JP5043600B2 - Organic EL element panel - Google Patents
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Description
本発明は有機EL素子パネルに関する。 The present invention relates to an organic EL element panel.
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機EL素子パネルが、注目されている。 In recent years, organic EL element panels, which are self-luminous devices, have attracted attention as flat panel displays.
通例、有機EL素子は、ガラス基板上に有機発光層が2つの電極の間に挟まれたサンドイッチ構造とされている。前記有機発光層の光を外に取り出せるようにするために、電極の片方は透明のものが使われており、一般的には陽極にITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極が使われている。更に、前記有機EL素子の外周面は封止材により封止され、外部駆動回路により電流を流すことで発光する。 Usually, an organic EL element has a sandwich structure in which an organic light emitting layer is sandwiched between two electrodes on a glass substrate. In order to extract light from the organic light emitting layer to the outside, one of the electrodes is transparent, and a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is generally used for the anode. . Furthermore, the outer peripheral surface of the organic EL element is sealed with a sealing material, and emits light when a current is passed through an external drive circuit.
以上の原理により発光する有機EL素子は、視認性とフレキシブル性に優れ且つ発色性が多様であることから、車載用カーコンポや携帯電話等のディスプレイや表示素子に利用されており、有機EL素子の開発が盛んである。 Organic EL elements that emit light based on the above principle are excellent in visibility and flexibility, and have various color development properties. Therefore, they are used in displays and display elements such as in-vehicle car components and mobile phones. Development is thriving.
これらの特性を有する有機EL素子パネルではあるが、一方で有機EL素子は水分に対して極めて弱いという問題がよく知られている。一例としては、有機発光層を形成したガラス基板を封止する際の環境雰囲気中に含まれる水分や封止層の欠陥部を透過してくる水分が、有機EL素子中に浸入する。そのことにより、ダークスポットと称する非発光領域が発生し、発光が維持できなくなるといった寿命の課題が生じている。 Although it is an organic EL element panel having these characteristics, the problem that the organic EL element is extremely weak against moisture is well known. As an example, moisture contained in an environmental atmosphere when sealing a glass substrate on which an organic light emitting layer is formed or moisture that permeates through a defective portion of the sealing layer enters the organic EL element. As a result, a non-light-emitting region called a dark spot is generated, and there is a problem in life that light emission cannot be maintained.
この有機EL素子の寿命に関する課題を解決するための1つの方策として、有機EL素子の保護膜の開発が盛んで、保護膜を有機発光層の上から周辺の広い範囲まで形成して外部からの水分を遮断するという方法が用いられている。 As one measure for solving the problem relating to the lifetime of the organic EL element, a protective film for the organic EL element has been actively developed, and the protective film is formed from the outside of the organic light emitting layer to a wide range around the outside. A method of blocking moisture is used.
特許文献1に有機EL素子を覆うように多層構成の保護膜をプラズマCVDで形成する方法が開示されている。
一方、有機EL素子パネルは高輝度、高視野角はもちろんのこと更なる軽量、薄型、狭額縁等が要求されている。そこで、特許文献2に有機EL素子パネルの狭額縁化ができる配線方法が開示されている。
On the other hand, the organic EL element panel is required to have not only high brightness and high viewing angle but also lighter weight, thinner thickness, narrow frame, and the like. Therefore,
ところで、前記有機EL素子の電極端子部において、異方性導電フィルム(ACF)を用いて、複数の電極端子部に対応する外部接続電極であるフレキシブルプリント基板(FPC)等との接合を加熱圧着により行う方法が一般的に用いられている。 By the way, in the electrode terminal portion of the organic EL element, an anisotropic conductive film (ACF) is used to bond the flexible printed circuit board (FPC), which is an external connection electrode corresponding to the plurality of electrode terminal portions, by thermocompression bonding. The method performed by is generally used.
通常、電極端子部は基板端部に位置し、電極端子部に保護膜が形成されないようにマスクなどで膜の形成を防止している。そのため、保護膜が形成された有機EL素子では、保護膜の最終端から外に露出している電極端子部(電極の露出部)にACFを介してFPCを接合している。 Usually, the electrode terminal portion is located at the end of the substrate, and the formation of a film is prevented by a mask or the like so that a protective film is not formed on the electrode terminal portion. Therefore, in the organic EL element in which the protective film is formed, the FPC is bonded via the ACF to the electrode terminal portion (exposed portion of the electrode) exposed to the outside from the final end of the protective film.
図8は、従来の有機EL素子パネルにおいて、外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。図9(a)は、図8の点Cから点C’間を模式的に示す部分断面図である。図9(b)は、図8の点Cから点C’間において外部接続電極を接合した状態を模式的に示す部分断面図である。 FIG. 8 is a top view schematically showing a stage before joining external connection electrodes in a conventional organic EL element panel. FIG. 9A is a partial cross-sectional view schematically showing between the point C and the point C ′ in FIG. FIG. 9B is a partial cross-sectional view schematically showing a state in which the external connection electrode is joined between the point C and the point C ′ in FIG. 8.
以下に、図示した有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。 Hereinafter, the illustrated organic EL element panel will be described in accordance with a manufacturing method.
まず、基板41上に下部電極42を形成する。その上に有機層43を形成する。有機層43は少なくとも1つの有機層から構成されている。その上に上部電極44を形成し、さらにその上部にプラズマCVDにより保護膜45を形成する。保護膜45は、電極端子部46、47の必要な長さ、例えば1.5mm部分には形成されないようにマスクを用いてカバーした領域以外の全面に形成する。続いて、電極端子部46、47にACF(不図示)を用いてFPC48を熱圧着により接合して有機EL素子パネルを作製する。
First, the
しかしながら、上記特許文献1のようにプラズマCVDにより形成した保護膜は、マスク端部に膜厚分布が発生して保護膜が端になるほど徐々に膜厚が薄くなる斜面形状となる。
However, the protective film formed by plasma CVD as in
そのため、十分に長期安定化性能を達成するためには、基板の凹凸部のカバレッジ性やマスク端部の膜厚分布が、素子の形状を考慮しつつ、最端部の素子などを十分にカバーできる膜厚にしなくてはならない。したがって、素子端から電極端子部までの間の成膜距離を長くとらなくてはならなかった。 Therefore, in order to achieve sufficiently long-term stabilization performance, the coverage of the uneven part of the substrate and the film thickness distribution of the mask edge sufficiently cover the element at the end while taking into account the element shape. The film thickness must be as high as possible. Therefore, the film forming distance from the element end to the electrode terminal portion has to be long.
さらに、保護膜が形成されていない電極端子部にFPCを実装しなくてはならないため、膜厚分布の発生長さ及び電極端子部長さの2つの距離が必要となり、狭額縁が困難であるという問題点があった。 Furthermore, since it is necessary to mount the FPC on the electrode terminal portion where the protective film is not formed, two distances are required, that is, the generation length of the film thickness distribution and the length of the electrode terminal portion, and it is difficult to narrow the frame. There was a problem.
また、特許文献2のように狭額縁を達成するために、全面に形成した保護膜下にある電極を基板と反対側の面に引き回すために、エッチングを行なって接続孔を形成し保護膜上に形成した電極と接続する方法がある。しかし、この方法であると接続孔のエッチング、更にその後に電極との接続用に導電体の形成、焼成等を行なわなければならないため、工程をいくつも追加し、コスト高となる問題点があった。また、基板と反対側の面全面を配線の引き回しに使用しているため、ボトムエミッションタイプの素子でしか使用できないという問題点があった。
Further, as in
また、狭額縁を得るために、電極端子部等の長さを短く形成し、従来の接合方法を使用して電極端子部のみにFPCを実装した場合、電極端子部は非常に短い距離しかない。そのため、端にストレスがかかり、剥がれが発生するとそこからの接合距離が短いため、すぐに全部が剥がれてしまうという接合強度に問題点があった。 In addition, in order to obtain a narrow frame, when the length of the electrode terminal portion or the like is formed short and the FPC is mounted only on the electrode terminal portion using a conventional joining method, the electrode terminal portion is only a very short distance. . For this reason, there is a problem in the bonding strength that stress is applied to the end and peeling occurs when the bonding distance is short, so that all of the peeling occurs immediately.
そこで、本発明は、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても外部接続電極の接合強度を確保することができ、故に狭額縁を得ることができる有機EL素子パネルを提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides an organic EL element panel that can ensure the bonding strength of the external connection electrode even if the exposed electrode length is short without increasing the cost and the process, and thus can obtain a narrow frame. The purpose is to provide.
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板の上に形成された第1電極と、有機発光層と、第2電極と、少なくともいずれか一方の電極の、前記基板の端部に位置する電極端子部を露出するように覆う保護膜と、を有し、
前記保護膜の端部には傾斜部が形成され、
前記電極端子部と前記保護膜の傾斜部との上に跨って、外部接続電極が異方性導電フィルムを介して接着され、前記電極端子部と前記外部接続電極とが電気的に接続されており、
前記異方性導電フィルムは導電粒子を含み、
前記導電粒子の径は、前記保護膜の厚みより大きいことを特徴とする。
As means for solving the above problems, the present invention provides:
A first electrode formed on the substrate, an organic light emitting layer, a second electrode, and a protective film covering at least one of the electrodes so as to expose an electrode terminal portion located at an end of the substrate; Have
An inclined part is formed at the end of the protective film,
Across the top of the inclined portion of the electrode terminal, a front Symbol protective film is adhered external connection electrodes through an anisotropic conductive film, and the electrode terminal portion and the external connection electrodes are electrically connected and,
The anisotropic conductive film includes conductive particles,
The diameter of the conductive particles is larger than the thickness of the protective film .
本発明の有機EL素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても外部接続電極の接合強度を確保することができ、故に狭額縁を得ることができる効果がある。 The organic EL element panel of the present invention has the effect of ensuring the bonding strength of the external connection electrode even if the exposed electrode length is short without increasing the cost and the process, and thus obtaining a narrow frame. is there.
以下、本発明の有機EL素子パネルの実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the organic EL element panel of the present invention will be described.
<実施形態1>
先ず、実施形態1の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。
<
First, the organic EL element panel of
図1は、実施形態1の有機EL素子パネルを模式的に示す部分断面図である。図2(a)は、電極端子部近傍でFPCを接合する前段階を模式的に示す部分断面図である。図2(b)は、電極端子部とFPCとをACF粒子で接合した状態を模式的に示す部分断面図である。図1については、ACFを省略している。図2(a)、(b)については、実際のサイズ比に近づけた模式図にしている。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view schematically showing the organic EL element panel of
図1、2において、1はTFT回路が形成されたガラス基板、2は陽極電極(第1電極)、3は有機層、4は陰極電極(第2電極)、5は保護膜、6は保護膜の傾斜部である。7は電極端子部(電極の露出部)、8はFPC(外部接続電極)、9はACF(異方性導電フィルム)、10は導電粒子、11は素子分離膜、12は平坦化膜である。 1 and 2, 1 is a glass substrate on which a TFT circuit is formed, 2 is an anode electrode (first electrode), 3 is an organic layer, 4 is a cathode electrode (second electrode), 5 is a protective film, and 6 is a protective film. It is an inclined part of the film. 7 is an electrode terminal portion (exposed portion of the electrode), 8 is an FPC (external connection electrode), 9 is an ACF (anisotropic conductive film), 10 is a conductive particle, 11 is an element isolation film, and 12 is a planarization film. .
まず、TFT回路が形成されたガラス基板1上にアクリル樹脂よりなる平坦化膜12をフォトリソグラフィー法にて形成し、回路による凹凸を平坦にする。
First, a
陽極電極2を形成する。陽極電極2はITOやIn2O3のような透明電極であってもよいし、あるいはAu、Ag、Al、Pt、Cr、Pd、Se、Ir、ヨウ化銅等やそれらを少なくとも1種含む合金等である反射電極であってもよい。
An
有機層3を形成する。有機層3は少なくとも1つの有機層から構成されている。より具体的には例えばホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機層3から構成されるものである。1つの有機層3のみで発光する場合もあれば隣接する有機層同士の界面で発光が生じる場合もある。本実施形態において有機層3の層の数は発光機能を考慮して適宜選ぶことができる。
The
陰極電極4を形成する。陰極電極4も透明であっても反射電極であってもよい。
A
保護膜5を形成する。保護膜5は電気絶縁性と気密性を有する材料であればよく、例えばSiO2やSiNをプラズマCVDより形成することにより、有機EL構造体の劣化を抑制あるいは防止することができるものであればよい。保護膜5は少なくとも陽極電極2、又は陰極電極4の少なくともいずれかの電極端子部7以外の全ての領域に形成するのが好ましい。
A
保護膜5をプラズマCVDによりマスク成膜するとマスク端部の膜厚が端にかけて薄くなり斜面形状の傾斜部6が形成される。保護膜5の形成方法はプラズマCVDだけでなく、保護膜5の周辺に行くほど膜厚が薄くなる形成方法で傾斜部6が形成されるのであれば、スパッタや蒸着など他のどのような方法でもよい。また、保護膜5の端部が矩形であればエッチング等によって斜面に加工してもよい。
When the
保護膜5の最大厚みは、ACF9中の導電粒子径未満の厚みが好ましい。例えばACF9の導電粒子径が10μmであれば、保護膜5の最大厚みは10μm未満が好ましい。ACF9の導電粒子10は、粒子径のサイズのままでなく、つぶされて変形することにより電極端子部7とFPC8とを、ACFの導電粒子10を介して電気的に接続させるものである。
The maximum thickness of the
また、ACF接合は基板とヒーターヘッドがほぼ平行であるように調整して全体を均一に圧力をかけるので、保護膜5の厚みが導電粒子10より厚い場合には、導電粒子10のつぶれが悪く導通しないことが多いからである。
In addition, since the ACF bonding is adjusted so that the substrate and the heater head are substantially parallel to each other and uniformly apply pressure, when the
露出させる電極端子部7の長さは、必要最小限の長さであることが望ましい。露出させる電極端子部7の長さは、ACF9の許容電流量及び実際に流す電流量等に関係している。例えば電極端子部7の1本の幅が0.3mmであり、長さが0.5mmの場合、ACF9の許容電流量が500mA/mm2であれば0.3×0.5×500mA=75mAとなり、流せる電流量は75mAとなる。
It is desirable that the length of the
また、ACF9の許容電流量が1000mA/mm2であれば150mAとなる。実際に流す駆動電流量が例えば200mAの場合、面積当たりの許容電流量が足りなくなる。その場合は例えば、電極端子部7の幅を広くするとか、電流を多く流すラインのみ本数を増やすという方法を使用すれば、面積当たりの許容電流量より実際に流す電流量の方を少なくすることができるので電流量に問題は発生しない。また、電極端子部7の幅を広くするとか、本数を増やす場合でも、図に示すように電極端子部7の左右に増やすことができる余裕があるので、増やした場合でもレイアウトに何ら問題が発生することはない。また、ACF9の許容電流量が1000mA/mm2を越えるほど大きければ、ライン幅を広くしたり、本数を増やすことをしなくても十分に必要電流量を流すことができる。
Further, if the allowable current amount of
そのため、露出させる電極端子部7の長さは、ACF9の許容電流量と実際に流す電流量と配線のレイアウトとの関係から適宜設定することができ、露出させる電極端子部7の長さは0.5mmの長さに限定されず、それ以下の長さであってもよい。
Therefore, the length of the
続いて、電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってACF9を仮圧着した後、熱圧着によりFPC8を接合する。その結果、電極端子部7と、保護膜の傾斜部6との上に跨ってFPC8が形成され、前記電極端子部7と前記FPC8とが電気的に接続される。
Subsequently, the
FPC8は、電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨って形成されているので、前記電極端子部7の露出長さが短くても、FPC8の接合面積を稼ぐことができ、剥がれることがない。すなわち、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても外部接続電極との接合強度を確保することができ、故に狭額縁を得ることができる。
Since the
しかも、上述したようにACFの導電粒子径が保護膜5の最大厚みより厚いので、保護膜5の周辺の断面形状が傾斜しても導電粒子10を押しつぶして変形することにより、電極端子部7でも導電粒子10を介してFPC8を電気的に接続させることができる。
Moreover, since the conductive particle diameter of the ACF is thicker than the maximum thickness of the
加えて、保護膜5が電極端子部7にかけて薄くなり、保護膜の傾斜部6の最終端(外周端)は前記電極端子部7との段差が殆どないことから、ACF9を介してFPC8を接合すると露出している面積が少なくても電極端子部7のほぼ全域に接合することができる。
In addition, since the
なお、保護膜5上に、円偏光板(例えば直線偏光板とλ/4板等の位相差板の組み合わせによる偏光板)を直接貼りつけることができる。また、保護膜5を形成した後にガラスで封止を行なうこともでき、ガラス基板でもよいし、ガラス基板に加工を行なって段差があるガラスキャップを用いてもよく、封止材は例えばUV硬化樹脂などによって封止することもできる。
Note that a circularly polarizing plate (for example, a polarizing plate formed by a combination of a linear polarizing plate and a retardation plate such as a λ / 4 plate) can be directly attached on the
<実施形態2>
次に、実施形態2の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。なお、保護膜5を形成する工程までは、同様であるので省略する。
<
Next, the organic EL element panel of
保護膜5を形成した後に、電極端子部7と、保護膜の傾斜部6との上に跨って取り出し電極を形成する(図示は省略)。例えば、電極端子部7の左右のレイアウトに余裕がない場合、ACF9の許容電流量が小さくて電極端子部7の長さや太さ、本数増加だけでは流せる電流量が足りない場合等に取り出し電極を形成するのがよい。
After the
取り出し電極は、ITOやIn2O3のような透明電極であってもよいし、あるいはAu、Ag、Al、Pt、Cr、Pd、Se、Ir、ヨウ化銅等やそれらを少なくとも1種含む合金等であってもよい。 The extraction electrode may be a transparent electrode such as ITO or In 2 O 3 , or contains at least one of Au, Ag, Al, Pt, Cr, Pd, Se, Ir, copper iodide, etc. An alloy or the like may be used.
取り出し電極の形成方法としては、スパッタ、蒸着、メッキなど一工程で配線パターンが形成できるものであればどの方法でもよく、FPC8などの外部基板と電気的に接続できるものであればよい。 As a method for forming the extraction electrode, any method may be used as long as a wiring pattern can be formed in one step, such as sputtering, vapor deposition, plating, and the like, as long as it can be electrically connected to an external substrate such as FPC8.
取り出し電極の長さは、電極端子部7と同様にACF9の許容電流量及び実際に流す電流量等に関係している。例えば取り出し電極の1本の幅が0.3mmであり、長さが1.5mmの場合、ACF9の許容電流量が500mA/mm2であれば0.3×1.5×500mA=225mAとなり、流せる電流量は225mAとなる。実際に流す駆動電流量が例えば200mAの場合、面積当たりの許容電流量より駆動電流量の方が少ないため、取り出し電極の長さは1.5mmを形成すれば十分である。面積当たりの許容電流量より実際に流す電流量の方を少なくすることができる長さを形成すればよく、電極端子部上の長さに、保護膜の傾斜部上の長さを加えて必要な駆動電流量になるような長さの取り出し電極を形成すればよい。
The length of the extraction electrode is related to the allowable current amount of the
続いて、取り出し電極にACF9を介して熱圧着によりFPC8を接合する。保護膜5をマスク成膜するとマスクの端部の膜厚が端にかけて薄くなり斜面形状となる。その上に形成した取り出し電極もそれに倣って斜面形状となる。ACFの導電粒子径が保護膜5の厚みより厚いので、断面形状が傾斜していても導電粒子10を押しつぶして変形することにより、どの位置でも導電粒子10が取り出し電極とFPC8とを電気的に接続させることができる。
Subsequently, the
なお、上記実施形態1、2において、電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってFPC8を接合した後、または電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨って取り出し電極を形成してFPC8を接合した後は、保護樹脂を塗布することが好ましい。保護樹脂は接合部への外部からの水分浸入を防止し、イオンマイグレーションの発生を押さえることができる。また、ACF9だけでは接合力がそれほど強くはないため、接合力の補強ということからも塗布することが好ましい。
In the first and second embodiments, after the
<実施例1>
本発明を適用できる実施例を図1、2を用いて説明する。
<Example 1>
An embodiment to which the present invention can be applied will be described with reference to FIGS.
以下に、本実施例の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。 Below, the organic EL element panel of a present Example is described along the preparation methods.
[平坦化膜形成工程]
TFT回路が形成されたガラス基板1上にアクリル樹脂よりなる平坦化膜12をフォトリソグラフィー法にて形成し、回路による凹凸を平坦にした。
[Planarization film forming process]
A
[陽極電極形成工程]
平坦化膜12が形成されたガラス基板上にCrターゲットをDCスパッタし、陽極電極2として100nmの厚さにCr膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、20μm×100μmの画素電極とした。成膜はArガスを用いて、0.2Paの圧力、300Wの投入電力条件で行った。
[Anode electrode formation process]
A Cr target was DC sputtered on the glass substrate on which the
[素子分離膜形成工程]
各画素を分離するために、ポリイミド樹脂よりなる素子分離膜11をフォトリソグラフィー法にて形成した。
[Element isolation film forming step]
In order to separate each pixel, an
[前処理工程]
有機EL蒸着装置へ移し、真空排気し、前処理室で基板付近に設けたリング状電極に50WのRF電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は0.6Pa、処理時間は40秒であった。
[Pretreatment process]
It moved to the organic electroluminescent vapor deposition apparatus, evacuated, and 50-W RF electric power was supplied to the ring-shaped electrode provided near the board | substrate in the pre-processing chamber, and the oxygen plasma cleaning process was performed. The oxygen pressure was 0.6 Pa and the treatment time was 40 seconds.
[正孔輸送層形成工程]
基板を前処理室より成膜室へ移動し、成膜室を、1×10-4Paまで排気した後、正孔輸送性を有するαNPDを抵抗加熱蒸着法により成膜速度0.2〜0.3nm/secの条件で成膜し、膜厚35nmの正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層は、同一の蒸着マスクを用いることにより所定の部分に蒸着した。所定の部分とは基板上で、画素電極であるCrが露出している部分である。
[Hole transport layer forming step]
The substrate is moved from the pretreatment chamber to the film formation chamber, and after the film formation chamber is evacuated to 1 × 10 −4 Pa, αNPD having hole transportability is formed at a film formation rate of 0.2 to 0 by resistance heating vapor deposition. The film was formed under the condition of 3 nm / sec to form a 35 nm-thick hole transport layer. Note that the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron injection layer were deposited on predetermined portions by using the same deposition mask. The predetermined portion is a portion where the pixel electrode Cr is exposed on the substrate.
[有機発光層形成工程]
正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるAlq3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で成膜し、膜厚15nmの有機発光層を形成した。
[Organic light emitting layer forming step]
On the hole transport layer, Alq 3 which is an alkylate complex was formed by resistance heating vapor deposition under the same film formation conditions as the hole transport layer to form an organic light emitting layer having a film thickness of 15 nm.
[電子注入層形成工程]
有機発光層の上に抵抗加熱共蒸着法によりAlq3と炭酸セシウム(Cs2CO3)を膜厚比9:1の割合で混合されるよう、各々の蒸着速度を調整して成膜し、膜厚35nmの電子注入層を形成した。詳しくは、それぞれの蒸着ボートにセットした材料を抵抗加熱方式で蒸発させ、有機層は〜5A/S、共蒸着層もそれぞれのボート電流値を調整することで、あわせて〜5A/Sの蒸着速度で膜形成を行った。
[Electron injection layer forming step]
A film is formed on the organic light-emitting layer by adjusting each deposition rate so that Alq 3 and cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) are mixed at a ratio of 9: 1 by resistance heating co-evaporation. An electron injection layer having a thickness of 35 nm was formed. Specifically, the material set in each evaporation boat is evaporated by resistance heating method, the organic layer is ~ 5 A / S, and the co-deposition layer is also adjusted to the respective boat current value. Film formation was performed at a speed.
[陰極電極(透明導電膜)形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるよう成膜し、ITOからなる陰極電極4を形成した。
[Cathode electrode (transparent conductive film) formation process]
The substrate was transferred to another film formation chamber, and the
[保護膜形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電極端子部7に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより、窒化シリコン膜を3μmの膜厚で堆積形成して保護膜5及び同保護膜の傾斜部6の形成を行なった。この際、電極端子部7の露出長さを0.5mmになるように保護膜5及び同保護膜の傾斜部6を形成した。
[Protective film formation process]
The substrate was moved to another film formation chamber, and mask film formation was performed so that no film was formed on the
[実装工程]
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、基板1上の電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってACF9の仮圧着を行った。次に、FPC8を電極端子部7と位置あわせする。その後、ヒータヘッドによる熱圧着により電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってFPC8の接合を完了した。
[Mounting process]
FPC mounting necessary for connecting a drive circuit for driving the organic EL element panel was performed. First,
[保護樹脂塗布工程]
電極端子部7と保護膜の傾斜部6との上に跨ってFPC8の接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
[Protective resin application process]
A protective resin was applied to the portion where the
以上のような工程によって作製した有機EL素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、FPC8の接合面積が十分で接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
The organic EL element panel manufactured by the above processes can ensure the bonding strength of the
<実施例2>
本発明を適用できる実施例を図3、4を用いて説明する。
<Example 2>
An embodiment to which the present invention can be applied will be described with reference to FIGS.
図3は、本実施例の有機EL素子パネルにおいて、外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。図4(a)は、図3の点Aから点A’間を模式的に示す部分断面図である。図4(b)は、図3の点Aから点A’間において外部接続電極であるFPCを接合した状態を模式的に示す部分断面図である。 FIG. 3 is a top view schematically showing a stage before joining the external connection electrodes in the organic EL element panel of the present embodiment. FIG. 4A is a partial cross-sectional view schematically showing between point A and point A ′ in FIG. 3. FIG. 4B is a partial cross-sectional view schematically showing a state in which the FPC that is the external connection electrode is joined between the point A and the point A ′ in FIG. 3.
図示するように、本実施例の有機EL素子パネルはパッシブマトリクス型パネルである。図3、図4において、13はガラス基板、14は下部電極(第1電極)、15は有機層、16は上部電極(第2電極)、17は電極端子部、18は保護膜、19は保護膜の傾斜部、20はFPCである。 As shown in the drawing, the organic EL element panel of this example is a passive matrix panel. 3 and 4, 13 is a glass substrate, 14 is a lower electrode (first electrode), 15 is an organic layer, 16 is an upper electrode (second electrode), 17 is an electrode terminal portion, 18 is a protective film, 19 is An inclined portion of the protective film, 20 is an FPC.
以下に、本実施例の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。 Below, the organic EL element panel of a present Example is described along the preparation methods.
[下部電極形成工程]
平坦化膜が形成されたガラス基板13上にAlターゲットをDCスパッタし、下部電極14として100nmの厚さにAl膜を成膜した。Arガスを用いて、0.2Paの圧力、300Wの投入電力条件で行った。
[Lower electrode formation process]
An Al target was DC sputtered on the glass substrate 13 on which the planarizing film was formed, and an Al film was formed as the lower electrode 14 to a thickness of 100 nm. Using Ar gas, the pressure was 0.2 Pa and the input power was 300 W.
[正孔輸送層形成工程][有機発光層形成工程][電子注入層形成工程]
実施例1と同様の形成方法であるので省略する。
[Hole transport layer forming step] [Organic light emitting layer forming step] [Electron injection layer forming step]
Since it is the same formation method as Example 1, it abbreviate | omits.
[上部電極形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるように成膜し、ITOからなる上部電極16を形成した。
[Upper electrode formation process]
The substrate was transferred to another film formation chamber, and a film was formed on the electron injection layer by a DC magnetron sputtering method using an ITO target so as to have a film thickness of 130 nm, thereby forming an
[保護膜形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電極端子部17に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより窒化シリコン膜を4μmの膜厚で堆積形成し保護膜18及び同保護膜の傾斜部19の形成を行なった。この際、電極端子部17の露出長さを0.5mmになるように保護膜18及び同保護膜の傾斜部19を形成した。
[Protective film formation process]
The substrate was moved to another film formation chamber, and mask film formation was performed so that no film was formed on the electrode terminal portion 17. After evacuating the vacuum vessel to 0.2 Pa or less,
[実装工程]
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、基板13上の電極端子部17と保護膜の傾斜部19との上に跨ってACF(不図示)の仮圧着を行った。次に、FPC20を電極端子部17と位置あわせした。その後、ヒータヘッドによる熱圧着により電極端子部17と保護膜の傾斜部19との上に跨ってFPC20を接合した。これを4辺行ないFPCの接合を完了した。
[Mounting process]
FPC mounting necessary for connecting a drive circuit for driving the organic EL element panel was performed. First, ACF (not shown) was temporarily pressure-bonded over the electrode terminal portion 17 on the substrate 13 and the
[保護樹脂塗布工程]
電極端子部17と保護膜の傾斜部19との上に跨ってFPC20の接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
[Protective resin application process]
A protective resin was applied to the portion where the
以上のような工程によって作製した有機EL素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、FPC20の接合面積が十分で接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
The organic EL element panel manufactured by the above processes can ensure the bonding strength and the bonding strength of the
また、パッシブマトリクス型であるので4辺を狭額縁にでき、従来パネルと比較して基板サイズを全体的に小さくできた。 Further, since it is a passive matrix type, the four sides can be narrowed, and the overall substrate size can be reduced as compared with the conventional panel.
<実施例3>
本発明を適用できる実施例を図5を用いて説明する。
<Example 3>
An embodiment to which the present invention can be applied will be described with reference to FIG.
図5(a)は、電極端子部と保護膜の傾斜部との上に跨って取り出し電極を形成した状態を模式的に示す部分断面図である。図5(b)は、前記取り出し電極にFPCを接合した状態を模式的に示す部分断面図である。 FIG. 5A is a partial cross-sectional view schematically showing a state in which an extraction electrode is formed across the electrode terminal portion and the inclined portion of the protective film. FIG. 5B is a partial cross-sectional view schematically showing a state in which an FPC is joined to the extraction electrode.
図5において、21はTFT回路が形成されたガラス基板、22は陽極電極、23は有機層、24は陰極電極、25は保護膜、26は保護膜の傾斜部、27は電極端子部、28は取り出し電極、29はFPC、30は素子分離膜、31は平坦化膜である。 In FIG. 5, 21 is a glass substrate on which a TFT circuit is formed, 22 is an anode electrode, 23 is an organic layer, 24 is a cathode electrode, 25 is a protective film, 26 is an inclined portion of the protective film, 27 is an electrode terminal portion, 28 Is an extraction electrode, 29 is an FPC, 30 is an element isolation film, and 31 is a planarization film.
以下に、本実施例の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。作製方法の殆どは実施例1と同様であるので、異なる部分のみ詳細に述べる。 Below, the organic EL element panel of a present Example is described along the preparation methods. Since most of the manufacturing methods are the same as those in the first embodiment, only different portions will be described in detail.
TFT基板上に平坦化膜31を形成し、陽極電極を形成した。続いて、素子分離膜30を形成した。有機EL蒸着装置へ移し、前処理を行なった後、正孔輸送層形成、有機発光層形成、電子注入層形成を行なった。
A
[陰極電極(透明導電膜)形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるよう成膜し、ITOからなる陰極電極24を形成した。
[Cathode electrode (transparent conductive film) formation process]
The substrate was transferred to another deposition chamber, and a
[保護膜形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電極端子部27に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより窒化シリコン膜を3μmの膜厚で堆積形成し保護膜25及び同保護膜の傾斜部26の形成を行なった。この際、電極端子部27の露出長さを0.3mmになるように保護膜25及び同保護膜の傾斜部26を形成した。
[Protective film formation process]
The substrate was moved to another film formation chamber, and mask film formation was performed so that no film was formed on the
[取り出し電極形成工程]
別の成膜室に基板を移し、CrターゲットをDCスパッタし、取り出し電極28として100nmの厚さにCr膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、300μm×1.5mmとした。この取り出し電極28は、保護膜25の形成時にマスクを用いて電極端子部27と保護膜の傾斜部26との上に跨って形成される。取り出し電極28の幅、長さは細かい精度を要求されないので、マスク成膜のみで十分に形成することができる。このパネルは駆動電流量を多く必要とし、パネルのレイアウト上、左右に追加電極を形成したり、太くすることができないために電極端子部27と保護膜の傾斜部26との上に取り出し電極28を形成した。本実施例では、取り出し電極28を全ての電極端子部27と保護膜の傾斜部26とに形成したが、駆動電流量が多いところのみに形成しても構わない。
[Extraction electrode formation process]
The substrate was transferred to another deposition chamber, a Cr target was DC sputtered, and a Cr film having a thickness of 100 nm was formed as the
[実装工程]
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、取り出し電極28上にACF(不図示)の仮圧着を行った。次に、FPC29を取り出し電極28と位置あわせした。その後、熱圧着により取り出し電極28とFPC29との接合を完了した。
[Mounting process]
FPC mounting necessary for connecting a drive circuit for driving the organic EL element panel was performed. First, temporary crimping of ACF (not shown) was performed on the
[保護樹脂塗布工程]
取り出し電極28とFPC29との接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
[Protective resin application process]
A protective resin was applied to the portion where the
以上のような工程によって作製した有機EL素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、FPC29の接合面積が十分あるので接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
The organic EL element panel manufactured by the above processes can ensure the bonding strength because the
また、配線のレイアウト及び駆動電流量等から、電極端子部27だけでは、電流量が足りなかったが、取り出し電極28を形成することにより、額縁サイズを変えることなく狭額縁でも電流量の確保ができた。
In addition, due to the layout of the wiring and the amount of drive current, the amount of current was insufficient with only the
<実施例4>
本発明を適用できる実施例を図6、7を用いて説明する。
<Example 4>
An embodiment to which the present invention can be applied will be described with reference to FIGS.
図6は、本実施例の有機EL素子パネルにおいて、外部接続電極を接合する前段階を模式的に示す上面図である。図7(a)は、図6の点Bから点B’間を模式的に示す部分断面図である。図7(b)は、図6の点Bから点B’間において外部接続電極であるFPCを接合した状態を模式的に示す部分断面図である。 FIG. 6 is a top view schematically showing a stage before joining the external connection electrodes in the organic EL element panel of the present embodiment. FIG. 7A is a partial cross-sectional view schematically showing between point B and point B ′ in FIG. 6. FIG. 7B is a partial cross-sectional view schematically showing a state in which the FPC that is the external connection electrode is joined between the point B and the point B ′ in FIG. 6.
図示するように、本実施例の有機EL素子パネルはパッシブマトリクス型パネルである。図6、図7において、32はガラス基板、33は下部電極(第1電極)、34は有機層、35は上部電極(第2電極)、36は電極端子部、37は保護膜、38は保護膜の傾斜部、39は取り出し電極、40はFPCである。 As shown in the drawing, the organic EL element panel of this example is a passive matrix panel. 6 and 7, 32 is a glass substrate, 33 is a lower electrode (first electrode), 34 is an organic layer, 35 is an upper electrode (second electrode), 36 is an electrode terminal portion, 37 is a protective film, 38 is An inclined portion of the protective film, 39 is an extraction electrode, and 40 is an FPC.
以下に、本実施例の有機EL素子パネルを作製方法に沿って述べる。 Below, the organic EL element panel of a present Example is described along the preparation methods.
[下部電極形成工程]
平坦化膜が形成されたガラス基板32上にAlターゲットをDCスパッタし、下部電極33として100nmの厚さにAl膜を成膜した。Arガスを用いて、0.2Paの圧力、300Wの投入電力条件で行った。
[Lower electrode formation process]
An Al target was DC sputtered on the
[正孔輸送層形成工程][有機発光層形成工程][電子注入層形成工程]
実施例1と同様の形成方法であるので省略する。
[Hole transport layer forming step] [Organic light emitting layer forming step] [Electron injection layer forming step]
Since it is the same formation method as Example 1, it abbreviate | omits.
[上部電極形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により、膜厚が130nmになるよう成膜し、ITOからなる上部電極35を形成した。
[Upper electrode formation process]
The substrate was transferred to another film formation chamber, and a film was formed on the electron injection layer to have a film thickness of 130 nm by DC magnetron sputtering using an ITO target to form an
[保護膜形成工程]
別の成膜室に基板を移し、電極端子部36に成膜されないようにマスク成膜を行った。真空容器を0.2Pa以下に真空引きした後、シランガス30sccm、アンモニア300sccmをフローし、反応空間の圧力を100Paに制御した。その後、100mW/cm2の高周波電力を高周波電極に供給し、有機EL素子及び電極の一部以外を覆って基板加熱無しにプラズマCVDにより窒化シリコン膜を4μmの膜厚で堆積形成し、保護膜37及び同保護膜の傾斜部38の形成を行なった。この際、電極端子部36の露出長さを0.4mmになるように保護膜37及び同保護膜の傾斜部38を形成した。
[Protective film formation process]
The substrate was moved to another film formation chamber, and mask film formation was performed so that no film was formed on the
[取り出し電極形成工程]
別の成膜室に基板を移しAlをDCスパッタし、取り出し電極39として120nmの厚さにAl膜を成膜した。この際、成膜マスクを用いて、200μm×1.2mmのサイズとした。この取り出し電極39は、保護膜37の形成時にマスクを用いて電極端子部36と保護膜の傾斜部38との上に跨って形成される。取り出し電極39の幅、長さは細かい精度を要求されないので、マスク成膜のみで十分に形成することができる。このパネルはACFの許容電流量が小さく、パネルのレイアウト上、左右に追加電極を形成したり、太くすることができないために電極端子部36と保護膜の傾斜部38との上に取り出し電極39を形成した。
[Extraction electrode formation process]
The substrate was transferred to another film formation chamber, and Al was DC sputtered to form an Al film with a thickness of 120 nm as the
[実装工程]
有機EL素子パネルを駆動させるための駆動回路を接続するのに必要なFPC実装を行った。先ず、取り出し電極39上にACF(不図示)の仮圧着を行った。次に、FPC40を取り出し電極39と位置あわせした。その後、熱圧着により取り出し電極39とFPC40との接合を完了した。
[Mounting process]
FPC mounting necessary for connecting a drive circuit for driving the organic EL element panel was performed. First, temporary crimping of ACF (not shown) was performed on the
[保護樹脂塗布工程]
取り出し電極39とFPC40との接合を行なった部分に保護樹脂を塗布した。保護樹脂はアクリル系紫外線硬化型の樹脂を使用し、塗布後紫外線を照射し樹脂を硬化させた。
[Protective resin application process]
A protective resin was applied to the portion where the
以上のような工程によって作製した有機EL素子パネルは、コストや工程を増大させずに、露出する電極長さが短くても、FPC40の接合強度面積が十分あるので接合強度を確保でき、故に狭額縁を得ることができた。
The organic EL element panel manufactured by the above processes can ensure the bonding strength because the bonding strength area of the
また、パッシブマトリクス型であるので4辺を狭額縁にでき、従来パネルと比較して基板サイズを全体的に小さくできた。 Further, since it is a passive matrix type, the four sides can be narrowed, and the overall substrate size can be reduced as compared with the conventional panel.
さらに、配線のレイアウト及び許容電流量から、電極端子部36だけでは電流量が足りなかったが、取り出し電極39を形成することにより、額縁サイズを変えることなく狭額縁でも電流量の確保ができた。
Furthermore, from the wiring layout and the allowable current amount, the current amount was insufficient with only the
以上、本発明ではトップエミッションタイプの有機EL素子パネルについて説明を行ったが、それに限ることなくボトムエミッションタイプの有機EL素子パネルにも適用できるものである。また、本発明ではパッシブ型への適用であるがアクティブ型の有機EL素子パネルにも適用できる。 As mentioned above, although the top emission type organic EL element panel was demonstrated in this invention, it is applicable not only to it but a bottom emission type organic EL element panel. In addition, the present invention is applied to a passive type, but can also be applied to an active organic EL element panel.
また、本発明では、FPCとの接続が1辺に1つになっているが、1辺に複数のFPCの接続であってもよい。 In the present invention, one FPC is connected to one side, but a plurality of FPCs may be connected to one side.
1、13、21、32 基板
2、22 陽極電極(第1電極)
3、15、24、34 有機層
4、24 陰極電極(第2電極)
5、18、25、37 保護膜
6、19、26、38 保護膜の傾斜部
7、17、27、36 電極端子部(電極の露出部)
8、20、29、40 FPC(外部接続電極)
9 ACF
10 導電粒子
14、33 下部電極(第1電極)
16、35 上部電極(第2電極)
28、39 取り出し電極
1, 13, 21, 32
3, 15, 24, 34
5, 18, 25, 37
8, 20, 29, 40 FPC (External connection electrode)
9 ACF
10
16, 35 Upper electrode (second electrode)
28, 39 Extraction electrode
Claims (2)
前記保護膜の端部には傾斜部が形成され、
前記電極端子部と前記保護膜の傾斜部との上に跨って、外部接続電極が異方性導電フィルムを介して接着され、前記電極端子部と前記外部接続電極とが電気的に接続されており、
前記異方性導電フィルムは導電粒子を含み、
前記導電粒子の径は、前記保護膜の厚みより大きいことを特徴とする有機EL素子パネル。 A first electrode formed on the substrate, an organic light emitting layer, a second electrode, and a protective film covering at least one of the electrodes so as to expose an electrode terminal portion located at an end of the substrate; Have
An inclined part is formed at the end of the protective film,
Across the top of the inclined portion of the electrode terminal, a front Symbol protective film is adhered external connection electrodes through an anisotropic conductive film, and the electrode terminal portion and the external connection electrodes are electrically connected and,
The anisotropic conductive film includes conductive particles,
The diameter of the said electroconductive particle is larger than the thickness of the said protective film, The organic EL element panel characterized by the above-mentioned .
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