JP5111454B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。

[0002] リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に、所望のパターンを与える機械である。例えば、リソグラフィ装置は、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することが可能である。その場合、マスクまたはレチクルと代替的に呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つのまたはいくつかのダイからなる部分を含む）上に転写することが可能である。典型的には、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層の上へのイメージングによるものである。一般的には、単一の基板が、次々にパターニングされる隣接し合うターゲット部分の網状組織を含む。従来のリソグラフィ装置としては、各ターゲット部分がターゲット部分上への全パターンの一度の露光により照射されるいわゆるステッパ、ならびに各ターゲット部分が所与の方向（「スキャニング」方向）への放射ビームによるパターンのスキャニングと同時に、この方向に対して平行なまたは逆平行な基板の同期的なスキャニングとによって照射されるいわゆるスキャナが含まれる。また、基板上にパターンをインプリントすることにより、パターンをパターニングデバイスから基板に転写することが可能である。

[0003] リソグラフィ装置は、物体を位置決めするアクチュエータを備えてよい。例えば、このアクチュエータは、基板テーブルまたはサポートなどの物体を位置決めすることができる。応答時間を早めるために、物体に対して高剛性でアクチュエータが取り付けられると有利であり得る。このような剛性取付けにおいて、アクチュエータの加熱による熱膨張により、物体に対して剛性的に取り付けられたアクチュエータのパーツが変形し、それにより物体自体が変形することがある。物体は、高い精度で位置決めされることが必要な場合があるため、この物体の変形は、物体の位置決めを悪化させることがある。また、加熱は、イルミネータビーム、アセンブリ内の他のアクチュエータ、加熱素子、構造内の流体フローなど、他の熱源によって引き起こされる場合もある。

[0004] 温度変化に対してより感度が低いリソグラフィ装置を提供することが望ましい。

[0005] 本発明の一実施形態によれば、放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、基板を保持するよ基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システムと、物体を位置決めするアクチュエータとを備え、アクチュエータまたは別の熱源によって放散される任意の熱による、物体に結合されたアクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされた位置決め誤差を軽減するための熱膨張誤差補償システムを備えるリソグラフィ装置が、提供される。

[0006] 本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ投影装置を用いてパターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法であって、アクチュエータを用いて、装置内で物体を位置決めするステップと、熱膨張誤差補償システムを用いて、アクチュエータまたは別の熱源により放散される熱による、物体に結合されたアクチュエータのパーツの熱膨張による誤差を補償するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。

[0007] 以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の概略図を参照して、単なる例示として本発明の実施形態が説明される。

[0008]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。 [0009]図１のリソグラフィ装置の基板ステージの図である。

[0010] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に図示する。この装置は、放射ビームＢ（例えば紫外線または任意の他の適切な放射）を調整するように構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成される第１の位置決めデバイスＰＭに連結される、パターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴとを備える。また、この装置は、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成される第２の位置決めデバイスＰＷに連結される、基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板サポート」を備える。さらに、この装置は、基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成される投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを備える。

[0011] 照明システムは、放射を配向付けし、成形しまたは制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよい。

[0012] パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および、例えばパターニングデバイスが真空環境内に保持されるか否かなどの他の条件に応じて、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を使用することが可能である。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルであってよく、これらは、必要に応じて固定式または可動式のものであってよい。このパターニングデバイスサポートによって、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置に位置することを確実にすることができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という語はいずれも、より一般的な語である「パターニングデバイス」と同義であると見なしてよい。

[0013] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することが可能な任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフティングフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意すべきである。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に一致する。

[0014] パターニングデバイスは、透過式または反射式のものであってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例が、小さいミラーのマトリックス構成を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームをそれぞれに異なる方向に反射するように個別に傾斜させることが可能である。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを与える。

[0015] 本明細書において使用される「投影システム」という語は、露光放射の使用に適したまたは、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適した、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式光学システム、あるいはそれらの任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という語はいずれも、より一般的な語である「投影システム」と同義であると見なしてよい。

[0016] 本明細書にて示されるように、装置は透過式のもの（例えば透過式マスクの使用）である。代替として、装置は反射式のもの（例えば上記のタイプのプログラマブルミラーアレイの使用、または反射式マスクの使用）であってよい。

[0017] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルまたは「基板サポート」（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスクサポート」）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチステージ」機においては、追加のテーブルまたはサポートを同時に使用することができ、すなわち予備ステップを１つまたは複数のテーブルまたはサポート上で実施する一方で、１つまたは複数の他のテーブルまたはサポートを露光用に使用することができる。

[0018] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間のスペースを満たすように、基板の少なくとも一部分を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆うことができるタイプのものであってよい。また、液浸液を、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）と投影システムとの間などの、リソグラフィ装置内の他のスペースに使用することができる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために使用することが可能である。本明細書において使用される「液浸」という語は、基板などの構造体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、液体が露光の際に投影システムと基板との間に配置されることを意味するにすぎない。

[0019] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。この放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合には、分離されたものであってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに進む。他の場合では、例えば放射源が水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置の一体部分であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤを加えて放射システムと呼ぶことができる。

[0020] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含んでよい。一般的には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は、調節することが可能である。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータは、放射ビームを調整して、その断面における所望の均一性および強度分布を得るために使用することができる。

[0021] 放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによりパターン付けされる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横断すると、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、同システムは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の補助により、例えば放射ビームＢの経路中に個々のターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることが可能となる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されない）を使用して、例えばマスクライブラリからの機械検索の後に、またはスキャンの最中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることが可能である。一般的には、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の補助により実現することができ、これらのモジュールが、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の移動は、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができ、これらのモジュールが、第２のポジショナＰＷの一部を形成する。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結することができ、または固定することができる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示される基板アラインメントマークは専用ターゲット部分に位置を占めるが、これらはターゲット部分間のスペースに配置することができる（それらはスクライブレーンアラインメントマークとして知られる）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に設けられる状況では、パターニングデバイスアラインメントマークはダイ間に配置することができる。

[0022] 図示される装置は、以下のモードの少なくとも１つにおいて使用することが可能である。

[0023] １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が、実質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられた全パターンが、一度でターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」は、別のターゲット部分Ｃを露光することが可能となるようにＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光においてイメージングされるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。

[0024] ２．スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムＰＳの拡大率（縮小率）および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャニング方向の）幅を限定し、スキャニング動作の長さが、ターゲット部分の（スキャニング方向の）高さを決定する。

[0025] ３．別のモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ実質的に静的状態に保たれ、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」が、移動されまたはスキャンされるとともに、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴまたは「基板サポート」の各移動の後で、またはスキャン中の連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することが可能である。

[0026] 上述のモードの使用もしくは全く異なるモードの使用の組合せおよび／または変形を使用することもできる。

[0027] 図２は、本発明の一実施形態による図１のリソグラフィ装置の基板ステージを図示する。基板を支持するように構成された基板テーブルＷＴは、例えばミラーブロックであってよく、干渉計ＩＦが、リソグラフィ装置におけるミラーブロックの位置を測定するために使用されてよい。基板テーブルＷＴは、位置決めシステムＰＷの補助により位置決めされてよい。この位置決めシステムは、ロングレンジにわたる移動用のアクチュエータおよびショートレンジにわたる移動用のアクチュエータを備えてよい。ショートレンジ移動用のアクチュエータは、ロングレンジにわたる移動用のアクチュエータによって移動されるロングストロークステージＬＳに対してＺ方向に基板テーブルＷＴを作動させる、ショートストロークモータＳＺ２およびＳＺ３であってよい。ショートストロークモータＳＸが、ロングストロークステージＬＳに対してＸ方向にミラーブロックを作動させるために使用されてよい。ロングレンジ用のモータおよびショートストロークモータは、例えばボイスコイルモータまたは平面モータなど、ローレンツモータであってよい。ミラーブロックＷＴに連結されるアクチュエータＳＸ、ＳＺ２およびＳＺ３のパーツは、アクチュエータが使用される際に、アクチュエータが加熱することがあるため、熱膨張する場合がある。この熱膨張により、基板テーブルＷＴが変形する場合があり、またメトロロジーシステムに設けられた干渉計ＩＦが基板テーブルＷＴの位置を誤って測定する場合がある。基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータのパーツに対して温度センサＴＳ１、ＴＳ２およびＴＳ３を設置することにより、これらのパーツの温度を測定することが可能となる。基板テーブルＷＴの変形を算出するための熱膨張カルキュレータＴＥＣに温度センサを連結することにより、アクチュエータＳＸ、ＳＺ１およびＳＺ２の加熱により引き起こされた基板テーブルＷＴの変形を算出することが可能となる。１つまたは複数の方向への膨張率を、無線または図示されない有線により、メトロロジーシステムＭＳに送信することが可能である。メトロロジーシステムは、干渉計ＩＦを用いて基板テーブルＷＴの位置を測定する。干渉計システムＩＦの測定値を用いて熱膨張カルキュレータによって算出された変形を考慮することにより、同時にアクチュエータが基板テーブルＷＴに連結されていながら、基板テーブルＷＴの位置を正確に決定することが可能となる。温度センサＴＳ１、ＴＳ２およびＴＳ３、ならびに熱膨張カルキュレータＴＥＣは、基板テーブルに結合されたアクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされる誤差を補償するように構成された、熱膨張誤差補償器の一部である。

[0028] アクチュエータの結合（例えば連結）は、ある程度の膨張が許容されるようになされる。連結剛性を高めることにより、サーボループの帯域幅を増大させることが可能となり、それにより精度が向上する。しかしまた、それにより、熱膨張による力が増大することとなり、これは、機械的変形をもたらし、したがって精度の低下につながる。熱膨張カルキュレータを使用すると、さらに幾分かの変形が許容され、それにより、アクチュエータを物体に対してさらに剛性的に設置させることが可能となり、より優れたサーボ精度での、より高帯域幅のサーボループが可能となる。

[0029] 本発明の一実施形態においては、このアクチュエータは、リソグラフィ装置の平常作動の開始前に予熱される。このために、基板テーブルＷＴは、例えば基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータＳＸ、ＳＺ２およびＳＺ３のパーツの温度を調節するための、または基板テーブル自体の温度を調節するためのヒータＨＴ１、ＨＴ２およびＨＴ３など、温度調節器を備える。装置の作動を開始する前に、基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータのパーツを予め作動温度にしておくことにより、基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータの膨張したパーツを用いてメトロロジーシステムＭＳを予め較正することが可能となる。この場合、作動中にさらなる膨張は生じ得ず、そのため、作動中にメトロロジーシステムＭＳの測定値に影響を及ぼし得る変形は生じなくなる。システムを作動温度で較正し使用することが望ましい。したがって、較正前におよび使用前に、予熱することが望ましい。この実施形態においては、この装置から熱膨張カルキュレータＴＥＣを省くことが有利な場合がある。これは、基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータのパーツの温度が作動レベルにある際に、作動中の変形においてごく小さな残留変化が生じる場合があり、この静的変形オフセットは、メトロロジーシステムＭＳにより較正することが可能であり、そのためメトロロジーシステムには大きな影響を及ぼさないからである。この実施形態の代替形態においては、作動前にアクチュエータＳＸ、ＳＺ２およびＳＺ３を使用して基板テーブルＷＴに対して力を加え、それにより、装置の平常作動を開始する前に、基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータのパーツがアクチュエータによって作動温度に予め加熱されるようにすることにより、装置から追加のヒータを省くことが可能である。また、この場合、この予熱サイクルは、位置測定システムの較正前に実施されてよい。

[0030] 本発明の一実施形態によれば、温度測定システムＴＳ１、ＴＳ２およびＴＳ３は、基板テーブルに連結されたアクチュエータのパーツを一定の温度に保つために、温度調節システム（以降「温度調節器」とも呼ぶ）に連結されてよい。基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータのパーツを一定の温度にすることにより、ほぼいかなる熱膨張も、基板テーブルＷＴに連結されたアクチュエータのパーツに対して影響を及ぼすことはなくなり、基板テーブルＷＴがさらに変形を生じることはなくなる。また、この実施形態においては、装置から熱膨張カルキュレータＴＥＣを省くことが有利な場合がある。この一定の温度は、温度調節器による冷却が不要となるように、平常作動温度よりも若干高くなるように選択されてよい。また、本発明は、サポートの上のパターニングデバイスを位置決めするために使用することが可能である。

[0031] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特定の参照をする場合があるが、本明細書で説明されるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有し得ることを理解すべきである。それらのような代替の用途において、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という語はいずれも、より一般的な語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると見なしてよいことが、当業者には理解されよう。本明細書で参照される基板は、例えばトラック（典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールにおいて、露光の前または後に処理されてよい。応用可能であれば、本明細書において開示されるものは、それらのおよび他の基板処理ツールに応用してよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを製造するために２度以上処理されてよく、したがって本明細書で使用される基板という語は、複数の処理された層を既に含む基板を指してもよい。

[0032] 光リソグラフィにおける本発明の実施形態の使用に対して上述で特定の参照がなされたが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途において使用することができ、場合が許すならば、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス中のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画成する。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に塗布されたレジスト層中に押し付けることができ、同時にレジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えられることによって硬化される。パターニングデバイスがレジストから取り外され、レジストが硬化した後にレジスト中にパターンが残る。

[0033] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの、またはほぼそれらの値の波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む全てのタイプの電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを包含する。

[0034] 「レンズ」という語は、場合が許すならば、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントの中の任意の１つまたは組合せを意味し得る。

[0035] 本発明の特定の実施形態が上述で説明されたが、本発明は説明されたもの以外の形態において実施し得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示された方法を記述する１つまたは複数の連続的な機械読取可能命令を含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとってよい。

[0036] 上述の説明は例示として意図され、限定的なものではない。したがって、以下に述べられる特許請求の範囲から逸脱することなく、説明される発明に変更をなし得ることが、当業者には明らかになろう。

Claims (16)

1. 放射ビームを調整する照明システムと、
   前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
   基板を保持する基板テーブルと、
   前記基板のターゲット部分上に、前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと、
   物体を位置決めするアクチュエータと、
   前記アクチュエータの部分の温度測定に基づいて位置測定誤差を計算することによって前記物体の位置誤差を補償するように構成された熱膨張誤差補償器であって、前記物体の位置誤差は、前記アクチュエータまたは別の熱源によって放散される任意の熱による、前記物体に結合された前記アクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされる、熱膨張誤差補償器と、
   を備える、リソグラフィ装置。
2. 放射ビームを調整する照明システムと、
   前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
   基板を保持する基板テーブルと、
   前記基板のターゲット部分上に、前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと、
   物体を位置決めするアクチュエータと、
   前記アクチュエータまたは別の熱源によって放散される任意の熱による、前記物体に結合された前記アクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされた誤差を補償するように構成された熱膨張誤差補償器と、
   前記物体の位置および形状の少なくとも一方を制御するように構成されたメトロロジーシステムと、を備え、
   前記熱膨張誤差補正器は、前記アクチュエータの前記パーツの熱膨張により引き起こされた前記誤差を補償するように前記メトロロジーシステムに結合される、リソグラフィ装置。
3. 前記熱膨張誤差補償器は、前記アクチュエータの前記パーツの温度を測定するように構成された温度測定システムを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 放射ビームを調整する照明システムと、
   前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
   基板を保持する基板テーブルと、
   前記基板のターゲット部分上に、前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと、
   物体を位置決めするアクチュエータと、
   前記アクチュエータまたは別の熱源によって放散される任意の熱による、前記物体に結合された前記アクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされた誤差を補償するように構成された熱膨張誤差補償器と、を備え、
   前記熱膨張誤差補償器は、前記アクチュエータの前記パーツの温度を測定するように構成された温度測定システムを備え、
   前記温度測定システムは、前記アクチュエータの前記パーツまたは前記物体の加熱により引き起こされる前記物体の膨張による位置測定誤差を算出する熱膨張カルキュレータに結合される、リソグラフィ装置。
5. 前記熱膨張カルキュレータは、前記アクチュエータの前記パーツの膨張により引き起こされる前記物体の膨張により引き起こされた誤差を補償するように前記メトロロジーシステムに結合される、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 放射ビームを調整する照明システムと、
   前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
   基板を保持する基板テーブルと、
   前記基板のターゲット部分上に、前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと、
   物体を位置決めするアクチュエータと、
   前記アクチュエータまたは別の熱源によって放散される任意の熱による、前記物体に結合された前記アクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされた誤差を補償するように構成された熱膨張誤差補償器と、を備え、
   前記熱膨張誤差補償器は、前記アクチュエータの前記パーツの温度を測定するように構成された温度測定システムを備え、
   前記温度測定システムは、前記物体に結合された前記アクチュエータの前記パーツに結合される、リソグラフィ装置。
7. 前記熱膨張誤差補償器は、前記物体に結合された前記アクチュエータの前記パーツの温度を調節する温度調節器を備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記熱膨張誤差補償器は、前記パーツを所望の温度に保つように前記温度調節器と共に作用する温度測定システムを備える、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記温度調節器は、前記パーツを加熱するヒータである、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記物体は、前記基板テーブルまたは前記基板テーブルのパーツである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記物体は、前記サポートまたは前記サポートのパーツである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
12. リソグラフィ投影装置を用いて、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップと、
    アクチュエータを用いて、前記装置内で物体を位置決めするステップと、
    前記物体の位置誤差を補償するために前記アクチュエータの部分の温度測定に基づいて位置測定誤差を計算するステップであって、前記物体の位置誤差は、前記アクチュエータまたは別の熱源によって放散される任意の熱による、前記物体に結合された前記アクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされる、ステップと、
    を含む、デバイス製造方法。
13. リソグラフィ投影装置を用いて、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップと、
    アクチュエータを用いて、前記装置内で物体を位置決めするステップと、
    熱膨張誤差補償器を用いて、前記アクチュエータまたは別の熱源により放散される熱による、前記物体に結合された前記アクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされた誤差を補償するステップと、
    メトロロジーシステムを用いて前記物体の位置を制御するステップと、
    熱膨張カルキュレータを用いて前記物体の変形を算出することによって、および、前記メトロロジーシステムを用いて前記物体の位置を制御する前記ステップの際に、前記変形を補償することによって、前記誤差を補償するステップとを含む、デバイス製造方法。
14. 前記アクチュエータの前記パーツの温度を調節するステップをさらに含む、請求項１２に記載のデバイス製造方法。
15. 前記温度を調節する前記ステップは、加熱によって前記温度を上昇させるステップを含む、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
16. リソグラフィ投影装置を用いて、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップと、
    アクチュエータを用いて、前記装置内で物体を位置決めするステップと、
    熱膨張誤差補償器を用いて、前記アクチュエータまたは別の熱源により放散される熱による、前記物体に結合された前記アクチュエータのパーツの熱膨張によって引き起こされた誤差を補償するステップと、
    前記アクチュエータの前記パーツの温度を調節するステップと、を含み、
    前記温度を調節する前記ステップは、加熱によって前記温度を上昇させるステップを含み、
    前記温度は、前記アクチュエータが作動温度に到達するまで加熱するように、前記アクチュエータにより前記物体に対して力を加えることによって調節され、その後にデバイス製造が開始される、デバイス製造方法。

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