JP5120969B2 - Low power laser drive circuit - Google Patents
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Description
本発明は、光通信の送信器に用いられるレーザ駆動回路に係り、特に高速動作を阻害することなく消費電力を低減させる技術に関する。 The present invention relates to a laser drive circuit used in a transmitter for optical communication, and more particularly to a technique for reducing power consumption without hindering high-speed operation.
図11に、従来の超高速レーザ駆動回路の構成例を示す(たとえば、非特許文献1参照)。このレーザ駆動回路は、入力端子INP,INNに入力する差動のバーストデータ信号DATAを、入力バッファ回路41から、アイパターンのクロスポイントを制御電圧VB1,VB2によって設定したクロスポイント制御部42に取り込み、バッファ回路43,44で増幅して、ドライブ回路45に入力し、このドライブ回路45によって、レーザ素子LDを駆動するものである。VC1はドライブ回路45の制御電圧、VC2はレーザ素子LDにバイアス電流を供給する電流源I40の制御電圧である。L40は高周波カット用のインダクタである。
FIG. 11 shows a configuration example of a conventional ultrafast laser driving circuit (see, for example, Non-Patent Document 1). This laser drive circuit takes in the differential burst data signal DATA input to the input terminals INP and INN from the
この構成では、レーザ素子LDの動作に関係なく一定電流が消費されており、消費電力が高いという課題があった。 In this configuration, there is a problem that a constant current is consumed regardless of the operation of the laser element LD, and the power consumption is high.
図12に、SiGeプロセス等で実現されている、より高機能な従来の別のレーザ駆動回路の構成例を示す。このレーザ駆動回路は、アノード側およびカソード側に高周波カット用のインダクタL1,L2が接続されたレーザ素子LD、入力端子INP,INNから差動のバーストデータDATAを入力してレーザ素子LDにそのバーストデータに応じた変調信号を出力する変調回路10、レーザ素子LDにバイアス電流を供給するバイアス回路20、レーザ素子LDの出力光をモニタして、変調回路10にバイアス制御信号VCSP,VCSMを供給するとともにバイアス回路20にバイアス制御信号VCSBを供給するAPC(Auto matic Power Control)回路30からなる。変調回路10,バイアス回路20、およびAPC回路30には、送信イネーブル信号TX_ENが入力している。この送信イネーブル信号TX_ENは、オンはイネーブルを、オフは非イネーブルを示す。
FIG. 12 shows a configuration example of another conventional laser driving circuit with higher functionality realized by the SiGe process or the like. This laser drive circuit has a laser element LD having high-frequency cut inductors L1 and L2 connected to the anode side and the cathode side, and inputs differential burst data DATA from input terminals INP and INN to the laser element LD. A
変調回路10は、入力するバーストデータDATAを送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフによってゲーティングするゲート回路11、増幅用のプリバッファ回路12、エミッタフォロワで構成されバーストデータDATAの振幅を大きな振幅に変換するレベル変換回路13、およびドライブ回路として機能する出力バッファ回路14から構成される。プリバッファ回路12、レベル変換回路13、および出力バッファ回路14は、それぞれその電流源I11,I12,I13を備え、その各々がAPC回路20から出力するバイアス制御信号VCSP又はVCSMによって、レーザ素子LDの出力光パワーが一定となるように制御される。バイアス回路20も、APC回路20から出力するバイアス制御信号VCSBによって、レーザ素子LDの出力光パワーが一定となるように、制御される。
The
この構成では、送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに応じて、ゲート回路11により光出力をオン/オフできるが、バースト動作の非発光時に消費電力を削減するような機能は有していなかった。すなわち、レーザ素子LDの動作に関係なく一定電流が消費されており、消費電力が高いという課題があった。
In this configuration, the optical output can be turned on / off by the
図6(a)は図12に示した従来回路のレーザ素子LDに流れる電流を、図7(a)は図12に示した従来回路のレーザ駆動回路に流れる電流を、それぞれ示したものである。 6A shows the current flowing through the laser element LD of the conventional circuit shown in FIG. 12, and FIG. 7A shows the current flowing through the laser driving circuit of the conventional circuit shown in FIG. .
図6(a)では、バーストデータ信号の入力の有りに同期して送信イネーブル信号TX_ENがオン(高レベル)になり、それを受けてゲート回路11がオンになってからレーザ素子LDに流れる電流が安定するのに要する立上がり時間Tonが20nsであり、送信イネーブル信号TX_ENがオフ(低レベル)になり、それを受けてゲート回路11がオフになってからレーザ素子LDに流れる電流が遮断されるのに要する立下り時間Toffが数nsであり、高速である。しかし、図7(a)に示すように、送信イネーブル信号TX_ENがオフであっても変調回路10およびバイアス回路20にはオン時と同等の電流が流れ、レーザ駆動回路の電源を3.3V、レーザ電源VDDLDを5Vとすると、約1Wの消費電力が常時消費されていることが分かる。
In FIG. 6A, the transmission enable signal TX_EN is turned on (high level) in synchronization with the input of the burst data signal, and the current that flows through the laser element LD after the
前述の通り、図11のレーザ駆動回路では、レーザ素子LDのオン/オフで消費電流は基本的に変化しない。これは、電流源トランジスタが流す電流量で回路電流が決まるからであり、この電流量はAPC回路30が出力し続けている制御電圧VCSP,VCSM,VCSBで決まってしまっているためである。この問題は、電流源の電流を遮断することで実現できるが、この手法によれば、遮断状態から通電状態に回復する過程で、回路の立ち上がりに一定の時間が必要となることによって、その立上がり遅延がレーザ素子がオンになる時間の延長をもたらすため、高速動作させる際に問題となる。
As described above, in the laser drive circuit of FIG. 11, the current consumption basically does not change when the laser element LD is turned on / off. This is because the circuit current is determined by the amount of current that the current source transistor flows, and this amount of current is determined by the control voltages VCSP, VCSM, and VCSB that the
本発明の目的は、レーザ駆動回路の高速動作を妨げることなくレーザ消光時に低電力化を行えるようにしたレーザ駆動回路を提供することである。 An object of the present invention is to provide a laser drive circuit that can reduce power consumption during laser extinction without interfering with high-speed operation of the laser drive circuit.
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明のレーザ駆動回路は、入力信号に応じてバーストモードの変調電流を生成してレーザ素子に出力する変調電流生成回路および該変調電流生成回路に動作電流を与える第1の電流源を有する変調回路と、第2の電流源により前記レーザ素子にバイアス電流を与えるバイアス回路とを備えるレーザ駆動回路において、前記変調回路を、前記レーザ素子のアノードとカソードに接続される差動出力端子と、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記差動出力端子のうちの前記アノードに接続される端子の電位よりも前記カソードに接続される端子の電位を高く設定するゲート回路とを備えるように構成し、前記バイアス回路を、コレクタ又はドレインが前記レーザ素子の前記カソードに接続される第1のトランジスタと、コレクタ又はドレインが電源端子に接続される第2のトランジスタと、前記第1および第2のトランジスタのエミッタ又はソースに接続される前記第2の電流源とを備え、前記送信イネーブル信号のオン時に前記第1のトランジスタがオンするとともに前記第2のトランジスタがオフして前記レーザ素子に前記第2の電流源のバイアス電流を出力し、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記第1のトランジスタがオフするとともに前記第2のトランジスタがオンして前記レーザ素子の前記カソード側をハイインピーダンスに設定するように構成し、前記第2の電流源の電流を調整するバイアス制御信号として、前記送信イネーブル信号のオン時に前記第2の電流源に所定の電流を出力させる第1の制御電圧と、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記第2の電流源の電流を遮断する第2の制御電圧とを用意し、かつ、前記第1の制御電圧をVh、前記第2の制御電圧をVlとするとき、前記第2の電流源の動作最低電圧Vonに対して、前記Vh,Vlを、Vh>Von>Vl>0Vの関係に設定したことを特徴とする。
請求項2にかかる発明は、請求項1に記載のレーザ駆動回路において、前記動作最低電圧Vonは、前記第2の電流源を構成するトランジスタのベース・エミッタ間あるいはゲート・ソース間に閾値電圧を与える電圧であることを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1又は2に記載のレーザ駆動回路において、前記送信イネーブル信号のオン時に前記第1の制御電圧を、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記第2の制御電圧を、前記第2の電流源に対して出力するスイッチ回路を備えることを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項3に記載のレーザ駆動回路において、前記スイッチ回路の出力側と前記第2の電流源との間に、ボルテージフォロア回路を接続したことを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求項3に記載のレーザ駆動回路において、前記スイッチ回路に前記第1の制御電圧と前記第2の制御電圧を入力し、且つ前記第1の制御電圧の入力経路に、ボルテージフォロア回路を接続したことを特徴とする。
請求項6にかかる発明は、請求項4又は5に記載のレーザ駆動回路において、前記ボルテージフォロア回路を、エミッタフォロア回路又はソースフォロア回路に置き換えたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a laser driving circuit according to a first aspect of the present invention includes a modulation current generation circuit that generates a modulation current in a burst mode according to an input signal and outputs the modulation current to a laser element, A laser driving circuit comprising: a modulation circuit having a first current source for supplying an operating current; and a bias circuit for applying a bias current to the laser element by a second current source, wherein the modulation circuit includes an anode of the laser element A potential of a terminal connected to the cathode is set higher than a potential of a differential output terminal connected to the cathode and a terminal connected to the anode among the differential output terminals when the transmission enable signal is turned off. A bias circuit, the collector or drain of which is connected to the cathode of the laser element. And the second current source connected to the emitters or sources of the first and second transistors, and the transmission enable signal. The first transistor is turned on when the second transistor is turned on and the second transistor is turned off to output the bias current of the second current source to the laser element. When the transmission enable signal is turned off, the first transistor is turned on. There as a bias control signal the second transistor is turned on and configured to set the cathode side of the laser device in a high impedance, adjusts the current before Symbol second current source turns off, the transmission a first control voltage for outputting a predetermined current to the second current source when the enable signal on said transmission Providing a second control voltage to cut off the second current source current when off enable signal, and, Vh said first control voltage, said second control voltage when the Vl, wherein The Vh and Vl are set to have a relationship of Vh>Von>Vl> 0V with respect to the minimum operating voltage Von of the second current source.
According to a second aspect of the present invention, in the laser driving circuit according to the first aspect, the minimum operating voltage Von is a threshold voltage between a base and an emitter of a transistor constituting the second current source or between a gate and a source. It is a voltage to be applied.
According to a third aspect of the present invention, in the laser drive circuit according to the first or second aspect, the first control voltage is set when the transmission enable signal is on, and the second control voltage is set when the transmission enable signal is off. And a switch circuit for outputting to the second current source.
According to a fourth aspect of the present invention, in the laser drive circuit according to the third aspect , a voltage follower circuit is connected between the output side of the switch circuit and the second current source.
According to a fifth aspect of the present invention, in the laser drive circuit according to the third aspect , the first control voltage and the second control voltage are input to the switch circuit, and an input path for the first control voltage. In addition, a voltage follower circuit is connected.
The invention according to claim 6 is the laser drive circuit according to
本発明によれば、変調電流生成回路および/又はバイアス回路の電流源の電流を調整するバイアス制御信号として、送信イネーブル信号のオン時に当該電流源に所定の電流を出力させる制御電圧Vhとオフ時に当該電流源の電流を遮断する制御電圧Vlを、電流源の動作最低電圧Vonに対して、Vh>Von>Vl>0Vの関係に設定したので、当該電流源を高速にオン/オフし、同時に消費電力も削減でき、レーザ駆動回路の高速動作を妨げることなくレーザ消光時に低電力化を行える効果を有する。 According to the present invention, as the bias control signal for adjusting the current of the current source of the modulation current generation circuit and / or the bias circuit, the control voltage Vh for outputting a predetermined current to the current source when the transmission enable signal is turned on and the off time Since the control voltage Vl for cutting off the current of the current source is set to have a relationship of Vh> Von> Vl> 0V with respect to the minimum operating voltage Von of the current source, the current source is turned on / off at high speed and simultaneously The power consumption can be reduced, and the power can be reduced when the laser is extinguished without hindering the high-speed operation of the laser driving circuit.
本発明の基本構成は、従来の変調回路、バイアス回路、APC回路に加え、該変調回路内の変調電流生成回路およびバイアス回路にそれぞれ含まれる電流源のバイアス制御信号を切り替える手段と、そのバイアス制御信号としての高電位側の制御電圧Vhおよび低電位側の制御電圧Vlを生成する手段を備える。ここで、本願の変調電流生成回路は、例えば図12の変調回路10内に示す、変調信号を生成するために必要な機能ブロック全ての総称である。ただし、ゲート回路11、もしくはそれに相当する回路は含まない。別な例では、図11で図示された入力バッファ回路41、クロスポイント制御部42、バッファ回路43,44、ドライブ回路45に相当する。制御電圧Vhは、レーザ素子(レーザダイオード)がオンになっているときに電流源の電流を適正値に調整する電圧であり、制御電圧Vlはその電流源をオフにする電圧である。
The basic configuration of the present invention includes means for switching a bias control signal of a current source included in each of a modulation current generation circuit and a bias circuit in the modulation circuit, in addition to the conventional modulation circuit, bias circuit, and APC circuit, and bias control thereof Means for generating a high-potential-side control voltage Vh and a low-potential-side control voltage Vl as signals. Here, the modulation current generation circuit of the present application is a general term for all functional blocks necessary for generating a modulation signal, for example, shown in the
上記の電流源を構成するトランジスタがバイポーラトランジスタで構成される場合、そのトランジスタがオンとなるベース・エミッタ間電圧Vbe(閾値電圧)は、プロセスによって若干差があるものの約0.65Vである。したがって、制御電圧Vlが、ベース・エミッタ間電圧Vbeを閾値電圧以下にする電圧であれば、電流源トランジスタに流れる電流は急激に減少する。 When the transistor constituting the current source is a bipolar transistor, the base-emitter voltage Vbe (threshold voltage) at which the transistor is turned on is about 0.65 V although there is a slight difference depending on the process. Therefore, if the control voltage Vl is a voltage that makes the base-emitter voltage Vbe equal to or lower than the threshold voltage, the current flowing through the current source transistor decreases rapidly.
したがって、制御電圧Vlの値を接地電位(0V)ではなく、電流源トランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeが閾値電圧になる値よりやや下回る値に設定しておけば、その制御電圧Vlを接地電位した場合と比べてプリバイアス効果があるので、次にバイアス制御信号を制御電圧Vhに切り替えたときに、高速にレーザ素子をオンにでき、高速性と電流遮断による省電力モードとの両立が可能となる。このように、送信イネーブル信号TX_ENがオフになるのと同期して電流源に与える制御電圧Vlの値を接地電位より高い電位に設定する点が従来と異なる。 Therefore, if the value of the control voltage Vl is set not to the ground potential (0V) but to a value slightly lower than the value at which the base-emitter voltage Vbe of the current source transistor becomes the threshold voltage, the control voltage Vl is set to the ground potential. Since the pre-bias effect is achieved compared to the case where the bias control signal is switched to the control voltage Vh, the laser element can be turned on at a high speed, and both high speed and a power saving mode by current interruption are possible. It becomes. As described above, the control voltage Vl applied to the current source is set to a potential higher than the ground potential in synchronization with the transmission enable signal TX_EN being turned off.
電流源トランジスタに与える制御電圧Vhは、APC回路により、適切な光出力と消光比が得られるように制御する。APC回路は、レーザ素子のレーザ光を受光するモニタフォトダイオード(図示せず)が発生する電流量および温度センサが検出した温度に基づき制御を行うため、バースト信号の有無に関わらずバイアス制御信号を出力し続ける。一方、レーザ素子のオン/オフは、PON−MAC IC(PON制御IC)から出力される送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフによって制御されるので、その送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに同期して、送信イネーブル信号TX_ENのオフ時にバイアス制御信号を制御電圧Vlにすれば、消光時の電力を削減できることになる。 The control voltage Vh applied to the current source transistor is controlled by an APC circuit so that an appropriate light output and extinction ratio can be obtained. Since the APC circuit performs control based on the amount of current generated by a monitor photodiode (not shown) that receives laser light from the laser element and the temperature detected by the temperature sensor, a bias control signal is output regardless of the presence or absence of a burst signal. Continue to output. On the other hand, ON / OFF of the laser element is controlled by ON / OFF of the transmission enable signal TX_EN output from the PON-MAC IC (PON control IC). Therefore, the laser element is synchronized with ON / OFF of the transmission enable signal TX_EN. If the bias control signal is set to the control voltage Vl when the transmission enable signal TX_EN is turned off, the power at the time of extinction can be reduced.
そこで本発明では、送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに同期して、電流源のバイアス制御信号を、発光時は制御レベル(制御電圧Vh)とし、消光時は電流遮断レベル(制御電圧Vl)とする構成とした。電流源の電流を遮断すればレーザ素子のオフも同時に達成できるが、従来のレーザ素子のオン/オフを実現する回路構成と組み合わせることで、制御電圧Vlのレベルを、スイッチング時間が長くならない範囲で可能な限り省電力化(電流遮断)が達成できる値に設定することが可能となり、制御電圧Vlの安定性は厳密でなくて済む。 Therefore, in the present invention, in synchronization with the ON / OFF of the transmission enable signal TX_EN, the bias control signal of the current source is set to the control level (control voltage Vh) at the time of light emission, and the current cutoff level (control voltage Vl) at the time of extinction. It was set as the structure to do. Although the laser element can be turned off at the same time by cutting off the current from the current source, the level of the control voltage Vl can be set within a range in which the switching time does not become long by combining with the conventional circuit configuration for turning on / off the laser element. It is possible to set a value that can achieve power saving (current interruption) as much as possible, and the stability of the control voltage Vl does not have to be strict.
これらの構成により、バースト動作の非発光時に電流源をオフさせることで消費電力を削減することを可能にし、かつ、その際に光出力の立上がり時間Tonおよび立下り時間Toffの高速動作も両立させる。 With these configurations, it is possible to reduce the power consumption by turning off the current source when the burst operation is not emitting light, and at the same time, the high-speed operation of the rise time Ton and the fall time Toff of the optical output is compatible. .
<第1の実施例>
図1を用いて、本発明の第1の実施例を説明する。第1の実施例は、レーザ駆動回路において、変調回路10の変調電流生成回路15およびバイアス回路20が、バイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bによって制御される電流源I10,I20をそれぞれ有する。そのバイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bとして、Vh>Vlなる関係にある制御電圧Vh,Vlが使用される。バイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bの値は、バーストデータ信号の入力の有無と同期した送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに応じて、制御電圧Vh/Vlに切り替わり、これにより変調電流生成回路15およびバイアス回路20の電流源I10,I20の電流が増減する。
<First embodiment>
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment, in the laser drive circuit, the modulation
ここで、制御電圧Vh,Vlの値は、バイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bとで異なる値であってもよい。高電位側の制御電圧Vhの値は、レーザ発光時、すなわちバースト通信時において、所定のレーザ変調電流とバイアス電流をレーザ素子LDに供給するために必要な値であり、APC回路30によってレーザ発光強度が所定の値となるよう自動制御される値である。APC回路30には、レーザ発光強度を監視するモニタフォトダイオードや、温度を検出する温度センサ等が接続されている(図示せず)。
Here, the values of the control voltages Vh and Vl may be different from the bias control signals Vcsi_M and Vcsi_B. The value of the control voltage Vh on the high potential side is a value necessary for supplying a predetermined laser modulation current and bias current to the laser element LD during laser emission, that is, during burst communication, and the
また、ゲート回路11は、AND回路やスイッチ回路で構成されるデータ遮断回路である。例えば、変調回路10とバイアス回路20は差動回路で構成され、送信イネーブル信号TX_ENがオフのときは、ゲート回路11が制御されることによって、変調電流生成回路15内の出力バッファ回路の差動出力端子LDP,LDNのうち、レーザ素子LDのアノード側に接続される端子LDPはLowレベルに、カソード側に接続される端子LDNはHighレベルに固定される。このとき、バイアス回路20も同様に、差動対のレーザ素子LDのカソードLDKが接続される端子はハイインピーダンスに固定される。
The
図2に、本発明に適用できる典型的な出力バッファ回路とバイアス回路の一例を示す。図2(a)に示す出力バッファ回路は、トランジスタQ1〜Q3、抵抗R1〜R5からなり、トランジスタQ1,Q2のベースに差動のレーザ駆動信号ISPB,ISPNが入力し、トランジスタQ3のベースにバイアス制御信号Vcsi_Mが入力する。また、図2(b)に示すバイアス回路は、トランジスタQ4〜Q6、抵抗R6〜R9、インダクタL1からなり、トランジスタQ4,Q5のベースに差動の送信イネーブル信号の正相信号TX_EN_P,逆相信号TX_EN_Nが入力し、トランジスタQ6のベースにバイアス制御信号Vcsi_Bが入力する。 FIG. 2 shows an example of a typical output buffer circuit and bias circuit applicable to the present invention. The output buffer circuit shown in FIG. 2A includes transistors Q1 to Q3 and resistors R1 to R5. The differential laser drive signals ISPB and ISPN are input to the bases of the transistors Q1 and Q2, and the bias is applied to the base of the transistor Q3. A control signal Vcsi_M is input. 2B includes transistors Q4 to Q6, resistors R6 to R9, and an inductor L1. The positive phase signal TX_EN_P and the negative phase signal of the differential transmission enable signal are provided at the bases of the transistors Q4 and Q5. TX_EN_N is input, and the bias control signal Vcsi_B is input to the base of the transistor Q6.
送信イネーブル信号TX_ENがオンからオフになると、図2(a)に示す出力バッファ回路は、ゲート回路11の働きにより、レーザ駆動信号ISPBがLowに、ISPNがHighに固定され、レーザ素子LDのアノード側端子LDPが低電位に、カソード側端子LDNが高電位に固定されて、レーザ素子の電流経路が遮断される。また、このとき、図2(b)に示すバイアス回路は、送信イネーブル信号の正相信号TX_EN_PがLowに固定され、逆相信号TX_EN_NがHighに固定されるので、バイアス電流経路が切り替わり、レーザ素子LDのカソード端子LDKがハイインピーダンスに設定される。
When the transmission enable signal TX_EN is turned from on to off, the output buffer circuit shown in FIG. 2A has the laser drive signal ISPB fixed to Low and ISPN fixed to High by the operation of the
以上により、レーザ素子LDが消光する。しかしこのとき、バイアス制御信号Vcsi_MとVcsi_Bの電位が変化しなければ、これらの電位から電流源トランジスタQ3,Q6のベース・エミッタ電圧Vbeを差し引いた電圧によって、抵抗R5,R9で除した値の電流が流れ続けることになる。 Thus, the laser element LD is quenched. However, at this time, if the potentials of the bias control signals Vcsi_M and Vcsi_B do not change, the current divided by the resistors R5 and R9 is obtained by subtracting the base-emitter voltage Vbe of the current source transistors Q3 and Q6 from these potentials. Will continue to flow.
これに対し、本実施例では、これらバイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bを送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに同期して制御するので、レーザ消光時には抵抗R5,R9に流れる電流を減少せしめることが可能である。 In contrast, in the present embodiment, these bias control signals Vcsi_M and Vcsi_B are controlled in synchronization with on / off of the transmission enable signal TX_EN, so that the current flowing through the resistors R5 and R9 can be reduced during laser extinction. is there.
なお、本実施例では、バイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bの両方を制御したが、そのどちらか一方が制御される構成でも、本発明の効果を部分的に発揮する。また、データ信号があらかじめバースト化されてレーザ駆動回路に入力される場合には、必ずしもゲート回路11は必須ではない。もちろん、この場合でもゲート回路11が具備されることになんら問題はない。一般的に、ゲート回路11の働きでデータがバースト化される方式が多く、この場合の入力データは連続信号である。
In the present embodiment, both the bias control signals Vcsi_M and Vcsi_B are controlled. However, even when either one of them is controlled, the effect of the present invention is partially exhibited. Further, the
レーザ素子LDの発光/消光は、送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに応じてゲート回路11で制御されるため、バイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bの制御によって回路電流が完全に遮断される必要は必ずしもない。言い換えれば、ゲート回路11の働きによってレーザ素子LDの消光が実現されるため、制御電圧Vlが多少変動しても通信品質には影響しない。
Since the light emission / extinction of the laser element LD is controlled by the
<第2の実施例>
図3に、本発明の第2の実施例を示す。第1の実施例との違いは、変調電流生成回路15およびバイアス回路20が、その電流源I10,I20に接続される変調電流用のスイッチ回路16、およびバイアス用のスイッチ回路21を有することである。該スイッチ回路16,21は、送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに応じて切り替えられる。また該スイッチ回路16,21には、電流源I10,I20をオフする制御電圧Vlが、0Vより高く且つ電流源I10,I20の電流が実効的にオンする電圧Vonより低い電圧(Von>Vl>0V)を発生する回路(図示せず)から入力している。図3では、この制御電圧を、Vl_M,Vl_Bで示した。これにより消費電力を削減するとともに、光出力のオン/オフの切替時間を短縮し高速応答が可能になる。
<Second embodiment>
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is that the modulation
本実施例のAPC回路30は、その出力電圧を送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフに連動させて変化させる必要はなく、常に所定の制御電圧を出力し続けても良い。この電圧をVh_M,Vh_Bで示した。
The
スイッチ回路16,21は、オン/オフ制御信号(本実施例ではTX_EN)に対する切り替えの応答時間が短く、かつオン時の抵抗Ronが小さいことが望ましい。具体的には応答時間が数ns以下、Ronは数十Ω以下が好ましい。なぜならば、応答時間が長いスイッチ回路では、レーザ素子LDがオンになる立上がり時間が長くなって通信効率の低下をもたらしてしまい、また抵抗Ronが大きいとAPC回路30の出力電圧がスイッチ回路でドロップしてしまい、制御に誤差を生じてしまうからである。本実施例でも、ゲート回路11の役割は第1の実施例と同様である。
The
<第3の実施例>
図4に、本発明の第3の実施例を示す。第3の実施例は、第2の実施例の構成に加え、スイッチ回路16の出力側と電流源I10のバイアス制御信号Vcsi_Mの入力端子の間、スイッチ回路21の出力側と電流源I20のバイアス制御信号Vcsi_Bの入力端子の間に、それぞれボルテージフォロア回路17,22を挿入することで、バイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bに対する駆動力を増大させたものである。
<Third embodiment>
FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, in addition to the configuration of the second embodiment, the bias between the output side of the
本実施例においては、ボルテージフォロア回路17,22を構成するオペアンプのステップ応答時間(Srew Rate)は短いほど良いが、オペアンプのステップ応答は一般的に数十V/μs程度であり、1V変化するのに数十ns必要となる。
In this embodiment, the step response time (Srew Rate) of the operational amplifiers constituting the
そこで、これによる動作の遅延を回避するには、図5のようにボルテージフォロア回路17,22を前段とし、後段にスイッチ回路16,21を接続して、制御電圧Vh_Mをボルテージフォロア回路17を介してスイッチ回路16に、制御電圧Vh_Bをボルテージフォロア回路22を介してスイッチ回路21に供給すればよい。この構成では、ボルテージフォロア回路17,22の出力である制御電圧Vh_M,Vh_Mは、送信イネーブル信号TX_ENのオン/オフによって変化しないので、ステップ応答性能が無関係となる。もちろん、制御電圧Vl_M,Vl_Bも別のボルテージフォロア回路を介して供給してもよいが、制御電圧Vh_M,Vh_Mがレーザ素子LDの発光特性に影響を与えるのに対し、制御電圧Vl_M,Vl_Bは消光時の制御電圧であり、多少変動しても通信品質そのものには影響を与えないため効果は小さい。
Therefore, in order to avoid the operation delay due to this, the
図6は、従来技術(図12の構成)と第3の実施例(図4の構成)におけるバースト応答をシミュレーションして比較した特性図、図7は回路電流の変化をシミュレーションして比較した図である。図6、図7ともに、(a)が従来技術、(b)が第3の実施例である。 FIG. 6 is a characteristic diagram comparing and comparing the burst response in the prior art (configuration of FIG. 12) and the third embodiment (configuration of FIG. 4), and FIG. 7 is a diagram comparing and simulating changes in circuit current. It is. 6 and 7, (a) is the prior art, and (b) is the third embodiment.
図12の従来技術は、バイアス制御信号VCSM(=Vcsi_M),VCSB(=Vcsi_B)は一定の電圧であり、ゲート回路11の働きのみでレーザ素子LDの発光/消光が制御される構成である。若干前述したが、図6(a)に示すように、レーザ素子LDの立上がり時間Ton、立下り時間Toffは短いが、図7(a)に示すように、レーザ素子LDが消光している時間帯においても、発光時と同等に近い電流が流れてしまう。
The prior art of FIG. 12 has a configuration in which the bias control signals VCSM (= Vcsi_M) and VCSB (= Vcsi_B) are constant voltages, and the light emission / extinction of the laser element LD is controlled only by the operation of the
一方、第3の実施例では、図6(b)に示すように、立上がり時間Tonが若干長くなってしまうものの、図7(b)に示すように、消光時の電流は大幅に減少している。なお、本実施例におけるシミュレーションでは、スイッチ回路16,21の立上がり時間を、電圧の変化量に関係なく一般的なアナログスイッチで実現可能な速度である15nsとした。また、制御電圧Vh_Mを1.1V、制御電圧Vh_Bを0.9Vとし、制御電圧Vl_M,Vl_Bは0.5Vとした。
On the other hand, in the third embodiment, as shown in FIG. 6 (b), the rise time Ton becomes slightly longer, but as shown in FIG. 7 (b), the current during extinction is greatly reduced. Yes. In the simulation in this embodiment, the rise time of the
図8は、制御電圧Vl(=Vl_M,Vl_B)の値の選択により、レーザ素子LDがオンになる立上がり時間Tonがどのような影響を受けるかを示したシミュレーション結果である。このシミュレーションでも、制御電圧Vlの値にかかわらず、Vh→Vlへの移行時間は一般的なアナログスイッチで実現可能な速度である15nsとした。制御電圧Vlが0Vの場合は、Vl発生回路が不要(接地すればよい)であるが、立上がり時間Tonは長くなる。制御電圧Vlを高くするほど、立上がり時間Tonの短縮が可能であるが、その結果トランジスタのベース・エミッタ間電圧Vbeが閾値電圧(通常0.65V程度)を超えてしまうと、電流の遮断効果、すなわち低電力効果は小さくなってしまう。閾値電圧より低ければ、急激に電流が減少するので、制御電圧Vlはベース・エミッタ間電圧Vbeが0.6V以下になるように設定するのが好ましい。回路を構成するデバイスの特性に応じて制御電圧Vlの最適化が可能である。 FIG. 8 is a simulation result showing how the rise time Ton during which the laser element LD is turned on is affected by the selection of the value of the control voltage Vl (= Vl_M, Vl_B). Also in this simulation, the transition time from Vh to Vl is set to 15 ns, which is a speed that can be realized by a general analog switch, regardless of the value of the control voltage Vl. When the control voltage Vl is 0V, the Vl generating circuit is unnecessary (suffices to be grounded), but the rise time Ton becomes long. As the control voltage Vl is increased, the rise time Ton can be shortened. As a result, if the base-emitter voltage Vbe of the transistor exceeds the threshold voltage (usually about 0.65 V), the current blocking effect is obtained. That is, the low power effect is reduced. If the voltage is lower than the threshold voltage, the current rapidly decreases. Therefore, the control voltage Vl is preferably set so that the base-emitter voltage Vbe is 0.6 V or less. The control voltage Vl can be optimized according to the characteristics of the devices constituting the circuit.
図9(a)〜(d)は本発明の各実施例において、利用できる制御電圧Vl(=Vl_M,Vl_B)の発生回路の一例である。R11〜R18は抵抗、Q11〜Q13はトランジスタ、ZDはツェナーダイオードである。(d)に示したような定電圧の発生回路が好ましいが、レーザ駆動回路とモノリシックで構成する場合、(a)〜(c)のような簡便な回路でも良い。ただし、(c)の回路はコレクタ電圧がベース電圧より低くなる関係でトランジスタQ12の定電流性が悪くなる可能性があるため、制御電圧VlができるだけトランジスタQ12の閾値電圧に近くなるように設計する必要がある。これは、前述のように制御電圧Vlは消光時に与える電圧であり、制御電圧Vlが多少変動しても通信そのものには影響しないことが本発明の特徴のひとつだからである。(d)のような構成は、最も簡便な定電圧発生回路の例であるが、駆動回路のICとは別にディスクリート(外付け)回路で構成する場合に、部品点数が少なくて済むという利点がある。 FIGS. 9A to 9D are examples of a circuit for generating a control voltage Vl (= Vl_M, Vl_B) that can be used in each embodiment of the present invention. R11 to R18 are resistors, Q11 to Q13 are transistors, and ZD is a Zener diode. Although a constant voltage generating circuit as shown in FIG. 6D is preferable, in the case of a monolithic configuration with a laser driving circuit, simple circuits such as (a) to (c) may be used. However, the circuit (c) is designed so that the control voltage Vl is as close as possible to the threshold voltage of the transistor Q12 because the constant current characteristic of the transistor Q12 may deteriorate due to the collector voltage being lower than the base voltage. There is a need. This is because, as described above, the control voltage Vl is a voltage applied at the time of extinction, and it is one of the features of the present invention that even if the control voltage Vl slightly varies, it does not affect the communication itself. The configuration as shown in (d) is an example of the simplest constant voltage generation circuit. However, when the configuration is a discrete (external) circuit apart from the IC of the drive circuit, there is an advantage that the number of components can be reduced. is there.
<第4の実施例>
図10に、本発明の第4の実施例を示す。第4の実施例は、第3の実施例(図4)におけるボルテージフォロア回路17,22に代えて、スイッチ回路16の出力側と電流源I10のバイアス制御信号Vcsi_Mの入力端子の間、スイッチ回路21の出力側と電流源I20のバイアス制御信号Vcsi_Bの入力端子の間に、それぞれエミッタフォロア回路18,23を挿入したものである。第3の実施例と同様に、バイアス制御信号Vcsi_M,Vcsi_Bに対する駆動力を増大させたものであるが、オペアンプによるボルテージフォロア回路17,22よりも高速動作が可能となる。これは、エミッタフォロア回路のステップ応答時間が、オペアンプに律速されるボルテージフォロア回路よりも速いためである。本実施例の別な形態としてはエミッタフォロア回路をソースフォロア回路に置き換えたものがあり、この場合もエミッタフォロア回路と同様の効果を得ることができる。
<Fourth embodiment>
FIG. 10 shows a fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment, instead of the
なお、以上の各実施例は、変調電流生成回路10が1つの電流源I10を有する例で説明したが、変調電流生成回路10が図12に示したプリバッファ回路12、レベル変換回路13、出力バッファ回路14を有し、それらが個別に電流源I11,I12,I13を有するときは、各電流源I11,I12,I13がそれぞれ個別のスイッチ回路でオン/オフされるようにしたり、又は、電流源I11,I12,I13が同じ制御電圧で制御され1つのスイッチ回路16を介してオン/オフされるようにしたり、又は、少なくとも出力バッファ回路14の電流源I13がスイッチ回路16を介してオン/オフされるようにする。
In each of the above embodiments, the modulation
10:変調回路、11:ゲート回路、12:プリバッファ回路、13:レベル変換回路、14:出力バッファ回路、15:変調電流生成回路、16:スイッチ回路、17:ボルテージフォロア回路、18:エミッタフォロア回路
20:バイアス回路、21:スイッチ回路、22:ボルテージフォロア回路、23:エミッタフォロア回路
30:APC回路
LD:レーザ素子
L1,L2:インダクタ
Vcsi_M:変調回路用のバイアス制御信号
Vcsi_B:バイアス回路用のバイアス制御信号
Vh,Vh_M,Vh_B:高電位側の制御電圧
Vl,Vl_M,Vl_B:低電位側の制御電圧
TX_EN:送信イネーブル信号
10: modulation circuit, 11: gate circuit, 12: pre-buffer circuit, 13: level conversion circuit, 14: output buffer circuit, 15: modulation current generation circuit, 16: switch circuit, 17: voltage follower circuit, 18: emitter follower Circuit 20: Bias circuit, 21: Switch circuit, 22: Voltage follower circuit, 23: Emitter follower circuit 30: APC circuit LD: Laser element L1, L2: Inductor Vcsi_M: Bias control signal for modulation circuit Vcsi_B: For bias circuit Bias control signal Vh, Vh_M, Vh_B: High potential side control voltage Vl, Vl_M, Vl_B: Low potential side control voltage TX_EN: Transmission enable signal
Claims (6)
前記変調回路を、前記レーザ素子のアノードとカソードに接続される差動出力端子と、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記差動出力端子のうちの前記アノードに接続される端子の電位よりも前記カソードに接続される端子の電位を高く設定するゲート回路とを備えるように構成し、
前記バイアス回路を、コレクタ又はドレインが前記レーザ素子の前記カソードに接続される第1のトランジスタと、コレクタ又はドレインが電源端子に接続される第2のトランジスタと、前記第1および第2のトランジスタのエミッタ又はソースに接続される前記第2の電流源とを備え、前記送信イネーブル信号のオン時に前記第1のトランジスタがオンするとともに前記第2のトランジスタがオフして前記レーザ素子に前記第2の電流源のバイアス電流を出力し、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記第1のトランジスタがオフするとともに前記第2のトランジスタがオンして前記レーザ素子の前記カソード側をハイインピーダンスに設定するように構成し、
前記第2の電流源の電流を調整するバイアス制御信号として、前記送信イネーブル信号のオン時に前記第2の電流源に所定の電流を出力させる第1の制御電圧と、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記第2の電流源の電流を遮断する第2の制御電圧とを用意し、
かつ、前記第1の制御電圧をVh、前記第2の制御電圧をVlとするとき、前記第2の電流源の動作最低電圧Vonに対して、前記Vh,Vlを、Vh>Von>Vl>0Vの関係に設定したことを特徴とするレーザ駆動回路。 A modulation current generating circuit that generates a modulation current in a burst mode according to an input signal and outputs the modulation current to a laser element, a modulation circuit having a first current source that supplies an operating current to the modulation current generating circuit, and a second current source A laser drive circuit comprising a bias circuit for applying a bias current to the laser element according to
The modulation circuit includes a differential output terminal connected to an anode and a cathode of the laser element, and the cathode more than a potential of a terminal connected to the anode among the differential output terminals when the transmission enable signal is turned off. And a gate circuit for setting the potential of the terminal connected to the high,
The bias circuit includes a first transistor whose collector or drain is connected to the cathode of the laser element, a second transistor whose collector or drain is connected to a power supply terminal, and the first and second transistors. And a second current source connected to an emitter or a source, and when the transmission enable signal is turned on, the first transistor is turned on and the second transistor is turned off to cause the laser element to A bias current of a current source is output, and when the transmission enable signal is turned off, the first transistor is turned off and the second transistor is turned on to set the cathode side of the laser element to high impedance. And
As the bias control signal for adjusting the current before Symbol second current source, a first control voltage to output a predetermined current to the second current source during on of the transmission enable signal, off of the transmission enable signal A second control voltage for interrupting the current of the second current source sometimes.
When the first control voltage is Vh and the second control voltage is Vl, the Vh and Vl are set to Vh>Von>Vl> with respect to the lowest operating voltage Von of the second current source. A laser driving circuit characterized in that the relationship is set to 0V.
前記動作最低電圧Vonは、前記第2の電流源を構成するトランジスタのベース・エミッタ間あるいはゲート・ソース間に閾値電圧を与える電圧であることを特徴とするレーザ駆動回路。 The laser driving circuit according to claim 1,
The minimum operating voltage Von is a voltage that gives a threshold voltage between a base and an emitter or between a gate and a source of a transistor constituting the second current source.
前記送信イネーブル信号のオン時に前記第1の制御電圧を、前記送信イネーブル信号のオフ時に前記第2の制御電圧を、前記第2の電流源に対して出力するスイッチ回路を備えることを特徴とするレーザ駆動回路。 In the laser drive circuit according to claim 1 or 2,
A switch circuit is provided that outputs the first control voltage to the second current source when the transmission enable signal is on and the second control voltage when the transmission enable signal is off. Laser drive circuit.
前記スイッチ回路の出力側と前記第2の電流源との間に、ボルテージフォロア回路を接続したことを特徴とするレーザ駆動回路。 In the laser drive circuit according to claim 3 ,
A laser drive circuit, wherein a voltage follower circuit is connected between an output side of the switch circuit and the second current source.
前記スイッチ回路に前記第1の制御電圧と前記第2の制御電圧を入力し、且つ前記第1の制御電圧の入力経路に、ボルテージフォロア回路を接続したことを特徴とするレーザ駆動回路。 In the laser drive circuit according to claim 3 ,
A laser driving circuit, wherein the first control voltage and the second control voltage are input to the switch circuit, and a voltage follower circuit is connected to an input path of the first control voltage.
前記ボルテージフォロア回路を、エミッタフォロア回路又はソースフォロア回路に置き換えたことを特徴とするレーザ駆動回路。 In the laser drive circuit according to claim 4 or 5,
A laser driving circuit, wherein the voltage follower circuit is replaced with an emitter follower circuit or a source follower circuit.
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