JP5061466B2 - ハイドロキノン骨格を有する含フッ素液晶化合物の製造方法 - Google Patents
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すなわち、一般式(1)
A1は、
(a) トランス-1,4-シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -O- 及び又は -S- に置き換えられてもよい)
(b) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -N- に置き換えられてもよい)
(c) 1,4-シクロヘキセニレン、1,4-ビシクロ(2.2.2)オクチレン、ピペリジン-1,4-ジイル、ナフタレン-2,6-ジイル、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル及び1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル
からなる群より選ばれる基であり、上記の基(a)、基(b)、基(c)はCN又はハロゲンで置換されていても良く、aは0又は1であり、さらにR1-A1-は以下の構造、
Z1は-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH- 又は単結合を表し、
Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート、メタンスルホネート、p-トルエンスルホネート、ホウ酸、三フッ化ホウ素、ジアルキルホウ素、トリアルキルシラン、モノ及びジアルコキシシラン、モノ及びジフルオロシランを表し、L1、L2、L3及びL4はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表すが、L1、L2、L3又はL4の少なくとも一つはフッ素原子を表す)で表される化合物に、一般式(2)
で表されるアルコールを反応させることを特徴とする一般式(3)
一般式(1)においてR1は炭素数1〜12のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基
又は炭素数1〜12のアルコキシル基を表すことが好ましく、具体的には
−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−(CH2)4CH3、−(CH2)5CH3、−(CH2)6CH3、−(CH2)7CH3、−CH=CH2、−CH=CHCH3(E体)、−(CH2)2CH=CH2、−(CH2)2CH=CHCH3(E体)、−(CH2)4CH=CH2、−(CH2)4CH=CHCH3(E体)、−OCH3、−OCH2CH3、−O(CH2)2CH3、−O(CH2)3CH3又は−O(CH2)4CH3を表すことが好ましい。A1はトランス-1,4-シクロへキシレン基が特に好ましく、Z2は-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH- が好ましい。Xは塩素、臭素及びヨウ素が好ましいが、特にヨウ素が好ましい。
一般式(1)に示す化合物は、一般式(4)で表されるアルコキシベンゼン誘導体
−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−(CH2)4CH3、−(CH2)5CH3、−(CH2)6CH3、−(CH2)7CH3、−CH=CH2、−CH=CHCH3(E体)、−(CH2)2CH=CH2、−(CH2)2CH=CHCH3(E体)、−(CH2)4CH=CH2、−(CH2)4CH=CHCH3(E体)、−OCH3、−OCH2CH3、−O(CH2)2CH3、−O(CH2)3CH3又は−O(CH2)4CH3を表すことが好ましい。 一般式(1)及び一般式(2)の縮合は種々の条件下に行うことが可能であるが、塩基性条件下に実施することが好ましい。又、金属存在下に反応を行うことが好ましく、遷移金属存在下に反応を行うことがより好ましい。用いる遷移金属としては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)、酢酸パラジウム(II)、塩化パラジウム(II)、パラジウムジアセトナイト(II)、塩化ニッケル(II)、ヨウ化銅(I)、塩化銅(I)、酢酸銅(II)、酸化銅(II)等を用いることができるが、ヨウ化銅(I)、塩化銅(I)及び酢酸銅(II)が好ましい。
(参考例) 2,3-ジフルオロ-4-(トランス‐4-ビニルシクロヘキシルメチルオキシ)ヨードベンゼンの合成
(実施例)2,3-ジフルオロ-1-(3-ブテノキシ)-4-(トランス、トランス-4-ビニルビシクロヘキシル‐4‐イル)メトキシベンゼンの合成。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶にて精製し、2,3-ジフルオロ-1-(3-ブテノキシ)-4-(トランス、トランス-4-ビニルビシクロヘキシル‐4‐イル)メトキシベンゼン(109 g)を白色粉末として得た。
相転移温度 C 64.5 N 119.5 I
MS m/z : 404 (M+), 55 (100)
1H-NMR (400 MHz, CDCl3)
δ: 0.95-1.15 (m, 10H), 1.65-2.00 (m, 10H), 2.50 2.60 (m, 2H), 3.76 (d, J = 6.4 Hz, 2 H), 4.03 (t, J = 6.8 Hz, 2 H), 4.80 5.30 (m, 4 H), 5.79 (ddd, J = 17.2 Hz, J = 10.4 Hz, J = 6.4 Hz, 1 H), 5.83 5.95 (m, 1 H), 6.55 6.70 (m, 2 H).
Claims (4)
- 一般式(1)
(式中、R1は、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数1〜15のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基又は少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数2〜15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個又は2個以上のCH2基はそれぞれ独立してO原子が相互に直接結合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-又は-OCO-O-により置き換えられても良く、
A1は、
(a) トランス-1,4-シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -O- 及び又は -S- に置き換えられてもよい)
(b) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個のCH基又は隣接していない2個以上のCH2基は -N- に置き換えられてもよい)
(c) 1,4-シクロヘキセニレン、1,4-ビシクロ(2.2.2)オクチレン、ピペリジン-1,4-ジイル、ナフタレン-2,6-ジイル、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル及び1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル
からなる群より選ばれる基であり、上記の基(a)、基(b)、基(c)はCN又はハロゲンで置換されていても良く、aは0又は1であり、さらにR1-A1-は以下の構造、
(式中、nは1又は2を表す。)であっても良く、
Z1は-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH- 又は単結合を表し、
Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート、メタンスルホネート、p-トルエンスルホネート、ホウ酸、三フッ化ホウ素、ジアルキルホウ素、トリアルキルシラン、モノ及びジアルコキシシラン、モノ及びジフルオロシランを表し、L1、L2、L3及びL4はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表すが、L1、L2、L3又はL4の少なくとも一つはフッ素原子を表す)で表される化合物に、塩基性条件下に遷移金属存在下で、一般式(2)
(式中、R2は、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数1〜15のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基又は少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数2〜15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個又は2個以上のCH2基はそれぞれ独立してO原子が相互に直接結合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-又は-OCO-O-により置き換えられても良い)
で表されるアルコールを反応させ、該塩基がリン酸カリウム、フッ化セシウム又は炭酸セシウム、該遷移金属がヨウ化銅(I)、塩化銅(I)又は酢酸銅(II)であることを特徴とする一般式(3)
(式中、R1、A1、Z1、L1、L2、L3、又はL4は一般式(1)のものと同じものを示し、R2は一般式(2)と同じ意味を表す)で表されるハイドロキノン誘導体の製造方法。 - 一般式(1−2)又は(1−3)
(式中、nは1又は2を表し、Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート、メタンスルホネート、p-トルエンスルホネート、ホウ酸、三フッ化ホウ素、ジアルキルホウ素、トリアルキルシラン、モノ及びジアルコキシシラン、モノ及びジフルオロシランを表し、L1、L2、L3及びL4はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表すが、L1、L2、L3又はL4の少なくとも一つはフッ素原子を表す)で表される化合物に、塩基性条件下に遷移金属存在下で、一般式(2)
(式中、R2は、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数1〜15のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基又は少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数2〜15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個又は2個以上のCH2基はそれぞれ独立してO原子が相互に直接結合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-又は-OCO-O-により置き換えられても良い)
で表されるアルコールを反応させ、該塩基がリン酸カリウム、フッ化セシウム又は炭酸セシウム、該遷移金属がヨウ化銅(I)、塩化銅(I)又は酢酸銅(II)であることを特徴とする一般式(3−2)又は(3−3)
(式中、n、L1、L2、L3、又はL4は一般式(1−2)又は(1−3)のものと同じものを示し、R2は一般式(2)と同じ意味を表す)で表されるハイドロキノン誘導体の製造方法。 - 該塩基が炭酸セシウムであり、該遷移金属がヨウ化銅(I)である請求項1又は2記載の製造方法。
- L1及びL2がフッ素原子である請求項1、2又は3記載の製造方法。
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