JP5204451B2 - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法に関し、より詳しくは、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法に関する。

半導体集積回路の高集積化に伴って、ＬＳＩ（Large Scale Integration）のパターンは、より微細化および複雑化する傾向にある。このため、光露光に代わって、電子ビームなどの荷電粒子ビームを用いて、パターンを直接描画することが行われている。しかし、この技術は、一括露光に比べると、描画速度が遅く、スループットが低いという問題を有する。そこで、従来より、種々の方法によってスループットを向上する試みがなされている。

具体的には、円形断面電子ビームではなく、可変成形ビームを用いることによって、露光回数を少なくしたり、ステージの移動を、ステップアンドリピート方式に代えて連続移動方式にしたり、さらには、電子ビームの偏向方式をベクタ走査方式にしたりすることが行われている。

上記の技術を組み合わせることにより、スループットを大きく向上させることが可能になる。しかし、ベクタ走査方式では、フレーム内でのサブフィールドの位置に応じて、サブフィールド内における電子ビームの偏向角度が異なるために、描画パターンの形状、位置および寸法精度が劣化するという問題が生じ得る。これに対しては、特許文献１に、電子ビームの主偏向位置に依存して生じる副偏向の感度ずれを描画前に検出し、検出した値を描画時に補正する方法が記載されている。

特開平１０−２８４３９２号公報

ところで、スループットを向上するには、高速且つ高精度に電子ビームを偏向することも必要となる。しかし、偏向アンプで偏向器を駆動する際には、その負荷に応じた出力電圧のセトリング時間（整定時間）が必要になる。すなわち、目標とする偏向位置に整定するには、所定のセトリング時間を要する。また、セトリング時間中に試料面へ電子ビームを照射すると描画結果に悪影響を及ぼすので、この間は、ブランキング機構を作動させて、電子ビームによる照射が行われないようにしなければならない。

ブランキング機構の作動を開始する時間（以下、ブランキング開始時間と称す。）は、電子ビームの照射位置を移動する際に副偏向器へ電圧を印加するタイミングと一致していることが望ましい。そこで、オシロスコープなどによって出力波形を確認しながら、ブランキング開始時間を決定することが行われている。しかし、この方法では、個々に生じる調整誤差が問題となる。ブランキング開始時間より前に副偏向器に電圧が印加されると、照射中に電子ビームが引きずられるため、描画精度が低下するおそれがある。それ故、従来は、ブランキング開始時間から所定時間の余裕をおいて副偏向器に電圧が印加されるようにしていた。

セトリング時間はブランキング時間に一致するので、ブランキング開始時間から所定の時間を経た後に副偏向器に電圧を印加すると、実質的なセトリング時間が短くなって、副偏向器の出力が安定化する前に描画が開始されてしまうおそれがある。特に、電子ビームの移動距離が大きいと、副偏向器に印加される電圧が大きくなり、出力が安定化するまでに時間を要する。したがって、こうした場合には、上記のおそれが大きくなる。しかしながら、出力が安定化するのを待って描画するのでは、セトリング時間を長くする結果となり、スループットが低下することから好ましくない。

本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、描画精度の低下を抑制して、スループットの向上も図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することにある。

本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。

本発明の第１の態様は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの位置を制御するとともに、試料面上で前記荷電粒子ビームの照射を制御するブランキング用偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの照射開始時間および照射終了時間を制御して、前記試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料面上で前記荷電粒子ビームの照射を制御するに際し、前記荷電粒子ビームの照射位置を移動するときに、前記荷電粒子ビームの前記試料面への前記照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを調整するタイミング調整手段と、
前記タイミングを記録する機能を備えており前記タイミング調整手段を制御する制御計算機とを有することを特徴とするものである。

本発明の第１の態様において、前記制御計算機は、前記タイミングを変えて描画されたパターンの線幅を比較し、予め定められた線幅のずれ量の許容範囲から適正なタイミングを決定し、該タイミングに基づいて前記タイミング調整手段を制御することが好ましい。

本発明の第１の態様においては、前記荷電粒子ビームの照射位置の移動量に応じてセトリング時間を決定するセトリング時間決定手段をさらに有することが好ましい。

本発明の第２の態様は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記荷電粒子ビームの照射位置を移動する際に前記荷電粒子ビームの照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを変えて描画を行い、得られたパターンの線幅と予め定められた線幅のずれ量の許容範囲とから適正なタイミングを決定することを特徴とするものである。

本発明の第２の態様においては、前記荷電粒子ビームの照射位置の移動量に応じてセトリング時間を決定することが好ましい。

本発明の第１の態様によれば、荷電粒子ビームの照射位置を移動する際に副偏向器へ電圧を印加するタイミングを調整するタイミング調整手段を有するので、描画精度の低下を抑制して、スループットの向上も図ることができる。

本発明の第２の態様によれば、荷電粒子ビームの照射位置を移動する際に副偏向器へ電圧を印加するタイミングを変えて描画を行い、得られたパターンの線幅と予め定められた線幅のずれ量の許容範囲とから適正なタイミングを決定するので、描画精度の低下を抑制して、スループットの向上も図ることができる。

図１は、本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。

図１において、試料室１の中には、試料であるマスク２を載置したステージ３が収容されている。ステージ３は、ステージ駆動回路４によって、ｘ方向（紙面に平行な方向）とｙ方向（紙面に垂直な方向）に駆動される。そして、ステージ３の移動位置は、レーザ側長計等を用いた位置回路５によって測定される。

試料室１の上には、電子ビーム光学系１０が配置されている。電子ビーム光学系１０は、電子銃６と、各種レンズ７，８，９，１１，１２と、ブランキング用偏向器１３と、ビーム寸法可変用偏向器１４と、ビーム走査用の主偏向器１５と、ビーム走査用の副偏向器１６と、ビーム成形用アパーチャ１７，１８とを有する。主偏向器１５は、電子ビームを所定のサブフィールド（副偏向領域）に位置決めする。一方、副偏向器１６は、サブフィールド内での図形描画単位の位置決めを行う。また、ビーム寸法可変用偏向器１４とビーム成形用アパーチャ１７，１８は、ビーム形状を制御する役割を果たす。さらに、ブランキング用偏向器１３は、マスク２の面上で電子ビームの照射を制御する役割を果たす。

電子ビームによる描画工程では、まず、ステージ３を一方向に連続的に移動し、主偏向ビームの偏向幅に応じて短冊状に分割されたフレーム領域に描画処理を行う。次いで、前記方向と直交する方向にステージ３をステップ移動して、同じように描画処理を行う。これを繰り返すことにより、各フレーム領域が順次描画されて行く。

図１において、制御計算機２０には、磁気ディスク２１が接続されている。ここで、磁気ディスク２１には、ＬＳＩの描画データが格納されている。磁気ディスク２１から読み出された描画データは、フレーム領域毎にパターンメモリ２２に一時的に格納される。パターンメモリ２２に格納されたフレーム領域毎のパターンデータ、すなわち、描画位置や図形データ等からなるフレーム情報は、データ解析部であるパターンデータデコーダ２３と描画データデコーダ２４で解析された後、ブランキングアンプ２５、ビーム成形アンプ２６、主偏向アンプ２７および副偏向アンプ２８に送られる。

パターンデータデコーダ２３では、描画データを入力し、必要に応じて、フレーム領域に包含される図形データに反転処理を施して、反転パターンデータを生成する。次いで、フレームデータとして定義されている図形データを、ビーム成形用アパーチャ１７，１８の組み合わせによって形成可能な単位描画図形群に図形分割する。そして、得られたデータに基づいてブランキングデータを作成した後、これをブランキングアンプ２５に送る。また、所望とするビーム寸法データを作成して、これをビーム成形アンプ２６に送る。次に、ビーム成形アンプ２６から電子ビーム光学系１０のビーム寸法可変用偏向器１４に所定の偏向信号が送られ、これによって電子ビームの寸法が制御される。

描画データデコーダ２４では、フレームデータに基づいて、サブフィールドの位置決めのデータが作成される。得られたデータは、主偏向アンプ２７に送られる。そして、主偏向アンプ２７から電子ビーム光学系１０の主偏向器１５に所定の信号が送られ、指定されたサブフィールド位置で電子ビームが偏向走査される。また、描画データデコーダ２４では、副偏向器走査のコントロール信号が発生して、副偏向アンプ２８に送られる。次いで、副偏向アンプ２８から副偏向器１６に所定の副偏向信号が送られ、これによってサブフィールド毎の描画が行われる。

図１において、副偏向器１６は、電子ビームの位置を高速且つ高精度に制御するのに用いられる。このため、副偏向器１６の偏向範囲は、マスク２上のサブフィールドに限定される。偏向がこの範囲を超える場合には、サブフィールドの位置を主偏向器１５で移動させることが必要となる。このように、主偏向器１５は、サブフィールドの位置を制御するのに用いられ、フレーム（主偏向領域）内でサブフィールドを移動させることができる。ここで、フレームは、主偏向器１５によって偏向可能な領域である。また、描画中は、ステージ３が一方向に連続的に移動しているので、描画原点がステージ３の移動に追従するように、主偏向器１５によってサブフィールドの描画原点をトラッキングさせている。

このように、ビーム成形用アパーチャ１７，１８で成形された電子ビームは、主偏向器と副偏向器によって偏向され、連続的に移動するステージ３に追従しながら、照射位置を決められる。図２は、この様子を説明する図である。尚、図２において、３０はフレーム、３１はサブフィールド、３２はショット図形である。図に示すように、まず、ステージ（図示せず）をｘ方向に移動させながら、電子ビームによってストライプ領域２９を描画する。続いて、ｙ方向にステージをステップ送りして、次のストライプ領域２９を描画する。これを繰り返すことによって、試料の全面に描画を行うことができる。また、ｘ方向のステージ移動を連続的に行うとともに、電子ビームのショット位置をステージ移動に追従させることで、描画時間の短縮を図ることができる。但し、本実施の形態においては、ステージを停止させた状態で１つのフレームの描画を行い、次の領域へ移動するときには描画を行わないステップアンドリピート方式の描画方法であってもよい。

次に、本実施の形態における電子ビーム描画装置と電子ビーム描画方法の特徴について説明する。

まず、図３を用いて、ブランキング開始時間とセトリング時間について説明する。

図３において、（ａ）は副偏向アンプの出力波形を示し、（ｂ）はブランキングアンプの出力波形を示す。ブランキングが開始される前に副偏向器に電圧が印加されると、照射中にビームが引きずられて描画精度が劣化する結果となる。これを防ぐため、従来は、副偏向アンプの出力電圧とブランキングアンプの出力電圧をモニターし、ブランキング開始時間から所定の時間（ｔ：本実施例では１０ｎｓ）をおいた後に、副偏向器に電圧が印加されるように調整していた。セトリング時間は、ブランキング制御信号が入力されている時間（つまり、ビームが照射されていない時間）に相当しており、また、セトリング時間の開始は、ブランキング終了時間に一致することが望ましい。セトリング時間の開始から副偏向器に電圧が印加されるまでの間に時間ｔを設けているので、この時間の分だけ実質的なセトリング時間が短くなることになる。したがって、副偏向器の出力が安定化する前に描画が開始されてしまうと、描画精度が低下する結果となる。

ところで、従来は、ブランキング開始時間より前に副偏向器に電圧が印加されないようにするため、時間ｔは、十分余裕のある長さに設定されていた。一方、時間ｔを短くすることができれば、設定可能なセトリング値を短くすることができ、描画精度を低下させずにスループットの向上が可能となる。また、副偏向器へ電圧を印加するタイミングは、ブランキング開始時間に一致することが望ましいが、ブランキング開始時間より前に副偏向器に電圧が印加されたとしても、線幅のずれ量が許容範囲内であれば問題ないとすることができる。

そこで、本実施の形態においては、副偏向器へ電圧を印加するタイミングを変化させ、描画精度との関係を調べることによって、適正な電圧印加のタイミングを見出し、実効的なセトリング時間を短くし、かつ描画精度が劣化しない条件を効率良く見つけることにある。

副偏向器への電圧印加のタイミングは、次のようにして決定される。

まず、適当な評価用描画パターンを用意し、副偏向器への電圧印加のタイミングを変えて描画を行ったときの描画パターンの線幅変化を測定する。図４は、評価用描画パターンの一例であり、多数のコンタクトホールが描画されるサブフィールドの１つを示している。この例では、ｘ方向にステージを連続移動しながら描画処理を行い、サブフィールドの端部に到達したら、パターン１０１からパターン１０２に移動して、同様の描画処理を行う。パターン１０１からパターン１０２への電子ビームの照射位置の移動量は、パターン１０３からパターン１０１への移動量に比較して大きいので、副偏向器に印加される電圧が大きくなり、電圧の値が大きく変わる。そこで、本実施の形態においては、移動直前に描画したパターン１０１について、ｘ方向とｙ方向の各線幅（Ｌｘ，Ｌｙ）を測定する。ブランキング開始時間より前に副偏向器に電圧が印加された場合、その影響は、１つ前に描画されたパターンに及び、パターン１０１であれば、電圧変化が大きいことによってかかる影響を把握しやすいと考えられるからである。

図５は、副偏向器への電圧印加のタイミングと線幅変化との関係を示した例である。横軸は、電圧印加のタイミングを表しており、時間ｔ_０で、副偏向器への電圧印加開始と、ブランキング制御信号の入力開始とが一致する。また、縦軸は、目標とする線幅からのずれ量を示しており、ゼロに近いほど目標とする線幅に近くなる。

図５において、時間ｔ_０では、ずれ量がゼロになっている。すなわち、副偏向器への電圧印加開始と、ブランキング制御信号の入力開始とが一致する場合には、設計値通りの線幅が得られる。（但し、実際のパターンの線幅は、設定ドーズ量や現像・エッチングなどのプロセス要因に応じて変化するため、必ずしも設計値通りにはならない場合もある。）図５の領域Ａは、パターン精度を保証できる領域である。したがって、時間ｔ_０で電圧を印加すれば、精度の低下を起こさずに、最も短いセトリング時間に設定することができる。

これに対して、図５の横軸で時間ｔ_０より左側のタイミングでは、ブランキング制御信号の入力開始前に副偏向器に電圧が印加される。つまり、パターン１０１を描画している間に、電子ビームが移動してしまうことになる。このため、パターン１０１の描画では、所望とする照射量に至らず、設計値より細い線幅になると考えられる。

一方、図５の横軸で時間ｔ_０より右側のタイミングでは、ブランキング終了時間より前に副偏向器に電圧が印加されるため、実効的な照射時間が減ってパターン寸法が小さくなる。そして、時間ｔ_０より右側に行くほど、遅いタイミングで電圧が印加されることになるので、ブランキング制御信号の入力開始から副偏向器に電圧が印加されるまでの時間（ｔ）が長くなる。時間ｔが長くなり過ぎると、副偏向器の出力が安定化する前に次の描画が開始されてしまう。したがって、この場合にもずれ量は大きくなり、パターンの寸法が小さくなる傾向がある。

時間ｔが長くなり過ぎることによる影響は、次に描画されるパターン、すなわち、パターン１０２の線幅に反映される。しかし、パターン１０１についても同様であることは言うまでもない。パターン１０１の描画前に行われる副偏向器への電圧印加のタイミングも遅くなるため、副偏向器の出力が安定化する前に、パターン１０１の描画が開始されてしまうからである。図５の横軸で時間ｔ_０より右側に行くと、線幅のずれ量に大きくなる傾向が見られるのは、この理由によると考えられる。尚、最初に描画されるパターンを除いた他のパターンについても同様である。

副偏向器に電圧を印加するタイミングは、ずれ量の許容範囲から決定される。すなわち、要求される描画精度に応じてずれ量の許容範囲を求め、これに対応する電圧印加のタイミングを図５の関係から求めればよい。例えば、ずれ量の許容範囲を±０．２ｎｍとすると、図５の例において、最も早いタイミングはｔ_１になり、最も遅いタイミングはｔ_２となる。したがって、副偏向器に電圧を印加するタイミングが、
ｔ_０−△ｔ’≦ｔ_０≦ｔ_０＋△ｔ （△ｔ≧０、△ｔ’≧０）
の範囲にあれば、Ｘ方向およびＹ方向ともに線幅が許容範囲内となる。但し、
ｔ_０−△ｔ’＝ｔ_１
ｔ_０＋△ｔ＝ｔ_２
である。△ｔと△ｔ’は、それぞれ独立に、ずれ量の許容範囲に応じて決定される。図５の例では、△ｔ＞△ｔ’であるが、場合に応じて、△ｔ＜△ｔ’であってもよく、△ｔ＝△ｔ’であってもよい。

以上の処理は、図１のタイミング調整回路３３を通じて行われる。尚、タイミング調整回路３３は、本発明におけるタイミング調整手段に対応する。

図６に示すように、タイミング調整回路３３で所定のタイミングが選択されると、この情報がブランキングアンプ２５に送られ（ステップ１）、指示通りのタイミングでブランキング機構が作動する（ステップ２）。また、ステップ１と並行して、タイミング調整回路３３から描画データデコーダ２４へも情報が送られ（ステップ３）、指示通りのタイミングで副偏向アンプ２８が作動する（ステップ４）。

ステップ１〜４までの処理によって、副偏向器には、ブランキング開始時間から所定時間ずれて、あるいは、ブランキング開始時間に一致して、電圧が印加される。続いて、セトリング時間の経過を待って描画を行う（ステップ５）。尚、この描画は、図４に示したような評価用描画パターンを用いて行われる。

描画を終えた後は、計測器（図示せず）を用いてパターンの線幅を測定する（ステップ６）。

ステップ１〜ステップ６を所定回数繰り返して行い、図５に示したような副偏向器への電圧印加のタイミングと線幅変化との関係を求める。次いで、線幅のずれ量の許容範囲から、適当な電圧印加のタイミングを求める（ステップ７）。ここで、ステップ７は、制御計算機２０で行われることが好ましい。すなわち、ステップ６で得られた線幅の値を制御計算機２０に入力すると、制御計算機２０において、電圧印加のタイミングを変えて描画されたパターンの線幅が比較されて、予め定められた線幅のずれ量の許容範囲から適正な電圧印加のタイミングが決定されるようにすることが好ましい。

次に、ステップ７で決定されたタイミングに基づいて、制御計算機２０によりタイミング調整回路３３が制御される（ステップ８）。具体的には、制御計算機２０からタイミング調整回路３３にタイミングに関する情報が送られて、副偏向器に電圧を印加するタイミングがセットされる。尚、ステップ７で得られたタイミングに関する情報は、必要に応じて、制御計算機２０で磁気ディスク２１に記録されるようにしておくことが好ましい。

ステップ７を制御計算機２０で行わない場合には、電圧印加のタイミングを変えて描画されたパターンの線幅と、予め定められた線幅のずれ量の許容範囲とから決定されたタイミングを制御計算機２０に入力し、入力された情報を制御計算機２０からタイミング調整回路３３に送る。尚、この場合にも、入力された情報が、制御計算機２０で磁気ディスク２１に記録されるようにしておくとよい。

以上述べたように、本実施の形態においては、副偏向器に電圧を印加するタイミングと描画精度との関係を調べることによって、適正なタイミングを見出して、これまでオーバーヘッド時間であったｔを短くすることが可能になり、描画精度を劣化させずにスループットの向上を図ることができる。

本実施の形態におけるセトリング時間は、種々の方法によって定めることができるが、電子ビームの照射位置の移動量、換言すると、電子ビームの偏向量に応じたセトリング時間とすることが好ましい。セトリング時間は偏向量と密接に関係するので、偏向量に応じたセトリング時間とすることにより、必要以上の整定待ち時間を減らしてスループットを向上できるからである。例えば、サブフィールド内の描画データにおける電子ビームの移動距離を算出し、この距離に応じてセトリング時間を定めることができる。

また、評価パターンを単純に多重描画（偏向フィールドをずらさないで描画）することにより、タイミングずれによるパターン寸法誤差をさらに拡大させて評価することもできる。これは、多重回数に応じて１回毎の照射時間が短くなり、タイミングずれによる実効的な照射時間のずれの割合が増加して、パターン寸法の劣化が増加することによる。本実施例では４回の単純多重描画により、誤差を拡大させて正確なタイミングを得ることができた。

尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。

また、上記実施の形態では、副偏向器に電圧を印加するタイミングは、相対的に大きな移動量で電子ビームの照射位置を移動する直前に描画されたパターンの線幅と、予め定められた線幅のずれ量の許容範囲とに基づいて決定された。しかし、本発明はこれに限られるものではなく、描画した全てのパターンについて線幅を求め、これらの平均値を各タイミングについて比較し、予め定められた線幅のずれ量の許容範囲に基づいて、適正なタイミングを決定することとしてもよい。この方法によれば、ブランキング制御信号の入力開始から副偏向器に電圧が印加されるまでの時間が長くなり過ぎることによる影響を把握しやすいと考えられる。

本実施の形態における電子ビーム描画装置の構成図である。 電子ビームによる描画の様子を説明する図である。 ブランキング開始時間とセトリング時間についての説明図である。 本実施の形態における評価用描画パターンの一例である。 副偏向器への電圧印加のタイミングと線幅変化との関係を示す図である。 副偏向器への電圧印加のタイミングを決定するフローチャートである。

符号の説明

１ 試料室
２ マスク
３ ステージ
４ ステージ駆動回路
５ 位置回路
６ 電子銃
７，８，９，１１，１２ 各種レンズ
１０ 電子ビーム光学系
１３ ブランキング用偏向器
１４ ビーム寸法可変用偏向器
１５ 主偏向器
１６ 副偏向器
１７，１８ ビーム成形用アパーチャ
２０ 制御計算機
２１ 磁気ディスク
２２ パターンメモリ
２３ パターンデータデコーダ
２４ 描画データデコーダ
２５ ブランキングアンプ
２６ ビーム成形アンプ
２７ 主偏向アンプ
２８ 副偏向アンプ
２９ ストライプ領域
３０ フレーム
３１ サブフィールド
３２ ショット図形
３３ タイミング調整回路

Claims (4)

1. 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの位置を制御するとともに、試料面上で前記荷電粒子ビームの照射を制御するブランキング用偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの照射開始時間および照射終了時間を制御して、前記試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
   前記試料面上で前記荷電粒子ビームの照射を制御するに際し、前記荷電粒子ビームの照射位置を移動するときに、前記荷電粒子ビームの前記試料面への前記照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを調整するタイミング調整手段と、
   前記タイミングを記録する機能を備えており前記タイミング調整手段を制御する制御計算機とを有し、
   前記制御計算機は、前記タイミングを変えて描画されたパターンの線幅を比較し、予め定められた線幅のずれ量の許容範囲から適正なタイミングを決定し、該タイミングに基づいて前記タイミング調整手段を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記荷電粒子ビームの照射位置の移動量に応じてセトリング時間を決定するセトリング時間決定手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ステージ上の試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
   前記荷電粒子ビームの照射位置を移動する際に前記荷電粒子ビームの照射終了時間に対して前記副偏向器へ電圧を印加するタイミングを変えて描画を行い、得られたパターンの線幅と予め定められた線幅のずれ量の許容範囲とから適正なタイミングを決定することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
4. 前記荷電粒子ビームの照射位置の移動量に応じてセトリング時間を決定することを特徴
   とする請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画方法。