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JP5055142B2 - メモリテスト回路 - Google Patents
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Description

本発明は、個々の半導体メモリに固有のID(識別符号)が付与されたROM(読み出し専用メモリ)の記憶内容を試験するメモリテスト回路に関するものである。
図2は、従来のROMのテスト構成図である。
このテスト構成は、1台のROM試験機10を用いて、同一データが記憶されている複数のROM1a,1b,…,1nを同時にテストするものである。
ROM試験機10は、0番地から順番に1ずつ増加するアドレス信号ADRを生成するアドレス生成部11、試験対象のROMから読み出されるべき正しいデータを保持するデータメモリ12、及び試験対象のROM1a,1b,…,1n毎に設けられて対応するROMから読み出されるデータとデータメモリ12からのデータを比較して良否を判定する判定部13a,13b,…,13nで構成されている。
このテスト構成では、ROM試験機10のアドレス生成部11によって0番地から順番に1ずつ増加するアドレス信号ADRが生成され、データメモリ12に対するアドレス信号として与えられると共に、試験対象のROM1a,1b,…,1nのアドレス端子に共通に与えられる。
データメモリ12からは期待値のデータDT0が出力され、ROM1a,1b,…,1nからは、それぞれ記憶内容のデータDTa,DTb,…,DTnが読み出される。データDTa,DTb,…,DTnは、それぞれROM試験機10の判定部13a,13b,…,13nに与えられ、期待値のデータDT0と比較判定される。そして、判定部13a,13b,…,13nから、判定結果の信号RESa,RESb,…,RESnが出力される。
特開平5−157802号公報
前記ROMのテスト構成は、試験対象のROM1a,1b,…,1nに、すべて同一のデータが記憶されていることを前提としたものである。しかしながら、近年重要視されているセキュリティ機能の強化や、個々のシステムを特定することが必要となる用途では、個々のROMに特有のIDを付与する必要がある。
図3は、このようなID付きROMのメモリマップの一例を示す図で、例えば、16進表示で、000番地からFEF番地はユーザデータ領域に割り当てられ、FF0番地からFFE番地までの15バイトはID領域に割り当てられ、FFF番地がチェックサム領域に割り当てられている。なお、チェックサムは、ID領域の15バイトのデータをバイト単位に累積加算した結果の下位8ビットの値である。
このようなROMを図2のテスト構成でテストする場合、同一のデータが記憶されているユーザデータ領域は同時にテストすることができるが、個別のIDやチェックサムが記憶されているID領域やチェックサム領域を同時にテストすることはできない。このため、これらのID領域やチェックサム領域を個別にテストする必要が生じ、生産効率を上げることができず大量生産に適さないという課題があった。
本発明は、ID領域とチェックサム領域を有するROMを一括してテストすることができるメモリテスト回路を提供すること目的としている。
本発明は、共通のユーザデータに加えて個別の識別符号及びそのチェックデータが記憶された複数のROMの記憶内容を一括して試験するためのメモリテスト回路を次のように構成している。
即ち、このメモリテスト回路は、試験対象のROMに与えるアドレス信号が、ユーザデータ領域か、ID領域か、チェックデータ領域かを判定するアドレス判定部と、前記アドレス信号によってID領域が指定されているときに、前記ROMから順次読み出されるIDデータに従ってそのチェックデータを算出するチェックサム算出部と、前記アドレス信号によってチェックデータ領域が指定されているときに、前記ROMから読み出されたチェックデータと前記チェックサム算出部で算出されたチェックデータとを比較して正常か否かを判定する第1の判定部と、前記アドレス信号によってユーザデータ領域が指定されているときには、前記ROMから読み出されたユーザデータを選択して出力し、該アドレス信号によってID領域またはチェックデータ領域が指定されているときには、前記第1の判定部から出力される信号を選択して出力するセレクタを備えている。
更に、このメモリテスト回路は、試験対象のROMの記憶内容が正常である場合に前記セレクタから出力されるべき期待値データが格納されたデータメモリと、前記アドレス信号に応じて前記データメモリから読み出される期待値データと前記ROMから読み出される記憶内容に従って前記セレクタから出力される信号とを比較して該ROMの記憶内容の良否を判定する第2の判定部を備えている。
本発明では、試験対象のROMに与えられるアドレス信号でID領域が指定されたときに、このROMから順次読み出されるIDデータに従ってそのチェックデータを算出するチェックサム算出部と、アドレス信号によってチェックデータ領域が指定されたときに、このROMから読み出されたチェックデータと前記チェックサム算出部で算出したチェックデータとを比較して正常か否かを判定する第1の判定部を有している。これにより、個々のROMがそれぞれ異なるIDを有していても、第1の判定部によってそのIDが正常か否かをチェックデータによって判定することができる。従って、第2の判定部では、第1の判定部の判定結果を調べるだけで、試験対象のROMのIDとそのチェックデータの良否を判定することができる。これにより、共通のデータ領域に加えて、個別のID領域とチェックサム領域を有するROMを一括してテストすることができるという効果がある。
この発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、次の好ましい実施例の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、より完全に明らかになるであろう。但し、図面は、もっぱら解説のためのものであって、この発明の範囲を限定するものではない。
図1は、本発明の実施例を示すROMのテスト構成図であり、図2中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
このテスト構成は、同一のユーザデータが記憶されると共に、個別のIDとそれに対応するチェックサムが記憶された試験対象の複数のROM1a,1b,…,1nを、従来と同一のROM試験機10を用いて、一括してテストするものである。
このテスト構成では、各ROM1a,1b,…,1nの出力側と、ROM試験機10の入力側の間に、それぞれテスト回路20a,20b,…,20nを挿入している。これらのテスト回路20a,20b,…,20nは同一構成で、例えばテスト回路20aに記載したように、アドレス判定部21、チェックサム算出部22、判定部23、及びセレクタ(SEL)24で構成されている。
アドレス判定部21は、ROM試験機10のアドレス生成部11から出力されるアドレス信号ADRが、試験対象のROM1aのどの領域を指定しているかを判定し、その領域に応じて制御信号C1,C2,C3を出力するものである。例えば、アドレス信号ADRがユーザデータ領域を指定しているとき、アドレス判定部21は、制御信号C1をレベル“H”にして出力する。また、ID領域のときは制御信号C2を、チェックサム領域では制御信号C3を、それぞれ“H”にして出力する。なお、“H”以外の制御信号は、すべてレベル“L”となるように設定されている。
チェックサム算出部22は、制御信号C2によってID領域であることが指定されたとき(即ち、制御信号C2が“H”のとき)、対応する試験対象のROM1aから読み出されるデータDTaを累積加算するものである。加算された1バイトの値は、判定部23に与えられるようになっている。
判定部23は、制御信号C3によってチェックサム領域であることが指定されたとき(即ち、制御信号C3が“H”のとき)、チェックサム算出部22の累積加算結果と対応する試験対象のROM1aから読み出されるデータDTaとを比較判定するものである。一致した場合には、判定部23は、例えばオール“1”のデータを出力し、不一致の場合にはオール“0”のデータを出力する。また、チェックサム領域以外のとき(即ち、制御信号C3が“L”のとき)には、判定部23はオール“0”のデータを出力するようになっている。
セレクタ24は、制御信号C1によってユーザデータ領域であることが指定されたとき(即ち、制御信号C1が“H”のとき)、試験対象のROM1aから読み出されるデータDTaを選択し、ユーザデータ領域以外のときには判定部23の出力データを選択するものである。セレクタ23から出力されるデータは、ROM試験機10の対応する判定部13aに与えられるようになっている。
なお、ROM試験機10は、図2と同様に、アドレス生成部11、データメモリ12、及び複数の判定部13a,13b,…,13nで構成されている。アドレス生成部11は、図2と同様に0番地から順番に1ずつ増加するアドレス信号ADRを生成するものである。
一方、データメモリ12は、アドレス信号ADRに応じてテスト回路20a等から出力されるべき期待値を記憶したもので、ユーザデータ領域に対応するアドレスにはROM1a等に記憶されるべき正しいユーザデータが記憶されている。また、ID領域に対応するアドレスのデータはオール“0”に設定され、チェックサム領域に対応するアドレスのデータはオール“1”に設定されている。判定部13a,13b,…,13nは、それぞれ対応するテスト回路20a,20b,…,20nから出力されるデータとデータメモリ12から出力されるデータDT0とを比較して良否を判定し、その判定結果の信号RESa,RESb,…,RESnを出力するものである。
次に動作を説明する。
テストの開始により、ROM試験機10のアドレス生成部11より、0番地から順番に1ずつ増加するアドレス信号ADRが出力される。アドレス信号ADRはデータメモリ12に与えられると共に、試験対象の各ROM1a,1b,…,1nと、テスト回路20a,20b,…,20nにも共通に与えられる。
アドレス信号ADRによってユーザデータ領域が指定されているとき(例えば、図3のメモリマップを有するROMの場合、000番地〜FEF番地のとき)、テスト回路20aのアドレス判定部21から出力される制御信号C1,C2,C3は、それぞれ“H”,“L”,“L”となる。これにより、チェックサム算出部22と判定部23の動作は停止され、セレクタ24では試験対象のROM1aから読み出されるユーザデータ領域のデータDTaが選択される。テスト回路20aのセレクタ24から出力されるデータDTaは、ROM試験機10の判定部13aに与えられ、データメモリ12から読み出されたデータDT0と比較判定される。そして、判定部13aから判定結果の信号RESaが出力される。このユーザデータ領域における動作は、図2のテスト構成と同じである。
次に、アドレス信号ADRによってID領域が指定されると(例えば、図3のメモリマップを有するROMの場合、FF0番地〜FFE番地のとき)、テスト回路20aのアドレス判定部21から出力される制御信号C1,C2,C3は、それぞれ“L”,“H”,“L”となる。これにより、チェックサム算出部22が動作状態となり、判定部23の動作は停止され、セレクタ24ではこの判定部23の出力信号が選択される。
アドレス信号ADRに従ってROM1aから順次読み出されるID領域のデータDTaは、チェックサム算出部22によって順次累積加算され、その加算結果が判定部23に出力される。但し、この時点では判定部23の動作は停止されているので、判定部23の出力信号はオール“0”である。これにより、セレクタ24からオール“0”が出力され、ROM試験機10の判定部13aに与えられる。一方、データメモリ12から読み出されるデータDT0もオール“0”であるので、判定部13aからは正常である旨の判定結果の信号RESaが出力される。
その後、アドレス信号ADRによってチェックサム領域が指定されると(例えば、図3のメモリマップを有するROMの場合、FFF番地のとき)、テスト回路20aのアドレス判定部21から出力される制御信号C1,C2,C3は、それぞれ“L”,“L”,“H”となる。これにより、チェックサム算出部22の動作が停止され、判定部23が動作状態となり、セレクタ24ではこの判定部23の出力信号が選択される。
判定部23では、チェックサム算出部22で算出されたID領域のデータのチェックサムと、試験対象のROM1aから読み出されるチェックサム領域のデータDTaが比較判定される。2つのデータが一致していれば(即ち、チェックサムが正常であれば)、判定部23の出力信号はオール“1”となり、一致していなければ(即ち、チェックサムが正常でなければ)、この判定部23の出力信号はオール“0”となる。
セレクタ24では判定部23の出力信号が選択され、ROM試験機10の判定部13aに与えられる。一方、チェックサム領域のアドレスに対応してデータメモリ12から読み出されるデータDT0はオール“1”である。従って、テスト回路20aの判定部23の出力信号がオール“1”であれば、ROM試験機10の判定部13aからは、正常である旨の判定結果の信号RESaが出力される。
試験対象のROM1aの全アドレスに対して正常である旨の判定結果の信号RESaが得られれば、そのROM1aの記憶内容は正常と判定される。もしも、1回でも異常の旨の判定結果の信号RESaが出力された場合には、そのROM1aには不良データが存在することになる。以上、試験対象のROM1aに対する試験動作を説明したが、他の試験対象のROM1b,…,1nに対しても、同時に並行して同様の試験動作が行われる。
以上のように、本実施例のROMのテスト構成は、試験対象のROM1a〜1nのユーザデータ領域では、このROM1a〜1nから読み出したデータDTa〜DTnをそのままROM試験機10に出力し、ID領域ではそのチェックサムを算出し、チェックサム領域では読み出したチェックサムと算出したチェックサムを比較してその判定結果をROM試験機10に出力するテスト回路20a〜20nを、試験対象のROM毎に設けている。これにより、個々のROMで異なったIDを付与しても、ROM試験機10の期待値データを共通化することが可能になり、ID領域とチェックサム領域を有するROMを一括してテストすることができるという利点がある。
なお、本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次のようなものがある。
(a) 試験対象のROMにおけるユーザデータ領域、ID領域、及びチェックサム領域のデータサイズは、例示したものに限定されない。
(b) チェックサム(チェックデータ)の算出方式は、例示したものに限定されない。即ち、テスト回路20中のチェックサム算出部22における算出方式は、試験対象のROMにおけるチェックデータの算出方式に合わせる必要がある。
(c) ID領域とチェックサム領域に対応するアドレスにおいて、判定部23から出力される信号の値は、例示したものに限定されない。即ち、ID領域とチェックサム領域に対応するアドレスのときに、ROM試験機10のデータメモリ12から読み出されるデータDT0の値を、判定部23から出力される信号の期待値に設定しておけば良い。
(d) 図1のテスト構成図では、各テスト回路20a〜20nが、それぞれアドレス判定部21を有しているように記載しているが、アドレス判定部21は共用することができる。即ち、テスト回路20b〜20nは、それぞれチェックサム算出部22と判定部23とセレクタ24で構成することができる。
本発明の実施例を示すROMのテスト構成図である。 従来のROMのテスト構成図である。 ID付きROMのメモリマップの一例を示す図である。
符号の説明
1a〜1n ROM
10 ROM試験機
11 アドレス生成部
12 データメモリ
13a〜13n,23 判定部
20a〜20n テスト回路
21 アドレス判定部
22 チェックサム算出部
24 セレクタ

Claims (1)

  1. 共通のユーザデータに加えて個別の識別符号及びそのチェックデータが記憶された複数の読み出し専用メモリの記憶内容を一括して試験するためのメモリテスト回路であって、
    試験対象の読み出し専用メモリに与えるアドレス信号が、ユーザデータ領域か、識別符号領域か、チェックデータ領域かを判定するアドレス判定部と、
    前記アドレス信号によって識別符号領域が指定されているときに、前記読み出し専用メモリから順次読み出される識別符号に従ってそのチェックデータを算出するチェックサム算出部と、
    前記アドレス信号によってチェックデータ領域が指定されているときに、前記読み出し専用メモリから読み出されたチェックデータと前記チェックサム算出部で算出されたチェックデータとを比較して正常か否かを判定する第1の判定部と、
    前記アドレス信号によってユーザデータ領域が指定されているときには、前記読み出し専用メモリから読み出されたユーザデータを選択して出力し、該アドレス信号によって識別符号領域またはチェックデータ領域が指定されているときには、前記第1の判定部から出力される信号を選択して出力するセレクタと、
    試験対象の読み出し専用メモリの記憶内容が正常である場合に前記セレクタから出力されるべき期待値データが格納されたデータメモリと、
    前記アドレス信号に応じて前記データメモリから読み出される期待値データと、前記読み出し専用メモリから読み出される記憶内容に従って前記セレクタから出力される信号とを比較して該読み出し専用メモリの記憶内容の良否を判定する第2の判定部とを、
    備えたことを特徴とするメモリテスト回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5172243A (en) * 1974-12-20 1976-06-22 Hitachi Ltd rom naiyochetsukuhoshiki
JPS60124100A (ja) * 1983-12-08 1985-07-02 Toshiba Corp 読出し専用メモリの試験装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007129630A1 (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Jobert Suzanne 歯列矯正用ブラケット

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