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JP5069596B2 - 封止材の場所打ちによる流路形成方法 - Google Patents
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Description

本発明は例えばインクジェットプリントヘッド、特にその印刷素子を構成するダイを巡り流路を形成する技術に関する。
インクジェットプリントヘッドを製造する際には、インク源例えばリザーバとプリントヘッド上の吐出用ノズルとをつなぐ流路を形成する必要がある。流路を形成するにはダイの縁辺を利用してもよいし、或いはダイの底面に開口を設けてもよい。ただ、ダイを貫通する開口を介してインクを送り込む構成だとダイ上の貴重なスペースが食われてしまい、またダイ縁辺を巡りインクを送り込む構成だとデバイス構造が複雑になってしまう。
図1A及び図1Bに従来技術に係るMEMS(微小電気機械システム)型インクジェットプリントヘッドデバイス100の構成を示す。各図はその製造プロセス中の別々の段階を示したものである。このプロセスでは、まず図1Aに示すようにシリコンウェハ又はそのダイ110上にトランスデューサ112及びボンディングパッド114を形成し、パッド114が囲まれるようウェハ又はダイ110上に支持材150を配置乃至形成し、更にその上にノズルプレート130を配置乃至形成することによって、ダイ110・ノズルプレート130間に流体(例えばインク;以下同様)室160を形成する。ノズルプレート130にはノズル開口140を、またダイ110には流入口120を、何れも少なくとも1個形成する。図1Aの構造を形成したら(それらの構造と共にウェハから切り出した個々の)ダイ110をプリントヘッド基板170上に載せ、ワイヤ116をボンディングし、そしてダイ110、基板170及びノズルプレート130間の接合部を封止材190により封止する。基板170には開口180を少なくとも1個設ける。
しかしながら、このような従来型半導体デバイス製造プロセスには、図1Aに示した仕掛品を基板170に載せるとき、流入口120の位置を基板開口180の位置とうまく合わせるのが難しい、という問題がある。また、流入口120を好適に形成するにはその開口面積を100μm×200μmと広めに設定して深い反応性イオンエッチングを実施するのがよいが、そのようにするとダイ110表面の貴重なスペースがかなりとられてしまい、また深い反応性イオンエッチングは高コストであるから製造コストも嵩んでしまう。例えばその深さが500〜600μm程度の流入口120を反応性イオンエッチングで形成するにはウェハ1枚当たり約5時間程のエッチング時間がかかる。更に、流入口120を形成するに当たっては流入口120自体の開口面積に加えて配置公差分を見込まねばならないので、時間をかけるだけでなくウェハ総面積を十分広くしなければならない。こうして配置公差を見込むとウェハ縁辺に沿って20%程のマージン領域が発生するが、この領域はノズルプレート支持用の支持材150を配置するスペース等にしか使えない。
このようにダイ110及び基板170の表面積のうち一部は流路形成に割かねばならず、その面積は通常は流入口120及びマージンの合計面積で決まる。MEMS型インクジェットプリントヘッドデバイスでよく用いられるダイの幅は約2000μmであるので、仮に流入口形成に係る総オーバヘッドが約200μmであるとしたら、それはダイ表面積のうち10%が流路形成に使われているということ、即ちより有効利用できるはずの面積が損なわれているということである。150mmウェハから2mm×12mmサイズのダイが563個とれるとすると、もしそのダイの幅のうちマージン分(10%分)を不要にして1.8mmにすることができれば、1枚のウェハから採れるダイの個数が624個にも増える。即ち、ダイサイズを縮小することができれば、それに比例してダイ歩留まりを高めることができる。ダイサイズ及びアレイサイズが設計上の重要事項となる大規模アレイ構造デバイスではこれはとりわけ重要なことである。
このように、上述の問題を含む従来技術の諸問題に対策して新たなインクジェットプリントヘッド内流路形成方法を提供すること、特にダイ所要サイズ削減を可能にして製品の小型化を果たすことが求められている。
本発明は例えばプリントヘッド内流路形成方法として実施できる。
本方法は、突端を有するノズルプレートをダイ又はそれを含むウェハの表面から間隔をおいて配置するステップと、基板開口を有するプリントヘッド基板上にダイ及びノズルプレートを配するステップと、ノズルプレート突端に接するよう基板開口上方に犠牲材を配するステップと、ノズルプレート突端からプリントヘッド基板表面に亘り犠牲材を封止するステップと、犠牲材を除去することにより基板開口からノズルプレートに至る流路を形成するステップと、を有する。
本発明はプリントヘッドとしても実施できる。
本ヘッドは、基板開口を有するプリントヘッド基板と、プリントヘッド基板上に配置されておりその上にボンディングパッド及びトランスデューサが何れも少なくとも1個あるダイと、ダイ表面から間隔をおいてトランスデューサ上方に配置されており突端を有するノズルプレートと、プリントヘッド内流路の一部を形成する封止材と、を備える。プリントヘッド内流路は、ノズルプレート突端及びダイ縁辺に接するよう基板開口上方に犠牲材を配し、犠牲材を跨ぎプリントヘッド基板からノズルプレート突端にかけて封止材を配し、そしてその犠牲材を除去することにより形成する。
以下、本発明の実施形態に関し説明する。ここで取り上げる実施形態はMEMS型インクジェットプリントヘッドデバイス、特にそのデバイスにおける流路形成方法に係る実施形態である。従って流路に流れる流体は主としてインクであるが、本発明は、インク以外の流体、例えば体液、流動性生産材料/廃棄物、流動性化学物質等、様々な流体向けに実施することができる。なお、実施形態に係る図面参照符号のうち下2桁が互いに一致する符号は相対応する部材を表すものである。
図2に、本発明の一実施形態に係るMEMS型プリントヘッドデバイス200の完成品を示す。本デバイス200は、プリントヘッド基板270上にその開口280に面してダイ210を載せ、ワイヤ216とのボンディングによりダイ210側のボンディングパッド214を基板270側の導体に接続した構造を有している。また、ダイ210上にはトランスデューサ212、ボンディングパッド214及び端面露出ノズルプレート230がある。ノズルプレート230はノズル開口240を少なくとも1個有しており、ダイ210から見て上方にダイ210から間をおいて配置されている。このノズルプレート230・ダイ210間隔は、ダイ210のパッド214寄り縁辺付近では支持材250によって、またダイ210のノズルプレート突端寄り縁辺上では封止材290によって、それぞれ確保されている。封止材290は、例えばノズルプレート230の突端と基板270の表面特にその開口280より外側にある部分275との間を跨ぐように配する。その逆側即ちパッド214及びワイヤ216側には封止材295が配されている。
ダイ210とノズルプレート230とに挟まれた空間は本実施形態でも流体室260として使用される。封止材290は、室260の周壁のうち一部をなすよう且つダイ210の縁辺との間に隙間(流路262)が生じるよう形成されている。従って、流体は、基板開口280を通って本デバイス200内に入り、封止材290とダイ210の縁辺との間の流路262を通って室260内に入り、そしてノズル開口240を通って本デバイス200の外に出る、という経路を辿る。
ご理解頂けるように、従来技術に対する本実施形態の違いの一つはノズルプレート230が「端面露出」即ち突端付の構造であることである。「端面露出」にするには例えば従来型のノズルプレートを切り縮めればよいが、後述の通りそれ以外の手法も使用できる。
また、本デバイス200も従来同様に動作させることができる。即ち、その内部のトランスデューサ212を適宜励振させることでノズル開口240から流体を吐出させることができる。
次に、本発明の実施形態に係るMEMS型プリントヘッドデバイス300の製造手順、特に流路構造の形成手順について図3A〜図3Dを参照し詳細に説明する。なお、説明の便宜上これらの図には簡略化を施してあり、図示や説明がない部材乃至工程・処置を追加した形態や図示及び説明がある部材乃至工程・処置を除去、省略又は変形した形態でも本発明は実施できるので、その点をご承知頂きたい。
本手順では、まず、図3Aに示すようにウェハ又はそのダイ310上にトランスデューサ312及びボンディングパッド314を形成する。形成手法は既知の手法でよい。ウェハは例えばシリコン製とするが他の素材を用いてもよい。その上方には腕状の支持材350を挟んで端面露出ノズルプレート330を配置乃至形成する。これによってダイ310・ノズルプレート330間に生まれる空間は完成品では流体室360として使用される。そのノズルプレート330にはノズル開口(吐出用ノズル)340を少なくとも1個設ける。この開口340は完成後は対応する流体室360からの流体吐出口になるので、トランスデューサ312を適宜励振することでその室360内の流体が開口340から吐出されることとなるよう形成する。また、ノズルプレート330は図示の如く端面露出形状即ち突端332付の構造とし、その突端332の位置はダイ310の縁辺318の位置に揃える。突端332でノズルプレート330を支持する部材は後工程にて形成する。ご理解頂ける通り、ノズルプレート330が端面露出形状であることは図1A及び図1Bに示したノズルプレート130に対する際だった特徴である。また、トランスデューサ312は図示の如くダイ縁辺318からやや退いた位置に形成しておく。ノズルプレート330が突端332で打ち切られているためトランスデューサ312の囲いは三方囲い即ち櫛歯状の囲いになる。
次に、図3Bに示すように、何個かのダイ310をプリントヘッド基板370上に配置する。その手法は既知の手法でよい。その際には基板370上の開口、即ち後に本デバイス300内に流体を取り込むための流入口になる基板開口380の畔にダイ縁辺318が面するよう、各ダイ310を配置する。但しこの位置については若干の誤差が認められる。即ち、流体の流れがダイ310によって妨げられない限り、ダイ縁辺318の位置が基板開口380の畔から所定距離退いていても、逆に少々基板開口380上に張り出していてもかまわない。この基板開口380の上には、各ダイ310のダイ縁辺318に接するよう且つノズルプレート突端332に位置を揃えて、犠牲材385を配置乃至形成する。前述の通り各トランスデューサ312・ダイ縁辺318間には余地があり、アレイをなすダイ310全体ではマニホルド状の余地になるので、犠牲材385はこの余地に着座させる。また、犠牲材位置とノズルプレート突端位置は犠牲材385とノズルプレート突端332とが互いに重なり合う形態で揃えてもよいし、図3Bの通り隅部同士が接触する形態で揃えてもよい。何れにせよ犠牲材385は基板開口380を跨ぐように設けるのがよい。
更に、図3Cに示すように、ボンディングパッド314と基板370側の導体とをワイヤ316とのボンディングにより接続する。その手法は既知の手法でよい。このワイヤボンディングが済んだら未硬化の封止材390及び395を本デバイス300上の所要部位に被着させる。即ち、パッド314及びワイヤ316を保護するための封止材395を既知の通り被着させる一方、基板370のうち基板開口380より外の部分375から犠牲材385上を巡りノズルプレート突端332に達するように封止材390を被着させる。
次いで、同図に示すように封止材390及び395をその場で硬化させる(キャストインプレース;場所打ち)。封止材390及び395を硬化させる手法としては、従来から常用されている熱硬化法等を使用するとよい。また、二段階室温硬化法、紫外線硬化法、極短時間高温露出による瞬時硬化法等をはじめとする他種手法も使用できる。何れにせよ、封止材390を硬化させることで犠牲材385が封止され、ノズルプレート突端332から基板開口外部分375に至る架橋構造ができあがる。こうした手法の他には、型の中に本デバイス300の仕掛品を装填し、その型にモールド材を注入して封止材390及び395を形成する手法も使用できる。
そして、図3Dに示すように、犠牲材385を除去することにより本デバイス300の完成品を作成する。犠牲材385を除去するには、例えば犠牲材385を熱で熔かして基板開口380から本デバイス300外に出せばよい。また、適当な溶剤で溶かすやり方でも犠牲材385を除去することができる。何れにせよ、犠牲材385を除去することで流路362を形成することができる。即ち、基板開口380から流路362を介して流体室360に至り、更にそこからノズルプレート330上のノズル開口340に達する道筋ができる。しかも、ダイ表面積のうちこの道筋を付けるのに費やされた部分はさほど広くない。従って、本デバイス300を形成するのに必要なシリコンの総量は従来より少なくなる。
また、ご理解頂けるように、犠牲材385の除去手法は犠牲材385の種類によって変わる。例えば、犠牲材385を形成するための素材としてワックスの一種であるApiezon Wax Wを使用した場合、これは90℃で軟化させることができ、130℃で熔かすことができ、またヘキサン等の炭化水素で溶かすことができる。また、同じくワックスの一種であるAremco Crystalbond 590は、150℃で流動に至らしめることができ、またイソプロピルアルコールや専用溶剤で溶かすことができる(Apiezon及びAremcoは共に商標)。
また、本デバイス300への犠牲材配設手法は数多くある。例えば犠牲材385のもとになる素材を熔融させ、熔融した素材をウェハ上のダイに流入させ、その後でダイシングを実施する手法でもよい。この手法には清浄さという付加的な利点がある。或いは、予め成形しておいた犠牲材385をダイボンディング後に載せる手法でもよい。更には、基板370上にダイ310を配置し、更に基板開口380を塞ぐよう犠牲材素材を加熱吐出する手法でもよい。
図4に、吐出により形成できる犠牲材の形状例を示す。素材を吐出する手法を採ると、この図に示すように、前掲のものより緩やかな(例えば弧状の)輪郭を有する犠牲材485を形成することができる。
また、この図では端面露出ノズルプレート430の突端432が三角形状に拡がっている。このような形状にすることで、封止材490及び犠牲材485についての公差を緩和することができる。
図5に、犠牲材に補強被覆を設けた例を示す。この図の例では、犠牲材585の表面に薄い被覆を施した上で封止材590を被着させる手法を採っている。犠牲材585に施すのは例えば紫外線硬化性素材による薄い被覆であり、これを形成、硬化させ更に犠牲材585を除去すると、封止材590の内面に一種の殻592が生じる。ご理解頂けるように、殻592の強度及び耐久性を十分に高くすればそれによって封止材590を補強することができ、ひいては端面露出ノズルプレート530・基板開口外部分575間架橋構造を補強することができる。更に、ノズルプレート突端が薄い場合対突端犠牲材位置公差が厳しくなりがちであるが、この例のように犠牲材585の表面に被覆を施す構成では、その被覆厚を加減することによってノズルプレート突端532に対する犠牲材585の位置公差を調整例えば緩和することができる。
図6に、流体室630がピラミッド状になるようノズルプレート突端形状を工夫した例を示す。こうした形状の突端632は、ODE(orientation dependent etching)、異方性エッチング等の手法でシリコンウェハを処理することにより形成することができる。例えば、シリコンウェハのエッチングによってノズルプレート相当部分を形成した後そのウェハを個々のダイに切り分ける手法を採る場合、そのウェハ内の結晶面を適宜利用することによって図示の如きスロープを自動形成することができ、またダイに切り分ける際にカットラインを適宜設定することで当該スロープ部分を取り込んでノズルプレート突端632を形成することができる。こうして得られる突端632の先端面は広いので、ノズルプレート突端632に対する犠牲材685の位置公差を緩和することができる。
以上のように、本発明の各実施形態には様々な効果がある。第1の効果は、シリコン表面積使用量の低減即ちダイサイズの縮小である。ダイサイズが小さければウェハから多数のダイを採れるのでダイ1個のコストが比例的に減り、更にそれに相応してプリントヘッドデバイスの製造コストが減る。第2の効果は、プリントヘッド基板に対する位置合わせ公差が緩和されることである。即ち、プリントヘッド基板の開口をダイで塞いでしまう恐れがほとんどないためプリントヘッド基板に対するダイ固着処理を様々な手法で実施できる。第3の効果は、生産物の均一性が高いためインクジェット間クロストークが少なくなることである。第4の効果は、犠牲材を除去するまではその犠牲材によって流路が塞がれているため、流路が粒状物で汚染されにくいことである。なお、犠牲材は、プリントヘッドデバイスの使用直前まで除去する必要はない。本発明の実施形態にはこの他にも様々な利点があるが、そうしたことは、本件技術分野において習熟を積まれた方々(いわゆる当業者)なら本願の記載からご理解頂けるであろう。
従来技術に係るMEMS型インクジェットプリントヘッドデバイスの仕掛品を切断してその端面を示す図である。 図1Aに示したデバイスの完成品を切断してその端面を示す図である。 本発明の一実施形態に係るMEMS型インクジェットプリントヘッドデバイスの完成品を切断してその端面を示す図である。 本デバイスの仕掛品を切断してその端面を示す図である。 図3Aに示した工程より後工程での仕掛品を切断してその端面を示す図である。 図3Bに示した工程より後工程での仕掛品を切断してその端面を示す図である。 本デバイスの完成品を切断してその端面を示す図である。 本デバイスの変形例、特にその犠牲材の輪郭を緩やかな傾斜形状にした例を示す切断端面図である。 本デバイスの変形例、特にその犠牲材に補強被覆を施した例を示す切断端面図である。 本デバイスの変形例、特にそのノズルプレート突端形状を工夫して流体室をピラミッド状にした例を示す切断端面図である。
符号の説明
200,300 MEMS型プリントヘッドデバイス、210,310,410,510 ダイ、230,330,430,530,630 端面露出ノズルプレート、250,350 支持材、260,360,660 流体室、262,362 流路、270,370,470,570,670 プリントヘッド基板、280,380 基板開口、290,390,490,590,690 封止材、318 ダイ縁辺、332,432,532,632 ノズルプレート突端、385,485,585,685 犠牲材、592 殻。

Claims (5)

  1. ダイ又はそれを含むウェハを準備するステップと、
    突端を有するノズルプレートをダイ表面から間隔をおいて形成するステップと、
    基板開口を有するプリントヘッド基板を準備するステップと、
    ダイ縁辺及びノズルプレート突端が基板開口に面し且つダイ縁辺の位置とノズルプレート突端の位置とを縦方向に揃えてプリントヘッド基板の表面上にダイを配置するステップと、
    基板開口上方を該基板開口の対向する縁部に跨って覆いノズルプレート突端に接するよう犠牲材を配するステップと、
    ノズルプレート突端からプリントヘッド基板表面に亘り犠牲材を封止するステップと、
    犠牲材を除去することにより基板開口からノズルプレート突端に至る流路を形成するステップと、
    を有するプリントヘッド内流路形成方法。
  2. 請求項1記載のプリントヘッド内流路形成方法であって、前記犠牲材を封止する封止材と接する前記ノズルプレート突端を三角形状に拡がって形成する、プリントヘッド内流路形成方法。
  3. 請求項2記載のプリントヘッド内流路形成方法であって、前記封止材はプリントヘッド基板上にダイを配置した後に基板開口を塞ぐよう犠牲材素材を加熱吐出して形成される、プリントヘッド内流路形成方法。
  4. 請求項1記載のプリントヘッド内流路形成方法であって、犠牲材とそれを封止する封止材との間に該封止材を補強する補強被覆を形成するステップを有するプリントヘッド内流路形成方法。
  5. 請求項1記載のプリントヘッド内流路形成方法であって、ノズルプレートの一端に支持材を配してダイ表面・ノズルプレート間を隔てるステップを有するプリントヘッド内流路形成方法。
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