JP5147779B2 - 配線基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板の製造方法、及び半導体パッケージの製造方法に関する。

従来より、配線基板上に、はんだバンプ等を介して半導体チップを搭載した半導体パッケージが知られている。このような半導体パッケージにおいて、配線基板と半導体チップとの接続信頼性を向上させることは極めて重要である。従来の半導体パッケージでは、配線基板と半導体チップとの接続信頼性を向上させるために、例えば、配線基板に、配線基板の一方の面から突出する金属層（突出部）を設け、この突起する金属層にはんだバンプを形成している。以下、図面を参照しながら、配線基板の一方の面から突出する金属層を設けた従来の配線基板の例について説明する。

図１は、従来の配線基板の例を示す断面図である。図１を参照するに、配線基板１００は、第１絶縁層１３０ａと、第２絶縁層１３０ｂと、第３絶縁層１３０ｃと、第１配線層１４０ａと、第２配線層１４０ｂと、突出金属層１６０と、はんだバンプ１７０とを有する。

配線基板１００において、第２絶縁層１３０ｂには第１配線層１４０ａ及び第２配線層１４０ｂが形成され、第１配線層１４０ａと第２配線層１４０ｂとは第１ビアホール１５０ａを介して電気的に接続されている。第２絶縁層１３０ｂの一方の面には、第１配線層１４０ａを覆うように、第１配線層１４０ａの一部を露出する開口部１３０ｘを有する第１絶縁層１３０ａが形成されている。

第２絶縁層１３０ｂの他方の面には、第２配線層１４０ｂを覆うように、第３絶縁層１３０ｃが形成されている。第３絶縁層１３０ｃの開口部１３０ｙには、配線基板１００の一方の面１００ａから一部が突出する突出金属層１６０が形成されている。突出金属層１６０は、Ｃｕ層１６１及びＮｉ層１６２から構成されている。Ｃｕ層１６１は、配線基板１００の一方の面１００ａから略３０μｍ突出しており、Ｃｕ層１６１の表面には厚さ略５μｍのＮｉ層１６２が形成されている。Ｃｕ層１６１と第２配線層１４０ｂとは、第２ビアホール１５０ｂを介して電気的に接続されている。突出金属層１６０には、はんだバンプ１７０が形成されている。

続いて、配線基板１００の製造方法について説明する。図２〜図６は、従来の配線基板の製造工程の例を示す図である。図２〜図６において、図１と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。

始めに、図２に示す工程では、ＳＵＳからなる厚さ約５００μｍのキャリアメタル（金属板）１１０を用意する。そして、用意したキャリアメタル１１０の表面１１０ａ上に、公知のフォトリソグラフィ法により、配線基板１００の突出金属層１６０に対応した位置に開口部１２０ｘを有する所定パターンのエッチングレジスト層１２０ａを形成する。又、キャリアメタル１１０の裏面１１０ｂ上には、ベタ状のエッチングレジスト層１２０ｂを形成する。

次いで、図３に示す工程では、ＳＵＳを溶解するエッチング液を噴射し、エッチングレジスト層１２０ａの開口部１２０ｘ内に露出したキャリアメタル１１０の表面１１０ａをエッチングする。そして、キャリアメタル１１０の表面１１０ａに、平面視略円形状で深さが約２０μｍの凹部１１０ｘを形成する。

次いで、図４に示す工程では、キャリアメタル１１０の凹部１１０ｘ内からその表面１１０ａを越えて突出する突出金属層１６０ａを形成する。具体的には、まず、Ａｕめっき工程において、電解Ａｕめっきを施し、凹部１１０ｘの内壁面上に厚さ約０．５μｍのＡｕめっき層１６３を形成する。その後、Ｎｉめっき工程において、電解Ｎｉめっきを施し、Ａｕめっき層１６３の表面上に厚さ約５μｍのＮｉめっき層１６２を形成する。

更に、電解Ｃｕめっきを施し、Ｎｉ層１６２の表面上に、厚さ（高さ）約３０μｍのＣｕ層１６１を形成して、Ｎｉ層１６２により形成された穴部をＣｕ層１６１で充填する。この工程では、Ｎｉ層１６２による穴部を容易に埋めるために、フィルドビア形成用のＣｕ電解めっき液を使用するのが好ましい。このような３つのめっき工程を経て、Ａｕ層１６３とＮｉ層１６２とＣｕ層１６１とからなる突出金属層１６０ａを形成する。なお、突出金属層１６０ａは、突出金属層１６０にＡｕめっき層１６３を形成したものである。

次いで、図５に示す工程では、図４に示すエッチングレジスト層１２０ａ及び１２０ｂを除去した後、キャリアメタル１１０の表面１１０ａ上及び突出金属層１６０ａ上に、周知の方法により、突出金属層１６０ａに対応する開口部１３０ｙと、第２ビアホール１５０ｂとを有する第３絶縁層１３０ｃを形成し、更に、第３絶縁層１３０ｃ上に、第２ビアホール１５０ｂを介して突出金属層１６０ａを構成するＣｕ層１６１と電気的に接続される第２配線層１４０ｂを形成する。

次いで、第３絶縁層１３０ｃ上に、第２配線層１４０ｂを覆うように、第１ビアホール１５０ａを有する第２絶縁層１３０ｂを形成する。更に、第２絶縁層１３０ｂ上に、第１ビアホール１５０ａを介して第２配線層１４０ｂと電気的に接続される第１配線層１４０ａを形成する。更に、第２絶縁層１３０ｂ上に、第１配線層１４０ａを覆うように、第１配線層１４０ａの一部を露出する開口部１３０ｘを有する第１絶縁層１３０ａを形成する。

次いで、図６に示す工程では、エッチングにより図５に示すキャリアメタル１１０全体を除去し、突出金属層１６０ａと配線基板１００の一方の面１００ａ全体を露出させる。次いで、突出金属層１６０ａ上に、はんだバンプ１７０を形成する（図１参照）。その際、Ａｕめっき層１６３は、はんだ内に拡散するので、はんだバンプ１７０は、Ｎｉ層１６２上（突出金属層１６０上）に形成される。このようにして、図１に示す配線基板１００が製造される。

このように、配線基板１００は、第３絶縁層１３０ｃの開口部１３０ｙ内から配線基板１００の一方の面１００ａを越えて突出する突出金属層１６０を有する。そして、突出金属層１６０上には、はんだバンプ１７０が形成されている。

図７は、従来の配線基板の他の例を示す断面図である。図７を参照するに、配線基板２００は、エッチングストップ層２１０ｂと、第１配線層２２０と、Ｃｕ層２４０と、第２配線層２５０と、Ｎｉ層２６０と、第１絶縁層２７０と、第２絶縁層２７０ａと、突出金属層２８０と、補強部２９０と、はんだバンプ３００とを有する。

配線基板２００において、第１絶縁層２７０には第１配線層２２０及び第２配線層２５０が形成され、第１配線層２２０と第２配線層２５０とはＣｕ層２４０及びＮｉ層２６０を介して電気的に接続されている。第１配線層２２０上には、エッチングストップ層２１０ｂが形成され、エッチングストップ層２１０ｂ上には配線基板２００の一方の面２００ａから突出する突出金属層２８０が形成されている。更に突出金属層２８０には、はんだバンプ３００が形成されている。第１絶縁層２７０上には、第２配線層２５０を覆うように、第２配線層２５０の一部を露出する開口部２７０ｘを有する第２絶縁層２７０ａが形成されている。

続いて、配線基板２００の製造方法について説明する。図８〜図１２は、従来の配線基板の製造工程の他の例を示す図である。図８〜図１２において、図７と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。

始めに、図８に示す工程では、三層構造の金属基板２１０を用意する。金属基板２１０は、金属層２１０ａと、エッチングストップ層２１０ｂと、金属層２１０ｃとを有する。金属層２１０ａは、銅又は銅合金からなり、厚さが例えば８０〜１５０μｍ程度の金属膜である。エッチングストップ層２１０ｂは、銅或いは銅合金に対するエッチング（例えば塩酸系エッチング液を用いたエッチング）において該銅或いは銅合金に対して充分にエッチング選択比をとれる材料から構成されている。金属層２１０ｃは、エッチングストップ層２１０ｂの表面に積層された銅からなる薄い金属膜で、後に第１配線層２２０となる。

次いで、図９に示す工程では、三層構造の金属基板２１０の金属層２１０ｃをフォトエッチングによりパターニングすることにより第１配線層２２０を形成する。そして、回路形成用基板２３０を用意し、回路形成用基板２３０を金属基板２１０に対して位置合わせする。回路形成用基板２３０は、金属層２１０ｄ上にＮｉ層２６０及びＣｕ層２４０がこの順で積層形成され第１絶縁層２７０で被覆された基板である。ただし、Ｃｕ層２４０は、第１絶縁層２７０から露出している。なお、金属層２１０ｄは、後に第２配線層２５０となる。

次いで、図１０に示す工程では、回路形成用基板２３０を金属基板２１０に積層する。具体的には、回路形成用基板２３０のＣｕ層２４０を、第１絶縁層２７０を介して金属基板２１０の第１配線層２２０に熱圧着することにより積層する。回路形成用基板２３０と金属基板２１０とはＣｕ層２４０以外の部分は絶縁層２７０を介して接着される。

次いで、図１１に示す工程では、回路形成用基板２３０の金属層２１０ｄをフォトエッチングすることにより第２配線層２５０を形成する。そして、第１絶縁層２７０上に、第２配線層２５０を覆うように、第２配線層２５０の一部を露出する開口部２７０ｘを有する第２絶縁層２７０ａを形成する。開口部２７０ｘから露出する第２配線層２５０上に、ＮｉめっきやＡｕめっき等を施しても構わない。

次いで、図１２に示す工程では、図１１に示す銅からなる金属層２１０ａを裏面側から選択的にエッチングすることにより、突出金属層２８０及び補強部２９０を形成する。３００はその選択的エッチングに際してエッチングマスクとして用いた半田膜（厚さ例えば１０〜５０μｍ）で、めっきにより形成される。半田膜３００はレジスト層等をマスクとしてアルカリエッチングにより選択的に除去することによりパターニングできるので、突出金属層２８０及び補強部２９０を形成するエッチングにおいてエッチングマスクとして用いることができるのである。次いで、半田膜３００にリフロー処理を施し、はんだバンプ３００を形成することにより、図７に示す配線基板２００が製造される。

このように、配線基板２００は、配線基板２００の一方の面２００ａから突出する突出金属層２８０を有する。そして、突出金属層２８０上には、はんだバンプ３００が形成されている。

特開２００３−２１８２８６号公報 特開２００２−４３５０６号公報 特開２００１−１７７０１０号公報

しかしながら、従来の配線基板に形成されている突出金属層は、十分な高さを有する信頼性の高い接続端子として機能するという効果を奏する一方、この効果を維持しようとすると、隣接する突出金属層の間隔を狭くすることが困難であるという問題があった。以下、図面を参照しながら、この問題について説明する。

前述の図３等において、キャリアメタル１１０のエッチングにより形成された凹部１１０ｘは断面視矩形状に描かれているが、実際には断面視矩形状にはならないことが知られている。図１３は、エッチングにより形成された凹部の実際の形状を例示する断面図である。図１３に示すように、エッチングにより形成された凹部１１０ｙのＸＺ平面に平行な断面は、凹部１１０ｘのような矩形状にはならず、ドーム状になる。

更に、エッチングはＺ方向のみならずＸ方向及びＹ方向にも進行するため、開口部１２０ｘが平面視において（Ｚ方向から見て）円形状であるとすると、エッチングレジスト層１２０ａの凹部１１０ｙの最大径φ_１は、開口部１２０ｘの径φ_２よりも大きくなる。又、凹部１１０ｙの最大径φ_１は、凹部１１０ｙの最大深さＤ_１を深くするほど大きくなる。このことは、隣接する凹部１１０ｙのピッチが狭くなった場合に特に問題となる。これに関して、図１４を参照しながら説明する。

図１４は、図１３において隣接する凹部のピッチが狭くなった様子を例示する断面図である。図１４に示すように、隣接する凹部１１０ｙのピッチＰ_１が狭くなると、隣接する凹部１１０ｙ同士が接触する虞が高くなる。隣接する凹部１１０ｙ同士が接触しないようにするためには、最大深さＤ_１を浅くしなければならない。このように、エッチングにより形成された凹部１１０ｙのアスペクト比（Ｄ_１／φ_１）を高くすることは困難である。すなわち、突出金属層１６０は凹部１１０ｙ内に形成されるため、突出金属層１６０のアスペクト比を高くすることは困難である。

又、配線基板１００の凹部１１０ｘと同様に、配線基板２００の突出金属層２８０もエッチングにより形成されるため、その断面は図７等に示すように矩形状にはならない。図７等に示すように、突出金属層２８０の上面の直径は、下面（エッチングストップ層２１０ｂ側）の直径に対して小さくなる。よって、接続信頼性向上のために突出金属層２８０の上面の面積を広くしようとすると隣接する突出金属層２８０同士が接触する虞が高くなる。隣接する突出金属層２８０同士が接触しないようにするためには、突出金属層２８０の高さを低くしなければならない。従って、エッチングにより形成された突出金属層２８０のアスペクト比を高くすることは困難である。

以上詳説したように、従来の配線基板の製造方法では、エッチングにより突出金属層を形成するため、突出金属層の断面が矩形状にならず、アスペクト比を高くすることが困難である。その結果、突出金属層を十分な高さを有する接続信頼性の高い接続端子として機能させようとすると、隣接する突出金属層の狭ピッチ化を実現することができない。一方、隣接する突出金属層の狭ピッチ化を実現しようとすると、突出金属層の高さを十分に確保できなくなり接続信頼性が低下する。

上記の点に鑑みて、本発明は、接続信頼性が高く狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する配線基板の製造方法、前記配線基板を有する半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。

本配線基板の製造方法は、支持体上に、前記支持体の表面を露出する柱状の貫通孔を有する第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、前記柱状の貫通孔から露出する前記支持体の表面及び前記柱状の貫通孔の内壁面を覆うように第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、前記第２金属層上に前記柱状の貫通孔を充填するように第３金属層を形成する第３金属層形成工程と、前記第３金属層を覆うように前記第１金属層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層の一方の面に、前記第３金属層と電気的に接続する配線層を形成する配線層形成工程と、前記支持体及び前記第１金属層を除去し、前記第２金属層及び前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程（１）と、を有することを要件とする。

本半導体パッケージの製造方法は、本配線基板の製造方法で製造された突出金属層を有する配線基板と、電極パッドを有する半導体チップと、を準備する準備工程と、前記突出金属層と前記電極パッドとを対向させるように、前記配線基板上に前記半導体チップを配置する配置工程と、前記突出金属層と前記電極パッドとを電気的に接続する接続工程と、を有することを要件とする。

開示の技術によれば、接続信頼性が高く狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を有する配線基板の製造方法、前記配線基板を有する半導体パッケージの製造方法を提供することができる。

従来の配線基板の例を示す断面図である。 従来の配線基板の製造工程の例を示す図（その１）である。 従来の配線基板の製造工程の例を示す図（その２）である。 従来の配線基板の製造工程の例を示す図（その３）である。 従来の配線基板の製造工程の例を示す図（その４）である。 従来の配線基板の製造工程の例を示す図（その５）である。 従来の配線基板の他の例を示す断面図である。 従来の配線基板の製造工程の他の例を示す図（その１）である。 従来の配線基板の製造工程の他の例を示す図（その２）である。 従来の配線基板の製造工程の他の例を示す図（その３）である。 従来の配線基板の製造工程の他の例を示す図（その４）である。 従来の配線基板の製造工程の他の例を示す図（その５）である。 エッチングにより形成された凹部の実際の形状を例示する断面図である。 図１３において隣接する凹部のピッチが狭くなった様子を例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１０）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１１）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１２）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１３）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１４）である。 第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１５）である。 第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 第３の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第４の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 第５の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。 第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。 第６の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。

〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態では、本発明を多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する例を示す。

［第１の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第１の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１５は、第１の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１５を参照するに、配線基板１０は、第１絶縁層１２ａと、第２絶縁層１２ｂと、第３絶縁層１２ｃと、第１配線層１３ａと、第２配線層１３ｂと、第３配線層１３ｃと、ソルダーレジスト層１４と、接続端子１６と、第４金属層１７とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。

配線基板１０の一方の面１０ａ側には、半導体チップと接続される接続端子として機能する接続端子１６が形成されている。接続端子１６は、配線基板１０の一方の面１０ａから一部が突出する突出金属層１１と、突出金属層１１の配線基板１０の一方の面１０ａから突出する部分を覆うように形成されたはんだバンプ１５とを有する。突出金属層１１は、第２金属層１１ａ及び第３金属層１１ｂを有する。以降、突出金属層１１の配線基板１０の一方の面１０ａから突出する部分を便宜上突出部１１ｘと称する場合がある。又、突出部１１ｘの第１絶縁層１２ａと接する面の反対側の面を面１１ｙと称する場合がある。なお、面１１ｙは、配線基板１０上に半導体チップを搭載する際に、突出部１１ｘがはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分となる。

第１絶縁層１２ａ上（突出部１１ｘの形成面と反対側）には、第１配線層１３ａが形成されている。更に第１配線層１３ａ及び第１絶縁層１２ａを覆うように第２絶縁層１２ｂが形成され、第２絶縁層１２ｂ上には第２配線層１３ｂが形成されている。更に、第２配線層１３ｂ及び第２絶縁層１２ｂを覆うように第３絶縁層１２ｃが形成され、第３絶縁層１２ｃ上には第３配線層１３ｃが形成されている。

第１配線層１３ａと突出金属層１１を構成する第３金属層１１ｂとは、第１絶縁層１２ａに形成された第１ビアホール１２ｘを介して電気的に接続されている。第１配線層１３ａと第２配線層１３ｂとは、第２絶縁層１２ｂに形成された第２ビアホール１２ｙを介して電気的に接続されている。又、第２配線層１３ｂと第３配線層１３ｃとは、第３絶縁層１２ｃに形成された第３ビアホール１２ｚを介して電気的に接続されている。

第３配線層１３ｃ及び第３絶縁層１２ｃを覆うように、開口部１４ｘを有するソルダーレジスト層１４が形成されている。ソルダーレジスト層１４の開口部１４ｘ内に露出する第３配線層１３ｃ上には、第４金属層１７が形成されている。第４金属層１７は、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。

配線基板１０において、突出部１１ｘは、従来の配線基板の突出金属層（ドーム状等）とは異なり、ＸＺ平面に平行な断面が矩形状である。突出部１１ｘの配線基板１０の一方の面１０ａからの突出量Ｌ_１０は、例えば３０〜５０μｍとすることができる。突出部１１ｘの形状は、例えば円柱状（例えば面１１ｙの直径φ_１０＝φ６０〜７０μｍ）とすることができる。突出部１１ｘのピッチＰ_１０は、例えば１５０μｍとすることができる。ただし、突出部１１ｘの形状は円柱状には限定されず、柱状であればよい。すなわち、突出部１１ｘの形状は円柱状ではなく、例えば楕円柱状や角柱状（四角柱、六角柱等）であってもよい。なお、本願において、柱状とは、略平行で略同一面積の上面及び下面（底面）を有する立体をいう。

突出金属層１１を構成する第２金属層１１ａの材料としては、例えばＡｕを用いることができる。又、突出金属層１１を構成する第２金属層１１ａは、突出金属層１１を構成する第３金属層１１ｂ側からＮｉ層とＡｕ層が積層されたＮｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層が積層されたＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ層等としても構わない。突出金属層１１を構成する第３金属層１１ｂの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。はんだバンプ１５の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

このように、突出部１１ｘはＸＺ平面に平行な断面が矩形状であるため、アスペクト比（Ｌ_１０／φ_１０）を高くするが可能となり、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を実現することができる。又、突出部１１ｘはＸＺ平面に平行な断面が矩形状であるため、半導体チップを実装する際にはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分となる面１１ｙの面積を大きくできるため、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。以上が、第１の実施の形態に係る配線基板の構造である。

［第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図１６〜図３０は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図１６〜図３０において、図１５と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。

始めに、図１６に示す工程では、支持体２１を用意する。なお、２１ａは支持体２１の一方の面を示している。本実施形態では支持体２１としてＣｕ箔を用いる。支持体２１の厚さは、例えば３５〜１００μｍとすることができる。次いで、図１７に示す工程では、支持体２１の一方の面２１ａに、レジスト層２２を形成する（実際には、支持体２１の一方の面２１ａと反対側の面もレジスト層で被覆する）。レジスト層２２としては、例えば、ドライフィルム等を用いることができる。レジスト層２２の厚さは、例えば３０〜５０μｍとすることができる。

次いで、図１８に示す工程では、レジスト層２２に対してパターニング処理を行い、突出金属層１１の形成位置に対応する部分のレジスト層２２のみを残し、それ以外の部分のレジスト層２２を除去する。残ったレジスト層２２の形状は、例えば円柱状（例えば断面の直径φ_１０＝φ６０〜７０μｍ）とすることができる。ただし、残ったレジスト層２２の形状は円柱状には限定されず、柱状であればよい。すなわち、残ったレジスト層２２の形状は円柱状ではなく、例えば楕円柱状や角柱状（四角柱、六角柱等）であってもよい。又、残ったレジスト層２２のピッチＰ_１０は、例えば１５０μｍとすることができる。

次いで、図１９に示す工程では、支持体２１をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、支持体２１の一方の面２１ａに第１金属層２３を形成する。第１金属層２３は、支持体２１の一方の面２１ａのレジスト層２２が形成されていない領域に形成される。第１金属層２３は、後述する図３０に示す工程で支持体２１とともにエッチングにより除去されるため、支持体２１及び第１金属層２３は同一のエッチング液により除去可能な材料により構成されていることが好ましい。具体的には、本実施形態では支持体２１としてＣｕ箔を用いているため、第１金属層２３の材料はＣｕであることが好ましい。第１金属層２３の厚さＴ_１０は、例えば３０〜５０μｍとすることができる。なお、第１金属層２３の厚さＴ_１０は、突出部１１ｘの配線基板１０の一方の面１０ａからの突出量Ｌ_１０を決定する。すなわち、突出部１１ｘの配線基板１０の一方の面１０ａからの突出量Ｌ_１０は、第１金属層２３の厚さＴ_１０と略同一となる。

次いで、図２０に示す工程では、図１９に示すレジスト層２２を除去し開口部２３ｘを形成する。これにより、支持体２１の一方の面２１ａに、支持体２１の一方の面２１ａを露出する柱状の貫通孔である開口部２３ｘを有する第１金属層２３が形成される。次いで、図２１に示す工程では、第１金属層２３上にレジスト層２４を形成する。レジスト層２４には、開口部２３ｘに対応する形状の開口部が形成される。レジスト層２４としては、例えば、ドライフィルム等を用いることができる。レジスト層２４の厚さは、例えば３０〜５０μｍとすることができる。

次いで、図２２に示す工程では、支持体２１及び第１金属層２３をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、開口部２３ｘに第２金属層１１ａ及び第３金属層１１ｂをこの順番で積層して突出金属層１１を形成する。第２金属層１１ａは、開口部２３ｘから露出する支持体２１の一方の面２１ａ及び開口部２３ｘの内壁面を覆うように形成される。第３金属層１１ｂは、第２金属層１１ａ上に少なくとも開口部２３ｘを完全に充填するように形成される。第２金属層１１ａの材料としては、例えばＡｕ等を用いることができる。第３金属層１１ｂの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる（図２２（ａ））。

なお、第２金属層１１ａは、異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有しても構わない。図２２（ｂ）は、異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有する第２金属層１１ａの一例である。図２２（ｂ）に示す第２金属層１１ａにおいて、例えば金属層１１ｃをＡｕ層（例えば層厚≒１μｍ）、金属層１１ｄをＰｄ層（例えば層厚≒１μｍ）、金属層１１ｅをＮｉ層（例えば層厚≒５μｍ）とすることができる。異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有する第２金属層１１ａの他の例としては、Ａｕ層とＮｉ層とをこの順番で積層したＡｕ／Ｎｉ層等を挙げることができる。

次いで、図２３に示す工程では、図２２に示すレジスト層２４を除去する。次いで、図２４に示す工程では、突出金属層１１を構成する第３金属層１１ｂを覆うように第１金属層２３上に第１絶縁層１２ａを形成する。第１絶縁層１２ａの材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材を用いることができる。第１絶縁層１２ａの形成方法の一例としては、第１金属層２３上に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより第１絶縁層１２ａを得ることができる。

次いで、図２５に示す工程では、支持体２１に形成された第１絶縁層１２ａに、レーザ加工法等を用いて、突出金属層１１を構成する第３金属層１１ｂが露出するように第１絶縁層１２ａを貫通する第１ビアホール１２ｘを形成する。なお、第１絶縁層１２ａとして感光性樹脂膜を用い、フォトリソグラフィによりパターニングして第１ビアホール１２ｘを形成する方法を用いてもよいし、スクリーン印刷により開口部が設けられた樹脂膜をパターニングして第１ビアホール１２ｘを形成する方法を用いてもよい。

次いで、図２６に示す工程では、第１絶縁層１２ａ上に、ビアホール１２ｘ内に露出した突出金属層１１を構成する第３金属層１１ｂと電気的に接続する第１配線層１３ａを形成する。第１配線層１３ａの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。第１配線層１３ａは、例えばセミアディティブ法により形成される。

第１配線層１３ａを、セミアディティブ法により形成する例を、より詳しく説明すると、先ず、無電解めっき法又はスパッタ法により、第１ビアホール１２ｘ内及び第１絶縁層１２ａ上にＣｕシード層（図示せず）を形成した後に、第１配線層１３ａに対応する開口部を備えたレジスト層（図示せず）を形成する。次いで、Ｃｕシード層をめっき給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部にＣｕ層パターン（図示せず）を形成する。

続いて、レジスト層を除去した後に、Ｃｕ層パターンをマスクにしてＣｕシード層をエッチングすることにより、第１配線層１３ａを得る。なお、第１配線層１３ａの形成方法としては、上述したセミアディティブ法の他にサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いることができる。

次いで、図２７に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、第１配線層１３ａ〜第３配線層１３ｃ及び第１絶縁層１２ａ〜第３絶縁層１２ｃを積層する。すなわち、第１配線層１３ａ及び第１絶縁層１２ａを被覆する第２絶縁層１２ｂを形成した後に、第１配線層１３ａ上の第２絶縁層１２ｂの部分に第２ビアホール１２ｙを形成する。

更に、第２絶縁層１２ｂ上に、第２ビアホール１２ｙを介して第１配線層１３ａに接続される第２配線層１３ｂを形成する。第２配線層１３ｂとしては、例えばＣｕ等を用いることができる。第２配線層１３ｂは、例えばセミアディティブ法により形成される。

更に、第２配線層１３ｂ及び第２絶縁層１２ｂを被覆する第３絶縁層１２ｃを形成した後に、第２配線層１３ｂ上の第３絶縁層１２ｃの部分に第３ビアホール１２ｚを形成する。更に、第３絶縁層１２ｃ上に、第３ビアホール１２ｚを介して第２配線層１３ｂに接続される第３配線層１３ｃを形成する。第３配線層１３ｃとしては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。第３配線層１３ｃは、例えばセミアディティブ法により形成される。

このようにして、支持体２１の一方の面２１ａに所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施例では、３層のビルドアップ配線層（第１配線層１３ａ〜第３配線層１３ｃ）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。

次いで、図２８に示す工程では、第３配線層１３ｃを被覆するように第３絶縁層１２ｃ上にソルダーレジストを塗布し、ソルダーレジスト層１４を形成する。ソルダーレジスト層１４の材料としては、例えばエポキシ系樹脂やイミド系樹脂等を含む感光性樹脂組成物を用いることができる。

次いで、図２９に示す工程では、ソルダーレジスト層１４を露光、現像することで開口部１４ｘを形成する。これにより、第３配線層１３ｃの一部は、ソルダーレジスト層１４の開口部１４ｘ内に露出する。更に、ソルダーレジスト層１４の開口部１４ｘ内に露出する第３配線層１３ｃ上に、例えば無電解めっき法により第４金属層１７を形成する。第４金属層１７は、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。

第４金属層１７の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層をこの順番で積層したＮｉ／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層をこの順番で積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ層等を挙げることができる。又、第４金属層１７に代えて、ソルダーレジスト層１４の開口部１４ｘ内に露出する第３配線層１３ｃ上にＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理を施しても構わない。

次いで、図３０に示す工程では、図２９に示す支持体２１及び第１金属層２３を除去し、突出金属層１１（第２金属層１１ａ及び第３金属層１１ｂ）の少なくとも一部を第１絶縁層１２ａから突出させ柱状の突出部１１ｘを形成する。ここで突出部１１ｘの突出量Ｌ_１０は図１９に示す第１金属層２３の厚さＴ_１０に対応し、例えば３０〜５０μｍとなる。

支持体２１及び第１金属層２３の材料として何れもＣｕを選定した場合には、支持体２１及び第１金属層２３は同一のエッチング液により除去可能である。例えば、支持体２１及び第１金属層２３は、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより除去することができる。この際、突出金属層１１の第２金属層１１ａはＣｕ以外の材料（例えばＡｕ等）から構成されているため、第２金属層１１ａに対し、支持体２１及び第１金属層２３を選択的にエッチングして除去することができる。

次いで、突出金属層１１の突出部１１ｘを覆うように、はんだバンプ１５を形成することにより、図１５に示す配線基板１０が製造される。はんだバンプ１５は、例えば突出金属層１１の突出部１１ｘを覆うように、はんだペーストを印刷し、リフローすることにより形成することができる。はんだバンプ１５の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。突出金属層１１及びはんだバンプ１５は接続端子１６を構成し、接続端子１６は半導体チップと接続される接続端子として機能する。

なお、はんだバンプ１５は、配線基板１０に必ずしも形成しなくても構わない。例えば配線基板１０に搭載する半導体チップの電極パッドにはんだバンプを形成し、半導体チップに形成されたはんだバンプと配線基板１０の突出金属層１１の突出部１１ｘとを電気的に接続することも可能である。以上が、第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法である。

このように、第１の実施の形態によれば、突出金属層形成用の開口部を、従来のようにエッチング法により形成せずに、めっき法により形成するため、突出金属層の配線基板の一方の面から突出する部分（突出部）の形状を柱状とすることができる（突出部の断面はドーム状ではなく矩形状となる）。その結果、突出金属層の突出部のアスペクト比を高くするが可能となり、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を実現することができる。又、突出金属層の突出部において、半導体チップを実装する際にはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分の面積を大きくできるため、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、本発明を多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する他の例を示す。第２の実施の形態において、第１の実施の形態と共通する部分についてはその説明を省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

［第２の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第２の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図３１は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図３１を参照するに、配線基板３０は、第１絶縁層１２ａと、第２絶縁層１２ｂと、第３絶縁層１２ｃと、第１配線層１３ａと、第２配線層１３ｂと、第３配線層１３ｃと、ソルダーレジスト層１４と、接続端子３６と、第４金属層１７とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。

配線基板３０の一方の面３０ａには、半導体チップと接続される接続端子として機能する接続端子３６が形成されている。接続端子３６は、配線基板３０の一方の面３０ａから突出する突出金属層３１と、突出金属層３１を覆うように形成されたはんだバンプ３５とを有する。第１配線層１３ａと突出金属層３１とは、第１絶縁層１２ａに形成された第１ビアホール１２ｘを介して電気的に接続されている。以降、突出金属層３１の配線基板３０の一方の面３０ａから突出する部分を便宜上突出部３１ｘと称する場合がある。又、突出部３１ｘの第１絶縁層１２ａに接する面の反対側の面を面３１ｙと称する場合がある。なお、面３１ｙは、配線基板３０上に半導体チップを搭載する際に、突出部３１ｘがはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分となる。

配線基板３０において、突出部３１ｘは、従来の配線基板の突出金属層（ドーム状等）とは異なり、ＸＺ平面に平行な断面が矩形状である。突出部３１ｘの配線基板３０の一方の面３０ａからの突出量Ｌ_３０は、例えば３０〜５０μｍとすることができる。突出部３１ｘの形状は、例えば円柱状（例えば面３１ｙの直径φ_３０＝φ６０〜７０μｍ）とすることができる。突出部３１ｘのピッチＰ_３０は、例えば１５０μｍとすることができる。ただし、突出部３１ｘの形状は円柱状には限定されず、柱状であればよい。すなわち、突出部３１ｘの形状は円柱状ではなく、例えば楕円柱状や角柱状（四角柱、六角柱等）であってもよい。

突出金属層３１の材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。はんだバンプ３５の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

このように、突出部３１ｘはＸＺ平面に平行な断面が矩形状であるため、アスペクト比（Ｌ_３０／φ_３０）を高くするが可能となり、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を実現することができる。又、突出部３１ｘはＸＺ平面に平行な断面が矩形状であるため、半導体チップを実装する際にはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分となる面３１ｙの面積を大きくできるため、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。以上が、第２の実施の形態に係る配線基板の構造である。

［第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法］
続いて、第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図３２〜図３５は、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図３２〜図３５において、図３１と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。

始めに、第１の実施の形態の図１６〜図２１に示す工程と同一の工程を実行する。次いで、図３２に示す工程では、支持体２１及び第１金属層２３をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、開口部２３ｘに第２金属層１１ａ及び突出金属層３１をこの順番で積層する。第２金属層１１ａは、開口部２３ｘから露出する支持体２１の一方の面２１ａ及び開口部２３ｘの内壁面を覆うように形成される。突出金属層３１は、第２金属層１１ａ上に少なくとも開口部２３ｘを完全に充填するように形成される。

第２金属層１１ａは、後述する図３４に示す工程において、支持体２１及び第１金属層２３を除去するエッチング液により除去不可能な材料により構成されている必要がある。又、第２金属層１１ａは、後述する図３５に示す工程において、突出金属層３１に対して選択的にエッチングすることが可能な材料により構成されている必要がある。例えば支持体２１、第１金属層２３、及び突出金属層３１の材料としてＣｕを用いる場合には、第２金属層１１ａの材料としては、Ｎｉを用いることができる。

次いで、第１の実施の形態の図２３〜図２９に示す工程と同一の工程を実行し、図３３に示す構造体を作製する。次いで、図３４に示す工程では、図３３に示す支持体２１及び第１金属層２３を除去し、第２金属層１１ａ及び突出金属層３１の少なくとも一部を第１絶縁層１２ａから突出させる。ここで第２金属層１１ａ及び突出金属層３１の第１絶縁層１２ａから突出している部分の突出量Ｌ_３１は図１９に示す第１金属層２３の厚さＴ_１０に対応し、例えば３０〜５０μｍとなる。

支持体２１及び第１金属層２３の材料として何れもＣｕを選定した場合には、支持体２１及び第１金属層２３は同一のエッチング液により除去可能である。例えば、支持体２１及び第１金属層２３は、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウエットエッチングにより除去することができる。この際、第２金属層１１ａは支持体２１及び第１金属層２３を除去するエッチング液により除去不可能な材料（例えばＮｉ等）により構成されているため、第２金属層１１ａに対し、支持体２１及び第１金属層２３を選択的にエッチングして除去することができる。

次いで、図３５に示す工程では、図３４に示す第２金属層１１ａを除去する。この際、第２金属層１１ａは突出金属層３１（例えばＣｕ等）に対して選択的にエッチングすることが可能な材料（例えばＮｉ等）により構成されているため、突出金属層３１に対し第２金属層１１ａのみを選択的にエッチングして除去することができる。これにより、突出金属層３１の一部は、第１絶縁層１２ａから突出する。ここで、第２金属層１１ａの厚さは数μｍ程度であるため、突出部３１ｘの突出量Ｌ_３０は図３４に示す突出量Ｌ_３１とほぼ等しく例えば３０〜５０μｍとなる。

例えば突出金属層３１がＣｕであり第２金属層１１ａがＮｉである場合には、ニッケル剥離剤を用いたウエットエッチングにより第２金属層１１ａのみを選択的に除去することができる。ニッケル剥離剤としては、例えば、市販のニッケル剥離剤として知られているエバストリップ（荏原ユージライト社製）、メルストリップ（メルテックス社製）、メックリムーバ（メック社製）等を用いることができる。

次いで、突出金属層３１を覆うように、はんだバンプ３５を形成することにより、図３１に示す配線基板３０が製造される。はんだバンプ３５は、例えば突出金属層３１の突出部３１ｘを覆うように、はんだペーストを印刷し、リフローすることにより形成することができる。はんだバンプ３５の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。突出金属層３１及びはんだバンプ３５は接続端子３６を構成し、接続端子３６は半導体チップと接続される接続端子として機能する。

なお、はんだバンプ３５は、配線基板３０に必ずしも形成しなくても構わない。例えば配線基板３０に搭載する半導体チップの電極パッドにはんだバンプを形成し、半導体チップに形成されたはんだバンプと配線基板３０の突出金属層３１の突出部３１ｘとを電気的に接続することも可能である。以上が、第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法である。

このように、第２の実施の形態によれば、突出金属層形成用の開口部を、従来のようにエッチング法により形成せずに、めっき法により形成するため、突出金属層の配線基板の一方の面から突出する部分（突出部）の形状を柱状とすることができる（突出部の断面はドーム状ではなく矩形状となる）。その結果、突出金属層の突出部のアスペクト比を高くするが可能となり、狭ピッチ化にも対応可能な接続端子を実現することができる。又、突出金属層の突出部において、半導体チップを実装する際にはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分の面積を大きくできるため、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。

〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、本発明を多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する他の例を示す。第３の実施の形態において、第１の実施の形態と共通する部分についてはその説明を省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

［第３の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第３の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図３６は、第３の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図３６を参照するに、配線基板５０は、第１絶縁層１２ａと、第２絶縁層１２ｂと、第３絶縁層１２ｃと、第１配線層１３ａと、第２配線層１３ｂと、第３配線層１３ｃと、ソルダーレジスト層１４と、接続端子５６と、第４金属層１７とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。

配線基板５０は配線基板１０とは異なり、第４金属層１７が形成されている側が半導体チップ搭載面となり、第４金属層１７は半導体チップと接続される接続端子として機能する。従って、第４金属層１７のピッチは搭載される半導体チップの電極パッドのピッチ（例えば１５０μｍ）に合わせて形成されている。一方、接続端子５６はマザーボード等と接続される接続端子として機能する。従って、接続端子５６のピッチＰ_５０はマザーボード等の接続端子のピッチに合わせて（第４金属層１７のピッチよりも広く）形成されている。

配線基板５０の一方の面５０ａには、接続端子５６が形成されている。接続端子５６は、配線基板５０の一方の面５０ａから一部が突出する突出金属層５１と、突出金属層５１の配線基板５０の一方の面５０ａから突出する部分を覆うように形成されたはんだバンプ５５とを有する。以降、突出金属層５１の配線基板５０の一方の面５０ａから突出する部分を便宜上突出部５１ｘと称する場合がある。又、突出部５１ｘの第１絶縁層１２ａと接する面の反対側の面を面５１ｙと称する場合がある。なお、面５１ｙは、配線基板５０とマザーボード等とを接続する際に、突出部５１ｘがはんだを介してマザーボード等の電極パッドと接触する部分となる。

配線基板５０において、突出部５１ｘは、従来の配線基板の突出金属層（ドーム状等）とは異なり、ＸＺ平面に平行な断面が矩形状である。突出部５１ｘの配線基板５０の一方の面５０ａからの突出量Ｌ_５０は、例えば３０〜５０μｍとすることができる。突出部５１ｘの形状は、例えば円柱状（例えば面５１ｙの直径φ_５０＝φ１００〜２００μｍ）とすることができる。突出部５１ｘのピッチＰ_５０は、例えば５００μｍとすることができる。ただし、突出部５１ｘの形状は円柱状には限定されず、柱状であればよい。すなわち、突出部５１ｘの形状は円柱状ではなく、例えば楕円柱状や角柱状（四角柱、六角柱等）であってもよい。

突出金属層５１は、第２金属層５１ａ及び第３金属層５１ｂを有する。第２金属層５１ａの材料としては、例えばＡｕを用いることができる。又、第２金属層５１ａは、第３金属層５１ｂ側からＮｉ層とＡｕ層が積層されたＮｉ／Ａｕ層や、第３金属層５１ｂ側からＮｉ層とＰｄ層とＡｕ層が積層されたＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ層等としても構わない。第３金属層５１ｂの材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。はんだバンプ５５の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

配線基板５０のその他の部分の構成は配線基板１０と同一であるため、その説明は省略する。又、配線基板５０の製造方法は配線基板１０の製造方法と同一であるため、その説明は省略する。

このように、第３の実施の形態によれば、突出金属層形成用の開口部を、従来のようにエッチング法により形成せずに、めっき法により形成するため、突出金属層の配線基板の一方の面から突出する部分（突出部）の形状を柱状とすることができる（突出部の断面はドーム状ではなく矩形状となる）。その結果、突出金属層において、マザーボード等と接続する際にはんだを介してマザーボード等の接続端子と接触する部分の面積を大きくできるため、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。

〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、本発明を多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する他の例を示す。第４の実施の形態において、第２の実施の形態と共通する部分についてはその説明を省略し、第２の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

［第４の実施の形態に係る配線基板の構造］
始めに、第４の実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図３７は、第４の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図３７を参照するに、配線基板６０は、第１絶縁層１２ａと、第２絶縁層１２ｂと、第３絶縁層１２ｃと、第１配線層１３ａと、第２配線層１３ｂと、第３配線層１３ｃと、ソルダーレジスト層１４と、接続端子６６と、第４金属層１７とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。

配線基板６０は配線基板３０とは異なり、第４金属層１７が形成されている側が半導体チップ搭載面となり、第４金属層１７は半導体チップと接続される接続端子として機能する。従って、第４金属層１７のピッチは搭載される半導体チップの電極パッドのピッチ（例えば１５０μｍ）に合わせて形成されている。一方、接続端子６６はマザーボード等と接続される接続端子として機能する。従って、接続端子６６のピッチＰ_６０はマザーボード等の接続端子のピッチに合わせて（第４金属層１７のピッチよりも広く）形成されている。

配線基板６０の一方の面６０ａには、接続端子６６が形成されている。接続端子６６は、配線基板６０の一方の面６０ａから一部が突出する突出金属層６１と、突出金属層６１の配線基板６０の一方の面６０ａから突出する部分を覆うように形成されたはんだバンプ６５とを有する。以降、突出金属層６１の配線基板６０の一方の面６０ａから突出する部分を便宜上突出部６１ｘと称する場合がある。又、突出部６１ｘの第１絶縁層１２ａと接する面の反対側の面を面６１ｙと称する場合がある。なお、面６１ｙは、配線基板６０とマザーボード等とを接続する際に、突出部６１ｘがはんだを介してマザーボード等の電極パッドと接触する部分となる。

配線基板６０において、突出部６１ｘは、従来の配線基板の突出金属層（ドーム状等）とは異なり、ＸＺ平面に平行な断面が矩形状である。突出部６１ｘの配線基板６０の一方の面６０ａからの突出量Ｌ_６０は、例えば３０〜５０μｍとすることができる。突出部６１ｘの形状は、例えば円柱状（例えば面６１ｙの直径φ_６０＝φ１００〜２００μｍ）とすることができる。突出部６１ｘのピッチＰ_６０は、例えば５００μｍとすることができる。ただし、突出部６１ｘの形状は円柱状には限定されず、柱状であればよい。すなわち、突出部６１ｘの形状は円柱状ではなく、例えば楕円柱状や角柱状（四角柱、六角柱等）であってもよい。

突出金属層６１の材料としては、例えばＣｕ等を用いることができる。はんだバンプ６５の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

配線基板６０のその他の部分の構成は配線基板３０と同一であるため、その説明は省略する。又、配線基板６０の製造方法は配線基板３０の製造方法と同一であるため、その説明は省略する。

このように、第４の実施の形態によれば、突出金属層形成用の開口部を、従来のようにエッチング法により形成せずに、めっき法により形成するため、突出金属層の配線基板の一方の面から突出する部分（突出部）の形状を柱状とすることができる（突出部の断面はドーム状ではなく矩形状となる）。その結果、突出金属層において、マザーボード等と接続する際にはんだを介してマザーボード等の接続端子と接触する部分の面積を大きくできるため、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。

〈第５の実施の形態〉
第５の実施の形態では、本発明をビルドアップ配線層を有する配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージに適用する例を示す。第５の実施の形態において、第１の実施の形態と共通する部分についてはその説明を省略し、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

［第５の実施の形態に係る半導体パッケージの構造］
始めに、第５の実施の形態に係る半導体パッケージの構造について説明する。 図３８は、第５の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図３８において、図１５と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。図３８を参照するに、半導体パッケージ７０は、図１５に示す配線基板１０と、半導体チップ７１と、アンダーフィル樹脂７５とを有する。

半導体チップ７１は、本体７２と、電極パッド７３とを有する。本体７２は、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。本体７２には、電極パッド７３が形成されている。電極パッド７３は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド７３の材料としては、例えばＡｕ等を用いることができる。配線基板１０のはんだバンプ１５は、溶融して半導体チップ７１の電極パッド７３と電気的に接続されている。半導体チップ７１と配線基板１０の一方の面１０ａとの間には、アンダーフィル樹脂７５が充填されている。

配線基板１０の突出部１１ｘの断面は矩形状であるため、溶融したはんだバンプ１５の一部を介して電極パッド７３と対向する部分である面１１ｙの面積を大きくすることが可能となり、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。以上が、第５の実施の形態に係る半導体パッケージの構造である。

［第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造方法］
続いて、第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造方法について説明する。図３９及び図４０は、第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造工程を例示する図である。図３９及び図４０において、図３８と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。

始めに、図１５に示す配線基板１０を用意する。次いで、図３９に示す工程では、配線基板１０の接続端子１６が形成されている側と半導体チップ７１の電極パッド７３が形成されている側とを対向させて、接続端子１６と電極パッド７３とが対応する位置に来るように配置する。

次いで、図４０に示す工程では、接続端子１６を構成するはんだバンプ１５を例えば２３０℃に加熱し、はんだを融解させることにより、接続端子１６を構成する突出金属層１１と電極パッド７３とを電気的に接続する。なお、電極パッド７３上にはんだが形成されている場合には、電極パッド７３上のはんだとはんだバンプ１５とが溶融して合金となり、１つのバンプが形成される。次いで、半導体チップ７１と配線基板１０の一方の面１０ａとの間にアンダーフィル樹脂７５を充填することにより、図３８に示す半導体パッケージ７０が完成する。

このように、第５の実施の形態によれば、配線基板に接続端子を介して半導体チップを搭載した半導体パッケージを製造する。この際、配線基板の接続端子は柱状の突出部（突出部の断面はドーム状ではなく矩形状となる）を有する。その結果、突出部のはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分の面積を大きくできるため、半導体パッケージにおける配線基板と半導体チップとの接続信頼性を向上することができる。

〈第６の実施の形態〉
第６の実施の形態では、本発明をビルドアップ配線層を有する配線基板に半導体チップを搭載した半導体パッケージに適用する他の例を示す。第６の実施の形態において、第２の実施の形態と共通する部分についてはその説明を省略し、第２の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。

［第６の実施の形態に係る半導体パッケージの構造］
始めに、第６の実施の形態に係る半導体パッケージの構造について説明する。 図４１は、第６の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。図４１において、図３１と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。図４１を参照するに、半導体パッケージ８０は、図３１に示す配線基板３０と、半導体チップ７１と、アンダーフィル樹脂７５とを有する。

半導体チップ７１は、本体７２と、電極パッド７３とを有する。本体７２は、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。本体７２には、電極パッド７３が形成されている。電極パッド７３は、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド７３の材料としては、例えばＡｕ等を用いることができる。配線基板３０のはんだバンプ３５は、溶融して半導体チップ７１の電極パッド７３と電気的に接続されている。半導体チップ７１と配線基板３０の一方の面３０ａとの間には、アンダーフィル樹脂７５が充填されている。

配線基板３０の突出部３１ｘの断面は矩形状であるため、溶融したはんだバンプ３５の一部を介して電極パッド７３と対向する部分である面３１ｙの面積を大きくすることが可能となり、接続信頼性が高い接続端子を実現することができる。以上が、第６の実施の形態に係る半導体パッケージの構造である。なお、第６の実施の形態に係る半導体パッケージの製造方法については、第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造方法と同様であるため、その説明は省略する。

このように、第６の実施の形態によれば、配線基板に接続端子を介して半導体チップを搭載した半導体パッケージを製造する。この際、配線基板の接続端子は柱状の突出部（突出部の断面はドーム状ではなく矩形状となる）を有する。その結果、突出部のはんだを介して半導体チップの電極パッドと接触する部分の面積を大きくできるため、半導体パッケージにおける配線基板と半導体チップとの接続信頼性を向上することができる。

以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、各実施の形態において、各配線層をセミアディティブ法で形成する例を示したが、各配線層は、セミアディティブ法の他にサブトラクティブ法等の各種の方法を用いて形成することができる。

１０、３０、５０、６０ 配線基板
１０ａ、３０ａ、５０ａ、６０ａ 配線基板の一方の面
１１、３１、５１、６１ 突出金属層
１１ａ、５１ａ 第２金属層
１１ｂ、５１ｂ 第３金属層
１１ｘ、３１ｘ、５１ｘ、６１ｘ 突出部
１２ａ 第１絶縁層
１２ｂ 第２絶縁層
１２ｃ 第３絶縁層
１２ｘ 第１ビアホール
１２ｙ 第２ビアホール
１２ｚ 第３ビアホール
１３ａ 第１配線層
１３ｂ 第２配線層
１３ｃ 第３配線層
１４ ソルダーレジスト層
１４ｘ 開口部
１５、３５、５５、６５ はんだバンプ
１６、３６、５６、６６ 接続端子
１７ 第４金属層
２１ 支持体
２１ａ 支持体の一方の面
２２、２４ レジスト層
２３ 第１金属層
７０、８０ 半導体パッケージ
７１ 半導体チップ
７２ 本体
７３ 電極パッド
７５ アンダーフィル樹脂
Ｌ_１０、Ｌ_３０、Ｌ_５０、Ｌ_６０ 突出量
Ｐ_１０、Ｐ_３０、Ｐ_５０、Ｐ_６０ ピッチ
Ｔ_１０ 厚さ
φ_１０、φ_３０、φ_５０、φ_６０ 直径

Claims (18)

1. 支持体上に、前記支持体の表面を露出する柱状の貫通孔を有する第１金属層を形成する第１金属層形成工程と、
   前記柱状の貫通孔から露出する前記支持体の表面及び前記柱状の貫通孔の内壁面を覆うように第２金属層を形成する第２金属層形成工程と、
   前記第２金属層上に前記柱状の貫通孔を充填するように第３金属層を形成する第３金属層形成工程と、
   前記第３金属層を覆うように前記第１金属層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
   前記絶縁層の一方の面に、前記第３金属層と電気的に接続する配線層を形成する配線層形成工程と、
   前記支持体及び前記第１金属層を除去し、前記第２金属層及び前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程（１）と、を有する配線基板の製造方法。
2. 前記突出部は上面及び下面を有し、前記上面及び下面方向の断面が矩形の柱状で、前記下面側が前記絶縁層に埋設され、前記上面側が前記絶縁層の他方の面から突出した接続端子である請求項１記載の配線基板の製造方法。
3. 前記突出部形成工程（１）に代えて、前記支持体及び前記第１金属層を除去した後、更に前記第２金属層を除去し、前記第３金属層を含んで構成され前記絶縁層の他方の面から突出する突出部を形成する突出部形成工程（２）を有する請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
4. 前記第１金属層形成工程は、
   前記支持体上に前記柱状の貫通孔に対応する柱状のレジスト層を形成する第１工程と、
   前記支持体上の前記柱状のレジスト層が形成されていない領域に前記第１金属層を形成する第２工程と、
   前記柱状のレジスト層を除去する第３工程と、を有する請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
5. 前記支持体は導電体であり、前記第１金属層形成工程において、前記第１金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
6. 前記支持体は導電体であり、前記第２金属層形成工程において、前記第２金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
7. 前記支持体は導電体であり、前記第３金属層形成工程において、前記第３金属層は、前記支持体を給電層とする電解めっき法により形成される請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
8. 前記支持体及び前記第１金属層は同一のエッチング液により除去可能な材料により構成されている請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
9. 前記第２金属層は、前記支持体及び前記第１金属層を除去するエッチング液に耐性を有する材料により構成されている請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
10. 前記第２金属層は、異なる材料からなる複数の金属層が積層された構造を有する請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
11. 前記配線層形成工程は、
    前記絶縁層の一方の面に、前記第３金属層を露出するビアホールを形成する工程と、
    前記絶縁層の一方の面上に、前記ビアホールを介して前記第３金属層に接続された配線層を形成する工程と、を有する請求項１乃至１０の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
12. 前記突出部は、円柱状、楕円柱状、又は角柱状である請求項１乃至１１の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
13. 前記配線層上に、更に他の絶縁層と配線層を積層し、最上層の配線層に電極パッドを形成する工程を有する請求項１乃至１２の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
14. 前記第１金属層及び前記支持体の各々の材料はＣｕである請求項１乃至１３の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
15. 前記第２金属層は、Ａｕ層、Ｎｉ層、Ｎｉ層上にＡｕ層が積層された層、又はＮｉ層上にＰｄ層及びＡｕ層が順次積層された層である請求項１乃至１４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
16. 前記第３金属層の材料はＣｕである請求項１乃至１５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
17. 請求項１乃至１６の何れか一項記載の製造方法で製造された突出部を有する配線基板と、電極パッドを有する半導体チップと、を準備する準備工程と、
    前記突出部と前記電極パッドとを対向させるように、前記配線基板上に前記半導体チップを配置する配置工程と、
    前記突出部と前記電極パッドとを電気的に接続する接続工程と、を有する半導体パッケージの製造方法。
18. 前記配線基板の前記突出部が形成されている面と前記半導体チップとの間に樹脂を充填する樹脂充填工程を更に有する請求項１７記載の半導体パッケージの製造方法。

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