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JP5084657B2 - Multilayer ceramic capacitor - Google Patents
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JP5084657B2 - Multilayer ceramic capacitor - Google Patents

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Description

本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器からなる誘電体層とニッケルを導体材料とする内部電極層とを交互に積層したコンデンサ本体と、コンデンサ本体の内部電極層が露出した端部に設けられた外部電極とから構成される積層セラミックコンデンサに関する。   The present invention provides a capacitor body in which dielectric layers composed of dielectric ceramics mainly composed of barium titanate and internal electrode layers made of nickel as a conductive material are alternately laminated, and an end where the internal electrode layers of the capacitor body are exposed. The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor composed of an external electrode provided in a portion.

積層セラミックコンデンサは、通常、誘電体層用のセラミックグリーンシートと内部電極層用の導体ペーストとをシート法や印刷法などにより積層し、同時焼成して製造される。内部電極用の導体材料には、一般にパラジウム、または、パラジウム−銀の合金が用いられているが、これらの貴金属は高価であるため、比較的安価なニッケルやニッケル合金等の卑金属が使用されるようになってきている。   A multilayer ceramic capacitor is usually manufactured by laminating a ceramic green sheet for a dielectric layer and a conductor paste for an internal electrode layer by a sheet method, a printing method, or the like and simultaneously firing them. Palladium or palladium-silver alloy is generally used as the conductor material for the internal electrode, but since these noble metals are expensive, relatively inexpensive base metals such as nickel and nickel alloys are used. It has become like this.

また、誘電体層を形成する材料として、チタン酸バリウムに、バナジウム、マグネシウム、希土類元素およびマンガンなどの添加剤を被覆した誘電体粉末を用いることにより、EIA規格のX7R特性(−55〜125℃において、25℃を基準とする静電容量の最大の変化率が±15%以内)を満たす誘電体磁器を用いることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。ところで、内部電極層用の導体材料として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行うと内部電極層が酸化してしまうため、誘電体層と内部電極層との同時焼成を還元性雰囲気中で行う必要がある。
特開2006−8498号公報
Further, by using dielectric powder obtained by coating an additive such as vanadium, magnesium, rare earth elements and manganese on barium titanate as a material for forming the dielectric layer, X7R characteristics (−55 to 125 ° C.) of EIA standard are used. , It is proposed to use a dielectric ceramic satisfying a maximum capacitance change rate of within ± 15% based on 25 ° C. (see, for example, Patent Document 1). By the way, when a base metal is used as the conductor material for the internal electrode layer, the internal electrode layer is oxidized when fired in the atmosphere, and therefore, the simultaneous firing of the dielectric layer and the internal electrode layer is performed in a reducing atmosphere. There is a need.
JP 2006-8498 A

しかし、特許文献1に記載された積層セラミックコンデンサを還元雰囲気中で焼成して作製すると、誘電体層が還元され絶縁抵抗が低くなってしまうことから所望の比誘電率および容量温度特性が得られないという問題があった。   However, when the multilayer ceramic capacitor described in Patent Document 1 is produced by firing in a reducing atmosphere, the dielectric layer is reduced and the insulation resistance is lowered, so that desired dielectric constant and capacitance-temperature characteristics can be obtained. There was no problem.

従って、本発明は、還元雰囲気中での焼成後においても高い絶縁抵抗を有し、高誘電率かつ容量温度特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor having a high insulation resistance even after firing in a reducing atmosphere and having a high dielectric constant and excellent capacitance-temperature characteristics.

本発明の積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有する誘電体磁器からなる厚みが1〜3μmの誘電体層とニッケルを導体材料とする内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の前記内部電極層が露出した端部に設けられた外部電極とから構成される積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バ
ナジウムをV換算で0.05〜0.3モル、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.5〜1.5モル、マグネシウムをMgO換算で0〜0.1モルおよびマンガンをMnO換算で0〜0.5モル含有するとともに、X線回折チャートにおいて、正方晶系の前記チタン酸バリウムを示す(004)面の回折強度が、立方晶系の前記チタン酸バリウムを示す(400)面の回折強度よりも大きく、
前記結晶粒子は、平均粒径が0.15〜0.4μmであり
前記コンデンサ本体を酸素分圧で10−8〜10−16気圧中、1200℃、2時間の条件にて熱処理した後、前記コンデンサ本体の一部を研磨して得られた研磨面についてEELS分析したとき、前記導体材料と前記結晶粒子との界面から前記結晶粒子側に向けた10〜50nmの範囲におけるチタンの価数が4価であることを特徴とする。
The multilayer ceramic capacitor of the present invention is formed by alternately laminating dielectric layers having a thickness of 1 to 3 μm made of dielectric ceramics having crystal grains mainly composed of barium titanate and internal electrode layers made of nickel as a conductive material. A multilayer ceramic capacitor composed of a capacitor body and an external electrode provided at an end portion where the internal electrode layer of the capacitor body is exposed,
The dielectric ceramic is one kind selected from 0.05 to 0.3 mol of vanadium in terms of V 2 O 5 and yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 mol of barium constituting the barium titanate. The rare earth element (RE) contains 0.5 to 1.5 mol in terms of RE 2 O 3 , magnesium contains 0 to 0.1 mol in terms of MgO, and manganese contains 0 to 0.5 mol in terms of MnO. X-ray In the diffraction chart, the diffraction intensity of the (004) plane showing the tetragonal barium titanate is larger than the diffraction intensity of the (400) plane showing the cubic barium titanate,
The crystal particles have an average particle size of 0.15 to 0.4 μm ,
EELS analysis was performed on the polished surface obtained by polishing a part of the capacitor body after heat-treating the capacitor body with oxygen partial pressure of 10 −8 to 10 −16 atmosphere at 1200 ° C. for 2 hours. In this case, the valence of titanium in the range of 10 to 50 nm from the interface between the conductor material and the crystal particles toward the crystal particles is tetravalent.

また、前記積層セラミックコンデンサは、前記チタン酸バリウムに固溶している成分が、実質的にバナジウムおよび希土類元素(RE)のみであることが望ましい。   In the multilayer ceramic capacitor, it is desirable that components dissolved in the barium titanate are substantially only vanadium and a rare earth element (RE).

なお、希土類元素をREとしたのは、周期表における希土類元素の英文表記(Rare earth)に基づくものである。また、本発明では、イットリウムは希土類元素に含まれるものとする。   Note that the rare earth element RE is based on the rare earth element English representation (Rare earth) in the periodic table. In the present invention, yttrium is included in the rare earth element.

本発明によれば、還元雰囲気中で焼成した後においても高い絶縁抵抗を有し、高誘電率かつ容量温度特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain a multilayer ceramic capacitor having a high insulation resistance even after firing in a reducing atmosphere and having a high dielectric constant and excellent capacity-temperature characteristics.

図1は、本発明の積層セラミックコンデンサの例を示す断面模式図である。図2は、コンデンサ本体の誘電体層と内部電極層との界面付近を写した透過電子顕微鏡写真である。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the multilayer ceramic capacitor of the present invention. FIG. 2 is a transmission electron micrograph showing the vicinity of the interface between the dielectric layer and the internal electrode layer of the capacitor body.

本発明の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体1の両端部に外部電極3が設けられたものであり、そのコンデンサ本体1は誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層された積層体から構成されている。ここで、外部電極3はコンデンサ本体1の端面に露出した内部電極層7と電気的に接続されている。図1では、誘電体層5と内部電極層7との積層の状態を単純化して示しているが、本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層5と内部電極層7とが数百層にも及ぶ積層体を形成している。   The multilayer ceramic capacitor of the present invention is such that external electrodes 3 are provided at both ends of a capacitor body 1, and the capacitor body 1 is made of a laminate in which dielectric layers 5 and internal electrode layers 7 are alternately stacked. It is configured. Here, the external electrode 3 is electrically connected to the internal electrode layer 7 exposed on the end face of the capacitor body 1. In FIG. 1, the laminated state of the dielectric layer 5 and the internal electrode layer 7 is shown in a simplified manner. However, in the multilayer ceramic capacitor of the present invention, the dielectric layer 5 and the internal electrode layer 7 are several hundred layers. Is formed.

誘電体層5は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子11と、この結晶粒子11同士を連結する粒界相13とから構成された誘電体磁器からなる。   The dielectric layer 5 is made of a dielectric ceramic composed of crystal particles 11 mainly composed of barium titanate and grain boundary phases 13 connecting the crystal particles 11 to each other.

内部電極層7を形成する材料としては、高積層化しても製造コストを抑制でき、しかも誘電体層5との同時焼成が図れるという点でニッケル(Ni)が用いられる。   As a material for forming the internal electrode layer 7, nickel (Ni) is used in that the manufacturing cost can be suppressed even when the number of layers is increased, and simultaneous firing with the dielectric layer 5 can be achieved.

外部電極4は、例えば、CuもしくはCuとNiの合金ペーストを焼き付けて形成される。   The external electrode 4 is formed by baking, for example, Cu or an alloy paste of Cu and Ni.

本発明の積層セラミックコンデンサでは、誘電体層5がチタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子11により構成されており、その誘電体層5の厚みが1〜3μmであるとともに、誘電体層5を構成する結晶粒子11の平均粒径が0.15〜0.4μmである。   In the multilayer ceramic capacitor of the present invention, the dielectric layer 5 is composed of crystal particles 11 mainly composed of barium titanate, and the dielectric layer 5 has a thickness of 1 to 3 μm. The average grain size of the constituting crystal grains 11 is 0.15 to 0.4 μm.

誘電体層5は、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV換算で0.05〜0.3モル、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.5〜1.5、マグネシウムをMgO換算で0〜0.1モルおよびマンガンをMnO換算で0〜0.5モル含有する誘電体磁器からなる。 The dielectric layer 5 is composed of 0.05 to 0.3 mol of vanadium in terms of V 2 O 5 and one kind of rare earth selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate. It consists of a dielectric ceramic containing 0.5 to 1.5 elements (RE) in terms of RE 2 O 3 , 0 to 0.1 mol of magnesium in terms of MgO, and 0 to 0.5 mol of manganese in terms of MnO.

本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5についてさらに説明すると、コンデンサ本体1を酸素分圧で10−8〜10−16気圧中、1200℃、2時間の条件にて熱処理した後、このコンデンサ本体1の一部を研磨して得られた内部電極層7の導体材料であるニッケルと結晶粒子11とが接している試料についてEELS分析を行ったとき、導体材料(ニッケル)と結晶粒子11との界面から結晶粒子11側に向けた10〜50nmの範囲におけるチタンの価数が4価である。 The dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention will be further described. The capacitor body 1 is heat-treated at 1200 ° C. for 2 hours in an oxygen partial pressure of 10 −8 to 10 −16 atm. When EELS analysis was performed on a sample in which nickel which is a conductor material of the internal electrode layer 7 obtained by polishing a part of the capacitor body 1 and the crystal particles 11 are in contact, the conductor material (nickel) and the crystal particles 11 The valence of titanium in the range of 10 to 50 nm from the interface to the crystal particle 11 side is tetravalent.

これにより、還元雰囲気中での焼成後においても1×10Ω以上の絶縁抵抗を有するとともに、誘電体層5の室温(25℃)における比誘電率が3300以上であり、EIA規格のX7R特性を満足する積層セラミックコンデンサを得ることができる。この場合、還元雰囲気中での焼成後においても1×10Ω以上の絶縁抵抗を有するということは、積層セラミックコンデンサの製造において、再酸化処理する工程を省略できる可能性があり、このことは製造コストの低減を図れるものとなる。 As a result, the dielectric layer 5 has an insulation resistance of 1 × 10 7 Ω or more even after firing in a reducing atmosphere, and the dielectric layer 5 has a relative dielectric constant of 3300 or more at room temperature (25 ° C.). A multilayer ceramic capacitor satisfying the above can be obtained. In this case, having an insulation resistance of 1 × 10 7 Ω or more even after firing in a reducing atmosphere means that the step of re-oxidation treatment may be omitted in the production of the multilayer ceramic capacitor. The manufacturing cost can be reduced.

これに対して、誘電体層5について、その厚みが1μmよりも薄くなると、電圧を印加したときに誘電体層5にかかる電界が強くなるために誘電体層5の絶縁抵抗が低下する。   On the other hand, when the thickness of the dielectric layer 5 is less than 1 μm, the electric field applied to the dielectric layer 5 when a voltage is applied becomes strong, so that the insulation resistance of the dielectric layer 5 decreases.

一方、誘電体層5の厚みが3μmよりも厚くなると高い絶縁抵抗が得られるものの、静電容量の温度変化率が大きくなる。   On the other hand, when the thickness of the dielectric layer 5 is greater than 3 μm, a high insulation resistance can be obtained, but the rate of change in capacitance with temperature increases.

また、本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5である誘電体磁器の組成についてはチタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対するイットリウム、ジスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)の含有量がRE換算で0.5モルよりも少ない場合、または、マグネシウムの含有量がMgO換算で0.1モルよりも多い場合には、静電容量の温度特性がEIA規格のX7R特性を満足しなくなる。 Further, the composition of the dielectric ceramic which is the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention is one kind of rare earth element selected from yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 moles of barium constituting barium titanate ( When the content of (RE) is less than 0.5 mol in terms of RE 2 O 3 , or when the content of magnesium is more than 0.1 mol in terms of MgO, the temperature characteristic of capacitance is EIA. The X7R characteristic of the standard is not satisfied.

また、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対するバナジウムの含有量がV換算で0.05モルよりも少ない場合には、還元雰囲気中にて熱処理した後の絶縁抵抗が1×10Ωよりもかなり低いものとなる。 Further, when the content of vanadium with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate is less than 0.05 mol in terms of V 2 O 5 , the insulation resistance after heat treatment in a reducing atmosphere is 1 × 10 7. It is much lower than Ω.

チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対するバナジウムの含有量がV換算で0.3モルよりも多い場合、または、チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対するイットリウム、ジスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)の含有量がRE換算で1.5モルよりも多い場合、あるいはマンガンの含有量がMnO換算で0.5モルよりも多い場合には、室温(25℃)における比誘電率が3300よりも低くなる。 When the content of vanadium with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate is more than 0.3 mol in terms of V 2 O 5 , or from yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 mol of barium constituting barium titanate When the content of one selected rare earth element (RE) is more than 1.5 mol in terms of RE 2 O 3 or when the manganese content is more than 0.5 mol in terms of MnO, The relative dielectric constant at (25 ° C.) is lower than 3300.

ところで、希土類元素の中でイットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムはチタン酸バリウムに固溶したときに異相が生成し難く、高い絶縁性が得られるから好適に用いることができ、その中でも誘電体磁器の比誘電率を高められるという理由からイットリウムがより好ましい。   By the way, among rare earth elements, yttrium, dysprosium, holmium and erbium are less likely to form a different phase when dissolved in barium titanate, and can be suitably used because high insulation can be obtained. Yttrium is more preferable because the specific permittivity can be increased.

また、本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5では、チタン酸バリウムに固溶している成分は、実質的にバナジウムおよび希土類元素(RE)のみであることが望ましい。チタン酸バリウムに固溶している成分を、実質的にバナジウムおよび希土類元素(RE)のみにすると、−55〜125℃における静電容量の最大の変化率を±11%以内にすることが可能になる。   In the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention, it is desirable that the components dissolved in barium titanate are substantially only vanadium and rare earth elements (RE). When the component dissolved in barium titanate is substantially only vanadium and rare earth elements (RE), the maximum rate of change in capacitance at −55 to 125 ° C. can be within ± 11%. become.

また、本発明における誘電体磁器は、焼結性を高めるための助剤としてガラス成分や他の添加成分を誘電体磁器中に0.5〜2質量%の割合で含有させても良く、さらには、不可避不純物として、原料粉末の混合に用いるジルコニアボールから混入するZrをはじめ、C,Na,K,Cl等の各種微量成分が誘電体磁器中に0.2質量部以下含まれていてもよい。なお、本発明において、チタン酸バリウムに固溶している成分が、実質的にバナジウムおよび希土類元素(RE)のみであるとは、積極的に添加した成分でチタン酸バリウムに固溶するものがバナジウムと希土類元素(RE)のみであることをいう。   Moreover, the dielectric ceramic in the present invention may contain a glass component and other additive components in the dielectric ceramic in an amount of 0.5 to 2% by mass as an auxiliary for enhancing the sinterability. As an unavoidable impurity, Zr mixed from zirconia balls used for mixing raw material powders and various trace components such as C, Na, K, Cl, etc. may be contained in a dielectric ceramic in an amount of 0.2 parts by mass or less. Good. In the present invention, the fact that the components that are dissolved in barium titanate are substantially only vanadium and rare earth elements (RE) are those that are positively added and that dissolve in barium titanate. It means only vanadium and rare earth elements (RE).

また、本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5について、それを構成する結晶粒子11の平均粒径が0.15μmよりも小さい場合には、室温(25℃)における比誘電率が3300を下回り、結晶粒子11の平均粒径が0.4μmよりも大きい場合には、室温(25℃)での静電容量を基準にしたときの−55〜125℃における静電容量の最大の変化率が±15%以内(EIA規格のX7R特性)を満たさなくなるおそれがある。   Further, in the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention, when the average grain size of the crystal grains 11 constituting the dielectric layer 5 is smaller than 0.15 μm, the relative dielectric constant at room temperature (25 ° C.) is 3300. When the average particle size of the crystal grains 11 is larger than 0.4 μm, the maximum change in capacitance at −55 to 125 ° C. when the capacitance at room temperature (25 ° C.) is used as a reference. The rate may not satisfy within ± 15% (EIA standard X7R characteristic).

ここで、結晶粒子11の平均粒径は、焼成後の誘電体磁器である試料の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子11が20〜30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子11を選択し、各結晶粒子11の輪郭を画像処理して、各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求める。   Here, the average particle diameter of the crystal particles 11 is determined by polishing the fracture surface of the sample, which is a dielectric ceramic after firing, and then taking a picture of the internal structure using a scanning electron microscope. Draw 20 to 30 circles, select the crystal particles 11 in and around the circle, image the outline of each crystal particle 11 to obtain the area of each particle, and make circles with the same area. The diameter at the time of replacement is calculated and obtained from the average value.

さらに、誘電体層5を構成する結晶粒子11について、さらに詳細に説明する。   Further, the crystal particles 11 constituting the dielectric layer 5 will be described in more detail.

本発明では、コンデンサ本体1を酸素分圧で10−8〜10−16気圧中、1200℃、2時間の条件にて熱処理した後、結晶粒子11を構成するチタン(Ti)の価数についてEELS分析により評価する。 In the present invention, the capacitor body 1 is heat-treated in oxygen partial pressure of 10 −8 to 10 −16 atmosphere at 1200 ° C. for 2 hours, and then the valence of titanium (Ti) constituting the crystal particle 11 is EELS. Evaluate by analysis.

EELS分析とは、透過電子顕微鏡(TEM)に付設の分析装置により行われる分析方法のひとつであり、電子エネルギー損失分光(Electronic Energy loss spectroscopy)のことである。   The EELS analysis is one of analysis methods performed by an analyzer attached to a transmission electron microscope (TEM), and is electronic energy loss spectroscopy.

図3(a)は、還元雰囲気中で熱処理したときのチタン酸バリウム(BaTiO)における酸素欠陥と余剰の電子の生成を示す反応式である。図3(b)は、還元により生成された電子がチタン酸バリウム中にドープされた状態を示す反応式である。 FIG. 3A is a reaction formula showing the generation of oxygen defects and surplus electrons in barium titanate (BaTiO 3 ) when heat-treated in a reducing atmosphere. FIG. 3B is a reaction formula showing a state in which electrons generated by reduction are doped in barium titanate.

チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子11により構成された誘電体層5を還元雰囲気中にて熱処理を行うと、図3(a)に示すように還元時に酸素欠陥とそれに伴う余剰の電子が生成される。次に、還元により生成された余剰の電子は、図3(b)に示されるように、BaTiO(Ti4+)のバンド構造よりTi3d軌道にドープされ、Ti3+に変化するため、結晶粒子11中においてキャリア数が増加することになり、その結果、誘電体層5の絶縁抵抗が変化すると考えられる。 When the dielectric layer 5 composed of the crystal particles 11 mainly composed of barium titanate is heat-treated in a reducing atmosphere, oxygen defects and accompanying electrons are generated during reduction as shown in FIG. Generated. Next, as shown in FIG. 3B, surplus electrons generated by the reduction are doped into the Ti3d orbital from the band structure of BaTiO 3 (Ti 4+ ), and change into Ti 3+ , so that the crystal particles 11 It is considered that the number of carriers increases in the inside, and as a result, the insulation resistance of the dielectric layer 5 changes.

図4(a)は、チタン酸バリウム(BaTiO)のEELSスペクトルであり、(b)は、(a)のスペクトルのうちTi L2,3の部分を拡大したものである。この場合、EELS分析により結晶粒子11に含まれるチタン(Ti)の特定のEELSスペクトル(TiL2,3:(エネルギー損失:460〜472ev))から電子数(価数)変化を調べる。図4(a)に示すように酸素(O)のKスペクトルの立ち上がりを530eVとしたとき、図4(b)中で矢印で示すピークが464±0.1eVであればTiの価数は4価、そのピークが低損失エネルギー側へシフトしていればTiの価数は4価より小さいものとなる。 FIG. 4A is an EELS spectrum of barium titanate (BaTiO 3 ), and FIG. 4B is an enlarged view of Ti L 2 and 3 in the spectrum of FIG. In this case, a change in the number of electrons (valence) is examined from a specific EELS spectrum (TiL 2,3 : (energy loss: 460 to 472 ev)) of titanium (Ti) contained in the crystal particles 11 by EELS analysis. As shown in FIG. 4A, when the rise of the K spectrum of oxygen (O) is 530 eV, if the peak indicated by the arrow in FIG. 4B is 464 ± 0.1 eV, the valence of Ti is 4 If the peak is shifted to the low loss energy side, the valence of Ti will be less than 4.

誘電体層5を構成する結晶粒子11についてEELS分析を行うための試料は、以下のようにして作製する。   A sample for performing the EELS analysis on the crystal particles 11 constituting the dielectric layer 5 is produced as follows.

まず、積層セラミックコンデンサから外部電極3を取り除いたコンデンサ本体1を準備する。   First, a capacitor body 1 is prepared by removing the external electrode 3 from the multilayer ceramic capacitor.

次に、コンデンサ本体1を還元雰囲気中にて熱処理を行う。このときの還元雰囲気は、水素−窒素の混合ガスにより調製し、酸素分圧は10−8〜10−16気圧とする。また、熱処理の温度は1200℃、保持時間は2時間とする。 Next, the capacitor body 1 is heat-treated in a reducing atmosphere. The reducing atmosphere at this time is prepared with a hydrogen-nitrogen mixed gas, and the oxygen partial pressure is 10 −8 to 10 −16 atm. The heat treatment temperature is 1200 ° C. and the holding time is 2 hours.

次に、還元処理したコンデンサ本体1を誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層された状態で所定の大きさに切断した後、粗研磨を行い、最後にアルゴンガスを用いたイオンミリングにより透過電子顕微鏡(TEM)観察が可能な試料を作製する。このときイオンミリングされた試料は内部電極層7の導体材料であるニッケルとチタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子11とが隣接した状態となっている(図2)。   Next, the reduced capacitor body 1 is cut into a predetermined size in a state where the dielectric layers 5 and the internal electrode layers 7 are alternately laminated, and then subjected to rough polishing, and finally an ion using argon gas. A sample that can be observed with a transmission electron microscope (TEM) is manufactured by milling. At this time, the ion milled sample is in a state in which nickel, which is a conductor material of the internal electrode layer 7, and crystal particles 11 mainly composed of barium titanate are adjacent to each other (FIG. 2).

次に、作製した試料をTEM内に装着し、TEM像を見てEELS分析する場所を決定する。EELS分析する場所は、図2において破線の枠で示すように、導体材料であるニッケルと結晶粒子11との界面Bから結晶粒子11側に向けた10〜50nmの範囲とし、15〜25nmの間隔で分析する。EELS分析する場所をニッケルと結晶粒子1との界面B付近とするのは、導体材料であるニッケルに近い部分の方がTiの価数が変化しやすい部分であるからである。   Next, the prepared sample is mounted in the TEM, and the place where the EELS analysis is performed is determined by looking at the TEM image. The place where EELS analysis is performed is in the range of 10 to 50 nm from the interface B between the nickel, which is a conductor material, and the crystal particle 11 toward the crystal particle 11 as shown by the dashed frame in FIG. Analyze with. The reason why the EELS analysis is made near the interface B between nickel and crystal particles 1 is that the portion closer to nickel as the conductor material is the portion where the valence of Ti is more likely to change.

コンデンサ本体1を酸素分圧で10−8〜10−16気圧中、1200℃、2時間の条件にて熱処理した後においても、内部電極層7の導体材料であるニッケルに隣接した側の結晶粒子11中におけるチタンの価数が4価(Ti+4)であると、還元雰囲気中で焼成した後においても、1×10Ω以上の絶縁抵抗を有するコンデンサ本体1を得ることができる。 Even after the capacitor body 1 is heat-treated in oxygen partial pressure of 10 −8 to 10 −16 at 1200 ° C. for 2 hours, the crystal grains on the side adjacent to nickel which is the conductor material of the internal electrode layer 7 When the valence of titanium in 11 is tetravalent (Ti +4 ), the capacitor body 1 having an insulation resistance of 1 × 10 7 Ω or more can be obtained even after firing in a reducing atmosphere.

これに対して、上記と同様の熱処理および分析を行ったときに、ニッケルと結晶粒子との界面Bから結晶粒子11側に向けた10〜50nmの範囲におけるEELS分析から得られるチタンの価数が4価より小さくなる(Ti4−δ)場合には、還元雰囲気中での焼成後において、絶縁抵抗が1×10Ωを下回るものとなり誘電特性を測定できない場合がある。 In contrast, when the same heat treatment and analysis as described above were performed, the valence of titanium obtained from the EELS analysis in the range of 10 to 50 nm from the interface B between the nickel and the crystal particles toward the crystal particle 11 side was If it is smaller than tetravalent (Ti 4−δ ), after firing in a reducing atmosphere, the insulation resistance may be less than 1 × 10 7 Ω and the dielectric properties may not be measured.

本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5は、上述のように、結晶粒子11のEELS分析から得られるチタンの価数が4価であることを特徴とするものであるが、この誘電体層5となる誘電体磁器は、X線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す(004)面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す(400)面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が100〜120℃である。   As described above, the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention is characterized in that the valence of titanium obtained from the EELS analysis of the crystal particles 11 is tetravalent. In the X-ray diffraction chart, the dielectric ceramic serving as the body layer 5 has a (004) plane diffraction intensity indicating tetragonal barium titanate and a (400) plane diffraction intensity indicating cubic barium titanate. And the Curie temperature is 100 to 120 ° C.

ここで、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を形成している誘電体磁器の結晶構造についてさらに詳細に説明すると、本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5となる誘電体磁器は結晶粒子11中にバナジウムおよび希土類元素(RE)をはじめとする添加剤が固溶してもほとんど正方晶系を示す単相に近い結晶相により占められている。   Here, the crystal structure of the dielectric ceramic forming the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention will be described in more detail. The dielectric ceramic serving as the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention. Is occupied by a crystal phase close to a single phase exhibiting a tetragonal system even if additives such as vanadium and rare earth elements (RE) are dissolved in the crystal particles 11.

図5(a)は後述の実施例の表1における本発明の積層セラミックコンデンサの一例である試料No.3の誘電体磁器についてのX線回折チャートを示すものであり、図5(b)は同表1における比較例の積層セラミックコンデンサである試料No.15の誘電体磁器についてのX線回折チャートである。図6は、後述の実施例の表1における試料No.3および試料No.15の積層セラミックコンデンサの静電容量の温度特性を示すグラフである。本発明の誘電体磁器は、図6の試料No.3のような静電容量の温度特性を有している。   FIG. 5A shows a sample No. 1 as an example of the multilayer ceramic capacitor of the present invention in Table 1 of Examples described later. 3 is an X-ray diffraction chart for the dielectric ceramic of No. 3, and FIG. 16 is an X-ray diffraction chart of 15 dielectric ceramics. 6 shows a sample No. in Table 1 of Examples described later. 3 and sample no. It is a graph which shows the temperature characteristic of the electrostatic capacitance of 15 multilayer ceramic capacitors. The dielectric porcelain of the present invention has a sample no. 3 having a capacitance temperature characteristic.

ここで、特許文献3に記載された発明である従来の積層セラミックコンデンサは、誘電体磁器の結晶構造がコア・シェル構造であり、図5の(b)のX線回折チャートに相当するものとなっており、その静電容量の温度特性は、図6の試料No.15の特性に相当するものである。   Here, in the conventional multilayer ceramic capacitor which is the invention described in Patent Document 3, the crystal structure of the dielectric ceramic is a core-shell structure, which corresponds to the X-ray diffraction chart of FIG. The temperature characteristic of the capacitance is the sample No. in FIG. This corresponds to 15 characteristics.

即ち、チタン酸バリウムを主成分とし、コア・シェル構造を有する結晶粒子により構成される誘電体磁器では、チタン酸バリウムの正方晶系を示す(004)面および(400)面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す(400)面((040)面、(004)面が重なっている。)の回折強度Ixcが、チタン酸バリウムの正方晶系を示す(004)面の回折強度Ixtよりも大きくなっている。   That is, in a dielectric ceramic composed of crystal grains having barium titanate as a main component and having a core / shell structure, titanium appearing between the (004) plane and (400) plane showing the tetragonal system of barium titanate. The diffraction intensity Ixc of the (400) plane showing the cubic system of barium oxide (the (040) plane and (004) plane overlap) is the diffraction intensity of the (004) plane showing the tetragonal system of barium titanate. It is larger than Ixt.

また、コア・シェル構造を示す結晶粒子により構成される誘電体磁器は、X線回折チャートで見る限り、正方晶系の結晶相に対して立方晶系の結晶相の割合が多いために結晶の異方性が小さくなる。そのために、X線回折チャートは(400)面の回折線が低角度側にシフトするとともに(004)面の回折線が高角度側にシフトし、両回折線は互いに少なくとも一部が重なるようになり幅広の回折線となる。   In addition, as seen from the X-ray diffraction chart, dielectric ceramics composed of crystal particles having a core-shell structure have a higher proportion of cubic crystal phases than tetragonal crystal phases. Anisotropy is reduced. Therefore, in the X-ray diffraction chart, the (400) plane diffraction lines are shifted to the low angle side and the (004) plane diffraction lines are shifted to the high angle side, so that both diffraction lines overlap each other at least partially. It becomes a wide diffraction line.

このような誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする粉末にマグネシウムや希土類元素などの酸化物粉末を添加混合したものを成形した後、還元焼成することによって形成されるものであるが、この場合、コア・シェル構造を有する結晶粒子はシェル部にマグネシウムや希土類元素(RE)などの成分が多く固溶しているのに対し、コア部はマグネシウムや希土類元素(RE)などの成分の固溶量が少ないことから純粋に近いチタン酸バリウムの結晶相であり、このためキュリー温度が125℃付近(122〜126℃)にあり、125℃付近に変曲点Pを有するものとなっている。   Such a dielectric porcelain is formed by molding a powder containing barium titanate as a main component and adding an oxide powder such as magnesium or a rare earth element, followed by reduction firing. In this case, the crystal particles having a core-shell structure are solid-dissolved with many components such as magnesium and rare earth elements (RE) in the shell portion, whereas the core portion is composed of components such as magnesium and rare earth elements (RE). It is a crystal phase of barium titanate that is close to pure due to the small amount of solid solution. Therefore, the Curie temperature is around 125 ° C. (122 to 126 ° C.) and has an inflection point P around 125 ° C. Yes.

そして、コア・シェル構造を有し、キュリー温度が125℃付近にある誘電体磁器を誘電体層5とする積層セラミックコンデンサは室温(25℃)を基準にしたときの−55〜125℃の温度範囲における静電容量の最大の変化率が±15%程度にはなるものの、コンデンサ本体1を酸素分圧で10−8〜10−16気圧中、1200℃、2時間の条件にて熱処理した場合には、積層セラミックコンデンサの電圧の印加によって絶縁抵抗が1×10Ωより低いものとなる。また、このような試料ではコンデンサ本体の一部を研磨して得られたニッケルと結晶粒子とが接している試料についてEELS分析を行ったとき、ニッケルと結晶粒子との界面から結晶粒子側に向けた10〜50nmの範囲におけるチタンの価数が4価より小さい状態となる。 A multilayer ceramic capacitor having a core-shell structure and having a dielectric ceramic layer 5 with a dielectric ceramic having a Curie temperature near 125 ° C. has a temperature of −55 to 125 ° C. with respect to room temperature (25 ° C.). Although the maximum rate of change of capacitance in the range is about ± 15%, the capacitor body 1 is heat-treated at 1200 ° C. for 2 hours in an oxygen partial pressure of 10 −8 to 10 −16 atm. In this case, the insulation resistance becomes lower than 1 × 10 7 Ω by applying the voltage of the multilayer ceramic capacitor. Further, in such a sample, when EELS analysis is performed on a sample in which nickel obtained by polishing a part of the capacitor body and the crystal particle are in contact with each other, the interface between the nickel and the crystal particle is directed toward the crystal particle side. In addition, the valence of titanium in the range of 10 to 50 nm is smaller than the tetravalence.

これに対して、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体層5を形成する誘電体磁器は、図5(a)に示すように、誘電体磁器のX線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの正方晶系を示す(004)面の回折強度Ixtが、チタン酸バリウムの立方晶系を示す(400)面の回折強度Ixcよりも大きい。   On the other hand, the dielectric ceramic forming the dielectric layer 5 in the multilayer ceramic capacitor of the present invention has a tetragonal barium titanate crystal in the X-ray diffraction chart of the dielectric ceramic as shown in FIG. The diffraction intensity Ixt of the (004) plane indicating the system is larger than the diffraction intensity Ixc of the (400) plane indicating the cubic system of barium titanate.

即ち、本発明の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5となっている誘電体磁器は、図1の(a)に見られるように、チタン酸バリウムの正方晶系を示す(004)面(2θ=100°付近)と(400)面(2θ=101°付近)のX線回折ピークが明確に現れるものであり、チタン酸バリウムの正方晶系を示す、(004)面および(400)面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す(400)面((040)面、(400)面が重なっている。)の回折強度Ixcが、チタン酸バリウムの正方晶系を示す(004)面の回折強度Ixtよりも小さくなっている。   That is, the dielectric ceramic which is the dielectric layer 5 constituting the multilayer ceramic capacitor of the present invention has a (004) plane (4) indicating a tetragonal system of barium titanate as seen in FIG. X-ray diffraction peaks of (2θ = 100 °) and (400) plane (2θ = 101 °) clearly appear and show the tetragonal system of barium titanate (004) plane and (400) plane The diffraction intensity Ixc of the (400) plane (the (040) plane and (400) plane overlap)) representing the cubic system of barium titanate appearing in between indicates the tetragonal system of barium titanate (004). ) Surface diffraction intensity Ixt.

つまり、本発明の積層セラミックコンデンサにおける誘電体磁器の結晶構造は、従来のコア・シェル構造のX線回折パターンとは異なり、しかも、図6における本発明の積層セラミックコンデンサ(試料No.3)のように、キュリー温度(Tc)が98〜120℃の範囲であり、キュリー温度が125℃であるコア・シェル構造をもつ誘電体磁器を誘電体層5とする積層セラミックコンデンサとは誘電特性が異なる。これはチタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子11の全体にわたり、少なくともバナジウムおよび希土類元素(RE)が所定量固溶しているためである。こうして、還元雰囲気中での焼成後においても、1×10Ω以上の絶縁抵抗を有するとともに、誘電体層5の室温(25℃)における比誘電率が3300以上であり、かつ室温(25℃)における比誘電率を基準にしたときの−55〜125℃の温度範囲における静電容量の変化率が±15%以内を満足するものとなる。なお、積層セラミックコンデンサのキュリー温度は、静電容量を−55〜125℃の範囲で測定し、測定した温度範囲において最大の静電容量を示す温度とする。 That is, the crystal structure of the dielectric ceramic in the multilayer ceramic capacitor of the present invention is different from the X-ray diffraction pattern of the conventional core-shell structure, and the multilayer ceramic capacitor of the present invention (sample No. 3) in FIG. As described above, the dielectric characteristics are different from those of the multilayer ceramic capacitor in which the dielectric layer 5 is a dielectric ceramic having a core-shell structure with a Curie temperature (Tc) in the range of 98 to 120 ° C. and a Curie temperature of 125 ° C. . This is because at least a predetermined amount of vanadium and rare earth elements (RE) are solid-dissolved over the entire crystal particle 11 mainly composed of barium titanate. Thus, even after firing in a reducing atmosphere, the dielectric layer 5 has an insulation resistance of 1 × 10 7 Ω or more, a dielectric constant of the dielectric layer 5 at room temperature (25 ° C.) of 3300 or more, and room temperature (25 ° C. The capacitance change rate in the temperature range of −55 to 125 ° C. with respect to the relative dielectric constant in (1) is within ± 15%. The Curie temperature of the multilayer ceramic capacitor is a temperature at which the electrostatic capacitance is measured in the range of −55 to 125 ° C. and exhibits the maximum capacitance in the measured temperature range.

次に、本発明の積層セラミックコンデンサを製造する方法について説明する。まず、焼成後に誘電体層5となるセラミックグリーンシートを作製するために、原料粉末として、純度が99%以上のチタン酸バリウム粉末(以下、BT粉末という。)と、添加成分として、V粉末と、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末およびEr粉末のうち少なくとも1種の希土類元素(RE)の酸化物粉末、MgO粉末およびMnOとしてMnCO粉末とを準備する。 Next, a method for producing the multilayer ceramic capacitor of the present invention will be described. First, in order to produce a ceramic green sheet that becomes the dielectric layer 5 after firing, the raw material powder is a barium titanate powder (hereinafter referred to as BT powder) having a purity of 99% or more, and the additive component is V 2 O. 5 powder, oxide powder of at least one rare earth element (RE) among Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder and Er 2 O 3 powder, MgO powder and MnCO 3 as MnO Prepare the powder.

本発明では、セラミックグリーンシートを作製するのに用いるBT粉末として、原料粉末の段階でのキュリー温度が125〜131℃を示すBT粉末を用いるものであり、特に、キュリー温度が128〜131℃のBT粉末を用いることが望ましい。キュリー温度が125℃〜131℃を示すBT粉末を用いるにより、積層セラミックコンデンサにおけるキュリー温度を98〜120℃の範囲にすることが容易となり、特に、BT粉末のキュリー温度が128〜131℃であると、容量温度特性をより安定化できるからである。これはBT粉末のキュリー温度が高温側にあるために、V粉末、希土類元素(RE)の酸化物粉末、MgO粉末およびMnCO粉末を固溶させて得られる誘電体磁器は125℃付近における比誘電率を高くできるからであり、その結果、静電容量の温度特性をさらに安定にできる。なお、BT粉末のキュリー温度は示差走査熱量分析(Differential Scanning Calorimetry:DSC)により測定する。 In the present invention, BT powder having a Curie temperature of 125 to 131 ° C. at the raw material powder stage is used as the BT powder used for producing the ceramic green sheet, and in particular, the Curie temperature is 128 to 131 ° C. It is desirable to use BT powder. By using BT powder having a Curie temperature of 125 ° C. to 131 ° C., it becomes easy to make the Curie temperature in the multilayer ceramic capacitor in the range of 98 to 120 ° C., and in particular, the Curie temperature of the BT powder is 128 to 131 ° C. This is because the capacity-temperature characteristic can be further stabilized. Since the Curie temperature of the BT powder is on the high temperature side, the dielectric ceramic obtained by dissolving the V 2 O 5 powder, rare earth element (RE) oxide powder, MgO powder and MnCO 3 powder is 125 ° C. This is because the relative dielectric constant in the vicinity can be increased, and as a result, the temperature characteristics of the capacitance can be further stabilized. Note that the Curie temperature of the BT powder is measured by differential scanning calorimetry (DSC).

BT粉末の平均粒径は0.1〜0.18μmが好ましい。BT粉末の平均粒径が0.1μm以上であると、焼結時の粒成長を抑制できるために比誘電率の向上とともに誘電損失の低下が図れるという利点がある。   The average particle size of the BT powder is preferably 0.1 to 0.18 μm. If the average particle size of the BT powder is 0.1 μm or more, grain growth during sintering can be suppressed, so that there is an advantage that a dielectric loss can be reduced as well as an increase in relative dielectric constant.

一方、BT粉末の平均粒径が0.18μm以下であると、バナジウムおよび希土類元素などの添加剤を結晶粒子の内部にまで固溶させることが容易となり、また、後述するように、焼成前後における、BT粉末から結晶粒子への粒成長の比率を所定の範囲まで高められるという利点がある。   On the other hand, when the average particle size of the BT powder is 0.18 μm or less, it becomes easy to solidify additives such as vanadium and rare earth elements to the inside of the crystal particles, and as described later, before and after firing. There is an advantage that the ratio of grain growth from BT powder to crystal grains can be increased to a predetermined range.

添加剤であるV粉末、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末およびEr粉末のうち少なくとも1種の希土類元素(RE)の酸化物粉末、MgO粉末およびMnCO粉末についても平均粒径はBT粉末と同等、もしくはそれ以下のものを用いることが好ましい。 V 2 O 5 powder is an additive, oxide powder of Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder and Er 2 O 3 of at least one rare earth element of powder (RE), MgO Regarding the powder and MnCO 3 powder, it is preferable to use those having an average particle diameter equal to or less than that of the BT powder.

次いで、これらの原料粉末を、BT粉末を構成するバリウム100モルに対してV粉末を0.05〜0.3モル、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末およびEr粉末から選ばれる1種の希土類元素(RE)の酸化物粉末を0.5〜1.5モル、MgO粉末を0〜0.1モルおよびMnCO粉末を0〜0.5モルの割合で配合して、これらの原料粉末に専用の有機ビヒクルを加えてセラミックスラリを調製し、次いで、セラミックスラリーをドクターブレード法やダイコータ法などのシート成形法を用いてセラミックグリーンシートを形成する。この場合、セラミックグリーンシートの厚みは誘電体層の高容量化のための薄層化、高絶縁性を維持するという点で1.5〜4μmが好ましい。 Subsequently, 0.05 to 0.3 mol of V 2 O 5 powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, and Ho 2 O 3 are used for these raw material powders with respect to 100 mol of barium constituting the BT powder. 0.5 to 1.5 mol of oxide powder of one kind of rare earth element (RE) selected from powder and Er 2 O 3 powder, 0 to 0.1 mol of MgO powder and 0 to 0. MnCO 3 powder. A ceramic slurry is prepared by adding a special organic vehicle to these raw material powders at a ratio of 5 moles, and then ceramic slurry is formed into a ceramic slurry using a sheet forming method such as a doctor blade method or a die coater method. Form. In this case, the thickness of the ceramic green sheet is preferably 1.5 to 4 μm from the viewpoint of reducing the thickness of the dielectric layer for increasing the capacity and maintaining high insulation.

なお、セラミックグリーンシートを作製するに際しては、所望の誘電特性を維持できる範囲であれば焼結助剤としてガラス粉末を添加しても良く、その添加量は、主な原料粉末であるBT粉末の合計量を100質量部としたときに0.5〜2質量部が良い。   When producing the ceramic green sheet, glass powder may be added as a sintering aid as long as the desired dielectric properties can be maintained, and the amount added is the same as that of the main raw material powder BT powder. 0.5-2 mass parts is good when the total amount is 100 mass parts.

次に、得られたセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンを印刷して形成する。内部電極パターンとなる導体ペーストはNiまたはNiを主成分とする合金粉末が好適である。   Next, a rectangular internal electrode pattern is printed and formed on the main surface of the obtained ceramic green sheet. The conductor paste used as the internal electrode pattern is preferably Ni or an alloy powder containing Ni as a main component.

次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所望枚数重ねて、その上下に内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを複数枚、上下層が同じ枚数になるように重ねてシート積層体を形成する。この場合、シート積層体中における内部電極パターンは、長寸方向に半パターンずつずらしてある。   Next, stack the desired number of ceramic green sheets with internal electrode patterns, and stack multiple ceramic green sheets without internal electrode patterns on the top and bottom so that the upper and lower layers are the same number. Form the body. In this case, the internal electrode pattern in the sheet laminate is shifted by a half pattern in the longitudinal direction.

次に、シート積層体を格子状に切断して、内部電極パターンの端部が露出するようにコンデンサ本体成形体を形成する。このような積層工法により、切断後のコンデンサ本体成形体の端面に内部電極パターンが交互に露出されるように形成できる。   Next, the sheet laminate is cut into a lattice shape to form a capacitor body molded body so that the end of the internal electrode pattern is exposed. By such a laminating method, the internal electrode pattern can be formed so as to be alternately exposed on the end surface of the cut capacitor body molded body.

次に、コンデンサ本体成形体を脱脂したのち、還元雰囲気中において焼成しコンデンサ本体1を作製する。焼成温度はBT粉末への添加剤の固溶と結晶粒子の粒成長を制御するという理由から1050〜1130℃が好適である。   Next, after degreasing the capacitor body molded body, the capacitor body 1 is manufactured by firing in a reducing atmosphere. The firing temperature is preferably 1050 to 1130 ° C. because it controls the solid solution of the additive in the BT powder and the grain growth of the crystal grains.

つまり、上述した誘電体磁器を得るために、微粒のBT粉末を用い、これに上述の添加剤を所定量添加して、焼成前のBT粉末の平均粒径に対して、焼成後の結晶粒子11の平均粒径が1.5倍以上になるように焼成する。BT粉末の粒径が焼成後に1.5倍以上になるように焼成することで結晶粒子11は全体にわたってバナジウムや他の添加成分が固溶し、その結果、結晶粒子11の内部において酸素空孔などの欠陥の生成が抑制され、電荷を運ぶキャリアが少なくなっていると考えられる。   That is, in order to obtain the above-described dielectric ceramic, a fine grained BT powder is used, and a predetermined amount of the above-mentioned additive is added thereto, and the crystal grains after firing with respect to the average particle size of the BT powder before firing. Bake so that the average particle size of No. 11 is 1.5 times or more. By firing so that the particle size of the BT powder becomes 1.5 times or more after firing, vanadium and other additive components are dissolved in the crystal particles 11 as a whole. As a result, oxygen vacancies are formed inside the crystal particles 11. It is considered that the generation of defects such as these is suppressed and the number of carriers that carry charges is reduced.

こうして、BT粉末に対してバナジウムおよび希土類元素(RE)など各種の添加剤の固溶量が高まり、その結果、誘電体層5を形成する誘電体磁器は、X線回折チャートにおいて正方晶系のチタン酸バリウムを示す(004)面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す(400)面の回折強度よりも大きいものとなり、また、キュリー温度を98〜120℃の範囲とすることができ、さらに、積層セラミックコンデンサの内部において、内部電極層7となる導体材料であるニッケルと結晶粒子11との界面から結晶粒子1側に向けた10〜50nmの範囲におけるチタンの価数を4価にすることができる。   Thus, the solid solution amount of various additives such as vanadium and rare earth elements (RE) is increased with respect to the BT powder, and as a result, the dielectric ceramic forming the dielectric layer 5 has a tetragonal system in the X-ray diffraction chart. The diffraction intensity of the (004) plane showing barium titanate is larger than the diffraction intensity of the (400) plane showing cubic barium titanate, and the Curie temperature is in the range of 98 to 120 ° C. Furthermore, in the multilayer ceramic capacitor, the valence of titanium in the range of 10 to 50 nm from the interface between nickel, which is a conductor material for the internal electrode layer 7, and the crystal particles 11 toward the crystal particles 1 is 4 Can be priced.

次に、このコンデンサ本体1の内部電極層7が露出した端部に、外部電極ペーストを塗布して焼付けを行い外部電極3を形成する。また、この外部電極3の表面には実装性を高めるためにメッキ膜を形成しても構わない。   Next, an external electrode paste is applied to the end of the capacitor body 1 where the internal electrode layer 7 is exposed, and baking is performed to form the external electrode 3. Further, a plating film may be formed on the surface of the external electrode 3 in order to improve mountability.

まず、原料粉末として、BT粉末、MgO粉末、MnCO3粉末、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末、Er粉末およびV粉末を準備し、これらの各種粉末を表1に示す割合で混合した。MgO粉末、MnCO粉末、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末、Er粉末およびV粉末の添加量は、BT粉末100モルに対する割合である。これらの原料粉末は純度が99.9%のものを用いた。なお、BT粉末の平均粒径およびキュリー温度は表1に示すものを用いた。MgO粉末、MnCO粉末、Y粉末、Dy粉末、Ho粉末、Er粉末およびV粉末は平均粒径が0.1μmのものを用いた。BT粉末のBa/Ti比は1とした。焼結助剤はSiO=55、BaO=20、CaO=15、LiO=10(モル%)組成のガラス粉末を用いた。ガラス粉末の添加量はBT粉末100質量部に対して1質量部とした。 First, as the raw material powder, BT powder, MgO powder, MnCO3 powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 were prepared powders and V 2 O 5 powder, these Various powders were mixed in the proportions shown in Table 1. MgO powder, MnCO 3 powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 addition amount of the powder and V 2 O 5 powder are ratio BT powder 100 mol. These raw material powders having a purity of 99.9% were used. In addition, the average particle diameter and Curie temperature of BT powder were as shown in Table 1. MgO powder, MnCO 3 powder, Y 2 O 3 powder, Dy 2 O 3 powder, Ho 2 O 3 powder, Er 2 O 3 powder and V 2 O 5 powder having an average particle diameter of 0.1 μm were used. The Ba / Ti ratio of the BT powder was 1. As the sintering aid, glass powder having a composition of SiO 2 = 55, BaO = 20, CaO = 15, and Li 2 O = 10 (mol%) was used. The addition amount of the glass powder was 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the BT powder.

次に、これらの原料粉末を直径2mmのジルコニアボールを用いて、溶媒としてトルエンとアルコールとの混合溶液を添加し湿式混合した。   Next, these raw material powders were wet mixed by adding a mixed solution of toluene and alcohol as a solvent using zirconia balls having a diameter of 2 mm.

次に、湿式混合した粉末にポリビニルブチラール樹脂およびトルエンとアルコールの混合溶媒を添加し、同じく直径2mmのジルコニアボールを用いて湿式混合したセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により種々の厚みのセラミックグリーンシートを作製した。   Next, a polyvinyl butyral resin and a mixed solvent of toluene and alcohol are added to the wet-mixed powder, and a wet-mixed ceramic slurry is prepared using zirconia balls having a diameter of 2 mm. Ceramic greens of various thicknesses are prepared by the doctor blade method. A sheet was produced.

次に、このセラミックグリーンシートの上面に矩形状の内部電極パターンを複数形成した。内部電極パターンに用いた導体ペーストは平均粒径が0.3μmのニッケル粉末を用い、共材としてセラミックグリーンシートに用いたBT粉末をニッケル粉末100質量部に対して15質量部添加して調製したものを用いた。   Next, a plurality of rectangular internal electrode patterns were formed on the upper surface of the ceramic green sheet. The conductor paste used for the internal electrode pattern was prepared by using nickel powder having an average particle size of 0.3 μm and adding 15 parts by mass of BT powder used for the ceramic green sheet as a co-material to 100 parts by mass of nickel powder. A thing was used.

次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを360枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ20枚積層し、プレス機を用いて温度60℃、圧力10Pa、時間10分の条件で一括積層し、所定の寸法に切断して積層成形体を形成した。 Next, 360 ceramic green sheets on which internal electrode patterns were printed were laminated, and 20 ceramic green sheets on which the internal electrode patterns were not printed were laminated on the upper and lower surfaces, respectively, using a press machine at a temperature of 60 ° C. and pressure Lamination was performed under the conditions of 10 7 Pa and time 10 minutes, and cut into predetermined dimensions to form a laminated molded body.

次に、積層成形体を大気中300℃にて脱バインダ処理し、次いで、水素−窒素中、1110〜1140℃で2時間焼成してコンデンサ本体を作製した。このコンデンサ本体の大きさは0.95×0.48×0.48mm、誘電体層の厚みは2μm、内部電極層の1層の有効面積は0.3mmであった。なお、有効面積とは、コンデンサ本体の異なる端面にそれぞれ露出するように積層方向に交互に形成された内部電極層同士の重なる部分の面積のことである。 Next, the multilayer molded body was treated to remove the binder at 300 ° C. in the atmosphere, and then fired in hydrogen-nitrogen at 1110 to 1140 ° C. for 2 hours to produce a capacitor body. The size of the capacitor body was 0.95 × 0.48 × 0.48 mm 3 , the thickness of the dielectric layer was 2 μm, and the effective area of one internal electrode layer was 0.3 mm 2 . The effective area is the area of the overlapping portion of the internal electrode layers that are alternately formed in the stacking direction so as to be exposed at different end faces of the capacitor body.

次に、焼成したコンデンサ本体をバレル研磨した後、コンデンサ本体の両端部にCu粉末とガラスを含んだ外部電極ペーストを塗布し、850℃で焼き付けを行い外部電極を形成した。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極の表面に、順にNiメッキ及びSnメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。   Next, the fired capacitor body was barrel-polished, and then an external electrode paste containing Cu powder and glass was applied to both ends of the capacitor body and baked at 850 ° C. to form external electrodes. Thereafter, using an electrolytic barrel machine, Ni plating and Sn plating were sequentially performed on the surface of the external electrode to produce a multilayer ceramic capacitor.

次に、これらの積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。評価はいずれも試料数10個とし、その平均値を求めた。比誘電率は静電容量を温度25℃、周波数1.0kHz、測定電圧1Vrmsの測定条件で測定し、得られた静電容量から誘電体層の厚み、内部電極層の有効面積および真空の誘電率をもとに換算して求めた。また、静電容量を温度−55〜125℃の範囲で測定して温度特性を評価した。測定した温度範囲において最大の静電容量を示す温度をキュリー温度とし、静電容量の温度特性の曲線における125℃付近に見られる変曲点の有無についても確認した。   Next, the following evaluation was performed on these multilayer ceramic capacitors. In each evaluation, the number of samples was 10 and the average value was obtained. The relative dielectric constant was measured by measuring the capacitance under the measurement conditions of a temperature of 25 ° C., a frequency of 1.0 kHz, and a measurement voltage of 1 Vrms. Calculated based on the rate. The temperature characteristics were evaluated by measuring the capacitance in the temperature range of −55 to 125 ° C. The temperature showing the maximum capacitance in the measured temperature range was taken as the Curie temperature, and the presence or absence of an inflection point found around 125 ° C. in the curve of the temperature characteristics of the capacitance was also confirmed.

誘電体層の結晶粒子の平均粒径は、焼成後のコンデンサ本体の破断面を研磨した後、走査型電子顕微鏡を用いて誘電体層の内部組織の写真を撮り、その写真上で結晶粒子が20〜30個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択した。次いで、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、その平均値より求めた。   The average particle size of the crystal particles in the dielectric layer is determined by polishing the fracture surface of the capacitor body after firing and then taking a picture of the internal structure of the dielectric layer using a scanning electron microscope. A circle containing 20 to 30 pieces was drawn, and crystal grains applied within and around the circle were selected. Next, the contour of each crystal particle was image-processed to determine the area of each particle, the diameter when replaced with a circle having the same area was calculated, and the average value was determined.

次に、作製した積層セラミックコンデンサから外部電極を取り除いたコンデンサ本体を準備した。次に、コンデンサ本体を水素−窒素の還元雰囲気中にて熱処理を行った。熱処理は最高温度:1200℃、保持時間:2時間、酸素分圧:10−10〜10−13気圧で行った。 Next, a capacitor body was prepared by removing the external electrode from the produced multilayer ceramic capacitor. Next, the capacitor body was heat-treated in a hydrogen-nitrogen reducing atmosphere. The heat treatment was performed at a maximum temperature of 1200 ° C., a holding time of 2 hours, and an oxygen partial pressure of 10 −10 to 10 −13 atm.

還元雰囲気中で熱処理したコンデンサ本体については最初に絶縁抵抗を評価した。絶縁抵抗を評価する際には、コンデンサ本体の内部電極層が露出した端部にIn−Gaを塗布して測定用の電極を形成した。絶縁抵抗は測定電圧を0〜10V(DC)として、10Vでの絶縁抵抗を読み取った。   For the capacitor body heat-treated in a reducing atmosphere, the insulation resistance was first evaluated. When evaluating the insulation resistance, an electrode for measurement was formed by applying In—Ga to the end of the capacitor body where the internal electrode layer was exposed. The insulation resistance was measured at a measurement voltage of 0 to 10 V (DC), and the insulation resistance at 10 V was read.

次に、還元雰囲気中で処理したコンデンサ本体を誘電体層と内部電極層とが交互に積層された状態で所定の大きさに切断した後、粗研磨を行い、最後にアルゴンガスを用いたイオンミリングによりTEM観察可能な試料を作製した。このときイオンミリングされた試料は内部電極層の導体材料であるニッケルとチタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子とが隣接した状態となっていた。次に、作製した試料をTEM内に装着し、TEM像を見てEELS分析する場所を決定した。EELS分析する場所は、導体材料であるニッケルと結晶粒子との界面から結晶粒子側に向けた10〜50nmの範囲とし、15〜25nmの間隔で分析した。この場合、結晶粒子に含まれるチタン(Ti)のEELSスペクトル(TiL:(エネルギー損失:455〜463ev))から電子数(価数)変化を調べた。図4(a)に示すように酸素(O)のKスペクトルの立ち上がりを530eVとしたとき、図4(b)中で黒矢印で示すピークが464±0.1eVであればTi価数が4価、そのピークが低損失エネルギー側へシフトしていればTi価数が4価より小さいと判断した。EELS分析は各試料について1個評価した。 Next, the capacitor body treated in a reducing atmosphere is cut into a predetermined size in a state where dielectric layers and internal electrode layers are alternately laminated, and then rough polishing is performed, and finally an ion using argon gas is used. A sample capable of TEM observation was prepared by milling. At this time, the ion-milled sample was in a state where nickel, which is a conductor material of the internal electrode layer, and crystal particles mainly composed of barium titanate were adjacent to each other. Next, the prepared sample was mounted in the TEM, and the place where the EELS analysis was performed was determined by looking at the TEM image. The place where EELS analysis was performed was in the range of 10 to 50 nm from the interface between nickel, which is a conductor material, and crystal particles toward the crystal particle side, and analysis was performed at intervals of 15 to 25 nm. In this case, the change in the number of electrons (valence) was examined from the EELS spectrum (TiL 3 : (energy loss: 455 to 463 ev)) of titanium (Ti) contained in the crystal particles. As shown in FIG. 4A, when the rise of the K spectrum of oxygen (O) is 530 eV, if the peak indicated by the black arrow in FIG. 4B is 464 ± 0.1 eV, the Ti valence is 4 The Ti valence was determined to be smaller than the tetravalence if the peak was shifted to the low loss energy side. One EELS analysis was evaluated for each sample.

図7に試料No.3のEELSスペクトルと試料No.15についてのEELSスペクトルを示す。これらのEELSスペクトルは導体材料と結晶粒子との界面から結晶粒子側に向けて10〜50nmの範囲で測定したものである。本発明の積層セラミックコンデンサについて評価したEELSスペクトルはいずれも試料No.3と同様のスペクトルを示すものであった。   In FIG. 3 EELS spectrum and sample no. The EELS spectrum for 15 is shown. These EELS spectra were measured in the range of 10 to 50 nm from the interface between the conductor material and the crystal particles toward the crystal particles. All of the EELS spectra evaluated for the multilayer ceramic capacitor of the present invention were sample Nos. 3 showed the same spectrum.

また、得られた誘電体磁器である試料の組成分析はICP(Inductively Coupled plasma)分析もしくは原子吸光分析により行った。この場合、得られた誘電体磁器を硼酸と炭酸ナトリウムと混合し溶融させたものを塩酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ICP発光分光分析にかけて定量化した。また、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求めた。ここで、誘電体磁器のICP分析において、各成分が検出限界以下(0.5μg/g以下)である場合を0モルとした。   The composition analysis of the obtained dielectric ceramic sample was performed by ICP (Inductively Coupled Plasma) analysis or atomic absorption analysis. In this case, the obtained dielectric porcelain mixed with boric acid and sodium carbonate and dissolved in hydrochloric acid is first subjected to qualitative analysis of the elements contained in the dielectric porcelain by atomic absorption spectrometry, and then specified. The diluted standard solution for each element was used as a standard sample and quantified by ICP emission spectroscopic analysis. Further, the amount of oxygen was determined using the valence of each element as the valence shown in the periodic table. Here, in the ICP analysis of the dielectric ceramic, the case where each component was below the detection limit (0.5 μg / g or less) was defined as 0 mol.

表1に調合組成と焼成温度および表2に特性を示した。なお、作製した誘電体磁器の組成は調合組成と同じであることを上記組成分析より確認した。   Table 1 shows the composition and firing temperature, and Table 2 shows the characteristics. In addition, it confirmed from the said composition analysis that the composition of the produced dielectric ceramic was the same as a preparation composition.

表1、2の結果から明らかなように、本発明の試料No.2〜4,6〜9,12,13,16〜20,22、25および26では、EELS分析により求めた結晶粒子中のTiの価数が4価であり、室温(25℃)における比誘電率が3300以上、室温(25℃)を基準にしたときの−55〜125℃の温度範囲における静電容量の最大の変化率が±15%以内を満足するとともに、還元雰囲気中での熱処理後の絶縁抵抗が2×10Ω以上であった。 As is apparent from the results in Tables 1 and 2, the sample No. 2 to 4, 6 to 9, 12, 13, 16 to 20, 22, 25, and 26, the valence of Ti in the crystal grains obtained by EELS analysis is tetravalent, and the relative dielectric constant at room temperature (25 ° C.) The rate of change is not less than 3300 and the maximum change rate of capacitance in the temperature range of −55 to 125 ° C. based on room temperature (25 ° C.) satisfies ± 15% or less, and after heat treatment in a reducing atmosphere The insulation resistance was 2 × 10 7 Ω or more.

特に、チタン酸バリウムに固溶している成分を、不可避不純物を除き、実質的にバナジウムおよび希土類元素(RE)のみとした試料No.2〜4,6〜9,12,13,16〜19、25および26では、室温(25℃)における比誘電率を3500以上および還元雰囲気中での熱処理後の絶縁抵抗を2×10Ω以上に維持したままで、室温(25℃)を基準にしたときの−55〜125℃の温度範囲における静電容量の最大の変化率が±11%以内であった。 In particular, sample No. 1 in which the components dissolved in barium titanate were substantially only vanadium and rare earth elements (RE) except for inevitable impurities. 2 to 4, 6 to 9, 12, 13, 16 to 19, 25 and 26, the relative dielectric constant at room temperature (25 ° C.) is 3500 or more and the insulation resistance after heat treatment in a reducing atmosphere is 2 × 10 7 Ω. While maintaining the above, the maximum change rate of the capacitance in the temperature range of −55 to 125 ° C. based on room temperature (25 ° C.) was within ± 11%.

これに対して、本発明の範囲外の試料No.1,5,10,11,14,15,21,23,24,27および28では、比誘電率が3300より低いか、室温(25℃)を基準にしたときの−55〜125℃の温度範囲における比誘電率の最大の変化率が±15%以内を満足しないか、あるいは、還元雰囲気中での熱処理後の絶縁抵抗が1×10Ωよりも低いものであった。 On the other hand, sample no. In 1, 5, 10, 11, 14, 15, 21, 23, 24, 27, and 28, the relative dielectric constant is lower than 3300, or a temperature of −55 to 125 ° C. based on room temperature (25 ° C.). The maximum change rate of the relative dielectric constant in the range did not satisfy within ± 15%, or the insulation resistance after the heat treatment in the reducing atmosphere was lower than 1 × 10 7 Ω.

本発明の積層セラミックコンデンサの例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example of the multilayer ceramic capacitor of this invention. コンデンサ本体の誘電体層と内部電極層との界面付近の透過電子顕微鏡写真である。2 is a transmission electron micrograph of the vicinity of an interface between a dielectric layer and an internal electrode layer of a capacitor body. (a)は、還元雰囲気中で熱処理したときのチタン酸バリウム(BaTiO)における酸素欠陥と余剰の電子の生成を示す反応式である。(b)は、還元により生成された電子がチタン酸バリウム中にドープされた状態を示す反応式である。(A) is a reaction formula showing the generation of oxygen defects and surplus electrons in barium titanate (BaTiO 3 ) when heat-treated in a reducing atmosphere. (B) is a reaction formula showing a state in which electrons generated by reduction are doped in barium titanate. (a)は、チタン酸バリウム(BaTiO)のEELSスペクトルであり、(b)は、(a)のスペクトルのうちTi L2,3の部分を拡大したものである。(A) is an EELS spectrum of barium titanate (BaTiO 3 ), and (b) is an enlarged portion of Ti L 2,3 in the spectrum of (a). 積層セラミックコンデンサの一例である試料No.3の誘電体磁器についてのX線回折チャートを示すものであり、(b)は比較例の積層セラミックコンデンサである試料No.15の誘電体磁器についてのX線回折チャートである。Sample No., which is an example of a multilayer ceramic capacitor. 3 shows an X-ray diffraction chart for the dielectric ceramic of No. 3, and (b) shows a sample No. 1 which is a multilayer ceramic capacitor of a comparative example. 16 is an X-ray diffraction chart of 15 dielectric ceramics. 実施例における試料No.3および試料No.15の静電容量の温度特性を示すグラフである。Sample No. in the examples. 3 and sample no. It is a graph which shows the temperature characteristic of the electrostatic capacitance of 15. 実施例における試料No.3(実線)および試料No.15(破線)のEELSスペクトルである。Sample No. in the examples. 3 (solid line) and sample no. 15 (broken line) EELS spectrum.

符号の説明Explanation of symbols

1 コンデンサ本体
3 外部電極
5 誘電体層
7 内部電極層
11 結晶粒子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Capacitor body 3 External electrode 5 Dielectric layer 7 Internal electrode layer 11 Crystal particle

Claims (2)

チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有する誘電体磁器からなる厚みが1〜3μmの誘電体層とニッケルを導体材料とする内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の前記内部電極層が露出した端部に設けられた外部電極とから構成される積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム100モルに対して、バナジウムをV換算で0.05〜0.3モル、イットリウム,ジスプロシウム,ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる1種の希土類元素(RE)をRE換算で0.5〜1.5モル、マグネシウムをMgO換算で0〜0.1モルおよびマンガンをMnO換算で0〜0.5モル含有するとともに、X線回折チャートにおいて、正方晶系の前記チタン酸バリウムを示す(004)面の回折強度が、立方晶系の前記チタン酸バリウムを示す(400)面の回折強度よりも大きく、
前記結晶粒子は、平均粒径が0.15〜0.4μmであり
前記コンデンサ本体を酸素分圧で10−8〜10−16気圧中、1200℃、2時間の条件にて熱処理した後、前記コンデンサ本体の一部を研磨して得られた研磨面についてEELS分析したとき、前記導体材料と前記結晶粒子との界面から前記結晶粒子側に向けた10〜50nmの範囲におけるチタンの価数が4価であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Capacitor body in which dielectric layers made of dielectric ceramics having crystal grains mainly composed of barium titanate and having a thickness of 1 to 3 μm and internal electrode layers made of nickel as a conductive material are alternately laminated, and the capacitor body A multilayer ceramic capacitor composed of an external electrode provided at an exposed end of the internal electrode layer,
The dielectric ceramic is one kind selected from 0.05 to 0.3 mol of vanadium in terms of V 2 O 5 and yttrium, dysprosium, holmium and erbium with respect to 100 mol of barium constituting the barium titanate. The rare earth element (RE) contains 0.5 to 1.5 mol in terms of RE 2 O 3 , magnesium contains 0 to 0.1 mol in terms of MgO, and manganese contains 0 to 0.5 mol in terms of MnO. X-ray In the diffraction chart, the diffraction intensity of the (004) plane showing the tetragonal barium titanate is larger than the diffraction intensity of the (400) plane showing the cubic barium titanate,
The crystal particles have an average particle size of 0.15 to 0.4 μm ,
EELS analysis was performed on the polished surface obtained by polishing a part of the capacitor body after heat-treating the capacitor body with oxygen partial pressure of 10 −8 to 10 −16 atmosphere at 1200 ° C. for 2 hours. A monolithic ceramic capacitor characterized in that the valence of titanium in the range of 10 to 50 nm from the interface between the conductor material and the crystal particles toward the crystal particles is tetravalent.
前記チタン酸バリウムに固溶している成分が、実質的にバナジウムおよび希土類元素(RE)のみであることを特徴とする請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。   2. The multilayer ceramic capacitor according to claim 1, wherein the components dissolved in the barium titanate are substantially only vanadium and a rare earth element (RE).
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