JP5042709B2 - 半導体装置の検査方法および検査装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＣＯＦ実装など、基板に対して半導体素子をフリップチップ接合した半導体装置に対し、基板と半導体素子との接合面における異物混入を検査するための検査方法および検査装置に関するものである。

近年、携帯電話情報端末などの電子機器においては小型軽量化が進んでおり、それに呼応してこれらの電子機器に組み込まれる半導体集積回路自体にも、小型軽量化や高密度実装化が求められている。

半導体集積回路等（以下、半導体装置と称する）の小型化および高密度実装化を達成する有力な方法としては、フリップチップ接合が広く用いられている。フリップチップ接合では、半導体素子に実装用の突起電極（いわゆる、バンプ電極）を形成し、突起電極をフレキシブルテープ基板等に金と錫との共晶を用いて接合し、テープモジュールとしてユーザーに供給する（いわゆる、ＣＯＦ(Chip on Film)実装）。

フリップチップ接合を用いたＣＯＦ実装では、モールドパッケージからＬＳＩチップをフレキシブルなテープ基板にベアチップ状態で実装し、薄く、小さく、更に商品に組み込みやすい形態で部品を提供することができる。

ここで、ＣＯＦ実装のプロセスでは、図５に示すように、個片にカットされたＬＳＩチップをパターン面（バンプ電極形成面）を下にして配線を引き回したフレキシブルテープ基板に熱と圧力を加えて接合を行う（いわゆる、インナーリードボンド工程）。その後、テープ基板とＬＳＩチップとの間に絶縁性の樹脂を充填した後に樹脂硬化させ、ＬＳＩチップの電極表面を封止状態にする。

上記のような半導体装置の製造工程においては、良品と不良品とを選別するための検査工程が存在する。現在、ＬＳＩチップやテープ基板の配線パターンについて、外観検査を行なう検査装置が存在する（特許文献１，２参照）。また、特許文献３には、ＬＳＩチップの搭載面側より赤外線を用いてフリップチップ接合面を観察し、パッド剥がれやパッドクラック等の接合部不良を検出する検査方法が提案されている。
特開２００４−８５５４３号公報（公開日：２００４年３月１８日） 特開２００６−１７０９２１号公報（公開日：２００６年６月２９日） 特開平９−３１２３１７号公報（公開日：１９９７年１２月２日）

上記ＣＯＦ実装では、ＬＳＩチップとテープ基板とのフリップチップ接合面に異物がかみこむと、配線間ショートを引き起こしたりして、信頼性に不具合を生じる。例えば、ＬＳＩチップとテープ基板とのパターン面の間に導電性の異物が存在すると、配線間のショートを引き起こす。また、絶縁性の異物であっても温度ストレスによる熱収縮差により、ＬＳＩチップとテープのパターン面の間で隙間が生じ、封止性が劣化してくる。

そのため、インナーリードボンド工程（以下ＩＬＢと称する）及び樹脂封止工程では、異物を付着させないように細心の注意を払って生産が行われるが、異物の付着をゼロにすることは困難である。したがって、ＣＯＦ実装された半導体装置では、フリップチップ接合後の製品に対して検査を行ない、良品と不良品とを識別することが必要となる。しかしながら、ＬＳＩチップとテープ基板とのフリップチップ接合面に対して外観検査を行なう装置は現在存在していない。これは、以下の理由による。

例えば、ＣＯＦ実装された半導体装置において、フリップチップ接合面における異物かみこみを検出するには、テープ基板側から接合面を観察して異物を検出することが考えられる。しかしながら、通常、テープ基板の裏面（フリップチップ接合面とは反対側の面）においては、多くの傷や異物の付着が生じている。このため、テープ基板側から接合面を観察した場合、フリップ接合面における異物以外に、テープ基板の裏面における傷や異物の付着も同時に検出してしまう。そして、フリップチップ接合面に付着した異物とテープ基板の裏面付着した異物とを識別することは困難であるため、これまで、ＬＳＩチップとテープ基板とのフリップチップ接合面に対して外観検査を行なう装置は存在していなかった。

また、特許文献３のように、ＬＳＩチップの搭載面側から赤外線を用いて異物を検出する方法では、ＬＳＩチップ基板であるＳｉ基板を透過することにより検出感度が劣ることになる。さらに、赤外線を用いることにより赤外線に反応する異物しか検出できないなどの欠点があり、このため特許文献３の検査は、パッド剥がれやパッドクラック等の配線不良に限定されるものとなり、フリップチップ接合面における異物かみこみを検出することはできない。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、フリップチップ実装部における異物のかみこみ等の欠陥を、外観検査によって効率良くかつ精度良く検出することのできる検査装置および検査方法を実現することにある。

本発明に係る検査方法および検査装置は、上記課題を解決するために、基板に対して半導体素子をフリップチップ接合してなる半導体装置に対し、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像とを撮像し、上記撮像画像と同一座標に合わせたレファレンス画像とを比較することによって、上記撮像画像において映っている欠陥部を抽出する際に、上記レファレンス画像を、上記フリップチップ接合面用と上記基板裏面用とで、撮像の焦点深度に応じて異ならせることによって、上記フリップチップ接合面での撮像画像と、上記基板裏面での撮像画像とのそれぞれにおける上記欠陥部を抽出する欠陥抽出処理を行い、上記両方の撮像画像に存在する上記欠陥部の色調レベルを比較することによって、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであるか、あるいは、基板裏面に存在するものであるかを識別することを特徴としている。
本発明の参考に係る検査方法および検査装置は、上記課題を解決するために、基板に対して半導体素子をフリップチップ接合してなる半導体装置に対し、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像とを撮像し、上記両方の撮像画像に存在する欠陥部の色調レベルを比較することによって、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであるか、あるいは、基板裏面に存在するものであるかを識別することを特徴としている。

上記の構成によれば、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像とに存在する欠陥部の色調レベルを比較することによって、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであるか、あるいは、基板裏面に存在するものであるかを識別することができる。

このため、半導体装置の不良品となるフリップチップ接合面の欠陥と、半導体装置の不良品とはならない基板裏面の欠陥とを識別して検出できるため、外観検査によって効率良くかつ精度良く半導体装置におけるフリップチップ接合面の検査を行なうことができる。

また、上記半導体装置においては、フリップチップ接合面に対する上記撮像画像と基板裏面に対する上記撮像画像とは、何れも基板裏面側から撮像されたものであることが好ましい。

上記の構成によれば、撮像のための読取光が半導体素子のシリコンチップによって遮断されることがないため、高精細な撮像画像が得られ、欠陥の検出精度が向上する。

また、上記半導体装置においては、基板裏面に対する撮像画像の撮像時には、フリップチップ接合面に対する撮像画像の撮像の焦点深度に対して、所定のオフセット量だけ焦点深度をずらして焦点を設定することが好ましい。

上記の構成によれば、基板裏面撮像時の焦点調整が迅速に行なわれ、検査工程における時間を短縮することができる。

本発明に係る検査方法および検査装置は、基板に対して半導体素子をフリップチップ接合してなる半導体装置に対し、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像とを撮像し、上記撮像画像と同一座標に合わせたレファレンス画像とを比較することによって、上記撮像画像において映っている欠陥部を抽出する際に、上記レファレンス画像を、上記フリップチップ接合面用と上記基板裏面用とで、撮像の焦点深度に応じて異ならせることによって、上記フリップチップ接合面での撮像画像と、上記基板裏面での撮像画像とのそれぞれにおける上記欠陥部を抽出する欠陥抽出処理を行い、上記両方の撮像画像に存在する上記欠陥部の色調レベルを比較することによって、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであるか、あるいは、基板裏面に存在するものであるかを識別する構成である。
本発明の参考に係る検査方法および検査装置は、以上のように、基板に対して半導体素子をフリップチップ接合してなる半導体装置に対し、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像とを撮像し、上記両方の撮像画像に存在する欠陥部の色調レベルを比較することによって、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであるか、あるいは、基板裏面に存在するものであるかを識別する構成である。

それゆえ、半導体装置の不良品となるフリップチップ接合面の欠陥と、半導体装置の不良品とはならない基板裏面の欠陥とを識別して検出できるため、外観検査によって効率良くかつ精度良く半導体装置におけるフリップチップ接合面の検査を行なうことができるといった効果を奏する。

本発明の一実施形態について図１ないし図４に基づいて説明すると以下の通りである。先ずは、本実施の形態に係る検査装置の概略構成を図２を参照して説明する。尚、以下の説明において、披検査物である半導体装置２０は、図３に示すように、ＬＳＩチップ２１をテープ基板２２にフリップチップ接合してなるＣＯＦ実装の半導体装置を例示する。但し、本発明の検査装置および検査方法は、ＣＯＦ実装の半導体装置に限定されるものではなく、実装基板と半導体素子とをフリップ接合したものであれば、ＣＯＧ(Chip On Glass)、ＴＣＰ(Tape Career Package)、ＳＯＦ(System On Film)等の他の実装方法を用いた半導体装置にも適用可能である。

本実施の形態に係る検査装置１は、図２に示すように、ＣＰＵ１０、メモリ１１、制御回路１２、発光素子（例えば、レーザダイオード）１３、受光素子（例えば、ＣＣＤ）１４、ドライバ１５、ステージ１６を備えて構成されている。検査装置１は、大略的には、発光素子（例えば、レーザダイオード）１３、受光素子（例えば、ＣＣＤ）１４、ドライバ１５、およびステージ１６を含む撮像装置と、ＣＰＵ１０およびメモリ１１を含む欠陥検出装置とから構成されるが、本願発明は、欠陥検出装置のアルゴリズムに特徴を有するものである。このため、撮像装置については、ＬＳＩチップやテープ基板について外観検査を行なう従来の検査装置と同様の構成を用いることができる。

検査装置１において、披検査物である半導体装置２０は、テープ基板裏面（ＬＣＤチップが搭載されない側の面）を上にしてステージ１６に載置される。半導体装置２０には、テープ基板裏面から発光素子１３によって読取光が照射され、その反射光が受光素子１４によって受光される。半導体装置２０と発光素子１３および受光素子１４との間には、図示しない光学系が存在しており、該光学系に含まれる対物レンズの位置を調整することなどにより、半導体装置２０に対して所望の焦点深度によって読み取りを行なえるようになっている。また、ステージ１６はＸ−Ｙステージであり、半導体装置２０を読取光の焦点に対して相対的に移動させながら、半導体装置２０に対する所望の面を読み取ることができるようになっている。

発光素子１３は、制御回路１２を介してＣＰＵ１０によって制御される。ステージ１６は、制御回路１２およびドライバ１５を介してＣＰＵ１０によって制御される。また、受光素子１４による読取データは、制御回路１２を介してＣＰＵ１０に取り込まれ、メモリ１１に格納される。

続いて、本実施の形態に係る検査方法手順について詳細に説明する。本検査方法においては、図３に示すように、半導体装置２０のテープ基板裏面からテープ基板裏面とフリップチップ接合面との両面に対して読み取りを行なう。

このとき、焦点深度の調整を行なうにあたっては、フリップチップ接合面の読み取りを行う場合には、目視にてピントを合わせて焦点調節を行っても良いが、オートフォーカス機能を用いて焦点調節を行なうことが好ましい。このようなオートフォーカス機能は従来の検査装置において種々の方式が提案されており、本発明ではオートフォーカス方式は特に限定されるものではない。

また、テープ基板裏面の読み取りを行う場合には、フリップチップ接合面の場合と同様に該テープ基板裏面に対して直接的に焦点調整を行なっても良いが、テープ基板裏面に対して焦点調整を行なう場合には、フリップチップ接合面の場合とは異なり、配線パターンのような焦点調整の対象がなく困難である。このため、フリップチップ接合面に対して設定された焦点から所定のオフセット量で焦点をずらすことにより、テープ基板裏面に対して焦点を設定することが好ましい。また、テープ基板には一般的にはポリイミドが用いられるが、テープ基板裏面に対して焦点を設定するときには、フリップチップ接合面の読取時に透過するテープ基板の材質の屈折率を考慮して、上記オフセット量を決定することが好ましい（テープ基板裏面とフリップチップ接合面との物理的距離をオフセット量としないことが好ましい）。

尚、半導体装置２０においてＬＳＩチップ２１とテープ基板２２とのフリップチップ接合部は、その接合方向においてある程度の範囲を有する。フリップチップ接合部が範囲を有することは、ＬＳＩチップ２１において形成されているバンプ電極３の厚さ（約１８μｍ）とテープ基板２２において形成されているインナーリード２４の厚さ（約８μｍ）とに起因し、テープ基板２２の表面からＬＳＩチップ２１のＳｉチップ裏面までの範囲がフリップチップ接合部と見なされる。このため、本明細書中において、フリップチップ接合面とは、上記フリップチップ接合部の範囲内における任意の面を指すものとする。

こうした読み取りによって得られた画像データの例を図４（ａ），（ｂ）に示す。図４（ａ）はフリップチップ接合面での撮像画像、図４（ｂ）はテープ基板裏面での撮像画像を示す図である。

図４（ａ），（ｂ）に示される撮像画像には、テープ基板２２に形成されている配線パターンのみならず、多くの異物が映っている。しかしながら、これらの異物は、撮影面に存在している異物のみが映っているわけではない。すなわち、図４（ａ）の撮像画像において映っている異物は、フリップチップ接合面に存在する異物だけでなく、テープ基板裏面に付着した異物も存在している。このため、フリップチップ接合面での撮像画像のみから、フリップチップ接合面に存在する異物とテープ基板裏面に付着した異物とを区別し、半導体装置の良品と不良品とを識別することは不可能である。

このため、本実施の形態に係る検査方法は、フリップチップ接合面での撮像画像とテープ基板裏面での撮像画像とを比較し、その比較に基づいてフリップチップ接合面に存在する異物とテープ基板裏面に付着した異物とを区別し、半導体装置の不良品を判定するアルゴリズムに特徴を有するものである。

上記判定は、図２に示すＣＰＵ１０およびメモリ１１を含む欠陥検出部によって行なわれる。上記判定を行なうためのＣＰＵ１０およびメモリ１１より詳細なブロック図を図１に示す。

図１に示すように、ＣＰＵ１０は、欠陥抽出部１０１、比較部１０２、判定部１０３を備えて構成されている。また、メモリ１１には、撮像画像およびリファレンス画像が格納されている。

欠陥抽出部１０１は、図４（ａ），（ｂ）に示すような撮像画像に対して、これを同一座標に合わせたリファレンス画像と比較することによって、撮像画像において映っている異物やキズ等の欠陥部分のみを抽出する。すなわち、撮像画像には異物やキズ等の欠陥部分だけでなく配線パターンも移っているため、撮像画像とリファレンス画像との差分を取ることによって撮像画像から欠陥部分のみを抽出する。つまり、ここで用いられるリファレンス画像とは、欠陥部分が映っていない配線パターンのみの画像である。このようなリファレンス画像は、検査前に予めメモリ１１に記憶しておく。

また、欠陥抽出部１０１による撮像画像からの欠陥抽出処理は、フリップチップ接合面での撮像画像、およびテープ基板裏面での撮像画像のそれぞれに対して行なわれる。このとき、使用されるリファレンス画像は、フリップチップ接合面用とテープ基板裏面用とで異ならせることが好ましい。これは、もちろん、フリップチップ接合面での撮像画像とテープ基板裏面での撮像画像とでは、焦点深度の違いにより配線パターンの映り込み度合いが異なるためである。

フリップチップ接合面での撮像画像およびテープ基板裏面での撮像画像のそれぞれに対して欠陥抽出処理が行われると、その結果得られる２つの欠陥抽出画像が比較され、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものか、あるいは、テープ基板裏面に存在するものかの識別がなされる。具体的には、以下の手法による。

まず、フリップチップ接合面での撮像画像における任意の座標の欠陥の色調レベルをＡ１とする。さらに、テープ基板裏面での撮像画像における同一座標に存在する欠陥の色調レベルをＢ１とする。このＡ１とＢ１との色調レベルの比較により、異物の存在する面を特定する。ここで、上記色調レベルはグレーレベルが高い（濃い）方が値が低いものとすれば、(1) Ａ１＞Ｂ１の場合はテープ基板裏面の異物、(2) Ａ１＜Ｂ１の場合はフリップチップ接合面の異物であると特定できる。

具体例として、図４（ａ），（ｂ）に示される欠陥Ｐ，Ｑを用いて説明する。図４（ａ），（ｂ）において、欠陥Ｐ，Ｑに対して示されている数字は、該欠陥の色調レベルを表すものである。尚、図４（ａ），（ｂ）は説明用の例示画像であるため、配線パターンが削除された欠陥抽出処理後の画像ではないが、実際には欠陥抽出処理後の画像に対して、上記判定が行なわれる。

欠陥Ｐについては、図４（ａ）に示すフリップチップ接合面での撮像画像での色調レベルが６８であり、図４（ｂ）に示すテープ基板裏面での撮像画像での色調レベルが８５である。これより、欠陥Ｐについては、フリップチップ接合面での色調レベルが高い（濃い）ため、該欠陥Ｐは、フリップチップ接合面に存在する異物を検出したものであると識別できる。

次に、欠陥Ｑについては、図４（ａ）に示すフリップチップ接合面での撮像画像での色調レベルが６２であり、図４（ｂ）に示すテープ基板裏面での撮像画像での色調レベルが１７である。これより、欠陥Ｑについては、テープ基板裏面での色調レベルが高い（濃い）ため、該欠陥Ｑは、テープ基板裏面に存在する異物を検出したものであると識別できる。

こうして、比較部１０２によって、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものか、あるいは、テープ基板裏面に存在するものかの識別がなされると、その識別結果は判定部１０３へ送られる。判定部１０３では、フリップチップ接合面に存在する欠陥が検出された半導体装置については不良品と判定し、フリップチップ接合面に存在する欠陥が検出されなかった半導体装置については良品と判定する。

尚、上記説明の欠陥検査においては、フリップチップ接合面の欠陥検出が目的でありテープ基板裏面の欠陥はリジェクトするが、目的に応じてはフリップチップ接合面およびテープ基板裏面の両面の欠陥をリストアップしたり、テープ基板裏面のみの欠陥をリストアップすることも可能である。

また、上記説明の検査は、特にフリップチップ接合面での異物検出を想定しており、この場合は、ＬＳＩチップを樹脂封止する工程前でも工程後であってもよい。但し、ＬＳＩチップを樹脂封止する工程後に上記検査を行なった場合は、封止樹脂に気泡が入っているなどの充填不良をも上記検査によって検出することが可能となる。

また、以上説明した上記欠陥検出装置における処理機能（すなわち、欠陥判定処理）は、プログラムで実現される。上記欠陥検出装置をコンピュータにて実現させる制御プログラム、およびそれを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体も、本発明の範疇に入る。

すなわち、欠陥検出装置は、各機能を実現する制御プログラムの命令を実行するＣＰＵ（central processing unit）、上記プログラムを格納したＲＯＭ（read only memory）、上記プログラムを展開するＲＡＭ（random access memory）、上記プログラムおよび各種データを格納するメモリ等の記憶装置（記録媒体）などを備えている。そして、本発明の目的は、上述した機能を実現するソフトウェアである欠陥検出装置の制御プログラムのプログラムコード（実行形式プログラム、中間コードプログラム、ソースプログラム）をコンピュータで読み取り可能に記録した記録媒体を、上記欠陥検出装置に供給し、そのコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記録媒体に記録されているプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成可能である。

上記記録媒体としては、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ系、フロッピー（登録商標）ディスク／ハードディスク等の磁気ディスクやＣＤ−ＲＯＭ／ＭＯ／ＭＤ／ＤＶＤ／ＣＤ−Ｒ等の光ディスクを含むディスク系、ＩＣカード（メモリカードを含む）／光カード等のカード系、あるいはマスクＲＯＭ／ＥＰＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ／フラッシュＲＯＭ等の半導体メモリ系などを用いることができる。

また、欠陥検出装置を通信ネットワークと接続可能に構成し、上記プログラムコードを通信ネットワークを介して供給してもよい。この通信ネットワークとしては、特に限定されず、例えば、インターネット、イントラネット、エキストラネット、ＬＡＮ、ＩＳＤＮ、ＶＡＮ、ＣＡＴＶ通信網、仮想専用網（virtual private network）、電話回線網、移動体通信網、衛星通信網等が利用可能である。また、通信ネットワークを構成する伝送媒体としては、特に限定されず、例えば、ＩＥＥＥ１３９４、ＵＳＢ、電力線搬送、ケーブルＴＶ回線、電話線、ＡＤＳＬ回線等の有線でも、ＩｒＤＡやリモコンのような赤外線、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、８０２．１１無線、ＨＤＲ、携帯電話網、衛星回線、地上波デジタル網等の無線でも利用可能である。なお、本発明は、上記プログラムコードが電子的な伝送で具現化された、搬送波に埋め込まれたコンピュータデータ信号の形態でも実現され得る。

基板に対して半導体素子をフリップチップ接合した半導体装置に対し、基板と半導体素子との接合面における異物混入を外観検査することができ、ＣＯＦ、ＣＯＧ、ＴＣＰ、ＳＯＦ等の実装方法を用いた半導体装置に適用できる。

本発明の実施形態を示すものであり、検査装置における欠陥検出部の要部構成を示すブロック図である。 本発明の実施形態を示すものであり、検査装置の要部構成を示すブロック図である。 披検査物である半導体装置と撮像画像面との関係を示す図である。 図４（ａ）はフリップチップ接合面での撮像画像、図４（ｂ）はテープ基板裏面での撮像画像を示す図である。 半導体装置において、ＬＳＩチップをテープ基板にフリップチップ接合する方法を示す図である。

符号の説明

１ 検査装置
１０ ＣＰＵ（欠陥検出装置）
１１ メモリ（欠陥検出装置）
１２ 制御回路
１３ 発光素子（撮像装置）
１４ 受光素子（撮像装置）
１５ ドライバ（撮像装置）
１６ ステージ（撮像装置）
２０ 半導体装置
２１ ＬＳＩチップ（半導体素子）
２２ テープ基板（基板）
１０１ 欠陥抽出部
１０２ 比較部
１０３ 判定部

Claims (6)

1. 基板に対して半導体素子をフリップチップ接合してなる半導体装置に対し、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像とを撮像し、上記撮像画像と同一座標に合わせたレファレンス画像とを比較することによって、上記撮像画像において映っている欠陥部を抽出する際に、上記レファレンス画像を、上記フリップチップ接合面用と上記基板裏面用とで、撮像の焦点深度に応じて異ならせることによって、上記フリップチップ接合面での撮像画像と、上記基板裏面での撮像画像とのそれぞれにおける上記欠陥部を抽出する欠陥抽出処理を行い、
   上記両方の撮像画像に存在する上記欠陥部の色調レベルを比較することによって、各欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであるか、あるいは、基板裏面に存在するものであるかを識別することを特徴とする検査方法。
2. フリップチップ接合面に対する上記撮像画像と基板裏面に対する上記撮像画像とは、何れも基板裏面側から撮像されたものであることを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
3. 基板裏面に対する撮像画像の撮像時には、フリップチップ接合面に対する撮像画像の撮像の焦点深度に対して、所定のオフセット量だけ焦点深度をずらして焦点を設定することを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
4. 基板に対して半導体素子をフリップチップ接合してなる半導体装置に対し、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像と、上記撮像画像と同一座標に合わせたレファレンス画像とを入力とし、上記撮像画像と上記レファレンス画像とを比較することによって、上記撮像画像において映っている欠陥部を抽出する際に、上記レファレンス画像を、上記フリップチップ接合面用と上記基板裏面用とで、撮像の焦点深度に応じて異ならせることによって、上記フリップチップ接合面での撮像画像と、上記基板裏面での撮像画像とのそれぞれにおける上記欠陥部を抽出する欠陥抽出部と、
   上記両方の撮像画像に存在する上記欠陥部の色調レベルを比較し、フリップチップ接合面に対する撮像画像での色調レベルが基板裏面に対する撮像画像に対する撮像画像での色調レベルよりも高い場合に、該欠陥がフリップチップ接合面に存在するものであると判断する比較部と、
   上記比較部において、フリップチップ接合面に存在する欠陥が検出された半導体装置を不良品と判定する判定部とを備えていることを特徴とする欠陥検出装置。
5. 上記請求項４に記載の欠陥検出装置と、
   基板に対して半導体素子をフリップチップ接合してなる半導体装置に対し、フリップチップ接合面に対する撮像画像と基板裏面に対する撮像画像とを撮像して、これらの撮像画像を上記欠陥検出装置へ入力する撮像装置とを備えていることを特徴とする検査装置。
6. 上記請求項４に記載の欠陥検出装置を動作させるためのデータ処理プログラムであって、
   コンピュータを上記各機能部として機能させるためのデータ処理プログラム。