JP5110164B2 - 部品内蔵モジュール及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は部品内蔵モジュール及びその製造方法に関し、詳しくは、樹脂基板内に回路部品を内蔵する部品内蔵モジュール及びその製造方法に関する。

従来、樹脂基板内に回路部品を内蔵する部品内蔵モジュールが種々提案されている。

例えば図６の断面図に示すように、回路部品２０４を、導電性接着剤２０５を介して銅箔２０３に実装し、その上に、貫通孔２０１に導電性樹脂２０２が充填された、熱硬化性樹脂を含む板状部材２００と、銅箔２０６とを重ねて加熱し、板状部材２００を軟化させて電気絶縁性基板２０７内に回路部品２０４を内蔵した後、配線パターン２０９，２１０を形成する（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−２２０２６２号公報

しかしながら、半田等の導電材料を用いて実装された回路部品を樹脂に埋設するため樹脂を加熱すると、半田等の導電材料が再溶融し、ショートが発生するおそれがある。そのため、回路部品の端子電極間のピッチが狭い場合や、樹脂内に埋設する回路部品の隙間が小さい場合には、部品内蔵モジュールを製造することが困難になる。

本発明は、かかる実情に鑑み、導電材料の溶融等によるショートが発生することがない、部品内蔵モジュール及びその製造方法を提供しようとするものである。

本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した部品内蔵モジュールを提供する。

部品内蔵モジュールは、（ａ）複数の樹脂層が接合された基板本体と、（ｂ）端子電極と前記端子電極を覆う誘電体層とを有し、前記基板本体の内部に配置された回路部品と、（ｃ）少なくとも１層の前記樹脂層の主面に接して配置された配線パターンとを備える。前記回路部品の前記端子電極と前記配線パターンとが、前記誘電体層を介して容量結合している。

上記構成によれば、半田等の導電材料を用いて回路部品を配線パターンに実装する必要がないので、樹脂層を接合する際の加熱によって導電材料が溶融する等によりショートが発生することがない。

好ましくは、前記樹脂層の主面に接して配置された配線パターンをさらに備える。前記樹脂層の前記主面に垂直な方向から透視すると、前記配線パターンは前記回路部品を含む。

この場合、回路部品の上側および／または下側に配線パターンが設けられており、配線パターンは、これを平面視したとき、その投影面が回路部品の投影面を含むように形成されている。

樹脂シートを積層してなる樹脂基板が特に可撓性を有している場合、樹脂基板に衝撃が加わって樹脂基板が変形すると、埋設された回路部品がダメージを受ける可能性がある。そこで、回路部品を包み込むように配線パターンを設けることで、回路部品が受けるダメージを最小限に抑えることができる。また、樹脂基板が変形すると、回路部品の端子電極と配線パターンとの間に形成された容量値が変動する可能性があるが、その変動を最小限に抑えることもできる。

好ましくは、対向する一対の前記配線パターンと、該一対の前記配線パターン間を接続するビアホール導体とを備える。前記回路部品は、該一対の前記配線パターン間に配置されている。

この場合、回路部品の上側および下側に配線パターンが設けられており、配線パターン同士は互いにビアホール導体で接続されている。ビアホール導体は、回路部品の上下の配線パターン間の支柱として機能するため、回路部品が受けるダメージをより効果的に抑制できるとともに、容量値の安定化を図ることができる。

また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。

部品内蔵モジュールの製造方法は、複数の樹脂層が接合された基板本体の内部に回路部品が配置された部品内蔵モジュールの製造方法である。部品内蔵モジュールの製造方法は、（ｉ）前記樹脂層の間に、端子電極と前記端子電極を覆う誘電体層とを有する回路部品を配置した状態で、前記樹脂層を積層する第１の工程と、（ii）積層された前記樹脂層を加熱・圧着する第２の工程とを備える。前記第１の工程において、前記樹脂層の間に配線パターンを配置し、該配線パターンに前記回路部品の前記誘電体層が接する状態で、前記樹脂層を積層する。

上記方法によれば、配線パターンと回路部品の端子電極とを容量結合させることができる。容量結合させると、半田等の導電材料を用いて回路部品を配線パターンに実装する必要がないので、樹脂層の加熱によって導電材料が溶融する等によりショートが発生することがない。

好ましくは、前記第１の工程において、固定材を用いて、前記樹脂層の一方主面に前記回路部品を固定した後、前記回路部品が固定された前記樹脂層の前記一方主面に少なくとも１層の他の前記樹脂層を積層する。前記固定材は、前記第２の工程において積層された前記樹脂層を加熱・圧着する前に、消失する。

この場合、固定材により、回路部品が固定された樹脂層の一方主面に他の樹脂層を積層したときに、回路部品が動かないように固定することができる。樹脂層を積層した後、固定材が消失してから、積層された樹脂層を加熱・圧着するため、固定材は、部品内蔵モジュールの内部に残らない。そのため、固定材は、樹脂層の間に閉じ込められてクラック発生の原因になる等の悪影響を及ぼすことがない。

好ましくは、前記固定材が有機溶剤である。

有機溶剤は気化しやすく、消失しやすいため、作業が容易になる。

本発明によれば、導電材料の溶融等によるショートが発生することがない。そのため、部品内蔵モジュールに内蔵する回路部品の端子の狭ピッチ化に容易に対応することができる。

部品内蔵モジュールの断面図である。（実施例１） 部品内蔵モジュールの断面図である。（実施例２） 部品内蔵モジュールの断面図である。（実施例３） 部品内蔵モジュールの接合前の断面図である。（実施例４） 部品内蔵モジュールの断面図である。（実施例４） 部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。（従来例）

以下、本発明の実施の形態について、図１〜図５を参照しながら説明する。

＜実施例１＞ 実施例１の部品内蔵モジュール３０について、図１を参照しながら説明する。図１（ａ）は、接合前の部品内蔵モジュール３０の断面図である。図１（ｂ）は、接合後の部品内蔵モジュール３０の断面図である。

図１に示すように、部品内蔵モジュール３０は、熱可塑性樹脂の樹脂層１１，１３，１５，１７，１９が接合された基板本体３２の内部や表面に、配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａや貫通導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂ，１７ａ，１７ｂ，１９ａ，１９ｂが形成され、基板本体３２の内部には、ＩＣチップやコンデンサ等の回路部品２が内蔵されている。回路部品２の端子電極６ａ，６ｂは、樹脂層１３を介して、配線パターン１４ａ，１４ｂと容量結合している。

回路部品２の端子電極６ａ，６ｂと配線パターン１４ａ，１４ｂとが容量結合していると、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂは、導電材料を介して配線パターンに接続しなくても、回路部品２と配線パターンとを電気的に接続することができる。よって、導電材料の溶融等によるショート等の危険性はない。また、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂが狭くなっても、容易に対応することができる。また、複数の回路部品を、隙間を小さくして内蔵することもできる。

回路部品２の端子電極６ａ，６ｂと配線パターン１４ａ，１４ｂとの間に形成された容量は、部品内蔵モジュール３０の内部に回路部品２と同様に設けられた他の回路素子（図示せず）とともに、部品内蔵モジュール３０を構成する回路の一素子として利用することができる。たとえば、インピーダンスマッチング用のキャパシタンス素子として利用することもできる。内蔵されたインダクタンス素子とあわせて、ＬＣ共振回路のキャパシタンス素子として利用することもできる。また、サージ電圧が加わった時、直流電圧が回路部品に加わらないようにするための直流成分カット用素子としても利用される。

埋設された回路部品２の上側の配線パターン１０ａおよび下側の配線パターン１６ｂは、これらを平面視したとき、その投影面が回路部品２の投影面を含むように形成されている。すなわち、配線パターン１０ａが配置されている樹脂層１１の主面に垂直な方向から透視すると、配線パターン１０ａは回路部品２を含む。また、配線パターン１６ｂが配置されている樹脂層１７の主面に垂直な方向から透視すると、配線パターン１６ｂは回路部品２を含む。

さらに、回路部品２の上側に設けられた配線パターン１０ａと、回路部品２の下側に設けられた配線パターン１６ｂは、ビアホール導体１１ｂ，１３ｂ，１５ｂにより接続されている。これらのビアホール導体１１ｂ，１３ｂ，１５ｂは、配線パターン１０ａおよび配線パターン１６ｂの支柱として機能するため、回路部品２が受けるダメージをより効果的に抑制できるとともに、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂと配線パターン１４ａ，１４ｂとの間の容量値の安定化を図ることができる。

なお、このことから、回路部品の上下に設けられた配線パターン同士は、複数個所に設けられたビアホール導体を介して接続されていること（すなわち、回路部品の上下に配線パターンがあり、回路部品の周囲に複数のビアホール導体がある構造）が好ましい。

次に、部品内蔵モジュール３０の製造方法について説明する。

（１）まず、図１（ａ）の断面図に示すように、所定の配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａを有する樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を作製する。

樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８は、例えば、片面に金属箔を有する樹脂シートを用いて作製する。すなわち、樹脂シートの金属箔上に感光性レジストを塗布し、露光、現像を行い、所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンを介して金属箔のエッチングを行った後、マスクパターンを除去することにより、樹脂シートの樹脂層１１，１３，１５，１７，１９上に、金属箔を用いて所定形状の配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａを形成する。樹脂シート上に、インクジェットやメッキによって、配線パターンを形成してもよい。

また、樹脂シートにレーザー加工やドリル加工により貫通孔を形成した後、印刷等により導電性材料を貫通孔に充填して、貫通導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂ，１７ａ，１７ｂ，１９ａ，１９ｂを形成する。

樹脂シートは、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９となる。樹脂シートには、加工が簡単で、加工後の変形が少ない材料が適しており、可撓性を有することが好ましい。例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド、フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いる。特に、液晶ポリマー（ＬＣＰ）は、吸水性が低く、エッチング後の変形が極めて小さいため、特に好ましい。樹脂シート上の金属箔には、所定形状の配線パターンの形成が容易な材料、例えば、銅を用いる。

（２）次いで、ＩＣチップやコンデンサ等の内蔵すべき回路部品２を、所定の樹脂基板１２の所定位置に搭載し、固定材８０を用いて固定する。

固定材８０は、内蔵する回路部品２側に塗布しても、樹脂基板１２側に塗布しても、それらの両方に塗布してもよい。樹脂基板１２側に塗布する場合、回路部品２を搭載する領域よりも広い一定範囲の領域に、あるいは樹脂基板１２の全面に塗布すると、塗布作業が容易になる。固定材８０は、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂに塗布してもよい。固定材８０は、回路部品２の本体４のみに塗布し、端子電極６ａ，６ｂには塗布しないようにしてもよい。

固定材８０は、樹脂基板１２に対して位置がずれないように回路部品２を固定することができればよく、一般的なエポキシ系やアクリル系の接着材を用いることもできる。

固定材８０には、固定時に粘性が高い液体を用いてもよい。

あるいは、回路部品２を樹脂基板１２に配置するときには粘性が高くないが、配置後に温度を下げると、粘性が高くなり、あるいは固化して、回路部品２を固定できるものでもよい。この場合には、固定材８０を塗布して回路部品２を樹脂基板１２の所定位置に配置した後、温度を下げて回路部品２を樹脂基板１２に固定した状態で、後の積層工程を行う。例えば、凝固点が６０℃前後の固定材８０を用い、常温よりも高い温度（例えば８０℃）で、液状の固定材８０を樹脂基板１２に塗布して回路部品２を搭載した後、常温に戻して固定材８０を固化させて部品２を固定した状態で、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を積層して積層体を形成する。

固定材８０は、部品内蔵モジュール３０の内部に残るとクラック発生等の不具合の原因となる可能性があるので、後工程で樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を積層した後、加熱・圧着する前に消失するものが好ましい。例えば、水よりも粘性が高く、加熱圧着工程での加熱温度（例えば、約３００℃）よりも低い温度（例えば、約２００℃）で消失する、エチレングリコール、グリセリン、オリゴマ等の有機溶剤を、固定材８０に用いることができる。有機溶剤は、気化しやくす、消失しやすいため、作業が容易になる。

（３）次いで、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を所定の順序で積み重ねて積層体を形成し、積層体を積層方向に押圧し、真空引きした状態で、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８の樹脂層１１，１３，１５，１７，１９のガラス転移温度を超えない温度（例えば、３００℃）まで加熱し、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９の熱可塑性樹脂を軟化させ、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９を圧着する。このとき、回路部品２に重ねられる樹脂層１１は、軟化して、回路部品２を包み込むように変形する。

前述したように、固定材８０は、積層体を加熱・圧着する前に気化し、消失していることが好ましい。

また、図１（ａ）に示すように、回路部品２を包み込む樹脂層１１には、回路部品２の形状に相当する開口部１１ｋが形成されていることが好ましい。開口部１１ｋを設けておき、積層時に回路部品２を開口部１１ｋ内に収容することにより、開口部１１ｋを有していない場合に比べて、積層時に回路部品２の体積排除効果による樹脂層１１の変形を抑えることができる。

（４）次いで、加熱・圧着後、必要に応じて、配線パターン１０ａ，１８ａのエッチングやめっき等を行って、部品内蔵モジュール３０が完成する。例えば、部品内蔵モジュール３０の配線パターン１０ａに表面実装型部品を搭載してもよい。

以上の工程により、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９が熱可塑性樹脂である樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を用いて、部品内蔵モジュール３０を製造することができる。

＜実施例２＞ 実施例２の部品内蔵モジュール３０ａについて、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は、接合前の部品内蔵モジュール３０ａの断面図である。図２（ｂ）は、接合後の部品内蔵モジュール３０ａの断面図である。

実施例２の部品内蔵モジュール３０ａは、実施例１の部品内蔵モジュール３０と略同様に構成され、略同様の工程で製造することができる。以下では、実施例１と同様の構成部分には同じ符号を用い、実施例１との相違点を中心に説明する。

図２に示すように、実施例２の部品内蔵モジュール３０ａは、基板本体３２ａ内に内蔵される回路部品２の端子電極６ａ，６ｂが電極パターン１２ｓ，１２ｔに接合されている。この電極パターン１２ｓ，１２ｔは、樹脂層１３を介して、配線パターン１４ａ，１４ｂと容量結合している。

回路部品２の端子電極６ａ，６ｂが接合される電極パターン１２ｓ，１２ｔは、それぞれ、別個独立に形成され、配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａから離れている。すなわち、電極パターン１２ｓ，１２ｔと配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａとの間には、直流電流が流れない。

回路部品２の端子電極６ａ，６ｂに接合された電極パターン１２ｓ，１２ｔと配線パターン１４ａ，１４ｂとを容量結合すると、対向面積が増え、確実に容量結合させることができる。

また、実施例１と同様に、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂは、導電材料を介して配線パターンに接続する必要がないため、導電材料の溶融等によるショート等の危険性はない。また、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂが狭くなっても、容易に対応することができる。また、複数の回路部品を、隙間を小さくして内蔵することもできる。

次に、部品内蔵モジュール３０ａの製造方法について説明する。

（１）実施例１と同様に、まず、図２（ａ）の断面図に示すように、所定の配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａと電極パターン１２ｓ，１２ｔと貫通導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂ，１７ａ，１７ｂ，１９ａ，１９ｂとを有する樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を作製する。樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８は、例えば片面に金属箔を有する熱可塑性樹脂の樹脂シートを用いて形成する。本実施例では金属箔として銅箔を使用し、配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａと電極パターン１２ｓ，１２ｔがＣｕよりなる場合について、記載する。

回路部品２の端子電極６ａ，６ｂを接合する電極パターン１２ｓ，１２ｔは、配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａと同じ方法で形成された後、電極パターン１２ｓ，１２ｔ上にスパッタリングやメッキ等により、例えばＡｕ又はＳｎの薄膜１２ｐ，１２ｑを形成して、電極パターン１２ｓ，１２ｔを被覆される。

（２）次いで、ＩＣチップ等の内蔵すべき回路部品２を、実施例１と同様に固定材８２を用いて、固定する。このとき、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂが電極パターン１２ｓ，１２ｔ上の薄膜１２ｐ，１２ｑに対向し、好ましくは接するように、回路部品２を固定する。

（３）次いで、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を所定の順序で積み重ねて積層体を形成し、積層体を積層方向に分離しない程度に軽く押圧し、真空引きした状態で、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８の樹脂層１１，１３，１５，１７，１９の熱可塑性樹脂のガラス転移温度を超えない温度（例えば、３００℃）まで加熱し、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９の熱可塑性樹脂を軟化させ、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９同士を圧着する。

固定材８２は、積層体を加熱・圧着する前に気化し、消失していることが好ましい。

接触している回路部品２の端子電極６ａ，６ｂの表面の金属（例えば、Ａｕ）と樹脂基板１２の電極パターン１２ｓ，１２ｔ上の薄膜１２ｐ，１２ｑの金属（例えば、Ａｕ又はＳｎ）とは、加熱により、固相拡散接合し、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂと電極パターン１２ｓ，１２ｔとが固着する。固相拡散接合により形成された合金層は、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８の加熱温度では溶融しないので、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８の加熱時にショート等が発生することはない。

（４）次いで、加熱・圧着後に、必要に応じて、配線パターン１０ａ，１８ａのエッチングやめっき等を行って、部品内蔵モジュール３０ａが完成する。

以上の工程により、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９が熱可塑性樹脂である樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を用いて、部品内蔵モジュール３０ａを製造することができる。

なお、本実施例において電極パターン１２ｓ，１２ｔ上に薄膜１２ｐ，１２ｑを形成しなくても良い。すなわち、Ｃｕよりなる電極パターン１２ｓ，１２ｔと回路部品２の端子電極６ａ，６ｂとを直接、固相拡散接合させても良い。

＜実施例３＞ 実施例３の部品内蔵モジュール３０ｂについて、図３を参照しながら説明する。図３（ａ）は、接合前の部品内蔵モジュール３０ｂの断面図である。図３（ｂ）は、接合後の部品内蔵モジュール３０ｂの断面図である。

実施例３の部品内蔵モジュール３０ｂは、実施例１、２の部品内蔵モジュールと略同様に構成され、略同様の工程で製造することができる。以下では、実施例１、２と同様の構成部分には同じ符号を用い、実施例１、２との相違点を中心に説明する。

回路基板４０は、半導体基板４１の最上層配線４２の周囲にパッシベーション膜４４が形成され、最上層配線４２とその周囲のパッシベーション膜４４上に端子電極４６が形成され、端子電極４６は誘電体層４８で覆われている。回路部品４０の端子電極４６は、実施例１、２と異なり、誘電体層４８を介して、電極パターン１２ｓ，１２ｔと容量結合している。電極パターン１２ｓ，１２ｔは樹脂層１３を介して配線パターン１４ａ，１４ｂと容量結合を形成していても良いし、他の電極パターン（例えば１２ａ，２１ｂ）と直流電流が流れるように接続されていても良い。

半導体基板４１の最上層配線４２がパッシベーション膜４４を介してパッシベーション膜４４上に引き出されており、最上層配線４２の面積に比べて端子電極４６の面積を大きくすることができ、しかも、厚み１μｍ〜５０μｍ程度の薄膜の誘電体層４８を介して配線パターン１２ｓ，１２ｔを容量結合しているので、その容量値を大きくすることができる。

次に、部品内蔵モジュール３０ｂの製造方法について説明する。

（１）図３（ａ）の断面図に示すように、まず、所定の配線パターン１０ａ，１２ａ，１２ｂ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１６ａ，１６ｂ，１８ａと電極パターン１２ｓ，１２ｔと貫通導体１１ａ，１１ｂ，１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂ，１７ａ，１７ｂ，１９ａ，１９ｂとを有する樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を用意する。樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８は、例えば片面に金属箔を有する熱可塑性樹脂の樹脂シートを用いて形成する。

（２）次いで、端子電極４６が誘電体層４８で覆われた回路部品４０を、樹脂基板１２の電極パターン１２ｓ，１２ｔに搭載し、固定材８４を用いて固定する。

固定材８４は、回路部品４０を、樹脂基板１２の樹脂層１３に固定しなくてもかまわない。たとえば、回路部品４０の最上層配線４２付近のできるスペース（くぼみ）に接着剤を充填しておき、この接着剤を利用して、回路部品４０を樹脂基板１２の配線パターン１２ｓ，１２ｔにのみ固定してもよい。

（３）次いで、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を所定の順序で積み重ねて積層体を形成し、積層体を積層方向に分離しない程度に軽く押圧し、真空引きした状態で、樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８の樹脂層１１，１３，１５，１７，１９の熱可塑性樹脂のガラス転移温度を超えない温度（例えば、３００℃）まで加熱し、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９の熱可塑性樹脂を軟化させ、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９同士を接合する。

固定材８４は、積層体を加熱・圧着する前に気化し、消失してもよい。

（４）次いで、加熱・圧着後、必要に応じて、配線パターン１０ａ，１８ａのめっき等を行って、部品内蔵モジュール３０ｂが完成する。

以上の工程により、樹脂層１１，１３，１５，１７，１９が熱可塑性樹脂である樹脂基板１０，１２，１４，１６，１８を用いて、部品内蔵モジュール３０ｂを製造することができる。

＜実施例４＞ 実施例４の部品内蔵モジュール７０について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、接合前の部品内蔵モジュール７０の断面図である。図５は、接合後の部品内蔵モジュール７０の断面図である。

実施例４の部品内蔵モジュールは、実施例１〜３とは異なり、樹脂層５１，５３，５５，５７，５９，６１，６３が熱硬化性樹脂である樹脂基板５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２を用いる。

図５の断面図に示すように、部品内蔵モジュール７０は、熱硬化性樹脂の樹脂層５１，５３，５５，５７，５９，６１，６３が接合された基板本体７２の内部や表面に、配線パターン５０ａ，５６ａ，５６ｂ，５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，６０ａ，６０ｂ，６２ａ、電極パターン５６ｓ，５６ｔ、貫通導体５１ａ，５１ｂ，５９ａ，５９ｂ，６１ａ，６１ｂ，６３ａ，６３ｂが形成され、基板本体７２の内部にＩＣチップやコンデンサ等の回路部品２が配置されている。

部品内蔵モジュール７０に内蔵される回路部品２の端子電極６ａ，６ｂは、電極パターン５６ｓ，５６ｔに接合され、この電極パターン５６ｓ，５６ｔが、樹脂層５７を介して、配線パターン５８ａ，５８ｂと容量結合している。

回路部品２の端子電極６ａ，６ｂが接合される電極パターン５６ｓ，５６ｔは、それぞれ、別個独立に形成され、配線パターン５０ａ，５６ａ，５６ｂ，５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，６０ａ，６０ｂ，６２ａから離れている。すなわち、電極パターン５６ｓ，５６ｔと配線パターン５０ａ，５６ａ，５６ｂ，５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，６０ａ，６０ｂ，６２ａとの間には、直流電流が流れない。

このように回路部品２の端子電極６ａ，６ｂに接合された電極パターン５６ｓ，５６ｔと配線パターン５８ａ，５８ｂとが容量結合していると、回路部品２の端子電極は、貫通導体を介して配線パターンに接続する必要がないため、導電材料の溶融等によるショート等の危険性はない。また、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂが狭くなっても、容易に対応することができる。また、複数の回路部品を、隙間を小さくして内蔵することもできる。

次に、部品内蔵モジュール７０の製造方法について説明する。

（１）図４の断面図に示すように、所定の配線パターン５０ａ，５６ａ，５６ｂ，５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，６０ａ，６０ｂ，６２ａと、電極パターン５６ｓ，５６ｔと、貫通導体５１ａ，５１ｂ，５９ａ，５９ｂ，６１ａ，６１ｂ，６３ａ，６３ｂとを有する樹脂基板５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２を作製する。

配線パターン５０ａ，５６ａ，５６ｂ，５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，６０ａ，６０ｂ，６２ａや電極パターン５６ｓ，５６ｔは、例えば片面に銅等の金属箔を有する樹脂シートを準備し、金属箔上に感光性レジストを塗布し、露光、現像を行い、所定のマスクパターンを形成し、マスクパターンを介してエッチングを行った後、マスクパターンを除去することにより形成する。樹脂シート上に、インクジェットやメッキによって、配線パターンを形成してもよい。

貫通導体５１ａ，５１ｂ，５９ａ，５９ｂ，６１ａ，６１ｂ，６３ａ，６３ｂは、樹脂シートにレーザー加工やドリル加工により貫通孔を形成し、印刷等により導電性材料を充填することにより形成する。

貫通孔５３ｓ，５５ｓは、金型を用いた打ち抜き加工やレーザー加工によって形成する。

樹脂シートは、樹脂層５１，５３，５５，５７，５９，６１，６３になる。樹脂シートには、加工が簡単で、加工後の変形が少ない材料が適しており、例えば、エポキシ等の熱硬化性樹脂を用いる。必要に応じて、樹脂シートにフィラーを添加してもよい。

回路部品２を搭載する樹脂基板５６の電極パターン５６ｓ，５６ｔ上には、スパッタリングやメッキにより、Ａｕ又はＳｎの薄膜５６ｐ，５６ｑを形成する。

（２）次いで、ＩＣチップやコンデンサ等の内蔵すべき回路部品２を、樹脂基板５６の電極パターン５６ｓ，５６ｔに配置し、固定材８６を用いて固定する。このとき、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂと樹脂基板５６の電極パターン５６ｓ，５６ｔ上の薄膜５６ｐ、５６ｑとが対向し、好ましくは接するようにする。

固定材８６は、樹脂基板に対して位置がずれないように部品を固定することができればよく、一般的なエポキシ系やアクリル系の接着材を用いることができる。固定材８６は、後述する積層工程の後、加熱・圧着工程の前に消失するものでもよい。

（３）次いで、樹脂基板５２，５４，５６，５８，６０，６２を所定の順序で積み重ねて積層体を形成し、積層体を積層方向に加圧し、真空引きした状態で、樹脂基板５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２の熱硬化性樹脂の硬化温度（例えば、２００℃）まで加熱し、樹脂層５１，５３，５５，５７，５９，６１，６３が互いに圧着した状態で熱硬化性樹脂を硬化させる。

このとき、貫通孔５３ｓ，５５ｓを形成した樹脂基板５２，５４の樹脂層５３，５５は、回路部品２の周りに流れ込み、回路部品２の周囲を取り囲む。

また、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂの表面の金属（例えば、Ａｕ）と樹脂基板１２の電極パターン１２ｓ，１２ｔ上の薄膜１２ｐ，１２ｑの金属（例えば、Ａｕ又はＳｎ）とが接触し、加熱により、界面近傍領域において溶融し、回路部品２の端子電極６ａ，６ｂと電極パターン１２ｓ，１２ｔとが固着する。

（４）次いで、加熱・圧着後、必要に応じて配線パターン５０ａ，６２ａにエッチングやめっき等を行って、部品内蔵モジュール７０が完成する。

以上の工程により、樹脂層５１，５３，５５，５７，５９，６１，６３が熱硬化性樹脂である樹脂基板５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２を用いて、部品内蔵モジュール７０を製造することができる。

＜まとめ＞ 以上のように、回路部品の端子電極と配線パターンとの間を容量結合することにより、回路部品の端子電極は、加熱により再溶融する半田等の導電材料を介して配線パターンに接続する必要がなくなるため、導電材料の溶融等によるショート等の危険性はなく、電極の狭ピッチ化にも容易に対応できる。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。

例えば、基板本体に内蔵される回路部品の端子電極と容量結合する配線パターンが、基板本体に内蔵されずに外部に露出してもよい。

また、複数の樹脂基板を圧着した積層体に、さらに他の樹脂基板や積層体を接合して、部品内蔵モジュールを作製してもよい。

また、回路部品（半導体基板等）を樹脂層に固定するための固定材は、回路部品の端子電極が設けられている側ではなく、端子電極が設けられていない側（半導体基板であれば、最上層配線が設けられている側ではなく、半導体基板の天面側）で固定してもよい。このように、回路部品を上下反転させて樹脂層表面に固定し、さらにこの上に、容量結合するための配線パターンを有する樹脂層を積み重ねていくことにより、回路部品の端子電極と前記配線パターンとを容量結合させることも可能である。

また、回路部品を包み込む樹脂層に、回路部品の形状に相当する開口部が形成されている場合、まず、樹脂層中の開口部（キャビティ部）の底面および／または側面に固定材を設けておき、ここに回路部品を収容した後、順次、他の樹脂層と積層、圧着してもよい。特に、この場合、回路部品の端子電極が設けられていない側（半導体基板であれば、最上層配線が設けられている側ではなく、半導体基板の天面側）で固定することが好ましい。

２ 回路部品
４ 本体
６ａ，６ｂ 端子電極
１０，１２，１４，１６，１８ 樹脂基板
１２ｓ，１２ｔ 電極パターン（電極）
１２ｐ，１２ｑ 薄膜
１４ａ，１４ｂ 配線パターン
１１，１３，１５，１７，１９ 樹脂層
３０，３０ａ，３０ｂ 部品内蔵モジュール
３２，３２ａ，３２ｂ 基板本体
４０ 回路部品
４６ 端子電極
５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２ 樹脂基板
５６ｓ，５６ｔ 電極パターン（電極）
５６ｐ，５６ｑ 薄膜
５８ａ，５８ｂ 配線パターン
５１，５３，５５，５７，５９，６１，６３ 樹脂層
７０ 部品内蔵モジュール
７２ 基板本体
８０，８２，８４，８６ 固定材

Claims (6)

1. 複数の樹脂層が接合された基板本体と、
   端子電極と前記端子電極を覆う誘電体層とを有し、前記基板本体の内部に配置された回路部品と、
   少なくとも１層の前記樹脂層の主面に接して配置された配線パターンと、
   を備え、
   前記回路部品の前記端子電極と前記配線パターンとが、前記誘電体層を介して容量結合していることを特徴とする、部品内蔵モジュール。
2. 前記樹脂層の主面に接して配置された配線パターンをさらに備え、
   前記樹脂層の前記主面に垂直な方向から透視すると、前記配線パターンは前記回路部品を含むことを特徴とする、請求項１に記載の部品内蔵モジュール。
3. 対向する一対の前記配線パターンと、
   該一対の前記配線パターン間を接続するビアホール導体と、
   を備え、
   前記回路部品は、該一対の前記配線パターン間に配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の部品内蔵モジュール。
4. 複数の樹脂層が接合された基板本体の内部に回路部品が配置された部品内蔵モジュールの製造方法であって、
   前記樹脂層の間に、端子電極と前記端子電極を覆う誘電体層とを有する回路部品を配置した状態で、前記樹脂層を積層する第１の工程と、
   積層された前記樹脂層を加熱・圧着する第２の工程と、
   を備え、
   前記第１の工程において、前記樹脂層の間に配線パターンを配置し、該配線パターンに前記回路部品の前記誘電体層が接する状態で、前記樹脂層を積層することを特徴とする、部品内蔵モジュールの製造方法。
5. 前記第１の工程において、固定材を用いて、前記樹脂層の一方主面に前記回路部品を固定した後、前記回路部品が固定された前記樹脂層の前記一方主面に少なくとも１層の他の前記樹脂層を積層し、
   前記固定材は、前記第２の工程において積層された前記樹脂層を加熱・圧着する前に、消失することを特徴とする、請求項４に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
6. 前記固定材が有機溶剤であることを特徴とする、請求項５に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。

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