JP5097006B2 - プリント配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、プリント配線基板及びその製造方法に係り、特に、複数の半導体素子が埋め込まれたプリント配線基板及びその製造方法に関する。

近年、携帯電話やデジタルカメラ等に代表される携帯電子機器において、製品の小型化、高機能化が急速に進んでいる。それにともない、それらの電子機器に搭載される部品にも、小型化、高機能化、大容量化等が要求されている。半導体パッケージにおいても、上記の流れから、１つのパッケージにＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ等の半導体素子を複数個内包してシステム化するシステムインパッケージ技術が注目を浴びている。

また、パッケージの薄型化という点からは、Ｓｉウエハ薄型加工技術が発達してきた。最近では、ＩＣを１００μｍ厚程度まで薄肉化することが可能となったことを受け、プリント配線基板の内部にＩＣチップ等を埋め込む部品内蔵基板技術が注目されている。この部品内蔵基板は、プリント配線基板内部にＩＣチップ等を埋め込むことにより、従来に比べて、相対的に実装面積を増やすことができる。

特許文献１には、複数の半導体装置に対応するサイズのベース板上の接着層上に格子状の埋込材を接着し、埋込材の開口部内における接着層上に、シリコン基板上に再配線、柱状電極及び封止膜を設けてなる半導体構成体を接着し、半導体構成体とその外側の方形枠上の埋込材との間に封止膜を形成し、第１の上層絶縁膜、第２の上層再配線、第３の上層絶縁膜を順次、積層状に形成し、半田ボールを形成し、互いに隣接する半導体構成体間において切断することにより半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られることが示されている。
特開２００４−９５８３６号公報

ところで、プリント配線基板の中に複数個のＩＣチップ等の半導体素子を埋め込んで製造する場合には、半導体素子の入出力（Ｉ／Ｏ）パッドピッチを拡大するため再配線層等が素子回路面側に多数積層される。これに対して、半導体素子の素子回路面と反対側である裏面の素子基板面では、再配線層等はほとんど設けられていない。そのため、複数の半導体素子が素子回路面を同じ方向に向けて埋め込まれて多層化される場合には、プリント配線基板の層構成に異方性が生じるためプリント配線基板に反りが生じる可能性がある。

そこで、本発明の目的は、反りを抑制したプリント配線基板及びその製造方法を提供することである。

本発明に係るプリント配線基板は、複数の半導体素子が埋め込まれたプリント配線基板であって、第１絶縁樹脂板と、前記第１絶縁樹脂板の一方の面に設けられる第１導体回路と、前記第１絶縁樹脂板の他方の面から突出して形成され、前記第１絶縁樹脂板を貫通し、前記第１導体回路と接触させた複数の第１貫通電極と、を有する第１配線部材と、第１半導体素子と、前記第１半導体素子の素子回路面に設けられ、素子回路電極と前記第１貫通電極とを接続する第１再配線層と、を有する第１半導体部材と、前記第１半導体部材が埋め込まれ、前記第１配線部材と前記第１半導体部材とを一体化する第１絶縁樹脂基材と、を含む第１配線部と、
第２絶縁樹脂板と、前記第２絶縁樹脂板の一方の面に設けられる第２導体回路と、前記第２絶縁樹脂板の他方の面から突出して形成され、前記第２絶縁樹脂板を貫通し、前記第２導体回路と接触させた複数の第２貫通電極と、を有する第２配線部材と、第２半導体素子と、前記第２半導体素子の素子回路面に設けられ、素子回路電極と前記第２貫通電極とを接続する第２再配線層と、を有する第２半導体部材と、前記第２半導体部材が埋め込まれ、前記第２配線部材と前記第２半導体部材とを一体化する第２絶縁樹脂基材と、を含む第２配線部と、
を備え、
絶縁樹脂シートと、前記絶縁樹脂シートの一方の面に設けられ、前記第１貫通電極と前記第２貫通電極とに接続される導電層と、を有し、一端が前記第１絶縁樹脂基材に埋め込まれ、他端が前記第２絶縁樹脂基材に埋め込まれ、前記一端と前記他端との間の部位を前記第１絶縁樹脂基材及び前記第２絶縁樹脂基材から突出させた接続部材を含み、前記第１配線部と前記第２配線部とは、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との前記素子回路面と反対側の素子基板面を各々対向させて略対称に配置され、前記第１配線部と前記第２配線部との間に、支持部材が接着剤で加熱圧着されて設けられ、前記接続部材は、前記第１配線部と前記第２配線部と前記支持部材との間に中空状の隙間を設けて配置され、前記接続部材の内周面への前記接着剤の流れ込みによる固着を抑えるため、前記中空状の隙間の大きさが前記支持部材の厚みを変えることにより調整されていることを特徴とする。

本発明に係るプリント配線基板において、前記支持部材は、ポリイミド樹脂で成形された樹脂シート、繊維強化樹脂複合材料で成形された複合材料シート、無機材料で成形されたセラミックシート、またはモリブデンやインバー合金を銅で挟持した金属板で形成されていることを特徴とする。

本発明に係るプリント配線基板は、前記第１絶縁樹脂基材に埋め込まれ、前記第１半導体素子と略同じ厚みを有する第１スペーサまたは前記第２絶縁樹脂基材に埋め込まれ、前記第２半導体素子と略同じ厚みを有する第２スペーサを備えることを特徴とする。

本発明に係るプリント配線基板の製造方法は、複数の半導体素子が埋め込まれたプリント配線基板の製造方法であって、絶縁樹脂板と、前記絶縁樹脂板の一方の面に形成される導体回路と、前記絶縁樹脂板の他方の面に設けられる第１接着層と、前記絶縁樹脂板と前記第１接着層とを貫通し、前記導体回路と導通する複数の導電性ペースト電極と、を含む複数の配線基材を成形する配線基材成形工程と、半導体素子と、前記半導体素子の素子回路面に設けられ、素子回路電極と前記導電性ペースト電極とを接続する再配線層と、を含む複数の半導体部材とを成形する半導体部材成形工程と、絶縁樹脂ベース板と、前記絶縁樹脂ベース板の一方の面に設けられる第２接着層と、を含む複数の配線ベース基材とを成形する配線ベース基材成形工程と、絶縁樹脂シートと、前記絶縁樹脂シートの一方の面に形成される導電層と、を有する接続部材を成形する接続部材成形工程と、
を備え、
前記複数の配線ベース基材の第１配線ベース基材と第２配線ベース基材とは、前記接続部材の長さより短い間隔を設けて、前記第２接着層を同じ向きにして配置され、前記接続部材は、一端を前記第１配線ベース基材の第２接着層に、他端を前記第２配線ベース基材の第２接着層に、前記絶縁樹脂シートを向けて積層され、前記複数の半導体部材の第１半導体部材と第２半導体部材とは、前記第１配線ベース基材と前記第２配線ベース基材との第２接着層に、前記素子回路面と反対側の素子基板面を向けて各々積層され、前記複数の配線基材の第１配線基材と第２配線基材とは、各々一端の導電性ペースト電極を前記接続部材の導電層と接触させ、各々所定の導電性ペースト電極を前記再配線層と接触させて、前記第１半導体部材と前記第２半導体部材と前記接続部材とに積層されて配線基材積層体を形成する配線基材積層体形成工程と、
前記配線基材積層体に含まれる第１接着層と第２接着層とを硬化させて、前記第１配線基材と前記第１半導体部材と前記第１配線ベース基材を一体化させた第１配線予備基体と、前記第２配線基材と前記第２半導体部材と前記第２配線ベース基材を一体化させた第２配線予備基体と、前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体とに接続された接続部材と、を含む配線予備成形体を予備成形する配線予備成形体成形工程と、
前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体とに埋め込まれた各々半導体素子の素子基板面を対向させるように前記接続部材を曲げて前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体とを略対称に配置し、前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体との各々絶縁樹脂ベース板を接合する接合工程と、
を有し、
前記接合工程は、前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体との間に支持部材が挟持されて接着剤で加熱圧着され、前記接続部材は、前記第１配線部と前記第２配線部と前記支持部材との間に中空状の隙間を設けて配置され、前記接続部材の内周面への前記接着剤の流れ込みによる固着を抑えるため、前記中空状の隙間の大きさが前記支持部材の厚みを変えることにより調整されることを特徴とする。

本発明に係るプリント配線基板の製造方法において、前記支持部材は、ポリイミド樹脂で成形された樹脂シート、繊維強化樹脂複合材料で成形された複合材料シート、無機材料で成形されたセラミックシート、またはモリブデンやインバー合金を銅で挟持した金属板で形成されていることを特徴とする。

本発明に係るプリント配線基板の製造方法において、前記配線基材成形工程は、一方の面に銅層が設けられた絶縁樹脂板の前記銅層をエッチングして前記導体回路を形成し、前記絶縁樹脂板の他方の面に、前記第１接着層を形成し、前記第１接着層にマスキング層を形成し、前記絶縁樹脂板と前記第１接着層と前記マスキング層とに貫通して、前記導体回路と接続させる接続穴を形成し、前記接続穴に導電性ペーストを充填した後、前記マスキング層を除去して導電性ペースト電極を形成することを特徴とする。

本発明に係るプリント配線基板の製造方法において、前記半導体部材成形工程は、前記半導体素子の素子回路電極位置に第１開口を設けて第１絶縁層を形成し、前記第１開口に導電性材料で前記再配線層を形成し、前記再配線層の所定位置に第２開口を設けて第２絶縁層を形成することを特徴とする。

上記構成におけるプリント配線基板及びその製造方法によれば、配線基板の層構成を略対称にすることができるのでプリント配線基板の反りが抑制される。

以下に、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。図１は、プリント配線基板１０の構成を示す断面図である。

プリント配線基板１０は、第１配線部材１２ａと第１半導体部材１４ａと第１絶縁樹脂基材１６ａとを有する第１配線部１８ａと、第２配線部材１２ｂと第２半導体部材１４ｂと第２絶縁樹脂基材１６ｂとを有する第２配線部１８ｂと、を備えている。

第１配線部１２ａは、第１絶縁樹脂板２０ａと、第１絶縁樹脂板２０ａの一方の面に設けられる第１導体回路２２ａと、第１絶縁樹脂板２０ａの他方の面から突出して形成され、第１絶縁樹脂板２０ａを貫通し、第１導体回路２２ａと接触させて設けられる複数の第１貫通電極２３ａ、２４ａと、を有している。

第１絶縁樹脂板２０ａは、ポリイミド樹脂等の絶縁樹脂材料で成形される。第１絶縁樹脂板２０ａの一方の面に設けられる第１導体回路２２ａは、例えば、銅材料や銀材料で形成されたリード配線層で形成される。第１貫通電極２３ａ、２４ａは、例えば、銅材料や銀材料等の導電性材料で形成される。また、第１配線部材１２ａの第１導体回路２２ａ側に、更に、他の配線部材２６ａを積層してもよい。

第１半導体部材１４ａは、第１半導体素子３０ａと、第１半導体素子３０ａの素子回路面に設けられ、素子回路電極３１ａと第１貫通電極２３ａとを接続する第１再配線層３２ａと、各々の第１再配線層３２ａを絶縁する第１絶縁体３４ａと、を有している。第１半導体素子３０ａには、例えば、ＩＣチップ等が用いられる。

第１再配線層３２ａは、第１半導体素子３０ａの素子回路面に設けられ、第１半導体素子３０ａの素子回路電極３１ａと第１貫通電極２３ａとに接続される。第１再配線層３２ａは、第１半導体素子３０ａと第１配線部材１２ａとを、端子を再配列して接続するために設けられる。第１再配線層３２ａは、例えば、銅材料や銀材料等の導電性材料で形成される。

また、第１半導体素子３０ａの外周を囲むようにして、第１半導体素子３０ａの厚みと略同じ厚みを有する第１スペーサ３６ａを配置してもよい。第１スペーサ３６ａは、例えば、樹脂シートや、一方の面に導体層が設けられた樹脂シート等で形成される。

第１絶縁樹脂基材１６ａは、第１半導体部材１４ａが埋め込まれ、第１配線部材１２ａと第１半導体部材１４ａとを一体化する機能を有している。また、第１絶縁樹脂基材１６ａは、第１貫通電極２３ａ、２４ａの間を絶縁する機能を有している。第１絶縁樹脂基材１６ａは、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂材料で形成される。また、第１スペーサ３６ａが用いられる場合には、第１スペーサ３６ａも第１絶縁樹脂基材１６ａに埋め込まれる。

第２配線部材１２ｂは、第２絶縁樹脂板２０ｂと、第２絶縁樹脂板２０ｂの一方の面に設けられる第２導体回路２２ｂと、第２絶縁樹脂板２０ｂの他方の面から突出して形成され、第２絶縁樹脂板２０ｂを貫通し、第２導体回路２２ｂと接触させて設けられる複数の第２貫通電極２３ｂ、２４ｂと、を有している。第２配線部材１２ｂは、第１配線部材１２ａと同様にして形成される。また、第２配線部材１２ｂの第２導体回路２２ｂ側に、更に、他の配線部材２６ｂを積層してもよい。

第２半導体部材１４ｂは、第２半導体素子３０ｂと、第２半導体素子３０ｂの素子回路面に設けられ、素子回路電極３１ｂと第２貫通電極２３ｂとを接続する第２再配線層３２ｂと、各々の第２再配線層３２ｂを絶縁する第２絶縁体３４ｂと、を有している。第２半導体部材１４ｂは、第１半導体部材１４ａと同様にして形成される。また、第２半導体素子３０ｂの外周を囲むようにして、第２半導体素子３０ｂの厚みと略同じ厚みを有する第２スペーサ３６ｂを配置してもよい。なお、第２スペーサ３６ｂは、第１スペーサ３６ａと同様にして形成される。

第２絶縁樹脂基材１６ｂは、第２半導体部材１４ｂが埋め込まれ、第２配線部材１２ｂと第２半導体部材１４ｂとを一体化する機能を有している。また、第２絶縁樹脂基材１６ｂは、第２貫通電極２３ｂ、２４ｂの間を絶縁する機能を有している。第２絶縁樹脂基材１６ｂは、第１絶縁樹脂基材１６ａと同様にしで形成される。

また、第１配線部１８ａは、第１配線ベース部材３８ａを有し、第２配線部１８ｂは、第２配線ベース部材３８ｂを有していてもよい。第１配線ベース部材３８ａと第２配線ベース部材３８ｂとは、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁樹脂材料で成形される。

更に、第１配線ベース部材３８ａと第２配線ベース部材３８ｂとの間には、支持部材３９を設けることができる。支持部材３９には、ポリイミド樹脂等の合成樹脂で成形された樹脂シート、繊維強化樹脂複合材料（ＦＲＰ）で成形された複合材料シート、無機材料等で成形されたセラミックシート、放熱特性に優れた金属材料で成形された金属シート等を用いることができる。また、支持部材３９は、半導体素子の主構成物であるシリコンと熱膨張係数が近く、放熱特性に優れる材料で成形されることが好ましく、このような材料には、例えば、モリブデンやインバー合金を銅で挟持した金属板等を用いることができる。

接続部材４０は、絶縁樹脂シート４２と、絶縁樹脂シート４２の一方の面に設けられ、第１配線部材１２ａの一端に置かれる第１貫通電極２４ａと、第２配線部材１２ｂの一端に置かれる第２貫通電極２４ｂとに接続される導電層４４と、を有している。

絶縁樹脂シート４２には、ポリイミド樹脂等の絶縁樹脂材料で形成された可撓性を有する合成樹脂フィルム等が用いられる。そのため、絶縁樹脂シート４２は、柔軟性を有しており、例えば、容易に折り曲げられる。導電層４４は、例えば、銅材料や銀材料等の導電性材料で形成される。導電層４４が、第１配線部材１２ａの一端に置かれる第１貫通電極２４ａと、第２配線部材１２ｂの一端に置かれる第２貫通電極２４ｂとに接続されることにより、第１配線部１８ａと第２配線部１８ｂとが電気的に接続される。

接続部材４０は、その一端が第１絶縁樹脂基材１６ａに埋め込まれて第１配線部１８ａに連結され、他端が第２絶縁樹脂基材１６ｂに埋め込まれて第２配線部１８ｂに連結される。また、接続部材４０は、一端と他端との間の部位を、第１絶縁樹脂基材１６ａ及び第２絶縁樹脂基材１６ｂから突出させて設けられる。また、接続部材４０は、例えば、環状に折り曲げられることにより、第１絶縁樹脂基材１６ａ及び第２絶縁樹脂基材１６ｂとの間に中空状の隙間４６を空けて設けられる。接続部材４０の一端と他端との間の部位は、第１絶縁樹脂基材１６ａ及び第２絶縁樹脂基材１６ｂに埋め込まれて固定されていないので、プリント配線基板１０の積層方向である厚み方向の熱膨張等の膨張に対して変形して追従できる。そのため、プリント配線基板１０の厚さ方向に生じる熱応力を緩和して、電気的接続の信頼性が向上する。

第１配線部１８ａと第２配線部１８ｂとは、第１半導体素子３０ａの素子回路面と反対側の素子基板面と、第２半導体素子３０ｂの素子回路面と反対側の素子基板面とを対向させて設けられる。図１では、第１半導体素子３０ａは、再配線層３２ａが設けられた素子回路面を上側に向けて配置され、第２半導体素子３０ｂは、再配線層３２ｂが設けられた素子回路面を下側に向けて配置されており、第１半導体部材１６ａと第２半導体部材１６ｂとは上下逆向きに埋め込まれている。そのため、第１配線部１８ａと第２配線部１８ｂとは、支持部材３９に対して略対称に配置されるので、プリント配線基板１０の反りが抑えられる。

次に、複数の半導体素子が埋め込まれたプリント配線基板１０の製造方法について説明する。

図２は、プリント配線基板１０の製造方法を示すフローチャートである。プリント配線基板１０の製造方法は、配線基材成形工程（Ｓ１０）と、半導体部材成形工程（Ｓ１２）と、配線ベース基材成形工程（Ｓ１４）と、接続部材成形工程（Ｓ１６）と、配線基材積層体形成工程（Ｓ１８）と、配線予備成形体成形工程（Ｓ２０）と、接合工程（Ｓ２２）と、を備えている。このうち、配線基材成形工程（Ｓ１０）と、半導体部材成形工程（Ｓ１２）と、配線ベース基材成形工程（Ｓ１４）と、接続部材成形工程（Ｓ１６）とは、特に、順序はなく、例えば、複数の工程を同時に行ってもよい。

配線基材成形工程（Ｓ１０）は、絶縁樹脂板と、絶縁樹脂板の一方の面に形成される導体回路と、絶縁樹脂板の他方の面に設けられる第１接着層と、絶縁樹脂板と第１接着層とを貫通し、導体回路と導通する複数の導電性ペースト電極と、を含む複数の配線基材を成形する工程である。

配線基材成形工程（Ｓ１０）は、一方の面に銅層が設けられた絶縁樹脂板をエッチングして導体回路を形成する工程と、絶縁樹脂板の他方の面に第１接着層を形成する工程と、第１接着層にマスキング層を形成する工程と、絶縁樹脂板とマスキング層とを貫通し、導体回路と導通させる接続穴を形成する工程と、接続穴に導電性ペーストを充填した後、マスキング層を除去して導電性ペースト電極を形成する工程と、を有している。

導体回路は、一方の面に銅層が設けられた絶縁樹脂板の銅層をエッチングして形成される。図３は、一方の面に銅層５０が設けられた絶縁樹脂板５２の構成を示す断面図である。銅層５０が設けられた絶縁樹脂板５２には、例えば、片面銅張板（ＣＣＬ：Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）が用いられる。

絶縁樹脂板５２には、例えば、ポリイミド樹脂で成形されたポリイミド樹脂フィルムが用いられる。ポリイミド樹脂フィルムには、例えば、厚みが２５μｍのフィルム材が用いられる。絶縁樹脂板５２を成形する合成樹脂は、ポリイミド樹脂に限定されることなく、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を用いることができる。また、絶縁樹脂板５２を成形する合成樹脂には、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を用いてもよい。また、銅層５０は、絶縁樹脂板５２の一方の面に、例えば、９μｍの厚みで形成される。

片面銅張板には、銅箔にポリイミドワニスを塗布してワニスを硬化させる、いわゆるキャスティング法により成形された片面銅張板を用いてもよいし、ポリイミド樹脂フィルムに導電性シード層をスパッタリング法で形成し、導電性シード層に電解銅めっき法等で銅層を形成して成形した片面銅張板を用いてもよいし、圧延銅箔または電解銅箔と、ポリイミド樹脂フィルムとを接着剤で貼り合わせて成形した片面銅張板を用いてもよい。

導体回路５４は、絶縁樹脂板５２に設けられた銅層５０をエッチングすることにより形成される。図４は、絶縁樹脂板５２に形成された導体回路５４の構成を示す断面図である。エッチングは、銅層５０の表面にフォトリソグラフィ技術によりエッチングレジストを形成した後、塩化第二鉄を主成分とするエッチャントを用いて化学エッチングして行われる。エッチャントは、塩化第二鉄を主成分とするエッチャントに限定されることなく、塩化第二銅を主成分とするエッチャントを用いてもよい。

第１接着層は、絶縁樹脂板５２の導体回路面と反対側の他方の面に設けられる。図５は、第１接着層５６を設けた状態を示す断面図である。第１接着層５６は、例えば、厚みが２５μｍのエポキシ樹脂系熱硬化性フィルム等の熱硬化性フィルム接着剤で形成される。勿論、第１接着層５６は、エポキシ樹脂系熱硬化性フィルム接着剤に限定されることなく、アクリル樹脂系フィルム接着剤や、熱可塑性ポリイミド樹脂系フィルム接着剤等の熱可塑性フィルム接着剤を用いてもよい。また、第１接着層５６は、樹脂フィルム接着剤で形成されることに限定されることなく、絶縁樹脂板５２の表面にワニス状の樹脂液を塗布して形成されてもよい。

マスキング層は、第１接着層５６に設けられる。図６は、マスキング層５８を設けた状態を示す断面図である。マスキング層５８には、例えば、合成樹脂フィルムが用いられる。合成樹脂フィルムには、例えば、厚みが２５μｍのポリイミド樹脂フィルムを用いることが好ましい。勿論、合成樹脂フィルムには、ポリイミド樹脂フィルムに限定されることなく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂フィルムやポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）樹脂フィルム等を用いることができる。また、マスキング樹脂フィルムには、ＵＶ照射によって接着や剥離が可能な樹脂フィルムを用いてもよい。

ここで、導体回路５４が形成された絶縁樹脂板５２と、第１接着層５６と、マスキング層５８とは、加熱圧着されて積層される。加熱圧着には、例えば、真空ラミネータ等を用いて、減圧下の雰囲気中にて、樹脂フィルム接着剤の硬化温度以下の加熱温度で、例えば、０．３ＭＰａの圧力でプレスして加熱圧着される。

接続穴は、絶縁樹脂板５２と第１接着層５６とマスキング層５８とに貫通して、導体回路５４と接続させて形成される。図７は、接続穴６０を形成した状態を示す断面図である。接続穴６０は、絶縁樹脂板５２と第１接着層５６とマスキング層５８とを、例えば、ＹＡＧレーザ等でレーザ加工することにより形成される。レーザ加工に用いられるレーザには、ＹＡＧレーザに限定されることなく、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ等を用いてもよい。また、レーザ加工だけでなく、ドリル加工や化学的エッチング加工により貫通穴を形成してもよい。

次に、接続穴６０は、プラズマデスミア処理等でデスミア処理される。プラズマデスミア処理の使用ガスには、ＣＦ_４及びＯ_２混合ガス、Ａｒガス等の不活性ガス等を用いることができる。また、デスミア処理には、ドライ処理だけでなく、薬液を用いたウエットデスミア処理を用いてもよい。

導電性ペースト電極は、接続穴６０に導電性ペーストを充填した後、マスキング層５８を除去して形成される。図８は、接続穴６０に導電性ペースト６２を充填した状態を示す断面図である。導電性ペースト６２は、電気抵抗が小さい金属粒子と、低融点金属粒子と、バインダと、を含んで構成される。電気抵抗が小さい金属粒子には、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）から選択される少なくとも１種類の金属粒子が用いられる。低融点金属粒子には、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、鉛（Ｐｂ）から選択される少なくとも１種類の低融点金属粒子が用いられる。バインダには、エポキシ樹脂を主成分とする材料が用いられる。導電性ペースト６２は、例えば、スクリーン印刷法等により接続穴６０に充填される。

マスキング層５８は、導電性ペースト６２を接続穴６０に充填した後、除去される。図９は、マスキング層５８を除去した状態を示す断面図である。マスキング層５８が第１接着層５６から除去されることにより、マスキング層５８の厚みを有する突起部を含む導電性ペースト電極６４が形成される。

以上により配線基材が成形される。図１０は、成形された配線基材７０を示す断面図である。マスキング層５８を除去した後、例えば、所定箇所で切断して分割することにより、複数の配線基材７０が成形される。

次に、半導体部材を成形する半導体部材成形工程について説明する。

半導体部材成形工程は、半導体素子の素子回路電極位置に第１開口を設けて第１絶縁層を形成する工程と、第１開口に導電性材料で再配線層を形成する工程と、再配線層の所定位置に第２開口を設けて第２絶縁層を形成する工程とを有している。

図１１は、半導体部材の成形方法を示す断面図であり、図１１（ａ）は、ウエハ状半導体素子板７２を示す断面図であり、図１１（ｂ）は、第１絶縁層７４を形成した状態を示す断面図であり、図１１（ｃ）は、再配線層７６を形成した状態を示す断面図であり、図１１（ｄ）は、第２絶縁層７８を形成した状態を示す断面図であり、図１１（ｅ）は、個片化された半導体部材８０を示す断面図である。

ダイジング前のウエハ状半導体素子板７２は、図１１（ａ）に示すように、素子回路面に、Ａｌパッド等の素子回路電極８２と、パッシベーション層８４とを有している。パッシベーション層８４は、酸化珪素や窒化珪素等の無機絶縁層で形成される。

第１絶縁層７４は、図１１（ｂ）に示すように、ウエハ状半導体素子板７２の素子回路電極部位に第１開口８６を設けて形成される。第１絶縁層７４は、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂で形成される。第１絶縁層７４は、ウエハ状半導体素子板７２の素子回路面に、液状の感光性ポリイミド前駆体をスピンコートし、フォトリソグラフィによってコンタクトホールである第１開口８６を形成した後、焼成して、例えば、１０μｍの厚みで形成される。

再配線層７６は、図１１（ｃ）に示すように、第１開口８６に導電性材料で形成される。導電性材料には、銅材料や銀材料等が用いられる。再配線層７６は、セミアディティブ法を用いて、素子回路電極８２の直上または素子回路電極８２の直上と第１絶縁層７４の直上とに、例えば、厚み５μｍで形成される。

第２絶縁層７８は、図１１（ｄ）に示すように、再配線層７６の所定位置に第２開口８８を設けて第２絶縁層７８を形成する工程である。第２絶縁層７８は、例えば、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂で形成される。第２絶縁層７８は、液状の感光性ポリイミド前駆体をスピンコートし、フォトリソグラフィによってコンタクトホールである第２開口８８を形成した後、焼成して、例えば、厚み５μｍで形成される。

ここで、第１絶縁層７４と第２絶縁層７８とにより、上述した第１絶縁体３４ａと第２絶縁体３４ｂとが形成される。なお、第１絶縁層７４と第２絶縁層７８とを形成する合成樹脂は、ポリイミド樹脂に限定されることなく、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂、ポリベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂等を用いることができる。また、感光性樹脂は、スピンコートに限定されることなく、カーテンコート、スクリーン印刷、スプレーコート等で塗布されてもよい。第１絶縁層７４と第２絶縁層７８とは、感光性樹脂フィルムを半導体素子にラミネートして形成してもよい。

プロービングにより検査を行った後、第１絶縁層７４、第２絶縁層７８及び再配線層７６が設けられた素子回路面と反対側の素子基板面を、砥石による研削や、機械的または化学的なポリッシング等することにより、ウエハ状半導体素子板７２を、例えば、総厚８５μｍまで薄型加工する。その後、ダイジングによってウエハ状半導体素子板７２を個片化する。それにより、図１１（ｅ）に示すように、複数の半導体部材８０が成形される。なお、半導体素子の回路には、通常の導電用回路の他、インダクタ、キャパシタ、抵抗等の機能を付与させることができる。

配線ベース基材成形工程（Ｓ１４）は、配線ベース基材を成形する工程である。図１２は、配線ベース基材９０の構成を示す断面図である。配線ベース基材９０は、絶縁樹脂ベース板９２と、絶縁樹脂ベース板９２に設けられる第２接着層９４とを有している。

絶縁樹脂ベース板９２には、絶縁樹脂板５２と同様にポリイミド樹脂フィルム等が用いられる。また、第２接着層９４には、第１接着層５６と同様にエポキシ樹脂系の熱硬化性フィルム接着剤等が用いられる。絶縁樹脂ベース板９２と第２接着層９４とは、例えば、真空ラミネータ等を用いて、減圧下の雰囲気中にて、樹脂フィルム接着剤の硬化温度以下の加熱温度で、例えば、０．３ＭＰａの圧力でプレスして加熱圧着される。以上により、複数の配線ベース基材９０が成形される。

接続部材成形工程（Ｓ１６）は、接続部材４０を成形する工程である。図１３は、接続部材４０の構成を示す断面図である。接続部材４０は、絶縁樹脂シート４２と、絶縁樹脂シート４２の一方の面に形成される導電層４４と、を有している。接続部材４０には、銅箔にポリイミドワニスを塗布してワニスを硬化させる、いわゆるキャスティング法により成形された部材を用いてもよいし、ポリイミド樹脂フィルム等の絶縁樹脂シートに導電性シード層をスパッタリング法で形成し、導電性シード層に電解銅めっき法等で銅層を形成して成形した部材を用いてもよいし、圧延銅箔または電解銅箔と、ポリイミド樹脂フィルム等の絶縁樹脂シートと、を接着剤で貼り合わせて成形した部材を用いてもよい。以上により、接続部材４０が成形される。

配線基材積層体形成工程（Ｓ１８）は、配線基材７０と半導体部材８０と配線ベース基材９０と接続部材４０と、を積層して、配線基材積層体を形成する工程である。図１４は、配線基材積層体１００の積層構成を示す断面図である。

まず、第１配線ベース基材９０ａと第２配線ベース基材９０ｂとは、接続部材４０の長さより短い間隔を設けて配置される。また、第１配線ベース基材９０ａと第２配線ベース基材９０ｂとは、第２接着層９４を同じ方向である、例えば、上側に向けて配置される。

接続部材４０は、第１配線ベース基材９０ａと第２配線ベース基材９０ｂとの間に積層される。接続部材４０は、その一端が第１配線ベース基材９０ａの第２接着層９４に置かれ、他端が第２配線ベース基材９０ｂの第２接着層９４に置かれて積層される。接続部材４０は、絶縁樹脂シート４２を第２接着層９４に接触させて積層される。

次に、第１半導体部材８０ａが第１配線ベース基材９０ａに積層され、第２半導体部材８０ｂが第２配線ベース基材９０ｂに積層される。第１半導体部材８０ａと第２半導体部材８０ｂとは、第１配線ベース基材９０ａと第２配線ベース基材９０ｂとの第２接着層９４に、素子回路面と反対側である素子基板面を向けて積層される。また、第１半導体部材８０ａと第２半導体部材８０ｂとの周りには、スペーサ１０２ａ、１０２ｂを積層してもよい。

次に、第１配線基材７０ａと第２配線基材７０ｂとが、第１半導体部材８０ａと第２半導体部材８０ｂと接続部材４０とに積層される。第１配線基材７０ａは、一端の導電性ペースト電極６４ａを接続部材４０の導電層４４と接触させ、所定の導電性ペースト電極６４ｂを第１半導体部材８０ａの再配線層７６と接触させて積層される。また、第２配線基材７０ｂは、一端の導電性ペーストビア６４ａを接続部材４０の導電層４４と接触させ、所定の導電性ペーストビア６４ｂを第２半導体部材８０ｂの再配線層７６と接触させて積層される。

ここで、第１配線基材７０ａと第１半導体部材８０ａとは、半導体チップ用マウンタ等で位置合わせされ、第１接着層５６及び導電性ペースト電極６４ａ、６４ｂに含まれるバインダの硬化温度以下の温度で加熱して予め仮留めしておくことが好ましい。第１配線基材７０ａと第１半導体部材８０ａとの積層がより容易になるからである。また、第２配線基材７０ｂと第２半導体部材８０ｂについても、予め仮留めしておくことが好ましい。なお、第１配線基材７０ａと第２配線基材７０ｂとの上に、更に、他の配線基材１０４ａ、１０４ｂを積層してもよい。以上により配線基材積層体１００が形成される。

配線予備成形体成形工程（Ｓ２０）は、配線基材積層体１００に含まれる第１接着層５６と第２接着層９４とを硬化させることにより一体化して配線予備成形体を成形する工程である。図１５は、配線予備成形体１１０の構成を示す断面図である。

配線予備成形体１１０は、配線基材積層体１００を、例えば、真空キュアプレス機を用いて１ｋＰａ以下の減圧雰囲気中で加熱圧着し一体化して成形される。配線基材積層体１００を加熱圧着することにより、半硬化状態の第１接着層５６と第２接着層９４とを加熱硬化して配線予備成形体１１０が予備成形される。なお、第１接着層５６及び第２接着層９４である層間接着剤の硬化と同時に、導電性ペースト電極６４の硬化と合金化とを行って上述した貫通電極２３ａ、２４ａ、２３ｂ、２４ｂが形成される。なお、第１接着層５６と第２接着層９４とを加熱圧着によりフローさせて硬化させることにより、上述した第１絶縁樹脂基材１６ａと第２絶縁樹脂基材１６ｂとが形成される。

配線予備成形体１１０は、第１配線基材７０ａと第１半導体部材８０ａと第１配線ベース基材９０ａとを一体化した第１配線予備成形基体１１２ａと、第２配線基材７０ｂと第２半導体部材８０ｂと第２配線ベース基材９０ｂとを一体化した第２配線予備成形基体１１２ｂと、第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂとを連結し、電気的に接続する接続部材４０とを含んで構成される。図１５に示されるように、配線予備成形体１１０は、接続部材４０の一端と他端との間の部位が第１配線予備成形基体１１２ａ及び第２配線予備成形基体１１２ｂに埋め込まれていないので、接続部材４０から折り曲げることができる。なお、図１５に示される配線予備成形体１１０では、接続部材４０に２個の配線予備成形基体１１２ａ、１１２ｂが連結されているが、３個以上の配線予備成形基体が連結されるようにしてもよい。

接合工程（Ｓ２２）は、接続部材４０を曲げて、第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂとを接合する工程である。図１６は、接続部材４０を曲げて接合前のセットアップした状態を示す断面図である。配線予備成形体１１０は、第１配線予備成形基体１１２ａに埋め込まれた第１半導体部材８０ａにおける第１半導体素子の素子基板面と、第２配線予備成形基体１１２ｂに埋め込まれた第２半導体部材８０ｂにおける第２半導体素子の素子基板面とが対向するように、接続部材４０を曲げてセットアップされる。したがって、接続部材４０は、絶縁樹脂シート４２が内周側となり、導電層４４が外周側となるように折り曲げられる。

第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂとの間には、支持部材３９が設けられる。上述したように、支持部材３９は、絶縁樹脂板５２に用いられるポリイミド樹脂フィルム等で形成されることが好ましい。勿論、支持部材３９は、例えば、ガラス繊維クロスにエポキシ樹脂系の熱硬化性樹脂を含浸して硬化させたいわゆるガラス繊維強化エポキシ樹脂基板、焼成セラミックス等の硬質基材や、放熱特性に優れた金属材料等で形成されてもよい。また、支持部材３９の両面に設けられる接着層１１４は、例えば、エポキシ樹脂系の熱硬化性フィルム接着剤等で形成される。

ここで、接続部材４０は、その内周面への接着剤の流れ込みによる固着を抑えるため、第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂと支持部材３９との間に中空状の隙間４６を設けて配置される。なお、中空状の隙間４６の大きさは、支持部材３９の厚みを変えることにより調整可能である。そして、第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂと支持部材３９とは、例えば、真空キュアプレス機を用いて１ｋＰａ以下の減圧雰囲気中で加熱圧着して接合される。

以上により複数の半導体素子が埋め込まれたプリント配線基板１０の製造が完了する。なお、上記構成では、第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂとの間に支持部材３９を設けてプリント配線基板１０を製造したが、支持部材３９を設けないで、第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂとを接着層１１４で直接接着して製造してもよい。図１７は、支持部材３９を設けないで製造したプリント配線基板１０を示す断面図である。第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂとの間に、例えば、エポキシ樹脂系の熱硬化性フィルム接着剤等の接着層１１４を挟んで、上述した硬化条件で接着剤を硬化させることにより、第１配線予備成形基体１１２ａと第２配線予備成形基体１１２ｂとを接合してプリント配線基板を製造することができる。

上記構成によれば、第１配線部と第２配線部とは、第１半導体素子の素子回路面と反対側の素子基板面と、第２半導体素子の素子回路面と反対側の素子基板面とを対向させて配置されることにより、支持部材に対して略対称に配置されるため、多層化されたプリント配線基板の反りが抑えられる。

上記構成によれば、第１配線部と第２配線部とは、第１半導体素子の素子回路面と反対側の素子基板面と、第２半導体素子の素子回路面と反対側の素子基板面とを対向させて配置されることによりスタック段数が抑えられるので、ビアの直上にビアが配置される構造（いわゆるビアオンビア構造）よりも貫通電極であるビアの接続性が向上する。それにより、プリント配線基板の電気的な接続信頼性が向上する。

上記構成によれば、接続部材の導電層が、第１配線部材の一端に置かれる第１貫通電極と、第２配線部材の一端に置かれる第２貫通電極とに接続されることにより、第１配線部と第２配線部とが電気的に接続されるので、ビルドアップ多層配線板で使用されるめっきビアが不要になり、めっき工程中の煩雑なウエットプロセスを省略できるので生産性が向上する。

上記構成によれば、接続部材は、その一端と他端との間の部位を、第１絶縁樹脂基材及び第２絶縁樹脂基材から突出させて、例えば、環状に折り曲げられることにより、第１絶縁樹脂基材及び第２絶縁樹脂基材との間に中空状の隙間を空けて設けられる。そのため、接続部材の一端と他端との間の部位は、第１絶縁樹脂基材及び第２絶縁樹脂基材に埋め込まれていないので、プリント配線基板の積層方向の熱膨張等の膨張に対して変形して追従し、プリント配線基板の厚さ方向に生じる熱応力を緩和して、電気的接続の信頼性を向上させることができる。

上記構成によれば、配線基材に予め導体回路が形成された片面銅張板を用い、層間の電気接続に導電性ペーストを印刷充填して形成したビアである導電性ペーストビアを用いていることにより、従来のビルドアップ方式に比べてめっき工程をより削減できるので、プリント配線基板の生産時間をより短縮して生産性を向上させることができる。

上記構成によれば、配線基材と半導体部材と配線ベース基材と接続部材とは別工程で作製されることにより、各工程で不良品が生じた場合でもその都度排除できるので、プリント配線基板の生産性を向上させることができる。

上記構成によれば、貫通電極の形成に用いられる導電性ペーストに、第１接着層及び第２接着層に使用される層間接着剤の硬化温度程度の低温で合金化する組成を適用することにより、導電性ペースト内の金属粒子同士、また、導体回路を形成する銅の接続パッドと導電性ペースト内の金属粒子が拡散接合し、バルクの金属やめっきによる層間接続と同等の接続信頼性を確保することができる。

本発明の実施の形態において、プリント配線基板の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、プリント配線基板の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態において、一方の面に銅層が設けられた絶縁樹脂板の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、絶縁樹脂板に形成された導体回路の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、第１接着層を設けた状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、マスキング層を設けた状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、接続穴を形成した状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、接続穴に導電性ペーストを充填した状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、マスキング層を除去した状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、成形された配線基材を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、半導体部材の成形方法を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、配線ベース基材の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、接続部材の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、配線基材積層体の積層構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、配線予備成形体の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、接続部材を曲げて接合前のセットアップした状態を示す断面図である。 本発明の実施の形態において、支持部材を設けないで製造したプリント配線基板を示す断面図である。

符号の説明

１０ プリント配線基板
１２ａ 第１配線部材
１２ｂ 第２配線部材
１４ａ、８０ａ 第１半導体部材
１４ｂ、８０ｂ 第２半導体部材
１６ａ 第１絶縁樹脂基材
１６ｂ 第２絶縁樹脂基材
１８ａ 第１配線部
１８ｂ 第２配線部
２０ａ 第１絶縁樹脂板
２０ｂ 第２絶縁樹脂板
２２ａ 第１導体回路
２２ｂ 第２導体回路
２３ａ、２４ａ 第１貫通電極
２３ｂ、２４ｂ 第２貫通電極
２６ａ、２６ｂ 他の配線部材
３０ａ 第１半導体素子
３０ｂ 第２半導体素子
３２ａ 第１再配線層
３２ｂ 第２再配線層
３４ａ 第１絶縁体
３４ｂ 第２絶縁体
３６ａ 第１スペーサ
３６ｂ 第２スペーサ
３９ 支持部材
４０ 接続部材
４２ 絶縁樹脂シート
４４ 導電層
４６ 中空状の隙間
５０ 銅層
５２ 絶縁樹脂板
５４ 導体回路
５６ 第１接着層
５８ マスキング層
６０ 接続穴
６２ 導電性ペースト
６４ 導電性ペースト電極
７０ 配線基材
７０ａ 第１配線基材
７０ｂ 第２配線基材
７２ ウエハ状半導体素子板
７４ 第１絶縁層
７６ 再配線層
７８ 第２絶縁層
８０ 半導体部材
８２ 素子回路電極
８４ パッシベーション層
８６ 第１開口
８８ 第２開口
９０ 配線ベース基材
９０ａ 第１配線ベース基材
９０ｂ 第２配線ベース基材
９２ 絶縁樹脂ベース板
９４ 第２接着層
１００ 配線基材積層体
１０２ａ、１０２ｂ スペーサ部材
１０４ａ、１０４ｂ 他の配線基材
１１０ 配線予備成形体
１１２ａ 第１配線予備成形基体
１１２ｂ 第２配線予備成形基体
１１４ 接着層

Claims (7)

1. 複数の半導体素子が埋め込まれたプリント配線基板であって、
   第１絶縁樹脂板と、前記第１絶縁樹脂板の一方の面に設けられる第１導体回路と、前記第１絶縁樹脂板の他方の面から突出して形成され、前記第１絶縁樹脂板を貫通し、前記第１導体回路と接触させた複数の第１貫通電極と、を有する第１配線部材と、
   第１半導体素子と、前記第１半導体素子の素子回路面に設けられ、素子回路電極と前記第１貫通電極とを接続する第１再配線層と、を有する第１半導体部材と、
   前記第１半導体部材が埋め込まれ、前記第１配線部材と前記第１半導体部材とを一体化する第１絶縁樹脂基材と、
   を含む第１配線部と、
   第２絶縁樹脂板と、前記第２絶縁樹脂板の一方の面に設けられる第２導体回路と、前記第２絶縁樹脂板の他方の面から突出して形成され、前記第２絶縁樹脂板を貫通し、前記第２導体回路と接触させた複数の第２貫通電極と、を有する第２配線部材と、
   第２半導体素子と、前記第２半導体素子の素子回路面に設けられ、素子回路電極と前記第２貫通電極とを接続する第２再配線層と、を有する第２半導体部材と、
   前記第２半導体部材が埋め込まれ、前記第２配線部材と前記第２半導体部材とを一体化する第２絶縁樹脂基材と、
   を含む第２配線部と、
   を備え、
   絶縁樹脂シートと、前記絶縁樹脂シートの一方の面に設けられ、前記第１貫通電極と前記第２貫通電極とに接続される導電層と、を有し、一端が前記第１絶縁樹脂基材に埋め込まれ、他端が前記第２絶縁樹脂基材に埋め込まれ、前記一端と前記他端との間の部位を前記第１絶縁樹脂基材及び前記第２絶縁樹脂基材から突出させた接続部材を含み、
   前記第１配線部と前記第２配線部とは、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子との前記素子回路面と反対側の素子基板面を各々対向させて略対称に配置され、
   前記第１配線部と前記第２配線部との間に、支持部材が接着剤で加熱圧着されて設けられ、
   前記接続部材は、前記第１配線部と前記第２配線部と前記支持部材との間に中空状の隙間を設けて配置され、前記接続部材の内周面への前記接着剤の流れ込みによる固着を抑えるため、前記中空状の隙間の大きさが前記支持部材の厚みを変えることにより調整されていることを特徴とするプリント配線基板。
2. 請求項１に記載のプリント配線基板であって、
   前記支持部材は、ポリイミド樹脂で成形された樹脂シート、繊維強化樹脂複合材料で成形された複合材料シート、無機材料で成形されたセラミックシート、またはモリブデンやインバー合金を銅で挟持した金属板で形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
3. 請求項１または２に記載のプリント配線基板であって、
   前記第１絶縁樹脂基材に埋め込まれ、前記第１半導体素子と略同じ厚みを有する第１スペーサまたは前記第２絶縁樹脂基材に埋め込まれ、前記第２半導体素子と略同じ厚みを有する第２スペーサを備えることを特徴とするプリント配線基板。
4. 複数の半導体素子が埋め込まれたプリント配線基板の製造方法であって、
   絶縁樹脂板と、前記絶縁樹脂板の一方の面に形成される導体回路と、前記絶縁樹脂板の他方の面に設けられる第１接着層と、前記絶縁樹脂板と前記第１接着層とを貫通し、前記導体回路と導通する複数の導電性ペースト電極と、を含む複数の配線基材を成形する配線基材成形工程と、
   半導体素子と、前記半導体素子の素子回路面に設けられ、素子回路電極と前記導電性ペースト電極とを接続する再配線層と、を含む複数の半導体部材とを成形する半導体部材成形工程と、
   絶縁樹脂ベース板と、前記絶縁樹脂ベース板の一方の面に設けられる第２接着層と、を含む複数の配線ベース基材とを成形する配線ベース基材成形工程と、
   絶縁樹脂シートと、前記絶縁樹脂シートの一方の面に形成される導電層と、を有する接続部材を成形する接続部材成形工程と、
   を備え、
   前記複数の配線ベース基材の第１配線ベース基材と第２配線ベース基材とは、前記接続部材の長さより短い間隔を設けて、前記第２接着層を同じ向きにして配置され、
   前記接続部材は、一端を前記第１配線ベース基材の第２接着層に、他端を前記第２配線ベース基材の第２接着層に、前記絶縁樹脂シートを向けて積層され、
   前記複数の半導体部材の第１半導体部材と第２半導体部材とは、前記第１配線ベース基材と前記第２配線ベース基材との第２接着層に、前記素子回路面と反対側の素子基板面を向けて各々積層され、
   前記複数の配線基材の第１配線基材と第２配線基材とは、各々一端の導電性ペースト電極を前記接続部材の導電層と接触させ、各々所定の導電性ペースト電極を前記再配線層と接触させて、前記第１半導体部材と前記第２半導体部材と前記接続部材とに積層されて配線基材積層体を形成する配線基材積層体形成工程と、
   前記配線基材積層体に含まれる第１接着層と第２接着層とを硬化させて、前記第１配線基材と前記第１半導体部材と前記第１配線ベース基材を一体化させた第１配線予備基体と、前記第２配線基材と前記第２半導体部材と前記第２配線ベース基材を一体化させた第２配線予備基体と、前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体とに接続された接続部材と、を含む配線予備成形体を予備成形する配線予備成形体成形工程と、
   前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体とに埋め込まれた各々半導体素子の素子基板面を対向させるように前記接続部材を曲げて前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体とを略対称に配置し、前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体との各々絶縁樹脂ベース板を接合する接合工程と、
   を有し、
   前記接合工程は、前記第１配線予備基体と前記第２配線予備基体との間に支持部材が挟持されて接着剤で加熱圧着され、
   前記接続部材は、前記第１配線部と前記第２配線部と前記支持部材との間に中空状の隙間を設けて配置され、前記接続部材の内周面への前記接着剤の流れ込みによる固着を抑えるため、前記中空状の隙間の大きさが前記支持部材の厚みを変えることにより調整されることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
5. 請求項４に記載のプリント配線基板の製造方法であって、
   前記支持部材は、ポリイミド樹脂で成形された樹脂シート、繊維強化樹脂複合材料で成形された複合材料シート、無機材料で成形されたセラミックシート、またはモリブデンやインバー合金を銅で挟持した金属板で形成されていることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
6. 請求項４または５に記載のプリント配線基板の製造方法であって、
   前記配線基材成形工程は、
   一方の面に銅層が設けられた絶縁樹脂板の前記銅層をエッチングして前記導体回路を形成し、前記絶縁樹脂板の他方の面に、前記第１接着層を形成し、前記第１接着層にマスキング層を形成し、前記絶縁樹脂板と前記第１接着層と前記マスキング層とに貫通して、前記導体回路と接続させる接続穴を形成し、前記接続穴に導電性ペーストを充填した後、前記マスキング層を除去して導電性ペースト電極を形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
7. 請求項４から６のいずれか１つに記載のプリント配線基板の製造方法であって、
   前記半導体部材成形工程は、
   前記半導体素子の素子回路電極位置に第１開口を設けて第１絶縁層を形成し、前記第１開口に導電性材料で前記再配線層を形成し、前記再配線層の所定位置に第２開口を設けて第２絶縁層を形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

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