JP5084693B2 - Light emitting device and light emitting element mounting substrate - Google Patents
Light emitting device and light emitting element mounting substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP5084693B2 JP5084693B2 JP2008271244A JP2008271244A JP5084693B2 JP 5084693 B2 JP5084693 B2 JP 5084693B2 JP 2008271244 A JP2008271244 A JP 2008271244A JP 2008271244 A JP2008271244 A JP 2008271244A JP 5084693 B2 JP5084693 B2 JP 5084693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- metal layer
- electrode
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、発光ダイオードチップなどの発光素子を基板の表面に実装した発光装置、およびそれに用いる発光素子搭載用基板に関する。この発光装置は、特に小電力の軽薄型照明装置の発光素子パネル、発光素子パッケージ等として有用である。 The present invention relates to a light emitting device in which a light emitting element such as a light emitting diode chip is mounted on the surface of a substrate, and a light emitting element mounting substrate used therefor. This light-emitting device is particularly useful as a light-emitting element panel, a light-emitting element package, and the like of a low-power light and thin lighting device.
従来、窒化アルミニウム等からなるセラミックス基板は、伝熱性、耐熱性、耐紫外線性等に優れるため、チップLED等を搭載したLEDパッケージ用の基板として、幅広く使用されてきた。しかし、セラミックス基板は、樹脂製基板と比較して、量産性、製造コストに劣るという問題があった。 Conventionally, ceramic substrates made of aluminum nitride or the like have been widely used as substrates for LED packages on which chip LEDs or the like are mounted because they are excellent in heat transfer, heat resistance, ultraviolet resistance, and the like. However, the ceramic substrate has a problem that it is inferior in mass productivity and manufacturing cost as compared with the resin substrate.
そこで、LED搭載用の樹脂製基板が開発されており、放熱性や伝熱性を改良するための技術が幾つか知られている。例えば、下記の特許文献1には、金属基板の上面に金属凸部を形成し、この金属凸部の周囲に金属凸部の高さと同じ高さの絶縁樹脂層を形成し、金属凸部上面に放熱パターンと絶縁樹脂層上面に給電用パターンをメッキ形成して、金属凸部の上面に放熱パターンを介して発光素子を実装可能とした発光素子搭載用基板が知られている。 Therefore, resin-made substrates for mounting LEDs have been developed, and several techniques for improving heat dissipation and heat transfer are known. For example, in Patent Document 1 below, a metal protrusion is formed on the upper surface of a metal substrate, an insulating resin layer having the same height as the metal protrusion is formed around the metal protrusion, and the upper surface of the metal protrusion is formed. A light-emitting element mounting substrate is known in which a heat-feeding pattern and a power-feeding pattern are plated on the upper surface of an insulating resin layer so that the light-emitting element can be mounted on the upper surface of a metal projection via the heat-dissipating pattern.
しかしながら、特許文献1の基板は、発光素子の実装位置である金属凸部上面の周囲が露出された絶縁樹脂層で形成されている。そのため、発光素子を搭載した場合、発光素子周囲の近傍で露出している樹脂面に発光素子の光が直接に照射されるため、この絶縁樹脂層の劣化が問題となる。また、樹脂面が露出されているため、その表面における光の反射は弱く、反射効率の問題も懸念される。 However, the substrate of Patent Document 1 is formed of an insulating resin layer in which the periphery of the upper surface of the metal convex portion that is the mounting position of the light emitting element is exposed. For this reason, when a light emitting element is mounted, the resin surface exposed in the vicinity of the periphery of the light emitting element is directly irradiated with the light of the light emitting element, and this deterioration of the insulating resin layer becomes a problem. Further, since the resin surface is exposed, the reflection of light on the surface is weak, and there is a concern about the problem of reflection efficiency.
上記の点を鑑みて、樹脂層に白色フィラーを添加して反射効率を改善する方法が提案されている。しかしながら、白色フィラーを添加しても光による劣化防止の効果は低いため、十分とはいえない。 In view of the above points, a method for improving the reflection efficiency by adding a white filler to the resin layer has been proposed. However, even if a white filler is added, the effect of preventing deterioration due to light is low, so it cannot be said to be sufficient.
そこで、本発明の目的は、絶縁樹脂層の劣化が防止でき、発光素子の光反射を良好とすることができる発光装置および発光素子搭載用基板を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting device and a light emitting element mounting substrate that can prevent deterioration of an insulating resin layer and improve light reflection of the light emitting element.
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。 The above object can be achieved by the present invention as described below.
即ち、本発明の発光素子搭載用基板は、
底面に少なくとも1つの電極を有する発光素子と、
その電極に対向する位置にパッドを有し、そのパッドの周囲に非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記パッドの下方には層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記パッドに電気的に接続されていることを特徴とする。
That is, the light emitting element mounting substrate of the present invention is
A light emitting device having at least one electrode on a bottom surface;
An upper surface metal layer having a pad at a position facing the electrode and having a peripheral pattern portion provided around the pad with a non-pattern portion around the periphery;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion below the pad;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
The electrode of the light emitting element is electrically connected to the pad in a state where the non-pattern part is disposed inside the outer shape projected from the light emitting element.
この構成によれば、電極との接続のためのパッドの下方に給電のための層間接続部を有するため、パッドを小さくすることができ、その周囲の非パターン部も小さくすることで、発光素子を投影した外形より内側に、非パターン部を配置することができる。これにより、発光素子(底面からの照射は殆どない)を投影した外形より外側には、金属の周辺パターン部が形成されるため、発光素子からの光は、非パターン部から露出する樹脂には殆ど照射されず、金属の周辺パターン部のみに照射され、絶縁樹脂層の劣化が防止できると共に、光反射を良好とすることができる。 According to this configuration, since the interlayer connection portion for supplying power is provided below the pad for connection with the electrode, the pad can be made small, and the non-pattern portion around it can be made small, so that the light emitting element A non-pattern part can be arranged inside the outer shape projected. As a result, a metal peripheral pattern part is formed outside the projected shape of the light emitting element (there is almost no irradiation from the bottom surface), so that the light from the light emitting element is not exposed to the resin exposed from the non-pattern part. Almost no irradiation is performed, and only the peripheral pattern portion of the metal is irradiated, so that deterioration of the insulating resin layer can be prevented and light reflection can be improved.
また、本発明の別の発光素子搭載用基板は、
底面に少なくとも1つの電極を有する発光素子と、
その電極に対向する位置の周囲に、非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記非パターン部の内側に上面が露出する層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記層間接続部の上面に電気的に接続されていることを特徴とする。
Further, another light emitting element mounting substrate of the present invention,
A light emitting device having at least one electrode on a bottom surface;
Around the position facing the electrode, an upper surface metal layer having a peripheral pattern portion provided all around the non-pattern portion;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion where the upper surface is exposed inside the non-patterned portion;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
The electrode of the light emitting element is electrically connected to the upper surface of the interlayer connection part in a state where the non-pattern part is disposed inside the outer shape projected from the light emitting element.
この構成によれば、電極との接続のために、給電のための層間接続部を露出させているため、その上面を小さくすることができ、その周囲の非パターン部も小さくすることで、発光素子を投影した外形より内側に、非パターン部を配置することができる。これにより、発光素子を投影した外形より外側には、金属の周辺パターン部が形成されるため、発光素子からの光は、非パターン部から露出する樹脂には殆ど照射されず、金属の周辺パターン部のみに照射され、絶縁樹脂層の劣化が防止できると共に、光反射を良好とすることができる。 According to this configuration, since the interlayer connection portion for feeding power is exposed for connection with the electrode, the upper surface can be reduced, and the non-patterned portion around it can also be reduced to emit light. The non-pattern part can be arranged inside the outer shape on which the element is projected. As a result, a metal peripheral pattern portion is formed outside the projected shape of the light emitting element, so that light from the light emitting element is hardly irradiated to the resin exposed from the non-patterned portion, and the metal peripheral pattern is formed. Only the portion is irradiated, so that the deterioration of the insulating resin layer can be prevented and the light reflection can be improved.
上記において、前記発光素子は、底面に2つの電極を有する発光ダイオードチップ又は発光ダイオードパッケージであることが好ましい。底面に2つの電極を有する発光素子は、別途ワイヤ等で接続する必要がなく、ソルダ接続等で2つの電極を同時に接続可能なため、実装工程がより簡易になる。 In the above, the light emitting element is preferably a light emitting diode chip or a light emitting diode package having two electrodes on a bottom surface. A light-emitting element having two electrodes on the bottom surface does not need to be separately connected by a wire or the like, and can be connected simultaneously by solder connection or the like, so that the mounting process becomes easier.
その際、前記発光素子の一方の電極は、前記パッド又は前記層間接続部の上面にソルダ接続され、他方の電極は、前記周辺パターン部にソルダ接続されていることが好ましい。 At this time, it is preferable that one electrode of the light emitting element is solder-connected to the upper surface of the pad or the interlayer connection portion, and the other electrode is solder-connected to the peripheral pattern portion.
一方、本発明の発光素子搭載用基板は、
底面に少なくとも1つの電極を有する発光素子を搭載するための発光素子搭載用基板であって、
その電極に対向する位置にパッドを有し、そのパッドの周囲に非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記パッドの下方には層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記パッドに電気的に接続されて使用されることを特徴とする。
On the other hand, the light emitting element mounting substrate of the present invention is
A light emitting element mounting substrate for mounting a light emitting element having at least one electrode on a bottom surface,
An upper surface metal layer having a pad at a position facing the electrode and having a peripheral pattern portion provided around the pad with a non-pattern portion around the periphery;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion below the pad;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
The electrode of the light emitting element is used by being electrically connected to the pad in a state where the non-pattern part is disposed inside the outer shape projected from the light emitting element.
本発明の発光素子搭載用基板によると、電極との接続のためのパッドの下方に給電のための層間接続部を有するため、パッドを小さくすることができ、その周囲の非パターン部も小さくすることで、発光素子を投影した外形より内側に、非パターン部を配置することができる。これにより、発光素子(底面からの照射は殆どない)を投影した外形より外側には、金属の周辺パターン部が形成されるため、発光素子からの光は、非パターン部から露出する樹脂には殆ど照射されず、金属の周辺パターン部のみに照射され、絶縁樹脂層の劣化が防止できると共に、光反射を良好とすることができる。 According to the light emitting element mounting substrate of the present invention, since the interlayer connection portion for feeding power is provided below the pad for connection to the electrode, the pad can be made small, and the non-pattern portion around it can also be made small. Thereby, a non-pattern part can be arrange | positioned inside the external shape which projected the light emitting element. As a result, a metal peripheral pattern part is formed outside the projected shape of the light emitting element (there is almost no irradiation from the bottom surface), so that the light from the light emitting element is not exposed to the resin exposed from the non-pattern part. Almost no irradiation is performed, and only the peripheral pattern portion of the metal is irradiated, so that deterioration of the insulating resin layer can be prevented and light reflection can be improved.
また、本発明の別の発光素子搭載用基板は、
底面に少なくとも1つの電極を有する発光素子を搭載するための発光素子搭載用基板であって、
その電極に対向する位置の周囲に、非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記非パターン部の内側に上面が露出する層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記層間接続部の上面に電気的に接続されて使用されることを特徴とする。
Further, another light emitting element mounting substrate of the present invention,
A light emitting element mounting substrate for mounting a light emitting element having at least one electrode on a bottom surface,
Around the position facing the electrode, an upper surface metal layer having a peripheral pattern portion provided all around the non-pattern portion;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion where the upper surface is exposed inside the non-patterned portion;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
The electrode of the light emitting element is used by being electrically connected to the upper surface of the interlayer connection part in a state where the non-pattern part is disposed inside the outer shape projected from the light emitting element.
本発明の別の発光素子搭載用基板によると、電極との接続のために、給電のための層間接続部を露出させているため、その上面を小さくすることができ、その周囲の非パターン部も小さくすることで、発光素子を投影した外形より内側に、非パターン部を配置することができる。これにより、発光素子を投影した外形より外側には、金属の周辺パターン部が形成されるため、発光素子からの光は、非パターン部から露出する樹脂には殆ど照射されず、金属の周辺パターン部のみに照射され、絶縁樹脂層の劣化が防止できると共に、光反射を良好とすることができる。 According to another light emitting element mounting substrate of the present invention, since the interlayer connection portion for feeding is exposed for connection with the electrode, the upper surface thereof can be reduced, and the surrounding non-pattern portion The non-pattern part can be arranged inside the outer shape projected with the light emitting element. As a result, a metal peripheral pattern portion is formed outside the projected shape of the light emitting element, so that light from the light emitting element is hardly irradiated to the resin exposed from the non-patterned portion, and the metal peripheral pattern is formed. Only the portion is irradiated, so that the deterioration of the insulating resin layer can be prevented and the light reflection can be improved.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の発光装置の一例を示す図であり、(a)は縦断面図、(b)は平面図である。図2から図4は、本発明の発光素子搭載用基板の製造工程フローの一例を示す図面である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A and 1B are diagrams illustrating an example of a light-emitting device according to the present invention, in which FIG. 1A is a longitudinal sectional view, and FIG. 1B is a plan view. 2 to 4 are drawings showing an example of a manufacturing process flow of the light emitting element mounting substrate of the present invention.
本発明の発光装置は、図1に示すように、底面に少なくとも1つの電極32を有する発光素子30と、その電極32に対向する位置にパッド20bを有し、そのパッド20bの周囲に非パターン部16aを隔てて全周に設けられた周辺パターン部20aを有する上面金属層と、その上面金属層の下方に設けられ、パッド20bの下方には層間接続部14を有する絶縁樹脂層16と、前記層間接続部14に接続された下面側金属層10と、を備える。
As shown in FIG. 1, the light emitting device of the present invention has a
本実施形態では、発光素子30が底面に2つの電極31、32を有する例を示す。また、本実施形態では、下面側金属層10がパターン形成されておらず、その上面に保護金属層12を介して層間接続部14を形成している例を示す。
In the present embodiment, an example in which the
本発明の発光装置では、非パターン部16aが発光素子30を投影した外形PLより内側に配置される状態で、発光素子30の電極32はパッド20bに電気的に接続されている。このような構造では、発光素子30の側面からの光が、絶縁樹脂層16の非パターン部16aに直接当たらないため、絶縁樹脂層16が発光素子30の光によって劣化することがない。また、周辺パターン部20aが反射面となるため発光素子30の発光効率が高くなる。このため、周辺パターン部20aに、金等の貴金属メッキなどを行うことにより、更に発光効率を高めることができる。
In the light emitting device of the present invention, the
本発明の発光素子搭載用基板は、図1に示すように、底面に少なくとも1つの電極32を有する発光素子30を搭載するための発光素子搭載用基板であって、その電極32に対向する位置にパッド20bを有し、そのパッド20bの周囲に非パターン部16aを隔てて全周に設けられた周辺パターン部20aを有する上面金属層と、その上面金属層の下方に設けられ、前記パッド20bの下方には層間接続部14を有する絶縁樹脂層16と、層間接続部14に接続された下面側金属層10とを備え、非パターン部16aが発光素子30を投影した外形PLより内側に配置される状態で、発光素子30の電極32はパッド20bに電気的に接続されて使用されるものである。
As shown in FIG. 1, the light emitting element mounting substrate of the present invention is a light emitting element mounting substrate for mounting a
次に、図2から図4に示す製造工程フローに従って本発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例について説明する。 Next, an example of the manufacturing method of the light emitting element mounting substrate of this invention is demonstrated according to the manufacturing process flow shown in FIGS.
(1)金属基板(下面側金属層10)に柱状金属部14を形成する(ステップS1)。図3(a)〜(c)に示すように、金属基板に積層された表面金属層4を選択的にエッチングして発光素子30の電極32に対向する位置に柱状金属部14が形成される。この表面金属層4は、そのエッチング時に耐性を示す別の保護金属層2を介して金属基板に積層されている例を示す。保護金属層2は、省略することが可能であり、その場合、エッチング量を制御することにより、金属基板上に柱状金属部14を形成することができる。
(1) The
図3(a)に示すような、金属基板と保護金属層2と柱状金属部14とを形成するための表面金属層4とが積層された積層板SPを用意する。積層板SPは、何れの方法で製造したものでもよく、例えば電解メッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、クラッド材などが何れも使用可能である。積層板SPの各層の厚みについては、例えば、金属基板の厚みは、10〜5000μm、保護金属層2の厚みは、1〜20μm、表面金属層4の厚みは10〜500μmである。
A laminated plate SP in which a metal substrate, a
金属基板は、単層または積層体の何れでもよく、構成する金属としては、何れの金属でもよく、例えば銅、銅合金、アルミニウム、ステンレス、ニッケル、鉄、その他の合金等が使用できる。なかでも、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅、アルミニウムが好ましい。上記のような、放熱が良好な金属基板を備える構造により、発光素子30の温度上昇を防止できるため、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。
The metal substrate may be either a single layer or a laminate, and any metal may be used as a constituent metal, and for example, copper, copper alloy, aluminum, stainless steel, nickel, iron, other alloys, and the like can be used. Of these, copper and aluminum are preferable from the viewpoint of thermal conductivity and electrical conductivity. With the structure including the metal substrate with good heat dissipation as described above, the temperature rise of the
表面金属層4を構成する金属としては、通常、銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用でき、特に熱伝導性や電気伝導性の点から、銅が好ましい。
As the metal constituting the
保護金属層2を構成する金属としては、金属基板及び表面金属層4とは別の金属が使用され、これらの金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用できる。具体的には、これらの金属が銅である場合、保護金属層2を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の組合せに限らず、上記金属のエッチング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可能である。なお、保護金属層2を形成しない場合、別の金属である表面金属層4を直接に金属基板に形成することもできる。
As the metal constituting the
次に、図3(b)に示すように、エッチングレジストMを用いて、表面金属層4の選択的なエッチングを行う。これにより、発光素子30の搭載位置に柱状金属部14を形成する。柱状金属部14のサイズは、実装される発光素子30のサイズより小さくする必要があり、例えばその上面の直径が0.1〜0.6mmである。柱状金属部14の上面の形状は、四角形、円形など何れでもよい。
Next, as shown in FIG. 3B, the
エッチングレジストMは、感光性樹脂やドライフィルムレジスト(フォトレジスト)などが使用できる。なお、金属基板が表面金属層4と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材を、金属基板の下面に設けるのが好ましい(図示省略)。
As the etching resist M, a photosensitive resin, a dry film resist (photoresist), or the like can be used. In addition, when a metal substrate is etched simultaneously with the
エッチングの方法としては、保護金属層2及び表面金属層4を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、表面金属層4が銅であり、保護金属層2が前述の金属(金属系レジストを含む)の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素/硫酸等が使用できる。エッチング後には、エッチングレジストMが除去される。
Examples of the etching method include etching methods using various etching solutions according to the types of each metal constituting the
次に、図3(c)、(d)に示すように、露出している保護金属層2を除去するが、これを除去せずに、絶縁樹脂層16を形成することも可能である。保護金属層2は、エッチングにより除去し保護金属層12を形成することができる。具体的には、表面金属層4が銅であり、保護金属層2が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。
Next, as shown in FIGS. 3C and 3D, the exposed
予め露出する保護金属層2を除去する場合、除去部分から金属基板の表面が露出するが、これと絶縁樹脂層16との密着性を高めるために、黒化処理、粗化処理などの表面処理を行うことが好ましい。
When the
(2)次いで、絶縁樹脂材料と金属箔とを積層し、表面に凸部Aを形成する(ステップS2)。以下では金属箔として銅箔を用いた場合について説明する。図3(e)に示すように、絶縁樹脂材料と銅箔を積層して一体化し、絶縁樹脂層16と金属層19とを同時に形成する。絶縁樹脂材料と銅箔をプレス面により加熱プレスして、図3(f)に示すように、柱状金属部14に対応する位置に凸部Aを形成し、最上表面に金属層19が形成された積層体を得る。このとき、プレス面と被積層体との間に、少なくとも、凹状変形を許容するシート材を配置しておくのが好ましい。また、柱状金属部14に対応する位置に凹部を有するプレス面を使用してもよい。
(2) Next, the insulating resin material and the metal foil are laminated, and the convex portion A is formed on the surface (step S2). Below, the case where copper foil is used as metal foil is demonstrated. As shown in FIG. 3E, the insulating resin material and the copper foil are laminated and integrated to form the insulating
上記の絶縁樹脂材料と銅箔は、各種のものが市販されており、それらをいずれも使用できる。また、絶縁樹脂材料の形成材と、銅箔の形成材とは各々を別々に配置してもよい。この工程では、シート材が、柱状金属部14の存在によって加熱プレス時に凹状変形するため、それに対応する凸部Aが積層体に形成される。
Various types of the above-mentioned insulating resin material and copper foil are commercially available, and any of them can be used. Further, the insulating resin material forming material and the copper foil forming material may be arranged separately. In this step, since the sheet material is deformed in a concave shape during the heat press due to the presence of the
加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置(熱ラミネータ、加熱プレス)などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空(真空ラミネータ等)にしてもよい。加熱温度、圧力など条件等は、絶縁樹脂層形成材と金属層形成材の材質や厚みに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、0.5〜30MPaが好ましい。 As a heating press method, a heating / pressurizing apparatus (thermal laminator, heating press) or the like may be used. In this case, the atmosphere may be set to a vacuum (vacuum laminator or the like) in order to avoid air contamination. Conditions such as heating temperature and pressure may be appropriately set according to the material and thickness of the insulating resin layer forming material and the metal layer forming material, but the pressure is preferably 0.5 to 30 MPa.
絶縁樹脂層形成材としては、積層時に変形して加熱等により固化すると共に、配線基板に要求される耐熱性を有するものであれば何れの材料でもよい。具体的には、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂や、それとガラス繊維、セラミック繊維、アラミド繊維等との複合体(プリプレグ)などが挙げられる。 The insulating resin layer forming material may be any material as long as it is deformed during lamination and solidified by heating or the like and has the heat resistance required for the wiring board. Specific examples include various reaction curable resins such as polyimide resins, phenol resins, and epoxy resins, and composites (prepregs) of the same with glass fibers, ceramic fibers, aramid fibers, and the like.
また、絶縁樹脂層16の絶縁樹脂層形成材として、熱伝導性の高い材料で構成されることが好ましく、例えば、熱伝導性フィラーを含む樹脂等が例示される。
The insulating resin layer forming material of the insulating
この場合の絶縁樹脂層16は、1.0W/mK以上の熱伝導率を有し、1.2W/mK以上の熱伝導率を有することが好ましく、1.5W/mK以上の熱伝導率を有することがより好ましい。これによって、金属凸部14からの熱を効率良く金属基板側に放熱することができる。ここで、絶縁樹脂層16の熱伝導率は、適宜、熱伝導性フィラーの配合量および粒度分布を考慮した配合を選択することで決定されるが、硬化前の絶縁性接着剤の塗工性を考慮すると、一般的には10W/mK程度が上限として好ましい。
In this case, the insulating
上記の絶縁樹脂層16は金属酸化物及び/又は金属窒化物である熱伝導性フィラーと樹脂(絶縁性接着剤)とで構成されることが好ましい。金属酸化物並びに金属窒化物は、熱伝導性に優れ、しかも電気絶縁性のものが好ましい。金属酸化物としては酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化ベリリウム、酸化マグネシウムが、金属窒化物としては窒化硼素、窒化珪素、窒化アルミニウムが選択され、これらを単独または2種以上を混合して用いることができる。特に、前記金属酸化物のうち、酸化アルミニウムは電気絶縁性、熱伝導性ともに良好な絶縁接着剤層を容易に得ることができ、しかも安価に入手可能であるという理由で、また、前記金属窒化物のうち窒化硼素は電気絶縁性、熱伝導性に優れ、更に誘電率が小さいという理由で好ましい。
The insulating
熱伝導性フィラーとしては、小径フィラーと大径フィラーとを含むものが好ましい。このように2種以上の大きさの異なる粒子(粒度分布の異なる粒子)を用いることで、大径フィラー自体による伝熱機能と、小径フィラーにより大径フィラー間の樹脂の伝熱性を高める機能により、絶縁樹脂層16の熱伝導率をより向上させることができる。このような観点から、小径フィラーのメディアン径は、0.5〜2μmが好ましく0.5〜1μmがより好ましい。また、大径フィラーのメディアン径は、10〜40μmが好ましく15〜20μmがより好ましい。
As a heat conductive filler, what contains a small diameter filler and a large diameter filler is preferable. Thus, by using two or more kinds of particles having different sizes (particles having different particle size distributions), the heat transfer function by the large-diameter filler itself and the function of increasing the heat transfer property of the resin between the large-diameter fillers by the small-diameter filler Further, the thermal conductivity of the insulating
上記の絶縁樹脂層16を構成する樹脂としては、金属酸化物及び/又は金属窒化物を含みながらも、硬化状態下において、金属基板(存在していれば保護金属層12)との接合力に優れ、また耐電圧特性等を損なわないものが選択される。このような樹脂として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチックが単独または2種以上を混合して用いることができるが、このうちエポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。特に、エポキシ樹脂のなかでは、流動性が高く、前記の金属酸化物及び金属窒化物との混合性に優れるビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールF型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが一層好ましい樹脂である。
The resin constituting the insulating
シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体、などが挙げられる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体などの、弾性変形可能なものが好ましい。 The sheet material may be any material that allows concave deformation at the time of heating press, such as cushion paper, rubber sheet, elastomer sheet, nonwoven fabric, woven fabric, porous sheet, foam sheet, metal foil, and composites thereof. Can be mentioned. In particular, those that can be elastically deformed, such as cushion paper, rubber sheets, elastomer sheets, foam sheets, and composites thereof, are preferable.
(3)柱状金属部14の上方の凸部Aを除去し、柱状金属部14を露出させる(ステップS3)。図3(g)に示すように、凸部Aが除去されて柱状金属部14が露出し平坦面Bが形成されている。この凸部Aの除去の際、金属層19の高さと柱状金属部14の高さが一致するように除去して平坦化するのが好ましい。
(3) The convex part A above the
凸部Aの除去方法としては、研削や研磨による方法が好ましく、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品などを用いる方法などが挙げられる。研削装置を使用すると、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。本発明のように積層体に凸部Aが形成されていると、その部分のみを研削するのが容易になり、全体の平坦化がより確実に行える。 As a method for removing the convex portion A, a method by grinding or polishing is preferable. A method using a grinding device having a hard rotating blade in which a plurality of hard blades made of diamond or the like are arranged in the radial direction of the rotating plate, a sander, a belt sander , A method using a grinder, a surface grinder, a hard abrasive molded article, or the like. When the grinding apparatus is used, the upper surface can be flattened by moving the hard rotary blade along the upper surface of the fixedly supported wiring board while rotating the hard rotary blade. Moreover, as a grinding | polishing method, the method of lightly grind | polishing by a belt sander, buff grinding | polishing, etc. is mentioned. When the protrusion A is formed on the laminate as in the present invention, it becomes easy to grind only that portion, and the entire flattening can be performed more reliably.
(4)金属箔(金属層19)を所定のパターンでエッチングする(ステップS4)。また、図3(h)に示すように、金属層19を所定のパターンでエッチングする処理の前に、露出された柱状金属部14および金属層19を金属メッキし、金属メッキ層20を形成する。また、少なくとも露出された柱状金属部14を金属メッキすることでもよい。金属メッキの金属種としては、例えば銅、銀、Ni等が好ましい。金属メッキ層20の形成の方法としては、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルメッキ法や、パターンメッキ用レジストを使用してメッキで形成するパターンメッキ法等が挙げられる。
(4) The metal foil (metal layer 19) is etched with a predetermined pattern (step S4). Further, as shown in FIG. 3H, the exposed
次いで、図4(i)〜(j)に示すように、エッチングレジストMを使用して、所定のパターンで金属メッキ層20および金属層19をエッチングすることで、パッド20bと周辺パターン部20aを有する上面金属層を形成する。これにより、絶縁樹脂層16が、非パターン部16aから露出する構造となる。パッド20bのサイズは、実装される発光素子30のサイズより小さくする必要があり、例えばその上面の直径が0.1〜0.6mmである。パッド20bの上面の形状は、四角形、円形など何れでもよい。非パターン部16aの幅は、短絡を防止しつつ、外形PLの内側に非パターン部16aを収容する観点から、20〜200μmが好ましい。
Next, as shown in FIGS. 4I to 4J, by using the etching resist M, the
エッチングレジストMの除去としては薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストMの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。 The removal of the etching resist M may be appropriately selected according to the type of the etching resist M, such as chemical removal or peeling removal. For example, in the case of photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with chemicals such as alkali.
また、別の製造方法として、絶縁樹脂材料とセラミック層付き銅箔を加熱プレスした後に、エッチングで柱状金属部14の上方の金属層19を除去し、その後同様にして、研削等を行ってもよい。また、前述の説明では、プレス面と被積層体との間に、凹状変形を許容するシート材を配置することで、金属層19を凸状に変形させる例を示したが、本発明では、金属層19の上面にドライフィルムレジストを積層しておき、パターン露光と現像を行うことによって、柱状金属部14の上方が開口したドライフィルムレジストを形成しておくことで、加熱プレスした際に、金属層19を凸状に変形させることも可能である。
As another manufacturing method, after heat-pressing the insulating resin material and the copper foil with the ceramic layer, the
また、パッド20bと周辺パターン部20aには、反射効率を高めるために金、ニッケル、銀などの貴金属によるメッキを行うのが好ましい。また、従来の配線基板と同様にソルダレジストを形成したり、部分的に半田メッキを行ってもよい。
The
次いで、図1に示すように、発光素子30が実装される。発光素子30の実装方法としては、発光素子30の少なくとも一方の電極32を、パッド20bの上面にソルダ35により接続する方法が好ましい。底面に2つの電極を有する発光素子30を用い場合、他方の電極31も、周辺パターン部20aにソルダ35により接続するのが好ましい。また、底面に1つの電極を有する発光素子30を用いる場合、例えば、他方の電極と周辺パターン部20aとの接続は、ワイヤボンディング等により行うことが可能である。なお、導電性ペースト、異方性導電膜などによって、電極32とパッド20bとを電気的に接続することも可能である。
Next, as shown in FIG. 1, the
発光素子30としては、底面に少なくとも1つの電極を有するものであればよく、電極形成面の反対側に発光する発光ダイオードチップ(フリップチップ、ベアチップ)、パッケージされた表面実装タイプの発光ダイオード(チップLED)、半導体レーザチップ等が挙げられる。底面に1つの電極を有する発光ダイオードチップとしては、その底面が、カソードタイプとアノードタイプの2種類がある。
The
本発明では、図5に示すように、柱状金属部14の周囲に、リフレクタ機能を備えたダム201を形成してもよい。ダム201は、周辺パターン部20aの上面に接着剤202によって接着されている。ダム201は、所定の厚みのAl板にダム形状の孔加工を施すことで形成できる。ダム202の反射面にはさらに、Ni、Ag、Cu等のメッキを施すことができる。そして、ダム201の内側を透明樹脂、蛍光色樹脂等で被覆することができる。さらに、その上方に、凸面の透明樹脂レンズを設けることができる。透明樹脂レンズが凸面を有することで、効率良く基板から上方に光を発射させることができる。なお、透明樹脂レンズは着色されたものでもよい。
In the present invention, a
このようにダム201の内部を透明樹脂で被覆(封し)し、透明樹脂レンズを設けて発光素子パッケージあるいは発光素子パネルを構成することができる。発光素子パッケージは、一般的に、配線パターンが形成された基板に1個の発光素子が実装されたパッケージ構成であり、この発光素子パッケージは回路基板上に実装される。また、発光素子パネルは、一般的に、配線パターンが形成された基板に複数の発光素子が実装されている構成である。
Thus, the inside of the
また、図6に示すように、周辺パターン部20aの上面に接着剤202を介在させて、絶縁樹脂製のダム203を形成でき、その反射面204を例えばNi、Cu、Ag等でメッキ処理して、リフレクタ機能を発揮させることが好ましい。絶縁樹脂製のダム203は、所定厚みの絶縁樹脂板にダム形状の孔加工を施すことで形成できる。この絶縁樹脂板としてベースが絶縁樹脂の回路基板を用いてもよい。
Further, as shown in FIG. 6, an insulating
(別発明の実施形態)
本発明の別の発光装置は、図7に示すように、底面に少なくとも1つの電極32を有する発光素子30と、その電極32に対向する位置の周囲に、非パターン部16aを隔てて全周に設けられた周辺パターン部20aを有する上面金属層と、その上面金属層の下方に設けられ、前記非パターン部16aの内側に上面が露出する層間接続部14を有する絶縁樹脂層16と、前記層間接続部16に接続された下面側金属層10と、を備えている。また、非パターン部16aが発光素子30を投影した外形PLより内側に配置される状態で、発光素子30の電極32は層間接続部14の上面に電気的に接続されている。
(Embodiment of another invention)
As shown in FIG. 7, another light-emitting device of the present invention has a light-emitting
つまり、別発明の発光装置と図1に示す発光装置との相違は、後者では金属層19の上面に周辺パターン部20aが形成され、層間接続部14の上面にパッド20bが成形されているのに対して、図7に示す別発明の発光装置は、金属層19によって周辺パターン部20が形成され、パッド20bが形成されていない点のみで相違する。
That is, the difference between the light-emitting device of another invention and the light-emitting device shown in FIG. 1 is that the
このため、本発明の別の発光素子搭載用基板は、図7に示すように、底面に少なくとも1つの電極32を有する発光素子30を搭載するための発光素子搭載用基板であって、その電極32に対向する位置の周囲に、非パターン部16aを隔てて全周に設けられた周辺パターン部20aを有する上面金属層と、その上面金属層の下方に設けられ、非パターン部16aの内側に上面が露出する層間接続部14を有する絶縁樹脂層16と、前記層間接続部14に接続された下面側金属層10と、を備えている。また、非パターン部16aが発光素子30を投影した外形PLより内側に配置される状態で、発光素子30の電極32は層間接続部14の上面に電気的に接続されて使用される。
For this reason, another light emitting element mounting substrate of the present invention is a light emitting element mounting substrate for mounting a
以下、図1に示す発光装置との相違点についてのみ説明するが、他の部分については、図1に示す発光装置の説明がそのまま該当する。 Hereinafter, only differences from the light-emitting device shown in FIG. 1 will be described, but the description of the light-emitting device shown in FIG.
まず、製造方法については、図3(h)に示すような、メッキにより金属メッキ層20を形成する工程が不要になる。従って、図3(i)に示す基板をそのまま、別発明の発光素子搭載用基板として使用可能である。また、図3(i)に示す基板において、周辺パターン部20aと層間接続部14の上面とが接近しすぎる場合(非パターン部16aの幅が狭すぎる場合)には、図4(i)〜(j)に示すように、エッチングレジストMを使用して、所定のパターンで金属メッキ層20および金属層19をエッチングして、非パターン部16aの幅を広げることも可能である。
First, the manufacturing method eliminates the step of forming the
発光素子30の実装に関しては、図7に示すように、発光素子30の少なくとも一方の電極32を、層間接続部14の上面にソルダ35により接続する方法が好ましい。底面に2つの電極を有する発光素子30を用いる場合、他方の電極31も、金属層19である周辺パターン部20aにソルダ35により接続するのが好ましい。
Regarding the mounting of the
(別実施形態)
(1)前述の実施形態では、下面側金属層がパターン形成されておらずパネル状の下面側金属層である例を示したが、下面側金属層は、所定のパターンに回路形成されていてもよい。その場合、複数の発光素子を実装して、直列に接続可能なように、隣接する発光素子の下方の層間接続部同士を接続するパターンを形成してもよい。その場合、一方の層間接続部には、カソード側電極が接続され、他方の層間接続部には、アノード側電極が接続される。また、直列接続と並列接続を併用してもよい。
(Another embodiment)
(1) In the above-described embodiment, an example in which the lower surface side metal layer is not patterned but is a panel-shaped lower surface side metal layer is shown. However, the lower surface side metal layer is formed in a circuit in a predetermined pattern. Also good. In that case, a pattern may be formed in which a plurality of light emitting elements are mounted and the interlayer connection portions below the adjacent light emitting elements are connected so that they can be connected in series. In that case, the cathode electrode is connected to one interlayer connection, and the anode electrode is connected to the other interlayer connection. Moreover, you may use together serial connection and parallel connection.
(2)前述の実施形態では、発光素子搭載用基板が発光素子搭載と電極とで構成されている例を示したが、本発明では、その他の電子回路を同じ基板上に形成してもよい。例えば、発光ダイオードの駆動回路などを形成するのが好ましい。この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンディング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、IC等を設ければよい。 (2) In the above-described embodiment, the example in which the light emitting element mounting substrate is configured by the light emitting element mounting and the electrode has been described. However, in the present invention, other electronic circuits may be formed on the same substrate. . For example, it is preferable to form a drive circuit for a light emitting diode. In this case, wiring, lands, pads for bonding, pads for electrical connection to the outside, etc. are patterned in the periphery of the substrate, particularly in the corner and the vicinity thereof, and components such as chip capacitors, chip resistors and printing resistors, A transistor, a diode, an IC, or the like may be provided.
(3)前述の実施形態では、下面側金属層が最下面に形成されている、配線層が2層構造の基板の例を示したが、本発明は、更に下層の配線層を設けることで、配線層が3層以上の多層配線基板としてもよい。その場合の配線層間の導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報WO00/52977号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。 (3) In the above-described embodiment, the example in which the lower surface side metal layer is formed on the lowermost surface and the wiring layer has a two-layer structure is shown. However, the present invention provides a lower wiring layer. A multilayer wiring board having three or more wiring layers may be used. Details of a method for forming a conductive connection structure between wiring layers in that case are described in International Publication No. WO 00/52977, and any of these can be applied.
(4)前述の実施形態では、発光素子が底面に2つの電極を有する例を示したが、本発明では、図8に示すように、発光素子30が底面に1つの電極32を有するものでもよい。その場合、例えば、他方の電極31と周辺パターン部20aとの接続は、ワイヤボンディング等により行うことが可能である。ワイヤボンディングには、金等の金属細線を使用することができ、超音波やこれと加熱を併用する方法で結線することが可能である。
(4) In the above-described embodiment, an example in which the light emitting element has two electrodes on the bottom surface is shown. However, in the present invention, as shown in FIG. 8, the
なお、この実施形態では、保護金属層を省略して、これを介在させずに、エッチング量を制御することにより、金属基板(下面側金属層10)上に柱状金属部14を形成する例を示している。
In this embodiment, the
(5)本発明では、発光素子を基板に実装した後に、又はリフレクタを形成した後に、1層又は複数層の耐光性フィルムを用いて、その表面を被覆又は封止してもよい。耐光性フィルムとしては、フッ素系樹脂とメタクリル酸エステル系樹脂を含有する樹脂組成物等を用いることができる。 (5) In this invention, after mounting a light emitting element on a board | substrate or after forming a reflector, you may coat | cover or seal the surface using the light-resistant film of 1 layer or multiple layers. As the light-resistant film, a resin composition containing a fluororesin and a methacrylic ester resin can be used.
フッ素系樹脂としては、例えばポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポリフッ化ビニルのホモポリマー及び共重合体が挙げられる。メタクリル酸エステル系樹脂とはメタクリル酸メチル(MMA)のホモポリマー又はメタクリル酸メチルと共重合可能な単量体との共重合体及びポリメタクリル酸メチルとアクリル系ゴムとのブレンド物等をいう。共重合可能な単量体としては炭素数2〜4のメタクリル酸エステル、アクリル酸ブチルをはじめとする炭素数1〜8のアクリル酸エステル、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、アクリル酸、その他のエチレン性不飽和モノマー等がある。 Examples of the fluororesin include homopolymers and copolymers of polyvinylidene fluoride, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyhexafluoropropylene, and polyvinyl fluoride. The methacrylic ester resin refers to a homopolymer of methyl methacrylate (MMA), a copolymer of a monomer copolymerizable with methyl methacrylate, a blend of polymethyl methacrylate and acrylic rubber, or the like. Examples of the copolymerizable monomer include methacrylic acid esters having 2 to 4 carbon atoms, acrylate esters having 1 to 8 carbon atoms such as butyl acrylate, styrene, α-methylstyrene, acrylonitrile, acrylic acid, and the like. Examples include ethylenically unsaturated monomers.
耐光性フィルム構成する少なくとも1層には、蛍光体を含有させることも可能である。蛍光体としては、蛍光体母体アルミン酸イットリウムに付活剤セリウムを導入したYAG:Ce蛍光体,蛍光体母体珪酸ストロンチウム・バリウムに付活剤ユーロピウムを導入した(Sr,Ba)2SiO4:Eu蛍光体などの酸化物蛍光体、α―サイアロン蛍光体、β―サイアロン蛍光体などの窒化物蛍光体、および、銅、銅及びアルミニウム、マグネシウムで付活した硫化亜鉛等がある。蛍光体の粒径は、広い範囲、例えば、0.001〜20μmの範囲内で変化することができる。光散乱は、粒径に正比例して増加し得るので、1〜2μm以下のオーダーの粒子が好ましく、0.01〜0.4μm以下のオーダーの粒子がより望ましい。 A phosphor may be contained in at least one layer constituting the light-resistant film. As the phosphor, YAG: Ce phosphor in which the activator cerium is introduced into the phosphor matrix yttrium aluminate, and the activator europium is introduced in the phosphor matrix strontium barium silicate (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu. There are oxide phosphors such as phosphors, nitride phosphors such as α-sialon phosphors and β-sialon phosphors, and zinc sulfide activated by copper, copper, aluminum, and magnesium. The particle size of the phosphor can vary within a wide range, for example, within a range of 0.001 to 20 μm. Since light scattering can increase in direct proportion to the particle size, particles on the order of 1-2 μm or less are preferred, and particles on the order of 0.01-0.4 μm or less are more desirable.
また、耐光性フィルム構成する少なくとも1層には、紫外線吸収剤、酸化防止剤、分散剤、カツプリング剤等を使用することもできる。 Moreover, an ultraviolet absorber, antioxidant, a dispersing agent, a coupling agent, etc. can also be used for at least 1 layer which comprises a light-resistant film.
10 下面側金属層
12 保護金属層
14 柱状金属部
16 絶縁樹脂層
20 金属メッキ層
20a 周辺パターン部
20b パッド
30 発光素子
32 電極
35 ソルダ
A 凸部
B 平坦面
DESCRIPTION OF
Claims (6)
その電極に対向する位置にパッドを有し、そのパッドの周囲に非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記パッドの下方には層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記パッドに電気的に接続されている発光装置。 A light emitting device having at least one electrode on a bottom surface;
An upper surface metal layer having a pad at a position facing the electrode and having a peripheral pattern portion provided around the pad with a non-pattern portion around the periphery;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion below the pad;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
The light emitting device in which the electrode of the light emitting element is electrically connected to the pad in a state in which the non-patterned portion is disposed inside the outer shape projected from the light emitting element.
その電極に対向する位置の周囲に、非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記非パターン部の内側に上面が露出する層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記層間接続部の上面に電気的に接続されている発光装置。 A light emitting device having at least one electrode on a bottom surface;
Around the position facing the electrode, an upper surface metal layer having a peripheral pattern portion provided all around the non-pattern portion;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion where the upper surface is exposed inside the non-patterned portion;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
The light emitting device in which the electrode of the light emitting element is electrically connected to the upper surface of the interlayer connection part in a state in which the non-pattern part is disposed inside the outer shape projected from the light emitting element.
その電極に対向する位置にパッドを有し、そのパッドの周囲に非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記パッドの下方には層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記パッドに電気的に接続されて使用される発光素子搭載用基板。 A light emitting element mounting substrate for mounting a light emitting element having at least one electrode on a bottom surface,
An upper surface metal layer having a pad at a position facing the electrode and having a peripheral pattern portion provided around the pad with a non-pattern portion around the periphery;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion below the pad;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
A light-emitting element mounting substrate used in such a manner that the electrodes of the light-emitting elements are electrically connected to the pads in a state where the non-pattern part is disposed on the inner side of the outer shape projected from the light-emitting elements.
その電極に対向する位置の周囲に、非パターン部を隔てて全周に設けられた周辺パターン部を有する上面金属層と、
その上面金属層の下方に設けられ、前記非パターン部の内側に上面が露出する層間接続部を有する絶縁樹脂層と、
前記層間接続部に接続された下面側金属層と、を備え、
前記非パターン部が前記発光素子を投影した外形より内側に配置される状態で、前記発光素子の電極は前記層間接続部の上面に電気的に接続されて使用される発光素子搭載用基板。 A light emitting element mounting substrate for mounting a light emitting element having at least one electrode on a bottom surface,
Around the position facing the electrode, an upper surface metal layer having a peripheral pattern portion provided all around the non-pattern portion;
An insulating resin layer provided below the upper surface metal layer, and having an interlayer connection portion where the upper surface is exposed inside the non-patterned portion;
A lower surface side metal layer connected to the interlayer connection part,
A light-emitting element mounting substrate that is used while the non-pattern part is disposed on the inner side of the projected outer shape of the light-emitting element and the electrode of the light-emitting element is electrically connected to the upper surface of the interlayer connection part.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008271244A JP5084693B2 (en) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | Light emitting device and light emitting element mounting substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008271244A JP5084693B2 (en) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | Light emitting device and light emitting element mounting substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010103182A JP2010103182A (en) | 2010-05-06 |
| JP5084693B2 true JP5084693B2 (en) | 2012-11-28 |
Family
ID=42293602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008271244A Expired - Fee Related JP5084693B2 (en) | 2008-10-21 | 2008-10-21 | Light emitting device and light emitting element mounting substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5084693B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130039981A (en) * | 2011-10-13 | 2013-04-23 | 엘지이노텍 주식회사 | Led optical source module for high power, and illumination apparatus and back light unit including the same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5745784B2 (en) * | 2010-06-10 | 2015-07-08 | シチズン電子株式会社 | Light emitting diode |
| JP5705323B2 (en) * | 2010-09-13 | 2015-04-22 | ビーケー テクノロジー カンパニー リミテッド | High power LED light source structure with improved heat dissipation characteristics |
| TWI442540B (en) * | 2010-10-22 | 2014-06-21 | 柏友照明科技股份有限公司 | Polycrystalline package structure directly connected to AC power |
| EP2447595B1 (en) * | 2010-10-27 | 2017-08-02 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting module |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4255367B2 (en) * | 2003-12-04 | 2009-04-15 | デンカAgsp株式会社 | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof |
| JP4255015B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-04-15 | シチズン電子株式会社 | Optical semiconductor package |
| JP4643918B2 (en) * | 2004-03-10 | 2011-03-02 | シチズン電子株式会社 | Optical semiconductor package |
| JP5109226B2 (en) * | 2005-01-20 | 2012-12-26 | 豊田合成株式会社 | Light emitting device |
-
2008
- 2008-10-21 JP JP2008271244A patent/JP5084693B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130039981A (en) * | 2011-10-13 | 2013-04-23 | 엘지이노텍 주식회사 | Led optical source module for high power, and illumination apparatus and back light unit including the same |
| KR101891217B1 (en) | 2011-10-13 | 2018-08-27 | 엘지이노텍 주식회사 | LED Optical Source Module for High Power, and Illumination Apparatus and Back Light Unit Including The Same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010103182A (en) | 2010-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2010035788A1 (en) | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof | |
| JP5372653B2 (en) | Light emitting element mounting substrate and light emitting device | |
| JP5759413B2 (en) | Light emitting diode package | |
| JP4255367B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof | |
| JP5410098B2 (en) | LED light source unit | |
| JP5072405B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate and method for manufacturing the same | |
| JP4747265B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof | |
| JP5077130B2 (en) | Lighting device | |
| JP2014120529A (en) | Circuit board, led module and led package, and method of manufacturing circuit board | |
| JP2004039691A (en) | Heat conductive wiring board for LED lighting device, LED lighting device using the same, and manufacturing method thereof | |
| JP6068175B2 (en) | WIRING BOARD, LIGHT EMITTING DEVICE, WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD | |
| JP2011040715A (en) | Led mounting substrate and method of manufacturing the same | |
| JP5063555B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate | |
| JP5084693B2 (en) | Light emitting device and light emitting element mounting substrate | |
| US20160233401A1 (en) | Substrate for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing substrate for light emitting device | |
| JP5165913B2 (en) | Backlight unit and manufacturing method thereof | |
| JP5010669B2 (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP6121099B2 (en) | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2014103354A (en) | Circuit board, led module, and manufacturing method for circuit board | |
| WO2020137762A1 (en) | Fluorescent substrate, light-emitting substrate, and lighting device | |
| JP2010021420A (en) | Substrate for mounting light-emitting element, light-emitting element panel, light-emitting element package, and method of manufacturing substrate for mounting light-emitting element | |
| JP2011165737A (en) | Light-emitting element carrying board and method for manufacturing the same | |
| JP2010171270A (en) | Substrate for mounting light-emitting element and method of manufacturing the same | |
| JP4534575B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
| WO2020137760A1 (en) | Phosphor substrate, light-emitting substrate, and lighting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110329 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110602 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120830 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120905 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120904 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |