JP5120614B2 - Semiconductor test equipment - Google Patents
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Description
本発明は、半導体テスト装置に関し、詳しくは、半導体の量産現場における半導体テスト装置に対する自動校正実行による半導体テスト装置のオーバーヘッド削減に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor test apparatus, and more particularly to reduction of the overhead of the semiconductor test apparatus by performing automatic calibration on the semiconductor test apparatus in a semiconductor mass production site.
半導体テスト装置では、測定対象半導体(以下DUTという)に対するテスト実行部の測定精度を維持するために、テスト実行部に対して、安定した測定動作を保証する所定の周期で自動校正を行うとともに、テスト実行部内部の温度変化が一定値を超えた場合にも自動校正が行われている。 In the semiconductor test apparatus, in order to maintain the measurement accuracy of the test execution unit for the semiconductor to be measured (hereinafter referred to as DUT), the test execution unit is automatically calibrated at a predetermined period to guarantee a stable measurement operation, Automatic calibration is also performed when the temperature change inside the test execution unit exceeds a certain value.
ところで、このようなテスト実行部の自動校正は、半導体テスト装置の測定精度を維持するためには不可欠であるものの、半導体量産現場における半導体テスト装置の稼働率を管理する立場から見ると、図6に示すように実行中の量産テストを中断して自動校正を行うことから、オーバーヘッドになってしまう。 By the way, although such automatic calibration of the test execution unit is indispensable for maintaining the measurement accuracy of the semiconductor test apparatus, from the standpoint of managing the operation rate of the semiconductor test apparatus in the semiconductor mass production site, FIG. As shown in Fig. 2, the ongoing mass production test is interrupted and automatic calibration is performed, resulting in overhead.
また、半導体量産現場における半導体テスト装置のその他のオーバーヘッド要因としては、図7に示すように、テストが完了したDUTであるウェハの交換やロットの交換もある。 Further, as other overhead factors of the semiconductor test apparatus in the semiconductor mass production site, as shown in FIG. 7, there are exchange of wafers and lots which are DUTs for which testing has been completed.
特許文献1には半導体テスト装置における校正装置の構成が記載されている。 Patent Document 1 describes the configuration of a calibration apparatus in a semiconductor test apparatus.
これらの結果、半導体量産現場における半導体テスト装置のオーバーヘッド時間は、図8に示すように、校正時間とウェハ交換時間やロット交換時間を加算したものになり、半導体テスト装置の実働稼動時間に占めるオーバーヘッド時間の割合は比較的高くなって、半導体テスト装置の稼働時間に対してDUTのテストを行うための稼働率を低下させる阻害要因となる。 As a result, as shown in FIG. 8, the overhead time of the semiconductor test apparatus in the semiconductor mass production site is the sum of the calibration time, the wafer exchange time, and the lot exchange time, and the overhead occupying the actual operation time of the semiconductor test apparatus. The ratio of time becomes relatively high, which becomes an impediment to lowering the operating rate for testing the DUT with respect to the operating time of the semiconductor test apparatus.
本発明は、このような課題を解決するものであり、その目的は、自動校正に起因するオーバーヘッド時間の割合を低下させてDUTのテストを行うための稼働率を改善できる半導体テスト装置を実現することにある。 The present invention solves such a problem, and an object of the present invention is to realize a semiconductor test apparatus capable of improving the operating rate for performing the DUT test by reducing the overhead time ratio caused by the automatic calibration. There is.
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
安定した測定動作を保証する所定の周期でテスト実行部の自動校正を行う半導体テスト装置において、
前記自動校正は、自動校正以外のオーバーヘッド要因と並行に行い、前記テスト実行部を構成する測定ブロックを周期的な校正を必要とする機能別の複数グループに分割して前回の校正によって測定精度を保証する校正有効時間の推移を各グループ単位で管理し、校正有効時間の残り時間が所定時間に達した該当グループについて自動校正を実行して校正有効時間の残り時間の再設定を行うことを特徴とする。
In order to achieve such a problem, the invention according to claim 1 of the present invention is:
In a semiconductor test device that automatically calibrates the test execution unit at a predetermined cycle that guarantees stable measurement operation,
The automatic calibration is performed in parallel with overhead factors other than automatic calibration, and the measurement blocks constituting the test execution unit are divided into a plurality of groups according to functions that require periodic calibration, and the measurement accuracy is improved by the previous calibration. The transition of guaranteed calibration effective time is managed for each group, and automatic calibration is executed for the corresponding group whose remaining calibration effective time has reached the specified time, and the remaining calibration effective time is reset. And
請求項2記載の発明は、請求項1記載の半導体テスト装置において、前記自動校正以外のオーバーヘッド要因として、量産テストにおけるウェハ交換時間およびロット交換時間を利用することを特徴とする。 According to a second aspect of the invention, in the semiconductor testing device according to claim 1, as an overhead factor other than the automatic calibration, characterized by utilizing the wafer exchange time and lot exchange time in mass production testing.
請求項3記載の発明は、請求項2記載の半導体テスト装置において、前記各グループに対する自動校正を実行に必要な時間に応じて項目別に分類し、ウェハ交換に要する時間内で実行できる自動校正項目とロット交換に要する時間を必要とする自動校正項目の割り当てを行うことを特徴とする。
According to a third aspect of the invention, in the semiconductor testing device according to
請求項4記載の発明は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体テスト装置において、前記自動校正は、前記テスト実行部における測定ブロックの校正有効時間の残り時間を管理する校正有効時間管理手段と、前記テスト実行部の温度推移を管理するテスト実行部温度管理手段と、これら校正有効時間管理手段とテスト実行部温度管理手段の出力信号に基づき自動校正を実行する自動校正実行手段を含む自動校正制御部により制御されることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor test apparatus according to any one of the first to third aspects, the automatic calibration is a calibration effective for managing a remaining time of the calibration effective time of the measurement block in the test execution unit. Time management means, test execution part temperature management means for managing the temperature transition of the test execution part, and automatic calibration execution means for executing automatic calibration based on output signals of these calibration effective time management means and test execution part temperature management means It is controlled by the automatic calibration control part containing.
本発明によれば、自動校正に起因するオーバーヘッド時間の割合を低下させてDUTのテストを行うための稼働率を改善できる半導体テスト装置が実現できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the semiconductor test apparatus which can improve the operation rate for performing the test of DUT by reducing the ratio of the overhead time resulting from automatic calibration is realizable.
以下、本発明について、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を示すブロック図である。図1において、テストシステム制御部1は、半導体テスト装置全体の動作を統括制御する。テスト実行部2は、テストシステム制御部1の制御に基づきDUT3に対する量産テストを実行するとともに、ウェハ単位でのテストが完了するとウェハテスト完了信号を自動校正制御部4に出力し、ロット単位でのテストが完了するとロットテスト完了信号を自動校正制御部4に出力する。自動校正制御部4は、テストシステム制御部1を介して、テスト実行部2に対する自動校正を制御するものであり、校正有効時間管理部41、テスト実行部温度管理部42、自動校正実行部43、動作フラグ管理部44などで構成されている。これらテストシステム制御部1、テスト実行部2および自動校正制御部4は、バスを介して接続されている。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a test system control unit 1 comprehensively controls the operation of the entire semiconductor test apparatus. The
校正有効時間管理部41は、テスト実行部2を構成する信号発生部や信号測定部などの周期的な校正を必要とする測定ブロックを機能別の複数グループに分割し、前回の校正によって測定精度を保証する校正有効時間の推移を各グループ単位で管理する。そして、校正有効時間の残り時間が所定時間に達すると、該当グループについて自動校正実行部43を介して自動校正を実行し、残り時間の再設定を行う。
The calibration effective
テスト実行部温度管理部42は、校正有効時間管理部41が管理する各グループについて、内部温度の推移を管理する。そして、温度変化が前回行った校正時の温度から所定の範囲を超えると、そのグループについて自動校正実行部43を介して自動校正を実行し、校正有効時間管理部41の残り時間と測定温度の再設定を行う。
The test execution unit
自動校正実行部43は、校正有効時間管理部41およびテスト実行部温度管理部42の出力信号に基づき、自動校正を必要とする所定のグループに対して所定の自動校正を実行するが、それぞれのグループに対する自動校正を実行に必要な時間に応じて項目別に分類し、テスト実行部2から入力されるウェハテスト完了信号およびロットテスト完了信号に基づき、ウェハ交換に要する時間内で実行できる自動校正項目とロット交換に要する時間を必要とする自動校正項目の割り当てを行う。
The automatic
動作フラグ管理部44は、校正有効時間管理部41およびテスト実行部温度管理部42の出力信号の状態を、各グループ個別にまたは各グループのいずれかひとつでも異常になったか否かをフラグのオン/オフで管理する。なお、これら時間と温度の他、スタートアップ動作か否かもフラグのオン/オフで管理できる。
The operation
図2は、図1のブロック図における全体の動作の流れを説明するタイミングチャートである。すなわち、DUTウェハに対する量産テストは、ウェハ単位でのテストが完了するとウェハ交換を行い、ロット単位でのテストが完了するとロット交換を行う。そこで、本発明では、これらウェハ交換時間およびロット交換時間を利用して、校正有効時間に基づくグループ単位での自動校正を行う。 FIG. 2 is a timing chart for explaining the overall operation flow in the block diagram of FIG. That is, in the mass production test for the DUT wafer, the wafer is replaced when the test for each wafer is completed, and the lot is replaced when the test for each lot is completed. Therefore, in the present invention, automatic calibration is performed in units of groups based on the calibration effective time using these wafer exchange time and lot exchange time.
これにより、図3のタイミングチャートに示すように、(A)に示す従来の1日の実稼働時間における校正時間は(B)に示す本発明の1日の実稼働時間におけるウェハ交換時間およびロット交換時間に吸収されることになり、量産テスト時間を従来必要とされていた校正時間分延長することができ、この時間延長分だけDUTのテストを行うための稼働率を改善できる。 Thus, as shown in the timing chart of FIG. 3, the calibration time in the conventional one-day actual operation time shown in (A) is the wafer exchange time and lot in the one-day actual operation time of the present invention shown in (B). As a result, the mass production test time can be extended by the calibration time that was conventionally required, and the operating rate for testing the DUT can be improved by this time extension.
図4は具体的な動作例の説明図であり、ウェハ交換時間を利用して自動校正を行う場合について示している。ここで、1枚のウェハテストに要する時間は2時間とし、テスト実行部2を構成する周期的な校正を必要とする測定ブロックを機能別の5グループA〜Eに分割し、各グループの校正有効時間は最大60時間として4時間単位で自動校正周期を決定し、テスト実行部2内部の温度が前回校正時の温度から±3℃変化したらグループA,B,Dについては再度校正を行い、±6℃変化したら全グループについて再度校正を行うものとする。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a specific operation example, and shows a case where automatic calibration is performed using the wafer exchange time. Here, the time required for a single wafer test is 2 hours, and the measurement blocks that require periodic calibration constituting the
まず、時刻T0においてスタートアップ時の全グループA〜Eに対する校正(フル校正)を行い、校正有効時間が4時間ずつの時間差で満了するように、たとえばグループAは44時間、グループBは48時間、グループCは52時間、グループDは56時間、グループEは60時間として校正有効時間管理部41に設定する。また、各グループA〜E校正時の温度としてそれぞれ24℃をテスト実行部温度管理部42に設定する。
First, at time T0, calibration (full calibration) is performed on all groups A to E at start-up, so that the calibration effective time expires with a time difference of 4 hours, for example, group A is 44 hours, group B is 48 hours, The calibration effective
フル校正を行った時刻T0からのグループAの経過時間に注目する。あるウェハテストが完了した時刻T1で時刻T0からまもなく44時間が経過するものとすると、自動校正実行部43はその時のウェハ交換時間を利用してグループAの自動校正を行い、グループAの温度を測定する。校正有効時間管理部41で管理しているグループAの校正有効時間を60時間に更新設定するとともに、テスト実行部温度管理部42で管理しているグループAの校正時の温度を今回の温度たとえば23℃に更新設定する。なお、時刻T1における他グループの残り校正有効時間は、44時間が経過していることから、グループBは4時間、グループCは8時間、グループDは12時間、グループEは16時間になる。
Note the elapsed time of group A from time T0 when full calibration is performed. Assuming that 44 hours have passed from time T0 at time T1 when a certain wafer test is completed, the automatic
グループAの自動校正を行った時刻T1から2枚のウェハテストが完了した時刻T2ではほぼ4時間が経過しているので、自動校正実行部43はその時のウェハ交換時間を利用してグループBの自動校正を行い、グループBの温度を測定する。校正有効時間管理部41で管理しているグループBの校正有効時間を60時間に更新設定するとともに、テスト実行部温度管理部42で管理しているグループBの校正時の温度を今回の温度たとえば23℃に更新設定する。なお、時刻T2における他グループの残り校正有効時間は、時刻T1から4時間が経過していることから、グループAは56時間、グループCは4時間、グループDは8時間、グループEは12時間になる。
Since almost 4 hours have passed since time T2 when the two wafer tests were completed from time T1 when automatic calibration of group A was performed, the automatic
以下同様に、自動校正実行部43は4時間周期でグループC→グループD→グループE→グループA→グループB→・・・と順次グループ単位で時間経過に基づく自動校正を繰り返して行い校正有効時間の更新設定を行うとともにその時点での温度測定更新も行う。
Similarly, the automatic
次に、±3℃の温度変化に基づく自動校正について説明する。時刻T10から8時間が経過したあるウェハテスト中の時刻T11において、グループA,B,Dの温度が25℃になったとする。自動校正実行部43は実行中のウェハテストを中断してグループA,B,Dの自動校正を順次実行し、これらの自動校正が完了したらウェハテストを再開する。
Next, automatic calibration based on a temperature change of ± 3 ° C. will be described. It is assumed that the temperatures of the groups A, B, and D become 25 ° C. at a time T11 during a wafer test in which 8 hours have elapsed from the time T10. The automatic
温度変化に基づく自動校正の校正有効時間の更新設定にあたっては、最新の校正グループDを最大の60時間とし、その前の校正グループBは56時間とし、最初の校正グループAは52時間とする。そして、時間が重なった場合は、より古いグループの校正有効時間を再設定する。図4の例では、グループAとEが52時間で重なるが、より古いグループEを48時間に更新設定する。 In the update setting of the calibration effective time of the automatic calibration based on the temperature change, the latest calibration group D is set to 60 hours at the maximum, the previous calibration group B is set to 56 hours, and the first calibration group A is set to 52 hours. If the time overlaps, the calibration valid time of the older group is reset. In the example of FIG. 4, the groups A and E overlap in 52 hours, but the older group E is updated and set to 48 hours.
なお、図4ではグループA,B,Dの温度が25℃になった場合について説明したが、いずれかのグループだけの温度が25℃になった場合であっても、同じ手法で校正有効時間の更新設定を行うものとする。 In FIG. 4, the case where the temperatures of the groups A, B, and D are 25 ° C. has been described. It is assumed that the update setting is performed.
また、テスト実行部2のカード交換が発生した場合には、校正有効時間の更新設定は行わないものとする。
In addition, when the card replacement of the
図5も具体的な動作例の説明図であり、ロット交換時間を利用して自動校正を行う場合について示している。ここで、1ロットのテストに要する時間はほぼ8時間とし、テスト実行部2については図4と同様に、周期的な校正を必要とする測定ブロックを機能別の5グループA〜Eに分割し、各グループの校正有効時間は最大60時間として4時間単位で自動校正周期を決定し、テスト実行部2内部の温度が前回校正時の温度から±3℃変化したらグループA,B,Dについては再度校正を行い、±6℃変化したら全グループについて再度校正を行うものとする。
FIG. 5 is also an explanatory diagram of a specific operation example, and shows a case where automatic calibration is performed using the lot exchange time. Here, the time required to test one lot is approximately 8 hours, and the
まず、時刻T0において図4と同様にスタートアップ時の全グループA〜Eに対する校正(フル校正)を行い、校正有効時間が4時間ずつの時間差で満了するように、たとえばグループAは44時間、グループBは48時間、グループCは52時間、グループDは56時間、グループEは60時間として校正有効時間管理部41に設定する。また、各グループA〜E校正時の温度としてそれぞれ24℃をテスト実行部温度管理部42に設定する。
First, at time T0, calibration (full calibration) is performed on all groups A to E at start-up in the same manner as in FIG. 4, and the effective calibration time expires with a time difference of 4 hours. B is set to 48 hours, group C is set to 52 hours, group D is set to 56 hours, and group E is set to 60 hours in the calibration effective
フル校正を行った時刻T0からほぼ52時間が経過した時刻T1であるロットテストが完了したものとすると、自動校正実行部43はその時のロット交換時間を利用してグループA,B,Cの自動校正を行うとともに各グループA,B,Cの温度を測定する。校正有効時間管理部41で管理しているグループAの校正有効時間を52時間、グループBの校正有効時間を56時間、グループCの校正有効時間を60時間に更新設定するとともに、テスト実行部温度管理部42で管理しているグループA,B,Cの校正時の温度を今回の温度たとえば23℃に更新設定する。なお、時刻T1における他グループの残り校正有効時間は、グループDは4時間、グループEは8時間になる。
Assuming that the lot test is completed at time T1, when approximately 52 hours have elapsed from the time T0 at which full calibration was performed, the automatic
時刻T0からほぼ60時間、時刻T1からほぼ8時間が経過した時刻T2で続くロットテストが完了したものとすると、自動校正実行部43はその時のロット交換時間を利用してグループD,Eの自動校正を行うとともに各グループD,Eの温度を測定する。校正有効時間管理部41で管理しているグループDの校正有効時間を56時間、グループEの校正有効時間を60時間に更新設定するとともに、テスト実行部温度管理部42で管理している各グループD,Eの校正時の温度を今回の温度たとえば22℃に更新設定する。時刻T2における他グループの残り校正有効時間は、時刻T1から8時間が経過していることから、グループAは44時間、グループBは48時間、グループCは52時間になる。
Assuming that the lot test that has continued for about 60 hours from time T0 and about 8 hours from time T1 has been completed, the automatic
時刻T2からほぼ48時間が経過した時刻T3で他のロットテストが完了したものとすると、自動校正実行部43はその時のロット交換時間を利用してグループA,Bの自動校正を行うとともに各グループA,Bの温度を測定する。校正有効時間管理部41で管理しているグループAの校正有効時間を56時間、グループBの校正有効時間を60時間に更新設定するとともに、テスト実行部温度管理部42で管理している各グループA,Bの校正時の温度を今回の温度たとえば22℃に更新設定する。時刻T3における他グループの残り校正有効時間は、時刻T2から48時間が経過していることから、グループCは4時間、グループDは8時間、グループEは12時間になる。
Assuming that another lot test has been completed at time T3 when approximately 48 hours have elapsed from time T2, the automatic
時刻T3からほぼ12時間が経過した時刻T4で続くロットテストが完了したものとすると、自動校正実行部43はその時のロット交換時間を利用してグループC,D,Eの自動校正を行うとともに各グループC,D,Eの温度を測定する。校正有効時間管理部41で管理しているグループCの校正有効時間を52時間、グループDの校正有効時間を56時間、グループEの校正有効時間を60時間に更新設定するとともに、テスト実行部温度管理部42で管理している各グループC,D,Eの校正時の温度を今回の温度たとえば24℃に更新設定する。時刻T4における他グループA,Bの残り校正有効時間は、時刻T3から12時間が経過していることから、グループAは44時間、グループBは48時間になる。
Assuming that the lot test continued at time T4 when almost 12 hours have elapsed from time T3, the automatic
次に、±3℃の温度変化に基づく自動校正について説明する。あるロットテスト中に、グループA,B,Dの温度が25℃になったとする。自動校正実行部43は実行中のロットテストを中断してグループA,B,Dの自動校正を順次実行し、これらの自動校正が完了したらロットテストを再開する。
Next, automatic calibration based on a temperature change of ± 3 ° C. will be described. Assume that the temperature of groups A, B, and D reaches 25 ° C. during a lot test. The automatic
温度変化に基づく自動校正の校正有効時間の更新設定にあたっては、図4と同様に最新の校正グループDを最大の60時間とし、その前の校正グループBは56時間とし、最初の校正グループAは52時間とする。そして、時間が重なった場合はより古いグループの校正有効時間を再設定し、図5の例ではグループCを24時間、グループEを32時間に更新設定する。 In the update setting of the calibration effective time of the automatic calibration based on the temperature change, the latest calibration group D is set to the maximum 60 hours, the previous calibration group B is set to 56 hours, and the first calibration group A is set to the same as in FIG. 52 hours. If the time overlaps, the calibration effective time of the older group is reset, and in the example of FIG. 5, the group C is updated to 24 hours and the group E is updated to 32 hours.
以上説明したように、本発明によれば、自動校正に起因するオーバーヘッド時間の割合を低下させてDUTのテストを行うための稼働率を改善できる半導体テスト装置が実現できる。 As described above, according to the present invention, it is possible to realize a semiconductor test apparatus capable of improving the operating rate for performing the DUT test by reducing the overhead time ratio resulting from the automatic calibration.
1 テストシステム制御部
2 テスト実行部
3 DUT
4 自動校正制御部
41 校正有効時間管理部
42 テスト実行部温度管理部
43 自動校正実行部
44 動作フラグ管理部
1 Test
4 automatic
Claims (4)
前記自動校正は、自動校正以外のオーバーヘッド要因と並行に行い、前記テスト実行部を構成する測定ブロックを周期的な校正を必要とする機能別の複数グループに分割して前回の校正によって測定精度を保証する校正有効時間の推移を各グループ単位で管理し、校正有効時間の残り時間が所定時間に達した該当グループについて自動校正を実行して校正有効時間の残り時間の再設定を行うことを特徴とする半導体テスト装置。 In a semiconductor test device that automatically calibrates the test execution unit at a predetermined cycle that guarantees stable measurement operation,
The automatic calibration is performed in parallel with overhead factors other than automatic calibration, and the measurement blocks constituting the test execution unit are divided into a plurality of groups according to functions that require periodic calibration, and the measurement accuracy is improved by the previous calibration. The transition of guaranteed calibration effective time is managed for each group, and automatic calibration is executed for the corresponding group whose remaining calibration effective time has reached the specified time, and the remaining calibration effective time is reset. Semiconductor test equipment.
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