JP5113744B2 - 第１のワークピースと、第２のワークピースと、第１および第２のワークピースに実質的に直接に結合された導電性部材とを含む電子素子 - Google Patents

Description

本開示は、電子素子に関し、特に、第１のワークピースと、第２のワークピースと、第１および第２のワークピースに実質的に直接に結合されている導電性部材とを含む電子素子に関する。

（関連出願の相互参照）
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）のもと、本願明細書において参照によりその全体が援用される、２００５年６月６日出願の米国仮特許出願第６０／６８７，３５０号明細書に基づく優先権の利益を主張する。

有機電子素子を含む電子素子は、日常生活において、より広範に用いられ続けている。有機電子素子の例としては、有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）が挙げられる。従来のＯＬＥＤディスプレイは、典型的には単一の基板から形成されている。パッシブマトリックスまたはアクティブマトリックスのいずれであろうと、ＯＬＥＤの駆動に用いられ得る電子回路は、ＯＬＥＤ自体より先に形成される。良好でない電子回路は、ＯＬＥＤの製造において事実上無価値となり得る。例えば、ＯＬＥＤの形成時での製造欠陥または誤差は、機能しないまたは機能に劣るＯＬＥＤに電気的に接続された動作可能な駆動回路をもたらす可能性がある。他の例において、ＯＬＥＤの製造は、処理条件により機能しないまたは機能に劣る駆動回路を与え得る。このような機能しないまたは機能に劣る駆動回路は、温度サイクル、プラズマ損傷等からもたらされ得る。さらに、ＯＬＥＤについての追加の処理は、基板が脱落され、破損され、誤配置され、または誤ったロットの基板と組み合わされることとなる可能性を増大させる。

この問題を解消する試みにおいて、１つの基板が電子回路を含み、他の基板がＯＬＥＤを含む。ＯＬＥＤパネルおよび駆動パネルを一緒に組み立てるために、多くのアプローチが提案されてきた。例えば、異方導電性ペースト（例えば、低密度のコンダクタを含むペースト）または異方導電層（例えば、ｚ−軸コンダクタを有するエラストマー層）といった異方性コンダクタを用いることができる。パターン化された金属バンプが、２つのパネルの間の電気接続を形成するための他のアプローチである。これらの試みのすべてにおいて、電気接続は、ＯＬＥＤピクセルが破損されやすい物理的圧力を介して達成されている。従って、これらのプロセスは、実際には収率を低下させ、製造コストを増加させる可能性がある。このような不利益の影響を低減させるために、ＯＬＥＤピクセルを保護するためにパッシベーション層を導入することができ、またはＯＬＥＤピクセルをＯＬＥＤ基板の逆側に形成することができる。これらの２つのアプローチにおいては、パッシベーション層または基板を介してマイクロバイアスを形成する追加のプロセスが必要とされる。何百万ものピクセルについてマイクロバイアスを形成することは、困難なプロセスである。

米国特許第４，３５６，４２９号明細書 米国特許第４，５３９，５０７号明細書 米国特許第５，２４７，１９０号明細書 米国特許第５，４０８，１０９号明細書 米国特許第５，３１７，１６９号明細書 米国特許第６，１７４，４２５号明細書 「化学および物理のＣＲＣハンドブック（ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）」、第８１版（２０００〜２００１年）

第１の態様において、電子素子は、第１の電子部品を含む第１のワークピースを含むことができる。第１の電子部品は、第１の電極および第１の有機層を含むことができ、支持構造は、第１の電子部品に隣接して配設されることができる。電子素子はまた、第１のコンダクタを含む第２のワークピースを含むことができる。電子素子はさらに、第１の電極および第１のコンダクタに実質的に直接に結合されている第１の導電性部材を含むことができる。

第２の態様において、電子素子は、第１のワークピースを含むことができる。第１のワークピースは、第１の電極および第１の活性有機層と、第１の電子部品に隣接して配設された支持構造とを含む放射線放射部品を含む第１の電子部品を含むことができる。電子素子はまた、第１の電子部品を制御するための第１の制御回路を含む第２のワークピースを含むことができ、ここで、第１の制御回路は、第１のコンダクタに電気的に接続されている。支持構造は第２のワークピースに接触し、または支持構造の上に配設された層が第２のワークピースに接触し、層が、第１の電極と実質的に同一の組成を有する。電子素子はまた、第１の電極および第１のコンダクタに実質的に直接に結合されている第１の導電性部材を含むことができる。

前述の概要および以下の詳細な説明は、単に例証的であると共に説明的であり、添付の特許請求の範囲に規定された本発明を制限しない。

本発明は、添付の図面において、例示により図示され、制限されない。

当業者は、図中の構成要素は、簡素化および明確化のために図示されており、必ずしも縮尺どおりに描かれていないことを理解する。例えば、図中のいくつかの構成要素の寸法は、本発明の実施形態の理解の向上を補助するために他の構成要素と比して強調されている場合がある。

第１の態様において、電子素子は、第１の電子部品を含む第１のワークピースを含むことができる。第１の電子部品は、第１の電極と、第１の有機層と、第１の電子部品に隣接して配設されることができる支持構造とを含むことができる。電子素子はまた、第１のコンダクタを含む第２のワークピースを含むことができる。電子素子はさらに、第１の電極および第１のコンダクタに実質的に直接に結合されている第１の導電性部材を含むことができる。

第１の態様の一実施形態において、第１の電極と第１のコンダクタとの間の概ね中間の点での第１の導電性部材の幅は、第１の電極または第１のコンダクタにより近い点での第１の導電性部材の幅より広い。他の実施形態において、第１の導電性部材は、少なくとも３．５ミクロンの高さを有する。

第１の態様のさらなる実施形態において、電子素子は、少なくとも４，０００個の他の導電性部材をさらに含む。第１のワークピースは、少なくとも４，０００個の他の電子部品をさらに含み、ここで、少なくとも４，０００個の他の電子部品の各々は、第１の電極を含む。第２のワークピースは、第１のコンダクタに実質的に同じである他のコンダクタをさらに含む。第１の導電性部材および少なくとも４，０００個の他の導電性部材の各々は、第１の電極の少なくとも１つに、および第１のコンダクタまたは少なくとも４，０００個の他のコンダクタのいずれかに実質的に直接に結合されている。

第１の態様のさらに他の実施形態において、第１の電子部品は、放射線放射部品、放射線反応性部品、またはこれらの組み合わせを含む。第２のワークピースは、第１の電子部品を制御するための第１の制御回路を含み、ここで、第１の制御回路は、第１のコンダクタに電気的に接続されている。特定の実施形態において、放射線放射部品、放射線反応性部品、またはこれらの組み合わせは放射線を放射し、または第１のワークピース、第２のワークピース、またはこれらの組み合わせを透過した放射線に反応する。

他の第１の態様の特定の実施形態において、電子素子は、第２の導電性部材および第３の導電性部材をさらに含む。第１の電子部品は赤色光発光部品であり、第１の有機層は、赤色光発光有機層を含む。第１のワークピースは、第１の電極および緑色光発光有機層を含む緑色光発光部品、ならびに第１の電極および青色光発光有機層を含む青色光発光部品をさらに含む。支持構造が、赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品の間に配設される。第２のワークピースはまた、緑色光発光部品を制御するための第２の制御回路であって、第２のコンダクタに電気的に接続された第２の制御回路と、青色光発光部品を制御するための第３の制御回路であって、第３のコンダクタに電気的に接続された第３の制御回路とを含む。第２の導電性部材は、緑色光発光部品の第１の電極および第２のコンダクタに実質的に直接に結合されており、第３の導電性部材は、青色光発光部品の第１の電極および第３のコンダクタに実質的に直接に結合されている。

第１の態様のさらに特定の実施形態において、赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品は、共通電極を共有する。放射線は、赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品の共通電極を透過する。

第１の態様の他の実施形態において、第１の部品は、バックライト、静止画像ディスプレイ、パッシブマトリックスディスプレイ、センサアレイまたは光電池の少なくとも一部である。さらなる実施形態において、支持構造は第２のワークピースに接触し、または支持構造の上に配設された層が第２のワークピースに接触し、ここで、層が、第１の電極と実質的に同一の組成を有する。さらに他の実施形態において、電子素子はシーリング材料をさらに含み、ここで、シーリング材料は第１の電子部品を含むアレイの外側の第１および第２のワークピースに取り付けられており、ガスは第１の導電性部材に接触すると共に第１の導電性部材を側方に囲む。特定の実施形態において、電子素子は第２の導電性部材をさらに含み、ここで、第１および第２の導電性部材の各々は、第１の電極および第１のコンダクタに接触する。

第１の態様のさらに他の実施形態において、電子素子は、第１のワークピース、第２のワークピースおよび第１の導電性部材に接触する封入層をさらに含む。他の実施形態において、第１の導電性部材は、少なくとも１つの空隙部を有する金属含有材料を含む。

第２の態様において、電子素子は、第１のワークピースを含むことができる。第１のワークピースは、第１の電極および第１の活性有機層と、第１の電子部品に隣接して配設された支持構造とを含む放射線放射部品を含む第１の電子部品を含むことができる。電子素子はまた、第１の電子部品を制御するための第１の制御回路を含む第２のワークピース含むことができ、ここで、第１の制御回路は、第１のコンダクタに電気的に接続されている。支持構造は第２のワークピースに接触し、または支持構造の上に配設された層が第２のワークピースに接触し、層が、第１の電極と実質的に同一の組成を有する。電子素子はまた、第１の電極および第１のコンダクタに実質的に直接に結合されている第１の導電性部材を含むことができる。

第２の態様の一実施形態において、第１の電極と第１のコンダクタとの間の概ね中間の点での第１の導電性部材の幅は、第１の電極または第１のコンダクタにより近い点での第１の導電性部材の幅より広い。他の実施形態において、第１の導電性部材は、少なくとも１つの空隙部を有する金属含有材料を含む。

第２の態様のさらに他の実施形態において、放射線放射部品は、第１のワークピース、第２のワークピースまたはこれらの組み合わせを介して放射線を放射する。さらに他の実施形態において、第１のコンダクタの表面エネルギーは、導電性部材の表面エネルギーより低い。他の実施形態において、ここで、第１の導電性部材は、２４０℃以下の融点を有する。

多くの態様および実施形態を上述したが、これらは単に例証的であり、制限的ではない。本明細書の読了後、当業者は、他の態様および実施形態が、本発明の範囲を逸脱することなく可能であることを理解する。

本発明の他の機構および利点は、以下の詳細な説明および特許請求の範囲から明確になるであろう。詳細な説明は、先ず、定義および用語の明確化、続いて、例証的な回路設計、第１のワークピース（有機パネル）製造、第２のワークピース（バックパネル）製造、第１および第２のワークピースの位置合わせおよびリフロー、電子素子およびその作動、代替的実施形態、利点、および最後に実施例を提供する。

（１．定義および用語の明確化）
以下に記載の実施形態の詳細に入る前に、いくつかの用語が定義され、または明確化される。

用語「アレイ」、「周辺回路構成要素」および「遠隔回路構成要素」とは、電子素子の異なる部位または部品を意味することを意図する。例えば、アレイは、規則的な配置（通常は列および行によって指定される）におけるピクセル、セル、または他の構造を含み得る。アレイ中のピクセル、セル、または他の構造は、アレイと同一の基板上であるがアレイ自体の外側に配設され得る周辺回路構成要素によって制御され得る。遠隔回路構成要素は、典型的には、周辺回路構成要素から離間して配設され、アレイにシグナルを送信またはからシグナルを受信（典型的には周辺回路構成要素を介して）することができる。遠隔回路構成要素はまた、アレイに関連しない機能を実施し得る。遠隔回路構成要素は、アレイを有する基板上にあっても無くてもよい。

用語「取り付ける」およびその変形とは、２つ以上の部材、２つ以上の構造、または１つまたは複数の部材および１つまたは複数の構造を、接着剤材料を用いて、または用いずに相互に物理的に接続することを意味することを意図する。

値に対して言及するとき、用語「平均」とは、高値および低値の間の中間値を意味することを意図する。例えば、平均値は、平均、相乗平均、または中央値であることができる。

用語「バックライト」とは、パターン化されていない、大面積上に放射線を放射するよう設計された電子素子の一部分を意味することを意図する。一実施形態においては、バックライトは、放射線が、使用者に対向して、主にディスプレイの一部分に向かって指向されるよう配向されており、ここで、バックライトは、電子素子の使用者によって視認されるコンテンツを照射する。

用語「青色光発光部品」とは、およそ４００〜５００ｎｍの範囲の波長で発光極大を有する放射線を放射することが可能である電子部品を意味することを意図する。

用語「青色光発光有機層」とは、およそ４００〜５００ｎｍの範囲の波長で発光極大を有する放射線を放射することが可能である有機層を意味することを意図する。

用語「共通電極」とは、キャリアを輸送するために構成される、または複数の電子部品から構成される部材、構造、またはこれらの組み合わせを意味することを意図する。例えば、共通陽極は、複数の電子部品について陽極として作用する陽極部分を含む。

電子部品、回路、またはそれらの一部に関して、用語「電気的に接続された」またはそのいずれかの変形とは、２つ以上の電子部品、回路、または少なくとも１つの電子部品および少なくとも１つの回路のいずれかの組み合わせが、それらの間に配設されたいずれかの介在電子部品を有さないことを意味することを意図している。寄生抵抗、寄生キャパシタンス、または両方は、この定義の目的については電子部品とはみなされない。一実施形態において、電子部品が、互いに電気的に短絡している、および実質的に同一の電圧で配設されている場合、これらは電気的に接続されている。電気的接続は、光学的シグナルの伝達を許容する１つまたは複数の接続を含むことに注意する。例えば、電子部品は、光ファイバ線を用いて共に電気的に接続されて、光学シグナルをこのような電子部品間で伝達させることができる。

用語「制御回路」とは、１つ以下のピクセルについてのシグナルを制御するピクセルまたはサブピクセルのアレイ中の回路を意味することを意図する。一実施形態において、各ピクセルは１つの制御回路を有し、および他の実施形態において、各サブピクセルは、１つの制御回路を有する。

用語「電気的に連結された」またはそのいずれかの変形とは、２つ以上の電子部品、回路、システム、または：（１）少なくとも１つの電子部品、（２）少なくとも１つの回路、または（３）少なくとも１つのシステムのいずれかの組み合わせの、シグナル（例えば、電流、電圧、または光学シグナル）が相互に転送され得るような方法での電気接続、リンク、またはつながりを意味することを意図する。「電気的に連結された」の非制限的な例は、電気的に接続された電子部品、回路または、スイッチを有する電子部品または回路（例えば、トランジスタ）間の直接的な電気接続を含むことができる。

用語「指向性放射線源」とは、特定の点、区域、または領域に向けられることができる放射線を生成することが可能である器具を意味することを意図する。指向性放射線源は、レーザを含むことができる。

用語「直接に結合」またはそのいずれかの変形とは、２つ以上の部材、２つ以上の構造、または１つまたは複数の部材および１つまたは複数の構造の付着を意味することを意図し、ここで、このような付着は、接着剤材料が無くても残存する。例えば、コンダクタに、接着剤材料（例えば、エポキシ）のみによって取り付けられた導電性部材は、このような導電性部材は接着剤材料が除去されたら付着しないこととなるため、コンダクタに直接に結合されていない。コンダクタ間のはんだ接続は、直接的な結合により形成されていることができる。

用語「電極」とは、電子部品中でキャリアを輸送するために構成される部材、構造、またはこれらの組み合わせを意味することを意図する。例えば、電極は、陽極、陰極、キャパシタ電極、ゲート電極等であり得る。電極は、トランジスタ、キャパシタ、抵抗器、誘導子、ダイオード、電子部品、電源、またはこれらのいずれかの組み合わせの一部を含み得る。

用語「電子部品」とは、電気的または電子放射性（例えば、電子光学的）機能を実施する回路の最低レベルユニットを意味することを意図する。電子部品としては、トランジスタ、ダイオード、抵抗器、キャパシタ、誘導子、半導体レーザ、光学スイッチ等が挙げられ得る。電子部品は、寄生抵抗（例えば、ワイヤの抵抗）または寄生キャパシタンス（例えば、異なる電子部品に電気的に接続された２つのコンダクタ間の容量リンクであって、コンダクタ間のキャパシタは意図されておらず、偶発的であるもの）を含まない。

用語「電子素子」とは、適当に電気的に接続されると共に適切な電位が供給された時に、集合的に機能を発揮する、回路、電子部品、またはこれらの組み合わせの集合を意味することを意図する。電子素子は、システムを含み得、またはシステムの一部であり得る。電子素子の例としては、ディスプレイ、センサアレイ、コンピュータシステム、アビオニクスシステム、自動車、携帯電話、他の消費者または産業電子製品、またはこれらのいずれかの組み合わせが挙げられる。

用語「封止層」とは、このような層で保護された電子素子内の１つまたは複数の電子部品への、電子素子の周囲外気の著しい拡散、または他の方法で移行の回避を補助するために用いられる層であることを意味することを意図している。

金属合金の組成物に対して言及するとき、用語「共融点」とは、このような組成物は、金属合金中の各金属の融点より低い融点を有することを意味することを意図している。一実施形態においては、金属合金は、金属合金中の金属の組み合わせについて達成することができる可能な限り低い溶融温度であり得る、またはあり得ない組成を有することができる。

用語「製造する」とは、成功した場合に機能性電子素子をもたらす、電子素子を形成するプロセスを意味することを意図する。

用語「緑色光発光部品」とは、およそ５００〜６００ｎｍの範囲の波長で発光極大を有する放射線を放射することが可能である電子部品を意味することを意図する。

用語「緑色光発光有機層」とは、およそ５００〜６００ｎｍの範囲の波長で発光極大を有する放射線を放射することが可能である有機層を意味することを意図する。

用語「有機活性層」とは、１つまたは複数の有機層を意味することを意図し、ここで、有機層の少なくとも１つは、単独で、または異種材料と接触しているとき、整流接合を形成することが可能である。

用語「有機層」とは、１つまたは複数の層を意味することを意図し、ここで、層の少なくとも１つは、炭素および水素、酸素、窒素、フッ素等などの少なくとも１種の他の構成要素を含む材料を含む。

用語「主面」とは、電子部品が続いて形成される基板の表面を意味することを意図する。

用語「放射線放射部品」とは、適当にバイアスされている時、目標の波長または波長のスペクトルで放射線を放射する、電子部品を意味することを意図する。放射線は、可視光スペクトル内または可視光スペクトル外（ＵＶまたはＩＲ）であり得る。発光ダイオードが放射線放射部品の例である。

用語「放射線反応性部品」とは、適当にバイアスされている時、目標の波長または波長のスペクトルで放射線に反応することができる、電子部品を意味することを意図する。放射線は、可視光スペクトル内または可視光スペクトル外（ＵＶまたはＩＲ）であり得る。ＩＲセンサおよび光起電力電池が、放射線検出部品の例である。

用語「整流接合」とは、一方のタイプの電荷キャリアが接合を介して一方向に、逆方向に比してより容易に流れる、半導体層中の接合、または半導体層および異種材料の間の界面によって形成される接合を意味することを意図する。ダイオードとして用いられることができるｐｎ接合が、整流接合の例である。

用語「赤色光発光部品」とは、およそ６００〜７００ｎｍの範囲の波長で発光極大を有する放射線を放射することが可能である電子部品を意味することを意図する。

用語「赤色光発光有機層」とは、およそ６００〜７００ｎｍの範囲の波長で発光極大を有する放射線を放射することが可能である有機層を意味することを意図する。

用語「リフロー」およびその変形とは、層、部材、構造、またはこれらの任意の組み合わせに、このような層、部材、構造、またはこれらのいずれかの組み合わせの形状に著しく変化を生じさせるに十分なエネルギーを印加することを意味することを意図する。一実施形態においては、リフローは、材料を導電性部材中で溶融させることを含むことができる。他の実施形態において、リフローは、流れ温度（例えば、ＳｉＯ_２については９６０℃）に到達させるまたは流れ温度を超えさせることを含むことができる。

用語「修復」およびその変形とは、電子素子を（１）分解することなく、および（２）再製造、再組み立て、または再製造および再組み立てが組み合わされることなく、電子素子の少なくとも一部分を修理することを意味することを意図する。一実施形態においては、修復は、電子素子のどの部位が機能していない（例えば、電気的短絡、電気的開口部等）か、または特定の制限からはずれて作動（例えば放射強度が過度に低い）しているかを判定するためにテストを実施した後に実施されることができる。

電子素子に関して、用語「可逆的に分解され」は、このような電子素子またはその一部分は、電子素子またはその一部分中の電子部品に著しく悪影響を及ぼすことなく分解されることができることを意味することを意図している。

電子素子に関して、用語「可逆的に再び組み立てられる」は、このような電子素子またはその一部分は、電子素子またはその一部分中の電子部品に著しく悪影響を及ぼすことなく再び組み立てられることができることを意味することを意図している。

用語「シーリング材料」は、電子素子中環境および電子素子外環境がいずれかの顕著な程度に相互に混合されることの回避を補助するために、電子素子中において用いられる材料であることを意味することを意図している。

用語「静止画像ディスプレイ」は、著しく変化しないイメージを有するディスプレイであることを意味することを意図している。ディスプレイは、このようなディスプレイが、ディスプレイ中の電子部品（例えば、放射線放射部品、トランジスタ等）の劣化、老化または両方による輝度、階調、または両方の変化を経験する可能性があるとしても、なお静止画像ディスプレイとしてみなされることができる。

用語「実質的に同じ」とは、２つ以上の部材、２つ以上の構造、または１つまたは複数の部材および１つまたは複数の構造が、関連技術分野における当業者によって相互に比較されたとき、このような２つ以上の部材、２つ以上の構造、または１つまたは複数の部材および１つまたは複数の構造は、顕著な方策で異ならないことを意味することを意図している。

用語「基板」とは、剛性または可撓性の一方であることができると共に、限定されないが、ガラス、ポリマー、金属またはセラミック材料またはこれらの組み合わせを含むことができる１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含み得る、基材を意味することを意図する。基板についての基準点は、プロセス順序の開始点である。基板は、電子部品、回路、または導電性部材を含んでも含まなくてもよい。

用語「使用者表面」とは、電子素子の通常の作動の際に主に用いられる電子素子の表面を意味することを意図する。ディスプレイの場合には、使用者によって見られる電子素子の表面が使用者表面となる。センサまたは光起電力電池の場合には、使用者表面は、検出されまたは電気エネルギーに転化される放射線を透過させる表面となる。電子素子は２つ以上の使用者表面を有し得ることに注意する。

部材、構造、またはこれらのいずれかの組み合わせに対して言及するとき、用語「空隙部」とは、このような部材、構造、またはこれらのいずれかの組み合わせ中の、いずれの固体材料も存在しない領域を意味することを意図する。

用語「ワークピース」とは、基板および、存在する場合には、プロセス順序のいずれかの特定の点で基板の上に配設された１つまたは複数の層を意味することを意図する。基板は、プロセス順序中に著しく変化しない場合があるが、ワークピースはプロセス順序中に著しく変化することに注意する。例えば、プロセス順序の初めにおいて、基板およびワークピースは同一である。層が基板上に形成された後、基板は変化していないが、この時点では、ワークピースは基板および層を含む。

本願明細書において用いられるところ、用語「を含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「を含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「を含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「を含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「を有する」、「を有している」またはこれらの他のいずれかの変形は、非排他的な包括をカバーすることを意図する。例えば、一連の機構を含むプロセス、方法、物品、または装置は、必ずしもこれらの機構にのみ制限されず、明確に列挙されていない他の機構またはこのようなプロセス、方法、物品、または装置に固有である他の機構を含み得る。さらに、逆であると明確に規定されていない限り、「または」は、排他的な−またはではなく、包括的な−またはについて言及している。例えば、条件ＡまたはＢは、以下のいずれか１つによって満たされる：Ａが真（または存在する）であると共にＢが偽（または存在しない）である、Ａが偽（または存在しない）であると共にＢが真（または存在する）である、ならびにＡおよびＢの両方が真（または存在する）である。

また、「ａ」または「ａｎ」の使用が、本発明の構成要素および部品を記載するために採用されている。これは、単に簡便さのために、および本発明の一般的な意味を与えるためになされている。この記載は、１つまたは少なくとも１つを含むとして読まれるべきであり、単数形はまた、そうでないことを意味することが明らかでなければ、複数形を含む。

構成要素の周期律表中の列に関連する族数は、（非特許文献１）に見られる「新表記」慣行を用いている。

そうでないと定義されていない限りにおいて、本願明細書において用いられたすべての技術的および科学的用語は、本発明の属する技術分野における当業者によって通例理解されるものと同一の意味を有する。本願明細書に記載のものと類似するまたは均等である方法および材料が本発明の実施またはテストにおいて用いられることができるが、好適な方法および材料が以下に記載されている。本願明細書において言及したすべての刊行物、特許出願、特許、および他の文献は、参照によりそれらの全体が援用される。抵触する場合には、定義を含む本明細書が支配的となる。さらに、材料、方法、および例は、例示的のみであり制限的であることを意図しない。

本願明細書に記載されていない範囲については、特定の材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細が従来のものであり、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光起電力、および半導電性部材技術分野における教科書および他の情報源に見出され得る。

（２．例証的な回路設計）
図１は、電子素子についての多くの可能な回路設計の１つの説明図である。図１は、電子素子１００の一部分の回路図を含む。電子素子１００は、第１のピクセル１２０、第２のピクセル１４０、および第３のピクセル１６０を含む。ピクセル１２０、１４０、および１６０の各々は、図１に図示されるとおりピクセル回路を含む。各ピクセル回路は、制御回路および電子部品１２８、１４８、または１６８を含む。

第１のピクセル１２０は、選択トランジスタ１２２、容量型電子部品１２４、駆動トランジスタ１２６、および電子部品１２８を含む。電子部品１２８は、電流によって駆動されるほとんどいずれの電子部品であることもできる。１つの素子において、電子部品１２８は、ＯＬＥＤなどの放射線放射部品である。ピクセル１２０中には、制御回路は、選択トランジスタ１２２、容量型電子部品１２４、および駆動トランジスタ１２６を含む。

選択トランジスタ１２２は、選択ライン（「ＳＬ」）１３４に電気的に接続されたゲート電極、データライン（「ＤＬ」）１３２に電気的に接続された第１のソース／ドレイン（「Ｓ／Ｄ」）領域、および容量型電子部品１２４の第１の電極に電気的に接続された第２のＳ／Ｄ領域、およびパワートランジスタ１２６のゲート電極を含む。ＳＬ１３４は、選択トランジスタ１２２についての制御シグナルを提供し、選択トランジスタ１２２が起動されるときに、ＤＬ１３２は、容量型電子部品１２４と、パワートランジスタ１２６のゲート電極とに伝達されるデータシグナルを提供する。

容量型電子部品１２４は、第１の電極および第２の電極を含む。容量型電子部品１２４の第１の電極は、選択トランジスタ１２２の第２のＳ／Ｄ領域およびパワートランジスタ１２６のゲート電極に電気的に接続されている。容量型電子部品１２４の第２の電極は、１つの回路設計においては、Ｖ_ＳＳ１ライン１３８である電源ラインに電気的に接続されている。代替的回路設計（図示せず）において、任意選択の抗劣化ユニットは、容量型電子部品１２４およびピクセル１２０に電気的に接続された電源ライン（例えば、Ｖ_ＳＳ１ライン１３８、Ｖ_ＤＤライン１３６、または両方）の少なくとも１つに電気的に接続されていてもよい。

パワートランジスタ１２６は、ゲート電極、第１のＳ／Ｄ領域、および第２のＳ／Ｄ領域を含む。パワートランジスタ１２６の第１のＳ／Ｄ領域は、電子部品１２８の電極に電気的に接続されており、パワートランジスタ１２６の第２のＳ／Ｄ領域は、Ｖ_ＳＳ１ライン１３８に電気的に連結されている。１つの回路設計において、パワートランジスタ１２６の第２のＳ／Ｄ領域は、Ｖ_ＳＳ１ライン１３８に電気的に接続されている。他の回路設計において、任意選択の抗劣化ユニットが、パワートランジスタ１２６の第２のＳ／Ｄ領域およびＶ_ＳＳ１ライン１３８に電気的に接続されていてもよい。

電子部品１２８は、一構成において陽極である電極と、その同一の構成において陰極である他の電極とを含む。陽極である電極は、共通Ｖ_ＤＤライン１３６に電気的に接続されている。他の構成において、電子部品１２８は、ＯＬＥＤなどの有機、放射線−放射性電子部品である。一構成において制御回路である残りのピクセル回路は、電子部品１２８を駆動するための種々の電流源を提供するために良好に好適である。従って、電流で駆動される１つまたは複数の電子部品が、電子部品１２８の代わりに、またはと併せて用いられ得る。１つまたは複数の電子部品は、ダイオードを含んでいてもいなくてもよいことに注意する。

他の電子素子において、電子部品１２８およびパワートランジスタ１２６は逆であってもよい。より具体的には、（１）電子部品１２８の陽極である電極は、パワートランジスタ１２６のＳ／Ｄ領域の１つに電気的に接続されており、（２）電子部品１２８の陰極である電極は、Ｖ_ＳＳ１ライン１３８に電気的に接続されており、および（３）パワートランジスタ１２６の他のＳ／Ｄ領域は、Ｖ_ＤＤライン１３６に電気的に接続されている。

第２のピクセル１４０は、第２のピクセル１４０中において、データライン１５２が選択トランジスタ１２２の第１のＳ／Ｄ領域に電気的に接続されており、Ｖ_ＳＳ２ライン１５８がパワートランジスタ１２６の第２のＳ／Ｄ領域に電気的に接続されており、および電子部品１４８が、パワートランジスタ１２６の第１のＳ／Ｄ領域およびＶ_ＤＤライン１３６の間に電気的に接続されていることを除き、第１のピクセル１２０に類似している。第３のピクセル１６０は、第３のピクセル１６０中において、データライン１７２が選択トランジスタ１２２の第１のＳ／Ｄ領域に電気的に接続されており、Ｖ_ＳＳ３ライン１７８がパワートランジスタ１２６の第２のＳ／Ｄ領域に電気的に接続されており、および電子部品１６８がパワートランジスタ１２６の第１のＳ／Ｄ領域およびＶ_ＤＤライン１３６の間に電気的に接続されていることを除き、第１および第２のピクセル１２０および１４０に類似している。

いくつかの回路設計において、電子部品１２８、１４８、および１６８は、互いに実質的に同等であり得る。他の回路設計において、電子部品１２８、１４８、および１６８は、互いに異なる。例えば、電子部品１２８は赤色光発光部品であり、電子部品１４８は緑色光発光部品であり、電子部品１６８は青色光発光部品である。Ｖ_ＳＳ１、Ｖ_ＳＳ２、およびＶ_ＳＳ３ライン１３８、１５８、および１７８は、互いに比して同一のまたは異なる電圧であり得る。他の回路設計（図示せず）において、電子部品１２８、１４８、１６８の１つの電子素子において陰極である電極は、実質的に同一または著しく異なる電圧で作動され得る、異なる電源ラインに電気的に接続されていてもよい（すべてが共通Ｖ_ＤＤライン１３６に電気的に接続されているのではなく）。この明細書の読了後、当業者は、特定の用途について要求または要望を満たす電子素子１００を設計することができるであろう。

選択トランジスタ１２２、パワートランジスタ１２６、またはこれらのいずれかの組み合わせは、電解効果トランジスタを含むことができ、特定の回路設計においては、薄膜トランジスタ（「ＴＦＴ」）であることができる。図１に図示されるピクセルについての回路において、すべてのトランジスタはｎ−チャンネルトランジスタである。ｎ−チャンネルトランジスタのいずれか１つまたは複数は、いずれか１つまたは複数のｐ−チャンネルトランジスタによって置き換えられることができる。他の回路設計において、他のトランジスタ（１つまたは複数の接合電解効果トランジスタ（「ＪＦＥＴ」）、１つまたは複数のバイポーラトランジスタ、またはこれらのいずれかの組み合わせを含む）が、選択トランジスタ１２２中に用いられ得る。

（３．第１のワークピース製造）
図２〜６は、図１に図示される電子部品１２８、１４８、および１６８の形成中の電子素子の一部分の断面図の説明図を含む。これらの図（図２〜６）は、電子部品１２８、１４８、および１６８の１つのレイアウトの一例ならびに、電子部品１２８、１４８、および１６８および回路中のそれらの相互接続の製造順序を単に例示する。この説明図において、電子部品１２８、１４８、および１６８は、有機電子素子の一タイプの有機層を含む。この明細書を読了後、当業者は、電子部品は、異なるように配置され、および図１に図示される回路を達成するために代替的な順序を介して製造されることができることを理解するであろう。

図２は、１つの実施形態においてＡＭＯＬＥＤディスプレイ用のピクセルアレイについての共通電極である、共通電極２２を形成した後の基板２０の一部分の断面図を含む。特定の実施形態において、共通電極は共通陽極である。基板２０は、有機電子素子技術分野において用いられる従来の基板であり得る。基板２０は、可撓性または剛性、有機または無機であることができる。一般に、ガラスまたは可撓性有機フィルムが支持体として用いられる。基板２０は、セラミック、ガラス、金属または有機材料、またはこれらの組み合わせを含み得、およそ１２〜２５００ミクロンの範囲の厚さを有することができる。

一実施形態においては、共通電極２２は透明であり、共通電極２２に到達する放射線の少なくとも７０％を、共通電極２２を通して透過させる。共通電極２２は、アレイの実質的にすべて、およびアレイの外の基板２０のわずかな区域を覆っていても、または覆っていなくてもよい。例証的な材料としては、酸化インジウム−スズ（「ＩＴＯ」）、酸化亜鉛スズ（「ＺＴＯ」）、元素金属、金属合金、またはこれらのいずれかの組み合わせが挙げられる。ＩＴＯおよびＺＴＯは、共通電極２２として用いられる場合よりも厚いことができるが、それでもなお、放射線の十分な透過を許容する。例えば、ＩＴＯまたはＺＴＯが共通電極２２として用いられる場合、共通電極２２は、およそ２０〜２００ｎｍの範囲の厚さを有し得る。特定の実施形態においてＩＴＯが共通電極２２用に用いられる場合、ＩＴＯ層の厚さは、およそ５０〜１５０ｎｍの範囲であることができる。共通電極２２は、ステンシルマスクを用いる選択堆積またはブランケット堆積および従来のリソグラフィー技術などの従来の技術を用いて形成されて、アレイの外側に配設された共通電極層の一部分が除去される。

１つまたは複数の導電性部材３２が、図３に図示されるとおり、基板２０および共通電極２２上に形成される。導電性部材３２は、電力伝達ラインとして作用することができ、アレイを横切って少なくとも部分的に延在し、一実施形態においては、アレイの寸法（行または列）の実質的にすべてにわたって延在する。図３を参照すると、導電性部材３２は、アレイの列の実質的にすべてにわたって延在し得る。特定の一実施形態において、導電性部材３２は、無機、金属含有電力伝達ラインである。一実施形態においては、導電性部材３２は、列（図３に図示されるとおり）または行の形態であり得る。他の実施形態において、単一の導電性部材３２は、放射線放射性または放射線反応性部品が形成されることとなる位置に開口部を有する格子の形態であることができる。

導電性部材３２は放射線を透過させる必要はないため、これらは、共通電極２２より実質的に厚く、より導電性であることができる。導電性部材３２は、およそ５００ｎｍ〜５００ミクロンの範囲で厚さを有し得る。一実施形態においては、導電性部材３２は、２０００ｎｍより厚くてもよく、これらの厚さは、放射線に関連しない他の問題（例えば、フィルム応力、続く層の導電性部材３２上のステップ被覆率等）によって制限され得る。

導電性部材３２は、金属、混合金属、合金、金属酸化物、金属窒化物、混合金属酸化物、混合金属窒化物、またはこれらの組み合わせを含む１つまたは複数の高導電性材料を含むことができる。導電性部材３２に用いられる例証的な金属構成要素は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔａ、このような金属のいずれかの合金またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。代替的な実施形態において、導電性ポリマーなどの他の導電性材料を、高導電性材料に追加してまたはその代わりに用いることができる。導電性部材３２の長さおよび幅は、電子素子のレイアウトによって判定され得る。抵抗率（すなわち、材料の選択）および厚さは、レイアウトに著しく影響することなく異なることができる。高い抵抗率の材料が用いられる場合、導電性部材３２は、ライン抵抗を許容可能な限度内に維持するために、より厚くてもよい。導電性部材３２は、ステンシルマスクを用いる選択堆積またはブランケット堆積および従来のリソグラフィー技術などの従来の技術を用いて形成されて、導電性部材３２を形成するために導電層の一部分が除去される。

図３には図示されていないが、コントラストを向上させるために、特にバックグラウンド蛍光を低減させるために、任意選択の黒色層が導電性部材３２または共通電極２２の下に配設され得る。ほとんど無限の数の材料を、黒色層について用いることができる。任意選択の黒色層が導電性部材３２および共通電極２２の間に配設されている場合には、任意選択の黒色層は、導電性〜抵抗性〜絶縁性で異なる電気的特長を有することができる。任意選択の黒色層が導電性部材３２および共通電極２２の間に配設されている場合には、任意選択の黒色層を介する少なくともいくつかの開口部が導電性部材３２および共通電極２２の相互接続を許容するか、または導電性部材３２および共通電極２２の間に他の電気接続が形成される（例えば、導電性部材３２の側面に隣接して形成され、導電性部材３２および共通電極２２に接触する導電性サイドウォールスペーサ）場合には、任意選択の黒色層は絶縁性であることができる。任意選択の黒色層は、ステンシルマスクを用いる選択堆積またはブランケット堆積および従来のリソグラフィー技術などの従来の技術を用いて形成されて、導電性部材３２によって覆われていない、または覆われないであろう部分を除去することができる。

１つまたは複数の支持構造４２が、図４に図示されるとおり形成され得る。支持構造４２の例は、井戸構造、陰極セパレータ等を含むことができる。支持構造４２は、行または列に、または上面図から格子として見えるよう配向され得る。支持構造４２は、放射線放射部品がどこに形成されることとなるかを定義する。一実施形態においては、支持構造４２は、有機層が形成されることとなる部分の区域を定義する。支持構造４２中の各開口部は、放射線放射部品に関連し得る。支持構造４２は、有機層の異なる材料の相互の離間の維持を補助し得る。他の実施形態において、井戸構造は、青色光発光部品についての区域への赤色および緑色光発光材料の進入の回避を補助することができる。井戸構造はまた、続いて形成される電極の、相互の電気的な接続からの電気的な絶縁を補助し得る。

支持構造４２は、その後の処理に対して比較的不活性であり、放射線に対して不透明ではなく、電気的において絶縁性である材料の１つまたは複数の層を含む。いくつかの非限定的な例証的な材料としては、放射線画像形成性材料（例えば、ポジ型（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ａｃｔｉｎｇ）（ノボラック）およびネガ型（ｎｅｇａｔｉｖｅ ａｃｔｉｎｇ）、ポリイミド等を含むフォトレジスト）、窒化シリコン、シリコンオキシド（二酸化ケイ素、シロキサン、塗布ガラス等を含む）、非ドープまたは低ドープシリコン、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、およびこれらの組み合わせが挙げられる。

支持構造４２は、材料の層を堆積させ、次いでこれらの層をパターン化しまたは支持構造４２についての層が堆積されるに伴ってパターンを形成することにより形成され得る。この明細書の目的のために、堆積は、マイクロエレクトロニクス技術分野（ＯＬＥＤ、フラットパネル、半導体および他の類似技術分野）において用いられる液体または蒸着技術を含むよう広く解釈されるべきである。支持構造４２が形成された後、支持構造４２の側面は、図４に図示されるとおり、負の傾き（支持構造４２の側面と基板２０の主面とによって定義される角度）、正の傾きを有し得、または実質的に垂直な壁面を形成し得る。

支持構造４２の高さは１〜１０ミクロンの範囲であることができる。より低いまたは高い高さが、他の実施形態において用いられ得る。一実施形態においては、支持構造４２は、続いて形成される電極と、この明細書において後に記載される第２のワークピースに取り付けられた導電性部材との間の接触の可能性を低減するために、「スタンドオフ」の少なくとも一部として用いられ得る。代替的実施形態のセクションで説明される他の実施形態において、支持構造４２は、導電性部材が最初に基板２０上に形成されるときの、第１のワークピースに取り付けられ、続いて形成される導電性部材と、第２のワークピース上のコンダクタとの間の接触の可能性を低減させることができる。

支持構造４２の任意選択の処理が、支持構造４２の表面エネルギーを変化させるために実施され得る。特定の一実施形態において、支持構造４２は、支持構造４２の露光表面を疎水性とするために、フッ素処理を受け得る（例えばフッ素プラズマへの露光）。当業者は、１つまたは複数の他の任意選択の処理が、フッ素処理の代わりにまたはと併せてなされ得ることを理解する。

有機層５０が、図５に図示されるとおり共通電極２２上に形成される。有機層５０は、１つまたは複数の層を含み得る。有機層５０は、１つまたは複数の有機活性層５４、５６、および５８を含み、任意により、緩衝層、電荷注入層、電荷輸送層、電荷ブロック層、またはこれらのいずれかの組み合わせのいずれか１つまたは複数を含有し得る。任意選択の緩衝層、電荷注入層、電荷輸送層、電荷ブロック層、またはこれらのいずれかの組み合わせは、有機活性層５４、５６、および５８と共通電極２２との間、有機活性層５４、５６、および５８と続いて形成される電極層との間、またはこれらの組み合わせに配設され得る。一実施形態においては、正孔輸送層５２が、共通電極２２と有機活性層５４、５６、および５８との間に配設される。

有機層５０の形成は、ＯＬＥＤにおける有機層の形成に用いられるいずれか１つまたは複数の従来の堆積技術を用いて実施される。一実施形態においては、正孔輸送層５２は、ポリアニリン（「ＰＡＮＩ」）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（「ＰＥＤＯＴ」）などの有機ポリマー、またはテトラチアフルバレンテトラシアノキノジメタン（ＴＴＦ−ＴＣＱＮ）などの有機電荷輸送化合物を含むことができる。正孔輸送層は、典型的には、およそ５０〜２５０ｎｍの範囲で厚さを有する。

有機活性層５４、５６、および５８の各々は、１つまたは複数の小分子材料、１つまたは複数の高分子材料、またはこれらの組み合わせを含むことができる。小分子材料は、例えば、米国特許公報（特許文献１）および米国特許公報（特許文献２）に記載のものを含み得る。あるいは、高分子材料は、米国特許公報（特許文献３）、米国特許公報（特許文献４）、および米国特許公報（特許文献５）に記載のものを含み得る。例証的な材料は、半導電性共役ポリマーである。このようなポリマーの例は、「ＰＰＶ」として称されるポリ（フェニレンビニレン）である。発光材料は、添加剤と共にもしくは無しで、他の材料のマトリックス中に分散され得るが、典型的には層を単独で形成する。一実施形態においては、有機活性層５４、５６、および５８の各々は、一般に、およそ４０〜１００ｎｍの範囲で厚さを有する。

有機活性層５４、５６、および５８が受放射線電子素子中に組み込まれる場合、有機活性層５４、５６、および５８の材料は、１つまたは複数の共役ポリマー、１つまたは複数のエレクトロルミネセント材料、またはこれらの組み合わせを含み得る。このような材料としては、例えば、多くの共役ポリマーおよびエレクトロ−およびフォト−ルミネッセント材料が挙げられる。特定の例は、ポリ（２−メトキシ，５−（２−エチル−ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（「ＭＥＨ−ＰＰＶ」）またはＣＮ−ＰＰＶを有するＭＥＨ−ＰＰＶ複合体を含む。有機活性層５４、５６、および５８は、典型的にはおよそ５０〜５００ｎｍの範囲で厚さを有する。

一実施形態においては、有機活性層５４、５６、および５８は、アレイ中で用いられる異なる色に対応する。例えば、フルカラーディスプレイについて、有機活性層５４、５６、および５８についての異なる材料は、赤色、緑色、および青色光発光部品を達成するために用いられることができる。特定の実施形態において、有機活性層５４は赤色光発光部品中に用いられ、有機活性層５６は緑色光発光部品中に用いられ、有機活性層５８は青色光発光部品中に用いられる。他の実施形態において、放射線は、対応する有機活性層に追加して、またはの代わりに、電荷ブロック層、電荷注入層、電荷輸送層、またはこれらのいずれかの組み合わせから放射され得る。従って、赤色光発光有機層については、赤色光が有機活性層５４、有機活性層５４に隣接する１つまたは複数の対応する層、またはこれらの組み合わせから放射され得る。緑色光発光有機層については、緑色光が有機活性層５６、有機活性層５６に隣接する１つまたは複数の対応する層、またはこれらの組み合わせから放射され得る。青色光発光有機層については、青色光が有機活性層５８、有機活性層５８に隣接する１つまたは複数の対応する層、またはこれらの組み合わせから放射され得る。

電極６２および導電性部材６４が、図６に図示されるとおり形成される。電極６２は支持構造４２の開口部中および共通電極２２および有機層５０の上の部分に形成される。電極６２は電子素子についての陰極として役立つ。導電性部材６４は支持構造４２上の部分に形成され、一実施形態においては、支持構造４２の負の傾きにより、それらの直に隣接する電極６２に電気的に接続されていない。一実施形態においては、電極６２および導電性部材６４は、高仕事関数を有する電極２２より低い、低仕事関数を有する金属含有層を含むことができる。電極６２および導電性部材６４についての材料は、１つまたは複数の１族金属（例えば、Ｌｉ、Ｃｓ）、１つまたは複数の２族（アルカリ土類）金属、ランタノイドおよびアクニチドを含む１つまたは複数の希土類金属、金属フッ化物（例えば、ＬｉＦ、ＣａＦ等）またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。電極６２および導電性部材６４は、電極６２および有機層５０に近接して配設される導電性部材６４中の他の層と比して、水および水分との反応性に劣る導電性キャッピング層を含むことができる。このようなキャッピング層は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄなどの金属または金属合金、他の好適な金属、このような金属のいずれかの合金またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。電極６２および導電性部材６４は、およそ３００〜６００ｎｍの範囲で厚さを有する。１つの特定的な、非限定的な実施形態において、およそ１００ｎｍのＩＴＯ層で覆われたおよそ５００ｎｍのＡｌ層で覆われたおよそ１０ｎｍ未満であるＢａ層が堆積され得る。電極６２のパターンに対応するステンシルマスクを、蒸発、スパッタリング等などの従来の堆積プロセスと共に用いることができる。

プロセスにおけるこの時点において、電子部品１２８、１４８、および１６８が形成されている。一実施形態においては、電子部品１２８は赤色光発光部品であり、電子部品１４８は緑色光発光部品であり、電子部品１６８は青色光発光部品である。簡便さのために、基板２０およびその電子部品は、１つの実施形態においては有機パネルである第１のワークピースとして称されることとなる。

（４．第２のワークピース製造）
電子素子についての第２のワークピースは、第１のワークピースの前または後に製造することができる。図７は、電子素子についての１つまたは複数の制御回路を含むバックパネルである第２のワークピースを図示する。図７を参照すると、基板７００は、第１のワークピースの基板２０に関して既述された１つまたは複数の材料を含む。一実施形態においては、基板２０および７００は、ガラスなどの同一の材料を含む。他の実施形態において、異なる材料を、基板２０および７００について用いることができる。制御回路７２２および他の回路（図示せず）は、基板７００中または上に従来の技術を用いて形成され得る。アレイ外の他の回路（図示せず）は、アレイ中のピクセルの制御に用いられる周辺および遠隔回路構成要素を含み得る。製造の中心は、周辺または遠隔回路構成要素ではなくアレイ上にある。特定の一実施形態において、制御回路７２２は、第１のワークピースおよび第２のワークピースが後に連接されるとき、制御回路７２２の少なくとも一部分が、第１のワークピースの支持構造４２の下または上に配設されるような位置であることができる。この方策においては、アパーチャ比は低減されない。

導電性プラグ７４４を含有する絶縁層７４２が、次いで、各導電性プラグ７４４が制御回路７２２に電気的に接続されるよう、いずれかの数の従来の技術の１つまたは複数を用いて形成される。一実施形態においては、絶縁層７４２は、１つまたは複数のパターン化層としてステンシルマスクを用いて堆積される。他の実施形態において、絶縁層７４２は、ブランケット堆積され、および従来のリソグラフィー技術を用いてパターン化されて、制御回路７２２への開口部が形成される。一実施形態においては、導電性プラグ７４４は、選択堆積を用いて、または１つまたは複数の層をブランケット堆積させ、および研磨し、エッチングし、またはそうでなければ他の方法で、絶縁層７４２中の開口部外に配設されたこのような層の部分を除去して、形成される。

コンダクタ７６２および導電性部材７６４が、次いで、いずれかの数の従来の技術の１つまたは複数を用いて形成される。いくつかの実施形態において、導電性部材７６４は、１ｃｍ^２当たり少なくとも１５．５個の導電性部材の密度（平方インチ当たり１００導電性部材）であり、他の実施形態において、導電性部材は、１ｃｍ^２当たり少なくとも３１．０個の導電性部材の密度（平方インチ当たり２００導電性部材）であり、他の実施形態において、導電性部材は、１ｃｍ^２当たり少なくとも４６．５個の導電性部材の密度（平方インチ当たり３００導電性部材）である。

各コンダクタ７６２は、導電性プラグ７４４、および対応するコンダクタ７６２の上に配設された導電性部材７６４の１つに接触する。一実施形態においては、コンダクタ７６２および導電性部材７６４の各々は、１つまたは複数のパターン化層としてステンシルマスクを用いて堆積される。他の実施形態において、コンダクタ７６２および導電性部材７６４は、１つまたは複数の層をブランケット堆積させ、および従来のリソグラフィー技術を用いてこのような層をパターン化することにより形成される。

コンダクタ７６２は、基板７００がその後に異なる基板と連接されるときに、処理条件に露出される。一実施形態においては、コンダクタ７６２は、この明細書において以下により詳細に記載されているとおり、導電性材料、任意選択の接着剤、支持構造、および他の基板の露出されたコンダクタと適合性（すなわち、悪影響を及ぼす相互作用がない）である。コンダクタ７６２は、周期律表の４〜６族、８および１０〜１４族、またはこれらのいずれかの組み合わせから選択された少なくとも１種の構成要素を含むことができる。一実施形態においては、コンダクタ７６２は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、このような金属のいずれかの合金またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。他の実施形態において、コンダクタ７６２が１つの層を含む場合、層の１つは、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、このような金属のいずれかの合金またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができ、他の層は、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、このような金属のいずれかの合金またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。導電性金属酸化物、導電性金属窒化物またはこれらの組み合わせが、元素金属またはそれらの合金のいずれかの代わりにまたはと併せて用いられ得ることに注意する。一実施形態においては、コンダクタ７６２およそ０．１〜５ミクロンの範囲で厚さを有する。特定の一実施形態において、コンダクタ７６２は、導電性部材７６４に接触する表面でＩＴＯを含むことができる。

導電性部材７６４は、２４０℃以下の融点を有する材料を含む。一実施形態においては、導電性部材７６４は、低融点金属または金属合金を含み得る。一実施形態においては、金属または金属合金は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｇａ、Ｃｄ、このような金属のいずれかの合金、またはこれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。特定の一実施形態において、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｇａ、Ｃｄ、またはこれらのいずれかの組み合わせを含有していてもしていなくてもよいインジウム−錫合金を用いることができる。より特定の実施形態において、金属合金は、およそ４０重量％Ｉｎ、４０重量％Ｓｎ、および２０重量％Ｐｂを含むことができる。一実施形態においては、金属または金属合金は、８５℃を超える融点を有し得る。他の実施形態において、金属または金属合金は、２４０℃未満の融点を有し得る。さらに他の実施形態において、材料は、電子素子中の有機層に対する損傷の可能性を低減させるよう選択された融点を有する。一実施形態においては、１３０℃〜２００℃の範囲での融点が用いられ得る。例えば、インジウムは、およそ１５６℃の融点を有する。他の実施形態において、Ｉｎ、Ｓｎ、またはＰｂの１つまたは複数の組み合わせを含む合金は、１３０〜２００℃の範囲で融点を有する１つまたは複数の共融点組成物を形成し得る。一実施形態においては、コンダクタ７６２は、およそ０．１〜５ミクロンの範囲で厚さを有する。

特定の一実施形態において、導電性部材７６４に接触するコンダクタ７６２の部分はＩＴＯであり、および導電性部材７６４はインジウムである。コンダクタ７６２および導電性部材７６４の厚さは、本実施形態についてはおよそ１〜２ミクロンの範囲である。より特定の実施形態において、コンダクタ７６２の各々は、上面図からみられるように、およそ２００ミクロン×５０ミクロンの区域を有することができる。導電性部材７６４がおよそ１ミクロン厚である場合、リフローの際、導電性部材７６４は、およそ８ミクロンの厚さのはんだボールを形成することができる場合がある。この高さの重要性は、支持構造４２がスタンドオフの少なくとも一部を形成する実施形態についてより明らかになるであろう。

一実施形態においては、コンダクタ７６２および導電性部材７６４は、物理蒸着ツール（例えば、エバポレータ、スパッタリングチャンバ等）、または米国特許公報（特許文献６）に記載のものなどのめっきツール中での同一のポンプダウンサイクルの際に形成されることができる。他の実施形態において、導電性部材７６４は、異なるツールを用いる異なるポンプダウンサイクル中に、またはコンダクタ７６２について用いられたものと比して異なるパターン化順序を用いることにより形成されることができる。一実施形態においては、コンダクタ７６２および導電性部材７６４の側面は同一面上にあり、他の実施形態においては、コンダクタ７６２は、上面図からみられるように、それらの対応する導電性部材７６４と比して異なる形状を有し得る。例えば、導電性部材７６４は、それらの対応するコンダクタ７６２と比して、狭く、低く、またはその両方であり得る。

さらに他の実施形態において、コンダクタ７６２および導電性部材７６４は異なる時間で形成され得る。例えば、コンダクタ７６２が形成され得、およびコンダクタ７６２に対する開口部を有するパターン化された絶縁層が形成され得る。導電性部材７６４を形成するとき、リフロー作業中に溶融しない１つまたは複数の金属または金属合金層が形成され得、バリアまたは結合層として役立つ。このような１つまたは複数の層は、無機半導電性導電性バンプテクノロジーにおいて慣習であるバンプ下地金属（「ＵＢＭ」）として称され得る。既述の融点を有する他の１つまたは複数の層は、１つまたは複数の金属または金属合金層の上に形成されることができる。従って、導電性部材７６４は、ＵＢＭについて１つまたは複数の層、ならびに一実施形態において２４０℃以下、他の実施形態において２００℃以下、または特定の実施形態において１６０℃以下の融点を有する材料または材料の組み合わせを含む１つまたは複数の層を含むことができる。

さらに他の実施形態において、コンダクタ７６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせは、従来のレジストリフトオフプロセスを用いて形成されることができる。この特定の実施形態において、レジスト層（図示せず）を形成することができ、およびコンダクタ７６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせが残る開口部のみを有する。コンダクタ７６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせについての１つまたは複数の層は、レジスト層上に、およびレジスト層における開口部中に形成される。レジスト層は、次いで除去され、これはまた、レジスト層の上に配設されたコンダクタ７６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせの層を除去し、従って、レジスト層の開口部内に配設された、コンダクタ７６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせの部分が残留される。

この明細書を読了後、当業者は、導電性部材７６４の組成物、形状（厚さを含む）、および電子素子の他の部位と相対的な形成に関して、多くの選択肢が存在することを理解するであろう。当業者は、組成物、形状、および導電性部材７６４の形成を、彼らの特定の要求または要望について調整することができる。

（５．第１および第２のワークピースの位置合わせおよびリフロー）
シーリング材料８２２が、図８中の上面図により図示されているとおり、第１のワークピース、第２のワークピース、または両方に適用され得る。シーリング材料８２２は、第１のワークピース、第２のワークピース、または両方のアレイ８２４および縁部８２６の間に配設されている。シーリング材料８２２は、電子産業において基板の連接に用いられるほとんどいずれの接着剤または他の材料をも含むことができる。シーリング材料の例としては、エポキシ、ガラスフリット等が挙げられる。一実施形態においては、基板２０および７００およびシーリング材料８２２は、比較的近い熱膨張係数を有する。例えば、３つのうちの最低の熱膨張係数は、３つのうちの最高の熱膨張係数の少なくとも９０％であり得る。１つの特定の実施形態において、基板２０および７００およびシーリング材料８２２はガラスを含む。

第１のワークピースおよび第２のワークピースは、補完的な位置合わせマーク８４２を含むことができる。例えば、第１のワークピースは、中実の十字を含むことができ、第２のワークピースは、第１および第２のワークピースが適当に位置合わせされたときに、その中に中実の十字が配設される大きな中空の十字を含むことができる。多くの他のタイプの位置合わせマークを、位置合わせマーク８４２と併せてまたはその代わりに用いることができる。位置合わせプロセスは慣習である。

位置合わせ後、第１のワークピースおよび第２のワークピースは、一緒に押圧されてシーリング材料８２２によってシールされることができる。シーリングは、真空下、大気圧下または高圧下で、比較的不活性なガス（１つまたは複数の希ガス、Ｎ_２、またはこれらのいずれかの組み合わせ）、または圧力およびガスのいずれかの組み合わせを用いて実施され得る。図９は、支持構造４２がスタンドオフの一部である実施形態の説明図を含む。第１のワークピースの導電性部材３２、井戸構造４２、および導電性部材６４の組み合わせは、スタンドオフとして役立ち、電極６２とコンダクタ７６２との間の間隔のより一定した維持を補助することができる。図９に図示される実施形態において、第１のワークピースの導電性部材６４は、第２のワークピースに接触する。導電性部材６４が存在しない（すなわち、電極６２が導電性部材６４を形成することなく形成されている）他の実施形態においては、支持構造４２が、第２のワークピースに接触していてもよい。さらに他の実施形態においては、導電性部材６４、支持構造４２、またはこれらのいずれかの組み合わせは、第２のワークピースに接触している必要はない。この明細書において以下に記載しているとおり、導電性部材６４、支持構造４２、またはこれらのいずれかの組み合わせは必須ではなく、基板２０上に存在しなくてもよい。

シーリング材料８２２（図８中、しかしながら図９においては図示せず）は、従来の技術を用いて、硬化され、加熱され、または他の方法で化学剤、放射線、またはこれらのいずれかの組み合わせに露出またはで処理される。一実施形態においては、シーリング材料は、紫外（「ＵＶ」）放射線への露光で硬化されるエポキシを含むことができる。他の実施形態において、シーリング材料８２２は、局所的に加熱されてガラスフリットシールすることができるガラスを含むことができる。この明細書を読了後、当業者は、他のシーリング材料およびシーリング技術を用いることができることを理解するであろう。シーリング材料８２２は、電子素子内の環境と、電子素子外の環境とがいずれかの顕著な程度で相互に混合されることとなる可能性を低減させる。個別の封入層は、シーリング材料８２２が用いられる場合には要求されない。

プロセスにおけるこの時点において、基板７００に取り付けられた導電性部材７６４、およびそれらに一番近い電極６２は、ギャップによって相互に離間され得る。ギャップのサイズは、導電性部材７６４中の材料（例えば、形態学）、導電性部材７６４と現在接触しているまたは接触することとなる（コンダクタ７６２および電極６２の）表面との間の表面張力の相対的差異、リフロー条件、リフロー中の基板の向き（第２のワークピースが下、第１のワークピースが下）、他の可能性のある条件、またはこれらのいずれかの組み合わせを含む複数の要因に基づいて、異なることができる。一実施形態においては、ギャップは８ミクロン以下であることができる。より特定の実施形態において、ギャップは１ミクロン以下であることができる。他の実施形態において、導電性部材７６４の１つまたは複数は、電極６２の１つまたは複数に接触することができる。第１のワークピースの電子部品に対する損傷を比較的低く維持するために注意し得る。

リフロー作業は、図９に図示されるとおり、導電性部材７６４をリフローするために実施される。リフローの最中、導電性部材７６４は第１のワークピースの電極６２に向かって流れる。導電性部材７６４が第１のワークピースに取り付けられている場合には、リフローの最中には、導電性部材７６４は、第２のワークピースのコンダクタ７６２に向かって流れる。成功したリフロー作業は、それらの対応するコンダクタ７６２および電極６２が相互に電気的に接続された導電性部材７６４をもたらす。この明細書において後に記載されるであろうとおり、リフロー作業は、完全には成功しない場合があり、非機能性部品について電気接続を完了するために修復作業が実施され得る。

リフローは、少なくとも、導電性部材７６４がそれらの形状を変化させ始める温度で実施される。一実施形態においては、リフローは、少なくとも融点の温度で実施される。およそ所望の温度に到達した後、リフローは比較的急速に、例えば１分未満に生じることができる。他の実施形態において、リフローは、必要であるか、または所望される場合にはより長時間実施されることができる。リフローは、電子素子またはいずれかのその部品の機能または耐用年数が著しく悪影響を受けない限りにおいて、ほとんどいずれの温度で、または時間および温度の組み合わせで実施されることができる。例えば、第１のワークピースの有機層５０が、過度に高い温度、または過度に高い温度および時間の組み合わせに露出された場合、有機層５０は、劣化され、耐用年数の低減を被り、分解され、またはそうでなくても反応し、またはこれらのいずれかの組み合わせを受け得る。

リフローは、１つまたは複数の異なる加熱または放射線源を用いて実施され得る。例えば、リフローは、第１および第２のワークピースを、ホットプレート上またはオーブン内に置くことにより実施されることができる。他の実施形態においては、レーザなどの指向性放射線源を用いることができる。

特定の一実施形態において、ホットプレートは、導電性部材７６４中の材料の溶融点または共融点より高い温度（インジウム導電性部材が用いられる場合には１６０℃など）にセットされることができる。第２のワークピースおよび第１のワークピースは、ホットプレート上に置くことができる。さらなる特定の実施形態において、第２のワークピースは、ホットプレートの加熱構成要素または加熱表面上に配設されることができる。第２のワークピースが、およそ１５６℃より高い温度に到達した後、導電性部材７６４中のインジウムは溶融することができ、導電性部材７６４のリフローを許容する。リフローは１分未満かかることができ、より特定の実施形態においては、およそ５〜２０秒で実施されることができる。一実施形態においては、オーブンでは第１のワークピースが第２のワークピースと同様の熱に露出され得るが、ホットプレートでは第１のワークピース、特に第１のワークピースの有機層は第２のワークピースより冷えている場合があるため、ホットプレートの使用は、オーブンの使用より良好である場合がある。従って、リフロー中は、ホットプレートは、アレイ中の有機層の平均温度をアレイ中の導電性部材７６４の平均温度より低くさせることができる。しかしながら、ホットプレートおよびオーブンは、すべての導電性部材７６４が同一の加熱サイクル中にリフローし得るために比較的高いスループット率を有することができる。

他の特定の実施形態において、パルスレーザなどの指向性放射線源を用いることができる。パルスレーザは、第１のワークピースのより少ない加熱の可能性で導電性部材７６４をリフローさせる十分なエネルギーを提供するために用いられることができる。一実施形態においては、パルスレーザは、コンダクタ７６２、導電性部材７６４、または両方をターゲットとすることができ、コンダクタ７６２、導電性部材７６４、または両方によって著しく吸収される放射線を用いる。放射線がコンダクタ７６２に吸収される場合、対応する導電性部材７６４が熱伝導によって加熱されることができる。放射線または熱伝導のいずれによって加熱されても、導電性部材７６４がおよそ１５６℃より高い温度に到達した後、導電性部材７６４中のインジウムが溶融し、導電性部材７６４のリフローを許容することができる。リフローは１分未満かかることができ、より特定の実施形態においては、およそ５〜２０秒で実施されることができる。実際の時間は、放射線量、放射線源がパルスか、およびパルスである場合には、パルス周波数（パルスがどのくらいの間オンおよびオフとなっているか）に依存することができる。アレイについてのリフロー作業中に、パルスレーザは、アレイ中の有機層の平均温度を、リフローが実施されている周囲温度よりおよそ１０℃以下で高温にさせることができる。さらなる一特定の実施形態において、アレイ中の有機層の平均温度は、アレイについてのリフロー作業中におよそ１０℃以下で昇温される。

プロセスにおけるこの時点において、導電性部材７６４は、コンダクタ７６２および電極６２に実質的に直接に結合されている。直接的な結合は、導電性部材７６４を、コンダクタ７６２および電極６２に電気的に接続させることができる。一実施形態においては、小片、きわめて薄い膜（例えば１人または複数人の人間の接触からの油）、または他の汚染が、導電性部材７６４の１つ、ならびにコンダクタ７６２の１つおよび電極６２の１つのいずれか一方または両方の部分の間にあり得る。特定の実施形態において、実質的に直接的な結合は、シーリング材料８２２に追加してまたはその代わりに機械的結合を提供することができる。

他のエネルギー源および技術を用いることができる。この明細書を読了後、当業者は、彼らの要求または要望を満たすエネルギー源および技術を選択することができるであろう。

第２のワークピースおよび第１のワークピース向きが反対にされ得る。この実施形態において、第２のワークピースは第１のワークピース上に配設され得る。特定の実施形態において、コンダクタ７６２は、非濡れ性とは逆の濡れ性表面を、導電性部材７６４に関して有する。重力が、導電性部材７６４のリフローにおける助力を補助し得る。

図１０は、導電性部材７６４のリフロー後の図９における電子素子の一部分の断面図の説明図を含む。１つの特定の実施形態において、コンダクタ７６２および電極６２の表面はＩＴＯを含み、導電性部材７６４はインジウムである。リフロー中、ＩＴＯ（コンダクタ７６２および電極６２）の表面エネルギーはインジウム（導電性部材７６４）より低いために、導電性部材７６４は「ボール化」し始める。ボール化は導電性部材７６４の湾曲状側面１０２２によって図示されており、導電性部材７６４の電極６２に向かう流れを生じさせる。最終的には、導電性部材７６４は電極６２に接触して、コンダクタ７６２および電極６２の間に電気接続を形成する。

一実施形態においては、湾曲状側面１０２２は連続的である（すなわち鋭角はない）。電極６２およびコンダクタ７６２の間の中間点での導電性部材７６４の幅は、電極６２またはコンダクタ７６２に隣接する点での第１の導電性部材７６４の幅より広い。特定の実施形態において、導電性部材７６４の幅は電極６２およびコンダクタ７６２の間の中間点において最も広い。

第１の導電性部材７６４が到達することができる最高点は、第１の導電性部材７６４、コンダクタ７６２および電極６２の表面エネルギー、第１の導電性部材７６４の形態学、リフロー中の条件、またはこれらのいずれかの組み合わせに依存することができる。特定の実施形態において、電極６２およびコンダクタ７６２の表面が基本的にＩＴＯからなる表面を含むと共に第１の導電性部材７６４が基本的にインジウムからなる場合、第１の導電性部材７６４は、およそ８ミクロンの高さに到達し得る。この特定の実施形態について、電極６２およびコンダクタ７６２の間の距離は８ミクロン以下であり得る。距離が短くなるに伴い、第１の導電性部材７６４を成功裏にリフローして、電極６２およびコンダクタ７６２間の電気接続を形成する可能性が高くなり得る。表面エネルギーおよび材料の特定の組み合わせについて、１つまたは複数の経験的テストが、導電性部材７６４が達成することができる再生可能な最大高さを測定するために実施されることができ、これを、次いで、その特定の組み合わせについての電極６２およびコンダクタ７６２の最大の許容可能な距離の規定に用いることができる。最大の許容可能な距離は、典型的には再生可能な最大高さ未満である。リフロー後、一実施形態においては、導電性部材７６４は少なくとも３．５ミクロンの高さを有する。

リフロー後、１つまたは複数の導電性部材７６４は、１つまたは複数の空隙部を加工された導電性部材の側面中にまたは側面に沿って含み得る。１つまたは複数の空隙部は、コンダクタ７６２および電極６２間の電気接続が形成されている限りは問題ではない。導電性部材７６４は、導電性部材７６４がコンダクタ７６２および電極６２の中間で切断されて、上面から検査された場合には相互接続ネットワークに似ていることができる。一実施形態においては、導電性部材７６４の大多数は、１つまたは複数の空隙部を含み得る。１つの特定の実施形態において、単一の導電性部材７６４が、電極６２およびコンダクタ７６２を電気的に接続する複数の導電性部材に分離していてもよい。

リフロープロセスを用いて形成された電子素子中の電気接続の数、または電子素子中のアレイのみの数でさえも、数多くであることができる。一実施形態においては、少なくとも４，０００個のコンダクタおよび少なくとも４，０００個の電極が、少なくとも４，０００個の導電性部材と電気的に接続され得る。他の実施形態において、少なくとも１１，０００個のコンダクタおよび少なくとも１１，０００個の電極が、少なくとも１１，０００個の導電性部材と電気的に接続され得、さらなる実施形態においては、少なくとも１１０，０００個のコンダクタおよび少なくとも１１０，０００個の電極が、少なくとも１１０，０００個の導電性部材と電気的に接続され得、およびさらなる実施形態において、少なくとも百万個のコンダクタおよび少なくとも百万個の電極が、少なくとも百万個の導電性部材と電気的に接続され得る。一実施形態においては、導電性部材７６４対コンダクタ７６２対電極６２の比は、１：１：１である。他の実施形態において、比中の数字のいずれか１つまたは複数は、１より大きくてもよい。特定の実施形態において、比はＸ：１：１であり、ここで、Ｘは１を超える数字である（分数または整数）。例えば、Ｘは２、３、４、５、またはこれより大きいことができる。

一実施形態において、リフローは、単独で、コンダクタ７６２をそれらの対応する電極６２に成功裏に電気的に接続するために十分である。しかしながら、形成される電気接続の多さのため、リフロー作業は完全には成功し得ない。例えば、全部ではないが大多数の電気接続がリフロー作業中に形成される。例えば、導電性部材７６４の１つまたは複数は、流れない場合、またはそれらの対応する電極６２に向かって部分的にのみ流れる場合がある。テストを、どの位置が電気接続（例えば電気的に空隙）を有していないか、または不適格なほどに抵抗が高い（例えば、導電性部材７６４がほとんど電極６２に接触していない）かを判定するために実施することができる。他の実施形態において、ディスプレイが製造される場合、テストは、どのピクセルまたはサブピクセルが最低放射強度を有していないかを判定するために実施されることができる。テストからのデータを、電子素子のどの１つまたは複数の部分が修復されるべきであるかをターゲットとするために用いることができる。

修復について多くの選択肢が存在する。一実施形態においては、修復は、リフロー作業の繰り返しであることができる。リフローにホットプレートを用いた場合には、それがまた修復のために用いられることができる。電子素子の一区域が、より多くの電気的空隙または高抵抗を有する場合、その区域がホットプレートの中心に近づくように位置されることができる。他の実施形態において、リフローおよび修復は、異なる技術を用いて実施されることができる。例えば、リフローは、ホットプレート（比較的高いスループットのため）を用いて実施され得、修復は、パルスレーザなどの指向性放射線源を用いて実施され得る。

特定の一実施形態において、リフローおよびテストが実施される。テスト情報に基づいて、修復されるべき電子素子の１つまたは複数の部分を識別することができる。修復中、修復作業は、このような１つまたは複数の部分について、またはこのような１つまたは複数の部分および隣接位置の導電性部材について実施され得る。例えば、テストは、「デッドスポット」と呼ばれる非機能性領域を検出し得る。テストは、上限または下限に近いにもかかわらずデッドスポットのすぐ外側の導電性部材７６４が仕様の範囲内であると識別し得る。この特定の実施形態においては、デッドスポットに隣接する導電性部材７６４が仕様の範囲内であるが上限または下限から離れたテスト結果を達成し得るよう、修復されたデッドスポット中の導電性部材、およびデッドスポットに隣接する導電性部材７６４もまた修復される。すべての導電性部材７６４が、この特定の実施形態における修復についてターゲットとされることとなるわけではない。テストおよび修復は、対応するコンダクタ７６２および電極６２間のすべての電気接続が形成されるまで、または規定の回数だけ反復され得る。この明細書を読了後、当業者はかれらの要求または要望を満たす修復技術を決定することができるであろう。

リフローと同様に、修復中に、第２のワークピースおよび第１のワークピースの向きは逆にされ得る。この実施形態において、重力は電子素子の修復において助力を補助し得る。

一実施形態においては、実質的に完全な電子素子が形成される。この実施形態において、シーリング材料８２２は、電子素子の感受性の部分を、電子素子外の環境からシールする。この実施形態において、ガスは、導電性部材７６４を側方に囲む。排気されても、少なくともいくらかのガスが、電極６２およびコンダクタ７６２間のギャップになお残留する。

プロセスにおけるこの時点において、電子素子は、第１の導電性部材７６４によって物理的に相互に接続された第１および第２のワークピースを含むことができる。所望の場合には、電子素子は、導電性部材７６４を、少なくともそれらの融点に加熱することにより分解して、第１および第２のワークピースを相互に分離することができる。電子素子は、位置合わせ、または他の方法で第１および第２のワークピースを相互に相対的に位置させ、導電性部材７６４を少なくともそれらの融点に再加熱することにより再び組み立てられることができる。本願明細書に記載の分解および再組み立てのプロセスは、電子素子；第１のワークピース、第２のワークピース、第１のワークピースまたは第２のワークピース中のいずれかの部品、導電性部材７６４を含む電子素子のいずれかの部分、またはこれらのいずれかの組み合わせに著しく悪影響をおよぼすことなく、電子素子の再位置合わせまたは他の方法での再生を許容する。従って、一実施形態においては、導電性部材７６４は、電子素子が可逆的に分解され、可逆的に再組み立てされ、またはこれらの組み合わせであることを許容することができる。

ペースト、エポキシ、または他の接着剤材料が用いられることとなる場合、分解は、ペースト、エポキシ、または他の接着剤材料に粘着し得る１つまたは複数のコンダクタ７６２、１つまたは複数の電極６２、または他の１つまたは複数の層への層剥離または他の顕著な損傷をもたらし得る。さらに、硬化ペースト、エポキシ、または他の接着剤材料が、破損または他の方法でワークピースの分離中に破壊をする可能性がある場合、小片が生成されることができ、その後の再組み立て中に形成される電気接続に干渉しまたは電気接続を妨害する。さらに、第１のワークピース（電極６２を含む）、第２のワークピース（コンダクタ７６２を含む）またはこれらのいずれかの組み合わせ上にすでにある同一のペースト、エポキシ、または他の接着剤材料は、硬化後再利用することができない。従って、新たなペースト、エポキシ、または他の接着剤を用いる必要があり得る。

図１０および１１に図示するとおり、電子素子は、ＡＭＯＬＥＤディスプレイを含むことができ、ここで、放射線は共通電極２２および第１のワークピースを通して放射されることができる。特定の実施形態において、アパーチャ比は、７０％、８０％、９０％、またはそれ以上を超えることができる。一実施形態においては、放射線はまた、基板７００を通して放射されることができる。第２のワークピースの制御回路は電子素子の使用者側面と電子部品１２８、１４８、および１６８との間に配設されていないため、比較的高いアパーチャ比を達成することができる。

（６．電子素子およびその作動）
電子素子は、単独で用いられ得、またはシステム中に組み込まれ得る。例えば、電子素子は、コンピュータ、テレビ用のモニターに組み込まれることができるディスプレイ、または携帯型通信デバイス等におけるディスプレイであることができる。

電子素子は、図１に図示されるとおり、端子に適切なシグナルおよびデータを提供することにより操作されることができる。データシグナルは、ＳＬ１３４が駆動されているときＤＬ１３２、１５２、および１７２に置かれることができ、これが、次いで、電流を電子部品１２８、１４８、および１６８を介して流れさせる。リフロー導電性部材７６４は、電子部品１２８、１４８、および１６８のそれらの対応するパワートランジスタ１２６への電気接続を提供する。

他のタイプの電子素子が形成される場合（例えばセンサアレイ）、回路構成要素および電圧または他のシグナルはそれに従って変更され得る。

（７．代替的実施形態）
代替的な実施形態において、電子素子は、パッシブマトリックスディスプレイ、静止画像ディスプレイ、またはこれらのいずれかの組み合わせなどの他のタイプのディスプレイデバイスを含むことができる。他の実施形態において、電子部品は、放射線放射部品と併せてまたはその代わりに放射線反応性部品を含むことができる。このような放射線反応性部品は、放射線センサー、光起電力電池、または有機活性層によって受けられた放射線に反応する他の類似する電子部品を含むことができる。

さらに他の実施形態において、導電性部材７６４は、第２のワークピースではなく、第１のワークピース上に形成されることができる。１つの例証的な、非限定的なプロセスが、図１２〜１９に関して記載され、図示されている。特定の一実施形態において、支持構造４２は、有機材料を含む。プロセスにおける開始点は、図５に図示されるとおり第１のワークピースである。

保護層１２１が、図１２に図示されるとおり、井戸構造４２および有機層５０を含む基板２０上に形成される。保護層１２１は、井戸構造のサイドウォールをその後のレジスト除去プロセス中に保護するために用いられることとなる。保護層１２１は、窒化物、オキシド、または酸窒化物などの無機材料を含むことができる。一実施形態においては、保護層１２１は、従来のプラズマ堆積技術を用いて適合的に堆積されることができる。他の実施形態において、保護層１２１は適合的ではないが、それでも堆積されて、井戸構造４２および有機層５０の露出表面上に連続層を形成する。保護層１２１は、実質的に平らな表面上で計測されて、５〜３０ｎｍ範囲で厚さを有する。

異方性エッチングが、第１のワークピースの上面図からみられるであろう保護層１２１の部分を除去するために実施されることができる。一実施形態においては、異方性エッチングは、１つまたは複数のステップを用いるドライエッチングを用いて実施されることができる。ドライエッチングプロセスの条件は、ドライエッチング作業の全体を通じて均一に維持される必要はない。むしろ、ガス混合物、ガス圧力、電圧、電力密度、および温度は、ドライエッチング中、時間と共に変化され得る。ドライエッチングプロセスは、明確に定義された開始点および停止点を有する個別のステップを含み得、または、１回のみの初期開始点と、ドライエッチングタスクの完了のみでの１回の停止点とを有する１つの連続的な作業中における種々のステップを含み得る。「ステップ」または「複数回のステップ」の使用は、個別の開始および停止を有するこれらの使用、ならびに１つの連続的作業中で条件が少なくとも１回は変更される単一のドライエッチングプロセスを有するこれらの使用の両方を含むことを意味する。

本願明細書に記載の特定の一実施形態において、ドライエッチングは、その比較的薄い厚さにより単一ステップとして実施される。少なくとも１種のハロゲン含有ガスを、用いることができる。ハロゲン含有ガスは、フッ素含有ガス、塩素含有ガス、臭素含有ガス、またはヨウ素含有ガスおよびこれらの混合物のいずれか１種または複数を含むことができる。

フッ素含有ガスが用いられる場合、これは、飽和であってもなくてもよい、他のハロゲン原子、Ｆ_２、ＨＦ、ＳＦ_６、ＮＦ_３、フッ素含有ハロゲン間化合物（ＣｌＦ、ＣｌＦ_３、ＣｌＦ_５、ＢｒＦ_３、ＢｒＦ_５、およびＩＦ_５）およびこれらの混合物を含んでいてもいなくてもよいいずれか１種または複数のフルオロカーボンガスを含み得る。塩素含有ガスは、飽和であってもなくてもよい、他のハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｂｒ、およびＩ）、Ｃｌ_２、ＨＣｌ、ＢＣｌ_３、塩素含有ハロゲン間化合物（ＣｌＦ、ＣｌＦ_３、およびＣｌＦ_５）、およびこれらの混合物を含んでいてもいなくてもよいクロロカーボンからなる群から選択され得る。臭素含有ガスは、飽和であってもなくてもよい、他のハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、およびＩ）、Ｂｒ_２、ＨＢｒ、ＢＢｒ_３、臭素含有ハロゲン間化合物（ＢｒＦ_３およびＢｒＦ_５）、およびこれらの混合物を含んでいてもいなくてもよいブロモカーボンからなる群から選択され得る。ヨウ素含有ガスは、飽和であってもなくてもよい、他のハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、およびＢｒ）、Ｉ_２、ＨＩ、金属ヨウ化物、ヨウ素含有ハロゲン間化合物（ＩＦ_５）、およびこれらの混合物を含んでいてもいなくてもよいヨードカーボンからなる群から選択され得る。

一実施形態においては、ハロゲン含有ガスは、フッ素含有ガスであり得る。他の実施形態において、フッ素含有ガスは、飽和であってもなくてもよい、他のハロゲン原子含んでいてもいなくてもよいフルオロカーボンを含み得る。さらに他の実施形態において、フルオロカーボンは式Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｃを有し得、式中、ａは１または２であり、ｂは少なくとも１であり、およびｂ＋ｃは、ａが１であれば４であり、ａが２であれば４または６である。プラズマ中の水素の存在は、サイドウォール表面の不活性化を補助し、およびエッチングの異方性特徴を向上させることができる。特定の一実施形態において、ＣＨＦ_３は例証的なフルオロカーボンガスである。

一実施形態においては、酸素含有ガスは用いられない。酸素含有ガスは、有機材料をエッチングすることができる。特定の実施形態において、支持構造４２および有機層５０は、エッチングされないか、または最低限しかエッチングされない。希ガスまたは還元ガスを用い得る。希ガスは、希ガス、Ｎ_２、およびこれらの混合物のいずれか１つまたは複数を含み得、還元ガスは、Ｈ_２、ＮＨ_３、Ｎ_２Ｈ_４、Ｎ_２Ｈ_２およびこれらの混合物のいずれか１つまたは複数を含み得る。希ガスを、不揮発性エッチング生成物または他の材料を物理的に除去するために用いることができる。特定の一実施形態において、希ガスは、保護層１２１および有機層５０のエッチング選択性を向上するためには用いられない。水素ガスが、支持構造４２の側面に沿って配設された保護層１２１の不活性化を補助するために添加され得る。

ドライエッチングは、およそ１０〜５０００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲での電力密度およびおよそ０．０１〜５０００ｍＴｏｒｒの範囲での圧力で実施され得る。温度は、性能感受性構成要素および除去される有機材料に応じて異なることができる。ドライエッチングは、典型的には、約８０℃以下の温度で実施される。ドライエッチングは、時限エッチングとして、または（支持構造４２、有機層５０、または両方のとき）時限オーバーエッチングで到達される終点検出を用いて実施されることができる。プロセスにおけるこの時点において、保護構造１３１は、図１３に図示されるとおり、支持構造４２の側面および有機層５０の部分に隣接して形成される。

電極６２および導電性部材６４は、図１４に図示されるとおり形成される。電極６２および導電性部材６４の材料ならびに形成は、電極６２および導電性部材６４を、図６に図示されるとおり形成する場合に既述されたいずれか１つまたは複数の実施形態を用いて実施されることができる。

導電性部材７６４および７６６は、図１５に図示されるとおり、電極６２および導電性部材６４上に形成される。７６４および７６６の材料ならびに形成は、導電性部材７６４を、図７に図示されるとおり形成する場合に既述されたいずれか１つまたは複数の実施形態を用いて実施されることができる。導電性部材７６４の頂部は、導電性部材６４または導電性部材７６６に接触していてもしていなくてもよい。後に説明されるであろうとおり、このような接触は問題ではない。

エッチバック層１６１が、図１６に図示されるとおり、基板２０上に形成される。エッチバック層１６１は堆積され、有機または無機材料を含むことができる。一実施形態においては、エッチバック層１６１は、基板２０の主面に実質的に平行であってもなくてもよい実質的に平坦な表面１６３を含む。特定の一実施形態において、有機レジスト材料は基板２０上にスピンコートされることができる。

エッチバック層１６１は、図１７に図示されるとおり、支持構造４２上に配設された導電性部材７６６を露出するためにエッチングされる。エッチングは、等方的にまたは異方的に実施され得る。一実施形態においては、エッチングは、１つまたは複数のステップを用いるドライエッチングを用いて実施されることができる。ドライエッチングプロセスの条件は、ドライエッチング作業の全体を通して均一に維持される必要はない。むしろ、ガス混合物、ガス圧力、電圧、電力密度、および温度は、ドライエッチング中の時間経過に伴って変化され得る。ドライエッチングプロセスは、明確に定義された開始点および停止点を有する個別のステップを含み得、または、１回のみの初期開始点と、ドライエッチングタスクの完了のみでの１回の停止点とを有する１つの連続的な作業中における種々のステップを含み得る。「ステップ」または「複数回のステップ」の使用は、個別の開始および停止を有するこれらの使用、ならびに１つの連続的作業中で条件が少なくとも１回は変更される単一のドライエッチングプロセスを有するこれらの使用の両方を含むことを意味する。

本願明細書に記載の特定の一実施形態において、ドライエッチングは、２ステップとして実施される。第１のステップを、エッチバック層の下に配設された他の層に対する選択性を考慮することなく、ほとんどのエッチバック層１６１を除去するために用いることができる。第１のステップは酸素含有ガスを用いることができる。酸素含有ガスの例としては、Ｏ_２、ＣＯＦ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＮＯ、Ｎ_２Ｏまたはこれらのいずれかの混合物が挙げられる。既述の１つまたは複数のハロゲン含有ガス、１つまたは複数の不活性ガス、１つまたは複数の還元ガス、またはいずれかのこれらの混合物が、酸素含有ガスに追加して用いられ得る。エッチングは、既述のいずれかのエッチング条件（例えば、電力密度、圧力、温度等）で実施され得る。第１のステップは、時限エッチングとして、または終点検出（例えば、導電性部材７６６が到達された場合）を用いて実施され得る。

第２のステップ中、ガスおよび電力密度などのエッチングパラメータは、特に、エッチバック層１６１および導電性部材７６６の間の選択性を向上させるために変更されることができる。一実施形態においては、ハロゲン含有ガスは（存在する場合には）および不活性ガス（存在する場合には）またはこれらの組み合わせが、選択性を向上させるために低減されるか停止され得る。また、電力密度が、エッチングの物理的パートを減少させるために低減されることができる。

導電性部材７６６が、図１８に図示されるとおり除去される。除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチングプロセスとして実施され得る。エッチングについて用いられた化学は、導電性部材７６６の材料に依存することができる。一実施形態においては、導電性部材７６６は基本的にインジウムからなる。

ウェットエッチングは、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、またはこれらのいずれかの組み合わせ）、王水（およそ３：１ＨＣｌ：ＨＮＯ_３）、またはＨ_３ＰＯ_４を用いて実施されることができる。エッチング溶液は、およそ室温（およそ２０〜２５℃の範囲）または室温より高いまたは低い他の温度であり得る。特定の一実施形態において、ウェットエッチングは、Ｈ_３ＰＯ_４を、およそ３０〜４０℃の範囲の温度で用いて実施される。ウェットエッチングは、時限エッチングとして実施され得る。

他の実施形態において、ドライエッチングは、３ステップを用いて実施され得る。第１のステップは導電性部材７６６の表面上に形成され得たいずれかのオキシドまたは汚染物の貫通エッチングに用いられる「ブレイクスルー」エッチングであることができ、第２のステップが導電性部材７６６のエッチングのほとんどに用いることができ、および第３のステップは、導電性部材６４中の１つまたは複数の層に対する向上した選択性有することができる。エッチングパラメータ（ガスおよび条件）は既述されている。

第１のステップは、ハロゲン含有ガスおよび不活性ガスを含むことができる。導電性部材７６６が少なくとも１種の金属を含むため、ハロゲン含有ガスは、塩素含有ガス、臭素含有ガス、ヨウ素含有ガス、またはこれらの組み合わせを含むことができる。選択される実際のハロゲン含有ガスは、エッチング中における１つまたは複数の揮発性生成物の生成を許容する。希ガスは、導電性部材７６６の表面のオキシドまたは他の不揮発性汚染物の物理的な除去を補助することができる。第２のステップは、第１のステップと同一のまたは異なる条件で実施され得る。一実施形態においては、希ガスは、エッチング速度およびエッチバック層１６１に対する選択性を向上するために、低減され、または排除され得る。第２のステップは、時限エッチングとして、または終点が検出されるまで（導電性部材６４が到達される）実施され得る。第３のステップは、第２のステップについて用いられたものと同一のまたは異なるエッチング化学を含み得る。第３のステップは、第１のステップ、第２のステップ、または両方と比してより低い電力密度で実施され得る。第３のステップは、時限エッチングとして、または終点検出および時限オーバーエッチングを用いて実施され得る。

任意選択の第４のステップは、導電性部材６４をフッ素含有プラズマに露出させて、導電性部材６４の露出表面を、不活性化させる、またはその他の方法で、環境水分、他の汚染物、またはこれらのいずれかの組み合わせ、導電性部材の表面エネルギー６４の変化、またはこれらの組み合わせから保護するステップを含むことができる。

導電性部材７６６が除去された後、この実施形態においては、導電性部材６４は実質的には除去されず、またはいくらかのみが除去される。導電性部材７６６および６４がインジウムを含む場合、インジウムのいくらか（例えば、ＩＴＯ）は、導電性部材７６６と共に除去される。導電性部材６４がアルミニウム、銀、またはインジウム以外の他の構成要素の層を含む場合、導電性部材７６６を除去するエッチングは、導電性部材６４のこのような層で、または中で停止し得る。この方策においては、導電性部材６４の残留部分が、エッチバック層１６１が除去されるときに支持構造４２を保護することができる。

プロセスにおけるこの時点において、エッチバック層１６１の残留部分が、図１９に図示されるとおり除去される。一実施形態においては、エッチバック層１６１は、従来のウェットまたはドライレジストエッチングプロセスを用いて除去される有機層を含む。特定の実施形態においては、有機溶剤を、電極６２上に配設された導電性部材６４、保護構造１３１、または導電性部材７６４を著しくエッチングすることなく、エッチバック層１６１を除去するために用いることができる。他の実施形態においては、無機半導体技術分野において用いられる従来のアッシング技術が実施され得る。電極６２上に配設された導電性部材６４、保護構造１３１、および導電性部材７６４は、エッチバック層１６１の除去のときに、エッチバック層１６１が、有機材料を含む場合に支持構造４２および有機層５０の保護を補助する。

他の実施形態において（図示せず）、エッチバック層１６１が他の露出層と比して異なる組成を有する場合、保護構造１３１は要求されない。例えば、エッチバック層１６１が、シリコンオキシド、窒化物、酸窒化物、またはこれらの組み合わせの１つまたは複数の層を含む場合、エッチバック層１６１は、少なくともフッ素含有ガスを用いてエッチングされ得る。多くのフッ素含有ガスが、シリコンオキシド、窒化物、酸窒化物、またはこれらの組み合わせの層が、多くの金属および有機材料に対して選択的にエッチングされることを許容する。

基板７００およびコンダクタ７６２を含む他のワークピースが既述のとおり製造される。導電性部材７６４は、コンダクタ７６２上に存在してもしなくてもよい。特定の一実施形態において、コンダクタ７６２は露出される。ワークピースが相互に近接して、および位置合わせされて置かれた後、リフロー作業が、既述の、リフローパラメータのいずれか１つまたは複数を用いて実施されることができる。一実施形態においては、リフロー中、導電性部材７６４は、コンダクタ７６２を有するワークピースに向かって流れる。導電性部材７６４の少なくともいくつかは、電極６２およびコンダクタ７６２に実質的に直接に結合されている。要求または要望される場合、テストおよび修復作業は、既述のとおり実施されることができる。

既述のとおり、導電性部材７６４の電極６２上での、ならびに導電性部材６４および導電性部材７６６の一方または両方の井戸構造上での、リフロー前でのいくつかの偶発的な接触は問題ではない場合がある。導電性部材７６４および７６６の間の接触は、導電性部材７６６が除去される場合に実質的に排除されることができる。導電性部材７６４は、表面エネルギーに起因して既述のとおりボール化し得る。ボール化は、導電性部材７６４をリフロー中に導電性部材６４から離間させる補助をし得る。従って、導電性部材７６４および導電性部材６４の間のいずれかの側方接触は、リフロー作業の終了時には実質的に排除され得る。この方策において、隣接する電極６２は、電気的に短絡せず、（電流の）漏電径路を有さない。

導電性部材７６４および導電性部材６４の間のいずれかの偶発的な接触を排除することが要求または要望される場合、エッチングは、エッチバック層１６１が除去された後に実施されることができる。特定の一実施形態において、等方性エッチングを、フィラメント、または導電性部材６４に接触する導電性部材７６４の他の残存部分を除去するために用いることができる。

図１２〜１９に図示される実施形態についての代替的な実施形態において、電極６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせの選択堆積が実施されることができる。例えば、ステンシルマスクは、電極６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせが形成されるべき位置に対応する開口部を有し得る。１つまたは複数の堆積が、ステンシルマスクを用いて実施されて、電極６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせが形成され得る。この特定の実施形態において、導電性部材６４および７６６は形成されることはない。従って、保護層１３１およびエッチバック層１６１は必要とされず、それ故、処理作業の少ないプロセスフローが提供される。

さらに他の実施形態において、支持構造４２は要求されない。特定の一実施形態において、有機層５０は、ステンシルマスクを用いて堆積されることができる１つまたは複数の小分子有機材料を含み得る。他の特定の実施形態において、電極６２はまた、ステンシルマスクを用いて堆積され得る。従って、支持構造４２の使用は任意選択であり得る。

他の実施形態において、リフロー作業が実施されている間シーリング材料８２２は存在しなくてもよい。治具または他の装置が、リフロー作業が実施されている間、第２のワークピースおよび第１のワークピースを位置合わせで保持していてもよい。リフロー、および可能性として修復の後、図１１に図示されるとおり、導電性部材７６４、コンダクタ７６２、および電極６２に近い空隙および他の開口部に封入層１１２２が形成されることができる。

さらに他の実施形態において、エポキシまたは他の好適な封入材料が、要求または要望される場合に、第２のワークピースおよび第１のワークピースの間に注入され、硬化されることができる。例えば、ＵＶ硬化性エポキシは、注入され、ＵＶ放射線を用いて硬化されることができる。所望の場合には、シーリング材料８２２が、電子素子の汚染物に対する耐性を潜在的に高めるために、封入層１１２２の外側に形成されることができる。

他の物理的構成を用いることができる。共通電極は、陽極（例えば、陽極の行または列、各ピクセルまたはサブピクセルについて１つの電極等）などの複数の電極によって置き換えることができる。電子素子中での電極の向きは逆にされ得る。陽極である電極は、共通陰極である共通電極または陰極である電極と比して、コンダクタ７６２に近接して、または電気的に接続されて配設され得る。導電性部材７６４によって形成される電気接続は、他のタイプの電極（例えば、陰極）よりコンダクタ７６２から離間して配設される１タイプの電極（例えば陽極）として形成されることができる。１つまたは複数の追加の絶縁層、１つまたは複数のパターン化順序、またはこれらの組み合わせが、それらの間に配設された電極に対する偶然に形成される電気的短絡または漏電径路無しで電気接続を許容するために用いられ得る。

電極６２、コンダクタ７６２、またはこれらのいずれかの組み合わせについての任意選択の表面処理は、所望の濡れ特徴を達成するために実施され得る。例えば、導電性部材７６４を形成しまたはリフローする前に、フッ素プラズマを表面エネルギーを低減させるために用いることができる。他の実施形態において、電極６２、コンダクタ７６２、またはこれらのいずれかの組み合わせの表面での比較的高い表面張力が所望され得る。電極６２、コンダクタ７６２、導電性部材７６４、またはこれらのいずれかの組み合わせの組成は変更することができる。あるいは、表面処理を用いることができる。この実施形態において、導電性部材７６４は、電極６２、コンダクタ７６２、またはこれらのいずれかの組み合わせの表面を覆うよう広がっていてもよい。この実施形態において、第２のワークピースは、リフロー、修復、または両方の間に、第１のワークピースの上に配設され得る。湾曲状側面１０２２は逆の向きを有し得；側面は連続であり得および導電性部材７６４は電極６２およびコンダクタ７６２の間の点で最も狭くてもよい。

追加の電子部品を有するより複雑な制御回路（図１に図示した制御回路と比して）を用いることができる。このような追加の電子部品は、パワートランジスタ１２６で生じ得る閾値電圧変動を補正するために用いることができる。このような追加の電子部品は支持構造の上または下に配置されることができるため、放射線透過区域は失われ得ない。それ故、耐用年数は長期化し得、およびディスプレイ品質が経時的により安定であり得る。

（８．利点）
異なる実施形態は種々の利点を有し得る。各利点は、実施形態のすべてではなく、その１つまたは複数で生じ得ることに注意する。従って、利点のいずれも本発明に必須または重要であるとして解釈されるべきではない。

一実施形態においては、リフロー作業が実施される前には、ギャップが導電性部材および電極またはコンダクタの間に存在し得る。ギャップは、電子素子の部分に対する損傷の低減を補助することができる。例えば、一実施形態においては、導電性部材７６４および電極６２の間のギャップは、第２のワークピースおよび第１のワークピースを相互に位置合わせまたは接触させる際の電子部品１２８、１４８、および１６８に対する損傷の低減を補助する。特定の一実施形態において、ギャップのサイズは、支持構造４２または支持構造４２と支持構造４２の下または上に配設されたいずれかの層との組み合わせの高さを、第２のワークピースを接触させる前に調節することにより、制御されることができる。

他の実施形態において、導電性部材７６４は、顕著な不都合な損傷を電子素子中の有機層に生じさせることなく熱伝導または放射線を用いることによりリフローされることができる。多様な材料を、導電性部材についての融点を、過度に低い温度（電子素子の使用またはテスト中に生じ得る）または過度に高い温度でこれらが流れないように達成するために用いることができる。このような柔軟性はまた、比較的より危険であると見なされ得る１つまたは複数の材料（例えば鉛）の回避のために拡大されることができる。特定の一実施形態において、導電性部材７６４は、このような金属合金中のいずれかの金属構成要素の融点より低い融点を有する共融点組成物を有する金属合金を含むことができる。

さらに他の実施形態において、第２のワークピースおよび第１のワークピースは、リフロー作業が用いられる前に機械的に共に結合されることができる。この実施形態において、リフロー後に（導電性部材を介して）形成された電気接続は、リフロー電気接続が主な機械的接続である実施形態に比したものと同程度の外部応力を被り得ない。特定の一実施形態において、第２のワークピースおよび第１のワークピースの機械的結合は、シーリング材料８２２で生じる。連接されたパネルへの外部応力は、シーリング材料８２２によって少なくとも部分的に吸収されまたは抵抗され得る。リフロー後の導電性部材７６４への応力は、導電性部材７６４のみがパネルを一緒に保持する場合と比して著しく低い場合がある。

さらに他の実施形態において、修復は、電子素子の少なくとも一部分を分解および再組み立てまたは再製造することなく実施されることができる。修復は、リフロー作業が導電性部材の１つまたは複数がリフローされなかったことを理由に電子素子全体を不良品とする必要性が必ずしもなく、リフロー電気接続の多数を用いることを許容する。修復は、形成されなかったまたは、単にほとんど形成されなかった電気接続の形成を補助するために実施されることができる。特定の一実施形態において、テストが、電気的空隙または過度に高い抵抗を有する電子素子の部分（「非機能性」部分または回路と総称される）を識別するために実施され得る。テストからの情報を、どこが修復作業が実施されるべきかを目標とするために用いることができる。

（９．実施例）
本発明が、特許請求の範囲に記載の本発明の範囲を制限しない以下の実施例においてさらに説明されるであろう。

（実施例１）
実施例１は、基板間の電気接続はリフロープロセスを用いて形成されることができることを実証する。２基板バックライトがこの実施例において形成される。

図２０を参照すると、第１の基板２００は、およそ１１０ｎｍの厚さを有するＩＴＯの層２０２を有するガラスである。インジウムの層２０４が、およそ１×１０^−６Ｔｏｒｒの真空中でＩＴＯの表面に熱的に堆積される（例えば蒸発）。インジウム層の厚さはおよそ６５０ｎｍである。インジウム層が堆積された後、第１の基板２００と、発光有機層（図示せず）を有する他の基板２０６と、ＩＴＯの層２０８（第１の基板２００に類似する）とが、インジウム層無しで、熱硬化性エポキシ２０９によって一緒に結合される。結合された基板の断面図の説明図が、図２０に図示されている。２つの層２０２および２０８の間の、プロセスにおけるこの時点における抵抗は、インジウム層２０４（第１の基板２００に取り付けられた）および第２の基板２０６のＩＴＯ層２０８の間のギャップによりきわめて高い。それ故、電気接続は、基板のＩＴＯ層２０２および２０８の間には形成されていない。結合された基板が、１６０℃の温度に設定されたホットプレート上でおよそ１６０℃に加熱される。基板の温度がおよそ１６０℃に到達したときにインジウムが溶融する。金属リフロープロセスは、およそ１６０℃で完了するまで５秒未満かかることができる。リフロープロセス後、２つの基板の２つのＩＴＯ層２０２および２０８の間の抵抗はおよそ１５Ωであり、図２１に図示されるとおり電気接続２１４が形成されていることを示している。図２２は、図２１における分断ライン２２−２２での、電気接続２１４のリフローされたインジウムの上面図の説明図を含む。空隙部２２２が、電気接続２１４内に形成される。リフロー後、電気接続２１４は、空隙部２２２間のインジウムの相互接続ネットワーク２２４となる。

（実施例２）
実施例２は、インジウムの導電性部材が、リフロープロセス中にＩＴＯ層の縁部から離れて形成されることができることを実証する。

２つの公称１０ｃｍ×１０ｃｍ基板がこの実施例において用いられる。各基板は、およそ１１０ｎｍの厚さおよびおよそ３５０ミクロンの幅を各々有する、１０個のＩＴＯストリップを有するガラスである。各基板上での隣接するストリップ間の距離はおよそ１５０ミクロンである。１つの基板において、インジウムの層が、シャドーマスクを介してＩＴＯストリップの表面に、およそ１×１０^−６Ｔｏｒｒの真空中で熱的に堆積される。インジウム層の厚さはおよそ６５０ｎｍである。インジウム層が堆積された後、一方がインジウム層を有し、他方がインジウム層を有さない２つの基板が、熱硬化性エポキシによって一緒に結合される。各基板上のＩＴＯストリップが相互に垂直となるよう位置合わせされる。これにより、上面図からみられるとおり、２つのストリップ間の個別の基板上の重畳区域はおよそ３５０ミクロン×３５０ミクロンである。結合された基板２３０によって形成されたピクセルの総数は１００（１０×１０）個である。図２３は、結合された基板２３０の説明図を含む。金属リフロー前に、個別の基板上の各ストリップの間の抵抗は、インジウム層（基板の一方に取り付けられた）と、他の基板のＩＴＯ層との間のギャップによりきわめて高い。結合された基板２３０が、１６０℃の温度に設定されたホットプレート上でおよそ１６０℃に加熱される。温度がおよそ１６０℃に到達したときにインジウムが溶融する。金属リフロープロセスは、およそ１６０℃で完了するまで５秒未満かかることができる。リフロープロセス後、個別の基板上のストリップの各ペア間の抵抗は、およそ４００Ωであり、電気接続が形成されたことを示している。同一の基板上のストリップの各ペアの間の抵抗はきわめて高いままであり、リフローされたインジウムは、側方方向にストリップを電気的に短絡させなかったことを示唆している。図２４は、基板２４６の１つ上の、他の基板を除去した後のＩＴＯストリップ２４４上のリフローされたインジウム２４２の上面図の説明図を含む。図２４は、表面張力が、インジウム２４２の、これがリフローされることに伴うＩＴＯストリップ２４４の縁部から離間する引っ張りを補助することを図示しており、これは、隣のＩＴＯストリップ２４４間の意図せぬ電気接続または漏電径路の可能性を著しく低減させる。

（実施例３）
実施例３は、パッシブマトリックスディスプレイおよびバックライトがリフロープロセスを用いて形成されることができることを実証する。

実施例３において、ワークピースは、バックライトパネルである駆動パネルを含む。およそ４０重量％Ｉｎ、４０重量％Ｓｎ、および２０重量％Ｐｂを含む、およそ１．５ミクロン厚の金属合金層が、およそ１×１０^−６Ｔｏｒｒ未満の真空中にＩＴＯの一番上に熱的に堆積される。他のワークピースは、共通電極（例えば、陰極）としてＩＴＯを含むパッシブマトリックスピクセル化区域を有するバックライトパネルであるＯＬＥＤパネルを含む。ピクセル化区域は、ネガティブフォトレジストバンクを形成することにより形成される。フォトレジストバンクの高さはおよそ３ミクロンであるため、パネル結合中におよそ１ミクロンのギャップがインジウム層とＯＬＥＤ素子の陰極との間に設けられる。総ピクセル数は、およそ１００ミクロン×３００ミクロンピッチサイズでのおよそ１００×５０個である。各ピクセルについてのフォトレジストバンクの開口部はおよそ７５ミクロン×２００ミクロンであり、これは、およそ４８％のアパーチャ比に言い換えられる。ＯＬＥＤパネル上のＯＬＥＤ素子は、従来の技術を用いて形成されることができる。緩衝層はスピンコートされることができ、この実施例についてはＭＥＨ−ＰＰＶを含む発光ポリマー層のスピンコートが続く。陰極は、発光ポリマー層上に熱的に堆積される。

熱硬化性エポキシは、ＯＬＥＤパネルの縁部に沿って堆積される。駆動パネルおよびＯＬＥＤパネルが相互に位置合わせされ、次いで、パネルが一緒に押圧される。２つのパネルが一緒に押圧された後、エポキシはおよそ６０℃でおよそ３０分間硬化される。金属リフロープロセスが、１６０℃の温度に設定されたホットプレート上で結合されたパネルをおよそ１６０℃に加熱することにより実施される。パネルの温度がおよそ１６０℃に到達したときに、インジウムが溶融する。金属リフロープロセスは、およそ１６０℃で完了するまで５秒未満かかることができる。ピクセル化区域およびバックライト領域における各ＯＬＥＤピクセルの陰極は、駆動パネルに、リフローされたインジウムによって電気的に接続される。ＤＣ電圧が駆動パネルおよびＯＬＥＤパネルの間に印加されたとき、すべてのパッシブピクセルおよびバックライト部分が作動されて発光する。フォトレジストバンクを介した顕著な電流は無いことに注意する。

（実施例４）
実施例４は、本願明細書に記載のリフロープロセスを用いて形成されるＡＭＯＬＥＤディスプレイは、従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイと比して著しく大きいアパーチャ比を有することができることを実証する。実施例４はまた、電極が、支持構造が形成された後に形成されることができることを実証し、ここで、電気的短絡または漏電径路は電極間に形成されていない。この実施例４について、少なくとも部分的にリフロープロセスで形成されたＡＭＯＬＥＤディスプレイは「リフローＡＭＯＬＥＤディスプレイ」として称され、従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイは「従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイ」として称されることとなる。

各ＡＭＯＬＥＤディスプレイについて、発光面積は、３２０×ＲＧＢ×２４０のＱＶＧＡフォーマットでおよそ９．４ｃｍ（３．７８インチ）（対角に計測した）である。支持構造２５６が形成されて、図２５中に楕円によって図示されているとおり開口部（井戸）２５４が定義される。ピクセル解像度は、およそ２４０ミクロン×２４０ミクロンのピッチサイズで、１センチメートル当たりおよそ４０ピクセル（１インチ当たりおよそ１００ピクセル）である。

リフローＡＭＯＬＥＤディスプレイについて、２つのワークピースが用いられている。一方のワークピースは、基板上に続いて形成される共通電極（例えば共通陽極）および支持構造２５６を含む。断面図（図示せず）に見られるとおり、支持構造は、およそ３ミクロンの高さおよび負の傾きを有する壁を有する。赤色、緑色、および青色光発光有機材料が、それらの対応する開口部２５４に堆積されている。１つの実施形態において陰極である電極が、赤色、緑色、および青色光発光有機材料上に熱的に堆積される。各電極およびその対応する発光有機材料の合わせた厚さはおよそ０．５ミクロンである。支持構造２５６は、その高さおよび負の傾きにより、電気的短絡または漏電径路が電極間で形成される可能性の低減を補助する。

第２のワークピースは、アクティブマトリックスＴＦＴパネル中に制御回路に電気的に接続されたコンダクタを含むアクティブマトリックスＴＦＴパネルである。制御回路のレイアウトは、２つのワークピースを連接した後に、制御回路の少なくとも一部分が支持構造２５６の上または下に配設されることとなるよう設計される。この設計は、アパーチャ比の増加を補助する。およそ１．５ミクロンの厚さのインジウムの層が、真空中に、コンダクタ上に熱的に堆積される。金属エッチングプロセスを、インジウム層をパターン化して導電性部材の形成を完了するために用いることができる。金属エッチングの後、各コンダクタは、およそ１．５ミクロンの高さの対応する導電性部材を有する。

支持構造２５６の高さがおよそ３ミクロンであるため、およそ１ミクロンのギャップが、位置合わせ中に、（アクティブマトリックスＴＦＴパネルの）導電性部材と、（ＯＬＥＤパネルの）電極との間に存在する。位置合わせの後、アクティブマトリックスＴＦＴパネルおよびＯＬＥＤパネルが、ディスプレイ区域の周囲に堆積されたエポキシによって物理的に一緒に結合される。金属リフロープロセスが、１６０℃の温度に設定されたホットプレート上で結合されたパネルをおよそ１６０℃に加熱することによって実施される。導電性部材の温度がおよそ１５６℃を超えたとき、インジウムが溶融する。金属リフロープロセスは、およそ１６０℃で完了するまで５秒未満かかることができる。各ＯＬＥＤピクセルまたはサブピクセルの電極は、その関連する制御回路にリフローされたインジウムによって電気的に接続されている。リフローＡＭＯＬＥＤディスプレイについて、アパーチャ比はおよそ６５％である。

従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイについては、制御回路および周辺電子機器（すなわち、行／列ドライバ、行／列デコーダ等）が基板上に形成される。従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイについての放射線放射部品は、従来の技術を用いて制御回路を有する同一の基板上に形成される。従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイは、透明陽極および反射性共通陰極を含む。制御回路が放射された放射線のいくらかをブロックするため、図２５中の矩形２５２が、使用者に可視のままである放射線放射区域を図示している。従来のＡＭＯＬＥＤディスプレイは、リフローＡＭＯＬＥＤディスプレイより著しく劣っている、およそ１６％のアパーチャ比を有する。

（実施例５）
実施例５は、電子素子の非機能性部分は、金属リフロープロセスを用いて修復されることができることを実証する。

実施例４において製造されたＯＬＥＤディスプレイは、いくつかの導電性部材（例えば、インジウムバンプ）が適当にリフローし得なかったために、いくつかの非機能性部分を有し得る。テストが、どのピクセルまたはサブピクセルが、パワートランジスタ１２６およびその対応する電子部品１２８、１４８、または１６８の間に電気的空隙または過度に高い抵抗を有するかを判定するために実施されることができる。電気的空隙を有する各ピクセルまたはサブピクセルについては、およそ２６０ｎｍで光を放射するパルスＵＶエキサイマーレーザが非機能性ピクセルまたはサブピクセルを修復するために用いられる。レーザ光のパルス幅は、ミリ秒の範囲である。およそ１ｍＷの出力パワーのエキサイマーレーザビームを非機能性ピクセルまたはサブピクセルにフォーカスさせることにより、入力パワーはおよそ３０Ｗ／ｃｍ^２に到達することができる。この電力密度で、導電性部材は再溶融することができ、非機能性ピクセルの陰極またはサブピクセルの陰極と、対応するパワートランジスタ１２６との間の電気接続がもたらされる。従って、非機能性ピクセルまたはサブピクセルが、機能性となるよう修復される。ピクセルまたはサブピクセルは、レーザ修復プロセスの後に作動されることができる。

概要または実施例に上記した行為のすべてが必要であるわけではなく、特定の行為の一部は必要とされ得ず、および１つまたは複数のさらなる行為が記載のものに追加して実施され得ることに注意する。さらに、行為が列挙された順番は、必ずしもそれらが実施される順番ではない。

前述の明細書において、本発明が、特定の実施形態を参照して記載されてきた。しかしながら、当業者は、添付の特許明細の範囲に規定の本発明の範囲から逸脱することなく種々の改良および変更がなされることができることを理解する。従って、明細書および図は、制限的な意味であるよりもむしろ例示的であると見なされるべきであり、およびすべてのこのような改良は、発明の範囲ないに包含されるとして意図されている。

有益性、他の利点、および問題に対する解決策が、特定の実施形態に関して上述されてきた。しかしながら、いずれかの利点、または解決策を生じさせる、またはより明らかにさせ得る有益性、利点、問題に対する解決策、およびいずれかの特徴は、いずれかのまたはすべての特許請求の範囲の重要な、必要な、または必須の特徴として解釈されるべきではない。
なお、本発明の好ましい態様としては、以下のものを挙げることができる。
１ 第１の電極および第１の有機層を含む第１の電子部品と、
第１の電子部品に隣接して配設された支持構造と
を含む第１のワークピースと、
第１のコンダクタを含む第２のワークピースと、
第１の電極および第１のコンダクタに実質的に直接に結合されている第１の導電性部材と
を含むことを特徴とする電子素子。
２ 第１の電極と第１のコンダクタとの間の概ね中間の点での第１の導電性部材の幅が、第１の電極または第１のコンダクタにより近い点での第１の導電性部材の幅より広いことを特徴とする前記１に記載の電子素子。
３ 第１の導電性部材が、少なくとも３．５ミクロンの高さを有することを特徴とする前記１に記載の電子素子。
４ 少なくとも４，０００個の他の導電性部材をさらに含む電子素子であって、
第１のワークピースが少なくとも４，０００個の他の電子部品をさらに含み、
ここで、少なくとも４，０００個の他の電子部品の各々が第１の電極を含み、
第２のワークピースが、第１のコンダクタに実質的に同じである他のコンダクタをさらに含み、
第１の導電性部材および少なくとも４，０００個の他の導電性部材の各々が、第１の電極の少なくとも１つに、および第１のコンダクタまたは少なくとも４，０００個の他のコンダクタのいずれかに実質的に直接に結合されていることを特徴とする前記１に記載の電子素子。
５ 第１の電子部品が、放射線放射部品、放射線反応性部品、またはこれらの組み合わせを含み、
第２のワークピースが、第１の電子部品を制御するための第１の制御回路を含み、
ここで、第１の制御回路が第１のコンダクタに電気的に接続されていることを特徴とする前記１に記載の電子素子。
６ 放射線放射部品、放射線反応性部品、またはこれらの組み合わせが、放射線を放射し、または第１のワークピース、第２のワークピース、またはこれらの組み合わせを透過した放射線に反応することを特徴とする前記５に記載の電子素子。
７ 第２の導電性部材および第３の導電性部材をさらに含む電子素子であって、
第１の電子部品が赤色光発光部品であり、
第１の有機層が赤色光発光有機層を含み、
第１のワークピースが、第１の電極および緑色光発光有機層を含む緑色光発光部品と、
第１の電極および青色光発光有機層を含む青色光発光部品と
をさらに含み、
支持構造が、赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品の間に配設され、
第２のワークピースが、緑色光発光部品を制御するための第２の制御回路であって、第２のコンダクタに電気的に接続された第２の制御回路と、青色光発光部品を制御するための第３の制御回路であって、第３のコンダクタに電気的に接続された第３の制御回路と
を含み、
第２の導電性部材が緑色光発光部品の第１の電極および第２のコンダクタに実質的に直接に結合されており、
第３の導電性部材が、青色光発光部品の第１の電極および第３のコンダクタに実質的に直接に結合されていることを特徴とする前記５に記載の電子素子。
８ 赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品が共通電極を共有し、放射線が赤色光発光部品、緑色光発光部品および青色光発光部品の共通電極を透過することを特徴とする前記７に記載の電子素子。
９ 第１の部品が、バックライト、静止画像ディスプレイ、パッシブマトリックスディスプレイ、センサアレイ、または光電池の少なくとも一部であることを特徴とする前記１に記載の電子素子。
１０ 支持構造が第２のワークピースに接触し、または支持構造の上に配設された層が第２のワークピースに接触し、ここで、層が、第１の電極と実質的に同一の組成を有することを特徴とする前記１に記載の電子素子。
１１ シーリング材料をさらに含み、
シーリング材料が、第１の電子部品を含むアレイの外側の第１および第２のワークピースに取り付けられており、
ガスが第１の導電性部材に接触すると共に第１の導電性部材を側方に囲むことを特徴とする前記１に記載の電子素子。
１２ 第２の導電性部材をさらに含み、第１および第２の導電性部材の各々が、第１の電極および第１のコンダクタに接触することを特徴とする前記１１に記載の電子素子。
１３ 第１のワークピース、第２のワークピースおよび第１の導電性部材に接触する封入層をさらに含むことを特徴とする前記１に記載の電子素子。
１４ 第１の導電性部材が、少なくとも１つの空隙部を有する金属含有材料を含むことを特徴とする前記１に記載の電子素子。
１５ 第１の電極および第１の活性有機層を含む、放射線放射部品を含む第１の電子部品と、
第１の電子部品に隣接して配設された支持構造と
を含む第１のワークピースと、
第１の電子部品を制御するための第１の制御回路であって、第１のコンダクタに電気的に接続された第１の制御回路を含むと共に、支持構造が第２のワークピースに接触し、または支持構造の上に配設された層が第２のワークピースに接触し、
ここで、層が、第１の電極と実質的に同一の組成を有する第２のワークピースと、
第１の電極および第１のコンダクタに実質的に直接に結合されている第１の導電性部材と
を含むことを特徴とする電子素子。
１６ 第１の電極と第１のコンダクタとの間の概ね中間の点での第１の導電性部材の幅が、第１の電極または第１のコンダクタにより近い点での第１の導電性部材の幅より広いことを特徴とする前記１５に記載の電子素子。
１７ 第１の導電性部材が、少なくとも１つの空隙部を有する金属含有材料を含むことを特徴とする前記１５に記載の電子素子。
１８ 放射線放射部品が、第１のワークピース、第２のワークピースまたはこれらの組み合わせを介して放射線を放射することを特徴とする前記１５に記載の電子素子。
１９ 第１のコンダクタの表面エネルギーが、導電性部材の表面エネルギーより低いことを特徴とする前記１５に記載の電子素子。
２０ 第１の導電性部材が、２４０℃以下の融点を有することを特徴とする前記１５に記載の電子素子。

本願明細書におけるプロセスを用いて形成されることができるＡＭＯＬＥＤディスプレイの一部の回路図の説明図を含む。 共通電極を形成した後のワークピースの一部の断面図の説明図を含む。 導電性部材を共通電極上に形成した後の図２のワークピースの断面図の説明図を含む。 井戸構造を形成した後の図３のワークピースの断面図の説明図を含む。 有機層を井戸構造内の開口部間に形成した後の図４のワークピースの断面図の説明図を含む。 他の電極を形成した後の図５のワークピースの断面図の説明図を含む。 制御回路および露出コンダクタを含む他のワークピースの一部の断面図の説明図を含む。 シーリング材料および位置合わせマークを含む図６および７のワークピースの上面図の説明図を含む。 リフロー作業を実施する前の図６および７のワークピースの断面図の説明図を含む。 リフロー作業を実施した後の図９のワークピースの断面図の説明図を含む。 リフロー作業を実施し、封入層を形成した後の図６および７のワークピース断面図の説明図を含む。 保護層を形成した後の図５のワークピースの断面図の説明図を含む。 エッチング作業実施後の図１２のワークピースの断面図の説明図を含む。 電極および他の導電性部材を形成した後の図１３のワークピースの断面図の説明図を含む。 追加の導電性部材を形成した後の図１４のワークピースの断面図の説明図を含む。 エッチバック層を形成した後の図１５のワークピースの断面図の説明図を含む。 支持構造上に配設された導電性部材を露出させた後の図１６のワークピースの断面図の説明図を含む。 露出された導電性部材を除去した後の図１７のワークピースの断面図の説明図を含む。 エッチバック層の残留部分を除去した後の図１８のワークピースの断面図の説明図を含む。 リフロー作業を実施する前の例証的なワークピースの断面図の説明図を含む。 リフロー作業を実施した後の図２０の例証的なワークピースの断面図の説明図を含む。 リフロー電気接続を切断した後の図２１のワークピースの一部の上面図の説明図を含む。 結合された基板を含む電子素子の上面図の説明図を含む。 他の基板を除去した後のワークピースの１つの上面図の説明図を含む。 ピクセルアレイの異なる部位間での位置関係を図示するＡＭＯＬＥＤディスプレイのレイアウトの上面図の説明図を含む。

Claims (2)

1. 第１の電極および第１の有機層を含む第１の電子部品と、
   第１の電子部品に隣接して配設された支持構造と
   を含む第１のワークピースと、
   第１のコンダクタを含む第２のワークピースと、
   第１の電極および第１のコンダクタに直接に結合されている第１の導電性部材と
   を含み、
   第１の電極および第１のコンダクタの表面エネルギーは第１の導電性部材より低く、
   第１の電極および第１のコンダクタの間の電気接続が、第１の導電性部材のリフローにより形成されていることを特徴とする電子素子。
2. 第１の電極および第１の活性有機層を含む、放射線放射部品と、
   放射線放射部品に隣接して配設された支持構造と
   を含む第１のワークピースと、
   放射線放射部品を制御するための第１の制御回路であって、第１のコンダクタに電気的に接続された第１の制御回路を含むと共に、
   支持構造が第２のワークピースに接触し、または
   支持構造の上に配設された層が第２のワークピースに接触し、ここで、層が、第１の電極と同一の組成を有する
   第２のワークピースと、
   第１の電極および第１のコンダクタに直接に結合されている第１の導電性部材と
   を含み、
   第１の電極および第１のコンダクタの表面エネルギーは第１の導電性部材より低く、
   第１の電極および第１のコンダクタの間の電気接続が、第１の導電性部材のリフローにより形成されていることを特徴とする電子素子。

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