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JP5087376B2 - Motor drive circuit, fan motor, electronic device, and notebook personal computer - Google Patents
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Motor drive circuit, fan motor, electronic device, and notebook personal computer Download PDF

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Description

本発明は、モータ駆動回路、ファンモータ、電子機器、及びノート型パーソナルコンピュータに関する。   The present invention relates to a motor drive circuit, a fan motor, an electronic device, and a notebook personal computer.

ノート型パーソナルコンピュータ等の電子機器では、例えばプロセッサ等の発熱部品を冷却するためにファンモータが用いられる。ファンモータでは、モータの回転位置を示す信号に応じてモータコイルに印加される駆動電圧を制御することにより、モータが所望の回転をするように制御が行われる(例えば、特許文献1参照)。   In an electronic device such as a notebook personal computer, a fan motor is used to cool a heat-generating component such as a processor, for example. In the fan motor, control is performed so that the motor rotates in a desired manner by controlling the drive voltage applied to the motor coil in accordance with a signal indicating the rotational position of the motor (see, for example, Patent Document 1).

図3は、単相のファンモータを駆動するモータ駆動回路の構成の一例を示す図である。モータ駆動回路100は、PチャネルMOSFET110,111、NチャネルMOSFET112,113、及び駆動制御回路120を含んで構成されている。PチャネルMOSFET110,111及びNチャネルMOSFET112,113はHブリッジ回路を構成しており、駆動制御回路120によって適宜オンオフされることにより、モータが所望の回転をすることとなる。例えば、あるタイミングでは、PチャネルMOSFET110及びNチャネルMOSFET113がオン、PチャネルMOSFET111及びNチャネルMOSFET112がオフとされることにより、端子OUT1から端子OUT2の向きに、モータコイルLに電流が流れることとなる。また、別のタイミングでは、PチャネルMOSFET111及びNチャネルMOSFET112がオン、PチャネルMOSFET110及びNチャネルMOSFET113がオフとされることにより、端子OUT2から端子OUT1の向きに、モータコイルLに電流が流れることとなる。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a configuration of a motor drive circuit that drives a single-phase fan motor. The motor drive circuit 100 includes P-channel MOSFETs 110 and 111, N-channel MOSFETs 112 and 113, and a drive control circuit 120. The P-channel MOSFETs 110 and 111 and the N-channel MOSFETs 112 and 113 constitute an H-bridge circuit, and the motor rotates as desired by being appropriately turned on and off by the drive control circuit 120. For example, at a certain timing, the P-channel MOSFET 110 and the N-channel MOSFET 113 are turned on, and the P-channel MOSFET 111 and the N-channel MOSFET 112 are turned off, so that a current flows through the motor coil L from the terminal OUT1 to the terminal OUT2. . At another timing, when the P-channel MOSFET 111 and the N-channel MOSFET 112 are turned on and the P-channel MOSFET 110 and the N-channel MOSFET 113 are turned off, a current flows from the terminal OUT2 to the terminal OUT1 to the motor coil L. Become.

なお、モータコイルLの電流の向きを切り替える際には、PチャネルMOSFET110,111及びNチャネルMOSFET112,113を全てオフの状態を経由することとなる。例えば、PチャネルMOSFET110及びNチャネルMOSFET113がオン、PチャネルMOSFET111及びNチャネルMOSFET112がオフの状態から、PチャネルMOSFET110及びNチャネルMOSFET113がオフとなった後に、PチャネルMOSFET111及びNチャネルMOSFET112がオンとなる。
特開2006−174648号公報
When the direction of the current of the motor coil L is switched, the P-channel MOSFETs 110 and 111 and the N-channel MOSFETs 112 and 113 are all turned off. For example, the P-channel MOSFET 111 and the N-channel MOSFET 112 are turned on after the P-channel MOSFET 110 and the N-channel MOSFET 113 are turned off from the state where the P-channel MOSFET 110 and the N-channel MOSFET 113 are turned on and the P-channel MOSFET 111 and the N-channel MOSFET 112 are turned off. .
JP 2006-174648 A

モータ駆動回路100において、例えば、PチャネルMOSFET110及びNチャネルMOSFET113がオン、PチャネルMOSFET111及びNチャネルMOSFET112がオフの状態から、PチャネルMOSFET110及びNチャネルMOSFET113がオフになると、PチャネルMOSFET110及びNチャネルMOSFET113は電流を流さなくなるが、モータコイルLは蓄積されたエネルギーによって電流を流し続けようとする。そのため、接地側からNチャネルMOSFET112の寄生ダイオード、モータコイルL、PチャネルMOSFET111の寄生ダイオードを通って電源側に電流が流れることとなる。   In the motor drive circuit 100, for example, when the P-channel MOSFET 110 and the N-channel MOSFET 113 are turned off from the state where the P-channel MOSFET 110 and the N-channel MOSFET 113 are turned on and the P-channel MOSFET 111 and the N-channel MOSFET 112 are turned off, the P-channel MOSFET 110 and the N-channel MOSFET 113 are turned off. Does not flow current, but the motor coil L tries to continue to flow current due to the accumulated energy. Therefore, a current flows from the ground side to the power supply side through the parasitic diode of the N-channel MOSFET 112, the motor coil L, and the parasitic diode of the P-channel MOSFET 111.

このように接地側からNチャネルMOSFET112を通って電流が流れると、NチャネルMOSFET112のドレイン電極の電圧が接地電圧より低くなってしまう。図4に例示するように、PチャネルMOSFET110,111及びNチャネルMOSFET112,113は接地されたP型基板130上に形成されており、NチャネルMOSFET112のドレイン電極131の電圧が接地電圧以下となることにより、P型基板130上の任意のN型領域132とともに、寄生トランジスタが形成されることとなる。このように寄生トランジスタが形成されてしまうと、N型領域132から電荷が抜かれることにより、集積回路内で誤動作が生じる可能性がある。また、接地側から電源側に電流が流れることにより、電源側の電圧が上昇し、モータ駆動回路100の構成部品に対して過剰なストレスを与えてしまうことがある。   Thus, when a current flows from the ground side through the N-channel MOSFET 112, the voltage of the drain electrode of the N-channel MOSFET 112 becomes lower than the ground voltage. As illustrated in FIG. 4, the P-channel MOSFETs 110 and 111 and the N-channel MOSFETs 112 and 113 are formed on a grounded P-type substrate 130, and the voltage of the drain electrode 131 of the N-channel MOSFET 112 is equal to or lower than the ground voltage. Thus, a parasitic transistor is formed together with an arbitrary N-type region 132 on the P-type substrate 130. If the parasitic transistor is formed in this manner, the charge is extracted from the N-type region 132, so that a malfunction may occur in the integrated circuit. In addition, when a current flows from the ground side to the power source side, the voltage on the power source side may increase, and excessive stress may be applied to the components of the motor drive circuit 100.

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、異常動作の発生を抑制することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress the occurrence of abnormal operation.

上記目的を達成するため、本発明のモータ駆動回路は、入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第1トランジスタと、入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第2トランジスタと、入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第3トランジスタと、入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第4トランジスタと、前記第1及び第4トランジスタがオンの状態と前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第1〜第4トランジスタを制御する駆動制御回路と、入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第1及び第4トランジスタがオンの状態から前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第5トランジスタと、前記第5トランジスタがオンになると、前記第4トランジスタをオンさせる保護回路とを備える。   In order to achieve the above object, the motor drive circuit of the present invention includes a first transistor in which an input electrode is connected to the power supply side, an output electrode is connected to one end of the motor coil, and an input electrode is connected to the one end of the motor coil. A second transistor connected to the ground side, an output electrode connected to the power source, a third transistor connected to the other end of the motor coil, and an input electrode connected to the motor coil The fourth transistor is connected to the other end of the transistor and the output electrode is connected to the ground side, and the first and fourth transistors are on and the first to fourth transistors are all off. In order to drive the motor coil, a drive control circuit for controlling the first to fourth transistors, an input electrode is connected to the power supply side, and an output electrode is the one of the motor coil. , The control electrode is connected to the ground side, the first and fourth transistors are switched from the ON state to the OFF state, and the voltage at the one end of the motor coil is grounded. And a protection circuit that turns on the fourth transistor when the fifth transistor is turned on.

異常動作の発生を抑制することが可能になる。   The occurrence of abnormal operation can be suppressed.

図1は、本発明の一実施形態であるモータ駆動回路の構成例を示す図である。モータ駆動回路10は、例えば、ノート型パーソナルコンピュータ等の電子機器において、プロセッサ等の発熱部品(被冷却装置)を冷却するためのファンモータに組み込まれており、冷却用のファンを回転させるためのモータを駆動するために用いられる。   FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a motor drive circuit according to an embodiment of the present invention. The motor drive circuit 10 is incorporated in a fan motor for cooling a heat-generating component (cooled device) such as a processor in an electronic device such as a notebook personal computer, and rotates the cooling fan. Used to drive a motor.

本実施形態のモータ駆動回路10は単相のファンモータを駆動する回路であり、PチャネルMOSFET15〜18、NチャネルMOSFET20,21、NPNトランジスタ25,26、抵抗28,29、及び駆動制御回路35を含んで構成されている。本実施形態においては、モータ駆動回路10はP型基板上に集積化されており、端子OUT1,OUT2間に、モータコイルLが接続されている。   The motor drive circuit 10 of this embodiment is a circuit that drives a single-phase fan motor, and includes P-channel MOSFETs 15 to 18, N-channel MOSFETs 20 and 21, NPN transistors 25 and 26, resistors 28 and 29, and a drive control circuit 35. It is configured to include. In this embodiment, the motor drive circuit 10 is integrated on a P-type substrate, and a motor coil L is connected between the terminals OUT1 and OUT2.

PチャネルMOSFET15(第1トランジスタ)及びNチャネルMOSFET20(第2トランジスタ)は直列に接続されており、PチャネルMOSFET15のソースに電源電圧Vddが印加され、NチャネルMOSFET20のソースに接地電圧が印加されている。そして、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET20の接続点が端子OUT1と接続されている。同様に、PチャネルMOSFET16(第3トランジスタ)及びNチャネルMOSFET21(第4トランジスタ)は直列に接続されており、PチャネルMOSFET16のソースに電源電圧Vddが印加され、NチャネルMOSFET21のソースに接地電圧が印加されている。そして、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET21の接続点が端子OUT2と接続されている。すなわち、PチャネルMOSFET15,16及びNチャネルMOSFET20,21は、モータコイルLを駆動するためのHブリッジ回路を構成している。   The P-channel MOSFET 15 (first transistor) and the N-channel MOSFET 20 (second transistor) are connected in series. The power supply voltage Vdd is applied to the source of the P-channel MOSFET 15 and the ground voltage is applied to the source of the N-channel MOSFET 20. Yes. A connection point between the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 20 is connected to the terminal OUT1. Similarly, the P-channel MOSFET 16 (third transistor) and the N-channel MOSFET 21 (fourth transistor) are connected in series, the power supply voltage Vdd is applied to the source of the P-channel MOSFET 16, and the ground voltage is applied to the source of the N-channel MOSFET 21. Applied. A connection point between the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 21 is connected to the terminal OUT2. That is, the P-channel MOSFETs 15 and 16 and the N-channel MOSFETs 20 and 21 constitute an H bridge circuit for driving the motor coil L.

駆動制御回路35は、モータの回転位置等に応じてPチャネルMOSFET15,16及びNチャネルMOSFET20,21のオンオフを適宜制御する回路である。例えば、端子OUT1から端子OUT2の方向にモータコイルLに電流を流す場合、駆動制御回路35は、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21をオン、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20をオフにする。また、端子OUT2から端子OUT1の方向にモータコイルLに電流を流す場合、駆動制御回路35は、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20をオン、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21をオフにする。   The drive control circuit 35 is a circuit that appropriately controls on / off of the P-channel MOSFETs 15 and 16 and the N-channel MOSFETs 20 and 21 in accordance with the rotational position of the motor. For example, when a current is passed through the motor coil L from the terminal OUT1 to the terminal OUT2, the drive control circuit 35 turns on the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21, and turns off the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20. Further, when a current is passed through the motor coil L from the terminal OUT2 to the terminal OUT1, the drive control circuit 35 turns on the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20, and turns off the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21.

なお、駆動制御回路35は、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21がオン、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20がオフの状態から、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20がオン、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21がオフの状態に切り替える際には、一旦、PチャネルMOSFET15,16及びNチャネルMOSFET20,21を全てオフにする。PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20がオン、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21がオフの状態から、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21がオン、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20がオフの状態に切り替える際も同様である。   In the drive control circuit 35, the P channel MOSFET 16 and the N channel MOSFET 20 are turned on, and the P channel MOSFET 15 and the N channel MOSFET 21 are turned off from the state where the P channel MOSFET 15 and the N channel MOSFET 21 are turned on and the P channel MOSFET 16 and the N channel MOSFET 20 are turned off. When switching to this state, the P-channel MOSFETs 15 and 16 and the N-channel MOSFETs 20 and 21 are all turned off. The same applies when the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20 are turned on, the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21 are turned off, and the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21 are turned on and the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20 are turned off. is there.

NPNトランジスタ25(第5トランジスタ)は、ベースに接地電圧が印加され、エミッタが端子OUT1と接続され、コレクタに抵抗28を介して電源電圧Vddが印加されている。PチャネルMOSFET17は、ソースに電源電圧Vddが印加され、ゲートがNPNトランジスタ25のコレクタと接続され、ドレインが駆動制御回路35と接続されている。NPNトランジスタ26は、ベースに接地電圧が印加され、エミッタが端子OUT2と接続され、コレクタに抵抗29を介して電源電圧Vddが印加されている。PチャネルMOSFET18は、ソースに電源電圧Vddが印加され、ゲートがNPNトランジスタ26のコレクタと接続され、ドレインが駆動制御回路35と接続されている。なお、PチャネルMOSFET17及び抵抗28により構成される回路が本発明の保護回路に相当する。   In the NPN transistor 25 (fifth transistor), the ground voltage is applied to the base, the emitter is connected to the terminal OUT1, and the power supply voltage Vdd is applied to the collector via the resistor 28. In the P-channel MOSFET 17, the power supply voltage Vdd is applied to the source, the gate is connected to the collector of the NPN transistor 25, and the drain is connected to the drive control circuit 35. In the NPN transistor 26, the ground voltage is applied to the base, the emitter is connected to the terminal OUT2, and the power supply voltage Vdd is applied to the collector via the resistor 29. In the P-channel MOSFET 18, the power supply voltage Vdd is applied to the source, the gate is connected to the collector of the NPN transistor 26, and the drain is connected to the drive control circuit 35. A circuit constituted by the P-channel MOSFET 17 and the resistor 28 corresponds to the protection circuit of the present invention.

また、PチャネルMOSFET16を第1トランジスタ、NチャネルMOSFET21を第2トランジスタ、PチャネルMOSFET15を第3トランジスタ、NチャネルMOSFET20を第4トランジスタ、NPNトランジスタ26を第5トランジスタ、NチャネルMOSFET18及び抵抗29により構成される回路を保護回路とすることもできる。   The P-channel MOSFET 16 is composed of a first transistor, the N-channel MOSFET 21 is composed of a second transistor, the P-channel MOSFET 15 is composed of a third transistor, the N-channel MOSFET 20 is composed of a fourth transistor, the NPN transistor 26 is composed of a fifth transistor, the N-channel MOSFET 18 and a resistor 29. The circuit to be used can be a protection circuit.

ここで、NPNトランジスタ25は、ベースに接地電圧が印加され、エミッタが端子OUT1と接続されている。端子OUT1の電圧は、PチャネルMOSFET15がオンの状態では電源電圧Vdd近くまで上昇するため、NPNトランジスタ25のエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧を電源電圧Vddに応じて高くする必要がある。そこで、本実施形態では、NPNトランジスタ25,26は、トリプルウェル構造のNチャネルMOSFETを用いて構成されている。   Here, the ground voltage is applied to the base of the NPN transistor 25, and the emitter is connected to the terminal OUT1. Since the voltage at the terminal OUT1 rises to near the power supply voltage Vdd when the P-channel MOSFET 15 is on, the reverse bias withstand voltage between the emitter and base of the NPN transistor 25 needs to be increased according to the power supply voltage Vdd. Therefore, in this embodiment, the NPN transistors 25 and 26 are configured using N-channel MOSFETs having a triple well structure.

図2は、トリプルウェル構造のNチャネルMOSFETを用いたNPNトランジスタ25の構成例を示す図である。トリプルウェル構造のNチャネルMOSFETは、P型基板40上にN型ウェル41が形成され、N型ウェル41上にP型ウェル42が形成され、P型ウェル42上にN型領域のドレイン電極43及びソース電極44が形成され、さらにゲート電極45が形成されて構成されている。そして、P型ウェル42がNPNトランジスタ25のベースとして用いられ、ドレイン電極43及びソース電極44がNPNトランジスタ25のエミッタとして用いられ、N型ウェル41がNPNトランジスタ25のコレクタとして用いられている。なお、ドレイン電極43またはソース電極44の何れか一方のみをNPNトランジスタ25のエミッタとして用いることとしてもよい。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of an NPN transistor 25 using an N-channel MOSFET having a triple well structure. In the N-channel MOSFET having a triple well structure, an N-type well 41 is formed on a P-type substrate 40, a P-type well 42 is formed on the N-type well 41, and a drain electrode 43 in the N-type region is formed on the P-type well 42. The source electrode 44 is formed, and the gate electrode 45 is further formed. The P-type well 42 is used as the base of the NPN transistor 25, the drain electrode 43 and the source electrode 44 are used as the emitter of the NPN transistor 25, and the N-type well 41 is used as the collector of the NPN transistor 25. Note that only one of the drain electrode 43 and the source electrode 44 may be used as the emitter of the NPN transistor 25.

トリプルウェル構造のNチャネルMOSFETのドレイン電極43及びソース電極44と、P型ウェル42(バックゲート)との間の逆バイアスの耐圧は、一般的なNPNトランジスタにおけるエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧より高いことが知られている。したがって、図2に示すようにトリプルウェル構造のNチャネルMOSFETを用いてNPNトランジスタ25を構成することにより、一般的なNPNトランジスタを用いる場合よりもエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧を高めることが可能となる。NPNトランジスタ26についても同様である。   The reverse bias withstand voltage between the drain electrode 43 and the source electrode 44 of the triple-well N-channel MOSFET and the P-type well 42 (back gate) is the reverse bias withstand voltage between the emitter and the base in a general NPN transistor. It is known to be higher. Therefore, by forming the NPN transistor 25 using an N-channel MOSFET having a triple well structure as shown in FIG. 2, the withstand voltage of the reverse bias between the emitter and the base can be increased as compared with the case of using a general NPN transistor. It becomes possible. The same applies to the NPN transistor 26.

モータ駆動回路10の動作の一例について説明する。まず、駆動制御回路35が、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21をオン、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20をオフの状態にしていることとする。このとき、モータコイルLには端子OUT1から端子OUT2の方向に電流が流れている。また、端子OUT1の電圧は電源電圧Vdd近くまで上昇しているため、NPNトランジスタ25がオフとなっている。そのため、PチャネルMOSFET17のゲートの電圧は電源電圧Vddとなり、PチャネルMOSFET17もオフとなっている。   An example of the operation of the motor drive circuit 10 will be described. First, it is assumed that the drive control circuit 35 turns on the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21 and turns off the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20. At this time, a current flows through the motor coil L from the terminal OUT1 to the terminal OUT2. Further, since the voltage at the terminal OUT1 has risen to near the power supply voltage Vdd, the NPN transistor 25 is off. Therefore, the gate voltage of the P-channel MOSFET 17 becomes the power supply voltage Vdd, and the P-channel MOSFET 17 is also turned off.

次に、駆動制御回路35が、モータコイルLの電流の向きを切り替えるために、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21をオフにする。このとき、モータコイルLは電流を流し続けようとするため、接地側からNチャネルMOSFET20の寄生ダイオード、モータコイルL、PチャネルMOSFET16の寄生ダイオードを通って電源側へと電流が流れる。   Next, the drive control circuit 35 turns off the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21 in order to switch the direction of the current of the motor coil L. At this time, since the motor coil L continues to flow current, current flows from the ground side through the parasitic diode of the N-channel MOSFET 20, the motor coil L, and the parasitic diode of the P-channel MOSFET 16 to the power supply side.

そして、NチャネルMOSFET20の寄生ダイオードを電流が流れることにより、端子OUT1の電圧が接地電圧より低くなる。すなわち、NPNトランジスタ25のエミッタの電圧が接地電圧より低くなる。NPNトランジスタ25の閾値電圧をVthとすると、NPNトランジスタ25のベースには接地電圧が印加されているため、端子OUT1の電圧が−Vthより低くなるとNPNトランジスタ25がオンとなる。NPNトランジスタ25がオンになると、PチャネルMOSFET17のゲートの電圧は、電源電圧Vddから抵抗28の分だけ降下した電圧となり、PチャネルMOSFET17がオンとなる。PチャネルMOSFET17がオンになると、駆動制御回路35に電源電圧Vddが入力される。このとき、駆動制御回路35は、NチャネルMOSFET21のゲートの電圧を電源電圧Vdd近くまで上昇させ、NチャネルMOSFET21をオンにする。   Then, when a current flows through the parasitic diode of the N-channel MOSFET 20, the voltage at the terminal OUT1 becomes lower than the ground voltage. That is, the emitter voltage of the NPN transistor 25 is lower than the ground voltage. Assuming that the threshold voltage of the NPN transistor 25 is Vth, the ground voltage is applied to the base of the NPN transistor 25. Therefore, when the voltage at the terminal OUT1 becomes lower than -Vth, the NPN transistor 25 is turned on. When the NPN transistor 25 is turned on, the voltage at the gate of the P-channel MOSFET 17 becomes a voltage dropped from the power supply voltage Vdd by the resistance 28, and the P-channel MOSFET 17 is turned on. When the P-channel MOSFET 17 is turned on, the power supply voltage Vdd is input to the drive control circuit 35. At this time, the drive control circuit 35 raises the voltage of the gate of the N-channel MOSFET 21 to near the power supply voltage Vdd, and turns on the N-channel MOSFET 21.

NチャネルMOSFET21がオンになると、モータコイルLからPチャネルMOSFET16の寄生ダイオードを通って電源側に流れていた電流が、PチャネルMOSFET16の寄生ダイオードよりオン抵抗の低いNチャネルMOSFET21を通って接地側に流れ、モータコイルLに蓄積されたエネルギーが急速に消費されることとなる。モータコイルLに蓄積されたエネルギーが消費されると、電流が流れなくなり、端子OUT1の電圧が接地電圧より低くなった状態が解消される。そして、NPNトランジスタ25及びPチャネルMOSFET17がオフとなり、NチャネルMOSFET21がオフとなる。   When the N-channel MOSFET 21 is turned on, the current flowing from the motor coil L through the parasitic diode of the P-channel MOSFET 16 to the power supply side passes through the N-channel MOSFET 21 having a lower on-resistance than the parasitic diode of the P-channel MOSFET 16 to the ground side. As a result, the energy stored in the motor coil L is rapidly consumed. When the energy stored in the motor coil L is consumed, the current stops flowing, and the state where the voltage at the terminal OUT1 is lower than the ground voltage is eliminated. Then, the NPN transistor 25 and the P-channel MOSFET 17 are turned off, and the N-channel MOSFET 21 is turned off.

また、モータ駆動回路10では、NチャネルMOSFET20のドレインをエミッタとし、P型基板をベースとする寄生トランジスタが構成されているが、一般的に、寄生トランジスタの閾値電圧(例えば0.9V程度)はNPNトランジスタ25の閾値電圧(例えば0.7V程度)よりも高いため、寄生トランジスタがオンになりにくい。   In the motor drive circuit 10, a parasitic transistor is configured with the drain of the N-channel MOSFET 20 as an emitter and a P-type substrate as a base. Generally, the threshold voltage of the parasitic transistor (for example, about 0.9 V) is Since it is higher than the threshold voltage of the NPN transistor 25 (for example, about 0.7 V), the parasitic transistor is difficult to turn on.

そして、駆動制御回路35は、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20をオン、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21をオフにする。その後、駆動制御回路35が、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20をオフにするタイミングで、端子OUT2の電圧が接地電圧より低い状態が発生するが、端子OUT1の場合と同様に、NPNトランジスタ26、PチャネルMOSFET18、及び抵抗29による制御が行われる。   Then, the drive control circuit 35 turns on the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20 and turns off the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21. Thereafter, at the timing when the drive control circuit 35 turns off the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20, a state in which the voltage at the terminal OUT2 is lower than the ground voltage occurs, but as with the terminal OUT1, the NPN transistor 26, P Control by the channel MOSFET 18 and the resistor 29 is performed.

以上、本実施形態のモータ駆動回路10について説明した。モータ駆動回路10によれば、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21がオン、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20がオフの状態から、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21をオフにした際に、端子OUT1の電圧が接地電圧より低くなると、NPNトランジスタ25がオンとなってNチャネルMOSFET21がオンとなり、モータコイルLが流し続けようとする電流はNチャネルMOSFET21を通って接地側に流れることとなる。そのため、PチャネルMOSFET16の寄生ダイオードを通って電源側に電流が流れることが抑制され、異常な電圧の発生を抑制することができる。また、NチャネルMOSFET20のドレインをエミッタとする寄生ダイオードよりもNPNトランジスタ25の方がオンしやすいため、寄生ダイオードによる誤動作を抑制することが可能となる。PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20がオン、PチャネルMOSFET15及びNチャネルMOSFET21がオフの状態から、PチャネルMOSFET16及びNチャネルMOSFET20がオフの状態になる際も同様である。   The motor drive circuit 10 of the present embodiment has been described above. According to the motor drive circuit 10, when the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21 are turned off from the state where the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21 are on and the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20 are off, the voltage at the terminal OUT1 is changed. When the voltage is lower than the ground voltage, the NPN transistor 25 is turned on, the N-channel MOSFET 21 is turned on, and the current that the motor coil L keeps flowing flows through the N-channel MOSFET 21 to the ground side. For this reason, it is possible to suppress the current from flowing through the parasitic diode of the P-channel MOSFET 16 to the power supply side, and to suppress the generation of an abnormal voltage. In addition, since the NPN transistor 25 is more easily turned on than the parasitic diode having the drain of the N-channel MOSFET 20 as an emitter, it is possible to suppress malfunction due to the parasitic diode. The same applies when the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20 are turned off from the state where the P-channel MOSFET 16 and the N-channel MOSFET 20 are turned on and the P-channel MOSFET 15 and the N-channel MOSFET 21 are turned off.

また、トリプルウェル構造のNチャネルMOSFETを用いてNPNトランジスタ25,26を構成することにより、NPNトランジスタ25,26のエミッタ・ベース間の逆バイアスの耐圧を向上させることが可能となり、電源電圧Vddが高い場合であってもNPNトランジスタ25,26を壊れにくくすることができる。   In addition, by configuring the NPN transistors 25 and 26 using triple-channel N-channel MOSFETs, it becomes possible to improve the withstand voltage of reverse bias between the emitter and base of the NPN transistors 25 and 26, and the power supply voltage Vdd is reduced. The NPN transistors 25 and 26 can be made difficult to break even when the height is high.

そして、このようなモータ駆動回路10を用いてノート型パーソナルコンピュータ等の電子機器に組み込まれるファンモータを構成することにより、ファンモータの動作が異常になることを抑制することができ、プロセッサ等の冷却対象の部品を適切に冷却することが可能となる。   And, by using such a motor drive circuit 10 to constitute a fan motor incorporated in an electronic device such as a notebook personal computer, it is possible to suppress the operation of the fan motor from being abnormal, It becomes possible to appropriately cool the component to be cooled.

なお、上記実施形態は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。例えば、本実施形態では、モータ駆動回路10を単相のファンモータの駆動用としたが、駆動対象のモータはファンモータに限られず、相数についても単相に限られない。   In addition, the said embodiment is for making an understanding of this invention easy, and is not for limiting and interpreting this invention. The present invention can be changed and improved without departing from the gist thereof, and the present invention includes equivalents thereof. For example, in this embodiment, the motor drive circuit 10 is used for driving a single-phase fan motor, but the motor to be driven is not limited to a fan motor, and the number of phases is not limited to a single phase.

本発明の一実施形態であるモータ駆動回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the motor drive circuit which is one Embodiment of this invention. トリプルウェル構造のNチャネルMOSFETを用いたNPNトランジスタの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the NPN transistor using N channel MOSFET of a triple well structure. 単相のファンモータを駆動するモータ駆動回路の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the motor drive circuit which drives a single phase fan motor. モータ駆動回路に形成される寄生トランジスタの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the parasitic transistor formed in a motor drive circuit.

符号の説明Explanation of symbols

10 モータ駆動回路
15〜18 PチャネルMOSFET
20,21 NチャネルMOSFET
25,26 NPNトランジスタ
28,29 抵抗
35 駆動制御回路
40 P型基板
41 N型ウェル
42 P型ウェル
43 ドレイン電極
44 ソース電極
45 ゲート電極
10 Motor drive circuit 15-18 P-channel MOSFET
20, 21 N-channel MOSFET
25, 26 NPN transistor 28, 29 Resistance 35 Drive control circuit 40 P-type substrate 41 N-type well 42 P-type well 43 Drain electrode 44 Source electrode 45 Gate electrode

Claims (5)

入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第1トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第2トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第3トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第4トランジスタと、
前記第1及び第4トランジスタがオンの状態と前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第1〜第4トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第1及び第4トランジスタがオンの状態から前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第5トランジスタと、
前記第5トランジスタがオンになると、前記第4トランジスタをオンさせる保護回路と、
を備えることを特徴とするモータ駆動回路。
A first transistor having an input electrode connected to the power supply side and an output electrode connected to one end of the motor coil;
A second transistor having an input electrode connected to the one end of the motor coil and an output electrode connected to the ground side;
A third transistor having an input electrode connected to the power source and an output electrode connected to the other end of the motor coil;
A fourth transistor having an input electrode connected to the other end of the motor coil and an output electrode connected to the ground;
Drive control for controlling the first to fourth transistors so as to drive the motor coil by appropriately selecting a state in which the first and fourth transistors are on and a state in which all the first to fourth transistors are off. Circuit,
An input electrode is connected to the power supply side, an output electrode is connected to the one end of the motor coil, a control electrode is connected to the ground side, and the first and fourth transistors are turned on from the first and fourth transistors. A fifth transistor that turns on when all switches to the off state and the voltage at the one end of the motor coil is lower than the ground side;
A protection circuit that turns on the fourth transistor when the fifth transistor is turned on;
A motor drive circuit comprising:
請求項1に記載のモータ駆動回路であって、
P型基板上にN型ウェルが形成され、前記N型ウェル上にP型ウェルが形成され、前記P型ウェル上にソース電極及びドレイン電極が形成されたN型トリプルウェル構造のMOSFETの前記N型ウェルを用いて前記第5トランジスタの前記入力電極が構成され、
前記MOSFETの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも何れか一方を用いて前記第5トランジスタの前記出力電極が構成され、
前記MOSFETの前記P型ウェルを用いて前記第5トランジスタの前記制御電極が構成されてなること、
を特徴とするモータ駆動回路。
The motor drive circuit according to claim 1,
An N-type triple well MOSFET having an N-type well formed on a P-type substrate, a P-type well formed on the N-type well, and a source electrode and a drain electrode formed on the P-type well. The input electrode of the fifth transistor is configured using a mold well,
The output electrode of the fifth transistor is configured using at least one of the source electrode and the drain electrode of the MOSFET,
The control electrode of the fifth transistor is configured using the P-type well of the MOSFET;
A motor drive circuit characterized by the above.
ファンと、
前記ファンを駆動するモータと、
前記モータを駆動するモータ駆動回路と、
を備え、
前記モータ駆動回路は、
入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第1トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第2トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第3トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第4トランジスタと、
前記第1及び第4トランジスタがオンの状態と前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第1〜第4トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第1及び第4トランジスタがオンの状態から前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第5トランジスタと、
前記第5トランジスタがオンになると、前記第4トランジスタをオンさせる保護回路と、
を含んで構成されることを特徴とするファンモータ。
With fans,
A motor for driving the fan;
A motor drive circuit for driving the motor;
With
The motor drive circuit is
A first transistor having an input electrode connected to the power supply side and an output electrode connected to one end of the motor coil;
A second transistor having an input electrode connected to the one end of the motor coil and an output electrode connected to the ground side;
A third transistor having an input electrode connected to the power source and an output electrode connected to the other end of the motor coil;
A fourth transistor having an input electrode connected to the other end of the motor coil and an output electrode connected to the ground;
Drive control for controlling the first to fourth transistors so as to drive the motor coil by appropriately selecting a state in which the first and fourth transistors are on and a state in which all the first to fourth transistors are off. Circuit,
An input electrode is connected to the power supply side, an output electrode is connected to the one end of the motor coil, a control electrode is connected to the ground side, and the first and fourth transistors are turned on from the first and fourth transistors. A fifth transistor that turns on when all switches to the off state and the voltage at the one end of the motor coil is lower than the ground side;
A protection circuit that turns on the fourth transistor when the fifth transistor is turned on;
A fan motor comprising:
ファンと、
前記ファンを駆動するモータと、
前記モータを駆動するモータ駆動回路と、
前記ファンによって冷却される被冷却装置と、
を備え、
前記モータ駆動回路は、
入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第1トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第2トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第3トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第4トランジスタと、
前記第1及び第4トランジスタがオンの状態と前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第1〜第4トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第1及び第4トランジスタがオンの状態から前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第5トランジスタと、
前記第5トランジスタがオンになると、前記第4トランジスタをオンさせる保護回路と、
を含んで構成されることを特徴とする電子機器。
With fans,
A motor for driving the fan;
A motor drive circuit for driving the motor;
A cooled device cooled by the fan;
With
The motor drive circuit is
A first transistor having an input electrode connected to the power supply side and an output electrode connected to one end of the motor coil;
A second transistor having an input electrode connected to the one end of the motor coil and an output electrode connected to the ground side;
A third transistor having an input electrode connected to the power source and an output electrode connected to the other end of the motor coil;
A fourth transistor having an input electrode connected to the other end of the motor coil and an output electrode connected to the ground;
Drive control for controlling the first to fourth transistors so as to drive the motor coil by appropriately selecting a state in which the first and fourth transistors are on and a state in which all the first to fourth transistors are off. Circuit,
An input electrode is connected to the power supply side, an output electrode is connected to the one end of the motor coil, a control electrode is connected to the ground side, and the first and fourth transistors are turned on from the first and fourth transistors. A fifth transistor that turns on when all switches to the off state and the voltage at the one end of the motor coil is lower than the ground side;
A protection circuit that turns on the fourth transistor when the fifth transistor is turned on;
An electronic device characterized by comprising.
ファンと、
前記ファンを駆動するモータと、
前記モータを駆動するモータ駆動回路と、
前記ファンによって冷却されるプロセッサと、
を備え、
前記モータ駆動回路は、
入力電極が電源側に接続され、出力電極がモータコイルの一端と接続される第1トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、出力電極が接地側に接続される第2トランジスタと、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの他端と接続される第3トランジスタと、
入力電極が前記モータコイルの前記他端と接続され、出力電極が接地側に接続される第4トランジスタと、
前記第1及び第4トランジスタがオンの状態と前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択して前記モータコイルを駆動すべく、前記第1〜第4トランジスタを制御する駆動制御回路と、
入力電極が電源側に接続され、出力電極が前記モータコイルの前記一端と接続され、制御電極が接地側に接続され、前記第1及び第4トランジスタがオンの状態から前記第1〜第4トランジスタ全てがオフの状態に切り替わって前記モータコイルの前記一端の電圧が接地側より低くなるとオンになる第5トランジスタと、
前記第5トランジスタがオンになると、前記第4トランジスタをオンさせる保護回路と、
を含んで構成されることを特徴とするノート型パーソナルコンピュータ。
With fans,
A motor for driving the fan;
A motor drive circuit for driving the motor;
A processor cooled by the fan;
With
The motor drive circuit is
A first transistor having an input electrode connected to the power supply side and an output electrode connected to one end of the motor coil;
A second transistor having an input electrode connected to the one end of the motor coil and an output electrode connected to the ground side;
A third transistor having an input electrode connected to the power source and an output electrode connected to the other end of the motor coil;
A fourth transistor having an input electrode connected to the other end of the motor coil and an output electrode connected to the ground;
Drive control for controlling the first to fourth transistors so as to drive the motor coil by appropriately selecting a state in which the first and fourth transistors are on and a state in which all the first to fourth transistors are off. Circuit,
An input electrode is connected to the power supply side, an output electrode is connected to the one end of the motor coil, a control electrode is connected to the ground side, and the first and fourth transistors are turned on from the first and fourth transistors. A fifth transistor that turns on when all switches to the off state and the voltage at the one end of the motor coil is lower than the ground side;
A protection circuit that turns on the fourth transistor when the fifth transistor is turned on;
A notebook personal computer comprising:
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