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JP5120551B2 - Substrate device and lighting device - Google Patents
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Description

本発明は、多層に形成された基板を有する基板装置およびこれを備えた照明装置に関する。   The present invention relates to a substrate device having a substrate formed in multiple layers and an illumination device including the substrate device.

従来、照明装置としては、互いに直列に接続した複数のLEDを備えたLED基板と、LEDを点灯させる点灯回路を備えた制御基板とを有するLED照明装置が知られている。このようなLED照明装置には、例えば点灯回路などの誤動作、あるいは故障などによりLEDが通電して異常動作した際に、所定の温度になると溶断してLEDへの通電を遮断することで回路を保護する温度ヒューズが設けられている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2007−305512号公報(第5−8頁、図2)
Conventionally, as an illumination device, an LED illumination device having an LED substrate including a plurality of LEDs connected in series to each other and a control substrate including a lighting circuit for lighting the LEDs is known. In such an LED lighting device, for example, when the LED is abnormally operated due to malfunction or failure of a lighting circuit or the like, the circuit is cut off by cutting off the power supply to the LED when a predetermined temperature is reached. A thermal fuse for protection is provided (see, for example, Patent Document 1).
JP 2007-305512 A (page 5-8, FIG. 2)

ところで、近年、照明装置全体の薄型に対応するために、LEDを実装したLED基板に、点灯回路を構成する電子部品などを埋め込んだものが用いられるようになってきている。   Incidentally, in recent years, in order to cope with the thinness of the entire lighting device, an LED substrate in which an LED is mounted and an electronic component constituting a lighting circuit is embedded has been used.

しかしながら、このようなLED基板は、複数の層を積層し、適宜温度処理などを施して形成するため、製造工程時において加熱が必要となる。このため、上記従来のような温度ヒューズは、製造時の加熱によって溶断するおそれがあり、埋込形の基板に用いることができないという問題点を有している。   However, since such an LED substrate is formed by laminating a plurality of layers and appropriately performing temperature treatment or the like, heating is required during the manufacturing process. For this reason, the above-described conventional thermal fuse may be blown by heating during manufacture, and has a problem that it cannot be used for an embedded substrate.

また、製造時の温度では溶断しないように可溶体の定格温度を設定した温度ヒューズを用いることも考えられるものの、この場合、回路異常などが発生した場合でも温度ヒューズが溶断しにくくなってしまい、信頼性の確保が容易でない。   In addition, although it is possible to use a thermal fuse that sets the rated temperature of the fusible body so that it does not melt at the temperature at the time of manufacture, in this case, even if a circuit abnormality etc. occurs, the thermal fuse becomes difficult to blow, It is not easy to ensure reliability.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、電子部品を多層基板に埋め込んだ構成に対応しつつ異常時に所定の回路を確実に遮断できる基板装置およびこれを備えた照明装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and provides a substrate device capable of reliably blocking a predetermined circuit in the event of an abnormality while corresponding to a configuration in which electronic components are embedded in a multilayer substrate, and an illumination device including the substrate device. For the purpose.

請求項1記載の基板装置は、絶縁物を主体とした複数の基板を多層に形成した多層基板と;この多層基板内の層間に埋め込まれていずれかの基板に配置され、異常動作により発熱する電子部品と;多層基板のいずれかの層でかつ前記電子部品が配置された基板とは異なる基板に配置され、少なくとも一部が電子部品に対向して形成され、この電子部品とともに所定の回路を形成し、電子部品の異常動作時の発熱により遮断される配線部と;を具備しているものである。 The substrate device according to claim 1 is a multilayer substrate in which a plurality of substrates mainly composed of an insulator are formed in multiple layers ; embedded in an interlayer between the multilayer substrates and disposed on any substrate, and generates heat due to abnormal operation An electronic component; disposed on any substrate of the multilayer substrate and different from the substrate on which the electronic component is disposed, and at least a part of the electronic component is formed facing the electronic component; And a wiring section that is formed and cut off by heat generated during abnormal operation of the electronic component.

多層基板は、例えば樹脂系やセラミック系などの絶縁物を主体とした多層基板などである。 The multilayer substrate is, for example, a multilayer substrate mainly composed of an insulating material such as resin or ceramic.

電子部品は、例えば抵抗、コンデンサ、あるいは所定のパワー素子などの半導体部品などを用いることができる。   As the electronic component, for example, a resistor, a capacitor, or a semiconductor component such as a predetermined power element can be used.

所定の回路とは、例えばLEDなどの光源を点灯させるための点灯回路などであるが、これに限定されるものではない。   The predetermined circuit is, for example, a lighting circuit for lighting a light source such as an LED, but is not limited thereto.

配線部は、例えば銅箔などの導電性を有する金属部材などによって層上に形成されている。   The wiring part is formed on the layer by a conductive metal member such as copper foil.

そして、電子部品の異常動作時の発熱によって遮断される配線部を多層基板のいずれかの層でかつ電子部品が配置された基板とは異なる基板少なくとも一部が電子部品に対向するように形成することで、電子部品を多層基板に埋め込んだ構成に対応しつつ、電子部品および配線部により形成された所定の回路が確実に遮断される。 Then, the substrate different from the one of the layers a and a substrate on which electronic components are disposed in the multilayer substrate wiring portion is blocked by the heat generation of the abnormal operation of the electronic component, so that at least a part is opposed to the electronic component By forming, the predetermined circuit formed by the electronic component and the wiring portion is surely cut off while corresponding to the configuration in which the electronic component is embedded in the multilayer substrate.

請求項2記載の基板装置は、請求項1記載の基板装置において、多層基板よりも熱膨張係数が大きく、この多層基板に埋め込まれて配置され、配線部が内部に形成されている熱膨張部材を具備しているものである。 The claim 2 substrate apparatus, wherein in the substrate according to claim 1, wherein a large coefficient of thermal expansion than the multilayer substrate is disposed embedded in the multilayer substrate, the thermal expansion member wiring portion formed therein It is equipped with.

そして、電子部品の異常動作時の発熱により熱膨張する熱膨張部材の内部に配線部を形成することで、電子部品および配線部により形成された所定の回路が、より確実に遮断される。   Then, by forming the wiring portion inside the thermal expansion member that thermally expands due to heat generated during abnormal operation of the electronic component, the predetermined circuit formed by the electronic component and the wiring portion is more reliably blocked.

請求項3記載の基板装置は、絶縁物を主体とした複数の基板を多層に形成した多層基板と;この多層基板内の層間に埋め込まれていずれかの基板に配置され、異常動作により発熱する電子部品と;多層基板よりも熱膨張係数が大きく、この多層基板に埋め込まれて配置された熱膨張部材と;この熱膨張部材の内部を貫通して多層基板のいずれかの層間を電気的に接続し、電子部品とともに所定の回路を形成し、かつ、電子部品の異常動作時の発熱による熱膨張部材の熱膨張により遮断される配線部と;を具備しているものである。 The substrate device according to claim 3 is a multilayer substrate in which a plurality of substrates mainly composed of an insulator are formed in multiple layers ; embedded in an interlayer in the multilayer substrate and disposed on any substrate, and generates heat due to abnormal operation electronic components and; high thermal expansion coefficient than the multilayer substrate, and the thermal expansion member disposed embedded in the multilayer substrate; electrically one of the layers of the multilayer board inside of the thermal expansion member through And a wiring part that forms a predetermined circuit together with the electronic component and is blocked by thermal expansion of the thermal expansion member due to heat generation during abnormal operation of the electronic component.

配線部は、例えば任意の層間を電気的に接続するビアホール、あるいは全ての層を電気的に接続するスルーホールなどである。   The wiring portion is, for example, a via hole that electrically connects arbitrary layers, or a through hole that electrically connects all layers.

そして、多層基板の電子部品が配置された基板とは異なるいずれかの層間を電気的に接続する配線部を、電子部品の異常動作時の発熱により熱膨張する熱膨張部材の内部に配置して、この熱膨張により配線部が遮断するように構成することで、電子部品を多層基板に埋め込んだ構成に対応しつつ、電子部品および配線部により形成された所定の回路が確実に遮断される。 Then, a wiring portion that electrically connects any one of the layers different from the substrate on which the electronic component of the multilayer board is arranged is disposed inside the thermal expansion member that thermally expands due to heat generated during abnormal operation of the electronic component. By configuring the wiring portion to be blocked by this thermal expansion, a predetermined circuit formed by the electronic component and the wiring portion can be reliably blocked while corresponding to a configuration in which the electronic component is embedded in the multilayer substrate.

請求項4記載の照明装置は、請求項1ないし3いずれか一記載の基板装置と;この基板装置の多層基板に実装され、所定の回路により点灯制御されるLEDと;を具備しているものである。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a lighting device comprising: the substrate device according to any one of the first to third aspects; and an LED mounted on a multilayer substrate of the substrate device and controlled to be lit by a predetermined circuit. It is.

そして、請求項1ないし3いずれか一記載の基板装置の多層基板にLEDを実装して、所定の回路によりこのLEDを点灯制御することで、全体を小型化しつつ高い信頼性が得られる。 Then, by mounting an LED on the multilayer substrate of the substrate device according to any one of claims 1 to 3 and controlling the lighting of the LED by a predetermined circuit, high reliability can be obtained while reducing the overall size.

請求項5記載の照明装置は、請求項4記載の照明装置において、LEDは、配線部に対向する位置を除く位置に配置されているものである。   The illuminating device according to claim 5 is the illuminating device according to claim 4, wherein the LED is disposed at a position excluding a position facing the wiring portion.

そして、LEDを、配線部に対向する位置を除く位置に配置することで、LEDからの発熱により配線部が誤ったタイミングで遮断されることが防止される。   And by arrange | positioning LED in the position except the position which opposes a wiring part, it is prevented that a wiring part is interrupted | blocked at the wrong timing by the heat_generation | fever from LED.

請求項1記載の基板装置によれば、電子部品の異常動作時の発熱によって遮断される配線部を多層基板のいずれかの層でかつ電子部品が配置された基板とは異なる基板少なくとも一部が電子部品に対向するように形成することで、電子部品を多層基板に埋め込んだ構成に対応しつつ、電子部品および配線部により形成された所定の回路を確実に遮断できる。 According to the substrate device of the first aspect , at least one wiring portion that is blocked by heat generated during abnormal operation of the electronic component is provided on any substrate of the multilayer substrate and different from the substrate on which the electronic component is disposed. By forming the portion so as to face the electronic component, it is possible to reliably block a predetermined circuit formed by the electronic component and the wiring portion while corresponding to a configuration in which the electronic component is embedded in the multilayer substrate.

請求項2記載の基板装置によれば、請求項1記載の基板装置効果に加えて、電子部品の異常動作時の発熱により熱膨張する熱膨張部材の内部に配線部を形成することで、電子部品および配線部により形成された所定の回路を、より確実に遮断できる。 According to the substrate device according to claim 2, in addition to the effect of the substrate device according to claim 1, by forming the wiring portion inside the thermal expansion member that thermally expands due to heat generated during abnormal operation of the electronic component, The predetermined circuit formed by the electronic component and the wiring part can be blocked more reliably.

請求項3記載の基板装置によれば、多層基板のいずれかの層間を電気的に接続する配線部を、電子部品の異常動作時の発熱により熱膨張する熱膨張部材の内部に配置して、この熱膨張により配線部が遮断するように構成することで、電子部品を多層基板に埋め込んだ構成に対応しつつ、電子部品および配線部により形成された所定の回路を確実に遮断できる。 According to the substrate device of claim 3, the wiring part that electrically connects any one of the layers of the multilayer substrate is disposed inside the thermal expansion member that thermally expands due to heat generated during abnormal operation of the electronic component, By configuring the wiring portion to be blocked by this thermal expansion, it is possible to reliably block a predetermined circuit formed by the electronic component and the wiring portion, while corresponding to a configuration in which the electronic component is embedded in the multilayer substrate.

請求項4記載の照明装置によれば、請求項1ないし3いずれか一記載の基板装置の多層基板にLEDを実装して、所定の回路によりこのLEDを点灯制御することで、全体を小型化しつつ高い信頼性を得ることができる。 According to the lighting device of the fourth aspect, the LED is mounted on the multilayer substrate of the board device according to any one of the first to third aspects, and the lighting of the LED is controlled by a predetermined circuit, whereby the whole is downsized. High reliability can be obtained.

請求項5記載の照明装置によれば、請求項4記載の照明装置の効果に加えて、LEDを、配線部に対向する位置を除く位置に配置することで、LEDからの発熱により配線部が誤ったタイミングで遮断されることを防止できる。   According to the illuminating device of claim 5, in addition to the effect of the illuminating device according to claim 4, by arranging the LED at a position other than the position facing the wiring portion, the wiring portion is caused by heat generated from the LED. It is possible to prevent being blocked at an incorrect timing.

以下、本発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1ないし図5に第1の実施の形態を示し、図1は基板装置の要部の説明断面図、図2は基板装置の要部の斜視図、図3は基板装置を備えた照明装置の回路図、図4は基板装置の平面図、図5は照明装置の側面図である。   1 to 5 show a first embodiment, FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view of the main part of the substrate device, FIG. 2 is a perspective view of the main part of the substrate device, and FIG. 3 is an illumination device provided with the substrate device. FIG. 4 is a plan view of the substrate device, and FIG. 5 is a side view of the lighting device.

図5において、11は照明装置としてのLED照明装置である電球形のLEDランプであり、このLEDランプ11は、基板装置としての発光装置12と、この発光装置12を支持する支持部13と、発光装置12を覆って支持部13に取り付けられるグローブであるカバー14とを備えている。   In FIG. 5, reference numeral 11 denotes a light bulb-shaped LED lamp that is an LED lighting device as a lighting device. The LED lamp 11 includes a light emitting device 12 as a substrate device, a support portion 13 that supports the light emitting device 12, A cover 14 that is a glove that covers the light emitting device 12 and is attached to the support portion 13 is provided.

発光装置12は、図1ないし図4に示すように、基板21と、この基板21に実装された複数のLED22とを有している。   As shown in FIGS. 1 to 4, the light emitting device 12 includes a substrate 21 and a plurality of LEDs 22 mounted on the substrate 21.

基板21は、ビルドアップ法により製造された多層基板であり、複数、例えば4つのコア25,26,27,28と、コア25,26間、コア26,27間、および、コア27,28間にそれぞれ形成された絶縁層であるエポキシ層32,33,34とを有している。また、図示しないが、コア25〜28には、これらコア25〜28のいずれかの間を電気的に接続する多数のビアホールが形成されている。   The substrate 21 is a multilayer substrate manufactured by the build-up method, and a plurality of, for example, four cores 25, 26, 27, 28, between the cores 25, 26, between the cores 26, 27, and between the cores 27, 28 And epoxy layers 32, 33, and 34, which are insulating layers, respectively. Although not shown, the cores 25 to 28 are formed with a large number of via holes that electrically connect any one of the cores 25 to 28.

コア25〜28は、それぞれ絶縁材製の多層樹脂基板であり、例えば平面視で円形状に形成されている。また、コア25,26,28は略等しい厚みに形成されているとともに、コア27は、コア25,26,28よりも厚みが大きく形成されている。   Each of the cores 25 to 28 is a multilayer resin substrate made of an insulating material, and is formed in a circular shape in a plan view, for example. The cores 25, 26, and 28 are formed to have substantially the same thickness, and the core 27 is formed to be thicker than the cores 25, 26, and 28.

第1のコア25は、LED実装層とも呼び得るもので、基板21の正面を形成しており、正面側の主面である表面に、所定のパターンで設けられた配線部本体としての配線パターン37を備えている。また、この第1のコア25は、その表面でのLED22の光反射性能を得るために、白色の樹脂で形成することが好ましい。   The first core 25 can also be referred to as an LED mounting layer, forms the front surface of the substrate 21, and is a wiring pattern as a wiring section body provided in a predetermined pattern on the surface that is the main surface on the front side. 37. The first core 25 is preferably formed of a white resin in order to obtain the light reflection performance of the LED 22 on the surface.

配線パターン37は、例えば銅箔により、第1のコア25の表面側に形成されている。また、この配線パターン37は、LED22のそれぞれに対応してパターン形成され、これらLED22が表面側に実装されてこれらLED22と電気的に接続されている。   The wiring pattern 37 is formed on the surface side of the first core 25 by, for example, copper foil. Further, the wiring pattern 37 is formed in a pattern corresponding to each of the LEDs 22, and these LEDs 22 are mounted on the surface side and are electrically connected to these LEDs 22.

第2のコア26は、配線層とも呼び得るもので、第1のエポキシ層32を介して第1のコア25に対して絶縁されている。この第2のコア26の正面側の主面には、配線部本体としての配線パターン39が、例えば銅箔などにより形成されている。   The second core 26 can also be called a wiring layer, and is insulated from the first core 25 via the first epoxy layer 32. On the main surface on the front side of the second core 26, a wiring pattern 39 as a wiring section body is formed of, for example, copper foil.

第3のコア27は、回路実装層とも呼び得るもので、第2のエポキシ層33を介して第2のコア26に対して絶縁されている。所定のパターンで設けられた配線パターン41を表面側に備え、これら配線パターン41に、電子部品42がそれぞれ実装されている。また、第3のコア27の背面側には、所定のパターンで設けられた配線パターン43が形成されており、これら配線パターン41,43および電子部品42と配線パターン37,39などとによって、LED22を点灯制御する所定の回路である点灯回路44が形成されている。   The third core 27 can also be called a circuit mounting layer, and is insulated from the second core 26 through the second epoxy layer 33. Wiring patterns 41 provided in a predetermined pattern are provided on the surface side, and electronic components 42 are mounted on these wiring patterns 41, respectively. Further, a wiring pattern 43 provided in a predetermined pattern is formed on the back side of the third core 27, and the LED 22 is formed by the wiring patterns 41 and 43, the electronic component 42, the wiring patterns 37 and 39, and the like. A lighting circuit 44, which is a predetermined circuit for controlling the lighting, is formed.

配線パターン41は、例えば銅箔などにより、第3のコア27の表面側に形成されている。   The wiring pattern 41 is formed on the surface side of the third core 27 by using, for example, copper foil.

電子部品42は、例えば抵抗、コンデンサ、あるいは半導体素子などであり、第2のエポキシ層33内に埋め込まれている。   The electronic component 42 is, for example, a resistor, a capacitor, or a semiconductor element, and is embedded in the second epoxy layer 33.

ここで、点灯回路44は、図3に示すように、商用交流電源eに対してノイズカット用の電子部品42であるコンデンサCを介して電子部品42である全波整流素子としてのブリッジダイオードなどの整流素子RECの入力端子が接続され、この整流素子RECの出力端子間には、直列に接続されたLED22と、低圧側のLED22のカソードにコレクタが接続された電子部品42であるスイッチング素子としてのNPN型のトランジスタQと、このトランジスタQのエミッタに接続されトランジスタQとともに電流制限手段をなす電子部品42である抵抗Rとが順次接続されている。そして、トランジスタQのベースには、図示しない所定のバイアス回路が接続されているとともに、商用交流電源eとコンデンサCとの間の配線パターン39の一部が、トランジスタQの近傍、本実施の形態では直上の位置に形成されている。   Here, as shown in FIG. 3, the lighting circuit 44 is a bridge diode as a full-wave rectifying element that is the electronic component 42 via the capacitor C that is the electronic component 42 for noise reduction with respect to the commercial AC power source e. As a switching element that is an electronic component 42 in which a collector is connected to the cathode of the LED 22 connected in series and the LED 22 on the low-voltage side, between the output terminals of the rectifying element REC. The NPN transistor Q and a resistor R which is an electronic component 42 which is connected to the emitter of the transistor Q and forms current limiting means together with the transistor Q are sequentially connected. A predetermined bias circuit (not shown) is connected to the base of the transistor Q, and a part of the wiring pattern 39 between the commercial AC power source e and the capacitor C is in the vicinity of the transistor Q. Then, it is formed at a position immediately above.

すなわち、配線パターン39には、図1および図2に示すように、異常動作時に発熱するトランジスタQの直上(直下)の位置に、他の部分よりも薄膜状でかつ幅狭に形成された配線部としての配線パターンである遮断部45が形成されている。すなわち、この遮断部45は、少なくとも一部、本実施の形態では全体がトランジスタQに対向して形成されている。換言すれば、遮断部45全体がトランジスタQの幅寸法以下の長さを有し、平面視でトランジスタQの外郭よりも中心側の位置に形成されている。そして、この遮断部45は、異常動作時のトランジスタQの発熱により導通が切れることで、点灯回路44の動作を終息させるための安全装置となっている。さらに、この遮断部45は、LED22と対向しない位置、すなわちLED22を避ける位置、好ましくはLED22からの発熱による影響がない位置に配置されている。   That is, in the wiring pattern 39, as shown in FIG. 1 and FIG. 2, a wiring formed in a thin film shape and narrower than other portions at a position immediately above (directly below) the transistor Q that generates heat during abnormal operation. A blocking portion 45, which is a wiring pattern as a portion, is formed. In other words, at least a part of the blocking portion 45 is formed to face the transistor Q in the present embodiment. In other words, the entire blocking portion 45 has a length equal to or smaller than the width dimension of the transistor Q, and is formed at a position closer to the center than the outline of the transistor Q in plan view. And this interruption | blocking part 45 is a safety device for terminating operation | movement of the lighting circuit 44 by cut | disconnecting conduction | electrical_connection by the heat_generation | fever of the transistor Q at the time of abnormal operation. Further, the blocking portion 45 is disposed at a position not facing the LED 22, that is, a position avoiding the LED 22, preferably a position where there is no influence due to heat generated from the LED 22.

なお、遮断部45は、遮断されることによって点灯回路44を終息させる部分であれば、配線パターン39だけでなく、配線パターン37,41などの、異常動作時に発熱する電子部品42の近傍の位置に設けてもよく、複数箇所に設けてもよい。また、この遮断部45を形成する位置は、少なくとも一部がトランジスタQに対向する位置、すなわちトランジスタQの外形を垂直方向あるいは水平方向に延長した面と交差する位置、あるいはこれら面により区画される領域内であればよい。   In addition, if the interruption | blocking part 45 is a part which terminates the lighting circuit 44 by interrupting | blocking, not only the wiring pattern 39 but the position of the vicinity of the electronic components 42 which generate | occur | produce heat | fever at the time of abnormal operation, such as the wiring patterns 37 and 41 It may be provided in a plurality of places. Further, the position where the blocking portion 45 is formed is defined by at least a portion facing the transistor Q, that is, a position intersecting with a surface extending the outer shape of the transistor Q in the vertical direction or the horizontal direction, or these surfaces. It only needs to be within the area.

第4のコア28は、基板21の背面を形成しており、第3のエポキシ層34を介して第3のコア27に対して絶縁され、銅箔などにより形成された導熱層47により覆われている。この導熱層47は、各種電子部品42などから発生した熱を、図示しない放熱部へと導くものである。   The fourth core 28 forms the back surface of the substrate 21, is insulated from the third core 27 through the third epoxy layer 34, and is covered with a heat conductive layer 47 formed of copper foil or the like. ing. The heat conducting layer 47 guides heat generated from various electronic components 42 to a heat radiating unit (not shown).

また、LED22は、例えば青色の光を発する青色LEDチップと、この青色LEDチップを覆う樹脂部とを備えている。そして、この樹脂部内には、青色LEDチップが発する青色光の一部により励起されて青色の補色である黄色の光を主として放射する蛍光体が混入されており、各LED22が白色系の照明光を得られるように構成されている。   The LED 22 includes a blue LED chip that emits blue light, for example, and a resin portion that covers the blue LED chip. And in this resin part, the fluorescent substance which mainly radiates | emits the yellow light which is a blue complementary color excited by a part of blue light which a blue LED chip | tip emits is mixed, and each LED22 is white-type illumination light. It is configured to obtain.

また、図4に示すように、支持部13は、LED22などから発生する熱を放熱する放熱部材51に、絶縁部材52を介して口金53が接続されて構成されている。   Further, as shown in FIG. 4, the support portion 13 is configured by connecting a base 53 via an insulating member 52 to a heat radiating member 51 that radiates heat generated from the LED 22 or the like.

放熱部材51は、例えばアルミニウムなどの熱伝導性に優れた部材により形成されている。また、この放熱部材51の内部には、点灯回路44側と口金53側とを電気的に接続する図示しない配線を挿通する挿通孔が設けられている。   The heat dissipating member 51 is formed of a member having excellent thermal conductivity such as aluminum. Further, an insertion hole for inserting a wiring (not shown) for electrically connecting the lighting circuit 44 side and the base 53 side is provided inside the heat radiating member 51.

口金53は、図示しないソケットにねじ込まれることで商用交流電源e(図3)に対して電気的に接続される。   The base 53 is electrically connected to a commercial AC power source e (FIG. 3) by being screwed into a socket (not shown).

カバー14は、透光性を有し、放熱部材51に対して螺合されて固定されている。   The cover 14 has translucency and is fixed by being screwed to the heat radiating member 51.

次に、上記第1の実施の形態の作用を説明する。   Next, the operation of the first embodiment will be described.

LEDランプ11は、口金53をソケットなどにねじ込んだ状態で、商用交流電源eから給電され、整流素子RECにより整流されてLED22に電圧が印加され、トランジスタQがオンされて、電圧がLED22の順方向電圧を越えた状態でLED22に所定の電流が流れ、LED22が点灯する。   The LED lamp 11 is supplied with power from a commercial AC power source e with the base 53 screwed into a socket or the like, rectified by the rectifier element REC, applied with a voltage to the LED 22, the transistor Q is turned on, and the voltage is in the order of the LED 22. A predetermined current flows through the LED 22 in a state where the directional voltage is exceeded, and the LED 22 lights up.

ここで、例えばLED22が短絡した場合など、点灯回路44が異常動作をすると、トランジスタQに定格以上の過大な電流が流れ、トランジスタQが異常発熱する。   Here, when the lighting circuit 44 operates abnormally, for example, when the LED 22 is short-circuited, an excessive current exceeding the rating flows in the transistor Q, and the transistor Q abnormally generates heat.

そして、このトランジスタQの異常発熱により、基板21のコア25〜28およびエポキシ層32〜34などが基板21の厚み方向などに剥がれるように熱膨張することで、配線パターン39の遮断部45が遮断され、点灯回路44が停止する。   Then, due to the abnormal heat generation of the transistor Q, the cores 25 to 28 and the epoxy layers 32 to 34 of the substrate 21 are thermally expanded so as to be peeled off in the thickness direction of the substrate 21, etc., thereby blocking the blocking portion 45 of the wiring pattern 39. Then, the lighting circuit 44 is stopped.

以上のように、本実施の形態では、電子部品42のトランジスタQの異常動作時の発熱によって遮断される遮断部45を基板21内のコア26に少なくとも一部をトランジスタQに対向させて形成する構成とした。   As described above, in the present embodiment, the blocking part 45 that is blocked by heat generated during the abnormal operation of the transistor Q of the electronic component 42 is formed at least partially facing the transistor Q in the core 26 in the substrate 21. The configuration.

このため、電子部品42を基板21に埋め込んだ埋め込み形の構成に対応しつつ、電子部品42(トランジスタQ)および遮断部45などにより形成された点灯回路44を確実に遮断でき、電子部品42などが異常な発熱を継続してLEDランプ11の各部に好ましくない影響を与えることを防止できる。   Therefore, the lighting circuit 44 formed by the electronic component 42 (transistor Q) and the blocking portion 45 can be surely cut off while corresponding to the embedded configuration in which the electronic component 42 is buried in the substrate 21. However, it is possible to prevent the abnormal heat generation from continuing to have an undesirable effect on each part of the LED lamp 11.

また、遮断部45は、点灯回路44を構成する要素自体であり、トランジスタQの近傍に配置するだけで温度によって回路を遮断する構成を容易に構成でき、温度ヒューズなどの遮断手段を別途設ける必要がないので、小型化および低コスト化が可能になる。   In addition, the shut-off unit 45 is an element constituting the lighting circuit 44, and can be easily configured to shut off the circuit by temperature only by being arranged in the vicinity of the transistor Q, and it is necessary to separately provide a shut-off means such as a thermal fuse. Therefore, it is possible to reduce the size and cost.

さらに、LED22を、遮断部45に対向する位置を除く位置に配置することで、LED22からの発熱の遮断部45への影響を抑制し、例えば通常動作時などのLED22からの発熱により遮断部45が誤ったタイミングで遮断されることを防止できる。   Furthermore, by disposing the LED 22 at a position other than the position facing the blocking unit 45, the influence of heat generated from the LED 22 on the blocking unit 45 is suppressed. For example, the blocking unit 45 is generated by heat generated from the LED 22 during normal operation. Can be prevented from being cut off at the wrong timing.

そして、上記発光装置12の基板21にLED22を実装して、電子部品42および遮断部45などにより構成される点灯回路44によってこのLED22を点灯制御することで、LEDランプ11の全体を小型化しつつ高い信頼性を得ることができる。   Then, the LED 22 is mounted on the substrate 21 of the light emitting device 12, and the lighting of the LED 22 is controlled by the lighting circuit 44 including the electronic component 42 and the blocking unit 45. High reliability can be obtained.

次に、図6および図7に第2の実施の形態を示し、図6は基板装置の要部の説明断面図、図7は基板装置の要部の斜視図である。なお、上記第1の実施の形態と同様の構成および作用については、同一符号を付してその説明を省略する。   Next, FIG. 6 and FIG. 7 show a second embodiment, FIG. 6 is an explanatory cross-sectional view of the main part of the substrate device, and FIG. 7 is a perspective view of the main part of the substrate device. In addition, about the structure and effect | action similar to the said 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.

この第2の実施の形態は、上記第1の実施の形態において、配線パターン39の遮断部45が、基板21のコア25〜28およびエポキシ層32〜34などよりも熱膨張係数が大きく基板21に埋め込まれた熱膨張部材55中に形成されているものである。   In the second embodiment, in the first embodiment, the blocking portion 45 of the wiring pattern 39 has a larger thermal expansion coefficient than the cores 25 to 28 and the epoxy layers 32 to 34 of the substrate 21. It is formed in the thermal expansion member 55 embedded in.

すなわち、熱膨張部材55は、略直方体状に形成され、例えばトランジスタQの直上(直下)、すなわちトランジスタQと対向する位置に形成されている。また、この熱膨張部材55は、例えばトランジスタQと略等しい幅寸法に形成され、遮断部45の少なくとも一部がトランジスタQに対向する位置となっている。   That is, the thermal expansion member 55 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape, and is formed, for example, directly above (directly below) the transistor Q, that is, at a position facing the transistor Q. In addition, the thermal expansion member 55 is formed to have a width dimension substantially equal to that of the transistor Q, for example, and at least a part of the blocking part 45 is located at a position facing the transistor Q.

そして、例えばLED22が短絡した場合、あるいは抵抗Rが破損した場合など、点灯回路44が異常動作をすると、トランジスタQに定格以上の過大な電流が流れ、トランジスタQが異常発熱して、熱膨張部材55が基板21のコア25〜28およびエポキシ層32〜34などよりも基板21の厚み方向などへと比較的大きく熱膨張することで、熱膨張部材55の内部に位置する配線パターン39の遮断部45が遮断され、点灯回路44が停止する。   When the lighting circuit 44 operates abnormally, for example, when the LED 22 is short-circuited or the resistor R is broken, an excessive current exceeding the rating flows to the transistor Q, the transistor Q abnormally generates heat, and the thermal expansion member 55 is relatively larger than the cores 25 to 28 and epoxy layers 32 to 34 of the substrate 21 in the thickness direction of the substrate 21 and the like, so that the blocking portion of the wiring pattern 39 located inside the thermal expansion member 55 45 is shut off and the lighting circuit 44 is stopped.

このように、基板21のコア26上に形成した配線パターン39の遮断部45を、トランジスタQの異常動作時の発熱により熱膨張する熱膨張部材55の内部に配置して、この熱膨張により遮断部45が遮断するように構成することで、電子部品42を基板21に埋め込んだ埋め込み形の構成に対応しつつ、電子部品42および配線パターン39などにより形成された点灯回路44を確実に遮断でき、電子部品42などが異常な発熱を継続してLEDランプ11の各部に好ましくない影響を与えることを防止できるなど、上記第1の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。   In this way, the blocking portion 45 of the wiring pattern 39 formed on the core 26 of the substrate 21 is disposed inside the thermal expansion member 55 that thermally expands due to heat generated during the abnormal operation of the transistor Q, and is blocked by this thermal expansion. By configuring so that the part 45 is blocked, the lighting circuit 44 formed by the electronic component 42 and the wiring pattern 39 can be reliably blocked while corresponding to the embedded configuration in which the electronic component 42 is embedded in the substrate 21. In addition, it is possible to prevent the electronic component 42 and the like from continuing to generate abnormal heat and to have an unfavorable influence on each part of the LED lamp 11, and to achieve the same operational effects as the first embodiment.

しかも、基板21よりも熱膨張係数が大きい熱膨張部材55中に遮断部45を配置することで、トランジスタQの異常発熱によって遮断部45をより確実に遮断することが可能になる。   In addition, by disposing the blocking portion 45 in the thermal expansion member 55 having a larger thermal expansion coefficient than that of the substrate 21, it is possible to more reliably block the blocking portion 45 due to abnormal heat generation of the transistor Q.

次に、図8および図9に第3の実施の形態を示し、図8は基板装置の要部の説明断面図、図9は基板装置の要部の斜視図である。なお、上記各実施の形態と同様の構成および作用については、同一符号を付してその説明を省略する。   Next, FIG. 8 and FIG. 9 show a third embodiment, FIG. 8 is an explanatory cross-sectional view of the main part of the substrate device, and FIG. 9 is a perspective view of the main part of the substrate device. In addition, about the structure and effect | action similar to said each embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.

この第3の実施の形態は、上記第1の実施の形態において、配線パターン39と配線パターン41とを接続する配線部としてのビアホール58が電子部品42であるトランジスタQの近傍、例えば側方、すなわちトランジスタQに対向する位置に略円柱状に形成されているものである。   In the third embodiment, in the first embodiment, a via hole 58 as a wiring portion that connects the wiring pattern 39 and the wiring pattern 41 is in the vicinity of the transistor Q in which the electronic component 42 is located, for example, on the side, That is, it is formed in a substantially cylindrical shape at a position facing the transistor Q.

このビアホール58は、コア26およびコア27を厚み方向に貫通するように例えば銅箔などの導電部材により形成され、基板21のコア25〜28およびエポキシ層32〜34などよりも熱膨張係数が大きく基板21に埋め込まれた熱膨張部材59中に形成されている。したがって、このビアホール58は、少なくとも一部がトランジスタQの側方に対向する位置となっている。   The via hole 58 is formed of a conductive member such as a copper foil so as to penetrate the core 26 and the core 27 in the thickness direction, and has a larger thermal expansion coefficient than the cores 25 to 28 and the epoxy layers 32 to 34 of the substrate 21. It is formed in a thermal expansion member 59 embedded in the substrate 21. Accordingly, at least a part of the via hole 58 faces the side of the transistor Q.

そして、例えばLED22が短絡した場合など、点灯回路44が異常動作をすると、トランジスタQに定格以上の過大な電流が流れ、トランジスタQが異常発熱して、熱膨張部材59が基板21のコア25〜28およびエポキシ層32〜34などよりも基板21の厚み方向などへと比較的大きく熱膨張することで、熱膨張部材55の内部に位置するビアホール58が遮断され、点灯回路44が停止する。   When the lighting circuit 44 operates abnormally, for example, when the LED 22 is short-circuited, an excessive current exceeding the rated value flows in the transistor Q, the transistor Q abnormally generates heat, and the thermal expansion member 59 becomes the core 25 to 25 of the substrate 21. The thermal expansion is relatively larger in the thickness direction of the substrate 21 than 28 and the epoxy layers 32 to 34, etc., whereby the via hole 58 located inside the thermal expansion member 55 is blocked and the lighting circuit 44 is stopped.

このように、基板21のコア26,27間を電気的に接続するビアホール58を、トランジスタQの異常動作時の発熱により熱膨張する熱膨張部材59の内部に配置して、この熱膨張によりビアホール58が遮断するように構成することで、電子部品42を基板21に埋め込んだ埋め込み形の構成に対応しつつ、電子部品42およびビアホール58などにより形成された点灯回路44を確実に遮断できる。   In this manner, the via hole 58 that electrically connects the cores 26 and 27 of the substrate 21 is disposed inside the thermal expansion member 59 that thermally expands due to heat generated during the abnormal operation of the transistor Q, and the via hole is formed by this thermal expansion. By configuring so that 58 cuts off, it is possible to reliably cut off the lighting circuit 44 formed by the electronic component 42, the via hole 58, and the like while corresponding to the embedded configuration in which the electronic component 42 is buried in the substrate 21.

しかも、基板21よりも熱膨張係数が大きい熱膨張部材59中にビアホール58を配置することで、トランジスタQの異常発熱によってビアホール58をより確実に遮断することが可能になる。   In addition, by disposing the via hole 58 in the thermal expansion member 59 having a larger thermal expansion coefficient than that of the substrate 21, it becomes possible to more reliably block the via hole 58 due to abnormal heat generation of the transistor Q.

なお、上記各実施の形態において、各配線部は回路の異常動作時に発熱する電子部品の熱によって遮断する位置であれば、その電子部品の直上、直下などだけでなく、任意の対向位置に設けることが可能である。   In each of the above embodiments, each wiring portion is provided at an arbitrary facing position as well as immediately above and immediately below the electronic component as long as it is a position that is blocked by the heat of the electronic component that generates heat during abnormal operation of the circuit. It is possible.

また、遮断部45およびビアホール58などは、LED22からの熱の影響が少ない場合には、LED22に対向する位置に配置してもよい。   Further, the blocking portion 45, the via hole 58, and the like may be arranged at a position facing the LED 22 when the influence of heat from the LED 22 is small.

さらに、異常動作時に発熱する電子部品は、トランジスタQだけでなく、他の任意のものとしてもよい。   Furthermore, the electronic component that generates heat during an abnormal operation may be other than the transistor Q.

そして、基板装置を、LED22を点灯制御する点灯回路44を備えた発光装置12としたが、所定の回路を形成する埋め込み形の基板装置であれば、任意のものに対応することが可能である。   The substrate device is the light emitting device 12 including the lighting circuit 44 that controls the lighting of the LEDs 22. However, any substrate device can be used as long as it is an embedded substrate device that forms a predetermined circuit. .

本発明の第1の実施の形態を示す基板装置の要部の説明断面図である。It is explanatory sectional drawing of the principal part of the board | substrate apparatus which shows the 1st Embodiment of this invention. 同上基板装置の要部の斜視図である。It is a perspective view of the principal part of a substrate apparatus same as the above. 同上基板装置を備えた照明装置の回路図である。It is a circuit diagram of the illuminating device provided with the board | substrate apparatus same as the above. 同上基板装置の平面図である。It is a top view of a substrate apparatus same as the above. 同上照明装置の側面図である。It is a side view of an illuminating device same as the above. 本発明の第2の実施の形態を示す基板装置の要部の説明断面図である。It is explanatory drawing sectional drawing of the principal part of the board | substrate apparatus which shows the 2nd Embodiment of this invention. 同上基板装置の要部の斜視図である。It is a perspective view of the principal part of a substrate apparatus same as the above. 本発明の第3の実施の形態を示す基板装置の要部の説明断面図である。It is explanatory sectional drawing of the principal part of the board | substrate apparatus which shows the 3rd Embodiment of this invention. 同上基板装置の要部の斜視図である。It is a perspective view of the principal part of a substrate apparatus same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

11 照明装置としてのLEDランプ
12 基板装置としての発光装置
21 多層基板である基板
22 LED
25〜28 基板であるコア
44 所定の回路としての点灯回路
45 配線部としての遮断部
55,59 熱膨張部材
58 配線部としてのビアホール
Q 電子部品であるトランジスタ
11 LED lamps as lighting devices
12 Light-emitting device as a substrate device
Substrate that is 21 multilayer substrate
22 LED
Core that is 25-28 substrates
44 Lighting circuit as a predetermined circuit
45 Blocking section as wiring section
55, 59 Thermal expansion member
58 Via hole as wiring part Q Transistor as electronic component

Claims (5)

絶縁物を主体とした複数の基板を多層に形成した多層基板と;
この多層基板内の層間に埋め込まれていずれかの基板に配置され、異常動作により発熱する電子部品と;
多層基板のいずれかの層でかつ前記電子部品が配置された基板とは異なる基板に配置され、少なくとも一部が電子部品に対向して形成され、この電子部品とともに所定の回路を形成し、電子部品の異常動作時の発熱により遮断される配線部と;
を具備していることを特徴とする基板装置。
A multilayer substrate having a plurality of substrates mainly composed of insulating material in a multilayer;
An electronic component that is embedded between layers in the multilayer substrate and disposed on any substrate and generates heat due to abnormal operation;
Arranged on any layer of the multilayer substrate and different from the substrate on which the electronic component is disposed, at least part of the electronic component is formed facing the electronic component, and a predetermined circuit is formed with the electronic component. Wiring parts that are blocked by heat generated during abnormal operation of the parts;
A substrate apparatus comprising:
多層基板よりも熱膨張係数が大きく、この多層基板に埋め込まれて配置され、配線部が内部に形成されている熱膨張部材
を具備していることを特徴とする請求項1記載の基板装置。
High thermal expansion coefficient than the multilayer substrate, this is arranged embedded in a multilayer substrate, a substrate device according to claim 1, wherein the wiring portion is characterized in that it comprises a thermal expansion member formed therein.
絶縁物を主体とした複数の基板を多層に形成した多層基板と;
この多層基板内の層間に埋め込まれていずれかの基板に配置され、異常動作により発熱する電子部品と;
多層基板よりも熱膨張係数が大きく、この多層基板に埋め込まれて配置された熱膨張部材と;
この熱膨張部材の内部を貫通して多層基板のいずれかの層間を電気的に接続し、電子部品とともに所定の回路を形成し、かつ、電子部品の異常動作時の発熱による熱膨張部材の熱膨張により遮断される配線部と;
を具備していることを特徴とする基板装置。
A multilayer substrate having a plurality of substrates mainly composed of insulating material in a multilayer;
An electronic component that is embedded between layers in the multilayer substrate and disposed on any substrate and generates heat due to abnormal operation;
High thermal expansion coefficient than the multilayer substrate, and the thermal expansion member disposed embedded in the multilayer substrate;
Through the inside of the thermal expansion member, one of the layers of the multilayer board is electrically connected to form a predetermined circuit together with the electronic component, and the heat of the thermal expansion member due to heat generation during abnormal operation of the electronic component A wiring section that is blocked by expansion;
A substrate apparatus comprising:
請求項1ないし3いずれか一記載の基板装置と;
この基板装置の多層基板に実装され、所定の回路により点灯制御されるLEDと;
を具備していることを特徴とする照明装置。
A substrate apparatus according to any one of claims 1 to 3;
An LED mounted on a multilayer substrate of the substrate device and controlled to be lit by a predetermined circuit;
An illumination device comprising:
LEDは、配線部に対向する位置を除く位置に配置されている
ことを特徴とする請求項4記載の照明装置。
LED is arrange | positioned in the position except the position which opposes a wiring part. The illuminating device of Claim 4 characterized by the above-mentioned.
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