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JP5061572B2 - Illumination device and imaging device - Google Patents
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Description

本発明は被写体を照明する照明装置及びこれを備えた撮像装置に関する。   The present invention relates to an illumination device that illuminates a subject and an imaging device including the illumination device.

撮影時に被写体を照明する撮像装置の照明装置として発光ダイオードを用いた照明装置が知られている。前記照明装置としては例えば特許文献1に示されたストロボ装置がある。この照明装置はレンズズーム位置に応じた画枠に最適な照射角を得るための可変配光制御機構を有している。   An illumination device using a light emitting diode is known as an illumination device for an imaging device that illuminates a subject during photographing. As the illumination device, for example, there is a strobe device disclosed in Patent Document 1. This illuminating device has a variable light distribution control mechanism for obtaining an optimum illumination angle for an image frame corresponding to the lens zoom position.

前記可変配光制御機構は複雑であり部品点数も多くなる。また、この制御機構では、より自由度の高い任意の照射範囲への発光照射は不可能であり、例えば少なくとも補助光が到達しない距離範囲の被写体に対しても無駄な発光を行ってしまい、電力的な無駄が生じている。   The variable light distribution control mechanism is complicated and increases the number of parts. In addition, with this control mechanism, it is impossible to emit light to an arbitrary irradiation range with a higher degree of freedom. For example, at least a subject in a distance range where auxiliary light does not reach can be used to emit unnecessary power. Is wasted.

より自由度の高い照射範囲に発光できる照明装置が特許文献2〜4に例示されている。   Patent Documents 2 to 4 illustrate illumination devices that can emit light in an irradiation range with a higher degree of freedom.

特許文献2の照明装置は配光特性の異なる複数の発光ダイオードを撮像装置の正面側に同心円状または直線状に配置させて個々に点灯及び消灯させていることにのみならず個々に発光量を可変させている。   The illuminating device of Patent Document 2 has a plurality of light emitting diodes having different light distribution characteristics arranged concentrically or linearly on the front side of the imaging device to individually turn on and off, and individually emit light amounts. It is variable.

特許文献3の照明装置は複数の発光ダイオードを円形状に配置させて点灯させる発光ダイオードの数量を変えて必要な照射角を得ている。前記照射角は撮影画角内を適切に照明するように撮影レンズの焦点距離情報に応じて決定する。   The illumination device of Patent Document 3 obtains a necessary irradiation angle by changing the number of light emitting diodes to be lit by arranging a plurality of light emitting diodes in a circular shape. The irradiation angle is determined according to the focal length information of the photographing lens so as to properly illuminate the photographing field angle.

特許文献4の照明装置は個別に点灯及び消灯可能な複数の発光ダイオードを面状に配置させて照明むらを抑えて被写体を均一に照射するようにしている。
特開2004−226509 特開2003−114462 特開2005−338280 特開2006−10746
In the illumination device of Patent Document 4, a plurality of light emitting diodes that can be individually turned on and off are arranged in a planar shape so as to uniformly illuminate a subject while suppressing uneven illumination.
JP 2004-226509 A JP 2003-114462 A JP 2005-338280 A JP2006-10746

特許文献2〜4の照明装置は、照射できる範囲の数だけの発光ダイオードの種類が必要であるので、部品点数の増加、発光面の大型化を避けられない。フラッシュ補助光をズーム位置に応じた画枠内に照射させ、被写体領域毎に最適露光が得られる光量を照射すれば、最小の電力で必要十分な補助光効果が得られるが、このような機能を簡便に具現化できる技術はない。   Since the illumination devices of Patent Documents 2 to 4 require as many types of light emitting diodes as the number of irradiating ranges, an increase in the number of components and an increase in the size of the light emitting surface are inevitable. By irradiating the flash auxiliary light within the image frame according to the zoom position and irradiating the amount of light that can obtain the optimum exposure for each subject area, the necessary and sufficient auxiliary light effect can be obtained with the minimum power. There is no technology that can be easily realized.

そこで本発明の照明装置は、撮像装置の照明装置であって、基板と、発光素子チップと、複数の第1電極と、複数の第1引き出し電極と、第2引き出し電極と、複数の電極端子と、を備える。
発光素子チップは、導電層と導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、基板から電力の供給を受けて発光する。複数の第1電極は、エピタキシャル層の上に形成され、発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する。複数の第1引き出し電極は、各第1電極に接続される。第2引き出し電極は、導電層上に形成される。複数の電極端子は、基板に設けられ、各第1引き出し電極又は第2引き出し電極にそれぞれ接続される。また、撮像装置の画角に応じて発光領域のうちいずれかが発光する。
Accordingly, the illumination device of the present invention is an illumination device for an imaging device , and includes a substrate, a light emitting element chip, a plurality of first electrodes, a plurality of first extraction electrodes, a second extraction electrode, and a plurality of electrode terminals. And comprising.
The light-emitting element chip has a conductive layer and an epitaxial layer formed on the conductive layer, and emits light when power is supplied from the substrate. The plurality of first electrodes are formed on the epitaxial layer and partition the light emitting surface of the light emitting element chip into a plurality of light emitting regions. The plurality of first extraction electrodes are connected to each first electrode. The second extraction electrode is formed on the conductive layer. The plurality of electrode terminals are provided on the substrate and connected to each of the first extraction electrode or the second extraction electrode. In addition, one of the light emitting areas emits light according to the angle of view of the imaging device.

また、本発明の撮像装置は、照明装置を備え、この照明装置は、基板と、発光素子チップと、複数の第1電極と、複数の第1引き出し電極と、第2引き出し電極と、複数の電極端子と、を備える。
発光素子チップは、導電層と導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、基板から電力の供給を受けて発光する。複数の第1電極は、エピタキシャル層の上に形成され、発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する。複数の第1引き出し電極は、各第1電極に接続される。第2引き出し電極は、導電層上に形成される。複数の電極端子は、基板に設けられ、各第1引き出し電極又は第2引き出し電極にそれぞれ接続される。また、撮像装置の画角に応じて発光領域のうちいずれかが発光する。
The imaging device of the present invention includes a lighting device, and the lighting device includes a substrate, a light emitting element chip, a plurality of first electrodes, a plurality of first extraction electrodes, a second extraction electrode, and a plurality of extraction electrodes. An electrode terminal.
The light-emitting element chip has a conductive layer and an epitaxial layer formed on the conductive layer, and emits light when power is supplied from the substrate. The plurality of first electrodes are formed on the epitaxial layer and partition the light emitting surface of the light emitting element chip into a plurality of light emitting regions. The plurality of first extraction electrodes are connected to each first electrode. The second extraction electrode is formed on the conductive layer. The plurality of electrode terminals are provided on the substrate and connected to each of the first extraction electrode or the second extraction electrode. In addition, one of the light emitting areas emits light according to the angle of view of the imaging device.

以上の発明によれば撮像の画角に応じて照射角領域を変えることができるので撮像装置の照明系を極めて小さく構成できる。   According to the above invention, since the irradiation angle region can be changed according to the angle of view of imaging, the illumination system of the imaging apparatus can be configured extremely small.

また、撮像装置の撮像レンズの焦点距離に応じて複数の発光領域のうち所定の発光領域発光すると、被写体の配置状況に応じて必要十分な画枠領域に限定して発光できる。 Further, a plurality of the predetermined light emitting region of the light emitting region emits light, can emit light is limited to necessary and sufficient image frame area according to the arrangement state of the object in accordance with the focal length of the imaging lens of the imaging device.

像装置の撮像レンズのズーム動作位置に応じて複数の発光領域のうち所定の発光領域発光すると、撮像装置のズーム位置に応じて必要十分な画枠領域に限定して発光できる。 If a predetermined light emitting region of the multiple light-emitting region in accordance with the zoom operation position of the imaging lens of the imaging device emits light, it can emit light is limited to necessary and sufficient image frame area according to the zoom position of the imaging device.

リ発光の検波量に基づいて複数の発光領域のうち所定の発光領域発光すると、各被写体のフラッシュ到達距離に応じて必要十分な画枠領域に限定して発光できる。 If a predetermined light emitting area of the light emitting region of the multiple emits light based on the detection of Prin emission, capable of emitting light is limited to necessary and sufficient image frame area in accordance with the flash reach distance of each object.

発光領域の発光量の制御因子としては、前記発光する発光領域に対応する第1電極に供される電流値や通電時間がある。 The regulators of light emission quantity of the light emitting region, there is a current value and the energization time to be subjected to the first electrodes corresponding to the light-emitting region to the light emission.

前記複数の発光領域の配置形態としては、例えば同心に配置される形態、行列配置される形態、発光素子チップの主面においてX状に配置される形態がある。   As the arrangement form of the plurality of light emitting regions, there are, for example, a concentric arrangement, a matrix arrangement, and an X arrangement on the main surface of the light emitting element chip.

また、複数の発光領域を封止するパッケージを備え、このパッケージの上面が凹レンズ面を成していると、前記複数の発光領域からの光を領域から放出した発光光線はパッケージの中心から離れた屈折角の比較的大きいレンズ界面から放出されるので、比較的広い放射角内に放出される。 Also, a package for sealing a plurality of light emitting regions is provided, and when the upper surface of the package forms a concave lens surface, the light emitted from the plurality of light emitting regions is separated from the center of the package. Since the light is emitted from the lens interface having a relatively large refraction angle, the light is emitted within a relatively wide radiation angle.

以上の発明によれば、撮像装置のズーム位置並びに被写体の配置状況に応じ、必要十分な画枠領域に限定してフラッシュ発光できるので、より少ないエネルギーで最適な露光が得られるカメラが実現できる。これにより撮像装置及び照明装置のバッテリーが長寿命化する。また、1色当たり最低1個の発光素子で照射角可変効果が得られるので、部品点数の削減、発光面の小型化が実現する。   According to the above-described invention, flash light emission can be performed only in a necessary and sufficient image frame area according to the zoom position of the image pickup apparatus and the arrangement state of the subject, so that a camera capable of obtaining optimum exposure with less energy can be realized. As a result, the battery life of the imaging device and the lighting device is extended. In addition, since the irradiation angle variable effect can be obtained with at least one light emitting element per color, the number of parts can be reduced and the light emitting surface can be downsized.

図1は発明の一実施形態に係る照明装置の斜視図である。図2は前記照明装置を備えた撮像装置の一実施形態に係るデジタルスチルカメラの正面図である。図3は前記撮像装置の斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view of a lighting device according to an embodiment of the invention. FIG. 2 is a front view of a digital still camera according to an embodiment of an imaging apparatus provided with the illumination device. FIG. 3 is a perspective view of the imaging apparatus.

図2に示されたようにデジタルスチルカメラ5はカメラ本体50の正面にフラッシュ部51とレンズ鏡筒52とファインダー窓53と指かけフック54を備える。また、図2及び図3に示されたようにカメラ本体50の上面の略左側にはシャッターボタン55が設けられている。レンズ鏡筒52は図3に示されたようにデジタルスチルカメラ52の起動時にカメラ本体50から突出すると共に停止時にカメラ本体50内に収納可能となっている。   As shown in FIG. 2, the digital still camera 5 includes a flash unit 51, a lens barrel 52, a finder window 53, and a finger hook 54 on the front surface of the camera body 50. Further, as shown in FIGS. 2 and 3, a shutter button 55 is provided substantially on the left side of the upper surface of the camera body 50. As shown in FIG. 3, the lens barrel 52 protrudes from the camera body 50 when the digital still camera 52 is activated, and can be stored in the camera body 50 when the digital still camera 52 is stopped.

図4はデジタルスチルカメラ5のシステム構成を示したブロック図である。   FIG. 4 is a block diagram showing a system configuration of the digital still camera 5.

デジタルスチルカメラ5のシステム構成は制御部(CPU)61とフラッシュ部62とレンズ駆動部63と撮像部64と内部メモリ65と外部メモリ(例えばメモリーカード)66と表示部(例えばLCD)67とを備える。レンズ駆動部63は少なくともレンズとズーム動作部とフォーカス動作部とアイリス動作部とを備えている。撮像部64はCCD(撮像素子)とCH(カメラヘッド)を備えている。制御部61はDSP(Didital Signal Processor)の機能も有している。レンズ駆動部63で得られたズーム位置情報は制御部61によって管理される。フラッシュ部62も制御部61によって発光タイミング、発光時間を制御されている。   The system configuration of the digital still camera 5 includes a control unit (CPU) 61, a flash unit 62, a lens driving unit 63, an imaging unit 64, an internal memory 65, an external memory (for example, a memory card) 66, and a display unit (for example, an LCD) 67. Prepare. The lens driving unit 63 includes at least a lens, a zoom operation unit, a focus operation unit, and an iris operation unit. The imaging unit 64 includes a CCD (imaging device) and a CH (camera head). The control unit 61 also has a DSP (Digital Signal Processor) function. The zoom position information obtained by the lens driving unit 63 is managed by the control unit 61. The flash unit 62 is also controlled in light emission timing and light emission time by the control unit 61.

フラッシュ部62には発明の一実施形態に係る図1に例示した照明装置1が適用されている。照明装置1は発光素子チップ2と基板3とパッケージ4とを備える。発光素子チップ2は複数の発光素子(LED)を備える。発光素子チップ2は基板3の上面の中央部に設置される。発光素子チップ2は基板3から発光のための電力の供給を受ける。基板3には発光素子チップ2を封止するパッケージ4が設けられる。パッケージ4は光学的レンズや反射板を備えるように形成するとよい。照明装置1は図1に示されたカメラ本体50の外部に取り付けられるフラッシュユニット単体にも適用してもよい。   The lighting device 1 illustrated in FIG. 1 according to an embodiment of the invention is applied to the flash unit 62. The illumination device 1 includes a light emitting element chip 2, a substrate 3, and a package 4. The light emitting element chip 2 includes a plurality of light emitting elements (LEDs). The light emitting element chip 2 is installed at the center of the upper surface of the substrate 3. The light emitting element chip 2 is supplied with power for light emission from the substrate 3. A package 4 for sealing the light emitting element chip 2 is provided on the substrate 3. The package 4 may be formed so as to include an optical lens and a reflection plate. The illumination device 1 may be applied to a single flash unit attached to the outside of the camera body 50 shown in FIG.

図5は発光素子を瞬間発光駆動するための駆動回路の一例を示した回路構成図である。   FIG. 5 is a circuit configuration diagram showing an example of a driving circuit for instantaneously driving the light emitting element.

駆動回路68は二つの発光素子を発光駆動させる場合の形態である。駆動回路68は昇圧回路69と蓄電素子70と発光素子チップ71と定電流回路72a,72bとコントロール回路73を備える。発光素子チップ71は発光素子711,712を備える。発光素子711,712はそれぞれ定電流回路72a,72bを介してコントロール回路73と電気的に接続されている。   The drive circuit 68 is a form in which two light emitting elements are driven to emit light. The drive circuit 68 includes a booster circuit 69, a storage element 70, a light emitting element chip 71, constant current circuits 72 a and 72 b, and a control circuit 73. The light emitting element chip 71 includes light emitting elements 711 and 712. The light emitting elements 711 and 712 are electrically connected to the control circuit 73 via constant current circuits 72a and 72b, respectively.

電池74から供給された電荷は昇圧回路69で昇圧された後にコンデンサのような蓄電素子70での充電に供される。コントロール回路73は通電ON/OFFの制御が可能となっている。コントロール回路73は、制御部61からの指示により、蓄電素子70の充電動作制御と発光素子チップ71の動作制御とを行う。定電流回路72a,72aはそれぞれ発光素子711,712を定電流駆動する。また、定電流回路72a,72bはコントロール回路73の制御信号に基づき発光素子711,712を独立に発光制御する。   The charge supplied from the battery 74 is boosted by the booster circuit 69 and then supplied to the storage element 70 such as a capacitor. The control circuit 73 can control energization ON / OFF. The control circuit 73 performs charge operation control of the power storage element 70 and operation control of the light emitting element chip 71 in accordance with instructions from the control unit 61. The constant current circuits 72a and 72a drive the light emitting elements 711 and 712 at a constant current, respectively. The constant current circuits 72a and 72b independently control the light emission of the light emitting elements 711 and 712 based on the control signal of the control circuit 73.

照明装置1は図1に示されたように単一の発光素子チップ2に対してカソード電極を複数の区画に独立して形成させている。すなわち、単一の発光素子チップ2に対して発光素子であるカソード電極が2つの区画に独立して形成されている。前記カソード電極は、ITO(Indium Tin Oxide)に例示される材料からなる透明電極であって、第1カソード21と第2カソード22の2つの領域から成る。   In the illuminating device 1, as shown in FIG. 1, cathode electrodes are independently formed in a plurality of sections with respect to a single light emitting element chip 2. That is, the cathode electrode which is a light emitting element is independently formed in two sections with respect to the single light emitting element chip 2. The cathode electrode is a transparent electrode made of a material exemplified by ITO (Indium Tin Oxide), and consists of two regions of a first cathode 21 and a second cathode 22.

また、発光素子チップ2には第1カソード21,第2カソード22にそれぞれ独立に接続される第1カソード引き出し電極23,第2カソード引き出し電極24が設けられる。このような構成によれば発光素子チップ2の発光面内の発光領域を複数に分割して領域ごとに発光させることができる。第1カソード引き出し電極23及び第2カソード引き出し電極24は酸化金属膜または金属膜によって形成すればよい。   The light emitting element chip 2 is provided with a first cathode lead electrode 23 and a second cathode lead electrode 24 that are independently connected to the first cathode 21 and the second cathode 22, respectively. According to such a configuration, the light emitting area in the light emitting surface of the light emitting element chip 2 can be divided into a plurality of parts to emit light for each area. The first cathode lead electrode 23 and the second cathode lead electrode 24 may be formed of a metal oxide film or a metal film.

一方、発光素子チップ2が設けられる基板3側には、第1カソード引き出し電極23,第2カソード引き出し電極24ごとに対応した電極端子31,32が設けられて、外部回路からカソード電極ごとに順電圧を印加できるようになっている。順電圧が印加された電極直下の領域では、それ以外の領域より電流密度が高く、この領域が選択的に活性化されて発光する。   On the other hand, on the side of the substrate 3 on which the light emitting element chip 2 is provided, electrode terminals 31 and 32 corresponding to the first cathode lead electrode 23 and the second cathode lead electrode 24 are provided. A voltage can be applied. In the region immediately below the electrode to which the forward voltage is applied, the current density is higher than in other regions, and this region is selectively activated to emit light.

カソード電極は、酸化金属膜から成る透明性の高い導電性材料が好ましいが、通電インピーダンスを低減させる為に局所的に金属膜と組み合わせて形成させることが好ましい。また、図1に示された発光素子チップ2は、カソード電極側が電極面を複数に細分化させた形態となっているが、この形態に代えてアノード電極側が複数の電極面をITOで構成させて発光するようにしてもよい(図10の発光素子チップ6及び図11の発光素子チップ7についても同様)。   The cathode electrode is preferably made of a highly transparent conductive material made of a metal oxide film, but is preferably formed locally in combination with a metal film in order to reduce the current-carrying impedance. The light emitting element chip 2 shown in FIG. 1 has a form in which the cathode electrode side is divided into a plurality of electrode surfaces. Instead of this form, the anode electrode side has a plurality of electrode surfaces made of ITO. The light may be emitted (the same applies to the light emitting element chip 6 in FIG. 10 and the light emitting element chip 7 in FIG. 11).

図6(a)は第一の実施形態に係る発光素子チップの構成を示した平面図である。図6(b)は前記発光素子チップの構成を示した断面図である。   FIG. 6A is a plan view showing the configuration of the light emitting element chip according to the first embodiment. FIG. 6B is a cross-sectional view showing a configuration of the light emitting element chip.

第1カソード21は図6(a)及び図6(b)に示されたように主面が略正方形の板状に形成されている。第2カソード22は同一平面上で第1カソード21の周囲を囲い込むような輪形の板状に形成される。第1カソード21及び第2カソード22はそれぞれ第1カソード引き出し電極23及び第2カソード引き出し電極24と電気的に接続される。第1カソード21及び第2カソード22は図6(b)の断面構造に示すように電気的に独立した電極としてエピタキシャル層25の上に形成される。エピタキシャル層25は例示されたようにシリコン基材26の上面に導電層27を介して形成されている。発光素子チップ2の端部近傍の導電層27上にはアノード引き出し電極28が形成されている。発光素子チップ2の材料にも因るが、カソード電極すなわち第1カソード21及び第2カソード22の発光面から放射される光線は主に前記発光面の垂線方向に狭い広がり角で放出される。   As shown in FIGS. 6A and 6B, the first cathode 21 is formed in a plate shape having a substantially square main surface. The second cathode 22 is formed in a ring-shaped plate shape surrounding the periphery of the first cathode 21 on the same plane. The first cathode 21 and the second cathode 22 are electrically connected to the first cathode lead electrode 23 and the second cathode lead electrode 24, respectively. The first cathode 21 and the second cathode 22 are formed on the epitaxial layer 25 as electrically independent electrodes as shown in the cross-sectional structure of FIG. As illustrated, the epitaxial layer 25 is formed on the upper surface of the silicon substrate 26 via the conductive layer 27. An anode lead electrode 28 is formed on the conductive layer 27 near the end of the light emitting element chip 2. Although depending on the material of the light emitting element chip 2, light rays emitted from the light emitting surfaces of the cathode electrode, that is, the first cathode 21 and the second cathode 22, are emitted mainly at a narrow spread angle in the perpendicular direction of the light emitting surface.

発光素子チップ2は図1に示されたように基板3の上面の中央部に設置される。発光素子2の第1カソード引き出し電極23、第2カソード引き出し電極24及びアノード引き出し電極28はそれぞれボンディングワイヤ34,35及び36によって基板3上の電極端子31、電極端子32及び電極端子33と電気的に接続される。この基板3上の発光素子チップ2はパッケージ4に埋設される。パッケージ4は光透過性の既知の樹脂によってレンズ機能を有するように成形される。具体的にはパッケージ4はその上面が凹面に形成されることで凹レンズの機能を有するように形成されている。   The light emitting element chip 2 is installed at the center of the upper surface of the substrate 3 as shown in FIG. The first cathode lead electrode 23, the second cathode lead electrode 24, and the anode lead electrode 28 of the light emitting element 2 are electrically connected to the electrode terminal 31, the electrode terminal 32, and the electrode terminal 33 on the substrate 3 by bonding wires 34, 35, and 36, respectively. Connected to. The light emitting element chip 2 on the substrate 3 is embedded in a package 4. The package 4 is molded so as to have a lens function using a known resin that is light transmissive. Specifically, the package 4 is formed to have a concave lens function by forming the upper surface thereof as a concave surface.

図7はパッケージ4によって発光素子チップ2が封入された基板3の断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view of the substrate 3 in which the light emitting element chip 2 is enclosed by the package 4.

パッケージ4の上面は発光素子チップ2を発光源とする光学設計上の組み立て精度の観点からレンズ形状の放射面を成したレンズ面10が形成されている。レンズ面10の形態は放出方向に対し凹レンズ面となっており照射範囲が拡大するようになっている。   On the upper surface of the package 4, a lens surface 10 that forms a lens-shaped radiation surface is formed from the viewpoint of assembly accuracy in optical design using the light emitting element chip 2 as a light source. The form of the lens surface 10 is a concave lens surface with respect to the emission direction, and the irradiation range is expanded.

フラッシュ補助光として求められる配光特性の対称性を得るために、発光素子チップ2の発光面の中心点は図7に示されたようにパッケージ4のレンズ面40の中心軸上にあることが好ましい。発光素子チップ2を用いた場合、第1カソード21の領域から放出した発光光線はパッケージ4のレンズ面40の中心近傍から放出されるので、レンズ界面での屈折角は比較的小さく、結果的に比較的狭い放射角内に放出される。第2カソード22の領域から放出した発光光線はパッケージ4の中心から離れた屈折角の比較的大きいレンズ界面から放出されるので、比較的広い放射角内に放出される。   In order to obtain the symmetry of the light distribution characteristic required as the flash auxiliary light, the center point of the light emitting surface of the light emitting element chip 2 should be on the central axis of the lens surface 40 of the package 4 as shown in FIG. preferable. When the light emitting element chip 2 is used, the emitted light emitted from the region of the first cathode 21 is emitted from the vicinity of the center of the lens surface 40 of the package 4, so that the refraction angle at the lens interface is relatively small. It is emitted within a relatively narrow radiation angle. Since the emitted light emitted from the region of the second cathode 22 is emitted from the lens interface having a relatively large refraction angle away from the center of the package 4, it is emitted within a relatively wide radiation angle.

図8はレンズ面の中心軸を含む評価線上における放射角度に対する放射強度分布を示す。   FIG. 8 shows the radiation intensity distribution with respect to the radiation angle on the evaluation line including the central axis of the lens surface.

縦軸Yはパッケージ4のレンズ面40の中心軸である。横軸Xは第1カソード21及び第2カソード22の発光面と同一平面上にある軸である。実線で示した強度分布は第1カソード21の領域から放出される発光光線の強度分布である。一方、破線で示した強度分布は第2カソード22の領域から放出される発光光線の強度分布である。   The vertical axis Y is the central axis of the lens surface 40 of the package 4. The horizontal axis X is an axis that is on the same plane as the light emitting surfaces of the first cathode 21 and the second cathode 22. The intensity distribution indicated by the solid line is the intensity distribution of the emitted light emitted from the first cathode 21 region. On the other hand, the intensity distribution indicated by the broken line is the intensity distribution of the emitted light emitted from the region of the second cathode 22.

この特性をデジタルスチルカメラのフラッシュ補助光に応用した具体的な例について図1及び図9を参照しながら説明する。   A specific example in which this characteristic is applied to flash auxiliary light of a digital still camera will be described with reference to FIGS.

図9に示されたデジタルスチルカメラ5のレンズ鏡筒52のズーム機構に関し、ズーム位置に応じて撮影画枠が変化するが、この撮影画枠に対し十分条件の照射範囲となるように図1に示された照明装置1の第1カソード21及び第2カソード22の発光が制御される。例えば図9に示されたようにレンズ鏡筒52のズーム位置が「細実線」を限界とする望遠側位置である場合、照射装置1は図1に示した第1カソード21の領域のみ発光させて図9に示されたような「太実線」を限界とする照射範囲を確保する。一方、ズーム位置が「細破線」を限界とする広角側位置となった場合、照明装置1は図1に示された第1カソード21、第2カソード22の両方の領域を発光させて図9に示したような「太破線」を限界とする照射範囲を確保する。この例はズーム位置を判定条件に用いているが、フラッシュ調光検波情報を判定条件に用いても有効である。   Regarding the zoom mechanism of the lens barrel 52 of the digital still camera 5 shown in FIG. 9, the photographic image frame changes according to the zoom position, and FIG. The light emission of the first cathode 21 and the second cathode 22 of the lighting device 1 shown in FIG. For example, as shown in FIG. 9, when the zoom position of the lens barrel 52 is the telephoto position where the “thin solid line” is the limit, the irradiation apparatus 1 emits light only in the region of the first cathode 21 shown in FIG. As shown in FIG. 9, an irradiation range with a “thick solid line” as a limit is secured. On the other hand, when the zoom position is at the wide-angle position where the “thin broken line” is the limit, the illumination device 1 causes both the first cathode 21 and the second cathode 22 shown in FIG. An irradiation range with a “thick broken line” as shown in FIG. In this example, the zoom position is used as a determination condition, but it is also effective to use flash dimming detection information as a determination condition.

また、発光素子チップの他の実施形態としては、図10及び図11の平面図に例示された発光素子チップ6,7のように、単一のシリコン基材に対してカソード電極を3枚以上のカソードに分割させて配置させてもよい。   Further, as another embodiment of the light emitting element chip, as in the light emitting element chips 6 and 7 illustrated in the plan views of FIGS. 10 and 11, three or more cathode electrodes are provided on a single silicon substrate. The cathodes may be divided and arranged.

図10に示された発光素子チップ6は、主面が長方形である単一のシリコン基材の上面に導電層80を介してエピタキシャル層81を設け、このエピタキシャル層81に6枚の板状のカソードを行列状に配置させている。ここではエピタキシャル層81上にカソードが「2行3列」の行列状に配置されている。尚、各カソードすなわち第1カソード82a〜第六カソード82fの主面は図示されたような略長方形の形状に限定せず、例えば、略正方形、円、楕円、長円の形状に形成してもよい。   In the light-emitting element chip 6 shown in FIG. 10, an epitaxial layer 81 is provided on the upper surface of a single silicon substrate whose main surface is rectangular via a conductive layer 80, and the epitaxial layer 81 has six plate-like shapes. The cathodes are arranged in a matrix. Here, the cathodes are arranged in a matrix of “2 rows and 3 columns” on the epitaxial layer 81. The main surfaces of the respective cathodes, that is, the first cathode 82a to the sixth cathode 82f are not limited to a substantially rectangular shape as illustrated, and may be formed into, for example, a substantially square shape, a circle shape, an ellipse shape, or an oval shape. Good.

第1カソード82a〜第六カソード82fは互いに接触しないように「2行3列」の行列状に配置されている。すなわち、第1カソード82aは第1行第1列目の位置に配置されている。第2カソード82bは第1行第2列目の位置に配置されている。第3カソード82cは第1行第3列目の位置に配置されている。第4カソード82dは第2行第1列目の位置に配置されている。第5カソード82eは第2行第2列目の位置に配置されている。第六カソード82fは第2行第3列目の位置に配置されている。   The first cathode 82a to the sixth cathode 82f are arranged in a matrix of “2 rows and 3 columns” so as not to contact each other. That is, the first cathode 82a is arranged at the position of the first row and the first column. The second cathode 82b is disposed at the position of the first row and the second column. The third cathode 82c is disposed at the position of the first row and the third column. The fourth cathode 82d is disposed at the position of the second row and the first column. The fifth cathode 82e is arranged at the position of the second row and the second column. The sixth cathode 82f is arranged at the position of the second row and the third column.

また、第1カソード82aはエピタキシャル層81の上辺付近の導電層80に設置された第1カソード引き出し電極83aと電気的に接続されている。第2カソード82bは前記上辺付近の導電層80に設置された第2カソード引き出し電極83bと電気的に接続されている。第3カソード82cは前記上辺付近の導電層80に設置された第3カソード引き出し電極83cと電気的に接続されている。第4カソード82dはエピタキシャル層81の下辺付近の導電層80に設置された第4カソード引き出し電極83dと電気的に接続されている。第5カソード82eは前記下辺付近の導電層80に設置された第5カソード引き出し電極83eと電気的に接続されている。第六カソード82fは前記下辺付近の導電層80に設置された第六カソード引き出し電極83fと電気的に接続されている。尚、アノード電極84は導電層80の角付近に設けられている。   The first cathode 82 a is electrically connected to a first cathode lead electrode 83 a provided in the conductive layer 80 near the upper side of the epitaxial layer 81. The second cathode 82b is electrically connected to a second cathode lead electrode 83b installed in the conductive layer 80 near the upper side. The third cathode 82c is electrically connected to a third cathode lead electrode 83c installed in the conductive layer 80 near the upper side. The fourth cathode 82d is electrically connected to a fourth cathode lead electrode 83d provided in the conductive layer 80 near the lower side of the epitaxial layer 81. The fifth cathode 82e is electrically connected to a fifth cathode lead electrode 83e installed on the conductive layer 80 near the lower side. The sixth cathode 82f is electrically connected to a sixth cathode lead electrode 83f installed in the conductive layer 80 near the lower side. The anode electrode 84 is provided near the corner of the conductive layer 80.

図11に示された発光素子チップ7はエピタキシャル層91に5枚の板状のカソードをX状に配置させている。ここでは、主面が長方形である単一のシリコン基材の上面に導電層90を介して設けられたエピタキシャル層91の中央部に第2カソード92bが設置されている。第1カソード92a、第3カソード92c、第4カソード92d、第5カソード92eは第2カソード92bを囲い込むように配置されている。第2カソード92bは円状若しくは楕円状、長円状に形成される。第1カソード92a、第3カソード92c、第4カソード92d及び第5カソード92eは少なくとも第2カソード92bと接触しないような形状に形成される。   In the light emitting element chip 7 shown in FIG. 11, five plate-like cathodes are arranged in an X shape on the epitaxial layer 91. Here, the second cathode 92b is provided at the center of an epitaxial layer 91 provided on the upper surface of a single silicon substrate having a rectangular main surface via a conductive layer 90. The first cathode 92a, the third cathode 92c, the fourth cathode 92d, and the fifth cathode 92e are disposed so as to surround the second cathode 92b. The second cathode 92b is formed in a circular shape, an elliptical shape, or an oval shape. The first cathode 92a, the third cathode 92c, the fourth cathode 92d, and the fifth cathode 92e are formed so as not to contact at least the second cathode 92b.

第1カソード92aはエピタキシャル層91の上辺付近の導電層90に設置された第1カソード引き出し電極93aと電気的に接続されている。第2カソード92bは前記上辺付近の導電層90に設置された第2カソード引き出し電極93bと電気的に接続されている。第3カソード92cは前記上辺付近の導電層90に設置された第3カソード引き出し電極93cと電気的に接続されている。第4カソード92dはエピタキシャル層91の下辺付近の導電層90に設置された第4カソード引き出し電極93dと電気的に接続されている。第5カソード92eは前記下辺付近の導電層90に設置された第5カソード引き出し電極93eと電気的に接続されている。尚、アノード電極94は導電層90の角付近に設けられている。   The first cathode 92 a is electrically connected to a first cathode lead electrode 93 a provided on the conductive layer 90 near the upper side of the epitaxial layer 91. The second cathode 92b is electrically connected to a second cathode lead electrode 93b installed in the conductive layer 90 near the upper side. The third cathode 92c is electrically connected to a third cathode lead electrode 93c provided on the conductive layer 90 near the upper side. The fourth cathode 92d is electrically connected to a fourth cathode lead electrode 93d provided on the conductive layer 90 near the lower side of the epitaxial layer 91. The fifth cathode 92e is electrically connected to a fifth cathode lead electrode 93e installed on the conductive layer 90 near the lower side. The anode electrode 94 is provided near the corner of the conductive layer 90.

以上のように例示された実施形態の発光素子チップの各電極領域すなわち各カソードから放出される光線の放射角領域は画枠領域を分割した特定領域と対応している。そして、カソードごとに独立して発光制御することにより画枠中の特定領域に対して選択的に照射することができる。フラッシュ照射領域はフラッシュ調光検波情報における画枠領域検波情報及びズーム位置情報に基づき区分選択的に調光される。   As described above, each electrode region of the light emitting element chip of the embodiment illustrated as described above, that is, the radiation angle region of the light emitted from each cathode corresponds to a specific region obtained by dividing the image frame region. And it can selectively irradiate with respect to the specific area | region in an image frame by carrying out light emission control independently for every cathode. The flash irradiation area is selectively dimmed based on the image frame area detection information and the zoom position information in the flash dimming detection information.

図12は照明装置に第三の実施形態に係る発光素子チップが適用された撮像装置8のシステム構成を示したブロック図である。   FIG. 12 is a block diagram illustrating a system configuration of the imaging apparatus 8 in which the light emitting element chip according to the third embodiment is applied to the illumination apparatus.

撮像素子100はレンズ鏡筒104のレンズ105を介して捉えた被写体の像を電気信号に変換する。画像処理部101は前記電気信号に変換された被写体の像を増幅部106及び信号処理部107を介して導入して画像処理する。画像処理部101には内部メモリ108の他にメモリスロット109から外部メモリ110がインターフェース回路111を介して電気的に接続される。駆動部102a〜102eは発光素子チップ7に具備された第1カソード92a〜第5カソード92eをそれぞれ発光動作させる。制御部103は、画像処理部101を動作制御すると共に、シャッターレリーズボタン等の機能を備えた操作部112の操作信号及び画像処理部101での画像処理の結果に基づき駆動部102a〜102eを動作制御する。   The image sensor 100 converts an image of a subject captured through the lens 105 of the lens barrel 104 into an electrical signal. The image processing unit 101 introduces the image of the subject converted into the electric signal through the amplification unit 106 and the signal processing unit 107 and performs image processing. In addition to the internal memory 108, an external memory 110 is electrically connected to the image processing unit 101 from a memory slot 109 via an interface circuit 111. The driving units 102a to 102e cause the first cathode 92a to the fifth cathode 92e included in the light emitting element chip 7 to emit light. The control unit 103 controls the operation of the image processing unit 101 and operates the drive units 102a to 102e based on the operation signal of the operation unit 112 having a function such as a shutter release button and the result of the image processing in the image processing unit 101. Control.

図13は撮像装置8の動作例を説明したフローチャートである。図12及び図13を参照しながら撮像装置8の動作例について説明する。   FIG. 13 is a flowchart illustrating an operation example of the imaging device 8. An operation example of the imaging device 8 will be described with reference to FIGS. 12 and 13.

ステップS1ではシャッターレリーズボタンが押されたか否かが判断される。ステップS2では制御部103が駆動部102a〜102eのいずれかを動作させて発光素子チップ7の第1カソード92aから第5カソード92eのいずれかをプリ発光させる。ステップS3では画像処理部102が前記プリ発光によって捉えた被写体の像を画像処理する。ステップS4では前記画像処理の結果に基づいて発光させる発光領域(この事例では第1カソード92aから第5カソード92eのいずれか)とその光量を決定する。ここでは光量を規定する発光時間が決定される。ステップS5で所定の発光領域(この事例では第1カソード92aから第5カソード92eのいずれかまたはいくつかの組み合わせ)を前記決定された光量を規定する所定時間だけ点灯させながら、ステップ6で撮影する。   In step S1, it is determined whether or not the shutter release button has been pressed. In step S <b> 2, the control unit 103 operates any of the drive units 102 a to 102 e to cause one of the first cathode 92 a to the fifth cathode 92 e of the light emitting element chip 7 to emit pre-light. In step S3, the image processing unit 102 performs image processing on the image of the subject captured by the pre-emission. In step S4, a light emitting region to emit light (in this case, any one of the first cathode 92a to the fifth cathode 92e) and its light amount are determined based on the result of the image processing. Here, the light emission time that defines the amount of light is determined. In step S5, a predetermined light emitting region (in this case, any one or some combination of the first cathode 92a to the fifth cathode 92e) is photographed in step 6 while being lit for a predetermined time that defines the determined light amount. .

次に図12及び図14を参照しながらフラッシュ到達距離以内において比較的近い被写体と比較的遠い被写体とフラッシュ到達距離以遠の被写体が混在したシーンに対して撮像装置の発光制御の例について説明する。   Next, an example of light emission control of the imaging apparatus will be described with reference to FIGS. 12 and 14 for a scene where a relatively close subject, a relatively far subject, and a subject beyond the flash reach range coexist within the flash reach distance.

先ず、図12に示された撮像装置8はプリ調光発光として発光素子チップ7の第1カソード92aから第5カソード92eのいずれかを微少発光させる。被写体からの反射光は撮像装置5の撮像素子100によって捉えられる。このときの照度は図14(b)の検波画のように画枠分割領域毎に検波され、発光量が発光領域毎に決定される。判定条件の例としては、図14(a)に示された比較的近い被写体141が存在する画枠分割領域に対応する発光領域(例えば第2カソード92bの発光領域)に対しては露光量オーバーにならないために発光量が低めに設定される。一方、比較的遠い被写体142が存在する領域に対応する発光領域(例えば第3カソード92c及び第5カソード92eの発光領域)に対しては露光量アンダーにならないために発光量が多めに設定される。また、フラッシュ到達距離以遠の被写体143に対応する発光領域(例えば第1カソード92a及び第4カソード92dの発光領域)は発光禁止となる。発光量は発光素子に供される電流値または通電時間によって制御される。   First, the imaging device 8 shown in FIG. 12 causes one of the first cathode 92a to the fifth cathode 92e of the light emitting element chip 7 to emit a small amount of light as pre-dimmed light emission. Reflected light from the subject is captured by the image sensor 100 of the imaging device 5. The illuminance at this time is detected for each image frame division area as in the detection image of FIG. 14B, and the light emission amount is determined for each light emission area. As an example of the determination condition, an overexposure amount is applied to a light emitting region (for example, the light emitting region of the second cathode 92b) corresponding to the image frame division region where the relatively close subject 141 shown in FIG. Therefore, the light emission amount is set low. On the other hand, the light emission amount corresponding to the region where the subject 142 is relatively far away (for example, the light emission regions of the third cathode 92c and the fifth cathode 92e) is not underexposed so that the light emission amount is set to be large. . In addition, light emission areas corresponding to the subject 143 that is longer than the flash reach distance (for example, the light emission areas of the first cathode 92a and the fourth cathode 92d) are prohibited from emitting light. The amount of light emission is controlled by the current value supplied to the light emitting element or the energization time.

図15に示されたタイムチャートを参照して説明すると、シャッターが開放となっている間に、それぞれの発光領域を検波量から決定した発光時間だけ独立して発光させる。例えば、比較的近い被写体に対応する第2発光領域(第2カソード92b)は発光時間を短めにし、比較的遠い被写体に対応する第3発光領域(第3カソード92c)及び第5発光領域(第5カソード92e)は発光時間を長めにする。フラッシュ到達距離以遠の被写体に対応する第1発光領域(第1カソード92a)及び第4発光領域(第4カソード92d)は発光させない。   Referring to the time chart shown in FIG. 15, while the shutter is open, each light emitting region is caused to emit light independently for the light emission time determined from the detection amount. For example, the second light emitting region (second cathode 92b) corresponding to a relatively close subject shortens the light emission time, and the third light emitting region (third cathode 92c) and the fifth light emitting region (first cathode) corresponding to a relatively far subject. The 5 cathode 92e) makes the light emission time longer. The first light-emitting area (first cathode 92a) and the fourth light-emitting area (fourth cathode 92d) corresponding to the subject beyond the flash reach distance are not allowed to emit light.

また、発明に係る照明装置の他の実施形態としては図16に示された撮像装置9のようにフラッシュ部に光の3原色である青色、緑色、赤色の光をそれぞれ発する照明装置161,162,163を適用させてもよい。これらの照明装置の実施形態としては、図1、図10及び図11に例示された発光素子チップを採用し、この発光素子に所定の色を呈するためのフィルターを適用させてもよい。または、前記発光素子を密閉させるパッケージを所定の色を呈するように形成してもよい。青色の光を呈する照明装置161、緑色の光を呈する照明装置162及び赤色の光を呈する照明装置163とレンズ鏡筒52の撮像レンズとのパララックスを低減するために、照明装置161,162,163は近接配置させることが好ましい。   Further, as another embodiment of the illumination device according to the invention, illumination devices 161 and 162 that emit blue, green, and red light, which are the three primary colors of light, to the flash unit as in the imaging device 9 shown in FIG. , 163 may be applied. As an embodiment of these lighting devices, the light emitting element chip illustrated in FIGS. 1, 10, and 11 may be adopted, and a filter for exhibiting a predetermined color may be applied to the light emitting element. Alternatively, a package for sealing the light emitting element may be formed to exhibit a predetermined color. In order to reduce parallax between the illumination device 161 that exhibits blue light, the illumination device 162 that exhibits green light, and the illumination device 163 that exhibits red light and the imaging lens of the lens barrel 52, the illumination devices 161, 162, It is preferable to arrange 163 close to each other.

発明の一実施形態に係る照明装置の斜視図。The perspective view of the illuminating device which concerns on one Embodiment of invention. 前記照明装置を備えた撮像装置の正面図。The front view of the imaging device provided with the said illuminating device. 前記照明装置を備えた撮像装置の斜視図。The perspective view of an imaging device provided with the said illuminating device. 前記撮像装置のシステム構成を示したブロック図。The block diagram which showed the system configuration | structure of the said imaging device. 発光素子を瞬間発光駆動するための駆動回路の一例を示した回路構成図。The circuit block diagram which showed an example of the drive circuit for carrying out the instantaneous light emission drive of the light emitting element. (a)第一の実施形態に係る発光素子チップの平面図,(b)前記発光素子チップの構成を示した断面図。(A) The top view of the light emitting element chip which concerns on 1st embodiment, (b) Sectional drawing which showed the structure of the said light emitting element chip. パッケージによって発光素子チップが封入された基板の断面図。Sectional drawing of the board | substrate with which the light emitting element chip | tip was enclosed with the package. レンズ面の中心軸を含む評価線上における放射角度に対する放射強度分布。Radiation intensity distribution with respect to radiation angle on the evaluation line including the central axis of the lens surface. 撮像レンズのズーム範囲と照明装置の照射範囲を説明した説明図。Explanatory drawing explaining the zoom range of an imaging lens, and the irradiation range of an illuminating device. 第二の実施形態に係る発光素子チップの平面図。The top view of the light emitting element chip which concerns on 2nd embodiment. 第三の実施形態に係る発光素子チップの平面図。The top view of the light emitting element chip which concerns on 3rd embodiment. 照明装置に第三の実施形態に係る発光素子チップが適用された撮像装置のシステム構成を示したブロック図。The block diagram which showed the system configuration | structure of the imaging device with which the light emitting element chip which concerns on 3rd embodiment was applied to the illuminating device. 照明装置に第三の実施形態に係る発光素子チップが適用された撮像装置の動作例を説明したフローチャート。The flowchart explaining the operation example of the imaging device by which the light emitting element chip which concerns on 3rd embodiment was applied to the illuminating device. (a)被写体像の模式図,(b)検波画の模式図。(A) Schematic diagram of subject image, (b) Schematic diagram of detection image. 第三の実施形態に係る発光素子チップを適用した照明装置の動作例をタイムチャートで説明した動作シーケンス図。The operation | movement sequence diagram explaining the operation example of the illuminating device to which the light emitting element chip | tip which concerns on 3rd embodiment was applied with the time chart. 発明の他の実施形態に係る照明装置を備えた撮像装置の正面図。The front view of the imaging device provided with the illuminating device which concerns on other embodiment of invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,161,162,163…照明装置
2,6,7…発光素子チップ
3…基板
4…パッケージ
5,8,9…撮像装置
21…第1カソード、22…第2カソード、23…第1カソード引き出し電極、24…第2カソード引き出し電極、25…エピタキシャル層、26…シリコン基材、27…導電層28…アノード引き出し電極
31,32,33…電極端子
34,35,36…ボンディングワイヤ
40…レンズ面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,161,162,163 ... Lighting device 2,6,7 ... Light emitting element chip 3 ... Board | substrate 4 ... Package 5, 8, 9 ... Imaging device 21 ... 1st cathode, 22 ... 2nd cathode, 23 ... 1st cathode Lead electrode, 24 ... second cathode lead electrode, 25 ... epitaxial layer, 26 ... silicon substrate, 27 ... conductive layer 28 ... anode lead electrodes 31, 32, 33 ... electrode terminals 34, 35, 36 ... bonding wire 40 ... lens surface

Claims (11)

撮像装置の照明装置において、
基板と、
導電層と該導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、前記基板から電力の供給を受けて発光する発光素子チップと、
前記エピタキシャル層の上に形成され、前記発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する複数の第1電極と、
各第1電極に接続される複数の第1引き出し電極と、
前記導電層上に形成された第2引き出し電極と、
前記基板に設けられ、各第1引き出し電極又は前記第2引き出し電極にそれぞれ接続される複数の電極端子と、
を備え、
前記撮像装置の画角に応じて前記発光領域のうちいずれかが発光する
照明装置。
In the illumination device of the imaging device,
A substrate,
A light emitting element chip that has a conductive layer and an epitaxial layer formed on the conductive layer, and emits light upon receiving power from the substrate;
A plurality of first electrodes formed on the epitaxial layer and partitioning a light emitting surface of the light emitting element chip into a plurality of light emitting regions;
A plurality of first extraction electrodes connected to each first electrode;
A second lead electrode formed on the conductive layer;
A plurality of electrode terminals provided on the substrate and connected to each of the first extraction electrodes or the second extraction electrodes;
With
One of the light emitting areas emits light according to the angle of view of the imaging device.
Lighting device.
記撮像装置の撮像レンズの焦点距離に応じて前記複数の発光領域のうち所定の発光領域発光する
求項1に記載の照明装置。
Predetermined light emitting region among the plurality of light emitting region emits light in accordance with the focal length of the imaging lens in the front Stories imaging apparatus
The illumination device according to Motomeko 1.
記撮像装置の撮像レンズのズーム動作位置に応じて前記複数の発光領域のうち所定の発光領域発光する
求項1に記載の照明装置。
Predetermined light emitting region among the plurality of light emitting region emits light in response to the zooming operation position of the imaging lens in the front Stories imaging apparatus
The illumination device according to Motomeko 1.
リ発光の検波量に基づいて前記複数の発光領域のうち所定の発光領域発光する
求項1に記載の照明装置。
Predetermined light emitting region among the plurality of light emitting areas to emit light based on the detection of pli emission
The illumination device according to Motomeko 1.
記発光領域の発光量は発光する発光領域に対応する前記第1電極に供される電流値によって制御され
求項1乃至4のいずれか1項に記載の照明装置。
Emission amount before Symbol Luminous areas that are controlled by a current value to be supplied to the first electrodes corresponding to the light emitting region that emits light
Lighting device according to any one of Motomeko 1 to 4.
記発光領域の発光量は発光する発光領域に対応する前記第1電極の通電時間によって制御され
求項1乃至4のいずれか1項に記載の照明装置。
Emission amount before Symbol Luminous areas that are controlled by the energization time of the first electrodes corresponding to the light emitting region that emits light
Lighting device according to any one of Motomeko 1 to 4.
前記複数の発光領域は同心に配置され
求項1乃至6のいずれか1項に記載の照明装置。
Wherein the plurality of light emitting regions Ru disposed concentrically
Lighting device according to any one of Motomeko 1 to 6.
前記複数の発光領域が行列配置され
求項1乃至6のいずれか1項に記載の照明装置。
The plurality of light emitting regions Ru arranged in a matrix
Lighting device according to any one of Motomeko 1 to 6.
前記複数の発光領域が発光素子チップの主面においてX状に配置され
求項1乃至6のいずれか1項に記載の照明装置。
The plurality of light emitting regions Ru are arranged in X shape in the main surface of the light-emitting element chips
Lighting device according to any one of Motomeko 1 to 6.
記複数の発光領域を封止するパッケージを備え、
前記パッケージの上面は凹レンズ面を成してい
求項1乃至9のいずれか1項に記載の照明装置。
Comprising a package for sealing the front Symbol plurality of light emitting regions,
The upper surface of the package is that not make concave surface
Lighting device according to any one of Motomeko 1-9.
照明装置を備える撮像装置であって、
前記照明装置は、
基板と、
導電層と該導電層の上に形成されたエピタキシャル層を有し、前記基板から電力の供給を受けて発光する発光素子チップと、
前記エピタキシャル層の上に形成され、前記発光素子チップの発光面を複数の発光領域に区画する複数の第1電極と、
各弟1電極に接続される複数の第1引き出し電極と、
前記導電層上に形成された第2引き出し電極と、
前記基板に設けられ、各第1引き出し電極又は前記第2引き出し電極にそれぞれ接続される複数の電極端子と、
を備え、
前記撮像装置の画角に応じて前記発光領域のうちいずれかが発光する
撮像装置。
An imaging device including an illumination device,
The lighting device includes:
A substrate,
A light emitting element chip that has a conductive layer and an epitaxial layer formed on the conductive layer, and emits light upon receiving power from the substrate;
A plurality of first electrodes formed on the epitaxial layer and partitioning a light emitting surface of the light emitting element chip into a plurality of light emitting regions;
A plurality of first extraction electrodes connected to each brother 1 electrode;
A second lead electrode formed on the conductive layer;
A plurality of electrode terminals provided on the substrate and connected to each of the first extraction electrodes or the second extraction electrodes;
With
An imaging device in which one of the light emitting regions emits light according to the angle of view of the imaging device.
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