JP5086065B2 - ハイブリッド装置とその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロ波周波数でのハイブリッド装置中におけるクロストーク抑制の分野に関するものである。

本発明は、特許出願第 PD-01W115号（“Improved Flip Chip MMIC on Board Performance Using Periodic Electromagnetic Bandgap Structures”,2004年3月5日出願、serial number 10/794,491）の部分継続出願である。

半導体構造の一例であるモノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）は、軍用および民間の無線周波数センサおよび現在の世代の通信適用をサポートしている。ＭＭＩＣには、電界効果トランジスタおよびバイポーラトランジスタのような能動装置、キャパシタ、薄膜／バルク抵抗およびインダクタンスのような受動素子が砒化ガリウムのような単一の半絶縁基板上に集積されている。

ハイブリッド技術は、ＭＭＩＣのような複数の個々の半導体構造をホスト基板と単層または多層の構成で相互接続するために使用される方法に関するものである。ハイブリッドにおいて、半導体構造の間の相互接続は、しばしば、ホスト基板の表面に沿って行われる。これらの相互接続は、バンプ（はんだ、またはハードめっきされたバンプ）に接続された金属被覆された通路を使用して形成されることが多い。基板の表面上に配置されたこれらのバンプは半導体構造上の導電性パッドと結合し、それによってホスト基板と半導体構造との間に導電性の相互接続通路を形成する。バンプは接続用のワイヤボンドに代わる代用物として使用される。ワイヤボンドにまさるバンプの利点には、ウェハの薄化、貫通孔の形成および金属付着のようなウェハ裏面処理ステップの除去が含まれる。

相互接続のために表面バンプを使用する別の利点は、半導体構造とホスト基板との間の低い熱抵抗である。バンプ接続の低い熱抵抗はホスト基板と半導体構造との間の比較的広い接触表面積によるものである。また、ワイヤ相互接続と比較してバンプの大きい直径と短い長さによって熱伝導が促進される。バンプおよびワイヤは共に熱伝導材料の金属から形成されているが、バンプの好ましいアスペクト比および広い表面積は、典型的に細くて長いワイヤボンドと比較して低い熱抵抗を提供する。バンプによって提供される熱抵抗の低い通路は半導体構造からの熱の除去を促進し、とくに、熱バンプを熱源の真下で使用したときに半導体／基板ハイブリッド装置に対するさらに高い出力密度を可能にする。この高い出力密度によりハイブリッドは高い性能を有することができる。

相互接続するためにバンプを使用するさらに別の利点は、ワイヤボンドおよび貫通孔と共に存在するキャパシタンス、インダクタンスおよび無線放射のような寄生効果を除去することである。高い周波数では、細くて長いワイヤボンドおよび基板の厚さを横断する貫通孔は、電磁妨害の放射のためのアンテナと考えられる。同じワイヤおよび貫通孔は、隣接した構造にキャパシタンスを提供すると共に、ワイヤによって送信された信号にインダクタンスを与える。

バンプの別の利点は、それらが低コストで信頼性が高いことである。典型的に、バンプタイプの接続は単一のエポキシを使用して硬化／はんだリフローダイ取付けプロセスを使用して効率的に仕上げられることができる。これは、ワイヤボンド技術と比較して製造中のステップを少なくする。バンプ相互接続では、振動でゆるんだり、熱循環のためにゆるんでぐらついたり、不連続なものになったり、あるいは故障する機械的なワイヤ接続は存在しない。

バンプはワイヤ相互接続と比較して有効であるが、半導体構造とホスト基板との間にそれらが存在しているとき、特有の電磁共振および放射パッケージ問題が発生する。第１に、ホスト基板上のバンプとその基板上に取付けられた半導体構造との間のインターフェースによって提供される垂直無線周波数相互接続トランジションの最適化の問題がある。したがって、ホスト基板の両表面においてだけでなく半導体構造とホスト基板とのインターフェースにおいても潜在的な電磁結合効果が存在している。

ホスト基板上に取付けられた半導体構造により導入される特有の問題は、平行板の導波体に似た望ましくないエネルギ伝播（表面モード）をサポートする電磁境界の形成の可能性であることである。このような望ましくないモードはホスト基板の表面付近を伝播し、信号妨害のために半導体性能を劣化させる可能性が高い。半導体構造の入力と出力との間における望ましくない信号転送のために半導体性能の低下が生じ、それは利得および位相応答特性、複数通路／複数チャンネル回路適用における隣接した通路間の分離の損失、および回路の不安定性に影響を与える。これらの悪影響は、望ましくない結合またはフィードバック路の導入により生じたものである。

これらの望ましくないフィードバック路が存在しているときの半導体の最大周波数動作は半導体構造のディメンションに依存するので好ましくない。したがって、動作周波数の波長に関して大きいディメンションを有する半導体構造には潜在的な困難な問題がある。この問題は、ホスト基板上に取付けられた高速砒化ガリウム（ＧａＡｓ）半導体構造に関してよく発生する。動作周波数の波長に比べて比較的大きいＧａＡｓ半導体の寸法は、動作可能な帯域の上端部が遮断周波数に近付く。遮断周波数の近くにおいて半導体構造は機能することができるが、しかし動作することはできない。何故ならそれは、入ってきた信号が互いに干渉するためである。

従来技術においては、半導体構造の表面上に戦略的に配置された接地された相互接続バンプを設けてエネルギ伝播の表面モードを解消することにより、信号の干渉が減少されている。ホスト基板上の接地パッドに直接接触することにより、表面モードの通路は遮断される。これらの接地された相互接続バンプはシールドのように作用し、ホスト基板の表面に沿って伝播された電磁エネルギによりたどられる通路の変更を試みる。残念ながら、表面を伝播する電磁波を妨げるものとして冗長な接地バンプを使用した結果、半導体構造の制限および組立て要求のために、半導体構造および基板の両者の寸法、重量、電力消費量がさらに増加し、結果的に得られるハイブリッドの信頼性が低下する。

表面モードを減少させる特許出願に記載された別の方法は、半導体構造の付近に位置された基板の領域をＥＢＧ正多角形の多くの層によりモザイク状にすることである。このときの制限は、所望の減衰レベルを達成するために複数のＥＢＧ層が使用されなければならない可能性があるからである。単一のＥＢＧ層と比較して、複数のＥＢＧ層は信頼性を低下させ、ハイブリッドの費用を増加させる。

上記の制限は、上面および下面を有する基板上の単一の電磁バンドギャップ（ＥＢＧ）層と、このＥＢＧ層の上方に取付けられた半導体構造（ＭＭＩＣ）を備えたハイブリッド装置によって改善される。このハイブリッド装置は典型的に、マイクロ波動作周波数で動作する。高周波信号を基板の上面に沿って導くために導電性通路がこの上面上にエッチングされる。

ＥＢＧ層を構成するＥＢＧ材料から形成された複数のスターは、上面上に印刷されるか、あるいは付着されることが好ましい。ＥＢＧ材料は低速波特性を有している。複数のスターは、一般的には半導体構造の下方の領域において導電性通路の間の上面をモザイク状に覆う。

各スターは正多角形から形成された中央セクションを有し、この中央セクションはそこから延在する突出部を有している。その突出部と中央セクションとが周辺部を形成する。この周辺部は隣接したスターとその周辺部に沿ってかみ合う。スターは隣接したスターからある間隔だけ離されている。この間隔は周辺部に沿って一定であることが好ましい。スターはまた導電路からある距離だけ離れている。各スターは導電性の貫通孔に接続され、この貫通孔は接地電位に接続されている。１実施形態において、下面は接地電位の導電層により被覆されている。この導電層は全てのスターを相互接続するために使用された貫通孔と電気的に連続され、ＥＢＧ層を形成している。

本発明は、たとえば、アルミナ、ＬＴＣＣ（低温共焼成セラミック）およびにＨＴＣＣ（高温共焼成セラミック）等のようなハイブリッド基板上の電磁バンドギャップ（ＥＢＧ）スターから形成された単一の層を設けることによりハイブリッド装置における改善されたクロストーク抑制を行うための装置および方法を示している。

ＥＢＧスターは、ハイブリッドの動作時に入力／出力ピンとパワー（または接地）ピンとの間において高い動作周波数（１０乃至２０Ｇｈｚ）で望ましくない表面／導波体モードにより誘導されたクロストークを減少させる。

図１は、バンプ105、107および109を相互接続手段として使用して半導体構造103がホスト基板101の上面111上に取付けられる従来技術のハイブリッドの典型的な構成を示している。基板101はその上面111上に配置された上方金属層を有している。導電路113および115は金属層からエッチングされ、バンプ105、107および109をそれらの信号、接地電位または電力源にそれぞれ接続している。次に、バンプ105、107および109は半導体構造103上に配置されたパッド（示されていない）に接続された電気路を形成し、それによってパッド105、107および109から信号、接地電位またはパワーを半導体構造103内の特有の位置に導く通路を提供する。半導体構造の一例はモノリシック集積回路ＭＭＩＣである。技術的によく知られているように、ＭＭＩＣは典型的に半導体、キャパシタおよび抵抗を含むことができる。

図１の構造では、高い周波数（１０乃至２０Ｇｈｚ）において信号が基板101の上面111に沿って伝播する。上面111は、半導体構造103により導波体に似た構成を形成する。好ましくないことに、導波体に似た通路は、高周波信号をそれらの意図された目的地から伝播する傾向がある。この望ましくない伝播に対する１つのメカニズムは、基板101の上面111と半導体構造109のインターフェースに沿った表面／導波体モードである。たとえば、バンプ105に対して意図された信号はまた、表面／導波体モードによってバンプ107のような上面111に沿った意図されていない地点に伝送される可能性がある。したがって、望ましくないことにバンプ105に存在する信号の一部がバンプ107にも現れ、クロストーク、妨害を生じさせ、それによってハイブリッド動作が劣化する。同様に、バンプ109はバンプ107からの高周波信号の影響を受ける。

図２は、バンプ105からバンプ107への信号の望ましくない表面（導波体モード）伝播を最小にするために使用される従来技術の手段を示している。ここでは、表面／導波体モードによるバンプ105からバンプ107への電磁エネルギの望ましくない伝播を回避し、あるいは最小にするためにバンプ105とバンプ107との間にバンプ202が導入されている。このバンプ202は接地されており、バンプ107とバンプ105との間の空間を実効的に減少させ、それによってバンプ107からバンプ105に到達する可能性のある表面／導波体モードのエネルギを減衰させている。バンプ202の導入は、バンプ105からバンプ107への望ましくない電磁エネルギ移動を最小にするが、基板101の表面領域および半導体構造103の物理的ディメンションを強制的に増加させる。これは費用を増加させ、また、寸法が増加するために、半導体構造103にさらに別の信号を受取らせ、電磁エネルギを妨害する。さらに、バンプ202はバンプ109へのクロストーク効果を軽減することはほとんどない。

図３は、本出願に記載されている図２に対する改良を示している。阻止帯および低速波特性を示す六角形（正多角形）からなる格子構造である周期的な電磁バンドギャップＥＭＢ（しばしば、光子バンドギャップＰＢＧと呼ばれる）は105、107および109のような信号バンプの間の基板101の上面111をモザイク状に覆う。六角形はたとえば、105、107および109のような信号バンプから離れ、電気的に分離している。ＥＢＧ格子構造は、特定の周波数動作帯域で表面／導波体モードを使用して電磁エネルギの伝播を最小にするために使用される。

複数の六角形の構成要素301は、一般に基板101上に印刷された単一の層ＥＢＧ格子構造303を形成する。バンプ107からバンプ105に向って進行してきた望ましくない信号は、今度はＥＢＧ格子303の影響を受けて減衰される。格子構造303の厚さはｔとして示されており、格子構造303を基板101上に印刷するために使用されるインクのタイプ、減衰される周波数帯域、半導体構造103の物理的ディメンションに応じて、たとえば、１乃至３ミル程度である。

周期的な構成要素、すなわち、多角形301および多角形305のようなＥＢＧ層303の多角形はそれぞれ１つの貫通孔を使用して接地平面307に接続される。たとえば、貫通孔309はＥＢＧ層303の一部である多角形311を接地平面307に接続する。

残念ながら、六角形のような正多角形から形成された単一のＥＢＧ層により行われる望ましくない表面波の減衰は典型的に限定された、時には不十分なものである。

図４は、単一のＥＢＧ層において使用されて表面波に付加的な減衰を与えるために使用された本発明のスターＥＢＧ構成要素の構造を示している。スター400は、部分的に示されているスター406と共にスター402ともインターリーブする。スター402はまた部分的に示されているスター404ともインターリーブする。スターは、それらの各周辺部の間に間隔Ｉを有してインターリーブされている。

スター400、402、404および406は、それらの各周辺部の間にウインドウ418を形成している。このウインドウ418はスター400、402、404および406の平面を通過した貫通孔に適合するために使用される。

スター402は、図６に示されているように基板を横断して接地電位に接続する中心貫通孔422を有している。同様に、スター400は基板を横断してスター400を接地電位に接続する中心貫通孔420を有している。

400および402のような複数のスターは上面111上の電磁バンドギャップ材料から形成されており、電磁バンドギャップ材料は低速波特性を有している。複数のスターは、導電路の間の上面111をモザイク状に覆う。

400および402のような各スターは、正多角形から形成された中央セクションを有している。この中央セクションはそこから延在する突出部を有している。中央セクション上の突出部は１つの周辺部を形成する。各スターの周辺部は隣接したスターとそれらの各周辺部に沿ってかみ合う。隣接したスターの周辺部は互いから間隔Ｉだけ離されている。

たとえば、図４中の正方形408等の多角形は、４つの小さい正方形410、412、414および416のような突出部により取囲まれている。正方形408の１辺の長さがＳであるならば、小さい正方形410、412、414および416の１辺の長さはほぼＳ／２である。４つの小さい正方形410、412、414および416は、大きい正方形408のコーナーを中心とする。好ましい実施形態において、上面111をモザイク状に覆うスター400およびスター402のようなスターの中心は、図５に詳しく示されているように、１つのスタガーがＳ／２である５Ｓ／４×５Ｓ／４の寸法の近似的にずらされて配列された方形グリッド上に規則的に位置している。

間隔Ｉは、スター400を形成している大きい正方形408の辺Ｓを短くするか、スター400および402の中心間の距離を長くするか、あるいはその両方を行うことにより適合されることができる。示されているように、間隔Ｉを得るために、小さい正方形の寸法も減少させる必要がある。間隔Ｉの幅は全てのスターの周辺部にわたって一定である。Ｉは、ハイブリッドの動作帯域、所望される減衰の程度、および使用されるＥＢＧ材料のタイプと適合するように選択される。典型的に、ハイブリッドの動作の周波数が大きくなると、Ｉは小さくなる。

図５に示されているモザイク状に配置されたスターは、導電路502および導電路504のような導電性の通路から距離Ｄだけ離されている。

たとえば、図６では、スター400とバンプの垂直表面608およびその関連した導電路とは、示されていないが、距離Ｄだけ離されている。各スターは導電性貫通孔に接続される。たとえば、スター400は貫通孔604に接続され、一方、スター402は貫通孔606に接続される。スター400およびスター402より小さいスターから形成されたＥＢＧ層612の各構成要素は、典型的な貫通孔610を使用して接地平面307に接続される。

導電性貫通孔604および606は、接地電位である接地平面307に接続される。典型的に、図５に示されているように互いにかみ合うように配置された複数のスターは、導電路の間の基板の上面をモザイク状に覆っている。スターは典型的に、ＭＭＩＣ602のような半導体構造の下方に位置されてＥＢＧ層612を形成する。400および402のようなスターが存在していないと、典型的に、ＭＭＩＣ602の付近における基板との境界で表面モードが生じる。たとえば、アルミナ基板では、これらの表面モード（漏洩エネルギ）は１９ＧＨｚの付近でその存在がさらに顕著になり、また、アルミナ基板とＭＭＩＣ602のフリップチップＭＭＩＣ境界面との間においてさらに優勢なものとなる。電界強度は、アルミナ基板境界面の真上とそのすぐ内部で最も強いことが認められた。

方法
本発明のハイブリッド装置を製造する方法は、
（ａ）高周波信号を基板101の上面111に沿って導くために、たとえば、バンプ608等に接続された導電性の通路を形成し、
（ｂ）電磁バンドギャップ材料から形成されたスターを前記上面111上に形成するステップを含んでいる。これによってＥＢＧ層612ならびに400および402のようなスターが形成される。電磁バンドギャップ（ＥＢＧ）層612は、ハイブリッドの動作周波数に関連した特定の帯域において低速波特性を有する。ＥＢＧ層612は、前記上面111をモザイク状に覆う格子として形成される。さらにこの方法は、
（ｃ）ＭＭＩＣ602をＥＢＧ層612の上方に取付け、入力および出力信号、パワーおよび接地電位を与えるためのバンプ608のような構造を使用してＭＭＩＣ602を接続するステップを含んでいる。

400および402のようなスターは、そこから延在する突出部を有する多角形の中心セクション（たとえば、第１の正方形408）から形成される。この第１の正方形は４つの等しい第１の辺を有し、４つの第１の辺のそれぞれは隣の第１の辺と９０度の角度をなして４つの第１のコーナーを形成し、４つの第１の辺のそれぞれが第１の長さＳを有している。

前記中央セクション408から延在する突出部は４つの第２の正方形410、412、414および416である。前記第２の正方形のそれぞれは４つの第２の辺を有し、前記第２の辺のそれぞれは前記第１の長さの１／２、すなわちＳ／２である。前記第２の辺のそれぞれは隣の第２の辺と９０度の角度をなして４つの第２のコーナーを形成する。４つの第２の正方形の各中心は第１の正方形408の第１の４つのコーナー上にそれぞれ位置している。

第１の正方形の寸法として選択された第１の長さは、前記ハイブリッドの動作周波数に反比例する。同様に、前記周辺部に沿ったスター間の間隔Ｉはハイブリッドの動作周波数に反比例する。

半導体構造（ＭＭＩＣ602）は典型的に、スターの上方に、あるいはその垂直方向でスターに近接して取付けられる。半導体構造は、前記導電性の通路と接続される複数の電気コンタクトを有している。

貫通孔604および貫通孔606のような貫通孔は400および402のようなスターを接地電位にそれぞれ接続する。典型的に、貫通孔は基板101を横断してこの基板101の下面上の導電層である接地平面307に接続されている。

都合のよいことに、４つのスターのインターセクションは交差点の４つのスターの間に１つのウインドウ418を形成し、ＥＢＧ層612、すなわち、このＥＢＧ層612の一部である400および402のようなスターに電気的に接続せずに通過する場所をバンプ608のような垂直構造に提供する。

この明細書においては引用された参考文献は全てその全文が参考文献とされている。

開示されている構造は特定の実施形態を使用して例示によって示されているが、それに限定されるものではない。たとえば、多角形の例は正方形であるが、三角形のような別の多角形を使用して、基板表面111をモザイク状に覆う周期的な格子のためのスターを形成することができる。

当業者はまた、ここに記載された実施形態に対する種々の変更および修正が本発明の技術的範囲を逸脱することなく行われることが可能であることを認識するであろう。

相互接続手段としてバンプを使用して半導体構造が基板上に取付けられた従来技術の典型的な構成の概略斜視図。 ホスト基板の上面に沿った表面波の望ましくない伝播を最小化するために冗長バンプが使用される従来技術の典型的な構成の概略斜視図。 正多角形が半導体構造の下方に配置された基板の上面をモザイク状に覆っている、表面波の望ましくない伝播を最小化するためにＥＢＧ層を使用する本出願において説明されている典型的な構成の概略斜視図。 本発明において使用されるインターリーブしているスター構造の上面図。 本発明の複数のスターが基板の上面をモザイク状に覆うようにインターリーブしていることを示す上面図。 基板の上面をモザイク状に覆って表面波の望ましくない伝播を最小化するために使用される図４および５のＥＢＧスターを有する本発明のハイブリッドの例示的な構成の断面図。

Claims (12)

1. 上面(111)および下面を有する基板(101)と、
   高周波信号を前記基板の前記上面に沿って導く前記上面(111)上の導電性通路と、
   低速波特性を有する電磁バンドギャップ構造を有する材料から形成され、前記導電性通路の間の前記上面をモザイク状に覆う前記上面(111)上の複数のスター形状の部材(400,402)とを備えており、
   前記スター形状の部材はそれぞれ正多角形の中央セクション(408)およびその中央セクション(408)のコミーナーから周囲方向に突出して延在する突出部(410,412,414,416)を有しており、前記突出部と前記中央セクションの周囲部分が前記スター形状の部材の周辺部を形成し、前記周辺部は前記周辺部に沿って隣接したスター形状の部材から間隔を有して離されて隣接したスター形状の部材とかみ合うように配置され、
   前記スター形状の部材は前記導電性通路から距離を隔てて配置され、それらのスター形状の部材のそれぞれが導電性の貫通孔(420,422)に接続され、前記導電性の貫通孔は導電性の貫通孔接続部材により接地電位に接続されている動作周波数で動作するハイブリッド装置。
2. 前記中央セクション(408)は第１の正方形であり、前記第１の正方形は４つの等しい第１の辺を有し、前記４つの第１の辺のそれぞれは隣の第１の辺と９０度の角度をなして４つの第１のコーナーを形成し、前記４つの第１の辺のそれぞれは第１の長さを有している請求項１記載のハイブリッド装置。
3. 前記中央セクション(408)から延在している前記突出部は４つの第２の正方形であり、前記第２の正方形のそれぞれは４つの第２の辺を有しており、前記第２の辺のそれぞれは前記第１の長さの１／２であり、前記第２の辺のそれぞれは隣の第２の辺と９０度の角度をなして４つの第２のコーナーを形成し、前記４つの第２の正方形のそれぞれの中心が前記第１の正方形の前記第１の４つのコーナー上にそれぞれ位置している請求項２記載のハイブリッド装置。
4. 前記第１の長さは前記ハイブリッドの前記動作周波数に反比例し、前記周辺部に沿った前記間隔は前記ハイブリッドの前記動作周波数に反比例している請求項３記載のハイブリッド装置。
5. 半導体構造は前記スター形状の部材の上方に取付けられ、前記導電性通路と接続される複数の電気コンタクトを有し、前記スター形状の部材を前記接地電位に接続する前記貫通孔は前記基板を横断して前記基板の前記下面上の導電性の層(307)に接続されている請求項４記載のハイブリッド装置。
6. 前記４つのスター形状の部材のインターセクションは交差点の前記４つのスター形状の部材の間に１つのウインドウを形成し、前記スター形状の部材の上方に取付けられた半導体構造への接続手段は前記スター形状の部材と電気的に接触せずに前記ウインドウ内を通過する請求項５記載のハイブリッド装置。
7. 動作周波数で動作するハイブリッド装置を製造する方法において、
   高周波信号を基板の上面に沿って導く２つの導電性通路を基板(101)の上面(111)上にエッチングして形成し、
   低速波特性を有する電磁バンドギャップ構造を有する材料から形成され、前記２つの導電性通路の間の前記上面をモザイク状に覆う複数のスター形状の部材(400,402)を前記上面上に印刷するステップを含んでおり、
   前記スター形状の部材はそれぞれ正多角形の中央セクションおよびその中央セクションのコーナーから周囲方向に突出して延在する突出部を有し、前記突出部と前記中央セクションの周囲部分によって前記スター形状の部材の周辺部が形成され、前記周辺部は前記周辺部に沿って隣接したスター形状の部材から間隔を有して隣接したスター形状の部材とかみ合うように配置され、
   前記スター形状の部材は前記導電性通路から距離を隔てて配置され、それらのスター形状の部材の前記中央セクションには貫通孔(420,422)が設けられており、それらのスター形状の部材のそれぞれの貫通孔(420,422)は導電性の貫通孔接続部材によって接地電位に接続されるハイブリッド装置の製造方法。
8. 前記多角形中央セクションは第１の正方形であり、前記第１の正方形は４つの等しい第１の辺を有し、前記４つの第１の辺のそれぞれは隣の第１の辺と９０度の角度をなして４つの第１のコーナーを形成し、前記４つの第１の辺のそれぞれは第１の長さを有している請求項７記載の方法。
9. 前記中央セクション(408)から延在している前記突出部(410,412,414,416)は４つの第２の正方形であり、前記第２の正方形のそれぞれは４つの第２の辺を有しており、前記第２の辺のそれぞれは前記第１の長さの１／２であり、前記第２の辺のそれぞれは隣の第２の辺と９０度の角度をなして４つの第２のコーナーを形成している請求項８記載の方法。
10. 前記４つの第２の正方形のそれぞれの中心は前記第１の正方形(408)の前記第１の４つのコーナー上にそれぞれ位置し、前記第１の長さは前記ハイブリッドの前記動作周波数に反比例し、前記周辺部に沿った前記間隔は前記ハイブリッドの前記動作周波数に反比例し、半導体構造は前記スター形状の部材の上方に取付けられ、前記導電性通路と接続される複数の電気コンタクトを有している請求項９記載の方法。
11. 前記スター形状の部材を前記接地電位に接続する前記貫通孔は前記基板を横断して、前記基板の前記下面上の導電性の層に接続されている請求項１０記載の方法。
12. 前記スター形状の部材の４つのインターセクションは交差点の前記４つのスター形状の部財形状の部財の間に１つのウインドウを形成し、前記スター形状の部材の上方に取付けられた半導体構造への接続手段は前記スター形状の部材と電気的に接触せずに前記ウインドウ内を通過する請求項１１記載の方法。

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