JP5022187B2 - 処理ステージ - Google Patents

Description

本発明は、処理ステージに関する。

良質なデバイスを歩留り良く製造する上で、位置合わせ精度の向上は極めて重要である。例えば、インクジェット法を用いて低コストでデバイスを製造する場合にも、位置合わせ精度の向上が期待されている。

デバイスを製造する際に、デバイスの中間体である基板とこれに処理を行う処理装置との位置合わせを行う手段として、ＸＹステージが知られている。ＸＹステージは、例えば被処理基板を載置した可動子をＸ方向に移動させる機構と、処理装置を設置した処理部をＹ方向に移動させる機構を備えたものである。これにより、被処理基板と処理装置との相対位置をＸ方向及びＹ方向に変化させて制御しつつ、被処理基板の所定位置に所定の処理を行うことが可能となっている。

通常、ＸＹステージの可動子は、可動子上方において被処理基板を昇降可能な昇降ピンを備えている（例えば特許文献１、２）。これにより、例えばハンドリングロボットにより可動子における被処理基板の載置位置上方まで搬送された被処理基板は、昇降ピンが可動子本体の上方に上昇することでこれに支持され、昇降ピンが載置位置まで下降することにより、可動子の所定位置に載置されるようになっている。
特開平７−３１１３７５号公報 特開２００５−１１４８８２号公報

しかしながら、可動子を高速に移動させて処理速度を短縮するためには、前記のようなＸＹステージにおいても改善点があった。すなわち、可動子を高速に移動させるためには、可動子を加速する加速時間を長くすることや、加速度を大きくすることが考えられる。加速時間を長くする場合には、可動子の助走距離が長くなるので、ＸＹステージが大型化してしまう。また、加速度を大きくする場合には、可動子を駆動するモーターやアンプ等を大容量化する必要があり、コストアップを招いてしまう。

また、製造するデバイスによっては基板が大型化する傾向にあり、前記のようなＸＹステージでは大型の基板に対応できないおそれもある。すなわち、基板が大型化すると、可動子においては、載置面積を広くするのみならず基板を昇降させる昇降ピンの駆動機構を大型化する必要がある。そのため、可動子の重量が大幅に増加してしまい、これを駆動するモーターやアンプ等の大型化により大幅なコストアップを招いてしまう。また、可動子の重量が大幅に増加したことにより、移動時における可動子の慣性力が大幅に増加し、可動子の位置制御の精度が損なわれるおそれもある。

本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、可動子を高速で移動させることができ、かつ可動子の位置制御が高精度とされた処理ステージを提供することを目的の一つとする。

本発明の処理ステージは、被処理基板が載置される載置面を有する可動子と、前記被処理基板に所定の処理を行う処理装置が設置される処理部と、前記可動子と前記処理部との相対位置を変化させる位置制御手段と、前記載置面と該載置面よりも高い位置との間において前記被処理基板を昇降可能な基板昇降機構と、を備え、前記位置制御手段は、第１方向に延びる第１レールと、該第１レール上において前記可動子を前記基板昇降機構と独立して移動させる第１方向制御手段と、を有し、前記基板昇降機構は、前記被処理基板を支持する複数の昇降ピンを有し、前記可動子は、前記昇降ピンが貫通可能な複数の貫通孔と、前記載置面に設けられた吸引孔により前記被処理基板を着脱可能に吸引固定する固定手段と、を有し、前記第１レールは第１方向に延びる複数の副レールからなり、前記昇降ピンは前記第１レールの内側および外側に配置され、前記被処理基板をその周縁部及び中央部で支持しており、前記可動子を移動させながら前記被処理基板に前記処理部で処理を行うことを特徴とする。

このように基板昇降機構が可動子から独立して設けられた構成とすれば、可動子に基板昇降機構が不要となる。これにより、可動子の軽量化が図られ、可動子の移動に必要な駆動力が小さくなる。したがって、可動子を駆動（移動）する駆動手段として低容量のものを用いることができ、これを有する第１方向制御手段を備えた処理ステージの低コスト化が図られる。また、通常同様の容量の駆動手段を用いれば、可動子を高速に移動させることが可能となるとともに、可動子の位置を高精度に制御することが可能となる。これにより、被処理基板に効率良く、かつ良好に処理を行うことが可能な処理ステージとなる。また、可動子に基板昇降機構を設けないことにより、可動子の大型化が容易化され、大型の基板に対応可能な処理ステージとなる。

また、前記可動子は、前記載置面に前記被処理基板を着脱可能に固定する固定手段を有していることが好ましい。
このようにすれば、可動子に載置された被処理基板が、可動子に対して位置ずれを生じることが防止される。したがって、被処理基板と処理装置との相対位置を正確に制御することができ、被処理基板の所定位置に処理を行うことが可能な処理ステージとなる。

また、前記基板昇降機構は、前記第１レールに固定されていることが好ましい。
このようにすれば、第１レールに対する可動子の位置は制御可能であるので、基板昇降機構に対する可動子の位置が正確に制御されるようになる。したがって、可動子に被処理基板を載置する際に可動子を基板昇降機構上に正確に配置することができ、可動子の所定位置に被処理基板を載置することが可能となる。

また、前記基板昇降機構は、前記第１レールの端部に配置されていることが好ましい。
このようにすれば、第１レールの端部において可動子に被処理基板を載置可能となるので、被処理基板を可動子に載置する作業効率を高めることができる。

また、前記第１レールが第１方向に延びる複数の副レールからなっているとともに、前記基板昇降機構が前記被処理基板を昇降させる際に該被処理基板を支持する複数の昇降ピンを有しており、前記昇降ピンが、前記副レールの間に配置されていることが好ましい。
このようにすれば、第１レールの外側に加えて内側においても被処理基板を支持することが可能となるので、例えば被処理基板をその周縁部及び中央部で支持することにより、被処理基板のたわみが防止される。

また、前記位置制御手段は、前記第１方向と異なる第２方向に延びる第２レールと、該第２レールに沿って前記処理部を移動させる第２方向制御手段と、を有しており、前記第２レールが前記可動子の上方に配置されている構成とすることもできる。
本発明においては、可動子に基板昇降機構を不要としているので、基板昇降機構を備えないことにより可動子を薄型化することができ、可動子から第２レールまでの高さを低くすることができる。したがって、第２レールを支持する支持部材を短く（低く）することができ、これにより該支持部材のたわみが低減されるので、たわみによる第２レールの位置ずれが防止される。よって、第２レール上において処理部の位置を正確に制御することが可能となり、被処理基板の所定位置に処理を行うことが可能な処理ステージとなる。
また、前記支持部材を短くすることによりその固有振動数が高くなるので、支持部材に共振が生じにくくなる。したがって、共振による第２レールの位置ずれが防止され、処理部の位置を正確に制御することが可能となるので、被処理基板の所定位置に処理を行うことが可能な処理ステージとなる。

また、前記処理装置が液滴吐出装置である構成とすることもできる。
一般に、液滴吐出法により成膜を行えば、材料の無駄が少ないので材料コストを低減できる。また、選択的に材料を配することができるので、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いたパターニング技術に比べて、プロセスコストを低減できる。本発明の処理ステージは、被処理基板の所定位置に処理を行うことが可能となっているので、これを液滴吐出装置に適用すれば、パターニング精度を向上させることもできる。

本発明によれば、可動子を軽量化することが可能であるので、可動子を移動させる機構に関るコストが低減され、処理ステージの低コスト化が図られる。また、可動子を軽量化することで、可動子を高速に移動させることや可動子の位置を高精度に制御することが可能となり、被処理基板に効率良く、かつ良好に処理を行うことが可能な処理ステージとなる。また、可動子の大型化が容易化され、大型の基板に対応可能な処理ステージとなる。

以下、本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。

図１は、本発明に係る処理ステージの一実施形態であるＸＹステージ１００を概略して示す斜視図である。図１に示すように、ＸＹステージ１００は、第１方向（Ｙ方向）に延びる第１レール１０と、第１レール１０上に配置された可動子２０と、Ｙ方向における第１レール１０の端部下側に配置された基板昇降機構３０と、第１レール１０の上方において第２方向（Ｘ方向）に延びる第２レール４０と、第２レール４０上に配置された処理部５０と、を備えて構成されている。

本実施形態の第１レール１０は、Ｙ方向に延びる２本の副レール１１、１２からなっている。副レール１１は、Ｘ方向の両端部において支持部材１３、１４に支持されており、その上面側が略水平となっている。副レール１２も同様に、支持部材１５、１６に支持されることにより上面側が略水平となっている。第１レール１０は、後述する第１方向制御手段が併設されることにより可動子２０を移動させるガイドとして機能するようになっている。また、副レール１１、１２は、例えば黒御影石等のグラナイト（花崗岩）等からなる基体に金属等からなるサポートフレーム等を設けたものであり、第１レール１０は、ＸＹステージ１００のフレームとしても機能するようになっている。

前記グラナイトは、処理ステージや定盤等に用いられる石材であり、化学的及び熱的に極めて安定であることが知られている。そのためグラナイトを用いることで、化学薬品を用いた処理や熱を伴う処理に対応可能なＸＹステージ１００となる。また、グラナイトは、極めて硬度が高くヤング率が高い材料であるので、第１レール１０のたわみによる位置精度の低下を低減することができる。

第１レール１０には第１方向制御手段（図示略）が併設されており、これにより可動子２０を第１レール１０上の所定位置に移動させて、Ｙ方向における可動子２０の位置を制御することが可能となっている。本実施形態では、エアスライダー方式により可動子２０を移動させるようになっており、前記第１方向制御手段は、第１レール１０と可動子２０との間に空気を送り込んで可動子２０を第１レール１０から浮上させる機構や、可動子２０を移動させるリニアモーター、可動子２０の位置を検出する装置、これらを制御する制御装置等を備えて構成されている。

Ｙ方向における第１レール１０の中央部下側にはステージ６０が設けられている。ステージ６０は、各種制御機器の設置部となっているとともに、第２レール４０等の土台としても機能するようになっている。すなわち、ステージ６０には、第２レール４０を支持する複数の支柱が設けられており、これら支柱上に第２レール４０が設けられている。

第２レール４０上には、処理部５０が配置されており、本実施形態の処理部５０には処理装置として液滴吐出ヘッド（図示略）が装着されている。第２レール４０には、前記第１方向制御手段と同様の第２方向制御手段が併設されており、第２レール４０に沿って処理部５０を移動させることができるようになっている。これにより、処理部５０に配置された液滴吐出装置をＸ方向の所望の位置に移動させることができるようになっている。

図２（ａ）は、可動子２０を拡大して示す斜視図である。図２（ａ）に示すように、可動子２０は、例えばグラナイトからなる平面視略正方形の板状のものであり、その上面が被処理基板を載置する載置面となっている。可動子２０の大きさとしては、例えば前記正方形の一辺が２５００ｍｍ程度、厚さが９０ｍｍ程度である。また、可動子２０には、その上面及び底面に開口した複数の貫通孔２１が設けられている。貫通孔２１は、後述する昇降ピンがこの貫通孔２１を通って可動子２０の上方まで上昇できるようにするための構造であり、本実施形態では、可動子２０の下方に配置された第１レール１０と重なり合わないように配置されている。

また、本実施形態の可動子２０は、被処理基板を着脱可能に固定する固定手段を備えている。固定手段としては、被処理基板と可動子２０との間の圧力を低下させることにより被処理基板を可動子２０に密着させるものや、静電気力あるいは磁力により被処理基板を可動子２０に密着させるもの等を用いることができ、本実施形態では圧力を低下させる方式を採用している。詳しくは、可動子２０の上面には、例えば互いに直交する溝部からなる複数の凹部２２が設けられており、凹部２２内には可動子２０の底面側に通じる吸引孔（図示略）が設けられている。この吸引孔は可動子２０の底面側において配管等に接続されており、さらにこの配管は、例えばステージ６０に設けられた真空ポンプ等の減圧手段に接続されている。被処理基板が可動子２０における載置面に載置された状態で前記真空ポンプにより排気を行うと、凹部２２内の圧力が低下して被処理基板の上面側と底面側（凹部２２側）とに圧力差を生じ、被処理基板が可動子２０に押し当てられて固定されるようになっている。

図２（ｂ）は、基板昇降機構３０を拡大して示す斜視図である。本実施形態の基板昇降機構３０は、第１レール１０の端部においてその下側に固定されており、第１レール１０との相対位置が変化しないようになっている。図２（ｂ）に示すように、基板昇降機構３０は、複数の昇降ピン３１と、昇降ピン３１の底面側を支持するプレート３２と、プレート３２を上昇あるいは下降させる駆動手段３３と、駆動手段３３を制御して昇降ピン３１の鉛直方向の位置を制御する制御手段（図示略）と、を備えて構成されている。

本実施形態の駆動手段３３は、副レール１１の両側と副レール１２の両側とにそれぞれ設けられた４つの部分からなり、これらは副レール１１、１２に固定されている。第１レール１０の外側に位置する２つの部分には、それぞれに接続された２つのプレート３２が設けられており、第１レール１０の内側に位置する２つの部分には、２つの部分双方に接続された１つのプレート３２が設けられている。それぞれのプレート３２上には、Ｙ方向に並んで複数の昇降ピン３１が設けられており、昇降ピン３１の配列は、可動子２０の貫通孔２１と同じ配列となっている。基板昇降機構３０上に可動子２０を移動させると、昇降ピン３１上に貫通孔２１が位置するようになり、この状態で駆動手段３３によりプレート３２を上昇させると、貫通孔２１を通して可動子２０の上方まで、昇降ピン３１を上昇させることができる。このようにして、上昇させた複数の昇降ピン３１の上面が、搬送されてきた被処理基板を受ける面を構成するようになっている。

図２（ｃ）は、Ｙ方向において基板昇降機構３０が設けられている側からみたＸＹステージ１００の側面図である。前記したように、第１レール１０の下側にはステージ６０が設けられており、ステージ６０上には支柱６１が設けられている。また、支柱６１上には第２レール４０が設けられている。支柱６１は、上部側において支柱６１間に可動子２０を通すことが可能な幅で配置されている。また、支柱６１の下部側は上部側より太くなっており、上部側よりも第１レール１０側に張り出している。これにより、支柱６１の上方に位置する第２レール４０等の重量による支柱６１の変形量を小さくすることができ、変形による位置精度の低下を防止できるようになっている。

［基板処理方法］
以上のような構成のＸＹステージ１００を用いると、被処理基板の所定位置に所定の処理を良好に行うことが可能である。以下、図３（ａ）〜（ｅ）を参照しつつ、ＸＹステージ１００を用いて、ガラス等からなる被処理基板に液滴吐出装置により処理を行う方法を説明する。なお、図３（ａ）〜（ｅ）では、ＸＹステージ１００等をＸ方向から視た側面図で示している。

まず、図３（ａ）に示すように、基板昇降機構３０の上方に可動子２０を位置させておき、可動子２０における被処理基板の載置面上方に、例えば搬送ロボット２００等により被処理基板Ｗを搬送する。基板昇降機構３０は第１レール１０に固定されているので、可動子２０を第１レール１０上の所定の位置に移動させることにより、可動子２０と基板昇降機構３０との位置を良好に合わせることができる。また、第２レール４０上に配置された処理部５０に、例えば液滴吐出ノズル３１０を複数備えた液滴吐出ヘッド（液滴吐出装置）３００を装着しておく。ここでは、液滴吐出ノズル３１０が下方を向くようにして、処理部５０の底面側に液滴吐出ヘッド３００を装着する。

搬送ロボット２００は、例えばフォーク状のアーム２１０と、アーム２１０の位置を制御する制御装置２２０と、を備えたものである。フォーク状のアーム２１０は、互いに平行に配置されて一方向（ここではＹ方向）に延びる枝部を有している。これら枝部は、片側の端部においてに枝部に直交する方向（ここではＸ方向）に延びる部材に、一括して接続されている。また、枝部が接続された部材は前記枝部と同じ方向に延びる幹部に接続され、この幹部は制御装置２２０に接続されている。被処理基板Ｗは、このような搬送ロボット２００においてアーム２１０の枝部に載置されて搬送され、制御装置２２０により搬送時の位置が制御されている。なお、ここでは前記枝部の間に可動子２０の貫通孔２１（図２（ａ）参照）が位置するように、枝部の配置や貫通孔２１の配置が調整されている。例えば、アームの枝部と第１レールの副レールの位置とを対応させておけば、貫通孔は、第１レールを避けて配置するのでアームの枝部を避けて配置され、アームの枝部間に昇降ピンが位置するようになる。

次に、図３（ｂ）に示すように、基板昇降機構３０の昇降ピン３１を可動子２０の貫通孔２１を通して上昇させる。そして、被処理基板Ｗが搬送ロボット２００に支持されている位置より高くまで上昇させることより、被処理基板Ｗは昇降ピン３１の上面に支持される。前記のように可動子２０と基板昇降機構３０との位置合わせを良好に行うことができるので、昇降ピン３１が貫通孔２１の外側において可動子２０と衝突することがなく、良好に昇降ピン３１を上昇させることができる。また、アーム２１０の枝部の間に貫通孔２１が位置するようにしているので、貫通孔２１を通った昇降ピン３１は、枝部の間を通って被処理基板Ｗの底面側を良好に支持することができる。

次に、図３（ｃ）に示すように、昇降ピン３１に支持された被処理基板Ｗの底面側からアーム２１０を退去させる。アーム２１０の枝部はＹ方向に延びており枝部の間に昇降ピン３１が位置しているので、例えばアーム２１０をＹ方向に移動させることにより、迅速にアーム２１０を退去させることができ、作業性を向上させることができる。また、図２（ｃ）に示したように、第１レール１０の内側及び外側に昇降ピン３１を配置しているので、被処理基板Ｗを中央部及び周縁部で支持することができ、被処理基板Ｗのたわみが低減される。

次に、図３（ｄ）に示すように、昇降ピン３１を、その上面が可動子２０の底面よりも低くなるように下降させる。これにより、被処理基板Ｗは可動子２０の上面（載置面）に載置される。次いで、被処理基板Ｗを前記固定手段により可動子２０に着脱可能に固定する。そして、前記第１方向制御手段により、第１レール１０と第２レール４０とが交差する領域、すなわちプロセスエリアに可動子２０を移動させる。本発明においては、可動子２０から基板昇降機構３０を独立させており、基板昇降機構を備えた可動子に比べて、可動子２０が軽量化される。したがって、可動子２０を高速に移動させることができ、スループットを短縮することができる。

また、被処理基板Ｗをプロセスエリアに搬送するには、被処理基板Ｗが載置された可動子２０を第２レール４０の下を通す必要があるため、当然ながら第２レール４０は被処理基板Ｗよりも高い位置に設ける必要がある。ここで、可動子２０から基板昇降機構３０を独立させており、可動子２０を薄型化しているので、基板昇降機構を備えた可動子よりも、第２レール４０の位置を低くすることができる。
例えば、基板昇降機構を備えた可動子の大きさとしては、正方形の一辺が２５００ｍｍ程度のものであれば、厚さが４００ｍｍ程度である。一方、本実施形態の可動子２０の大きさは正方形の一辺は同程度であるが、厚さが９０ｍｍ程度と格段に薄くなっている。本実施形態では、可動子２０を薄型化した分だけ第２レール４０を低くしており、第２レール４０を支持する支柱６１（図２（ｃ）参照）も短く（低く）なっている。したがって、支柱６１上の構造部の重量による支柱６１の変形量が小さくなり、変形による第１レール１０と第２レール４０との相対位置変化が格段に低減される。よって、被処理基板Ｗと液滴吐出ヘッド３００との相対位置を精度良く制御することできるようになっている。

次に、図３（ｅ）に示すように前記プロセスエリアにおいて、可動子２０をＹ方向に移動させるとともに処理部５０をＸ方向に移動させて、被処理基板Ｗと液滴吐出ヘッド３００との相対位置を変化させつつ、液滴吐出ヘッド３００から液状材料等の機能液を吐出して、これを被処理基板Ｗの所定位置に配する。前記のように可動子２０を軽量化しているので、可動子２０の慣性力が小さくなり、可動子２０の位置を精度良く制御することができる。また、第２レール４０を支持する支柱６１を低くしているので、その固有振動数が高くなり、支柱６１に共振を生じにくくなっている。したがって、共振により液滴吐出ヘッド３００の位置が所定位置からずれることがなく、所定位置から機能液を吐出することができる。このように、ＸＹステージ１００を用いることにより、被処理基板Ｗの位置及び液滴吐出ヘッド３００の位置を精度良く制御することができるので、被処理基板Ｗの所定位置に精度良く機能液を配することができる。また、支柱６１を低くしているので、支柱６１の強度を高めることができ、液滴吐出ヘッド３００を高速で移動させても支柱６１に変形や振動が生じない。このため、処理時間を短縮することができる。

本発明の処理ステージ（ＸＹステージ）にあっては、可動子２０と基板昇降機構３０とを分離して可動子２０を軽量化しているので、可動子２０を高速にかつ精度良く移動させることができる。したがって、スループットを短縮することが可能となるとともに、被処理基板Ｗに所定の処理を良好に行うことが可能となる。また、可動子２０を軽量化したことにより、これを移動させる駆動手段として駆動力が小さなものを用いることができ、装置コストやランニングコストを低減することができる。

また、可動子を軽量化することが可能であるため、基板の大型化に対応させることも容易である。これにより、大型のデバイスを製造することや、複数枚取りの大型基板に一括して処理を行い、効率良くデバイスを製造することが可能となる。また、可動子２０を薄型化したことにより、例えば第２レール４０等の上部構造の重量による位置精度の低下を防止することができ、被処理基板Ｗに良好な位置精度で処理を行うことが可能となっている。また、本発明を液滴吐出装置に適用すれば、液滴吐出法によりデバイスを低コストで製造することできることに加えて、パターニング精度を向上させることができるので歩留り等が改善され、良好にデバイスを製造することが可能となる。

なお、前記実施形態では、基板に処理を行う処理装置の例として液滴吐出装置を挙げて説明を行ったが、各種検査装置や、レーザーアニール装置等の熱処理装置、露光装置等様々な処理装置に適用が可能である。また、可動子２０が少なくとも第１方向に移動する処理ステージにおいては、本発明の効果を得ることができ、例えば処理部が固定されており、被処理基板を第１方向に移動させながらライン処理する処理ステージ、あるいは可動子が第１方向及び第２方向に移動することにより、被処理基板と処理部との相対位置を変化させて処理を行う処理ステージ等においても、本発明の効果が得られる。
また、第１レールとしては、２本の副レールからなるもの以外に、１本あるいは３本以上からなるものを採用してもよい。

本発明の処理ステージの構成を概略して示す斜視図である。 （ａ）は可動子を拡大して示す斜視図、（ｂ）は基板昇降機構を拡大して示す斜視図、（ｃ）はＸＹステージの側面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の処理ステージの使用例を示す側面図である。

符号の説明

１０・・・第１レール、２０・・・可動子、３０・・・基板昇降機構、４０・・・第２レール、５０・・・処理部、１００・・・ＸＹステージ（処理ステージ）

Claims (5)

1. 被処理基板が載置される載置面を有する可動子と、
   前記被処理基板に所定の処理を行う処理装置が設置される処理部と、
   前記可動子と前記処理部との相対位置を変化させる位置制御手段と、
   前記載置面と該載置面よりも高い位置との間において前記被処理基板を昇降可能な基板昇降機構と、を備え、
   前記位置制御手段は、第１方向に延びる第１レールと、該第１レール上において前記可動子を前記基板昇降機構と独立して移動させる第１方向制御手段と、を有し、
   前記基板昇降機構は、前記被処理基板を支持する複数の昇降ピンを有し、
   前記可動子は、前記昇降ピンが貫通可能な複数の貫通孔と、前記載置面に設けられた吸引孔により前記被処理基板を着脱可能に吸引固定する固定手段と、を有し、
   前記第１レールは第１方向に延びる複数の副レールからなり、
   前記昇降ピンは前記第１レールの内側および外側に配置され、前記被処理基板をその周縁部及び中央部で支持しており、
   前記可動子を移動させながら前記被処理基板に前記処理部で処理を行うことを特徴とする処理ステージ。
2. 前記基板昇降機構は、前記第１レールに固定されていることを特徴とする請求項１に記載の処理ステージ。
3. 前記基板昇降機構は、前記第１レールの端部に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の処理ステージ。
4. 前記位置制御手段は、前記第１方向と異なる第２方向に延びる第２レールと、該第２レールに沿って前記処理部を移動させる第２方向制御手段と、を有しており、前記第２レールが前記可動子の上方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の処理ステージ。
5. 前記処理装置が液滴吐出装置であることを特徴とする請求項４に記載の処理ステージ。

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