JP5074352B2 - Gas treatment system - Google Patents
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Description
本発明は、ガス処理システムに関する。 The present invention relates to a gas processing system.
従来より、工場等から排出される排ガス中の酸性ガス成分を乾式処理により除去するガス処理システムが提案されている。例えば、特許文献1では、反応室内に充填された炭酸カルシウム粒子に、燃焼炉から排出される高温の排ガスを接触させて酸化カルシウムを生成し、この酸化カルシウムと排ガス中に含まれる酸性ガス成分と反応させて吸着、除去するガス処理システムが開示されている。また、本発明者は、特許文献2,3に示すように、反応室内に充填されたカルシウム成分を主体とする固体吸着剤を上から下へ流動させると共に、この固体吸着剤の流動方向と交差する方向又は逆方向に排ガスを流通させることにより、固体吸着剤と排ガスとの接触効率を向上させて排ガス中に含まれる酸性ガス成分を効率よく除去するガス処理システムを提案している。こうすることにより、酸性ガス成分を中和した後の固体吸着剤が下部から排出されると共に新たな固体吸着剤が上部から供給されるため、反応室内の酸性ガス成分除去機能が長期間維持される。
しかしながら、これらのガス処理システムでは、反応室のガス導入口付近で固体吸着剤が融着してしまうことがあった。このような固体吸着剤の融着が発生するのは、反応室のガス導入口付近では、未処理の排ガスつまり酸性ガス成分の濃度が高い排ガスと固体吸着剤との中和反応が活発に起こり、それに伴って発熱量が増大し局所的な高温化を招くことによると考えられる。こうした固体吸着剤の融着が発生すると、排ガスが反応室を通過する際の圧力損失が大きくなるため好ましくない。また、特許文献2,3のように固体吸着剤を反応室内で流動させる場合には、固体吸着剤の流動性が悪化してしまい、反応室内の酸性ガス成分除去機能を長期間維持することが困難になる。 However, in these gas processing systems, the solid adsorbent may be fused near the gas inlet of the reaction chamber. Such solid adsorbent fusion occurs because the neutralization reaction between the untreated exhaust gas, that is, the exhaust gas having a high concentration of acidic gas components, and the solid adsorbent occurs actively near the gas inlet of the reaction chamber. This is thought to be due to the fact that the amount of heat generation increases with the increase in local temperature. Such fusion of the solid adsorbent is not preferable because the pressure loss when the exhaust gas passes through the reaction chamber increases. Further, when the solid adsorbent is caused to flow in the reaction chamber as in Patent Documents 2 and 3, the fluidity of the solid adsorbent is deteriorated, and the acid gas component removal function in the reaction chamber can be maintained for a long period of time. It becomes difficult.
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、固体吸着剤の融着を防止可能なガス処理システムを提供することを主目的とする。 This invention is made | formed in view of the subject mentioned above, and it aims at providing the gas processing system which can prevent fusion | melting of a solid adsorbent.
本発明は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。 The present invention adopts the following means in order to achieve the main object described above.
すなわち、本発明のガス処理システムは、
ガス通路と、
酸性ガス成分を中和反応により吸着可能な固体吸着剤が充填された第1反応室を有し、該第1反応室のうち前記ガス通路に面する側と前記ガス通路に面しない側にそれぞれガス通過口が設けられた第1化学吸着装置と、
酸性ガス成分を中和反応により吸着可能な固体吸着剤が充填された第2反応室を有し、該第2反応室のうち前記ガス通路に面する面と前記ガス通路に面しない側にそれぞれガス通過口が設けられた第2化学吸着装置と、
前記第1反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に未処理ガスを供給し、前記第1反応室、前記ガス通路及び前記第2反応室をこの順に通過した処理済みガスを前記第2反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口から排出する順方向状態か、前記第2反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に未処理ガスを供給し、前記第2反応室、前記ガス通路及び前記第1反応室をこの順に通過した処理済みガスを前記第1反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口から排出する逆方向状態かを切り替える切替器と、
を備えたものである。
That is, the gas treatment system of the present invention is
A gas passage,
A first reaction chamber filled with a solid adsorbent capable of adsorbing an acidic gas component by a neutralization reaction, the first reaction chamber on the side facing the gas passage and on the side not facing the gas passage; A first chemical adsorption device provided with a gas passage;
A second reaction chamber filled with a solid adsorbent capable of adsorbing an acidic gas component by a neutralization reaction; and a side facing the gas passage and a side not facing the gas passage of the second reaction chamber, respectively A second chemical adsorption device provided with a gas passage;
The process which supplied untreated gas to the gas passage provided in the side which does not face the said gas channel among the said 1st reaction chamber, and passed through the said 1st reaction chamber, the said gas channel, and the said 2nd reaction chamber in this order. The exhaust gas is discharged from a gas passage port provided on the side of the second reaction chamber that does not face the gas passage, or is provided on the side of the second reaction chamber that does not face the gas passage. An untreated gas is supplied to the gas passage, and the treated gas that has passed through the second reaction chamber, the gas passage, and the first reaction chamber in this order is placed on the side of the first reaction chamber that does not face the gas passage. A switch for switching between the reverse direction of discharging from the provided gas passage,
It is equipped with.
このガス処理システムでは、順方向状態で運転を継続することにより第1反応室内の固体吸着剤が酸性ガス成分の濃度の高い未処理ガスと中和反応を起こして未処理ガス接触面近傍の固体吸着剤が発熱したとしても、その固体吸着剤が融着する前に切替器により逆方向状態に切り替えることが可能である。そして、逆方向状態に切り替えた後、第1反応室内の固体吸着剤は、第2反応室内で中和されたあとのガス(酸性ガス成分を少量含むガス)が導入されるため、発熱量が減り、温度上昇が緩和されるか温度が下降する。また、逆方向状態で運転を継続することにより第2反応室内の固体吸着剤が酸性ガス成分の濃度の高い未処理ガスと中和反応を起こして未処理ガス接触面近傍の固体吸着剤が発熱したとしても、その固体吸着剤が融着する前に切替器により順方向状態に切り替えることが可能である。そして、順方向状態に切り替えた後、第2反応室内の固体吸着剤は、第1反応室内で中和されたあとのガス(酸性ガス成分を少量含むガス)が導入されるため、発熱量が減り、温度上昇が緩和されるか温度が下降する。このように順方向状態と逆方向状態とを適宜切り替えることが可能であるため、各反応室内の固体吸着剤が溶着するのを防止できる。 In this gas treatment system, the solid adsorbent in the first reaction chamber causes a neutralization reaction with the untreated gas having a high concentration of the acidic gas component by continuing the operation in the forward direction, and the solid in the vicinity of the untreated gas contact surface. Even if the adsorbent generates heat, it can be switched to the reverse state by the switch before the solid adsorbent is fused. Then, after switching to the reverse state, the solid adsorbent in the first reaction chamber is introduced with the gas (gas containing a small amount of acidic gas components) after neutralization in the second reaction chamber. The temperature rises and the temperature rise is moderated or the temperature falls. Further, by continuing the operation in the reverse direction, the solid adsorbent in the second reaction chamber causes a neutralization reaction with the untreated gas having a high concentration of acid gas components, and the solid adsorbent near the untreated gas contact surface generates heat. Even so, it is possible to switch to the forward state by the switch before the solid adsorbent is fused. After switching to the forward state, the solid adsorbent in the second reaction chamber is introduced with the gas after neutralized in the first reaction chamber (gas containing a small amount of acidic gas components), so that the calorific value is increased. The temperature rises and the temperature rise is moderated or the temperature falls. As described above, the forward state and the reverse direction can be switched as appropriate, so that the solid adsorbent in each reaction chamber can be prevented from being welded.
ここで、固体吸着剤としては、酸性ガス成分(ハロゲン化水素や亜硫酸ガス、硫酸ガス、ハロゲンガスなど)を中和反応により吸着可能な材料であれば特に限定されないが、例えば、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが挙げられる。 Here, the solid adsorbent is not particularly limited as long as it is a material capable of adsorbing acidic gas components (hydrogen halide, sulfurous acid gas, sulfuric acid gas, halogen gas, etc.) by a neutralization reaction. For example, calcium oxide, oxidation Examples include magnesium, sodium oxide, potassium oxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, sodium carbonate, and potassium carbonate.
本発明のガス処理システムにおいて、前記第1及び第2化学吸着装置は、別々に形成されていてもよい。こうすれば、後述するように、第1及び第2化学吸着装置の反応室を共通化することも考えられるが、第1及び第2化学吸着装置を別々に形成することにより一方が高温化したときにその熱が他方に伝わりにくいため、各反応室内の固体吸着剤が溶着するのをより確実に防止できる。 In the gas processing system of the present invention, the first and second chemical adsorption devices may be formed separately. In this way, as will be described later, it may be possible to share the reaction chambers of the first and second chemisorbers. However, one of the first and second chemisorbers is formed separately, and one of the chambers is heated to a high temperature. Sometimes the heat is not easily transmitted to the other, so that the solid adsorbent in each reaction chamber can be more reliably prevented from welding.
このように第1及び第2化学吸着装置が別々に形成された本発明のガス処理システムにおいて、前記第1化学吸着装置は、前記第1反応室へ固体吸着剤を供給可能な第1供給部と、前記第1反応室から固体吸着剤を排出可能な第1排出部と、を備え、前記第1供給部から前記第1反応室へ供給された固体吸着剤は前記第1反応室の前記両ガス通過口を結ぶ仮想線と交差する方向に移動して前記第1排出部から排出されるように構成され、前記第2化学吸着装置は、前記第2反応室へ固体吸着剤を供給可能な第2供給部と、前記第2反応室から固体吸着剤を排出可能な第2排出部と、を備え、前記第2供給部から前記第2反応室へ供給された固体吸着剤は前記第2反応室の前記両ガス通過口を結ぶ仮想線と交差する方向に移動して前記第2排出部から排出されるように構成されていてもよい。こうすれば、酸性ガス成分を中和した後の固体吸着剤が第1及び第2排出部から排出されると共に新たな固体吸着剤が第1及び第2供給部から供給されるため、各反応室内の酸性ガス除去機能を長期間維持することができる。また、上述したように固体吸着剤が溶着するのを防止できるため、固体吸着剤の流動性が悪化することがない。 Thus, in the gas processing system of the present invention in which the first and second chemical adsorption devices are separately formed, the first chemical adsorption device is capable of supplying a solid adsorbent to the first reaction chamber. And a first discharge unit capable of discharging the solid adsorbent from the first reaction chamber, and the solid adsorbent supplied from the first supply unit to the first reaction chamber is in the first reaction chamber. It is configured to move in a direction intersecting with an imaginary line connecting both gas passage ports and discharged from the first discharge unit, and the second chemical adsorption device can supply a solid adsorbent to the second reaction chamber A second supply unit, and a second discharge unit capable of discharging the solid adsorbent from the second reaction chamber, and the solid adsorbent supplied from the second supply unit to the second reaction chamber is the first discharge unit. 2 The second discharge by moving in a direction intersecting with an imaginary line connecting the two gas passage ports of the reaction chamber It may be configured so as to be discharged from. By doing so, since the solid adsorbent after neutralizing the acid gas component is discharged from the first and second discharge sections and a new solid adsorbent is supplied from the first and second supply sections, each reaction The indoor acid gas removal function can be maintained for a long period of time. Moreover, since it can prevent that a solid adsorbent welds as mentioned above, the fluidity | liquidity of a solid adsorbent does not deteriorate.
このとき、前記第1化学吸着装置は、前記第1反応室のうち前記ガス通路に面する側に設けられたガス通過口に近い領域に比べて前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域の方が固体吸着剤の移動速度が速くなるように構成され、前記第2化学吸着装置は、前記第2反応室のうち前記ガス通路に面する側に設けられたガス通過口に近い領域に比べて前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域の方が固体吸着剤の移動速度が速くなるように構成されていてもよい。順方向状態では、第1反応室のうちガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域は酸性ガス成分の濃度の高い未処理ガスと固体吸着剤とが接触するため発熱量が多いが、この領域の固体吸着剤の移動速度が速いため、中和反応後の固体吸着剤がこの領域にとどまっている時間が短いことから高温になりにくい。また、逆方向状態では、第2反応室のうちガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域は酸性ガス成分の濃度の高い未処理ガスと固体吸着剤とが接触するため発熱量が多いが、この領域の固体吸着剤の移動速度が速いため、中和反応後の固体吸着剤がこの領域にとどまっている時間が短いことから高温になりにくい。したがって、各反応室内の固体吸着剤が溶着するのをより確実に防止できる。 At this time, the first chemical adsorption device includes a gas provided on a side not facing the gas passage as compared with a region close to a gas passage provided on the side facing the gas passage in the first reaction chamber. The region closer to the passage port is configured so that the moving speed of the solid adsorbent is faster, and the second chemical adsorption device has a gas passage provided on the side facing the gas passage in the second reaction chamber. It may be configured such that the moving speed of the solid adsorbent is higher in a region near the gas passage port provided on the side not facing the gas passage than in a region near the mouth. In the forward direction state, the region near the gas passage port provided on the side not facing the gas passage in the first reaction chamber is in contact with the untreated gas having a high concentration of acidic gas components and the solid adsorbent, so that the calorific value is increased. However, since the moving speed of the solid adsorbent in this region is high, the time during which the solid adsorbent after the neutralization reaction stays in this region is short, so that it is difficult to reach a high temperature. Further, in the reverse state, the region close to the gas passage provided in the second reaction chamber on the side not facing the gas passage is in contact with the untreated gas having a high concentration of the acidic gas component and the solid adsorbent. Although the amount is large, since the moving speed of the solid adsorbent in this region is fast, the time during which the solid adsorbent after the neutralization reaction stays in this region is short, so that it is difficult to reach a high temperature. Therefore, it can prevent more reliably that the solid adsorbent in each reaction chamber welds.
本発明のガス処理システムにおいて、前記第1化学吸着装置の第1反応室と前記第2化学吸着装置の第2反応室とは、共通化されて一つの大反応室をなし、前記第1化学吸着装置の両ガス通過口は、前記大反応室のうち前記ガス通路に面する側と前記ガス通路に面しない側にそれぞれ設けられ、前記第2化学吸着装置の両ガス通過口は、前記第1化学吸着装置の両ガス通過口とは別に、前記大反応室のうち前記ガス通路に面する側と前記ガス通路に面しない側にそれぞれ設けられていてもよい。こうすれば、上述したように第1及び第2化学吸着装置を別々に形成する場合に比べて、システム構成をコンパクトにすることができる。 In the gas treatment system of the present invention, the first reaction chamber of the first chemical adsorption device and the second reaction chamber of the second chemical adsorption device are made common to form one large reaction chamber, and the first chemical chamber Both gas passage ports of the adsorption device are respectively provided on the side facing the gas passage and the side not facing the gas passage in the large reaction chamber, and both gas passage ports of the second chemical adsorption device are provided on the first reaction chamber. Apart from both gas passage ports of one chemical adsorption device, the large reaction chamber may be provided on the side facing the gas passage and on the side not facing the gas passage. In this way, the system configuration can be made compact as compared with the case where the first and second chemical adsorption devices are separately formed as described above.
このように第1反応室と第2反応室とが共通化されて一つの大反応室をなす本発明のガス処理システムにおいて、前記大反応室は、前記ガス通路に面する側に設けられたガス通過口に近い領域に比べて前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域の方が固体吸着剤の移動速度が速くなるように構成されていてもよい。こうすれば、酸性ガス成分を中和した後の固体吸着剤が排出部から排出されると共に新たな固体吸着剤が供給部から供給されるため、大反応室内の酸性ガス除去機能を維持することができる。また、上述したように固体吸着剤が溶着するのを防止できるため、固体吸着剤の流動性が悪化することがない。 Thus, in the gas processing system of the present invention in which the first reaction chamber and the second reaction chamber are shared to form one large reaction chamber, the large reaction chamber is provided on the side facing the gas passage. The region near the gas passage provided on the side not facing the gas passage may be configured so that the moving speed of the solid adsorbent is faster than the region near the gas passage. In this way, the solid adsorbent after neutralizing the acid gas component is discharged from the discharge section and a new solid adsorbent is supplied from the supply section, so that the acid gas removal function in the large reaction chamber is maintained. Can do. Moreover, since it can prevent that a solid adsorbent welds as mentioned above, the fluidity | liquidity of a solid adsorbent does not deteriorate.
このとき、前記大反応室は、前記ガス通路に面する側に設けられたガス通過口に近い領域に比べて前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域の方が固体吸着剤の移動速度が速くなるように構成されていてもよい。順方向状態では、大反応室のうち第1化学吸着装置のガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域は酸性ガス成分の濃度の高い未処理ガスと固体吸着剤とが接触するため発熱量が多いが、この領域の固体吸着剤の移動速度が速いため、中和反応後の固体吸着剤がこの領域にとどまっている時間が短いことから高温になりにくい。また、逆方向状態では、大反応室のうち第2化学吸着装置のガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域は酸性ガス成分の濃度の高い未処理ガスと固体吸着剤とが接触するため発熱量が多いが、この領域の固体吸着剤の移動速度が速いため、中和反応後の固体吸着剤がこの領域にとどまっている時間が短いことから高温になりにくい。したがって、大反応室内の固体吸着剤が溶着するのをより確実に防止できる。 At this time, the large reaction chamber is solid in the region near the gas passage provided on the side not facing the gas passage as compared with the region near the gas passage provided on the side facing the gas passage. You may be comprised so that the moving speed of adsorption agent may become quick. In the forward state, the region close to the gas passage provided on the side of the large reaction chamber that does not face the gas passage of the first chemical adsorption device is in contact with the untreated gas having a high concentration of acidic gas components and the solid adsorbent. Therefore, although the calorific value is large, since the moving speed of the solid adsorbent in this region is high, the time during which the solid adsorbent after the neutralization reaction stays in this region is short, so that it is difficult to reach a high temperature. In the reverse direction, the region close to the gas passage provided on the side of the large reaction chamber that does not face the gas passage of the second chemical adsorption device has an untreated gas, a solid adsorbent, and a high concentration of acidic gas components. However, since the solid adsorbent in this region has a fast moving speed, the solid adsorbent after the neutralization reaction stays in this region for a short time, so that it is difficult to reach a high temperature. Therefore, the solid adsorbent in the large reaction chamber can be more reliably prevented from welding.
本発明のガス処理システムにおいて、前記第1及び第2化学吸着装置では、未処理ガス中のハロゲン化炭化水素を酸化分解して酸性ガス成分であるハロゲン化水素及び/又はハロゲンガスを発生させる酸化触媒が固体吸着剤と混合して使用されるようにしてもよい。こうすれば、各化学吸着装置中でハロゲン化炭化水素(例えばトリクロロエチレンなど)が酸化触媒によってハロゲン化水素やハロゲンガスなどに分解したあと固体吸着剤に吸着されるため、未処理ガスを効率よく浄化することができる。ここで、酸化触媒としては、例えば酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などが挙げられる。 In the gas treatment system of the present invention, the first and second chemisorption apparatuses oxidize the halogenated hydrocarbons in the untreated gas by oxidative decomposition to generate hydrogen halide and / or halogen gas as acidic gas components. The catalyst may be used as a mixture with a solid adsorbent. In this way, halogenated hydrocarbons (for example, trichlorethylene, etc.) are decomposed into hydrogen halide and halogen gas by the oxidation catalyst in each chemisorber and then adsorbed to the solid adsorbent, so that untreated gas is efficiently purified. can do. Here, examples of the oxidation catalyst include iron oxide, aluminum oxide, and silicon oxide.
本発明のガス処理システムにおいて、前記ガス通路は、熱源を有し、該熱源の熱により前記第1及び第2化学吸着装置を暖機可能としてもよい。こうすれば、第1及び第2化学吸着装置を暖機して固体吸着剤と未処理ガス中の酸性ガス成分との中和反応を効率よく実施することができる。ここで、暖機温度は、酸性ガス成分と固体吸着剤の組み合わせに応じて適宜適切な温度に設定すればよい。ところで、未処理ガスが第1反応室から第2反応室へ流れるように設定した場合には、第2反応室は排ガスと固体吸着剤との熱交換により蓄熱される。このため、未処理ガスが第2反応室から第1反応室へ流れるように切替弁を切り替えたとき、未処理ガスは第2反応室の蓄熱を利用して予熱され、未処理ガスの暖機に必要な、熱源からの熱エネルギーを低減できる。この点は、未処理ガスが第2反応室から第1反応室へ流れるように設定したあと第1反応室から第2反応室へ流れるように切り替えた場合も同様である。 In the gas processing system of the present invention, the gas passage may have a heat source, and the first and second chemical adsorption devices may be warmed up by heat of the heat source. If it carries out like this, the 1st and 2nd chemical adsorption apparatus can be warmed up and the neutralization reaction of the solid adsorption agent and the acidic gas component in untreated gas can be carried out efficiently. Here, the warm-up temperature may be set to an appropriate temperature according to the combination of the acidic gas component and the solid adsorbent. By the way, when it sets so that untreated gas may flow from a 1st reaction chamber to a 2nd reaction chamber, a 2nd reaction chamber is heat-accumulated by heat exchange with waste gas and a solid adsorbent. Therefore, when the switching valve is switched so that the untreated gas flows from the second reaction chamber to the first reaction chamber, the untreated gas is preheated using the heat storage in the second reaction chamber, and the untreated gas is warmed up. It is possible to reduce the heat energy from the heat source necessary for the heat treatment. This is the same when the untreated gas is set to flow from the second reaction chamber to the first reaction chamber and then switched to flow from the first reaction chamber to the second reaction chamber.
本発明のガス処理システムにおいて、前記第1又は第2反応装置に未処理ガスを供給する未処理ガス供給経路には、バルブを介して希釈ガス導入管から希釈ガスが導入可能としてもよい。この場合、切替器を切り替える直前にそのバルブを開いて未処理ガスを希釈ガスで十分希釈し、その後、そのバルブを閉めて切替器を切り替える。こうすれば、ガスの流れが順方向状態から逆方向状態に切り替わったときには、切替器から第1反応室までの間に溜まった未処理ガスがそのまま排出されることになるが、希釈ガスに希釈された状態で排出されるため、有害成分が高濃度のまま排出されることはない。また、逆方向状態から順方向状態に切り替わったときには、切替器から第2反応室までの間に溜まった未処理ガスがそのまま排出されることになるが、この場合も希釈ガスに希釈された状態で排出されるため、有害成分が高濃度のまま排出されることはない。 In the gas processing system of the present invention, a dilution gas may be introduced from a dilution gas introduction pipe via a valve into an untreated gas supply path for supplying an untreated gas to the first or second reactor. In this case, immediately before switching the switch, the valve is opened to sufficiently dilute the untreated gas with the dilution gas, and then the valve is closed to switch the switch. In this way, when the gas flow is switched from the forward state to the reverse state, the untreated gas accumulated between the switch and the first reaction chamber is discharged as it is. Since it is discharged in a state that has been released, harmful components are not discharged at a high concentration. In addition, when switching from the reverse direction state to the forward direction state, the untreated gas accumulated between the switch and the second reaction chamber is discharged as it is, but in this case as well, the state diluted with the dilution gas Therefore, harmful components are not discharged at a high concentration.
本発明のガス処理システムにおいて、前記第1又は第2反応装置に未処理ガスを供給する未処理ガス供給経路と前記第1又は第2反応装置から処理済みガスを排出する処理済みガス排出経路との間にバルブ付きの連通管が取り付けられると共に、該処理済みガス排出経路のうち前記連通管の取付位置より下流側にバルブが取り付けられていてもよい。この場合、通常は連通管を閉鎖すると共に処理済みガス排出経路を開放し、切替器を切り替えた直後の所定期間は連通管を開放すると共に処理済みガス排出経路を閉鎖する。こうすれば、ガスの流れが順方向状態から逆方向状態に切り替わったときには、切替器から第1反応室までの間に溜まった未処理ガスがそのまま処理済みガス排出経路に流れることになるが、連通管を介して再び未処理ガス供給経路に戻すことができる。また、逆方向状態から順方向状態に切り替わったときには、切替器から第2反応室までの間に溜まった未処理ガスがそのまま処理済みガス排出経路に流れることになるが、この場合も連通管を介して再び未処理ガス供給経路に戻すことができる。 In the gas processing system of the present invention, an untreated gas supply path for supplying untreated gas to the first or second reactor, and a treated gas discharge path for discharging treated gas from the first or second reactor. A communication pipe with a valve may be attached between the two, and a valve may be attached to the downstream side of the communication pipe attachment position in the treated gas discharge path. In this case, the communication pipe is normally closed and the processed gas discharge path is opened, and the communication pipe is opened and the processed gas discharge path is closed for a predetermined period immediately after switching the switch. In this way, when the gas flow is switched from the forward direction to the reverse direction, the untreated gas accumulated between the switch and the first reaction chamber flows directly into the treated gas discharge path. It can return to the untreated gas supply path again through the communication pipe. Further, when switching from the reverse state to the forward state, the untreated gas accumulated between the switch and the second reaction chamber flows directly into the treated gas discharge path. To the raw gas supply path again.
本発明のガス処理システムにおいて、前記切替器は、前記切替器は、ガスが通過可能な第1及び第2通過口が所定方向に並んで設けられたベース面部材と、前記ベース面部材と対向し、ガスが通過可能な第3及び第4通過口が前記所定方向と交差する方向に並び且ついずれも前記第1及び第2通過口の両方と重なり合うように設けられた対向面部材と、前記ベース面部材と前記対向面部材との間に摺動可能に配置され、第1姿勢に位置決めされたときには前記第1通過口と前記第3通過口との連通及び前記第2通過口と前記第4通過口との連通を許容し前記第1通過口と前記第4通過口との連通及び前記第2通過口と前記第3通過口との連通を遮断し、第2姿勢に位置決めされたときには前記第1通過口と前記第4通過口との連通及び前記第2通過口と前記第3通過口との連通を許容し前記第1通過口と前記第3通過口との連通及び前記第2通過口と前記第4通過口との連通を遮断するように複数の貫通孔が形成された制御部材と、前記ベース面部材及び前記対向面部材を取り囲み、前記第1通過口に接続され未処理ガスが供給されるガス供給口、前記第2通過口に接続され処理済みガスを排出するガス排出口、前記第3通過口と前記第1化学吸着装置の第1反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口とを繋ぐ通気管及び前記第4通過口と前記第2化学吸着装置の第2反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口とを繋ぐ通気管を有するハウジング部材と、を備えた摺動式切替バルブとしてもよい。この摺動式切替バルブの制御部材を第1姿勢に位置決めすると、ガス供給口は第1通過口と第3通過口を介して第1化学吸着装置の第1反応室に接続されると共に第2化学吸着装置の第2反応室は第4通過口と第2通過口を介してガス排出口に接続されるため、順方向状態に設定される。一方、第2姿勢に位置決めすると、ガス供給口は第1通過口と第4通過口を介して第2化学吸着装置の第2反応室に接続されると共に第1化学吸着装置の第1反応室は第3通過口と第2通過口を介してガス排出口に接続されるため、逆方向状態に設定される。つまり、順方向状態と逆方向状態を制御部材を操作することによって簡単に切り替えることができる。 In the gas processing system of the present invention, the switch is opposite to the base surface member, wherein the switch is provided with a base surface member in which first and second passage ports through which gas can pass are arranged in a predetermined direction. The third and fourth passage ports through which the gas can pass are arranged in a direction intersecting the predetermined direction, and both are arranged so as to overlap both the first and second passage ports, When slidably disposed between the base surface member and the facing surface member and positioned in the first posture, the first passage port and the third passage port communicate with each other, and the second passage port and the second passage port. When communication with the four passage ports is permitted, communication between the first passage port and the fourth passage port and communication between the second passage port and the third passage port are blocked, and the second posture is positioned. The communication between the first passage port and the fourth passage port and the first passage A plurality of passages are allowed to communicate with the third passage port, and the communication between the first passage port and the third passage port and the communication between the second passage port and the fourth passage port are blocked. A control member in which a through hole is formed, a gas supply port that surrounds the base surface member and the opposing surface member, is connected to the first passage port and is supplied with untreated gas, and is connected to the second passage port and processed. A gas discharge port for discharging a used gas, a vent pipe connecting the third passage port and a gas passage port provided on the side of the first reaction chamber of the first chemical adsorption device facing the gas passage, and the first And a housing member having a vent pipe connecting the four passage ports and the gas passage ports provided on the side of the second reaction chamber of the second chemical adsorption device that does not face the gas passage. It is good. When the control member of the sliding type switching valve is positioned in the first posture, the gas supply port is connected to the first reaction chamber of the first chemical adsorption device via the first passage port and the third passage port, and the second passage. Since the second reaction chamber of the chemical adsorption device is connected to the gas outlet through the fourth passage and the second passage, it is set in the forward direction. On the other hand, when positioned in the second posture, the gas supply port is connected to the second reaction chamber of the second chemical adsorption device via the first passage port and the fourth passage port, and the first reaction chamber of the first chemical adsorption device. Is connected to the gas discharge port via the third passage port and the second passage port, and thus is set in the reverse direction. That is, the forward direction state and the reverse direction state can be easily switched by operating the control member.
なお、ベース面部材や対向面部材の材料は、特に限定するものではないが、例えば耐熱性を向上させる場合にはカーボンを使用してもよい。ハウジング部材の材料は、特に限定するものではないが、例えば放熱性を向上させる場合には熱伝導率の高いもの(例えばアルミニウム、銅、真鍮又はそれらの合金など)を使用することが好ましく、変形によるシール不良を回避させる場合には線膨張係数の小さいもの(例えばステンレス鋼など)を使用することが好ましい。制御部材の材料は、特に限定するものではないが、例えば耐熱(180℃以上)・耐食性を向上させる場合にはオーステナイト系ステンレス、マルテンサイト系ステンレスなどを使用することが好ましく、180℃未満の場合には安価で熱伝導率が高いもの(例えば亜鉛メッキ鋼板SECC(冷延材)や亜鉛メッキ鋼板SEHC(熱延材)など)を使用することが好ましい。 In addition, although the material of a base surface member or an opposing surface member is not specifically limited, For example, when improving heat resistance, you may use carbon. The material of the housing member is not particularly limited. For example, in order to improve heat dissipation, it is preferable to use a material having high thermal conductivity (for example, aluminum, copper, brass, or an alloy thereof). In order to avoid a sealing failure due to, it is preferable to use a material having a small linear expansion coefficient (for example, stainless steel). The material of the control member is not particularly limited. For example, when improving heat resistance (180 ° C or higher) and corrosion resistance, it is preferable to use austenitic stainless steel, martensitic stainless steel, etc. It is preferable to use an inexpensive material having high thermal conductivity (for example, galvanized steel plate SECC (cold rolled material) or galvanized steel plate SEHC (hot rolled material)).
[第1実施形態]
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1及び図2は、第1実施形態のガス処理システム10の説明図であり、図1は、スライドバルブ110を順方向状態に設定したとき、図2は、スライドバルブ110を逆方向状態に設定したときを表す。なお、図1及び図2は、説明の便宜上、スライドバルブ110を分解して示した。
[First Embodiment]
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 are explanatory views of the gas processing system 10 according to the first embodiment. FIG. 1 shows a state in which the slide valve 110 is set in the forward direction, and FIG. When set. 1 and 2 show the slide valve 110 in an exploded manner for convenience of explanation.
本実施形態のガス処理システム10は、ガスが水平方向に流通可能なガス通路12と、このガス通路12の片側に配置された第1化学吸着装置20と、ガス通路12のもう片側に配置された第2化学吸着装置40と、未処理ガスの供給や処理済みガスの排出の経路を切り替える切替器としてのスライドバルブ110を備えている。 The gas processing system 10 of this embodiment is disposed on the gas passage 12 through which gas can flow in the horizontal direction, the first chemical adsorption device 20 disposed on one side of the gas passage 12, and the other side of the gas passage 12. The second chemical adsorption device 40 and a slide valve 110 as a switch for switching the route for supplying untreated gas and discharging treated gas are provided.
ガス通路12は、筒状の空間であり、ヒータ14が取り付けられている。このヒータ14は、第1化学吸着装置20や第2化学吸着装置40を暖機したり、第1化学吸着装置20又は第2化学吸着装置40を通過したあとの未処理ガスの温度を維持したりする役割を果たす。 The gas passage 12 is a cylindrical space, and a heater 14 is attached to the gas passage 12. The heater 14 warms up the first chemical adsorption device 20 and the second chemical adsorption device 40 and maintains the temperature of the untreated gas after passing through the first chemical adsorption device 20 or the second chemical adsorption device 40. Play a role.
第1化学吸着装置20は、酸性ガス成分を中和反応により吸着可能な粒状の固体吸着剤Aが充填された第1反応室22を備えている。ここでは、固体吸着剤Aは酸化カルシウム又は炭酸ナトリウムとする。この第1反応室22のうち、ガス通路12に面する側にはガス通過口である第1内側開口24が形成されている。この第1内側開口24は、第1反応室22の内側に設けられた扁平で箱型の第1内側スペース23の断面と略同じ面積を有し、この第1内側スペース23を介してガス通路12に通じている。また、第1内側開口24には、細長い板からなる複数の羽板26が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。一方、ガス通路12とは反対側つまりガス通路12に面しない側にもガス通過口である第1外側開口28が形成されている。この第1外側開口28は、第1反応室22の外側に設けられた扁平で箱型の第1外側スペース25の断面と略同じ面積を有し、この第1外側スペース25及び通気管81を介してスライドバルブ110の第3接続口123と接続されている。また、第1外側開口28には、第1内側開口24と同様、複数の羽板30が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。各羽板26,30は、第1反応室22の内から外に向かって上向きに傾斜するように取り付けられているため、固体吸着剤Aが第1内側開口24や第1外側開口28から外へこぼれるのを防止すると共に、ガスが第1内側開口24や第1外側開口28を介して第1反応室22に出入りするのを許容する役割を果たす。 The first chemical adsorption device 20 includes a first reaction chamber 22 filled with a granular solid adsorbent A capable of adsorbing an acidic gas component by a neutralization reaction. Here, the solid adsorbent A is calcium oxide or sodium carbonate. A first inner opening 24 that is a gas passage port is formed in the first reaction chamber 22 on the side facing the gas passage 12. The first inner opening 24 has substantially the same area as the cross-section of the flat and box-shaped first inner space 23 provided inside the first reaction chamber 22, and the gas passage through the first inner space 23. 12 leads to. A plurality of slats 26 made of elongated plates are attached to the first inner opening 24 in parallel with a predetermined gap. On the other hand, a first outer opening 28 that is a gas passage port is formed on the side opposite to the gas passage 12, that is, the side not facing the gas passage 12. The first outer opening 28 has substantially the same area as the cross-section of the flat, box-shaped first outer space 25 provided outside the first reaction chamber 22, and the first outer space 25 and the vent pipe 81 are connected to each other. And is connected to the third connection port 123 of the slide valve 110. Further, similarly to the first inner opening 24, a plurality of blades 30 are attached to the first outer opening 28 in parallel with a predetermined gap. Since each slat 26, 30 is attached so as to incline upward from the inside of the first reaction chamber 22, the solid adsorbent A is removed from the first inner opening 24 and the first outer opening 28. It serves to prevent spillage and to allow gas to enter and exit the first reaction chamber 22 via the first inner opening 24 and the first outer opening 28.
第1反応室22は、上部に固体吸着剤Aを供給可能な第1ホッパ32を有すると共に、下部に第1吸着剤排出口34を介して固体吸着剤Aを排出可能なスクリューコンベヤ36を有している。このため、固体吸着剤Aは、自重により上から下へ移動する。この移動方向は、第1内側開口24と第1外側開口28とを結んだ仮想線に交差する。なお、第1ホッパ32及び第1吸着剤排出口34が本発明の第1供給部及び第1排出部に相当する。第1反応室22の床38は、内側から外側に向かって傾斜しており、もっとも低い部分に第1吸着剤排出口34が設けられている。このように第1反応室22の床38が傾斜しているため、第1ホッパ32から供給される固体吸着剤Aが第1吸着剤排出口34まで移動するときの移動速度はガス通路12に面する側(第1内側開口24に近い領域)に比べてガス通路12に面しない側(第1外側開口28に近い領域)の方が速くなる。 The first reaction chamber 22 has a first hopper 32 capable of supplying the solid adsorbent A at the upper portion and a screw conveyor 36 capable of discharging the solid adsorbent A via the first adsorbent outlet 34 at the lower portion. is doing. For this reason, the solid adsorbent A moves from top to bottom due to its own weight. This moving direction intersects with an imaginary line connecting the first inner opening 24 and the first outer opening 28. The first hopper 32 and the first adsorbent discharge port 34 correspond to the first supply unit and the first discharge unit of the present invention. The floor 38 of the first reaction chamber 22 is inclined from the inside toward the outside, and the first adsorbent discharge port 34 is provided at the lowest portion. Since the floor 38 of the first reaction chamber 22 is inclined as described above, the moving speed when the solid adsorbent A supplied from the first hopper 32 moves to the first adsorbent discharge port 34 is increased in the gas passage 12. The side not facing the gas passage 12 (region close to the first outer opening 28) is faster than the side facing (region close to the first inner opening 24).
第2化学吸着装置40は、酸性ガス成分を中和反応により吸着可能な粒状の固体吸着剤Aが充填された第2反応室42を備えている。この第2反応室42のうち、ガス通路12に面する側にはガス通過口である第2内側開口44が形成されている。この第2内側開口44は、第2反応室42の内側に設けられた扁平で箱型の第2内側スペース43の断面と略同じ面積を有し、この第2内側スペース43を介してガス通路12に通じている。また、第2内側開口44には、複数の羽板46が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。一方、ガス通路12とは反対側つまりガス通路12に面しない側にもガス通過口である第2外側開口48が形成されている。この第2外側開口48は、第2反応室42の外側に設けられた扁平で箱型の第2外側スペース45の断面と略同じ面積を有し、この第2外側スペース45及び通気管83を介してスライドバルブ110の第4接続口124と通気管83を介して接続されている。また、第2外側開口48にも、複数の羽板50が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。これらの羽板46,50は、第1化学吸着装置20が備えているものと同じ形状で同じ機能を有する。なお、各内側スペース23,43及び各外側スペース25,45は、高さ(図1の上下方向の長さ)と奥行き(図1の紙面と垂直方向の長さ)に比べて厚さ(図1の左右方向の長さ)が小さい直方体形状をなしている。 The second chemical adsorption device 40 includes a second reaction chamber 42 filled with a granular solid adsorbent A capable of adsorbing an acidic gas component by a neutralization reaction. A second inner opening 44 that is a gas passage port is formed in the second reaction chamber 42 on the side facing the gas passage 12. The second inner opening 44 has substantially the same area as the cross section of the flat and box-shaped second inner space 43 provided inside the second reaction chamber 42, and the gas passage through the second inner space 43. 12 leads to. A plurality of blades 46 are attached to the second inner opening 44 in parallel with a predetermined gap. On the other hand, a second outer opening 48 that is a gas passage port is formed on the side opposite to the gas passage 12, that is, the side not facing the gas passage 12. The second outer opening 48 has substantially the same area as the cross section of the flat, box-shaped second outer space 45 provided outside the second reaction chamber 42, and the second outer space 45 and the vent pipe 83 are connected to each other. And the fourth connection port 124 of the slide valve 110 and the vent pipe 83. A plurality of slats 50 are attached to the second outer opening 48 in parallel with a predetermined gap. These blades 46 and 50 have the same shape and the same function as those provided in the first chemical adsorption device 20. The inner spaces 23 and 43 and the outer spaces 25 and 45 have a thickness (the figure in the vertical direction in FIG. 1) and a depth (a length in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1). 1 is a rectangular parallelepiped shape.
第2反応室42は、上部に固体吸着剤Aを供給可能な第2ホッパ52を有すると共に、下部に第2吸着剤排出口54を介して固体吸着剤Aを排出可能なスクリューコンベヤ56を有している。このため、固体吸着剤Aは、自重により上から下へ移動する。この移動方向は、第2内側開口44と第2外側開口48とを結んだ仮想線に交差する。なお、第2ホッパ52及び第2吸着剤排出口54が本発明の第2供給部及び第2排出部に相当する。この第1反応室42の床58は、内側から外側に向かって傾斜しており、もっとも低い部分に第2吸着剤排出口54が設けられている。このように第2反応室42の床58が傾斜しているため、第2ホッパ52から供給される固体吸着剤Aが第2吸着剤排出口54まで移動するときの移動速度はガス通路12に面する側(第2内側開口44に近い領域)に比べてガス通路12に面しない側(第2外側開口48に近い領域)の方が速くなる。 The second reaction chamber 42 has a second hopper 52 capable of supplying the solid adsorbent A at the upper part and a screw conveyor 56 capable of discharging the solid adsorbent A via the second adsorbent outlet 54 at the lower part. is doing. For this reason, the solid adsorbent A moves from top to bottom due to its own weight. This moving direction intersects with an imaginary line connecting the second inner opening 44 and the second outer opening 48. The second hopper 52 and the second adsorbent discharge port 54 correspond to the second supply unit and the second discharge unit of the present invention. The floor 58 of the first reaction chamber 42 is inclined from the inside toward the outside, and the second adsorbent discharge port 54 is provided at the lowest portion. Since the floor 58 of the second reaction chamber 42 is inclined as described above, the moving speed when the solid adsorbent A supplied from the second hopper 52 moves to the second adsorbent discharge port 54 is increased in the gas passage 12. The side not facing the gas passage 12 (region close to the second outer opening 48) is faster than the side facing (region close to the second inner opening 44).
スライドバルブ110は、一方の面に上下方向に並んだ第1及び第2接続口121,122と他方の面に左右方向に並んだ第3及び第4接続口123,124とを有するハウジング120と、このハウジング120内で上下にスライド可能なスライド板160とを備えている。第1接続口121には、塩化水素や亜硫酸ガス、硫酸ガスなどの酸性ガス成分を含む未処理ガスが外部から供給されるガス供給管71が接続され、第2接続口122には、各化学吸着装置20,40を通過してきた処理済みガスを外部へ放出するガス排出管73が接続されている。また、第3接続口123には、通気管81を介して第1化学吸着装置20の第1外側開口28が接続され、第4接続口124には、通気管83を介して第2化学吸着装置40の第2外側開口48が接続されている。 The slide valve 110 includes a housing 120 having first and second connection ports 121 and 122 arranged in the vertical direction on one surface and third and fourth connection ports 123 and 124 arranged in the horizontal direction on the other surface. And a slide plate 160 slidable up and down within the housing 120. The first connection port 121 is connected to a gas supply pipe 71 to which an untreated gas containing an acidic gas component such as hydrogen chloride, sulfurous acid gas, or sulfuric acid gas is supplied from the outside, and the second connection port 122 is connected to each chemical. A gas discharge pipe 73 for discharging the processed gas that has passed through the adsorption devices 20 and 40 to the outside is connected. Further, the first outer opening 28 of the first chemical adsorption device 20 is connected to the third connection port 123 via the vent pipe 81, and the second chemical adsorption is connected to the fourth connection port 124 via the vent pipe 83. A second outer opening 48 of the device 40 is connected.
ハウジング120は、カーボン製のベース面部材130を支持するベース面支持体120aと、このベース面部材130と対向するカーボン製の対向面部材140を支持する対向面支持体120bとで構成されている。 The housing 120 includes a base surface support 120 a that supports the carbon base surface member 130, and a facing surface support 120 b that supports the carbon facing surface member 140 that faces the base surface member 130. .
ベース面支持体120aは、熱伝導率の高いアルミニウム製の板状の部材である。このベース面支持体120aには、対向面支持体120bと向かい合う面に窪み(図示せず)が設けられ、この窪みにベース面部材130が嵌め込まれている。第1及び第2接続口121,122は、ベース面支持体120aを厚さ方向に貫通している。ベース面部材130には、左右方向に長く伸びる長円形状の第1及び第2通過口131,132が上下方向に並んで設けられ、第1通過口131の略中央に第1接続口121が配置され、第2通過口132の略中央に第2接続口122が配置されている。このベース面部材130のうちベース面支持体120aと接する面には、第1及び第2通過口131,132の周囲に沿って設けられた凹溝にフッ素樹脂製のシールリングであるVリング135,136が嵌め込まれている。 The base surface support 120a is a plate-shaped member made of aluminum having a high thermal conductivity. The base surface support 120a is provided with a recess (not shown) on the surface facing the opposing surface support 120b, and the base surface member 130 is fitted into the recess. The first and second connection ports 121 and 122 penetrate the base surface support 120a in the thickness direction. The base surface member 130 is provided with ellipse-shaped first and second passage ports 131 and 132 that extend long in the left-right direction, and is arranged side by side in the vertical direction. The second connection port 122 is disposed substantially at the center of the second passage port 132. On the surface of the base surface member 130 in contact with the base surface support 120a, a V-ring 135, which is a fluororesin seal ring, is formed in a groove provided along the periphery of the first and second passage ports 131 and 132. , 136 are fitted.
対向面支持体120bは、ベース面支持体120aと同様、アルミニウム製の部材である。この対向面支持体120bには、ベース面支持体120aと向かい合う面に窪み125が設けられ、この窪み125に対向面部材140が嵌め込まれている。第3及び第4接続口123,124は、対向面支持体120bを厚さ方向に貫通している。対向面部材140には、上下方向に長く伸びる長円形状の第3及び第4通過口143,144が左右方向に並んで設けられ、第3通過口143の略中央に第3接続口123が配置され、第4通過口144の略中央に第4接続口124が配置されている。また、第3通過口143は、第1及び第2通過口131,132の右側と重なり合うように設けられ、第4通過口144は、第1及び第2通過口131,132の左側と重なり合うように設けられている。対向面部材140のうち対向面支持体120bと接する面には、第3及び第4通過口143,144の周囲に沿って設けられた凹溝にフッ素樹脂製のVリング145,146が嵌め込まれている。また、対向面支持体120bは、左右両側に所定の高さの突堤127,128が形成されている。ハウジング120は、ベース面支持体120aと対向面支持体120bとを重ね合わせた状態で、ベース面支持体120aの左右両側と対向面支持体120bの左右両側に形成された突堤127,128とを複数のネジで締結されている。このハウジング120の内部には、突堤127,128の存在により上下方向に連通する空洞が形成される。 The facing surface support 120b is a member made of aluminum like the base surface support 120a. The facing surface support 120 b is provided with a recess 125 on the surface facing the base surface support 120 a, and the facing surface member 140 is fitted into the recess 125. The third and fourth connection ports 123 and 124 penetrate the opposing surface support 120b in the thickness direction. The opposing surface member 140 is provided with ellipse-shaped third and fourth passage ports 143 and 144 that extend long in the up-down direction, and the third connection port 123 is provided substantially at the center of the third passage port 143. The fourth connection port 124 is disposed substantially at the center of the fourth passage port 144. Further, the third passage port 143 is provided so as to overlap the right side of the first and second passage ports 131 and 132, and the fourth passage port 144 is overlapped with the left side of the first and second passage ports 131 and 132. Is provided. V-rings 145 and 146 made of fluororesin are fitted into concave grooves provided along the periphery of the third and fourth passage ports 143 and 144 on the surface of the facing surface member 140 that contacts the facing surface support 120b. ing. Moreover, the opposing surface support body 120b is formed with jetties 127 and 128 having a predetermined height on both the left and right sides. The housing 120 includes, in a state in which the base surface support 120a and the facing surface support 120b are overlapped, the left and right sides of the base surface support 120a and the jetties 127 and 128 formed on the left and right sides of the facing surface support 120b. Fastened with multiple screws. Inside the housing 120, a cavity communicating in the vertical direction is formed by the presence of the jetty 127,128.
スライド板160は、制御部材に相当するものであり、マルテンサイト系ステンレス(SUS410)製の板状の部材である。このスライド板160は、ハウジング120に形成された空洞内にて、ベース面部材130と対向面部材140とに挟持されている。具体的には、スライド板160は、Vリング135,136,145,146が弾性力を有するため、ベース面部材130と対向面部材140とによって弾性支持される。この結果、スライド板160は上下方向に摺動可能に支持されると共に、スライド板160とベース面部材130とのシール性やスライド板160と対向面部材140とのシール性が確保される。また、スライド板160は、三角形の頂点の位置に3つの第1〜第3貫通孔161,162,163を有している。 The slide plate 160 corresponds to a control member, and is a plate-like member made of martensitic stainless steel (SUS410). The slide plate 160 is sandwiched between the base surface member 130 and the facing surface member 140 in a cavity formed in the housing 120. Specifically, the slide plate 160 is elastically supported by the base surface member 130 and the opposing surface member 140 because the V rings 135, 136, 145, and 146 have elastic force. As a result, the slide plate 160 is supported so as to be slidable in the vertical direction, and the sealing property between the slide plate 160 and the base surface member 130 and the sealing property between the slide plate 160 and the facing surface member 140 are ensured. The slide plate 160 has three first to third through holes 161, 162, and 163 at the positions of the apexes of the triangle.
ここで、スライド板160が第1姿勢に位置決めされたとき、図1に示すように、第1通過口131と第3通過口143とはスライド板160の第1貫通孔161によって連通が許容され、第2通過口132と第4通過口144とはスライド板160の第2貫通孔162によって連通が許容される。また、第1通過口131と第4通過口144、第2通過口132と第3通過口143とはスライド板160によって連通が遮断される。一方、スライド板160が第2姿勢に位置決めされたとき、図2に示すように、第1通過口131と第4通過口144とはスライド板160の第2貫通孔162によって連通が許容され、第2通過口132と第3通過口143とはスライド板160の第3貫通孔163によって連通が許容される。また、第1通過口131と第3通過口143、第2通過口132と第4通過口144とはスライド板160によって連通が遮断される。なお、ここでは、スライド板160は図示しない空気圧シリンダにより直線的に上下動させるものとした。 Here, when the slide plate 160 is positioned in the first posture, as shown in FIG. 1, the first passage port 131 and the third passage port 143 are allowed to communicate with each other through the first through-hole 161 of the slide plate 160. The second passage port 132 and the fourth passage port 144 are allowed to communicate with each other through the second through-hole 162 of the slide plate 160. Further, communication between the first passage port 131 and the fourth passage port 144, and the second passage port 132 and the third passage port 143 is blocked by the slide plate 160. On the other hand, when the slide plate 160 is positioned in the second posture, as shown in FIG. 2, the first passage port 131 and the fourth passage port 144 are allowed to communicate with each other through the second through hole 162 of the slide plate 160. The second passage port 132 and the third passage port 143 are allowed to communicate with each other through the third through hole 163 of the slide plate 160. Further, the communication between the first passage port 131 and the third passage port 143 and the second passage port 132 and the fourth passage port 144 are blocked by the slide plate 160. Here, the slide plate 160 is moved up and down linearly by a pneumatic cylinder (not shown).
次に、本実施形態のガス処理システム10の使用例について、図1及び図2を用いて説明する。ここでは、事前にガス通路12に設けられたヒータ14によって第1及び第2化学吸着装置20,40の暖機が行われ、第1及び第2反応室22,42における中和反応が進行しやすい温度に設定されているものとする。なお、暖機温度は、酸性ガス成分と固体吸着剤の組み合わせに応じて適宜適切な温度に設定すればよい。また、ガス排出管73の下流側には図示しないブロワ(誘引通風機)を接続し、このブロワを回転させることにより各反応室22,42やガス通路12、各通気管81,83の内部は負圧になっているものとする。 Next, the usage example of the gas processing system 10 of this embodiment is demonstrated using FIG.1 and FIG.2. Here, the first and second chemical adsorption devices 20 and 40 are warmed up by the heater 14 provided in the gas passage 12 in advance, and the neutralization reaction in the first and second reaction chambers 22 and 42 proceeds. It is assumed that the temperature is set easily. In addition, what is necessary is just to set warming-up temperature to a suitable temperature suitably according to the combination of an acidic gas component and a solid adsorbent. In addition, a blower (not shown) is connected to the downstream side of the gas discharge pipe 73, and the inside of each reaction chamber 22, 42, the gas passage 12, and each vent pipe 81, 83 is rotated by rotating this blower. Assume negative pressure.
スライドバルブ110のスライド板160を上にスライドさせて第1姿勢に位置決めした状態では、図1に示すように、ガス供給管71から供給された酸性ガス成分を含む未処理ガスは第1接続口121から第1通過口131、第1貫通孔161、第3通過口143、第3接続口123及び通気管81を通って第1化学吸着装置20の第1外側開口28から第1反応室22に進入する。第1反応室22に進入した未処理ガスは、図1にて右から左へ移動しながら第1反応室22内を上から下に移動する固体吸着剤Aと接触して中和反応を起こす。このとき、第1反応室22のうち第1外側開口28に近い領域では、未処理ガスは高濃度の酸性ガス成分を含んでいるため、中和反応による発熱量が多く高温になりやすい。一方、第1反応室22のうち第1内側開口24に近い領域では、酸性ガス成分の濃度が低下しているため、中和反応による発熱量は少なく高温になりにくい。このように、第1反応室22では第1外側開口28に近いほど高温になりやすい。しかし、第1外側開口28に近いほど固体吸着剤Aの移動速度が速いため、中和後の高温化した固体吸着剤Aは早期に排出されることから高温になりすぎることはない。さて、第1反応室22を通過したあとのガスは、ガス通路12を通過して第2化学吸着装置40の第2内側開口44から第2反応室42へ進入する。このガス通路12を通過する際、ガス温度はヒータ14により中和反応に適した温度に維持される。第2反応室42に進入した未処理ガスは、図1にて右から左へ移動しながら第2反応室42内を上から下に移動する固体吸着剤Aと接触して中和反応を起こすが、既に第1反応室22で酸性ガス成分の多くが除去されているため、中和反応による発熱量は少なく高温になりにくい。そして、第2反応室42を通過したあとのガスは、第2外側開口48、通気管83、第4接続口124,第4通過口144、第2貫通孔162、第2通過口132を通って第2接続口122からガス排出管73へと導出される。このようなガスの流れを順方向状態という。順方向状態で運転を継続すると、第1反応室22のうち第1外側開口28に近い領域が徐々に高温化する。 In a state in which the slide plate 160 of the slide valve 110 is slid upward and positioned in the first posture, as shown in FIG. 1, the untreated gas containing the acidic gas component supplied from the gas supply pipe 71 is discharged from the first connection port. The first reaction chamber 22 passes from the first outer opening 28 of the first chemical adsorption device 20 through the first passage 131, the first through hole 161, the third passage 143, the third connection port 123, and the vent pipe 81 from 121. Enter. The untreated gas that has entered the first reaction chamber 22 contacts the solid adsorbent A moving from the top to the bottom in the first reaction chamber 22 while moving from right to left in FIG. . At this time, in the region near the first outer opening 28 in the first reaction chamber 22, the untreated gas contains a high-concentration acidic gas component, so that the amount of heat generated by the neutralization reaction is large and the temperature tends to increase. On the other hand, in the region close to the first inner opening 24 in the first reaction chamber 22, the concentration of the acidic gas component is lowered, so the amount of heat generated by the neutralization reaction is small and it is difficult to reach a high temperature. Thus, the closer to the first outer opening 28 in the first reaction chamber 22, the higher the temperature becomes. However, since the moving speed of the solid adsorbent A is faster as it is closer to the first outer opening 28, the solid adsorbent A that has been heated to a high temperature after neutralization is discharged at an early stage, so that it does not become too high. The gas that has passed through the first reaction chamber 22 passes through the gas passage 12 and enters the second reaction chamber 42 from the second inner opening 44 of the second chemical adsorption device 40. When passing through the gas passage 12, the gas temperature is maintained at a temperature suitable for the neutralization reaction by the heater 14. The untreated gas that has entered the second reaction chamber 42 contacts the solid adsorbent A moving from the top to the bottom in the second reaction chamber 42 while moving from right to left in FIG. However, since most of the acidic gas components have already been removed in the first reaction chamber 22, the amount of heat generated by the neutralization reaction is small and it is difficult to reach a high temperature. The gas that has passed through the second reaction chamber 42 passes through the second outer opening 48, the vent pipe 83, the fourth connection port 124, the fourth passage port 144, the second through hole 162, and the second passage port 132. The second connection port 122 leads to the gas discharge pipe 73. Such a gas flow is called a forward state. When the operation is continued in the forward direction, the region near the first outer opening 28 in the first reaction chamber 22 gradually increases in temperature.
そして、第1反応室22のうち第1外側開口28に近い領域の温度が固体吸着剤Aの融着温度に達する前に、スライドバルブ110のスライド板160を下にスライドさせて第2姿勢に位置決めする。すると、図2に示すように、ガス供給管71から供給された未処理ガスは第1接続口121から第1通過口131、第2貫通孔162、第4通過口144、第4接続口124及び通気管83を通って第2化学吸着装置40の第2外側開口48から第2反応室42に進入する。第2反応室42に進入した未処理ガスは、図2にて左から右へ移動しながら第2反応室22内を上から下に移動する固体吸着剤Aと接触して中和反応を起こす。このとき、第2反応室42のうち第2外側開口48に近い領域では、未処理ガスは高濃度の酸性ガス成分を含んでいるため、中和反応による発熱量が多く高温になりやすい。一方、第2反応室42のうち第2内側開口44に近い領域では、酸性ガス成分の濃度が低下しているため、中和反応による発熱量は少なく高温になりにくい。このように、第2反応室42では第2外側開口48に近いほど高温になりやすい。しかし、第2外側開口48に近いほど固体吸着剤Aの移動速度が速いため、中和後の高温化した固体吸着剤Aは早期に排出されることから高温になりすぎることはない。そして、第2反応室42を通過したあとのガスは、ガス通路12を通過して第1化学吸着装置20の第1内側開口24から第1反応室22へ進入する。このガス通路12を通過する際、ガス温度はヒータ14により中和反応に適した温度に維持される。第1反応室22に進入した未処理ガスは、図2にて左から右へ移動しながら第1反応室22内を上から下に移動する固体吸着剤Aと接触して中和反応を起こすが、既に第2反応室42で酸性ガス成分の多くが除去されているため、中和反応による発熱量は少なく高温になりにくい。そして、第1反応室22を通過したあとのガスは、通気管81、第3接続口123,第3通過口143、第3貫通孔163、第2通過口132を通って第2接続口122からガス排出管73へと導出される。このようなガスの流れを逆方向状態という。逆方向状態で運転を継続すると、第2反応室42の第2外側開口48に近い領域が徐々に高温化する。また、前回まで順方向状態に設定されていて第1反応室22のうち第1外側開口28に近い領域が高温になっていたとしても、逆方向状態に設定されたあとはその領域の温度が徐々に低下するため、その領域で固体吸着剤Aが融着することはない。 Then, before the temperature of the region near the first outer opening 28 in the first reaction chamber 22 reaches the fusion temperature of the solid adsorbent A, the slide plate 160 of the slide valve 110 is slid down to the second posture. Position. Then, as shown in FIG. 2, the untreated gas supplied from the gas supply pipe 71 flows from the first connection port 121 to the first passage port 131, the second through hole 162, the fourth passage port 144, and the fourth connection port 124. And enters the second reaction chamber 42 from the second outer opening 48 of the second chemical adsorption device 40 through the vent pipe 83. The untreated gas that has entered the second reaction chamber 42 contacts the solid adsorbent A moving from the top to the bottom in the second reaction chamber 22 while moving from left to right in FIG. . At this time, in the region close to the second outer opening 48 in the second reaction chamber 42, the untreated gas contains a high concentration of acidic gas components, so that the amount of heat generated by the neutralization reaction is large and the temperature tends to increase. On the other hand, in the region close to the second inner opening 44 in the second reaction chamber 42, the concentration of the acidic gas component is reduced, so that the amount of heat generated by the neutralization reaction is small and it is difficult to reach a high temperature. Thus, in the second reaction chamber 42, the closer to the second outer opening 48, the higher the temperature. However, since the moving speed of the solid adsorbent A is faster as it is closer to the second outer opening 48, the high temperature solid adsorbent A after neutralization is discharged at an early stage, so that it does not become too high. The gas after passing through the second reaction chamber 42 passes through the gas passage 12 and enters the first reaction chamber 22 from the first inner opening 24 of the first chemical adsorption device 20. When passing through the gas passage 12, the gas temperature is maintained at a temperature suitable for the neutralization reaction by the heater 14. The untreated gas that has entered the first reaction chamber 22 contacts the solid adsorbent A moving from the top to the bottom in the first reaction chamber 22 while moving from left to right in FIG. However, since most of the acidic gas component has already been removed in the second reaction chamber 42, the amount of heat generated by the neutralization reaction is small and it is difficult to reach a high temperature. The gas after passing through the first reaction chamber 22 passes through the ventilation pipe 81, the third connection port 123, the third passage port 143, the third through hole 163, and the second passage port 132, and then the second connection port 122. To the gas discharge pipe 73. Such a gas flow is called a reverse state. When the operation is continued in the reverse direction, the region near the second outer opening 48 of the second reaction chamber 42 gradually increases in temperature. Even if the region close to the first outer opening 28 in the first reaction chamber 22 is set to the forward state until the previous time, the temperature of that region is set after the reverse state is set. Since it decreases gradually, the solid adsorbent A does not fuse in that region.
そして、第2反応室42の第2外側開口48に近い領域の温度が固体吸着剤Aの融着温度に達する前に、スライドバルブ110のスライド板160を上にスライドさせて第1姿勢に位置決めする。すると、再び図1のように未処理ガスの流れが切り替わる。この状態を継続することにより、第2反応室42のうち第2外側開口48に近い領域の温度が徐々に低下し、代わりに第1反応室22のうち第1外側開口28に近い領域の温度が徐々に上昇する。このように、適宜のタイミングでスライド板160を第1姿勢と第2姿勢との間で切り替えることにより、ガスの流れが順方向状態と逆方向状態との間で切り替わり、第1反応室22の温度と第2反応室42の温度を常に適正に保つことができる。その結果、いずれの反応室22,42でも固体吸着剤Aが融着するのを防止することができる。 Then, before the temperature of the region near the second outer opening 48 of the second reaction chamber 42 reaches the fusion temperature of the solid adsorbent A, the slide plate 160 of the slide valve 110 is slid upward and positioned in the first posture. To do. Then, the flow of the untreated gas is switched again as shown in FIG. By continuing this state, the temperature of the region near the second outer opening 48 in the second reaction chamber 42 gradually decreases, and instead the temperature of the region near the first outer opening 28 in the first reaction chamber 22. Gradually rises. As described above, by switching the slide plate 160 between the first posture and the second posture at an appropriate timing, the gas flow is switched between the forward direction state and the reverse direction state. The temperature and the temperature of the second reaction chamber 42 can always be kept appropriate. As a result, it is possible to prevent the solid adsorbent A from being fused in any of the reaction chambers 22 and 42.
以上詳述した本実施形態のガス処理システム10によれば、順方向状態と逆方向状態とを適宜切り替えることが可能であるため、各反応室22,42内の固体吸着剤Aが溶着するのを防止できる。また、酸性ガス成分を中和した後の固体吸着剤Aは第1及び第2吸着剤排出口34,54から排出されると共に新たな固体吸着剤Aが第1及び第2ホッパ32,52から供給されるため、各反応室22,42内の酸性ガス除去機能を長期間維持することができるし、上述したように固体吸着剤Aが溶着するのを防止できるため、固体吸着剤Aの流動性が悪化することがない。更に、順方向状態では第1反応室22のうち第1外側開口28に近い領域が高温になりやすく、逆方向状態では第2反応室42のうち第2外側開口48に近い領域が高温になりやすいが、これらの領域では固体吸着剤Aの移動速度が速いため、中和反応後の固体吸着剤Aがこれらの領域にとどまっている時間が短いことから高温になりすぎるのを防止できる。更にまた、未処理ガスが第1反応室22から第2反応室24へ流れるように設定した場合には、第2反応室24は排ガスと固体吸着剤Aとの熱交換により蓄熱される。このため、未処理ガスが第2反応室24から第1反応室22へ流れるようにスライドバルブ110を切り替えたとき、未処理ガスは第2反応室24の蓄熱を利用して予熱され、未処理ガスの暖機に必要な、ヒータ14からの熱エネルギーを低減できる。この点は、未処理ガスが第2反応室24から第1反応室22へ流れるように設定したあと第1反応室22から第2反応室24へ流れるように切り替えた場合も同様である。 According to the gas processing system 10 of the present embodiment described in detail above, since the forward state and the reverse state can be appropriately switched, the solid adsorbent A in each reaction chamber 22, 42 is welded. Can be prevented. Further, the solid adsorbent A after neutralizing the acid gas component is discharged from the first and second adsorbent discharge ports 34 and 54, and a new solid adsorbent A is discharged from the first and second hoppers 32 and 52. Since it is supplied, the acidic gas removal function in each reaction chamber 22, 42 can be maintained for a long period of time, and the solid adsorbent A can be prevented from welding as described above. Sex does not deteriorate. Further, in the forward direction, the region near the first outer opening 28 in the first reaction chamber 22 is likely to be hot, and in the reverse state, the region near the second outer opening 48 in the second reaction chamber 42 is hot. Although it is easy, since the moving speed of the solid adsorbent A is fast in these regions, the time during which the solid adsorbent A after the neutralization reaction stays in these regions is short, so that the temperature can be prevented from becoming too high. Furthermore, when the untreated gas is set to flow from the first reaction chamber 22 to the second reaction chamber 24, the second reaction chamber 24 is stored by heat exchange between the exhaust gas and the solid adsorbent A. For this reason, when the slide valve 110 is switched so that the untreated gas flows from the second reaction chamber 24 to the first reaction chamber 22, the untreated gas is preheated using the heat storage in the second reaction chamber 24, The heat energy from the heater 14 necessary for warming up the gas can be reduced. This is the same when the untreated gas is set to flow from the second reaction chamber 24 to the first reaction chamber 22 and then switched to flow from the first reaction chamber 22 to the second reaction chamber 24.
[第2実施形態]
図3及び図4は、第2実施形態のガス処理システム210の説明図であり、図3は、スライドバルブ110を順方向状態に設定したとき、図4は、スライドバルブ110を逆方向状態に設定したときを表す。
[Second Embodiment]
3 and 4 are explanatory diagrams of the gas processing system 210 according to the second embodiment. FIG. 3 shows the slide valve 110 in the reverse direction when the slide valve 110 is set in the forward direction. When set.
ガス処理システム210は、ヒータ214が取り付けられガスが上下方向に流通可能なガス通路212と、このガス通路212の片側に配置された第1化学吸着装置220と、ガス通路212のもう片側に配置された第2化学吸着装置240と、未処理ガスの供給や処理済みガスの排出の経路を切り替える切替器としてのスライドバルブ110を備えている。スライドバルブ110は、第1実施形態で採用したものと同じであるため、具体的な説明を省略する。 The gas processing system 210 includes a gas passage 212 to which a heater 214 is attached and gas can flow in the vertical direction, a first chemical adsorption device 220 disposed on one side of the gas passage 212, and a gas passage 212 on the other side. The second chemical adsorption device 240 is provided with a slide valve 110 as a switch for switching the route of supply of untreated gas and discharge of treated gas. Since the slide valve 110 is the same as that employed in the first embodiment, a specific description thereof will be omitted.
第1化学吸着装置220は、粒状の固体吸着剤Aが充填された第1反応室222を備えている。この第1反応室222は、第2化学吸着装置240の第2反応室242と共通化された大反応室221の上半分に相当する。この第1反応室222のうち、ガス通路212に面する側にはガス通過口である第1内側開口224が形成されている。この第1内側開口224は、ガス通路212に通じている。また、第1内側開口224には、複数の羽板226が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。一方、ガス通路212とは反対側つまりガス通路212に面しない側にもガス通過口である第1外側開口228が形成されている。この第1外側開口228は、スライドバルブ110の第3接続口123と通気管81を介して接続されている。また、第1外側開口228には、第1内側開口224と同様、複数の羽板230が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。 The first chemical adsorption device 220 includes a first reaction chamber 222 filled with a granular solid adsorbent A. The first reaction chamber 222 corresponds to the upper half of the large reaction chamber 221 that is shared with the second reaction chamber 242 of the second chemical adsorption device 240. A first inner opening 224 which is a gas passage port is formed in the first reaction chamber 222 on the side facing the gas passage 212. The first inner opening 224 communicates with the gas passage 212. A plurality of slats 226 are attached to the first inner opening 224 in parallel with a predetermined gap. On the other hand, a first outer opening 228 that is a gas passage port is also formed on the side opposite to the gas passage 212, that is, the side not facing the gas passage 212. The first outer opening 228 is connected to the third connection port 123 of the slide valve 110 via the vent pipe 81. Further, similar to the first inner opening 224, a plurality of blades 230 are attached to the first outer opening 228 in parallel with a predetermined gap.
第2化学吸着装置240は、粒状の固体吸着剤Aが充填された第2反応室242を備えている。この第2反応室242は、大反応室221の下半分に相当する。この第2反応室242のうち、ガス通路212に面する側にはガス通過口である第2内側開口244が形成されている。この第2内側開口244は、ガス通路212に通じている。また、第2内側開口244には、複数の羽板246が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。一方、ガス通路212とは反対側つまりガス通路212に面しない側にもガス通過口である第2外側開口248が形成されている。この第2外側開口248は、スライドバルブ110の第4接続口124と通気管83を介して接続されている。また、第2外側開口248には、第2内側開口244と同様、複数の羽板250が所定の隙間をもって平行に取り付けられている。なお、羽板226,230,246,250は第1実施形態の羽板と同じ形状で同じ機能を有する。 The second chemical adsorption device 240 includes a second reaction chamber 242 filled with a granular solid adsorbent A. The second reaction chamber 242 corresponds to the lower half of the large reaction chamber 221. A second inner opening 244 that is a gas passage port is formed in the second reaction chamber 242 on the side facing the gas passage 212. The second inner opening 244 communicates with the gas passage 212. A plurality of slats 246 are attached to the second inner opening 244 in parallel with a predetermined gap. On the other hand, a second outer opening 248 that is a gas passage port is also formed on the side opposite to the gas passage 212, that is, the side not facing the gas passage 212. The second outer opening 248 is connected to the fourth connection port 124 of the slide valve 110 via the vent pipe 83. Further, like the second inner opening 244, a plurality of wing plates 250 are attached to the second outer opening 248 in parallel with a predetermined gap. The slats 226, 230, 246, 250 have the same shape and the same function as the slats of the first embodiment.
大反応室221は、上部に固体吸着剤Aを供給可能なホッパ232を有すると共に、下部に吸着剤排出口234を介して固体吸着剤Aを排出可能なスクリューコンベヤ236を有している。このため、固体吸着剤Aは自重により上から下へ移動する。この移動方向は、第1内側開口224と第1外側開口228とを結んだ仮想線や第2内側開口244と第2外側開口248とを結んだ仮想線に交差する。なお、ホッパ232及び吸着剤排出口234が本発明の供給部及び排出部に相当する。この大反応室221の床238は、内側から外側に向かって傾斜しており、もっとも低い部分に吸着剤排出口234が設けられている。このように大反応室221の床238が傾斜しているため、ホッパ232から供給される固体吸着剤Aが吸着剤排出口234まで上下方向に移動するときの移動速度はガス通路212に面する側(第1及び第2内側開口224,244に近い領域)に比べてガス通路212に面しない側(第1及び第2外側開口228,248に近い領域)の方が速くなる。 The large reaction chamber 221 has a hopper 232 capable of supplying the solid adsorbent A at the upper portion and a screw conveyor 236 capable of discharging the solid adsorbent A via the adsorbent discharge port 234 at the lower portion. For this reason, the solid adsorbent A moves from top to bottom due to its own weight. This moving direction intersects with an imaginary line connecting the first inner opening 224 and the first outer opening 228 and an imaginary line connecting the second inner opening 244 and the second outer opening 248. The hopper 232 and the adsorbent discharge port 234 correspond to the supply unit and the discharge unit of the present invention. The floor 238 of the large reaction chamber 221 is inclined from the inside toward the outside, and the adsorbent discharge port 234 is provided at the lowest portion. Since the floor 238 of the large reaction chamber 221 is thus inclined, the moving speed when the solid adsorbent A supplied from the hopper 232 moves up and down to the adsorbent discharge port 234 faces the gas passage 212. The side that does not face the gas passage 212 (region close to the first and second outer openings 228 and 248) is faster than the side (region close to the first and second inner openings 224 and 244).
次に、本実施形態のガス処理システム210の使用例について、図3及び図4を用いて説明する。ここでは、事前にガス通路212に設けられたヒータ214によって第1及び第2化学吸着装置220,240の暖機が行われ、第1及び第2反応室222,242における中和反応が進行しやすい温度に設定されている。また、ガス排出管73の下流側には図示しないブロワ(誘引通風機)を接続し、このブロワを回転させることにより各反応室220,240やガス通路212、各通気管81,83の内部は負圧になっているものとする。 Next, a usage example of the gas processing system 210 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4. Here, the first and second chemical adsorption devices 220 and 240 are warmed up by the heater 214 provided in the gas passage 212 in advance, and the neutralization reaction in the first and second reaction chambers 222 and 242 proceeds. Easy to set temperature. Further, a blower (not shown) is connected to the downstream side of the gas discharge pipe 73, and the inside of each reaction chamber 220, 240, gas passage 212, and each vent pipe 81, 83 is rotated by rotating this blower. Assume negative pressure.
スライドバルブ110のスライド板160を上にスライドさせて第1姿勢に位置決めした状態(図1参照)では、未処理ガスは順方向に流れる。すなわち、図3に示すように、ガス供給管71から供給された酸性ガス成分を含む未処理ガスは、スライドバルブ110を経て通気管81を通って第1化学吸着装置220の第1外側開口228から第1反応室222に進入し、この第1反応室222内の固体吸着剤Aと中和反応を起こす。第1反応室222を通過したあとのガスは、ガス通路212を通過して第2化学吸着装置240の第2内側開口244から第2反応室242へ進入する。そして、第2反応室242を通過したあとのガスは、第2外側開口248から、通気管83を通ってスライドバルブ110を経てガス排出管73へと導出される。こうした順方向状態では、第1反応室222のうち第1外側開口228に近い領域で中和反応が活発に起こるため、この領域の温度が最も高くなりやすい。 In a state where the slide plate 160 of the slide valve 110 is slid upward and positioned in the first posture (see FIG. 1), the untreated gas flows in the forward direction. That is, as shown in FIG. 3, the untreated gas containing the acidic gas component supplied from the gas supply pipe 71 passes through the vent pipe 81 through the slide valve 110 and the first outer opening 228 of the first chemical adsorption device 220. Enters the first reaction chamber 222 and causes a neutralization reaction with the solid adsorbent A in the first reaction chamber 222. The gas after passing through the first reaction chamber 222 passes through the gas passage 212 and enters the second reaction chamber 242 from the second inner opening 244 of the second chemical adsorption device 240. The gas after passing through the second reaction chamber 242 is led out from the second outer opening 248 to the gas exhaust pipe 73 through the vent pipe 83 and the slide valve 110. In such a forward state, since the neutralization reaction occurs actively in a region near the first outer opening 228 in the first reaction chamber 222, the temperature in this region tends to be highest.
そして、第1反応室222のうち第1外側開口228に近い領域の温度が固体吸着剤Aの融着温度に達する前に、スライドバルブ110のスライド板160を下にスライドさせて第2姿勢に位置決めする(図2参照)。すると、未処理ガスは逆方向に流れる。すなわち、図4に示すように、ガス供給管71から供給された未処理ガスは、スライドバルブ110を経て通気管83を通って第2化学吸着装置240の第2外側開口248から第2反応室242に進入し、この第2反応室242内の固体吸着剤Aと中和反応を起こす。第2反応室242を通過したあとのガスは、ガス通路212を通過して第1化学吸着装置220の第1内側開口224から第1反応室222へ進入する。そして、第1反応室222を通過したあとのガスは、第1外側開口228から、通気管81を通ってスライドバルブ110を経てガス排出管73へと導出される。こうした逆方向状態では、第2反応室242のうち第2外側開口248に近い領域で中和反応が活発に起こるため、この領域の温度が最も高くなりやすい。 Then, before the temperature of the region close to the first outer opening 228 in the first reaction chamber 222 reaches the fusion temperature of the solid adsorbent A, the slide plate 160 of the slide valve 110 is slid down to the second posture. Position (see FIG. 2). Then, the untreated gas flows in the reverse direction. That is, as shown in FIG. 4, the untreated gas supplied from the gas supply pipe 71 passes through the slide valve 110, the vent pipe 83, and the second reaction chamber 240 from the second outer opening 248. 242 enters and causes a neutralization reaction with the solid adsorbent A in the second reaction chamber 242. The gas after passing through the second reaction chamber 242 passes through the gas passage 212 and enters the first reaction chamber 222 from the first inner opening 224 of the first chemical adsorption device 220. Then, the gas after passing through the first reaction chamber 222 is led out from the first outer opening 228 through the vent pipe 81 to the gas exhaust pipe 73 through the slide valve 110. In such a reverse direction, the neutralization reaction occurs actively in a region near the second outer opening 248 in the second reaction chamber 242, and therefore the temperature in this region is likely to be highest.
そして、第2反応室242のうち第2外側開口248に近い領域の温度が固体吸着剤Aの融着温度に達する前に、スライドバルブ110のスライド板160を上にスライドさせて第1姿勢に位置決めする。すると、未処理ガスの流れが順方向に切り替わる。この状態を継続することにより、第2反応室242のうち第2外側開口248に近い領域の温度が徐々に低下し、代わりに第1反応室222のうち第1外側開口228に近い領域の温度が徐々に上昇する。このように、適宜のタイミングでスライド板160を第1姿勢と第2姿勢との間で切り替えることにより、ガスの流れが順方向状態と逆方向状態との間で切り替わり、第1反応室222の温度と第2反応室242の温度を常に適正に保つことができる。その結果、いずれの反応室222,242でも固体吸着剤Aが融着するのを防止することができる。 Then, before the temperature of the region close to the second outer opening 248 in the second reaction chamber 242 reaches the fusion temperature of the solid adsorbent A, the slide plate 160 of the slide valve 110 is slid upward to the first posture. Position. Then, the flow of untreated gas is switched in the forward direction. By continuing this state, the temperature of the region near the second outer opening 248 in the second reaction chamber 242 gradually decreases, and instead the temperature of the region near the first outer opening 228 in the first reaction chamber 222. Gradually rises. As described above, by switching the slide plate 160 between the first posture and the second posture at an appropriate timing, the gas flow is switched between the forward direction state and the reverse direction state. The temperature and the temperature of the second reaction chamber 242 can always be kept appropriate. As a result, it is possible to prevent the solid adsorbent A from being fused in any of the reaction chambers 222 and 242.
以上詳述した本実施形態のガス処理システム210によれば、第1実施形態と同様の効果が得られる。また、第1反応室222と第2反応室242とが共通化されているため、第1実施形態と比べてシステム全体をコンパクトにすることができる。ちなみに、第1実施形態では、第1及び第2化学吸着装置20,40が別々に設けられているため、一方が高温化したときにその熱が他方に伝わりにくく、各反応室22,42内の固体吸着剤Aが溶着するのをより確実に防止できる。 According to the gas processing system 210 of this embodiment described in detail above, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Further, since the first reaction chamber 222 and the second reaction chamber 242 are shared, the entire system can be made compact compared to the first embodiment. Incidentally, in 1st Embodiment, since the 1st and 2nd chemical adsorption apparatuses 20 and 40 are provided separately, when one side heats up, it is hard to transmit the heat to the other, and each reaction chamber 22 and 42 inside It is possible to more reliably prevent the solid adsorbent A from welding.
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that the present invention can be implemented in various modes as long as it belongs to the technical scope of the present invention.
例えば、上述した第1及び第2実施形態では、切替器としてスライドバルブ110を採用したが、スライドバルブ110の代わりに図5及び図6に示すように複数の配管74〜77及び開閉バルブ74a〜77aを採用してもよい。具体的には、第1化学吸着装置20の第1外側スペース25に導入管74と導出管77を接続し、第2化学吸着装置40の第2外側スペース45に導入管75と導出管76を接続し、各管74〜77に開閉バルブ74a〜77aを取り付ける。そして、図5のように、開閉バルブ74a,76aを開、開閉バルブ75a,77aを閉とすると、未処理ガスは、導入管74から第1化学吸着装置20、ガス通路12及び第2化学吸着装置40をこの順に通過したあと導出管76に導出される(順方向状態)。一方、図6のように、開閉バルブ74a,76aを閉、開閉バルブ75a,77aを開に切り替えると、未処理ガスは、導入管75から第2化学吸着装置40、ガス通路12及び第1化学吸着装置20をこの順に通過したあと導出管77に導出される。この場合でも、上述した第1及び第2実施形態と同様の効果が得られる。但し、図5及び図6では、4つの開閉バルブ74a〜77aを操作する必要があるのに対して、スライドバルブ110を採用した場合にはこのスライドバルブ110を1つだけ操作すればよいため、ガスの流れを切り替えるのに必要な構成をコンパクトにすることができる。 For example, in the first and second embodiments described above, the slide valve 110 is employed as the switch. However, instead of the slide valve 110, a plurality of pipes 74 to 77 and on-off valves 74a to 74a are used as shown in FIGS. 77a may be adopted. Specifically, the introduction pipe 74 and the outlet pipe 77 are connected to the first outer space 25 of the first chemical adsorption apparatus 20, and the introduction pipe 75 and the outlet pipe 76 are connected to the second outer space 45 of the second chemical adsorption apparatus 40. Connect and attach the open / close valves 74a to 77a to the pipes 74 to 77, respectively. As shown in FIG. 5, when the on-off valves 74a and 76a are opened and the on-off valves 75a and 77a are closed, the untreated gas flows from the introduction pipe 74 to the first chemical adsorption device 20, the gas passage 12 and the second chemical adsorption. After passing through the device 40 in this order, it is led out to the lead-out pipe 76 (forward direction state). On the other hand, as shown in FIG. 6, when the on-off valves 74a, 76a are closed and the on-off valves 75a, 77a are switched to open, the untreated gas flows from the introduction pipe 75 to the second chemical adsorption device 40, the gas passage 12 and the first chemical. After passing through the adsorption device 20 in this order, it is led out to the lead-out pipe 77. Even in this case, the same effects as those of the first and second embodiments described above can be obtained. However, in FIGS. 5 and 6, it is necessary to operate the four open / close valves 74 a to 77 a, whereas when the slide valve 110 is employed, only one slide valve 110 needs to be operated. The configuration necessary for switching the gas flow can be made compact.
上述した第1実施形態では、第1及び第2反応室22,42内を固体吸着剤Aが上から下へ移動するようにしたが、第1及び第2ホッパ32,52及び第1及び第2吸着剤排出口34,54を閉鎖して固体吸着剤Aを移動しないようにしてもよい。また、第2実施形態についても、同様に固体吸着剤Aを移動しないようにしてもよい。この場合、運転を継続するに従って固体吸着剤Aは酸性ガス成分を中和する能力が低下するため、適宜のタイミングで固体吸着剤Aを新品に交換することが好ましい。このとき、通気可能なカートリッジ容器に固体吸着剤Aを詰めて、カートリッジ容器ごと交換するようにしてもよい。こうすれば、固体吸着剤Aの交換作業が容易になる。 In the first embodiment described above, the solid adsorbent A moves from the top to the bottom in the first and second reaction chambers 22 and 42. However, the first and second hoppers 32 and 52 and the first and second hoppers 2 The adsorbent outlets 34 and 54 may be closed so that the solid adsorbent A does not move. Similarly, in the second embodiment, the solid adsorbent A may not be moved. In this case, since the solid adsorbent A has a reduced ability to neutralize the acidic gas component as the operation is continued, it is preferable to replace the solid adsorbent A with a new one at an appropriate timing. At this time, the solid adsorbent A may be packed in an air permeable cartridge container, and the entire cartridge container may be replaced. By doing so, the replacement work of the solid adsorbent A is facilitated.
上述した第1実施形態では、ガス通路12にヒータ14を取り付けたが、第1及び第2反応室22,42内にヒータを取り付けて、これらのヒータにより各反応室22,42内の暖機などを行うようにしてもよい。また、第2実施形態でも、同様に大反応室221にヒータを取り付けて、これらのヒータにより各反応室222,242内の暖機などを行うようにしてもよい。この場合、ヒータ14,214を省略してもよい。 In the first embodiment described above, the heater 14 is attached to the gas passage 12, but heaters are attached to the first and second reaction chambers 22 and 42, and the heaters in the reaction chambers 22 and 42 are warmed up by these heaters. Etc. may be performed. Also in the second embodiment, similarly, heaters may be attached to the large reaction chamber 221 to warm up the reaction chambers 222 and 242 with these heaters. In this case, the heaters 14 and 214 may be omitted.
上述した第1及び第2実施形態では、固体吸着剤Aを単独で用いたが、固体吸着剤Aと酸化触媒との混合物を用いてもよい。こうすれば、未処理ガスにハロゲン化炭化水素(例えばトリクロロエチレンなど)が含まれる場合、そのハロゲン化炭化水素が酸化触媒によってハロゲン化水素やハロゲンガスなどに分解したあと固体吸着剤Aに吸着されるため、未処理ガスを効率よく浄化することができる。ここで、酸化触媒は、未処理ガスに含まれるハロゲン化炭化水素の種類によって適宜選択すればよいが、例えば酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などが挙げられる。 In the first and second embodiments described above, the solid adsorbent A is used alone, but a mixture of the solid adsorbent A and the oxidation catalyst may be used. In this way, when the untreated gas contains a halogenated hydrocarbon (for example, trichloroethylene), the halogenated hydrocarbon is decomposed into hydrogen halide, halogen gas, etc. by the oxidation catalyst and then adsorbed on the solid adsorbent A. Therefore, the untreated gas can be purified efficiently. Here, the oxidation catalyst may be appropriately selected depending on the type of halogenated hydrocarbon contained in the untreated gas, and examples thereof include iron oxide, aluminum oxide, and silicon oxide.
上述した第1及び第2実施形態では、ガスの流れをスライドバルブ110により順方向状態から逆方向状態に切り替えるときには、通気管81に溜まった未処理ガスがそのままガス排出管73から排出されることになり、逆方向状態から順方向状態に切り替えるときには、通気管83に溜まった未処理ガスがそのままガス排出管73に排出されることになる。このため、例えば図7に示すように、ガス供給管71にバルブ78を介して無害なガス(例えば空気など)を供給可能な構成としておき、スライドバルブ110を切り替える直前にそのバルブ78を開いて未処理ガスを無害なガスで十分希釈し、その後、そのバルブ78を閉めてスライドバルブ110を切り替えるのが好ましい。こうすれば、酸性ガス成分を高濃度に含む未処理ガスがそのまま放出されるのを防止することができる。あるいは、ガス供給管71とガス排出管73との間にバルブ付きの連通管を取り付けると共に、ガス排出管73のうち連通管の取付位置より下流側にバルブを取り付けた構成としておき、通常は連通管を閉鎖すると共にガス排出管73を開放し、スライドバルブ110を切り替えた直後の所定期間は連通管を開放すると共にガス排出管73を閉鎖してもよい。こうすれば、未処理ガスがそのままガス排出管73に戻ってきたとしても、連通管を介してその未処理ガスを再びガス供給管71に戻すことができる。 In the first and second embodiments described above, when the gas flow is switched from the forward direction state to the reverse direction state by the slide valve 110, the untreated gas accumulated in the vent pipe 81 is directly discharged from the gas discharge pipe 73. Thus, when switching from the reverse direction state to the forward direction state, the untreated gas accumulated in the vent pipe 83 is directly discharged to the gas discharge pipe 73. For this reason, for example, as shown in FIG. 7, the gas supply pipe 71 is configured to be able to supply harmless gas (for example, air) via the valve 78, and the valve 78 is opened immediately before switching the slide valve 110. It is preferable to dilute the untreated gas sufficiently with a harmless gas, and then close the valve 78 to switch the slide valve 110. In this way, it is possible to prevent the untreated gas containing the acidic gas component at a high concentration from being released as it is. Alternatively, a communication pipe with a valve is attached between the gas supply pipe 71 and the gas exhaust pipe 73, and a valve is attached downstream from the attachment position of the communication pipe in the gas exhaust pipe 73. The pipe may be closed and the gas discharge pipe 73 may be opened, and the communication pipe may be opened and the gas discharge pipe 73 may be closed for a predetermined period immediately after the slide valve 110 is switched. In this way, even if the untreated gas returns to the gas discharge pipe 73 as it is, the untreated gas can be returned to the gas supply pipe 71 again through the communication pipe.
10 ガス処理システム、12 ガス通路、14 ヒータ、20 第1化学吸着装置、22 第1反応室、23 第1内側スペース、24 第1内側開口、25 第1外側スペース、26,30,46,50 羽板、28 第1外側開口、32 第1ホッパ、34 第1吸着剤排出口、36,56 スクリューコンベヤ、38,58 床、40 第2化学吸着装置、42 第2反応室、43 第2内側スペース、44 第2内側開口、45 第2外側スペース、48 第2外側開口、52 第2ホッパ、54 第2吸着剤排出口、71 ガス供給管、73 ガス放出管、74,75 導入管、74a〜77a 開閉バルブ、76,77 導出管、78 バルブ、81,83 通気管、110 スライドバルブ、120 ハウジング、120a ベース面支持体、120b 対向面支持体、121 第1接続口、122 第2接続口、123 第3接続口、124 第4接続口、125 窪み、127,128 突堤、130 ベース面部材、131 第1通過口、132 第2通過口、135,136,145,146 Vリング、140 対向面部材、143 第3通過口、144 第4通過口、160 スライド板、161〜163 第1〜第3貫通孔、210 ガス処理システム、212 ガス通路、214 ヒータ、220 第1化学吸着装置、221 大反応室、222 第1反応室、224 第1内側開口、226,230,246,250 羽板、228 第1外側開口、232 ホッパ、234 吸着剤排出口、236 スクリューコンベヤ、238 床、240 第2化学吸着装置、242 第2反応室、244 第2内側開口、248 第2外側開口路、A 固体吸着剤。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Gas processing system, 12 Gas passage, 14 Heater, 20 1st chemical adsorption apparatus, 22 1st reaction chamber, 23 1st inner space, 24 1st inner opening, 25 1st outer space, 26, 30, 46, 50 Wings, 28 First outer opening, 32 First hopper, 34 First adsorbent outlet, 36,56 Screw conveyor, 38,58 Floor, 40 Second chemical adsorption device, 42 Second reaction chamber, 43 Second inner Space, 44 Second inner opening, 45 Second outer space, 48 Second outer opening, 52 Second hopper, 54 Second adsorbent outlet, 71 Gas supply pipe, 73 Gas discharge pipe, 74,75 Inlet pipe, 74a ˜77a Open / close valve, 76,77 Lead pipe, 78 valve, 81,83 Vent pipe, 110 Slide valve, 120 housing, 120a Base surface support, 12 0b Opposite surface support, 121 1st connection port, 122 2nd connection port, 123 3rd connection port, 124 4th connection port, 125 depression, 127,128 jetty, 130 Base surface member, 131 1st passage port, 132 2nd passage port, 135, 136, 145, 146 V ring, 140 Opposing surface member, 143 3rd passage port, 144 4th passage port, 160 Slide plate, 161-163 First to third through hole, 210 Gas treatment System, 212 gas passage, 214 heater, 220 first chemical adsorption device, 221 large reaction chamber, 222 first reaction chamber, 224 first inner opening, 226, 230, 246, 250 vane, 228 first outer opening, 232 Hopper, 234 Adsorbent outlet, 236 Screw conveyor, 238 floor, 240 Second chemical adsorption device, 242 Second reaction chamber, 2 4 second inner opening, 248 second outer opening path, A solid adsorbent.
Claims (10)
酸性ガス成分を中和反応により吸着可能な固体吸着剤が充填された第1反応室を有し、該第1反応室のうち前記ガス通路に面する側と前記ガス通路に面しない側にそれぞれガス通過口が設けられた第1化学吸着装置と、
酸性ガス成分を中和反応により吸着可能な固体吸着剤が充填された第2反応室を有し、該第2反応室のうち前記ガス通路に面する側と前記ガス通路に面しない側にそれぞれガス通過口が設けられた第2化学吸着装置と、
前記第1反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に未処理ガスを供給し、前記第1反応室、前記ガス通路及び前記第2反応室をこの順に通過した処理済みガスを前記第2反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口から排出する順方向状態か、前記第2反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に未処理ガスを供給し、前記第2反応室、前記ガス通路及び前記第1反応室をこの順に通過した処理済みガスを前記第1反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口から排出する逆方向状態かを切り替える切替器と、
を備え、
前記第1化学吸着装置は、前記第1反応室へ固体吸着剤を供給可能な第1供給部と、前記第1反応室から固体吸着剤を排出可能な第1排出部と、を備え、前記第1供給部から前記第1反応室へ供給された固体吸着剤は前記第1反応室の前記両ガス通過口を結ぶ仮想線と交差する方向に移動して前記第1排出部から排出されるように構成され、
前記第2化学吸着装置は、前記第2反応室へ固体吸着剤を供給可能な第2供給部と、前記第2反応室から固体吸着剤を排出可能な第2排出部と、を備え、前記第2供給部から前記第2反応室へ供給された固体吸着剤は前記第2反応室の前記両ガス通過口を結ぶ仮想線と交差する方向に移動して前記第2排出部から排出されるように構成されている、
ガス処理システム。 A gas passage,
A first reaction chamber filled with a solid adsorbent capable of adsorbing an acidic gas component by a neutralization reaction, the first reaction chamber on the side facing the gas passage and on the side not facing the gas passage; A first chemical adsorption device provided with a gas passage;
A second reaction chamber filled with a solid adsorbent capable of adsorbing an acidic gas component by a neutralization reaction, and a side facing the gas passage and a side not facing the gas passage of the second reaction chamber, respectively; A second chemical adsorption device provided with a gas passage;
The process which supplied untreated gas to the gas passage provided in the side which does not face the said gas channel among the said 1st reaction chamber, and passed through the said 1st reaction chamber, the said gas channel, and the said 2nd reaction chamber in this order. The exhaust gas is discharged from a gas passage port provided on the side of the second reaction chamber that does not face the gas passage, or is provided on the side of the second reaction chamber that does not face the gas passage. An untreated gas is supplied to the gas passage, and the treated gas that has passed through the second reaction chamber, the gas passage, and the first reaction chamber in this order is placed on the side of the first reaction chamber that does not face the gas passage. A switch for switching between the reverse direction of discharging from the provided gas passage,
Equipped with a,
The first chemical adsorption device includes a first supply unit capable of supplying a solid adsorbent to the first reaction chamber, and a first discharge unit capable of discharging the solid adsorbent from the first reaction chamber, The solid adsorbent supplied from the first supply unit to the first reaction chamber moves in a direction crossing an imaginary line connecting the two gas passage ports of the first reaction chamber and is discharged from the first discharge unit. Configured as
The second chemical adsorption device includes a second supply unit capable of supplying a solid adsorbent to the second reaction chamber, and a second discharge unit capable of discharging the solid adsorbent from the second reaction chamber, The solid adsorbent supplied from the second supply unit to the second reaction chamber moves in a direction crossing an imaginary line connecting the two gas passage ports of the second reaction chamber and is discharged from the second discharge unit. Configured as
Gas processing system.
請求項1に記載のガス処理システム。 The gas processing system according to claim 1.
前記第2化学吸着装置は、前記第2反応室のうち前記ガス通路に面する側に設けられたガス通過口に近い領域に比べて前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口に近い領域の方が固体吸着剤の移動速度が速くなるように構成されている、
請求項1又は2に記載のガス処理システム。 The first chemical adsorption device has a gas passage port provided on a side not facing the gas passage as compared to a region near the gas passage port provided on the side facing the gas passage in the first reaction chamber. It is configured so that the moving speed of the solid adsorbent is faster in the closer area,
The second chemical adsorption device has a gas passage opening provided on a side not facing the gas passage as compared with a region near the gas passage opening provided on the side facing the gas passage in the second reaction chamber. It is configured so that the moving speed of the solid adsorbent is faster in the near area,
The gas processing system according to claim 1 or 2 .
請求項1〜3のいずれか1項に記載のガス処理システム。 The first and second chemical adsorption devices are formed separately.
The gas processing system according to any one of claims 1 to 3 .
前記第1化学吸着装置の両ガス通過口は、前記大反応室のうち前記ガス通路に面する側と前記ガス通路に面しない側にそれぞれ設けられ、
前記第2化学吸着装置の両ガス通過口は、前記第1化学吸着装置の両ガス通過口とは別に、前記大反応室のうち前記ガス通路に面する側と前記ガス通路に面しない側にそれぞれ設けられている、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のガス処理システム。 The first reaction chamber of the first chemical adsorption device and the second reaction chamber of the second chemical adsorption device are shared to form one large reaction chamber,
Both gas passage ports of the first chemical adsorption device are respectively provided on the side facing the gas passage and the side not facing the gas passage in the large reaction chamber,
The gas passage ports of the second chemical adsorption device are separated from the gas passage ports of the first chemical adsorption device on the side facing the gas passage and the side not facing the gas passage in the large reaction chamber. Each provided,
The gas processing system according to any one of claims 1 to 3 .
請求項1〜5のいずれか1項に記載のガス処理システム。 In the first and second chemical adsorption apparatuses, an oxidation catalyst that oxidizes and decomposes a halogenated hydrocarbon in an untreated gas to generate an acid gas component hydrogen halide and / or halogen gas is mixed with a solid adsorbent. Used,
The gas processing system of any one of Claims 1-5 .
請求項1〜6のいずれか1項に記載のガス処理システム。 The gas passage has a heat source, and the heat of the heat source can warm up the first and second chemical adsorption devices.
The gas processing system of any one of Claims 1-6 .
前記第1又は第2反応装置に未処理ガスを供給する未処理ガス供給経路には、バルブを介して希釈ガス導入管から希釈ガスが導入可能となっている、
ガス処理システム。 A gas treatment system according to any one of claims 1 to 7 ,
A dilution gas can be introduced from a dilution gas introduction pipe through a valve into an untreated gas supply path for supplying an untreated gas to the first or second reactor.
Gas processing system.
前記第1又は第2反応装置に未処理ガスを供給する未処理ガス供給経路と前記第1又は第2反応装置から処理済みガスを排出する処理済みガス排出経路との間にバルブ付きの連通管が取り付けられると共に、該処理済みガス排出経路のうち前記連通管の取付位置より下流側にバルブが取り付けられている、
ガス処理システム。 A gas treatment system according to any one of claims 1 to 7 ,
A communication pipe with a valve between an untreated gas supply path for supplying untreated gas to the first or second reactor and a treated gas discharge path for discharging treated gas from the first or second reactor And a valve is attached downstream of the treated gas discharge path from the attachment position of the communication pipe.
Gas processing system.
ガスが通過可能な第1及び第2通過口が所定方向に並んで設けられたベース面部材と、
前記ベース面部材と対向し、ガスが通過可能な第3及び第4通過口が前記所定方向と交差する方向に並び且ついずれも前記第1及び第2通過口の両方と重なり合うように設けられた対向面部材と、
前記ベース面部材と前記対向面部材との間に摺動可能に配置され、第1姿勢に位置決めされたときには前記第1通過口と前記第3通過口との連通及び前記第2通過口と前記第4通過口との連通を許容し前記第1通過口と前記第4通過口との連通及び前記第2通過口と前記第3通過口との連通を遮断し、第2姿勢に位置決めされたときには前記第1通過口と前記第4通過口との連通及び前記第2通過口と前記第3通過口との連通を許容し前記第1通過口と前記第3通過口との連通及び前記第2通過口と前記第4通過口との連通を遮断するように複数の貫通孔が形成された制御部材と、
前記ベース面部材及び前記対向面部材を取り囲み、前記第1通過口に接続され未処理ガスが供給されるガス供給口、前記第2通過口に接続され処理済みガスを排出するガス排出口、前記第3通過口と前記第1化学吸着装置の第1反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口とを繋ぐ通気管及び前記第4通過口と前記第2化学吸着装置の第2反応室のうち前記ガス通路に面しない側に設けられたガス通過口とを繋ぐ通気管を有するハウジング部材と、
を備えた摺動式切替バルブである、
請求項1〜9のいずれか1項に記載のガス処理システム。 The switch is
A base surface member provided with first and second passage ports through which gas can pass in a predetermined direction;
Opposing to the base surface member, the third and fourth passage ports through which gas can pass are arranged in a direction intersecting the predetermined direction, and both are provided so as to overlap both the first and second passage ports. An opposing surface member;
When the base surface member and the facing surface member are slidably disposed and positioned in the first posture, the first passage port and the third passage port communicate with each other, and the second passage port and the The communication with the fourth passage is allowed, the communication between the first passage and the fourth passage and the communication between the second passage and the third passage are blocked, and the second posture is positioned. Sometimes communication between the first passage port and the fourth passage port and communication between the second passage port and the third passage port are allowed, and communication between the first passage port and the third passage port and the first passage port are allowed. A control member in which a plurality of through holes are formed so as to block communication between the two passage ports and the fourth passage port;
A gas supply port that surrounds the base surface member and the opposing surface member, is connected to the first passage port and is supplied with untreated gas, a gas discharge port that is connected to the second passage port and discharges the treated gas, A vent pipe connecting the third passage port and the gas passage port provided on the side not facing the gas passage in the first reaction chamber of the first chemical adsorption device, the fourth passage port, and the second chemical adsorption device A housing member having a vent pipe connecting a gas passage port provided on the side of the second reaction chamber not facing the gas passage;
A sliding switching valve with
The gas processing system according to any one of claims 1 to 9 .
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