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JP5140495B2 - Etching device - Google Patents
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JP5140495B2 - Etching device - Google Patents

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Description

本発明はエッチング装置に関する。   The present invention relates to an etching apparatus.

電子製品を駆動させる印刷回路基板には多数の複雑な工程が行われ、その中でも、電気信号の伝達のための核心的な役割をするのが回路形成工程、すなわち、エッチング工程である。   A number of complicated processes are performed on a printed circuit board that drives an electronic product. Among them, a circuit forming process, that is, an etching process plays a central role in transmitting an electrical signal.

従来の湿式エッチング工程によれば、水平回転ロール(roll)により基板が移送され、基板にエッチング液を噴射することにより基板がエッチングされ、特に、ロールによる基板の損傷を低減させるために、基板の両側と中間部分のみをロールで支持する3点ロール方式により基板が移送された。   According to the conventional wet etching process, the substrate is transferred by a horizontal rotating roll (roll), and the substrate is etched by spraying an etching solution onto the substrate. In particular, in order to reduce damage to the substrate by the roll, The substrate was transferred by a three-point roll method in which only both sides and the middle part were supported by a roll.

図2は、従来技術によるエッチング装置を示す概略図である。図2に示すように、従来技術によるエッチング装置100は、3点ロール110で基板120が支持され、ノズル140から基板120上にエッチング液130が噴射されることにより、基板120自体の荷重及びノズル140から噴射されるエッチング液130のため基板120が重力方向(図中下方向)に曲げられてエッチング液130が溜まるという問題点があった。   FIG. 2 is a schematic view showing an etching apparatus according to the prior art. As shown in FIG. 2, the etching apparatus 100 according to the related art supports the substrate 120 by a three-point roll 110, and jets an etching solution 130 onto the substrate 120 from the nozzle 140. Due to the etching solution 130 sprayed from 140, the substrate 120 is bent in the direction of gravity (downward in the figure) and the etching solution 130 accumulates.

このように、エッチング液が循環しなく一定領域に溜まる場合、局所的に過エッチングや異物質の溜まりなどの問題が発生し、結果的に、製品の収率が低くなり、高密度回路の形成に障害となるため、エッチング液の流れを促進できるエッチング装置が求められている。   In this way, when the etching solution does not circulate and accumulates in a certain area, problems such as local over-etching and accumulation of foreign substances occur, resulting in low product yield and high density circuit formation. Therefore, there is a demand for an etching apparatus that can accelerate the flow of the etching solution.

こうした従来技術の問題点に鑑み、本発明は基板上でのエッチング液の流れを促進することができるエッチング装置を提供することを目的とする。   In view of the problems of the prior art, an object of the present invention is to provide an etching apparatus that can promote the flow of an etching solution on a substrate.

本発明の一側面によれば、基板を支持する基板支持台と、基板にエッチング液を噴射する噴射ノズルと、エッチング液の流れを促進するために、基板支持台の外周縁に配置され、エッチング液を回収する吸入器と、を含むエッチング装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a substrate support table for supporting a substrate, an injection nozzle for spraying an etchant onto the substrate, an outer peripheral edge of the substrate support table to facilitate the flow of the etchant, and etching An inhaler for collecting the liquid is provided.

エッチング液の流れが促進されるように、基板支持台の外周縁に吸入器に対向して配置され、基板に補助流体を噴射する吐出器をさらに含むことができる。エッチング液が吸入器に流れ込むように、基板支持台を吸入器側に傾くことができる。噴射ノズルは基板支持台に対応して傾くことができる。   In order to facilitate the flow of the etchant, the substrate support may further include a discharger disposed on the outer peripheral edge of the substrate support so as to face the inhaler and ejecting auxiliary fluid onto the substrate. The substrate support can be tilted toward the inhaler so that the etchant flows into the inhaler. The spray nozzle can be tilted corresponding to the substrate support.

エッチング液が溜まることを防止するために、噴射ノズルに隣接して配置され、基板に補助流体を噴射する補助ノズルをさらに含むことができる。噴射ノズル及び補助ノズルは、各々複数であり、補助ノズルは噴射ノズルの間にそれぞれ配置されてもよい。噴射ノズルは、2流体ノズルであってもよい。   In order to prevent the etchant from accumulating, an auxiliary nozzle disposed adjacent to the spray nozzle and spraying the auxiliary fluid onto the substrate may be further included. There may be a plurality of injection nozzles and auxiliary nozzles, and the auxiliary nozzles may be arranged between the injection nozzles. The spray nozzle may be a two-fluid nozzle.

本発明の実施形態によれば、基板上でのエッチング液の流れを促進させることにより、高密度回路が形成される基板を高い収率で製造することができる。   According to the embodiment of the present invention, it is possible to manufacture a substrate on which a high-density circuit is formed with a high yield by promoting the flow of the etching solution on the substrate.

本発明に係るエッチング装置の実施形態を添付図面に基づいて詳しく説明し、添付図面を参照して説明することにおいて、同一かつ対応する構成要素は同一の図面番号を付し、これに対する重複される説明は省略する。   DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of an etching apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same and corresponding components will be assigned the same drawing numbers and will be duplicated. Description is omitted.

また、「結合」とは、各構成要素の間に物理的に直接接触される場合だけを意味することではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触されている場合も含む概念として用いられる。   Further, the term “coupled” does not mean that the components are physically directly in contact with each other, but other configurations are interposed between the components, and the components are included in the other configurations. It is used as a concept that includes cases where they are in contact with each other.

図1は、本発明の一実施形態によるエッチング装置を示す概略図である。図1を参照すると、エッチング装置200、基板支持台210、基板220、噴射ノズル230、エッチング液240、吸入器250、流体吸入部260、吐出器270、流体供給部280、補助流体285、補助ノズル290が示されている。   FIG. 1 is a schematic view showing an etching apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an etching apparatus 200, a substrate support 210, a substrate 220, an injection nozzle 230, an etching solution 240, an inhaler 250, a fluid suction unit 260, a discharger 270, a fluid supply unit 280, an auxiliary fluid 285, and an auxiliary nozzle 290 is shown.

本実施形態によれば、吸入器250を基板支持台210の外周縁に配置してエッチング液240を回収することにより、基板220に噴射されるエッチング液240の流れを促進することができ、吸入器250に対向するように吐出器270を配置して補助流体285を噴射することにより、吸入器250に流れ込むエッチング液240の流れをより円滑にすることができるエッチング装置200が提示される。   According to the present embodiment, the flow of the etching solution 240 sprayed onto the substrate 220 can be promoted by disposing the inhaler 250 on the outer peripheral edge of the substrate support 210 and collecting the etching solution 240. An etching apparatus 200 that can make the flow of the etching solution 240 flowing into the inhaler 250 smoother by disposing the discharge device 270 so as to face the container 250 and injecting the auxiliary fluid 285 is presented.

また、基板支持台210と噴射ノズル230とを吸入器250方向に傾けることにより、基板220に噴射されるエッチング液240が吸入器250に、より容易に回収できるようになり、噴射ノズル230に隣接する補助ノズル290から補助流体285が噴射されることにより、エッチング液240が基板220に局所的に溜まることを防止できるエッチング装置200が提示される。   Further, by tilting the substrate support 210 and the injection nozzle 230 in the direction of the inhaler 250, the etching solution 240 injected onto the substrate 220 can be more easily collected by the inhaler 250 and is adjacent to the injection nozzle 230. The etching apparatus 200 that can prevent the etching liquid 240 from locally collecting on the substrate 220 by ejecting the auxiliary fluid 285 from the auxiliary nozzle 290 is provided.

また、噴射ノズル230として2流体ノズルを用いることにより、エッチング液240の流れの速度をさらに促進できるエッチング装置200が提示される。   In addition, by using a two-fluid nozzle as the injection nozzle 230, the etching apparatus 200 that can further accelerate the flow rate of the etching solution 240 is presented.

基板支持台210は、基板220を支持することができ、駆動装置(図示せず)により基板支持台210を駆動させることにより、基板220を移送することができる。なお、駆動装置は、当業界において通常使用されているものであり、例えば、マイコン制御により基板支持台の駆動ローラを回転制御して該基板支持台を駆動させるものである。この際、基板支持台210は噴射ノズル230から基板220に噴射されるエッチング液240が吸入器250に容易に流れ込むように、吸入器250の方に傾くことができ、この場合、基板支持台が地面となす角度は0度〜90度になるように傾くことができる。   The substrate support 210 can support the substrate 220, and the substrate 220 can be transferred by driving the substrate support 210 with a driving device (not shown). The drive device is normally used in the industry. For example, the drive device of the substrate support is rotationally controlled by microcomputer control to drive the substrate support. At this time, the substrate support 210 can be tilted toward the inhaler 250 so that the etching solution 240 sprayed from the spray nozzle 230 onto the substrate 220 can easily flow into the inhaler 250. The angle formed with the ground can be tilted so as to be 0 to 90 degrees.

基板支持台210は、吸入器250が配置されている方向に傾き、これにより支持されている基板220が吸入器250の方に傾くことになるので、基板220に噴射されるエッチング液240が重力により吸入器250側の方に流れ込むことになり、吸入器250が、より容易にエッチング液240を回収できるようになる。吸入器250については、後でより詳しく説明する。   The substrate support 210 is tilted in the direction in which the inhaler 250 is arranged, and the substrate 220 supported thereby is tilted toward the inhaler 250, so that the etching solution 240 sprayed onto the substrate 220 is gravity. As a result, it flows into the inhaler 250 side, and the inhaler 250 can collect the etching solution 240 more easily. The inhaler 250 will be described in more detail later.

噴射ノズル230は、基板220にエッチング液240を噴射することができる。すなわち、噴射ノズル230は基板支持台210の位置に対応して基板支持台210上に配置されることができ、基板220にエッチング液240を噴射して、例えば、回路パターンなどを形成することができる。   The spray nozzle 230 can spray the etching solution 240 onto the substrate 220. That is, the spray nozzle 230 can be disposed on the substrate support base 210 corresponding to the position of the substrate support base 210, and the etching liquid 240 can be sprayed onto the substrate 220 to form, for example, a circuit pattern. it can.

この際、噴射ノズル230は基板支持台210に対応して傾けることができ、基板支持台210により傾くように支持されている基板220上に略垂直にエッチング液240を噴射することができるため、より均一に基板220の表面をエッチングすることができる。   At this time, since the spray nozzle 230 can be tilted corresponding to the substrate support 210, and the etchant 240 can be sprayed substantially vertically onto the substrate 220 supported to be tilted by the substrate support 210, The surface of the substrate 220 can be etched more uniformly.

また、噴射ノズル230はエッチング液240と共に、例えば、空気、アルゴン(Ar)、または窒素(N)などを噴射できる2流体ノズルであってもよく、これにより、噴射ノズル230の噴射圧力を10倍以上増加させられるので、噴射されるエッチング液240の速度を増加させてエッチング液の流れを、より促進させることができる。 Further, the injection nozzle 230 may be a two-fluid nozzle capable of injecting air, argon (Ar), nitrogen (N 2 ), or the like together with the etching solution 240, thereby increasing the injection pressure of the injection nozzle 230 to 10. Since it can be increased by a factor of two or more, the flow of the etching solution 240 can be increased to further accelerate the flow of the etching solution.

この場合、基板220と反応して還元されたエッチング液240を、エッチング液240と共に噴射される空気などで酸化させ再生できるため、エッチング液240を酸化させ再生するための別途添加剤の必要量が減少して基板220の製造費用を節減することができる。   In this case, since the etching solution 240 that has been reduced by reacting with the substrate 220 can be oxidized and regenerated with air or the like sprayed together with the etching solution 240, a necessary amount of additional additives for oxidizing and regenerating the etching solution 240 is required. The manufacturing cost of the substrate 220 can be reduced.

吸入器250は、エッチング液240の流れが促進されるように、基板支持台210の外周縁に配置され、エッチング液240を回収できる。すなわち、吸入器250は基板支持台210の一側に配置され、基板220上に噴射されたエッチング液240を吸入して流体吸入部260に回収でき、このためエッチング液240の流れを促進させて高密度の微細回路パターンを形成することができる。   The inhaler 250 is disposed on the outer peripheral edge of the substrate support 210 so that the flow of the etching solution 240 is promoted, and the etching solution 240 can be collected. That is, the inhaler 250 is disposed on one side of the substrate support 210 and can suck the etchant 240 sprayed onto the substrate 220 and collect it in the fluid suction part 260, thereby promoting the flow of the etchant 240. A high-density fine circuit pattern can be formed.

吐出器270は、エッチング液240の流れが促進されるように、基板支持台210の外周縁に吸入器250に対向するように配置されて基板220に補助流体285を噴射することができる。すなわち、吐出器270は吸入器250に対応して基板支持台210の他側に配置され、例えば、エッチング液240と空気で構成される補助流体285を流体供給部280から噴射することができ、このため吸入器250が、より容易にエッチング液240を回収できるようになる。   The discharger 270 may be disposed on the outer peripheral edge of the substrate support 210 so as to face the inhaler 250 so that the flow of the etching solution 240 is promoted, and jet the auxiliary fluid 285 to the substrate 220. That is, the discharger 270 is disposed on the other side of the substrate support 210 corresponding to the inhaler 250, and for example, the auxiliary fluid 285 composed of the etching solution 240 and air can be ejected from the fluid supply unit 280, For this reason, the inhaler 250 can collect the etching solution 240 more easily.

補助ノズル290は、エッチング液240の溜まりを防止するために、噴射ノズル230に隣接して配置され、基板220に補助流体285を噴射することができる。また、噴射ノズル230及び補助ノズル290は、それぞれ複数であってもよく、補助ノズル290は、噴射ノズル230の間にそれぞれ配置されてもよい。   The auxiliary nozzle 290 is disposed adjacent to the spray nozzle 230 to prevent the etchant 240 from accumulating, and can spray the auxiliary fluid 285 onto the substrate 220. In addition, there may be a plurality of injection nozzles 230 and auxiliary nozzles 290, and the auxiliary nozzles 290 may be disposed between the injection nozzles 230, respectively.

補助ノズル290が噴射ノズル230に隣接して配置され、エッチング液240が局所的に溜まる領域に、例えば、エッチング液240と空気で構成される補助流体285を噴射することにより、エッチング液240が溜まることを防ぐことができ、結果的に、エッチング液240の流れを促進させることができる。   The auxiliary nozzle 290 is disposed adjacent to the injection nozzle 230, and the etching liquid 240 is accumulated by, for example, injecting the auxiliary fluid 285 composed of the etching liquid 240 and air into a region where the etching liquid 240 is locally accumulated. This can be prevented, and as a result, the flow of the etching solution 240 can be promoted.

また、噴射ノズル230の間に補助ノズル290を配置させることにより、噴射ノズル230の間の空間に停滞する恐れのあるエッチング液240が円滑に流れるように誘導してエッチング液240が溜まることを防ぐことができ、結果的に、エッチング液240の流れを促進させることができる。なお、エッチング装置の全体制御は、例えば、マイコン制御、またはマイコン制御と同等の性能を有するものであればよく、噴射ノイズ230に制御信号を出力して該制御信号に応答して噴射ノイズからエッチング液の噴射が行われる。前述した実施形態以外の多様な実施形態が本発明の特許請求の範囲内に存在する。   Further, by arranging the auxiliary nozzle 290 between the spray nozzles 230, the etchant 240 that is likely to stagnate in the space between the spray nozzles 230 is guided to flow smoothly to prevent the etchant 240 from accumulating. As a result, the flow of the etching solution 240 can be promoted. Note that the overall control of the etching apparatus may be, for example, a microcomputer control or any apparatus having performance equivalent to that of the microcomputer control. Liquid injection is performed. Various embodiments other than those described above are within the scope of the claims of the present invention.

本発明の一実施形態によるエッチング装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the etching apparatus by one Embodiment of this invention. 従来技術によるエッチング装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the etching apparatus by a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

200 エッチング装置
210 基板支持台
230 噴射ノズル
250 吸入器
260 流体吸入部
270 吐出器
280 流体供給部
290 補助ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 200 Etching apparatus 210 Substrate support stand 230 Injection nozzle 250 Inhaler 260 Fluid suction part 270 Discharger 280 Fluid supply part 290 Auxiliary nozzle

Claims (4)

基板を支持する基板支持台と、
前記基板にエッチング液を噴射する噴射ノズルと、
前記エッチング液の流れが促進されるように、前記基板支持台の外周縁に配置され、前
記エッチング液を回収する吸入器と、
前記エッチング液の流れが促進されるように、前記基板支持台の外周縁に前記吸入器に
対向するように配置され、前記基板に補助流体を噴射する吐出器と、
前記エッチング液が溜まることを防止するために、前記噴射ノズルに隣接して配置され、前記基板にエッチング液と空気で構成される補助流体を噴射する補助ノズルと、を含み、
前記噴射ノズル及び前記補助ノズルは、それぞれ複数であり、
記補助ノズルは、前記噴射ノズルの間であって、エッチング液が局所的に溜まる領域にそれぞれ配置され、
記基板支持台は、前記基板の両側と中間部分とをロールで支持する3点ロールであることを特徴とするエッチング装置。
A substrate support for supporting the substrate;
An injection nozzle for injecting an etchant onto the substrate;
An inhaler that is disposed on an outer peripheral edge of the substrate support so as to facilitate the flow of the etchant and collects the etchant;
A discharger that is disposed on the outer periphery of the substrate support so as to face the inhaler so as to promote the flow of the etching solution, and jets an auxiliary fluid to the substrate;
In order to prevent the etching liquid from accumulating, an auxiliary nozzle that is disposed adjacent to the injection nozzle and injects an auxiliary fluid composed of an etching liquid and air on the substrate,
The injection nozzle and the auxiliary nozzle, Ri plurality der respectively,
Before SL auxiliary nozzle is provided between the injection nozzle, the etching liquid is arranged in the region accumulated locally,
Before SL substrate support is etched and wherein the the sides and the middle portion of the substrate is a three roll for supporting a roll.
前記エッチング液が前記吸入器へ流れるように、前記基板支持台が前記吸入器側に傾く
ことを特徴とする請求項1に記載のエッチング装置。
The etching apparatus according to claim 1, wherein the substrate support is inclined toward the inhaler so that the etching liquid flows to the inhaler.
前記噴射ノズルが、前記基板支持台に対応するように傾くことを特徴とする請求項2に
記載のエッチング装置。
The etching apparatus according to claim 2, wherein the spray nozzle is inclined so as to correspond to the substrate support.
前記噴射ノズルは、2流体ノズル(2−stream nozzle)であることを特
徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のエッチング装置。
The etching apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the spray nozzle is a two-stream nozzle.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2009123293A (en) * 2009-06-19 2010-12-27 Андрей Виленович Любомирский (RU) SURFACE ETCHING DEVICE FOR LONG-METAL PRODUCT (OPTIONS)
RU2009123289A (en) * 2009-06-19 2010-12-27 Андрей Виленович Любомирский (RU) METHOD FOR SURFACE ETCHING OF LONG-DIMENSIONAL METAL PRODUCT
CN102094199A (en) * 2010-11-23 2011-06-15 黄佳佳 Etching equipment of electronic soft label
JP5470282B2 (en) * 2011-01-07 2014-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ Etching apparatus and etching method
JP5538255B2 (en) * 2011-01-28 2014-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ Etching apparatus and etching method
JP5762915B2 (en) * 2011-10-11 2015-08-12 株式会社ケミトロン Etching method and etching apparatus
WO2014167682A1 (en) * 2013-04-11 2014-10-16 株式会社ケミトロン Etching method and etching apparatus
WO2016044986A1 (en) * 2014-09-23 2016-03-31 安徽省大富光电科技有限公司 Etching equipment, developing equipment, cleaning equipment and film removing equipment, spray processing equipment and method
CN113873757B (en) * 2020-06-30 2023-04-04 联策科技股份有限公司 Horizontal wet processing method for flexible substrate
CN113964056A (en) * 2021-09-18 2022-01-21 尼玛东主 Semiconductor substrate processing equipment

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5364770A (en) * 1976-11-22 1978-06-09 Fujitsu Ltd Method of etching printed circuit board
JPH02125372U (en) * 1989-03-27 1990-10-16
JPH0456382A (en) * 1990-06-26 1992-02-24 Matsushita Electric Works Ltd Etching method for printed wiring board
JP3535706B2 (en) * 1997-08-28 2004-06-07 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP3629386B2 (en) * 1999-07-23 2005-03-16 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP3628919B2 (en) 1999-09-30 2005-03-16 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3325553B2 (en) * 2000-03-29 2002-09-17 株式会社半導体先端テクノロジーズ Wet processing equipment
DE10039558B4 (en) 2000-08-12 2005-09-08 Pill E.K. Device for spray treatment of printed circuit boards
JP3958539B2 (en) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4138504B2 (en) * 2002-03-27 2008-08-27 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2006278606A (en) 2005-03-29 2006-10-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Apparatus and method for processing substrate
JP2007115728A (en) * 2005-10-18 2007-05-10 Sumco Corp Wafer single wafer etching apparatus and wafer single wafer etching method

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