 Examples of the halogen atom represented by R include fluorine, chlorine, bromine and iodine. Hereinafter, similarly, the group represented by R will be specifically described.
アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数が通常1〜20程度である。その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。 The alkyl group may be linear, branched or cyclic, may have a substituent, and usually has about 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2- Examples include ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group and the like.
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数が通常1〜20程度である。その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、ブトキシ基、i−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。 The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, may have a substituent, and usually has about 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, i-propyloxy group, butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group. Octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl group, Examples include a perfluorooctyl group, a methoxymethyloxy group, and a 2-methoxyethyloxy group.
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数が通常1〜20程度である。その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、i−プロピルチオ基、ブチルチオ基、i−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。 The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, may have a substituent, and usually has about 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, i-propylthio group, butylthio group, i-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2 -Ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, trifluoromethylthio group and the like can be mentioned.
アリール基は、芳香族炭化水素から水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環2個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48である。その具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルコキシフェニル基(「C1〜C12」は、炭素数1〜12であることを示し、以下同様である。)、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基が好ましい。C1〜C12アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、i−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、i−ブトキシフェニル基、t−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、2−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基などが挙げられる。C1〜C12アルキルフェニル基として具体的には、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、i−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、i−ブチルフェニル基、t−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。 An aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, having a condensed ring, or having two or more independent benzene rings or condensed rings bonded directly or via a group such as vinylene Is also included. The aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenyl group, a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group (“C 1 to C 12 ” represents 1 to 12 carbon atoms, and the same shall apply hereinafter), C 1 to C 12. Examples include alkylphenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, pentafluorophenyl group, etc., solubility in organic solvents, device characteristics, synthesis from the viewpoint of easiness, C 1 -C 12 alkoxyphenyl group, is C 1 -C 12 alkylphenyl group are preferable. Specific examples C 1 -C 12 alkoxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, propyloxyphenyl group, i- propyl group, a butoxyphenyl group, i- butoxyphenyl, t-butoxyphenyl group, Pentyloxyphenyl group, hexyloxyphenyl group, cyclohexyloxyphenyl group, heptyloxyphenyl group, octyloxyphenyl group, 2-ethylhexyloxyphenyl group, nonyloxyphenyl group, decyloxyphenyl group, 3,7-dimethyloctyloxyphenyl Group, lauryloxyphenyl group and the like. Specific examples C 1 -C 12 alkylphenyl group include a methylphenyl group, ethylphenyl group, dimethylphenyl group, propylphenyl group, mesityl group, methylethylphenyl group, i- propylphenyl group, butylphenyl group, i- Examples include butylphenyl group, t-butylphenyl group, pentylphenyl group, isoamylphenyl group, hexylphenyl group, heptylphenyl group, octylphenyl group, nonylphenyl group, decylphenyl group, dodecylphenyl group and the like.
アリールオキシ基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48である。その具体例としては、フェノキシ基、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基が好ましい。C1〜C12アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、i−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、i−ブトキシフェノキシ基、t−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、2−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基などが例示される。C1〜C12アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、i−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、i−ブチルフェノキシ基、t−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。 The aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenoxy group, C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group, C 1 -C 12 alkylphenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, pentafluorophenyloxy group and the like, organic From the viewpoint of solubility in a solvent, device characteristics, ease of synthesis, etc., a C 1 -C 12 alkoxyphenoxy group and a C 1 -C 12 alkylphenoxy group are preferred. Specific examples C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group, methoxyphenoxy group, ethoxyphenoxy group, propyloxy phenoxy group, i- propyloxy phenoxy group, butoxyphenoxy group, i- butoxyphenoxy group, t-butoxyphenoxy group, Pentyloxyphenoxy group, hexyloxyphenoxy group, cyclohexyloxyphenoxy group, heptyloxyphenoxy group, octyloxyphenoxy group, 2-ethylhexyloxyphenoxy group, nonyloxyphenoxy group, decyloxyphenoxy group, 3,7-dimethyloctyloxyphenoxy Group, lauryloxyphenoxy group and the like are exemplified. Specific examples C 1 -C 12 alkylphenoxy group, methylphenoxy group, ethylphenoxy group, dimethylphenoxy group, propylphenoxy group, 1,3,5-methylphenoxy group, methylethylphenoxy group, i- propyl phenoxy group Butylphenoxy group, i-butylphenoxy group, t-butylphenoxy group, pentylphenoxy group, isoamylphenoxy group, hexylphenoxy group, heptylphenoxy group, octylphenoxy group, nonylphenoxy group, decylphenoxy group, dodecylphenoxy group, etc. Illustrated.
アリールチオ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数が通常3〜60程度である。その具体例としては、フェニルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが挙げられる。 The arylthio group may have a substituent on the aromatic ring and usually has about 3 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include a phenylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, C 1 -C 12 alkyl phenylthio group, 1-naphthylthio group, 2-naphthylthio group, a pentafluorophenylthio group.
アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常7〜60程度である。その具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキル基などが挙げられる。 The arylalkyl group may have a substituent and usually has about 7 to 60 carbon atoms. As specific examples, phenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, 1- naphthyl -C 1 -C 12 alkyl group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkyl group.
アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常7〜60程度である。その具体例としては、フェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基、2−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基などが挙げられる。 The arylalkoxy group may have a substituent and usually has about 7 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl-C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkylphenyl-C 1 -C 12 alkoxy group, 1- naphthyl -C 1 -C 12 alkoxy groups, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkoxy group.
アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常7〜60程度である。その具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基などが挙げられる。 The arylalkylthio group may have a substituent and usually has about 7 to 60 carbon atoms. As specific examples, phenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, 1- naphthyl -C 1 -C 12 alkylthio group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylthio group.
アルケニル基は、炭素数が通常2〜20程度である。その具体例としては、ビニル基、1−プロペニル基、2−プロペニル基、3−プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。また、アルケニル基には1,3−ブタジエニル基などのアルカジエニル基も含まれる。 The alkenyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a vinyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 3-propenyl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group, heptenyl group, octenyl group, cyclohexenyl group and the like. Alkenyl groups also include alkadienyl groups such as 1,3-butadienyl groups.
アルキニル基は、炭素数が通常2〜20程度である。その具体例としては、エチニル基、1−プロピニル基、2−プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプテニル基、オクチニル基、シクロヘキシルエチニル基が挙げられる。また、アルキニル基には1,3−ブタジイニル基などのアルキジエニル基も含まれる。 The alkynyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include ethynyl group, 1-propynyl group, 2-propynyl group, butynyl group, pentynyl group, hexynyl group, heptenyl group, octynyl group, and cyclohexylethynyl group. In addition, the alkynyl group includes an alkydenyl group such as a 1,3-butadiynyl group.
アリールアルケニル基は、炭素数が通常8〜50程度である。アリールアルケニル基を構成するアリール基(即ち、アリール部位)、アルケニル基(即ち、アルケニル部位)としては、上記のアリール基、アルケニル基と同様である。アリールアルケニル基の具体例としては、1−アリールビニル基、2−アリールビニル基、1−アリール−1−プロペニル基、2−アリール−1−プロペニル基、2−アリール−2−プロペニル基、3−アリール−2−プロペニル基などが挙げられる。また、4−アリール−1,3−ブタジエニル基などのアリールアルカジエニル基も含まれる。 The arylalkenyl group usually has about 8 to 50 carbon atoms. The aryl group (namely, aryl moiety) and alkenyl group (namely, alkenyl moiety) constituting the arylalkenyl group are the same as the above aryl group and alkenyl group. Specific examples of the arylalkenyl group include 1-arylvinyl group, 2-arylvinyl group, 1-aryl-1-propenyl group, 2-aryl-1-propenyl group, 2-aryl-2-propenyl group, 3- An aryl-2-propenyl group etc. are mentioned. Also included are arylalkadienyl groups such as 4-aryl-1,3-butadienyl groups.
アリールアルキニル基は、炭素数が通常8〜50程度である。アリールアルキニル基を構成するアリール基(即ち、アリール部位)、アルキニル基(即ち、アルキニル部位)としては、上記のアリール基、アルキニル基と同様である。アリールアルキニル基の具体例としては、アリールエチニル基、3−アリール−1−プロピオニル基、3−アリール−2−プロピオニル基等が挙げられる。また、4−アリール−1,3−ブタジイニルなどのアリールアルカジイニル基も含まれる。 The arylalkynyl group usually has about 8 to 50 carbon atoms. The aryl group (that is, aryl moiety) and alkynyl group (that is, alkynyl moiety) constituting the arylalkynyl group are the same as the above aryl group and alkynyl group. Specific examples of the arylalkynyl group include an arylethynyl group, a 3-aryl-1-propionyl group, and a 3-aryl-2-propionyl group. Also included are arylalkadiynyl groups such as 4-aryl-1,3-butadiynyl.
アシル基は、炭素数が通常2〜20程度である。その具体例として、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが挙げられる。 The acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pivaloyl group, benzoyl group, trifluoroacetyl group, pentafluorobenzoyl group and the like.
アシルオキシ基は、炭素数が通常2〜20程度である。その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。 The acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetoxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, isobutyryloxy group, pivaloyloxy group, benzoyloxy group, trifluoroacetyloxy group, pentafluorobenzoyloxy group and the like.
アミド基は、炭素数が通常2〜20程度である。その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが挙げられる。 The amide group usually has about 2 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include formamide group, acetamide group, propioamide group, butyroamide group, benzamide group, trifluoroacetamide group, pentafluorobenzamide group, diformamide group, diacetamide group, dipropioamide group, dibutyroamide group, dibenzamide group, ditriamide. Examples include a fluoroacetamide group and a dipentafluorobenzamide group.
酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、通常炭素数2〜60程度であり、好ましくは2〜20である。酸イミド基の具体例としては、以下に示す基が挙げられる。なお、具体例において「Me」はメチル基を表し、以下、同じである。 As an acid imide group, the residue obtained by remove | excluding the hydrogen atom couple | bonded with the nitrogen atom from acid imide is mentioned, Usually, it is C2-C60 grade, Preferably it is 2-20. Specific examples of the acid imide group include the following groups. In specific examples, “Me” represents a methyl group, and hereinafter the same.
イミン残基とは、イミン化合物(即ち、分子内に−N=C−を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのN上の水素原子がアルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。)から水素原子1個を除いた残基が挙げられ、通常炭素数2〜60程度であり、好ましくは2〜20である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。 An imine residue refers to an imine compound (that is, an organic compound having —N═C— in the molecule. For example, aldimine, ketimine, and hydrogen atoms on these N are substituted with alkyl groups or the like. And a residue obtained by removing one hydrogen atom from the compound, usually having about 2 to 60 carbon atoms, preferably 2 to 20 carbon atoms. Specific examples include groups represented by the following structural formulas.
(式中、Meはメチル基を表す。)
(In the formula, Me represents a methyl group.)
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する1価の有機基から選ばれる1または2個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する1価の有機基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基は炭素数が通常1〜40程度である。その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ビス(トリフルオロメチル)アミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニルアミノ基、ビス(C1〜C12アルコキシフェニル)アミノ基、ビス(C1〜C12アルキルフェニル)アミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、ビス(C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、ビス(C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基などが挙げられる。 Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton. Note that the monovalent organic group having an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a heterocyclic skeleton may have a substituent. The substituted amino group usually has about 1 to 40 carbon atoms. Specific examples thereof include methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, isopropylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, isobutylamino group, t-butylamino. Group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, cyclopentylamino group , cyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, bis (trifluoromethyl) amino group, phenylamino group, diphenylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl Amino group, bis (C 1 -C 12 alkoxyphenyl) amino group, bis (C 1 -C 12 alkylphenyl) amino groups, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, pyridazinylamino group, pyrimidylamino group, Pirajiruamino group, triazyl amino group, phenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, a bis (C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino group, bis (C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino group, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkylamino group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylamino group.
置換シリルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する1価の有機基から選ばれる1、2または3個の基で置換されたシリルオキシ基(H3SiO−)等が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する1価の有機基を有していてもよい。置換シリルオキシ基は、炭素数が通常1〜60程度、好ましくは3〜30である。その具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリ−n−プロピルシリルオキシ基、トリ−i−プロピルシリルオキシ基、t−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−p−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、t−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。 As the substituted silyloxy group, a silyloxy group (H 3 SiO—) substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton Etc. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group, and monovalent organic group having a heterocyclic skeleton may be included. The substituted silyloxy group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 30 carbon atoms. Specific examples thereof include trimethylsilyloxy group, triethylsilyloxy group, tri-n-propylsilyloxy group, tri-i-propylsilyloxy group, t-butylsilyldimethylsilyloxy group, triphenylsilyloxy group, tri- Examples thereof include a p-xylylsilyloxy group, a tribenzylsilyloxy group, a diphenylmethylsilyloxy group, a t-butyldiphenylsilyloxy group, and a dimethylphenylsilyloxy group.
置換シリルチオ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する1価の有機基から選ばれる1〜3個の基で置換されたシリルチオ基(H3SiS−)等が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する1価の有機基は、置換基を有していてもよい。置換シリルチオ基は、炭素数が通常1〜60程度、好ましくは3〜30である。その具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリ−n−プロピルシリルチオ基、トリ−i−プロピルシリルチオ基、t−ブチルシリルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−p−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、t−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基などが挙げられる。 Examples of the substituted silylthio group include an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a silylthio group (H 3 SiS—) substituted with 1 to 3 groups selected from a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton. Can be mentioned. The monovalent organic group having an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a heterocyclic skeleton may have a substituent. The substituted silylthio group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 30 carbon atoms. Specific examples thereof include trimethylsilylthio group, triethylsilylthio group, tri-n-propylsilylthio group, tri-i-propylsilylthio group, t-butylsilyldimethylsilylthio group, triphenylsilylthio group, tri- Examples thereof include a p-xylylsilylthio group, a tribenzylsilylthio group, a diphenylmethylsilylthio group, a t-butyldiphenylsilylthio group, and a dimethylphenylsilylthio group.
置換シリルアミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および複素環骨格を有する1価の有機基から選ばれる1〜6個の基で置換されたシリルアミノ基(即ち、H3SiNH−または(H3Si)2N−)等が挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する1価の有機基は置換基を有していてもよい。置換シリルアミノ基は、炭素数が通常1〜120程度、好ましくは3〜60である。その具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリ−n−プロピルシリルアミノ基、トリ−i−プロピルシリルアミノ基、t−ブチルシリルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−p−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、t−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ビス(トリメチルシリル)アミノ基、ビス(トリエチルシリル)アミノ基、ビス(トリ−n−プロピルシリル)アミノ基、ビス(トリ−i−プロピルシリル)アミノ基、ビス(t−ブチルジメチルシリル)アミノ基、ビス(トリフェニルシリル)アミノ基、ビス(トリ−p−キシリルシリル)アミノ基、ビス(トリベンジルシリル)アミノ基、ビス(ジフェニルメチルシリル)アミノ基、ビス(t−ブチルジフェニルシリル)アミノ基、ビス(ジメチルフェニルシリル)アミノ基などが挙げられる。 As the substituted silylamino group, a silylamino group substituted with 1 to 6 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group and a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton (that is, H 3 SiNH- or ( H 3 Si) 2 N—) and the like. Note that the monovalent organic group having an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a heterocyclic skeleton may have a substituent. The substituted silylamino group usually has about 1 to 120 carbon atoms, preferably 3 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include trimethylsilylamino group, triethylsilylamino group, tri-n-propylsilylamino group, tri-i-propylsilylamino group, t-butylsilyldimethylsilylamino group, triphenylsilylamino group, tri- p-xylylsilylamino group, tribenzylsilylamino group, diphenylmethylsilylamino group, t-butyldiphenylsilylamino group, dimethylphenylsilylamino group, bis (trimethylsilyl) amino group, bis (triethylsilyl) amino group, bis (Tri-n-propylsilyl) amino group, bis (tri-i-propylsilyl) amino group, bis (t-butyldimethylsilyl) amino group, bis (triphenylsilyl) amino group, bis (tri-p-xylylsilyl) Amino group, bis (tribenzylsilyl) Amino group, bis (diphenylmethylsilyl) amino group, bis (t-butyldiphenylsilyl) amino group, such as bis (dimethylphenylsilyl) amino group.
置換シリル基とは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および1価の複素環基から選ばれる1、2または3個の基で置換されたシリル基を表す。炭素数は通常1〜60程度であり、好ましくは3〜30である。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する1価の有機基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−n−プロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが挙げられる。 The substituted silyl group represents a silyl group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group and a monovalent heterocyclic group. Carbon number is about 1-60 normally, Preferably it is 3-30. Note that the monovalent organic group having an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a heterocyclic skeleton may have a substituent. Specific examples of the substituted silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tri-n-propylsilyl group, tri-i-propylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, and tri-p-xylylsilyl group. , Tribenzylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, t-butyldiphenylsilyl group, dimethylphenylsilyl group and the like.
Rの説明において、複素環骨格を有する1価の有機基とは、複素環化合物から水素原子1個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常2〜60程度である。その具体例としては、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、チアゾール基、チアジアゾール基などが挙げられる。 In the description of R, the monovalent organic group having a heterocyclic skeleton refers to the remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, and usually has about 2 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include a thienyl group, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, C 1 -C 12 alkyl pyridyl group, an imidazolyl group, a pyrazolyl group, a triazolyl group, an oxazolyl group, a thiazole group And thiadiazole group.
Xの中では、−O−、−S−、−Se−、−SiR2−または−CR2O−が好ましく、−O−、−S−、−CR2O−がより好ましく、−O−、−S−がさらに好ましい。 In X, —O—, —S—, —Se—, —SiR 2 — or —CR 2 O— is preferred, —O—, —S—, —CR 2 O— is more preferred, —O— , -S- is more preferable.
−A環・B環について−
上記一般式(1)中、A環およびB環は、独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環または複素環を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。
-About A ring and B ring-
In the general formula (1), the A ring and the B ring independently represent an aromatic hydrocarbon ring or a heterocyclic ring which may have a substituent, and are bonded to each other when a plurality of substituents are present. To form a ring.
芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独または複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましい。 As the aromatic hydrocarbon ring, a benzene ring alone or a condensed benzene ring is preferable, and examples thereof include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, tetracene ring, pentacene ring, pyrene ring, phenanthrene ring, etc. Aromatic hydrocarbon rings, preferably benzene rings, naphthalene rings, anthracene rings, and phenanthrene rings, and more preferably benzene rings and naphthalene rings.
A環とB環との組合せとして、好ましくはベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフェナントレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフェナントレン環、アントラセン環とフェナントレン環の組合せ等が挙げられ、ベンゼン環とナフタレン環の組合せがより好ましく、共にベンゼン環である組合せがさらに好ましい。これらのA環とB環との組合せの例示において、各々の環は置換基を有していてもよい。 As a combination of A ring and B ring, preferably a benzene ring and a naphthalene ring, a benzene ring and an anthracene ring, a benzene ring and a phenanthrene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring, a combination of a naphthalene ring and a phenanthrene ring, an anthracene ring and a phenanthrene ring, etc. And a combination of a benzene ring and a naphthalene ring is more preferable, and a combination of both being a benzene ring is more preferable. In the illustration of the combination of these A ring and B ring, each ring may have a substituent.
芳香族炭化水素環が置換基を有する場合には、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、該置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する1価の有機基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。 When the aromatic hydrocarbon ring has a substituent, from the viewpoints of solubility in an organic solvent, device characteristics, ease of synthesis, etc., the substituent is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group. , Aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group , An imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, a carboxyl group, a substituted carboxyl group, and a cyano group are preferable.
芳香族炭化水素環が置換基を有する場合のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する1価の有機基の定義、具体例は、上記Rの記載と同様である。 When the aromatic hydrocarbon ring has a substituent, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, specific examples Is the same as described above for R.
芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、または複素環骨格を有する1価の有機基で置換されたカルボキシル基等が挙げられ、炭素数が通常2〜60程度、好ましくは2〜48である。この置換カルボキシル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する1価の有機基は、置換基を有していてもよく、この場合、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。 Examples of the substituted carboxyl group in the case where the aromatic hydrocarbon ring has a substituent include an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a carboxyl group substituted with a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, The number of carbon atoms is usually about 2 to 60, preferably 2 to 48. Specific examples of the substituted carboxyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, i-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyl group. Siloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl Group, trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorohexyloxycarbonyl group, perfluoro Chi le oxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, and pyridyl oxycarbonyl group. Note that the monovalent organic group having an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a heterocyclic skeleton may have a substituent. In this case, the number of carbon atoms of the substituted carboxyl group depends on the number of carbon atoms of the substituent. Carbon number is not included.
上記A環、B環の複素環としては、環に含まれる炭素原子がヘテロ原子で置き換えられた構造のもの等が例示され、具体的には、置換基を有していてもよいC4〜C20複素環が例示される。このC4〜C20複素環を選択すると、得られる化合物の薄膜状態での蛍光強度、青色から赤色までの可視光領域での発光色の制御性がより優れる。 Examples of the heterocyclic ring of the A ring and the B ring include those having a structure in which a carbon atom contained in the ring is replaced with a hetero atom, and specifically, C 4- which may have a substituent. C 20 heterocycle is exemplified. When this C 4 to C 20 heterocyclic ring is selected, the fluorescence intensity in the thin film state of the obtained compound and the controllability of the emission color in the visible light region from blue to red are more excellent.
上記A環、B環の複素環は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、ブトキシ基、i−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、i−プロピルチオ基、ブチルチオ基、i−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。 The heterocyclic rings of the A ring and the B ring may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, a halogen atom, or the like. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, Examples include 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, and perfluorooctyl group. . Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, i-propyloxy group, butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group, Octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl group, perfluorohexyl group Examples include a fluorooctyl group, a methoxymethyloxy group, and a 2-methoxyethyloxy group. Examples of the alkylthio group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, i-propylthio group, butylthio group, i-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2- Examples include ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, trifluoromethylthio group and the like. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
上記A環、B環の複素環の具体例としては、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、フェノチアジン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロチオフェン環、テトラヒドロインドール環、テトラヒドロピラン環、ヘキサヒドロピリジン環、テトラヒドロチオピラン環、オキソカン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、クラウンエーテル類などが挙げられる。 Specific examples of the A ring and B ring heterocycle include thiophene ring, furan ring, pyridine ring, quinoline ring, quinoxaline ring, phenanthroline ring, phenothiazine ring, tetrahydrofuran ring, tetrahydrothiophene ring, tetrahydroindole ring, tetrahydropyran ring. , Hexahydropyridine ring, tetrahydrothiopyran ring, oxocan ring, tetrahydroquinoline ring, tetrahydroisoquinoline ring, crown ethers and the like.
−Ar1について−
上記一般式(1)中、Ar1は置換基を有していてもよい2価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する2価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。
-About Ar1-
In the general formula (1), Ar1 represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a divalent organic group having a heterocyclic skeleton, and when a plurality of substituents are present They may combine with each other to form a ring.
上記Ar1の2価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する2価の有機基とは、芳香族炭化水素環または複素環から水素原子2個を除いてなる原子団をいう。 The divalent organic hydrocarbon group having a divalent aromatic hydrocarbon group or heterocyclic skeleton of Ar1 refers to an atomic group formed by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon ring or heterocyclic ring.
芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独または複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましい。即ち、2価芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセン−ジイル基、テトラセン−ジイル基、ペンタセン−ジイル基、ピレン−ジイル基およびフェナントレン−ジイル基から選ばれる基が挙げられ、好ましくはフェニレン基、ナフチレン基である。 As the aromatic hydrocarbon ring, a benzene ring alone or a condensed benzene ring is preferable, and examples thereof include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, tetracene ring, pentacene ring, pyrene ring, phenanthrene ring, etc. Preferably, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring are mentioned, and a benzene ring and a naphthalene ring are more preferable. That is, specific examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include groups selected from a phenylene group, a naphthylene group, an anthracene-diyl group, a tetracene-diyl group, a pentacene-diyl group, a pyrene-diyl group, and a phenanthrene-diyl group. Preferably, it is a phenylene group or a naphthylene group.
芳香族炭化水素環(あるいは、2価芳香族炭化水素基)が置換基を有する場合には、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、該置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する1価の有機基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基は、前記A環およびB環の項で芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換基として具体的に説明し、例示したものと同じである。 When the aromatic hydrocarbon ring (or divalent aromatic hydrocarbon group) has a substituent, from the viewpoints of solubility in organic solvents, device characteristics, ease of synthesis, etc., the substituent is Alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted Must be selected from silyl groups, halogen atoms, acyl groups, acyloxy groups, imine residues, amide groups, acid imide groups, monovalent organic groups having a heterocyclic skeleton, carboxyl groups, substituted carboxyl groups, and cyano groups. Is preferred. These substituents are the same as those specifically described and exemplified as substituents in the case where the aromatic hydrocarbon ring has a substituent in the terms of the A ring and the B ring.
上記Ar1は、下記一般式(3): Ar1 represents the following general formula (3):
〔式中、R1〜R4は独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する1価の有機基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、R1〜R4は互いに結合して環を形成していてもよい。〕
であることがより好ましい。
[Wherein R 1 to R 4 are independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group. , Arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, Represents a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group, and R 1 to R 4 may be bonded to each other to form a ring. ]
It is more preferable that
これらR1〜R4で表されるこれらの基は、前記A環およびB環の項で芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換基として具体的に説明し、例示したものと同じである。 These groups represented by R 1 to R 4 are the same as those specifically explained and exemplified as the substituents in the case where the aromatic hydrocarbon ring has a substituent in the above-mentioned A ring and B ring terms. It is.
Ar1の複素環骨格を有する2価の有機基を構成する複素環としては、環に含まれる炭素原子がヘテロ原子で置き換えられた構造のもの等が例示され、具体的には、置換基を有していてもよいC4〜C20複素環が例示される。より具体的には、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、フェノチアジン環等が例示される。 Examples of the heterocyclic ring constituting the divalent organic group having a heterocyclic skeleton of Ar1 include those having a structure in which a carbon atom contained in the ring is replaced by a heteroatom. Specifically, the heterocyclic ring has a substituent. C 4 -C 20 heterocycles which may be used are exemplified. More specifically, thiophene ring, furan ring, pyridine ring, quinoline ring, quinoxaline ring, phenanthroline ring, phenothiazine ring and the like are exemplified.
Ar1で表される2価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する2価の有機基が置換基を有する場合には、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。これらの置換基は、前記A環およびB環の項で芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換基として具体的に説明し、例示したものと同じである。 When the divalent aromatic hydrocarbon group represented by Ar1 or the divalent organic group having a heterocyclic skeleton has a substituent, the viewpoint of solubility in organic solvent, device characteristics, easiness of synthesis, etc. To alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group , Substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group are preferable. . These substituents are the same as those specifically described and exemplified as substituents in the case where the aromatic hydrocarbon ring has a substituent in the terms of the A ring and the B ring.
−Ar2、Ar3について−
上記一般式(1)中、Ar2およびAr3は独立に、置換基を有していてもよい1価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する1価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。
-About Ar2 and Ar3-
In the general formula (1), Ar2 and Ar3 independently represent a monovalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, and a plurality of substituents When present, they may combine with each other to form a ring.
Ar2、Ar3の1価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する1価の有機基とは、芳香族炭化水素環または複素環から水素原子1個を除いてなる原子団をいう。芳香族炭化水素環および複素環は、上記Ar1の項で具体的に説明し例示したものと同じである。 The monovalent aromatic hydrocarbon group or the monovalent organic group having a heterocyclic skeleton of Ar2 and Ar3 refers to an atomic group formed by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring or a heterocyclic ring. The aromatic hydrocarbon ring and the heterocyclic ring are the same as those specifically explained and exemplified in the above Ar1 section.
また、R*で表される連結基としては、例えば、アルキレン基、アルケニレン基などがあげられ、その中の4級炭素原子が−O−、−S−、―CO−、−CO2−、−SO−、―SO2―、−SiR1R2−、NR3−、−BR4−、−PR5−、及び−P(=O)―で置換されていてもよい。 Further, examples of the linking group represented by R *, e.g., an alkylene group, such as an alkenylene group and the like, quaternary carbon atoms therein -O -, - S -, - CO -, - CO 2 -, It may be substituted with —SO—, —SO 2 —, —SiR 1 R 2 —, NR 3 —, —BR 4 —, —PR 5 —, and —P (═O) —.
−高分子化合物の具体例−
上記一般式(1)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物の具体例としては、以下のものが挙げられるが、これらの例示は本発明の範囲を限定するものではない。なお、これらの例示において、nは正の整数であり、通常、該高分子化合物が後述するポリスチレン換算の重量平均分子量の範囲内となる正の整数である。Rは前記の通りであり、aは0〜3、bは0〜4、cは0〜5、dは0〜7、eは0〜2、fは0〜6の整数を表す。a〜fが複数存在する場合には、各々、同一であっても異なっていてもよい。
-Specific examples of polymer compounds-
Specific examples of the polymer compound containing the repeating unit represented by the general formula (1) include the following, but these examples do not limit the scope of the present invention. In these exemplifications, n is a positive integer, and is usually a positive integer that falls within the range of the weight average molecular weight in terms of polystyrene described later. R is as described above, a is 0 to 3, b is 0 to 4, c is 0 to 5, d is 0 to 7, e is 0 to 2, and f is an integer of 0 to 6. When a plurality of a to f are present, they may be the same or different.
−高分子化合物の分子量−
本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、103〜108程度であり、成膜性の観点および素子に用いた場合の電流効率の観点から、5×104〜5×106が好ましく、105〜5×106がさらに好ましい。前記重量平均分子量がかかる好ましい範囲を満たすと、得られる高分子化合物は、単独で素子に用いた場合でも2種類以上を混合して素子に用いた場合でも高電流効率の素子が作製できるものとなる。
-Molecular weight of polymer compounds-
The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound of the present invention is usually about 10 3 to 10 8 , and 5 × 10 4 to 5 from the viewpoint of film formability and current efficiency when used in an element. × 10 6 is preferable, and 10 5 to 5 × 10 6 is more preferable. When the weight average molecular weight satisfies such a preferable range, the resulting polymer compound can produce a device with high current efficiency even when used alone in a device or when two or more types are mixed and used in a device. Become.
−高分子化合物の用途−
本発明の高分子化合物は、通常、固体状態で蛍光または燐光を発し、高分子発光体(高分子量の発光性材料)として用いることができる。また、該高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子発光素子用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。
-Applications of polymer compounds-
The polymer compound of the present invention usually emits fluorescence or phosphorescence in a solid state and can be used as a polymer light emitter (high molecular weight light-emitting material). Further, the polymer compound has an excellent charge transport ability, and can be suitably used as a material for a polymer light emitting device or a charge transport material.
さらに、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料;蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料;高分子電界効果トランジスタの製造に用いられる材料としても好ましく使用できる。 Further, the polymer compound of the present invention includes a laser dye, an organic solar cell material, an organic semiconductor for an organic transistor, a conductive thin film material such as an organic semiconductor thin film, and a luminescent thin film material that emits fluorescence or phosphorescence. It can also be preferably used as a material used in the production of polymer field effect transistors.
本発明の高分子化合物は、上記の用途を始めとする様々な用途に如何なる状態で用いてもよく、例えば、高分子化合物の状態で用いても、後述の高分子組成物、液状組成物等の状態としてから用いてもよい。以下、具体的に説明する。 The polymer compound of the present invention may be used in any state for various uses including the above-mentioned uses. For example, even when used in the state of a polymer compound, the polymer composition, liquid composition, etc. described later are used. It may be used after the state. This will be specifically described below.
−高分子化合物の製造方法−
本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造されたものであってもよいが、好ましくは、以下の方法で製造することできる。即ち、下記一般式(4):
-Method for producing polymer compound-
The polymer compound of the present invention may be produced by any method, but can be preferably produced by the following method. That is, the following general formula (4):
〔式中、Ar1、Ar2およびAr3は、上記のとおりである。〕
で表される2級アミン化合物と、下記一般式(5):
[Wherein, Ar1, Ar2 and Ar3 are as described above. ]
A secondary amine compound represented by the following general formula (5):
〔式中、Xは上記のとおりであり、Zはハロゲン原子または−SO2R5(ここで、R5は、アルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す。)を表す。〕
で表される化合物とを、金属縮合剤および脱酸剤の存在下で反応させることにより、上記一般式(1)で表される繰り返し単位を含む本発明の高分子化合物を作製することができる。
[Wherein, X is as defined above, and Z represents a halogen atom or —SO 2 R 5 (wherein R 5 represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group). ]
Is reacted with a compound represented by the formula (1) in the presence of a metal condensing agent and a deoxidizing agent to produce the polymer compound of the present invention containing the repeating unit represented by the general formula (1). .
上記一般式(5)中、Zは、ハロゲン原子であることが好ましい。ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、反応性の点で、塩素原子、臭素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。 In the general formula (5), Z is preferably a halogen atom. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. From the viewpoint of reactivity, a chlorine atom and a bromine atom are preferable, and a bromine atom is more preferable.
また、前記R5で表されるアルキル基、アリール基およびアリールアルキル基は、前記Xの項において、Rで表されるアルキル基、アリール基およびアリールアルキル基として具体的に説明し例示したものと同じものである。 The alkyl group, aryl group, and arylalkyl group represented by R 5 are the same as those specifically described and exemplified as the alkyl group, aryl group, and arylalkyl group represented by R in the above section X. The same thing.
前記金属縮合剤としては、Cu、Fe、Co、Ni、Cr、V、Pd、Pt、Ag等の遷移金属または遷移金属化合物が用いられるが、Cu、Pdおよびその化合物が好ましく、Pdおよびその化合物がより好ましく、パラジウム触媒がさらに好ましい。 As the metal condensing agent, transition metals or transition metal compounds such as Cu, Fe, Co, Ni, Cr, V, Pd, Pt, and Ag are used, and Cu, Pd and compounds thereof are preferable, and Pd and compounds thereof are used. Is more preferable, and a palladium catalyst is more preferable.
前記金属縮合剤の使用量は、通常、前記2級アミン化合物1モルに対して、0.001モル以上である。上限は限定的ではないが、原料費の観点から、0.1モル以下であることが好ましい。 The amount of the metal condensing agent used is usually 0.001 mol or more per 1 mol of the secondary amine compound. The upper limit is not limited, but is preferably 0.1 mol or less from the viewpoint of raw material costs.
前記脱酸剤としては、例えば、アルカリ金属やアルカリ土類金属の炭酸塩、重炭酸塩、水酸化物、アルコキシドなどが挙げられ、これらの中でも、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt−ブトキシド、ナトリウムt−ブトキシド、炭酸セシウム等が好ましい。 Examples of the deoxidizer include carbonates, bicarbonates, hydroxides, and alkoxides of alkali metals and alkaline earth metals. Among these, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydroxide, hydroxide Potassium, sodium methoxide, sodium ethoxide, potassium t-butoxide, sodium t-butoxide, cesium carbonate and the like are preferable.
前記脱酸剤の使用量は、特に限定されないが、通常、前記式(4)で表される2級アミン化合物1モルに対して、2〜20モルである。 Although the usage-amount of the said deoxidizer is not specifically limited, Usually, it is 2-20 mol with respect to 1 mol of secondary amine compounds represented by the said Formula (4).
また、本反応には、中性配位子を添加することが、重合度向上の観点から好ましい。この中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、具体的には、2,2’−ビピリジル、1,10−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、N,N’−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−t−ブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン、1,2−ビスジフェニルホスフィノエタン、1,3−ビスジフェニルホスフィノプロパン等の第三級ホスフィン配位子などが例示される。前記金属縮合剤としてPd、その化合物を使用する場合には、重合度の点で、中性配位子としては第三級ホスフィン配位子が好ましい。 Moreover, it is preferable to add a neutral ligand to this reaction from a viewpoint of a polymerization degree improvement. The neutral ligand is a ligand having no anion or cation. Specifically, 2,2′-bipyridyl, 1,10-phenanthroline, methylenebisoxazoline, N, N′— Nitrogen-containing ligands such as tetramethylethylenediamine, triphenylphosphine, tolylphosphine, tributylphosphine, tri-t-butylphosphine, triphenoxyphosphine, 1,2-bisdiphenylphosphinoethane, 1,3-bisdiphenylphosphine Examples include tertiary phosphine ligands such as finopropane. When Pd or a compound thereof is used as the metal condensing agent, a tertiary phosphine ligand is preferable as a neutral ligand in view of the degree of polymerization.
本反応は、通常、溶媒中で行われる。使用される溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、ベンゼン、n−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラリン、デカリン等の脂肪族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジブチルエーテル、tert−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチルなどのエステル系溶媒、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒などが例示される。これらの中でも、高分子量化の観点から、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒が好ましい。 This reaction is usually performed in a solvent. Solvents used include aprotic polar solvents such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, hexamethylphosphoric triamide, dimethyl sulfoxide, toluene, xylene, mesitylene, benzene , Aromatic hydrocarbon solvents such as n-butylbenzene, aliphatic hydrocarbon solvents such as tetralin and decalin, ether solvents such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, dibutyl ether, tert-butyl methyl ether and dimethoxyethane And ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and methyl benzoate, and alkyl halide solvents such as chloroform and dichloroethane. Among these, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene are preferable from the viewpoint of increasing the molecular weight.
本反応の反応温度は、特に限定されず、通常、0〜200℃程度であり、低加熱費の観点から、20〜160℃程度が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。 The reaction temperature of this reaction is not particularly limited, and is usually about 0 to 200 ° C, and preferably about 20 to 160 ° C from the viewpoint of low heating costs. Alternatively, the temperature may be raised to near the boiling point of the solvent and refluxed.
本反応の反応時間は、通常、0.25〜200時間程度であり、生産性等の観点から、0.25〜50時間程度が好ましい。 The reaction time for this reaction is usually about 0.25 to 200 hours, and preferably about 0.25 to 50 hours from the viewpoint of productivity and the like.
−高分子組成物−
本発明の高分子化合物は、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる少なくとも1種類の材料と混合して高分子組成物とすることができる。即ち、本発明の高分子組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる少なくとも1種類の材料とを含有してなるものである。なお、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料は、詳細には、後述の高分子発光素子の項で述べるとおりである。この高分子組成物は、特に膜質を安定させる等の効果でプロセス性を改良する場合や、電荷の注入性、輸送性等の素子性能改良する場合に好適である。
-Polymer composition-
The polymer compound of the present invention can be mixed with at least one material selected from a hole transporting material, an electron transporting material, and a light emitting material to obtain a polymer composition. That is, the polymer composition of the present invention comprises the polymer compound of the present invention and at least one material selected from a hole transporting material, an electron transporting material, and a light emitting material. . In addition, the hole transport material, the electron transport material, and the light emitting material are as described in detail in the section of the polymer light emitting device described later. This polymer composition is particularly suitable for improving processability due to the effect of stabilizing the film quality or for improving device performance such as charge injection and transportability.
この高分子組成物において、前記材料の合計の配合量および割合は、特に限定されず、該高分子組成物の用途によって異なる。例えば、高分子発光素子の材料として用いる場合には、後述の高分子発光素子の項で説明する配合量および割合とすればよい。 In this polymer composition, the total amount and ratio of the materials are not particularly limited, and vary depending on the use of the polymer composition. For example, when used as a material for a polymer light emitting device, the blending amount and ratio described in the section of the polymer light emitting device described below may be used.
−インターレイヤー−
本発明の高分子化合物および/または高分子組成物は、インターレイヤー材料として使用することができる。即ち、該インターレイヤー材料は、本発明の高分子化合物および/または高分子組成物を含有してなるものである。本明細書において、「インターレイヤー材料」とは、インターレイヤー層に使用される材料を意味する。「インターレイヤー層」とは、後述の高分子発光素子において、該高分子発光素子が正孔注入層と発光層とを有するものである場合に該正孔注入層と発光層との間に設けられる層(通常、正孔輸送層)を意味するものである。
-Interlayer-
The polymer compound and / or polymer composition of the present invention can be used as an interlayer material. That is, the interlayer material contains the polymer compound and / or polymer composition of the present invention. In this specification, “interlayer material” means a material used for an interlayer layer. The “interlayer layer” is a polymer light-emitting device described later, and is provided between the hole injection layer and the light-emitting layer when the polymer light-emitting device has a hole injection layer and a light-emitting layer. Means a layer (usually a hole transport layer).
インターレイヤー材料には、前記高分子化合物、高分子組成物以外の任意成分を配合してもよく、例えば、架橋剤、電荷輸送材料、発光材料、界面活性剤、安定剤などの添加物を配合してもよい。この任意成分は、前記高分子化合物および高分子組成物の合計量100重量部に対して、好ましくは0〜400重量部、より好ましくは0〜150重量部である。 In the interlayer material, optional components other than the polymer compound and polymer composition may be blended. For example, additives such as a crosslinking agent, a charge transport material, a light emitting material, a surfactant, and a stabilizer are blended. May be. This optional component is preferably 0 to 400 parts by weight, more preferably 0 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of the polymer compound and the polymer composition.
−液状組成物−
本発明の高分子化合物および/または高分子組成物は、溶媒(液状組成物の説明において、「溶媒」とは、溶媒のみならず分散媒をも含む。)に溶解または分散させることにより、液状組成物として調製することができる。即ち、本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物および/または高分子組成物と、溶媒とを含有してなるものであり、25℃において液状のものである。この高分子化合物、高分子組成物は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。また、本発明の液状組成物は、前記高分子化合物および/または高分子組成物が溶媒に完全に溶解した状態が好ましいが、本発明の作用・効果を損なわない範囲であれば、溶媒に分散した状態あるいは一部が未溶解の状態であっても差し支えない。なお、本発明の液状組成物はインク組成物と呼ばれることもある。この液状組成物は、高分子発光素子用の薄膜の作製に有用であり、該薄膜を印刷法、スピンコート法等の方法で成膜することができる点で特に有用である。
-Liquid composition-
The polymer compound and / or polymer composition of the present invention is dissolved or dispersed in a solvent (in the description of the liquid composition, “solvent” includes not only a solvent but also a dispersion medium). It can be prepared as a composition. That is, the liquid composition of the present invention comprises the polymer compound and / or polymer composition of the present invention and a solvent, and is liquid at 25 ° C. Each of these polymer compounds and polymer compositions may be used alone or in combination of two or more. In addition, the liquid composition of the present invention is preferably in a state where the polymer compound and / or polymer composition is completely dissolved in a solvent, but is dispersed in the solvent as long as the action and effect of the present invention are not impaired. Even if it is in a dissolved state or partly undissolved, it does not matter. The liquid composition of the present invention is sometimes called an ink composition. This liquid composition is useful for producing a thin film for a polymer light emitting device, and is particularly useful in that the thin film can be formed by a method such as a printing method or a spin coating method.
液状組成物に含まれる本発明の高分子化合物、高分子組成物は、1種類でも2種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。 The polymer compound and polymer composition of the present invention contained in the liquid composition may be one type or two or more types, and contain a polymer compound other than the polymer compound of the present invention as long as the device characteristics and the like are not impaired. May be.
液状組成物に含まれる溶媒としては、本発明の高分子化合物、高分子組成物を溶解または均一に分散できるものが好ましい。この溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの有機溶媒は、一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの溶媒の中でも、ベンゼン環を少なくとも1個以上含む構造を有し、かつ融点が0℃以下(典型的には0〜−100℃)、沸点が100℃以上(典型的には100〜200℃)である有機溶媒を1種類以上含むことが好ましい。 As the solvent contained in the liquid composition, those capable of dissolving or uniformly dispersing the polymer compound and polymer composition of the present invention are preferable. Examples of the solvent include chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene and other chlorine solvents, tetrahydrofuran, dioxane and other ether solvents, toluene, xylene and the like. Aromatic hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone Such as ketone solvents, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxy Polyhydric alcohols and derivatives thereof such as tan, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol, alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, dimethyl Examples include sulfoxide solvents such as sulfoxide and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These organic solvents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these solvents, the solvent has a structure containing at least one benzene ring, has a melting point of 0 ° C. or lower (typically 0 to −100 ° C.), and a boiling point of 100 ° C. or higher (typically 100 to 200). It is preferable to include one or more organic solvents that are at the same temperature.
溶媒の種類としては、有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましい。また、液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、2種類以上であることが好ましい。 As the type of solvent, aromatic hydrocarbon solvents, aliphatic hydrocarbon solvents, ester solvents, ketone solvents are preferable from the viewpoints of solubility in organic solvents, uniformity during film formation, viscosity characteristics, and the like. . Moreover, it is preferable that the kind of the solvent contained in a liquid composition is two or more types from viewpoints, such as film forming property and an element characteristic.
本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物、高分子組成物以外にも、任意成分として、例えば、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料、安定剤、粘度および/または表面張力を調節するための添加剤等を含んでいてもよい。この添加剤としては、粘度を高めるための増粘剤(通常、高分子量の化合物、貧溶媒等)、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用することができる。 In addition to the polymer compound and polymer composition of the present invention, the liquid composition of the present invention includes, as an optional component, for example, a hole transport material, an electron transport material, a luminescent material, a stabilizer, a viscosity and / or Alternatively, an additive for adjusting the surface tension may be included. As this additive, a thickener for increasing the viscosity (usually high molecular weight compounds, poor solvents, etc.), a low molecular weight compound for decreasing the viscosity, a surfactant for decreasing the surface tension, and the like are appropriately combined. Can be used.
前記増粘剤である高分子量の化合物としては、本発明の高分子化合物、高分子組成物と同じ溶媒に可溶性であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等を用いることができる。なお、本発明の高分子化合物として分子量が大きいもの(例えば、ポリスチレン換算の重量平均分子量が2×105〜2×106程度のもの)を用いると、液状組成物の粘度をより高くすることができる。 The high molecular weight compound as the thickener may be any compound that is soluble in the same solvent as the polymer compound and polymer composition of the present invention and does not inhibit light emission or charge transport. For example, high molecular weight polystyrene, polymethyl methacrylate, or the like can be used. When the polymer compound of the present invention has a high molecular weight (for example, a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of about 2 × 10 5 to 2 × 10 6 ), the viscosity of the liquid composition is increased. Can do.
前記増粘剤として貧溶媒を用いる場合には、液状組成物中の固形分(即ち、組成物中に含まれる溶媒以外の固体成分(25℃において固体の成分)であって、通常、高分子化合物、高分子組成物、および場合によっては含まれる添加剤等の任意成分を意味する。)に対して貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合には、液状組成物中の固形分が析出しない範囲で溶媒の種類と添加量を選択すればよい。具体的には、保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、液状組成物の全重量に対して50重量%以下であることが好ましく、30重量%以下であることが更に好ましい。 When a poor solvent is used as the thickener, it is a solid content in the liquid composition (that is, a solid component other than the solvent contained in the composition (a solid component at 25 ° C.)), which is usually a polymer. Viscosity can be increased by adding a small amount of a poor solvent to a compound, a polymer composition, and optional components such as additives included in some cases. When a poor solvent is added for this purpose, the type and amount of the solvent may be selected within a range in which the solid content in the liquid composition does not precipitate. Specifically, considering the stability during storage, the amount of the poor solvent is preferably 50% by weight or less, more preferably 30% by weight or less, based on the total weight of the liquid composition.
また、液状組成物は、保存安定性を改善するために酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物、高分子組成物と同じ溶媒に可溶性であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。 The liquid composition may contain an antioxidant in order to improve storage stability. The antioxidant is not particularly limited as long as it is soluble in the same solvent as the polymer compound and polymer composition of the present invention and does not inhibit light emission or charge transport, such as a phenol-based antioxidant and a phosphorus-based antioxidant. Is exemplified.
さらに、液状組成物は、水、金属およびその塩を、得られる液状組成物に対して重量基準で1〜1000ppmの範囲で含んでいてもよい。金属の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。また、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を、得られる液状組成物に対して重量基準で1〜1000ppmの範囲で含んでいてもよい。 Furthermore, the liquid composition may contain water, a metal, and a salt thereof in a range of 1 to 1000 ppm on a weight basis with respect to the obtained liquid composition. Specific examples of the metal include lithium, sodium, calcium, potassium, iron, copper, nickel, aluminum, zinc, chromium, manganese, cobalt, platinum, iridium and the like. Moreover, silicon, phosphorus, fluorine, chlorine, and bromine may be contained in a range of 1 to 1000 ppm on a weight basis with respect to the obtained liquid composition.
液状組成物中における本発明の高分子化合物および高分子組成物の全重量は、溶媒以外の成分(即ち、高分子組成物、高分子化合物および場合によっては添加される任意成分であって、該任意成分に貧溶媒が含まれる場合には貧溶媒は溶媒以外の成分に含まれない。)の全重量に対して、通常、20重量%〜100重量%であり、好ましくは40重量%〜100重量%である。 The total weight of the polymer compound of the present invention and the polymer composition in the liquid composition is a component other than the solvent (that is, the polymer composition, the polymer compound, and optionally added optional components, When an optional component contains a poor solvent, the poor solvent is not contained in components other than the solvent.) The weight is usually 20 wt% to 100 wt%, preferably 40 wt% to 100 wt%. % By weight.
液状組成物中の必須成分である溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、1重量%〜99.9重量%であり、好ましくは60重量%〜99.5重量%であり、さらに好ましく80重量%〜99.0重量%である。 The proportion of the solvent that is an essential component in the liquid composition is usually 1% to 99.9% by weight, preferably 60% to 99.5% by weight, based on the total weight of the liquid composition. More preferably, it is 80 to 99.0% by weight.
液状組成物の粘度は、適用する印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法等、該液状組成物が吐出装置を経由する方法に適用する場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、25℃において2〜20mPa・sの範囲であることが好ましく、5〜20mPa・sの範囲であることがより好ましく、7〜20mPa・sの範囲であることがさらに好ましい。 The viscosity of the liquid composition varies depending on the printing method to be applied. However, when the liquid composition is applied to a method in which the liquid composition passes through a discharge device, such as an ink jet printing method, in order to prevent clogging or flight bending at the time of discharge. Furthermore, it is preferable that it is the range of 2-20 mPa * s in 25 degreeC, It is more preferable that it is the range of 5-20 mPa * s, It is further more preferable that it is the range of 7-20 mPa * s.
−薄膜−
次いで、本発明の薄膜について説明する。
本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物および/または高分子組成物を含有するものである。この薄膜は、如何なる方法によって製造されたものであってもよいが、好ましくは、上述で説明した液状組成物を用いて印刷法により製造することができる。また、薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。なお、「薄膜」とは、通常、0.1〜10000nm、好ましくは1〜1000nmの厚さを持つ膜を意味する。
-Thin film-
Next, the thin film of the present invention will be described.
The thin film of the present invention contains the polymer compound and / or polymer composition of the present invention. This thin film may be produced by any method, but preferably it can be produced by a printing method using the liquid composition described above. Examples of the thin film include a light-emitting thin film, a conductive thin film, and an organic semiconductor thin film. The “thin film” usually means a film having a thickness of 0.1 to 10,000 nm, preferably 1 to 1000 nm.
前記液状組成物を用いて薄膜を製造する場合には、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。これらの中でも、液状組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜することが好ましく、インクジェットプリント法で成膜することがより好ましい。 In the case of producing a thin film using the liquid composition, for example, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, A thin film can be produced by spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, inkjet printing, or the like. Among these, the liquid composition is preferably formed by a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, or an inkjet printing method, and more preferably formed by an inkjet printing method.
発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましく、70%以上であることがさらに好ましい。 The light-emitting thin film preferably has a quantum yield of light emission of 50% or more, more preferably 60% or more, and still more preferably 70% or more, from the viewpoint of device brightness, light emission voltage, and the like. .
導電性薄膜は、表面抵抗が1KΩ/□以下であることが好ましく、100Ω/□以下であることがより好ましく、10Ω/□以下であることがさらに好ましい。下限は特に限定されないが、典型的には1Ω/□程度である。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。 The conductive thin film preferably has a surface resistance of 1 KΩ / □ or less, more preferably 100Ω / □ or less, and even more preferably 10Ω / □ or less. The lower limit is not particularly limited, but is typically about 1Ω / □. The electrical conductivity can be increased by doping the thin film with a Lewis acid, an ionic compound, or the like.
有機半導体薄膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれか大きいほうが、10-5cm2/V/秒以上であることが好ましく、10-3cm2/V/秒以上であることがより好ましく、10-1cm2/V/秒以上であることがさらに好ましい。上限は特に限定されないが1000cm2/V/秒程度である。 In the organic semiconductor thin film, the higher one of the electron mobility and the hole mobility is preferably 10 −5 cm 2 / V / second or more, and more preferably 10 −3 cm 2 / V / second or more. It is preferably 10 −1 cm 2 / V / second or more. The upper limit is not particularly limited, but is about 1000 cm 2 / V / second.
本発明の薄膜を有機半導体薄膜として用いることにより、該薄膜を有する有機トランジスタを作製することができる。その作成方法は特に限定されないが、例えば、SiO2などの絶縁膜とゲート電極とを形成させたSi基板上に有機半導体薄膜を形成させ、Auなどでソース電極とドレイン電極を形成させることにより、有機トランジスタを作製することができる。 By using the thin film of the present invention as an organic semiconductor thin film, an organic transistor having the thin film can be produced. The production method is not particularly limited. For example, by forming an organic semiconductor thin film on a Si substrate on which an insulating film such as SiO 2 and a gate electrode are formed, and forming a source electrode and a drain electrode with Au or the like, An organic transistor can be manufactured.
−高分子発光素子−
次に、本発明の高分子発光素子(なお、高分子LEDということもある。)について説明する。
-Polymer light emitting device-
Next, the polymer light-emitting device (also referred to as polymer LED) of the present invention will be described.
本発明の高分子発光素子は、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の高分子化合物および/または高分子組成物を含む有機層とを有するものである。有機層とは、有機物を含む層を意味し、特に限定されないが、具体的には、例えば、発光層、正孔注入層、電子注入層(本明細書において、正孔注入層および電子注入層を総称して「電荷注入層」ということがある。)、正孔輸送層、電子輸送層(本明細書において、正孔輸送層および電子輸送層を総称して「電荷輸送層」ということがある。)等が挙げられる。本発明の高分子化合物は、これらの発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の一種または二種以上の層に用いることができ、特には、正孔の注入、輸送性に優れるので、正孔注入層、正孔輸送層に用いることが好ましい。 The polymer light-emitting device of the present invention has an electrode composed of an anode and a cathode, and an organic layer containing the polymer compound and / or polymer composition of the present invention provided between the electrodes. The organic layer means a layer containing an organic substance and is not particularly limited. Specifically, for example, a light emitting layer, a hole injection layer, an electron injection layer (in this specification, a hole injection layer and an electron injection layer) Are collectively referred to as “charge injection layer”), hole transport layer, electron transport layer (in this specification, the hole transport layer and the electron transport layer are collectively referred to as “charge transport layer”). And the like. The polymer compound of the present invention can be used for one or two or more kinds of these light emitting layer, hole injection layer, hole transport layer, electron injection layer, electron transport layer, etc. Therefore, it is preferably used for the hole injection layer and the hole transport layer.
本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から、陽極と陰極との間に3.5V以上(典型的には、3.5〜15V程度、より典型的には5V)の電圧を印加したときの最大外部量子収率が1%以上であることが好ましく、1.5%以上であることがより好ましい。 The polymer light-emitting device of the present invention has a voltage of 3.5 V or more (typically about 3.5 to 15 V, more typically 5 V) between the anode and the cathode from the viewpoint of device brightness and the like. The maximum external quantum yield when applying is preferably 1% or more, and more preferably 1.5% or more.
本発明の高分子発光素子の構造は、特に限定されず、例えば、(1)陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた発光層ならびに本発明の高分子化合物および/または高分子組成物を含む正孔輸送層とを有する高分子発光素子、(2)陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた発光層、正孔輸送層と、該正孔輸送層と該陽極との間に設けられた本発明の高分子化合物および/または高分子組成物を含む正孔注入層とを有する高分子発光素子、(3)陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた発光層および正孔注入層と、該発光層および正孔注入層の間に設けられ本発明の高分子化合物および/または高分子組成物を含む正孔輸送層とを有する高分子発光素子等が代表的なものとして挙げられる。 The structure of the polymer light emitting device of the present invention is not particularly limited. For example, (1) an electrode composed of an anode and a cathode, a light emitting layer provided between the electrodes, and the polymer compound and / or polymer of the present invention. A polymer light emitting device having a hole transport layer containing the composition, (2) an electrode composed of an anode and a cathode, a light emitting layer provided between the electrodes, a hole transport layer, the hole transport layer, and the A polymer light-emitting device having a hole injection layer containing the polymer compound and / or polymer composition of the present invention provided between the anode and (3) an electrode comprising an anode and a cathode; Polymer light emission comprising a light emitting layer and a hole injection layer provided, and a hole transport layer comprising the polymer compound and / or polymer composition of the present invention provided between the light emitting layer and the hole injection layer An element etc. are mentioned as a typical thing.
その他にも、例えば、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子発光素子;陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子発光素子;陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。 In addition, for example, a polymer light emitting device in which an electron transport layer is provided between a cathode and a light emitting layer; a polymer light emitting device in which a hole transport layer is provided between an anode and a light emitting layer; a cathode and light emission Examples thereof include a polymer light emitting device in which an electron transport layer is provided between the layers and a hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer.
また、電子注入層および正孔注入層を設けた高分子発光素子であってもよく、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子;陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。 Further, it may be a polymer light emitting device provided with an electron injection layer and a hole injection layer. For example, a polymer light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the cathode; a charge injection layer adjacent to the anode Examples thereof include a polymer light emitting device provided.
さらに、電荷注入を容易にする機能を有する絶縁層を設けた高分子発光素子であってもよく、例えば、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子;陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。本発明の高分子発光素子において、絶縁層の平均膜厚は、下限が0.5mm、上限が4.0mmであることが好ましい。 Further, it may be a polymer light emitting device provided with an insulating layer having a function of facilitating charge injection. For example, a polymer light emitting device provided with an insulating layer adjacent to the cathode; an insulating layer adjacent to the anode A polymer light emitting device provided with In the polymer light-emitting device of the present invention, the average thickness of the insulating layer is preferably 0.5 mm at the lower limit and 4.0 mm at the upper limit.
本発明の高分子発光素子の構造に関して、積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜調整すればよい。また、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層、絶縁層は、それぞれ独立に2層以上から構成されていてもよい。 Regarding the structure of the polymer light-emitting device of the present invention, the order and number of layers to be laminated and the thickness of each layer may be appropriately adjusted in consideration of the light emission efficiency and the device life. Moreover, the light emitting layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the hole injection layer, the electron injection layer, and the insulating layer may each be composed of two or more layers.
より詳細には、例えば、以下のとおりである。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
k)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
m)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
p)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
q)陽極/絶縁層/発光層/陰極
r)陽極/発光層/絶縁層/陰極
s)陽極/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
t)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
u)陽極/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
v)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/絶縁層/陰極
w)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
x)陽極/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
y)陽極/絶縁層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
z)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
aa)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
ab)陽極/絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/絶縁層/陰極
(ここで、「/」は各層が隣接することを意味する。)
More specifically, for example, as follows.
a) Anode / light emitting layer / cathode b) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode e) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode f) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode g) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode h) Anode / hole injection layer / Hole transport layer / light emitting layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode k ) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode l) Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode m) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection Layer / cathode n) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode o) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode ) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode q) anode / insulating layer / light emitting layer / cathode r) anode / light emitting layer / insulating layer / cathode s) anode / Insulating layer / light emitting layer / insulating layer / cathode t) anode / insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode u) anode / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer / cathode v) anode / insulating layer / Hole transport layer / light emitting layer / insulating layer / cathode w) anode / insulating layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode x) anode / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode y) anode / insulating layer / light emitting Layer / electron transport layer / insulating layer / cathode z) anode / insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode aa) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer / cathode ab) Anode / insulating layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / insulating layer / cathode (where “/” means that each layer is adjacent)
以下、高分子発光素子が有し得る層について、具体的に説明する。 Hereinafter, the layers that the polymer light emitting device may have will be described in detail.
・発光層
発光層とは、発光する機能を有する層を意味する。前記発光層が本発明の高分子化合物を含有する場合(即ち、前記有機層が発光層である場合)には、該発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる一種または二種以上の材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光および/または燐光を示す材料を意味する。
-Light emitting layer A light emitting layer means the layer which has the function to light-emit. When the light emitting layer contains the polymer compound of the present invention (that is, when the organic layer is a light emitting layer), the light emitting layer further comprises a hole transporting material, an electron transporting material, and a light emitting material. One or two or more selected materials may be included. Here, the luminescent material means a material that exhibits fluorescence and / or phosphorescence.
本発明の高分子発光素子が発光層を有する場合、該発光層には本発明の高分子化合物以外の発光性材料を用いてもよい。
When the polymer light emitting device of the present invention has a light emitting layer, a light emitting material other than the polymer compound of the present invention may be used for the light emitting layer.
また、前記正孔輸送性材料は後述の正孔輸送層の項で説明するとおりであり、電子輸送性材料は後述の電子輸送層の項で説明するとおりである。 The hole transporting material is as described in the section of the hole transport layer described later, and the electron transporting material is as described in the section of the electron transport layer described later.
本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は、通常、1重量%〜80重量%であり、好ましくは5重量%〜60重量%である。 When the polymer compound of the present invention and the hole transporting material are mixed, the mixing ratio of the hole transporting material is usually 1% by weight to 80% by weight with respect to the entire mixture obtained. Preferably they are 5 weight%-60 weight%.
本発明の高分子化合物と電子輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、電子輸送性材料の混合割合は、通常、1重量%〜80重量%であり、好ましくは5重量%〜60重量%である。 When the polymer compound of the present invention and the electron transporting material are mixed, the mixing ratio of the electron transporting material is usually 1% by weight to 80% by weight with respect to the entire mixture obtained, preferably 5% to 60% by weight.
本発明の高分子化合物と発光性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、発光性材料の混合割合は、通常、1重量%〜80重量%であり、好ましくは5重量%〜60重量%である。 When the polymer compound of the present invention and the luminescent material are mixed, the mixing ratio of the luminescent material is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight with respect to the entire mixture obtained. % To 60% by weight.
本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料および電子輸送性材料から選ばれる二種以上の材料を混合する場合には、得られる混合物全体に対して、発光性材料の混合割合は、通常、1重量%〜50重量%であり、好ましくは5重量%〜40重量%であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料の混合割合はそれらの合計で、通常、1重量%〜50重量%であり、好ましくは5重量%〜40重量%であり、本発明の高分子化合物、高分子組成物の含有量は、得られる混合物全体に対して99重量%〜20重量%である。 When mixing the polymer compound of the present invention and two or more materials selected from a luminescent material, a hole transporting material and an electron transporting material, the mixing ratio of the luminescent material to the entire mixture obtained Is usually 1 wt% to 50 wt%, preferably 5 wt% to 40 wt%, and the mixing ratio of the hole transporting material and the electron transporting material is the sum of them, usually 1 wt% -50% by weight, preferably 5-40% by weight, and the content of the polymer compound and polymer composition of the present invention is 99% -20% by weight based on the total mixture obtained. is there.
発光層は、如何なる方法で形成させてもよい。例えば、高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液(例えば、上記液状組成物)からの成膜による方法が挙げられる。該溶液(例えば、上記液状組成物)からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができ、パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。 The light emitting layer may be formed by any method. For example, a method of forming a film from a solution (for example, the above liquid composition) obtained by dissolving a polymer compound in a solvent can be mentioned. The film formation method from the solution (for example, the above liquid composition) includes spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, and dip coating. , Spray coating methods, screen printing methods, flexographic printing methods, offset printing methods, inkjet printing methods, and other coating methods can be used, and in terms of easy pattern formation and multi-color coating, screen printing methods, Printing methods such as flexographic printing, offset printing, and inkjet printing are preferred.
本発明の高分子発光素子が有する発光層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、例えば、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the light-emitting layer of the polymer light-emitting device of the present invention varies depending on the material used and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate values, for example, 1 nm to 1 μm. The thickness is preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
・正孔輸送層
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層を意味する。本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、該正孔輸送層には本発明の高分子化合物以外の正孔輸送性材料を用いてもよい。該正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体などが例示される。
-Hole transport layer A hole transport layer means the layer which has the function to convey a hole. When the polymer light emitting device of the present invention has a hole transport layer, a hole transport material other than the polymer compound of the present invention may be used for the hole transport layer. Examples of the hole transporting material include polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative, a triphenyldiamine derivative, Examples include polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, polypyrrole or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof.
具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。 Specifically, as the hole transporting material, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-209988 are disclosed. Examples described in JP-A-3-37992 and JP-A-3-152184 are exemplified.
これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。 Among these, as the hole transporting material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, Polymeric hole transport materials such as polythiophene or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred, and polyvinylcarbazole or derivatives thereof are more preferred. Polysilane or a derivative thereof, or a polysiloxane derivative having an aromatic amine in the side chain or main chain.
また、正孔輸送性材料は低分子化合物であってもよい。該低分子化合物としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が例示される。正孔輸送性材料として低分子化合物を用いる場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Further, the hole transporting material may be a low molecular compound. Examples of the low molecular weight compound include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives and the like. When a low molecular weight compound is used as the hole transporting material, it is preferably dispersed in a polymer binder.
高分子バインダーとしては、電荷輸送を著しく阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。高分子バインダーとしては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。 As the polymer binder, those that do not significantly inhibit charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are preferably used. Examples of the polymer binder include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like. .
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。 Polyvinylcarbazole or a derivative thereof can be obtained, for example, from a vinyl monomer by cation polymerization or radical polymerization.
ポリシランもしくはその誘導体は、ケミカル・レビュー(Chem.Rev.)第89巻、1359頁(1989年)、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。 Examples of the polysilane or a derivative thereof include compounds described in Chem. Rev. 89, 1359 (1989), GB 2300196 published specification, and the like. As the synthesis method, the methods described in these can be used, but the Kipping method is particularly preferably used.
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子量の正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。 Since polysiloxane or a derivative thereof has almost no hole transporting property in the siloxane skeleton structure, those having the structure of the low molecular weight hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used. Particularly, those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.
正孔輸送層の作製において、本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は、通常、0.01〜80重量%、好ましくは0.1〜60重量%である。 In the production of the hole transport layer, when the polymer compound of the present invention and the hole transport material are mixed, the mixing ratio of the hole transport material to the entire mixture obtained is usually 0. 01 to 80% by weight, preferably 0.1 to 60% by weight.
正孔輸送層として用いられる薄膜は如何なる方法によって製造されたものでもよいが、例えば、低分子量の正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示され、高分子量の正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。また、本発明の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、該高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液(例えば、上記液状組成物)からの成膜による方法が例示される。 The thin film used as the hole transport layer may be produced by any method. For example, in the case of a low molecular weight hole transport material, a method of film formation from a mixed solution with a polymer binder is exemplified. In the case of a molecular weight hole transporting material, a method by film formation from a solution is exemplified. Further, when the polymer compound of the present invention is used for a hole transport layer, a method of film formation from a solution (for example, the above liquid composition) obtained by dissolving the polymer compound in a solvent is exemplified. .
前記溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料および高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。該溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。 As the solvent used for the film formation from the solution, a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing the hole transporting material and the polymer binder is preferable. Examples of the solvent include chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorinated solvents such as chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, toluene, xylene and the like. Aromatic hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone Such as ketone solvents, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxy ether Polyhydric alcohols and derivatives thereof such as ethylene, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, 1,2-hexanediol, alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, dimethyl Examples include sulfoxide solvents such as sulfoxide and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These solvents can be used alone or in combination.
前記溶液からの成膜の方法としては、特に限定されず、例えば、溶液からの、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。 The method for forming a film from the solution is not particularly limited. For example, from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, and a wire bar coating method. Application methods such as dip coating, spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, and ink jet printing can be used.
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚過ぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、正孔輸送層の膜厚としては、例えば、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the hole transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
・電子輸送層
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層を意味する。本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、該電子輸送層には本発明の高分子化合物以外の電子輸送性材料を用いてもよい。電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
-Electron transport layer The electron transport layer means a layer having a function of transporting electrons. When the polymer light-emitting device of the present invention has an electron transport layer, an electron transport material other than the polymer compound of the present invention may be used for the electron transport layer. As the electron transporting material, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof. , Fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, and the like.
具体的には、特開昭63−70257号公報、同63−175860号公報、特開平2−135359号公報、同2−135361号公報、同2−209988号公報、同3−37992号公報、同3−152184号公報に記載されているもの等が例示される。 Specifically, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-20988, JP-A-3-37992, The thing etc. which are described in the same 3-152184 gazette are illustrated.
これらの中でも、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。 Among these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinone or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferable, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.
電子輸送性層の作製において、本発明の高分子化合物と電子輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、電子輸送性材料の混合割合は、通常、0.01〜80重量%、好ましくは0.1〜60重量%である。 In the preparation of the electron transporting layer, when the polymer compound of the present invention and the electron transporting material are mixed, the mixing ratio of the electron transporting material is usually 0.01 to the total obtained mixture. 80% by weight, preferably 0.1 to 60% by weight.
電子輸送層として用いられる薄膜は如何なる方法によって製造されたものでもよいが、例えば、低分子量の電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子量の電子輸送性材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。 The thin film used as the electron transporting layer may be produced by any method. For example, in the case of a low molecular weight electron transporting material, a vacuum deposition method from a powder or a film deposition method from a solution or a molten state is exemplified. In the case of a high molecular weight electron transporting material, a method of forming a film from a solution or a molten state is exemplified. In film formation from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination.
高分子バインダーとしては、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等が例示される。 Polymer binders include poly (p-phenylene vinylene) or its derivatives, poly (2,5-thienylene vinylene) or its derivatives, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, etc. Is exemplified.
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送性材料および高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としては、前記の正孔輸送層の項で正孔輸送性材料および高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものとして、具体的に説明し例示したものと同じである。該溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。 As a solvent used for film formation from a solution, a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing an electron transporting material and a polymer binder is preferable. The solvent is the same as that specifically described and exemplified as the solvent that can dissolve or uniformly disperse the hole transporting material and the polymer binder in the above-mentioned section of the hole transport layer. These solvents can be used alone or in combination.
溶液または溶融状態からの成膜の方法としては、特に限定されず、例えば、前記の正孔輸送層の項で正孔輸送性材料の溶液または溶融状態からの成膜の方法として、具体的に説明し例示したものと同じである。 The method for forming a film from a solution or a molten state is not particularly limited. For example, as a method for forming a film from a solution or a molten state of a hole transporting material in the above-described item of the hole transport layer, Same as described and illustrated.
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚過ぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nmであり、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the electron transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. At least, the thickness should be such that no pinholes are generated. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層(正孔輸送層、電子輸送層)のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層(正孔注入層、電子注入層)と一般に呼ばれることがある。 Also, among the charge transport layers (hole transport layer, electron transport layer) provided adjacent to the electrode, the one having the function of improving the charge injection efficiency from the electrode and having the effect of lowering the driving voltage of the element is In particular, it may be generally called a charge injection layer (a hole injection layer, an electron injection layer).
さらに、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。 Furthermore, the charge injection layer or the insulating layer may be provided adjacent to the electrode in order to improve the adhesion with the electrode or the charge injection from the electrode, and also improve the adhesion at the interface and prevent mixing. For example, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer.
・電荷注入層(正孔注入層、電子注入層)
電荷注入層は、電極との密着性向上や電極からの電荷注入を改善する機能を有する層を意味する。電荷注入層である正孔注入層および電子注入層には、本発明の高分子化合物および/または高分子組成物を含有させることができる。電荷注入層の膜厚としては、例えば、1nm〜100nmであり、2nm〜50nmが好ましい。
・ Charge injection layer (hole injection layer, electron injection layer)
The charge injection layer means a layer having a function of improving adhesion with the electrode or improving charge injection from the electrode. The hole injection layer and the electron injection layer, which are charge injection layers, can contain the polymer compound and / or polymer composition of the present invention. The thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.
本発明の高分子化合物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。ここで、同時に用いるためには、混合、共重合、側鎖として導入するなどの方法がある。 When the polymer compound of the present invention is used for a hole injection layer, it is preferably used simultaneously with an electron accepting compound. When the polymer compound of the present invention is used for an electron transport layer, it is preferably used at the same time as an electron donating compound. Here, in order to use simultaneously, there exist methods, such as mixing, copolymerization, and introducing as a side chain.
正孔注入層・電子輸送層として作用する電荷注入層の具体例としては、導電性高分子を含む層;陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層;陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが挙げられる。 Specific examples of the charge injection layer acting as a hole injection layer / electron transport layer include a layer containing a conductive polymer; provided between the anode and the hole transport layer, and included in the anode material and the hole transport layer. A layer containing a material having an ionization potential of an intermediate value with respect to the hole transporting material; provided between the cathode and the electron transporting layer and between the cathode material and the electron transporting material contained in the electron transporting layer. Examples thereof include a layer containing a material having a value electron affinity.
電荷注入層が導電性高分子を含む層である場合には、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5S/cm以上103S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5S/cm以上102S/cm以下がより好ましく、10-5S/cm以上101S/cm以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を10-5S/cm以上103S/cm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。 In the case where the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less. in order to reduce the leakage current is more preferably less 10 -5 S / cm or more and 10 2 S / cm, more preferably less 10 -5 S / cm or more and 10 1 S / cm. Usually, in order to set the electric conductivity of the conductive polymer to 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions.
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。 The type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer. Examples of the anion include polystyrene sulfonate ion, alkylbenzene sulfonate ion, camphor sulfonate ion and the like, and examples of the cation include lithium ion, sodium ion, potassium ion and tetrabutylammonium ion.
電荷注入層に用いられる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、本発明の高分子化合物以外には、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン(銅フタロシアニンなど)、カーボンなどが例示される。また、架橋剤として、DPHA(ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート)等を配合してもよい。 The material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer. Besides the polymer compound of the present invention, polyaniline and its derivative, polythiophene and its derivative, polypyrrole and its derivative , Polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene and derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanine ( Examples thereof include copper phthalocyanine) and carbon. Moreover, you may mix | blend DPHA (dipentaerythritol hexaacrylate) etc. as a crosslinking agent.
電荷注入層の作製において、本発明の高分子化合物をその他の材料(例えば、電子受容性化合物、電子供与性化合物、電荷注入層に用いられる本発明の高分子化合物以外の材料、架橋剤等)と混合する場合には、得られる混合物全体に対して、本発明の高分子化合物の混合割合は、通常、20〜99.9重量%であり、好ましくは40〜99重量%である。 In the production of the charge injection layer, the polymer compound of the present invention is made of other materials (for example, electron accepting compounds, electron donating compounds, materials other than the polymer compound of the present invention used for the charge injection layer, crosslinking agents, etc.) In the case of mixing with, the mixing ratio of the polymer compound of the present invention is usually 20 to 99.9% by weight, preferably 40 to 99% by weight, with respect to the entire mixture obtained.
・絶縁層
絶縁層とは、電極との密着性向上や電極からの電荷注入を改善する機能を有する層を意味する。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。
-Insulating layer An insulating layer means the layer which has a function which improves the adhesiveness with an electrode, or improves the charge injection from an electrode. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials.
・基板
本発明の高分子発光素子を形成するために用いられる基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の材料の基板が例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
-Substrate The substrate used to form the polymer light-emitting device of the present invention may be any substrate that does not change when forming an electrode and forming an organic layer, such as glass, plastic, polymer film, A substrate of a material such as silicon is exemplified. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode is preferably transparent or translucent.
・電極(陽極、陰極)
本発明の高分子発光素子を構成する電極のうち、陽極および陰極の少なくとも一方は、通常、透明または半透明である。特に陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
・ Electrodes (anode, cathode)
Of the electrodes constituting the polymer light-emitting device of the present invention, at least one of the anode and the cathode is usually transparent or translucent. In particular, the anode side is preferably transparent or translucent.
前記陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられ、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜(例えば、NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。これらの材料を用いて陽極を作製する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。 As the material of the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and a composite thereof such as indium / tin / Films (e.g., NESA) created using conductive glass composed of oxide (ITO), indium, zinc, oxide, etc., gold, platinum, silver, copper, etc. are used. ITO, indium, zinc, oxide Tin oxide is preferred. Examples of methods for producing an anode using these materials include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. Further, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used as the anode.
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm. It is.
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。 In order to facilitate charge injection, a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon, or the like, or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided on the anode. .
前記陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち2種以上の合金、あるいはそれらのうち1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1種以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を2層以上の積層構造としてもよい。 As the material of the cathode, a material having a small work function is preferable. For example, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and their Two or more of these alloys, or one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite intercalation compound, etc. Is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy, and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The film thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および/または保護カバーを装着することが好ましい。 As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used. In addition, a layer made of a conductive polymer or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided between the cathode and the organic material layer. The protective layer which protects may be mounted | worn. In order to stably use the polymer light emitting device for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and / or a protective cover in order to protect the device from the outside.
保護層としては、ポリパラキシリレン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、有機無機ハイブリッド材料などを用いることができる。保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該保護カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか1つ以上の方策をとることが好ましい。 As the protective layer, polyparaxylylene, acrylic resin, epoxy resin, metal oxide, metal fluoride, metal boride, metal nitride, organic-inorganic hybrid material, or the like can be used. As the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and a method in which the protective cover is bonded to the element substrate with a heat effect resin or a photo-curing resin and sealed is preferable. Used. If a space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, the cathode can be prevented from being oxidized, and moisture adsorbed in the manufacturing process by installing a desiccant such as barium oxide in the space. It becomes easy to suppress giving an image to an element. Among these, it is preferable to take any one or more measures.
・特性、用途
本発明の高分子発光素子は、低電圧、高電流効率で駆動できる高性能の高分子発光素子である。この高分子発光素子は、例えば、面状光源(例えば、照明用としての曲面状や平面状の光源)、セグメント表示装置(例えば、セグメントタイプの表示素子を用いた装置)、ドットマトリックス表示装置(例えば、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ)、液晶表示装置(例えば、液晶ディスプレイ)のバックライト等として用いることができる。高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法等がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にOn/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、TFTなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
-Characteristics and Applications The polymer light-emitting device of the present invention is a high-performance polymer light-emitting device that can be driven with low voltage and high current efficiency. The polymer light-emitting element includes, for example, a planar light source (for example, a curved or planar light source for illumination), a segment display device (for example, a device using a segment type display element), a dot matrix display device ( For example, it can be used as a backlight of a dot matrix flat panel display), a liquid crystal display device (for example, a liquid crystal display), or the like. In order to obtain planar light emission using the polymer light emitting device, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In order to obtain pattern-like light emission, a method of installing a mask provided with a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic layer of a non-light-emitting portion is formed extremely thick and substantially non-light-emitting. And a method of forming either the anode or the cathode or both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols and the like can be obtained. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multi-color display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymeric fluorescent substances having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively or may be driven actively in combination with TFTs. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like. Furthermore, the planar light-emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.
−高分子電界効果トランジスタ−
次に、本発明の高分子化合物を高分子電界効果トランジスタの製造に用いる場合を説明する。
高分子電界効果トランジスタは、構造としては、ソース電極とドレイン電極とゲート電極と本発明の高分子化合物を含有してなる活性層と絶縁層とを有するものであり、具体的には、通常、ソース電極およびドレイン電極が、本発明の高分子化合物を含有してなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられている。本発明の高分子化合物および/または高分子組成物は、前記活性層に用いることができる。
-Polymer field effect transistor-
Next, the case where the polymer compound of the present invention is used for the production of a polymer field effect transistor will be described.
The polymer field effect transistor has a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, an active layer containing the polymer compound of the present invention, and an insulating layer as a structure. A source electrode and a drain electrode are provided in contact with the active layer containing the polymer compound of the present invention, and a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer interposed therebetween. The polymer compound and / or polymer composition of the present invention can be used for the active layer.
高分子電界効果トランジスタは、通常、支持基板上に形成される。支持基板の材質としては、該高分子電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ特に制限されないが、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板等が挙げられる。 The polymer field effect transistor is usually formed on a support substrate. The material of the support substrate is not particularly limited as long as the characteristics as the polymer field effect transistor are not impaired, and examples thereof include a glass substrate, a flexible film substrate, and a plastic substrate.
高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平5−110069号公報に記載の方法により製造することができる。 The polymer field effect transistor can be produced by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069.
活性層を形成させる際に、有機溶媒可溶性の高分子材料(例えば、本発明の高分子化合物)を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。該高分子材料を有機溶剤に溶解した溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。 In forming the active layer, it is very advantageous and preferable to use an organic solvent-soluble polymer material (for example, the polymer compound of the present invention). As a film formation method from a solution in which the polymer material is dissolved in an organic solvent, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating A coating method such as a coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, or an inkjet printing method can be used.
前記高分子電界効果トランジスタとしては、未封止の高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断されるので、特性の低下を抑えることができる。 As the polymer field-effect transistor, a sealed polymer field-effect transistor formed by sealing an unsealed polymer field-effect transistor is preferable. Thereby, since the polymer field effect transistor is cut off from the atmosphere, it is possible to suppress deterioration in characteristics.
封止方法としては、UV硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜などでカバーする方法、ガラス板やフィルムをUV硬化樹脂、熱硬化樹脂などで張り合わせる方法などが挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため、未封止の高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく、例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中などで、行うことが好ましい。 Examples of the sealing method include a method of covering with a UV curable resin, a thermosetting resin, an inorganic SiONx film, and the like, and a method of bonding a glass plate or film with a UV curable resin, a thermosetting resin, or the like. In order to effectively cut off from the atmosphere, after producing an unsealed polymer field effect transistor, without exposing the process until sealing, for example, in a dry nitrogen atmosphere, in a vacuum, etc. Preferably it is done.
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.
−数平均分子量・重量平均分子量−
数平均分子量および重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC;島津製作所製、商品名:LC−10Avp)によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。測定する化合物は、約0.5重量%の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに50μL注入した。GPCの移動相はテトラヒドロフランを用い、0.6mL/分の流速で流した。カラムは、TSKgel SuperHM−H(商品名、東ソー製)2本とTSKgel SuperH2000(商品名、東ソー製)1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器(島津製作所製、商品名:RID−10A)を用いた。
-Number average molecular weight and weight average molecular weight-
For the number average molecular weight and the weight average molecular weight, the polystyrene-equivalent number average molecular weight and weight average molecular weight were determined by gel permeation chromatography (GPC; manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: LC-10Avp). The compound to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5% by weight, and 50 μL was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mL / min. As for the column, two TSKgel SuperHM-H (trade name, manufactured by Tosoh) and one TSKgel SuperH2000 (trade name, manufactured by Tosoh) were connected in series. A differential refractive index detector (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: RID-10A) was used as the detector.
<合成例1>
−高分子化合物1の合成に用いるモノマー(化合物2E)の合成−
・化合物2A
<Synthesis Example 1>
-Synthesis of monomer (compound 2E) used for the synthesis of polymer compound 1-
Compound 2A
不活性雰囲気下、300ml三つ口フラスコに1−ナフタレンボロン酸5.00g(29mmol)、2−ブロモベンズアルデヒド6.46g(35mmol)、炭酸カリウム10.0g(73mmol)、トルエン36ml、イオン交換水36mlを入れ、室温で撹拌しつつ20分間アルゴンバブリングした。次いで、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム16.8mg(0.15mmol)を入れ、さらに室温で撹拌しつつ10分間アルゴンバブリングした。その後、系中を100℃に昇温し、25時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。トルエン:シクロヘキサン=1:2の混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物2A5.18g(収率86%)を白色結晶として得た。 Under an inert atmosphere, in a 300 ml three-necked flask, 5.00 g (29 mmol) of 1-naphthaleneboronic acid, 6.46 g (35 mmol) of 2-bromobenzaldehyde, 10.0 g (73 mmol) of potassium carbonate, 36 ml of toluene, 36 ml of ion-exchanged water And argon bubbling was performed for 20 minutes with stirring at room temperature. Next, 16.8 mg (0.15 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium was added, and argon was bubbled for 10 minutes while stirring at room temperature. Thereafter, the temperature in the system was raised to 100 ° C. and reacted for 25 hours. After cooling to room temperature, the organic layer was extracted with toluene. The obtained organic layer was dried over sodium sulfate, and then the solvent was distilled off. Purification by a silica gel column using a mixed solvent of toluene: cyclohexane = 1: 2 as a developing solvent gave 5.18 g (yield 86%) of Compound 2A as white crystals.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ7.39〜7.62(m、5H)、7.70(m、2H)、7.94(d、2H)、8.12(dd、2H)、9.63(s、1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 233
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 7.39-7.62 (m, 5H), 7.70 (m, 2H), 7.94 (d, 2H), 8.12 (dd, 2H), 9.63 (s, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 233
・化合物2B
Compound 2B
不活性雰囲気下、300mlの三つ口フラスコに化合物2A8.00g(34.4mmol)と脱水THF46mlを入れ、−78℃まで冷却した。次いで、n−オクチルマグネシウムブロミド(1.0mol/lTHF溶液)52mlを30分かけて滴下した。滴下終了後0℃まで昇温し、1時間撹拌後、室温まで昇温して45分間撹拌した。氷浴して1N塩酸20mlを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。次いで、乾燥させた有機層から溶媒を留去した後、トルエン:ヘキサン=10:1の混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物2B7.64g(収率64%)を淡黄色のオイルとして得た。HPLC測定では2本のピークが見られたが、LC−MS測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。 Under an inert atmosphere, 8.00 g (34.4 mmol) of Compound 2A and 46 ml of dehydrated THF were placed in a 300 ml three-necked flask and cooled to -78 ° C. Subsequently, 52 ml of n-octylmagnesium bromide (1.0 mol / l THF solution) was added dropwise over 30 minutes. After completion of dropping, the temperature was raised to 0 ° C., stirred for 1 hour, then warmed to room temperature and stirred for 45 minutes. The reaction was terminated by adding 20 ml of 1N hydrochloric acid in an ice bath, and the organic layer was extracted with ethyl acetate. The obtained organic layer was dried over sodium sulfate. Subsequently, after distilling off the solvent from the dried organic layer, 7.64 g (yield 64%) of Compound 2B was palely purified by purifying with a silica gel column using a mixed solvent of toluene: hexane = 10: 1 as a developing solvent. Obtained as a yellow oil. Although two peaks were observed in the HPLC measurement, they were judged to be a mixture of isomers because they were the same mass number in the LC-MS measurement.
・化合物2C
・ Compound 2C
不活性雰囲気下、500ml三つ口フラスコに化合物2B(異性体の混合物)5.00g(14.4mmol)と脱水ジクロロメタン74mlを入れ、室温で撹拌、溶解させた。次いで、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で1時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で4時間撹拌した。撹拌しながらエタノール125mlをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出し、該有機層を2回水洗し、水洗後の有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。次いで、乾燥させた有機層から溶媒を留去した後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物2C3.22g(収率68%)を無色のオイルとして得た。 Under an inert atmosphere, 5.00 g (14.4 mmol) of Compound 2B (mixture of isomers) and 74 ml of dehydrated dichloromethane were placed in a 500 ml three-necked flask, and stirred and dissolved at room temperature. Then, an etherate complex of boron trifluoride was added dropwise at room temperature over 1 hour, and after completion of the addition, the mixture was stirred at room temperature for 4 hours. While stirring, 125 ml of ethanol was slowly added. When the exotherm subsided, the organic layer was extracted with chloroform, the organic layer was washed with water twice, and the washed organic layer was dried over magnesium sulfate. Next, after the solvent was distilled off from the dried organic layer, the residue was purified by a silica gel column using hexane as a developing solvent to obtain 3.22 g (yield 68%) of Compound 2C as a colorless oil.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t、3H)、1.03〜1.26(m、14H)、2.13(m、2H)、4.05(t、1H)、7.35(dd、1H)、7.46〜7.50(m、2H)、7.59〜7.65(m、3H)、7.82(d、1H)、7.94(d、1H)、8.35(d、1H)、8.75(d、1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 329
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.90 (t, 3H), 1.03-1.26 (m, 14H), 2.13 (m, 2H), 4.05 (t, 1H), 7.35 (dd, 1H), 7 .46-7.50 (m, 2H), 7.59-7.65 (m, 3H), 7.82 (d, 1H), 7.94 (d, 1H), 8.35 (d, 1H) ), 8.75 (d, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 329
・化合物2D
・ Compound 2D
不活性雰囲気下、200ml三つ口フラスコにイオン交換水20mlを入れ、撹拌しながら水酸化ナトリウム18.9g(0.47mol)を少量ずつ加え、溶解させた。得られた水溶液を室温まで冷却した後、トルエン20ml、化合物2C5.17g(15.7mmol)、臭化トリブチルアンモニウム1.52g(4.72mmol)を加え、50℃に昇温した。次いで、臭化n−オクチルを滴下し、滴下終了後、50℃で9時間反応させた。反応終了後、トルエンで有機層を抽出し、該有機層を2回水洗した。水洗した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥させた有機層から溶媒を留去した後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物2D5.13g(収率74%)を黄色のオイルとして得た。 Under an inert atmosphere, 20 ml of ion-exchanged water was placed in a 200 ml three-necked flask, and 18.9 g (0.47 mol) of sodium hydroxide was added little by little with stirring to dissolve. After cooling the obtained aqueous solution to room temperature, 20 ml of toluene, 5.17 g (15.7 mmol) of Compound 2C and 1.52 g (4.72 mmol) of tributylammonium bromide were added, and the temperature was raised to 50 ° C. Next, n-octyl bromide was added dropwise, and after completion of the addition, the reaction was carried out at 50 ° C. for 9 hours. After completion of the reaction, the organic layer was extracted with toluene, and the organic layer was washed twice with water. The organic layer washed with water was dried over sodium sulfate. After the solvent was distilled off from the dried organic layer, it was purified by a silica gel column using hexane as a developing solvent to obtain 5.13 g (yield 74%) of Compound 2D as a yellow oil.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.52(m、2H)、0.79(t、6H)、1.00〜1.20(m、22H)、2.05(t、4H)、7.34(d、1H)、7.40〜7.53(m、2H)、7.63(m、3H)、7.83(d、1H)、7.94(d、1H)、8.31(d、1H)、8.75(d、1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 441
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.52 (m, 2H), 0.79 (t, 6H), 1.00-1.20 (m, 22H), 2.05 (t, 4H), 7.34 (d, 1H), 7 40 to 7.53 (m, 2H), 7.63 (m, 3H), 7.83 (d, 1H), 7.94 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8. 75 (d, 1H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 441
・化合物2E
Compound 2E
空気雰囲気下、50mlの三つ口フラスコに化合物2D4.00g(9.08mmol)と、酢酸:ジクロロメタン=1:1の混合溶媒57mlを入れ、室温で撹拌し、溶解させた。次いで、三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム7.79g(20.0mmol)を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完全に溶解するまで加えた。室温で20時間撹拌後、5重量%亜硫酸水素ナトリウム水溶液10mlを加えて反応を停止させた。次いで、クロロホルムで有機層を抽出し、該有機層を炭酸カリウム水溶液で2回洗浄した。洗浄した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥させた有機層から溶媒を留去した。次いで、ヘキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで2回精製した後、エタノール:ヘキサン=1:1の混合溶媒で再結晶し、次いで、エタノール:ヘキサン=10:1の混合溶媒で再結晶することにより、化合物2E4.13g(収率76%)を白色結晶として得た。 Under an air atmosphere, 4.00 g (9.08 mmol) of Compound 2D and 57 ml of a mixed solvent of acetic acid: dichloromethane = 1: 1 were placed in a 50 ml three-necked flask, and dissolved by stirring at room temperature. Next, while adding 7.79 g (20.0 mmol) of benzyltrimethylammonium tribromide and stirring, zinc chloride was added until the benzyltrimethylammonium tribromide was completely dissolved. After stirring at room temperature for 20 hours, the reaction was stopped by adding 10 ml of 5% by weight aqueous sodium hydrogen sulfite solution. Subsequently, the organic layer was extracted with chloroform, and the organic layer was washed twice with an aqueous potassium carbonate solution. The washed organic layer was dried over sodium sulfate. The solvent was distilled off from the dried organic layer. Next, after purification twice with a flash column using hexane as a developing solvent, recrystallization with a mixed solvent of ethanol: hexane = 1: 1, followed by recrystallization with a mixed solvent of ethanol: hexane = 10: 1. Then, 4.13 g (yield 76%) of compound 2E was obtained as white crystals.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.60(m、2H)、0.91(t、6H)、1.01〜1.38(m、22H)、2.09(t、4H)、7.62〜7.75(m、3H)、7.89(s、1H)、8.20(d、1H)、8.47(d、1H)、8.72(d、1H)
MS(APPI(+)):(M+H)+ 598
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.60 (m, 2H), 0.91 (t, 6H), 1.01-1.38 (m, 22H), 2.09 (t, 4H), 7.62-7.75 (m, 3H), 7.89 (s, 1H), 8.20 (d, 1H), 8.47 (d, 1H), 8.72 (d, 1H)
MS (APPI (+)): (M + H) <+> 598
<合成例2>
−高分子化合物1の合成−
化合物2E22.5gと2,2’−ビピリジル17.6gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、予めアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン(脱水溶媒)1500gを加えた。次に、得られた混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を31g加え、室温で10分間攪拌した後、60℃で3時間反応させた。なお、この反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
< Synthesis Example 2 >
-Synthesis of polymer compound 1-
After charging 22.5 g of compound 2E and 17.6 g of 2,2′-bipyridyl in a reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 1500 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) deaerated previously by bubbling with argon gas was added. Next, 31 g of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to the obtained mixed solution, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes and then reacted at 60 ° C. for 3 hours. This reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
前記反応後、得られた反応溶液を冷却し、次いで、この溶液に25重量%アンモニア水200mlとメタノール900mlとイオン交換水900mlとの混合溶液を注ぎ込み、約1時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解させた。こうして得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通過させることにより精製した。次に、このトルエン溶液を、1規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、この回収したトルエン溶液を、約3重量%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、この回収したトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、この回収したトルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈生成した。 After the reaction, the obtained reaction solution was cooled, and then a mixed solution of 25% by weight ammonia water 200 ml, methanol 900 ml and ion-exchanged water 900 ml was poured into this solution and stirred for about 1 hour. Next, the produced precipitate was filtered and collected. The precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene. The toluene solution thus obtained was filtered to remove insoluble matters, and the toluene solution was purified by passing through a column packed with alumina. Next, this toluene solution was washed with a 1N aqueous hydrochloric acid solution, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, the recovered toluene solution was washed with about 3 wt% aqueous ammonia, allowed to stand and liquid-separated, and then the toluene solution was recovered. Next, the recovered toluene solution was washed with ion-exchanged water, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this recovered toluene solution was poured into methanol to re-precipitate.
次に、生成した沈殿を回収し、該沈殿をメタノールで洗浄した後、この洗浄した沈殿を減圧乾燥して、重合体6.0gを得た。この重合体を高分子化合物1と呼ぶ。こうして得られた高分子化合物1のポリスチレン換算の重量平均分子量は、8.2×105であり、数平均分子量は1.0×105であった。 Next, the produced precipitate was recovered, and the precipitate was washed with methanol, and then the washed precipitate was dried under reduced pressure to obtain 6.0 g of a polymer. This polymer is referred to as polymer compound 1. The thus obtained polymer compound 1 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 8.2 × 10 5 and a number average molecular weight of 1.0 × 10 5 .
−高分子化合物1の蛍光特性評価−
得られた高分子化合物1の0.8重量%トルエン溶液を石英板上にスピンコートして高分子化合物1の薄膜を作製した。この薄膜の蛍光スペクトルを蛍光分光光度計(JOBINYVON―SPEX社製、商品名:Fluorolog)を用い、励起波長350nmで測定した。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計(Varian社製、商品名:Cary5E)を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。
こうして得られた高分子化合物1の蛍光ピーク波長は450nmであり、蛍光強度は5.4であった。
-Evaluation of fluorescence characteristics of polymer compound 1-
A 0.8 wt% toluene solution of the obtained polymer compound 1 was spin coated on a quartz plate to prepare a thin film of polymer compound 1. The fluorescence spectrum of this thin film was measured using a fluorescence spectrophotometer (manufactured by JOBINYVON-SPEX, trade name: Fluorolog) at an excitation wavelength of 350 nm. In order to obtain the relative fluorescence intensity in the thin film, the spectrophotometer (trade name: Cary 5E, manufactured by Varian, Inc.) was obtained by integrating the fluorescence spectrum plotted in wavenumber with the intensity of Raman line of water as standard. The value assigned by the absorbance at the excitation wavelength was measured using.
The thus obtained polymer compound 1 had a fluorescence peak wavelength of 450 nm and a fluorescence intensity of 5.4.
<合成例3>
−高分子化合物2の合成に用いるモノマー(化合物3E)の合成−
・化合物3A
<Synthesis Example 3 >
-Synthesis of monomer (compound 3E) used for the synthesis of polymer compound 2-
Compound 3A
不活性雰囲気下1lの四つ口フラスコに2,8−ジブロモジベンゾチオフェン7gとTHF280mlを入れ、室温で撹拌し、溶解させた後、−78℃まで冷却した。n−ブチルリチウム29ml(1.6mol/lヘキサン溶液)を滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま2時間撹拌し、トリメトキシボロン酸13gを滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで昇温した。3時間室温で撹拌後、TLCで原料の消失を確認した。5重量%硫酸100mlを加えて反応を終了させ、室温で12時間撹拌した。水を加えて洗浄し、有機層を抽出した。溶媒を酢酸エチルに置換した後、30重量%過酸化水素水5mlを加え、40℃で5時間撹拌した。その後、有機層を抽出し、10重量%硫酸アンモニウム鉄(II)水溶液で洗浄後乾燥、溶媒を除去することにより、茶色の固体4.43gを得た。LC−MS測定からは二量体などの副生成物も生成しており、化合物3Aの純度は77%であった(LC面積百分率;以下、化合物の純度を単に「LC面百」と示す。)。 Under an inert atmosphere, 7 g of 2,8-dibromodibenzothiophene and 280 ml of THF were placed in a 1 l four-necked flask, stirred at room temperature, dissolved, and then cooled to -78 ° C. 29 ml of n-butyllithium (1.6 mol / l hexane solution) was added dropwise. After completion of dropping, the mixture was stirred for 2 hours while maintaining the temperature, and 13 g of trimethoxyboronic acid was added dropwise. After completion of dropping, the temperature was slowly raised to room temperature. After stirring at room temperature for 3 hours, disappearance of the raw material was confirmed by TLC. The reaction was terminated by adding 100 ml of 5% by weight sulfuric acid and stirred at room temperature for 12 hours. Water was added for washing, and the organic layer was extracted. After replacing the solvent with ethyl acetate, 5 ml of 30 wt% aqueous hydrogen peroxide was added and stirred at 40 ° C. for 5 hours. Thereafter, the organic layer was extracted, washed with a 10% by weight aqueous solution of ammonium iron (II) sulfate, dried, and the solvent was removed to obtain 4.43 g of a brown solid. By-products such as dimers were also produced from LC-MS measurement, and the purity of compound 3A was 77% (LC area percentage; hereinafter, the purity of the compound is simply indicated as “LC area percentage”. ).
MS(APCI(−)):(M−H)- 215 MS (APCI (-)) :( M-H) - 215
・化合物3B
Compound 3B
不活性雰囲気下で200mlの三つ口フラスコに化合物3A4.43g、臭化n−オクチル25.1g、および炭酸カリウム12.5g(23.5mmol)を入れ、溶媒としてメチルイソブチルケトン50mlを加えて125℃で6時間加熱還流した。反応終了後、溶媒を除き、クロロホルムと水で有機層と水層に分離し、有機層を抽出し、該有機層をさらに水で2回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラム(展開溶媒:トルエン/シクロヘキサン=1/10)で精製することにより、8.49g(LC面百97%、収率94%)の化合物3Bを得た。 Under an inert atmosphere, 4.43 g of compound 3A, 25.1 g of n-octyl bromide, and 12.5 g (23.5 mmol) of potassium carbonate were placed in a 200 ml three-necked flask, and 50 ml of methyl isobutyl ketone was added as a solvent. The mixture was heated at reflux for 6 hours. After completion of the reaction, the solvent was removed, the organic layer and the aqueous layer were separated with chloroform and water, the organic layer was extracted, and the organic layer was further washed twice with water. After drying over anhydrous sodium sulfate, purification was performed with a silica gel column (developing solvent: toluene / cyclohexane = 1/10) to obtain 8.49 g (LC area percentage 97%, yield 94%) of compound 3B.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.91(t、6H)、1.31〜1.90(m、24H)、4.08(t、4H)、7.07(dd、2H)、7.55(d、2H)、7.68(d、2H)
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.91 (t, 6H), 1.31-1.90 (m, 24H), 4.08 (t, 4H), 7.07 (dd, 2H), 7.55 (d, 2H), 7 .68 (d, 2H)
・化合物3C
・ Compound 3C
100ml三つ口フラスコに化合物3B6.67gと酢酸40mlを入れ、オイルバスでバス温度140℃まで昇温した。次いで、30重量%過酸化水素水13mlを冷却管から加え、1時間激しく撹拌した後、冷水180mlに注いで反応を終了させた。クロロホルムで抽出し、得られた有機層を乾燥後、溶媒を除去することによって、6.96g(LC面百90%、収率97%)の化合物3Cを得た。 In a 100 ml three-necked flask, 6.67 g of compound 3B and 40 ml of acetic acid were placed, and the temperature was raised to 140 ° C. in an oil bath. Next, 13 ml of 30% by weight hydrogen peroxide water was added from the condenser, and after vigorous stirring for 1 hour, the reaction was terminated by pouring into 180 ml of cold water. After extracting with chloroform and drying the obtained organic layer, the solvent was removed to obtain 6.96 g (LC area percentage 90%, yield 97%) of compound 3C.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t、6H)、1.26〜1.87(m、24H)、4.06(t、4H)、7.19(dd、2H)、7.69(d、2H)、7.84(d、2H)
MS(APCI(+)):(M+H)+ 473
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.90 (t, 6H), 1.26 to 1.87 (m, 24H), 4.06 (t, 4H), 7.19 (dd, 2H), 7.69 (d, 2H), 7 .84 (d, 2H)
MS (APCI (+)): (M + H) <+> 473
・化合物3D
・ Compound 3D
不活性雰囲気下200ml四つ口フラスコに化合物3C3.96gと酢酸/クロロホルム=1:1混合液(容量基準)15mlを加え、70℃で撹拌し、溶解させた。次いで、臭素6.02gを酢酸/クロロホルム=1:1混合液(容量基準)3mlに溶解させて加え、3時間撹拌した。得られた溶液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて未反応の臭素を除き、クロロホルムと水で有機層と水層に分離し、該有機層を抽出し、乾燥させた。乾燥させた有機層から溶媒を除去し、シリカゲルカラム(展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=1/4)で精製することにより、4.46g(LC面百98%、収率84%)の化合物3Dを得た。 Under an inert atmosphere, 3.96 g of compound 3C and 15 ml of a mixed solution of acetic acid / chloroform (1: 1) (volume basis) were added to a 200 ml four-necked flask and stirred at 70 ° C. to dissolve. Next, 6.02 g of bromine was dissolved in 3 ml of an acetic acid / chloroform = 1: 1 mixture (volume basis), and the mixture was stirred for 3 hours. A sodium thiosulfate aqueous solution was added to the resulting solution to remove unreacted bromine, and the organic layer and the aqueous layer were separated with chloroform and water, and the organic layer was extracted and dried. By removing the solvent from the dried organic layer and purifying with a silica gel column (developing solvent: chloroform / hexane = 1/4), 4.46 g (LC area percentage 98%, yield 84%) of compound 3D was obtained. Obtained.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.95(t、6H)、1.30〜1.99(m、24H)、4.19(t、4H)、7.04(s、2H)、7.89(s、2H)
MS(FD+)M+ 630
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.95 (t, 6H), 1.30 to 1.99 (m, 24H), 4.19 (t, 4H), 7.04 (s, 2H), 7.89 (s, 2H)
MS (FD + ) M + 630
・化合物3E
Compound 3E
不活性雰囲気下200ml三つ口フラスコに化合物3D3.9gとジエチルエーテル50mlを入れ、40℃まで昇温し、撹拌した。得られた溶液に、水素化アルミニウムリチウム1.17gを少量ずつ加え、5時間反応させた。水を少量ずつ加えることによって過剰な水素化アルミニウムリチウムを分解させ、36重量%塩酸5.7mlで洗浄した。クロロホルム、水で有機層と水層に分離し、該有機層を抽出後、乾燥させた。乾燥させた有機層から溶媒を除去し、シリカゲルカラム(展開溶媒:クロロホルム/ヘキサン=1/5)で精製することにより、1.8g(LC面百99%、収率49%)の化合物3Eを得た。 Under an inert atmosphere, 3.9 g of compound 3D and 50 ml of diethyl ether were placed in a 200 ml three-necked flask, heated to 40 ° C. and stirred. To the resulting solution, 1.17 g of lithium aluminum hydride was added little by little and allowed to react for 5 hours. Excess lithium aluminum hydride was decomposed by adding water little by little and washed with 5.7 ml of 36 wt% hydrochloric acid. The organic layer and the aqueous layer were separated with chloroform and water, and the organic layer was extracted and dried. The solvent was removed from the dried organic layer and purified by a silica gel column (developing solvent: chloroform / hexane = 1/5) to obtain 1.8 g (LC area percentage 99%, yield 49%) of compound 3E. Obtained.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t、6H)、1.26〜1.97(m、24H)、4.15(t、4H)、7.45(s、2H)、7.94(s、2H)
MS(FD+)M+ 598
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.90 (t, 6H), 1.26 to 1.97 (m, 24H), 4.15 (t, 4H), 7.45 (s, 2H), 7.94 (s, 2H)
MS (FD + ) M + 598
MS(APCI(+))法によれば、615、598にピークが検出された。 According to the MS (APCI (+)) method, peaks were detected at 615 and 598.
<実施例1>
−高分子化合物2の合成−
N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン0.52g、化合物3E1.22g、およびt−ブトキシナトリウム0.58gを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)0.05gを加えた後、この混合液に、トリ−t−ブチルホスフィンを0.02g加え、100℃で8時間反応させた。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応終了後、この溶液を室温まで冷却した後、イオン交換水20mlとメタノール20mlの混合液に該冷却後の溶液を注加し、撹拌した。撹拌後、水層を除去し、ラヂオライト1g加え撹拌し、得られた混合液をシリカ−活性アルミナ上でろ過し、ろ液を回収した。回収したろ液を、メタノール45gに注ぎ込み、攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収し、減圧乾燥した。乾燥後、重合体0.86gを得た。この重合体を高分子化合物2と呼ぶ。高分子化合物2のポリスチレン換算の重量平均分子量は、3.7×104であり、数平均分子量は、1.0×104であった。
<Example 1 >
-Synthesis of polymer compound 2-
After charging 0.52 g of N, N′-diphenyl-1,4-phenylenediamine, 1.22 g of compound 3E and 0.58 g of sodium t-butoxy, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. After adding 0.05 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) to this, 0.02 g of tri-t-butylphosphine was added to this mixed solution and reacted at 100 ° C. for 8 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere. After completion of the reaction, this solution was cooled to room temperature, and then the cooled solution was poured into a mixed solution of 20 ml of ion-exchanged water and 20 ml of methanol and stirred. After stirring, the aqueous layer was removed, 1 g of radiolite was added and stirred, the resulting mixture was filtered on silica-activated alumina, and the filtrate was recovered. The collected filtrate was poured into 45 g of methanol and stirred. Next, the produced precipitate was recovered by filtration and dried under reduced pressure. After drying, 0.86 g of polymer was obtained. This polymer is referred to as polymer compound 2. The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound 2 was 3.7 × 10 4 , and the number average molecular weight was 1.0 × 10 4 .
−高分子化合物2の蛍光特性評価−
こうして得られた高分子化合物2の蛍光特性評価を実施例1と同様にして行った。高分子化合物2の蛍光ピーク波長は462nmであり、蛍光強度は1.2であった。
-Evaluation of fluorescence characteristics of polymer compound 2-
The fluorescent property evaluation of the polymer compound 2 thus obtained was performed in the same manner as in Example 1. Polymer compound 2 had a fluorescence peak wavelength of 462 nm and a fluorescence intensity of 1.2.
<合成例4>
−高分子化合物3の合成に用いるモノマー(化合物4D)の合成−
・化合物4A
<Synthesis Example 4 >
-Synthesis of monomer (compound 4D) used for the synthesis of polymer compound 3-
Compound 4A
不活性雰囲気下、1lの三つ口フラスコにベンゾフラン23.2g(137.9mmol)と酢酸232gを入れ、室温で撹拌し、溶解させた後、75℃まで昇温した。昇温後、臭素92.6g(579.3mmol)を酢酸54gで希釈したものを滴下した。滴下終了後、温度を保持したまま3時間撹拌し、放冷した。TLCで原料の消失を確認した後、チオ硫酸ナトリウム水を加え反応を終了させ、室温で1時間撹拌した。撹拌後、ろ過を行い、ケーキをろ別し、さらにチオ硫酸ナトリウム水、水で洗浄した後、乾燥した。得られた粗生成物をヘキサンにて再結晶し、化合物4Aを得た。収量は21.8gであり、収率は49%であった。 Under an inert atmosphere, 23.2 g (137.9 mmol) of benzofuran and 232 g of acetic acid were placed in a 1 l three-necked flask, stirred and dissolved at room temperature, and then heated to 75 ° C. After the temperature rise, 92.6 g (579.3 mmol) of bromine diluted with 54 g of acetic acid was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred for 3 hours while maintaining the temperature and allowed to cool. After confirming disappearance of the raw material by TLC, sodium thiosulfate water was added to terminate the reaction, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After stirring, filtration was performed, and the cake was separated by filtration, further washed with sodium thiosulfate water and water, and then dried. The obtained crude product was recrystallized from hexane to obtain Compound 4A. The yield was 21.8 g, and the yield was 49%.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ7.44(d、2H)、7.57(d、2H)、8.03(s、2H)
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 7.44 (d, 2H), 7.57 (d, 2H), 8.03 (s, 2H)
・化合物4B
Compound 4B
不活性雰囲気下で500mlの四つ口フラスコに化合物4A16.6g(50.9mmol)とテトラヒドロフラン293gを入れ、−78℃まで冷却した。得られた溶液に、n−ブチルリチウム80ml(<1.6mol/lヘキサン溶液、127.3mmol)を滴下した後、温度を保持したまま1時間撹拌した。得られた反応液を、不活性雰囲気下で1000mlの四つ口フラスコにトリメトキシボロン酸31.7g(305.5mmol)とテトラヒドロフラン250mlを入れ、−78℃まで冷却したものに滴下した。滴下終了後、ゆっくり室温まで戻し、2時間室温で撹拌後、TLCで原料の消失を確認した。反応終了後、得られた反応溶液を、2000mlビーカーに濃硫酸30gと水600mlを入れたものに注入し、反応を終了させた。得られた溶液にトルエン300mlを加え、有機層を抽出し、さらに水を加えて洗浄した。溶媒を留去後、そのうち8gと酢酸エチル160mlを300mlの四つ口フラスコに入れ、次いで30重量%過酸化水素水7.09gを加え、40℃で2時間撹拌した。こうして得られた反応液を、1000mlのビーカー中の硫酸アンモニウム鉄(II)71gおよび水500mlの水溶液に注入した。得られた溶液を撹拌後、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。洗浄後の有機層から溶媒を除去することにより、化合物4Bの粗製物6.72gを得た。 Under an inert atmosphere, 16.6 g (50.9 mmol) of Compound 4A and 293 g of tetrahydrofuran were placed in a 500 ml four-necked flask and cooled to -78 ° C. To the resulting solution, 80 ml of n-butyllithium (<1.6 mol / l hexane solution, 127.3 mmol) was added dropwise and stirred for 1 hour while maintaining the temperature. The obtained reaction liquid was dropped into a 1000 ml four-necked flask in an inert atmosphere, and 31.7 g (305.5 mmol) of trimethoxyboronic acid and 250 ml of tetrahydrofuran were added and cooled to -78 ° C. After completion of the dropwise addition, the temperature was slowly returned to room temperature, stirred for 2 hours at room temperature, and disappearance of the raw material was confirmed by TLC. After completion of the reaction, the obtained reaction solution was poured into a 2000 ml beaker containing 30 g of concentrated sulfuric acid and 600 ml of water to complete the reaction. To the resulting solution was added 300 ml of toluene, the organic layer was extracted, and further washed with water. After distilling off the solvent, 8 g of the solution and 160 ml of ethyl acetate were placed in a 300 ml four-necked flask, and then 7.09 g of 30 wt% hydrogen peroxide solution was added and stirred at 40 ° C. for 2 hours. The reaction solution thus obtained was poured into an aqueous solution of 71 g of ammonium iron (II) sulfate and 500 ml of water in a 1000 ml beaker. After stirring the obtained solution, the organic layer was extracted, and the organic layer was washed with water. The solvent was removed from the washed organic layer to obtain 6.72 g of a crude compound 4B.
MSスペクトル:M+ 200.0 MS spectrum: M + 200.0
・化合物4C
Compound 4C
不活性雰囲気下で200mlの四つ口フラスコに化合物4B2.28g(11.4mmol)とN,N−ジメチルホルムアミド23gを入れ、室温で撹拌、溶かした後、炭酸カリウム9.45g(68.3mmol) を入れ60℃まで昇温した。昇温後、臭化n−オクチル6.60g(34.2mmol)をN,N−ジメチルホルムアミド11gで希釈したものをを滴下した。滴下終了後、60℃まで昇温し、温度を保持したまま2時間撹拌し、TLCで原料の消失を確認した。水20mlを加え反応を終了させ、次いでトルエン20mlを加え、有機層を抽出し、該有機層を水で2回洗浄した。洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物4Cを得た。収量は1.84gであり、収率は38%であった。 Under an inert atmosphere, 2.28 g (11.4 mmol) of compound 4B and 23 g of N, N-dimethylformamide were placed in a 200 ml four-necked flask, stirred and dissolved at room temperature, and then 9.45 g (68.3 mmol) of potassium carbonate was added. The temperature was raised to ° C. After the temperature increase, a solution obtained by diluting 6.60 g (34.2 mmol) of n-octyl bromide with 11 g of N, N-dimethylformamide was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the temperature was raised to 60 ° C., the mixture was stirred for 2 hours while maintaining the temperature, and disappearance of the raw material was confirmed by TLC. The reaction was terminated by adding 20 ml of water, then 20 ml of toluene was added, the organic layer was extracted, and the organic layer was washed twice with water. The washed organic layer was dried over anhydrous sodium sulfate, and then the solvent was distilled off. The obtained crude product was purified with a silica gel column to obtain Compound 4C. The yield was 1.84 g, and the yield was 38%.
MSスペクトル:M+ 425.3 MS spectrum: M + 425.3
・化合物4D
Compound 4D
不活性雰囲気下500ml四つ口フラスコに化合物4C7.50g(17.7mmol)とN,N−ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌し、溶解させた後、氷浴で冷却した。冷却後、N−ブロモスクシンイミド6.38g(35.9mmol)をN,N−ジメチルホルムアミド225mlで希釈したものを滴下した。滴下終了後、氷浴で1時間攪拌し、室温で18.5時間攪拌し、40℃まで昇温し、温度を保持したまま6.5時間撹拌し、液体クロマトグラフィーで原料の消失を確認した。得られた反応液から溶媒を除去し、そこにトルエン75mlを加えて溶解させた後、有機層を水で3回洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。得られた粗生成物の約半量をシリカゲルカラムおよび液体クロマトグラフィー分取で精製することにより、化合物4Dを得た。収量は0.326gであった。 Under an inert atmosphere, 7.50 g (17.7 mmol) of Compound 4C and N, N-dimethylformamide were placed in a 500 ml four-necked flask, stirred at room temperature, dissolved, and then cooled in an ice bath. After cooling, a solution prepared by diluting 6.38 g (35.9 mmol) of N-bromosuccinimide with 225 ml of N, N-dimethylformamide was added dropwise. After completion of dropping, the mixture was stirred for 1 hour in an ice bath, stirred for 18.5 hours at room temperature, heated to 40 ° C., stirred for 6.5 hours while maintaining the temperature, and disappearance of the raw materials was confirmed by liquid chromatography. . The solvent was removed from the resulting reaction solution, and 75 ml of toluene was added and dissolved therein, and then the organic layer was washed with water three times. After drying over anhydrous sodium sulfate, the solvent was distilled off. About 4% of the obtained crude product was purified by silica gel column and liquid chromatography fractionation to obtain Compound 4D. The yield was 0.326g.
1H−NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t、6H)、1.26〜1.95(m、24H)、4.11(t、4H)、7.34(s、2H)、7.74(s、2H)
1 H-NMR (300 MHz / CDCl 3 ):
δ 0.90 (t, 6H), 1.26 to 1.95 (m, 24H), 4.11 (t, 4H), 7.34 (s, 2H), 7.74 (s, 2H)
MSスペクトル:M+ 582.1 MS spectrum: M + 582.1
<実施例2>
−高分子化合物3の合成−
N,N’−ジフェニル−1,4−フェニレンジアミン0.52g、化合物4D1.19g、およびt−ブトキシナトリウム0.58gを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)0.05gを加えた後、次に、この混合液に、トリ−t−ブチルホスフィンを0.02g加え、100℃で8時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を室温まで冷却した後、イオン交換水20mlとメタノール20mlの混合液に該冷却後の溶液を注加し、撹拌した。撹拌後、水層を除去し、ラヂオライト1g加え撹拌し、シリカ−活性アルミナ上でろ過し、ろ液を回収した。回収したろ液を、メタノール45gに注ぎ込み、攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収し、減圧乾燥した。乾燥後、重合体0.97gを得た。この重合体を高分子化合物4と呼ぶ。高分子化合物3のポリスチレン換算の重量平均分子量は、2.8×104であり、数平均分子量は、6.1×103であった。
<Example 2 >
-Synthesis of polymer compound 3-
After charging 0.52 g of N, N′-diphenyl-1,4-phenylenediamine, 1.19 g of compound 4D and 0.58 g of sodium t-butoxy, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this was added 0.05 g of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0), and then 0.02 g of tri-t-butylphosphine was added to the mixture, followed by reaction at 100 ° C. for 8 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere. After the reaction, this solution was cooled to room temperature, and then the cooled solution was poured into a mixed solution of 20 ml of ion-exchanged water and 20 ml of methanol and stirred. After stirring, the aqueous layer was removed, 1 g of radiolite was added and stirred, filtered on silica-activated alumina, and the filtrate was recovered. The collected filtrate was poured into 45 g of methanol and stirred. Next, the produced precipitate was recovered by filtration and dried under reduced pressure. After drying, 0.97 g of polymer was obtained. This polymer is referred to as polymer compound 4. The polymer compound 3 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 2.8 × 10 4 and a number average molecular weight of 6.1 × 10 3 .
−高分子化合物3の蛍光特性評価−
こうして得られた高分子化合物4の蛍光特性評価を実施例1と同様にして行った。高分子化合物3の蛍光ピーク波長は467nmであり、蛍光強度は1.1であった。
-Evaluation of fluorescence characteristics of polymer compound 3-
The fluorescent property evaluation of the polymer compound 4 thus obtained was performed in the same manner as in Example 1. Polymer compound 3 had a fluorescence peak wavelength of 467 nm and a fluorescence intensity of 1.1.
<実施例3>
−正孔注入層1の作製−
高分子化合物2をトルエンに対して2重量%、さらに架橋剤としてDPHA(ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬製、商品名:KAYARAD DPHA))を高分子化
合物1に対して25重量%添加し、得られた溶液を0.2ミクロン径のテフロン(登録商標)フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を設けたガラス基板に、この塗布溶液を1000rpmでスピンコートにより製膜した。こうして得られた膜を窒素雰囲気下において300℃/20分のベーク条件でベークし、ベーク後の膜厚が約50nmの正孔注入層1を得た。
<Example 3>
-Preparation of hole injection layer 1-
2% by weight of polymer compound 2 with respect to toluene, and 25% by weight of DPHA (dipentaerythritol hexaacrylate (product name: KAYARAD DPHA) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) as a crosslinking agent are added with respect to polymer compound 1. The resulting solution was filtered through a 0.2 micron diameter Teflon (registered trademark) filter to prepare a coating solution. This coating solution was formed by spin coating at 1000 rpm on a glass substrate provided with an ITO film having a thickness of 150 nm by a sputtering method. The film thus obtained was baked under baking conditions of 300 ° C./20 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a hole injection layer 1 having a post-baking film thickness of about 50 nm.
<実施例4>
−正孔注入層2の作製−
高分子化合物3をトルエンに対して2重量%、さらに架橋剤としてDPHA(ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬製、商品名:KAYARAD DPHA))を高分子化
合物1に対して25重量%添加し、得られた溶液を0.2ミクロン径のテフロン(登録商標)フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を設けたガラス基板に、この塗布溶液を1000rpmでスピンコートにより製膜した。こうして得られた膜を窒素雰囲気下において300℃/20分のベーク条件でベークし、ベーク後の膜厚が約50nmの正孔注入層2を得た。
<Example 4>
-Production of hole injection layer 2-
2% by weight of polymer compound 3 with respect to toluene, and 25% by weight of DPHA (dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: KAYARAD DPHA)) as a crosslinking agent are added with respect to polymer compound 1. The resulting solution was filtered through a 0.2 micron diameter Teflon (registered trademark) filter to prepare a coating solution. This coating solution was formed by spin coating at 1000 rpm on a glass substrate provided with an ITO film having a thickness of 150 nm by a sputtering method. The film thus obtained was baked under baking conditions of 300 ° C./20 minutes in a nitrogen atmosphere to obtain a hole injection layer 2 having a post-baking film thickness of about 50 nm.
−PEDOT正孔注入層の作成−
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、PEDOT:ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸の溶液(スタルク社製、商品名:Baytron)を用いてスピンコートにより成膜し、こうして得られた膜を大気中においてホットプレート上で200℃で10分間乾燥させて50nmの厚みのPEDOT正孔注入層を得た。
-Creation of PEDOT hole injection layer-
A glass substrate having an ITO film with a thickness of 150 nm formed by sputtering is formed by spin coating using a solution of PEDOT: poly (ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid (trade name: Baytron, manufactured by Starck). The film thus obtained was dried on the hot plate at 200 ° C. for 10 minutes in the air to obtain a PEDOT hole injection layer having a thickness of 50 nm.
<参考例>
−発光層用溶液組成物1の調製−
高分子化合物1をトルエンに対して0.5重量%、さらに電荷輸送性添加物としてDCBP(4,4’-ビス(9-カルバゾイル)-ビフェニル((株)同仁化学研究所製))を高分子化合物1に対して160重量%混合し溶解させた後、得られた溶液を0.2ミクロン径のテフロン(登録商標)フィルターでろ過して発光層用組成物1を調製した。
< Reference example >
-Preparation of solution composition 1 for light emitting layer-
Polymer compound 1 is 0.5% by weight with respect to toluene, and DCBP (4,4'-bis (9-carbazoyl) -biphenyl (manufactured by Dojindo Laboratories)) as a charge transport additive is high. After 160 wt% of the molecular compound 1 was mixed and dissolved, the obtained solution was filtered through a 0.2 micron diameter Teflon (registered trademark) filter to prepare a composition 1 for a light emitting layer.
<実施例5、6、比較例1>
−発光素子の作成および評価−
陽極の上に、表1に示すとおりに正孔注入層を積層し、その上に発光層用溶液組成物をスピンコートにより約70nmの厚みでコーティングした。これを減圧下90℃で1時間乾燥した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを4nm、陰極としてカルシウムを5nm、次いでアルミニウムを100nm蒸着して、高分子発光素子を作製した。蒸着のときの真空度は、いずれの場合も1×10-3〜9×10-3Paの範囲内であった。こうして得られた、発光部が2mm×2mm(面積4mm2)の高分子発光素子に電圧を段階的に印加することにより、高分子発光体からのEL発光の輝度を測定し、この測定結果から電流効率値を得た。得られた高分子発光素子の電流効率の最大値、EL発光のCIE色度座標のy値を表1に示す。
<Examples 5 and 6, Comparative Example 1>
-Creation and evaluation of light-emitting elements-
A hole injection layer was laminated on the anode as shown in Table 1, and the solution composition for the light emitting layer was coated thereon with a thickness of about 70 nm by spin coating. After drying this at 90 ° C. under reduced pressure for 1 hour, 4 nm of lithium fluoride was deposited as a cathode buffer layer, 5 nm of calcium was deposited as a cathode, and then 100 nm of aluminum was deposited to produce a polymer light emitting device. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was in the range of 1 × 10 −3 to 9 × 10 −3 Pa in any case. The luminance of EL light emission from the polymer light emitter was measured by applying voltage stepwise to the polymer light emitting device having a light emitting portion of 2 mm × 2 mm (area 4 mm 2 ) obtained in this way. A current efficiency value was obtained. Table 1 shows the maximum value of the current efficiency of the obtained polymer light emitting device and the y value of the CIE chromaticity coordinates of EL emission.
<評価>
表1から分かるように、本発明の高分子化合物を含む正孔注入層を有する実施例5、6で作製した高分子発光素子は、本発明の高分子化合物を含む正孔注入層を用いなかった比較例1の高分子発光素子に比べて、著しい最大電流効率の向上が認められた。従って、本発明の高分子化合物は、正孔注入層等として好ましく用いることができる。
<Evaluation>
As can be seen from Table 1, the polymer light-emitting devices prepared in Examples 5 and 6 having the hole injection layer containing the polymer compound of the present invention do not use the hole injection layer containing the polymer compound of the present invention. Compared with the polymer light emitting device of Comparative Example 1, a marked improvement in the maximum current efficiency was observed. Therefore, the polymer compound of the present invention can be preferably used as a hole injection layer or the like.
Claims (17)
〔式中、XはA環上の2個の原子とB環上の2個の原子と一緒になって5員環または6員環を形成する原子または2価の基を表し、該原子または2価の基は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子および珪素原子からなる群から選ばれる原子を少なくとも一つ含む。A環およびB環は独立に置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい複素環を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよく、Ar1は置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する2価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。Ar2およびAr3は独立に置換基を有していてもよい1価の芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する1価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。R*は連結基を表し、hは0又は1を表す。複数存在するR*は同一であっても異なっていてもよい。〕
上記一般式(1)で示される繰り返し単位が、下記で示される繰り返し単位のいずれかであることを特徴とする高分子化合物。
〔式中、
Rは独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、置換シリル基、シアノ基、ニトロ基、または複素環骨格を有する1価の有機基を表し、
R´は独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する1価の有機基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基を表す。
nは正の整数であり、aは1〜3、bは0〜4、cは0〜5の整数を表す。a〜cが複数存在する場合には、各々、同一であっても異なっていてもよい。〕 A polymer compound comprising a repeating unit represented by the following general formula (1) :
[In the formula, X represents an atom or a divalent group that forms a 5-membered ring or a 6-membered ring together with two atoms on the A ring and two atoms on the B ring; The divalent group contains at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom and a silicon atom. A ring and B ring independently represent an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent or a heterocyclic ring which may have a substituent, and when there are a plurality of substituents, they are bonded to each other. In the case where Ar1 represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a divalent organic group having a heterocyclic skeleton, and there are a plurality of substituents May be bonded to each other to form a ring. Ar2 and Ar3 each independently represent a monovalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, and when a plurality of substituents are present, they are bonded to each other. To form a ring. R * represents a linking group, and h represents 0 or 1. A plurality of R * may be the same or different. ]
A polymer compound, wherein the repeating unit represented by the general formula (1) is any one of the repeating units shown below.
[Where,
R is independently hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, arylalkenyl Group, arylalkynyl group, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, imine residue, substituted amino group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted silylamino group, substituted silyl group, cyano group, nitro group, or Represents a monovalent organic group having a heterocyclic skeleton,
R ′ is independently an alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group Group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent organic group having a heterocyclic skeleton, carboxyl group, substituted carboxyl group and cyano group To express.
n is a positive integer, a is 1 to 3, b is 0 to 4, and c is an integer of 0 to 5. When a plurality of ac are present, each may be the same or different. ]
〔式中、Ar1、Ar2、Ar3、R*及びhは、上記のとおりである。〕
で表される2級アミン化合物と、下記一般式(5):
〔式中、Xは上記のとおりであり、Zはハロゲン原子または−SO2R5(ここで、R5は、アルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す。)を表す。〕
で表される化合物とを、金属縮合剤および脱酸剤の存在下で反応させることを特徴とする請求項1または2に記載の高分子化合物の製造方法。 The following general formula (4):
[Wherein, Ar1, Ar2, Ar3, R * and h are as described above. ]
A secondary amine compound represented by the following general formula (5):
[Wherein, X is as defined above, and Z represents a halogen atom or —SO 2 R 5 (wherein R 5 represents an alkyl group, an aryl group, or an arylalkyl group). ]
Method for producing a polymer according to claim 1 or 2 and a compound represented by in, characterized in that the reaction in the presence of a metal condensing agent and deoxidizing agents.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2567778Y2 (en) | 1993-04-23 | 1998-04-02 | 株式会社河合楽器製作所 | Floor material |
| JP3023669B2 (en) | 1997-07-25 | 2000-03-21 | 株式会社ノダ | Laminated board |
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