JP5211364B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1および図2を参照して、本実施の形態における半導体装置1Aについて説明する。図1は、半導体装置1Aを示す斜視図である。図2は、図1におけるII線で囲まれる領域を模式的に示す拡大斜視図である。
以上のように構成される半導体装置1Aにおいては、所定の外部端子72がネジ端子30A上に配置される。ネジまたはボルトなどの螺合部材70が、ネジ端子30Aの開口部31を通してナット45に螺合する。外部端子72がネジ端子30Aに固定され、外部端子72と半導体搭載基板10とが電気的に接続される。また、所定の他の外部端子(図示せず)がピン端子50に接続され、他の外部端子と半導体搭載基板10とが電気的に接続される。
図3を参照して、実施の形態1の他の構成における半導体装置1Bについて説明する。図3は、半導体装置1Bの一部を模式的に示す拡大斜視図である。図3は、上述の実施の形態1における図2に対応している。半導体装置1Bと、上述の実施の形態1における半導体装置1Aとは、以下の点において相違し、その他の点においては略同様である。
図4〜図6を参照して、本実施の形態における半導体装置1Cについて説明する。図4は、半導体装置1Cの一部を模式的に示す拡大斜視図である。図4は、上述の実施の形態1における図2に対応している。図4においては、蓋部材を記載していない。図5は、半導体装置1Cにおけるネジ端子30Cを示す底面図である。図6は、図5におけるVI−VI線に関する矢視断面図である。図6においては、マザーケース20を追加的に記載している。半導体装置1Cと、上述の実施の形態1における半導体装置1Aとは、以下の点において相違し、その他の点においては略同様である。
以上のように構成される半導体装置1Cにおいては、上述の実施の形態1と同様に、所定の外部端子(外部端子72)がネジ端子30C上に配置される。ネジまたはボルトなどの螺合部材(螺合部材70)が、ネジ端子30Cの開口部31を通してナット(ナット45)に螺合する。外部端子がネジ端子30Cに固定され、外部端子と半導体搭載基板10とが電気的に接続される。また、所定の他の外部端子(図示せず)がピン端子に接続され、他の外部端子と半導体搭載基板10とが電気的に接続される。
図7を参照して、実施の形態2の他の構成における半導体装置について説明する。図7は、この他の構成における半導体装置のネジ端子30Dを示す斜視図である。この他の構成における半導体装置と、上述の実施の形態2における半導体装置1Cとは、以下の点において相違し、その他の点においては略同様である。
図8を参照して、本実施の形態における半導体装置について説明する。図8は、本実施の形態における半導体装置を示す平面図である。本実施の形態における半導体装置と、上述の実施の形態1、実施の形態1の他の構成、実施の形態2、および実施の形態2の他の構成における半導体装置とは、以下の点において相違し、その他の点においては略同様である。
図9を参照して、本実施の形態における半導体装置について説明する。図9は、本実施の形態における半導体装置を示す平面図である。本実施の形態における半導体装置と、上述の実施の形態1、実施の形態1の他の構成、実施の形態2、および実施の形態2の他の構成における半導体装置とは、以下の点において相違し、その他の点においては略同様である。
図10および図11を参照して、本実施の形態における半導体装置について説明する。図10は、本実施の形態における半導体装置のネジ端子30Eを示す斜視図である。図11は、本実施の形態における半導体装置のネジ端子30Eおよび蓋部材40Aを示す断面図である。本実施の形態における半導体装置と、上述の実施の形態1、実施の形態1の他の構成、実施の形態2、および実施の形態2の他の構成における半導体装置とは、以下の点において相違し、その他の点においては略同様である。
図12および図13を参照して、本実施の形態における半導体装置について説明する。図12は、本実施の形態における半導体装置の一部(蓋部材40D、ネジ端子30A、および平板状部材80)を示す斜視図である。図13は、図12におけるXIII−XIII線に関する矢視断面図である。本実施の形態における半導体装置と、上述の実施の形態1、実施の形態1の他の構成、実施の形態2、および実施の形態2の他の構成における半導体装置とは、以下の点において相違し、その他の点においては略同様である。
Claims (5)
- 半導体搭載基板と、
開口を有し、前記半導体搭載基板を収納するマザーケースと、
前記開口を構成する前記マザーケースの周縁に沿って設けられた複数の固定部材と、
挿入部を有し、前記挿入部が隣り合う前記固定部材間に挿入されることによって前記固定部材に対して固定されるブロックと、
平板部、および前記平板部から延在する複数の端子底部を含んで構成され、前記ブロックを貫通するように配設されることによって前記ブロックに保持され、複数の前記端子底部側において前記半導体搭載基板と電気的に接続されるネジ端子と、
前記ブロックが前記固定部材に固定された状態で前記開口を閉塞可能な蓋部材と、
を備え、
前記ネジ端子は、前記ブロックが前記固定部材に固定された状態で、前記平板部と前記開口を閉塞している前記蓋部材の上面とが対向するように折り曲げられ、
前記蓋部材は、
前記上面に設けられ、平面視六角形状のナットを収容可能な収容溝と、
前記収容溝の内壁に設けられ、前記ナットの移動および回転を規制する複数の突起と、を有し、
複数のうちいずれかまたはすべての前記突起同士の間隔は、隣り合う前記突起同士の間に前記ナットの頂部が位置するように設定される、
半導体装置。 - 半導体搭載基板と、
開口を有し、前記半導体搭載基板を収納するマザーケースと、
前記開口を構成する前記マザーケースの周縁に沿って設けられた複数の固定部材と、
挿入部を有し、前記挿入部が隣り合う前記固定部材間に挿入されることによって前記固定部材に対して固定されるブロックと、
平板部、および前記平板部から延在する複数の端子底部を含んで構成され、前記ブロックを貫通するように配設されることによって前記ブロックに保持され、複数の前記端子底部側において前記半導体搭載基板と電気的に接続されるネジ端子と、
前記ブロックが前記固定部材に固定された状態で前記開口を閉塞可能な蓋部材と、
を備え、
前記ネジ端子は、前記ブロックが前記固定部材に固定された状態で、前記平板部と前記開口を閉塞している前記蓋部材の上面とが対向するように折り曲げられ、
前記蓋部材は、
前記上面に設けられ、平面視六角形状のナットを収容可能な収容溝と、
前記収容溝の内壁に設けられ、前記ナットの移動および回転を規制する複数の突起と、を有し、
複数のうちいずれかまたはすべての前記突起同士の間隔は、隣り合う前記突起同士の間に前記ナットの辺部が位置するように設定される、
半導体装置。 - 半導体搭載基板と、
開口を有し、前記半導体搭載基板を収納するマザーケースと、
前記開口を構成する前記マザーケースの周縁に沿って設けられた複数の固定部材と、
挿入部を有し、前記挿入部が隣り合う前記固定部材間に挿入されることによって前記固定部材に対して固定されるブロックと、
平板部、および前記平板部から延在する複数の端子底部を含んで構成され、前記ブロックを貫通するように配設されることによって前記ブロックに保持され、複数の前記端子底部側において前記半導体搭載基板と電気的に接続されるネジ端子と、
前記ブロックが前記固定部材に固定された状態で前記開口を閉塞可能な蓋部材と、
を備え、
前記ネジ端子は、前記ブロックが前記固定部材に固定された状態で、前記平板部と前記開口を閉塞している前記蓋部材の上面とが対向するように折り曲げられ、
前記蓋部材は、前記上面に収容溝を有し、
前記収容溝には、相互に所定の間隔を空けて対向し、対向する表面にネジ溝がそれぞれ設けられた2つの平板状部材が設けられる、
半導体装置。 - 前記ネジ端子は、前記端子底部から前記半導体搭載基板に向かって延在する延在部を有する、
請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記ネジ端子には、前記平板部に設けられた開口部に連通するナットが接合されている
、
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
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| USD712853S1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-09-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
| USD721340S1 (en) * | 2012-12-21 | 2015-01-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
| JP6171586B2 (ja) | 2013-06-04 | 2017-08-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| USD721048S1 (en) * | 2013-06-17 | 2015-01-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
| USD754084S1 (en) | 2013-08-21 | 2016-04-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| JP6203095B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2017-09-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| USD762597S1 (en) | 2014-08-07 | 2016-08-02 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module |
| JP6193507B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-09-06 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
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| USD755741S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
| USD755742S1 (en) * | 2015-02-18 | 2016-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Power device package |
| DE102015103068B4 (de) * | 2015-03-03 | 2019-05-02 | Infineon Technologies Bipolar Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit verbesserter mechanischer Abstützung des Steueranschlusselements und zugehörigers Montageverfahren |
| US10014794B2 (en) * | 2015-07-28 | 2018-07-03 | Ford Global Technologies, Llc | Power inverter assembly for a vehicle |
| JP6578795B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2019-09-25 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP6559093B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2019-08-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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| USD864884S1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-10-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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| EP3736854A1 (en) * | 2019-05-06 | 2020-11-11 | Infineon Technologies AG | Power semiconductor module arrangement |
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| USD916039S1 (en) * | 2020-03-20 | 2021-04-13 | Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2023176298A (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-13 | 富士電機株式会社 | 端子構造、端子構造の製造方法、及び半導体装置 |
| WO2025091317A1 (en) * | 2023-11-01 | 2025-05-08 | Nexperia Technology (Shanghai) Ltd. | Power semiconductor module and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3717489A1 (de) | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleitermodul und verfahren zur herstellung des moduls |
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| DE59100737D1 (de) * | 1991-05-15 | 1994-01-27 | Abb Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Moduls. |
| JPH0810200Y2 (ja) * | 1991-05-28 | 1996-03-27 | 株式会社三社電機製作所 | 電力用半導体モジュール |
| JP2811278B2 (ja) | 1994-03-24 | 1998-10-15 | 株式会社三社電機製作所 | 電力用半導体モジュール |
| JPH09283681A (ja) * | 1996-04-16 | 1997-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| DE10100460B4 (de) | 2001-01-08 | 2006-06-01 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Gehäuse und Anschlußelementen |
| DE10120402B4 (de) | 2001-04-25 | 2005-04-14 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungshalbleitermodul-Gehäuse |
| DE10258570B4 (de) | 2002-12-14 | 2005-11-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul |
| US7289335B2 (en) * | 2003-07-08 | 2007-10-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Force distributing spring element |
| JP4131945B2 (ja) | 2003-08-22 | 2008-08-13 | 株式会社東芝 | 撮像装置とこの製造方法 |
| JP2005277012A (ja) | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
| JP4242401B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2009-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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| US20110134619A1 (en) * | 2007-10-25 | 2011-06-09 | Chin-Feng Lin | High power device module |
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