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JP5147337B2 - fuse - Google Patents
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Description

本発明は、リレー回路を介して負荷への電力供給を制御する回路に使用されるヒューズに関する。   The present invention relates to a fuse used in a circuit that controls power supply to a load via a relay circuit.

例えば自動車に搭載される電気接続箱や車載用電子制御ユニットは、バッテリーの電力を所定の負荷に対して分配する機能を有する。かかる従来の電気接続箱100は、図10に示すように、バッテリー101からの電流が入力され、バッテリー101から過大電流が供給されるのを阻止するヒューズ102と、ヒューズ102を介して供給される電流を負荷110に通電したり、非通電としたりする半導体リレー103と、半導体リレー103を制御するリレー制御回路(図示せず)とを備えている。半導体リレー103は、筐体100a内に収容された基板104に実装されている。リレー制御回路は、基板104に実装される電子部品(図示せず)と基板104に形成された回路パターン(図示せず)によって形成されている。筐体100a内の基板104に半導体リレー103を実装する従来例は、特許文献1に開示されている。   For example, an electric junction box and an in-vehicle electronic control unit mounted on an automobile have a function of distributing battery power to a predetermined load. As shown in FIG. 10, such a conventional electrical junction box 100 is supplied with a fuse 102 that receives a current from the battery 101 and prevents an excessive current from being supplied from the battery 101, and the fuse 102. A semiconductor relay 103 for energizing or de-energizing the load 110 and a relay control circuit (not shown) for controlling the semiconductor relay 103 are provided. The semiconductor relay 103 is mounted on a substrate 104 accommodated in the housing 100a. The relay control circuit is formed by electronic components (not shown) mounted on the board 104 and a circuit pattern (not shown) formed on the board 104. A conventional example in which the semiconductor relay 103 is mounted on the substrate 104 in the housing 100a is disclosed in Patent Document 1.

また、他の従来例としては、図11に示すように、半導体リレー103の替わりにメカニカルリレー105を使用する場合もあり、メカニカルリレー105は半導体リレー103と同様に基板104に実装される。図11において、前記従来例と同一構成箇所には同一符号を付して重複説明を省略する。   As another conventional example, as shown in FIG. 11, a mechanical relay 105 may be used instead of the semiconductor relay 103, and the mechanical relay 105 is mounted on the substrate 104 like the semiconductor relay 103. In FIG. 11, the same components as those in the conventional example are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

ヒューズ102は、図12に示す如く、電気接続箱100の筐体100aに設けられた音叉端子(図示せず)に装着されるプラグイン式であり、第1接続端子部102aと、これに平行配置された第2接続端子部102bと、これら端子102a,102b間に介在されたヒューズエレメント部102cとを備え、相手端子接続箇所を除いた第1及び第2接続端子部102a,102bの箇所とヒューズエレメント部102cがモールド樹脂封止部102dで封止されることによって一体化されている。ヒューズ102が装着される音叉端子は、保守・点検等の利便性より、筐体の外側に設けられている。
特開2002−359349号公報
As shown in FIG. 12, the fuse 102 is a plug-in type that is attached to a tuning fork terminal (not shown) provided in the housing 100a of the electrical connection box 100, and is parallel to the first connection terminal portion 102a. A second connection terminal portion 102b disposed and a fuse element portion 102c interposed between the terminals 102a and 102b, and the locations of the first and second connection terminal portions 102a and 102b excluding the mating terminal connection location; The fuse element portion 102c is integrated by being sealed with a mold resin sealing portion 102d. The tuning fork terminal to which the fuse 102 is attached is provided outside the housing for the convenience of maintenance and inspection.
JP 2002-359349 A

しかしながら、前記従来例では、熱源である半導体リレー103やメカニカルリレー105を筐体100a内の基板104に実装するため、基板104等に半導体リレー103やメカニカルリレー105の設置スペースを確保する必要がある。従って、基板104、ひいては、基板104を内蔵する筐体100aが大型化する要因となる。また、リレー回路は熱源であるため、基板104等に高放熱材料や高耐熱材料を使用する必要があり、これによって高コスト化する。更に、半導体リレー103やメカニカルリレー105が故障した場合には、基板104全体を交換する必要があり、メンテナンス性が悪い。   However, in the conventional example, since the semiconductor relay 103 and the mechanical relay 105, which are heat sources, are mounted on the substrate 104 in the housing 100a, it is necessary to secure an installation space for the semiconductor relay 103 and the mechanical relay 105 on the substrate 104 or the like. . Therefore, the substrate 104, and thus the casing 100a in which the substrate 104 is built, becomes a factor of increasing the size. Further, since the relay circuit is a heat source, it is necessary to use a high heat dissipation material or a high heat resistant material for the substrate 104 or the like, which increases the cost. Furthermore, when the semiconductor relay 103 or the mechanical relay 105 fails, it is necessary to replace the entire substrate 104, and maintenance is poor.

そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、リレー回路を筐体内に収容することに起因する種々の不具合を解消できるヒューズを提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a fuse that can solve various problems caused by housing a relay circuit in a housing.

請求項1の発明は、電源側に接続される第1接続端子部、負荷側に接続される第2接続端子部、及び、リレー制御回路側に接続される第3接続端子部と、前記第1接続端子部に一端側が接続されるヒューズエレメント部と、ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路を構成し、前記ドレイン電極が前記ヒューズエレメント部の他端側に、前記ソース電極が前記第2接続端子部に、前記ゲート電極が前記第3接続端子部にそれぞれ電気的に接続される半導体リレーとを備え、前記第1〜第3接続端子部と前記ヒューズエレメント部と前記半導体リレーが封止によって一体化されており、前記第1接続端子部と前記ヒューズエレメント部は、ブスバーの母材から一体に形成されたことを特徴とするヒューズである。 The invention according to claim 1 is a first connection terminal portion connected to the power supply side, a second connection terminal portion connected to the load side, a third connection terminal portion connected to the relay control circuit side, and the first 1 comprises a fuse element portion connected at one end to a connection terminal portion, and a relay circuit in which conduction and non-conduction between the drain electrode and the source electrode are made based on a control signal inputted to the gate electrode, A semiconductor relay in which the source electrode is electrically connected to the second connection terminal portion and the gate electrode is electrically connected to the third connection terminal portion, respectively, on the other end side of the fuse element portion, the third and the semiconductor relay connection terminal portion and the fuse element portion is integrated by sealing, the fuse element portion and the first connection terminal portion is integrally formed from the base material of the bus bar A fuse which is characterized the door.

請求項2の発明は、電源側に接続される第1接続端子部、負荷側に接続される第2接続端子部、及び、リレー制御回路側に接続される第3接続端子部と、前記第1接続端子部に一端側が接続されるヒューズエレメント部と、ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路を構成し、前記ドレイン電極が前記ヒューズエレメント部の他端側に、前記ソース電極が前記第2接続端子部に、前記ゲート電極が前記第3接続端子部にそれぞれ電気的に接続される半導体リレーとを備え、前記第1〜第3接続端子部と前記ヒューズエレメント部と前記半導体リレーが封止によって一体化されており、前記半導体リレーは、その一面が前記ドレイン電極、前記ソース電極及び前記ゲート電極の内の任意の一つの電極として形成されていると共に、前記ヒューズエレメント部の他端側に接続される半導体配置用電極部を有し、前記半導体配置用電極部に前記半導体リレーが直接マウントされており、 前記第1接続端子部と前記ヒューズエレメント部と前記半導体配置用電極部は、ブスバーの母材から一体に形成されたことを特徴とするヒューズである。 The invention of claim 2 includes a first connection terminal connected to the power supply side, a second connection terminal connected to the load, a third connection terminal connected to the relay control circuit, and the first 1 comprises a fuse element portion connected at one end to a connection terminal portion, and a relay circuit in which conduction and non-conduction between the drain electrode and the source electrode are made based on a control signal inputted to the gate electrode, A semiconductor relay in which the source electrode is electrically connected to the second connection terminal portion and the gate electrode is electrically connected to the third connection terminal portion, respectively, on the other end side of the fuse element portion, The third connection terminal portion, the fuse element portion, and the semiconductor relay are integrated by sealing, and the semiconductor relay has one surface of the drain electrode, the source electrode, and the gate electrode. The semiconductor relay electrode portion is connected to the other end of the fuse element portion, and the semiconductor relay is directly mounted on the semiconductor placement electrode portion. The first connection terminal portion, the fuse element portion, and the semiconductor placement electrode portion are integrally formed from a base material of a bus bar .

請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載のヒューズにおいて、前記ヒューズエレメント部が、前記第1接続端子部と前記第2接続端子部との間で、前記第1接続端子部から前記第2接続端子部に向かって延びていることを特徴とするヒューズである。 According to a third aspect of the present invention, in the fuse according to the first or second aspect, the fuse element portion includes the first connection terminal portion between the first connection terminal portion and the second connection terminal portion. The fuse is extended from the second connection terminal portion toward the second connection terminal portion .

請求項1の発明によれば、ヒューズには半導体リレーが内蔵されるため、半導体リレーを基板などに実装したり、その設置スペースを確保する必要がない。従って、電気接続箱等にリレー機能を持たせる場合には、単にヒューズを電気接続箱等に外付けすれば良いため、電気接続箱内に内蔵する基板、ひいては電気接続箱等の筐体の縮小化になる。基板や筐体の縮小化によって、軽量化、低コスト化になる。また、熱源であるリレー回路を電気接続箱内の基板等に実装する必要がないため、基板等に高放熱材料や高耐熱材料を使用する必要がなく、これによっても低コスト化になる。さらに、半導体リレーが故障した場合には、ヒューズのみを交換すれば良いため、メンテナンス性が向上する。また、第1接続端子部の製造に際してヒューズエレメント部を同時に製造できるため、ヒューズの製造工程を簡略化できる。 According to the first aspect of the present invention, since the semiconductor relay is built in the fuse, it is not necessary to mount the semiconductor relay on a substrate or to secure the installation space. Therefore, when a relay function is given to an electrical junction box or the like, it is only necessary to externally attach a fuse to the electrical junction box or the like. It becomes. The reduction in the size of the substrate and the housing reduces the weight and the cost. In addition, since it is not necessary to mount a relay circuit as a heat source on a substrate or the like in the electrical junction box, it is not necessary to use a high heat dissipation material or a high heat resistant material for the substrate or the like, which also reduces the cost. Furthermore, when the semiconductor relay fails, only the fuse needs to be replaced, so that maintainability is improved. Further, since the fuse element portion can be manufactured at the same time when the first connection terminal portion is manufactured, the manufacturing process of the fuse can be simplified.

請求項2の発明によれば、ヒューズには半導体リレーが内蔵されるため、半導体リレーを基板などに実装したり、その設置スペースを確保する必要がない。従って、電気接続箱等にリレー機能を持たせる場合には、単にヒューズを電気接続箱等に外付けすれば良いため、電気接続箱内に内蔵する基板、ひいては電気接続箱等の筐体の縮小化になる。基板や筐体の縮小化によって、軽量化、低コスト化になる。また、熱源であるリレー回路を電気接続箱内の基板等に実装する必要がないため、基板等に高放熱材料や高耐熱材料を使用する必要がなく、これによっても低コスト化になる。さらに、半導体リレーが故障した場合には、ヒューズのみを交換すれば良いため、メンテナンス性が向上する。また、半導体リレーを半導体配置用電極部に実装すれば一つの電極の接続作業が完了するため、ヒューズの製造工程を簡略化できる。また、第1接続端子部の製造に際してヒューズエレメント部と半導体配置用電極部を同時に製造できるため、ヒューズの製造工程を簡略化できる。 According to the invention of claim 2, since the semiconductor relay is built in the fuse, it is not necessary to mount the semiconductor relay on a substrate or to secure the installation space. Therefore, when a relay function is given to an electrical junction box or the like, it is only necessary to externally attach a fuse to the electrical junction box or the like. It becomes. The reduction in the size of the substrate and the housing reduces the weight and the cost. In addition, since it is not necessary to mount a relay circuit as a heat source on a substrate or the like in the electrical junction box, it is not necessary to use a high heat dissipation material or a high heat resistant material for the substrate or the like, which also reduces the cost. Furthermore, when the semiconductor relay fails, only the fuse needs to be replaced, so that maintainability is improved. In addition, if the semiconductor relay is mounted on the electrode for semiconductor placement, the connection work of one electrode is completed, so that the manufacturing process of the fuse can be simplified. In addition, since the fuse element portion and the semiconductor placement electrode portion can be manufactured at the same time when the first connection terminal portion is manufactured, the manufacturing process of the fuse can be simplified.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1及び図2は本発明の第1実施形態を示し、図1は電気接続箱の回路等の概念図、図2はヒューズの正面図である。   1 and 2 show a first embodiment of the present invention, FIG. 1 is a conceptual diagram of a circuit and the like of an electrical junction box, and FIG. 2 is a front view of a fuse.

図1に示すように、電気接続箱1は、電源であるバッテリー2からの電流が入力され、バッテリー2から過大電流が供給されるのを阻止するヒューズ10Aと、ヒューズ10Aを介して供給される電流を負荷3に対して通電したり、非通電としたりする半導体リレー11Aと、半導体リレー11Aを制御するリレー制御回路(図示せず)とを備えている。   As shown in FIG. 1, the electrical junction box 1 is supplied with a current from a battery 2 as a power source, a fuse 10 </ b> A that prevents an excessive current from being supplied from the battery 2, and a fuse 10 </ b> A. A semiconductor relay 11A for energizing or de-energizing the load 3 and a relay control circuit (not shown) for controlling the semiconductor relay 11A are provided.

ヒューズ10Aは、プラグイン式のものであり、筐体1aの外部に配置された音叉端子(図示せず)に装着されている。ヒューズ10Aには半導体リレー11Aが内蔵されており、その詳しい構成は、下記に詳述する。リレー制御回路(図示せず)は、筐体1a内の基板20に実装された電子部品(図示せず)と基板20に形成された回路パターン(図示せず)によって形成されている。   The fuse 10A is of a plug-in type and is attached to a tuning fork terminal (not shown) arranged outside the housing 1a. The fuse 10A incorporates a semiconductor relay 11A, and its detailed configuration will be described in detail below. The relay control circuit (not shown) is formed by an electronic component (not shown) mounted on the board 20 in the housing 1a and a circuit pattern (not shown) formed on the board 20.

次に、ヒューズ10Aの詳しい構成を説明する。図2に示すように、ヒューズ10Aは、バッテリー2側に接続される第1接続端子部12と、負荷3側に接続される第2接続端子部13と、リレー制御回路側に接続される第3接続端子部14と、ヒューズエレメント部15と、第2接続端子部13に実装された半導体リレー11Aとを備えている。ヒューズ10Aは、各相手端子接続箇所を除く第1〜第3接続端子部12,13,14の箇所、ヒューズエレメント部15及び半導体リレー11Aがモールド樹脂封止部16で封止されることによって一体化されている。   Next, a detailed configuration of the fuse 10A will be described. As shown in FIG. 2, the fuse 10A includes a first connection terminal portion 12 connected to the battery 2 side, a second connection terminal portion 13 connected to the load 3 side, and a second connection terminal connected to the relay control circuit side. 3 connection terminal part 14, fuse element part 15, and semiconductor relay 11 </ b> A mounted on second connection terminal part 13. The fuse 10 </ b> A is integrated by sealing the locations of the first to third connection terminal portions 12, 13, 14, the fuse element portion 15, and the semiconductor relay 11 </ b> A excluding each counterpart terminal connection location with a mold resin sealing portion 16. It has become.

第1接続端子部12とヒューズエレメント部15は一体に形成され、第1接続端子部12とヒューズエレメント部15の一端側が連結されている。第1接続端子部12とヒューズエレメント部15の一体構造は、例えば、ブスバーの母材にプレス加工と切削加工を施すことによって製造される。   The first connection terminal portion 12 and the fuse element portion 15 are integrally formed, and the first connection terminal portion 12 and one end side of the fuse element portion 15 are connected. The integral structure of the first connection terminal portion 12 and the fuse element portion 15 is manufactured, for example, by subjecting the base material of the bus bar to press working and cutting.

半導体リレー11Aは、FET等のベアチップであり、その下面に配置されたソース電極(図示せず)と、上面の一部にそれぞれ配置されたドレイン電極(図示せず)及びゲート電極(図示せず)とを有する。そして、ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路が形成されている。ドレイン電極は、ヒューズエレメント部15の他端側にボンデングワイヤ17aを介して電気的に接続されている。ソース電極は、半導体リレー11Aが第2接続端子部13に半田付けされることによって電気的に接続されている。ゲート電極は、第3接続端子部14にボンデングワイヤ17bを介して電気的に接続されている。   The semiconductor relay 11A is a bare chip such as an FET, and has a source electrode (not shown) arranged on the lower surface thereof, a drain electrode (not shown) and a gate electrode (not shown) respectively arranged on a part of the upper surface. ). A relay circuit is formed in which the drain electrode and the source electrode are made conductive / non-conductive based on a control signal input to the gate electrode. The drain electrode is electrically connected to the other end side of the fuse element portion 15 via a bonding wire 17a. The source electrode is electrically connected by soldering the semiconductor relay 11 </ b> A to the second connection terminal portion 13. The gate electrode is electrically connected to the third connection terminal portion 14 via a bonding wire 17b.

上記構成において、ヒューズ10Aには半導体リレー11Aが内蔵されるため、従来例のように半導体リレー11Aを基板20などに実装したり、その設置スペースを確保する必要がない。従って、単にヒューズ10Aを電気接続箱1等に外付けすれば良いため、電気接続箱1内に内蔵する基板20、ひいては電気接続箱1等の筐体1aの縮小化になる。基板20や筐体1aの縮小化によって、電気接続箱1の軽量化、低コスト化になる。また、熱源であるリレー回路を電気接続箱1内の基板20等に実装する必要がないため、基板20等に高放熱材料や高耐熱材料を使用する必要がなく、これによっても低コスト化になる。さらに、半導体リレー11Aが故障した場合には、ヒューズ10Aのみを交換すれば良いため、メンテナンス性が向上する。   In the above configuration, since the semiconductor relay 11A is built in the fuse 10A, it is not necessary to mount the semiconductor relay 11A on the substrate 20 or the like as in the conventional example or to secure the installation space. Accordingly, since the fuse 10A is simply attached to the electrical junction box 1 or the like, the substrate 20 incorporated in the electrical junction box 1 and, consequently, the housing 1a such as the electrical junction box 1 is reduced. By reducing the size of the substrate 20 and the housing 1a, the electrical junction box 1 can be reduced in weight and cost. Further, since it is not necessary to mount a relay circuit as a heat source on the substrate 20 or the like in the electrical junction box 1, it is not necessary to use a high heat dissipation material or a high heat-resistant material for the substrate 20 or the like, thereby reducing the cost. Become. Further, when the semiconductor relay 11A fails, only the fuse 10A needs to be replaced, so that maintainability is improved.

この第1実施形態では、半導体リレー11Aは、その下面がソース電極として形成されている共に、第2接続端子部13に半導体リレー11Aが直接マウントされているので、半導体配置用電極部を別途製造する必要がなく、ヒューズ構成を単純化できる。また、半導体リレー11Aと第2接続端子部13間を電気的に接続する作業が不要であるため、ヒューズ10Aの製造工程を簡略化できる。   In the first embodiment, the semiconductor relay 11A has a lower surface formed as a source electrode, and the semiconductor relay 11A is directly mounted on the second connection terminal portion 13, so that the semiconductor placement electrode portion is manufactured separately. Therefore, the fuse configuration can be simplified. Moreover, since the operation | work which electrically connects between 11 A of semiconductor relays and the 2nd connection terminal part 13 is unnecessary, the manufacturing process of fuse 10A can be simplified.

この第1実施形態では、第1接続端子部12とヒューズエレメント部15は、一体に形成されたので、ヒューズ10Aの製造工程を簡略化できる。   In the first embodiment, since the first connection terminal portion 12 and the fuse element portion 15 are integrally formed, the manufacturing process of the fuse 10A can be simplified.

図3は本発明の第2実施形態のヒューズの正面図である。   FIG. 3 is a front view of the fuse according to the second embodiment of the present invention.

図3に示すように、ヒューズ10Bは、バッテリー側に接続される第1接続端子部12と、負荷側に接続される第2接続端子部13と、リレー制御回路側に接続される第3接続端子部14と、ヒューズエレメント部15と、半導体配置用電極部18と、半導体配置用電極部18に実装された半導体リレー11Bとを備えている。ヒューズ10Bは、各相手端子接続箇所を除く第1〜第3接続端子部12,13,14の箇所、ヒューズエレメント部15、半導体配置用電極部18及び半導体リレー11Bがモールド樹脂封止部16で封止されることによって一体化されている。   As shown in FIG. 3, the fuse 10B includes a first connection terminal portion 12 connected to the battery side, a second connection terminal portion 13 connected to the load side, and a third connection connected to the relay control circuit side. A terminal portion 14, a fuse element portion 15, a semiconductor placement electrode portion 18, and a semiconductor relay 11 </ b> B mounted on the semiconductor placement electrode portion 18 are provided. In the fuse 10B, the first to third connection terminal portions 12, 13, and 14 except for each counterpart terminal connection portion, the fuse element portion 15, the semiconductor placement electrode portion 18 and the semiconductor relay 11B are molded resin sealing portions 16. It is integrated by being sealed.

第1接続端子部12とヒューズエレメント部15と半導体配置用電極部18は一体に形成され、第1接続端子部12とヒューズエレメント部15の一端側が連結され、ヒューズエレメント部15の他端側と半導体配置用電極部18が連結されている。第1接続端子部12とヒューズエレメント部15と半導体配置用電極部18の一体構造は、例えば、ブスバーの母材にプレス加工と切削加工を施すことによって製造される。   The first connection terminal portion 12, the fuse element portion 15, and the semiconductor placement electrode portion 18 are integrally formed, the first connection terminal portion 12 and one end side of the fuse element portion 15 are connected, and the other end side of the fuse element portion 15 is connected. The semiconductor placement electrode unit 18 is connected. The integral structure of the first connection terminal portion 12, the fuse element portion 15, and the semiconductor arrangement electrode portion 18 is manufactured, for example, by subjecting the base material of the bus bar to pressing and cutting.

半導体リレー11Bは、FET等のベアチップであり、その下面に配置されたドレイン電極(図示せず)と、上面の一部にそれぞれ配置されたソース電極(図示せず)及びゲート電極(図示せず)とを有する。そして、ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路が形成されている。ドレイン電極は、半導体配置用電極部18に半田付けされることによってヒューズエレメント部15の他端側に電気的に接続されている。ソース電極は、第2接続端子部13にボンデングワイヤ17cを介して電気的に接続されている。ゲート電極は、第3接続端子部14にボンデングワイヤ17dを介して電気的に接続されている。   The semiconductor relay 11B is a bare chip such as an FET, and has a drain electrode (not shown) arranged on the lower surface thereof, a source electrode (not shown) and a gate electrode (not shown) arranged on a part of the upper surface. ). A relay circuit is formed in which the drain electrode and the source electrode are made conductive / non-conductive based on a control signal input to the gate electrode. The drain electrode is electrically connected to the other end side of the fuse element portion 15 by being soldered to the semiconductor arrangement electrode portion 18. The source electrode is electrically connected to the second connection terminal portion 13 via a bonding wire 17c. The gate electrode is electrically connected to the third connection terminal portion 14 via a bonding wire 17d.

この第2実施形態のヒューズ10Bにおいても、前記第1実施形態のものと同様に、リレー回路を基板に実装する必要がないことに起因する種々の効果が得られる。   Also in the fuse 10B of the second embodiment, various effects resulting from the fact that it is not necessary to mount the relay circuit on the substrate can be obtained as in the case of the first embodiment.

また、この第2実施形態では、半導体リレー11Bは、その下面がドレイン電極として形成されている共に、ヒューズエレメント部15の他端側に接続される半導体配置用電極部18を有し、半導体配置用電極部18に半導体リレー11Bが直接マウントされているので、半導体リレー11Bを半導体配置用電極部18に実装すれば一つの電極の接続作業が完了するため、ヒューズ10Bの製造工程を簡略化できる。   Further, in the second embodiment, the semiconductor relay 11B has a semiconductor placement electrode portion 18 connected to the other end side of the fuse element portion 15 while having a lower surface formed as a drain electrode. Since the semiconductor relay 11B is directly mounted on the electrode section 18, the mounting process of one electrode is completed if the semiconductor relay 11B is mounted on the semiconductor placement electrode section 18, so that the manufacturing process of the fuse 10B can be simplified. .

この第2実施形態では、第1接続端子部12とヒューズエレメント部15と半導体配置用電極部18は、一体に形成されたので、ヒューズ10Bの製造工程を簡略化できる。   In the second embodiment, since the first connection terminal portion 12, the fuse element portion 15, and the semiconductor placement electrode portion 18 are integrally formed, the manufacturing process of the fuse 10B can be simplified.

図4は本発明の第3実施形態のヒューズの正面図である。   FIG. 4 is a front view of a fuse according to a third embodiment of the present invention.

図4に示すように、ヒューズ10Cは、バッテリー側に接続される第1接続端子部12と、負荷側に接続される第2接続端子部13と、リレー制御回路側に接続される第3接続端子部14と、ヒューズエレメント部15と、第2接続端子部13に実装された半導体リレー11Aとを備えている。ヒューズ10Cは、各相手端子接続箇所を除く第1〜第3接続端子部12,13,14の箇所、ヒューズエレメント部15A、及び、半導体リレー11Aがモールド樹脂封止部16で封止されることによって一体化されている。   As shown in FIG. 4, the fuse 10C includes a first connection terminal portion 12 connected to the battery side, a second connection terminal portion 13 connected to the load side, and a third connection connected to the relay control circuit side. A terminal portion 14, a fuse element portion 15, and a semiconductor relay 11 </ b> A mounted on the second connection terminal portion 13 are provided. In the fuse 10C, the locations of the first to third connection terminal portions 12, 13, 14 excluding each counterpart terminal connection location, the fuse element portion 15A, and the semiconductor relay 11A are sealed with the mold resin sealing portion 16. It is integrated by.

ヒューズエレメント部15Aは、低融点金属(例えば、Zn合金)製で、且つ、ワイヤー状に形成されている。このワイヤー状のヒューズエレメント部15Aがワイヤーボンデングされることによって第1接続端子部12と半導体リレー11Aのドレイン電極(図示せず)間に介在されている。   The fuse element portion 15A is made of a low melting point metal (for example, a Zn alloy) and is formed in a wire shape. The wire-shaped fuse element portion 15A is interposed between the first connection terminal portion 12 and the drain electrode (not shown) of the semiconductor relay 11A by wire bonding.

半導体リレー11Aは、前記第1実施形態と同様で、FET等のベアチップであり、その下面に配置されたソース電極(図示せず)と、上面の一部にそれぞれ配置されたドレイン電極(図示せず)及びゲート電極(図示せず)とを有する。そして、ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路が形成されている。ドレイン電極は、上記したように、ワイヤ状のヒューズエレメント部15Aの他端側に電気的に接続されている。ソース電極は、半導体リレー11Aが第2接続端子部13に半田付けされることによって電気的に接続されている。ゲート電極は、第3接続端子部14にボンデングワイヤ17eを介して電気的に接続されている。   The semiconductor relay 11A is similar to the first embodiment, and is a bare chip such as an FET. A source electrode (not shown) disposed on the lower surface of the semiconductor relay 11A and a drain electrode (not illustrated) respectively disposed on a part of the upper surface. And a gate electrode (not shown). A relay circuit is formed in which the drain electrode and the source electrode are made conductive / non-conductive based on a control signal input to the gate electrode. As described above, the drain electrode is electrically connected to the other end of the wire-shaped fuse element portion 15A. The source electrode is electrically connected by soldering the semiconductor relay 11 </ b> A to the second connection terminal portion 13. The gate electrode is electrically connected to the third connection terminal portion 14 via a bonding wire 17e.

この第3実施形態のヒューズ10Cにおいても、前記第1実施形態のものと同様に、リレー回路を基板20に実装する必要がないことに起因する種々の効果が得られる。   Also in the fuse 10C of the third embodiment, various effects resulting from the fact that the relay circuit does not need to be mounted on the substrate 20 can be obtained as in the case of the first embodiment.

また、この第3実施形態では、半導体リレー11Aは、その下面がソース電極として形成されている共に、第2接続端子部13に半導体リレー11Aが直接マウントされているので、第1実施形態と同様に、半導体配置用電極部を別途製造する必要がなく、ヒューズ構成を単純化できる。また、半導体リレー11Aと第2接続端子部13間を電気的に接続する作業が不要であるため、ヒューズ10Cの製造工程を簡略化できる。   In the third embodiment, the lower surface of the semiconductor relay 11A is formed as a source electrode, and the semiconductor relay 11A is directly mounted on the second connection terminal portion 13, so that the same as in the first embodiment. In addition, it is not necessary to separately manufacture the electrode portion for semiconductor arrangement, and the fuse configuration can be simplified. Moreover, since the operation | work which electrically connects between 11 A of semiconductor relays and the 2nd connection terminal part 13 is unnecessary, the manufacturing process of fuse 10C can be simplified.

この第3実施形態では、ヒューズエレメント部15Aは低融点金属製で、且つ、ワイヤー状に形成され、このワイヤー状のヒューズエレメント部15Aがワイヤーボンデングされることによって第1接続端子部12と半導体リレー11Aのドレイン電極間に介在されている。従って、ヒューズエレメント部15Aを簡単に製造できるため、ヒューズ構成を簡略化できる。又、ヒューズエレメント部15Aの融点調整が容易にできるため、所望のヒューズ特性を有するヒューズ10Cを簡単に製造できる。   In the third embodiment, the fuse element portion 15A is made of a low-melting-point metal and is formed in a wire shape, and the wire-like fuse element portion 15A is bonded to the first connection terminal portion 12 and the semiconductor. It is interposed between the drain electrodes of the relay 11A. Therefore, since the fuse element portion 15A can be easily manufactured, the fuse configuration can be simplified. Further, since the melting point of the fuse element portion 15A can be easily adjusted, the fuse 10C having desired fuse characteristics can be easily manufactured.

図5〜図7は本発明の第4実施形態を示し、図5は電気接続箱の回路等の概念図、図6はヒューズの正面図、図7はヒューズの斜視図である。   5 to 7 show a fourth embodiment of the present invention, FIG. 5 is a conceptual diagram of a circuit and the like of an electrical junction box, FIG. 6 is a front view of the fuse, and FIG. 7 is a perspective view of the fuse.

図5に示すように、電気接続箱1は、電源であるバッテリー2からの電流が入力され、バッテリー2から過大電流が供給されるのを阻止するヒューズ10Dと、ヒューズ10Dを介して供給される電流を負荷3に対して通電したり、非通電としたりする半導体リレー11Aと、半導体リレー11Aを駆動する半導体リレー駆動用素子30Aと、半導体リレー駆動用素子30Aを介して半導体リレー11Aを制御するリレー制御回路31とを備えている。   As shown in FIG. 5, the electrical junction box 1 is supplied with a current from a battery 2 as a power source and a fuse 10 </ b> D that prevents an excessive current from being supplied from the battery 2 and the fuse 10 </ b> D. The semiconductor relay 11A for energizing or de-energizing the load 3, the semiconductor relay driving element 30A for driving the semiconductor relay 11A, and the semiconductor relay 11A are controlled via the semiconductor relay driving element 30A. And a relay control circuit 31.

ヒューズ10Dは、プラグイン式のものであり、筐体1aの外部に配置された音叉端子(図示せず)に装着されている。ヒューズ10Dには半導体リレー11A及び半導体リレー駆動用素子30Aが内蔵されており、その詳しい構成は、下記に詳述する。リレー制御回路31は、チャージポンプ回路31aと制御スイッチSW1とから構成されている。この実施形態では、半導体リレー11AがNチャネルMOS形で、ハイサイド駆動であるため、チャージポンプ回路31aが必要である。   The fuse 10D is of a plug-in type and is attached to a tuning fork terminal (not shown) arranged outside the housing 1a. The fuse 10D incorporates a semiconductor relay 11A and a semiconductor relay driving element 30A, and the detailed configuration thereof will be described in detail below. The relay control circuit 31 includes a charge pump circuit 31a and a control switch SW1. In this embodiment, since the semiconductor relay 11A is an N-channel MOS type and is high-side driven, the charge pump circuit 31a is necessary.

次に、ヒューズ10Dの詳しい構成を説明する。図6に示すように、ヒューズ10Dは、バッテリー2側に接続される第1接続端子部12と、負荷3側に接続される第2接続端子部13と、リレー制御回路31側に接続される第3接続端子部14と、ヒューズエレメント部15Bと、第2接続端子部13に実装された半導体リレー11Aと、同じく第2接続端子部13に実装される半導体リレー駆動用素子30Aと、中継端子部32とを備えている。   Next, a detailed configuration of the fuse 10D will be described. As shown in FIG. 6, the fuse 10D is connected to the first connection terminal portion 12 connected to the battery 2 side, the second connection terminal portion 13 connected to the load 3 side, and the relay control circuit 31 side. The third connection terminal portion 14, the fuse element portion 15B, the semiconductor relay 11A mounted on the second connection terminal portion 13, the semiconductor relay driving element 30A also mounted on the second connection terminal portion 13, and the relay terminal Part 32.

各接続端子部12,13,14、ヒューズエレメント部15及び中継端子部32は、それぞれ別体のブスバー材より形成されている。   Each of the connection terminal portions 12, 13, 14, the fuse element portion 15 and the relay terminal portion 32 is formed of a separate bus bar material.

半導体リレー11Aは、NチャネルMOS形のFET等のベアチップである。半導体リレー11Aは、その下面に配置されたソース電極(図示せず)と、上面の一部にそれぞれ配置されたドレイン電極(図示せず)及びゲート電極(図示せず)とを有する。そして、ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路が形成されている。ドレイン電極は、中継端子部32にボンデングワイヤ17fを介して電気的に接続されている。ソース電極は、半導体リレー11Aが第2接続端子部13に半田付けされることによって電気的に接続されている。ゲート電極は、半導体リレー駆動用素子30Aの出力用電極(図示せず)にボンデングワイヤ17gを介して電気的に接続されている。   The semiconductor relay 11A is a bare chip such as an N-channel MOS FET. 11 A of semiconductor relays have the source electrode (not shown) arrange | positioned at the lower surface, and the drain electrode (not shown) and gate electrode (not shown) which were each arrange | positioned at a part of upper surface. A relay circuit is formed in which the drain electrode and the source electrode are made conductive / non-conductive based on a control signal input to the gate electrode. The drain electrode is electrically connected to the relay terminal portion 32 via a bonding wire 17f. The source electrode is electrically connected by soldering the semiconductor relay 11 </ b> A to the second connection terminal portion 13. The gate electrode is electrically connected to an output electrode (not shown) of the semiconductor relay driving element 30A via a bonding wire 17g.

半導体リレー駆動用素子30Aは、ベアチップであり、その下面に配置されたソース側電極(図示せず)と、上面の一部にそれぞれ配置された入力用電極(図示せず)と出力用電極(図示せず)とを有する。ソース側電極は、半導体リレー駆動用素子30Aが第2接続端子部13に半田付けされることによって電気的に接続されている。入力用電極は、第3接続端子部14にボンデングワイヤ17hを介して接続されている。   The semiconductor relay driving element 30A is a bare chip, and includes a source side electrode (not shown) arranged on the lower surface thereof, an input electrode (not shown) arranged on a part of the upper surface, and an output electrode (not shown). (Not shown). The source side electrode is electrically connected by soldering the semiconductor relay driving element 30 </ b> A to the second connection terminal portion 13. The input electrode is connected to the third connection terminal portion 14 via a bonding wire 17h.

各相手端子接続箇所を除く第1〜第3接続端子部12,13,14の箇所、中継端子部32、半導体リレー11A及び半導体リレー駆動用素子30Aは、モールド樹脂封止部40で封止されることによって一体化されている。また、第1接続端子部12と中継端子部32のヒューズ接続部12a,32aは、モールド樹脂封止部40で封止されることなく外部に露出されている。   The locations of the first to third connection terminal portions 12, 13, 14 excluding each counterpart terminal connection location, the relay terminal portion 32, the semiconductor relay 11 </ b> A, and the semiconductor relay driving element 30 </ b> A are sealed with a mold resin sealing portion 40. It is integrated by doing. Further, the fuse connection portions 12 a and 32 a of the first connection terminal portion 12 and the relay terminal portion 32 are exposed to the outside without being sealed by the mold resin sealing portion 40.

ヒューズエレメント部15Bの両端は、モールド樹脂封止部40より露出された双方のヒューズ接続部12a,32a間に半田付け等によってそれぞれ接続されている。そして、モールド樹脂封止部40とヒューズエレメント部15Bは、ケース41内に収容されており、これによってヒューズ10Eは全体として一体化されている(図7参照)。   Both ends of the fuse element portion 15B are connected to both the fuse connection portions 12a and 32a exposed from the mold resin sealing portion 40 by soldering or the like. The mold resin sealing portion 40 and the fuse element portion 15B are accommodated in the case 41, whereby the fuse 10E is integrated as a whole (see FIG. 7).

上記構成において、ヒューズ10Dには半導体リレー11A及び半導体リレー駆動用素子30Aが内蔵されるため、前記第1実施形態と較べて、電気接続箱1等の筐体1aの更なる縮小化になる。基板や筐体1aの縮小化によって、電気接続箱1の更なる軽量化、低コスト化になる。又、熱源であるリレー回路を電気接続箱1内の基板等に実装する必要がないため、基板等に高放熱材料や高耐熱材料を使用する必要がなく、これによっても低コスト化になる。更に、半導体リレー11Aが故障した場合には、ヒューズ10Dのみを交換すれば良いため、メンテナンス性が向上する。   In the above configuration, since the semiconductor relay 11A and the semiconductor relay driving element 30A are built in the fuse 10D, the housing 1a such as the electrical junction box 1 is further reduced as compared with the first embodiment. By reducing the size of the substrate and the housing 1a, the electric junction box 1 is further reduced in weight and cost. In addition, since it is not necessary to mount a relay circuit as a heat source on a substrate or the like in the electrical junction box 1, it is not necessary to use a high heat dissipation material or a high heat-resistant material for the substrate or the like, which also reduces the cost. Furthermore, when the semiconductor relay 11A fails, only the fuse 10D needs to be replaced, so that maintainability is improved.

この第4実施形態では、第1〜第3接続端子部12,13,14と半導体リレー11Aと半導体リレー駆動用素子30Aは、モールド樹脂封止部40で封止されることによって一体化され、且つ、モールド樹脂封止部40より露出された各ヒューズ接続部12a,32aにヒューズエレメント部15Bが接続され、モールド樹脂封止部40とヒューズエレメント部15Bがケース41内に収容されて全体が一体化されている。従って、半導体リレー11Aと半導体リレー駆動用素子30Aがモールド樹脂封止部40によって外部と完全に隔離されるため、水や埃等による悪影響を確実に回避できる。又、ヒューズエレメント部15B自体は、モールド樹脂封止部40によって封止されないため、過電流の通電によって確実に溶断する。   In the fourth embodiment, the first to third connection terminal portions 12, 13, and 14, the semiconductor relay 11A, and the semiconductor relay driving element 30A are integrated by being sealed with the mold resin sealing portion 40, In addition, the fuse element portion 15B is connected to the fuse connection portions 12a and 32a exposed from the mold resin sealing portion 40, and the mold resin sealing portion 40 and the fuse element portion 15B are accommodated in the case 41 so that the whole is integrated. It has become. Therefore, since the semiconductor relay 11A and the semiconductor relay driving element 30A are completely separated from the outside by the mold resin sealing portion 40, adverse effects due to water, dust, and the like can be reliably avoided. Further, since the fuse element portion 15B itself is not sealed by the mold resin sealing portion 40, the fuse element portion 15B is surely blown by energization of an overcurrent.

図8及び図9は本発明の第5実施形態を示し、図8は電気接続箱の回路等の概念図、図9はヒューズの正面図である。   8 and 9 show a fifth embodiment of the present invention, FIG. 8 is a conceptual diagram of a circuit and the like of an electric junction box, and FIG. 9 is a front view of a fuse.

図8に示すように、電気接続箱1は、前記第4実施形態と同様に、バッテリー2から過大電流が供給されるのを阻止するヒューズ10Eと、ヒューズ10Eを介して供給される電流を負荷3に対して通電したり、非通電としたりする半導体リレー11Cと、半導体リレー11Cを駆動する半導体リレー駆動用素子30Bと、半導体リレー駆動用素子30Bを介して半導体リレー11Cを制御するリレー制御回路である制御スイッチSW2とを備えている。   As shown in FIG. 8, the electrical junction box 1 is loaded with a fuse 10E for preventing an excessive current from being supplied from the battery 2 and a current supplied via the fuse 10E, as in the fourth embodiment. 3 for energizing or de-energizing 3, semiconductor relay driving element 30B for driving semiconductor relay 11C, and relay control circuit for controlling semiconductor relay 11C via semiconductor relay driving element 30B And a control switch SW2.

ヒューズ10Eは、プラグイン式のものであり、筐体1aの外部に配置された音叉端子(図示せず)に装着されている。ヒューズ10Eには半導体リレー11C及び半導体リレー駆動用素子30Bが内蔵されており、その詳しい構成は、下記に詳述する。この実施形態では、半導体リレー11CはPチャネルMOS形であるため、制御スイッチSW2のみで制御可能である。   The fuse 10E is of a plug-in type, and is attached to a tuning fork terminal (not shown) arranged outside the housing 1a. The fuse 10E incorporates a semiconductor relay 11C and a semiconductor relay driving element 30B, and the detailed configuration thereof will be described in detail below. In this embodiment, since the semiconductor relay 11C is a P-channel MOS type, it can be controlled only by the control switch SW2.

次に、ヒューズ10Eの詳しい構成を説明する。図9に示すように、ヒューズ10Eは、前記第4実施形態と同様に、バッテリー2側に接続される第1接続端子部12と、負荷3側に接続される第2接続端子部13と、制御スイッチSW2側に接続される第3接続端子部14と、ヒューズエレメント部15Bと、第2接続端子部13に実装された半導体リレー11Cと、同じく第2接続端子部13に実装される半導体リレー駆動用素子30Bと、中継端子部32とを備えている。   Next, a detailed configuration of the fuse 10E will be described. As shown in FIG. 9, the fuse 10E includes a first connection terminal portion 12 connected to the battery 2 side, a second connection terminal portion 13 connected to the load 3 side, as in the fourth embodiment, The third connection terminal portion 14 connected to the control switch SW2 side, the fuse element portion 15B, the semiconductor relay 11C mounted on the second connection terminal portion 13, and the semiconductor relay similarly mounted on the second connection terminal portion 13 A driving element 30B and a relay terminal portion 32 are provided.

各接続端子部12,13,14、ヒューズエレメント部15及び中継端子部32は、それぞれ別体のブスバー材より形成されている。   Each of the connection terminal portions 12, 13, 14, the fuse element portion 15 and the relay terminal portion 32 is formed of a separate bus bar material.

半導体リレー11Cは、PチャネルMOS形のFET等のベアチップである。半導体リレー11Cは、その下面に配置されたドレイン電極(図示せず)と、上面の一部にそれぞれ配置されたソース電極(図示せず)及びゲート電極(図示せず)とを有する。そして、ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路が形成されている。ドレイン電極は、半導体リレー11Cが第2接続端子部13に半田付けされることによって電気的に接続されている。ソース電極は、中継端子部32にボンデングワイヤ17iを介して電気的に接続されている。ゲート電極は、半導体リレー駆動用素子30Bの出力用電極(図示せず)にボンデングワイヤ17jを介して電気的に接続されている。   The semiconductor relay 11C is a bare chip such as a P-channel MOS FET. The semiconductor relay 11C has a drain electrode (not shown) arranged on the lower surface thereof, and a source electrode (not shown) and a gate electrode (not shown) respectively arranged on a part of the upper surface. A relay circuit is formed in which the drain electrode and the source electrode are made conductive / non-conductive based on a control signal input to the gate electrode. The drain electrode is electrically connected by soldering the semiconductor relay 11 </ b> C to the second connection terminal portion 13. The source electrode is electrically connected to the relay terminal portion 32 via a bonding wire 17i. The gate electrode is electrically connected to an output electrode (not shown) of the semiconductor relay driving element 30B via a bonding wire 17j.

半導体リレー駆動用素子30Bは、ベアチップであり、その上面の一部にそれぞれ配置されたソース側電極(図示せず)と出力用電極(図示せず)と入力用電極(図示せず)とを有する。ソース用電極は、中継端子部32にボンデングワイヤ17kを介して接続されている。入力用電極は、第3接続端子部14にボンデングワイヤ17lを介して接続されている。   The semiconductor relay driving element 30B is a bare chip, and includes a source side electrode (not shown), an output electrode (not shown), and an input electrode (not shown) arranged on a part of the upper surface thereof. Have. The source electrode is connected to the relay terminal portion 32 via a bonding wire 17k. The input electrode is connected to the third connection terminal portion 14 via a bonding wire 17l.

各相手端子接続箇所を除く第1〜第3接続端子部12,13,14の箇所、中継端子部32、半導体リレー11C及び半導体リレー駆動用素子30Bは、前記第4実施形態と同様に、モールド樹脂封止部40で封止されることによって一体化されている。又、第1接続端子部12と中継端子部32のヒューズ接続部12a,32aは、モールド樹脂封止部40で封止されることなく外部に露出されている。   The locations of the first to third connection terminal portions 12, 13, 14 excluding each counterpart terminal connection location, the relay terminal portion 32, the semiconductor relay 11C, and the semiconductor relay driving element 30B are molded as in the fourth embodiment. It is integrated by sealing with the resin sealing part 40. Further, the fuse connection portions 12 a and 32 a of the first connection terminal portion 12 and the relay terminal portion 32 are exposed to the outside without being sealed by the mold resin sealing portion 40.

ヒューズエレメント部15Bの両端は、モールド樹脂封止部40より露出された双方のヒューズ接続部12a,32a間に半田付け等によってそれぞれ接続されている。そして、モールド樹脂封止部40とヒューズエレメント部15Bは、ケース41内に収容されており、これによってヒューズ10Eは全体として一体化されている。   Both ends of the fuse element portion 15B are connected to both the fuse connection portions 12a and 32a exposed from the mold resin sealing portion 40 by soldering or the like. The mold resin sealing portion 40 and the fuse element portion 15B are accommodated in the case 41, whereby the fuse 10E is integrated as a whole.

この第5実施形態においても、前記第4実施形態と同様に、電気接続箱1の軽量化、低コスト化等になる。また、熱源であるリレー回路を電気接続箱1内の基板等に実装する必要がないため、基板等に高放熱材料や高耐熱材料を使用する必要がなく、これによっても低コスト化になる。さらに、半導体リレー11Cが故障した場合には、ヒューズ10Eのみを交換すれば良いため、メンテナンス性が向上する。   In the fifth embodiment, as in the fourth embodiment, the electrical connection box 1 is reduced in weight, cost, and the like. In addition, since it is not necessary to mount a relay circuit as a heat source on a substrate or the like in the electrical junction box 1, it is not necessary to use a high heat dissipation material or a high heat-resistant material for the substrate or the like, which also reduces the cost. Furthermore, when the semiconductor relay 11C fails, only the fuse 10E needs to be replaced, so that the maintainability is improved.

この第5実施形態では、前記第4実施形態と同様に、第1〜第3接続端子部12,13,14と半導体リレー11Cと半導体リレー駆動用素子30Bは、モールド樹脂封止部40で封止されることによって一体化され、且つ、モールド樹脂封止部40とヒューズエレメント部15Bがケース41内に収容されて全体が一体化されている。従って、半導体リレー11Cと半導体リレー駆動用素子30Bがモールド樹脂封止部40によって外部と完全に隔離されるため、水や埃等による悪影響を確実に回避できる。又、ヒューズエレメント部15B自体は、モールド樹脂封止部40によって封止されないため、過電流の通電によって確実に溶断する。   In the fifth embodiment, as in the fourth embodiment, the first to third connection terminal portions 12, 13, and 14, the semiconductor relay 11C, and the semiconductor relay driving element 30B are sealed with the mold resin sealing portion 40. The mold resin sealing part 40 and the fuse element part 15B are accommodated in the case 41 and integrated as a whole. Therefore, since the semiconductor relay 11C and the semiconductor relay driving element 30B are completely isolated from the outside by the mold resin sealing portion 40, adverse effects due to water, dust, and the like can be reliably avoided. Further, since the fuse element portion 15B itself is not sealed by the mold resin sealing portion 40, the fuse element portion 15B is surely blown by energization of an overcurrent.

この第5実施形態では、次のような利点がある。つまり、半導体リレー11CがMOS形FETである場合には、ドレイン電極−ソース電極間の耐圧に比べてゲート電極−ソース電極間の耐圧が低い。そのため、静電気などのサージ電流が半導体リレー11Cのゲート電極に加わると、半導体リレー11Cが壊れる可能性が非常に高い。しかし、第5実施形態の構成では、人間等が第3接続端子部14に触れる等して静電気等のサージ電流が発生しても、半導体駆動用素子30Bのツェナーダイオードでゲート電極−ソース電極間の電圧を一定に維持しているので、サージ電流が半導体リレー駆動用素子30Bによって半導体リレー11Cのゲート電極に直接加わることがないため、静電気等によって半導体リレー11Cが壊れることがない。従って、第5実施形態のヒューズ10Eは、半導体リレー11Cの回路保護を行う必要がないという利点がある。   The fifth embodiment has the following advantages. That is, when the semiconductor relay 11C is a MOS FET, the breakdown voltage between the gate electrode and the source electrode is lower than the breakdown voltage between the drain electrode and the source electrode. Therefore, when a surge current such as static electricity is applied to the gate electrode of the semiconductor relay 11C, the possibility that the semiconductor relay 11C is broken is very high. However, in the configuration of the fifth embodiment, even if a human or the like touches the third connection terminal portion 14 and a surge current such as static electricity is generated, the Zener diode of the semiconductor drive element 30B is connected between the gate electrode and the source electrode. Therefore, the surge current is not directly applied to the gate electrode of the semiconductor relay 11C by the semiconductor relay driving element 30B, so that the semiconductor relay 11C is not broken by static electricity or the like. Therefore, the fuse 10E of the fifth embodiment has an advantage that it is not necessary to protect the circuit of the semiconductor relay 11C.

尚、前記第4及び第5実施形態では、半導体リレー11A,11Cを第2接続端子部13に直接マウントしているが、第2実施形態のような半導体配置用電極部を設けてマウントしても良いし、中継端子部32にマウントするよう構成しても良い。   In the fourth and fifth embodiments, the semiconductor relays 11A and 11C are directly mounted on the second connection terminal portion 13, but the semiconductor placement electrode portion as in the second embodiment is provided and mounted. Alternatively, the relay terminal unit 32 may be mounted.

本発明の第1実施形態を示し、電気接続箱の回路等の概念図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a circuit etc. of an electrical junction box according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態を示し、ヒューズの正面図である。1 is a front view of a fuse according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態を示し、ヒューズの正面図である。It is a front view of a fuse, showing a second embodiment of the present invention. 本発明の第3実施形態を示し、ヒューズの正面図である。It is a front view of a fuse, showing a 3rd embodiment of the present invention. 本発明の第4実施形態を示し、電気接続箱の回路等の概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a circuit of an electrical junction box according to a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第4実施形態を示し、ヒューズの正面図である。It is a front view of a fuse, showing a 4th embodiment of the present invention. 本発明の第4実施形態を示し、ヒューズの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a fuse, showing a fourth embodiment of the present invention. 本発明の第5実施形態を示し、電気接続箱の回路等の概念図である。FIG. 10 is a conceptual diagram showing a fifth embodiment of the present invention, such as a circuit of an electrical junction box. 本発明の第5実施形態を示し、ヒューズの正面図である。It is a front view of a fuse, showing a 5th embodiment of the present invention. 従来例を示し、電気接続箱の回路等の概念図である。It is a conceptual diagram which shows a prior art example and is a circuit etc. of an electric junction box. 他の従来例を示し、電気接続箱の回路等の概念図である。It is a conceptual diagram which shows another conventional example and is a circuit etc. of an electric junction box. 従来のヒューズの正面図である。It is a front view of the conventional fuse.

符号の説明Explanation of symbols

1 電気接続箱
1a 筐体
2 バッテリー(電源)
3 負荷
10A,10B,10C,10D,10E ヒューズ
11A,11B,11C 半導体リレー
12 第1接続端子部
13 第2接続端子部
14 第3接続端子部
15,15A,15B ヒューズエレメント部
16 モールド樹脂封止部
18 半導体配置用電極部
30A,30B 半導体リレー駆動用素子
31 リレー制御回路
40 モールド樹脂封止部
41 ケース
SW2 制御スイッチ(リレー制御回路)
1 Electrical Junction Box 1a Case 2 Battery (Power)
3 Load 10A, 10B, 10C, 10D, 10E Fuse 11A, 11B, 11C Semiconductor Relay 12 First Connection Terminal Part 13 Second Connection Terminal Part 14 Third Connection Terminal Part 15, 15A, 15B Fuse Element Part 16 Mold Resin Sealing Part 18 Semiconductor placement electrode part 30A, 30B Semiconductor relay driving element 31 Relay control circuit 40 Mold resin sealing part 41 Case SW2 control switch (relay control circuit)

Claims (3)

電源側に接続される第1接続端子部、負荷側に接続される第2接続端子部、及び、リレー制御回路側に接続される第3接続端子部と、
前記第1接続端子部に一端側が接続されるヒューズエレメント部と、
ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路を構成し、前記ドレイン電極が前記ヒューズエレメント部の他端側に、前記ソース電極が前記第2接続端子部に、前記ゲート電極が前記第3接続端子部にそれぞれ電気的に接続される半導体リレーとを備え、
前記第1〜第3接続端子部と前記ヒューズエレメント部と前記半導体リレーが封止によって一体化されており、
前記第1接続端子部と前記ヒューズエレメント部は、ブスバーの母材から一体に形成されたことを特徴とするヒューズ。
A first connection terminal connected to the power supply side, a second connection terminal connected to the load, and a third connection terminal connected to the relay control circuit;
A fuse element portion having one end connected to the first connection terminal portion;
Based on a control signal input to the gate electrode, a relay circuit is formed in which the drain electrode and the source electrode are made conductive / non-conductive, the drain electrode is on the other end side of the fuse element portion, and the source electrode is A semiconductor relay in which the gate electrode is electrically connected to the third connection terminal portion, respectively, in the second connection terminal portion,
The first to third connection terminal portions, the fuse element portion, and the semiconductor relay are integrated by sealing ,
The fuse, wherein the first connection terminal portion and the fuse element portion are integrally formed from a bus bar base material .
電源側に接続される第1接続端子部、負荷側に接続される第2接続端子部、及び、リレー制御回路側に接続される第3接続端子部と、
前記第1接続端子部に一端側が接続されるヒューズエレメント部と、
ゲート電極に入力される制御信号に基づいてドレイン電極とソース電極間が導通・非導通とされるリレー回路を構成し、前記ドレイン電極が前記ヒューズエレメント部の他端側に、前記ソース電極が前記第2接続端子部に、前記ゲート電極が前記第3接続端子部にそれぞれ電気的に接続される半導体リレーとを備え、
前記第1〜第3接続端子部と前記ヒューズエレメント部と前記半導体リレーが封止によって一体化されており、
前記半導体リレーは、その一面が前記ドレイン電極、前記ソース電極及び前記ゲート電極の内の任意の一つの電極として形成されていると共に、前記ヒューズエレメント部の他端側に接続される半導体配置用電極部を有し、前記半導体配置用電極部に前記半導体リレーが直接マウントされており、
前記第1接続端子部と前記ヒューズエレメント部と前記半導体配置用電極部は、ブスバーの母材から一体に形成されたことを特徴とするヒューズ。
A first connection terminal connected to the power supply side, a second connection terminal connected to the load, and a third connection terminal connected to the relay control circuit;
A fuse element portion having one end connected to the first connection terminal portion;
Based on a control signal input to the gate electrode, a relay circuit is formed in which the drain electrode and the source electrode are made conductive / non-conductive, the drain electrode is on the other end side of the fuse element portion, and the source electrode is A semiconductor relay in which the gate electrode is electrically connected to the third connection terminal portion, respectively, in the second connection terminal portion,
The first to third connection terminal portions, the fuse element portion, and the semiconductor relay are integrated by sealing,
One surface of the semiconductor relay is formed as any one of the drain electrode, the source electrode, and the gate electrode, and is connected to the other end side of the fuse element portion. The semiconductor relay is directly mounted on the electrode portion for semiconductor placement,
The fuse, wherein the first connection terminal portion, the fuse element portion, and the semiconductor placement electrode portion are integrally formed from a base material of a bus bar .
請求項1または請求項2に記載のヒューズにおいて、The fuse according to claim 1 or claim 2,
前記ヒューズエレメント部が、前記第1接続端子部と前記第2接続端子部との間で、前記第1接続端子部から前記第2接続端子部に向かって延びていることを特徴とするヒューズ。  The fuse, wherein the fuse element portion extends from the first connection terminal portion toward the second connection terminal portion between the first connection terminal portion and the second connection terminal portion.
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