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JP5182011B2 - Semiconductor device and test method of semiconductor device - Google Patents
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Description

半導体装置及び半導体装置の試験方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor device and a semiconductor device test method.

近年、電子機器は、環境問題の点から低消費電力化を要求されている。また、電子機器のうち、携帯型の電子機器では、携帯時における使用においてバッテリなどにより電源電圧が供給されるため、携帯型の電子機器の動作時間は消費電力に依存する。このため、携帯型の電子機器では、特に、低消費電力化を要求されている。これに伴い、電子機器に搭載される半導体装置(LSI)も同様に低消費電力化を要求されている。   In recent years, electronic devices are required to reduce power consumption from the viewpoint of environmental problems. Among portable electronic devices, a portable electronic device is supplied with a power supply voltage by a battery or the like during use, and the operation time of the portable electronic device depends on power consumption. For this reason, especially in portable electronic devices, low power consumption is required. Along with this, semiconductor devices (LSIs) mounted on electronic devices are also required to reduce power consumption.

このような状況化で、近年、半導体の微細化技術や動作電圧の低電圧化が進むにつれて、回路全体の消費電流に占めるリーク電流の割合が大きくなってきている。従来、リーク電流を低減する技術として、パワーゲーティング(Power Gating)が知られている。   Under these circumstances, the ratio of leakage current to the current consumption of the entire circuit has been increasing as semiconductor miniaturization technology and operating voltage have been lowered in recent years. Conventionally, power gating is known as a technique for reducing leakage current.

パワーゲーティングとは、アクティブモード時には機能ブロックへ電源電圧を供給し、スタンバイモード時には機能ブロックへの電源電圧の供給を停止する技術をいう。
詳述すると、LSIは、異なる機能を持つ複数の機能ブロックに分けられている。LSIは、複数の機能ブロックのうち、パワーゲーティングの対象となる機能ブロックに対して、該機能ブロックと、電源電圧を供給する電源との間に電源遮断回路を設けている。電源遮断回路は、アクティブモード時には、パワーゲーティングの対象となる機能ブロックと、電源とを接続し、該機能ブロックへ電源電圧を供給する。反対に、電源遮断回路は、スタンバイモード時には、パワーゲーティングの対象となる機能ブロックと、電源とを遮断し、該機能ブロックへの電源電圧の供給を停止する。
Power gating is a technique for supplying a power supply voltage to a functional block in the active mode and stopping the supply of the power supply voltage to the functional block in the standby mode.
More specifically, the LSI is divided into a plurality of functional blocks having different functions. In the LSI, for a functional block that is a target of power gating among a plurality of functional blocks, a power cutoff circuit is provided between the functional block and a power source that supplies a power source voltage. In the active mode, the power cut-off circuit connects a functional block that is a target of power gating and a power supply, and supplies a power supply voltage to the functional block. On the contrary, in the standby mode, the power cutoff circuit shuts off the function block that is the target of power gating and the power supply, and stops the supply of the power supply voltage to the function block.

即ち、LSIは、スタンバイ状態において、パワーゲーティングの対象となる機能ブロックのリーク電流を低減することができるため、低消費電力化することができる。
ところで、パワーゲーティングを行う電源遮断回路の試験(以下、電源遮断試験という)としては、以下に説明する試験が知られている(例えば、特許文献1参照)。
That is, the LSI can reduce the leakage current of the functional block that is the target of power gating in the standby state, and thus can reduce power consumption.
By the way, a test described below is known as a test of a power shut-off circuit that performs power gating (hereinafter referred to as a power shut-off test) (see, for example, Patent Document 1).

電源遮断試験が行われるLSIは、機能ブロック用スキャンチェーンと電源遮断用スキャンチェーンを備えている。ここで、スキャンチェーンとは、LSIに形成されるフリップフロップ回路の故障の有無を試験するために、該フリップフロップ回路が直列に接続されたものをいう。   An LSI for which a power shut-off test is performed includes a functional block scan chain and a power shut-off scan chain. Here, the scan chain is a chain in which flip-flop circuits are connected in series in order to test whether or not a flip-flop circuit formed in an LSI is faulty.

そして、スキャンチェーンは、電源遮断試験において、テストパターンとクロックが入力される。次に、スキャンチェーンは、入力されたテストパターンをクロックと同期して順次、同スキャンチェーンから読み出し、該読み出したデータと、該入力されたテストパターンと同じテストパターンとを比較する。続いて、比較した結果において不一致のデータが見つかれば、その不一致のデータに基づいて故障しているフリップフロップ回路を特定するものである。   Then, a test pattern and a clock are input to the scan chain in the power interruption test. Next, the scan chain sequentially reads the input test pattern from the scan chain in synchronization with the clock, and compares the read data with the same test pattern as the input test pattern. Subsequently, if inconsistent data is found in the comparison result, a faulty flip-flop circuit is specified based on the inconsistent data.

機能ブロック用スキャンチェーンは、機能ブロック内に形成されたフリップフロップ回路を直列に接続し、該フリップフロップ回路の故障の有無を試験するものである。電源遮断用スキャンチェーンは、機能ブロックへの電源電圧の供給・停止を制御するフリップフロップ回路を直列に接続し、該フリップフロップ回路の故障の有無を試験するものである。   The functional block scan chain connects flip-flop circuits formed in the functional block in series and tests whether or not the flip-flop circuit is faulty. The power shut-off scan chain connects flip-flop circuits that control supply / stop of the power supply voltage to the functional block in series and tests whether or not the flip-flop circuit is faulty.

LSIが機能ブロック用スキャンチェーンと、電源遮断用スキャンチェーンとを別々に構成したため、機能ブロック用スキャンチェーンの試験のとき、電源遮断用スキャンチェーンを構成するフリップフロップ回路は、機能ブロックへの電源電圧の供給・停止の設定を保持することができる。つまり、機能ブロック用スキャンチェーンへの電源電圧の供給が停止されているとき、電源遮断用スキャンチェーンには電源電圧が供給されているため、機能ブロックの電源電圧の供給・停止の設定を保持している。   Since the LSI configured the functional block scan chain and the power shut-off scan chain separately, when testing the functional block scan chain, the flip-flop circuit constituting the power shut-off scan chain uses the power supply voltage to the functional block. It is possible to maintain the supply / stop settings. In other words, when the supply of power supply voltage to the function block scan chain is stopped, the power supply voltage is supplied to the power cutoff scan chain, so the setting of supply / stop of the power supply voltage of the function block is retained. ing.

従って、電源遮断用スキャンチェーンは、機能ブロックの電源電圧の供給・停止の設定を行うためのテストパターンを入力する。そして、電源遮断用スキャンチェーンは、入力した機能ブロックの電源電圧の供給・停止を行うためのテストパターンに基づいて機能ブロックの電源電圧を制御する。このとき、テスタ装置は、各時間における機能ブロックの電源電圧を測定する。そして、テスタ装置は、電源遮断用スキャンチェーンに入力したテストパターンに基づいた機能ブロックの電源電圧と、測定した機能ブロックの電源電圧とを比較して一致するか判定する。   Therefore, the power shut-off scan chain inputs a test pattern for setting power supply voltage supply / stop of the functional block. The power shut-off scan chain controls the power supply voltage of the functional block based on the input test pattern for supplying / stopping the power supply voltage of the functional block. At this time, the tester device measures the power supply voltage of the functional block at each time. Then, the tester device compares the power supply voltage of the functional block based on the test pattern input to the power shut-off scan chain with the measured power supply voltage of the functional block to determine whether they match.

つまり、電源遮断用スキャンチェーンに入力したテストパターンに基づいた機能ブロックの電源電圧と、測定した機能ブロックの電源電圧とを比較して一致する場合、テスタ装置は、電源遮断回路が正常に電源と機能ブロックとを遮断できたとしてPassと判定する。反対に、電源遮断用スキャンチェーンに入力したテストパターンに基づいた機能ブロックの電源電圧と、測定した機能ブロックの電源電圧とを比較して一致しない場合、テスタ装置は、電源遮断回路が正常に電源と機能ブロックとを遮断できなかったとしてFailと判定する。
特開2006−170663号公報
In other words, if the power supply voltage of the functional block based on the test pattern input to the power supply shut-off scan chain matches the measured power supply voltage of the functional block, the tester device confirms that the power supply cutoff circuit is properly connected to the power supply. Pass is determined as being able to block the functional block. On the other hand, if the power supply voltage of the functional block based on the test pattern input to the power-off scan chain and the measured power supply voltage of the functional block do not match, the tester device has And it is determined as Fail because the function block cannot be blocked.
JP 2006-170663 A

しかしながら、上記の電源遮断試験では、電源遮断用スキャンチェーンを用いているため、テストパターンの生成に多くの工数が増大してしまう。また、電源遮断用スキャンチェーン分面積が大きくなってしまう。   However, since the power shut-off test uses a power shut-off scan chain, a lot of man-hours are required for generating a test pattern. In addition, the area for the power-supply cutoff scan chain is increased.

この半導体装置及び半導体装置の試験方法は、回路面積を小さくしつつ、容易に電源遮断試験をすることを目的とする。   An object of the semiconductor device and the semiconductor device testing method is to easily perform a power-off test while reducing a circuit area.

この半導体装置は、直列接続された複数のフリップフロップ回路を含むスキャンチェーンを有する機能ブロックと、前記機能ブロックと電源配線との間に設けられ、前記機能ブロックへの電源電圧の供給を制御する電源遮断回路と、前記機能ブロックが有する前記スキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧とが入力され、前記スキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧とを比較して、比較結果を出力する試験回路とを有し、テストモードにおいて、前記電源遮断回路は、前記スキャンチェーンの出力信号が高電位の論理状態のときに、前記機能ブロックへの前記電源電圧の供給を遮断するようにした。 The semiconductor device is provided between the that function block having a scan chain including a plurality of flip-flop circuits connected in series, the pre-Symbol function block and the power supply wiring, the power supply voltage to the functional block A power cutoff circuit for controlling supply , an output signal of the scan chain included in the functional block, and the power supply voltage are input, the output signal of the scan chain is compared with the power supply voltage, and a comparison result is output. In the test mode, the power shutoff circuit shuts off the supply of the power supply voltage to the functional block when the output signal of the scan chain is in a high potential logic state .

この半導体装置によれば、試験回路が電源電圧と機能ブロックが有する既存のスキャンチェーンからの出力信号とを比較する。試験回路の比較結果に基づいて、テスタ装置は、電源遮断回路が電源電圧と機能ブロックとを遮断できているかどうかを判定する。 According to this semiconductor device, the test circuit compares the power supply voltage with the output signal from the existing scan chain of the functional block. Based on the comparison result of the test circuit, the tester device determines whether the power shutoff circuit is able to block the power supply voltage and the functional blocks.

開示された半導体装置及び半導体装置の試験方法は、回路面積を小さくしつつ、容易に電源遮断試験をすることができる。   The disclosed semiconductor device and semiconductor device testing method can easily perform a power-off test while reducing the circuit area.

以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1に従って説明する。
図1は、本実施形態の半導体装置(LSI)10の電気ブロック回路図である。
図1に示すように、LSI10は、第1及び第2機能ブロック11,12、電源制御部13、電源遮断回路14、試験専用回路15を備えている。なお、LSI10は、アクティブモード及びスタンバイモードに加え、テスタ装置(図示せず)にてLSI10の試験を行うためのテストモードを備えている。
A first embodiment embodying the present invention will be described below with reference to FIG.
FIG. 1 is an electric block circuit diagram of a semiconductor device (LSI) 10 of this embodiment.
As shown in FIG. 1, the LSI 10 includes first and second functional blocks 11 and 12, a power control unit 13, a power shut-off circuit 14, and a test dedicated circuit 15. The LSI 10 has a test mode for testing the LSI 10 using a tester device (not shown) in addition to the active mode and the standby mode.

そして、本実施形態では、第1機能ブロック11は、電源ラインL1,L2に接続され、LSI10がアクティブモード、スタンバイモード及びテストモードのどのモード時においても常に電源ラインL1からの電源電圧VINが供給されている。   In the present embodiment, the first functional block 11 is connected to the power supply lines L1 and L2, and the power supply voltage VIN is always supplied from the power supply line L1 when the LSI 10 is in any of the active mode, standby mode, and test mode. Has been.

また、第2機能ブロック12は、電源遮断回路14を介して電源ラインL1に接続され、電源ラインL1からの電源電圧VINが電源遮断回路14を介して供給される。そして、第2機能ブロック12は、パワーゲーティングするように構成されている。つまり、第2機能ブロック12は、LSI10がアクティブモード時には、電源遮断回路14を介して電源電圧VINに基づく制御電圧VIN2が供給される。反対に、第2機能ブロック12は、LSI10がスタンバイ時には、電源遮断回路14にて電源電圧VINに基づく制御電圧VIN2の供給が遮断される。   The second functional block 12 is connected to the power supply line L1 via the power supply cutoff circuit 14 and the power supply voltage VIN from the power supply line L1 is supplied via the power supply cutoff circuit 14. The second functional block 12 is configured to perform power gating. That is, the second functional block 12 is supplied with the control voltage VIN2 based on the power supply voltage VIN via the power supply cutoff circuit 14 when the LSI 10 is in the active mode. On the other hand, in the second functional block 12, the supply of the control voltage VIN2 based on the power supply voltage VIN is cut off by the power cut-off circuit 14 when the LSI 10 is on standby.

電源制御部13は、図示しないテスタ装置から電源遮断試験の開始を指令するためのHレベルの電源試験信号Seが入力される。電源制御部13は、この入力されたHレベルの電源試験信号Seに基づいて入力データDとクロックCLKを第2機能ブロック12に出力する。   The power control unit 13 receives an H level power test signal Se for instructing the start of a power shut-off test from a tester device (not shown). The power controller 13 outputs the input data D and the clock CLK to the second functional block 12 based on the input H level power test signal Se.

電源制御部13は、クロックCLKと同期してサイクル毎の入力データDを出力する。この入力データDは、電源制御部13において少なくとも1サイクル目のデータ(以下、先頭入力データという)がHレベルのデータとなるように生成されて第2機能ブロックに出力される。電源制御部13は、クロックCLKを予め定められた数(後述する第2機能ブロック12に備えたスキャンチェーン16のフリップフロップ回路FFの数)だけ出力すると、以後、クロックCLKを出力しないようになっている。   The power supply control unit 13 outputs input data D for each cycle in synchronization with the clock CLK. The input data D is generated in the power supply control unit 13 so that at least the data in the first cycle (hereinafter referred to as head input data) is H level data and is output to the second functional block. When the power supply control unit 13 outputs a predetermined number of clocks CLK (the number of flip-flop circuits FF of the scan chain 16 provided in the second function block 12 described later), the power supply control unit 13 does not output the clock CLK thereafter. ing.

また、電源制御部13は、このHレベルの電源試験信号Seに基づいて電源電圧VINを供給するためのHレベルの遮断制御信号PCTLを電源遮断回路14に出力する。そして、電源制御部13は、第2機能ブロック12にクロックCLKが予め定められた数(後述するフリップフロップ回路FFの数)だけ出力されると、Hレベルの遮断制御信号PCTLを消失して電源電圧VINの供給を停止するためのLレベルの遮断制御信号PCTLを電源遮断回路14に出力するようになっている。   The power supply control unit 13 outputs an H level cutoff control signal PCTL for supplying the power supply voltage VIN to the power cutoff circuit 14 based on the H level power supply test signal Se. Then, when a predetermined number of clocks CLK (the number of flip-flop circuits FF to be described later) are output to the second functional block 12, the power supply control unit 13 loses the H level cutoff control signal PCTL and supplies power. An L level cutoff control signal PCTL for stopping the supply of the voltage VIN is output to the power cutoff circuit 14.

電源遮断回路14は、複数の第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnが並列に接続されている。そして、各NチャネルMOSトランジスタT1〜Tnのソースは電源ラインL1とそれぞれ接続され、各NチャネルMOSトランジスタT1〜Tnのドレインは第2機能ブロック12に接続されている。また、各NチャネルMOSトランジスタT1〜Tnのゲートには、電源制御部13からの遮断制御信号PCTLが入力される。   In the power cutoff circuit 14, a plurality of first to nth N-channel MOS transistors T1 to Tn are connected in parallel. The sources of the N-channel MOS transistors T1 to Tn are connected to the power supply line L1, and the drains of the N-channel MOS transistors T1 to Tn are connected to the second functional block 12. Further, the cutoff control signal PCTL from the power supply control unit 13 is input to the gates of the N-channel MOS transistors T1 to Tn.

電源遮断回路14は、第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnを並列に接続してオン抵抗を小さくし、電源電圧VINの電圧降下を低減させている。
電源遮断回路14は、電源制御部13から遮断制御信号PCTLを入力し、入力した遮断制御信号PCTLに基づいて第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnをオンオフさせ、電源電圧VINと第2機能ブロック12とを接続または遮断する。
The power cutoff circuit 14 connects the first to nth N-channel MOS transistors T1 to Tn in parallel to reduce the on-resistance, thereby reducing the voltage drop of the power supply voltage VIN.
The power cutoff circuit 14 receives the cutoff control signal PCTL from the power supply control unit 13, turns on / off the first to nth N-channel MOS transistors T1 to Tn based on the inputted cutoff control signal PCTL, and supplies the power supply voltage VIN and the second function. Connect or disconnect with block 12.

つまり、電源遮断回路14は、Hレベルの遮断制御信号PCTLを入力すると、全てのNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnが一斉にオンし、電源ラインL1と第2機能ブロック12とを接続する。反対に、電源遮断回路14は、Lレベルの遮断制御信号PCTLを入力すると、全てのNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnが一斉にオフし、電源ラインL1と第2機能ブロック12とを遮断する。   That is, when the H level cutoff control signal PCTL is input, the power cutoff circuit 14 turns on all the N-channel MOS transistors T1 to Tn at the same time, and connects the power line L1 and the second functional block 12. On the other hand, when the L-level cutoff control signal PCTL is input, the power cutoff circuit 14 turns off all the N-channel MOS transistors T1 to Tn at the same time and shuts off the power supply line L1 and the second functional block 12.

即ち、電源遮断回路14は、電源ラインL1と第2機能ブロック12とを電気的に接続することにより、電源遮断回路14と第2機能ブロック12との接続点(第1ノードN1)から、電源電圧VINより同電源遮断回路14における電圧降下分低い制御電圧VIN2を、第2機能ブロック12に供給する。   That is, the power shutoff circuit 14 electrically connects the power supply line L1 and the second functional block 12 so that the power shutoff circuit 14 is connected to the power supply circuit from the connection point (first node N1) between the power shutoff circuit 14 and the second functional block 12. A control voltage VIN 2 that is lower than the voltage VIN by the voltage drop in the power supply cutoff circuit 14 is supplied to the second functional block 12.

反対に、電源遮断回路14は、電源ラインL1と第2機能ブロック12とを電気的に遮断することにより、第2機能ブロック12への制御電圧VIN2の供給を停止する。電源ラインL1と第2機能ブロック12とを電気的に遮断した場合、制御電圧VIN2は、フローティング電位となっており、配線や回路素子の寄生成分などによって次第に制御電圧VIN2がGNDレベルまで下がっていく。   On the other hand, the power shutoff circuit 14 stops the supply of the control voltage VIN2 to the second functional block 12 by electrically shutting off the power supply line L1 and the second functional block 12. When the power supply line L1 and the second functional block 12 are electrically cut off, the control voltage VIN2 is a floating potential, and the control voltage VIN2 gradually decreases to the GND level due to a parasitic component of the wiring or circuit element. .

第2機能ブロック12は、電源遮断回路14から電源電圧として制御電圧VIN2を供給されている。また、第2機能ブロック12は、スキャンチェーン16を備えている。スキャンチェーン16は複数のフリップフロップ回路FFが直列に接続されている。そして、電源制御部13からのクロックCLKは、フリップフロップ回路FFに入力される。また、クロックCLKと同期して電源制御部13から出力される入力データDは、まず、先頭フリップフロップ回路FFに入力され、クロックCLKに応答して、順次、後続のフリップフロップ回路FFにシフトされ、最後に、最終フリップフロップ回路FFからスキャンアウト信号Soとして試験専用回路15に出力される。   The second functional block 12 is supplied with a control voltage VIN2 as a power supply voltage from the power supply cutoff circuit. The second functional block 12 includes a scan chain 16. The scan chain 16 has a plurality of flip-flop circuits FF connected in series. The clock CLK from the power supply control unit 13 is input to the flip-flop circuit FF. The input data D output from the power supply control unit 13 in synchronization with the clock CLK is first input to the first flip-flop circuit FF, and sequentially shifted to the subsequent flip-flop circuit FF in response to the clock CLK. Finally, the final flip-flop circuit FF outputs the scan-out signal So to the test dedicated circuit 15.

即ち、図2に示すように、電源制御部13からスキャンチェーン16にHレベルの先頭入力データDがクロックCLKと同期して入力される。
そして、図2(d)に示すように、スキャンチェーン16を構成するフリップフロップ回路FFの数のクロックCLKを入力すると(時刻tkA)、スキャンチェーン16の最終フリップフロップ回路FFからHレベルの先頭入力データDがHレベルのスキャンアウト信号Soとして試験専用回路15に出力される。
That is, as shown in FIG. 2, H level head input data D is input from the power supply controller 13 to the scan chain 16 in synchronization with the clock CLK.
Then, as shown in FIG. 2D, when the number of clocks CLK of the number of flip-flop circuits FF constituting the scan chain 16 is input (time tkA), the H-level head input from the last flip-flop circuit FF of the scan chain 16 The data D is output to the test dedicated circuit 15 as the H level scan-out signal So.

そして、このHレベルのスキャンアウト信号Soが出力された後、すなわち、クロックCLKが予め定めた数だけ出力されたあと、図2(a)に示すように、時刻tkBが経過すると、電源制御部13から電源遮断回路14に出力されていたHレベルの遮断制御信号PCTLを消失しLレベルの遮断制御信号PCTLとなる。その結果、電源ラインL1と第2機能ブロック12とが電気的に遮断され、第1ノードN1の制御電圧VIN2は、フローティング電位となるが、配線や回路素子の寄生成分などによって次第にLレベルまで下がる。   Then, after the H-level scan-out signal So is output, that is, after a predetermined number of clocks CLK have been output, as shown in FIG. The H level cutoff control signal PCTL output from 13 to the power cutoff circuit 14 disappears and becomes the L level cutoff control signal PCTL. As a result, the power supply line L1 and the second functional block 12 are electrically disconnected, and the control voltage VIN2 of the first node N1 becomes a floating potential, but gradually decreases to the L level due to the wiring and parasitic components of the circuit elements. .

これに伴って、スキャンチェーン16の最終フリップフロップ回路FFから出力されていたHレベルのスキャンアウト信号Soは、制御電圧VIN2の消失とともにLレベルとなって試験専用回路15に出力されるようになっている。   As a result, the H-level scan-out signal So output from the final flip-flop circuit FF of the scan chain 16 becomes the L-level and is output to the test dedicated circuit 15 with the disappearance of the control voltage VIN2. ing.

試験専用回路15は、第1及び第2アンド回路21,22と比較回路31を備えている。第1アンド回路21は、電源ラインL1から電源電圧VINが入力される。また、第1アンド回路21は、テスタ装置から前記電源制御部13に出力されるHレベルの電源試験信号Seとともに出力されるテスタ装置からテストモード制御信号Stが入力される。   The test dedicated circuit 15 includes first and second AND circuits 21 and 22 and a comparison circuit 31. The first AND circuit 21 receives the power supply voltage VIN from the power supply line L1. The first AND circuit 21 receives the test mode control signal St from the tester device that is output together with the H-level power supply test signal Se that is output from the tester device to the power supply control unit 13.

なお、試験専用回路15は、テストモードのとき、テスタ装置からHレベルのテストモード制御信号Stを入力される。反対に、試験専用回路15は、アクティブモード及びスタンバイモードのとき、テスタ装置からLレベルのテストモード制御信号Stを出力する。   Note that the test-dedicated circuit 15 receives an H-level test mode control signal St from the tester device in the test mode. On the contrary, the test dedicated circuit 15 outputs an L level test mode control signal St from the tester device in the active mode and the standby mode.

第1アンド回路21は、入力した電源電圧VINとテストモード制御信号Stが共にHレベルのとき、Hレベルの第1論理信号Sr1を比較回路31のプラス入力端子に出力する。   The first AND circuit 21 outputs the first logic signal Sr1 at the H level to the plus input terminal of the comparison circuit 31 when both the input power supply voltage VIN and the test mode control signal St are at the H level.

一方、第2アンド回路22は、テスタ装置からテストモード制御信号Stと第2機能ブロック12のスキャンチェーン16からスキャンアウト信号Soが入力される。第2アンド回路22は、入力したテストモード制御信号Stとスキャンアウト信号SoがともにHレベルのとき、Hレベルの第2論理信号Sr2を比較回路31のプラス入力端子に出力する。   On the other hand, the second AND circuit 22 receives the test mode control signal St from the tester device and the scan-out signal So from the scan chain 16 of the second functional block 12. The second AND circuit 22 outputs the second logic signal Sr2 at the H level to the plus input terminal of the comparison circuit 31 when both the input test mode control signal St and the scan-out signal So are at the H level.

比較回路31は、プラス入力端子に第1論理信号Sr1を、マイナス入力端子に第2論理信号Sr2を入力する。比較回路31は、入力した第1論理信号Sr1と第2論理信号Sr2とを比較し、その結果に応じて試験結果信号Skをテスタ装置に出力する。なお、比較回路31は、プラス入力端子及びマイナス入力端子にオフセットが付いていて、プラス入力端子及びマイナス入力端子に同じ電圧が入力されると、マイナス入力端子に入力された第2論理信号Sr2がプラス入力端子に入力された第1論理信号Sr1より大きいと認識する。   The comparison circuit 31 inputs the first logic signal Sr1 to the plus input terminal and the second logic signal Sr2 to the minus input terminal. The comparison circuit 31 compares the input first logic signal Sr1 and the second logic signal Sr2, and outputs a test result signal Sk to the tester device according to the result. In the comparison circuit 31, when the positive input terminal and the negative input terminal are offset, and the same voltage is input to the positive input terminal and the negative input terminal, the second logic signal Sr2 input to the negative input terminal is It is recognized that it is larger than the first logic signal Sr1 input to the plus input terminal.

つまり、比較回路31は、第1論理信号Sr1が第2論理信号Sr2より大きいとき、電源電圧VINと第2機能ブロックとが遮断されているとして、Hレベルの試験結果信号Skを出力する。反対に、比較回路31は、第1論理信号Sr1が第2論理信号Sr2より小さいとき、電源電圧VINと第2機能ブロック12とが遮断されていないとして、Lレベルの試験結果信号Skを出力する。   That is, when the first logic signal Sr1 is greater than the second logic signal Sr2, the comparison circuit 31 outputs the H-level test result signal Sk assuming that the power supply voltage VIN and the second functional block are cut off. Conversely, when the first logic signal Sr1 is smaller than the second logic signal Sr2, the comparison circuit 31 outputs the L-level test result signal Sk on the assumption that the power supply voltage VIN and the second functional block 12 are not interrupted. .

従って、試験専用回路15が、図4(g)に示すように、時刻tkAからスキャンチェーン16及び試験専用回路15の回路による遅延後にHレベルの試験結果信号Skを出力し(時刻tkA2)、時刻tkBから電源遮断回路14、スキャンチェーン16及び試験専用回路15の回路による遅延後にLレベルの試験結果信号Skを出力したとき(時刻tkB2)、テスタ装置は、電源遮断試験についてPassと判定する、つまり、LSI10のパワーゲーティング(電源遮断回路14)が正常に動作したと判定する。   Therefore, as shown in FIG. 4G, the test dedicated circuit 15 outputs the H level test result signal Sk after the delay by the scan chain 16 and the test dedicated circuit 15 from time tkA (time tkA2). When an L level test result signal Sk is output from tkB after being delayed by the power cutoff circuit 14, the scan chain 16, and the test dedicated circuit 15 (time tkB2), the tester apparatus determines that the power cutoff test is Pass, that is, Then, it is determined that the power gating (power cutoff circuit 14) of the LSI 10 operates normally.

反対に、試験専用回路15が、時刻tkA2においてLレベルの試験結果信号Skを出力した時、又は、時刻tkB2においてHレベルの試験結果信号Skを出力したとき、テスタ装置は、電源遮断試験についてFailと判定する、つまり、LSI10のパワーゲーティング(電源遮断回路14)が正常に動作しなかったと判定する。   On the contrary, when the test dedicated circuit 15 outputs the L level test result signal Sk at the time tkA2 or when the test dedicated circuit 15 outputs the H level test result signal Sk at the time tkB2, the tester device performs the Fail test for the power shutoff test. That is, it is determined that the power gating (power cutoff circuit 14) of the LSI 10 did not operate normally.

以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)スキャンチェーン16のスキャンアウト信号SoがHレベルの状態において、電源遮断回路14は、電源電圧VINと第2機能ブロック12とを遮断する。そして、試験専用回路15が電源電圧VINとスキャンアウト信号Soとを比較し、テスタ装置は、電源遮断回路14が電源ラインL1と第2機能ブロック12とを遮断できているか判定している。このため、スキャンチェーン16にHレベルの入力データDを入力し、試験専用回路15が電源電圧VINとスキャンアウト信号Soとを比較するだけで容易に電源遮断試験を行うことができる。さらに、試験専用回路15を小規模の回路にて構成することができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) When the scan-out signal So of the scan chain 16 is at the H level, the power shutoff circuit 14 shuts off the power supply voltage VIN and the second functional block 12. Then, the test dedicated circuit 15 compares the power supply voltage VIN with the scan-out signal So, and the tester device determines whether the power supply cutoff circuit 14 can cut off the power supply line L1 and the second functional block 12. For this reason, the power cutoff test can be easily performed simply by inputting the input data D of H level to the scan chain 16 and the test-dedicated circuit 15 comparing the power supply voltage VIN with the scan-out signal So. Further, the test dedicated circuit 15 can be configured with a small-scale circuit.

(2)試験専用回路15は、比較回路31の前段に第1及び第2アンド回路21,22を備えている。第1アンド回路21は、テストモード制御信号Stと電源電圧VINが入力され、第2アンド回路22は、テストモード制御信号Stと制御電圧VIN2が入力されている。このため、比較回路31は、テストモードにおいて、常にプラス入力端子及びマイナス入力端子にLレベルの第1及び第2論理信号Sr1,Sr2が入力され、動作しないようになっている。従って、試験専用回路15は、動作モードにおいて、低消費電力化することができる。   (2) The test dedicated circuit 15 includes first and second AND circuits 21 and 22 before the comparison circuit 31. The first AND circuit 21 receives the test mode control signal St and the power supply voltage VIN, and the second AND circuit 22 receives the test mode control signal St and the control voltage VIN2. For this reason, in the test mode, the first and second logic signals Sr1 and Sr2 at L level are always input to the plus input terminal and the minus input terminal in the test mode, so that the comparison circuit 31 does not operate. Therefore, the test dedicated circuit 15 can reduce power consumption in the operation mode.

(第2実施形態)
以下、本発明を具体化した第2実施形態を図3及び図4に従って説明する。第1実施形態では、試験専用回路15は、電源電圧VIN、テストモード制御信号St及びスキャンアウト信号Soを入力していた。そして、試験専用回路15は、入力した電源電圧VIN、テストモード制御信号Stとスキャンアウト信号Soに基づいて試験結果信号Skを出力していた。
(Second Embodiment)
A second embodiment embodying the present invention will be described below with reference to FIGS. In the first embodiment, the test dedicated circuit 15 inputs the power supply voltage VIN, the test mode control signal St, and the scan-out signal So. The test dedicated circuit 15 outputs the test result signal Sk based on the input power supply voltage VIN, the test mode control signal St, and the scan-out signal So.

第2実施形態では、試験専用回路15aは、電源電圧VINと、第1ノードN1の電圧(制御電圧VIN2)に基づいた論理確定信号Sgとが入力される。そして、試験専用回路15aは、入力された電源電圧VIN及び論理確定信号Sgに基づいて試験結果信号Skを出力するようにしたものである。   In the second embodiment, the test dedicated circuit 15a receives the power supply voltage VIN and the logic determination signal Sg based on the voltage of the first node N1 (control voltage VIN2). The test dedicated circuit 15a outputs a test result signal Sk based on the input power supply voltage VIN and the logic determination signal Sg.

図3は、本実施形態のLSI10aの電気ブロック回路図である。
電源制御部13aは、図示しないテスタ装置から電源遮断試験の開始を指令するためのHレベルの電源試験信号Seが入力される。電源制御部13aは、Hレベルの電源試験信号Seに基づいて電源電圧VINを供給するためのHレベルの遮断制御信号PCTLを電源遮断回路14aに出力する。そして、電源制御部13aは、図4に示すように、予め定められた時間が経過すると(時刻tk1)、Hレベルの遮断制御信号PCTLを消失して電源電圧VINの供給を停止するためのLレベルの遮断制御信号PCTLを電源遮断回路14aに出力するようになっている。
FIG. 3 is an electric block circuit diagram of the LSI 10a of this embodiment.
The power control unit 13a receives an H level power test signal Se for instructing the start of a power shut-off test from a tester device (not shown). The power control unit 13a outputs an H level cutoff control signal PCTL for supplying the power supply voltage VIN to the power cutoff circuit 14a based on the H level power test signal Se. Then, as shown in FIG. 4, when a predetermined time has elapsed (time tk1), the power supply control unit 13a loses the H level cutoff control signal PCTL and stops the supply of the power supply voltage VIN. A level cutoff control signal PCTL is output to the power cutoff circuit 14a.

つまり、本実施形態の電源制御部13aは、第1実施形態の電源制御部13と相違して、入力データDとクロックCLKを生成して第2機能ブロック12に出力しない。
電源遮断回路14aは、遅延回路としての論理確定回路40を備えている。
That is, unlike the power supply control unit 13 of the first embodiment, the power supply control unit 13a of the present embodiment generates the input data D and the clock CLK and does not output it to the second functional block 12.
The power cutoff circuit 14a includes a logic determination circuit 40 as a delay circuit.

論理確定回路40は、第1及び第2インバータ回路41,42、コンデンサC1を備えている。第1インバータ回路41は、第1ノードN1の電圧である制御電圧VIN2を入力する。そして、第1インバータ回路41は、電源遮断回路14aが電源電圧VINに基づく制御電圧VIN2を第2機能ブロック12に供給している時、その時の電圧値の制御電圧VIN2に基づいてHレベルの出力信号を次段の第2インバータ回路42に出力する。反対に、第1インバータ回路41は、電源遮断回路14にて電源電圧VINに基づく制御電圧VIN2の供給が遮断され、第1ノードN1がフローティング状態となりやがて放電して制御電圧VIN2が、図4(d)に示すように、所定の電圧(第1インバータ回路41の閾値電圧Vth)まで下がると(時刻tk2)、Lレベルの出力信号を次段の第2インバータ回路42に出力する。   The logic determination circuit 40 includes first and second inverter circuits 41 and 42 and a capacitor C1. The first inverter circuit 41 receives the control voltage VIN2 that is the voltage of the first node N1. The first inverter circuit 41 outputs an H level signal based on the control voltage VIN2 of the voltage value at that time when the power cutoff circuit 14a supplies the control voltage VIN2 based on the power supply voltage VIN to the second functional block 12. The signal is output to the second inverter circuit 42 in the next stage. On the other hand, in the first inverter circuit 41, the supply of the control voltage VIN2 based on the power supply voltage VIN is cut off by the power supply cut-off circuit 14, the first node N1 enters a floating state, and the control voltage VIN2 is discharged soon. As shown in d), when the voltage drops to a predetermined voltage (threshold voltage Vth of the first inverter circuit 41) (time tk2), an L level output signal is output to the second inverter circuit 42 in the next stage.

第2インバータ回路42は、第1インバータ回路41からの出力信号Sgxを反転し、その反転した信号を論理確定信号Sgとして試験専用回路15aに出力する。
つまり、電源遮断回路14aが電源ラインL1と第2機能ブロック12とを遮断していないとき、第1及び第2インバータ回路41,42よりなる論理確定回路40は、制御電圧VIN2に基づいて、第2インバータ回路42からHレベルの論理確定信号Sgを試験専用回路15aに出力する。反対に、電源遮断回路14aが電源ラインL1と第2機能ブロック12とを遮断したとき、論理確定回路40は、図4(d)に示すようにフローティング電位となってやがて所定の電位(第1インバータ回路41の閾値電圧Vth)まで低下した制御電圧VIN2に基づいて、第2インバータ回路42からLレベルの論理確定信号Sgを試験専用回路15aに出力する。
The second inverter circuit 42 inverts the output signal Sgx from the first inverter circuit 41 and outputs the inverted signal to the test-dedicated circuit 15a as the logic determination signal Sg.
That is, when the power shutoff circuit 14a does not shut off the power supply line L1 and the second functional block 12, the logic determination circuit 40 including the first and second inverter circuits 41 and 42 is based on the control voltage VIN2. 2 The logic decision signal Sg of H level is output from the inverter circuit 42 to the test dedicated circuit 15a. Conversely, when the power shutoff circuit 14a shuts off the power supply line L1 and the second functional block 12, the logic determination circuit 40 becomes a floating potential as shown in FIG. Based on the control voltage VIN2 lowered to the threshold voltage Vth) of the inverter circuit 41, the L-level logic determination signal Sg is output from the second inverter circuit 42 to the test dedicated circuit 15a.

第2インバータ回路42と試験専用回路15aの接続点(第2ノードN2)は、コンデンサC1を介して接地されている。コンデンサC1は、第2インバータ回路42からHレベルの論理確定信号Sgが試験専用回路15aに出力されているとき、第2インバータ回路42を介して電源電圧VINからの電荷が充電される。また、コンデンサC1は、第2インバータ回路42からLレベルの論理確定信号Sgが試験専用回路15aに出力されているとき、第2インバータ回路42を介して充電していた電荷をグランドに放電する。   A connection point (second node N2) between the second inverter circuit 42 and the test dedicated circuit 15a is grounded via the capacitor C1. The capacitor C1 is charged with the electric charge from the power supply voltage VIN via the second inverter circuit 42 when the logic determination signal Sg of H level is output from the second inverter circuit 42 to the test dedicated circuit 15a. Further, the capacitor C1 discharges the charge charged through the second inverter circuit 42 to the ground when the L level logic determination signal Sg is output from the second inverter circuit 42 to the test dedicated circuit 15a.

つまり、図4(e)に示すように、第2インバータ回路42が第1インバータ回路41からのHレベルの出力信号Sgxを反転し、その反転した信号をLレベルの論理確定信号Sgとして試験専用回路15aに出力する。このとき、図4(d)に示すように、制御電圧VIN2は、GNDレベルまで下がりきっていない。しかしながら、電源遮断試験は、制御電圧VIN2がGNDレベルになってから、すなわち、第2機能ブロック12への電源電圧VINに基づく制御電圧VIN2の供給を完全に遮断してから行うことになっている。このため、コンデンサC1は、電源遮断回路14aが電源ラインL1と第2機能ブロック12とを遮断したとき、図4(d)に示すように、制御電圧VIN2がGNDレベルまで下がりきってから(時刻tk3)、図4(g)に示すように、試験結果信号SkがLレベルになるように(時刻tk4)、論理確定信号Sgの立ち下がりを遅延させている。   That is, as shown in FIG. 4 (e), the second inverter circuit 42 inverts the H level output signal Sgx from the first inverter circuit 41, and uses the inverted signal as the L level logic determination signal Sg. Output to the circuit 15a. At this time, as shown in FIG. 4 (d), the control voltage VIN2 has not been lowered to the GND level. However, the power shutoff test is to be performed after the control voltage VIN2 reaches the GND level, that is, after the supply of the control voltage VIN2 based on the power supply voltage VIN to the second functional block 12 is completely shut off. . For this reason, when the power cutoff circuit 14a shuts off the power supply line L1 and the second functional block 12, the capacitor C1 is switched from the control voltage VIN2 to the GND level as shown in FIG. tk3) As shown in FIG. 4G, the falling of the logic determination signal Sg is delayed so that the test result signal Sk becomes L level (time tk4).

従って、コンデンサC1は、制御電圧VIN2が所定の電位(第1インバータ回路41の閾値電圧Vth)まで低下してからGNDレベルに下がりきるまでの時間以上、論理確定信号Sgの試験専用回路15aの基準電圧(Vk)まで立ち下がる時間を遅延させるような容量値に設定されている。   Therefore, the capacitor C1 has a reference for the test-dedicated circuit 15a for the logic determination signal Sg for a time period from when the control voltage VIN2 drops to a predetermined potential (threshold voltage Vth of the first inverter circuit 41) until it reaches the GND level. The capacitance value is set so as to delay the time to fall to the voltage (Vk).

試験専用回路15aは、比較回路31にて構成される。比較回路31は、プラス入力端子に電源電圧VINと、マイナス入力端子に入力する論理確定信号Sgとを入力する。比較回路31は、入力した電源電圧VINと論理確定信号Sgを比較して、その結果に応じて試験結果信号Skを出力する。つまり、比較回路31は、電源電圧VINが論理確定信号Sgより小さい場合、Hレベルの試験結果信号Skを出力する。反対に、比較回路31は、電源電圧VINが論理確定信号Sgより大きい場合、Lレベルの試験結果信号Skを出力する。   The test dedicated circuit 15 a is configured by the comparison circuit 31. The comparison circuit 31 inputs the power supply voltage VIN to the plus input terminal and the logic determination signal Sg to be inputted to the minus input terminal. The comparison circuit 31 compares the input power supply voltage VIN with the logic determination signal Sg and outputs a test result signal Sk according to the result. That is, the comparison circuit 31 outputs the test result signal Sk at the H level when the power supply voltage VIN is smaller than the logic determination signal Sg. On the contrary, the comparison circuit 31 outputs the L-level test result signal Sk when the power supply voltage VIN is larger than the logic determination signal Sg.

従って、試験専用回路15が、時刻tk1においてHレベルの試験結果信号Skを出力し、時刻tk4においてLレベルの試験結果信号Skを出力したとき、テスタ装置は、電源遮断試験についてPassと判定する、つまり、LSI10のパワーゲーティング(電源遮断回路14)が正常に動作したと判定する。   Therefore, when the test dedicated circuit 15 outputs the test result signal Sk at the H level at time tk1 and outputs the test result signal Sk at the L level at time tk4, the tester device determines that the power interruption test is Pass. That is, it is determined that the power gating (power cutoff circuit 14) of the LSI 10 operates normally.

反対に、試験専用回路15が、時刻tk1においてLレベルの試験結果信号Skを出力した時、又は、時刻tk4においてHレベルの試験結果信号Skを出力したとき、テスタ装置は、電源遮断試験についてFailと判定する、つまり、LSI10のパワーゲーティング(電源遮断回路14)が正常に動作しなかったと判定する。   On the other hand, when the test dedicated circuit 15 outputs the L level test result signal Sk at time tk1 or when the test dedicated circuit 15 outputs the H level test result signal Sk at time tk4, the tester device performs the Fail test on the power shutoff test. That is, it is determined that the power gating (power cutoff circuit 14) of the LSI 10 did not operate normally.

以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)試験専用回路15aが論理確定信号Sgと電源電圧VINとを比較し、比較結果に応じてテスタ装置が電源遮断試験の判定を行っている。このため、本実施形態の電源遮断試験は、第2機能ブロック12を用いていない。第1実施形態の電源遮断試験は、第2機能ブロック12において、Hレベルの入力データDが入力され、Hレベルのスキャンアウト信号Soが出力されるまでの時間が必要である。従って、本実施形態の電源遮断試験は、上記の第1実施形態の第2機能ブロックにおいてかかる時間を削減することができるため、第1実施形態に比べて電源遮断試験の時間を短縮することができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The test dedicated circuit 15a compares the logic determination signal Sg with the power supply voltage VIN, and the tester device determines the power interruption test according to the comparison result. For this reason, the power cutoff test of this embodiment does not use the second functional block 12. The power shutdown test of the first embodiment requires time until the H level input data D is input and the H level scan-out signal So is output in the second functional block 12. Accordingly, the power shutdown test of the present embodiment can reduce the time required for the second functional block of the first embodiment, so that the time of the power shutdown test can be shortened compared to the first embodiment. it can.

(2)電源遮断回路14aは、論理確定回路40を第1ノードN1と第2ノードN2の間に設けている。このため、コンデンサC1の容量値を設定して、テスタ装置は、制御電圧VIN2がLレベルまで下がりきったときに電源遮断試験を行うことができるため、精度良く電源遮断試験を行うことができる。   (2) The power cutoff circuit 14a is provided with a logic determination circuit 40 between the first node N1 and the second node N2. Therefore, by setting the capacitance value of the capacitor C1, the tester device can perform the power interruption test when the control voltage VIN2 has dropped to the L level.

(第3実施形態)
以下、本発明を具体化した第3実施形態を図5及び図6に従って説明する。第3実施形態では、LSI10bは、2つの電源遮断回路を備え、それぞれ対応する機能ブロックへの電源電圧VINの供給・停止を制御している点が前記第2実施形態と相違する。
(Third embodiment)
Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The third embodiment is different from the second embodiment in that the LSI 10b includes two power cut-off circuits and controls supply / stop of the power supply voltage VIN to the corresponding functional block.

図5に示すように、LSI10bは、第1及び第2電源遮断回路14a,14bを備えている。第1電源遮断回路14aは、電源制御部13aから第1遮断制御信号PCTL1を入力し、第1遮断制御信号PCTL1に応じて第1電源遮断回路14a中の第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnを一斉にオンオフし、電源ラインL1と第2機能ブロック12を接続または遮断する。   As shown in FIG. 5, the LSI 10b includes first and second power shutoff circuits 14a and 14b. The first power cutoff circuit 14a receives the first cutoff control signal PCTL1 from the power control unit 13a, and the first to nth N-channel MOS transistors T1 to T1 in the first power cutoff circuit 14a according to the first cutoff control signal PCTL1. Tn is turned on and off all at once, and the power supply line L1 and the second functional block 12 are connected or disconnected.

第1電源遮断回路14aは、Hレベルの第1遮断制御信号PCTL1を入力すると、第1電源遮断回路14a中の第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnが一斉にオンし、電源ラインL1と第2機能ブロック12を接続する。反対に、第1電源遮断回路14aは、Lレベルの第1遮断制御信号PCTL1を入力すると、第1電源遮断回路14a中の第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnが一斉にオフし、電源ラインL1と第2機能ブロック12を遮断する。   When the first power cut-off circuit 14a receives the H-level first cut-off control signal PCTL1, the first to nth N-channel MOS transistors T1 to Tn in the first power cut-off circuit 14a are turned on all at once, and the power line L1 The second functional block 12 is connected. On the other hand, when the first power cutoff circuit 14a receives the L-level first cutoff control signal PCTL1, the first to nth N-channel MOS transistors T1 to Tn in the first power cutoff circuit 14a are turned off all at once. The line L1 and the second functional block 12 are shut off.

つまり、第1電源遮断回路14aは、電源ラインL1と第2機能ブロック12を接続し、電源電圧VINより第1電源遮断回路14aの電圧降下分低い電圧(第1制御電圧VIN2a)を第2機能ブロック12に供給する。反対に、第1電源遮断回路14aは、電源電圧VINと第2機能ブロック12を遮断し、第2機能ブロック12への電源電圧VINの供給を停止する。   That is, the first power supply cutoff circuit 14a connects the power supply line L1 and the second functional block 12, and a voltage lower than the power supply voltage VIN by the voltage drop of the first power supply cutoff circuit 14a (first control voltage VIN2a) has the second function. Supply to block 12. On the other hand, the first power supply cutoff circuit 14 a cuts off the power supply voltage VIN and the second functional block 12 and stops supplying the power supply voltage VIN to the second functional block 12.

また、第1電源遮断回路14aは、同回路14aに備えた論理確定回路40からの第1論理確定信号Sg1を試験専用回路15bに出力する。
第2電源遮断回路14bは、電源制御部13から第2遮断制御信号PCTL2を入力し、第2遮断制御信号PCTL2に応じて第2電源遮断回路14b中の第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnを一斉にオンオフし、電源ラインL1と第3機能ブロック53を接続または遮断する。
The first power shutoff circuit 14a outputs the first logic determination signal Sg1 from the logic determination circuit 40 provided in the circuit 14a to the test dedicated circuit 15b.
The second power cutoff circuit 14b receives the second cutoff control signal PCTL2 from the power supply control unit 13, and responds to the second cutoff control signal PCTL2 to include the first to nth N-channel MOS transistors T1 to T1 in the second power cutoff circuit 14b. Tn is turned on and off all at once, and the power supply line L1 and the third functional block 53 are connected or disconnected.

第2電源遮断回路14bは、Hレベルの第2遮断制御信号PCTL2を入力すると、第2電源遮断回路14b中の第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnが一斉にオンし、電源ラインL1と第3機能ブロック53を接続する。反対に、Lレベルの第2遮断制御信号PCTL2を入力すると、第2電源遮断回路15a中の第1〜第nNチャネルMOSトランジスタT1〜Tnが一斉にオフし、電源ラインL1と第3機能ブロック53を遮断する。   When the second power cut-off circuit 14b receives the H-level second cut-off control signal PCTL2, the first to n-th N-channel MOS transistors T1 to Tn in the second power cut-off circuit 14b are turned on all at once, and the power line L1 The third function block 53 is connected. On the contrary, when the L-level second cutoff control signal PCTL2 is input, the first to nth N-channel MOS transistors T1 to Tn in the second power cutoff circuit 15a are turned off all at once, and the power line L1 and the third function block 53 are turned off. Shut off.

つまり、第2電源遮断回路14bは、電源ラインL1と第3機能ブロック53を接続し、電源電圧VINより第2電源遮断回路14bの電圧降下分低い電圧(第2制御電圧VIN2b)を第3機能ブロック53に供給する。反対に、第2電源遮断回路14bは、電源ラインL1と第3機能ブロック53を遮断し、第3機能ブロックへの電源電圧VINの供給を停止する。   That is, the second power supply cutoff circuit 14b connects the power supply line L1 and the third functional block 53, and a voltage lower than the power supply voltage VIN by the voltage drop of the second power supply cutoff circuit 14b (second control voltage VIN2b) is the third function. Supply to block 53. On the other hand, the second power shutoff circuit 14b shuts off the power supply line L1 and the third functional block 53 and stops supplying the power supply voltage VIN to the third functional block.

また、第2電源遮断回路14bは、同回路14aに備えた論理確定回路40からの第2論理確定信号Sg2を試験専用回路15bに出力する。
試験専用回路15bは、比較回路31と試験選択回路54を備えている。試験選択回路54は、第1電源遮断回路14aから入力する第1論理確定信号Sg1と、第2電源遮断回路14bから入力する第2論理確定信号Sg2のいずれかを、テスタ装置からの切替え信号Scに基づいて選択して比較回路31に出力する。切替え信号Scは、第2又は第3機能ブロック12,53のうち、どちらの電源遮断試験を行うかを選択するためにテスタ装置から出力される信号である。
Further, the second power shutoff circuit 14b outputs the second logic determination signal Sg2 from the logic determination circuit 40 provided in the circuit 14a to the test dedicated circuit 15b.
The test dedicated circuit 15 b includes a comparison circuit 31 and a test selection circuit 54. The test selection circuit 54 selects either the first logic determination signal Sg1 input from the first power supply cutoff circuit 14a or the second logic determination signal Sg2 input from the second power supply cutoff circuit 14b from the switching signal Sc from the tester device. Based on the above, the result is output to the comparison circuit 31. The switching signal Sc is a signal output from the tester device in order to select which of the second or third functional blocks 12 and 53 is to be subjected to the power interruption test.

図6に示すように、試験選択回路54は、第1及び第2アンド回路55a,55b、インバータ回路56及びオア回路57を備えている。第1アンド回路55aは、第1電源遮断回路14aから第1論理確定信号Sg1とテスタ装置から切替え信号Scを入力する。   As shown in FIG. 6, the test selection circuit 54 includes first and second AND circuits 55a and 55b, an inverter circuit 56, and an OR circuit 57. The first AND circuit 55a receives the first logic determination signal Sg1 from the first power cut-off circuit 14a and the switching signal Sc from the tester device.

ここで、切替え信号Scとは、第1電源遮断回路14aから入力する第1論理確定信号Sg1と、第2電源遮断回路14bから入力する第2論理確定信号Sg2とのいずれかを選択する信号をいう。つまり、切替え信号Scは、第2又は第3機能ブロック12,53のうち、どちらの電源遮断試験を行うかを選択している。   Here, the switching signal Sc is a signal for selecting one of the first logic determination signal Sg1 input from the first power supply cutoff circuit 14a and the second logic determination signal Sg2 input from the second power supply cutoff circuit 14b. Say. That is, the switching signal Sc selects which of the second or third functional blocks 12 and 53 is to be subjected to the power interruption test.

第1アンド回路55aは、入力した第1論理確定信号Sg1と切替え信号Scが共にHレベルのとき、Hレベルの第1論理信号Sr1を出力する。
インバータ回路56は、テスタ装置から切替え信号Scを入力する。インバータ回路56は、切替え信号Scを論理反転して反転信号BScを第2アンド回路55bに出力する。
The first AND circuit 55a outputs a first logic signal Sr1 having an H level when both the input first logic determination signal Sg1 and the switching signal Sc are at an H level.
The inverter circuit 56 receives the switching signal Sc from the tester device. The inverter circuit 56 logically inverts the switching signal Sc and outputs the inverted signal BSc to the second AND circuit 55b.

第2アンド回路55bは、第2電源遮断回路14bから第2論理確定信号Sg2とインバータ回路56から反転信号BScを入力する。第2アンド回路55bは、入力した第2論理確定信号Sg2と反転信号BScが共にHレベルのとき、Hレベルの第2論理信号Sr2を出力する。   The second AND circuit 55b receives the second logic determination signal Sg2 from the second power cut-off circuit 14b and the inverted signal BSc from the inverter circuit 56. The second AND circuit 55b outputs the second logic signal Sr2 at the H level when both the input second logic determination signal Sg2 and the inverted signal BSc are at the H level.

オア回路57は、第1アンド回路55aから第1論理信号Sr1と第2アンド回路55bから第2論理信号Sr2を入力する。オア回路57は、入力した第1及び第2論理信号Sr1,Sr2が共にLレベルのときLレベルの選択信号Ssを出力する。   The OR circuit 57 receives the first logic signal Sr1 from the first AND circuit 55a and the second logic signal Sr2 from the second AND circuit 55b. The OR circuit 57 outputs an L level selection signal Ss when both the input first and second logic signals Sr1, Sr2 are at L level.

つまり、試験選択回路54は、Lレベルの切替え信号Scを入力すると、第1電源遮断回路14aから入力する第1論理確定信号Sg1を選択信号Ssとして比較回路31に出力する。反対に、試験選択回路54は、Hレベルの切替え信号Scを入力すると、第2電源遮断回路14bから入力する第2論理確定信号Sg2を選択信号Ssとして比較回路31に出力する。   In other words, when the L selection signal Sc is input, the test selection circuit 54 outputs the first logic determination signal Sg1 input from the first power shutoff circuit 14a to the comparison circuit 31 as the selection signal Ss. On the contrary, when the test selection circuit 54 receives the switching signal Sc at the H level, the test selection circuit 54 outputs the second logic determination signal Sg2 input from the second power supply cutoff circuit 14b to the comparison circuit 31 as the selection signal Ss.

従って、試験選択回路54が、第1論理確定信号Sg1を選択して選択信号Ssとして比較回路31に出力すると、テスタ装置は第1電源遮断回路14aの電源遮断試験を行っている。反対に、試験選択回路54が、第2論理確定信号Sg2を選択して選択信号Ssとして比較回路31に出力すると、テスタ装置は第2電源遮断回路14bの電源遮断試験を行っている。   Therefore, when the test selection circuit 54 selects the first logic determination signal Sg1 and outputs it as the selection signal Ss to the comparison circuit 31, the tester device performs a power cutoff test of the first power cutoff circuit 14a. On the contrary, when the test selection circuit 54 selects the second logic determination signal Sg2 and outputs it to the comparison circuit 31 as the selection signal Ss, the tester device performs a power cutoff test of the second power cutoff circuit 14b.

以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
試験専用回路15bは、試験選択回路54を備えたため、第1及び第2電源遮断回路14a,14bについて電源遮断試験を行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
Since the test dedicated circuit 15b includes the test selection circuit 54, it is possible to perform a power shutdown test on the first and second power shutdown circuits 14a and 14b.

尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、第1及び第2電源遮断回路14a,14bをNチャネルMOSトランジスタにて構成していたが、PチャネルMOSトランジスタにて構成してもよい。
In addition, you may implement the said embodiment in the following aspects.
In the above embodiment, the first and second power cutoff circuits 14a and 14b are configured by N-channel MOS transistors, but may be configured by P-channel MOS transistors.

・上記第1実施形態において、遮断制御信号PCTL、入力データD、クロックCLKを電源制御部13から入力していたが、テスタ装置から入力してもよい。
・上記第1実施形態において、試験専用回路15は、スキャンアウト信号Soを入力していたが、第2機能ブロックに形成されたスキャンチェーンを構成していないフリップフロップ回路からHレベルの信号を出力するように構成し、その信号を入力してもよい。
In the first embodiment, the cutoff control signal PCTL, the input data D, and the clock CLK are input from the power supply control unit 13, but may be input from a tester device.
In the first embodiment, the test-dedicated circuit 15 inputs the scan-out signal So, but outputs an H level signal from the flip-flop circuit that does not constitute the scan chain formed in the second functional block. The signal may be input.

・上記第2実施形態において、比較回路31は、プラス入力端子及びマイナス入力端子にオフセットが付いていたが、プラス側入力端子に入力される電源電圧VINを所定の電圧に分圧して、この分圧した電源電圧VINをプラス側入力端子に入力してもよい。   In the second embodiment, the comparison circuit 31 has an offset on the plus input terminal and the minus input terminal. However, the comparison circuit 31 divides the power supply voltage VIN inputted to the plus side input terminal into a predetermined voltage. The pressed power supply voltage VIN may be input to the plus side input terminal.

・上記第2実施形態において、試験専用回路15aを用いていたが、試験専用回路15を用いてもよい。
・上記第3実施形態において、試験選択回路54は、第1及び第2論理確定信号Sg1,Sg2から選択していたが、3つ以上の論理確定信号を選択するようにしてもよい。 以上の様々な実施の形態をまとめると、以下のようになる。
(付記1)
動作モードとしてのアクティブモード及びスタンバイモードと、試験を行うテストモードとを有し、
フリップフロップ回路が直列接続されて構成されるスキャンチェーンを有する複数の機能ブロックを備え、
前記複数の機能ブロックのうち少なくとも一つの機能ブロックと電源との間に、前記機能ブロックと前記電源とを電気的に接離して、該機能ブロックへの電源電圧の供給及び遮断する電源遮断回路を介在させて、
前記アクティブモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックとを接続して前記機能ブロックへ電源電圧を供給し、前記スタンバイモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックとを遮断して前記機能ブロックへの電源電圧の供給を遮断するようにした半導体装置であって、
前記テストモードにおいて、前記電源遮断回路が接続する前記機能ブロックが有するスキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧を入力し、前記出力信号を前記電源電圧と比較して、該比較結果を出力する試験専用回路を備えたことを特徴とする半導体装置。
(付記2)
付記1に記載の半導体装置において、
前記試験専用回路は、前記アクティブモード及び前記スタンバイモードにおいて、前記スキャンチェーンの出力信号、及び前記電源電圧の入力を遮断することを特徴とする半導体装置。
(付記3)
付記1又は2に記載の半導体装置において、
前記試験専用回路は、
前記半導体装置において、前記電源遮断回路及び前記機能ブロックを複数備える場合、複数の前記スキャンチェーンの出力信号のうち1つを選択する試験選択回路を備えることを特徴とする半導体装置。
(付記4)
動作モードとしてのアクティブモード及びスタンバイモードと、試験を行うテストモードとを有し、
複数の機能ブロックを備え、
前記複数の機能ブロックのうち少なくとも一つの機能ブロックと電源との間に、前記機能ブロックと前記電源とを電気的に接離して、該機能ブロックへの電源電圧の供給及び遮断する電源遮断回路を介在させて、
前記アクティブモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックとを接続して前記機能ブロックへ電源電圧を供給し、前記スタンバイモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックを遮断して、前記機能ブロックへの電源電圧の供給を遮断するようにした半導体装置であって、
前記テストモードにおいて、前記電源遮断回路と前記機能ブロックとの接続点の電圧と前記電圧を入力し、前記接続点の電圧を前記電源電圧と比較し、該比較結果を出力する試験専用回路を備えたことを特徴とする半導体装置。
(付記5)
付記4に記載の半導体装置において、
前記電源遮断回路及び前記機能ブロックの接続点と、前記試験専用回路との間に、前記電源遮断回路及び前記機能ブロックの接続点の電圧の立ち上がり及び立ち下がりを遅延させるための遅延回路を備えたことを特徴とする半導体装置。
(付記6)
付記4又は5に記載の半導体装置において、
前記試験専用回路は、前記アクティブモード及び前記スタンバイモードにおいて、前記電源遮断回路と前記機能ブロックとの接続点の電圧、及び前記電源電圧の入力を遮断することを特徴とする半導体装置。
(付記7)
付記4乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記試験専用回路は、
前記半導体装置において、複数の前記電源遮断回路を備える場合、複数の前記電源遮断回路と前記機能ブロックとの接続点の電圧のうち1つを選択する試験選択回路を備えることを特徴とする半導体装置。
(付記8)
動作モードとしてのアクティブモード及びスタンバイモードと、試験を行うテストモードとを有し、
フリップフロップ回路が直列接続されて構成されるスキャンチェーンを有する複数の機能ブロックを備え、
前記複数の機能ブロックのうち少なくとも一つの機能ブロックと電源との間に、前記機能ブロックと前記電源とを電気的に接離して、該機能ブロックへの電源電圧の供給及び遮断する電源遮断回路を介在させて、
前記アクティブモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックを接続して前記機能ブロックへ電源電圧を供給し、前記スタンバイモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックを遮断して前記機能ブロックへの電源電圧の供給を遮断するようにした半導体装置の試験方法であって、
前記電源遮断回路が接続する前記機能ブロックが有する前記スキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧を入力し、前記出力信号を前記電源電圧とを比較して、該比較結果を出力する試験専用回路を備え、
前記スキャンチェーンの初段に入力された入力データが最終段から出力された状態、及び、且つ前記最終段から前記入力データが出力された後に、前記電源遮断回路にて前記電源と前記機能ブロックとを遮断した状態に基づいて電源遮断回路の良否を判定することを特徴とする半導体装置の試験方法。
(付記9)
動作モードとしてのアクティブモード及びスタンバイモードと、試験を行うテストモードとを有し、
複数の機能ブロックを備え、
前記複数の機能ブロックのうち少なくとも一つの機能ブロックと電源との間に、前記機能ブロックと前記電源とを電気的に接離して、該機能ブロックへの電源電圧の供給及び遮断する電源遮断回路を介在させて、
前記アクティブモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックとを接続して前記機能ブロックへ電源電圧を供給し、前記スタンバイモードにおいて、前記電源遮断回路が前記電源と前記機能ブロックを遮断して前記機能ブロックへの電源電圧の供給を遮断するようにした半導体装置の試験方法であって、
前記電源遮断回路と前記機能ブロックとの接続点の電圧を前記電源電圧とを入力し、前記接続点の電圧と前記電源電圧とを比較して、該比較結果を出力する試験専用回路を備え、
前記機能ブロックへ前記電源電圧が供給されている状態、及び、且つ前記電源遮断回路にて前記電源と前記機能ブロックとを遮断した状態に基づいて電源遮断回路の良否を判定することを特徴とする半導体装置の試験方法。
In the second embodiment, the test dedicated circuit 15a is used, but the test dedicated circuit 15 may be used.
In the third embodiment, the test selection circuit 54 selects from the first and second logic determination signals Sg1 and Sg2, but may select three or more logic determination signals. The various embodiments described above can be summarized as follows.
(Appendix 1)
It has an active mode and a standby mode as operation modes, and a test mode for performing a test,
A plurality of functional blocks having a scan chain configured by connecting flip-flop circuits in series,
A power cutoff circuit that electrically connects and disconnects the functional block and the power source between at least one functional block of the plurality of functional blocks and a power source to supply and cut off a power source voltage to the functional block; Intervene,
In the active mode, the power cutoff circuit connects the power source and the functional block to supply a power supply voltage to the functional block. In the standby mode, the power cutoff circuit shuts off the power source and the functional block. And a semiconductor device configured to cut off the supply of power supply voltage to the functional block,
In the test mode, the scan chain output signal and the power supply voltage of the functional block connected to the power supply cutoff circuit are input, the output signal is compared with the power supply voltage, and the comparison result is output. A semiconductor device comprising a circuit.
(Appendix 2)
In the semiconductor device according to attachment 1,
The test-dedicated circuit cuts off the input of the output signal of the scan chain and the power supply voltage in the active mode and the standby mode.
(Appendix 3)
In the semiconductor device according to attachment 1 or 2,
The test dedicated circuit is:
The semiconductor device, further comprising a test selection circuit that selects one of the output signals of the plurality of scan chains when the power supply cutoff circuit and the plurality of functional blocks are provided.
(Appendix 4)
It has an active mode and a standby mode as operation modes, and a test mode for performing a test,
With multiple functional blocks,
A power cutoff circuit that electrically connects and disconnects the functional block and the power source between at least one functional block of the plurality of functional blocks and a power source to supply and cut off a power source voltage to the functional block; Intervene,
In the active mode, the power shutoff circuit connects the power supply and the functional block to supply a power supply voltage to the functional block. In the standby mode, the power shutoff circuit shuts off the power supply and the functional block. A semiconductor device configured to cut off the supply of power supply voltage to the functional block,
In the test mode, a test-dedicated circuit that inputs a voltage at the connection point between the power supply cutoff circuit and the functional block and the voltage, compares the voltage at the connection point with the power supply voltage, and outputs the comparison result is provided. A semiconductor device characterized by the above.
(Appendix 5)
In the semiconductor device according to attachment 4,
A delay circuit for delaying the rise and fall of the voltage at the connection point of the power supply cutoff circuit and the functional block is provided between the connection point of the power supply cutoff circuit and the functional block and the dedicated test circuit. A semiconductor device.
(Appendix 6)
In the semiconductor device according to attachment 4 or 5,
The test-dedicated circuit cuts off a voltage at a connection point between the power cutoff circuit and the functional block and an input of the power supply voltage in the active mode and the standby mode.
(Appendix 7)
In the semiconductor device according to any one of appendices 4 to 6,
The test dedicated circuit is:
When the semiconductor device includes a plurality of the power cutoff circuits, the semiconductor device further includes a test selection circuit that selects one of voltages at connection points between the plurality of power cutoff circuits and the functional block. .
(Appendix 8)
It has an active mode and a standby mode as operation modes, and a test mode for performing a test,
A plurality of functional blocks having a scan chain configured by connecting flip-flop circuits in series,
A power cutoff circuit that electrically connects and disconnects the functional block and the power source between at least one functional block of the plurality of functional blocks and a power source to supply and cut off a power source voltage to the functional block; Intervene,
In the active mode, the power shutoff circuit connects the power supply and the functional block to supply a power supply voltage to the functional block. In the standby mode, the power shutoff circuit shuts off the power supply and the functional block. A test method for a semiconductor device in which supply of power supply voltage to the functional block is cut off,
A test-dedicated circuit that inputs the output signal of the scan chain and the power supply voltage of the functional block connected to the power supply cutoff circuit, compares the output signal with the power supply voltage, and outputs the comparison result. ,
The input data input to the first stage of the scan chain is output from the last stage, and after the input data is output from the last stage, the power supply circuit and the functional block are A test method for a semiconductor device, wherein the quality of a power shut-off circuit is determined based on a shut-off state.
(Appendix 9)
It has an active mode and a standby mode as operation modes, and a test mode for performing a test,
With multiple functional blocks,
A power cutoff circuit that electrically connects and disconnects the functional block and the power source between at least one functional block of the plurality of functional blocks and a power source to supply and cut off a power source voltage to the functional block; Intervene,
In the active mode, the power shutoff circuit connects the power supply and the functional block to supply a power supply voltage to the functional block. In the standby mode, the power shutoff circuit shuts off the power supply and the functional block. A test method for a semiconductor device configured to cut off the supply of power supply voltage to the functional block,
A test-dedicated circuit that inputs the power supply voltage as a voltage at a connection point between the power supply cutoff circuit and the functional block, compares the voltage at the connection point with the power supply voltage, and outputs the comparison result,
Determining whether the power shutoff circuit is good or bad based on a state in which the power supply voltage is supplied to the functional block and a state in which the power supply and the functional block are shut off by the power shutoff circuit. Semiconductor device testing method.

第1実施形態の半導体装置の電気ブロック図である。1 is an electrical block diagram of a semiconductor device according to a first embodiment. (a)〜(g)は第1実施形態の電源遮断回路の試験を説明するための波形図である。(A)-(g) is a wave form diagram for demonstrating the test of the power cutoff circuit of 1st Embodiment. 第2実施形態の半導体装置の電気ブロック図である。It is an electrical block diagram of the semiconductor device of 2nd Embodiment. (a)〜(g)は第2実施形態の電源遮断回路の試験を説明するための波形図である。(A)-(g) is a wave form diagram for demonstrating the test of the power cutoff circuit of 2nd Embodiment. 第3実施形態の半導体装置の電気ブロック図である。It is an electrical block diagram of the semiconductor device of 3rd Embodiment. 試験選択回路の電気回路図である。It is an electric circuit diagram of a test selection circuit.

符号の説明Explanation of symbols

10 半導体装置
11,12 機能ブロック
14 電源遮断回路
15 試験専用回路
16 スキャンチェーン
31 比較回路
40 論理確定回路
54 試験確定回路
VIN 電源電圧
FF フリップフロップ回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor device 11, 12 Function block 14 Power supply cutoff circuit 15 Test exclusive circuit 16 Scan chain 31 Comparison circuit 40 Logic decision circuit 54 Test decision circuit VIN Power supply voltage FF Flip-flop circuit

Claims (6)

直列接続された複数のフリップフロップ回路を含むスキャンチェーンを有する機能ブロックと、
記機能ブロックと電源配線との間に設けられ、前記機能ブロックへの電源電圧の供給を制御する電源遮断回路と
前記機能ブロックが有する前記スキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧とが入力され、前記スキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧とを比較して、比較結果を出力する試験回路とを有し、
テストモードにおいて、前記電源遮断回路は、前記スキャンチェーンの出力信号が高電位の論理状態のときに、前記機能ブロックへの前記電源電圧の供給を遮断することを特徴とする半導体装置。
And that function blocks have a scan chain including a plurality of flip-flop circuits connected in series,
Provided between the front Symbol Function block and power wiring, and a power supply cut-off circuit for controlling the supply of power supply voltage to the functional block,
A test circuit that receives the output signal of the scan chain and the power supply voltage included in the functional block, compares the output signal of the scan chain and the power supply voltage, and outputs a comparison result ;
In the test mode, the power supply cutoff circuit cuts off the supply of the power supply voltage to the functional block when the output signal of the scan chain is in a high potential logic state .
複数の機能ブロックと、
前記複数の機能ブロックのうちの第1の機能ブロックと電源配線との間に設けられ、前記第1の機能ブロックへの電源電圧の供給を制御する第1の電源遮断回路と
前記第1の電源遮断回路と前記第1の機能ブロックとの接続点の電圧と、前記電源電圧とが入力され、前記接続点の電圧を前記電源電圧と比較して、比較結果を出力する試験回路と、
前記第1の電源遮断回路と前記第1の機能ブロックとの接続点の電圧の立ち上がり及び立ち下がりを遅延させる遅延回路とを有し、
テストモードにおいて、前記第1の電源遮断回路は、前記第1の機能ブロックへの前記電源電圧の供給を遮断することを特徴とする半導体装置。
Multiple functional blocks;
A first power cutoff circuit provided between a first functional block of the plurality of functional blocks and a power supply wiring and controlling supply of a power supply voltage to the first functional block ;
A test for inputting a voltage at a connection point between the first power supply cutoff circuit and the first functional block and the power supply voltage, comparing the voltage at the connection point with the power supply voltage, and outputting a comparison result. Circuit,
A delay circuit that delays the rise and fall of the voltage at the connection point between the first power shutoff circuit and the first functional block ;
In the test mode, the first power shutoff circuit shuts off the supply of the power supply voltage to the first functional block .
請求項2に記載の半導体装置において、
前記試験回路は、前記テストモードとは異なる動作モードにおいて、前記第1の電源遮断回路と前記第1の機能ブロックとの接続点の電圧、及び前記電源電圧の入力を遮断することを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 2 ,
The test circuit, in the different operating modes and test modes, characterized by blocking the input of the first voltage at the connection point between the power-off circuit and the first functional block, and the power supply voltage Semiconductor device.
請求項2又は3に記載の半導体装置において、
前記複数の機能ブロックのうちの前記第1の機能ブロックとは異なる第2の機能ブロックと前記電源配線との間に設けられ、前記第2の機能ブロックへの前記電源電圧の供給を制御する第2の電源遮断回路を更に有し、
前記試験回路は、
前記第1の電源遮断回路と前記第1の機能ブロックとの接続点の電圧と、前記第2の電源遮断回路と前記第2の機能ブロックとの接続点のうち1つを選択する試験選択回路を備えることを特徴とする半導体装置。
The semiconductor device according to claim 2 or 3 ,
A second functional block that is different from the first functional block among the plurality of functional blocks and the power supply wiring, and controls supply of the power supply voltage to the second functional block; 2 further includes a power shutoff circuit,
The test circuit includes:
Wherein a first voltage at the connection point between the power-off circuit and the first functional block, the test selection circuit for selecting one of the connection point between said second power supply cut-off circuit and the second functional block A semiconductor device comprising:
直列接続された複数のフリップフロップ回路を含むスキャンチェーンを有する機能ブロックと、前記機能ブロックと電源配線との間に設けられ、前記機能ブロックへの電源電圧の供給を制御する電源遮断回路と、前記機能ブロックが有する前記スキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧とが入力され、前記スキャンチェーンの出力信号と前記電源電圧とを比較して、比較結果を出力する試験回路とを有する半導体装置の試験方法であって、
前記スキャンチェーンの初段に入力された入力データが最終段から出力され、前記スキャンチェーンの出力信号が高電位の論理状態のときに、前記電源遮断回路にて前記機能ブロックへの前記電源電圧の供給を遮断し、
前記機能ブロックへの前記電源電圧の供給を遮断した状態における前記試験回路の比較結果に基づいて電源遮断回路の良否を判定することを特徴とする半導体装置の試験方法。
Provided between the that function block having a scan chain including a plurality of flip-flop circuits connected in series, the pre-Symbol function block and the power supply wiring, the power supply for controlling the supply of power supply voltage to the functional block A cutoff circuit; and a test circuit that receives the output signal of the scan chain and the power supply voltage included in the functional block, compares the output signal of the scan chain with the power supply voltage, and outputs a comparison result. A method for testing a semiconductor device, comprising:
Supply of the power supply voltage to the functional block by the power shutoff circuit when input data input to the first stage of the scan chain is output from the last stage and the output signal of the scan chain is in a high potential logic state Shut off
A test method for a semiconductor device, comprising: determining whether a power supply cutoff circuit is good or not based on a comparison result of the test circuit in a state where supply of the power supply voltage to the functional block is cut off .
複数の機能ブロックと、前記複数の機能ブロックのうちの第1の機能ブロックと電源配線との間に設けられ、前記第1の機能ブロックへの電源電圧の供給を制御する第1の電源遮断回路と、前記第1の電源遮断回路と前記第1の機能ブロックとの接続点の電圧と、前記電源電圧とが入力され、前記接続点の電圧と前記電源電圧と比較して、比較結果を出力する試験回路と、前記第1の電源遮断回路と前記第1の機能ブロックとの接続点の電圧の立ち上がり及び立ち下がりを遅延させる遅延回路とを有する半導体装置の試験方法であって、
前記機能ブロックへ前記電源電圧が供給されているときの前記試験回路の比較結果、及び前記電源遮断回路にて前記機能ブロックへの前記電源電圧の供給が遮断されているときの前記試験回路の比較結果に基づいて電源遮断回路の良否を判定することを特徴とする半導体装置の試験方法。
A plurality of functional blocks, and a first power cutoff circuit provided between a first functional block of the plurality of functional blocks and a power supply wiring and controlling supply of a power supply voltage to the first functional block And a voltage at a connection point between the first power cut-off circuit and the first functional block, and the power supply voltage are input, and the comparison result is output by comparing the voltage at the connection point with the power supply voltage. A test method for a semiconductor device comprising: a test circuit for delaying; and a delay circuit for delaying a rise and a fall of a voltage at a connection point between the first power cutoff circuit and the first functional block ,
Comparison result of the test circuit when the power supply voltage is supplied to the functional block , and comparison of the test circuit when the supply of the power supply voltage to the functional block is cut off by the power supply cutoff circuit A test method of a semiconductor device, wherein the quality of a power shut-off circuit is determined based on a result .
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