JP5169299B2

JP5169299B2 - Semiconductor manufacturing equipment

Info

Publication number: JP5169299B2
Application number: JP2008041693A
Authority: JP
Inventors: 好伸柳沢; 信博辻; 篤池亀; 剛山本; 巧柴田; 彰二野上; 智則山岡; 誠一中村; 隆之新行内; 晃岡部
Original assignee: Sumco Corp; Denso Corp; Epicrew Corp
Current assignee: Sumco Corp; Denso Corp; Epicrew Corp
Priority date: 2008-02-22
Filing date: 2008-02-22
Publication date: 2013-03-27
Anticipated expiration: 2028-02-22
Also published as: JP2009200330A

Description

本発明は、半導体ウエハに熱処理を行うための半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for performing a heat treatment on a semiconductor wafer.

従来より、石英ドームと、該石英ドームの端部を保持する冷却チャンバとを有し、石英ドームおよび冷却チャンバで区画された処理室が設けられ、処理室に配置された円板状のサセプタの上に半導体ウエハが配置される半導体製造装置が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a processing chamber having a quartz dome and a cooling chamber that holds an end portion of the quartz dome is provided, and a processing chamber partitioned by the quartz dome and the cooling chamber is provided. 2. Description of the Related Art There is known a semiconductor manufacturing apparatus on which a semiconductor wafer is disposed.

また、半導体製造装置において、半導体ウエハの熱処理を行なうために熱源に加熱ランプを使用したものが、例えば特許文献１、２で提案されている。具体的に、特許文献１、２では、熱処理装置において処理を受ける半導体ウエハの平面内に均一に熱処理を行なうため、タングステンランプ等のランプがその被加熱物の面に対して平行に、かつ、円周方向に配列されたものが提案されている。 For example, Patent Documents 1 and 2 propose a semiconductor manufacturing apparatus in which a heat lamp is used as a heat source in order to perform heat treatment of a semiconductor wafer. Specifically, in Patent Documents 1 and 2, in order to perform heat treatment uniformly in the plane of the semiconductor wafer to be processed in the heat treatment apparatus, a lamp such as a tungsten lamp is parallel to the surface of the object to be heated, and Those arranged in the circumferential direction have been proposed.

特に、特許文献１では、半導体ウエハと平行な平面内にランプが等間隔に配置された装置が示されている。また、特許文献２では、複数個のランプが半導体ウエハ等の被処理体に対向して平行に同心円状に配列された装置が示されている。
特開平１０−１０６７２４号公報特開２００３−２２９８２号公報 In particular, Patent Document 1 discloses an apparatus in which lamps are arranged at equal intervals in a plane parallel to a semiconductor wafer. Patent Document 2 discloses an apparatus in which a plurality of lamps are arranged concentrically in parallel to face a target object such as a semiconductor wafer.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-106724 JP 2003-22982 A

しかしながら、半導体ウエハが配置されるサセプタの外周部では冷却チャンバ側に熱が逃げやすくなっている状況下では、特許文献１、２に記載の技術では同心円状に等間隔にランプを配置しているため、半導体ウエハの温度を均一化するためにはサセプタの外周側に位置するランプの強度を高くする必要がある。このため、外周側のランプについてはランプ１本あたりの強度を高くしなければならない。光の強度が高いほど、ランプの寿命は短くなる。したがって、温度を均一にするために放射される内外周のランプの光の強度にバラツキが生じるため、光の強度が高くなる外周側のランプの寿命が低下してしまうという問題があった。 However, in a situation where heat easily escapes to the cooling chamber side at the outer peripheral portion of the susceptor on which the semiconductor wafer is arranged, the techniques described in Patent Documents 1 and 2 arrange the lamps at equal intervals in a concentric manner. Therefore, in order to make the temperature of the semiconductor wafer uniform, it is necessary to increase the intensity of the lamp located on the outer peripheral side of the susceptor. For this reason, about the lamp | ramp of an outer peripheral side, the intensity | strength per lamp | ramp must be made high. The higher the light intensity, the shorter the lamp life. Therefore, there is a variation in the light intensity of the inner and outer lamps radiated in order to make the temperature uniform, and there is a problem that the life of the outer lamp on which the light intensity is increased is reduced.

さらに、処理室が減圧になる石英ドームを有する熱処理装置では、ランプから石英ドームまでの距離がランプごとに異なる。特に、外周部のランプからサセプタに向かって放射された光は、石英ドームに対して光が垂直に入らないことになり、サセプタの外周側での石英ドームの光の透過率が低下し、サセプタに光が届きにくくなる。これにより、半導体ウエハの温度を均一化するためには外周側のランプの光の強度を高くする必要がある。したがって、上記と同様に、外周側のランプの寿命が低下してしまうという問題があった。 Furthermore, in a heat treatment apparatus having a quartz dome in which the processing chamber is decompressed, the distance from the lamp to the quartz dome varies from lamp to lamp. In particular, the light emitted from the lamp at the outer peripheral portion toward the susceptor does not enter the quartz dome perpendicularly, and the light transmittance of the quartz dome at the outer peripheral side of the susceptor decreases, and the susceptor It becomes difficult for light to reach. As a result, in order to make the temperature of the semiconductor wafer uniform, it is necessary to increase the light intensity of the lamp on the outer peripheral side. Therefore, similarly to the above, there is a problem that the life of the lamp on the outer peripheral side is reduced.

本発明は、上記点に鑑み、サセプタの外周側に配置されるランプの寿命が短くならないようにすることができる半導体製造装置を提供することを目的とする。 In view of the above points, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing the life of a lamp disposed on the outer peripheral side of a susceptor from being shortened.

上記目的を達成するため、請求項１、３、５に記載の発明では、半導体ウエハ（６０）を加熱処理するための処理室（１４）と、処理室（１４）内に配置されると共に、半導体ウエハ（６０）が配置される一面（４０ａ）を有し、一面（４０ａ）に垂直な中心軸を中心に回転するサセプタ（４０）と、処理室（１４）の境界の一部を形成するように配置された石英ドーム（１１、１２）と、石英ドーム（１１、１２）の端部（１１ｂ、１２ｂ）を拘束する冷却チャンバ（２１、２２）と、処理室（１４）の外部に配置され、加熱源となる複数のランプ（５０）とを有する半導体製造装置であって、複数のランプ（５０）は少なくとも複数の円配列（５１〜５３）を構成すると共に、複数の円配列（５１〜５３）がサセプタ（４０）の中心軸を中心に同心円状に配置されており、サセプタ（４０）の中心軸側で隣り合う円配列（５１、５２）の間隔よりも、サセプタ（４０）の外周側で隣り合う円配列（５２、５３）の間隔が密になっていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the first , third , and fifth aspects of the present invention, the semiconductor wafer (60) is disposed in the processing chamber (14) and the processing chamber (14) for heat treatment, A susceptor (40) having a surface (40a) on which a semiconductor wafer (60) is disposed and rotating about a central axis perpendicular to the surface (40a) and a part of a boundary between the processing chamber (14) are formed. The quartz dome (11, 12) arranged in this manner, the cooling chambers (21, 22) that restrain the ends (11b, 12b) of the quartz dome (11, 12), and the outside of the processing chamber (14) The semiconductor manufacturing apparatus includes a plurality of lamps (50) serving as a heat source, and the plurality of lamps (50) constitute at least a plurality of circular arrays (51 to 53) and a plurality of circular arrays (51). ~ 53) is the central axis of the susceptor (40) Circular arrangements (52, 53) that are concentrically arranged in the center and that are adjacent on the outer peripheral side of the susceptor (40) rather than the interval between the circular arrangements (51, 52) adjacent on the central axis side of the susceptor (40). It is characterized in that the interval of is close.

これによると、サセプタ（４０）の外周側では中心軸側よりも多くのランプ（５０）が配置されているため、ランプ（５０）一つ当たりの光の強度を小さくしたとしても、サセプタ（４０）の中心軸側と同じ光の強度で加熱することができる。したがって、サセプタ（４０）の外周側に配置されるランプ（５０）の寿命が短くならないようにすることができる。 According to this, since more lamps (50) are arranged on the outer peripheral side of the susceptor (40) than on the central axis side, even if the intensity of light per lamp (50) is reduced, the susceptor (40) ) With the same light intensity as the central axis side. Therefore, the lifetime of the lamp (50) arranged on the outer peripheral side of the susceptor (40) can be prevented from being shortened.

請求項１に記載の発明では、環状であって、ランプ（５０）の光を反射する反射面（７１）を有しており、円配列（５１〜５３）の間に配置されると共に、反射面（７１）に反射したランプ（５０）の光を処理室（１４）側に導くリフレクター（７０）を備え、反射面（７１）は、面粗度が２０μｍ以下になっており、該反射面（７１）にニッケルで形成された金属層（７４）が形成され、該ニッケルで形成された金属層（７４）の上に金で形成された金属層（７５）が形成されており、ランプ（５０）の光は金で形成された金属層（７５）に反射するようになっていることを特徴とする。 In invention of Claim 1 , it is cyclic | annular, it has the reflective surface (71) which reflects the light of a lamp | ramp (50), and while being arrange | positioned between circular arrangement | sequences (51-53), it is reflective The reflector (70) which guides the light of the lamp (50) reflected on the surface (71) to the processing chamber (14) side is provided, and the reflection surface (71) has a surface roughness of 20 μm or less. A metal layer (74) made of nickel is formed on (71), a metal layer (75) made of gold is formed on the metal layer (74) made of nickel, and a lamp ( 50) is reflected by the metal layer (75) made of gold.

これにより、ランプ（５０）から発せられた光をロスすることなくサセプタ（４０）側に導くことができ、処理室（１４）内を均一に加熱することができる。 Thereby, the light emitted from the lamp (50) can be guided to the susceptor (40) side without loss, and the inside of the processing chamber (14) can be heated uniformly.

請求項２、３に記載の発明では、サセプタ（４０）の外周側で隣り合う円配列（５２、５３）を構成するランプ（５０）は、内側の円配列（５２）を構成するランプ（５０）の間に外側の円配列（５３）を構成するランプ（５０）が段違いに配置されることで、面積あたりの配列密度が段違いでない場合に比べて密になっていること特徴とする。 According to the second and third aspects of the present invention, the lamps (50) constituting the circular arrangement (52, 53) adjacent on the outer peripheral side of the susceptor (40) are the lamps (50) constituting the inner circular arrangement (52). ) Between the lamps (50) constituting the outer circular arrangement (53) are arranged in a stepped manner, and the arrangement density per area is denser than in the case where the steps are not stepped.

これにより、サセプタ（４０）の外周側の円配列（５２、５３）がサセプタ（４０）の中心軸側の円配列（５１）に比べて配列密度が多くなるように配置することができる。 Accordingly, the circular arrangement (52, 53) on the outer peripheral side of the susceptor (40) can be arranged so that the arrangement density is higher than the circular arrangement (51) on the central axis side of the susceptor (40).

請求項４、５に記載の発明では、複数のランプ（５０）それぞれは、石英ドーム（１１、１２）から一定距離だけ離れて配置されていることを特徴とする。 The invention according to claims 4 and 5 is characterized in that each of the plurality of lamps (50) is arranged at a predetermined distance from the quartz dome (11, 12).

これにより、サセプタ（４０）の中心軸側と外周側とで各ランプ（５０）から処理室（１４）側への光の入射量が同じになるようにすることができる。また、半導体ウエハ（６０）と各ランプ（５０）との距離を近くする、特にランプ（５０）を同一平面内に配置した場合よりもサセプタ（４０）の外周側のランプ（５０）と半導体ウエハ（６０）との距離を近くすることできるので、ランプ（５０）の光をロスなく処理室（１４）に入射することができる。 Thereby, the incident amount of light from each lamp (50) to the processing chamber (14) side can be the same on the central axis side and the outer peripheral side of the susceptor (40). Further, the distance between the semiconductor wafer (60) and each lamp (50) is reduced, in particular, the lamp (50) on the outer peripheral side of the susceptor (40) and the semiconductor wafer than when the lamp (50) is arranged in the same plane. Since the distance to (60) can be reduced, the light from the lamp (50) can enter the processing chamber (14) without loss.

請求項６に記載の発明では、リフレクター（７０）は筒状になっており、内部に冷却水が流れるようになっていることを特徴とする。 The invention according to claim 6 is characterized in that the reflector (70) has a cylindrical shape, and cooling water flows therein.

これにより、ランプ（５０）から熱を受けるリフレクター（７０）の反射面（７１）の冷却効率を高めることができる。したがって、該反射面（７１）に形成された金で形成された金属層（７４）の寿命が短くならないようにすることができる。 Thereby, the cooling efficiency of the reflective surface (71) of the reflector (70) which receives heat from the lamp (50) can be increased. Therefore, the lifetime of the metal layer (74) formed of gold formed on the reflecting surface (71) can be prevented from being shortened.

請求項１、３、５に記載の発明では、サセプタ（４０）の中心軸を中心にサセプタ（４０）の外周側に向かって円配列（５１〜５３）とリフレクター（７０）とが交互に繰り返し配置されており、サセプタ（４０）の外周側では、リフレクター（７０）の間に複数の円配列（５２、５３）が配置されていることを特徴とする。 In the first, third, and fifth aspects of the invention, the circular arrangement (51 to 53) and the reflector (70) are alternately repeated toward the outer peripheral side of the susceptor (40) around the central axis of the susceptor (40). The plurality of circular arrays (52, 53) are arranged between the reflectors (70) on the outer peripheral side of the susceptor (40).

これにより、サセプタ（４０）の中心軸側と外周側とで光の強度にバラツキが生じないようにすることができ、処理室（１４）内を均一に加熱することができる。 Thereby, it is possible to prevent variations in light intensity between the central axis side and the outer peripheral side of the susceptor (40), and the inside of the processing chamber (14) can be heated uniformly.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示される半導体製造装置は、処理室を減圧にするものおよびその制御であって、特に、半導体ウエハにエピタキシャル膜等を成膜する装置に好適である。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The semiconductor manufacturing apparatus shown in the present embodiment is an apparatus for reducing the pressure of a processing chamber and its control, and is particularly suitable for an apparatus for forming an epitaxial film or the like on a semiconductor wafer.

図１は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略断面図である。この図に示されるように、半導体製造装置は、石英ドーム１１、１２と、冷却チャンバ２１、２２と、側面加圧ポンプ３０と、サセプタ４０と、シャフト４１と、回転機構４２と、複数のランプ５０とを備えている。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in this figure, the semiconductor manufacturing apparatus includes quartz domes 11 and 12, cooling chambers 21 and 22, side pressure pump 30, susceptor 40, shaft 41, rotating mechanism 42, and a plurality of lamps. 50.

石英ドーム１１、１２は、石英窓１１ａ、１２ａとフランジ部１１ｂ、１２ｂとで構成されている。石英窓１１ａ、１２ａは凸状の容器である。また、フランジ部１１ｂ、１２ｂは石英窓１１ａ、１２ａの開口端部に設けられたものである。なお、フランジ部１１ｂ、１２ｂは本発明の石英ドーム１１、１２の端部に相当する。 The quartz domes 11 and 12 are composed of quartz windows 11a and 12a and flange portions 11b and 12b. The quartz windows 11a and 12a are convex containers. The flange portions 11b and 12b are provided at the opening end portions of the quartz windows 11a and 12a. The flange portions 11b and 12b correspond to the end portions of the quartz domes 11 and 12 of the present invention.

冷却チャンバ２１、２２は、複数のＯリング１３を介して石英ドーム１１、１２のフランジ部１１ｂ、１２ｂを拘束するものであり、内部に冷却水が流れる構造を有している。冷却チャンバ２１、２２は、フランジ部１１ｂ、１２ｂを石英窓１１ａ、１２ａの凸側のものと凹側のものとで挟み込んだ構造になっており、凸側のものと凹側のものとがネジ２３、２４によりねじ止めされ、フランジ部１１ｂ、１２ｂが冷却チャンバ２１、２２に強固に拘束されている。 The cooling chambers 21 and 22 restrain the flange portions 11b and 12b of the quartz domes 11 and 12 through a plurality of O-rings 13, and have a structure in which cooling water flows inside. The cooling chambers 21 and 22 have a structure in which the flange portions 11b and 12b are sandwiched between the convex side and the concave side of the quartz windows 11a and 12a, and the convex side and the concave side are screwed. The flange portions 11 b and 12 b are firmly restrained by the cooling chambers 21 and 22.

また、図１に示されるように、石英ドーム１１、１２のフランジ部１１ｂ、１２ｂにＯリング１３を介して冷却チャンバ２１、２２が固定された一対のものが用意され、各石英ドーム１１、１２の各石英窓１１ａ、１２ａの凹部がそれぞれ向かい合わされて、各冷却チャンバ２１、２２が接合されている。このように、石英ドーム１１、１２、Ｏリング１３、および冷却チャンバ２１、２２にて閉じられた空間が処理室１４となる。処理室１４は、半導体ウエハ６０を加熱処理する部屋であり、大気圧から減圧されて処理ガス（成膜ガス）が注入される。 As shown in FIG. 1, a pair of quartz domes 11 and 12 is prepared in which cooling chambers 21 and 22 are fixed to flange portions 11b and 12b of the quartz domes 11 and 12 via O-rings 13, respectively. The concave portions of the quartz windows 11a and 12a face each other, and the cooling chambers 21 and 22 are joined. Thus, the space closed by the quartz domes 11 and 12, the O-ring 13, and the cooling chambers 21 and 22 becomes the processing chamber 14. The processing chamber 14 is a chamber for heat-treating the semiconductor wafer 60, and the processing gas (film forming gas) is injected by reducing the pressure from the atmospheric pressure.

冷却チャンバ２１、２２には、成膜ガスを処理室１４に導入するための導入通路２５と、処理室１４から成膜ガスを排出するための排出通路２６とが設けられている。排出通路２６は、配管を介して図示しない成膜ガス排出機構に接続されている。そして、処理室１４から排出された成膜ガスは、該成膜ガス排出機構にて無害化され、成膜ガス中のダストや有害ガス等が薬液等により除去されるようになっている。 The cooling chambers 21 and 22 are provided with an introduction passage 25 for introducing the film forming gas into the processing chamber 14 and a discharge passage 26 for discharging the film forming gas from the processing chamber 14. The discharge passage 26 is connected to a film forming gas discharge mechanism (not shown) through a pipe. The film forming gas discharged from the processing chamber 14 is rendered harmless by the film forming gas discharge mechanism, and dust, harmful gases, etc. in the film forming gas are removed by a chemical solution or the like.

そして、フランジ部１１ｂ、１２ｂを拘束するＯリング１３は、当該Ｏリング１３がフランジ部１１ｂ、１２ｂのうち石英窓１１ａ、１２ａの凸側と該凸側とは反対側とにそれぞれ同心円状に配置されてフランジ部１１ｂ、１２ｂを挟んでいる。 The O-ring 13 that restrains the flange portions 11b and 12b is arranged concentrically on the convex side of the quartz windows 11a and 12a and the opposite side of the flange portion 11b and 12b. And sandwiches the flange portions 11b and 12b.

側面加圧ポンプ３０は、処理室１４が大気圧から減圧されることで石英窓１１ａ、１２ａにおいて処理室１４の中心部側に発生する圧縮力に石英窓１１ａ、１２ａが対抗できるように、フランジ部１１ｂ、１２ｂを処理室１４側に押し込んで石英窓１１ａ、１２ａの湾曲の度合いを維持もしくは高めるものである。この側面加圧ポンプ３０は、図１に示されるように冷却チャンバ２１、２２の側面に接続されており、例えばＮ_２やエアーによる加圧によりフランジ部１１ｂ、１２ｂを処理室１４側に押し込むようになっている。 The side pressure pump 30 has a flange so that the quartz windows 11a and 12a can counter the compressive force generated on the center side of the processing chamber 14 in the quartz windows 11a and 12a when the processing chamber 14 is depressurized from the atmospheric pressure. The portions 11b and 12b are pushed into the processing chamber 14 to maintain or enhance the degree of curvature of the quartz windows 11a and 12a. The side pressure pump 30 is connected to the side surfaces of the cooling chambers 21 and 22 as shown in FIG. 1, and pushes the flange portions 11b and 12b toward the processing chamber 14 by pressurization with N ₂ or air, for example. It has become.

サセプタ４０は、一面４０ａおよび他面４０ｂを有する円板状のテーブルであり、一面４０ａに複数の半導体ウエハ６０が配置されるものである。 The susceptor 40 is a disk-shaped table having one surface 40a and another surface 40b, and a plurality of semiconductor wafers 60 are disposed on the one surface 40a.

シャフト４１は、サセプタ４０の他面４０ｂ側に位置すると共に、サセプタ４０の他面４０ｂに対し垂直方向に延びる棒状の部材であり、サセプタ４０を支持して処理室１４内に配置させるものである。シャフト４１のうちサセプタ４０側の上端部４１ａ側にサセプタ４０が接続され、上端部４１ａとは反対側の下端部４１ｂが回転機構４２に備え付けられている。 The shaft 41 is a rod-like member that is positioned on the other surface 40 b side of the susceptor 40 and extends in a direction perpendicular to the other surface 40 b of the susceptor 40, and supports the susceptor 40 and is disposed in the processing chamber 14. . The susceptor 40 is connected to the upper end portion 41a side of the shaft 41 on the susceptor 40 side, and the lower end portion 41b opposite to the upper end portion 41a is provided in the rotating mechanism 42.

図１に示されるように、シャフト４１は、石英窓１２ａに設けられたシャフト貫通部１２ｃに差し込まれた形態になっている。これにより、シャフト４１の上端部４１ａは処理室１４内に配置され、下端部４１ｂは処理室１４の外部に配置される。 As shown in FIG. 1, the shaft 41 is inserted into a shaft penetrating portion 12 c provided in the quartz window 12 a. Thus, the upper end portion 41 a of the shaft 41 is disposed in the processing chamber 14, and the lower end portion 41 b is disposed outside the processing chamber 14.

回転機構４２は、シャフト４１の下端部４１ｂを支持し、シャフト４１の中心軸を中心にシャフト４１を回転させるものであり、モータ等を備えた周知のものである。この回転機構４２によってシャフト４１が回転すると、これに連動してサセプタ４０も回転するようになっている。この回転機構４２にはＯリング１５を介してシャフト貫通部１２ｃが取り付けられ、これにより処理室１４がシールされる。 The rotation mechanism 42 supports the lower end portion 41b of the shaft 41, rotates the shaft 41 around the central axis of the shaft 41, and is a well-known one provided with a motor or the like. When the shaft 41 is rotated by the rotating mechanism 42, the susceptor 40 is also rotated in conjunction therewith. The rotation mechanism 42 is attached with a shaft through portion 12c through an O-ring 15, thereby sealing the processing chamber 14.

また、図１に示される複数のランプ５０は、輻射熱を発する加熱源であり、処理室１４の外部に複数配置されている。具体的には、ランプ５０は、各石英窓１１ａ、１２ａの凸側に配置され、サセプタ４０の一面４０ａおよび他面４０ｂを照らし、処理室１４内を加熱するようになっている。ランプ５０として、例えばハロゲンランプが採用される。 The plurality of lamps 50 shown in FIG. 1 are heating sources that emit radiant heat, and a plurality of lamps 50 are arranged outside the processing chamber 14. Specifically, the lamp 50 is disposed on the convex side of each of the quartz windows 11a and 12a, and illuminates the one surface 40a and the other surface 40b of the susceptor 40 and heats the inside of the processing chamber 14. For example, a halogen lamp is employed as the lamp 50.

以下、図２〜図４を参照して、ランプ５０について説明する。図２は、シャフト４１の中心軸を中心に複数のランプ５０を見た平面図である。図３は、リフレクターの断面図である。また、図４は、図２の断面図である。 Hereinafter, the lamp 50 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a plan view of a plurality of lamps 50 with the central axis of the shaft 41 as the center. FIG. 3 is a cross-sectional view of the reflector. FIG. 4 is a cross-sectional view of FIG.

図２に示されるように、複数のランプ５０は複数の円配列５１〜５３を構成している。また、複数の円配列５１〜５３はサセプタ４０の中心軸を中心に同心円状に配置されている。本実施形態では、各ランプ５０が並べられて３つの円配列５１〜５３が設けられている。そして、サセプタ４０の中心軸側で隣り合う２つの円配列５１、５２の間隔よりも、サセプタ４０の外周側で隣り合う２つの円配列５２、５３の間隔が密になっている。言い換えると、サセプタ４０の外周側で隣り合う２つの円配列５２、５３の間隔よりも、サセプタ４０の中心軸側で隣り合う２つの円配列５１、５２の間隔が疎になっている。「間隔が密もしくは疎」というのは、サセプタ４０の径方向に隣り合うランプ５０の距離の長さを示している。各ランプ５０として、それぞれ２ｋＷのものが採用される。 As shown in FIG. 2, the plurality of lamps 50 constitute a plurality of circular arrays 51 to 53. The plurality of circular arrays 51 to 53 are arranged concentrically around the central axis of the susceptor 40. In the present embodiment, the respective lamps 50 are arranged to provide three circular arrays 51 to 53. And the space | interval of the two circular arrangement | sequences 52 and 53 adjacent on the outer peripheral side of the susceptor 40 is closer than the space | interval of the two circular arrangement | sequences 51 and 52 adjacent on the center axis side of the susceptor 40. In other words, the interval between the two circular arrays 51 and 52 adjacent on the central axis side of the susceptor 40 is sparser than the interval between the two circular arrays 52 and 53 adjacent on the outer peripheral side of the susceptor 40. “The interval is dense or sparse” indicates the length of the distance between the lamps 50 adjacent to each other in the radial direction of the susceptor 40. Each of the lamps 50 is 2 kW.

そして、２つの円配列５２、５３の間隔が密すなわちサセプタ４０の外周側の２つの円配列５２、５３を構成する各ランプ５０がサセプタ４０の径方向で互いに距離が近くなるように、内側の円配列５２を構成するランプ５０の間に外側の円配列５３を構成するランプ５０が段違いに配置されている。これにより、サセプタ４０の外周側の円配列５２、５３が密になるように配置される。すなわち、外周側の面積あたりの配列密度が、段違いがない場合に比べて密になる。 Then, the interval between the two circular arrays 52 and 53 is close, that is, the lamps 50 constituting the two circular arrays 52 and 53 on the outer peripheral side of the susceptor 40 are arranged so that the distance between them is close to each other in the radial direction of the susceptor 40. The lamps 50 constituting the outer circular arrangement 53 are arranged in a step difference between the lamps 50 constituting the circular arrangement 52. Accordingly, the circular arrays 52 and 53 on the outer peripheral side of the susceptor 40 are arranged so as to be dense. That is, the arrangement density per area on the outer peripheral side becomes dense compared to the case where there is no difference.

また、各円配列５１〜５３の間には、環状のリフレクター７０が配置されている。該リフレクター７０はランプ５０の光を反射させて処理室１４側に導く反射面７１を有している。そして、図３に示されるように、リフレクター７０は筒状すなわちダクト構造になっており、内部に水路７２が設けられている。この水路７２には図２に示される流水機構７３から冷却水が流し込まれるようになっており、冷却水が水路７２を通過することで反射面７１が冷却されるようになっている。なお、図２では、サセプタ４０の外周側のリフレクター７０にのみ流水機構７３が設けられた図が描かれているが、実際には全てのリフレクター７０に流水機構７３が接続されている。 An annular reflector 70 is disposed between the circular arrays 51 to 53. The reflector 70 has a reflecting surface 71 that reflects the light from the lamp 50 and guides it to the processing chamber 14 side. As shown in FIG. 3, the reflector 70 has a cylindrical shape, that is, a duct structure, and a water channel 72 is provided therein. Cooling water is poured into the water channel 72 from the water flow mechanism 73 shown in FIG. 2, and the reflecting surface 71 is cooled by the cooling water passing through the water channel 72. In FIG. 2, a drawing in which the water flow mechanism 73 is provided only on the reflector 70 on the outer peripheral side of the susceptor 40 is illustrated, but in reality, the water flow mechanism 73 is connected to all the reflectors 70.

反射面７１は、図４に示されるように、ランプ５０の光が処理室１４にロスなく導かれる角度に傾けられている。この反射面７１の面粗度は２０μｍ以下になっている。そして、該反射面７１にニッケルで形成された金属層７４が形成され、該ニッケルで形成された金属層７４の上に金で形成された金属層７５が形成されている。このように、面粗度が２０μｍ以下の反射面に金属層７４、７５を形成するのは、でこぼこの反射面７１の表面が承継された金属層７４、７５が形成されてしまうと最上層の金属層７５で光が乱反射してしまい、効率良くランプ５０の光を処理室１４側に導けなくなるからである。 As shown in FIG. 4, the reflecting surface 71 is inclined at an angle at which the light from the lamp 50 is guided to the processing chamber 14 without loss. The surface roughness of the reflecting surface 71 is 20 μm or less. A metal layer 74 made of nickel is formed on the reflecting surface 71, and a metal layer 75 made of gold is formed on the metal layer 74 made of nickel. As described above, the metal layers 74 and 75 are formed on the reflecting surface having a surface roughness of 20 μm or less. If the metal layers 74 and 75 are formed by inheriting the surface of the bumpy reflecting surface 71, the uppermost layer is formed. This is because light is irregularly reflected by the metal layer 75 and light from the lamp 50 cannot be efficiently guided to the processing chamber 14 side.

このようなリフレクター７０が設けられていることで、処理室１４に照射される光の集光密度のバラツキを小さくし、ランプパワーのばらつきを低減させつつ均一な加熱をもたらすことができる。また、本実施形態では、リフレクター７０は該リフレクター７０の反射面７１を直接水冷できる水路７２を備えた構造になっているため、金で形成された金属層７５を冷やすことができ、該金属層７５の寿命も向上する。 By providing such a reflector 70, it is possible to reduce the variation in the light collection density of the light irradiated to the processing chamber 14, and to achieve uniform heating while reducing the variation in lamp power. In the present embodiment, the reflector 70 has a structure including a water channel 72 that can directly cool the reflecting surface 71 of the reflector 70. Therefore, the metal layer 75 formed of gold can be cooled, and the metal layer The lifetime of 75 is also improved.

また、図４に示されるように、複数のランプ５０それぞれは、石英ドーム１１、１２から一定距離だけ離れて配置されている。リフレクター７０も、石英ドーム１１、１２から一定距離だけ離れて配置されている。これによると、各ランプ５０から石英ドーム１１、１２に向かう主な光は、石英ドーム１１、１２に対して同じ角度で入射する。このため、石英ドーム１１、１２の特定な場所で光の反射によるロスに偏りが生じない。さらに、ランプ５０を同一平面内に配置した場合よりもサセプタ４０の外周側のランプ５０と半導体ウエハ６０との距離が近くなるので、サセプタ４０の外周側に位置するランプ５０の光をロスなく処理室１４に入射できる。 Further, as shown in FIG. 4, each of the plurality of lamps 50 is arranged at a certain distance from the quartz domes 11 and 12. The reflector 70 is also arranged away from the quartz domes 11 and 12 by a certain distance. According to this, main light traveling from each lamp 50 toward the quartz domes 11 and 12 is incident on the quartz domes 11 and 12 at the same angle. For this reason, there is no bias in loss due to light reflection at specific locations of the quartz domes 11 and 12. Furthermore, since the distance between the lamp 50 on the outer peripheral side of the susceptor 40 and the semiconductor wafer 60 is closer than when the lamp 50 is arranged in the same plane, the light of the lamp 50 positioned on the outer peripheral side of the susceptor 40 is processed without loss. The light can enter the chamber 14.

そして、各ランプ５０によって形成された各円配列５１〜５３および環状のリフレクター７０は、図２および図４に示されるように、サセプタ４０の中心軸を中心にサセプタ４０の外周側に向かって円配列５１〜５３とリフレクター７０とが交互に繰り返し配置されている。上述のように、各円配列５１〜５３は、１、２列目の円配列５１、５２が疎、２、３列目の円配列５２、５３が密に配置されている。このため、本実施形態では、１、２列目の円配列５１、５２の間にリフレクター７０が配置され、３列目の円配列５３の外側にリフレクター７０が配置されている。すなわち、２、３列目の円配列５２、５３がリフレクター７０に挟まれた配置になっている。 The circular arrays 51 to 53 and the annular reflector 70 formed by the lamps 50 are circularly directed toward the outer peripheral side of the susceptor 40 around the central axis of the susceptor 40 as shown in FIGS. 2 and 4. The arrays 51 to 53 and the reflectors 70 are alternately and repeatedly arranged. As described above, in each of the circular arrays 51 to 53, the circular arrays 51 and 52 in the first and second columns are sparse, and the circular arrays 52 and 53 in the second and third columns are densely arranged. For this reason, in this embodiment, the reflector 70 is arrange | positioned between the circular arrangement | sequences 51 and 52 of the 1st, 2nd row, and the reflector 70 is arrange | positioned outside the circular arrangement | sequence 53 of the 3rd row. That is, the circular arrangements 52 and 53 in the second and third rows are arranged between the reflectors 70.

２、３列目の円配列５２、５３がリフレクター７０に挟まれている配置も、リフレクター７０と円配列５２、５３とが交互に繰り返し配置された一つの形態である。本実施形態では、サセプタ４０の外周側の２、３列目の円配列５２、５３は密に、つまり段違いに配置されているため、該２、３列目の円配列５２、５３の間にリフレクター７０を無理に配置する必要がない。 The arrangement in which the second and third rows of circular arrays 52 and 53 are sandwiched between the reflectors 70 is also one form in which the reflectors 70 and the circular arrays 52 and 53 are alternately and repeatedly arranged. In the present embodiment, since the second and third rows of circular arrays 52 and 53 on the outer peripheral side of the susceptor 40 are densely arranged, that is, in a different step, There is no need to forcibly arrange the reflector 70.

このように、各円配列５１〜５３とリフレクター７０とが交互に配置されると、各円配列５１〜５３の粗密の配置によって処理室１４を均一が加熱されることに加え、リフレクター７０によってランプ５０の光がロスなく処理室１４に照射されるため、サセプタ４０の一面４０ａの面方向における光の強度のバラツキが低減され、処理室１４内がさらに均一に加熱される。 As described above, when the circular arrays 51 to 53 and the reflectors 70 are alternately arranged, the processing chamber 14 is uniformly heated by the coarse and dense arrangement of the circular arrays 51 to 53, and the reflector 70 supplies a lamp. Since 50 light is irradiated to the processing chamber 14 without loss, variation in light intensity in the surface direction of the one surface 40a of the susceptor 40 is reduced, and the inside of the processing chamber 14 is heated more uniformly.

さらに、本実施形態では、図４に示されるように、サセプタ４０の一面４０ａ側であって、サセプタ４０の中心軸上にブロワ８０が配置されている。このブロワ８０は各ランプ５０よりも石英ドーム１１から離れた場所に配置されおり、ブロワ８０から石英ドーム１１側に送風されるようになっている。風は、各ランプ５０と石英ドーム１１の外壁との間を石英ドーム１１、１２の外径側に流れる。これにより、石英ドーム１１が空冷され、石英ドーム１１において局所的に温度が高くなることを防止し、処理室１４内が均一に加熱される。 Furthermore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, a blower 80 is disposed on the center surface of the susceptor 40 on the one surface 40 a side of the susceptor 40. The blower 80 is disposed at a location farther from the quartz dome 11 than the lamps 50, and blows air from the blower 80 toward the quartz dome 11. The wind flows between each lamp 50 and the outer wall of the quartz dome 11 toward the outer diameter side of the quartz dome 11, 12. As a result, the quartz dome 11 is air-cooled to prevent the temperature from being locally increased in the quartz dome 11 and the inside of the processing chamber 14 is uniformly heated.

なお、図２および図４に示されるランプ５０やリフレクター７０の配置は、サセプタ４０の一面４０ａ側および他面４０ｂ側の両方共に同じである。もちろん、サセプタ４０の他面４０ｂ側にも図示しないブロワが設けられている。 The arrangement of the lamp 50 and the reflector 70 shown in FIGS. 2 and 4 is the same on both the one surface 40a side and the other surface 40b side of the susceptor 40. Of course, a blower (not shown) is also provided on the other surface 40 b side of the susceptor 40.

以上が、本実施形態に係る半導体製造装置の全体構成である。この半導体製造装置において、回転機構４２の回転速度、側面加圧ポンプ３０の制御、処理室１４への成膜ガスの注入、冷却チャンバ２１、２２の冷却水の制御、流入ガスの流量制御等は、図示しない制御装置により行われる。 The above is the overall configuration of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present embodiment. In this semiconductor manufacturing apparatus, the rotational speed of the rotation mechanism 42, the control of the side pressure pump 30, the injection of the film forming gas into the processing chamber 14, the control of the cooling water in the cooling chambers 21 and 22, the flow control of the inflowing gas This is performed by a control device (not shown).

次に、上記装置を用いて半導体ウエハ６０に熱処理を行う工程について説明する。まず、装置のメンテが終わった後、Ｏリング１３を介して石英ドーム１１、１２のフランジ部１１ｂ、１２ｂに冷却チャンバ２１、２２をはめ込み、ネジ２３、２４を介して冷却チャンバ２１、２２を締め付ける。そして、一方の冷却チャンバ２１を他方の冷却チャンバ２２に固定して処理室１４を形成する。 Next, a process of performing a heat treatment on the semiconductor wafer 60 using the above apparatus will be described. First, after the maintenance of the apparatus is completed, the cooling chambers 21 and 22 are fitted into the flange portions 11 b and 12 b of the quartz domes 11 and 12 through the O-ring 13, and the cooling chambers 21 and 22 are tightened through the screws 23 and 24. . Then, the processing chamber 14 is formed by fixing one cooling chamber 21 to the other cooling chamber 22.

続いて、側面加圧ポンプ３０により、石英ドーム１１、１２に側面加圧を行う。また、図示しない真空ポンプにより、処理室１４を真空にする。その後、Ｈ_２により所定の圧力（減圧）とする。この状態で、図示しないトランスファーチャンバ（準備室）から半導体ウエハ６０を搬送し、サセプタ４０の一面４０ａに半導体ウエハ６０を配置する。半導体ウエハ６０に膜を成長させるための成膜ガスを冷却チャンバ２１、２２の導入通路２５を介して処理室１４に導入し、複数のランプ５０によって処理室１４を加熱する。これにより、半導体ウエハ６０に加熱処理を施す。 Subsequently, side pressure is applied to the quartz domes 11 and 12 by the side pressure pump 30. Further, the processing chamber 14 is evacuated by a vacuum pump (not shown). Thereafter, a predetermined pressure (reduced pressure) is set with H ₂ . In this state, the semiconductor wafer 60 is transferred from a transfer chamber (preparation room) (not shown), and the semiconductor wafer 60 is disposed on the one surface 40 a of the susceptor 40. A film forming gas for growing a film on the semiconductor wafer 60 is introduced into the processing chamber 14 through the introduction passage 25 of the cooling chambers 21 and 22, and the processing chamber 14 is heated by a plurality of lamps 50. Thereby, the semiconductor wafer 60 is subjected to heat treatment.

その後、成膜ガスを止め、半導体ウエハ６０をトランスファーチャンバ（準備室）に戻し、新しい半導体ウエハ６０を搬送し半導体ウエハ６０に膜を成長する作業を繰り返す。所定枚半導体ウエハ６０に膜を成長させた後、メンテのため処理室１４を大気圧まで不活性ガスで満たす。このようにして、半導体ウエハ６０に熱処理を行う。 Thereafter, the film forming gas is stopped, the semiconductor wafer 60 is returned to the transfer chamber (preparation room), a new semiconductor wafer 60 is transferred, and the film is grown on the semiconductor wafer 60 is repeated. After a film is grown on a predetermined number of semiconductor wafers 60, the processing chamber 14 is filled with an inert gas to atmospheric pressure for maintenance. In this way, the semiconductor wafer 60 is heat treated.

以上説明したように、本実施形態では、サセプタ４０の中心軸側に位置する１、２列目の円配列５１、５２の間隔よりも、サセプタ４０の外周側に位置する２、３列目の円配列５２、５３の間隔が密になっていることが特徴となっている。これにより、冷却チャンバ２１、２２によって冷やされるサセプタ４０の外周側に位置するランプ５０の一つ当たりの光の強度を小さくすることが可能となる。したがって、サセプタ４０の外周側に配置されるランプ５０の寿命が短くならないようにすることができる。また、ランプ５０の光を処理室１４側に導くリフレクター７０を併用することで、サセプタ４０の一面４０ａの面内における温度のバラツキを抑え、均一に加熱することができる。 As described above, in the present embodiment, the second and third rows located on the outer peripheral side of the susceptor 40 rather than the interval between the first and second rows of circular arrays 51 and 52 located on the central axis side of the susceptor 40. The feature is that the intervals between the circular arrays 52 and 53 are close. This makes it possible to reduce the intensity of light per lamp 50 positioned on the outer peripheral side of the susceptor 40 cooled by the cooling chambers 21 and 22. Therefore, it is possible to prevent the life of the lamp 50 arranged on the outer peripheral side of the susceptor 40 from being shortened. Further, by using the reflector 70 that guides the light from the lamp 50 to the processing chamber 14 side, temperature variation in the surface 40a of the susceptor 40 can be suppressed and uniform heating can be performed.

（他の実施形態）
上記実施形態では、３列の円配列５１〜５３について説明したが、列の数は一例を示すものであって、さらに多くの円配列を設けても構わない。 (Other embodiments)
In the above embodiment, the three rows of circular arrays 51 to 53 have been described. However, the number of rows is an example, and more circular arrays may be provided.

また、リフレクター７０の断面構造は図３に示されるものに限定されず、他の断面構造であっても構わない。すなわち、反射面７１がランプ５０の光を処理室１４側に導けるように傾斜しており、内部に冷却水が流れる水路７２が設けられていれば良い。 Further, the cross-sectional structure of the reflector 70 is not limited to that shown in FIG. 3, and other cross-sectional structures may be used. That is, the reflecting surface 71 is inclined so that the light of the lamp 50 can be guided to the processing chamber 14 side, and a water channel 72 through which cooling water flows is provided.

さらに、石英ドーム１１、１２の形状は、図１に示されるものではなく、他の形状のものでも構わない。例えば、箱形の石英ドームを用いても良い。この場合でも、上記のようにランプ５０を配置すれば良い。 Furthermore, the shapes of the quartz domes 11 and 12 are not shown in FIG. 1 and may be other shapes. For example, a box-shaped quartz dome may be used. Even in this case, the lamp 50 may be arranged as described above.

本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the semiconductor manufacturing apparatus concerning one Embodiment of this invention. シャフトの中心軸を中心に複数のランプを見た平面図である。It is the top view which looked at the some lamp centering on the central axis of a shaft. リフレクターの断面図である。It is sectional drawing of a reflector. 図２の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of FIG. 2.

Explanation of symbols

１１、１２石英ドーム
１１ｂ、１２ｂフランジ部
１４処理室
２１、２２冷却チャンバ
４０サセプタ
４０ａサセプタの一面
５０ランプ
５１〜５３円配列
６０半導体ウエハ
７０リフレクター
７１反射面
７４ニッケルで形成された金属層
７５金で形成された金属層 11, 12 Quartz dome 11b, 12b Flange portion 14 Processing chamber 21, 22 Cooling chamber 40 Susceptor 40a One side of susceptor 50 Lamp 51-53 Circular arrangement 60 Semiconductor wafer 70 Reflector 71 Reflecting surface 74 Metal layer formed of nickel 75 Gold Formed metal layer

Claims

A processing chamber (14) for heat-treating the semiconductor wafer (60);
A susceptor (40) disposed in the processing chamber (14) and having a surface (40a) on which the semiconductor wafer (60) is disposed, and rotating about a central axis perpendicular to the surface (40a). When,
A quartz dome (11, 12) arranged to form part of the boundary of the processing chamber (14);
Cooling chambers (21, 22) for restraining ends (11b, 12b) of the quartz dome (11, 12);
Disposed outside the processing chamber (14), it has a plurality of lamps serving as a heat source (50),
The plurality of lamps (50) constitute at least a plurality of circular arrays (51-53), and the plurality of circular arrays (51-53) are arranged concentrically around the central axis of the susceptor (40). And the interval between the adjacent circular arrays (52, 53) on the outer peripheral side of the susceptor (40) is smaller than the interval between the adjacent circular arrays (51, 52) on the central axis side of the susceptor (40). A semiconductor manufacturing apparatus,
It is annular and has a reflective surface (71) that reflects the light of the lamp (50), is disposed between the circular arrays (51 to 53), and is reflected by the reflective surface (71). A reflector (70) for guiding the light of the lamp (50) to the processing chamber (14) side,
The reflection surface (71) has a surface roughness of 20 μm or less, and a metal layer (74) made of nickel is formed on the reflection surface (71), and the metal layer (74 made of nickel) ), A metal layer (75) made of gold is formed, and the light of the lamp (50) is reflected on the metal layer (75) made of gold,
The circular arrangement (51 to 53) and the reflector (70) are alternately and repeatedly arranged toward the outer peripheral side of the susceptor (40) around the central axis of the susceptor (40), and the susceptor (40 ), A plurality of circular arrays (52, 53) are arranged between the reflectors (70) .

The lamps (50) constituting the circular arrangement (52, 53) adjacent on the outer peripheral side of the susceptor (40) are arranged between the outer circular arrangement (53) between the lamps (50) constituting the inner circular arrangement (52). The lamps (50) constituting the susceptor (40) are arranged in steps, so that the intervals between the adjacent circular arrays (52, 53) on the outer peripheral side of the susceptor (40) are close. The semiconductor manufacturing apparatus described in 1.

A processing chamber (14) for heat-treating the semiconductor wafer (60);
A susceptor (40) disposed in the processing chamber (14) and having a surface (40a) on which the semiconductor wafer (60) is disposed, and rotating about a central axis perpendicular to the surface (40a). When,
A quartz dome (11, 12) arranged to form part of the boundary of the processing chamber (14);
Cooling chambers (21, 22) for restraining ends (11b, 12b) of the quartz dome (11, 12);
A plurality of lamps (50) disposed outside the processing chamber (14) and serving as a heating source;
The plurality of lamps (50) constitute at least a plurality of circular arrays (51-53), and the plurality of circular arrays (51-53) are arranged concentrically around the central axis of the susceptor (40). And the interval between the adjacent circular arrays (52, 53) on the outer peripheral side of the susceptor (40) is smaller than the interval between the adjacent circular arrays (51, 52) on the central axis side of the susceptor (40). A semiconductor manufacturing apparatus,
It is annular and has a reflective surface (71) that reflects the light of the lamp (50), is disposed between the circular arrays (51 to 53), and is reflected by the reflective surface (71). A reflector (70) for guiding the light of the lamp (50) to the processing chamber (14) side,
The lamps (50) constituting the circular arrangement (52, 53) adjacent on the outer peripheral side of the susceptor (40) are arranged between the outer circular arrangement (53) between the lamps (50) constituting the inner circular arrangement (52). ) Are arranged in steps, so that the intervals between adjacent circular arrays (52, 53) on the outer peripheral side of the susceptor (40) are close ,
The circular arrangement (51 to 53) and the reflector (70) are alternately and repeatedly arranged toward the outer peripheral side of the susceptor (40) around the central axis of the susceptor (40), and the susceptor (40 ) in the outer peripheral side of the semi conductor manufacturing device you wherein a plurality of circular arrays (52, 53) is arranged between the reflector (70).

4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of lamps (50) is arranged at a predetermined distance from the quartz dome (11, 12).

A processing chamber (14) for heat-treating the semiconductor wafer (60);
A susceptor (40) disposed in the processing chamber (14) and having a surface (40a) on which the semiconductor wafer (60) is disposed, and rotating about a central axis perpendicular to the surface (40a). When,
A quartz dome (11, 12) arranged to form part of the boundary of the processing chamber (14);
Cooling chambers (21, 22) for restraining ends (11b, 12b) of the quartz dome (11, 12);
A plurality of lamps (50) disposed outside the processing chamber (14) and serving as a heating source;
The plurality of lamps (50) constitute at least a plurality of circular arrays (51-53), and the plurality of circular arrays (51-53) are arranged concentrically around the central axis of the susceptor (40). And the interval between the adjacent circular arrays (52, 53) on the outer peripheral side of the susceptor (40) is smaller than the interval between the adjacent circular arrays (51, 52) on the central axis side of the susceptor (40). A semiconductor manufacturing apparatus,
It is annular and has a reflective surface (71) that reflects the light of the lamp (50), is disposed between the circular arrays (51 to 53), and is reflected by the reflective surface (71). A reflector (70) for guiding the light of the lamp (50) to the processing chamber (14) side,
Each of the plurality of lamps (50) is arranged at a certain distance from the quartz dome (11, 12),
The circular arrangement (51 to 53) and the reflector (70) are alternately and repeatedly arranged toward the outer peripheral side of the susceptor (40) around the central axis of the susceptor (40), and the susceptor (40 ) in the outer peripheral side of the semi conductor manufacturing device you wherein a plurality of circular arrays (52, 53) is arranged between the reflector (70).

The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the reflector (70) has a cylindrical shape, and cooling water flows therein.