JP5150182B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、半透過型の液晶表示装置及びその製造方法に関する。

特許文献１には、液晶層に横電界を印加する半透過型ＩＰＳ（In Plane Switching，面内スイッチング）方式の液晶表示装置が記載されている。この半透過型液晶表示装置は、ＩＰＳ方式に限らず、例えばＴＮ（Twisted Nematic，ねじれ・ネマティック）方式や、ＶＡ（Vertical Alignment，垂直配向）方式を採用したものであっても、１画素中に、透過表示部と反射表示部とが存在する。特許文献１に例示される半透過型液晶表示装置の反射表示部には、リタデーションが２分の１波長の内蔵位相差板が形成されている。さらに、この半透過型液晶表示装置は、その反射表示部の液晶層のリタデーションが４分の１波長に調整されて、明所から暗所を含む広範な環境下での反射表示を可能とし、かつ広視野角で高画質の透過表示を可能としている。内蔵位相差板は、液晶分子等の複屈折を示す分子で形成されている。

かかる液晶表示装置では、カラーフィルタ側の基板において、ＲＧＢレジスト層と、当該ＲＧＢレジスト層を平坦化するための平坦化層と、内蔵位相差板を配向させるための配向膜と、当該配向膜により配向された内蔵位相差板と、液晶層を配向させるための配向膜とが、この順に積層された構造となっている。

したがって、製造工程では、内蔵位相差板を配向させるための配向膜を形成するために、例えば、ポリイミド系有機物を、塗布焼成して、ラビング法により配向処理する工程が必要となる。

特開平２００５−３３８２５６号公報

半透過型の液晶表示装置（特に、ＩＰＳ方式の液晶表示パネル）の量産にあたり、コスト削減、製造時間の短縮が切望され、製造プロセスの工程を減らすことが望まれている。

本発明の目的は、半透過型の液晶表示装置において、製造プロセスの工程を減らすことにある。

上記課題を解決すべく、本発明では、着色レジスト層を平坦化するための平坦化層の位相差板が配される部分に、配向規制力を持たせる。そして、その部分を位相差板の下地層とすることで、配向膜の形成工程を省く。

本発明の第１の態様は、第１基板の位相差板が内蔵された主面と第２基板との間に液晶層を封止し、反射表示部と透過表示部とを備えた半透過型の液晶表示装置の製造方法であって、前記第１基板の主面に前記位相差板の下地層となる光硬化性樹脂組成物を塗布する下地層塗布ステップと、マスク露光により前記塗布された光硬化性樹脂組成物の部分的な硬化処理を行い、当該硬化処理後に、当該光硬化性樹脂組成物の未硬化部分を取り除く現像処理を行い、前記硬化された光硬化性樹脂組成物に、前記未硬化部分の除去による凹凸を有する領域と当該凹凸を有しない平坦な領域とを形成する下地層硬化ステップと、前記硬化された光硬化性樹脂組成物上の前記凹凸を有する領域及び前記平坦な領域に前記位相差板の材料を塗布して加熱硬化し、前記凹凸を形成した領域では、前記凹凸の配向規制力により配向した位相差板を形成し、前記平坦な領域では配向しない残留層を形成する位相差板形成ステップと、前記位相差板及び前記残留層上に、前記液晶層を配向させる配向膜を形成する配向膜形成ステップと、をこの順に行うことを特徴とする。

また、本発明の第２の態様は、前記下地層硬化ステップでは、前記凹凸を形成する領域には、露光部分と非露光部分とが線状に交互に並ぶように前記マスク露光を行い、前記凹凸として、並んだ複数の溝が形成されることを特徴とする。

また、本発明の第３の態様は、前記凹凸を有する領域は、前記反射表示部に形成され、前記平坦な領域は、前記透過表示部に形成されることを特徴とする。

以下に、本発明の一実施形態が適用された液晶表示装置について説明する。

図１は、本実施形態の液晶表示装置を構成する１画素の上面図である。図２は、図１のＡ−Ａ方向断面図である。反射光６２で示した部分が反射表示部であり、これ以外の透過光６１で示した部分が透過表示部である。図１及び図２において、本発明による液晶表示装置はＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置として例示されるが、本発明の要旨に照らせば、ＩＰＳ方式以外の半透過型液晶表示装置にも本発明は適用され得る。

液晶表示装置は、主に、第一の基板３１と、第二の基板３２と、第一の基板３１と第二の基板３２とに挟持された液晶層１０とから構成される。

第一の基板３１は、その反射表示部において、液晶層１０側に、カラーフィルタ３６と、平坦化層３７と、内蔵位相差板３８と、段差形成レジスト層３９と、第一の配向膜３３とを有する。また、第一の基板３１は、その透過表示部において、液晶層１０側に、カラーフィルタ３６と、平坦化層３７と、残留層３８ｎと、第一の配向膜３３とを有する。第一の基板３１は、その主面にカラーフィルタ３６が形成されているが故に、当該主面（液晶層１０に対向する）に形成された上述の構造物を含めてカラーフィルタ基板とも呼ばれる。

第一の基板３１は、イオン性不純物の少ないホウケイサンガラス製であり、厚さは約０．５ｍｍである。

カラーフィルタ３６は、ブラックマトリックスと、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の着色レジスト層がストライプ状に繰り返して配列して構成されている。各ストライプは、信号配線２２に平行である。カラーフィルタ３６の着色レジストに起因する凹凸は、樹脂製の平坦化層３７で平坦化されている。カラーフィルタ３６を成す複数の着色レジストや、当該着色レジストとこれらを隔てる遮光層とが形成された第一の基板３１の主面には起伏が生じる。後述する「カラーフィルタ３６の平坦化」は、樹脂等の絶縁材料で複数の着色レジストやこれらと遮光層とを覆うことにより、当該絶縁膜３７の上面の起伏を、その下地膜たるカラーフィルタ３６の上面の起伏より低減することを指し、この絶縁膜（平坦化膜）３７の上面に若干の起伏を残す処理を排除しない。

平坦化層３７は、透明材料であるのが好ましく、その厚さは、着色レジスト層を十分に平坦化する観点から、通常、０．５μｍから３μｍの範囲である。平坦化層３７の内蔵位相差板３８に接する部分３７は、内蔵位相差板３８を配向させることが可能な構造（以下、「配向規制構造」ともいう）となっている。すなわち、微小な凹凸で形成される複数の溝が存在する。配向規制構造は、例えば、平坦化層３７の上面（内蔵位相差板３８が形成される主面）に、第１方向に各々延在する複数の線状の溝を、当該第１方向と交差する第２方向に並設して形成される。

内蔵位相差板３８は、複屈折率を有する液晶物質が硬化した層である。内蔵位相差板３８は、接触する平坦化層３７の配向規制構造により、配向している。

残留層３８ｎは、製造過程において内蔵位相差板３８を形成するために全面に渡り塗布された材料が、位相差性を有しないまま硬化した部分である。

段差形成レジスト層３９は、反射表示部と透過表示部に４分の１波長のリタデーション差を形成するために設けられている。図２に示された段差形成レジスト層３９は、第一の基板３１の主面に形成され、液晶表示装置の外側から第一の基板３１に入射した光を液晶層１０へ伝搬する。しかし、段差形成レジスト層３９やその等価物は、第二の基板３２の主面に不透明な層として形成されることもある。

第一の配向膜３３は、ポリイミド系有機膜であり、ラビング法により配向処理されており、近接する液晶層１０を配向処理方向に向けて配向させる。

なお、内蔵位相差板３８及び残留層３８ｎを平坦化するための層が、例えばこれらと第一の配向膜３３との間にさらに設けられていてもよい。

第二の基板３２は、液晶層１０の側に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する。薄膜トランジスタは、走査配線２１と、信号配線２２と、画素電極２８に接続されている。薄膜トランジスタは、逆スタガ型構造であり、そのチャネル部は、アモルファスシリコン層２５（非晶質珪素層）で形成されている。アモルファスシリコン層２５をレーザでアニールして、多結晶シリコンや連続粒界結晶シリコン（Continuous Grain Silicon）のチャネル部に変えてもよい。このとき、薄膜トランジスタは、チャネル部に電界を印加する制御電極（走査配線２１，ゲート電極）がチャネル部の下側に配置された逆スタガ型構造より、制御電極がチャネル部の上側に配置された正スタガ型構造を呈するとよい。第二の基板３２は、この他に、共通配線２３と共通電極２９とを有する。走査配線２１と信号配線２２は、交差している。図１及び図２には示されないが、第二の基板３２の主面（液晶層１０に対向する）には、複数の画素電極２８が二次元的に配置され、第１方向に各々延在する複数の走査配線２１が当該第１方向と交差する第２方向に並設され且つ当該第２方向に各々延在する複数の信号配線２２が当該第１方向に並設されて画素電極２８の各々とこれに隣接する他とを隔てる。薄膜トランジスタの各々は、これに対応する複数の信号配線２２の一つと画素電極２８との間に設けられ、且つ複数の走査配線２１の一つにより制御され、概略これらの走査配線２１と信号配線２２との交差部に位置している。第二の基板３２は、その主面に薄膜トランジスタＴＦＴ（破線枠で囲まれた構造）が形成されているが故に、その主面（液晶層１０に対向する）に形成された上述の構造物を含めてＴＦＴ基板とも呼ばれる。

共通配線２３は、走査配線２１と同様に第１方向に延在するが、その画素電極２８と交差する部分において、画素電極２８内に（走査配線２１に向けて）張り出た構造を有し、図２中に反射光６２で示したように第一の基板３１から液晶層１０を通してこれに到達した光を反射する。図１及び図２において、共通配線２３が画素電極２８と重畳する部分が反射表示部であり、これ以外の画素電極２８と共通電極２９の重畳部では、図２中に透過光６１で示したようにバックライトの光を通過して透過表示部となる。第二の基板３２に薄膜トランジスタＴＦＴとともに形成された共通配線２３は、当該第二の基板３２に共通電極２９が形成されたＩＰＳ方式の液晶表示装置に特有であり、これを含めて成る上記反射表示部は、ＴＮ方式やＶＡ方式の半透過型液晶表示装置には見られない。

透過表示部と反射表示部とでは最適な液晶層厚が異なるため、その境界に段差を設けるとよい。透過表示部と反射表示部の境界を短くするため、境界が画素短辺に平行になるように透過表示部と反射表示部を配置した。

共通配線２３等の配線を反射板で兼用すれば、夫々に要する製造過程を低減する効果が得られる。共通配線２３を高反射率のアルミニウムやタンタル等の金属で形成すれば、より明るい反射表示が得られる。共通配線２３をクロムとし、アルミニウムや銀合金の反射板を別途形成しても同様の効果が得られる。

液晶層１０は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物である。その複屈折率は２５℃において０．０６７であり、室温域を含む広い温度範囲においてネマチック相を示す。また、薄膜トランジスタを用いて周波数６０Ｈｚで駆動した時の保持期間中において、反射率と透過率を充分に保持してフリッカを生じない高抵抗値を示す。

上述のように、反射表示部の平坦化層３７上には、内蔵位相差板３８が形成されている。従来では、平坦化層３７上に配向膜を形成させて、その上に内蔵位相差板３８を形成することで、液晶分子等の複屈折を示す分子で構成される内蔵位相差板３８に配向性を持たせていた。これに対して、本実施形態では、製造プロセスの単純化のために、配向膜の形成を行わない。平坦化層３７の内蔵位相差板３８に接する部分３７ａに、配向規制力を持たせ、直接、内蔵位相差板３８を形成する。すなわち、本実施形態では、平坦化層３７は、カラーフィルタ３６を平坦化するという本来の役目のほかに、内蔵位相差板３８を配向させるという役目も果たす。

なお、従来の配向膜を分厚く形成し、平坦化層を兼ねることも考えられるが、配向膜の材料は透明でないので、平坦化のために分厚くすると透過性が損なわれるため現実的ではない。液晶表示置の液晶層（その光の透過率が電界により制御される領域〉を成す液晶分子の初期配向方位（例えば、電界が印加されないときの液晶の光軸の方位）を決める配向膜を厚く形成すると次の弊害が生じる。その一つは、当該配向膜を透過する光（例えば３８０〜７８０ｎｍの波長帯域にある可視光）の強度の著しい減衰である。即ち、配向膜の低い透過率は、これが薄く形成れたときは無視できたがこれが厚く形成するに伴い、液晶表示装置の画像表示機能を損ねる。また、他の一つは、当該配向膜を透過する光が望ましからぬ色を帯びるという透過光の着色の問題である。さらに配向膜は、これにより初期方位に配向された液晶分子に、その光軸の方位をそれに印加される電界に応じて変えるような動きを与えねばならない。従って、当該配向膜の材料自体が限られ、その価格も高い。

一方、本発明の内蔵位相差板３８は、例えば、液晶分子（液晶ポリマー）等の所謂複屈折を示す分子で構成され、当該分子の有する屈折率の異なる複数の光軸の一つ（例えば、高い屈折率を示す光軸）が特定の方位に向くように、当該分子を平坦化層３７により配向させる。しかし、内蔵位相差板３８を成す上記分子は、液晶層に印加される電界の強度に関係なく、上記特定方位に配向させることが望まれる。このため、本発明では、内蔵位相差板３８を成す分子（光学異方体）を平坦化層３７の配向規制構造により配向させる。
＜内蔵位相差板の製造工程＞
ここで、平坦化層３７及び内蔵位相差板３８を形成するための、本実施形態の特徴的な製造プロセスについて説明する。

図３は、カラーフィルタ３６の形成工程から第一の配向膜３３の形成工程までのプロセスを示す図である。

まず、ブラックマトリックスを形成し（Ｓ１１）、三原色の着色レジスト層を形成する（Ｓ１２）。次に、平坦化層３７の材料である光硬化性樹脂組成物を全面に渡り塗布する（Ｓ１３）。そして、塗布した光硬化性樹脂組成物を部分的に光硬化させた後（Ｓ１４）、未硬化部分を取り除くために現像する（Ｓ１５）。続いて、内蔵位相差板３８の材料を全面に渡り塗布した後（Ｓ１６）、加熱する（Ｓ１７）。その後、内蔵位相差板３８の材料の全体を光照射し硬化させる（Ｓ１８）。

図４は、平坦化層３７の形成工程から内蔵位相差板３８の形成工程までを説明するための図である。

まず、カラーフィルタ３６（図４には示されない）が形成された第一の基板３１に、光硬化性樹脂組成物の平坦化層材料３７ｐを塗布する。この組成物（平坦化層の前駆体）は溶剤等を含むため、その塗布厚は後述する当該組成物のポストベーク後の膜厚（平坦化層の膜厚）が１〜３μｍの範囲にあるように、当該膜厚より厚くする。そして、プリベークした後に、図４（Ａ）に示すように、フォトマスク１１０を配置し、光源１２０から紫外線（例えば、１０００ｍＪ／ｃｍ２）を平坦化層材料３７ｐに照射する。その後、平坦化層材料３７ｐのポストベークを２００℃で３０分間行う。

フォトマスク１１０は、内蔵位相差板３８が配される部分に相当する部分に、複数の線状のマスク閉口部を有する。一方、透過表示部に相当する部分には、マスク閉口部はなく、光源１２０の光はそのまま透過する。図中、黒い部分が光が遮断されるマスク閉口部である。ただし、図では、理解容易のため、線幅を太めにして、マスク閉口部を他の部分に比べて拡大して描いている。

このようなフォトマスク１１０を使用することにより、平坦化層材料３７ｐの内蔵位相差板３８が配される部分３７ａで、露光部分と非露光部分とが、線状に交互に並ぶ。すなわち、硬化部分と未硬化部分とが線状に交互に並ぶことになる。

フォトマスク１１０を用いた露光後、アルカリ有機現像により、平坦化層材料３７ｐの未硬化部分を取り除く。そうすると、図４（Ｂ）に示すように、平坦化層３７は、反射表示部（内蔵位相差板３８が配される部分３７ａ）においては、複数の細かいスリット状のへこみが並んだ構造、いいかえれば、微細な複数の溝が形成される。本実施例では、へこみは１μｍ以下の深さで形成される。しかし、当該へこみは平坦化層３７貫通する複数のスリットとして形成されてもよく、その各々により平坦化層３７の下地層（例えばカラーフィルタ３６）を露出させてもよい。この微細な複数の溝が内蔵位相差板３８を配向させる下地となる。

スリット状のへこみの幅は、内蔵位相差板３８に対する配向規制力を持たせるため、２〜５μｍであるのが好ましい。また、その間隔は、２〜５μｍであるのが好ましい。また、へこみの幅Ｌと間隔Ｓは、「Ｌ＝Ｓ」の関係を満たし、または「Ｌ＋Ｓ≦５μｍ」の関係を満たすように、適宜選択すると良い。また、適切な幅のへこみが適切な間隔で形成できるように、フォトマスク１１０のマスク閉口部のパターンを定める必要がある。例えば、フォトマスク１１０の線状のマスク閉口部の幅を２μｍ、その間隔を２μｍとする。

ここで、本実施形態に用いられる平坦化層３７の材料について説明する。平坦化層３７の材料は、カラーフィルタ３６の三原色の着色レジスト層を十分に平坦化し、かつ内蔵位相差板３８を適切に配向させるだけの配向規制構造を形成可能なものであれば特に制限はない。

本実施形態では、上記のごとく、部分的な硬化を光により行うので、平坦化層３７の材料としては、紫外線などの光エネルギーで重合反応が行われるものが好ましい。

このような平坦化層３７の材料としては、例えば、アクリル系樹脂成分、溶剤、光硬化開始剤、熱重合開始剤などを主剤として、紫外線照射及び加熱により硬化する組成物が挙げられる。

アクリル系樹脂成分は、光硬化性を与えるためには、重合性のアクリル基を有する多官能の（メタ）アクリレート又はこれらのオリゴマーを含有することが好ましく、有利にはアクリル系樹脂成分の５０重量％以上含有することがよい。重合性のアクリル系樹脂成分として、３官能以上の多官能の（メタ）アクリレート又はこれらのオリゴマーを含有することも好ましく、有利にはアクリル系樹脂成分の２０重量％以上含有することがよい。

好ましいアクリル系樹脂成分として、フルオレン骨格を有する多官能の（メタ）アクリレート又はこれらのオリゴマーが挙げられる。

例えば、下記式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表わされるフルオレン骨格を備えたカルド構造を有する化合物が挙げられる。フルオレン骨格を有する樹脂成分の採用により、樹脂マトリックスの耐熱性を高くすることができる。フルオレン骨格を有する樹脂成分は、有利にはアクリル系樹脂成分の３０重量％以上含有することがよい。なお、フルオレン骨格を有する樹脂成分の代りにノボラック樹脂のエポキシアクリレート樹脂を使用することもできる。なお、式（ＩＩ）で表わされる化合物は、例えば式（ＩＩＩ）で表わされるエポキシ化合物と（メタ）アクリル酸との反応で得ることができる。式（Ｉ）で表わされる化合物は、例えば式（ＩＩ）で表わされる化合物と二塩基酸又は四塩基酸の無水物との反応で得ることができ、二塩基酸及び四塩基酸の使用割合は０：１００〜１００：０の範囲である。

上記式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）において、ベンゼン環に結合するＲは水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表わし、好ましくは水素原子であり、アクリル基に結合するＲは水素原子又はメチル基を表し、ｎ及びｍは０〜２０の整数を表わす。また、Ｙ及びＺは多塩基酸の残基を表わす。ここで、ｎの平均（平均の繰返し数）は０〜１であることが好ましい。

もちろん、アクリル系樹脂成分以外の他の樹脂成分を平坦化層３７の効果を損なわない範囲で使用することができる。これらの他の樹脂成分としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などやオレフィン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂あるいはこれらを与えるモノマー、硬化剤等の樹脂成分などが挙げられる。

また、平坦化層３７の材料は、次に示すような、（Ａ）アルカリ可溶性ポリマー、（Ｂ）１,２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、（Ｃ）エポキシ化合物を含有する光硬化性樹脂組成物であってもよい。

かかる光硬化性樹脂組成物は、例えば、（Ａ）アルカリ可溶性ポリマーとして、
式（１）

で示される構造単位（１）または構造単位（１）と下記式（２）

（ここで、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子、メチル基またはメトキシ基を示す）
で示される構造単位（２）を含有して成りそして構造単位（１）が構造単位（１）と構造単位（２）の合計に基づいて１００〜７０モル％を占める重合体からなるアルカリ可溶性ポリマー、
（Ｂ）下記式（３）

（ここで、３個のＤは、同一もしくは異なり、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を示す、但し少なくともそのうちの１個のＤは１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基または１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基である）
で示される化合物及び下記式（４）

で示される化合物から選ばれる１,２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、および（Ｃ）分子内に少なくとも２個のエポキシ基を有する化合物を含有する光硬化性樹脂組成物である。

また、平坦化層３７の材料として、（ａ）光重合性不飽和基を有するアクリル系ポリマー、（ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物、（ｃ）活性光線により遊離ラジカルを生成する光重合開始剤、を含有する光硬化性樹脂組成物を用いてもよい。

（ａ）光重合性不飽和基を有するアクリル系ポリマーとしては、その組成や合成方法に特に制限はないが、例えば、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、イソシアネート基、オキシラン環、酸無水物等の官能基を有するビニル共重合体に、少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボキシル基等の１個の官能基を有する化合物を付加反応させて得られる側鎖にエチレン性不飽和基を有するラジカル重合性共重合体等を使用することができる。

（ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和基を有する光重合性不飽和化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、２，２−ビス（４−（ジ（メタ）アクリロキシポリエトキシ）フェニル）プロパン、グリシジル基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ウレタンモノマー、ノニルフェニルジオキシレン（メタ）アクリレート、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β’−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシエチル−β’−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシプロピル−β’−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。なお、例えば、(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸及びそれに対応するメタクリル酸を意味し、(メタ)アクリレートとはアクリレート及びそれに対応するメタクリレートを意味する。

また、市販の平坦化層３７の材料としては、新日鐵化学株式会社製のＶ−２５９ＰＡシリーズ、ＪＳＲ株式会社製のオプトマーＰＣ（ポジ型感光性）、同社製のＮＮシリーズ（ネガ型感光性）、日立化成工業株式会社製のＣＲ−６００などを用いることができる。

図３に戻って、内蔵位相差板の説明を続ける。

平坦化層３７が形成されると、次に、内蔵位相差板３８の材料を、平坦化層３７の全面に塗布し、１００℃で２〜５分ホットプレートなどを用いて加熱し溶剤を除去する。次に、加熱温度を８０℃で１０分程度保持することで、平坦化層３７の配向規制構造３７ａにより内蔵位相差板３８の材料（分子）を所定の方位に配向させる（Ｓ１７）。内蔵位相差板３８の材料は、例えば、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶と反応開始剤とを含む有機溶媒である。この工程（Ｓ１７）における上記加熱温度は、内蔵位相差板３８の材料の融点（例えば、７０℃）より高く、且つ当該材料のネマチック・等方相転移温度（例えば、１１０℃）以下の値（例えば、約８０℃）に設定される。加熱時間は、位相差板の材料が十分配向される時間（例えば、１０分）に設定することが必要である。この時点で、内臓位相差板３８の材料の「平坦化層３７の配向規制構造を備えた部分３７ａ」に接する部分は、特定の配向方位を向いて配向する。これにより、内蔵位相差板３８の材料層の当該部分は複屈折性（位相差性）を示す。一方、内臓位相差板３８の材料の「平坦化層３７の配向規制構造を備えていない部分３７ｂ」に接する他の部分は、配向しない。従って、内蔵位相差板３８の材料層の当該他の部分は複屈折性（位相差性）を示さない。

その後、内蔵位相差板３８の材料の全面を露光し、硬化させる（Ｓ１８）。これにより、図４（Ｃ）に示すように、位相差性を備えた内蔵位相差板３８と、位相差性を有しない残留層３８ｎとが形成される。

内蔵位相差板３８の形成後は、第一の基板３１の主面（当該主面に形成された内蔵位相差板３８及び残留層３８ｎの上面）の全域に保護膜（絶縁膜、図示せず）を形成するとよい。保護膜は、例えば、先述した平坦化層と同じ材料又は光開始剤を含まない透明材料で形成される。残留層３８ｎ（又はその上に形成された保護膜）の上面に段差形成レジスト層３９を形成した（図３のＳ１９）後、液晶層１０を配向させるための配向膜３３を形成する（Ｓ２０）。なお、配向膜３３の形成前に、下地を平坦化するために平坦化層を形成し、その平坦化層上に配向膜３３を形成するようにしてもよい。

以上、第一の基板３１における、カラーフィルタ３６の形成工程から、配向膜３３の形成工程までのプロセスを説明した。

その後の製造プロセスは、図２を参照して下記のとおり説明される。

第一の基板３１の第一の配向膜３３と、第二の基板３２の第二の配向膜３４とを信号配線２２に対して１５度をなすようにラビング処理した後に、第一の基板３１と第二の基板３２を対向させて組み立て、液晶材料を封入して液晶層１０を形成する。さらに、第一の基板３１と第二の基板３２の外側に、第一の偏光板４１と第二の偏光板４２を配置する。第一の偏光板４１と第二の偏光板４２の透過軸は、液晶配向方向に対してそれぞれ直交、平行になるように配置する。

なお、第一の偏光板４１の粘着層には、その内部に屈折率が粘着材とは異なる透明な微小球を多数混入した光拡散性の粘着層４３を用いる。粘着材と微小球の界面において両者の屈折率が異なることによって生じる屈折の効果を利用して、入射光の光路を拡大する作用を有する。これにより、画素電極２８と共通電極２９における反射光の干渉で生じる虹色の着色を低減することができる。
＜本発明による液晶表示装置の形態１＞
上記のように構成される液晶表示装置について、その機能を説明する。

図１に示したように、可視光線に対して透明なガラス等の材料から成る第二の基板３２の主面には、画素毎に、共通電極２９と画素電極２８とがこの順に積層されている。第二の基板３２の主面には、上記第１方向に延在する走査配線２１と共通配線２３とが上記第２方向に交互に繰り返して並設され、走査配線２１及び共通配線２３とを覆う絶縁層５１上には当該第２方向に延在する複数の信号配線２２が当該第１方向沿いに並設される。第二の基板３２の主面には、複数の画素の各々に対応した複数の薄膜トランジスタＴＦＴが設けられる。図１及び図２に破線枠で囲まれて示される薄膜トランジスタＴＦＴは、信号配線２２の一部と入出力電極２４とに接合された半導体層（上述したアモルファスシリコン層）２５と、この半導体層２５に電界を印加して「信号配線２２の一部と入出力電極２４との間のキャリア（電子や正孔）の流れ」を制御する電極（走査配線２１の一部でもある）とを備えた電界効果型トランジスタとして構成される。信号配線２２の一部と入出力電極２４とは、これらの間に介在する半導体層２５内でのキャリアの流れに応じ、その一方がソース電極と呼ばれ、且つその他方がドレイン電極と呼ばれる。絶縁層５１を介して半導体層２５に電界を印加する上記走査配線２１の一部は、ゲート電極や制御電極とも呼ばれ、絶縁層５１はゲート絶縁膜とも呼ばれる。

信号配線２２は、所定の周期（例えば、フレーム期間やフィールド）毎に画素電極２８に取り込まれるべき映像信号を伝送する。走査配線２１には当該周期毎に半導体層２５内にキャリアの流れを生じさせる信号（走査信号）が印加され、信号配線２２で伝送された映像信号は半導体層２５、入出力電極２４を通して画素電極２８に供給される。薄膜トランジスタＴＦＴの入出力電極２４と画素電極２８とは、入出力電極２４上に積層された絶縁層５２及び絶縁層５３を貫通し且つ入出力電極２４を露出するスルーホール２６の内壁に形成された導電膜により、電気的に接続される。この導電膜は、画素電極２８とともに形成されてもよい。一方、共通配線２３の電位は、走査配線２１や信号配線２２に比べて変動が小さく、基準電位（一定の電位、例えば接地電位）に保たれることが多い。共通配線２３と共通電極２９とは、共通配線２３上に積層された絶縁層５１及び絶縁層５２を貫通し且つ共通配線２３の一部を露出するスルーホール２７の内壁に形成された導電膜により、電気的に接続される。この導電膜は、共通電極２９とともに形成されてもよい。

共通電極２９、及び画素電極２８は、ともにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）等の可視光線を透過させる導電性材料（いわゆる透明導電膜）から成る。画素電極２８及び共通電極２９は概ね矩形の輪郭を有し、図１の平面図に示される如く、画素電極２８の外周は共通電極２９の外周により囲まれている。共通電極２９の一部には、上記スルーホール２６に形成された導電膜との電気的短絡を避けるための開口（不図示）がスルーホール２６を囲むように形成されている。

各画素において、共通電極２９が１枚のシート状に形成される一方、画素電極２８は当該共通電極２９上において、櫛歯状（Ｃｏｍｂ−ｔｅｅｔｈｓｈａｐｅｄ）に形成される。図１に示される画素電極２８には、矩形の透明導電膜に第１方向（走査配線２１の延在方向）に延在する複数の開口（線状開口）３０が、第２方向（信号配線２２の延在方向）に並べて形成されている。これらの開口３０により、画素電極２８を成す透明導電膜は第１方向に延在する複数のストライプに分かれ、これらのストライプが櫛歯の如く第２方向に並ぶ。

画素電極２８と共通電極２９とは、その間を隔てる絶縁層５３により電気的に分離され、画素電極２８と共通電極２９との間の電位差により生じた電気力線は、画素電極２８の「櫛歯」の各々から当該「櫛歯」間（透明導電膜の開口３０）を通して共通電極２９に到る。

この電気力線は、画素電極２８の「櫛歯」からその「櫛歯」を隔てる隙間に向けて、第二の基板３２の主面に概ね平行に延びる。この第二の基板３２の主面に概ね平行な電気力線が、当該第二の基板３２に形成された第二の配向膜３４を通して、ＴＦＴ基板３２とカラーフィルタ基板３１との間に封入（Ｓｅａｌ）された液晶層１０に染み出し、液晶層１０内の液晶分子を動かす。

ＴＦＴ基板３２及びカラーフィルタ基板３１の外面（Ｏｕｔｅｒ Ｓｕｒｆａｃｅ、液晶層とは反対側の主面）には夫々偏光板（フィルム）４２、４１が設けられる。

液晶層１０内の液晶分子は、これに電界が印加されない状態において、その光軸が上記偏光板４１，４２の光軸とずれる（例えば、直交する）方位に設定されている。第一の配向膜３３、第二の配向膜３４は、液晶分子を斯様な方位に設定する。ここでいう光軸は、液晶分子や偏光板４１、４２が、これらを透過する光に対して、例えば高い屈折率を示す方位として記される。

これに対し、画素電極の「櫛歯」から共通電極２９に向けて第二の基板３２の主面に概ね平行に形成される上記電界が強まるに伴い、液晶分子の各々の光軸の方位は上記偏光板４１，４２の光軸のそれに徐々に近づく。即ち、第二の基板３２内（ｌｎ−ｐｌａｎｅ）に形成された電界が強まるほど、液晶層を透過する光の量が増す。これが、図示された画素構造を、面内スイッチング（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型、略してＩＰＳ型と呼ぶ所以である。

画素電極２８の電位が薄膜トランジスタからの出力（画像情報）に応じて変化する一方、共通電極２９の電位は共通配線２３から印加される言わば基準電圧に応じて決まる。即ち、或る一つの共通配線２３に接続される共通電極２９を夫々備えた画索の一群において、夫々の画素電極の電位が互いに異なるときも、夫々の共通電位は概ね同じ電位を示す。

共通配線２３は、アルミニウムやタンタル等の金属で形成することにより、画素電極や共通電極に比べて、これに入射する光を反射し易くするとよい。図示された共通配線２３は、これと共通電極２９とが接するスルーホール２７から、画素内に向けて延在する。従って、共通配線２３の延伸部分は、画素電極２８及び共通電極２９の下側に配置されて、カラーフィルタ基板３１から液晶層１０、画素電極２８、及び共通電極２９を通過して当該延伸部分（その上面）に入射した光を、カラーフィルタ基板３１に向けて反射する。このような領域が画素毎に形成されている構造が、半透過型（Ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ）の液晶表示装置の特徴である。

以上、本発明の一実施形態について説明した。

上記実施形態によれば、製造プロセスにおいて、透過表示部と反射表示部の全面に渡り塗布して形成する平坦化層において、反射表示部の部分においてのみ、光硬化時の工夫により配向規制力をもたせる。そして、全面に渡り塗布した内蔵位相差板の材料のうち、反射表示部に相当する部分のみ、配向させ、位相差性を保持させる。すなわち、内蔵位相差板３８を配向させるための配向膜の塗布工程及びそれに伴うラビング工程を省略することが出る。したがって、プロセス削減により、製造にかかる時間の短縮、材料費の削減が図られる。

また、従来では、ラビング処理を行う際に発生するラビング布や配向膜の剥離異物が生じて、その後に洗浄工程を付加せざるを得なく、さらに、洗浄を実施しても後工程への流れ込みは避けられず、歩留を低下させる原因となっていた。それに対して、本実施形態の製造プロセスでは、内蔵位相差板３８を配向させるための配向膜のラビング工程がないので、ラビング異物は発生せず、歩留の低下の危惧もない。

さらに、本実施形態の液晶表示装置においては、内蔵位相差板３８を配向させるための配向膜がなくなることにより、透過表示部及び反射表示部の透過率が向上する。

なお、本発明は、上記実施形態に制限されない。上記実施形態は、様々な変形が可能である。

＜本発明による液晶表示装置の形態２＞
上述した液晶表示装置の形態１の変形として、本発明によるＶＡ方式の半透過型液晶表示装置を、図６を参照しながら説明する。図６（ａ）は、ＶＡ方式の半透過型液晶表示装置に形成された画素の一つの断面構造を示し、図６（ｂ）は当該一つの画素の平面構造を示す。図６（ａ）は、液晶表示装置（その一画素）を、図６（ｂ）に示されるＡ−Ａ’線で切断した断面として描かれる。図６に示された構成要素のうち、その等価物が図１又は図２でも示されたものについては、図１や図２の等価物と同じ参照番号を付し、説明の重複を避ける。一つの画素は、ブラックマトリクス（遮光膜）３５の開口３５ｈで囲まれた領域として定義しても、カラーフィルタ（着色レジスト）３６の輪郭（外周）で囲まれた領域として定義してもよい。図６（ｂ）において、信号配線２２ａは、図示された画素の薄膜トランジスタＴＦＴに接続されていないこと以外、信号配線２２と同様に形成されている。図６（ｂ）において、その輪郭が点線枠で示される半導体層２５上には、信号配線２２の一部と入出力電極２４とが互いに対向するように形成されている。信号配線２２の一部は、Ｕ字状に彎曲して入出力電極２４を囲む。

まず、ＶＡ方式の半透過型液晶表示装置の、ＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置との相違について説明する。ＶＡ方式による液晶表示装置では、共通電極２９は第一の基板３１に形成され、画素毎に設けられた反射表示部及び透過表示部の各々には、共通電極２９の開口（Opening）２９ｈが形成される。この開口２９ｈは、画素電極２８の形状に応じて、スリット（Slit）や切り欠き（Notch）として形成される。図６（ａ）には、画素電極２８と共通電極２９との間の電界が印加された液晶分子１００と、この電界が印加されない（換言すれば、初期配向された）液晶分子１００ｎとが長楕円で図示される。画素電極２８と共通電極２９との間に生じる電界は、破線の矢印として示される。液晶層１０を介して対向した画素電極２８と共通電極２９との間に生じる電界は、共通電極の開口２９ｈにより、第一及び第二の基板３１，３２を隔てる方向（以下、セルギャップ，図６（ａ）のｇ_Ｒ，ｇ_Ｔ）に対して所定の角度で傾く。画素電極２８と共通電極２９との間に電界が生じないとき、一軸性の複屈折率を有する液晶分子１００ｎは、その分子軸（上記「長楕円」の長軸）がセルギャップに沿うように初期配向される。斯様な液晶分子１００ｎの初期配向は「垂直配向（ＶＡ）」と呼ばれる。液晶分子１００ｎが初期配向された液晶層１０は、これに入射する光の透過を遮る。画素電極２８と共通電極２９との間の電界強度に応じて、垂直配向された液晶分子１００ｎの分子軸は、液晶分子１００のそれの如く、セルギャップに対して傾き、その傾斜に応じて液晶層１０における光の透過量は増える。

画素電極２８には共通電極２９の如く、スリット、切り欠き、又は開口を形成する必要はないが、本形態の画素電極２８は、図６（ｂ）に示す如く、共通電極の開口２９ｈ毎に１つの反射型画素電極２８Ｒと２つの透過型画素電極２８Ｔに分けられている。薄膜トランジスタＴＦＴの入出力電極２４はスルーホール２６を通して反射型画素電極２８Ｒに電気的に接続され、更に反射型画素電極２８Ｒと透過型画素電極２８Ｔ、及び透過型画素電極２８Ｔ間は、接続部２８Ｃで夫々電気的に接続される。反射型画素電極２８Ｒは、アルミニウム、チタン、タンタル等の金属膜や、アルミニウム、チタン、タンタル等を含む合金膜で形成され、透過型画素電極２８Ｔは、ＩＴＯ（インジウム−錫−酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛−酸化物）、ＡＴＯ（アンチモン添加酸化錫）、ＡＺＯ（アルミニウム添加酸化亜鉛）等の透明な導電性酸化物で形成される。

薄膜トランジスタＴＦＴは、先述の形態１と同様、信号配線２２と入出力電極２４とを接続する半導体層２５を走査配線の一部（制御電極）２１の上部に絶縁層５１を介して配置した所謂逆スタガ型構造を有するが、半導体層２５を絶縁層５１で覆い且つ当該絶縁層５１上に制御電極２１を配置してもよい。半導体層２５は、アモルファスシリコン（非晶質珪素）、多結晶シリコン、信号配線２２との接合部から入出力電極２４との接合部に向けて延在する結晶粒（帯状単結晶）を複数個並設して成る連続粒界結晶シリコンのいずれで形成されてもよく、半導体材料としてシリコン（珪素）以外の元素や分子も利用できる。

薄膜トランジスタＴＦＴの最上層（図６では信号配線２２と入出力電極２４）の上面には、絶縁層５２、段差形成レジスト層（絶縁層）３９Ｒ、及び反射型画素電極２８Ｒがこの順に積層されている。段差形成レジスト層３９Ｒは、形態１のそれと異なり、第二の基板３２（ＴＦＴ基板）に形成される。段差形成レジスト層３９Ｒは、形態１の絶縁層５３と同様の位置に、絶縁層５１，５２の各々の２倍超の厚さで形成される。即ち、段差形成レジスト層３９Ｒの厚さは、反射表示部における第一の基板３１の最上面（図６では共通電極２９の上面）と第二の基板３２の最上面（図６では反射型画素電極２８Ｒの上面）との間隙ｇ_Ｒが、透過表示部における第一の基板３１の最上面（共通電極２９の上面）と第二の基板３２の最上面（図６では透過型画素電極２８Ｔの上面）との間隙ｇ_Ｔよりも小さく、望ましくは間隙ｇ_Ｒの概ね１／２となるように調整される。フォトリソグラフィ等により段差形成レジスト層３９Ｒを成形する際、その上面に波状のパターン（例えば、コルゲート・パターン）を形成して、当該パターンを反射型画素電極２８Ｒの上面に形成してもよい。反射型画素電極２８Ｒで反射された光は、その上面の波状パターンにより、当該反射型画素電極２８Ｒが設けられた画素内で適度に拡散される。

第一の基板３１は、ガラスやプラスチック等の可視領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長帯域）の光を透過させる材料（以下、透明な材料）から成り、その主面上には、複数のカラーフィルタ（着色レジスト）３６とその隣接する一対を隔てる遮光膜３５とが形成される。図２に示された液晶表示装置の形態１においても、カラーフィルタ３６間に遮光膜３５が形成される。カラーフィルタ３６は、例えば顔料、染料、及び蛍光材料の少なくとも一つを含む樹脂材料（例えば、レジスト材料等の有機材料）で形成される。遮光膜３５は、クロム（Ｃｒ）等の金属や合金等の無機薄膜、又はカーボン、コバルト酸化物、黒色顔料等の光吸収率の高い粒子が分散された樹脂の薄膜（有機薄膜）として形成される。遮光膜３５は、その可視領域の光の透過率がカラーフィルタ３６のそれに比べて低いため、不透明であるとも記される。

本形態２においても、カラーフィルタ３６とその間に配置された遮光膜３５により第一の基板３１の主面に生じた起伏を均す平坦化層３７が形成される。さらに平坦化層３７の一部（３７ａ）には、形態１と同様に、平坦化層３７の上面に供給される内蔵位相差板３８の原料（前駆体）の分子を所望の方位に配向させる「配向規制力」が付与される。従って、平坦化層３７の配向規制力が付与された部分３７ａの上面には内蔵位相差板３８（配向した分子から成る有機膜）が、平坦化層３７の配向規制力が付与されない部分３７ｂの上面には内蔵位相差板の残留層３８ｎ（配向しない分子から成る有機膜）が夫々形成される。内蔵位相差板３８及びその残留層３８ｎの上面の起伏は、その下地となる平坦化層３７により抑えられ、当該上面には開口２９ｈを備えた共通電極２９が形成される。電子顕微鏡による形状観察にて、内蔵位相差板３８とその残留層３８ｎとは、一つの有機薄膜として形成されているように見られ、同じ組成を有するとも認識される。しかし、内蔵位相差板３８が示す「複屈折（位相差性）」を、その残留層３８ｎが示し得ないことで、これらは確実に識別できる。図６（ｂ）に示す如く、内蔵位相差板３８（太線枠）は、第一の基板３１の主面内において、反射型画素電極２８Ｒに各々対向する複数のアイランドとして、その残留層３８ｎ内に分布している。

なお、内蔵位相差板３８とその残留層３８ｎとは、開口２９ｈを備えた共通電極２９の上側に上記平坦化層３７を介して形成することもできる。また、第一の基板３１の最上層（図６では共通電極２９）及び第二の基板３２の最上層（図６では画素電極２８Ｒ，２８Ｔ）の少なくとも一方に液晶層１０の液晶分子１００，１００ｎを配向させる配向膜（不図示）を形成してもよい。

＜内蔵位相差板形成に好適な材料＞
例えば、内蔵位相差板３８の形成工程において、内蔵位相差板３８を形成する材料、これに照射される光の波長、及びこれに添加される光重合開始剤を適宜選択することにより、内蔵位相差板３８及び残留層３８ｎの着色を抑制することができる。

図５は、内蔵位相差板３８を形成する液晶物質の着色が生じる波長について説明するための図である。内蔵位相差板３８を形成するための液晶物質によっては、３００ｎｍ未満の波長の光を吸収すると着色を生じる。したがって、３００ｎｍ未満の波長の光が照射されないようにした方がよい。

そこで、特定波長の光が照射可能なランプを用いるとよい。例えば、３００ｎｍ以上の波長の強度が強く、３００ｎｍ未満の波長の光の強度が極めて弱いランプを用いる。

または、３００ｎｍ未満の波長の光を遮断するフィルタを用いてもよい。例えば、短波長光を遮断する短波長カット紫外線フィルタなどを用いる。また、内蔵位相差板３８を形成する液晶物質の吸収波長を全てカットするようなフィルタを用いのがよい。例えば、帝人デュポンフィルム製のテイジンテトロンフィルムＧ２を用いることができる。

また、３００ｎｍ以上の光を照射するため、内蔵位相差板３８の材料は、３００ｎｍ以上の波長の光の照射により硬化する必要がある。そこで、光重合開始剤は、３００〜４００ｎｍに吸収があるものを選択するのが好ましい。好ましくは、内蔵位相差版３８の材料（これに含まれる溶剤又は光重合開始剤の溶媒であるメタノール）中での吸光係数が、３６５ｎｍで１０００ml/ｇｃｍ以上、４０５ｎｍで１００ｍｌ／ｇｃｍ以上の範囲にある開始剤である。

内蔵位相差板３８を形成する材料としては、次に示すような、光反応性のアクリル基を分子末端に有する液晶モノマーを用いることができる。

光重合開始剤は、加熱露光に配慮して、不揮発性であるのが好ましい。例えば、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）製のイルガキュア（ＩＲＵＧＡＣＵＲＥ（Ｒ））９０７、イルガキュア３６９、イルガキュア８１９、イルガキュア１２７、ＤＡＲＯＣＵＲ（Ｒ） ＴＰＯ、イルガキュアＯＸＥ０１などを選ぶことができる。特にイルガキュア８１９は着色が防げ、揮発性が低いことから、露光量も少なくて済む。

上記のように、内蔵位相差板３８の材料、照射する光の波長、光重合開始剤を適宜選択することにより、内蔵位相差板３８及び残留層３８ｎの透過率をそれぞれ、可視光（Ｖｉｓｉｂｌｅ Ｌｉｇｈｔ，例えば、４００ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲にある波長の光）に対して９０％以上の範囲にすることができ、これらの着色を抑制することができる。即ち、内蔵位相差板３８及び残留層３８ｎが、これに入射する可視光領域（例えば、４００ｎｍ乃至８００ｎｍの波長帯域）の光を、９０％以上を透過させれば、液晶表示装置の表示輝度が十分な高さに保たれる。

図１は、液晶表示装置の１画素の上面図である。 図２は、図１のＡ−Ａ方向断面図である。 図３は、製造プロセスの一部を示す図である。 図４は、平坦化層および内蔵位相差板の形成工程を説明するための図である。 図５は、光源の波長と重合開始剤の吸収波長と着色が生じる波長の関係を示す図である。 図６は、別の液晶表示装置における１画素の断面図と上面図である。

符号の説明

１０・・・液晶層
２１・・・走査配線
２２・・・信号配線
２３・・・共通配線
２５・・・アモルファスシリコン層
２６・・・スルーホール
２７・・・スルーホール
２８・・・画素電極
２９・・・共通電極
３０・・・スリット
３１・・・カラーフィルタ基板
３１・・・第一の基板
３２・・・第二の基板
３３・・・第一の配向膜
３４・・・第二の配向膜
３６・・・カラーフィルタ
３７・・・平坦化層
３７ｐ・・・平坦化層材料
３８・・・内蔵位相差板、３８ｎ・・・残留層
３９・・・レジスト層
４１，４２・・・偏光板
４３・・・粘着層
５１，５２，５３・・・絶縁層
６１・・・透過光
６２・・・反射光

Claims (5)

1. 第１基板の位相差板が内蔵された主面と第２基板との間に液晶層を封止し、反射表示部と透過表示部とを備えた半透過型の液晶表示装置の製造方法であって、
   前記第１基板の主面に前記位相差板の下地層となる光硬化性樹脂組成物を塗布する下地層塗布ステップと、
   マスク露光により前記塗布された光硬化性樹脂組成物の部分的な硬化処理を行い、当該硬化処理後に、当該光硬化性樹脂組成物の未硬化部分を取り除く現像処理を行い、前記硬化された光硬化性樹脂組成物に、前記未硬化部分の除去による凹凸を有する領域と当該凹凸を有しない平坦な領域とを形成する下地層硬化ステップと、
   前記硬化された光硬化性樹脂組成物上の前記凹凸を有する領域及び前記平坦な領域に前記位相差板の材料を塗布して加熱硬化し、前記凹凸を形成した領域では、前記凹凸の配向規制力により配向した位相差板を形成し、前記平坦な領域では配向しない残留層を形成する位相差板形成ステップと、
   前記位相差板及び前記残留層上に、前記液晶層を配向させる配向膜を形成する配向膜形成ステップと、
   をこの順に行うことを特徴とする半透過型の液晶表示装置の製造方法。
2. 前記下地層硬化ステップでは、前記凹凸を形成する領域には、露光部分と非露光部分とが線状に交互に並ぶように前記マスク露光を行い、前記凹凸として、並んだ複数の溝が形成されることを特徴とする請求項１記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
3. 前記位相差板形成ステップでは、前記位相差板の材料の融点より高く、かつ前記位相差板の材料のネマチック・等方相転移温度より低い温度で加熱することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
4. 前記第１基板は、カラーフィルタを有するとともに、当該カラーフィルタ上に前記下地層が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
5. 前記凹凸を有する領域は、前記反射表示部に形成され、前記平坦な領域は、前記透過表示部に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。

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