JP5065084B2 - Voltage detector - Google Patents
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Description
本発明は、電圧検出装置に係り、特に、二次電池から成る単位セルが複数直列接続された組電池を複数に分割したブロック毎に電圧検出を行う電圧検出装置に関するものである。 The present invention relates to a voltage detection device, and more particularly to a voltage detection device that performs voltage detection for each block obtained by dividing an assembled battery in which a plurality of unit cells each including a secondary battery are connected in series.
近年、エンジンと電動モータとを併用して走行するハイブリッド自動車(以下HEV)が普及してきている。このHEVは、上記エンジン始動用の12V程度の低圧バッテリと、上記電動モータ駆動用の高圧バッテリと、の2種類のバッテリを備えている。上述した高圧バッテリは、ニッケル−水素電池やリチウム電池といった二次電池を単位セルとして、この単位セルを複数直列接続して高電圧を得ている。 In recent years, hybrid vehicles (hereinafter referred to as HEVs) that travel using both an engine and an electric motor have become widespread. The HEV includes two types of batteries, a low voltage battery of about 12V for starting the engine and a high voltage battery for driving the electric motor. The high voltage battery described above obtains a high voltage by connecting a plurality of unit cells in series with a secondary battery such as a nickel-hydrogen battery or a lithium battery as a unit cell.
上述した高圧バッテリは充放電を繰り返すうちに各単位セルの両端電圧、即ち充電状態(SOC)にばらつきが生じる。バッテリの充放電にあたっては、各単位セルの耐久性や安全確保の観点より、SOC(又は両端電圧)の最も高い単位セルが設定上限SOC(又は上限両端電圧値)に到達した時点で充電を禁止し、SOC(又は両端電圧)の最も低い単位セルが設定下限SOC(又は下限両端電圧値)に到達した時点で放電を禁止する必要がある。従って、各単位セルにSOCのバラツキが生じると、実質上、バッテリの使用可能容量が減少することになる。このため、HEVにおいては、登坂時にガソリンに対してバッテリエネルギーを補充したり、降坂時にバッテリにエネルギーを回生したりする、いわゆるアシスト・回生が不十分となり、実車動力性能や燃費を低下させることになる。そこで、各単位セルのSOCを均等化するために、各単位セルの両端電圧を検出する必要がある。 In the above-described high voltage battery, the voltage across the unit cell, that is, the state of charge (SOC) varies as charging and discharging are repeated. When charging or discharging the battery, from the viewpoint of ensuring the durability and safety of each unit cell, charging is prohibited when the unit cell with the highest SOC (or both-ends voltage) reaches the set upper limit SOC (or upper-end both-ends voltage value). However, it is necessary to inhibit discharge when the unit cell having the lowest SOC (or both-ends voltage) reaches the set lower limit SOC (or lower-end both-ends voltage value). Therefore, when SOC variation occurs in each unit cell, the usable capacity of the battery is substantially reduced. For this reason, in HEV, so-called assist / regeneration, which replenishes battery energy to gasoline when climbing, or regenerates energy to the battery when descending, becomes insufficient, reducing actual vehicle power performance and fuel consumption. become. Therefore, in order to equalize the SOC of each unit cell, it is necessary to detect the voltage across each unit cell.
そこで、高圧バッテリを複数のブロックに分割して、ブロック毎に単位セルの両端電圧をアナログ/デジタル(A/D)変換するA/D変換器(アナログ/デジタル変換手段)を設ける。そして、このA/D変換器によって変換した単位セルの両端電圧のデジタル値を高圧バッテリ全体の管理を行うメインマイコン(制御手段)に送信する電圧検出装置が提案されている。上述した従来の電圧検出装置では、ブロック毎のA/D変換器の基準電圧を同じにしないと、正確に単位セルの両端電圧を検出することができない。このため、従来では高精度な基準電圧源を用いてブロック毎のA/D変換器の基準電圧を同じ値にしていた。しかしながら、この場合、ブロック毎に高価な高精度基準電圧源を用いる必要があり、コスト的に問題があった。また、他の従来例として例えば特許文献1に記載されたものが提案されている。
そこで、本発明は、上記のような問題点に着目し、高精度かつ安価に各ブロックの単位セルの両端電圧を検出することができる電圧検出装置を提供することを課題とする。 Accordingly, the present invention focuses on the above-described problems, and an object thereof is to provide a voltage detection device that can detect the voltage across the unit cell of each block with high accuracy and low cost.
上記課題を解決するためになされた請求項1記載の発明は、二次電池から成る単位セルが複数接続された組電池を複数に分割したブロック毎に対応して設けられると共に前記対応するブロックを構成する各単位セルの両端電圧をアナログ/デジタル変換するアナログ/デジタル変換手段と、前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記各単位セルの両端電圧のデジタル値を受け取る制御手段と、が設けられた電圧検出装置において、非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段の基準電圧の分圧を基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段に対して入力する入力手段と、前記基準ブロックに設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記非基準ブロックの基準電圧の分圧に基づいて、前記基準ブロックの基準電圧と前記非基準ブロックの基準電圧との差に起因して前記非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記単位セルの両端電圧のデジタル値に生じる誤差を消去するように補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする電圧検出装置に存する。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
請求項2記載の発明は、二次電池から成る単位セルが複数接続された組電池を複数に分割したブロック毎に対応して設けられると共に前記対応するブロックを構成する各単位セルの両端電圧をアナログ/デジタル変換するアナログ/デジタル変換手段と、前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記各単位セルの両端電圧のデジタル値を受け取る制御手段と、が設けられた電圧検出装置において、第1の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段の基準電圧の分圧を第2の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段に対して入力する第1の入力手段と、前記第2の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段の基準電圧の分圧を前記基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段に対して入力する第2の入力手段と、前記第2の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記第1の非基準ブロックの基準電圧の分圧、及び、前記基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記第2の非基準ブロックの分圧、に基づいて前記第1の非基準ブロックの基準電圧の分圧を前記基準ブロックに対応して設けた前記アナログ/デジタル変換手段により変換したデジタル値を求める演算手段と、前記演算手段により求めたデジタル値に基づいて、前記基準ブロックの基準電圧と前記第1の非基準ブロックとの差に起因して前記第1の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記単位セルの両端電圧のデジタル値に生じる誤差を消去するように補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする電圧検出装置に存する。
The invention according to
請求項3記載の発明は、前記入力手段が、キャパシタを介して前記分圧を前記アナログ/デジタル変換手段に供給するように設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電圧検出装置に存する。 According to a third aspect of the present invention, in the voltage according to the first or second aspect, the input means is provided so as to supply the divided voltage to the analog / digital conversion means via a capacitor. It exists in the detection device.
以上説明したように請求項1記載の発明によれば、基準ブロックの基準電圧と非基準ブロックの基準電圧との差に起因して非基準ブロックに対応して設けられたアナログ/デジタル変換手段により変換された単位セルの両端電圧のデジタル値に生じる誤差を消去できるので、基準ブロックだけ高精度基準電圧源を用いれば全てのブロックに高価な高精度基準電圧源を用いる必要がなく、高精度かつ安価に各ブロックの単位セルの両端電圧を検出することができる。 As described above, according to the first aspect of the invention, the analog / digital conversion means provided corresponding to the non-reference block due to the difference between the reference voltage of the reference block and the reference voltage of the non-reference block. Since the error generated in the digital value of the voltage across the converted unit cell can be eliminated, it is not necessary to use an expensive high-precision reference voltage source for all blocks if only a reference block is used. The voltage across the unit cell of each block can be detected at low cost.
請求項2記載の発明によれば、基準ブロックの基準電圧と第1の非基準ブロックの基準電圧との差に起因して第1の非基準ブロックに対応して設けられたアナログ/デジタル変換手段により変換された単位セルの両端電圧のデジタル値に生じる誤差を消去できるので、基準ブロックだけ高精度基準電圧源を用いれば全てのブロックに高価な高精度基準電圧源を用いる必要がなく、高精度かつ安価に各ブロックの単位セルの両端電圧を検出することができる。 According to the second aspect of the present invention, the analog / digital conversion means provided corresponding to the first non-reference block due to the difference between the reference voltage of the reference block and the reference voltage of the first non-reference block. This eliminates the error that occurs in the digital value of the voltage across the unit cell converted by, so if a high-precision reference voltage source is used only for the reference block, there is no need to use an expensive high-precision reference voltage source for all blocks, and high accuracy In addition, the voltage across the unit cell of each block can be detected at a low cost.
請求項3記載の発明によれば、キャパシタによって正確に分圧をレベルシフトすることができる。 According to the third aspect of the present invention, the partial pressure can be accurately level-shifted by the capacitor.
第1実施形態
以下、本発明の第1実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明の電圧検出装置の一実施形態を示すブロック図である。図中引用符号BLは低圧バッテリである。低圧バッテリBLは、図1に示すように、例えば一つの二次電池から構成されている。低圧バッテリBLは、エンジンを始動するスタータの動作電源として用いられ、その両端にはオルタネータ等が必要に応じて充電器として接続される。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the voltage detection apparatus of the present invention. Reference sign BL in the figure is a low voltage battery. As shown in FIG. 1, the low-voltage battery BL is composed of, for example, one secondary battery. The low-voltage battery BL is used as an operating power source for a starter that starts the engine, and an alternator or the like is connected to both ends as a charger as necessary.
また、図中引用符号BHは組電池としての高圧バッテリである。上記高圧バッテリBHは、エンジンと電動モータを走行駆動源として併用するHEVにおいて前記電動モータの電源として用いられ、その両端には電動モータが必要に応じて負荷として接続されると共にオルタネータ等が必要に応じて充電器として接続される。 In the figure, reference sign B H is a high voltage battery as an assembled battery. The high-voltage battery B H is used as a power source for the electric motor in an HEV that uses both the engine and the electric motor as a travel drive source. Both ends of the high-voltage battery B H are connected as a load as necessary, and an alternator is required. Is connected as a charger.
高圧バッテリBHは、n個(nは任意の整数)のブロックB1〜Bnに分割されている。各ブロックB1〜Bnは例えばそれぞれ2個の単位セルC11〜Cn2から構成されている。電圧検出装置は、高圧検出回路11〜1nと、制御手段としての低圧系制御回路30と、を備えている。低圧系制御回路30は、低圧バッテリBLからの電源供給を受けて動作し、高圧検出回路11〜1nを制御する。
The high voltage battery B H is divided into n blocks (n is an arbitrary integer) blocks B 1 to B n . Each of the blocks B 1 to B n is composed of, for example, two unit cells C 11 to C n2 . The voltage detection device includes high
高圧検出回路11〜1nは、ブロックB1〜Bn毎に対応して設けられている。高圧検出回路11〜1nは、複数のブロックB1〜Bnのうち対応するブロックB1〜Bnを構成する単位セルC11〜Cn2のみから電源供給を受けて動作して、対応するブロックB1〜Bnを構成する単位セルC11〜Cn2の両端電圧を検出する。即ち、上述した高圧検出回路11〜1nは、対応するブロックB1〜Bnのマイナス側がグランドレベルになり、互いに異なるグランドレベルとなっている。これにより高圧検出回路11〜1nを構成するデバイスの耐圧を下げることができる。
The high
次に、上述した高圧検出回路11〜1nの構成について図2を参照して説明する。同図に示すように、高圧検出回路11〜1nは各々、対応するブロックB1〜Bnを構成する単位セルC11〜Cn2の両端が接続されるキャパシタCpと、対応するブロックB1〜Bnを構成する単位セルC11〜Cn2の一つの両端をキャパシタCpに接続する選択スイッチ群24と、キャパシタCpを介して供給された単位セルC11〜Cn2の両端電圧をデジタル変換するアナログ/デジタル変換手段としてのA/D変換器22と、キャパシタCp及びA/D変換器22間に設けられたスイッチS11、S12と、A/D変換器22に基準電圧を供給する基準電圧源25と、高圧検出回路11〜1n全体を制御する高圧系CPU25と、を備えている。
Next, the configuration of the above-described high
上記選択スイッチ群24は、単位セルC11〜Cn2の両端に設けられたスイッチから構成されている。また、上述したA/D変換器22、基準電圧源25、及び、高圧系CPU25は、その電源ラインが対応するブロックB1〜Bnのプラス側に接続され、グランドラインが対応するブロックB1〜Bnのマイナス側に接続されている。基準ブロックとしてのブロックB1の基準電圧源25は、例えば±0.01%程度の高精度のものを用いている。一方、非基準ブロックとしてのブロックB2〜Bnは、例えば±0.5%程度のブロックB1に比べて低精度のものを用いている。
It said
図1及び図2に示すように、上記高圧検出回路11の高圧系CPU25は、送信ラインLT1、受信ラインLR1を介して低圧系制御回路30と接続されている。送信ラインLT1上には光を媒体にしたフォトカプラや磁気を媒体にした磁気カプラなどの送信用絶縁デバイスDTが設けられている。この送信用絶縁デバイスDTにより高圧検出回路11と低圧系制御回路30とを絶縁した状態で、低圧系制御回路30から高圧検出回路11に対して検出命令などを送信することができる。また、受信ラインLR1にはフォトカプラや磁気カプラなどの受信用絶縁デバイスDRが設けられている。この受信用絶縁デバイスDRにより高圧検出回路11と低圧系制御回路30とを絶縁した状態で、低圧系制御回路30が高圧検出回路11からの両端電圧の検出結果などを受信することができる。また、高圧検出回路11〜1nの高圧系CPU25は、送信ラインLT2、受信ラインLR2によって互いにシリアルに接続されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図2に示すように、上記高圧検出回路11を除く高圧検出回路12〜1nは、ブロックB2〜Bnに対応して設けられたA/D変換器22の基準電圧Vref2〜Vrefnの分圧をブロックB1に対応して設けられたA/D変換器22に対して入力する第1の入力手段としての入力回路27を備えている。
As shown in FIG. 2, the high
入力回路27は各々、基準電圧Vref2〜Vrefnと各ブロックB2〜Bnのグランドとの間に設けられた分圧抵抗R1、R2と、これら分圧抵抗R1、R2により分圧された基準電圧Vref2〜Vrefnを増幅する演算増幅器28と、演算増幅器28の出力、及び、ブロックB1のキャパシタCpの一端、間に設けられたスイッチS21と、対応するブロックB2〜Bnのグランド、及び、キャパシタCpの他端、間に設けられたスイッチS22と、から構成されている。
Each of the
次に、上述した構成の電圧検出装置の基準電圧検出動作について図3及び図4を参照して以下説明する。図3は、図1に示す低圧系制御回路30の基準電圧検出処理手順を示すフローチャートである。図4は、高圧系CPU25の基準電圧検出処理手順を示すフローチャートである。所定のタイミングで低圧系制御回路30は、基準電圧検出処理を開始する。基準電圧検出処理において低圧系制御回路30はまず、覚醒信号を出力する(ステップSp1)。覚醒信号は、図示しない絶縁デバイスを介して各ブロックB1〜Bnに設けた図示しない電源回路に供給される。各ブロックB1〜Bnの電源回路は、上記覚醒信号を受信すると、高圧検出回路11〜1nに対して電源を供給する。そして、高圧検出回路11〜1nの高圧系CPU25は、電源供給に応じてスリープモードが解除されて、図4及び図5に示す高圧系基準電圧検出処理を開始する。
Next, the reference voltage detection operation of the voltage detection device having the above-described configuration will be described below with reference to FIGS. FIG. 3 is a flowchart showing the reference voltage detection processing procedure of the low-voltage
次に、低圧系制御回路30は、任意の整数であるm(整数)を2にセットした後(ステップSp2)、送信ラインLT1に対してブロックBm宛に基準電圧検出命令を送信する(ステップSp3)。これに応じてブロックB1の高圧系CPU25から低圧系制御回路30に対してブロックBmの基準電圧Vrefmの分圧値のデジタル値が送信される。低圧系制御回路30は、基準電圧Vrefmの分圧値のデジタル値を受信して図示しない記憶媒体内に格納すると(ステップSp4)、mが最上位のアドレスnに達したか否かを判断する(ステップSp5)。
Next, the low-voltage
mが最上位のアドレスnに達していれば(ステップSp5でY)、低圧系制御回路30は、基準電圧Vref2〜Vrefnの全ての分圧値のデジタル値を高圧側から受信したと判断して、スリープ信号を出力した後に(ステップSp7)、低圧系基準電圧検出処理を終了する。スリープ命令は、図示しない絶縁デバイスを介して各ブロックB1〜Bnに設けた図示しない電源回路に供給される。各ブロックB1〜Bnの電源回路は、上記スリープ命令を受信すると、高圧検出回路11〜1nに対して電源を遮断する。これに対して、mが最上位のアドレスnに達していなければ(ステップSp5でN)、低圧系制御回路30は、mをインクリメントした後に(ステップSp6)、ステップSp3に戻る。これにより、低圧系制御回路30からはブロックB2〜Bn宛の基準電圧検出命令が順次、高圧側に対して送信される。
If m has reached the highest address n (Y in Step Sp5), the low voltage
一方、図4に示すように、任意のブロックBp(pは1〜nまでの整数)の高圧検出回路1pの高圧系CPU25は、上記基準電圧検出命令を受信すると(ステップSp11でY)、その基準電圧検出命令の宛先が自己のアドレスpであるか否かを判断する(ステップSp12)。自己のアドレスp(=m)であれば(ステップS12でY)、ブロックBpの高圧検出回路1pの高圧系CPU25は、スイッチS21及びS22をオンする(ステップSp13)。
On the other hand, as shown in FIG. 4, when the high
スイッチS21及びS22のオンに応じて、ブロックB1のキャパシタCpの両端にブロックBpの基準電圧Vrefpの分圧が供給される。ブロックBpの高圧検出回路1pは、キャパシタCpが充電されてキャパシタCpの両端電圧がブロックBpの基準電圧Vrefpと同じ電圧に達するような所定時間経過するのを待って(ステップSp14でY)、スイッチS21及びS22をオフする(ステップSp15)。その後、ブロックBpの高圧検出回路1pは、宛先をブロックB1のアドレス1、送信元を自己のアドレスpとした充電完了信号を一つ下位のブロックBp-1の高圧系CPU25に対して送信した後(ステップSp16)、ステップSp11に戻る。
According to the on of the switch S21 and S22, the partial pressure of the reference voltage V refp across the block B p of the capacitor Cp of the block B 1 is supplied. High voltage measuring circuit 1p block B p waits for the capacitor Cp is charged voltage across the capacitor Cp to the lapse of a predetermined time, such as to reach the same voltage as the reference voltage V refp block B p (Y at step Sp14 ), The switches S21 and S22 are turned off (step Sp15). After that, the high voltage detection circuit 1p of the block B p sends a charge completion signal with the
これに対して、高圧検出回路1pの高圧系CPU25は、自己のアドレスp(≠m)でなければ(ステップSp12でN)、ステップSp11で受信した基準電圧検出命令を一つ上位のブロックBp+1の高圧系CPU25に対して転送する(ステップSp17)。また、任意のブロックBpの高圧検出回路1pの高圧系CPU25は、充電完了信号を受信すると(ステップSp18でY)、充電完了信号の宛先が自己のアドレスpであるか否かを判断する(ステップSp19)。自己のアドレスp(≠1)でなければ(ステップSp19でN)、その充電完了信号を一つ下位のブロックBp-1に転送した後(ステップSp20)、Sp11に戻る。
On the other hand, if the high-
一方、高圧検出回路1pの高圧系CPU25は、自己のアドレスp(=1)であれば(ステップSp19でY)、スイッチS11及びS12をオンして(ステップSp21)、キャパシタCpに蓄積された基準電圧Vrefmの分圧値をA/D変換器22に入力してデジタル値に変換させる。そして、ブロックBpの高圧系CPU25は、そのデジタル値を取り込んで(ステップSp22)、スイッチS11及びS12をオフする(ステップSp23)。次に、ブロックBpの高圧系CPU25は、ステップSp22で取り込んだデジタル値に充電完了信号の送信元アドレスを添付して低圧系制御回路30に送信して(ステップSp24)、ステップSp11に戻る。
On the other hand, if the high-
上述した低圧系基準電圧検出処理、高圧系基準電圧検出処理により、低圧系制御回路30には、ブロックB1に対応して設けられたA/D変換器22により変換されたブロックB2〜Bnに対応して設けられたA/D変換器22の基準電圧Vref2〜Vrefnの分圧のデジタル値が順次格納される。
By the low voltage system reference voltage detection process and the high voltage system reference voltage detection process described above, the low voltage
次に、上述した構成の電圧検出装置のセル電圧検出動作について図5及び図6を参照して以下説明する。図5は、図1に示す低圧系制御回路のセル電圧検出処理手順を示すフローチャートである。図6は、高圧系CPU25のセル電圧検出処理手順を示すフローチャートである。イグニッションオンに応じて低圧系制御回路30は、図5に示す低圧系セル電圧検出処理を開始する。セル電圧検出処理において低圧系制御回路30はまず覚醒信号を出力する(ステップSp31)。この覚醒信号の出力に応じて上述したように高圧検出回路11〜1nに電源が供給される。これにより、高圧検出回路11〜1nの高圧系CPU25は、スリープモードが解除されて、図6に示す高圧系セル電圧検出処理を開始する。
Next, the cell voltage detection operation of the voltage detection device having the above-described configuration will be described below with reference to FIGS. FIG. 5 is a flowchart showing a cell voltage detection processing procedure of the low-voltage system control circuit shown in FIG. FIG. 6 is a flowchart showing the cell voltage detection processing procedure of the high-
次に、低圧系制御回路30は、任意の整数であるm(整数)を1にセットした後(ステップSp32)、送信ラインLT1に対してブロックBm宛にセル電圧検出命令を送信する(ステップSp33)。これに応じて高圧側から低圧系制御回路30に対してブロックBmを構成する単位セルCm1、Cm2の両端電圧のデジタル値ADCm1、ADCm2が送信される。低圧系制御回路30は、上記デジタル値ADCm1、ADCm2を受信した後(ステップSp34)、送信されたデジタル値ADCm1、ADCm2がブロックB1の単位セルC11、C12の両端電圧のデジタル値ADC11、ADC12であるか否かの判断を行う(ステップSp35)。デジタル値ADC11、ADC12であれば(ステップSp35でY)、低圧系制御回路30は、ステップSp34で受信したADC11、ADC12をそのまま格納した後(ステップSp36)、ステップSp38に進む。
Next, after setting m (integer), which is an arbitrary integer, to 1 (step Sp32), the low-voltage
これに対して、デジタル値ADC11、ADC12でなければ(ステップSp35でN)、低圧系制御回路30は、補正手段として働き、ステップSp34で受信したデジタル値ADCm1、ADCm2を補正して格納した後に(ステップSp37)、ステップSp38に進む。ステップSp37において低圧系制御回路30は、上述した基準電圧検出処理にて格納したブロックB1に設けられたA/D変換器22により変換されたブロックBmの基準電圧Vrefmの分圧に基づいて、ブロックB1の基準電圧Vref1とブロックBmの基準電圧Vrefmとの差に起因してブロックBmに対応して設けられたA/D変換器22により変換された単位セルCm1、Cm2の両端電圧VCm1、VCm2のデジタル値ADCm1、ADCm2に生じる誤差を消去するように補正する。
In contrast, the digital value AD C11, AD C12 else (N in step Sp35), low voltage
より詳しく説明すると、ブロックBmの基準電圧VrefmのA/D変換器22を用いて両端電圧VCm1、VCm2(アナログ値)をA/D変換すると、両端電圧VCm1、VCm2のデジタル値ADCm1、ADCm2は下記の式(1)によって表される。なお、2qはA/D変換器22の分解能を示す。
ADCm1=VCm1×2q/Vrefm
ADCm2=VCm2×2q/Vrefm …(1)
これに対して、ブロックB1の基準電圧Vref1のA/D変換器22で両端電圧VCm1、VCm2をA/D変換すると、両端電圧VCm1、VCm2のデジタル値ADCm1´、ADCm2´は下記の式(2)によって表される。
ADCm1´=VCm1×2q/Vref1
ADCm2´=VCm2×2q/Vref1 …(2)
よって、下記の式(3)に示すようにステップSp34で受信したデジタル値ADCm1、ADCm2を補正すれば、基準電圧VrefmのA/D変換器22で変換されたデジタル値ADCm1、ADCm2を基準電圧Vref1のA/D変換器22で変換されたデジタル値ADCm1´、ADCm2´に変換することができる。
ADCm1´=ADCm1×Vrefm/Vref1
ADCm1´=ADCm1×Vrefm/Vref1 …(3)
More specifically, when the A /
AD Cm1 = V Cm1 × 2 q / V refm
AD Cm2 = V Cm2 × 2 q / V refm ... (1)
In contrast, when the voltage across V Cm1, V Cm2 by the A /
AD Cm1 '= V Cm1 × 2 q / V ref1
AD Cm2 '= V Cm2 × 2 q / V ref1 (2)
Therefore, by correcting the digital value AD Cm1, AD Cm2 received in step Sp34, as shown in the following equation (3), the reference voltage V refm the A /
AD Cm1 '= AD Cm1 × V refm / V ref1
AD Cm1 '= AD Cm1 × V refm / V ref1 (3)
上述した基準電圧Vrefmは、上述した基準電圧検出処理により格納された基準電圧Vrefmの分圧値のデジタル値ADVrefmにより求めることができる。即ち、上述した基準電圧検出処理により検出された基準電圧Vrefmの分圧値のデジタル値ADVrefmは、基準電圧Vref1のA/D変換器22で変換されるため、式(4)で表すことができる。なお、抵抗R1、R2による分圧比をKとする。
ADVrefm=Vrefm×(1/K)×2q/Vref1 …(4)
これを変形すると下記に示す式(5)が得られる。
Vrefm=(Vref1/2q)×K×ADVrefm …(5)
そこで、式(5)を式(3)に代入すると、下記の式(6)に示す補正式を得ることができる。
ADCm1´=ADCm1×ADVrefm×K×(1/2q)
ADCm2´=ADCm2×ADVrefm×K×(1/2q) …(6)
The reference voltage V refm described above can be obtained from the digital value AD Vrefm of the divided value of the reference voltage V refm stored by the reference voltage detection process described above. That is, since the digital value AD Vrefm of the divided value of the reference voltage V refm detected by the above-described reference voltage detection process is converted by the A /
AD Vrefm = V refm × (1 / K) × 2 q / V ref1 (4)
When this is modified, the following equation (5) is obtained.
V refm = (V ref1 / 2 q ) × K × AD Vrefm (5)
Therefore, by substituting equation (5) into equation (3), a correction equation shown in equation (6) below can be obtained.
AD Cm1 '= AD Cm1 × AD Vrefm × K × (1/2 q )
AD Cm2 '= AD Cm2 × AD Vrefm × K × (1/2 q) ... (6)
よって、図5のステップSp37において高圧系CPU25は、ステップSp34で受信したデジタル値ADCm1、ADCm2に図3のステップSp4で受信したデジタル値ADVrefmとKと(1/2q)とを乗じた値を補正した新たなデジタル値ADCm1、ADCm2とする。上述した式(6)に示す補正式を用いることにより、基準電圧VrefmのA/D変換器22によって変換された単位セルCm1、Cm2の両端電圧VCm1、VCm2のデジタル値ADCm1、ADCm2を、基準電圧Vref1のA/D変換器22によって変換された単位セルCm1、Cm2の両端電圧VCm1、VCm2のデジタル値ADCm1、ADCm2に変換して、ブロックB1の基準電圧Vref1とブロックBmの基準電圧Vrefmとの差に起因してブロックBmに対応して設けられたA/D変換器22により変換された単位セルCm1、Cm2の両端電圧VCm1、VCm2のデジタル値ADCm1、ADCm2に生じる誤差を消去することができる。即ち、精度の低いブロックB2〜Bnの基準電圧源25を用いてA/D変換しても、精度の高いブロックB1の基準電圧源25を用いてA/D変換したデジタル値ADCm1、ADCm2に変換することができる。これにより、ブロックB1〜Bn毎に高精度の基準電圧源25を用いる必要がなく、高精度かつ安価に各ブロックB1〜Bnの単位セルC11〜Cn2の両端電圧を検出することができる。
Therefore, high voltage system CPU25 at step Sp37 in FIG. 5, multiplies the digital value AD Vrefm and K received in step Sp4 of 3 to the digital value AD Cm1, AD Cm2 received in step SP34 (1/2 q) New digital values AD Cm1 and AD Cm2 are obtained by correcting the obtained values. By using the correction equation shown in the above Expression (6), the reference voltage V refm the A /
ステップSp38において、低圧系制御回路30は、mが最上位のアドレスnに達したか否かを判断する。mが最上位のアドレスnに達していれば(ステップSp38でY)、低圧系制御回路30は、全てのブロックB1〜Bnを構成する単位セルC11〜Cn2の両端電圧のデジタル値をブロックB1の高圧系CPU25から受信したと判断して、スリープ信号を出力した後に(ステップSp39)、低圧系セル電圧検出処理を終了する。このスリープ命令の出力に応じて上述したように高圧検出回路11〜1nに対する電源が遮断される。これに対して、mが最上位のアドレスnに達していなければ(ステップSp38でN)、低圧系制御回路30は、mをインクリメントした後に(ステップSp40)、ステップSp33に戻る。これにより、低圧系制御回路30からはブロックB2〜Bn宛のセル電圧検出命令が順次、高圧側に対して送信される。
In step Sp38, the low-voltage
一方、図6に示すように、任意のブロックBpの高圧検出回路1pの高圧系CPU25は、上記セル電圧検出命令を受信すると(ステップSp51でY)、そのセル電圧検出命令の宛先が自己のアドレスpであるか否かを判断する(ステップSp52)。自己のアドレスp(=m)であれば(ステップS52でY)、ブロックBpの高圧検出回路1pの高圧系CPU25は、ブロックBpを構成する単位セルCp1、Cp2の両端電圧をA/D変換器22に変換させる(ステップSp53)。詳しくは、ステップSp53において、選択スイッチ群24を制御して単位セルCp1の両端をキャパシタCpに接続する。これにより、キャパシタCpの両端電圧が単位セルCp1の両端電圧と等しくなると高圧系CPU25は、選択スイッチ群24をオフして、単位セルCp1、Cp2とキャパシタCpとを切り離す。その後、スイッチS11、S12をオンすると、単位セルCp1の両端電圧と等しいキャパシタCpの両端電圧がA/D変換器22に入力されてA/D変換される。単位セルCp2についても同様に、高圧系CPU25は、単位セルCp2と等しいキャパシタCpの両端電圧をA/D変換器22に入力されてA/D変換させる。
On the other hand, as shown in FIG. 6, when the high
その後、高圧系CPU25は、ステップSp53で変換した単位セルCp1、Cp2の両端電圧Vcp1、Vcp2のデジタル値ADcp1、ADcp2を一つ下位のブロックBp-1に送信した後(ステップSp54)、ステップSp51に戻る。なお、ブロックB1の高圧系CPU25の場合は、ステップSp54においては、デジタル値ADcp1、ADcp2を低圧系制御回路30に送信する。これに対して、ステップSp51で受信したセル電圧検出命令の宛先が自己のアドレスp(≠m)でなければ(ステップSp52でN)、そのセル電圧検出命令を一つ上位のブロックBp+1に送信する(ステップSp55)。その後、上位のブロックBmからデジタル値ADcm1、ADcm2を受信すると(ステップSp56でY)、高圧系CPU25は、デジタル値ADcm1、ADcm2を一つ下位のブロックBp-1に送信した後(ステップSp57)、再びステップSp51に戻る。上述した高圧系セル電圧検出処理によれば、ブロックB1〜Bnの単位セルC11〜Cn2の両端電圧Vc11〜Vcn2のデジタル値ADC11〜ADCn2が順番に低圧側に送信される。
Thereafter, the high-voltage CPU25 After transmitting the digital value AD cp1, AD cp2 voltage across V cp1, V cp2 of the unit cell C p1, C p2 converted in step Sp53 next lower block B p1 ( Step Sp54), the process returns to Step Sp51. In the case of high-voltage CPU25 blocks B1, in step SP54, and transmits the digital value AD cp1, AD cp2 the low voltage
上述した電圧検出装置によれば、ブロックB1の基準電圧Vref1とブロックB2〜Bnの基準電圧Vref2〜Vrefnとの差に起因してブロックB2〜Bnに対応して設けられたA/D変換器22により変換された単位セルC21〜Cn2の両端電圧のデジタル値に生じる誤差を消去できるので、ブロックB2〜Bn毎に高価な高精度基準電圧源を用いる必要がなく、高精度かつ安価に各ブロックB2〜Bnの単位セルC11〜Cn2の両端電圧を検出することができる。
According to the above voltage detecting device, provided corresponding to the block B 2 .about.B n due to the difference between the reference voltage V ref2 ~V refn reference voltage V ref1 and the block B 2 .about.B n blocks B 1 The error generated in the digital value of the voltage across the unit cells C 21 to C n2 converted by the A /
また、上述した電圧検出装置によれば、入力回路27が、キャパシタCpを介して単位セルC21〜Cn2の分圧値をA/D変換器22に供給するように設けられているので、キャパシタCpによって正確に分圧をレベルシフトすることができる。
Further, according to the voltage detection device described above, the
第2実施形態
次に第2実施形態について説明する。上述した第1実施形態では、入力回路27は、ブロックB2〜Bnに対応して設けられたA/D変換器22の基準電圧Vref2〜Vrefnの分圧を全てブロックB1に対応して設けられたA/D変換器22に対して入力していたが、本発明はこれに限ったものではない。例えば、任意のブロックBmの入力回路27が、ブロックBmに対応して設けられたA/D変換器22の基準電圧Vrefmの分圧を一つ下位のブロックBm-1に対応して設けられたA/D変換器22に対して入力することも考えられる。これに伴って、図4のステップSp16で送信する充電完了信号の宛先には一つ下位のブロックBm-1のアドレス(m−1)を添付する。
Second Embodiment Next, a second embodiment will be described. In the first embodiment described above, the
即ち、図7に示すように、ブロックB3の入力回路27は、ブロックB3に対応して設けられたA/D変換器22の基準電圧Vref3の分圧をブロックB2に対応して設けられたA/D変換器22に対して入力するように設けられる。また、ブロックB2の入力回路27は、ブロックB2に対応して設けられたA/D変換器22の基準電圧Vref2の分圧をブロックB1に対応して設けられたA/D変換器22に対して入力するように設けられる。以上のことから明らかなように、ブロックB3が第1の非基準ブロック、ブロックB2が第2の非基準ブロック、ブロックB3の入力回路27が第1の入力手段、ブロックB2の入力回路27が第2の入力手段、に相当する。
That is, as shown in FIG. 7, the
上述した第1実施形態では、低圧系制御回路30は、高圧側から送信された基準電圧Vref2〜Vrefnの分圧値のデジタル信号をそのまま格納していたが(図3のステップSp4)、第2実施形態では、低圧系制御回路30は、演算手段として働き、ブロックB3〜BnのA/D変換器22により変換された基準電圧Vref3〜Vrefnのデジタル値ADVref3〜VrefnをブロックB1のA/D変換器22により変換されたデジタル値ADVref3〜Vrefnに変換する。
In the first embodiment described above, the low voltage
上記変換の詳細について説明する。一つ下位のブロックBm-1の基準電圧Vref(m-1)のA/D変換器22で任意のブロックBmの基準電圧Vrefm(アナログ値)をA/D変換すると、基準電圧Vrefmのデジタル値ADVrefmは下記の式(7)によって表される。なお、2qはA/D変換器22の分解能を示し、抵抗R1、R2による分圧比をKとする。
ADVrefm=Vrefm×(1/K)×2q/Vref(m-1) …(7)
これに対してブロックB1の基準電圧Vref1のA/D変換器22で基準電圧VrefmをA/D変換すると、基準電圧Vrefmのデジタル値ADVrefmは下記の式(8)によって表される。
ADVrefm=Vrefm×(1/K)×2q/Vref1 …(8)
よって、下記の式(9)に示すようにステップSp4で受信したデジタル値ADVrefmを補正すれば、基準電圧Vref1のA/D変換器22で変換されたデジタル値ADVrefm´に変換することができる。
ADVrefm´=ADVrefm×Vref(m-1)/Vref1 …(9)
Details of the conversion will be described. When the A /
AD Vrefm = V refm × (1 / K) × 2 q / V ref (m-1) (7)
On the other hand, when the reference voltage V refm is A / D converted by the A /
AD Vrefm = V refm × (1 / K) × 2 q / V ref1 (8)
Therefore, if the digital value AD Vrefm received in step Sp4 is corrected as shown in the following equation (9), the digital value AD Vrefm ′ converted by the A /
AD Vrefm ′ = AD Vrefm × V ref (m−1) / V ref1 (9)
上述した基準電圧Vref(m-1)は、上述した基準電圧検出処理により格納された基準電圧Vref(m-1)〜Vref2の分圧値のデジタル値ADVref(m-1)〜ADref2により求めることができる。即ち、上述した基準電圧検出処理により検出された基準電圧Vref(m-1)〜Vref2の分圧値のデジタル値ADVref(m-1)〜ADref2は、基準電圧Vref(m-2)〜Vref1のA/D変換器22で各々変換されるため、式(10)で表すことができる。
ADVref(m-1)=Vref(m-1)×(1/K)×2q/Vref(m-2)
ADVref(m-2)=Vref(m-2)×(1/K)×2q/Vref(m-3)
…
ADVref3=Vref3×(1/K)×2q/Vref2
ADVref2=Vref2×(1/K)×2q/Vref1 …(10)
これを変形すると下記に示す式(11)が得られる。
Vref(m-1)=(Vref(m-2)/2q)×K×ADVref(m-1)
Vref(m-2)=(Vref(m-3)/2q)×K×ADVrefm(m-2)
…
Vref3=(Vref2/2q)×K×ADVref3
Vref2=(Vref1/2q)×K×ADVref2 …(11)
従って、そこで、式(11)を式(9)に代入すると、下記の式(12)に示す補正式を得ることができる。
ADVrefm´=(Vref1/2(m-1)q)×K(m-1)×ADVrefm×…×ADVref2
…(12)
The above-mentioned reference voltage V ref (m-1) is a digital value AD Vref (m-1) to a reference voltage V ref (m-1) to a divided voltage value of V ref2 stored by the above-described reference voltage detection process. It can be obtained from AD ref2 . That is, the digital values AD Vref (m−1) to AD ref2 of the divided voltages of the reference voltages V ref (m−1) to V ref2 detected by the above-described reference voltage detection process are the reference voltages V ref (m− 2) Since each of them is converted by the A /
AD Vref (m-1) = Vref (m-1) x (1 / K) x 2q / Vref (m-2)
AD Vref (m-2) = Vref (m-2) x (1 / K) x 2q / Vref (m-3)
...
AD Vref3 = V ref3 × (1 / K) × 2 q / V ref2
AD Vref2 = V ref2 × (1 / K) × 2 q / V ref1 (10)
When this is modified, the following equation (11) is obtained.
Vref (m-1) = ( Vref (m-2) / 2q ) * K * AD Vref (m-1)
V ref (m-2) = (V ref (m-3) / 2 q) × K × AD Vrefm (m-2)
...
V ref3 = (V ref2 / 2 q ) × K × AD Vref3
V ref2 = (V ref1 / 2 q ) × K × AD Vref2 (11)
Therefore, if the equation (11) is substituted into the equation (9), a correction equation shown in the following equation (12) can be obtained.
AD Vrefm '= (V ref1 / 2 (m-1) q ) x K (m-1) x AD Vrefm x ... x AD Vref2
(12)
よって、図3のステップSp4において高圧系CPU25は、高圧系から受信したデジタル値ADVrefmに(Vref1/2(m-1)q)とK(m-1)とADVref(m-1)×…×ADVref1を乗じた値を補正した新たなデジタル値ADVrefmとする。上述した式(12)に示す補正式を用いることにより、ブロックB3〜BnのA/D変換器22により変換された基準電圧Vref3〜Vrefnのデジタル値ADVref3〜VrefnをブロックB1のA/D変換器22により変換されたデジタル値ADVref3〜Vrefnに変換することができる。
Therefore, in step Sp4 of FIG. 3, the high voltage CPU 25 adds (V ref1 / 2 (m-1) q ), K (m-1), and AD Vref (m-1) to the digital value AD Vrefm received from the high voltage system. X ... x AD Vref1 is a new digital value AD Vrefm obtained by correcting the value multiplied by x AD Vref1 . By using the correction equation shown in the above equation (12), the digital values AD Vref3 to V refn of the reference voltages V ref3 to V refn converted by the A /
即ち、ブロックB2に対応して設けられたA/D変換器22により変換されたブロックB3の基準電圧Vref3の分圧、及び、ブロックB1に対応して設けられたA/D変換器22により変換されたブロックB2の基準電圧Vref2の分圧、に基づいてブロックB3の基準電圧Vref3の分圧をブロックB1に対応して設けたA/D変換器25により変換されたデジタル値ADVref3を求めることができる。後は上述した第1実施形態と同様のためここでは詳細な説明を省略する。
なお、上述した第1及び第2実施形態では、入力回路27は、キャパシタCpを介して分圧をA/D変換器22に供給するように設けられていたが、本発明はこれに限ったものではない。例えば、別のレベルシフト回路を用いて分圧をA/D変換器22に供給するように設けてもよい。
That is, the divided voltage of the reference voltage V ref3 of the block B 3 converted by the A /
In the first and second embodiments described above, the
また、前述した実施形態は本発明の代表的な形態を示したに過ぎず、本発明は、実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 Further, the above-described embodiments are merely representative forms of the present invention, and the present invention is not limited to the embodiments. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
22 A/D変換器(アナログ/デジタル変換手段)
27 入力回路(入力手段)
30 低圧系制御回路(制御手段、補正手段、演算手段)
BH 高圧バッテリ(組電池)
B1 ブロック(基準ブロック)
B2〜Bn ブロック(非基準ブロック)
C11〜Cn2 単位セル
Cp キャパシタ
Vref1〜Vrefn 基準電圧
22 A / D converter (analog / digital conversion means)
27 Input circuit (input means)
30 Low pressure system control circuit (control means, correction means, calculation means)
B H high-voltage battery (assembled battery)
B 1 block (reference block)
B 2 .about.B n blocks (non-reference block)
C 11 to C n2 unit cell Cp capacitor V ref1 to V refn reference voltage
Claims (3)
非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段の基準電圧の分圧を基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段に対して入力する入力手段と、
前記基準ブロックに設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記非基準ブロックの基準電圧の分圧に基づいて、前記基準ブロックの基準電圧と前記非基準ブロックの基準電圧との差に起因して前記非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記単位セルの両端電圧のデジタル値に生じる誤差を消去するように補正する補正手段と、
を備えたことを特徴とする電圧検出装置。 Analog / digital that is provided corresponding to each block obtained by dividing an assembled battery in which a plurality of unit cells composed of secondary batteries are connected into a plurality of blocks, and that converts both-end voltages of each unit cell constituting the corresponding block from analog to digital In the voltage detection apparatus provided with the conversion means and the control means for receiving the digital value of the voltage across each unit cell converted by the analog / digital conversion means,
Input means for inputting the divided voltage of the reference voltage of the analog / digital conversion means provided corresponding to the non-reference block to the analog / digital conversion means provided corresponding to the reference block;
Due to the difference between the reference voltage of the non-reference block and the reference voltage of the non-reference block, based on the divided voltage of the reference voltage of the non-reference block converted by the analog / digital conversion means provided in the reference block Correction means for correcting so as to eliminate an error occurring in the digital value of the voltage across the unit cell converted by the analog / digital conversion means provided corresponding to the non-reference block;
A voltage detection apparatus comprising:
第1の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段の基準電圧の分圧を第2の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段に対して入力する第1の入力手段と、
前記第2の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段の基準電圧の分圧を前記基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段に対して入力する第2の入力手段と、
前記第2の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記第1の非基準ブロックの基準電圧の分圧、及び、前記基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記第2の非基準ブロックの分圧、に基づいて前記第1の非基準ブロックの基準電圧の分圧を前記基準ブロックに対応して設けた前記アナログ/デジタル変換手段により変換したデジタル値を求める演算手段と、
前記演算手段により求めたデジタル値に基づいて、前記基準ブロックの基準電圧と前記第1の非基準ブロックとの差に起因して前記第1の非基準ブロックに対応して設けられた前記アナログ/デジタル変換手段により変換された前記単位セルの両端電圧のデジタル値に生じる誤差を消去するように補正する補正手段と、
を備えたことを特徴とする電圧検出装置。 Analog / digital that is provided corresponding to each block obtained by dividing an assembled battery in which a plurality of unit cells composed of secondary batteries are connected into a plurality of blocks, and that converts both-end voltages of each unit cell constituting the corresponding block from analog to digital In the voltage detection apparatus provided with the conversion means and the control means for receiving the digital value of the voltage across each unit cell converted by the analog / digital conversion means,
The divided voltage of the reference voltage of the analog / digital conversion means provided corresponding to the first non-reference block is input to the analog / digital conversion means provided corresponding to the second non-reference block. First input means;
A second voltage is inputted to the analog / digital conversion means provided corresponding to the reference block by dividing the reference voltage of the analog / digital conversion means provided corresponding to the second non-reference block. Input means,
Divided by the reference voltage of the first non-reference block converted by the analog / digital conversion means provided corresponding to the second non-reference block, and provided corresponding to the reference block The analog / digital that is provided with the reference voltage of the first non-reference block corresponding to the reference block based on the divided voltage of the second non-reference block converted by the analog / digital conversion means. Arithmetic means for obtaining a digital value converted by the digital conversion means;
Based on the digital value obtained by the computing means, the analog / reference signal provided corresponding to the first non-reference block due to the difference between the reference voltage of the reference block and the first non-reference block. Correction means for correcting so as to eliminate an error occurring in the digital value of the voltage across the unit cell converted by the digital conversion means;
A voltage detection apparatus comprising:
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