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JP5069587B2 - Circuit equipment - Google Patents
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JP5069587B2 - Circuit equipment - Google Patents

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

この発明は、電力用半導体素子を実装する回路装置に関するものである。   The present invention relates to a circuit device for mounting a power semiconductor element.

従来の大きな電流、電圧を制御するような回路装置では、半導体素子や電子部品の損失が大きく、これらを冷却する必要がある。そのため、これらの電子部品は、放熱性の高い金属と薄い樹脂絶縁層からなる金属基板に搭載され、これらの基板裏面側にグリースや接着剤を介して取り付けられたヒートシンクから放熱することによって冷却する構造となっていた。電子部品が搭載される基板は、例えば樹脂に比べて熱伝導率が高いアルミナや窒化アルミニウムに金属箔を貼り付けたセラミック基板も一般的に良く用いられる。
基板上に半導体素子や電子部品を搭載し、かつ配線を引き回すと基板面積が大きくなるため、例えば特許文献1のように半導体素子を放熱体に絶縁シートを介して固定すると共に、半導体素子からのリードを半導体素子の上方のバスバー構造体に接続して立体的に配結線する方法がある。
In a conventional circuit device that controls a large current and voltage, the loss of semiconductor elements and electronic components is large, and these must be cooled. Therefore, these electronic components are mounted on a metal substrate made of a metal with high heat dissipation and a thin resin insulating layer, and are cooled by dissipating heat from a heat sink attached to the back side of these substrates via grease or adhesive. It was a structure. As a substrate on which electronic components are mounted, for example, a ceramic substrate in which a metal foil is bonded to alumina or aluminum nitride, which has a higher thermal conductivity than resin, is generally used.
When a semiconductor element or an electronic component is mounted on the substrate and the wiring is routed, the substrate area increases. For example, as in Patent Document 1, the semiconductor element is fixed to the radiator via an insulating sheet, and from the semiconductor element. There is a method of connecting wires in a three-dimensional manner by connecting the leads to the bus bar structure above the semiconductor element.

特開平2004−190525号公報(図1)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-190525 (FIG. 1)

特許文献1に記載の回路装置にあっては、半導体素子は、放熱体の放熱面に対して並べて固定されるため、半導体素子の搭載する数が増えると半導体素子が占める面積が大きくなり、回路装置が大きくなる懸念がある。また、半導体素子同士の配線が必要な場合、バスバー構造体を介してなされるため、電流量によっては配線の損失が大きくなって回路装置の効率が低下したり、温度が上昇し過ぎる恐れがある。
また、半導体素子は、熱抵抗の大きな絶縁シートを介して放熱体に取り付けられているため、半導体素子の温度上昇が大きく、収納される筐体内部の温度上昇を招いたり、半導体素子や他の電子部品のはんだ付部の熱ストレスが大きくなったり、さらには、回路装置の効率が悪化する恐れがあった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、コンパクト化された回路装置を提供するものである。
In the circuit device described in Patent Document 1, since the semiconductor element is fixed side by side with respect to the heat radiating surface of the radiator, the area occupied by the semiconductor element increases as the number of mounted semiconductor elements increases. There is a concern that the device will become large. In addition, when wiring between semiconductor elements is required, the wiring is performed via a bus bar structure. Therefore, depending on the amount of current, the wiring loss may increase, and the efficiency of the circuit device may decrease or the temperature may increase excessively. .
In addition, since the semiconductor element is attached to the radiator through an insulating sheet having a large thermal resistance, the temperature of the semiconductor element is greatly increased, leading to an increase in the temperature inside the housing that is housed. There is a possibility that the thermal stress of the soldered portion of the electronic component is increased, and further, the efficiency of the circuit device is deteriorated.
The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a compact circuit device.

この発明に係わる回路装置は、本体内部から導出されたリード端子と露出された電極を有する半導体素子、冷媒に曝されて冷却される放熱部と上記半導体素子の電極が搭載される導電部とを有する導電兼放熱プレート、上記半導体素子が搭載された導電兼放熱プレートを所定の間隔を隔てて複数配列保持する絶縁フレーム部、及び上記リード端子と上記導電部に形成された上記電極の接続端子を互いに接続して所定の回路を形成する回路部を備え、単一の導電兼放熱プレート上には、複数の上記半導体素子を搭載して互いに並列接続すると共に、隣り合う上記導電兼放熱プレート上にそれぞれ並列接続して搭載された上記半導体素子は、上記回路部により直列接続され、
上記導電兼放熱プレート部の放熱部は、絶縁性カバーで覆われ冷媒で冷却されるものである。
According to another aspect of the present invention, there is provided a circuit device comprising: a lead element derived from the inside of a main body; a semiconductor element having an exposed electrode; a heat radiating part that is cooled by being exposed to a coolant; and a conductive part on which the electrode of the semiconductor element is mounted. A conductive and heat radiating plate, an insulating frame portion for holding a plurality of conductive and heat radiating plates on which the semiconductor elements are mounted at predetermined intervals, and a connection terminal for the lead terminal and the electrode formed on the conductive portion. A circuit unit that is connected to each other to form a predetermined circuit is provided. A plurality of the semiconductor elements are mounted on a single conductive / heat radiating plate and connected in parallel to each other. The semiconductor elements mounted in parallel are connected in series by the circuit unit,
The heat radiating portion of the conductive / heat radiating plate portion is covered with an insulating cover and cooled with a refrigerant .

この発明の回路装置によれば、放熱部と導電部とを一つの導電プレートが兼ね備えるため、部材点数が少なくて済み、非常にコンパクトな回路装置が実現できる。特に、半導体素子を縦型に配置して並べることができるので、半導体素子を収納する面積が小さくて済むため、非常にコンパクトな回路装置を製造することができる。
また、放熱部と導電部とが一体形成のため、半導体素子は絶縁層を介さずに放熱部に直接搭載される構成となるために冷却性能が優れ、さらには、導電プレートの電気抵抗を小さくすることができるので、配線損失の低減を図ることができ、温度上昇の低減と回路装置の高効率化を図ることができる。
According to the circuit device of the present invention, since one conductive plate has both the heat radiating portion and the conductive portion, the number of members is small, and a very compact circuit device can be realized. In particular, since the semiconductor elements can be arranged vertically and arranged, the area for housing the semiconductor elements can be small, so that a very compact circuit device can be manufactured.
In addition, since the heat dissipating part and the conductive part are integrally formed, the semiconductor element is directly mounted on the heat dissipating part without an insulating layer, so that the cooling performance is excellent, and further, the electric resistance of the conductive plate is reduced. Therefore, the wiring loss can be reduced, the temperature rise can be reduced, and the efficiency of the circuit device can be improved.

以下、図面に基づいて、この発明の各実施の形態を説明する。
なお、各図間において、同一符号は同一あるいは相当部分を示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In addition, the same code | symbol shows the same or an equivalent part between each figure.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1を説明するための回路装置を模式的に示した断面図である。
図1において、表面に露出された電極(以下「電極部」という)201を有する半導体素子2は、その電極部201を導電兼放熱プレート(以下「プレート」という)1の導電部3の主面(半導体素子2の搭載面)3aに、はんだ付けすることにより接合される。
このプレート1は、金属等の導電性材料で構成され、上記の導電部3のほかに、冷媒に曝されて冷却される放熱部(後述)6を有し、このプレート1とプレートに搭載された半導体素子2とによりプレート部101を構成している。
複数個のプレート1は、樹脂などの絶縁材料からなる絶縁フレーム部10aに上方或いは下方から取り付け保持され所定の間隔を隔てて並設(配列)されている。また、複数個
のプレート1は、半導体素子2を搭載した主面3aが同一の方向になるように整列配置される。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a circuit device for explaining the first embodiment.
In FIG. 1, a semiconductor element 2 having an electrode (hereinafter referred to as “electrode part”) 201 exposed on the surface has the electrode part 201 as a main surface of a conductive part 3 of a conductive and heat radiating plate (hereinafter referred to as “plate”) 1. (Semiconductor element 2 mounting surface) 3a is joined by soldering.
The plate 1 is made of a conductive material such as metal, and has a heat radiating portion (described later) 6 that is cooled by being exposed to a refrigerant in addition to the conductive portion 3 described above, and is mounted on the plate 1 and the plate. The plate portion 101 is constituted by the semiconductor element 2.
The plurality of plates 1 are attached and held from above or below to an insulating frame portion 10a made of an insulating material such as resin, and are arranged (arranged) at a predetermined interval. The plurality of plates 1 are aligned and arranged so that the main surface 3a on which the semiconductor element 2 is mounted is in the same direction.

半導体素子2は、電極部201の裏面とは相対する面に図示しないデバイスが搭載されて樹脂でモールドされており、半導体素子2の少なくとも一面からデバイス内部(本体内部)と外部とを電気的に接続するリード端子群(リード端子)4が突出(導出)した構造であり、さらにリード端子群4は、例えばプレート1と隣接するプレート1aに接続される。
また、プレート部101の上方には、電気的な引き出しをするための中継端子5が並んでおり、制御基板7に接続されている。
半導体素子2を搭載した主面3aが下方に伸びたプレート1の下方部分は、放熱部(放熱部位)6を形成し、冷媒に曝されて半導体素子2を冷却する放熱部材ともなっている。冷媒は、ファンで強制的に送風される空気などの気体、或いは自然対流で流れる空気などの気体であってもよく、或いは水やクーラント材などの液体であってもよい。
The semiconductor element 2 is mounted with a device (not shown) on the surface opposite to the back surface of the electrode part 201 and molded with resin, and the inside of the device (inside the main body) and the outside are electrically connected from at least one surface of the semiconductor element 2. A lead terminal group (lead terminal) 4 to be connected protrudes (leads out), and the lead terminal group 4 is connected to a plate 1 a adjacent to the plate 1, for example.
Further, relay terminals 5 for electrical drawing are arranged above the plate portion 101 and connected to the control board 7.
The lower part of the plate 1 on which the main surface 3a on which the semiconductor element 2 is mounted extends downward forms a heat radiating part (heat radiating part) 6 and also serves as a heat radiating member that cools the semiconductor element 2 by being exposed to the refrigerant. The refrigerant may be a gas such as air forcibly blown by a fan, a gas such as air flowing by natural convection, or a liquid such as water or a coolant material.

回路装置全体は、上部から蓋10bを被せて保護すると共に、下部もプレート1が突出する底板10cを設けて装置内部を保護する。装置内部は、保護のための樹脂を充填してもよい。したがって、絶縁フレーム部10aは、蓋10b、底板10cなどで構成されている。   The entire circuit device is protected by covering with a lid 10b from the top, and the bottom plate 10c from which the plate 1 protrudes is also provided at the bottom to protect the inside of the device. The inside of the apparatus may be filled with a resin for protection. Therefore, the insulating frame portion 10a includes a lid 10b, a bottom plate 10c, and the like.

図1のように並設した各々のプレート1に搭載された半導体素子2同士は、直列的に接続されており、直列接続した個々の半導体素子2に対して放熱部位6を設けて冷媒に曝すことで放熱性能が確保できる。
半導体素子2の電極部201からの電流は、プレート1を通じて流れる。これに対して従来のように配線基板を用いる場合には、基板上のパターンでは配線の断面積が小さいために配線損失が大きく、回路装置の効率が悪くなり、排熱のための冷却も強化する必要がある。これに対して、プレート1は断面積が大きいので、電気抵抗を小さく抑えることができ配線損失が小さくなる。
また、半導体素子2は、裏面に設けられた電極部201で放熱部材としてのプレート1に、はんだ付けされて搭載されるため熱抵抗が小さく高い冷却性能が実現できる。さらには、プレート1が導電部材と放熱部材を兼ね備えており、ヒートシンクなどの別な部材を必要とせず、安価で小型軽量な回路装置を実現できる。
The semiconductor elements 2 mounted on the respective plates 1 arranged in parallel as shown in FIG. 1 are connected in series, and a heat radiation portion 6 is provided for each semiconductor element 2 connected in series to be exposed to the refrigerant. This ensures heat dissipation performance.
A current from the electrode part 201 of the semiconductor element 2 flows through the plate 1. On the other hand, when a wiring board is used as in the conventional case, the pattern on the board has a small cross-sectional area of the wiring, so the wiring loss is large, the efficiency of the circuit device is deteriorated, and the cooling for exhaust heat is enhanced. There is a need to. On the other hand, since the plate 1 has a large cross-sectional area, the electrical resistance can be kept small and the wiring loss is reduced.
Moreover, since the semiconductor element 2 is mounted on the plate 1 as a heat dissipation member by soldering with the electrode portion 201 provided on the back surface, the thermal resistance is small and high cooling performance can be realized. Furthermore, the plate 1 has both a conductive member and a heat radiating member, so that another member such as a heat sink is not required, and an inexpensive, small and light circuit device can be realized.

例えば自動車用の電源系を制御する回路装置であれば、半導体素子は低耐圧のMOSFETを用いればよく、オン抵抗が非常に小さいので平たい導電プレートの表面を放熱部位とするだけで、十分な放熱性を確保することができる。また、回路装置の損失が小さいことは効率向上となって自動車の燃費性能を大きく向上することになり、環境に対する貢献が著しい。   For example, in a circuit device for controlling a power supply system for automobiles, a low-voltage MOSFET may be used as a semiconductor element, and since the on-resistance is very low, sufficient heat dissipation can be achieved simply by using the surface of a flat conductive plate as a heat dissipation part. Sex can be secured. In addition, the small loss of the circuit device improves the efficiency and greatly improves the fuel efficiency of the automobile, and contributes significantly to the environment.

プレート1は、銅或いはアルミニウムといった材料であれば、導電率が大きくてより効率化できる。アルミニウムの場合には、半導体素子2をはんだ付けするためにニッケルメッキを施すことで外気に曝される放熱部位の耐食性を確保することができる。
一方、より電流量が大きい場合や、半導体素子2の損失が大きい場合には、例えば図2に示すようにプレート1cの放熱部位6bにフィン部24を設けて冷媒に曝し、プレート部111として伝熱面積を増大させれば、放熱部位6bの放熱量が増えて、温度上昇が抑制できる。特に、プレート1cを銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金から製造すれば、鍛造などの方法で容易に一体的にプレート1cにフィン部24を設けることができる。さらに、アルミニウム、アルミニウム合金であれば、ダイキャストで容易に一体的にプレートにフィン部を設けることができる。
このような回路装置においては、複数の半導体素子2を縦型に配置することによって、半導体素子2を並べる面積が小さくなるので、特に多数の半導体素子2を配列する回路装置においては、コンパクト化に対する効果が著しく大きい。
If the plate 1 is made of a material such as copper or aluminum, the electric conductivity is large and the plate 1 can be more efficient. In the case of aluminum, it is possible to ensure the corrosion resistance of the heat dissipating part exposed to the outside air by applying nickel plating to solder the semiconductor element 2.
On the other hand, when the amount of current is larger or when the loss of the semiconductor element 2 is larger, for example, as shown in FIG. If the heat area is increased, the heat radiation amount of the heat radiation part 6b increases, and the temperature rise can be suppressed. In particular, if the plate 1c is manufactured from copper, a copper alloy, aluminum, or an aluminum alloy, the fin portion 24 can be easily and integrally provided on the plate 1c by a method such as forging. Furthermore, if it is aluminum and an aluminum alloy, a fin part can be easily provided in a plate by die-casting easily.
In such a circuit device, the area in which the semiconductor elements 2 are arranged is reduced by arranging the plurality of semiconductor elements 2 in a vertical shape. Therefore, particularly in a circuit device in which a large number of semiconductor elements 2 are arranged, it is possible to reduce the size. The effect is remarkably large.

ところで、この実施の形態1の場合、プレート1は導電体であり、表面に何も処理をしない状態では、放熱部位は電位を持っている。したがって回路装置の電圧仕様に応じて、プレート間の距離を決定して、絶縁性を確保する。また、プレートが冷媒に曝されるように回路装置下方から露出した放熱部位は、例えばアルマイト処理のような化学処理や、絶縁層を被覆する処理を施すことによって、プレート間の距離を小さくすることができたり、異物などの付着による絶縁性の回避をすることができる。   By the way, in the case of this Embodiment 1, the plate 1 is a conductor, and in the state which does not process anything on the surface, a thermal radiation site | part has an electric potential. Therefore, the distance between the plates is determined in accordance with the voltage specifications of the circuit device to ensure insulation. In addition, the heat-dissipating part exposed from below the circuit device so that the plates are exposed to the refrigerant can be reduced in the distance between the plates, for example, by performing chemical treatment such as alumite treatment or treatment for covering the insulating layer. Insulation can be avoided due to adhesion of foreign substances.

図3は、パワー部(回路部)を構成する個々のプレート部101を説明するための斜視図である。
プレート1は、半導体素子2を搭載する主面3aと主面3aからL字型に屈曲して延設した端子部8、主面3aの両側に延びるように形成されたフランジ部9を有する。
図4は、半導体素子2がプレート1に取り付けられたプレート部101を具体的に示した斜視図で、半導体素子2の一面には、上記したように電極部201が形成されており、電極部201がプレート1にはんだ付けされる。
半導体素子2の別の一面からは主電流リード端子4aと信号端子4bとからなるリード端子群4が突出しており、プレート1のL字型に屈曲した端子部8と直線状に異なった方向にL字型に屈曲させる。一方、プレートの端子部8は分割しており、並設されるパワー部の隣り合うプレートに搭載された半導体素子の主電流リード端子が接続されるようになっている。
この実施の形態1におけるプレート1は、3個の半導体素子が搭載されるようになっており、プレートの端子部8は、隣り合うプレートに搭載された半導体素子2から出た2本の主電流リード端子4aが接続されるように、2分割された端子部8が3箇所設けられている。
このように、同一のプレートに搭載された半導体素子は、回路装置に流れる電流をお互いに並列的に分担して流す回路を形成し、また、隣接するプレート間の半導体素子と直列的に接続される回路部を形成することになる。
FIG. 3 is a perspective view for explaining each plate portion 101 constituting the power portion (circuit portion).
The plate 1 has a main surface 3a on which the semiconductor element 2 is mounted, a terminal portion 8 that is bent and extended in an L shape from the main surface 3a, and a flange portion 9 that is formed so as to extend on both sides of the main surface 3a.
FIG. 4 is a perspective view specifically showing the plate portion 101 where the semiconductor element 2 is attached to the plate 1, and the electrode portion 201 is formed on one surface of the semiconductor element 2 as described above. 201 is soldered to the plate 1.
A lead terminal group 4 including main current lead terminals 4a and signal terminals 4b protrudes from another surface of the semiconductor element 2, and is in a linearly different direction from the terminal portion 8 bent into an L shape of the plate 1. Bend into an L shape. On the other hand, the terminal portion 8 of the plate is divided so that the main current lead terminal of the semiconductor element mounted on the plate adjacent to the power portion arranged in parallel is connected.
The plate 1 in the first embodiment is configured such that three semiconductor elements are mounted, and the terminal portion 8 of the plate has two main currents output from the semiconductor elements 2 mounted on the adjacent plates. Three terminal portions 8 divided into two are provided so that the lead terminals 4a are connected.
In this way, the semiconductor elements mounted on the same plate form a circuit that distributes the current flowing through the circuit device in parallel with each other and is connected in series with the semiconductor elements between adjacent plates. A circuit portion is formed.

図5は、パワー部を上面から見た模式図である。
図4では、3個の半導体素子2が並列的に接続されたユニット部分が示されているが、半導体素子2の搭載できる個数は、図5に示すように1個、或いは図示しないが2個であってもよい。
図5のプレート部102では、3個の半導体素子2a、2b、2cを搭載しており、これらの半導体素子2は、並列接続されている。一方、プレート部103では、1個の半導体素子2lが搭載されており、プレート部102の半導体素子2とプレート部103の半導体素子2が直列的に接続されている。
このように回路の仕様によって、半導体素子数には種々の並列数がある場合があるが、どのような場合でも、同じ形状のプレートを使っていろいろな数の半導体素子2を搭載したプレート部101、102、…を構成し、これらを縦列、又は横列(後述)に並設すれば、単一のプレート1を製造するだけでよいので生産性を向上でき工業的な価値が高くなる。
FIG. 5 is a schematic view of the power unit as viewed from above.
FIG. 4 shows a unit portion in which three semiconductor elements 2 are connected in parallel. However, the number of semiconductor elements 2 that can be mounted is one as shown in FIG. It may be.
In the plate portion 102 of FIG. 5, three semiconductor elements 2a, 2b, and 2c are mounted, and these semiconductor elements 2 are connected in parallel. On the other hand, in the plate portion 103, one semiconductor element 21 is mounted, and the semiconductor element 2 in the plate portion 102 and the semiconductor element 2 in the plate portion 103 are connected in series.
As described above, the number of semiconductor elements may vary depending on the circuit specifications. In any case, the plate portion 101 on which various numbers of semiconductor elements 2 are mounted using the same shape plate. , 102,... Are arranged in a column or a row (described later), and it is only necessary to manufacture a single plate 1, so that productivity can be improved and industrial value is increased.

また、半導体素子2を搭載した複数のプレート部101、102、…は、図6に示すように樹脂などの絶縁材料からなる絶縁フレーム10aによって、図1で説明したように主面3aが同一方向になるように取り付けられる。絶縁フレーム10aには、プレート部102に対応して整列配置された複数の開口部11が形成されている。また、この実施の形態1における半導体素子2は、図4にて説明したように隣接するプレート1、1aに接続される主電流リード端子4aとは別に、図1にて説明した制御基板7などと接続する信号端子4bが設けられており、絶縁フレーム10aには、制御基板7と接続される中継端子5cが取り付けられていて、信号端子4bと中継端子5cが互いに接続される。   Further, as shown in FIG. 6, the plurality of plate portions 101, 102,... On which the semiconductor element 2 is mounted have the main surface 3a in the same direction as described above with reference to the insulating frame 10a made of an insulating material such as resin. It is attached to become. A plurality of openings 11 arranged in alignment with the plate portion 102 are formed in the insulating frame 10a. Further, the semiconductor element 2 according to the first embodiment is different from the main current lead terminal 4a connected to the adjacent plates 1 and 1a as described with reference to FIG. And a relay terminal 5c connected to the control board 7 is attached to the insulating frame 10a, and the signal terminal 4b and the relay terminal 5c are connected to each other.

中継端子5cの取り付け方法としては、あらかじめ絶縁フレーム10aの樹脂成形時に中継端子5cをインサートして一体的に成形すれば、取り付けスペースや取り付け部品も不要となって小型化できる。取り付けの際、ネジ止めなどの方法でもよく、絶縁フレーム10aにプレート部101、102…を接着してもよい。あらかじめ図示しない嵌合部を絶縁フレーム側、プレート部側の何れか或いは両方に形成し、圧入固定するようにすれば、ネジ、接着材などの部材が不要となる。   As a method for attaching the relay terminal 5c, if the relay terminal 5c is inserted and molded in advance during resin molding of the insulating frame 10a, an installation space and attachment parts are not required and the size can be reduced. At the time of attachment, a method such as screwing may be used, and the plate portions 101, 102... May be bonded to the insulating frame 10a. If a fitting portion (not shown) is formed in advance on either or both of the insulating frame side and the plate portion side and press-fitted and fixed, members such as screws and adhesives become unnecessary.

また、半導体素子2を搭載したプレート部101、102、…を絶縁フレーム10aに複数個固定することによって、絶縁フレーム10aにインサートする部品点数が少なくて済み、絶縁フレーム10aの製造が容易になる。また、複雑な立体形状となった導電部に半導体素子2を搭載する必要がなく、実装が容易である。特に、プレート1に半導体素子2を搭載した同様のプレート部を多数製造することで、製造コストが安価になる。   Further, by fixing a plurality of plate portions 101, 102,... On which the semiconductor element 2 is mounted to the insulating frame 10a, the number of parts to be inserted into the insulating frame 10a can be reduced, and the manufacturing of the insulating frame 10a is facilitated. Further, it is not necessary to mount the semiconductor element 2 on the conductive portion having a complicated three-dimensional shape, and mounting is easy. In particular, the manufacturing cost is reduced by manufacturing a large number of similar plate portions in which the semiconductor element 2 is mounted on the plate 1.

この実施の形態1では、個々のプレート1に3個の半導体素子2が並列的に搭載されたプレート部101となっており、各プレート部に対して3本の中継端子5cが並んで設けられている。半導体素子のリード端子群4は、主電流リード端子4aが隣接したプレートの2分割された端子部8に接続され、信号端子4bが中継端子5cのL字型に曲げられた端部に接続される。
リード端子群4とプレート端子部8ならびに中継端子5cのL字型端部との接続には、はんだ付、抵抗溶接、アーク溶接、超音波接合、かしめなどの方法で行うことができるが、図7に示すようにレーザ溶接すれば、接合するための部材が不要となり、しかもリード端子周辺の空間を小さくすることができ、回路装置のコンパクト化に寄与すること著しい。
In the first embodiment, the plate portion 101 includes three semiconductor elements 2 mounted in parallel on each plate 1, and three relay terminals 5c are provided side by side for each plate portion. ing. In the lead terminal group 4 of the semiconductor element, the main current lead terminal 4a is connected to the terminal portion 8 divided into two adjacent plates, and the signal terminal 4b is connected to an end portion of the relay terminal 5c bent into an L shape. The
The lead terminal group 4 and the plate terminal portion 8 and the L-shaped end of the relay terminal 5c can be connected by methods such as soldering, resistance welding, arc welding, ultrasonic bonding, and caulking. When laser welding is performed as shown in FIG. 7, a member for joining becomes unnecessary, and the space around the lead terminal can be reduced, which contributes to making the circuit device compact.

次に、レーザ溶接によってリード端子群4とプレート端子部8ならびに中継端子5と接合する場合の例を図7に示す模式図によって説明する。
ビーム出射口先端13a、13bは、プレート部101の下方或いは中継端子5aの上方に位置し、レーザ14a、14bを照射して溶接する。複数に配列された溶接部15はビーム出射口13a、13bを移動させることにより、短時間で連続的に溶接することができる。
Next, an example in which the lead terminal group 4, the plate terminal portion 8, and the relay terminal 5 are joined by laser welding will be described with reference to a schematic diagram shown in FIG.
The beam exit ends 13a and 13b are positioned below the plate portion 101 or above the relay terminal 5a, and are welded by irradiating lasers 14a and 14b. A plurality of welded portions 15 can be continuously welded in a short time by moving the beam emission ports 13a and 13b.

これらの部材を溶接する場合、リード端子厚さとプレート端子部或いは中継端子厚さの小さい方から照射することによって小さい照射エネルギーで溶接することが可能となるので、照射方向は適宜選択すればよい。また、プレート部101を絶縁フレーム部10aに取り付ける際に、自律的にリード端子4a、4bとプレート端子部8或いは中継端子5aとが互いに押圧するような形状にすれば、加圧工具などがなくても接合界面を通じて溶接時の熱伝導が良く、良好な溶接部が形成できる。例えば、リード端子群4やプレート端子部8、中継端子5aにベント構造を設けてもよい。   When these members are welded, it is possible to perform welding with a small irradiation energy by irradiating from the smaller of the lead terminal thickness and the plate terminal portion or the relay terminal thickness. Therefore, the irradiation direction may be appropriately selected. Further, when the plate part 101 is attached to the insulating frame part 10a, if the lead terminals 4a and 4b and the plate terminal part 8 or the relay terminal 5a are pressed against each other autonomously, there is no pressing tool or the like. However, heat conduction during welding is good through the joint interface, and a good weld can be formed. For example, the lead terminal group 4, the plate terminal portion 8, and the relay terminal 5 a may be provided with a vent structure.

実施の形態2.
図8は、実施の形態2における回路構成を示し、図5で説明したパワー部を複数個組み合わせた構成を示す模式図である。
この実施の形態2では、プレート1e〜1jが主面3aと垂直方向に並設されているだけでなく、主面3aの水平方向にも並べられている。
主面3aと垂直方向に隣接したプレート1e〜1jに搭載した半導体素子同士、すなわちプレート1e〜1jに搭載された半導体素子同士2d〜2iは直列接続され、一方、主面3aの水平方向に隣接したプレート同士、例えば1g、1k、1Lは、図3で説明したものと同機能のフランジ部9bで締結接続され、これらのプレートに搭載した半導体素子、すなわちプレート1g、1k、1Lに搭載された半導体素子2f、2j、2kは、プレートと一体化したフランジ部で導電的且つ熱伝導的並列接続されることによって、熱的な分散も図られ、放熱性が向上する。また、隣接する互いのプレートの主面3aが同一平面になるようにフランジ部9bは、プレートの厚み分だけオフセットしている。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 8 is a schematic diagram illustrating a circuit configuration according to the second embodiment and a configuration in which a plurality of power units described in FIG. 5 are combined.
In the second embodiment, the plates 1e to 1j are arranged not only in parallel with the main surface 3a but also in the horizontal direction of the main surface 3a.
The semiconductor elements mounted on the plates 1e to 1j vertically adjacent to the main surface 3a, that is, the semiconductor elements 2d to 2i mounted on the plates 1e to 1j are connected in series, while adjacent to the main surface 3a in the horizontal direction. The plates, for example, 1g, 1k, and 1L, are fastened and connected by the flange portion 9b having the same function as described in FIG. 3, and are mounted on the semiconductor elements mounted on these plates, that is, the plates 1g, 1k, and 1L. The semiconductor elements 2f, 2j, and 2k are conductively and thermally conductively connected in parallel at the flange portion integrated with the plate, thereby achieving thermal dispersion and improving heat dissipation. Further, the flange portion 9b is offset by the thickness of the plate so that the main surfaces 3a of the adjacent plates are in the same plane.

このようにフランジ部9bで並列的に接続することができるので、半導体素子2が直列、並列双方で回路構成する場合であっても、同一形状のプレート部材を用いることができ、部品の種類が少なく生産性が高い。また、この実施の形態2のように同一のプレート部を直並列に自由に並べて回路が構成できるので、多品種の回路装置であっても、同一の部材の組み合わせで製造することができるため、多品種の生産に対して工業的な価値が高い。   Thus, since it can connect in parallel by the flange part 9b, even if it is a case where the semiconductor element 2 is a circuit structure by both series and parallel, the plate member of the same shape can be used and the kind of components is Less productive. Further, since the circuit can be configured by freely arranging the same plate portions in series and parallel as in the second embodiment, even if it is a multi-type circuit device, it can be manufactured with the same combination of members. Industrial value is high for multi-product production.

実施の形態3.
図9は、実施の形態3を説明するための回路装置を模式的に示した断面図である。
この実施の形態3では、半導体素子2の直並列回路と、別の電子部品すなわち異形の電子部品とを組み合わせた回路装置である。
絶縁フレーム10aに中継端子5dと共にインサートされたターミナル16a、16bに、異形電子部品17a、17bの端子が接続されており、ターミナル16a、16bは、絶縁フレーム10aから突出したフレームフランジ部18と一体的に繋がっている。プレート部102は、絶縁フレーム10a下方側から絶縁フレーム10aに対して固定され、リード端子群4、プレート端子部8及び中継端子5dが実施の形態1で説明した方法で接合される。その後、コンデンサやコイルといった異形電子部品17a、17bを搭載して端子とターミナル16a、16bを接合する。
接合は、はんだ付でもよいが、大きな電流を流すターミナルなどの熱容量が大きいため、TIG溶接やレーザ溶接などの高いエネルギーで接合できる方法が好ましい。異形電子部品17a、17bの上方には制御基板7が配置され、中継端子5dがはんだ付けされる。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a circuit device for explaining the third embodiment.
The third embodiment is a circuit device that combines a series-parallel circuit of semiconductor elements 2 and another electronic component, that is, an odd-shaped electronic component.
The terminals of the odd-shaped electronic components 17a and 17b are connected to the terminals 16a and 16b inserted together with the relay terminal 5d in the insulating frame 10a. The terminals 16a and 16b are integrated with the frame flange portion 18 protruding from the insulating frame 10a. It is connected to. The plate portion 102 is fixed to the insulating frame 10a from the lower side of the insulating frame 10a, and the lead terminal group 4, the plate terminal portion 8, and the relay terminal 5d are joined by the method described in the first embodiment. Thereafter, odd-shaped electronic components 17a and 17b such as capacitors and coils are mounted to join the terminals and the terminals 16a and 16b.
Joining may be performed by soldering, but since the heat capacity of a terminal for passing a large current is large, a method capable of joining with high energy such as TIG welding or laser welding is preferable. The control board 7 is disposed above the odd-shaped electronic components 17a and 17b, and the relay terminal 5d is soldered.

この実施の形態3では、異形電子部品はターミナルを介して導電的且つ伝熱的に接続されている。ターミナルは、フレームフランジ部18と一体的になってインサートされており、ターミナルを介して放熱部材であるプレート1と繋がるため、異形電子部品17a、17bの熱をプレート1に放散することができる。異形電子部品17a、17bを組み合わせた構成で、例えばインサートケースに収納して製造したサブ部品を、回路構成上必要な箇所に取り付けられるようにすることによって、絶縁フレーム10aの構造が簡単になって低コスト化に繋がる。また、プレート1a間を接続するフランジ部9aを異形電子部品17a、17bを収納したサブ部品から出るフレームフランジ部18との接続にも使用できるため、配線部材が少なくて済み複雑な配線にならずに装置がコンパクトになり、小型低コスト化に貢献できる。
また、異形電子部品からプレートにいたる熱抵抗が小さくできるので、優れた冷却性能が得られる。
In the third embodiment, the odd-shaped electronic components are connected in a conductive and heat transfer manner via terminals. The terminal is inserted integrally with the frame flange portion 18 and is connected to the plate 1 which is a heat radiating member via the terminal, so that the heat of the odd-shaped electronic components 17 a and 17 b can be dissipated to the plate 1. The structure of the insulating frame 10a is simplified by attaching sub-parts manufactured by, for example, housing them in an insert case in a configuration in which the odd-shaped electronic components 17a and 17b are combined. This leads to lower costs. Further, since the flange portion 9a for connecting the plates 1a can be used for the connection with the frame flange portion 18 coming out from the sub-part containing the odd-shaped electronic components 17a and 17b, the wiring member is reduced and the complicated wiring is not required. In addition, the device becomes compact and can contribute to the reduction in size and cost.
Moreover, since the thermal resistance from the odd-shaped electronic component to the plate can be reduced, excellent cooling performance can be obtained.

実施の形態4.
図10は、実施の形態4を説明するための回路装置を模式的に示した断面図である。
プレート1aの半導体素子よりも下方に延設された放熱部6が、保護カバー19によって覆われている。保護カバー19とプレート1aの間は風路20となって、図10の断面方向に対して冷却風が流れるように構成されており、保護カバー19とプレート1aの間隙は、図示しないファンの動特性と整合するように適正化される。また、自然空冷による対流の場合にも適正な間隙で製造される。また、保護カバー19と収納ケース部との間をシールすることによって、容易に防水性も確保することができる。
この実施の形態4によれば、保護カバー19で風路20を形成するので、冷媒のバイパスがなく、一層冷却性能が向上する。特に、風路20を回路装置の絶縁フレーム部10aと一体で製造すれば、部品点数も増えずに済む。
また、保護カバー19が風路20と外部との絶縁の双方を兼ねており、個々に部材の組み付けや処理の必要がない。特に、表面に絶縁層を処理したプレート1aでは、表面の傷の導入などで絶縁性が低下することも考えられるが、保護カバー19によって保護することで、強固に確実に外部との絶縁性が確保できる。また、この実施の形態4のように、プレート毎に仕切った構造となっているので、結露しても異電位のプレート間での電食がなく、結露等の発生によるプレートの腐食の進行や、異物の付着による短絡を確実に防止できる。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a circuit device for explaining the fourth embodiment.
The heat dissipating part 6 extending below the semiconductor element of the plate 1 a is covered with a protective cover 19. An air passage 20 is provided between the protective cover 19 and the plate 1a so that the cooling air flows in the cross-sectional direction of FIG. 10, and the gap between the protective cover 19 and the plate 1a is a movement of a fan (not shown). Optimized to match the characteristics. Moreover, it is manufactured with an appropriate gap even in the case of convection by natural air cooling. Further, by sealing between the protective cover 19 and the storage case part, waterproofness can be easily ensured.
According to the fourth embodiment, since the air passage 20 is formed by the protective cover 19, there is no refrigerant bypass, and the cooling performance is further improved. In particular, if the air passage 20 is manufactured integrally with the insulating frame portion 10a of the circuit device, the number of parts does not increase.
In addition, the protective cover 19 serves as both insulation between the air passage 20 and the outside, and there is no need for individual assembly and processing. In particular, in the plate 1a having a surface treated with an insulating layer, it is conceivable that the insulating property is lowered due to the introduction of scratches on the surface. It can be secured. Further, as in the fourth embodiment, since the structure is divided for each plate, there is no electric corrosion between plates of different potentials even when condensation occurs, and the corrosion of the plate due to the occurrence of condensation, etc. Short circuit due to adhesion of foreign matter can be reliably prevented.

実施の形態5.
これまでの実施の形態1〜4においては、モールドパッケージ構造を有する半導体素子2を元に説明したが、図11に示す実施の形態5のように、半導体素子2に相当する部品としてベアデバイス21をプレート1a、1bに搭載してアセンブリすることによっても実施できる。
この場合、ベアデバイス21と隣接するプレート1b或いは制御基板7への中継端子5dとの接続のため、各プレート1a、1bに配線回路部材22を取り付ける。
配線回路部材22は、樹脂基板を折り曲げてプレートの主面3a上に接着などの方法で固定すると共に、ベアデバイス21の上面にある主電流が流れる主電極及び信号電極と配線回路部材22との間をボンディングワイヤ23でワイヤボンドし、中継端子5dや隣接するプレート1bとはんだ付や溶接、導電性樹脂接着などの方法で接続される。配線回路部材22は、複数のターミナル部材を樹脂成形で連接して製造してもよい。
Embodiment 5 FIG.
In the first to fourth embodiments so far, the description has been made based on the semiconductor element 2 having the mold package structure. However, as in the fifth embodiment shown in FIG. 11, the bare device 21 is a component corresponding to the semiconductor element 2. Can also be implemented by mounting them on the plates 1a and 1b and assembling them.
In this case, the wiring circuit member 22 is attached to each of the plates 1a and 1b for connection between the bare device 21 and the adjacent plate 1b or the relay terminal 5d to the control board 7.
The wiring circuit member 22 is bent and fixed on the main surface 3a of the plate by bonding or the like, and the main circuit and signal electrodes on the upper surface of the bare device 21 through which the main current flows and the wiring circuit member 22 The bonding wire 23 is used for wire bonding, and the relay terminal 5d and the adjacent plate 1b are connected by a method such as soldering, welding, or conductive resin bonding. The wiring circuit member 22 may be manufactured by connecting a plurality of terminal members by resin molding.

この実施の形態5よれば、ベアデバイス21を直接的にプレート1aに搭載するために、モールド構造を有する半導体素子2に比べてベアデバイス21周辺のスペースが小さく、プレート部102を小形化することができる。特に、各プレート間の距離を小さくすることができる。
また、ベアデバイス21にリード部材をはんだ付などの方法で接合してもよい。この場合には、例えば複数のターミナル部材を樹脂成形で連接して製造することでターミナル材間の位置決め精度も良く、容易に組み立てることができる。
According to the fifth embodiment, since the bare device 21 is directly mounted on the plate 1a, the space around the bare device 21 is smaller than that of the semiconductor element 2 having a mold structure, and the plate portion 102 is downsized. Can do. In particular, the distance between each plate can be reduced.
Moreover, you may join a lead member to the bare device 21 by methods, such as soldering. In this case, for example, by manufacturing a plurality of terminal members connected by resin molding, the positioning accuracy between the terminal materials is good, and assembly is easy.

この発明の実施の形態1における回路装置を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the circuit device in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態1における回路装置の変形例を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the modification of the circuit device in Embodiment 1 of this invention. プレート部を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating a plate part. プレート部を具体的に示した斜視図である。It is the perspective view which showed the plate part concretely. 複数のプレート部を直列的に接続する回路装置を説明するためのパワー部を上面から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the power part for demonstrating the circuit apparatus which connects a some plate part in series from the upper surface. 絶縁フレームとプレート部の取り付け構造を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the attachment structure of an insulation frame and a plate part. リード端子群と端子部、中継端子をレーザ溶接する方法を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the method of laser welding a lead terminal group, a terminal part, and a relay terminal. この発明の実施の形態2における回路装置を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the circuit device in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3における回路装置を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the circuit device in Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態4における回路装置を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the circuit device in Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態5における回路装置を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the circuit device in Embodiment 5 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、1a〜1L 導電兼放熱プレート
101、102、103、111 プレート部
2、2a〜2L 半導体素子
201 電極部
3 導電部
3a 導電部の主面(半導体素子2の搭載面)
4 リード端子群
4a 主電流リード端子
4b 信号端子
5、5a、5b、5c、5d 中継端子
6、6b 放熱部(放熱部位)
7 制御基板
8 プレートの端子部
9、9a、9b フランジ部
10a 絶縁フレーム部
10b 蓋部
10c 底板部
11 絶縁フレーム部の開口部
13a、13b ビーム出射口
14a、14b レーザ
15 溶接部
16a、16b ターミナル
17a、17b 異形電子部品
18 フレームフランジ部
19 保護カバー 20 風路
21 ベアデバイス
22 配線回路部材
23 ボンディングワイヤ
24 フィン部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a-1L Conductive and heat dissipation plate 101,102,103,111 Plate part 2,2a-2L Semiconductor element 201 Electrode part 3 Conductive part 3a Main surface of a conductive part (mounting surface of semiconductor element 2)
4 Lead terminal group 4a Main current lead terminal 4b Signal terminal 5, 5a, 5b, 5c, 5d Relay terminal 6, 6b Heat radiation part (heat radiation part)
7 Control board 8 Plate terminal part 9, 9a, 9b Flange part 10a Insulating frame part 10b Lid part 10c Bottom plate part 11 Insulating frame part opening part 13a, 13b Beam exit port 14a, 14b Laser 15 Welding part 16a, 16b Terminal 17a 17b odd-shaped electronic component 18 frame flange portion 19 protective cover 20 air passage 21 bare device 22 wiring circuit member 23 bonding wire 24 fin portion.

Claims (4)

本体内部から導出されたリード端子と露出された電極を有する半導体素子、冷媒に曝されて冷却される放熱部と上記半導体素子の電極が搭載される導電部とを有する導電兼放熱プレート、上記半導体素子が搭載された導電兼放熱プレートを所定の間隔を隔てて複数配列保持する絶縁フレーム部、及び上記リード端子と上記導電部に形成された上記電極の接続端子を互いに接続して所定の回路を形成する回路部を備え、
単一の導電兼放熱プレート上には、複数の上記半導体素子を搭載して互いに並列接続すると共に、隣り合う上記導電兼放熱プレート上にそれぞれ並列接続して搭載された上記半導体素子は、上記回路部により直列接続され、
上記導電兼放熱プレート部の放熱部は、絶縁性カバーで覆われ冷媒で冷却されることを特徴とする回路装置。
Semiconductor element having lead terminal derived from inside of main body and exposed electrode, conductive / heat radiating plate having heat radiating part cooled by exposure to coolant and conductive part on which electrode of said semiconductor element is mounted, said semiconductor An insulating frame for holding a plurality of conductive and heat radiating plates on which elements are mounted at predetermined intervals, and a lead circuit and a connection terminal of the electrode formed on the conductive portion are connected to each other to form a predetermined circuit. A circuit part to be formed,
A plurality of the semiconductor elements are mounted on a single conductive / heat dissipating plate and connected in parallel to each other, and the semiconductor elements mounted in parallel on the adjacent conductive / heat dissipating plates are connected to the circuit. Connected in series by
The circuit device , wherein the heat radiating portion of the conductive / heat radiating plate portion is covered with an insulating cover and cooled with a refrigerant .
上記導電兼放熱プレートは、複数の半導体素子が搭載可能な同一形状の部材で形成したことを特徴とする請求項1記載の回路装置。 2. The circuit device according to claim 1 , wherein the conductive and heat radiating plate is formed of a member having the same shape on which a plurality of semiconductor elements can be mounted . 互いに隣り合う上記導電兼放熱プレートは、両側縁に設けたフランジ部により導電的且つ熱伝導的に接続されることを特徴とする請求項1記載の回路装置。 2. The circuit device according to claim 1, wherein the conductive and heat radiating plates adjacent to each other are electrically and thermally conductively connected by flange portions provided on both side edges . 上記半導体素子と共に回路を構成する別の電子部品類は、上記絶縁フレーム部に配置されると共に、上記フランジ部に導電的且つ熱伝導的に接続されることを特徴とする請求項1記載の回路装置。 2. The circuit according to claim 1, wherein another electronic component constituting a circuit together with the semiconductor element is disposed on the insulating frame portion and is electrically and thermally conductively connected to the flange portion. apparatus.
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