JP5122082B2 - 電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法 - Google Patents

Description

本発明は電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法に関する。

今日、電子材料分野における進歩は著しく、高速電子デバイス、発光デバイスからレーザに至るまで多岐に応用されている。そして、近年、電子デバイスの分野では、ＥｒＰに代表されるランタノイド元素（Ｌｎ）とＶ族元素とからなる化合物を量子井戸とする二重障壁共鳴トンネルダイオードが期待されている。

すなわち、Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ／ＬｎＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰの如きのヘテロ構造を作成し、ＬｎＰ層の厚さを厳密に制御してエピタキシャル成長することが出来たならば、半金属と半導体のコントロ−ルが可能となり、種々の超高速電子デバイスを展望することが出来ると考えられる。

又、光の分野でも、ＬｎのＧａＡｓやＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰへの添加は通信システムにおける発光デバイスとしての応用が期待されており、特に、発光効率の安定化と発光効率の向上が待たれている。

現在、ＧａＡｓに代表される化合物半導体の製造法は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）が主流である。

ところで、ランタノイド元素−Ｖ族元素のエピタキシャル成長やランタノイド元素の添加においても、良好なランタノイド有機金属原料が求められる。気化性が有るランタノイド有機金属は、β−ジケトネイトランタノイドが知られているが、このものは、固体であり、安定した蒸気が得られ難く、しかも分解性が悪いことから使用できない。そして、発光効率が良いランタノイド元素を添加した化合物半導体は得られていない。

従って、本発明が解決しようとする課題は、高性能な電子移動可能体が得られる技術を提供することである。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなランタノイド元素を有する電子移動可能体を提供することである。

前記の課題を解決する為の研究を鋭意押し進めて行った結果、トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを用いて構成された電子移動可能体が極めて高性能なものであることを見出すに至った。

上記知見に基づいて本願発明が達成されたものである。

すなわち、前記の課題は、
基体上に電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させる工程を有する
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法によって解決される。

又、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させる工程を有する
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法によって解決される。

特に、発光デバイスにおける導電性ヘテロ構造化合物膜を形成する上記電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法によって解決される。
上記トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムの分解は、熱、プラズマ、光、レーザの群の中から選ばれる手法により行われる。

又、電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する為の材料であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムからなる
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成材料によって解決される。

又、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜を形成する為の材料であって、
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムからなる
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成材料によって解決される。

特に、発光デバイスにおける電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜を形成する上記電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成材料によって解決される。

トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウム［（ＥｔＣｐ）_３Ｅｒ］は、融点が７０℃以下で、気化させる温度において液体であり、気化特性が良好である。従って、高性能な電子デバイスが得られる。特に、波長安定性や発光効率が良く、発光波長の環境温度依存性が極めて小さなエルビウムを添加した電子デバイスが得られる。

尚、本願出願人は、先に、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｌｎ〔Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３はがエチルシクロペンタジエニル基（（Ｃ_２Ｈ_５）Ｃ_５Ｈ_４−）、イソプロピルシクロペンタジエニル基（（ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）Ｃ_５Ｈ_４−）、ノルマルブタンシクロペンタジエニル基（（ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）Ｃ_５Ｈ_４−）などのアルキル基、シリコン系化合物の基、及びアミノ基の群の中から選ばれる基〕で表される化合物からなるランタニド系膜形成材料、及びこのランタニド系膜形成材料で構成された膜をゲート酸化膜として用いた半導体素子を提案（特願２０００−２８００６２）している。

しかしながら、この提案（特願２０００−２８００６２）は、電子移動可能体に関するものではない。すなわち、ゲート酸化膜に関するものに過ぎない。そればかりか、特願２０００−２８００６２の具体的実施例で挙げられている［（ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）Ｃ_５Ｈ_４］_３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子は、［（Ｃ_２Ｈ_５）Ｃ_５Ｈ_４］_３Ｌｎを用いて電子移動可能体膜を形成した半導体素子に比べて劣るものであった。

本発明の電子移動可能体形成方法は、電子移動可能体を形成する方法である。特に、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する方法である。又、発光デバイスにおける電子移動可能体を形成する方法である。そして、トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させ、基体上に電子移動可能体を設けるものである。トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムの分解は、熱、プラズマ、光、レーザの群の中から選ばれる手法により行われる。中でも、熱分解、光分解、反応分解、プラズマ分解、マイクロ波分解の群の中から選ばれる手法を用いて行われる。

本発明の電子移動可能体形成材料は、電子移動可能体を形成する為の材料である。特に、Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子移動可能体を形成する材料である。又、発光デバイスにおける電子移動可能体を形成する材料である。そして、トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムからなる。

本発明の電子移動可能体は、上記電子移動可能体形成方法により基体上に形成されてなる電子移動可能体である。電子移動可能体は、例えばＥｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂの群の中から選ばれる少なくとも一つからなる。或いは、Ｅｒ及び／又は酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）である。Ｅｒ及び／又は酸素と結合したＥｒの含有割合は、特に、薄膜１ｃｍ^３当たり１０^１５〜１０^２２個である。本発明の電子移動可能体は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層とＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。或いは、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。特に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及びＧａ，Ａｓを含む層と、Ｇａ，Ａｓを含む層及びＧａ，Ｉｎ，Ｐを含む層との間に、前記Ｇａ，Ａｓを含む層に隣接して上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜を有するものである。若しくは、上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜と上記電子移動可能体形成方法により形成されてなる電子移動可能体膜との間に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層及び／又はＧａ，Ａｓを含む層を有するものである。Ｇａ，Ｉｎ，Ｐを含む層は、例えばＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）である。

以下、更に具体的な実施例を挙げて説明する。

［実施例１］
［トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムの合成］
トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウム（ＥｔＣｐ_３Ｅｒ）が次のようにして合成された。
先ず、市販のエチルシクロペンタジエンと粉末状の金属ナトリウムとを溶媒中で反応させ、エチルシクロペンタジエニルナトリウムを合成した。この時の溶媒は、テトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。又、粉末状の金属ナトリウムの代わりにＮａＨ，ＮａＮＨ_２でも可能である。アルキルリチウム等を用いてエチルシクロペンタジエニルリチウムを合成しても良い。
合成されたエチルシクロペンタジエニルナトリウムと無水塩化エルビウムとを溶媒中で反応させ、ＥｔＣｐ_３Ｅｒを合成した。この時の溶媒はテトラヒドロフラン、ヘキサンなどであって、有機金属に不活性なものなら用いられる。
溶媒を濃縮後、残渣からＥｔＣｐ_３Ｅｒを溶媒抽出または蒸留抽出によって回収し、得られた粗生物を精密蒸留によって精製し、ＥｔＣｐ_３Ｅｒを得た。

このようにして得られたＥｔＣｐ_３Ｅｒは、ＴＧ−ＤＴＡ分析によれば、気化特性が良好であることが判明した。又、融点は７０℃以下であり、気化させる温度において液体であることも判った。
又、化学組成も理論式と一致していた。更に、ＩＣＰ−ＭＡＳＳによれば、金属不純物は検出限界以下の高純度品であることが確認された。
尚、上記の合成が数回試みられた。その際の収率は３５〜７５％であった。
これに対して、トリス−シクロペンタジエニル−エルビウム（Ｃｐ_３Ｅｒ）の収率は３５％より低く、ＥｔＣｐ_３Ｅｒの製造コストはＣｐ_３Ｅｒの製造コストよりも低いことが判った。
又、Ｅｒの代わりに、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｔｍ，Ｙｂが用いられて同様に行われ、トリス−エチルシクロペンタジエニル−Ｌｎが合成された。

次に、上記のようにして得られたＥｔＣｐ_３Ｅｒを用いて電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜を成膜した。
図１は成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図である。同図中、１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅは原料容器、３は加熱器、４は分解反応炉、５は基板である。
容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、ＥｔＣｐ_３Ｅｒ、ターシャリ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）、ターシャリ−ブチルフォスフィン（ＴＢＰ）が入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＰとＥｔＣｐ_３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。

［実施例２〜６］
実施例１において、ＴＢＰの代わりに水素、希釈酸素、アルキルヒドラジン、ＴＢＡｓ、トリメチルアンチモンをＥｔＣｐ_３Ｅｒと共に流した以外は同様に行った。
そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成された素子（実施例２）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／Ｅｒ_２Ｏ_３／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例３）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＮ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例４）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例５）、
基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｒＳｂ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子（実施例６）を得た。
尚、上記実施例において、熱分解の代わりに、プラズマ、光、レーザー、マイクロ波による分解手段を用いて同様に行った処、同様な結果が得られた。

又、ＥｔＣｐ_３Ｅｒの代わりに、ＥｔＣｐ_３Ｃｅ，ＥｔＣｐ_３Ｐｒ，ＥｔＣｐ_３Ｎｄ，ＥｔＣｐ_３Ｐｍ，ＥｔＣｐ_３Ｓｍ，ＥｔＣｐ_３Ｅｕ，ＥｔＣｐ_３Ｇｄ，ＥｔＣｐ_３Ｔｂ，ＥｔＣｐ_３Ｄｙ，ＥｔＣｐ_３Ｈｏ，ＥｔＣｐ_３Ｔｍ，ＥｔＣｐ_３Ｙｂが用いられて同様に行われた。そして、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＣｅＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｒＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＮｄＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＰｍＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＳｍＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＥｕＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧｄＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｂＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＤｙＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＨｏＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＴｍＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＹｂＰ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成された素子が得られた。

［実施例７］
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ_３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＡｓとＴＥＧとが、次にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが、その次にＴＢＡｓとＴＥＧとＥｔＣｐ_３Ｅｒとが、最後にＴＢＰとＴＥＧとＴＭＩとが流された。尚、ＥｔＣｐ_３Ｅｒを流す際、Ａｒ希釈酸素（酸素濃度３８ｐｐｍ）を１〜５０ｍｌ／ｍｉｎの割合で同時に供給した。
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。

成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。尚、Ｅｒの濃度は約５×１０^１７個／ｃｍ^３であった。
この素子（発光デバイス）の発光スペクトルを観察した処、室温で波長１．５μｍ帯に高輝度でシャープな発光が観察された。又、その発光波長は環境温度に対して極めて安定であった。

［実施例８］
実施例７において、ＧａＩｎＰ膜とＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ膜との界面にＥｒを添加していないＧａＡｓ膜を持つ、すなわち基板／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）／ＧａＡｓ／ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ／ＧａＡｓ／Ｇａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の構造の電子デバイス用ヘテロ構造化合物（化合物半導体）の膜が基板上に作成されている素子を作成した。尚、ＧａＡｓ膜はＴＢＡｓとＴＥＧとを流すことによって成膜された。
この素子（発光デバイス）は、実施例７の素子のものよりも発光効率に優れていた。

［実施例９］
図１の成膜装置を用いた。容器１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅには、各々、ＴＥＧ，ＴＭＩ，ＥｔＣｐ_３Ｅｒ，ＴＢＡｓ，ＴＢＰが入れられており、室温〜１５０℃の範囲の温度で保持されている。そして、キャリアガスとして水素が１〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの割合で吹き込まれた。分解反応炉４内は０．１ａｔｍにされ、基板温度は流す原料種によって４５０℃〜７００℃に変化させた。初めにＴＢＰとＥｔＣｐ_３Ｅｒとが、次にＴＢＰとＴＭＩとが、最後にＴＢＰとＥｔＣｐ_３Ｅｒとが流された。
このようにして、基板５上に薄膜が形成された。
成膜後に基板を取り出し、膜の断面のＳＥＭ像を観測すると共に、ＳＩＭＳプロファイルの結果とを合わせることによって、基板／ＥｒＰ／ＩｎＰ／ＥｒＰの構造の電子デバイス用（導電性）ヘテロ構造化合物の膜が基板上に作成されていることが確認された。

成膜装置（ＭＯＣＶＤ）の概略図

符号の説明

１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ 原料容器
３ 加熱器
４ 分解反応炉
５ 基板

代理人 宇 高 克 己

Claims (3)

1. 基体上に電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
   トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させる工程を有する
   ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。
2. Ｅｒ，ＥｒＮ，ＥｒＰ，ＥｒＡｓ，ＥｒＳｂ、酸素と結合したＥｒを含むＧａＡｓ又はＧａ_{（１−ｘ）}Ｉｎ_ｘＰ（ｘは０〜１の数）の群の中から選ばれる電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
   トリス−エチルシクロペンタジエニル−エルビウムを分解させる工程を有する
   ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。
3. 発光デバイスにおける導電性ヘテロ構造化合物膜を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２の電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。

Images