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JP5206384B2 - Surge absorber and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description

本発明は、サージアブソーバ及びその製造方法に関し、より特定的には、1対の放電電極を備えたサージアブソーバ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a surge absorber and a manufacturing method thereof, and more particularly to a surge absorber including a pair of discharge electrodes and a manufacturing method thereof.

従来のサージアブソーバとして、例えば、特許文献1に記載のサージアブソーバが知られている。該サージアブソーバでは、基板の主面に凹部が設けられ、導電性粉末が混合された樹脂が、該凹部に充填されている。そして、1対の放電電極が、放電用の隙間を介して対向するように基板上に設けられている。該放電用の隙間は、樹脂上に位置している。   As a conventional surge absorber, for example, a surge absorber described in Patent Document 1 is known. In the surge absorber, a recess is provided in the main surface of the substrate, and the recess is filled with a resin mixed with conductive powder. A pair of discharge electrodes are provided on the substrate so as to face each other with a gap for discharge. The discharge gap is located on the resin.

特許文献1に記載のサージアブソーバでは、1対の放電電極間に所定値以上の大きさの電圧が印加された場合には、放電電極間において前記樹脂を介して放電が発生する。これにより、サージアブソーバは、過大な電流が後段の回路に流れることを防止している。   In the surge absorber described in Patent Document 1, when a voltage having a magnitude greater than or equal to a predetermined value is applied between a pair of discharge electrodes, discharge occurs between the discharge electrodes via the resin. As a result, the surge absorber prevents an excessive current from flowing to the subsequent circuit.

ところで、前記樹脂には、放電時のエネルギーで樹脂が炭化しにくいシリコン樹脂が用いられる。シリコン樹脂は、アルミナ等の基板に対して良好に接着しない。そのため、特許文献1に記載のサージアブソーバでは、シリコン樹脂及び放電電極を覆うように、エポキシ樹脂等の保護層が設けられている。   By the way, as the resin, a silicon resin is used in which the resin is less likely to be carbonized by energy during discharge. Silicone resin does not adhere well to substrates such as alumina. Therefore, in the surge absorber described in Patent Document 1, a protective layer such as an epoxy resin is provided so as to cover the silicon resin and the discharge electrode.

しかしながら、エポキシ樹脂等の保護層は、基板に対しては比較的良好に接着されるものの、放電電極に対しては良好に接着されない。特に、サージアブソーバにおいて、放電電極の大きさを維持しつつ基板を小型化した場合には、放電電極が設けられていない領域が小さくなる。その結果、保護層と基板とが良好に接着されなくなる。
特開2003−297524号公報
However, although a protective layer such as an epoxy resin adheres relatively well to the substrate, it does not adhere well to the discharge electrode. In particular, in the surge absorber, when the substrate is downsized while maintaining the size of the discharge electrode, the area where the discharge electrode is not provided becomes small. As a result, the protective layer and the substrate are not favorably bonded.
JP 2003-297524 A

そこで、本発明の目的は、保護層としての絶縁層が基板から剥がれることを抑制できるサージアブソーバ及びその製造方法を提供することである。   Then, the objective of this invention is providing the surge absorber which can suppress that the insulating layer as a protective layer peels from a board | substrate, and its manufacturing method.

本発明の第1の形態に係るサージアブソーバは、第1の主面及び第2の主面を有し、かつ、該第1の主面において穴を有する基板と、前記第1の主面上に設けられている第1の放電電極と、前記第1の放電電極と放電用の隙間を介して対向するように、前記第1の主面上に設けられている第2の放電電極と、導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記第1の主面の法線方向から平面視したときに前記隙間と重なるように該第1の主面上に設けられている第1の絶縁層と、前記第1の放電電極、前記第2の放電電極及び前記第1の絶縁層を覆うように前記第1の主面上に設けられていると共に、前記穴に充填されている第2の絶縁層と、を備えていること、を特徴とする。   A surge absorber according to a first aspect of the present invention includes a substrate having a first main surface and a second main surface and having a hole in the first main surface, and the first main surface. A second discharge electrode provided on the first main surface so as to be opposed to the first discharge electrode via a gap for discharge; An insulating layer mixed with powder of a conductive material, the insulating layer being provided on the first main surface so as to overlap the gap when seen in a plan view from the normal direction of the first main surface 1 is provided on the first main surface so as to cover the first insulating layer, the first discharge electrode, the second discharge electrode, and the first insulating layer, and is filled in the hole. And a second insulating layer.

本発明の第2の形態に係るサージアブソーバは、第1の主面、第2の主面及び側面を有する基板と、前記第1の主面上に設けられている第1の放電電極と、前記第1の放電電極と放電用の隙間を介して対向するように、前記第1の主面上に設けられている第2の放電電極と、導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記第1の主面の法線方向から平面視したときに前記隙間と重なるように該第1の主面上に設けられている第1の絶縁層と、前記第1の放電電極、前記第2の放電電極及び前記第1の絶縁層を覆うように前記第1の主面から前記側面にわたって設けられている第2の絶縁層と、を備えていること、を特徴とする。   A surge absorber according to a second aspect of the present invention includes a substrate having a first main surface, a second main surface and side surfaces, a first discharge electrode provided on the first main surface, An insulating layer in which a conductive material powder is mixed with a second discharge electrode provided on the first main surface so as to face the first discharge electrode via a discharge gap; A first insulating layer provided on the first main surface so as to overlap the gap when viewed in plan from the normal direction of the first main surface; and the first discharge electrode. And a second insulating layer provided from the first main surface to the side surface so as to cover the second discharge electrode and the first insulating layer.

本発明の一形態に係るサージアブソーバの製造方法は、第1の主面と第2の主面とを有し、該第1の主面において穴を有するマザー基板を準備する工程と、第1の放電電極及び該第1の放電電極と放電用の隙間を介して対向する第2の放電電極を、前記第1の主面上に形成する工程と、導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記隙間を覆う第1の絶縁層を前記第1の主面上に形成する工程と、絶縁シートを前記第1の主面に対して圧着して、該絶縁シートの一部を前記穴に充填させる工程と、前記マザー基板をカットする工程と、を備えていること、を特徴とする。   A method of manufacturing a surge absorber according to an aspect of the present invention includes a step of preparing a mother substrate having a first main surface and a second main surface, and having a hole in the first main surface; And a second discharge electrode facing the first discharge electrode through a gap for discharge on the first main surface, and an insulating material mixed with powder of a conductive material A step of forming a first insulating layer on the first main surface, the first insulating layer covering the gap, and a part of the insulating sheet by pressure-bonding the insulating sheet to the first main surface And a step of cutting the mother substrate.

本発明によれば、保護層としての絶縁層が基板から剥がれることを抑制できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can suppress that the insulating layer as a protective layer peels from a board | substrate.

以下に本発明の実施形態に係るサージアブソーバ及びその製造方法について説明する。   Hereinafter, a surge absorber and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described.

(第1の実施形態)
(サージアブソーバの構成)
以下、本発明の第1の実施形態に係るサージアブソーバについて図面を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係るサージアブソーバ10aの構造を示した図である。具体的には、図1(a)は、サージアブソーバ10aを上方から見たときの外観斜視図である。図1(b)は、図1(a)の保護層20を透視したときのサージアブソーバ10aの外観斜視図である。図1(c)は、サージアブソーバ10aを下方から見たときの外観斜視図である。図1(d)は、図1(a)のサージアブソーバ10aのA−Aにおける断面構造図である。以下、サージアブソーバ10aの主面に垂直な方向(法線方向)をz軸方向と定義し、サージアブソーバ10aの長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、サージアブソーバ10aの短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸及びz軸は互いに直交している。
(First embodiment)
(Surge absorber configuration)
Hereinafter, a surge absorber according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a view showing a structure of a surge absorber 10a according to the first embodiment. Specifically, FIG. 1A is an external perspective view when the surge absorber 10a is viewed from above. FIG. 1B is an external perspective view of the surge absorber 10a when the protective layer 20 of FIG. FIG. 1C is an external perspective view of the surge absorber 10a as viewed from below. FIG. 1D is a sectional structural view taken along line AA of the surge absorber 10a of FIG. Hereinafter, the direction (normal direction) perpendicular to the main surface of the surge absorber 10a is defined as the z-axis direction, the direction along the long side of the surge absorber 10a is defined as the x-axis direction, and the short side of the surge absorber 10a is defined. The direction along is defined as the y-axis direction. The x axis, the y axis, and the z axis are orthogonal to each other.

図1に示すように、サージアブソーバ10aは、基板12、放電電極14a,14b、放電層16、外部電極18a,18b、接続部19a,19b及び保護層20を備えている。   As shown in FIG. 1, the surge absorber 10 a includes a substrate 12, discharge electrodes 14 a and 14 b, a discharge layer 16, external electrodes 18 a and 18 b, connection portions 19 a and 19 b, and a protective layer 20.

基板12は、例えば、0.3mmの厚みを有するアルミナからなる長方形状の絶縁性基板であり、主面S1,S2を有している。また、基板12には、主面S1と主面S2との間を貫通する2つの円形の穴h1,h2が設けられている。主面S1は、z軸方向の正方向側に位置する面であり、主面S2は、z軸方向の負方向側に位置する面である。   The substrate 12 is a rectangular insulating substrate made of alumina having a thickness of 0.3 mm, for example, and has main surfaces S1 and S2. In addition, the substrate 12 is provided with two circular holes h1 and h2 penetrating between the main surface S1 and the main surface S2. The main surface S1 is a surface located on the positive direction side in the z-axis direction, and the main surface S2 is a surface located on the negative direction side in the z-axis direction.

放電電極14aは、基板12の主面S1上に1.0μm厚みで設けられ、基板12のx軸方向の負方向側の短辺から該基板12の中央部近傍までx軸方向に延在している。放電電極14bは、基板12の主面S1上に1.0μm厚みで設けられ、基板12のx軸方向の正方向側の短辺から該基板12の中央部近傍までx軸方向に延在している。放電電極14aと放電電極14bとは、基板12の中央部近傍において、放電用の隙間Gを介して対向している。放電電極14a,14bは、導電性に優れた金属、例えばAg,Pd,Cu,Auあるいはこれらの合金等により構成されている。また、放電用の隙間Gは、5μm以上15μm以下の大きさが好ましい。   The discharge electrode 14a is provided with a thickness of 1.0 μm on the main surface S1 of the substrate 12 and extends in the x-axis direction from the short side of the negative side of the substrate 12 in the x-axis direction to the vicinity of the center of the substrate 12. ing. The discharge electrode 14b is provided on the main surface S1 of the substrate 12 with a thickness of 1.0 μm and extends in the x-axis direction from the short side of the substrate 12 on the positive side in the x-axis direction to the vicinity of the center of the substrate 12. ing. The discharge electrode 14 a and the discharge electrode 14 b are opposed to each other with a discharge gap G in the vicinity of the center portion of the substrate 12. The discharge electrodes 14a and 14b are made of a metal having excellent conductivity, such as Ag, Pd, Cu, Au, or an alloy thereof. The discharge gap G is preferably 5 μm or more and 15 μm or less.

放電層16は、例えば、シリコン樹脂等の絶縁性の樹脂に導電性微粉末を混合したものであり、図1(b)及び図1(d)に示すように、z軸方向から平面視したときに、放電用の隙間Gと重なるように主面S1上に設けられている。本実施形態では、放電層16は、隙間Gを覆い隠すように設けられている。該放電層16は、図1(d)に示すように、数10μmの厚みのドーム形状を有している。該放電層16は、通常では、高いインピーダンスを有しているが、放電電極14aと放電電極14bとの間に静電気等の非常に高い電圧が印加されると、導電性微粉末間で放電が発生して低インピーダンス状態となる。   The discharge layer 16 is, for example, a mixture of an insulating resin such as silicon resin and conductive fine powder. As shown in FIGS. 1B and 1D, the discharge layer 16 is viewed in plan from the z-axis direction. Sometimes, it is provided on the main surface S1 so as to overlap the gap G for discharge. In the present embodiment, the discharge layer 16 is provided so as to cover the gap G. The discharge layer 16 has a dome shape with a thickness of several tens of μm, as shown in FIG. The discharge layer 16 normally has a high impedance, but when a very high voltage such as static electricity is applied between the discharge electrode 14a and the discharge electrode 14b, a discharge is generated between the conductive fine powders. Occurs in a low impedance state.

外部電極18aは、図1(c)に示すように、基板12の主面S2上に設けられ、z軸方向から平面視したときに、放電電極14aと重なっている。また、外部電極18bは、図1(c)に示すように、基板12の主面S2上に設けられ、z軸方向から平面視したときに、放電電極14bと重なっている。   As shown in FIG. 1C, the external electrode 18a is provided on the main surface S2 of the substrate 12, and overlaps the discharge electrode 14a when viewed in plan from the z-axis direction. Further, as shown in FIG. 1C, the external electrode 18b is provided on the main surface S2 of the substrate 12, and overlaps the discharge electrode 14b when viewed in plan from the z-axis direction.

穴h1は、図1(b)〜図1(d)に示すように、z軸方向から平面視したときに、放電電極14a及び外部電極18aと重なる位置に0.1mmの直径を有するように設けられている。穴h1は、図1(d)に示すように、主面S1から主面S2にいくにしたがって、z軸方向から平面視したときの面積が大きくなる形状を有している。すなわち、穴h1は、主面S1から主面S2にいくにしたがって、その径が大きくなるテーパ形状をとっている。そして、接続部19aは、穴h1の内周面に設けられ、放電電極14aと外部電極18aとを接続している。   As shown in FIGS. 1B to 1D, the hole h1 has a diameter of 0.1 mm at a position overlapping the discharge electrode 14a and the external electrode 18a when viewed in plan from the z-axis direction. Is provided. As shown in FIG. 1D, the hole h1 has a shape that increases in area when viewed from the z-axis direction as it goes from the main surface S1 to the main surface S2. That is, the hole h1 has a tapered shape in which the diameter increases from the main surface S1 to the main surface S2. And the connection part 19a is provided in the internal peripheral surface of the hole h1, and has connected the discharge electrode 14a and the external electrode 18a.

穴h2は、図1(b)〜図1(d)に示すように、z軸方向から平面視したときに、放電電極14b及び外部電極18bと重なる位置に0.1mmの直径を有するように設けられている。穴h2は、図1(d)に示すように、主面S1から主面S2にいくにしたがって、z軸方向から平面視したときの面積が大きくなる形状を有している。すなわち、穴h2は、主面S1から主面S2にいくにしたがって、その径が大きくなるようなテーパ形状をとっている。そして、接続部19bは、穴h2の内周面に設けられ、放電電極14bと外部電極18bとを接続している。   As shown in FIGS. 1B to 1D, the hole h2 has a diameter of 0.1 mm at a position overlapping the discharge electrode 14b and the external electrode 18b when viewed in plan from the z-axis direction. Is provided. As shown in FIG. 1D, the hole h2 has a shape that increases in area when viewed from the z-axis direction as it goes from the main surface S1 to the main surface S2. That is, the hole h2 has a tapered shape such that the diameter thereof increases from the main surface S1 to the main surface S2. And the connection part 19b is provided in the internal peripheral surface of the hole h2, and has connected the discharge electrode 14b and the external electrode 18b.

保護層20は、主面S1の全面にわたって設けられている長方形状の絶縁シートであり、比較的軟らかい熱硬化性樹脂(例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂)により構成されている。保護層20は、放電電極14a,14b及び放電層16を覆っている。また、保護層20は、図1(d)に示すように、穴h1,h2にも入り込んでいる。すなわち、穴h1,h2は、保護層20により充填されている。   The protective layer 20 is a rectangular insulating sheet provided over the entire surface of the main surface S1, and is made of a relatively soft thermosetting resin (for example, an epoxy resin or a phenol resin). The protective layer 20 covers the discharge electrodes 14 a and 14 b and the discharge layer 16. The protective layer 20 also enters the holes h1 and h2, as shown in FIG. That is, the holes h 1 and h 2 are filled with the protective layer 20.

なお、図1(e)に示すように、穴h1,h2は、主面S1から主面S2に行くにしたがって、z軸方向から平面視したときの面積が大きくなる形状を、主面S1と主面S2との間の少なくとも一部において有していてもよい。図1(e)は、変形例に係るサージアブソーバ10aのA−Aにおける断面構造図である。   As shown in FIG. 1 (e), the holes h1 and h2 have a shape that increases in area when viewed in plan from the z-axis direction as the main surface S1 moves from the main surface S1 to the main surface S2. You may have in at least one part between main surface S2. FIG. 1E is a cross-sectional structure view taken along line AA of the surge absorber 10a according to the modification.

(製造方法)
以上のように構成されたサージアブソーバ10aについて、以下に図面を参照しながらその製造方法について説明する。図2は、サージアブソーバ10aの製造時における工程断面図である。
(Production method)
About the surge absorber 10a comprised as mentioned above, the manufacturing method is demonstrated referring drawings below. FIG. 2 is a process cross-sectional view at the time of manufacturing the surge absorber 10a.

まず、アルミナなどからなるマザー基板12mを準備する。マザー基板12mは、カットされる前の基板12の集合体である。次に、図1に示すような穴h1,h2をマザー基板12mに形成する。穴h1,h2の形成は、例えば、ブラスト加工によって形成してもよいし、レーザビームを照射することによって形成してもよい。ブラスト加工又はレーザビームの照射によって穴h1,h2を形成する場合には、主面S2側から加工することが望ましい。これにより、図1(d)に示すようなテーパを有する穴h1,h2を形成することができる。   First, a mother substrate 12m made of alumina or the like is prepared. The mother substrate 12m is an aggregate of the substrates 12 before being cut. Next, holes h1 and h2 as shown in FIG. 1 are formed in the mother substrate 12m. The holes h1 and h2 may be formed, for example, by blasting or by irradiating a laser beam. When the holes h1 and h2 are formed by blast processing or laser beam irradiation, it is desirable to perform processing from the main surface S2 side. Thereby, holes h1 and h2 having a taper as shown in FIG. 1D can be formed.

次に、図1に示すような放電電極14a,14b、外部電極18a,18b及び接続部19a,19bを基板12に対して形成する。具体的には、放電電極14a,14b、外部電極18a,18b及び接続部19a,19bが形成されるべき領域に開口を有する箱に基板12を入れる。次に、Ag,Pd,Cu,Auやこれらの合金などを主成分とする導電性材料の膜の形成を蒸着法又はめっき法によって行う。これにより、放電電極14a,14b、外部電極18a,18b及び接続部19a,19bが基板12に形成される。   Next, discharge electrodes 14a and 14b, external electrodes 18a and 18b, and connection portions 19a and 19b as shown in FIG. Specifically, the substrate 12 is placed in a box having an opening in a region where the discharge electrodes 14a and 14b, the external electrodes 18a and 18b, and the connection portions 19a and 19b are to be formed. Next, a film of a conductive material mainly composed of Ag, Pd, Cu, Au, or an alloy thereof is formed by vapor deposition or plating. Thereby, the discharge electrodes 14a and 14b, the external electrodes 18a and 18b, and the connection portions 19a and 19b are formed on the substrate 12.

次に、図1(d)に示すように、放電用の隙間Gを覆うように放電層16をマザー基板12m上に形成する。より具体的には、熱硬化性ラバーや合成樹脂等に導電性微粉末を混入し、これを有機溶媒で溶解し液体状の過渡電圧保護材料を、放電電極14aと放電電極14bとの隙間Gを目標位置としてディスペンス又はスクリーン印刷によって連続的に滴下又は印刷していき、これを乾燥硬化する。この際、液体状の過渡電圧保護材料の表面張力により、放電層16は、ドーム状をなすようになる。   Next, as shown in FIG. 1D, the discharge layer 16 is formed on the mother substrate 12m so as to cover the discharge gap G. More specifically, conductive fine powder is mixed in a thermosetting rubber, a synthetic resin, or the like, and this is dissolved in an organic solvent to form a liquid transient voltage protection material as a gap G between the discharge electrode 14a and the discharge electrode 14b. The target position is continuously dropped or printed by dispensing or screen printing, and this is dried and cured. At this time, the discharge layer 16 has a dome shape due to the surface tension of the liquid transient voltage protection material.

次に、図2に示すように、該マザー基板12mの主面全体を覆うようにマザーシート20mを圧着する。マザーシート20mは、カットされる前の保護層20の集合体である。この際、図2(a)に示すように、主面S2側から吸引を行いつつ、マザー基板12m上にマザーシート20mを載置し、圧着を行う。これにより、マザー基板12mとマザーシート20mとの隙間に存在する空気は、穴h1,h2を介して、該隙間から排気される。また、マザーシート20mは、比較的軟らかいので、圧着及び吸引によって、図2(b)に示すように、穴h1,h2に侵入する。これにより、穴h1,h2がマザーシート20mにより充填される。   Next, as shown in FIG. 2, the mother sheet 20m is pressure-bonded so as to cover the entire main surface of the mother substrate 12m. The mother sheet 20m is an aggregate of the protective layers 20 before being cut. At this time, as shown in FIG. 2 (a), the mother sheet 20m is placed on the mother substrate 12m while being sucked from the main surface S2 side, and then crimped. Thereby, the air existing in the gap between the mother substrate 12m and the mother sheet 20m is exhausted from the gap through the holes h1 and h2. Further, since the mother sheet 20m is relatively soft, it penetrates into the holes h1 and h2 as shown in FIG. Thereby, the holes h1 and h2 are filled with the mother sheet 20m.

次に、図2に示すカットラインCにおいて、マザー基板12mをカットして、図1に示すような個別のサージアブソーバ10aを得る。なお、必要に応じて、外部電極18a,18bの表面にNiめっき/Snめっきを施してもよい。これにより、サージアブソーバ10aが完成する。   Next, the mother substrate 12m is cut along the cut line C shown in FIG. 2 to obtain individual surge absorbers 10a as shown in FIG. If necessary, Ni plating / Sn plating may be applied to the surfaces of the external electrodes 18a and 18b. Thereby, the surge absorber 10a is completed.

(効果)
以上のようなサージアブソーバ10a及びその製造方法によれば、保護層20は、穴h1,h2内に入り込んでいる。そのため、サージアブソーバ10aでは、保護層20が基板12に加えて接続部19と接触するようになる。その結果、サージアブソーバ10aによれば、基板12から保護層20が剥がれることを抑制することが可能となる。
(effect)
According to the surge absorber 10a and the manufacturing method thereof as described above, the protective layer 20 enters the holes h1 and h2. Therefore, in the surge absorber 10 a, the protective layer 20 comes into contact with the connection portion 19 in addition to the substrate 12. As a result, according to the surge absorber 10a, it is possible to prevent the protective layer 20 from being peeled from the substrate 12.

また、穴h1,h2は、主面S1と主面S2との間を貫通している。そのため、以下に説明するように、基板12と保護層20とをより効果的に密着させることができる。図3は、比較例に係るサージアブソーバ100の製造時における工程断面図である。図2及び図3において、共通の構成については同じ参照符号を付した。   Further, the holes h1 and h2 penetrate between the main surface S1 and the main surface S2. Therefore, as will be described below, the substrate 12 and the protective layer 20 can be more effectively adhered to each other. FIG. 3 is a process sectional view at the time of manufacturing the surge absorber 100 according to the comparative example. 2 and 3, the same reference numerals are assigned to common configurations.

図3に示すサージアブソーバ100には、穴h1,h2が設けられていない。この場合、マザーシート20mの圧着時に吸引を行ったとしても、図3(a)に示すように、空気は、マザー基板12mとマザーシート20mとの隙間からしか排気されない。そのため、空気の一部は、図3(b)に示すように、マザー基板12mとマザーシート20mとの間に残留してしまう。よって、サージアブソーバ100では、基板12と保護層20とが良好に密着しない。   The surge absorber 100 shown in FIG. 3 is not provided with holes h1 and h2. In this case, even if suction is performed when the mother sheet 20m is pressed, the air is exhausted only from the gap between the mother substrate 12m and the mother sheet 20m as shown in FIG. Therefore, a part of the air remains between the mother board 12m and the mother sheet 20m as shown in FIG. Therefore, in the surge absorber 100, the substrate 12 and the protective layer 20 do not adhere well.

一方、図2に示すサージアブソーバ10aでは、穴h1,h2が設けられている。この場合、マザーシート20mの圧着時に吸引を行うと、図2(a)に示すように、空気は、マザー基板12mとマザーシート20mとの隙間に加え、穴h1,h2からも排気されるようになる。そのため、サージアブソーバ10aでは、サージアブソーバ100に比べて、マザー基板12mとマザーシート20mとの間に空気が残留しにくい。よって、サージアブソーバ10aでは、基板12と保護層20とが良好に密着する。   On the other hand, the surge absorber 10a shown in FIG. 2 is provided with holes h1 and h2. In this case, if suction is performed when the mother sheet 20m is pressed, air is exhausted from the holes h1 and h2 in addition to the gap between the mother substrate 12m and the mother sheet 20m, as shown in FIG. become. Therefore, in the surge absorber 10a, air hardly remains between the mother board 12m and the mother sheet 20m as compared with the surge absorber 100. Therefore, in the surge absorber 10a, the substrate 12 and the protective layer 20 are in good contact.

更に、サージアブソーバ10aでは、図1(d)に示すように、穴h1,h2は、テーパを有している。そのため、保護層20は、穴h1,h2に入り込むと、アンカー効果により引き抜かれにくくなる。その結果、基板12と保護層20とがより良好に密着するようになる。   Further, in the surge absorber 10a, as shown in FIG. 1D, the holes h1 and h2 have a taper. Therefore, when the protective layer 20 enters the holes h1 and h2, the protective layer 20 becomes difficult to be pulled out due to the anchor effect. As a result, the substrate 12 and the protective layer 20 come into better contact.

また、サージアブソーバ10aでは、以下に説明するように、図2(b)に示したカット後に電極を形成する必要がないので、製造工程を減らすことができる。より詳細には、放電電極14a,14bが基板12の主面S1に設けられ、かつ、外部電極18a,18bが基板12の主面S2に設けられた場合には、一般的には、放電電極14a,14bと外部電極18a,18bとを接続する接続部を基板12の側面に設ける必要がある。   In the surge absorber 10a, as described below, it is not necessary to form an electrode after the cutting shown in FIG. 2B, so that the manufacturing process can be reduced. More specifically, when the discharge electrodes 14a and 14b are provided on the main surface S1 of the substrate 12 and the external electrodes 18a and 18b are provided on the main surface S2 of the substrate 12, generally, the discharge electrodes It is necessary to provide connection portions on the side surface of the substrate 12 to connect the external electrodes 18a and 18b to the external electrodes 18a and 18b.

しかしながら、基板12の側面は、マザー基板12mのカット後に露出する部分である。そのため、基板12の側面に接続部を形成する場合には、マザー基板12mのカット後に、放電電極14a,14b及び外部電極18a,18bとは別に接続部を形成する必要がある。   However, the side surface of the substrate 12 is a portion that is exposed after the mother substrate 12m is cut. For this reason, when forming the connection portion on the side surface of the substrate 12, it is necessary to form the connection portion separately from the discharge electrodes 14a and 14b and the external electrodes 18a and 18b after the mother substrate 12m is cut.

これに対して、サージアブソーバ10aでは、放電電極14a,14bは、穴h1,h2の内周面に設けられた接続部19a,19bによって、外部電極18a,18bに接続されている。穴h1,h2は、マザー基板12mの準備段階にて設けられているものである。そのため、穴h1,h2の内周面は、マザー基板12mのカット前において、既に露出している。したがって、マザー基板12mのカット前において接続部19a,19bを形成することができる。すなわち、前記製造方法に示したように、放電電極14a,14b、外部電極18a,18bと同時に接続部19a,19bを形成することが可能となる。よって、サージアブソーバ10aによれば、製造工程を減らすことが可能となる。   On the other hand, in the surge absorber 10a, the discharge electrodes 14a and 14b are connected to the external electrodes 18a and 18b by connection portions 19a and 19b provided on the inner peripheral surfaces of the holes h1 and h2. The holes h1 and h2 are provided at the preparation stage of the mother substrate 12m. Therefore, the inner peripheral surfaces of the holes h1 and h2 are already exposed before the mother substrate 12m is cut. Therefore, the connecting portions 19a and 19b can be formed before the mother substrate 12m is cut. That is, as shown in the manufacturing method, the connection portions 19a and 19b can be formed simultaneously with the discharge electrodes 14a and 14b and the external electrodes 18a and 18b. Therefore, according to the surge absorber 10a, the manufacturing process can be reduced.

(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係るサージアブソーバについて図面を参照しながら説明する。図4は、第2の実施形態に係るサージアブソーバ10bの構造を示した図である。具体的には、図4(a)は、サージアブソーバ10bを上方から見たときの外観斜視図である。図4(b)は、図4(a)の保護層20を透視したときのサージアブソーバ10bの外観斜視図である。図4(c)は、サージアブソーバ10bを下方から見たときの外観斜視図である。図4(d)は、図4(a)のサージアブソーバ10bのA−Aにおける断面構造図である。以下、サージアブソーバ10bの主面に垂直な方向をz軸方向と定義し、サージアブソーバ10bの長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、サージアブソーバ10bの短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸及びz軸は互いに直交している。
(Second Embodiment)
Hereinafter, a surge absorber according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a view showing the structure of the surge absorber 10b according to the second embodiment. Specifically, FIG. 4A is an external perspective view when the surge absorber 10b is viewed from above. FIG. 4B is an external perspective view of the surge absorber 10b when the protective layer 20 of FIG. 4A is seen through. FIG. 4C is an external perspective view of the surge absorber 10b as viewed from below. FIG. 4D is a sectional structural view taken along line AA of the surge absorber 10b of FIG. Hereinafter, the direction perpendicular to the main surface of the surge absorber 10b is defined as the z-axis direction, the direction along the long side of the surge absorber 10b is defined as the x-axis direction, and the direction along the short side of the surge absorber 10b is defined as y. It is defined as the axial direction. The x axis, the y axis, and the z axis are orthogonal to each other.

サージアブソーバ10aとサージアブソーバ10bとの相違点は、サージアブソーバ10bには、穴h1,h2の代わりに溝g1,g2が設けられている点である。以下に、該相違点を中心にサージアブソーバ10bについて説明する。   The difference between the surge absorber 10a and the surge absorber 10b is that the surge absorber 10b is provided with grooves g1 and g2 instead of the holes h1 and h2. Below, the surge absorber 10b is demonstrated centering on this difference.

サージアブソーバ10bでは、基板12のx軸方向の両端に位置する側面S3,S4のそれぞれに溝g1,g2が設けられている。溝g1,g2はそれぞれ、主面S1から主面S2にわたって延在しており、z軸方向から平面視したときに、半円状を有している。   In the surge absorber 10b, grooves g1 and g2 are provided on the side surfaces S3 and S4 located at both ends in the x-axis direction of the substrate 12, respectively. Each of the grooves g1 and g2 extends from the main surface S1 to the main surface S2, and has a semicircular shape when viewed in plan from the z-axis direction.

接続部19a,19bはそれぞれ、図4に示すように、溝g1,g2の内周面に設けられており、放電電極14a,14bと外部電極18a,18bとを接続している。   As shown in FIG. 4, the connecting portions 19a and 19b are provided on the inner peripheral surfaces of the grooves g1 and g2, respectively, and connect the discharge electrodes 14a and 14b to the external electrodes 18a and 18b.

また、保護層20は、主面S1の全面にわたって設けられている長方形状の絶縁シートであり、熱硬化性樹脂により構成されている。保護層20は、放電電極14a,14b及び放電層16を覆っている。更に、保護層20は、図4(d)に示すように、溝g1,g2にも設けられている。これにより、保護層20は、主面S1から側面S3,S4にわたって設けられている。サージアブソーバ10bのその他の構成は、サージアブソーバ10aのその他の構成と同じであるので説明を省略する。   The protective layer 20 is a rectangular insulating sheet provided over the entire surface of the main surface S1, and is made of a thermosetting resin. The protective layer 20 covers the discharge electrodes 14 a and 14 b and the discharge layer 16. Furthermore, as shown in FIG. 4D, the protective layer 20 is also provided in the grooves g1 and g2. Thus, the protective layer 20 is provided from the main surface S1 to the side surfaces S3 and S4. Since the other structure of the surge absorber 10b is the same as the other structure of the surge absorber 10a, description thereof is omitted.

次に、サージアブソーバ10bの製造方法について説明する。図5は、サージアブソーバ10bの製造時における工程断面図である。   Next, a method for manufacturing the surge absorber 10b will be described. FIG. 5 is a process cross-sectional view at the time of manufacturing the surge absorber 10b.

サージアブソーバ10bでは、マザー基板12mに対して、溝g1,g2となるべき直径0.3mmの複数の穴Hを形成する。具体的には、図5に示すように、溝g1と溝g2とを合わせて得られる穴Hを、マザー基板12mに形成する。穴Hの形成方法は、穴h1,h2の形成方法と同じであるので説明を省略する。また、サージアブソーバ10bにおける放電電極14a,14b、外部電極18a,18b及び接続部19a,19bの形成方法も、サージアブソーバ10aにおける放電電極14a,14b、外部電極18a,18b及び接続部19a,19bの形成方法と同じであるので説明を省略する。また、サージアブソーバ10bにおけるマザーシート20mの圧着方法も、サージアブソーバ10aにおけるマザーシート20mの圧着方法と同じであるので説明を省略する。   In the surge absorber 10b, a plurality of holes H having a diameter of 0.3 mm to be the grooves g1 and g2 are formed in the mother substrate 12m. Specifically, as shown in FIG. 5, a hole H obtained by combining the groove g1 and the groove g2 is formed in the mother substrate 12m. Since the formation method of the hole H is the same as the formation method of the holes h1 and h2, description thereof is omitted. The method of forming the discharge electrodes 14a and 14b, the external electrodes 18a and 18b and the connection portions 19a and 19b in the surge absorber 10b is also the same as that of the discharge electrodes 14a and 14b, the external electrodes 18a and 18b and the connection portions 19a and 19b in the surge absorber 10a. Since it is the same as the forming method, the description is omitted. Further, the method for crimping the mother sheet 20m in the surge absorber 10b is the same as the method for crimping the mother sheet 20m in the surge absorber 10a, and the description thereof will be omitted.

次に、図5に示すカットラインCにおいて、マザー基板12mをカットして、図4に示すような個別のサージアブソーバ10bを得る。この際、カットラインは、穴Hを通過している。これにより、穴Hは、溝g1と溝g2とに分割される。以上の工程を経て、サージアブソーバ10bが完成する。   Next, the mother substrate 12m is cut along the cut line C shown in FIG. 5 to obtain individual surge absorbers 10b as shown in FIG. At this time, the cut line passes through the hole H. Thereby, the hole H is divided | segmented into the groove | channel g1 and the groove | channel g2. The surge absorber 10b is completed through the above steps.

以上のように構成されたサージアブソーバ10bによれば、サージアブソーバ10aと同じ作用効果を奏することができる。   According to the surge absorber 10b configured as described above, the same operational effects as the surge absorber 10a can be achieved.

(その他の実施形態)
本発明に係るサージアブソーバは、前記サージアブソーバ10a,10bに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
(Other embodiments)
The surge absorber according to the present invention is not limited to the surge absorbers 10a and 10b, and can be changed within the scope of the gist thereof.

図6は、その他の実施形態に係るサージアブソーバ10cの構造を示した図である。図6(a)は、サージアブソーバ10cを上方から見たときの外観斜視図である。図6(b)は、図6(a)の保護層20を透視したときのサージアブソーバ10cの外観斜視図である。図6(c)は、サージアブソーバ10cを下方から見たときの外観斜視図である。図6(d)は、図6(a)のサージアブソーバ10cのA−Aにおける断面構造図である。以下、サージアブソーバ10cの主面に垂直な方向をz軸方向と定義し、サージアブソーバ10cの長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、サージアブソーバ10cの短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。x軸、y軸及びz軸は互いに直交している。   FIG. 6 is a view showing the structure of a surge absorber 10c according to another embodiment. FIG. 6A is an external perspective view of the surge absorber 10c as viewed from above. FIG. 6B is an external perspective view of the surge absorber 10c when the protective layer 20 of FIG. 6A is seen through. FIG. 6C is an external perspective view of the surge absorber 10c as viewed from below. FIG. 6D is a sectional structural view taken along line AA of the surge absorber 10c of FIG. Hereinafter, the direction perpendicular to the main surface of the surge absorber 10c is defined as the z-axis direction, the direction along the long side of the surge absorber 10c is defined as the x-axis direction, and the direction along the short side of the surge absorber 10c is defined as y. It is defined as the axial direction. The x axis, the y axis, and the z axis are orthogonal to each other.

図6に示すように、保護層20は、主面S1の全体を覆っていなくてもよい。この場合、放電電極14aの一部が保護層20から露出するようになるので、放電電極14aに対応する外部電極18a及び接続部19aは必要なくなる。そこで、サージアブソーバ10cでは、外部電極18bを主面S2の全面に形成している。そして、放電電極14aは、例えば、ワイヤボンディングにより外部回路と接続される。以上のように構成されたサージアブソーバ10cによっても、サージアブソーバ10aと同じ作用効果を奏することができる。   As shown in FIG. 6, the protective layer 20 may not cover the entire main surface S1. In this case, since a part of the discharge electrode 14a is exposed from the protective layer 20, the external electrode 18a and the connection portion 19a corresponding to the discharge electrode 14a are not necessary. Therefore, in the surge absorber 10c, the external electrode 18b is formed on the entire main surface S2. The discharge electrode 14a is connected to an external circuit by wire bonding, for example. The surge absorber 10c configured as described above can achieve the same effects as the surge absorber 10a.

図1(a)は、第1の実施形態に係るサージアブソーバを上方から見たときの外観斜視図である。図1(b)は、図1(a)の保護層を透視したときのサージアブソーバの外観斜視図である。図1(c)は、サージアブソーバを下方から見たときの外観斜視図である。図1(d)は、図1(a)のサージアブソーバのA−Aにおける断面構造図である。図1(e)は、変形例に係るサージアブソーバのA−Aにおける断面構造図である。Fig.1 (a) is an external appearance perspective view when the surge absorber which concerns on 1st Embodiment is seen from upper direction. FIG. 1B is an external perspective view of the surge absorber when the protective layer of FIG. FIG. 1C is an external perspective view of the surge absorber as viewed from below. FIG. 1D is a sectional structural view taken along line AA of the surge absorber of FIG. FIG.1 (e) is a cross-section figure in AA of the surge absorber which concerns on a modification. 図1のサージアブソーバの製造時における工程断面図である。It is process sectional drawing at the time of manufacture of the surge absorber of FIG. 比較例に係るサージアブソーバの製造時における工程断面図である。It is process sectional drawing at the time of manufacture of the surge absorber which concerns on a comparative example. 図4(a)は、第2の実施形態に係るサージアブソーバを上方から見たときの外観斜視図である。図4(b)は、図4(a)の保護層を透視したときのサージアブソーバの外観斜視図である。図4(c)は、サージアブソーバを下方から見たときの外観斜視図である。図4(d)は、図4(a)のサージアブソーバのA−Aにおける断面構造図である。Fig.4 (a) is an external appearance perspective view when the surge absorber which concerns on 2nd Embodiment is seen from upper direction. FIG. 4B is an external perspective view of the surge absorber when the protective layer of FIG. 4A is seen through. FIG. 4C is an external perspective view of the surge absorber as viewed from below. FIG. 4D is a sectional structural view taken along line AA of the surge absorber of FIG. 図4のサージアブソーバの製造時における工程断面図である。It is process sectional drawing at the time of manufacture of the surge absorber of FIG. 図6(a)は、その他の実施形態に係るサージアブソーバを上方から見たときの外観斜視図である。図6(b)は、図6(a)の保護層を透視したときのサージアブソーバの外観斜視図である。図6(c)は、サージアブソーバを下方から見たときの外観斜視図である。図6(d)は、図6(a)のサージアブソーバのA−Aにおける断面構造図である。Fig.6 (a) is an external appearance perspective view when the surge absorber which concerns on other embodiment is seen from upper direction. FIG. 6B is an external perspective view of the surge absorber when the protective layer of FIG. 6A is seen through. FIG. 6C is an external perspective view of the surge absorber as viewed from below. FIG. 6D is a sectional structural view taken along line AA of the surge absorber in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

C カットライン
G 隙間
h1,h2,H 穴
S1,S2 主面
S3,S4 側面
g1,g2 溝
10a〜10c サージアブソーバ
12 基板
12m マザー基板
14a,14b 放電電極
16 放電層
18a,18b 外部電極
19a,19b 接続部
20 保護層
20m マザーシート
C cut line G gap h1, h2, H hole S1, S2 main surface S3, S4 side surface g1, g2 groove 10a-10c surge absorber 12 substrate 12m mother substrate 14a, 14b discharge electrode 16 discharge layer 18a, 18b external electrode 19a, 19b Connection part 20 Protective layer 20m Mother sheet

Claims (13)

第1の主面及び第2の主面を有し、かつ、該第1の主面において穴を有する基板と、
前記第1の主面上に設けられている第1の放電電極と、
前記第1の放電電極と放電用の隙間を介して対向するように、前記第1の主面上に設けられている第2の放電電極と、
導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記第1の主面の法線方向から平面視したときに前記隙間と重なるように該第1の主面上に設けられている第1の絶縁層と、
前記第1の放電電極、前記第2の放電電極及び前記第1の絶縁層を覆うように前記第1の主面上に設けられていると共に、前記穴に充填されている第2の絶縁層と、
を備えていること、
を特徴とするサージアブソーバ。
A substrate having a first main surface and a second main surface, and having a hole in the first main surface;
A first discharge electrode provided on the first main surface;
A second discharge electrode provided on the first main surface so as to face the first discharge electrode via a discharge gap;
An insulating layer mixed with powder of a conductive material, the insulating layer being provided on the first main surface so as to overlap the gap when seen in a plan view from the normal direction of the first main surface 1 insulating layer;
A second insulating layer provided on the first main surface so as to cover the first discharge electrode, the second discharge electrode, and the first insulating layer, and filling the hole When,
Having
Surge absorber characterized by
前記穴は、前記第1の主面と前記第2の主面との間を貫通していること、
を特徴とする請求項1に記載のサージアブソーバ。
The hole penetrates between the first main surface and the second main surface;
The surge absorber according to claim 1.
前記穴は、少なくとも第1の穴及び第2の穴からなり、
前記第2の主面に設けられている第1の外部電極及び第2の外部電極と、
前記第1の穴の内周面に設けられ、前記第1の放電電極と前記第1の外部電極とを接続する第1の接続部と、
前記第2の穴の内周面に設けられ、前記第2の放電電極と前記第2の外部電極とを接続する第2の接続部と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項2に記載のサージアブソーバ。
The hole comprises at least a first hole and a second hole,
A first external electrode and a second external electrode provided on the second main surface;
A first connection portion provided on an inner peripheral surface of the first hole and connecting the first discharge electrode and the first external electrode;
A second connection portion provided on an inner peripheral surface of the second hole, and connecting the second discharge electrode and the second external electrode;
Further comprising
The surge absorber according to claim 2.
前記穴は、前記第1の主面から前記第2の主面に行くにしたがって、該第1の主面の法線方向から平面視したときの面積が大きくなる形状を、該第1の主面と該第2の主面との間の少なくとも一部において有していること、
を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のサージアブソーバ。
The hole has a shape that increases in area when viewed from the normal direction of the first main surface as it goes from the first main surface to the second main surface. Having at least a portion between the surface and the second main surface;
The surge absorber according to any one of claims 1 to 3.
前記第2の絶縁層は、前記第1の主面の全面を覆っていること、
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のサージアブソーバ。
The second insulating layer covers the entire surface of the first main surface;
The surge absorber according to any one of claims 1 to 4, wherein
第1の主面、第2の主面及び側面を有する基板と、
前記第1の主面上に設けられている第1の放電電極と、
前記第1の放電電極と放電用の隙間を介して対向するように、前記第1の主面上に設けられている第2の放電電極と、
導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記第1の主面の法線方向から平面視したときに前記隙間と重なるように該第1の主面上に設けられている第1の絶縁層と、
前記第1の放電電極、前記第2の放電電極及び前記第1の絶縁層を覆うように前記第1の主面から前記側面にわたって設けられている第2の絶縁層と、
を備えていること、
を特徴とするサージアブソーバ。
A substrate having a first main surface, a second main surface and side surfaces;
A first discharge electrode provided on the first main surface;
A second discharge electrode provided on the first main surface so as to face the first discharge electrode via a discharge gap;
An insulating layer mixed with powder of a conductive material, the insulating layer being provided on the first main surface so as to overlap the gap when seen in a plan view from the normal direction of the first main surface 1 insulating layer;
A second insulating layer provided from the first main surface to the side surface so as to cover the first discharge electrode, the second discharge electrode, and the first insulating layer;
Having
Surge absorber characterized by
前記側面には、前記第1の主面から前記第2の主面にわたって延在している溝が設けられており、
前記第2の絶縁層は、前記溝の内部に設けられていること、
を特徴とする請求項6に記載のサージアブソーバ。
The side surface is provided with a groove extending from the first main surface to the second main surface,
The second insulating layer is provided inside the groove;
The surge absorber according to claim 6.
前記溝は、少なくとも第1の溝及び第2の溝からなり、
前記第2の主面に設けられている第1の外部電極及び第2の外部電極と、
前記第1の溝の内周面に設けられ、前記第1の放電電極と前記第1の外部電極とを接続する第1の接続部と、
前記第2の溝の内周面に設けられ、前記第2の放電電極と前記第2の外部電極とを接続する第2の接続部と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項7に記載のサージアブソーバ。
The groove comprises at least a first groove and a second groove,
A first external electrode and a second external electrode provided on the second main surface;
A first connection portion provided on an inner peripheral surface of the first groove and connecting the first discharge electrode and the first external electrode;
A second connecting portion provided on an inner peripheral surface of the second groove and connecting the second discharge electrode and the second external electrode;
Further comprising
The surge absorber according to claim 7.
前記第2の絶縁層は、前記第1の主面の全面を覆っていること、
を特徴とする請求項6ないし請求項8のいずれかに記載のサージアブソーバ。
The second insulating layer covers the entire surface of the first main surface;
The surge absorber according to any one of claims 6 to 8, wherein
第1の主面と第2の主面とを有し、該第1の主面において穴を有するマザー基板を準備する工程と、
第1の放電電極及び該第1の放電電極と放電用の隙間を介して対向する第2の放電電極を、前記第1の主面上に形成する工程と、
導電性材料の粉末が混合された絶縁層であって、前記隙間を覆う第1の絶縁層を前記第1の主面上に形成する工程と、
絶縁シートを前記第1の主面に対して圧着して、該絶縁シートの一部を前記穴に充填させる工程と、
前記マザー基板をカットする工程と、
を備えていること、
を特徴とするサージアブソーバの製造方法。
Preparing a mother substrate having a first main surface and a second main surface, and having a hole in the first main surface;
Forming a first discharge electrode and a second discharge electrode facing the first discharge electrode via a discharge gap on the first main surface;
Forming an insulating layer mixed with a powder of a conductive material on the first main surface, the first insulating layer covering the gap;
Crimping an insulating sheet against the first main surface, and filling the hole with a part of the insulating sheet;
Cutting the mother substrate;
Having
A method of manufacturing a surge absorber characterized by the above.
前記マザー基板を準備する工程では、前記第1の主面と前記第2の主面とを貫通する穴が設けられたマザー基板を準備すること、
を特徴とする請求項10に記載のサージアブソーバの製造方法。
In the step of preparing the mother substrate, preparing a mother substrate provided with a hole penetrating the first main surface and the second main surface;
The method of manufacturing a surge absorber according to claim 10.
前記穴は、少なくとも、第1の穴及び第2の穴からなり、
第1の外部電極及び第2の外部電極を、前記第2の主面上に形成する工程と、
前記第1の外部電極と前記第1の放電電極とを接続する第1の接続部を、前記第1の穴の内周面に形成する工程と、
前記第2の外部電極と前記第2の放電電極とを接続する第2の接続部を、前記第2の穴の内周面に形成する工程と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項11に記載のサージアブソーバの製造方法。
The hole comprises at least a first hole and a second hole,
Forming a first external electrode and a second external electrode on the second main surface;
Forming a first connecting portion for connecting the first external electrode and the first discharge electrode on an inner peripheral surface of the first hole;
Forming a second connecting portion for connecting the second external electrode and the second discharge electrode on an inner peripheral surface of the second hole;
Further comprising
The method of manufacturing a surge absorber according to claim 11.
前記マザー基板をカットする工程では、カットラインが前記第1の穴及び前記第2の穴を通過するように、該マザー基板をカットすること、
を特徴とする請求項12に記載のサージアブソーバの製造方法。
In the step of cutting the mother substrate, cutting the mother substrate so that a cut line passes through the first hole and the second hole;
The method of manufacturing a surge absorber according to claim 12.
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