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JP5202175B2 - Heater with shaft - Google Patents
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Description

本発明は、ウエハを加熱するのに用いられるシャフト付きヒータに関する。   The present invention relates to a heater with a shaft used for heating a wafer.

従来より、ウエハを加熱するのに用いられるシャフト付きヒータが知られている。こうしたシャフト付きヒータは、一般に真空チャンバ内に設置されて使用される。例えば、特許文献1には、図13に示すように、ウエハを支持可能で抵抗発熱体が埋設されたセラミック基板20と、そのセラミック基板20をアルミナリング112を介して背面側から支持する金属製の筒状シャフト30とを備えたシャフト付きヒータ110が開示されている。筒状シャフト30とアルミナリング112とセラミック基板20とは、ボルト114により固定されている。すなわち、筒状シャフト30のフランジを貫通する貫通孔と、アルミナリング112を貫通する貫通孔と、セラミック基板20の背面に設けられたボルト穴116とを同軸になるように位置決めしたあと、筒状シャフト30のフランジの貫通孔の下方からボルト114を差し込んでボルト穴116に螺合することにより、筒状シャフト30とアルミナリング112とセラミック基板20とを一体化している。また、セラミック基板20の材質としては、窒化アルミニウムなどが例示され、筒状シャフト30の材質としては、アルミニウム合金などが例示されている。ここで、筒状シャフト30とセラミック基板20とをボルト114で締結しているのは、熱膨張係数が窒化アルミニウムとアルミニウム合金とで大きく異なるからである。
特開2005−166368号公報
Conventionally, a heater with a shaft used for heating a wafer is known. Such a heater with a shaft is generally used by being installed in a vacuum chamber. For example, in Patent Document 1, as shown in FIG. 13, a ceramic substrate 20 that can support a wafer and has a resistance heating element embedded therein, and a metal substrate that supports the ceramic substrate 20 from the back side through an alumina ring 112 are used. The heater 110 with a shaft provided with the cylindrical shaft 30 of this is disclosed. The cylindrical shaft 30, the alumina ring 112, and the ceramic substrate 20 are fixed by bolts 114. That is, after positioning the through hole that penetrates the flange of the cylindrical shaft 30, the through hole that penetrates the alumina ring 112, and the bolt hole 116 provided on the back surface of the ceramic substrate 20 so as to be coaxial, The cylindrical shaft 30, the alumina ring 112, and the ceramic substrate 20 are integrated by inserting a bolt 114 from below the through hole of the flange of the shaft 30 and screwing it into the bolt hole 116. The material of the ceramic substrate 20 is exemplified by aluminum nitride, and the material of the cylindrical shaft 30 is exemplified by aluminum alloy. Here, the cylindrical shaft 30 and the ceramic substrate 20 are fastened by the bolts 114 because the thermal expansion coefficients are greatly different between aluminum nitride and aluminum alloy.
JP 2005-166368 A

しかしながら、特許文献1のシャフト付きヒータ110では、筒状シャフト30とアルミナリング112とセラミック基板20とがボルト114で締結されているため、筒状シャフト30とアルミナリング112との微小な隙間やアルミナリング112とセラミック基板20との微小な隙間からガスリークが生じることがあった。このようなガスリークが生じると、筒状シャフト30の内部空間を大気にした場合には真空チャンバの内部空間が大気によって汚染されるおそれがあった。また、前出の微小な隙間は熱障壁となりやすいため、セラミック基板20の熱が筒状シャフト30へ逃げにくく、ウエハの温度を制御しにくいという問題があった。一方、セラミックス製のシャフトを固相接合したシャフト付きヒータも考えられるが、こうしたシャフト付きヒータでは、ガスリークの問題はないものの、接合温度がセラミックスの焼結温度(約2000℃)と同程度に高く、非常に特殊な設備が必要であるという問題があった。   However, in the heater 110 with a shaft of Patent Document 1, since the cylindrical shaft 30, the alumina ring 112, and the ceramic substrate 20 are fastened by the bolts 114, a minute gap between the cylindrical shaft 30 and the alumina ring 112 or alumina. Gas leak may occur from a minute gap between the ring 112 and the ceramic substrate 20. When such a gas leak occurs, there is a possibility that the internal space of the vacuum chamber is contaminated by the air when the internal space of the cylindrical shaft 30 is made air. Further, since the above-mentioned minute gap is likely to become a thermal barrier, there is a problem that the heat of the ceramic substrate 20 is difficult to escape to the cylindrical shaft 30 and the temperature of the wafer is difficult to control. On the other hand, a heater with a shaft in which a ceramic shaft is solid-phase bonded is also conceivable, but with such a heater with a shaft there is no problem of gas leakage, but the bonding temperature is as high as the ceramic sintering temperature (approximately 2000 ° C.). There was a problem that very special equipment was required.

本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、比較的簡易な製造工程で作製でき、且つ、筒状シャフトの内部空間からガスがリークするのを防止可能で、筒状シャフトから熱を逃がしやすいシャフト付きヒータを提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and can be manufactured by a relatively simple manufacturing process, can prevent gas from leaking from the internal space of the cylindrical shaft, and can be heated from the cylindrical shaft. The main object is to provide a heater with a shaft that is easy to escape.

本発明は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。   The present invention adopts the following means in order to achieve the main object described above.

本発明のシャフト付きヒータは、
ウエハを支持可能で抵抗発熱体が埋設された窒化アルミニウム製のセラミック基板と、
該セラミック基板の背面に接合された筒状シャフトと、
を備え、
前記筒状シャフトは、少なくとも前記セラミック基板側の端部がアルミニウム−シリコン合金製であり、該端部が前記セラミック基板の背面に接合されている
ものである。
The heater with a shaft of the present invention is
A ceramic substrate made of aluminum nitride capable of supporting a wafer and having an embedded resistance heating element;
A cylindrical shaft joined to the back surface of the ceramic substrate;
With
The cylindrical shaft has at least an end portion on the ceramic substrate side made of an aluminum-silicon alloy, and the end portion is joined to the back surface of the ceramic substrate.

このシャフト付きヒータでは、筒状シャフトのうちセラミック基板側の端部がアルミニウム−シリコン合金製であり、該端部がセラミック基板の背面に接合されている。このため、筒状シャフト自身の気密化や筒状シャフトとセラミック基板との接合部位の気密化を図ったり、筒状シャフトのうちセラミック基板側の端部の熱膨張係数をセラミック基板の熱膨張係数に近付けたりすることが可能となる。したがって、シャフト付きヒータをチャンバ内に設置したときに、筒状シャフトの内部空間からチャンバの内部空間へのガスのリークを防止することができる。また、筒状シャフトとセラミック基板との間に熱障壁が存在しない。このため、シャフト付きヒータをチャンバ内に設置してプラズマを発生させたときにセラミック基板の中央付近の熱を筒状シャフトを介して効率よく除去することができる。したがって、セラミック基板上の各点の温度差を小さくすることができ、セラミック基板に支持されるウエハの温度を制御しやすくなる。   In this heater with a shaft, the end on the ceramic substrate side of the cylindrical shaft is made of an aluminum-silicon alloy, and the end is joined to the back surface of the ceramic substrate. For this reason, the cylindrical shaft itself is hermetically sealed, the sealing portion of the cylindrical shaft and the ceramic substrate is hermetically sealed, or the thermal expansion coefficient of the end of the cylindrical shaft on the ceramic substrate side is determined as the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate. It becomes possible to approach. Therefore, when the heater with a shaft is installed in the chamber, it is possible to prevent gas leakage from the internal space of the cylindrical shaft to the internal space of the chamber. Moreover, there is no thermal barrier between the cylindrical shaft and the ceramic substrate. For this reason, when plasma is generated by installing a heater with a shaft in the chamber, heat near the center of the ceramic substrate can be efficiently removed via the cylindrical shaft. Therefore, the temperature difference between the points on the ceramic substrate can be reduced, and the temperature of the wafer supported on the ceramic substrate can be easily controlled.

本発明のシャフト付きヒータにおいて、前記筒状シャフトは、ロウ材なしで前記端部を加熱することにより接合することができる。すなわち、筒状シャフトの少なくとも端部はアルミニウム−シリコン合金製であることから、アルミニウム−シリコン合金の共晶点(577℃)に加熱すると液相が発生するが、それより低い温度で圧力をかけながら加熱することで、合金の接合界面における拡散流動性を高め、且つ、全体の変形を伴わないようにしながら固相接合することができる。ここで、アルミニウム−シリコン合金は、シリコン量が比較的多い方が好ましい。こうすれば、高融点のシリコンが骨格をなし、共晶組成のアルミニウム−シリコン合金が結合材の役目を果たす。そのため、接合に伴う変形が生じにくくなる。なお、筒状シャフトは、接合温度を下げる目的で、アルミニウム−シリコン共晶合金からなるロウ材を用いてセラミックス基板に接合してもよい。   In the heater with a shaft of the present invention, the cylindrical shaft can be joined by heating the end without brazing material. That is, since at least the end of the cylindrical shaft is made of an aluminum-silicon alloy, a liquid phase is generated when heated to the eutectic point (577 ° C.) of the aluminum-silicon alloy, but pressure is applied at a lower temperature. Heating while increasing the diffusion fluidity at the bonding interface of the alloy, and solid-phase bonding can be performed without causing the entire deformation. Here, the aluminum-silicon alloy preferably has a relatively large amount of silicon. In this way, high melting point silicon forms a skeleton, and an eutectic aluminum-silicon alloy serves as a binder. For this reason, deformation due to joining is less likely to occur. The cylindrical shaft may be bonded to the ceramic substrate using a brazing material made of an aluminum-silicon eutectic alloy for the purpose of lowering the bonding temperature.

本発明のシャフト付きヒータにおいて、前記筒状シャフトは、全体がアルミニウム−シリコン合金製であり、熱膨張係数が前記セラミック基板の0.9〜1.1倍としてもよい。こうすれば、筒状シャフトとセラミック基板との熱膨張係数の差が僅少なため、筒状シャフトとセラミック基板との接合をより気密化しやすくなる。熱膨張係数がセラミック基板の0.9〜1.1倍を外れる場合には、セラミックス基板に発生する接合時の熱膨張係数の際に伴う残留応力が過大となり、セラミックス基板にクラックが発生するおそれがある。筒状シャフトにアルミニウム−シリコン合金を用いることで、筒状シャフトをセラミック基板と同等の熱膨張係数とすることができるようになる。また、アルミニウム−シリコン合金は、そのアルミニウムとシリコンの組成比に伴い熱膨張係数がアルミニウムの23ppm/Kからシリコンの3ppm/K近傍まで比較的容易に変化させることができるので、本発明に好適な材料といえる。   In the heater with a shaft of the present invention, the cylindrical shaft may be entirely made of an aluminum-silicon alloy, and the thermal expansion coefficient may be 0.9 to 1.1 times that of the ceramic substrate. In this case, since the difference in thermal expansion coefficient between the cylindrical shaft and the ceramic substrate is small, the bonding between the cylindrical shaft and the ceramic substrate is more easily airtight. If the thermal expansion coefficient is 0.9 to 1.1 times that of the ceramic substrate, the residual stress associated with the thermal expansion coefficient at the time of bonding generated on the ceramic substrate becomes excessive, and cracks may occur in the ceramic substrate. There is. By using an aluminum-silicon alloy for the cylindrical shaft, the cylindrical shaft can have a thermal expansion coefficient equivalent to that of the ceramic substrate. In addition, the aluminum-silicon alloy can be changed relatively easily from 23 ppm / K of aluminum to about 3 ppm / K of silicon with the composition ratio of aluminum and silicon, and is suitable for the present invention. It can be said that it is a material.

本発明のシャフト付きヒータにおいて、前記筒状シャフトは、前記セラミック基板側の端部を含むアルミニウム−シリコン合金製の第1パートと、該第1パートの前記セラミック基板とは反対側の端部に接合されたアルミニウム製の第2パートとを有していてもよい。こうすれば、第2パートはアルミニウム製のため、セラミック基板の熱をより効率よく逃がすことができるし、筒状シャフトの全体がアルミニウム−シリコン合金製の場合に比べてコスト的にも有利になる。ここで、「アルミニウム製」とは、純アルミニウムで作製されている場合のほか、アルミニウムを主体とするアルミ合金であって第1パートのアルミニウム−シリコン合金に比べてシリコン含有量が低いもので作製されている場合も含む意である。   In the heater with a shaft according to the present invention, the cylindrical shaft includes a first part made of an aluminum-silicon alloy including an end part on the ceramic substrate side, and an end part of the first part opposite to the ceramic substrate. You may have the 2nd part made from aluminum joined. In this case, since the second part is made of aluminum, the heat of the ceramic substrate can be released more efficiently, and the entire cylindrical shaft is advantageous in terms of cost compared to the case where the entire cylindrical shaft is made of aluminum-silicon alloy. . Here, “made of aluminum” is not only made of pure aluminum but also an aluminum alloy mainly composed of aluminum and having a lower silicon content than the first part aluminum-silicon alloy. Including the case where it is done.

このように第1パートと第2パートとを有する筒状シャフトを用いた本発明のシャフト付きヒータにおいて、前記第1パートは、全体がアルミニウム−シリコン合金製であり、熱膨張係数が前記セラミック基板の0.9〜1.1倍としてもよい。こうすれば、筒状シャフトとセラミック基板との熱膨張係数の差が僅少なため、筒状シャフトとセラミック基板との接合をより気密化しやすくなる。   Thus, in the heater with a shaft of the present invention using the cylindrical shaft having the first part and the second part, the first part is entirely made of an aluminum-silicon alloy and has a thermal expansion coefficient of the ceramic substrate. It is good also as 0.9-1.1 times. In this case, since the difference in thermal expansion coefficient between the cylindrical shaft and the ceramic substrate is small, the bonding between the cylindrical shaft and the ceramic substrate is more easily airtight.

また、第1パートと第2パートとを有する筒状シャフトを用いた本発明のシャフト付きヒータにおいて、前記第1パートは、複数のアルミニウム−シリコン合金製のセグメントが接合されたものであり、前記複数のセグメントは、前記セラミック基板側から前記第2パートに向かって熱膨張係数が窒化アルミニウムに近い値からアルミニウムに近い値まで徐々に高くなるように配設されていてもよい。こうすれば、セラミック基板と筒状シャフトの第1パートとの熱膨張差や筒状シャフトの第1パートと第2パートとの熱膨張差が小さくなるため、発生する熱応力が小さくなり、熱サイクルを長期にわたって繰り返したとしても筒状シャフトの内部空間の気密性を保持することができる。   Further, in the heater with a shaft of the present invention using a cylindrical shaft having a first part and a second part, the first part is formed by joining a plurality of aluminum-silicon alloy segments, The plurality of segments may be arranged so that a thermal expansion coefficient gradually increases from a value close to aluminum nitride to a value close to aluminum from the ceramic substrate side toward the second part. This reduces the difference in thermal expansion between the ceramic substrate and the first part of the cylindrical shaft and the difference in thermal expansion between the first part and the second part of the cylindrical shaft. Even if the cycle is repeated over a long period of time, the airtightness of the internal space of the cylindrical shaft can be maintained.

このとき、前記第1パートは、アルミニウム−シリコン合金製であることから、前記複数のセグメントがロウ材なしで加熱することにより接合することができる。あるいは、前記第1パートは、前記複数のセグメントがアルミニウム−シリコン共晶合金製のロウ材を用いて加熱することにより接合されていてもよい。こうすれば、ロウ材を用いない場合に比べて各セグメントが互いに密着するように押圧する必要がないため、接合作業を簡単に行える。すなわち、ロウ材を用いない場合に比べて接合面の寸法精度が緩くてもよい。また、ロウ材を用いることで、微視的により良いシール性が得られる。また、アルミニウム−シリコン合金製の第1パートとアルミニウム製の第2パートとを接合する際にロウ材を用いて加熱してもよい。アルミニウム製の第2パートは加熱時に押圧すると変形しやすいが、ロウ材を用いることにより押圧する必要がないため、第2パートの変形のおそれがなくなる。   At this time, since the first part is made of an aluminum-silicon alloy, the plurality of segments can be joined by heating without brazing. Alternatively, in the first part, the plurality of segments may be joined by heating using a brazing material made of an aluminum-silicon eutectic alloy. By doing so, it is not necessary to press the segments so that they are in close contact with each other as compared with the case where no brazing material is used, and therefore the joining operation can be performed easily. That is, the dimensional accuracy of the joint surface may be less than when no brazing material is used. Further, by using a brazing material, better sealing properties can be obtained microscopically. Moreover, you may heat using a brazing material, when joining the 1st part made from an aluminum silicon alloy, and the 2nd part made from aluminum. Although the second part made of aluminum is easily deformed when pressed when heated, there is no need to press using a brazing material, so there is no risk of deformation of the second part.

本発明のシャフト付きヒータにおいて、筒状シャフトはアルミニウムとシリコンを含み、アルカリ金属や重金属を含まないものとしてもよい。こうすれば、半導体製造装置に用いた場合にコンタミネーションを発生しない。   In the heater with a shaft of the present invention, the cylindrical shaft may contain aluminum and silicon, and may not contain alkali metal or heavy metal. In this way, no contamination occurs when used in a semiconductor manufacturing apparatus.

本発明のシャフト付きヒータは、種々の製法により作製可能である。例えば、本発明のシャフト付きヒータを作製するにあたり、筒状シャフトのセラミック基板側の端部をセラミック基板の背面に押圧しながら所定の温度に加熱したあと冷却することにより該端部をロウ材なしでセラミック基板の背面に接合させてもよい。ここで、押圧力や温度については、セラミック基板に筒状シャフトが液相接合又は固相接合する数値範囲に設定すればよく、例えば、押圧力は9.8×102〜9.8×103Pa、好ましくは9.8×102〜2.9×103Paの範囲に設定し、温度は500〜580℃、好ましくは520〜560℃の範囲に設定してもよい。あるいは、筒状シャフトのセラミック基板側の端部とセラミック基板との間にロウ材(アルミニウム−シリコン共晶合金からなるロウ材など)を介在させた状態で所定の温度に加熱したあと冷却することにより該端部をセラミック基板の背面に接合させてもよい。 The heater with a shaft of the present invention can be manufactured by various manufacturing methods. For example, in manufacturing the heater with a shaft of the present invention, the end of the cylindrical shaft on the ceramic substrate side is pressed against the back surface of the ceramic substrate, heated to a predetermined temperature, and then cooled to remove the end. And may be bonded to the back surface of the ceramic substrate. Here, the pressing force and temperature may be set within a numerical range in which the cylindrical shaft is liquid-phase bonded or solid-phase bonded to the ceramic substrate. For example, the pressing force is 9.8 × 10 2 to 9.8 × 10. The temperature may be set to 3 Pa, preferably 9.8 × 10 2 to 2.9 × 10 3 Pa, and the temperature may be set to 500 to 580 ° C., preferably 520 to 560 ° C. Or, after heating to a predetermined temperature with a brazing material (such as a brazing material made of an aluminum-silicon eutectic alloy) interposed between the end of the cylindrical shaft on the ceramic substrate side and the ceramic substrate, cooling is performed. The end portion may be bonded to the back surface of the ceramic substrate.

また、筒状シャフトとして、セラミック基板側の端部を含むアルミニウム−シリコン合金製の第1パートと、該第1パートのセラミック基板とは反対側の端部に接合されたアルミニウム製の第2パートとを有するものを採用してもよい。その場合、第1パートと第2パートとを接合して筒状シャフトとしたあと該筒状シャフトとセラミック基板とを接合してもよいし、第1パートとセラミック基板とを接合したあと第1パートと第2パートとを接合してもよいし、第1パートと第2パートとセラミック基板とを同時に接合してもよい。このとき、第1パートとして、複数のアルミニウム−シリコン合金製のセグメントを、熱膨張係数が窒化アルミニウムに近い値からアルミニウムに近い値まで徐々に高くなるように接合したものを採用してもよい。その場合、予め複数のセグメントを接合して第1パートとしたあとセラミック基板や第2パートと接合してもよいし、複数のセグメントを互いに接合すると同時にセラミック基板と該セラミック基板に接するセグメントとを接合してセラミック基板−第1パートのアセンブリとしたあと第1パートと第2パートとを接合してもよいし、複数のセグメントを互いに接合すると同時に第2パートと該第2パートに接するセグメントとを接合して第1パート−第2パートのアセンブリとしたあとセラミック基板と第1パートとを接合してもよい。なお、第1パートと第2パートとを接合する際、第1パートの接合面に設けた凹凸と第2パートの接合面に設けた凹凸とを嵌め合わせた状態で接合してもよい。このとき、第1及び第2パートの熱膨張係数差を考慮して、常温では第2パートの凹凸を第1パートの凹凸に比べて小さめに設計しておき、接合温度に達したとき又は接合温度に達する直前に第2パートが第1パートよりも大きく膨張して第1パートの凹凸と第2パートの凹凸とが嵌り合うようにしてもよい。   Further, as the cylindrical shaft, a first part made of an aluminum-silicon alloy including an end part on the ceramic substrate side, and a second part made of aluminum joined to the end part on the opposite side to the ceramic substrate of the first part You may employ | adopt what has. In that case, the first part and the second part may be joined to form a cylindrical shaft, and then the cylindrical shaft and the ceramic substrate may be joined. Alternatively, the first part and the ceramic substrate may be joined first. The part and the second part may be joined, or the first part, the second part, and the ceramic substrate may be joined simultaneously. At this time, as the first part, a plurality of aluminum-silicon alloy segments joined so that the coefficient of thermal expansion gradually increases from a value close to aluminum nitride to a value close to aluminum may be adopted. In that case, the plurality of segments may be joined in advance to form the first part, and then joined to the ceramic substrate or the second part, or the plurality of segments may be joined together and simultaneously the ceramic substrate and the segment that contacts the ceramic substrate. The first part and the second part may be joined after the ceramic substrate-first part assembly is joined, and the plurality of segments are joined together and at the same time the second part and the second part are in contact with the second part. May be joined to form a first part-second part assembly, and the ceramic substrate and the first part may be joined. In addition, when joining the 1st part and the 2nd part, you may join in the state which fitted the unevenness | corrugation provided in the joining surface of the 1st part, and the unevenness | corrugation provided in the joining surface of the 2nd part. At this time, in consideration of the difference in thermal expansion coefficient between the first and second parts, the unevenness of the second part is designed to be smaller than the unevenness of the first part at room temperature. The second part may expand larger than the first part immediately before reaching the temperature, and the unevenness of the first part and the unevenness of the second part may be fitted.

次に、本発明を実施するための最良の形態を実施例を用いて説明する。   Next, the best mode for carrying out the present invention will be described using examples.

図1は実施例1のシャフト付きヒータ10の断面図、図2は筒状シャフト30の斜視図、図3は筒状シャフト30の寸法入り断面図、図4はシャフト付きヒータ10の製造工程図である。   1 is a cross-sectional view of a heater 10 with a shaft of Example 1, FIG. 2 is a perspective view of a cylindrical shaft 30, FIG. 3 is a sectional view with dimensions of the cylindrical shaft 30, and FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the heater 10 with a shaft. It is.

シャフト付きヒータ10は、プラズマCVD工程などの加熱処理を施すウエハを加熱するのに用いられるものであり、図示しない真空チャンバ内に設置される。このシャフト付きヒータ10は、ウエハを支持可能で抵抗発熱体22が埋設されたセラミック基板20と、このセラミック基板20の背面に接合された筒状シャフト30とを備えている。   The shaft-equipped heater 10 is used to heat a wafer subjected to a heat treatment such as a plasma CVD process, and is installed in a vacuum chamber (not shown). The heater 10 with a shaft includes a ceramic substrate 20 that can support a wafer and has a resistance heating element 22 embedded therein, and a cylindrical shaft 30 that is joined to the back surface of the ceramic substrate 20.

セラミック基板20は、窒化アルミニウム製の円板部材である。このセラミック基板20は、抵抗発熱体22としてモリブデン抵抗発熱体が埋設されている。また、セラミック基板20の背面の中央付近には、第1孔24と第2孔26が開けられている。抵抗発熱体22は、セラミック基板20の略中央に位置する一端22aから端を発し、いわゆる一筆書きの要領でセラミック基板20のほぼ全面にわたって配線されたあと、セラミック基板20の略中央に位置する他端22bに至っている。この抵抗発熱体22の一端22a及び他端22bは、それぞれセラミック基板20の第1孔24及び第2孔26から外部に露出している。なお、セラミック基板20には、高周波電極として平板電極23も埋設されている。   The ceramic substrate 20 is a disk member made of aluminum nitride. In the ceramic substrate 20, a molybdenum resistance heating element is embedded as the resistance heating element 22. A first hole 24 and a second hole 26 are formed near the center of the back surface of the ceramic substrate 20. The resistance heating element 22 starts from one end 22a located substantially at the center of the ceramic substrate 20, and is wired over almost the entire surface of the ceramic substrate 20 in a so-called one-stroke manner. It reaches the end 22b. One end 22a and the other end 22b of the resistance heating element 22 are exposed to the outside from the first hole 24 and the second hole 26 of the ceramic substrate 20, respectively. In the ceramic substrate 20, a flat plate electrode 23 is also embedded as a high-frequency electrode.

筒状シャフト30は、全体がアルミニウム−シリコン合金製の部材である。この筒状シャフト30は、途中に段差32を有しており、段差32を境にしてセラミック基板側が大径部34、セラミック基板20と反対側が小径部36となっている。大径部34の端部及び小径部36の端部には、それぞれフランジ34a,36aが形成されている。そして、筒状シャフト30のうち大径部34の端部がセラミック基板20の背面に接合されている。筒状シャフト30の内部には、抵抗発熱体22の一端22a及び他端22bにそれぞれロウ接合されたニッケル製の給電ロッド38,38が軸方向に沿って設けられている。セラミック基板20の抵抗発熱体22には、この給電ロッド38,38を介して電力が供給される。   The cylindrical shaft 30 is a member made entirely of an aluminum-silicon alloy. The cylindrical shaft 30 has a step 32 in the middle, and the ceramic substrate side is a large diameter portion 34 and the opposite side of the ceramic substrate 20 is a small diameter portion 36 with the step 32 as a boundary. Flange 34a, 36a is formed in the end part of large diameter part 34, and the end part of small diameter part 36, respectively. The end of the large diameter portion 34 of the cylindrical shaft 30 is joined to the back surface of the ceramic substrate 20. Inside the cylindrical shaft 30, nickel power supply rods 38 and 38 that are brazed to one end 22 a and the other end 22 b of the resistance heating element 22 are provided along the axial direction. Electric power is supplied to the resistance heating element 22 of the ceramic substrate 20 through the power supply rods 38 and 38.

次に、このシャフト付きヒータ10の製造方法について説明する。まず、セラミック基板20として、直径340mm、厚み18mmの窒化アルミニウム製のものを準備した。このセラミック基板20の熱膨張係数は5.0ppm/Kであった。そして、このセラミック基板20の背面つまり筒状シャフト30との接合面を、表面粗さRaが0.5μmとなるように研磨加工した。なお、このようなセラミック基板20は、例えば特開2006−232576の実施例の記載に準じて作製可能である。一方、20wt%Al−80wt%Si合金(熱膨張係数4.9ppm/K)製のインゴットをスプレーフォーミング法で作製し、このインゴットから切削加工により図3に示す形状及び寸法を有する筒状シャフト30を作製した。この筒状シャフト30の大径部34の端部表面つまりセラミック基板20との接合面を、表面粗さRaが0.5μmとなるように研磨加工した。続いて、図4に示すように、筒状シャフト30の大径部34の端部が下になるようにして、セラミック基板20の背面に筒状シャフト30を載せた。このとき、筒状シャフト30の軸中心とセラミック基板20の中心とが一致するようにした。そして、この状態で不活性ガス雰囲気(ここでは窒素ガス雰囲気、減圧100Pa以下)の真空炉中に入れ、大径部34の端部に形成されたフランジ34aを円筒状のアルミナ治具40で10kg(1000Pa)の荷重をかけて押圧しながら540℃に加熱し、1時間保持した後、炉内で冷却した。こうすることにより、筒状シャフト30の大径部34の端部がセラミック基板20の背面に接合された。20wt%Al−80wt%Si合金中の共晶成分(88wt%Al−12wt%Si)が540℃での押圧により拡散流動し半液相化することにより、窒化アルミニウムとの界面で、主として固相接合(拡散接合)により接合される。なお、アルミナ治具40とフランジ34aとの押圧面には、予め窒化ホウ素パウダをスプレーして両者がくっつくのを防止した(以下の実施例でも同じ)。   Next, the manufacturing method of this heater 10 with a shaft is demonstrated. First, as the ceramic substrate 20, an aluminum nitride substrate having a diameter of 340 mm and a thickness of 18 mm was prepared. The thermal expansion coefficient of the ceramic substrate 20 was 5.0 ppm / K. Then, the back surface of the ceramic substrate 20, that is, the joint surface with the cylindrical shaft 30 was polished so that the surface roughness Ra was 0.5 μm. In addition, such a ceramic substrate 20 can be manufactured according to the description of the Example of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-232576, for example. On the other hand, an ingot made of a 20 wt% Al-80 wt% Si alloy (thermal expansion coefficient 4.9 ppm / K) is produced by a spray forming method, and the cylindrical shaft 30 having the shape and dimensions shown in FIG. 3 is cut from this ingot. Was made. The end surface of the large-diameter portion 34 of the cylindrical shaft 30, that is, the joint surface with the ceramic substrate 20, was polished so that the surface roughness Ra was 0.5 μm. Subsequently, as shown in FIG. 4, the cylindrical shaft 30 was placed on the back surface of the ceramic substrate 20 with the end of the large-diameter portion 34 of the cylindrical shaft 30 facing down. At this time, the axial center of the cylindrical shaft 30 and the center of the ceramic substrate 20 were made to coincide. And in this state, it puts in the vacuum furnace of inert gas atmosphere (here nitrogen gas atmosphere, pressure reduction 100Pa or less), and the flange 34a formed in the edge part of the large diameter part 34 is 10 kg with the cylindrical alumina jig | tool 40. FIG. It heated at 540 degreeC, pressing and applying the load of (1000 Pa), and hold | maintaining for 1 hour, Then, it cooled in the furnace. By doing so, the end of the large-diameter portion 34 of the cylindrical shaft 30 was joined to the back surface of the ceramic substrate 20. The eutectic component (88 wt% Al-12 wt% Si) in the 20 wt% Al-80 wt% Si alloy diffuses and flows by pressing at 540 ° C. and becomes a semi-liquid phase. Joined by joining (diffusion joining). Note that boron nitride powder was previously sprayed on the pressing surfaces of the alumina jig 40 and the flange 34a to prevent them from sticking to each other (the same applies to the following examples).

次に、こうして得られたシャフト付きヒータ10の性能について説明する。ヘリウムリークディテクタ(型名:MSE−2000、メーカ名:島津製作所)を用いて、フード法により、筒状シャフト30の内部を真空引きした状態で筒状シャフト30の外側をヘリウムガス雰囲気とすることでセラミック基板20と筒状シャフト30との接合面の気密性を測定したところ、リーク量は1×10-9Pa・m3/sec以下であった。この結果から、シャフト付きヒータ10のセラミック基板20と筒状シャフト30との接合面は極めて良好な気密性を有していることがわかった。 Next, the performance of the heater 10 with a shaft thus obtained will be described. Using a helium leak detector (model name: MSE-2000, manufacturer name: Shimadzu Corporation), the outside of the cylindrical shaft 30 is made a helium gas atmosphere by vacuuming the inside of the cylindrical shaft 30 by the hood method. Then, when the airtightness of the joint surface between the ceramic substrate 20 and the cylindrical shaft 30 was measured, the leak amount was 1 × 10 −9 Pa · m 3 / sec or less. From this result, it was found that the joint surface between the ceramic substrate 20 and the cylindrical shaft 30 of the heater with shaft 10 has very good airtightness.

また、シャフト付きヒータ10を図示しない真空チャンバ内に設置し、窒素ガス50Pa中でセラミック基板20に埋設された抵抗発熱体22に給電ロッド38,38を介して電力を供給して350℃に昇温した。このときのセラミック基板20の温度分布を赤外線温度モニタ(型名:JTG6400、メーカ名:JEOL)を用いて測定したところ、プラズマなしで6℃、プラズマありで8℃であった。ここで、温度分布とは、セラミック基板20のウエハ載置面のφ300mmの領域を赤外線温度モニタで測定したときの最高温度と最低温度との差をいう。この結果から、プラズマの有無によって温度分布にほとんど差がみられないことがわかった。なお、プラズマは、セラミック基板20に埋設された平板電極23と真空チャンバ内に設置された平板電極(図示せず)との間に13.56MHz、1200Wの高周波電力を印加することにより発生させた。   In addition, the shaft-equipped heater 10 is installed in a vacuum chamber (not shown), and power is supplied to the resistance heating element 22 embedded in the ceramic substrate 20 in nitrogen gas 50 Pa through the power supply rods 38 and 38 and the temperature is raised to 350 ° C. Warm up. When the temperature distribution of the ceramic substrate 20 at this time was measured using an infrared temperature monitor (model name: JTG6400, manufacturer name: JEOL), it was 6 ° C. without plasma and 8 ° C. with plasma. Here, the temperature distribution means a difference between the highest temperature and the lowest temperature when an area of φ300 mm on the wafer mounting surface of the ceramic substrate 20 is measured with an infrared temperature monitor. From this result, it was found that there was almost no difference in temperature distribution depending on the presence or absence of plasma. The plasma was generated by applying high frequency power of 13.56 MHz and 1200 W between the flat plate electrode 23 embedded in the ceramic substrate 20 and the flat plate electrode (not shown) installed in the vacuum chamber. .

更に、室温と450℃の間の熱サイクルを1000回繰り返した後に先ほどと同様にして気密性を測定したところ、リーク量は依然として1×10-9Pa・m3/sec以下であり、良好な気密性を維持していた。 Furthermore, after repeating the heat cycle between room temperature and 450 ° C. 1000 times, the airtightness was measured in the same manner as before. The leak amount was still 1 × 10 −9 Pa · m 3 / sec or less, which was good. Airtightness was maintained.

以上詳述した実施例1のシャフト付きヒータ10によれば、真空チャンバ内に設置したときに、筒状シャフト30の内部空間から真空チャンバの内部空間へのガスのリークを防止することができる。また、筒状シャフト30とセラミック基板20との間に熱障壁が存在しないため、シャフト付きヒータ10を真空チャンバ内に設置してプラズマを発生させたときにセラミック基板20の中央付近の熱を筒状シャフト30を介して効率よく除去することができ、セラミック基板20上の各点の温度差を小さくすることができる。これにより、セラミック基板20に支持されるウエハの温度を制御しやすくなる。   According to the shaft-equipped heater 10 of the first embodiment described in detail above, gas leakage from the internal space of the cylindrical shaft 30 to the internal space of the vacuum chamber can be prevented when installed in the vacuum chamber. Further, since there is no thermal barrier between the cylindrical shaft 30 and the ceramic substrate 20, when the plasma is generated by installing the heater 10 with the shaft in the vacuum chamber, the heat near the center of the ceramic substrate 20 is cylindrical. It can be efficiently removed via the shaft 30 and the temperature difference between the points on the ceramic substrate 20 can be reduced. Thereby, it becomes easy to control the temperature of the wafer supported by the ceramic substrate 20.

比較例Comparative example

図13は比較例のシャフト付きヒータ110の断面図である。シャフト付きヒータ110は、実施例1と同様のセラミック基板20と、そのセラミック基板20をアルミナリング112(直径120mm、内径80mm、厚み10mm)を介して背面側から支持する実施例1と同様の筒状シャフト30とを備えている。このシャフト付きヒータ110は以下のようにして製造した。すなわち、筒状シャフト30の大径部34の端部に設けられたフランジ34aを貫通する貫通孔と、アルミナリング112を貫通する貫通孔と、セラミック基板20の背面に設けられたボルト穴116とを同軸になるように位置決めしたあと、フランジ34aの貫通孔の下方からボルト114を差し込んでボルト穴116に螺合することにより、筒状シャフト30とアルミナリング112とセラミック基板20とを一体化した。   FIG. 13 is a sectional view of a heater 110 with a shaft of a comparative example. The heater 110 with a shaft is the same ceramic substrate 20 as in the first embodiment, and a cylinder similar to the first embodiment that supports the ceramic substrate 20 from the back side through an alumina ring 112 (diameter 120 mm, inner diameter 80 mm, thickness 10 mm). The shaft 30 is provided. This heater 110 with a shaft was manufactured as follows. That is, a through hole that penetrates the flange 34 a provided at the end of the large diameter portion 34 of the cylindrical shaft 30, a through hole that penetrates the alumina ring 112, and a bolt hole 116 provided on the back surface of the ceramic substrate 20. Are positioned so as to be coaxial, and then the bolt 114 is inserted from below the through hole of the flange 34a and screwed into the bolt hole 116, thereby integrating the cylindrical shaft 30, the alumina ring 112, and the ceramic substrate 20. .

次に、こうして得られたシャフト付きヒータ110の性能について説明する。実施例1と同様にしてセラミック基板20と筒状シャフト30との接合面の気密性を測定したところ、リーク量が1×10-3Pa・m3/sec以上であり、ヘリウムガスの漏れが確認された。また、実施例1と同様にして350℃におけるセラミック基板20の温度分布を測定したところ、プラズマなしで6℃、プラズマありで12℃であり、プラズマの有無により温度分布に大きな差があることがわかった。 Next, the performance of the heater 110 with a shaft thus obtained will be described. When the airtightness of the joint surface between the ceramic substrate 20 and the cylindrical shaft 30 was measured in the same manner as in Example 1, the leak amount was 1 × 10 −3 Pa · m 3 / sec or more, and helium gas leaked. confirmed. Further, when the temperature distribution of the ceramic substrate 20 at 350 ° C. was measured in the same manner as in Example 1, it was 6 ° C. without plasma and 12 ° C. with plasma, and there was a large difference in temperature distribution depending on the presence or absence of plasma. all right.

図5は実施例2のシャフト付きヒータ50の断面図、図6は筒状シャフト60の寸法入り断面図、図7及び図8はシャフト付きヒータ50の製造工程図である。   FIG. 5 is a sectional view of the heater 50 with a shaft according to the second embodiment, FIG. 6 is a sectional view with dimensions of the cylindrical shaft 60, and FIGS. 7 and 8 are manufacturing process diagrams of the heater 50 with a shaft.

シャフト付きヒータ50は、実施例1の筒状シャフト30の代わりに筒状シャフト60を採用した以外は、実施例1と同様であるため、実施例1と同じ構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。   The heater 50 with a shaft is the same as that of the first embodiment except that the cylindrical shaft 60 is adopted instead of the cylindrical shaft 30 of the first embodiment. The description is omitted.

筒状シャフト60は、途中に段差62を有しており、段差62を境にしてセラミック基板側が大径部64、セラミック基板20と反対側が小径部66となっている。大径部64の端部及び小径部66の端部には、それぞれフランジ64a,66aが形成されている。そして、筒状シャフト60のうち大径部64の端部がセラミック基板20の背面に接合されている。また、筒状シャフト60は、第1パートP1と第2パートP2とを接合することにより作製されたものである。第1パートP1は、大径部64の端部から段差62の手前までの部分であり、アルミニウム−シリコン合金製である。この第1パートP1のセラミック基板側とは反対側の端面P1aは、外周側に比べて内周側が突出した凹凸形状となっている。一方、第2パートP2は、大径部64の一部と小径部66の全体を含む部分であり、アルミニウム製である。この第2パートP2の第1パートP1に対向する側の端面P2aは、外周側に比べて内周側が没入した凹凸形状となっている。そして、第1パートP1の端面P1aと第2パートP2の端面P2aとは、互いの凹凸が隙間なく嵌り合った状態で接合されている。このような接合形態は、インロー継ぎと呼ばれる。なお、筒状シャフト60の寸法を図6に示した。   The cylindrical shaft 60 has a step 62 in the middle, and the ceramic substrate side has a large-diameter portion 64 and the opposite side to the ceramic substrate 20 has a small-diameter portion 66 with the step 62 as a boundary. Flange 64 a and 66 a are formed at the end of the large diameter portion 64 and the end of the small diameter portion 66, respectively. The end of the large diameter portion 64 of the cylindrical shaft 60 is joined to the back surface of the ceramic substrate 20. Moreover, the cylindrical shaft 60 is produced by joining the 1st part P1 and the 2nd part P2. The first part P1 is a portion from the end of the large diameter portion 64 to the front of the step 62, and is made of an aluminum-silicon alloy. The end surface P1a opposite to the ceramic substrate side of the first part P1 has a concavo-convex shape in which the inner peripheral side protrudes compared to the outer peripheral side. On the other hand, the second part P2 is a part including a part of the large diameter part 64 and the entire small diameter part 66, and is made of aluminum. The end surface P2a on the side of the second part P2 facing the first part P1 has a concave-convex shape in which the inner peripheral side is immersed compared to the outer peripheral side. And the end surface P1a of the 1st part P1 and the end surface P2a of the 2nd part P2 are joined in the state by which the mutual unevenness | corrugation fits without gap. Such a joining form is called a spigot joint. The dimensions of the cylindrical shaft 60 are shown in FIG.

次に、このシャフト付きヒータ50の製造方法について図7及び図8に基づいて説明する。まず、実施例1と同様のセラミック基板20を準備した。また、20wt%Al−80wt%Si合金(熱膨張係数4.9ppm/K)製のインゴットをスプレーフォーミング法で作製し、このインゴットから切削加工により第1パートP1を作製した。このとき、第1パートP1の端面P1aを、外周側に比べて内周側が突出した凹凸形状になるように切削加工した。そして、第1パートP1のセラミック基板20との接合面を、表面粗さRaが0.5μmとなるように研磨加工した。一方、第2パートP2を耐食アルミニウム伸展材A6061を用いて作製した。このとき、第2パートP2の端面P2aを、外周側に比べて内周側が没入した凹凸形状となるように切削加工した。第1パートP1と第2パートP2は、接合温度で互いの凹凸が嵌り合うように、熱膨張係数差を考慮して、第2パートP2が第1パートP1より小さくなるように寸法を設定した。ここでは、540℃でクリアランスが径方向に0.1mm以下となるように設定した。   Next, the manufacturing method of this heater 50 with a shaft is demonstrated based on FIG.7 and FIG.8. First, the same ceramic substrate 20 as in Example 1 was prepared. Further, an ingot made of a 20 wt% Al-80 wt% Si alloy (thermal expansion coefficient 4.9 ppm / K) was produced by a spray forming method, and a first part P1 was produced from the ingot by cutting. At this time, the end surface P1a of the first part P1 was cut so as to have an uneven shape with the inner peripheral side protruding compared to the outer peripheral side. And the joining surface with the ceramic substrate 20 of the 1st part P1 was grind | polished so that surface roughness Ra might be set to 0.5 micrometer. On the other hand, 2nd part P2 was produced using the corrosion-resistant aluminum extension material A6061. At this time, the end surface P2a of the second part P2 was cut so as to have an uneven shape in which the inner peripheral side was immersed compared to the outer peripheral side. The first part P1 and the second part P2 are dimensioned so that the second part P2 is smaller than the first part P1 in consideration of the difference in thermal expansion coefficient so that the irregularities fit each other at the bonding temperature. . Here, the clearance was set to be 0.1 mm or less in the radial direction at 540 ° C.

続いて、図7に示すように、加熱炉内で、第1パートP1のフランジ64aが下になるようにしてセラミック基板20の背面に第1パートP1を載せ、更に第2パートP2の端面P2aが下になるようにして第1パートP1の端面P1aに第2パートP2を載せた。このとき、第1パートP1及び第2パートP2の軸中心とセラミック基板20の中心とが一致するようにした。この状態では、第2パートP2と第1パートP1は互いの凹凸が嵌り合わないので、円筒状の内側アルミナ治具42で第2パートP2の外周を支持した。そして、この状態で加熱炉を不活性ガス雰囲気とし、第1パートP1のフランジ34aを円筒状の外側アルミナ治具44により10kg(1000Pa)の荷重をかけて押圧しながら540℃に加熱し、540℃に達した時点で内側アルミナ治具42により第2パートP2の段差62に4kg(1300Pa)の荷重をかけて押圧しながら540℃まで加熱した。540℃に到達するより前に、第2パートP2は熱膨張により端面P2aの凹凸が広がり、図8に示すように、重力の作用によって下がって第1パートP1の凹凸に嵌り合った。その後、540℃で1時間保持した後、炉内で冷却した。こうすることにより、第1パートP1のフランジ側の端部がセラミック基板20の背面に接合されると共に、第1パートP1と第2パートP2とが接合された。   Subsequently, as shown in FIG. 7, in the heating furnace, the first part P1 is placed on the back surface of the ceramic substrate 20 with the flange 64a of the first part P1 facing down, and the end surface P2a of the second part P2 is further placed. The second part P2 is placed on the end face P1a of the first part P1 so that the lower part is on the lower side. At this time, the axial centers of the first part P1 and the second part P2 were made to coincide with the center of the ceramic substrate 20. In this state, the unevenness of the second part P2 and the first part P1 is not fitted, so the outer periphery of the second part P2 is supported by the cylindrical inner alumina jig 42. In this state, the heating furnace is set to an inert gas atmosphere, and the flange 34a of the first part P1 is heated to 540 ° C. while applying a load of 10 kg (1000 Pa) by the cylindrical outer alumina jig 44. When the temperature reached 60 ° C., the inner alumina jig 42 applied the load of 4 kg (1300 Pa) to the step 62 of the second part P2, and heated it to 540 ° C. while pressing. Prior to reaching 540 ° C., the unevenness of the end face P2a of the second part P2 expanded due to thermal expansion, and as shown in FIG. 8, it was lowered by the action of gravity and fitted into the unevenness of the first part P1. Then, after hold | maintaining at 540 degreeC for 1 hour, it cooled in the furnace. By doing so, the end of the first part P1 on the flange side was joined to the back surface of the ceramic substrate 20, and the first part P1 and the second part P2 were joined.

次に、こうして得られたシャフト付きヒータ50の性能について説明する。実施例1と同様にしてセラミック基板20と筒状シャフト60との接合面の気密性を測定したところ、リーク量は1×10-9Pa・m3/sec以下であり、良好な気密性を有していた。また、実施例1と同様にして350℃におけるセラミック基板20の温度分布を測定したところ、プラズマなしで6℃、プラズマありで7℃であり、プラズマの有無により温度分布にほとんど差がなかった。更に、室温と450℃の間の熱サイクルを1000回繰り返した後に気密性を測定したところ、リーク量は5×10-9Pa・m3/secであった。 Next, the performance of the thus obtained shaft-equipped heater 50 will be described. When the airtightness of the joint surface between the ceramic substrate 20 and the cylindrical shaft 60 was measured in the same manner as in Example 1, the leak amount was 1 × 10 −9 Pa · m 3 / sec or less, and good airtightness was obtained. Had. Further, when the temperature distribution of the ceramic substrate 20 at 350 ° C. was measured in the same manner as in Example 1, it was 6 ° C. without plasma and 7 ° C. with plasma, and there was almost no difference in temperature distribution depending on the presence or absence of plasma. Further, when the airtightness was measured after repeating the thermal cycle between room temperature and 450 ° C. 1000 times, the leak amount was 5 × 10 −9 Pa · m 3 / sec.

以上詳述した実施例2のシャフト付きヒータ50によれば、実施例1の効果に加えて以下の効果も得られる。すなわち、第1パートP1と第2パートP2との熱膨張係数差を利用して焼き嵌めの効果を得ることができる。また、内側アルミナ治具42による第2パートP2の押圧面(段差62)を端面P2aの直近にすることにより、接合面に直接押圧力が掛かり易くなり、しかも押圧面以外の部分(中空部分やフランジ部分)の高温加熱時の加重による変形を防ぐことができる。このため、良好な寸法精度を得ることができる。更に、実施例1と比較してアルミニウム−シリコン合金製のインゴットを小さなサイズにすることができるため、コスト的に極めて有利であると共に、アルミニウム製の第2パートP2はアルミニウム−シリコン合金製の第1パートP1に比べて熱伝導率が大きいため、セラミック基板20の中央付近の熱を筒状シャフト60を介して一層効率よく除去することができる。更にまた、第1パートP1が十分長く設計されている(ここでは70mm以上)ため、第1パートP1と第2パートP2との接合部分の温度が高くなりすぎず、両者の熱膨張係数差に起因する気密性の低下が有効に防止される。70mm未満とすると、シャフト付きヒータを450℃と室温で熱サイクルをかけた場合、300回で2×10-7Pa・m3/secのリークが発生したが、70mm以上では上記のような良好な結果が得られた。 According to the heater 50 with a shaft of Example 2 explained in full detail above, in addition to the effect of Example 1, the following effects are also acquired. That is, the effect of shrink fitting can be obtained by utilizing the difference in thermal expansion coefficient between the first part P1 and the second part P2. Further, by making the pressing surface (step 62) of the second part P2 by the inner alumina jig 42 close to the end surface P2a, it becomes easy to apply a pressing force directly to the joining surface, and the portion other than the pressing surface (hollow portion or It is possible to prevent deformation due to load during high-temperature heating of the flange portion). For this reason, favorable dimensional accuracy can be obtained. Furthermore, since the ingot made of aluminum-silicon alloy can be reduced in size as compared with the first embodiment, it is extremely advantageous in terms of cost, and the second part P2 made of aluminum is the first made of aluminum-silicon alloy. Since the thermal conductivity is higher than that of the first part P1, heat near the center of the ceramic substrate 20 can be removed more efficiently through the cylindrical shaft 60. Furthermore, since the first part P1 is designed to be sufficiently long (70 mm or more in this case), the temperature of the joint part between the first part P1 and the second part P2 does not become too high, and the difference in thermal expansion coefficient between the two parts The resulting decrease in hermeticity is effectively prevented. If it is less than 70 mm, when a heater with a shaft is subjected to a thermal cycle at 450 ° C. and room temperature, a leak of 2 × 10 −7 Pa · m 3 / sec occurs in 300 times, but it is good as described above at 70 mm or more. Results were obtained.

実施例3は、実施例2の第1パートP1の作製方法を変更した以外は、実施例2とほぼ同様であるため、実施例2と同じ構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。図9は実施例3の第1パートP1を作製する際に使用するセグメントの説明図であり、(a)は断面図、(b)は平面図である。また、図10は実施例3の第1パートP1の製造工程図である。なお、実施例3の第1パートP1は高さ28mm、第2パートP2は高さ142mmとした。   The third embodiment is substantially the same as the second embodiment except that the manufacturing method of the first part P1 of the second embodiment is changed. Therefore, the same components as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted. Omitted. FIGS. 9A and 9B are explanatory views of segments used when the first part P1 of Example 3 is manufactured, in which FIG. 9A is a cross-sectional view and FIG. 9B is a plan view. FIG. 10 is a manufacturing process diagram of the first part P1 of the third embodiment. The first part P1 of Example 3 was 28 mm in height, and the second part P2 was 142 mm in height.

この実施例3では、第1パートP1を、アルミニウム−シリコン合金製のリング状の第1〜第4セグメントS1〜S4を接合することにより作製した。第1セグメントS1は20wt%Al−80wt%Siの合金(熱膨張係数4.9ppm/K)、第2セグメントS2は30wt%Al−70wt%Siの合金(熱膨張係数7ppm/K)、第3セグメントS3は55wt%Al−45wt%Siの合金(熱膨張係数12ppm/K)、第4セグメントS4は75wt%Al−25wt%Siの合金(熱膨張係数17ppm/K)を使用した。各セグメントS1〜S4は、いずれもスプレーフォーミング法で作製したインゴットから研削加工して作製したものであり、それぞれの接合面にはシリコン製のピン(位置決め用)を挿入可能な座繰り孔をリング中心に対して点対称となるように2箇所ずつ設けた。なお、第1セグメントS1にはフランジ64aを形成し、第4セグメントS4には凹凸を有する端面P1aを形成した。   In Example 3, the first part P1 was produced by joining ring-shaped first to fourth segments S1 to S4 made of an aluminum-silicon alloy. The first segment S1 is an alloy of 20 wt% Al-80 wt% Si (thermal expansion coefficient 4.9 ppm / K), the second segment S2 is an alloy of 30 wt% Al-70 wt% Si (thermal expansion coefficient 7 ppm / K), the third Segment S3 was an alloy of 55 wt% Al-45 wt% Si (thermal expansion coefficient 12 ppm / K), and the fourth segment S4 was an alloy of 75 wt% Al-25 wt% Si (thermal expansion coefficient 17 ppm / K). Each of the segments S1 to S4 is produced by grinding from an ingot produced by a spray forming method. Each joint surface is provided with a countersink hole into which a silicon pin (for positioning) can be inserted. Two locations were provided so as to be point-symmetric with respect to the center. In addition, the flange 64a was formed in 1st segment S1, and the end surface P1a which has an unevenness | corrugation was formed in 4th segment S4.

そして、図10に示すように、加熱炉内でセラミック基板20の背面に第1セグメントS1から第4セグメントS1までを順番に座繰り孔にピンを差し込みながら積層した。このとき、各セグメントS1〜S4の軸中心とセラミック基板20の中心とが一致するようにした。この状態で、第4セグメントS4に内側アルミナ治具46より4kg(1300Pa)の荷重をかけて押圧すると共にフランジ64aに外側アルミナ治具48により10kg(1000Pa)の荷重をかけて押圧しながら、不活性ガス雰囲気中で540℃に加熱し、1時間保持した後、炉内で冷却した。こうすることにより、第1セグメントS1の端部がセラミック基板20の背面に接合されると共に第1〜第4セグメントS1〜S4がそれぞれ接合された。その後、第1パートP1の端面P1aに、第2パートP2(高さ142mm)を実施例2の製造工程に準じて接合することにより、実施例3のシャフト付きヒータを得た。   Then, as shown in FIG. 10, the first segment S <b> 1 to the fourth segment S <b> 1 were sequentially stacked on the back surface of the ceramic substrate 20 in the heating furnace while inserting pins into the countersunk holes. At this time, the axis center of each segment S1-S4 and the center of the ceramic substrate 20 were made to correspond. In this state, the fourth segment S4 is pressed with a load of 4 kg (1300 Pa) from the inner alumina jig 46 and is pressed with a load of 10 kg (1000 Pa) by the outer alumina jig 48 on the flange 64a. The mixture was heated to 540 ° C. in an active gas atmosphere, held for 1 hour, and then cooled in the furnace. By carrying out like this, the edge part of 1st segment S1 was joined to the back surface of the ceramic substrate 20, and 1st-4th segment S1-S4 was joined, respectively. Thereafter, the second part P2 (height 142 mm) was joined to the end face P1a of the first part P1 according to the manufacturing process of Example 2, thereby obtaining the heater with a shaft of Example 3.

こうして得られたシャフト付きヒータについて、実施例1と同様にして気密性を測定したところ、リーク量は1×10-9Pa・m3/sec以下であり、良好な気密性を有していた。また、実施例1と同様にして350℃におけるセラミック基板20の温度分布を測定したところ、プラズマなしで6℃、プラズマありで6℃であり、プラズマの有無により温度分布に差がなかった。更に、室温と450℃の間の熱サイクルを1000回繰り返した後に気密性を測定したところ、リーク量は依然として1×10-9Pa・m3/sec以下であり、良好な気密性を維持していた。 When the airtightness of the heater with a shaft thus obtained was measured in the same manner as in Example 1, the leak amount was 1 × 10 −9 Pa · m 3 / sec or less, and it had good airtightness. . Further, when the temperature distribution of the ceramic substrate 20 at 350 ° C. was measured in the same manner as in Example 1, it was 6 ° C. without plasma and 6 ° C. with plasma, and there was no difference in temperature distribution depending on the presence or absence of plasma. Furthermore, when the airtightness was measured after 1000 thermal cycles between room temperature and 450 ° C., the leak rate was still 1 × 10 −9 Pa · m 3 / sec or less, and good airtightness was maintained. It was.

以上詳述した実施例3のシャフト付きヒータによれば、実施例1,2の効果に加えて以下の効果も得られる。すなわち、第1パートP1は熱膨張係数がセラミック基板20に近い値から第2パートP2に近い値まで段階的に徐々に変化しているため、第1パートP1の長さを短くし第2パートP2の長さを長くしても熱膨張差に起因する両パート間の気密性の低下を招くおそれがない。また、第1パートP1に比べて熱伝導率の高い第2パートP2の長さを長くすることができるため、プラズマの有無による温度分布の発生をよりよく抑制することができる。更に、各セグメントS1〜S4の接合面や第1パートP1と第2パートP2との接合面は強固且つ気密な界面になると共に発生する熱応力が小さくなるため、長期の繰り返し熱サイクルの後でも高い気密性が保持される。更に、シャフト部の大部分が熱伝導率の良いアルミニウムでできているため、シャフト部からの熱の逃げが良好であり、プラズマの有無によるプレートの温度変化をよりよく制御できる。   According to the heater with a shaft of the third embodiment described in detail above, the following effects can be obtained in addition to the effects of the first and second embodiments. That is, since the thermal expansion coefficient of the first part P1 gradually changes from a value close to the ceramic substrate 20 to a value close to the second part P2, the length of the first part P1 is shortened to reduce the second part P1. Even if the length of P2 is increased, there is no possibility that the airtightness between the parts is reduced due to the difference in thermal expansion. Moreover, since the length of the 2nd part P2 with high heat conductivity compared with the 1st part P1 can be lengthened, generation | occurrence | production of the temperature distribution by the presence or absence of a plasma can be suppressed more effectively. Furthermore, since the joining surfaces of the segments S1 to S4 and the joining surfaces of the first part P1 and the second part P2 become a strong and airtight interface and the generated thermal stress is reduced, even after a long repeated thermal cycle. High airtightness is maintained. Further, since most of the shaft portion is made of aluminum having a good thermal conductivity, the heat escape from the shaft portion is good, and the temperature change of the plate due to the presence or absence of plasma can be better controlled.

実施例4は、実施例2の第1パートP1の作製方法を変更した以外は、実施例2とほぼ同様であるため、実施例2と同じ構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。図11は実施例4の第1パートP1を作製する際に使用するセグメントの断面図、図12は実施例4のシャフト付きヒータの製造工程図である。なお、実施例4の第1パートP1は、高さ28mm、第2パートP2は高さ142mmとした。   The fourth embodiment is substantially the same as the second embodiment except that the manufacturing method of the first part P1 of the second embodiment is changed. Therefore, the same components as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted. Omitted. FIG. 11 is a cross-sectional view of a segment used when manufacturing the first part P1 of Example 4, and FIG. 12 is a manufacturing process diagram of the heater with a shaft of Example 4. The first part P1 of Example 4 was 28 mm in height, and the second part P2 was 142 mm in height.

この実施例4では、第1パートP1を、図11に示したリング状の第1〜第4セグメントS11〜S14を接合することにより作製した。各セグメントS11〜S14の材質は実施例3の各セグメントS1〜S4と同じである。また、各セグメントS11〜S14は、いずれもスプレーフォーミング法で作製したインゴットから研削加工して作製したものであり、それぞれの接合面には互いに嵌り合う凹凸を設け、インロー継ぎが可能なようにした。   In Example 4, the first part P1 was produced by joining the ring-shaped first to fourth segments S11 to S14 shown in FIG. The material of each segment S11-S14 is the same as each segment S1-S4 of Example 3. In addition, each of the segments S11 to S14 was prepared by grinding from an ingot produced by a spray forming method, and each joint surface was provided with concavities and convexities that fit each other so that the spigot joint was possible. .

そして、図12に示すように、加熱炉内でセラミック基板20の背面に、88wt%Al−12wt%Siの合金でできたドーナツ形状の箔(外径100mm、内径91mm、厚み0.05mm)を載せ、そこに第1セグメントS1から第4セグメントS1までを順番に先ほどと同様の箔を挟みながら積層し、更にその上に箔を介して第2パートP2を載せた。このとき、各セグメントS1〜S4の軸中心とセラミック基板20の中心と第2パートP2の軸中心とが一致するようにした。こうした位置決めは、実施例2で用いた内側アルミナ治具42と外側アルミナ治具44を用いることにより行った。このとき、外側アルミナ治具44は、内側アルミナ治具42のガイドとしての役割も果たした。この状態で、各アルミナ治具42,44に荷重をかけることなく、不活性ガス雰囲気中で540℃に加熱し、1時間保持した後、炉内で冷却した。こうすることにより、シャフト付きヒータを得た。   Then, as shown in FIG. 12, a doughnut-shaped foil (outer diameter 100 mm, inner diameter 91 mm, thickness 0.05 mm) made of an alloy of 88 wt% Al-12 wt% Si is placed on the back surface of the ceramic substrate 20 in the heating furnace. Then, the first segment S1 to the fourth segment S1 were laminated in that order while sandwiching the same foil as before, and the second part P2 was further placed thereon via the foil. At this time, the axial centers of the segments S1 to S4, the center of the ceramic substrate 20, and the axial center of the second part P2 were made to coincide. Such positioning was performed by using the inner alumina jig 42 and the outer alumina jig 44 used in Example 2. At this time, the outer alumina jig 44 also served as a guide for the inner alumina jig 42. In this state, the alumina jigs 42 and 44 were heated to 540 ° C. in an inert gas atmosphere without applying a load, held for 1 hour, and then cooled in the furnace. In this way, a heater with a shaft was obtained.

こうして得られたシャフト付きヒータについて、実施例1と同様にして気密性を測定したところ、リーク量が1×10-9Pa・m3/sec以下であり、良好な気密性を有していた。また、実施例1と同様にして350℃におけるセラミック基板20の温度分布を測定したところ、プラズマなしで6℃、プラズマありで6℃であり、プラズマの有無により温度分布に差がなかった。更に、室温と450℃の間の熱サイクルを1000回繰り返した後に気密性を測定したところ、リーク量は依然として1×10-9Pa・m3/sec以下であり、良好な気密性を維持していた。 When the airtightness of the heater with a shaft thus obtained was measured in the same manner as in Example 1, the leak amount was 1 × 10 −9 Pa · m 3 / sec or less, and the airtightness was good. . Further, when the temperature distribution of the ceramic substrate 20 at 350 ° C. was measured in the same manner as in Example 1, it was 6 ° C. without plasma and 6 ° C. with plasma, and there was no difference in temperature distribution depending on the presence or absence of plasma. Furthermore, when the airtightness was measured after 1000 thermal cycles between room temperature and 450 ° C., the leak rate was still 1 × 10 −9 Pa · m 3 / sec or less, and good airtightness was maintained. It was.

以上詳述した実施例4のシャフト付きヒータによれば、実施例3の効果に加えて以下の効果も得られる。すなわち、各部品と治具の自重のみで接合することができるため、実施例3に比べて製造工程が簡素化される。   According to the heater with a shaft of the fourth embodiment described in detail above, the following effects can be obtained in addition to the effects of the third embodiment. That is, since it can join only with the weight of each component and a jig | tool, a manufacturing process is simplified compared with Example 3. FIG.

なお、本発明は上述した実施例に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。   In addition, this invention is not limited to the Example mentioned above at all, and as long as it belongs to the technical scope of this invention, it cannot be overemphasized that it can implement with a various aspect.

例えば、上述した各実施例では、筒状シャフト30,60に段差32,62を設けたが、こうした段差32,62をなくしてストレートなシャフトにしてもよい。   For example, in each of the above-described embodiments, the cylindrical shafts 30 and 60 are provided with the steps 32 and 62. However, the steps 32 and 62 may be eliminated to form a straight shaft.

上述した実施例1〜3では、セラミック基板20と筒状シャフト30,60との間にロウ材を用いずに固相接合又は液相接合するとしたが、ロウ材(例えば実施例4の88wt%Al−12wt%Siの合金でできた箔など)を用いて接合してもよい。   In Examples 1 to 3 described above, solid phase bonding or liquid phase bonding is performed between the ceramic substrate 20 and the cylindrical shafts 30 and 60 without using a brazing material, but the brazing material (for example, 88 wt% of Example 4). Bonding may be performed using a foil made of an alloy of Al-12 wt% Si.

上述した実施例3では、セラミック基板20に第1〜第4セグメントS1〜S4を積層し、その状態で加熱して接合することによりセラミック基板20と第1〜第4セグメントS1〜S4とのアセンブリを得るようにしたが、第1〜第4セグメントS1〜S4だけを積層して第1パートP1を作製し、その後、実施例2と同様にしてシャフト付きヒータを作製してもよい。あるいは、第1〜第4セグメントS1〜S4に第2パートP2を積層し、その状態で加熱して接合することにより筒状シャフト60を作製し、その後、実施例1と同様にしてシャフト付きヒータを作製してもよい。   In Example 3 mentioned above, the 1st-4th segment S1-S4 is laminated | stacked on the ceramic substrate 20, and the assembly of the ceramic substrate 20 and 1st-4th segment S1-S4 is heated and joined in the state. However, only the first to fourth segments S1 to S4 may be laminated to produce the first part P1, and then the heater with a shaft may be produced in the same manner as in Example 2. Or the 2nd part P2 is laminated | stacked on the 1st-4th segments S1-S4, the cylindrical shaft 60 is produced by heating and joining in that state, and it is the heater with a shaft similarly to Example 1 after that. May be produced.

実施例1のシャフト付きヒータ10の断面図。Sectional drawing of the heater 10 with a shaft of Example 1. FIG. 筒状シャフト30の斜視図。The perspective view of the cylindrical shaft 30. FIG. 筒状シャフト30の寸法入り断面図。3 is a cross-sectional view with dimensions of a cylindrical shaft 30. シャフト付きヒータ10の製造工程図。The manufacturing process figure of the heater 10 with a shaft. 実施例2のシャフト付きヒータ50の断面図。Sectional drawing of the heater 50 with a shaft of Example 2. FIG. 筒状シャフト60の寸法入り断面図。A sectional view with dimensions of a cylindrical shaft 60. FIG. シャフト付きヒータ50の製造工程図。The manufacturing process figure of the heater 50 with a shaft. シャフト付きヒータ50の製造工程図。The manufacturing process figure of the heater 50 with a shaft. 実施例3で用いる第1〜第4セグメントS1〜S4の説明図で、(a)は断面図、(b)は平面図である。It is explanatory drawing of 1st-4th segment S1-S4 used in Example 3, (a) is sectional drawing, (b) is a top view. 実施例3で用いる筒状シャフトの製造工程図。FIG. 6 is a manufacturing process diagram of a cylindrical shaft used in Example 3. 実施例4で用いる第1〜第4セグメントS11〜S14の断面図。Sectional drawing of 1st-4th segment S11-S14 used in Example 4. FIG. 実施例4のシャフト付きヒータの製造工程図。FIG. 6 is a manufacturing process diagram of a heater with a shaft according to a fourth embodiment. 比較例のシャフト付きヒータ110の断面図。Sectional drawing of the heater 110 with a shaft of a comparative example.

符号の説明Explanation of symbols

10,50,110 シャフト付きヒータ、20 セラミック基板、22 抵抗発熱体、22a 一端、22b 他端、23 平板電極、24 第1孔、26 第2孔、30,60 筒状シャフト、32,62 段差、34,64 大径部、34a,36a,64a,66a フランジ、36,66 小径部、38 給電ロッド、40 アルミナ治具、42,46 内側アルミナ治具、44,48 外側アルミナ治具、112 アルミナリング、114 ボルト、116 ボルト穴、P1 第1パート、P1a,P2a 端面、P2 第2パート、S1〜S4,S11〜S14 第1〜第4セグメント。   10, 50, 110 Heater with shaft, 20 ceramic substrate, 22 resistance heating element, 22a one end, 22b other end, 23 flat plate electrode, 24 first hole, 26 second hole, 30, 60 cylindrical shaft, 32, 62 steps 34, 64 Large diameter part, 34a, 36a, 64a, 66a Flange, 36, 66 Small diameter part, 38 Feed rod, 40 Alumina jig, 42, 46 Inner alumina jig, 44, 48 Outer alumina jig, 112 Alumina Ring, 114 bolt, 116 bolt hole, P1 first part, P1a, P2a end face, P2 second part, S1 to S4, S11 to S14 First to fourth segments.

Claims (6)

ウエハを支持可能で抵抗発熱体が埋設された窒化アルミニウム製のセラミック基板と、
該セラミック基板の背面に接合された筒状シャフトと、
を備え、
前記筒状シャフトは、前記セラミック基板の背面に接合されている端部を含むアルミニウム−シリコン合金製の第1パートと、該第1パートの前記セラミック基板とは反対側の端部に接合されたアルミニウム製の第2パートとを有する、
シャフト付きヒータ。
A ceramic substrate made of aluminum nitride capable of supporting a wafer and having an embedded resistance heating element;
A cylindrical shaft joined to the back surface of the ceramic substrate;
With
The cylindrical shaft is joined to a first part made of an aluminum-silicon alloy including an end part joined to a back surface of the ceramic substrate, and an end part of the first part opposite to the ceramic substrate. A second part made of aluminum,
Heater with shaft.
前記筒状シャフトは、ロウ材なしで前記端部を加熱することにより接合されている、
請求項1に記載のシャフト付きヒータ。
The cylindrical shaft is joined by heating the end without brazing material,
The heater with a shaft according to claim 1.
前記第1パートは、全体がアルミニウム−シリコン合金製であり、熱膨張係数が前記セラミック基板の0.9〜1.1倍である、
請求項1又は2に記載のシャフト付きヒータ。
The first part is entirely made of an aluminum-silicon alloy and has a thermal expansion coefficient of 0.9 to 1.1 times that of the ceramic substrate.
The heater with a shaft according to claim 1 or 2 .
前記第1パートは、複数のアルミニウム−シリコン合金製のセグメントが接合されたものであり、前記複数のセグメントは、前記セラミック基板側から前記第2パートに向かって熱膨張係数が窒化アルミニウムに近い値からアルミニウムに近い値まで徐々に高くなるように配設されている、
請求項1又は2に記載のシャフト付きヒータ。
The first part is formed by joining a plurality of aluminum-silicon alloy segments, and the plurality of segments has a coefficient of thermal expansion close to that of aluminum nitride from the ceramic substrate side toward the second part. It is arranged to gradually increase to a value close to aluminum,
The heater with a shaft according to claim 1 or 2 .
前記第1パートは、前記複数のセグメントがロウ材なしで加熱することにより接合されている、
請求項に記載のシャフト付きヒータ。
The first part is joined by heating the plurality of segments without brazing material,
The heater with a shaft according to claim 4 .
前記第1パートは、前記複数のセグメントがアルミニウム−シリコン合金製のロウ材を用いて加熱することにより接合されている、
請求項に記載のシャフト付きヒータ。
In the first part, the plurality of segments are joined by heating using a brazing material made of an aluminum-silicon alloy,
The heater with a shaft according to claim 4 .
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