JP5202673B2

JP5202673B2 - 半導体装置の作製方法

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Publication number: JP5202673B2
Application number: JP2011062075A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 徹高山; 純矢丸山; 真由美水上
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-07-27
Filing date: 2011-03-22
Publication date: 2013-06-05
Anticipated expiration: 2021-09-28
Also published as: JP2011134724A; JP5393848B2; JP2012230909A

Description

本発明は、剥離した被剥離層を基材に貼りつけて転写させた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶モジュールに代表される電気光学装置やＥＬモジュールに代表される発光装置、およびその様な装置を部品として搭載した電子機器に関する。

なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。

近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。

このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯機器への利用が注目されている。現在、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガラス基板や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上にＴＦＴ素子を形成することが試みられている。

しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のＴＦＴを形成できないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な発光素子や液晶表示装置は実現されていない。

もし、プラスチックフィルム等の可撓性を有する基板の上に有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Device）が形成された発光装置や、液晶表示装置を作製することができれば、厚みが薄く軽量であるということに加えて、曲面を有するディスプレイや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。
よって、その用途は携帯機器のみに限られず、応用範囲は非常に広い。

しかし、プラスチックからなる基板は、一般的に水分や酸素を透過しやすく、有機発光層はこれらのものによって劣化が促進されるので、特に発光装置の寿命が短くなりやすい。そこで従来では、プラスチック基板とＯＬＥＤの間に窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜を設け、水分や酸素の有機発光層への混入を防いでいた。

加えて、プラスチックフィルム等の基板は一般的に熱に弱く、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の成膜温度を高くしすぎると、基板が変形しやすくなる。
また、成膜温度が低すぎると膜質の低下につながり、水分や酸素の透過を十分防ぐことが難しくなる。また、プラスチックフィルム等の基板上に設けた素子を駆動する際、局所的に発熱が生じて基板の一部が変形、変質してしまうことも問題になっている。

さらに、水分や酸素の透過を防ぐために、窒化珪素や窒化酸化珪素などの絶縁膜の膜厚を厚くすると、応力が大きくなり、クラック（亀裂）が入りやすくなる。また、膜厚を厚くすると、基板を曲げたときに膜にクラックが入りやすくなる。また、基板を剥離する際、被剥離層が曲げられ、被剥離層にクラックが入ることもある。

本発明は上記問題に鑑み、水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成されたＯＬＥＤを有する発光装置、プラスチック基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。

本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成した後、支持体に被剥離層を接着して基板から引き剥がして被剥離層を剥離した後、被剥離層に接する薄膜を成膜した後、転写体と貼り合わせる。被剥離層に接する薄膜を成膜することによって、剥離の際に生じるクラックを修復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜、具体的にはアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させて素子の劣化を抑える効果とともに、転写体２２、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護する効果を有する。また、熱伝導性を有する膜は、外部からの水分や酸素等の不純物の混入を防ぐ効果も有する。

本明細書で開示する発明の構成１は、絶縁表面を有する基板上に、陰極と、該陰極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する陽極とを有する発光素子と、前記陽極に接する絶縁膜と、該絶縁膜に接する熱伝導性を有する膜とを有することを特徴とする発光装置である。

また、他の発明の構成２は、絶縁表面を有する基板と、該基板に接する接着層と、該接着層に接する熱伝導性を有する膜と、該熱伝導性を有する膜と接する絶縁膜とを有し、前記絶縁膜上に、陰極と、該陰極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する陽極とを有する発光素子を有することを特徴とする発光装置である。

また、上記各構成において、前記熱伝導性を有する膜は、可視光に対して透明もしくは半透明な膜からなることを特徴としている。

また、上記各構成において、前記熱伝導性を有する膜はアルミニウムを含む窒化物、アルミニウムを含む窒化酸化物、またはアルミニウムを含む酸化物からなることを特徴している。また、前記熱伝導性を有する膜として、これらの膜を組み合わせた積層膜を用いてもよい。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）と窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＞Ｙ））との積層や、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＞Ｙ））と酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＜Ｙ））との積層を用いてもよい。

また、上記各構成において、前記熱伝導性を有する膜は、少なくとも窒素と酸素を含む膜であって、膜中の窒素に対する酸素の比が０.１％〜３０％であることを特徴としている。

また、上記各構成において、前記絶縁表面を有する基板は、プラスチック基板またはガラス基板であることを特徴としている。

また、他の発明の構成３は、転写体と、該転写体に接する第１の接着層と、該第１の接着層に接する熱伝導性を有する膜と、該熱伝導性を有する膜と接する絶縁膜と、該絶縁膜上に素子を含む層と、前記素子を含む層に接する第２の接着層（シール材など）と、該第２の接着層と接する支持体とを有することを特徴とする半導体装置である。

また、上記構成において、液晶表示装置を作製する場合、前記支持体は対向基板であって、前記素子は画素電極と接続された薄膜トランジスタであり、前記画素電極と、前記転写体との間には液晶材料が充填されていることを特徴としている。なお、前記転写体および前記対向基板としては、プラスチック基板またはガラス基板を用いればよい。

また、上記各構成１〜３に示した構造を実現するための半導体装置の作製方法に関する発明の構成は、基板上に窒化物層を形成する工程と、前記窒化物層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に素子を含む層を形成する工程と、前記素子を含む層に支持体を接着した後、該支持体を基板から物理的手段により前記酸化物層の層内または界面において剥離する工程と、前記絶縁層または前記酸化物層に熱伝導性を有する膜を形成する工程と、前記熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を挟む工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。

なお、本明細書中、物理的手段とは、化学ではなく、物理学により認識される手段であり、具体的には、力学の法則に還元できる過程を有する力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。ただし、物理的手段により剥離する際、支持体との結合力より、酸化物層と窒化物層との結合力が小さくなるようにすることが必要である。

また、上記半導体装置の作製方法に関する構成において、前記熱伝導性を有する膜は、アルミニウムを含む窒化物、アルミニウムを含む窒化酸化物、またはアルミニウムを含む酸化物からなることを特徴としている。また、前記熱伝導性を有する膜として、これらの膜を組み合わせた積層膜を用いてもよい。

また、上記半導体装置の作製方法に関する構成において、前記窒化物層は、金属材料を含有することを特徴としており、前記金属材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの金属または混合物の積層であることを特徴としている。

また、上記半導体装置の作製方法に関する構成において、前記物理的手段により剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行う処理を施すことを特徴としている。

また、上記半導体装置の作製方法に関する構成において、前記酸化物層は、酸化シリコン材料または酸化金属材料からなる単層、またはこれらの積層であることを特徴としている。

また、上記半導体装置の作製方法に関する構成において、前記素子は、半導体層を活性層とする薄膜トランジスタであり、前記半導体層を形成する工程は、非晶質構造を有する半導体層を加熱処理またはレーザー光の照射を行う処理によって結晶化させ、結晶構造を有する半導体層とすることを特徴としている。

また、上記半導体装置の作製方法に関する構成において、液晶表示装置を作製する場合、前記支持体は対向基板であって、前記素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されていることを特徴としている。

また、上記半導体装置の作製方法に関する構成において、発光装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体を封止材として、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐように発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。この場合、前記素子は発光素子であることを特徴としている。

また、上記各構成において、さらに剥離を助長させるため、前記物理的手段により剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行う処理を行ってもよい。この場合、窒化物層にはレーザー光を吸収する材料を選択し、窒化物と酸化物層の界面を加熱させることによって、剥がれやすくしてもよい。ただし、レーザー光を用いる場合は、基板として透光性のものを用いる。

また、剥離を助長させるため、窒化物層上に粒状の酸化物を設け、該粒状の酸化物を覆う酸化層を設けることによって、剥がれやすくしてもよい。

なお、本明細書中において、転写体とは、剥離された後、被剥離層と接着させるものであり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、本明細書中において、支持体とは、物理的手段により剥離する際に被剥離層と接着するためのものであり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、転写体の形状および支持体の形状も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性を有するもの、フィルム状のものであってもよい。また、軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチック基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）
、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などのプラスチック基板が好ましい。

また、本発明は剥離方法に限定することなく、実施することが可能であり、上記各構成１〜３に示した構造を実現するための半導体装置の作製方法に関する他の発明の構成は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する工程と、前記被剥離層に支持体を接着する工程と、前記支持体を前記基板から物理的手段により剥離する工程と、前記剥離層に接して熱伝導性を有する膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。

上記構成において、剥離方法としては、被剥離層と基板との間に分離層を設け、該分離層を薬液（エッチャント）で除去して被剥離層と基板とを分離する方法や、被剥離層と基板との間に非晶質シリコン（またはポリシリコン）からなる分離層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させることにより、空隙を生じさせて被剥離層と基板を分離させる方法など公知の技術を用いることが可能である。なお、レーザー光を用いて剥離する場合においては、剥離前に水素が放出しないように熱処理温度を４１０℃以下として被剥離層に含まれる素子を形成することが望ましい。

なお、本明細書においてレーザー光とは、ＹＡＧレーザーやＹＶＯ₄レーザーなどの固体レーザーや、エキシマレーザーなどの気体レーザーをレーザー光源とするレーザー光を指し、レーザー発振の形態は、連続発振またはパルス発振のどちらでもよく、ビーム形状に関しても線状照射、スポット照射など、どんな形状であってもよく、走査方法も特に限定されない。

また、上記各構成１〜３に示した構造を実現するための半導体装置の作製方法に関する他の発明の構成は、基板上に素子を含む被剥離層を形成する工程と、前記被剥離層に支持体を接着する工程と、前記被剥離層の一部にＦＰＣを貼り付ける工程と、前記ＦＰＣと前記被剥離層との接続部分を有機樹脂で覆って前記支持体と固定する工程と、前記支持体を前記基板から物理的手段により剥離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。

また、上記構成おいて、前記剥離する工程の後に、前記剥離層に接して熱伝導性を有する膜を形成する工程と、前記熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記被剥離層を挟む工程を有することを特徴としている。

本発明の熱伝導性を有する膜により、素子の発熱を拡散させて素子の劣化を抑えるとともに、転写体、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を防ぎ、基板を保護することができる。また、本発明の熱伝導性を有する膜により、外部からの水分や酸素等の不純物の混入を防ぎ、素子を保護することができる。

また、物理的手段によって基板から被剥離層を剥離する際、被剥離層にクラックが生じても、本発明の熱伝導性を有する膜によって修復することができるため、歩留まりを向上でき、素子の信頼性も向上することができる。

本発明の作製工程を示す図。本発明の作製工程を示す図。ＴＦＴの作製工程を示す図。ＴＦＴの作製工程を示す図。封止前のアクティブマトリクス基板を示す図。ＥＬモジュールの外観図および断面図。ＥＬモジュールの断面図。ＥＬモジュールの断面図。有機化合物層の成膜方法を示す図。ＬＣＤの作製工程を示す図。ＬＣＤの作製工程を示す図。半透過型の液晶表示装置の断面図を示す図。電子機器の一例を示す図。電子機器の一例を示す図。本発明のＡｌＮ_XＯ_Y膜の透過率を示すグラフである。本発明のＡｌＮ_XＯ_Y膜のＥＳＣＡ分析結果である。ＢＴストレスでのＭＯＳ特性（ＡｌＮ_XＯ_Y膜）である。ＢＴストレスでのＭＯＳ特性（ＳｉＮ膜）である。（比較例）

本発明の実施形態について、以下に説明する。

以下に本発明を用いた代表的な発光装置の製造手順を簡略に図１、図２を用いて示す。

図１（Ａ）中、１０は基板、１１は窒化物層、１２は酸化物層、１３は下地絶縁層、１４a〜１４ｃは素子、１５はＯＬＥＤ、１６は層間絶縁膜である。

図１（Ａ）において、基板１０はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いても良い。

まず、図１（Ａ）に示すように基板１０上に窒化物層１１を形成する。窒化物層１１として、金属材料を含む窒化物を用いる。金属材料として代表的な一例はＴｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層、であり、これらの窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を窒化物層１１として用いればよい。
また、窒化物層１１に代えてタングステンからなる金属層を用いてもよい。

次いで、窒化物層１１上に酸化物層１２を形成する。酸化物層１２として、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料を用いればよい。
なお、酸化物層１２は、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、塗布法などのいずれの成膜方法を用いてもよい。

本発明においては、この酸化物層１２の膜応力と、窒化物層１１の膜応力とを異ならせることが重要である。各々の膜厚は、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で適宜設定し、各々の膜応力を調節すればよい。また、図１では、プロセスの簡略化を図るため、基板１０に接して窒化物層１１を形成した例を示したが、基板１０と窒化物層１１との間にバッファ層となる絶縁層や金属層を設け、基板１０との密着性を向上させてもよい。

次いで、酸化物層１２上に被剥離層を形成する。被剥離層は、ＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を含む層とすればよい。また、基板１０の耐え得る範囲の熱処理を行うことができる。なお、本発明において、酸化物層１２の膜応力と、窒化物層１１の膜応力が異なっていても、被剥離層の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。ここでは、被剥離層として、下地絶縁層１３上に、駆動回路２３の素子１４ａ、１４ｂ、および画素部２４の素子１４ｃを形成し、画素部２４の素子１４ｃと電気的に接続するＯＬＥＤ１５を形成し、ＯＬＥＤを覆うように膜厚１０ｎｍ〜１０００ｎｍである層間絶縁膜１６を形成する。
（図１（Ａ））

また、窒化物層１１や酸化物層１２によって表面に凹凸が形成された場合、下地絶縁層を形成する前後に表面を平坦化してもよい。平坦化を行った方が、被剥離層においてカバレッジが良好となり、素子を含む被剥離層を形成する場合、素子特性が安定しやすいため好ましい。なお、この平坦化処理として、塗布膜（レジスト膜等）を形成した後エッチングなどを行って平坦化するエッチバック法や機械的化学的研磨法（ＣＭＰ法）等を用いればよい。

次いで、層間絶縁膜１６上に熱伝導性を有する膜１７を形成する。（図１（Ｂ））ここでは層間絶縁膜１６上に熱伝導性を有する膜１７を設けた例を示したが、ＯＬＥＤ１５に接して熱伝導性を有する膜１７を形成してもよい。ＯＬＥＤ１５に接して形成する場合には、熱伝導性を有する膜１７は、絶縁膜であることが好ましい。熱伝導性を有する膜１７としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）等を用いることができる。窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＞Ｙ））を用いる場合、膜中の窒素に対する酸素の比が０.１％〜３０％であることが望ましい。また、熱伝導性を有する膜１７は、可視光に対して透明もしくは半透明な膜であることが好ましい。ここでは、透光性を有し、熱伝導率が２．８５Ｗ／ｃｍ・Ｋと非常に高く、エネルギーギャップが６．２８ｅＶ（ＲＴ）である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）をスパッタ法で形成する。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスが混合した雰囲気下にて成膜する。また、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用い、窒素ガス雰囲気下にて成膜してもよい。また、熱伝導性を有する膜１７は、外部から水分や酸素といったＯＬＥＤ１５の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ効果も有している。

また、膜厚１００ｎｍにおけるＡｌＮ_XＯ_Y膜の透過率を図１５に示す。図１５に示すように、ＡｌＮ_XＯ_Y膜は透光性が非常に高く（可視光領域で透過率８０％〜９０％）、発光素子からの発光の妨げにならない。

本発明において、ＡｌＮ_XＯ_Y膜は、スパッタ法を用い、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にて成膜する。ＡｌＮ_XＯ_Y膜は、窒素を数atm％以上、好ましくは２．５atm％〜４７．５atm％含む範囲であればよく、スパッタ条件（基板温度、原料ガスおよびその流量、成膜圧力など）を適宜調節することによって窒素濃度を調節することができる。なお、得られたＡｌＮ_XＯ_Y膜のＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Analysis）での分析による組成を図１６に示す。また、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用い、窒素ガス及び酸素ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。なお、スパッタ法に限定されず、蒸着法やその他の公知技術を用いてもよい。

また、ＡｌＮ_XＯ_Y膜による水分や酸素のブロッキング効果を確認するため、膜厚２００ｎｍのＡｌＮ_XＯ_Y膜が設けられたフィルム基板でＯＬＥＤを封止したサンプルと、膜厚２００ｎｍのＳｉＮ膜が設けられたフィルム基板でＯＬＥＤを封止したサンプルとを用意して、８５度に加熱した水蒸気雰囲気中での経時変化を調べる実験を行ったところ、ＳｉＮ膜のサンプルに比べ、ＡｌＮ_XＯ_Y膜のサンプルのほうがＯＬＥＤの寿命が長く、長時間の発光が可能であった。この実験結果から、ＡｌＮ_XＯ_Y膜は、ＳｉＮ膜よりも装置外から水分や酸素などの不純物といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防げる材料膜であることが読み取れる。

また、ＡｌＮ_XＯ_Y膜によるアルカリ金属のブロッキング効果を確認するため、シリコン基板上に膜厚５０ｎｍの熱酸化膜を設け、その上に膜厚４０ｎｍのＡｌＮ_XＯ_Y膜を設け、その上にＬｉを含むアルミニウム電極を設け、これらの膜が設けられた面とは反対側のシリコン基板面にＳｉを含むアルミニウム電極を設けて３００℃、１時間の熱処理を行った後、ＢＴストレス試験（±１．７ＭＶ／ｃｍ、１５０℃、１時間）を行いＭＯＳ特性（Ｃ−Ｖ特性）を測定した。実験結果を図１７に示す。図１７に示したＣ―Ｖ特性は、プラスの電圧を印加した時、即ち＋ＢＴの時、プラス側にシフトしていることから、シフトした原因はＬｉではなく、ＡｌＮ_XＯ_Y膜によるアルカリ金属のブロッキング効果が有ることが確認できた。比較のため、ＭＯＳの上方に絶縁膜（膜厚１００ｎｍの窒化シリコン膜）を介してＡｌＬｉ合金を形成し、同様にそのＭＯＳの特性変動を調べた。結果を図１８に示す。プラスの電圧を印加した時、即ち＋ＢＴの時、図１８に示したＣ−Ｖ特性変動は大きくマイナス側にシフトしており、その原因は、主にＬｉが活性層へ混入したことであると考えられる。

次いで、基板１０を物理的手段により引き剥がすために被剥離層を固定する支持体１９をエポキシ樹脂などの接着層１８で貼りつける。（図１（Ｃ））ここでは、被剥離層の機械的強度が不十分であると仮定した例を示しているが、被剥離層の機械的強度が十分である場合には、被剥離層を固定する支持体なしで剥離することもできる。

次いで、窒化物層１１が設けられている基板１０を物理的手段により引き剥がす。酸化物層の膜応力と、窒化物層１１の膜応力が異なっているため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。窒化物層と酸化物層との結合力は、熱エネルギーには耐え得る強さを有している一方、窒化物層と酸化物層で互いの膜応力は異なり、窒化物層と酸化物層との間には応力歪みを有しているため、力学的エネルギーに弱く、剥離するには最適である。こうして、酸化物層１２上に形成された被剥離層を基板１０から分離することができる。剥離後の状態を図２（Ａ）に示す。なお、この剥離方法は、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することが可能である。また、窒化物層１１に代えてタングステンからなる金属層を用いても同様に剥離することが可能である。

次いで、引き剥がした面に再度、熱伝導性を有する膜２０を形成する。（図２（Ｂ））この熱伝導性を有する膜２０は、剥離の際に生じるクラックを修復することができる。熱伝導性を有する膜２０としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＞Ｙ））、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮ_XＯ_Y（Ｘ＜Ｙ））、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）等を用いることができる。また、熱伝導性を有する膜２０は、可視光に対して透明もしくは半透明な膜であることが好ましい。ここでは、熱伝導率が２．８５Ｗ／ｃｍ・Ｋと非常に高く、エネルギーギャップが６．２８ｅＶ（ＲＴ）である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）をスパッタ法で形成する。また、熱伝導性を有する膜２０は、外部から水分や酸素といったＯＬＥＤ１５の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ効果も有している。

このように、２層の熱伝導性を有する膜１７、２０でＯＬＥＤ１５を挟む構造とすること外部から完全に遮断することができる。ここでは２層を用いた例を示したが、どちらか一方だけ設ける構造としてもよい。

また、２層の熱伝導性を有する膜１７、２０のいずれにおいても、膜厚は、２０ｎｍ〜４μｍの範囲で適宜設定すればよい。

次いで、被剥離層をエポキシ樹脂などの接着層２１により転写体２２に貼り付ける。ここでは、転写体２２をプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化を図っている。ただし、機械強度が十分であれば、特に転写体を設ける必要はない。

このようにしてフレキシブルなプラスチック基板上に形成されたＯＬＥＤを有する発光装置が完成する。この発光装置は、２層の熱伝導性を有する膜１７、２０で素子１４ａ〜１４ｃおよびＯＬＥＤ１５を挟む構造であるので、ＯＬＥＤ１５や素子１４ａ〜１４ｃにより発生する発熱を発散することができる。加えて、熱伝導性を有する膜１７、２０は、水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能である。そして、必要があれば、支持体或いは転写体を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いてＦＰＣ（図示しない）を貼りつける。また、ここでは被剥離層の剥離後にＦＰＣを貼り付ける例を示したが、剥離前にＦＰＣを貼りつけ、さらにＦＰＣと被剥離層との接着部を覆う有機樹脂などを形成して固定し、機械強度を上げてもよい。

以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。

本発明の実施例を図３〜図５を用いて説明する。ここでは、同一基板上にｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を同時に作製する方法について詳細に説明する。

まず、基板１００上に窒化物層１０１、酸化物層１０２、下地絶縁膜１０３を形成し、結晶構造を有する半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層１０４、１０５を形成する。

基板１００としては、ガラス基板（＃１７３７）を用いる。

また、窒化物層１０１としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層の窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここではスパッタ法で膜厚１００ｎｍの窒化チタン膜を用いる。なお、基板１００と密着性が悪い場合にはバッファ層を設ければよい。

また、酸化物層１０２としては、酸化シリコン材料または酸化金属材料からなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここではスパッタ法で膜厚２００ｎｍの酸化シリコン膜を用いる。この金属層１０１と酸化物層１０２の結合力は熱処理には強く、膜剥がれ（ピーリングとも呼ばれる）などが生じないが、物理的手段で簡単に酸化物層の層内、あるいは界面において剥離することができる。

また、下地絶縁膜１０３としては、プラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を５０nm（好ましくは１０〜２００nm）形成する。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸（１／１００希釈）で除去する。次いでプラズマＣＶＤ法で成膜温度４００℃、原料ガスＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を１００ｎｍ（好ましくは５０〜２００nm）の厚さに積層形成し、さらに大気解放せずにプラズマＣＶＤ法で成膜温度３００℃、成膜ガスＳｉＨ₄で非晶質構造を有する半導体膜（ここではアモルファスシリコン膜）を５４ｎｍの厚さ（好ましくは２５〜８０ｎｍ）で形成する。

本実施例では下地膜１０３を２層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（Ｓｉ_XＧｅ_1-X（Ｘ＝０．０００１〜０．０２））合金などを用い、公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により形成すればよい。また、プラズマＣＶＤ装置は、枚葉式の装置でもよいし、バッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶縁膜と半導体膜とを連続成膜してもよい。

次いで、非晶質構造を有する半導体膜の表面を洗浄した後、オゾン水で表面に約２ｎｍの極薄い酸化膜を形成する。

次いで、重量換算で１０ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピナーで塗布する。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。

次いで、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する。
この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行う場合は、５００℃〜６５０℃で４〜２４時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理（５００℃、１時間）の後、結晶化のための熱処理（５５０℃、４時間）を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。

次いで、結晶構造を有するシリコン膜表面の酸化膜を希フッ酸等で除去した後、結晶化率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するための第１のレーザー光（ＸｅＣｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長４００nm以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレーザの第２高調波、第３高調波を用いる。第１のレーザー光は、パルス発振であってもよいし、連続発振でもよい。パルス発振の場合、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜５００mJ/cm²に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。ここでは、繰り返し周波数３０Ｈｚ、エネルギー密度３９３mJ/cm²で第１のレーザー光の照射を大気中で行なう。なお、大気中、または酸素雰囲気中で行うため、第１のレーザー光の照射により表面に酸化膜が形成される。

次いで、第１のレーザー光の照射により形成された酸化膜を希フッ酸で除去した後、第２のレーザー光の照射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を平坦化する。このレーザー光（第２のレーザー光）には波長４００nm以下のエキシマレーザー光や、ＹＡＧレーザーの第２高調波、第３高調波を用いる。第２のレーザー光のエネルギー密度は、第１のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは３０〜６０ｍＪ／ｃｍ²大きくする。ここでは、繰り返し周波数３０Ｈｚ、エネルギー密度４５３mJ/cm²で第２のレーザー光の照射を行ない、半導体膜表面における凹凸のＰ―Ｖ値（Peak to Valley、高さの最大値と最小値の差分）が５０ｎｍ以下となる。このＰ−Ｖ値は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）
により得られる。

また、本実施例では第２のレーザー光の照射を全面に行ったが、オフ電流の低減は、画素部のＴＦＴに特に効果があるため、少なくとも画素部のみに選択的に照射する工程としてもよい。

次いで、オゾン水で表面を１２０秒処理して合計１〜５ｎｍの酸化膜からなるバリア層を形成する。

次いで、バリア層上にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を膜厚１５０ｎｍで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力を０．３Ｐａとし、ガス（Ａｒ）流量を５０（sccm）
とし、成膜パワーを３ｋＷとし、基板温度を１５０℃とする。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、３×１０²⁰／ｃｍ³〜６×１０²⁰／ｃｍ³、酸素の原子濃度は１×１０¹⁹／ｃｍ³〜３×１０¹⁹／ｃｍ³である。その後、ランプアニール装置を用いて６５０℃、３分の熱処理を行いゲッタリングする。

次いで、バリア層をエッチングストッパーとして、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。ここではゲッタリングを行った例を示したが、特に限定されず、他のゲッタリング方法でもよい。

次いで、得られた結晶構造を有するシリコン膜（ポリシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導体層１０４、１０５を形成する。半導体層を形成した後、レジストからなるマスクを除去する。

次いで、フッ酸を含むエッチャントで酸化膜を除去すると同時にシリコン膜の表面を洗浄した後、ゲート絶縁膜１０６となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成する。

次いで、図３（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１０６上に膜厚２０〜１００ｎｍの第１の導電膜１０７と、膜厚１００〜４００ｎｍの第２の導電膜１０８とを積層形成する。本実施例では、ゲート絶縁膜１０６上に膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を順次積層する。

第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する導電性材料としてはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、第１の導電膜及び第２の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、２層構造に限定されず、例えば、膜厚５０ｎｍのタングステン膜、膜厚５００ｎｍのアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜、膜厚３０ｎｍの窒化チタン膜を順次積層した３層構造としてもよい。また、３層構造とする場合、第１の導電膜のタングステンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第２の導電膜のアルミニウムとシリコンの合金（Ａｌ−Ｓｉ）膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、第３の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層構造であってもよい。

次に、図３（Ｃ）に示すように光露光工程によりレジストからなるマスク１０９を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第１のエッチング処理を行う。エッチングにはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）
エッチング法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Ｃｌ₂、ＢＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、ＣＣｌ₄などを代表とする塩素系ガスまたはＣＦ₄、ＳＦ₆、ＮＦ₃などを代表とするフッ素系ガス、またはＯ₂を適宜用いることができる。

第１のエッチング処理では、レジストによるマスクの形状と、基板側に印加するバイアス電圧の効果により端部をテーパー形状とすることができる。テーパー部の角度は１５〜４５°となるようにする。また、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。こうして、第１のエッチング処理により第１導電膜と第２導電膜から成る第１形状の導電層１１０、１１１（第１の導電層１１０ａ、１１１ａと第２導電層１１０ｂ、１１１ｂ）を形成する。
１１２はゲート絶縁膜であり、第１の形状の導電層で覆われない領域は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされ薄くなる。

そして、第１のドーピング処理を行いｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。（図３（Ｄ））その方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行う。イオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０¹³〜５×１０¹⁴／ｃｍ²として行う。ｎ型を付与する不純物元素として１５族に属する元素、典型的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用いる。この場合、第１形状の導電層１１０、１１１はドーピングする元素に対してマスクとなり、加速電圧を適宣調節（例えば、２０〜６０ｋｅＶ）して、ゲート絶縁膜１１２を通過した不純物元素により不純物領域（ｎ＋領域）１１３、１１４を形成する。例えば、不純物領域（ｎ＋領域）におけるリン（Ｐ）濃度は１×１０²⁰〜１×１０²¹／ｃｍ³の範囲となるようにする。

次いで、図４（Ａ）に示すように第２のドーピング処理を行う。第１のドーピング処理よりもドーズ量を下げ高加速電圧の条件でｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。例えば、加速電圧を７０〜１２０ｋｅＶとし、１×１０¹³／ｃｍ²のドーズ量で行い、図３（Ｄ）で半導体層に形成された第１の不純物領域の内側に不純物領域を形成する。ドーピングは、第２の導電膜１１０ｂ、１１１ｂを不純物元素に対するマスクとして用い、第１の導電膜１１０ａ、１１１ａの下側の領域に不純物元素が添加されるようにドーピングする。こうして、第１の導電膜１１０ａ、１１１ａと重なる不純物領域（ｎ−領域）１１５、１１６が形成される。この不純物領域は、第２の導電層１１０ａ、１１１ａがほぼ同じ膜厚で残存していることから、第２の導電層に沿った方向における濃度差は小さく、１×１０¹⁷〜１×１０¹⁹／ｃｍ³の濃度で形成する。

次いで、図４（Ｂ）に示すように第２のエッチング処理を行う。エッチングはＩＣＰエッチング法を用い、エッチングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂を混合して、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力(１３．５６ＭＨｚ)を供給してプラズマを生成する。基板側（試料ステージ）には５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このような条件によりタングステン膜を異方性エッチングし、第１の導電層である窒化タンタル膜またはチタン膜を残存させるようにする。こうして、第２形状の導電層１１７、１１８（第１の導電膜１１７ａ、１１８ａと第２の導電膜１１７ｂ、１１８ｂ）を形成する。１１９はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層１１７、１１８で覆われない領域はさらに２０〜５０ｎｍ程度エッチングされて膜厚が薄くなる。

そして、図４（Ｃ）に示すように、レジストによるマスク１２０を形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｐ型の不純物（アクセプタ）をドーピングする。典型的にはボロン（Ｂ）を用いる。不純物領域（ｐ＋領域）１２１、１２２の不純物濃度は２×１０²⁰〜２×１０²¹／ｃｍ³となるようにし、含有するリン濃度の１．５〜３倍のボロンを添加して導電型を反転させる。

以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。第２形状の導電層１１７、１１８はゲート電極となる。その後、図４（Ｄ）に示すように、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜から成る保護絶縁膜１２３をプラズマＣＶＤ法で形成する。そして導電型の制御を目的としてそれぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。

さらに、窒化シリコン膜１２４を形成し、水素化処理を行う。その結果、窒化シリコン膜１２４中の水素が半導体層中に拡散させることで水素化を達成することができる。

次いで、層間絶縁膜１２５を形成する。層間絶縁膜１２５は、ポリイミド、アクリルなどの有機絶縁物材料で形成する。勿論、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ortho silicate）を用いて形成される酸化シリコン膜を適用しても良いが、平坦性を高める観点からは前記有機物材料を用いることが望ましい。

次いで、コンタクトホールを形成し、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）
、タンタル（Ｔａ）などを用いて、ソース配線またはドレイン配線１２６〜１２８を形成する。

以上の工程で、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を得ることができる。

ｐチャネル型ＴＦＴにはチャネル形成領域１３０、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１２１、１２２を有している。

ｎチャネル型ＴＦＴにはチャネル形成領域１３１、第２形状の導電層から成るゲート電極１１８と重なる不純物領域１１６ａ（Gate Overlapped Drain：ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される不純物領域１１６ｂ（ＬＤＤ領域）
とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１１９を有している。

このようなＣＭＯＳ回路は、アクティブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の液晶表示装置における駆動回路の一部を形成することを可能とする。それ以外にも、このようなｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴは、画素部のトランジスタに応用することができる。

このようなＣＭＯＳ回路を組み合わせることで基本論理回路を構成したり、さらに複雑なロジック回路（信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ、オペアンプ、γ補正回路など）をも構成することができ、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成することが可能である。

ここでは、上記実施例１で得られるＴＦＴを用いてＯＬＥＤを有する発光装置を作製した例について図５を用い、以下に説明する。

同一の絶縁体上に画素部とそれを駆動する駆動回路を有した発光装置の例（但し封止前の状態）を図５に示す。なお、駆動回路には基本単位となるＣＭＯＳ回路を示し、画素部には一つの画素を示す。このＣＭＯＳ回路は実施例１に従えば得ることができる。

図７において、２００は基板、２０１は窒化物層、２０２は酸化物層であり、その素子形成基板上に設けられた下地絶縁層２０３上にはｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路２０４、ｐチャネル型ＴＦＴからなるスイッチングＴＦＴおよびｎチャネル型ＴＦＴからなる電流制御ＴＦＴとが形成されている。また、本実施例では、ＴＦＴはすべてトップゲート型ＴＦＴで形成されている。

ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴの説明は実施例１を参照すれば良いので省略する。また、スイッチングＴＦＴはソース領域およびドレイン領域の間に二つのチャネル形成領域を有した構造（ダブルゲート構造）となっているｐチャネル型ＴＦＴである。なお、本実施例はダブルゲート構造に限定されることなく、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。

また、電流制御ＴＦＴのドレイン領域２０６の上には第２層間絶縁膜２０８が設けられる前に、第１層間絶縁膜２０７にコンタクトホールが設けられている。これは第２層間絶縁膜２０８にコンタクトホールを形成する際に、エッチング工程を簡単にするためである。第２層間絶縁膜２０８にはドレイン領域２０６に到達するようにコンタクトホールが形成され、ドレイン領域２０６に接続された画素電極２０９が設けられている。画素電極２０９はＯＬＥＤの陰極として機能する電極であり、周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む導電膜を用いて形成されている。本実施例では、リチウムとアルミニウムとの化合物からなる導電膜を用いる。

次に、２１３は画素電極２０９の端部を覆うように設けられた絶縁膜であり、本明細書中ではバンクと呼ぶ。バンク２１３は珪素を含む絶縁膜もしくは樹脂膜で形成すれば良い。樹脂膜を用いる場合、樹脂膜の比抵抗が１×１０⁶〜１×１０¹²Ωｍ（好ましくは１×１０⁸〜１×１０¹⁰Ωｍ）となるようにカーボン粒子もしくは金属粒子を添加すると、成膜時の絶縁破壊を抑えることができる。

また、ＯＬＥＤ２１０は画素電極（陰極）２０９、有機化合物層２１１および陽極２１２からなる。陽極２１２は、仕事関数の大きい導電膜、代表的には酸化物導電膜が用いられる。酸化物導電膜としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛もしくはそれらの化合物を用いれば良い。

なお、本明細書中では発光層に対して正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層もしくは電子阻止層を組み合わせた積層した層の総称を有機化合物層と定義する。但し、有機化合物層には有機化合物膜を単層で用いた場合も含むものとする。

また、発光層としては、有機化合物材料であれば特に限定されないが、高分子材料や低分子材料を用いてもよく、例えばニ重項励起により発光する発光材料からなる薄膜、あるいは三重項励起により発光する発光材料からなる薄膜を用いることができる。

なお、ここでは図示しないが陽極２１２を形成した後、ＯＬＥＤ２１０を完全に覆うようにしてパッシベーション膜を設けることは有効である。パッシベーション膜としては、熱伝導性を有する膜、例えば、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、または酸化ベリリウムからなる膜が適している。また、他のパッシベーション膜としては、ＤＬＣ膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜を用いてもよく、これらを組み合わせた積層を用いてもよい。

次いで、ＯＬＥＤ２１０を保護するため、実施の形態に示したように支持体を貼りつけて封止（または封入）工程まで行った後、窒化物層２０１が設けられた基板２００を引き剥がす。その後の発光装置について図６（Ａ）、図６（Ｂ）を用いて説明する。実施の形態における転写体２２がフィルム基板６００に対応する。

図６（Ａ）は、ＥＬモジュールを示す上面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。図６（Ａ）において、可撓性を有するフィルム基板６００（例えば、プラスチック基板等）に、熱伝導性を有する膜６０１（例えば、窒化アルミニウム膜）が設けられ、その上に画素部６０２、ソース側駆動回路６０４、及びゲート側駆動回路６０３を形成されている。これらの画素部や駆動回路は、上記実施例１や実施例２に従えば得ることができる。

また、６１８は有機樹脂、６１９は保護膜であり、画素部および駆動回路部は有機樹脂６１８で覆われ、その有機樹脂は保護膜６１９で覆われている。さらに、接着剤を用いてカバー材６２０で封止されている。カバー材６２０は、支持体として剥離前に接着される。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材６２０はフィルム基板６００と同じ材質のもの、例えばプラスチック基板を用いることが望ましく、図６（Ｂ）に示す凹部形状（深さ３〜１０μｍ）に加工されたものを用いる。さらに加工して乾燥剤６２１が設置できる凹部（深さ５０〜２００μｍ）を形成することが望ましい。また、多面取りでＥＬモジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、ＣＯ₂レーザー等を用いて端面が一致するように分断してもよい。

なお、６０８はソース側駆動回路６０４及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図６（Ｂ）を用いて説明する。フィルム基板６００上に熱伝導性を有する膜６０１が設けられ、その上に絶縁膜６１０が設けられ、絶縁膜６１０の上方には画素部６０２、ゲート側駆動回路６０３が形成されており、画素部６０２は電流制御用ＴＦＴ６１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極６１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路６０３はｎチャネル型ＴＦＴ６１３とｐチャネル型ＴＦＴ６１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。

これらのＴＦＴ（６１１、６１３、６１４を含む）は、上記実施例１のｎチャネル型ＴＦＴ、上記実施例１のｐチャネル型ＴＦＴに従って作製すればよい。

なお、実施例１、実施例２に従って同一基板上に画素部６０２、ソース側駆動回路６０４、及びゲート側駆動回路６０３形成した後は、実施の形態に従って、支持体（ここではカバー材）を接着した後、基板（図示しない）を剥離し、絶縁膜６１０に熱伝導性を有する膜６０１（例えば、窒化アルミニウム膜）を形成した後、フィルム基板６００を貼りつけている。なお、熱伝導性を有する膜６０１とフィルム基板６００との間には互いを接着する接着層があるがここで図示しない。

また、カバー材６２０を図６（Ｂ）に示す凹部形状とした場合、支持体となるカバー材６２０を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分（接続部分）が絶縁膜６１０のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にＦＰＣ６０９を貼りつけ、さらに有機樹脂６２２で固定することが望ましい。

なお、ＴＦＴとＯＬＥＤの間に設ける絶縁膜としては、アルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンの拡散をブロックするだけでなく、積極的にアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンを吸着する材料が好ましく、更には後のプロセス温度に耐えうる材料が適している。これらの条件に合う材料は、一例としてフッ素を多く含んだ窒化シリコン膜が挙げられる。
窒化シリコン膜の膜中に含まれるフッ素濃度は、１×１０¹⁹／ｃｍ³以上、好ましくは窒化シリコン膜中でのフッ素の組成比を１〜５％とすればよい。窒化シリコン膜中のフッ素がアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等と結合し、膜中に吸着される。また、他の例としてアルカリ金属イオンやアルカリ土金属イオン等を吸着するアンチモン（Ｓｂ）化合物、スズ（Ｓｎ）化合物、またはインジウム（Ｉｎ）化合物からなる微粒子を含む有機樹脂膜、例えば、五酸化アンチモン微粒子（Ｓｂ₂Ｏ₅・ｎＨ₂Ｏ）を含む有機樹脂膜も挙げられる。なお、この有機樹脂膜は、平均粒径１０〜２０ｎｍの微粒子が含まれており、光透過性も非常に高い。この五酸化アンチモン微粒子で代表されるアンチモン化合物は、アルカリ金属イオン等の不純物イオンやアルカリ土金属イオンを吸着しやすい。

画素電極６１２は発光素子（ＯＬＥＤ）の陰極として機能する。また、画素電極６１２の両端にはバンク６１５が形成され、画素電極６１２上には有機化合物層６１６および発光素子の陽極６１７が形成される。

有機化合物層６１６としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて有機化合物層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、低分子系有機化合物材料や高分子系有機化合物材料を用いればよい。また、有機化合物層６１６として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。

陽極６１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線６０８を経由してＦＰＣ６０９に電気的に接続されている。さらに、画素部６０２及びゲート側駆動回路６０３に含まれる素子は全て陽極６１７、有機樹脂６１８、及び保護膜６１９で覆われている。

なお、有機樹脂６１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、有機樹脂６１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。

また、有機樹脂６１８を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図６に示すように保護膜６１９を有機樹脂６１８の表面（露呈面）に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子（ＦＰＣ）が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、ＣＶＤ装置でマスキングテープとして用いるテフロン（登録商標）等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。保護膜６１９として、６０１と同じ熱伝導性を有する膜を用いてもよい。

以上のような構造で発光素子を熱伝導性を有する膜６０１及び保護膜６１９で封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。加えて、熱伝導性を有する膜により発熱を発散することができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。

また、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰極を積層して図６とは逆方向に発光する構成としてもよい。図７にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。

図７に示した断面構造について以下に説明する。フィルム基板７００上に絶縁膜７１０が設けられ、絶縁膜７１０の上方には画素部７０２、ゲート側駆動回路７０３が形成されており、画素部７０２は電流制御用ＴＦＴ７１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極７１２を含む複数の画素により形成される。なお、実施の形態に従って、基板上に形成した被剥離層を剥離した後、フィルム基板７００が貼りつけられる。なお、熱伝導性を有する膜７０１とフィルム基板７００との間には互いを接着する接着層があるがここで図示しない。また、ゲート側駆動回路７０３はｎチャネル型ＴＦＴ７１３とｐチャネル型ＴＦＴ７１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。

これらのＴＦＴ（７１１、７１３、７１４を含む）は、上記実施例１のｎチャネル型ＴＦＴ２０１、上記実施例１のｐチャネル型ＴＦＴ２０２に従って作製すればよい。

画素電極７１２は発光素子（ＯＬＥＤ）の陽極として機能する。また、画素電極７１２の両端にはバンク７１５が形成され、画素電極７１２上には有機化合物層７１６および発光素子の陰極７１７が形成される。

陰極７１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線７０８を経由してＦＰＣ７０９に電気的に接続されている。さらに、画素部７０２及びゲート側駆動回路７０３に含まれる素子は全て陰極７１７、有機樹脂７１８、及び保護膜７１９で覆われている。また、カバー材７２０と接着剤で貼り合わせている。また、カバー材には凹部を設け、乾燥剤７２１を設置する。

また、カバー材７２０を図７に示す凹部形状とした場合、支持体となるカバー材７２０を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分が絶縁膜７１０のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にＦＰＣ７０９を貼りつけ、さらに有機樹脂７２２で固定することが望ましい。

また、図７では、画素電極を陽極とし、有機化合物層と陰極を積層したため、発光方向は図７に示す矢印の方向となっている。

また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。

また、実施例２ではトップゲート型ＴＦＴを用いた例を示したが、ボトムゲート型ＴＦＴを用いることも可能である。ここではボトムゲート型ＴＦＴを用いた例を図８に示す。

図８中に示したようにｎチャネル型ＴＦＴ９１３、ｐチャネル型ＴＦＴ９１４、ｎチャネル型ＴＦＴ９１１を全てボトムゲート構造とする。これらのボトムゲート構造は、公知の技術を用いて作製すればよい。なお、これらのＴＦＴの活性層は、結晶構造を有する半導体膜（ポリシリコン等）であってもよいし、非晶質構造を有する半導体膜（アモルファスシリコン等）であってもよい。

また、図８中、９００は、可撓性を有するフィルム基板（例えば、プラスチック基板等）、９０１は、熱伝導性を有する膜（例えば、窒化アルミニウム膜）、９０２は画素部、９０３はゲート側駆動回路、９１０は絶縁膜、９１２は画素電極（陰極）、９１５はバンク、９１６は有機化合物層、９１７は陽極、９１８は有機樹脂、９１９は保護膜、９２０はカバー材、９２１は乾燥剤、９２２は有機樹脂である。なお、熱伝導性を有する膜９０１とフィルム基板９００との間には互いを接着する接着層があるがここで図示しない。

また、ｎチャネル型ＴＦＴ９１３、ｐチャネル型ＴＦＴ９１４、ｎチャネル型ＴＦＴ９１１以外の構成は、実施例３と同一であるのでここでは説明を省略する。

本実施例はインクジェット方式で有機化合物層を形成するときに、該有機化合物層を複数の画素に渡って連続して設ける。具体的には、ｍ行ｎ列にマトリクス状に配列された画素電極に対して、選択されたある一列または一行に対し、有機化合物層をストライプ状に形成する例を示す。また、各画素電極に対応して長円形或いは長方形に有機化合物層を形成する。

図９は本実施例を説明する図である。図９（Ａ）は、基板８０１上に画素部８０２と走査線側駆動回路８０３、データ線側駆動回路８０４が設けられている構成を示している。画素部８０２にはストライプ状に分離層８０５が設けられ、各分離層の間に有機化合物層が形成されている。分離層８０５はインクジェット方式で有機化合物層を形成する場合において、隣接する有機化合物層が相互に混ざり合わないようにするために設けてある。

有機化合物層８０６は、インクヘッド８０７から有機化合物材料を含む溶液を吐出して形成される。有機化合物層の材料は特に限定されるものではないが、カラー表示を行うには赤、緑、青に対応した有機化合物層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂを設ければ良い。

図９（Ｂ）は図９（Ａ）で示した概念図の断面構造図であり、基板８０１上に走査線側駆動回路８０３、画素部８０２が形成されている様子を示している。画素部８０２には分離層８０５が形成され、各分離層の間に有機化合物層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂが形成されている。インクヘッド８０７はインクジェット方式のものであり、制御信号に応じて赤、緑、青の各色に対応したインクドット８０８Ｒ、８０８Ｇ、８０８Ｂが吐出される。吐出されたインクドット８０８Ｒ、８０８Ｇ、８０８Ｂは基板上に付着し、その後の乾燥或いは焼成工程を経て有機化合物層として機能する。インクヘッドは一列または一行毎に一方向に走査させれば良いので、有機化合物層の形成にかかる処理時間を短縮することができる。

図９（Ｃ）は画素部をさらに詳細に説明する図であり、基板上に電流制御用ＴＦＴ８１０と、該電流制御用ＴＦＴ８１０に接続する画素電極８１２が設けられ、各画素電極上に有機化合物層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂが分離層８０５の間に形成されている。画素電極８１２と電流制御用ＴＦＴ８１０との間にはアルカリ金属に対するブロッキング効果を有する絶縁膜８１１が形成されていることが望ましい。

本実施例は、実施の形態、実施例２、または実施例３における有機化合物層の形成方法のひとつとして適用することができる。

本実施例では、実施例１に示したＴＦＴを用いてアクティブマトリクス基板を作製し、基板を剥離した後、プラスチック基板を貼り合わせてアクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図１０を用いる。

図１０（Ａ）において、４００は基板、４０１は窒化物層、４０２は酸化物層、４０３は下地絶縁層、４０４ａは駆動回路４１３の素子、４０４ｂは画素部４１４の素子４０４ｂ、４０５は画素電極である。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素のスイッチング素子として用いる半導体素子（典型的にはＴＦＴ）もしくはＭＩＭ素子等を指す。なお、スイッチング素子の活性層は、結晶構造を有する半導体膜（ポリシリコン等）であってもよいし、非晶質構造を有する半導体膜（アモルファスシリコン等）であってもよい。

まず、実施例１に従い、同一基板上に画素部４１４には一方の電極を画素電極とするｎチャネル型ＴＦＴを、駆動回路４１３にはｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴをそれぞれ作製し、図１０（Ａ）の状態のアクティブマトリクス基板を得た後、図１０（Ａ）のアクティブマトリクス基板上に配向膜４０６ａを形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ（図示しない）を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。

ここでは、反射型の表示装置を形成するため、画素電極の材料は、ＡｌまたはＡｇを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いることが望ましいが、画素電極を透明導電膜で形成すると、フォトマスクは１枚増えるものの、透過型の表示装置を形成することができる。

次いで、支持体４０７となる対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ（図示しない）が設けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜（図示しない）を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極４０８を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜４０６ｂを形成し、ラビング処理を施した。

そして、画素部と駆動回路が形成されたアクティブマトリクス基板４００と支持体４０７とを接着層４０９となるシール材で貼り合わせる。シール材にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料４１０を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。（図１０（Ｂ））液晶材料４１０には公知の液晶材料を用いれば良い。

次いで、窒化物層または金属層４０１が設けられている基板４００を物理的手段により引き剥がす。（図１０（Ｃ））酸化物層４０２の膜応力と、窒化物層４０１の膜応力が異なっているため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。

次いで、引き剥がした面に熱伝導性を有する膜４１５を形成する。（図１１（Ａ））この熱伝導性を有する膜４１５は、剥離の際に生じるクラックを修復することができる。熱伝導性を有する膜４１５としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）等を用いることができる。また、熱伝導性を有する膜４１５は、可視光に対して透明もしくは半透明な膜であることが好ましい。ここでは、熱伝導率が２．８５Ｗ／ｃｍ・Ｋと非常に高く、エネルギーギャップが６．２８ｅＶ（ＲＴ）である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）をスパッタ法で形成する。

次いで、エポキシ樹脂などの接着層４１１により転写体４１２に貼り付ける。
本実施例では、転写体４１２をプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化を図る。

このようにしてフレキシブルな液晶モジュールが完成する。この液晶モジュールは、素子４０４ａ〜４０４ｃにより生ずる発熱を熱伝導性を有する膜４１５で発散し、素子の劣化を防止することができる。また、熱伝導性を有する膜４１５により、熱に弱い転写体の変形や変質を防止することができる。そして、必要があれば、フレキシブルな基板４１２または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板（図示しない）等を適宜設けた。そして、公知の技術を用いてＦＰＣ（図示しない）を貼りつける。また、支持体となる対向基板を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分（接続部分）が被剥離層のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にＦＰＣを被剥離層に貼りつけ、さらに有機樹脂で固定することが望ましい。

実施例５では画素電極が反射性を有する金属材料で形成された反射型の表示装置の例を示したが、本実施例では画素電極を透光性を有する導電膜と、反射性を有する金属材料との両方で形成した半透過型の表示装置の例を図１２に示す。

ＴＦＴを覆う層間絶縁膜を形成する工程までは実施例５と同じであるので、ここでは省略する。画素部においてＴＦＴのソース領域またはドレイン領域と接する電極の一方を反射性を有する金属材料で形成し、画素電極（反射部）５０２を形成する。次いで、画素電極（反射部）５０２と一部重なるように、透光性を有する導電膜からなる画素電極（透過部）５０１を形成する。透光性を有する導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ₂Ｏ₃―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。

以上のようにしてアクティブマトリクス基板が形成される。このアクティブマトリクス基板を用い、実施の形態に従って基板を剥離した後、熱伝導性を有する膜５０７を形成し、接着剤によってプラスチック基板を貼り合わせ、実施例５に従って液晶モジュールを作製する。そして、得られた液晶モジュールにバックライト５０４、導光板５０５を設け、カバー５０６で覆えば、図１２にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて貼り合わせる。また、プラスチック基板と対向基板を貼り合わせる際、枠で囲んで有機樹脂を枠と基板との間に充填して接着してもよい。また、半透過型であるので偏光板５０３は、プラスチック基板と対向基板の両方に貼り付ける。

外光が十分である場合には、反射型として駆動させるため、バックライトをオフ状態としたまま、対向基板に設けられた対向電極と画素電極（反射部）５０２との間の液晶を制御することによって表示を行い、外光が不十分である場合には、バックライトをオン状態として対向基板に設けられた対向電極と画素電極（透過部）５０１との間の液晶を制御することによって表示を行う。

ただし、用いる液晶が、ＴＮ液晶やＳＴＮ液晶の場合、反射型と透過型とで液晶のねじれ角が変わるため、偏光板や位相差板を最適化する必要がある。例えば、液晶のねじれ角の量を調節する旋光補償機構（例えば、高分子液晶などを用いた偏光板）が別途必要となる。

本発明を実施して様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）を完成させることができる。即ち、本発明を実施することによって、それらを組み込んだ全ての電子機器が完成される。

その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１３、図１４に示す。

図１３（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。

図１３（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。

図１３（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。

図１３（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。

図１３（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（ＤｉｇｔｉａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。

図１３（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。

図１４（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。

図１４（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。

図１４（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。

ちなみに図１４（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜６のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。

Claims

基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に支持体を接着した後、前記素子を含む層を含む被剥離層を、前記基板から引き剥がして剥離することで前記支持体に転置し、
前記転置後の前記被剥離層の下方の剥離した面に熱伝導性を有する膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に支持体を接着した後、前記素子を含む層を含む被剥離層を、前記基板から引き剥がして剥離することで前記支持体に転置し、
前記転置後の前記被剥離層の下方の剥離した面に熱伝導性を有する膜を成膜し、
前記熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む層を挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１または請求項２において、
前記熱伝導性を有する膜はそれぞれ、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、もしくは酸化ベリリウムの単層または積層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記熱伝導性を有する膜は、スパッタ法にて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層上に第１の熱伝導性を有する膜を成膜し、
前記第１の熱伝導性を有する膜に支持体を接着した後、前記素子を含む層を含む被剥離層を、前記基板から引き剥がして剥離することで前記支持体に転置し、
前記転置後の前記被剥離層の下方の剥離した面に第２の熱伝導性を有する膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層上に第１の熱伝導性を有する膜を成膜し、
前記第１の熱伝導性を有する膜に支持体を接着した後、前記素子を含む層を含む被剥離層を、前記基板から引き剥がして剥離することで前記支持体に転置し、
前記転置後の前記被剥離層の下方の剥離した面に第２の熱伝導性を有する膜を成膜し、
前記第２の熱伝導性を有する膜に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素子を含む層を挟むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項５または請求項６において、
前記第１の熱伝導性を有する膜及び前記第２の熱伝導性を有する膜はそれぞれ、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、もしくは酸化ベリリウムの単層または積層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の熱伝導性を有する膜は、スパッタ法にて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記剥離層は、タングステンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記素子は、トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。