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JP5067072B2 - Manufacturing method of long ND filter - Google Patents
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Description

本発明は、可視域の透過光を減衰させる吸収型多層膜NDフィルターに係り、特に、ロール・ツー・ロール真空成膜装置を用い長尺状樹脂フィルム基材の両面に未成膜部分を残して複数の吸収型多層膜が設けられた長尺状NDフィルターを簡便に製造できる長尺状NDフィルターの製造方法に関するものである。 The present invention relates to an absorptive multilayer ND filter that attenuates transmitted light in the visible range, and in particular, using a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, leaving undeposited portions on both sides of a long resin film substrate. The present invention relates to a method for producing a long ND filter that can easily produce a long ND filter provided with a plurality of absorption multilayer films.

最近、可視域の透過光を減衰させるNDフィルターが多用されるようになってきており、この種のND(Neutral Density Filter)フィルターには、入射光を反射して減衰させる反射型NDフィルターと、入射光を吸収して減衰させる吸収型NDフィルターが知られている。また、反射光が問題となるレンズ光学系にNDフィルターを組み込む場合には一般に吸収型NDフィルターが用いられ、この吸収型NDフィルターには、基板自体に吸収物質を混ぜ(色ガラスNDフィルター)あるいは吸収物質を塗布するタイプと、基板自体に吸収はなくその表面に形成された薄膜に吸収があるタイプとが存在する。また、後者の場合、薄膜表面の反射を防ぐため上記薄膜を多層膜で構成し、透過光を減衰させる機能と共に反射防止の効果を持たせた吸収型多層膜NDフィルターも知られている。   Recently, ND filters that attenuate transmitted light in the visible range have been widely used, and this type of ND (Neutral Density Filter) filter includes a reflective ND filter that reflects and attenuates incident light, Absorptive ND filters that absorb and attenuate incident light are known. In addition, when an ND filter is incorporated in a lens optical system in which reflected light is a problem, an absorption ND filter is generally used. In this absorption ND filter, an absorbing substance is mixed in the substrate itself (colored glass ND filter) or There are a type in which an absorbing material is applied and a type in which the thin film formed on the surface of the substrate has no absorption and has absorption. In the latter case, an absorption-type multilayer ND filter is also known in which the thin film is formed of a multilayer film to prevent reflection on the surface of the thin film, and has an antireflection effect as well as a function of attenuating transmitted light.

ところで、小型で薄型のデジタルカメラに用いられる上記吸収型多層膜NDフィルターにおいては、組込みスペースが狭いことから基材自体を薄くする必要があり、樹脂フィルムが最適な基材とされている。そして、この種の吸収型多層膜NDフィルター(以下、NDフィルターと略称する場合がある)として、特許文献1には、吸収型多層膜がSiO等の酸化物誘電体膜層とNi等の金属吸収膜層とで構成されたNDフィルターが開示されている。 By the way, in the above-mentioned absorption type multilayer ND filter used for a small and thin digital camera, it is necessary to make the substrate itself thin because of a small installation space, and a resin film is an optimum substrate. As this type of absorption multilayer ND filter (hereinafter sometimes referred to as ND filter), Patent Document 1 discloses that an absorption multilayer film is composed of an oxide dielectric film layer such as SiO 2 and Ni. An ND filter composed of a metal absorption film layer is disclosed.

また、この種のNDフィルターをデジタルカメラ等に組み込む場合、NDフィルターを切断してNDフィルターチップとし、このNDフィルターチップを接着剤あるいはレーザ融着等により金属板や樹脂板に固定してNDフィルターユニットを形成する必要があった。尚、レーザ融着とは、NDフィルターチップにレーザを照射しチップの樹脂フィルム基材を熔融させて金属板や樹脂板に固定させることである。   When this type of ND filter is incorporated into a digital camera or the like, the ND filter is cut to form an ND filter chip, and the ND filter chip is fixed to a metal plate or a resin plate by an adhesive or laser fusion or the like. It was necessary to form a unit. The laser fusion means that the ND filter chip is irradiated with a laser to melt the resin film substrate of the chip and fixed to a metal plate or a resin plate.

そして、NDフィルターユニットを構成する金属板や樹脂板にNDフィルターチップを接着剤等により固定する場合、NDフィルターチップの樹脂フィルム基材上には吸収型多層膜が存在するため、樹脂フィルム基材と上記金属板や樹脂板とを直接接合させることはできず、樹脂フィルム基材上の吸収型多層膜が金属板や樹脂板に直接接合することになる。このため、金属板や樹脂板とNDフィルターチップとの接着強度に関しては金属板や樹脂板と吸収型多層膜との接着強度に依存することとなり、この接着強度がNDフィルターユニットに求められる値より低くなってしまうことが懸念される。   When the ND filter chip is fixed to the metal plate or the resin plate constituting the ND filter unit with an adhesive or the like, the absorption film is present on the resin film substrate of the ND filter chip. And the metal plate and the resin plate cannot be directly bonded, and the absorption multilayer film on the resin film substrate is directly bonded to the metal plate and the resin plate. For this reason, the adhesive strength between the metal plate / resin plate and the ND filter chip depends on the adhesive strength between the metal plate / resin plate and the absorption multilayer film, and this adhesive strength is based on the value required for the ND filter unit. There is concern that it will be lowered.

また、NDフィルターチップはNDフィルターを切断加工して求められる。そして、酸化物誘電体膜が用いられた特許文献1の吸収型多層膜はガラスのように硬質であるため、NDフィルターを切断加工した際に吸収型多層膜にヒビ割れ(クラック)が生ずることがあり、このNDフィルターチップをデジタルカメラ等に組み込んだ場合、ヒビ割れした膜が剥がれてシャッターや絞り等の駆動部分に付着し動作不良を引き起こすことが懸念される。   The ND filter chip is obtained by cutting the ND filter. And since the absorption type multilayer film of patent document 1 in which the oxide dielectric film was used is hard like glass, when an ND filter is cut and processed, a crack (crack) will arise in an absorption type multilayer film. When this ND filter chip is incorporated in a digital camera or the like, there is a concern that the cracked film peels off and adheres to a driving part such as a shutter or an aperture, causing malfunction.

そこで、特許文献2に記載の発明においては、吸収型多層膜の成膜時に、図2に示すようなマスク2を用いて樹脂フィルム基材1の一部を覆い、樹脂フィルム基材1の一部を蒸着源あるいはスパッタリング源から遮蔽して成膜する方法が採られている。尚、マスク2の構成材料には、金属板や柔軟性のない樹脂シートが用いられている。   Therefore, in the invention described in Patent Document 2, a part of the resin film substrate 1 is covered with a mask 2 as shown in FIG. A method of forming a film by shielding the part from a vapor deposition source or a sputtering source is employed. As a constituent material of the mask 2, a metal plate or a resin sheet having no flexibility is used.

上記マスクを用いた方法によれば、マスク2から露出した樹脂フィルム基材1にのみ吸収型多層膜3が成膜され、マスク2により遮蔽された部位には吸収型多層膜が成膜されないため、得られたNDフィルターを切断加工してNDフィルターチップを求める際、吸収型多層膜3が成膜されない領域(未成膜部分)に沿ってNDフィルターを切断することにより吸収型多層膜の周辺に未成膜部分を残したNDフィルターチップを製造することができる。このため、NDフィルターを切断加工する際、上述した吸収型多層膜のヒビ割れ(クラック)を回避することができ、また、NDフィルターチップの上記未成膜部分をNDフィルターユニットの金属板や樹脂板に直接接合させることができるため、金属板や樹脂板とNDフィルターチップとの接着強度を改善できることが期待される。
特開2006−178395号公報 特開2005−345747号公報
According to the method using the mask, the absorptive multilayer film 3 is formed only on the resin film substrate 1 exposed from the mask 2, and the absorptive multilayer film is not deposited on the portion shielded by the mask 2. When the obtained ND filter is cut to obtain the ND filter chip, the ND filter is cut along the region where the absorption-type multilayer film 3 is not formed (unformed part), so that the periphery of the absorption-type multilayer film is obtained. An ND filter chip that leaves an undeposited portion can be manufactured. Therefore, when the ND filter is cut, it is possible to avoid the above-described cracking of the absorption multilayer film, and the above-mentioned non-film formation portion of the ND filter chip is used as a metal plate or a resin plate of the ND filter unit. Therefore, it is expected that the adhesive strength between the metal plate or resin plate and the ND filter chip can be improved.
JP 2006-178395 A JP 2005-345747 A

ところで、特許文献2に記載された成膜方法において、吸収型多層膜の膜厚分布の均一性を確保するには大面積の樹脂フィルム基材を用いることは困難で、実際には小面積のシート状樹脂フィルム基材を用いたバッチ方式の生産しかできずその生産効率は悪かった。この場合、ロール状に巻き取られた長尺状樹脂フィルム基材を順次巻き出し、この樹脂フィルム基材を巻き取りながらロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて長尺状樹脂フィルム基材上に連続成膜する方法も考えられる。しかし、この方法では、移動する長尺状樹脂フィルム基材に対して金属板等から成るマスクを固定させることが現実的には困難なため、切断ライン部分あるいは接合部分に未成膜部分を残すマスク処理の適用は困難であった。   By the way, in the film forming method described in Patent Document 2, it is difficult to use a resin film substrate having a large area in order to ensure the uniformity of the film thickness distribution of the absorption multilayer film. Only batch production using a sheet-shaped resin film substrate was possible, and the production efficiency was poor. In this case, the long resin film base material wound up in a roll shape is sequentially unwound, and the long resin film base material is wound using a roll-to-roll vacuum film forming apparatus while winding the resin film base material. A method of continuously forming a film on top is also conceivable. However, in this method, it is practically difficult to fix a mask made of a metal plate or the like to a moving long resin film substrate. Treatment application was difficult.

本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、ロール・ツー・ロール真空成膜装置を用い長尺状樹脂フィルム基材の両面に未成膜部分を残して複数の吸収型多層膜が設けられた長尺状NDフィルターを簡便に製造できる方法を提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such problems, and the problem is that a roll-to-roll vacuum film forming apparatus is used to leave undeposited portions on both sides of a long resin film substrate. Another object of the present invention is to provide a method for easily producing a long ND filter provided with a plurality of absorption multilayer films.

すなわち、請求項1に係る発明は、
長尺状樹脂フィルム基材と、この樹脂フィルム基材の両面に互いに間隔を介し設けられかつ表裏面でその形状と位置が合致している複数の吸収型多層膜とを具備する長尺状NDフィルターを、ロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて製造する方法を前提とし、
厚み寸法が上記吸収型多層膜の膜厚より大きい長尺状マスキングフィルムを上記長尺状樹脂フィルム基材の両面に貼付し、表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムにそれぞれ設けられた形状と位置が合致している複数の開口部から露出する部位を除いて長尺状樹脂フィルム基材表裏面表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムにより遮蔽する貼付工程と、
表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムが貼付された長尺状樹脂フィルム基材両面の上記開口部から露出する部位に、ロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて表裏面でその形状と位置が合致している吸収型多層膜をそれぞれ形成する成膜工程
上記成膜工程後、長尺状樹脂フィルム基材の表面側に貼付した表面側長尺状マスキングフィルムを剥離して長尺状樹脂フィルム基材の表面側に形成された吸収型多層膜を露出させる剥離工程と、
吸収型多層膜が露出する長尺状樹脂フィルム基材の表面側からハーフカット金型を作用させて、長尺状樹脂フィルム基材に対しては上記ハーフカット金型を貫通させて切断する一方、裏面側長尺状マスキングフィルムに対しては上記ハーフカット金型を貫通させずにハーフカットするハーフカット加工工程、
の各工程を有し、かつ、上記表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムが樹脂フィルムにより構成され、この樹脂フィルムのガラス転移点が85℃以上であることを特徴とする。
That is, the invention according to claim 1
A long ND comprising a long resin film substrate and a plurality of absorption-type multilayer films that are provided on both surfaces of the resin film substrate with a gap between them and whose shapes and positions coincide with each other on the front and back surfaces On the premise of a method of manufacturing a filter using a roll-to-roll vacuum film forming apparatus,
A lengthy masking film whose thickness dimension is larger than the film thickness of the absorption multilayer film is pasted on both sides of the long resin film substrate, and a shape provided on each of the front and back side long masking films, A sticking step of shielding the long resin film substrate front and back surfaces with the front side and the back side long masking film except for the portions exposed from the plurality of openings whose positions are matched ,
On the front and back surfaces using a roll-to-roll vacuum film forming device , the shape and the surface are exposed from the openings on both sides of the long resin film substrate to which the long side masking film on the front side and the back side is attached. a film forming process position is respectively absorptive multilayer film are matched,
After the above film forming step, the surface-side long masking film affixed to the surface side of the long resin film substrate is peeled to expose the absorption multilayer film formed on the surface side of the long resin film substrate. An exfoliating step,
A half-cut mold is applied from the surface side of the long resin film substrate where the absorption multilayer film is exposed, and the long-cut resin film substrate is cut through the half-cut mold. A half-cut processing step for half-cutting the back-side long masking film without penetrating the half-cut mold,
And the above-mentioned front-side and back-side long masking film is made of a resin film, and the glass transition point of this resin film is 85 ° C. or higher .

また、請求項2に係る発明は、
請求項1に記載の発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法を前提とし、
上記貼付工程において、長尺状マスキングフィルムの開口部はマスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材に貼付した後に設けられることを特徴とし、
請求項3に係る発明は、
請求項1に記載の発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法を前提とし、
上記貼付工程において、長尺状マスキングフィルムの開口部はマスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材に貼付する前に設けられることを特徴とする。
The invention according to claim 2
Based on the manufacturing method of the long ND filter according to the invention of claim 1,
In the attaching step, the opening of the long masking film is provided after the masking film is attached to the long resin film substrate,
The invention according to claim 3
Based on the manufacturing method of the long ND filter according to the invention of claim 1,
In the attaching step, the opening of the long masking film is provided before the masking film is attached to the long resin film substrate.

次に、請求項4に係る発明は、
請求項1〜3のいずれかに記載の発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法を前提とし、
ロール・ツー・ロール真空成膜装置による成膜がスパッタリング成膜であることを特徴とし、
請求項5に係る発明は、
請求項1〜4のいずれかに記載の発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法を前提とし、
上記長尺状マスキングフィルムの互いに隣接する開口部間における間隔の短い寸法が、長尺状NDフィルターを切断してNDフィルターチップを得る際の切断しろの幅寸法より広く設定されていることを特徴とし、
請求項6に係る発明は、
請求項1〜5のいずれかに記載の発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法を前提とし、
上記長尺状マスキングフィルムの厚み寸法が20μm以上、110μm以下であることを特徴とする。
Next, the invention according to claim 4 is:
Based on the manufacturing method of the long ND filter according to any one of claims 1 to 3,
The film formation by the roll-to-roll vacuum film formation apparatus is a sputtering film formation,
The invention according to claim 5
Based on the manufacturing method of the long ND filter according to any one of claims 1 to 4,
The short dimension between the adjacent openings of the long masking film is set wider than the width dimension of the cutting margin when the long ND filter is cut to obtain the ND filter chip. age,
The invention according to claim 6
Based on the manufacturing method of the long ND filter according to any one of claims 1 to 5,
The long masking film has a thickness dimension of 20 μm or more and 110 μm or less .

本発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法によれば、
長尺状樹脂フィルム基材の両面に長尺状マスキングフィルムを貼付し、表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムにそれぞれ設けられた形状と位置が合致している複数の開口部から露出する部位を除いて長尺状樹脂フィルム基材表裏面表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムにより遮蔽しているため、ロール・ツー・ロール真空成膜装置を用い、未成膜部分で構成された間隔を介し表面と裏面とでその形状と位置が合致している複数の吸収型多層膜を連続的に形成することができる。
According to the method for producing a long ND filter according to the present invention,
Site long on both sides of the elongated resin film substrate affixed to elongate masking film, exposed through a plurality of openings where the surface side and each provided with shape and position on the back side elongate masking film meets Since the front and back surfaces of the long resin film substrate are shielded by the long side masking film on the front side and the back side , except for, the interval formed by the non-deposited part using a roll-to-roll vacuum film forming apparatus A plurality of absorptive multilayer films having the same shape and position on the front surface and back surface can be formed continuously.

また、厚み寸法が吸収型多層膜の膜厚より大きい長尺状マスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材の両面に貼付していることから、長尺状樹脂フィルム基材上の表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルム開口部から露出する部位に形成された各吸収型多層膜が上記開口部より外方へ突出することがないため、製造途中において吸収型多層膜の外表面に擦り傷等が形成されることもない。
更に、吸収型多層膜が露出する長尺状樹脂フィルム基材の表面側からハーフカット金型を作用させて、長尺状樹脂フィルム基材に対しては上記ハーフカット金型を貫通させて切断する一方、裏面側長尺状マスキングフィルムに対しては上記ハーフカット金型を貫通させずにハーフカットしていることから、NDフィルターチップが裏面側長尺状マスキングフィルムに保持されるため、NDフィルターチップが飛散することを防止することが可能となる。
Moreover , since the long masking film whose thickness dimension is larger than the film thickness of the absorptive multilayer film is pasted on both surfaces of the long resin film substrate, the front side and the back surface on the long resin film substrate Since each absorption-type multilayer film formed in the portion exposed from the side long masking film opening does not protrude outward from the above-mentioned opening, there are scratches on the outer surface of the absorption-type multilayer film during production. It is never formed.
Furthermore, a half-cut mold is allowed to act from the surface side of the long resin film substrate where the absorption type multilayer film is exposed, and the above-mentioned half-cut mold is cut through the long resin film substrate. On the other hand, since the back side long masking film is half cut without penetrating the half cut mold, the ND filter chip is held by the back side long masking film. It is possible to prevent the filter chip from scattering.

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。尚、図1は、本発明に係る長尺状NDフィルターの製造工程を示す説明図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, FIG. 1 is explanatory drawing which shows the manufacturing process of the elongate ND filter based on this invention.

すなわち、本発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法は、長尺状樹脂フィルム基材の両面に長尺状マスキングフィルムを貼付し、この長尺状マスキングフィルムに設けられた複数の開口部から露出する部位にロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて吸収型多層膜を形成した後、複数の吸収型多層膜が形成された長尺状樹脂フィルム基材から長尺状マスキングフィルムを剥離して長尺状NDフィルターを製造するものである。 That is, in the method for producing a long ND filter according to the present invention, a long masking film is pasted on both sides of a long resin film substrate, and a plurality of openings provided in the long masking film are used. After forming the absorption multilayer film using a roll-to-roll vacuum film forming device on the exposed part, the long masking film is peeled off from the long resin film substrate on which multiple absorption multilayer films are formed. Thus, a long ND filter is manufactured.

ここで、上記ロール・ツー・ロール真空成膜装置について説明すると、成膜室内に長尺状樹脂フィルム基材の巻取りと巻出しをする第一ロールと第二ロールが配置され、例えば、第一ロールに巻きつけられた長尺状樹脂フィルム基材を第二ロールに巻き取ることで長尺状樹脂フィルム基材が成膜室内を搬送される。また、第一ロールと第二ロール間の搬送路中には吸収型多層膜の成膜機構が備えられており、上記長尺状樹脂フィルム基材の両面に吸収型多層膜が形成されるようになっている。尚、成膜機構には、スパッタリング、電子ビーム蒸着、イオンビームスパッタ等があるが、スパッタリング成膜が好ましい。スパッタリング成膜は他の成膜手法と比較して膜厚分布の制御性に優れているからである。 Here, the roll-to-roll vacuum film forming apparatus will be described. A first roll and a second roll for winding and unwinding the long resin film substrate are arranged in the film forming chamber. By winding the long resin film substrate wound around one roll around the second roll, the long resin film substrate is conveyed in the film forming chamber. In addition, an absorption multilayer film forming mechanism is provided in the conveyance path between the first roll and the second roll so that the absorption multilayer film is formed on both surfaces of the long resin film substrate. It has become. The film formation mechanism includes sputtering, electron beam evaporation, ion beam sputtering, etc., but sputtering film formation is preferred. This is because sputtering film formation is superior in controllability of film thickness distribution compared to other film formation methods.

以下、ロール・ツー・ロール真空成膜装置の一例として、ロール・ツー・ロール・スパッタリング成膜装置の概略を図3に示す。   FIG. 3 shows an outline of a roll-to-roll sputtering film forming apparatus as an example of a roll-to-roll vacuum film forming apparatus.

すなわち、このロール・ツー・ロール・スパッタリング成膜装置は、スパッタリング室内に設けられ長尺状樹脂フィルム基材の巻取りと巻出しをする第一ロール4並びに第二ロール5と、第一ロール4と第二ロール5間の搬送路中に設けられ長尺状樹脂フィルム基材が巻き付けられる水冷キャンロール6と、上記第一ロール4と水冷キャンロール6との間並びに第二ロール5と水冷キャンロール6との間に設けられた四つのガイドロール61、62、63、64とを備えており、かつ、第一ロール4と第二ロール5はパウダークラッチにより張力バランスが保たれている。また、水冷キャンロール6の回転により長尺状樹脂フィルム基材の搬送方向が決められるようになっており、本明細書においては、長尺状樹脂フィルム基材が第一ロール4から第二ロール5側に巻き取られる水冷キャンロール6の回転方向を正転方向、第二ロール5から第一ロール4側に巻き取られる水冷キャンロール6の回転方向を逆転方向と定義している。   That is, this roll-to-roll sputtering film forming apparatus is provided in a sputtering chamber, and includes a first roll 4 and a second roll 5 that wind and unwind a long resin film substrate, and a first roll 4. The water-cooled can roll 6 provided in the conveyance path between the first roll 4 and the second roll 5, and between the first roll 4 and the water-cooled can roll 6 and the second roll 5 and the water-cooled can Four guide rolls 61, 62, 63, 64 provided between the roll 6 and the first roll 4 and the second roll 5 are kept in tension balance by a powder clutch. Moreover, the conveyance direction of a long resin film base material is determined by rotation of the water-cooled can roll 6, and in this specification, the long resin film base material is changed from the first roll 4 to the second roll. The rotation direction of the water-cooled can roll 6 wound on the 5 side is defined as the normal rotation direction, and the rotation direction of the water-cooled can roll 6 wound on the second roll 5 from the first roll 4 side is defined as the reverse rotation direction.

また、上記スパッタリング室内には、水冷キャンロール6の外周面に沿って二つのスパッタリングカソード7、8が配置されており、一方のスパッタリングカソード7には酸化物誘電体膜層(例えばSiO膜層)を形成するための図示外のターゲットが取り付けられ、他方のスパッタリングカソード8には金属吸収膜層(例えばNi合金層)を形成するためのターゲット(図示せず)が取り付けられている。 In the sputtering chamber, two sputtering cathodes 7 and 8 are disposed along the outer peripheral surface of the water-cooled can roll 6. One of the sputtering cathodes 7 has an oxide dielectric film layer (for example, a SiO 2 film layer). A target (not shown) for forming a metal absorption film layer (for example, Ni alloy layer) is attached to the other sputtering cathode 8.

そして、長尺状樹脂フィルム基材が第一ロール4から第二ロール5側に巻き取られる正転搬送時に、水冷キャンロール6外周面に沿って搬送される長尺状樹脂フィルム基材に対し一方のスパッタリングカソード7により酸化物誘電体膜層(例えばSiO膜層)を成膜しながら第二ロール5により長尺状樹脂フィルム基材を巻き取った後、水冷キャンロール6の回転方向を反転させて長尺状樹脂フィルム基材の逆転搬送時に、水冷キャンロール6外周面に沿って搬送される長尺状樹脂フィルム基材に対し他方のスパッタリングカソード8により金属吸収膜層(例えばNi合金層)を成膜しながら第一ロール4により巻取り、以下、これ等工程を繰り返して酸化物誘電体膜層と金属吸収膜層が交互に積層された吸収型多層膜を長尺状樹脂フィルム基材の片面に形成することができる。尚、吸収型多層膜の膜厚制御は長尺状樹脂フィルム基材の搬送速度を制御することで行うことができる。 And at the time of forward conveyance by which a long resin film base material is wound up from the 1st roll 4 to the 2nd roll 5 side, with respect to the long resin film base material conveyed along the water-cooled can roll 6 outer peripheral surface After winding the long resin film substrate with the second roll 5 while forming an oxide dielectric film layer (for example, SiO 2 film layer) with one sputtering cathode 7, the rotation direction of the water-cooled can roll 6 is changed. At the time of reverse conveyance of the long resin film substrate, the metal absorbing film layer (for example, Ni alloy) is formed by the other sputtering cathode 8 on the long resin film substrate conveyed along the outer peripheral surface of the water-cooled can roll 6. Layer) is wound up by the first roll 4, and thereafter, these steps are repeated to form an absorption multilayer film in which an oxide dielectric film layer and a metal absorption film layer are alternately laminated. It can be formed on one side of the base material. In addition, film thickness control of an absorption type multilayer film can be performed by controlling the conveyance speed of a elongate resin film base material.

そして、ロール・ツー・ロール真空成膜装置の成膜室内を長尺状樹脂フィルム基材が搬送されることにより吸収型多層膜の連続成膜が可能になるため、バッチ式真空成膜装置を用いた場合よりも高い生産性が可能となる。   And since the continuous film formation of the absorption type multilayer film becomes possible by transporting the long resin film substrate through the film forming chamber of the roll-to-roll vacuum film forming apparatus, the batch type vacuum film forming apparatus Productivity higher than when used is possible.

図4(A)は、長尺状樹脂フィルム基材9の片面に複数の開口部が設けられた長尺状マスキングフィルム10が貼付された状態を示す概略断面図である。長尺状マスキングフィルム10は複数の開口部が設けられた長尺状マスクであり、上記開口部により長尺状樹脂フィルム基材9の表面を露出させて露出部を形成している。そして、ロール・ツー・ロール真空成膜装置により、図4(A)および図4(B)に示すように長尺状樹脂フィルム基材9の露出部と上記長尺状マスキングフィルム10上に吸収型多層膜11を成膜する。尚、図4(B)において長尺状マスキングフィルム10上に成膜された吸収型多層膜11の表示は省略している。また、長尺状樹脂フィルム基材9上に形成される吸収型多層膜11の形状は適宜選択され、長尺状マスキングフィルム10に設けられた開口部の形状により決定される。   FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing a state in which a long masking film 10 having a plurality of openings is provided on one side of a long resin film substrate 9. The long masking film 10 is a long mask provided with a plurality of openings, and the exposed portion is formed by exposing the surface of the long resin film substrate 9 through the openings. And it absorbs on the exposed part of the elongate resin film base material 9 and the said elongate masking film 10 with a roll-to-roll vacuum film-forming apparatus as shown to FIG. 4 (A) and FIG. 4 (B). A mold multilayer film 11 is formed. In FIG. 4B, the display of the absorption multilayer film 11 formed on the long masking film 10 is omitted. Further, the shape of the absorption multilayer film 11 formed on the long resin film substrate 9 is appropriately selected and determined by the shape of the opening provided in the long masking film 10.

ここで、長尺状樹脂フィルム基材9に長尺状マスキングフィルム10を貼付する際、これら間に気泡が入らないように注意を要する。長尺状樹脂フィルム基材9と長尺状マスキングフィルム10間に気泡が入ると、ロール・ツー・ロール真空成膜装置内において汚染を引き起こしたり、長尺状樹脂フィルム基材9における上記露出部の位置ずれを引き起こす場合があるからである。尚、長尺状樹脂フィルム基材9と長尺状マスキングフィルム10間に気泡が入らないように貼付するには、ロール・ツー・ロール構造のプレスロールにより圧着するラミネータを用いることが望ましい。   Here, when sticking the elongate masking film 10 to the elongate resin film base material 9, care is required so that air bubbles may not enter between them. If air bubbles enter between the long resin film substrate 9 and the long masking film 10, contamination may occur in the roll-to-roll vacuum film forming apparatus, or the exposed portion in the long resin film substrate 9. This is because there is a possibility of causing a position shift of. In addition, in order to stick so that air bubbles may not enter between the long resin film substrate 9 and the long masking film 10, it is desirable to use a laminator that is pressure-bonded with a press roll having a roll-to-roll structure.

長尺状マスキングフィルムは、長尺状樹脂フィルム基材に貼付されて長尺状樹脂フィルム基材と共にロール・ツー・ロール真空成膜装置内を搬送されるものである。ロール・ツー・ロール真空成膜装置において、金属板等で構成されるマスクを用いてマスキングすると、長尺状樹脂フィルム基材がロール等の曲がった箇所を搬送される際にマスクが離脱してしまう。そして、マスクが離脱してしまうと、各層の成膜毎にマスクを重ねる必要があるためマスクの位置合わせが煩雑になる。更に、マスクを重ねるときに巻き取り側のロールの回転を停止させる必要があるため、長尺状樹脂フィルム基材を均一な力で巻き取ることができなくなって長尺状樹脂フィルム基材の巻き取りムラを生じ、長尺状樹脂フィルム基材や吸収型多層膜に傷をつけることも懸念される。また、長尺状樹脂フィルム基材の巻き取りムラにより長尺状樹脂フィルム基材の搬送速度が一定に保てなくなるため、吸収型多層膜の膜厚も一定に保てなくなり、得られるNDフィルターの透過率にバラツキが生じてしまう。尚、上記貼付とは、長尺状マスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材と共にロール搬送する際、長尺状マスキングフィルムが長尺状樹脂フィルム基材から剥がれないように貼り合わせることである。成膜している際に長尺状マスキングフィルムが長尺状樹脂フィルム基材から剥がれると、長尺状マスキングフィルムの位置合わせが煩雑になるため、長尺状マスキングフィルムを貼付させてこれを回避するためである。   The long masking film is affixed to a long resin film substrate and conveyed through the roll-to-roll vacuum film forming apparatus together with the long resin film substrate. In a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, when masking is performed using a mask composed of a metal plate or the like, the mask is detached when the long resin film substrate is transported in a bent part such as a roll. End up. When the mask is detached, it is necessary to overlap the mask every time the respective layers are formed, so that the mask alignment becomes complicated. Furthermore, since it is necessary to stop the rotation of the roll on the winding side when the masks are stacked, the long resin film substrate cannot be wound with a uniform force, and the long resin film substrate cannot be wound. There is also concern that the unevenness of the film is caused and the long resin film substrate or the absorption multilayer film is damaged. Moreover, since the conveyance speed of the long resin film substrate cannot be kept constant due to uneven winding of the long resin film substrate, the film thickness of the absorption multilayer film cannot be kept constant, and the resulting ND filter Variations in the transmissivity of the light will occur. In addition, the said sticking is bonding together so that a long masking film may not peel from a long resin film base material, when carrying out roll conveyance of a long masking film with a long resin film base material. If the long masking film is peeled off from the long resin film substrate during film formation, positioning of the long masking film becomes complicated. It is to do.

長尺状マスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材に貼付する手段としては接着剤による方法が挙げられ、長尺状マスキングフィルムの長尺状樹脂フィルム基材と接する面に接着剤を塗布して貼付する方法が例示される。また、上記接着剤の粘着力は、長尺状樹脂フィルム基材を第一若しくは第二ローラ等に巻き付けたときに長尺状マスキングフィルムが剥離せず、かつ、吸収型多層膜を成膜した後に長尺状樹脂フィルム基材から長尺状マスキングフィルムを意図的に剥離できる粘着力であればその強弱は任意である。また、上記接着剤の種類については、長尺状マスキングフィルムや長尺状樹脂フィルム基材を侵食しなければ任意である。そして、接着剤の具体的な粘着力は、JIS Z0237(2000年改定)に記載される「試験板に対する180°引き剥がし粘着力」に準拠する方法で測定した値が、0.05N/20mm以上、0.90N/20mm以下を示せばよい。上記値が0.05N/mm以上であれば長尺状樹脂フィルム基材の搬送中に長尺状マスキングフィルムが剥離することはなく、また、上記値が0.90N/20mm以下であれば長尺状樹脂フィルム基材から長尺状マスキングフィルムを意図的に剥離することができる。但し、長尺状マスキングフィルムを剥離した後に、長尺状樹脂フィルム基材に接着剤が残らないことが望ましい。長尺状マスキングフィルムの接着剤が長尺状樹脂フィルム基材に残留してしまうと、長尺状NDフィルターを切断してシート状NDフィルターやNDフィルターチップを求める際に、プレス金型が長尺状樹脂フィルム基材を貫通できなくなることがある。また、残留する接着剤により樹脂フィルム基材面が平坦にならないため、NDフィルターユニットの金属板や樹脂板にNDフィルターチップを接着若しくはレーザ融着する際に支障を来たすことがある。   As a means for sticking the long masking film to the long resin film substrate, there is a method using an adhesive, and an adhesive is applied to the surface of the long masking film in contact with the long resin film substrate. The method of sticking is illustrated. In addition, the adhesive strength of the adhesive is such that the long masking film does not peel off when the long resin film substrate is wound around the first or second roller, and an absorption multilayer film is formed. The strength is arbitrary as long as it is an adhesive force capable of intentionally peeling the long masking film from the long resin film substrate later. The type of the adhesive is arbitrary as long as it does not erode the long masking film or the long resin film substrate. The specific adhesive strength of the adhesive is 0.05 N / 20 mm or more as measured by a method in accordance with “180 ° peeling adhesive strength to test plate” described in JIS Z0237 (revised in 2000). 0.90 N / 20 mm or less. If the above value is 0.05 N / mm or more, the long masking film will not be peeled off during the conveyance of the long resin film substrate, and if the above value is 0.90 N / 20 mm or less, it is long. The long masking film can be intentionally peeled from the long resin film substrate. However, it is desirable that no adhesive remains on the long resin film substrate after the long masking film is peeled off. If the adhesive of the long masking film remains on the long resin film substrate, when the long ND filter is cut to obtain a sheet-like ND filter or ND filter chip, the press mold becomes long. It may become impossible to penetrate the scale-shaped resin film substrate. In addition, since the resin film substrate surface is not flattened by the remaining adhesive, there may be a problem when the ND filter chip is bonded or laser-welded to the metal plate or resin plate of the ND filter unit.

次に、長尺状マスキングフィルムの開口部は、長尺状樹脂フィルム基材に長尺状マスキングフィルムを貼付する前あるいは後に形成することができる。貼付後に上記開口部を形成するには、貼付された長尺状マスキングフィルムにプレス金型等で切れ目を入れ、切れ目の内側を真空ピンセット等で取り除くことにより可能である。また、貼付前に上記開口部を形成するにはプレス金型等を用いて形成することができ、例えば、上述したラミネータにより長尺状マスキングフィルムと長尺状樹脂フィルム基材とを貼付する直前に開口部を設けるように行ってもよい。   Next, the opening of the long masking film can be formed before or after applying the long masking film to the long resin film substrate. In order to form the opening after pasting, it is possible to make a cut in the attached long masking film with a press die or the like and remove the inside of the cut with vacuum tweezers or the like. Moreover, in order to form the said opening part before sticking, it can form using a press die etc., for example, just before sticking a long masking film and a long resin film base material with the laminator mentioned above. You may carry out so that an opening part may be provided in.

また、上記長尺状マスキングフィルムの互いに隣接する開口部間における間隔の短い寸法は、長尺状NDフィルターを切断してNDフィルターチップを得る際の切断しろの幅寸法より広く設定することが好ましい。開口部間における間隔の短い寸法を上記切断しろの幅寸法より広く設定した場合、吸収型多層膜の周辺部に未成膜部分が残されたNDフィルターチップを得ることができるからである。尚、NDフィルターチップが未成膜部分を有する場合、NDフィルターチップをNDフィルターユニットの金属板や樹脂板に固定する際、NDフィルターチップの樹脂フィルム基材面を金属板や樹脂板に直接接着若しくは融着させることができる。 Moreover, it is preferable that the short dimension between the adjacent openings of the long masking film is set wider than the width of the cutting margin when the long ND filter is cut to obtain the ND filter chip. . This is because when the dimension with a short interval between the openings is set wider than the width dimension of the cutting margin, an ND filter chip in which an undeposited part is left in the peripheral part of the absorption multilayer film can be obtained. When the ND filter chip has an undeposited portion, when the ND filter chip is fixed to the metal plate or resin plate of the ND filter unit, the resin film substrate surface of the ND filter chip is directly bonded to the metal plate or resin plate. Can be fused.

ここで、上記切断しろとは、長尺状NDフィルターを切断してNDフィルターチップを得る際、得られたNDフィルターチップにおける吸収型多層膜の周辺部に残される未成膜部分が相当し、上記切断をプレス金型等で行う場合には、金型の刃幅寸法にプレスした際にNDフィルターチップが曲げ変形を受けない幅寸法を加えた値が切断しろとなり、また、上記切断をレーザで行う場合には、ビームの幅寸法にレーザ切断した際にNDフィルターチップが熱変形を受けない幅寸法を加えた値が切断しろとなる。そして、上記切断しろの具体的数値は加工位置合わせの精度にもよるが、通常、数100μm程度である。   Here, the cutting margin corresponds to an undeposited portion left in the periphery of the absorption multilayer film in the obtained ND filter chip when the ND filter chip is obtained by cutting the long ND filter, When cutting with a press die or the like, the value obtained by adding a width dimension that does not cause bending deformation of the ND filter chip when pressed to the blade width dimension of the mold becomes the cutting margin, and the above cutting is performed with a laser. When performing, the value obtained by adding a width dimension that does not cause thermal deformation of the ND filter chip when the laser is cut to the width dimension of the beam is the cutting margin. The specific numerical value of the cutting margin is usually about several hundred μm although it depends on the accuracy of the processing position alignment.

次に、長尺状樹脂フィルム基材の表裏に吸収型多層膜を形成するには、長尺状樹脂フィルム基材の表裏に長尺状マスキングフィルムを貼付して成膜すればよい。長尺状樹脂フィルム基材の表裏に貼付された各長尺状マスキングフィルムの開口部について長尺状樹脂フィルム基材の表裏でその形状と位置が合致していれば、同一形状の吸収型多層膜が表裏に形成された長尺状NDフィルターを得ることができる。 Next, in order to form the absorption multilayer film on the front and back of the long resin film substrate, the long masking film may be attached to the front and back of the long resin film substrate. If the shape and position of the opening of each long masking film affixed to the front and back of the long resin film base material match the front and back of the long resin film base material, the same absorption multi-layer A long ND filter having films formed on the front and back sides can be obtained.

図6は長尺状樹脂フィルム基材12の表裏に吸収型多層膜15、16が形成された後に開口部14を有する長尺状マスキングフィルム13を剥離する工程を示す説明図、図7〜図8は得られた長尺状NDフィルター50を切断してNDフィルターチップ100を製造する工程を示す説明図である。   FIG. 6 is an explanatory view showing a process of peeling the long masking film 13 having the opening 14 after the absorption multilayer films 15 and 16 are formed on the front and back of the long resin film substrate 12, and FIGS. 8 is an explanatory view showing a process of manufacturing the ND filter chip 100 by cutting the obtained long ND filter 50.

すなわち、図6に示すようにその表裏に吸収型多層膜15、16が形成された長尺状樹脂フィルム基材12から長尺状マスキングフィルム13を剥離することにより、長尺状マスキングフィルム13の開口部14に対応した部位にのみ吸収型多層膜15、16が形成された長尺状NDフィルター50を得ることができる。   That is, as shown in FIG. 6, by peeling the long masking film 13 from the long resin film substrate 12 having the absorption multilayer films 15 and 16 formed on the front and back thereof, the long masking film 13 The long ND filter 50 in which the absorption multilayer films 15 and 16 are formed only in the portion corresponding to the opening 14 can be obtained.

また、図7(A)に示すように長尺状樹脂フィルム基材17の表裏に吸収型多層膜18、19が形成されて成る長尺状NDフィルター50をプレス金型20で切断することにより、図7(B)に示すように樹脂フィルム基材17とその表裏に形成された吸収型多層膜18とで構成され、かつ、吸収型多層膜18の周辺部に幅寸法αの未成膜部分を有するNDフィルターチップ100を製造することができる。   Further, as shown in FIG. 7A, by cutting a long ND filter 50 in which absorption multilayer films 18 and 19 are formed on the front and back of a long resin film substrate 17 with a press die 20. 7B, the resin film substrate 17 and the absorption multilayer film 18 formed on the front and back of the resin film substrate 17 are formed, and an undeposited portion having a width dimension α in the periphery of the absorption multilayer film 18 The ND filter chip 100 having the above can be manufactured.

また、図8に示すように長尺状樹脂フィルム基材21とこの表裏に形成された吸収型多層膜23、24とで構成される長尺状NDフィルター50の裏面側の長尺状マスキングフィルム22を剥がす前に、ハーフカット金型25でハーフカット加工することによってもNDフィルターチップを製造することができる。尚、ハーフカット加工とは、図8に示すように長尺状NDフィルター50の長尺状樹脂フィルム基材21に対してはハーフカット金型25を貫通させて切断するが、長尺状樹脂フィルム基材21に貼付された長尺状マスキングフィルム22に対してはハーフカット金型25を貫通させない加工を意味する。長尺状マスキングフィルム22を切断しないハーフカット加工により、NDフィルターチップが長尺状マスキングフィルム22に保持されるため、NDフィルターチップが飛散することを防止することができる。上記ハーフカット加工するには、ハーフカット金型25を貫通させたくない長尺状マスキングフィルム22等を貼付した面を裏面側とし、長尺状NDフィルター50の表面側からハーフカット金型25で加工すればよい。   Further, as shown in FIG. 8, a long masking film on the back side of a long ND filter 50 composed of a long resin film substrate 21 and absorption multilayer films 23 and 24 formed on the front and back sides. The ND filter chip can also be manufactured by half-cutting with the half-cut mold 25 before removing 22. In addition, as shown in FIG. 8, half-cut processing means that the long resin film substrate 21 of the long ND filter 50 is cut through the half-cut mold 25, but the long resin. The long masking film 22 affixed to the film base 21 means processing that does not allow the half-cut mold 25 to penetrate. Since the ND filter chip is held by the long masking film 22 by the half-cut process without cutting the long masking film 22, the ND filter chip can be prevented from scattering. For the half-cut processing, the surface to which the long masking film 22 or the like that does not want to penetrate the half-cut mold 25 is attached as the back side, and the half-cut mold 25 is used from the front side of the long ND filter 50. Process it.

本発明において長尺状マスキングフィルムの厚み寸法は吸収型多層膜の膜厚より大きく設定されているため、長尺状樹脂フィルム基材上の長尺状マスキングフィルム開口部から露出する部位に形成された各吸収型多層膜が上記開口部より外方へ突出することがない。従って、製造途中において吸収型多層膜の外表面が第一若しくは第二ローラやガイドローラ等に接することがないため吸収型多層膜に擦り傷等が形成されることがない。   In the present invention, since the thickness dimension of the long masking film is set larger than the film thickness of the absorption multilayer film, the long masking film is formed in a portion exposed from the long masking film opening on the long resin film substrate. In addition, each absorption multilayer film does not protrude outward from the opening. Accordingly, since the outer surface of the absorption multilayer film does not come into contact with the first or second roller, the guide roller, or the like during the manufacturing process, no scratches or the like are formed on the absorption multilayer film.

上記長尺状マスキングフィルムの具体的厚み寸法は、20μm以上、110μm以下が望ましい。厚みが110μmを超えると、ハーフカットされた際に、ハーフカット金型の侵入が深くなり、かつ、ハーフカット金型はテーパー状の刃になっていることから、侵入した刃幅が厚くなるため長尺状マスキングフィルムの変形が生じる。そして、侵入した刃や変形した長尺状マスキングフィルムにより吸収型多層膜に圧縮応力がかかり、割れが生じることもある。更に、厚みが110μmを超えた長尺状マスキングフィルムでは、ハーフカットされた際に、長尺状NDフィルターが長尺状マスキングフィルムに食い込んで曲がり吸収型多層膜が割れてしまうことがある。他方、長尺状マスキングフィルムの厚さが20μm未満であると機械的強度に問題を生ずる場合がある。   As for the specific thickness dimension of the said elongate masking film, 20 micrometers or more and 110 micrometers or less are desirable. When the thickness exceeds 110 μm, the half-cut mold penetrates deeply when half-cut, and the half-cut mold is a tapered blade, so the penetrated blade width becomes thick. Deformation of the long masking film occurs. Then, the absorbing multi-layer film is subjected to compressive stress by the intruding blade or the deformed long masking film, and cracking may occur. Furthermore, in the case of a long masking film having a thickness exceeding 110 μm, when half-cut, the long ND filter may bite into the long masking film and the bending absorption multilayer film may be broken. On the other hand, if the thickness of the long masking film is less than 20 μm, there may be a problem in mechanical strength.

次に、長尺状マスキングフィルムの材質は樹脂フィルム等が挙げられる。長尺状マスキングフィルムを樹脂フィルム等で構成した場合、長尺状マスキングフィルムの表面が平滑になるため長尺状マスキングフィルムが貼付された長尺状樹脂フィルム基材を第一若しくは第二ローラに巻き取った際、長尺状樹脂フィルム基材に傷をつけることがない。   Next, a resin film etc. are mentioned as a material of a elongate masking film. When the long masking film is composed of a resin film, etc., the surface of the long masking film becomes smooth, so the long resin film substrate with the long masking film attached to the first or second roller. When wound up, the long resin film substrate is not damaged.

そして、長尺状マスキングフィルムを樹脂フィルムで構成した場合、ガラス転移点が85℃以上となることが望ましい。ガラス転移点が85℃未満であると、長尺状樹脂フィルム基材上に吸収型多層膜を成膜する際、長尺状マスキングフィルムが熔融してしまうことがあるからである。吸収型多層膜を成膜するとき、成膜される側(長尺状樹脂フィルム基材の成膜面側)の温度が上昇する。例えば、図3に示すロール・ツー・ロール・スパッタリング成膜装置の場合、長尺状樹脂フィルム基材は水冷キャンロール6に巻きつけられているので除熱されるが、長尺状マスキングフィルムは長尺状樹脂フィルム基材を介して除熱されることになるので長尺状樹脂フィルム基材よりも除熱されにくい。このため、ガラス転移点が85℃以上であることが望ましい。   And when a long masking film is comprised with a resin film, it is desirable for a glass transition point to become 85 degreeC or more. This is because when the glass transition point is lower than 85 ° C., the long masking film may melt when the absorption multilayer film is formed on the long resin film substrate. When the absorption multilayer film is formed, the temperature on the film forming side (the film forming surface side of the long resin film substrate) increases. For example, in the case of the roll-to-roll sputtering film forming apparatus shown in FIG. 3, since the long resin film substrate is wound around the water-cooled can roll 6, heat is removed, but the long masking film is long. Since heat is removed via the long resin film substrate, heat is less likely to be removed than the long resin film substrate. For this reason, it is desirable that a glass transition point is 85 degreeC or more.

次に、長尺状樹脂フィルム基材の材質は特に限定されることはない。この具体例として、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリアリレート(PAR)、ポリカーボネート(PC)、ポリオレフィン(PO)、ノルボルネンの樹脂材料から選択される樹脂フィルム単体、あるいは、これ等材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネンの樹脂材料については、代表的なものとして日本ゼオン社のゼオノア(商品名)やJSR社のアートン(商品名)等が挙げられる。   Next, the material of the long resin film substrate is not particularly limited. Specific examples thereof include a resin film alone selected from polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES), polyarylate (PAR), polycarbonate (PC), polyolefin (PO), norbornene resin material, or the like. Examples thereof include a composite of a resin film alone selected from materials and an acrylic organic film covering one or both sides of this single body. In particular, as for the resin material of norbornene, representative examples include ZEONOR (trade name) manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd. and Arton (trade name) manufactured by JSR Corporation.

ここで、本発明において、長尺状NDフィルターとは、長尺状樹脂フィルム基材とこの樹脂フィルム基材の両面に互いに間隔を介し設けられた複数の吸収型多層膜とを具備するNDフィルターをいう。また、シート状NDフィルターとは、上記長尺状NDフィルターを任意の長さに切断して構成された、シート状樹脂フィルム基材とこの樹脂フィルム基材の両面に互いに間隔を介し設けられた複数の吸収型多層膜とを具備するNDフィルターをいう。また、NDフィルターチップとは、長尺状NDフィルターまたはシート状NDフィルターを切断して構成された、樹脂フィルム基材とこの樹脂フィルム基材の両面それぞれ設けられた単一の吸収型多層膜とを具備するNDフィルターをいう。 Here, in the present invention, the long ND filter means an ND filter comprising a long resin film substrate and a plurality of absorption multilayer films provided on both surfaces of the resin film substrate with a space therebetween. Say. Further, the sheet-like ND filter is formed by cutting the long ND filter into an arbitrary length, and is provided on both surfaces of the sheet-like resin film substrate and the resin film substrate with a space therebetween. An ND filter comprising a plurality of absorption multilayer films. Further, the ND filter tip, the elongate ND filter or constructed by cutting a sheet-like ND filter, a single absorption-type multi-layer film provided on both surfaces of the resin film substrate the resin film substrate An ND filter comprising:

以下、本発明の実施例について具体的に説明する。   Examples of the present invention will be specifically described below.

まず、波長400〜700nmにおける平均透過率が6.3%である吸収型多層膜NDフィルターの膜構造(表1参照)を設計した。設計された吸収型多層膜NDフィルターの分光透過率を図5に示す。尚、NDフィルターの分光透過特性は自記分光光度計(日本分光社製 V570)を用いて行った。   First, a film structure (see Table 1) of an absorptive multilayer ND filter having an average transmittance of 6.3% at a wavelength of 400 to 700 nm was designed. FIG. 5 shows the spectral transmittance of the designed absorption multilayer ND filter. The spectral transmission characteristics of the ND filter were measured using a self-recording spectrophotometer (V570 manufactured by JASCO Corporation).

Figure 0005067072
吸収型多層膜の成膜には図3に示したロール・ツー・ロール・スパッタリング成膜装置を用い、金属吸収膜を成膜するためのターゲットとしてNi合金ターゲット[住友金属鉱山(株)社製]を用い、酸化物誘電体膜であるSiOを成膜するためのターゲットとしてSiターゲット[住友金属鉱山(株)社製]を用いた。また、上記Ni合金ターゲットはArガスを導入するDCマグネトロンスパッタリングにより成膜され、一方、SiターゲットはArガスを導入するデュアルマグネトロンスパッタリングにより成膜され、SiからSiOを成膜するためにインピーダンスモニター(ボンアルデンヌ社製 プラズマエミッションモニター)により酸素導入量を制御した。
Figure 0005067072
The roll-to-roll sputtering film forming apparatus shown in FIG. 3 is used to form the absorption multilayer film, and a Ni alloy target [manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.] is used as a target for forming the metal absorption film. The Si target [manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.] was used as a target for depositing SiO 2 which is an oxide dielectric film. The Ni alloy target is formed by DC magnetron sputtering that introduces Ar gas, while the Si target is formed by dual magnetron sputtering that introduces Ar gas, and an impedance monitor is used to form SiO 2 from Si. The amount of oxygen introduced was controlled by a plasma emission monitor manufactured by Bon Ardennes.

また、長尺状樹脂フィルム基材には、厚さ100μmの両面易接着層付PETフィルム(東洋紡社製)を用いた。また、長尺状マスキングフィルムには、10mmピッチで直径5mmの開口部を設けた厚さ65μmのポリエチレン製ラミネートフィルム(日東電工社製:E−MASK R−200、粘着力:0.5N/20mm)を用い、長尺状マスキングフィルムの開口部と隣接する開口部の間隔の短い寸法は5mmである。尚、上記長尺状マスキングフィルムについては、厚さ50μmのポリエチレン製ラミネートフィルム(日東電工社製:E−MASK RB−300S、粘着力:0.35N/20mm)や、厚さ59μmのポリエステル製ラミネートフィルム(日東電工社製:E−MASK RP−300、粘着力:0.25N/20mm)を用いてもよい。 Moreover, a PET film with a double-sided easy-adhesion layer (manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm was used as the long resin film substrate. In addition, the long masking film has a 65 μm thick polyethylene laminate film (Nitto Denko Corporation: E-MASK R-200, adhesive strength: 0.5 N / 20 mm, with openings of 10 mm pitch and 5 mm diameter). ), The short dimension of the gap between the opening of the long masking film and the adjacent opening is 5 mm. In addition, about the said elongate masking film, a 50-micrometer-thick polyethylene laminated film (Nitto Denko KK-made: E-MASK RB-300S, adhesive force: 0.35N / 20mm), and a 59-micrometer-thick polyester laminate A film (manufactured by Nitto Denko Corporation: E-MASK RP-300, adhesive strength: 0.25 N / 20 mm) may be used.

そして、以下の手順により吸収型多層膜の成膜を行った。   Then, an absorption multilayer film was formed by the following procedure.

1)長尺状樹脂フィルム基材の両面に上記長尺状マスキングフィルムを貼付した。   1) The above long masking film was pasted on both sides of a long resin film substrate.

2)図3に示したロール・ツー・ロール・スパッタリング成膜装置のスパッタリング室を1×10−4Pa程度まで排気した。 2) The sputtering chamber of the roll-to-roll sputtering film forming apparatus shown in FIG. 3 was evacuated to about 1 × 10 −4 Pa.

3)長尺状樹脂フィルム基材の搬送速度を1.50m/minに調整して、第一ロール4から第二ロール5へ向け長尺状樹脂フィルム基材を正転方向に搬送した。   3) The conveyance speed of the long resin film substrate was adjusted to 1.50 m / min, and the long resin film substrate was conveyed in the forward direction from the first roll 4 to the second roll 5.

4)Siターゲットが取付けられたスパッタリングカソード7にArガスを100sccm導入し、スパッタ出力10kWにてSiOの成膜を行った。また、インピーダンスモニターにより酸素導入量を制御した。 4) 100 sccm of Ar gas was introduced into the sputtering cathode 7 to which the Si target was attached, and SiO 2 was deposited at a sputtering output of 10 kW. The amount of oxygen introduced was controlled by an impedance monitor.

5)長尺状樹脂フィルム基材の搬送速度を0.94m/minに調節し逆転方向に搬送した。   5) The conveying speed of the long resin film substrate was adjusted to 0.94 m / min and conveyed in the reverse direction.

6)Ni合金ターゲットが取付けられたスパッタリングカソード8にArガスを100sccm導入し、スパッタ出力1kWにてNi合金膜層の成膜を行った。   6) Ar gas was introduced at 100 sccm to the sputtering cathode 8 to which the Ni alloy target was attached, and a Ni alloy film layer was formed at a sputtering output of 1 kW.

7)長尺状樹脂フィルム基材の搬送速度を0.43m/minに調整して正転方向に搬送した。   7) The transport speed of the long resin film substrate was adjusted to 0.43 m / min and transported in the forward direction.

8)Siターゲットが取付けられたスパッタリングカソード7にArガスを100sccm導入し、スパッタ出力10kWにてSiOの成膜を行った。また、インピーダンスモニターにより酸素導入量を制御した。 8) Ar gas was introduced at 100 sccm to the sputtering cathode 7 to which the Si target was attached, and SiO 2 was deposited at a sputtering output of 10 kW. The amount of oxygen introduced was controlled by an impedance monitor.

9)長尺状樹脂フィルム基材の搬送速度を0.94m/minに調節し逆転方向に搬送した。   9) The conveying speed of the long resin film substrate was adjusted to 0.94 m / min and conveyed in the reverse direction.

10)Ni合金ターゲットが取付けられたスパッタリングカソード8にArガスを100sccm導入し、スパッタ出力1kWにてNi合金膜層の成膜を行った。   10) Ar gas was introduced at 100 sccm to the sputtering cathode 8 to which the Ni alloy target was attached, and a Ni alloy film layer was formed at a sputtering output of 1 kW.

11)長尺状樹脂フィルム基材の搬送速度を0.46m/minに調整して正転方向に搬送した。   11) The transport speed of the long resin film substrate was adjusted to 0.46 m / min and transported in the forward direction.

12)Siターゲットが取付けられたスパッタリングカソード4にArガスを100sccm導入し、スパッタ出力10kWにてSiOの成膜を行った。また、インピーダンスモニターにより酸素導入量を制御した。 12) Ar gas was introduced at 100 sccm into the sputtering cathode 4 to which the Si target was attached, and SiO 2 was deposited at a sputtering output of 10 kW. The amount of oxygen introduced was controlled by an impedance monitor.

13)片面(表面)の成膜が完了した長尺状樹脂フィルム基材を取り出すと共に、表裏を反転させて第一ロール1にセットし、上記2)〜12)の工程を繰り返して長尺状樹脂フィルム基材の裏面にも吸収型多層膜を形成した。   13) Take out the long resin film base material on which the film formation on one side (front surface) has been completed, reverse the front and back, set it on the first roll 1, and repeat the above steps 2) to 12) to make it long. An absorptive multilayer film was also formed on the back surface of the resin film substrate.

14)表裏両面に吸収型多層膜が形成された長尺状樹脂フィルム基材をスパッタリング室から取り出した。   14) The long resin film substrate having the absorption multilayer film formed on both the front and back surfaces was taken out of the sputtering chamber.

15)表裏両面に吸収型多層膜が形成された長尺状樹脂フィルム基材から長尺状マスキングフィルムをそれぞれ剥離して長尺状NDフィルターを得ると共に、得られた長尺状NDフィルターの各吸収型多層膜を中心にプレス金型で打ち抜きプレス加工し、NDフィルターチップを求めた。   15) The long masking film is peeled off from the long resin film substrate on which both sides of the absorption multilayer film are formed to obtain a long ND filter, and each of the obtained long ND filters is obtained. An ND filter chip was obtained by punching and pressing with a press die centering on the absorption multilayer film.

本発明に係る長尺状NDフィルターの製造方法は生産性に優れ、かつ、長尺状NDフィルターから求められるNDフィルターチップの金属板や樹脂板に対する接合性にも優れているため、小型で薄型のデジタルカメラやカメラ付携帯電話等に用いられる産業上の利用可能性を有している。   The manufacturing method of the long ND filter according to the present invention is excellent in productivity and also excellent in the bondability of the ND filter chip required for the long ND filter to a metal plate or a resin plate. The present invention has industrial applicability for use in digital cameras and mobile phones with cameras.

本発明に係る長尺状NDフィルターの製造工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing process of the elongate ND filter which concerns on this invention. 未成膜部分を残して複数の吸収型多層膜を樹脂フィルム基材に形成する従来のNDフィルターの製造装方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the manufacturing mounting method of the conventional ND filter which leaves a non-film-forming part and forms a several absorption multilayer film in a resin film base material. 本発明で用いるロール・ツー・ロール・スパッタリング成膜装置の概略構成説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Schematic structure explanatory drawing of the roll-to-roll sputtering film-forming apparatus used by this invention. 図4(A)は長尺状樹脂フィルム基材の片面に複数の開口部が設けられた長尺状マスキングフィルムが貼付された状態を示す概略断面図、図4(B)は図4(A)における長尺状樹脂フィルム基材の平面図。FIG. 4A is a schematic cross-sectional view showing a state in which a long masking film having a plurality of openings provided on one side of a long resin film substrate is attached, and FIG. ) Is a plan view of a long resin film substrate in FIG. 本発明に係るNDフィルターの分光透過率を示すグラフ図。The graph which shows the spectral transmittance of the ND filter which concerns on this invention. 長尺状NDフィルターの製造工程を示す概略断面図。 The schematic sectional drawing which shows the manufacturing process of a elongate ND filter . 図7(A)は長尺状NDフィルターを切断してNDフィルターチップを求める工程を示す概略断面図、図7(B)は得られたNDフィルターチップの平面図。Figure 7 (A) is a schematic sectional view showing a step of obtaining the ND filter tip by cutting the elongated ND filter, FIG. 7 (B) a plan view of the resulting ND filter tip. 本発明に係る製造方法のハーフカット加工工程を示す概略断面図。 The schematic sectional drawing which shows the half cut process of the manufacturing method which concerns on this invention .

符号の説明Explanation of symbols

1 樹脂フィルム基材
2 マスク
3 吸収型多層膜
4 第一ロール
5 第二ロール
6 水冷キャンロール
7 スパッタリングカソード
8 スパッタリングカソード
9 長尺状樹脂フィルム基材
10 長尺状マスキングフィルム
11 吸収型多層膜
12 長尺状樹脂フィルム基材
13 長尺状マスキングフィルム
14 開口部
15 吸収型多層膜
16 吸収型多層膜
17 長尺状樹脂フィルム基材
18 吸収型多層膜
19 吸収型多層膜
20 プレス金型
21 長尺状樹脂フィルム基材
22 長尺状マスキングフィルム
23 吸収型多層膜
24 吸収型多層膜
25 ハーフカット金型
50 長尺状NDフィルター
61 ガイドロール
62 ガイドロール
63 ガイドロール
64 ガイドロール
100 NDフィルターチップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin film base material 2 Mask 3 Absorption type multilayer film 4 1st roll 5 2nd roll 6 Water-cooled can roll 7 Sputtering cathode 8 Sputtering cathode 9 Elongated resin film base material 10 Elongated masking film 11 Absorption type multilayer film 12 Long resin film substrate 13 Long masking film 14 Opening 15 Absorbing multilayer film 16 Absorbing multilayer film 17 Long resin film substrate 18 Absorbing multilayer film 19 Absorbing multilayer film 20 Press mold 21 Long Scale-shaped resin film base material 22 Long-length masking film 23 Absorption-type multilayer film 24 Absorption-type multilayer film 25 Half-cut mold 50 Long-length ND filter 61 Guide roll 62 Guide roll 63 Guide roll 64 Guide roll 100 ND filter chip

Claims (6)

長尺状樹脂フィルム基材と、この樹脂フィルム基材の両面に互いに間隔を介し設けられかつ表裏面でその形状と位置が合致している複数の吸収型多層膜とを具備する長尺状NDフィルターを、ロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて製造する方法において、
厚み寸法が上記吸収型多層膜の膜厚より大きい長尺状マスキングフィルムを上記長尺状樹脂フィルム基材の両面に貼付し、表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムにそれぞれ設けられた形状と位置が合致している複数の開口部から露出する部位を除いて長尺状樹脂フィルム基材表裏面表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムにより遮蔽する貼付工程と、
表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムが貼付された長尺状樹脂フィルム基材両面の上記開口部から露出する部位に、ロール・ツー・ロール真空成膜装置を用いて表裏面でその形状と位置が合致している吸収型多層膜をそれぞれ形成する成膜工程
上記成膜工程後、長尺状樹脂フィルム基材の表面側に貼付した表面側長尺状マスキングフィルムを剥離して長尺状樹脂フィルム基材の表面側に形成された吸収型多層膜を露出させる剥離工程と、
吸収型多層膜が露出する長尺状樹脂フィルム基材の表面側からハーフカット金型を作用させて、長尺状樹脂フィルム基材に対しては上記ハーフカット金型を貫通させて切断する一方、裏面側長尺状マスキングフィルムに対しては上記ハーフカット金型を貫通させずにハーフカットするハーフカット加工工程、
の各工程を有し、かつ、上記表面側並びに裏面側長尺状マスキングフィルムが樹脂フィルムにより構成され、この樹脂フィルムのガラス転移点が85℃以上であることを特徴とする長尺状NDフィルターの製造方法。
A long ND comprising a long resin film substrate and a plurality of absorption-type multilayer films that are provided on both surfaces of the resin film substrate with a gap between them and whose shapes and positions coincide with each other on the front and back surfaces In a method for producing a filter using a roll-to-roll vacuum film forming apparatus,
A lengthy masking film whose thickness dimension is larger than the film thickness of the absorption multilayer film is pasted on both sides of the long resin film substrate, and a shape provided on each of the front and back side long masking films, A sticking step of shielding the long resin film substrate front and back surfaces with the front side and the back side long masking film except for the portions exposed from the plurality of openings whose positions are matched ,
A portion exposed from the surface side and back surface side elongate masking film affixed to the elongated resin film substrate side of the opening, and its shape on the front and back surfaces using a roll-to-roll vacuum deposition apparatus a film forming process position is respectively absorptive multilayer film are matched,
After the above film forming step, the surface-side long masking film affixed to the surface side of the long resin film substrate is peeled to expose the absorption multilayer film formed on the surface side of the long resin film substrate. An exfoliating step,
A half-cut mold is applied from the surface side of the long resin film substrate where the absorption multilayer film is exposed, and the long-cut resin film substrate is cut through the half-cut mold. A half-cut processing step for half-cutting the back-side long masking film without penetrating the half-cut mold,
A long ND filter characterized in that the front side and back side long masking films are made of a resin film, and the glass transition point of the resin film is 85 ° C. or higher. Manufacturing method.
上記貼付工程において、上記長尺状マスキングフィルムの開口部はマスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材に貼付した後に設けられることを特徴とする請求項1に記載の長尺状NDフィルターの製造方法。   2. The method for producing a long ND filter according to claim 1, wherein, in the attaching step, the opening of the long masking film is provided after the masking film is attached to a long resin film substrate. . 上記貼付工程において、上記長尺状マスキングフィルムの開口部はマスキングフィルムを長尺状樹脂フィルム基材に貼付する前に設けられることを特徴とする請求項1に記載の長尺状NDフィルターの製造方法。   In the said sticking process, the opening part of the said elongate masking film is provided before a masking film is affixed on a elongate resin film base material, The manufacture of the elongate ND filter of Claim 1 characterized by the above-mentioned. Method. ロール・ツー・ロール真空成膜装置による成膜がスパッタリング成膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の長尺状NDフィルターの製造方法。   The method for producing a long ND filter according to any one of claims 1 to 3, wherein the film formation by the roll-to-roll vacuum film formation apparatus is a sputtering film formation. 上記長尺状マスキングフィルムの互いに隣接する開口部間における間隔の短い寸法が、長尺状NDフィルターを切断してNDフィルターチップを得る際の切断しろの幅寸法より広く設定されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の長尺状NDフィルターの製造方法。 The short dimension between the adjacent openings of the long masking film is set wider than the width dimension of the cutting margin when the long ND filter is cut to obtain the ND filter chip. The manufacturing method of the elongate ND filter in any one of Claims 1-4. 上記長尺状マスキングフィルムの厚み寸法が20μm以上、110μm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の長尺状NDフィルターの製造方法。 The method for producing a long ND filter according to any one of claims 1 to 5, wherein a thickness of the long masking film is 20 µm or more and 110 µm or less .
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US6316288B1 (en) * 1997-03-21 2001-11-13 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and methods of manufacturing film camera tape
JP4822484B2 (en) * 2001-06-19 2011-11-24 シチズン電子株式会社 Surface mount type electronic component and manufacturing method thereof
JP2003151768A (en) * 2001-08-31 2003-05-23 Sanyo Electric Co Ltd Method of manufacturing electroluminescent element and vapor deposition mask
JP2003207608A (en) * 2001-11-12 2003-07-25 Sony Corp ND filter, method of manufacturing the same, and imaging apparatus

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