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JP5217668B2 - To-be-processed object transfer mechanism and to-be-processed object processing system - Google Patents
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Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を収納する収容ボックスから被処理体を被処理体移載エリア内の被処理体ボートへ移載して被処理体に熱処理を施すようにした処理システム及び被処理体の移載機構に関する。   The present invention relates to a processing system in which a processing object is transferred from a storage box for storing a processing object such as a semiconductor wafer to a processing object boat in a processing object transfer area and subjected to heat treatment. And a transfer mechanism of the object to be processed.

一般に、ICやLSI等の半導体集積回路を製造するためには、半導体ウエハに対して各種の成膜処理、酸化拡散処理、エッチング処理等を繰り返し行なうが、各処理を行なうにあたって、半導体ウエハを対応する装置間で搬送する必要がある。この場合、半導体ウエハは、複数枚、例えば25枚ずつ収容ボックス内へ収容されて搬送される。この種の収容ボックスとしては、カセットのように大気に対して開放状態で搬送するものや、FOUP(登録商標)のように、パーティクルや自然酸化膜の付着を抑制するために、開閉蓋で密閉状態になされた箱内をN ガス等の不活性ガスや清浄空気の雰囲気にしたものが知られている(特許文献1〜3)。 In general, in order to manufacture semiconductor integrated circuits such as ICs and LSIs, various film forming processes, oxidative diffusion processes, etching processes, and the like are repeatedly performed on a semiconductor wafer. Need to be transported between devices. In this case, a plurality of, for example, 25 semiconductor wafers are housed and transported in the housing box. This type of storage box is one that is transported open to the atmosphere like a cassette, and like FOUP (registered trademark), it is sealed with an open / close lid to prevent adhesion of particles and natural oxide films. There is known one in which the inside of a box made into an atmosphere of an inert gas such as N 2 gas or clean air is used (Patent Documents 1 to 3).

そして、上記収容ボックスを取り扱う例えばバッチ式の処理システムにあっては、上記収容ボックスを搬送機構によって搬送するボックス搬送エリアと、この収容ボックスより半導体ウエハを熱処理のためにウエハボート等へ移載するための被処理体移載エリアとが一般的にはある(例えば特許文献4〜6)。そして、両エリアはウエハの受け渡しを行うために開閉可能になされた開口ゲートを有する区画壁により区画されており、被処理体を剥き出し状態で搬送する上記被処理体移載エリア内は、ウエハ表面に自然酸化膜等が付着することを防止するために、不活性ガス、例えば窒素雰囲気になされている場合もあるし、清浄雰囲気になされている場合もある。   In a batch type processing system that handles the storage box, for example, a box transfer area in which the transfer box is transferred by a transfer mechanism, and a semiconductor wafer is transferred from the storage box to a wafer boat or the like for heat treatment. Generally, there is an object transfer area for the purpose (for example, Patent Documents 4 to 6). Both areas are partitioned by a partition wall having an open gate that can be opened and closed to deliver the wafer, and within the processing object transfer area for transporting the processing object in an exposed state, the wafer surface In order to prevent the natural oxide film or the like from adhering to the surface, an inert gas, for example, a nitrogen atmosphere may be used, or a clean atmosphere may be used.

そして、上記被処理体移載エリアでは、上述したような例えば25枚のウエハを収容する収容ボックス内のウエハを、ウエハの移載機構を用いて石英等よりなる被処理体ボートとしてのウエハボートに対して移載を行う。このウエハボートは、複数枚、例えば50〜150枚程度のウエハが等ピッチで多段に保持できるようになっている。また同様に、ウエハに対する熱処理が完了すると、上記移載機構を用いて上記とは逆にウエハボートから収容ボックスに対してウエハの移載を行う。   In the processing object transfer area, the wafer in the storage box that stores, for example, 25 wafers as described above is used as a processing object boat made of quartz or the like using a wafer transfer mechanism. Is transferred. The wafer boat can hold a plurality of wafers, for example, about 50 to 150 wafers in multiple stages at an equal pitch. Similarly, when the heat treatment for the wafer is completed, the wafer is transferred from the wafer boat to the accommodation box by using the transfer mechanism.

ここで、一般的に縦型の熱処理ユニットにあっては、用いる石英製のウエハボートとしては、ウエハボートを構成する支柱にウエハのエッジを支持するウエハ支持溝部を形成してなる、いわゆるラダー型のウエハボートや支柱間にリング状の載置台を多段に掛け渡して、各載置台にウエハのエッジを支持する支持つめ部を形成してなる、いわゆるリング型のウエハボートが知られている(特許文献6等)。   Here, in general, in a vertical heat treatment unit, a quartz wafer boat to be used is a so-called ladder type in which a wafer supporting groove portion for supporting an edge of a wafer is formed on a support column constituting the wafer boat. A so-called ring-type wafer boat is known in which a ring-shaped mounting table is stretched in multiple stages between the wafer boats and the columns, and a supporting claw portion for supporting the edge of the wafer is formed on each mounting table ( Patent Document 6).

ところで、上述したように被処理体移載エリア内で上記した移載機構を用いて収容ボックスとウエハボートとの間で半導体ウエハの移載を行う場合、部材同士間の僅かな接触、或いは摺接によって上記ウエハ自体、収容ボックス自体、更にはウエハボート自体に静電気が発生することは避けられない。この静電気が発生すると、雰囲気中に漂う僅かなパーティクルでもこれを吸着してしまって製品の歩留まり低下の原因となってしまう。   By the way, when the semiconductor wafer is transferred between the storage box and the wafer boat using the transfer mechanism described above in the processing object transfer area as described above, slight contact between members or sliding between the members. It is inevitable that static electricity is generated in the wafer itself, the storage box itself, and further the wafer boat itself due to the contact. When this static electricity is generated, even a small number of particles floating in the atmosphere are adsorbed and cause a reduction in product yield.

そのため、従来の搬送機構においては、上記発生した静電気を除去する目的で被処理体移載エリア内にイオナイザを固定的に設けたり、或いはカセット間のウエハ移載時にウエハに発生する静電気を除去する目的で移載機構の移載アームの付け根に複数のイオナイザを設けるようにして、上記発生した静電気を除電するようにしていた(例えば特許文献7)。   Therefore, in the conventional transport mechanism, an ionizer is fixedly provided in the processing object transfer area for the purpose of removing the generated static electricity, or static electricity generated on the wafer when the wafer is transferred between cassettes is removed. For the purpose, a plurality of ionizers are provided at the base of the transfer arm of the transfer mechanism to neutralize the generated static electricity (for example, Patent Document 7).

特開平8−279546号公報JP-A-8-279546 特開平9−306975号公報JP-A-9-306975 特開平11−274267号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-274267 特開2002−76089号公報JP 2002-76089 A 特開2003−37148号公報JP 2003-37148 A 特開平9−213647号公報JP-A-9-213647 特開平11−238778号公報JP-A-11-238778

ところで、上述のようにイオナイザを被処理体移載エリア内に固定的に設けることにより、帯電箇所や浮遊する帯電塵(パーティクル)のある程度の除電を行うことができた。   By the way, by providing the ionizer fixedly in the workpiece transfer area as described above, it was possible to carry out a certain amount of charge removal of charged places and floating charged dust (particles).

しかしながら、実際の被処理体移載エリア内では移載機構が移動する領域の多くの部分で静電気の帯電が発生しており、これらの帯電箇所を十分に且つ効果的に除電することは上記した従来構成では困難であった。この場合、移載機構が移動するあらゆる領域に対してイオナイザを設けることも考えられるが、この場合にはイオナイザの設置台数が増加して、設備コストが大幅に増大してしまうので、現実的ではない。   However, static charge is generated in many parts of the area where the transfer mechanism moves within the actual transfer area of the object to be processed, and it is described above that the charged portions are sufficiently and effectively discharged. It was difficult with the conventional configuration. In this case, it is conceivable to install ionizers in every region where the transfer mechanism moves, but in this case, the number of ionizers installed increases and the equipment cost increases significantly. Absent.

また、移載アームの付け根にイオナイザを設けた場合には、これに保持した例えばウエハ自体に発生した静電気の除電は有効に行うことができるが、ウエハボート自体や収容ボックス自体に発生した静電気の除電は有効に行うことができないばかりか、この場合にも設置するイオナイザの数が多くなってしまう、といった問題があった。   In addition, when an ionizer is provided at the base of the transfer arm, static electricity generated on, for example, the wafer itself held on the transfer arm can be effectively removed, but static electricity generated on the wafer boat itself or the storage box itself can be removed. In addition to the fact that neutralization could not be performed effectively, there were problems that the number of ionizers to be installed also increased.

本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構及び被処理体の処理システムを提供することにある。   The present invention has been devised to pay attention to the above problems and to effectively solve them. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to transfer an object to be processed, which can perform, for example, neutralization of a charged portion and charge of floating charged dust over a wide range in an object transfer area with a small number of ion generating means. And it is providing the processing system of a to-be-processed object.

請求項1に係る発明は、全体が区画壁により囲まれて閉じられた被処理体移載エリア内にて、複数の被処理体を複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックスと、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、前記被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段との間で、前記被処理体の移載を行う被処理体の移載機構において、昇降手段により上下方向へ昇降可能になされた昇降台と、前記昇降台に設けられて、前記被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段と、前記フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させると共に発生した前記イオンを前記フォーク手段の前方に向けて放出するイオン発生手段と、前記被処理体移載エリア内に設けられる帯電量検出センサと、前記帯電量検出センサの検出値に基づいて前記イオン発生手段の動作を制御するイオン用制御部とを備え、前記フォーク手段の移動する全ての領域に対して前記イオンを放出するようにしたことを特徴とする被処理体の移載機構である。 The invention according to claim 1 is an accommodation capable of holding and accommodating a plurality of objects to be processed in a plurality of stages in an object transfer area that is enclosed and enclosed by a partition wall as a whole. Between the box and a target object holding means for holding a plurality of target objects in a plurality of stages and being loaded and unloaded into a processing container for performing a predetermined process on the target object. In the object transfer mechanism for transferring the object to be processed, a lifting platform that can be moved up and down by a lifting means, and a platform provided on the lifting platform for mounting the object to be processed. A fork means configured to be able to move forward, backward, and turn, an ion generating means that is provided in the fork means to generate ions that remove static electricity and discharges the generated ions toward the front of the fork means ; The object transfer area A charge amount detection sensor provided in, on the basis of the detected value of the charge amount detection sensor and a said ion control unit that controls the operation of the ion generating unit, said for all areas of movement of the fork means It is a transfer mechanism of a to-be-processed object characterized by discharging | emitting ion.

このように、被処理体を収容する収容ボックスと処理容器内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段との間で被処理体の移載を行う移載機構において、被処理体を載置して移動するフォーク手段にイオンをフォーク手段の前方に放出するイオン発生手段を設けて静電気を除去するようにしたので、少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことができる。また、被処理体移載エリア内の帯電状況によってはイオン発生器の動作を停止するので、イオン発生に用いるキャリアガス等を無駄に消費することを防止することができる。 In this way, in the transfer mechanism for transferring the object to be processed between the storage box for storing the object to be processed and the target object holding means loaded and unloaded into the processing container, the target object is mounted. Fork means that are placed and moved are provided with ion generating means for discharging ions in front of the fork means so as to remove static electricity, so a small number of ion generating means can be used, for example, in a wide area within the transfer area of the object to be processed. In addition, it is possible to remove static electricity from charged portions and static electricity from floating charged dust. Moreover, since the operation of the ion generator is stopped depending on the charging state in the workpiece transfer area, it is possible to prevent wasteful consumption of the carrier gas and the like used for ion generation.

請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記フォーク手段は、前記昇降台上に旋回可能に設けられた旋回台と、前記旋回台に設けられて前記被処理体を載置して前進及び後退可能になされた複数のフォーク本体と、よりなることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2の発明において、前記フォーク手段は、前記旋回台に設けられて、前記被処理体の有無を検出する光センサを先端部に有して前進及び後退可能になされたセンサ付きフォーク本体を備えていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the fork means includes a swivel base that is turnable on the lift base, and is provided on the swivel base to place the object to be processed. And a plurality of fork bodies that can be moved forward and backward.
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the fork means is provided on the swivel base and has an optical sensor at the tip for detecting the presence or absence of the object to be processed, so that the fork means can be moved forward and backward. A fork body with a sensor is provided.

請求項4の発明は、請求項2又は3の発明において、前記イオン発生手段は、前記旋回台に設けられることを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項2乃至4のいずれか一項の発明において、前記イオン発生手段は、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段を有しており、前記イオン発生手段のイオン吹出しノズルは、前記旋回台の先端部に設けられることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the second or third aspect of the present invention, the ion generating means is provided on the swivel base.
According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the second to fourth aspects, the ion generating means has a carrier gas supply means for supplying a carrier gas, and an ion blowing nozzle of the ion generating means. Is provided at the tip of the swivel base.

請求項6の発明は、請求項3の発明において、前記イオン発生手段は、前記センサ付きフォーク本体に設けられることを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項3又は6の発明において、前記イオン発生手段は、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段を有しており、前記イオン発生手段のイオン吹出しノズルは、前記センサ付きフォーク本体の先端部に設けられることを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the ion generating means is provided in the sensor-equipped fork main body.
The invention according to claim 7 is the invention according to claim 3 or 6, wherein the ion generating means has carrier gas supply means for supplying a carrier gas, and the ion blowing nozzle of the ion generating means is provided with the sensor. It is provided in the front-end | tip part of a fork main body, It is characterized by the above-mentioned.

請求項8の発明は、請求項5又は7の発明において、前記イオン吹出しノズルには、前記イオンの吹き出し方向を拡散させる拡散ヘッドが設けられることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項5又は7の発明において、前記イオン吹出しノズルには、前記イオンの吹き出し方向を変化させるための可変ルーバが設けられていることを特徴とする。
The invention of claim 8 is characterized in that, in the invention of claim 5 or 7, the ion blowing nozzle is provided with a diffusion head for diffusing the blowing direction of the ions.
A ninth aspect of the invention is characterized in that, in the fifth or seventh aspect of the invention, the ion blowing nozzle is provided with a variable louver for changing a blowing direction of the ions.

請求項10の発明は、請求項1乃至9のいずれか一項の発明において、前記イオン発生手段は、イオナイザであることを特徴とする。 The invention of claim 10 is the invention of any one of claims 1乃optimum 9, the ion generating means may be ionizer.

請求項11の発明は、請求項1乃至10のいずれか一項の発明において、前記収容ボックスは、着脱可能になされた開閉蓋を有し、内部は密閉可能になされていることを特徴とする。
請求項12の発明は、請求項1乃至11のいずれか一項の発明において、前記処理容器は、底部に開口を有すると共に有天井になされた石英製の円筒体よりなり、前記開口には気密に着脱可能になされたキャップが装着されることを特徴とする。
The invention of claim 11 is the invention of any one of claims 1乃optimum 10, wherein the storage box has a lid which is made detachably, and characterized in that inside is made sealably To do.
The invention of claim 12 is the invention of any one of claims 1乃optimum 11, wherein the processing container is made of quartz cylindrical body was made into a closed ceiling and having an opening at the bottom, the said openings It is characterized in that a cap that is airtightly attachable / detachable is attached.

請求項13の発明は、請求項1乃至12のいずれか一項の発明において、前記被処理体の移載を行う空間は、前記処理容器の下方の被処理体移載エリアであることを特徴とする。
請求項14の発明は、請求項1乃至13のいずれか一項の発明において、前記被処理体移載エリアには、清浄気体のサイドフローが形成されていることを特徴とする。
The invention of claim 13 is the invention of any one of claims 1乃optimum 12, the space for performing transfer of the workpiece is a workpiece transfer area of the lower of the processing vessel Features.
The invention of claim 14 is the invention of any one of claims 1乃optimum 13, wherein the workpiece transfer area is characterized by the side flow of clean gas is formed.

請求項15に係る発明は、複数の被処理体を収容する収容ボックスから前記被処理体を取り出して前記被処理体に対して熱処理を施すようにした被処理体の処理システムにおいて、前記被処理体に対して熱処理を施すための処理容器を有する縦型の処理ユニットと、前記処理ユニットの下方に設けられて周囲が区画壁により区画された被処理体移載エリアと、前記被処理体を複数段に亘って保持する被処理体保持手段と、前記被処理体保持手段を昇降させて前記処理容器内へロード及びアンロードする保持手段用昇降手段と、前記区画壁に設けられた移載ステージに設置した前記収容ボックスと前記被処理体保持手段との間で前記被処理体を移載するための請求項1乃至14のいずれか一項に記載の被処理体の移載機構と、を備えたことを特徴とする被処理体の処理システムである。 The invention according to claim 15 is a processing system for an object to be processed, wherein the object to be processed is taken out from a storage box for storing a plurality of objects to be processed and heat-treated on the object to be processed. A vertical processing unit having a processing container for performing heat treatment on the body, a target object transfer area provided below the processing unit and partitioned by a partition wall, and the target object A workpiece holding means for holding the workpiece over a plurality of stages, a lifting means for holding means for lifting and lowering the workpiece holding means to load and unload the processing container, and a transfer provided on the partition wall and transfer mechanism of the target object according to any one of claims 1乃optimum 14 for transferring the workpiece between the storage box installed in the stage and the workpiece holding means Special features A processing system of the object to.

本発明に係る被処理体の移載機構及び被処理体の処理システムによれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
被処理体を収容する収容ボックスと処理容器内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段との間で被処理体の移載を行う移載機構において、被処理体を載置して移動するフォーク手段にイオンをフォーク手段の前方に放出するイオン発生手段を設けて静電気を除去するようにしたので、少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことができる。また、被処理体移載エリア内の帯電状況によってはイオン発生器の動作を停止するので、イオン発生に用いるキャリアガス等を無駄に消費することを防止することができる。
According to the transfer mechanism of the target object and the processing system of the target object according to the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited.
In the transfer mechanism for transferring the object to be processed between the storage box for storing the object to be processed and the object holding means loaded and unloaded into the processing container, the object to be processed is placed and moved. Since the fork means is provided with ion generating means for discharging ions to the front of the fork means so as to remove static electricity, a small number of ion generating means, for example, charging points over a wide area in the object transfer area It is possible to neutralize static electricity and to remove static electricity from floating charged dust. Moreover, since the operation of the ion generator is stopped depending on the charging state in the workpiece transfer area, it is possible to prevent wasteful consumption of the carrier gas and the like used for ion generation.

以下に、本発明に係る被処理体の移載機構及び被処理体の処理システムの好適な一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明に係る被処理体の処理システムの一実施形態を示す概略構成図、図2は本発明に係る被処理体の移載機構を設置した被処理体移載エリア内の各構成部材の配列位置の一例を示す平面図、図3は被処理体移載エリア内の清浄気体の流れを示す斜視図、図4は被処理体移載エリア内の各構成部材の配列位置と移載機構の動作状況の一例を示す斜視図、図5はイオン発生手段を有する移載機構を示す拡大斜視図、図6は移載機構のフォーク手段を示す側面図、図7はイオン発生手段の各種形態を示すブロック構成図である。
Hereinafter, a preferred embodiment of a transfer mechanism for a target object and a processing system for a target object according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a processing system for an object to be processed according to the present invention, and FIG. 2 is each configuration in an object transfer area in which a transfer mechanism for the object to be processed according to the present invention is installed. FIG. 3 is a perspective view showing the flow of the clean gas in the object transfer area, and FIG. 4 is the arrangement position and transfer of each component in the object transfer area. FIG. 5 is an enlarged perspective view showing a transfer mechanism having ion generating means, FIG. 6 is a side view showing fork means of the transfer mechanism, and FIG. It is a block block diagram which shows various forms.

まず、図1及び図2に示すように、この被処理体の処理システム2は、全体が区画壁として機能する例えばステンレス等よりなる筐体4に囲まれており、この内部は収容ボックス6を搬送するための収容ボックス搬送エリア8と被処理体である半導体ウエハWを移載する被処理体移載エリア10とに区画壁12により2分されている。尚、ここではウエハWは直径が300mmのウエハを用いるが、これに限定されず、直径が450mm、8インチ、6インチのウエハも用いることができる。   First, as shown in FIGS. 1 and 2, the processing system 2 for the object to be processed is surrounded by a casing 4 made of, for example, stainless steel, which functions as a partition wall as a whole. It is divided into two by a partition wall 12 into a storage box transfer area 8 for transfer and a target object transfer area 10 to which a semiconductor wafer W as a target object is transferred. Here, a wafer having a diameter of 300 mm is used as the wafer W. However, the present invention is not limited to this, and wafers having a diameter of 450 mm, 8 inches, and 6 inches can also be used.

上記収容ボックス6には、複数枚、例えば25枚のウエハが段部状に支持されて開閉蓋6Aにより密閉状態になされており、内部はN ガス等の不活性ガス雰囲気や清浄空気の雰囲気になされている。そして、上記収容ボックス搬送エリア8内には清浄空気のダウンフローが流され、上記被処理体移載エリア10内には後述するようにN ガス等の不活性ガスの清浄気体のサイドフローが形成された不活性ガス雰囲気になされている。尚、このエリア10内に清浄空気を流す場合もある。 In the storage box 6, a plurality of, for example, 25 wafers are supported in a stepped shape and sealed by an open / close lid 6A, and the inside is an inert gas atmosphere such as N 2 gas or a clean air atmosphere Has been made. Then, a downflow of clean air is caused to flow in the storage box transfer area 8, and a side flow of a clean gas such as N 2 gas such as N 2 gas is provided in the workpiece transfer area 10 as will be described later. The formed inert gas atmosphere is used. In some cases, clean air may flow through the area 10.

この処理システム2は、主に収容ボックス6を処理システム2内に対して搬入搬出させるための搬出入ポート14と、上記収容ボックス6を一時的に貯留するためのストッカ部16と、この収容ボックス6と被処理体保持手段としてのウエハボート18との間で半導体ウエハWを移載する移載ステージ20と、ウエハボート18に移載されて保持されている半導体ウエハWに対して所定の熱処理を施す処理ユニット22とにより主に構成される。   The processing system 2 mainly includes a loading / unloading port 14 for loading / unloading the storage box 6 into / from the processing system 2, a stocker unit 16 for temporarily storing the storage box 6, and the storage box 6 and a wafer boat 18 as an object holding means, a transfer stage 20 for transferring the semiconductor wafer W, and a predetermined heat treatment for the semiconductor wafer W transferred and held on the wafer boat 18. And a processing unit 22 that performs the processing.

上記搬出入ポート14において、筐体4には常時開放されているボックス搬出入口24が形成されている。尚、このボックス搬出入口24が開閉ドアで開閉可能になされている場合もある。このボックス搬出入口24には、外部より搬送してきた収容ボックス6を載置するための外側載置台26が設けられている。この外側載置台26は、上記ボックス搬出入口24の内側と外側とに股がるようにして設置されている。上記外側載置台26の上部には、この外側載置台26上をスライド移動可能になされたスライド板28が設けられており、この上に収容ボックス6を載せた状態で移動できるようになっている。   In the carry-in / out port 14, a box carry-in / out opening 24 that is always open is formed in the housing 4. In some cases, the box loading / unloading port 24 can be opened and closed by an opening / closing door. The box loading / unloading port 24 is provided with an outer mounting table 26 for mounting the storage box 6 conveyed from the outside. The outer mounting table 26 is installed so as to crotch inside and outside the box carry-in / out port 24. A slide plate 28 that is slidably movable on the outer mounting table 26 is provided on the upper portion of the outer mounting table 26, and can be moved in a state in which the storage box 6 is placed thereon. .

一方、収容ボックス搬送エリア8内の上方には、上記ストッカ部16が位置されている。このストッカ部16は、図示例においては例えば2列2段に上記収容ボックス6を一時的に載置して保管する棚段30が並設されている。尚、この棚段30の数量は特に限定されず、実際には更に多く設けられる。   On the other hand, the stocker unit 16 is located above the storage box transport area 8. In the illustrated example, the stocker unit 16 is provided with, for example, two shelves 30 that temporarily store and store the storage boxes 6 in two rows and two stages. In addition, the quantity of this shelf level 30 is not specifically limited, Actually, many more are provided.

上記2つの棚段30間には、昇降エレベータ32が起立させて設けられており、この昇降エレベータ32には、水平方向に前進後退及び旋回可能になされたボックス搬送アーム34が設けられている。従って、このボックス搬送アーム34を屈伸及び昇降させることにより、収容ボックス6をボックス搬送アーム34で保持し、搬出入ポート14とスットカ部16との間で搬送できるようになっている。   A lift elevator 32 is provided between the two shelves 30 so as to stand upright. The lift elevator 32 is provided with a box transport arm 34 that can be moved forward and backward and turned in the horizontal direction. Accordingly, the storage box 6 can be held by the box transfer arm 34 and can be transferred between the loading / unloading port 14 and the stocker 16 by bending and extending the box transfer arm 34.

また、上記移載ステージ20において、両エリア8、10間を区画する区画壁12には、収容ボックス6の開閉蓋6Aよりも僅かに大きくなされた開口36が形成されると共に、この開口36の収容ボックス搬送エリア8側には、置台38が水平に設けられており、この上に収容ボックス6を載置できるようになっている。また、この置台38の一側には、この上に載置された収容ボックス6を区画壁12側へ押圧付勢するためのアクチュエータ40が設けられており、上記収容ボックス6の開閉蓋6Aを、上記開口36に臨ませた状態で収容ボックス6の開口部の開口縁が区画壁12の開口36の開口縁に略気密に接触されることになる。尚、上記アクチュエータ40として収容ボックス6を、その上方より押圧して固定するようにしたものもある。   Further, in the transfer stage 20, an opening 36 that is slightly larger than the opening / closing lid 6 </ b> A of the storage box 6 is formed in the partition wall 12 that partitions both the areas 8 and 10. On the side of the storage box transport area 8, a mounting table 38 is provided horizontally, on which the storage box 6 can be placed. Further, an actuator 40 for pressing and biasing the storage box 6 placed thereon to the partition wall 12 side is provided on one side of the mounting table 38, and an opening / closing lid 6A of the storage box 6 is provided. The opening edge of the opening of the storage box 6 is brought into contact with the opening edge of the opening 36 of the partition wall 12 in a substantially airtight manner while facing the opening 36. In some cases, the storage box 6 is pressed and fixed from above as the actuator 40.

また、この開口36の被処理体移載エリア10側には、これを開閉する開閉ドア42が横方向へスライド可能に設けられている。尚、この開閉ドア42が上下方向へスライド移動可能に設けられる場合もある。また、この開閉ドア42には上記収容ボックス6の開閉蓋6Aを開閉するための蓋開閉機構44が設けられている(図2参照)。   In addition, an opening / closing door 42 for opening and closing the opening 36 is provided on the object transfer area 10 side of the opening 36 so as to be slidable in the lateral direction. The open / close door 42 may be provided so as to be slidable in the vertical direction. The opening / closing door 42 is provided with a lid opening / closing mechanism 44 for opening / closing the opening / closing lid 6A of the storage box 6 (see FIG. 2).

そして、収容ボックス搬送エリア8内において、この開口36の近傍に収容ボックス6を待機させるための待機用ボックス搬送アーム46が設置されており、次に処理すべきウエハを収容する収容ボックス6をボックス搬送アーム34から受け取り、待機後にこれを移載ステージ20に置くようになっている。尚、上記待機用ボックス搬送アーム46を設けない場合もあり、この場合には、上記ボックス搬送アーム34により収容ボックス6を移載ステージ20上に設置することになる。   A standby box transfer arm 46 for waiting the storage box 6 is installed in the vicinity of the opening 36 in the storage box transfer area 8, and the storage box 6 for storing a wafer to be processed next is placed in the box. It is received from the transfer arm 34 and placed on the transfer stage 20 after waiting. The standby box transfer arm 46 may not be provided. In this case, the storage box 6 is installed on the transfer stage 20 by the box transfer arm 34.

一方、上記被処理体移載エリア10内には、ウエハボート18を載置する2つのボート載置台、すなわち移載用ボート載置台48と待機用ボート載置台50とが設けられている。上記2つのボート載置台48、50の内、この移載用ボート載置台48と上記移載ステージ20との間には、本発明の特徴とする被処理体の移載機構52が設けられている。この移載機構52は、昇降手段54により上下方向へ昇降可能になされた昇降台56と、水平方向へ前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段58と、静電気を除去するイオンを発生するイオン発生手段60とを主に有している。尚、この移載機構52の構造は後で詳述する。   On the other hand, in the processing object transfer area 10, two boat mounting tables on which the wafer boat 18 is mounted, that is, a transfer boat mounting table 48 and a standby boat mounting table 50 are provided. Of the two boat mounting tables 48, 50, a transfer mechanism 52 for the object to be processed, which is a feature of the present invention, is provided between the boat mounting table 48 for transfer and the transfer stage 20. Yes. The transfer mechanism 52 includes a lift 56 that can be moved up and down by a lift 54, a fork 58 that can move forward, backward, and turn in a horizontal direction, and ions that generate ions that remove static electricity. The generating unit 60 is mainly included. The structure of the transfer mechanism 52 will be described in detail later.

従って、この移載機構52のフォーク手段58を前進、後退及び昇降駆動することにより、置台38上の収容ボックス6と移載用ボート載置台48上のウエハボート18との間でウエハWの移載を行なうことができるようになっている。ここではウエハボート18に関しては、複数台、例えば2台のウエハボート18A、18Bが設けられており、この2台が交互に用いられる。尚、ウエハボート18を1台、又は3台以上設けてもよいし、ウエハボート18が1台の場合には、ボート載置台48、50は設けられず、後述するキャップ上のウエハボートとの間でウエハの移載が行われる。   Accordingly, by moving the fork means 58 of the transfer mechanism 52 forward, backward and up / down, the wafer W is transferred between the storage box 6 on the mounting table 38 and the wafer boat 18 on the transfer boat mounting table 48. It is now possible to perform the posting. Here, a plurality of wafer boats 18, for example, two wafer boats 18A and 18B are provided, and these two boats are used alternately. One wafer boat 18 or three or more wafer boats 18 may be provided. When the number of wafer boats 18 is one, the boat mounting tables 48 and 50 are not provided. Wafers are transferred between them.

このウエハボート18は、その全体が耐熱性材料、例えば石英で構成されており、例えば6本の石英製の支柱を有している。この支柱に等ピッチに形成した支持溝等にウエハWのエッジを支持させることにより、複数枚のウエハWを等ピッチで支持するようになっている。この場合、支持されるウエハWのピッチは、例えば4.0mm程度に設定されている。   The entire wafer boat 18 is made of a heat-resistant material, for example, quartz, and has, for example, six columns made of quartz. A plurality of wafers W are supported at equal pitches by supporting the edges of the wafers W with support grooves formed at equal pitches on the columns. In this case, the pitch of the wafer W to be supported is set to, for example, about 4.0 mm.

上記被処理体移載エリア10の一側の上方には、縦型熱処理炉よりなる上記処理ユニット22がベース板62により支持されて配置されている。この処理ユニット22は、底部に開口を有すると共に有天井になされた石英製の円筒体よりなる処理容器64を有し、その周囲には円筒状の加熱ヒータ66が設けられて、処理容器64内のウエハを加熱し得るようになっている。ここで処理容器64内の雰囲気は、例えば容器下部の側壁に設けた排気口や、容器天井部に設けた排気口等より排気される。これにより、一度に多数枚のウエハWに対して成膜や酸化拡散等の所定の熱処理を施すようになっている。   Above the one side of the workpiece transfer area 10, the processing unit 22 composed of a vertical heat treatment furnace is supported and arranged by a base plate 62. The processing unit 22 includes a processing container 64 made of a quartz cylindrical body having an opening at the bottom and a ceiling, and a cylindrical heater 66 is provided around the processing container 64. The wafer can be heated. Here, the atmosphere in the processing container 64 is exhausted from, for example, an exhaust port provided on the side wall of the lower part of the container, an exhaust port provided on the container ceiling, or the like. As a result, a predetermined heat treatment such as film formation or oxidation diffusion is performed on a large number of wafers W at a time.

この場合、処理内容にもよるが、ウエハ温度は例えば最大800〜900℃程度になる。この処理容器64の下方、すなわちベース板62より下方が実質的な被処理体移載エリア10となる。この処理容器64の下方には、昇降エレベータのようなボート昇降機構68により昇降可能になされたキャップ70が配置されている。このボート昇降機構68として例えばボールネジ等を用いることができる。そして、このキャップ70上にウエハボート18を載置してこれを上昇させることにより、このウエハボート18を処理容器64の下端開口部よりこの処理容器64内へロードできるようになっている。この時、処理容器64の下端開口部は上記キャップ70により気密に閉じられるようになっている。   In this case, the wafer temperature is, for example, about 800 to 900 ° C. at maximum, although it depends on the processing contents. Below this processing container 64, that is, below the base plate 62, is a substantial object transfer area 10. A cap 70 that can be moved up and down by a boat lift mechanism 68 such as a lift elevator is disposed below the processing vessel 64. For example, a ball screw or the like can be used as the boat elevating mechanism 68. Then, by placing the wafer boat 18 on the cap 70 and raising it, the wafer boat 18 can be loaded into the processing container 64 from the lower end opening of the processing container 64. At this time, the lower end opening of the processing container 64 is hermetically closed by the cap 70.

また処理容器64の下端開口部の側部には、上記ウエハボート18をアンロードしてこれを下方向へ降下させた際に、上記下端開口部を閉じるシャッタ72がスライド可能に設けられている。そして、降下されたキャップ70と上記両ボート載置台48、50の近傍には、屈伸及び旋回可能になされたボート移載機構74が設けられており、上記両ボート載置台48、50とキャップ70との間及び両ボート載置台48、50間でウエハボート18の移載ができるようになされている。   A shutter 72 that closes the lower end opening when the wafer boat 18 is unloaded and lowered downward is slidably provided on the side of the lower end opening of the processing container 64. . In the vicinity of the lowered cap 70 and both the boat mounting tables 48 and 50, a boat transfer mechanism 74 that can be bent and stretched is provided, and both the boat mounting tables 48 and 50 and the cap 70 are mounted. The wafer boat 18 can be transferred between the two boat mounting tables 48 and 50.

そして、この被処理体移載エリア10内の一側には、高性能の一対のフィルタ76(図2及び図3参照)が設けられており、このフィルタ76より清浄空気、又はN ガス等の不活性ガスを水平方向へ吹き出すことにより清浄気体のサイドフロー78が常時形成されている。これにより、この被処理体移載エリア10内を清浄に保つと共に、この雰囲気温度を冷却するようになっている。また、上記フィルタ76の設置面に対向する面には、気体吸入口80が設けられており、ここで吸い込まれた上記サイドフロー78は、底部に設けたダクト82(図4も参照)等を介して上記フィルタ76側へ戻され、一部は循環使用されることになる。 A pair of high-performance filters 76 (see FIGS. 2 and 3) is provided on one side of the object transfer area 10, and clean air, N 2 gas, or the like is provided from the filter 76. A side flow 78 of clean gas is always formed by blowing off the inert gas in the horizontal direction. As a result, the inside of the object transfer area 10 is kept clean and the ambient temperature is cooled. Further, a gas suction port 80 is provided on a surface opposite to the installation surface of the filter 76, and the side flow 78 sucked here is connected to a duct 82 (see also FIG. 4) provided at the bottom. Then, it is returned to the filter 76 side, and a part thereof is circulated.

ここで本発明の特徴とする被処理体の移載機構52について詳しく説明すると、前述したように、この移載機構52は、昇降手段54により上下方向へ昇降可能になされた昇降台56と、水平方向へ前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段58と、静電気を除去するイオンを発生するイオン発生手段60とを主に有している。   Here, the transfer mechanism 52 for the object to be processed, which is a feature of the present invention, will be described in detail. As described above, the transfer mechanism 52 includes an elevating table 56 that can be moved up and down by the elevating means 54, and It mainly includes a fork means 58 that can move forward, backward, and turn in the horizontal direction, and an ion generation means 60 that generates ions for removing static electricity.

具体的には、図1及び図5にも示すように、上記昇降手段54は例えば垂直方向へ起立されたボールネジ86よりなり、このボールネジ86に沿って案内レール88が設けられている。上記昇降台56は上記ボールネジ86に螺合されており、このボールネジ86を正逆回転することにより上記案内レール88に沿って上下移動するようになっている。そして、この昇降台56は水平方向に延びる取付アーム部90(図5参照)を有しており、このアーム部90にフォーク手段58が取り付けられる。   Specifically, as shown in FIGS. 1 and 5, the elevating means 54 is composed of, for example, a ball screw 86 erected in the vertical direction, and a guide rail 88 is provided along the ball screw 86. The lifting platform 56 is screwed into the ball screw 86, and is moved up and down along the guide rail 88 by rotating the ball screw 86 forward and backward. The lifting platform 56 has a mounting arm portion 90 (see FIG. 5) extending in the horizontal direction, and the fork means 58 is attached to the arm portion 90.

上記フォーク手段58は、上記取付アーム部90上に矢印91に示すように旋回可能に設けられた直方体状の旋回台92と、この旋回台92に設けられて前進及び後退可能になされた複数のフォーク本体94とにより主に構成されている。図6にも示すように、ここでは5本のフォーク本体94A、94B、94C、94D、94Eを上下方向に等ピッチで並べて配列されていると共に、先端側は2股状になされており、各フォーク本体94A〜94E上にそれぞれウエハWを載置できるようになっている。   The fork means 58 includes a rectangular parallelepiped swivel 92 provided on the mounting arm 90 so as to be turnable as indicated by an arrow 91, and a plurality of swivels 92 provided on the swivel base 92 and capable of moving forward and backward. The fork main body 94 is mainly configured. As shown in FIG. 6, here, five fork bodies 94A, 94B, 94C, 94D, 94E are arranged side by side at equal pitches in the vertical direction, and the tip side is bifurcated. The wafer W can be placed on each of the fork main bodies 94A to 94E.

そして、上記各フォーク本体94A〜94Eの基端部はスライダ96により支持されており、このスライダ96を上記旋回台92の長手方向へ矢印97(図5参照)に示すように往復スライド移動させることにより、上述したように上記フォーク本体94A〜94Eを前進及び後退させることができるようになっている。尚、上記フォーク本体94の本数は5本に限定されず、これよりも多くても或いは少なくてもよい。   The base ends of the fork main bodies 94A to 94E are supported by a slider 96, and the slider 96 is reciprocally slid in the longitudinal direction of the swivel base 92 as shown by an arrow 97 (see FIG. 5). As described above, the fork main bodies 94A to 94E can be moved forward and backward. The number of fork main bodies 94 is not limited to five, and may be more or less than this.

上記イオン発生手段60は上記フォーク手段58の上記旋回台92に設けられることになる。具体的には、このイオン発生手段60は例えばイオナイザよりなり、図5に示すように、上記直方体状の旋回台92の両側にそれぞれイオン発生手段60が設けられている。尚、ここでは2台のイオン発生手段60を設けているが、これを1台設けるようにしてもよい。このイオン発生手段60は、図7(A)にも示すように、それぞれイオン発生器98と、これより延びるイオン流路100と、このイオン流路100の先端部に接続されるイオン吹出しノズル102とにより主に形成されている。そして、上記イオン発生器98には、これにキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段104が設けられている。   The ion generating means 60 is provided on the swivel base 92 of the fork means 58. Specifically, the ion generating means 60 is made of, for example, an ionizer, and the ion generating means 60 are provided on both sides of the rectangular parallelepiped swivel 92 as shown in FIG. Here, two ion generating means 60 are provided, but one may be provided. As shown in FIG. 7A, the ion generating means 60 includes an ion generator 98, an ion channel 100 extending from the ion generator 98, and an ion blowing nozzle 102 connected to the tip of the ion channel 100, respectively. And is mainly formed. The ion generator 98 is provided with carrier gas supply means 104 for supplying a carrier gas thereto.

上記キャリアガス供給手段104は、途中に開閉弁106が介設されたキャリアガス管108よりなり、その先端部側は2つに分岐されて上記各イオン発生器98に接続され、キャリアガスを供給できるようになっている。このキャリアガスとしては、ここでは例えばN ガスを用いているが、これに限定されず、Ar、He等の希ガスを用いてもよい。このキャリアガス管108の材料としては、例えば可撓性のある蛇腹状になされたステンレス管、テフロン(商品名)製のガス管、セラミック製の管等を用いることができ、上記フォーク手段58の昇降移動に追従できるように十分に長く設定されている。 The carrier gas supply means 104 is composed of a carrier gas pipe 108 with an on-off valve 106 provided in the middle, and the tip end side is branched into two and connected to the ion generators 98 to supply the carrier gas. It can be done. As the carrier gas, for example, N 2 gas is used here, but the present invention is not limited to this, and a rare gas such as Ar or He may be used. As a material of the carrier gas pipe 108, for example, a flexible stainless steel pipe, a Teflon (trade name) gas pipe, a ceramic pipe, or the like can be used. It is set long enough to follow up and down movement.

また上記イオン発生器98内では、周知のように複数のプラス放電針とマイナス放電針(図示せず)が内蔵されており、プラスイオンとマイナスイオンとを発生させるようになっている。ここでイオン発生器98として用いるイオナイザとしては、どのような種類のものを用いてもよく、例えばプラスイオンとマイナスイオンを同時に発生させるダブルDC式バータイプのイオナイザ、プラスイオンとマイナスイオンとを一定の間隔で交互に発生させるパルスDCタイプイオナイザ、プラスイオンとマイナスイオンとを高速で交互に発生させるAC式バータイプのイオナイザ、X線を照射してプラスイオンとマイナスイオンとを発生させる軟X線イオナイザ等を用いることができる。   In the ion generator 98, as is well known, a plurality of positive discharge needles and negative discharge needles (not shown) are incorporated to generate positive ions and negative ions. Here, any kind of ionizer may be used as the ion generator 98. For example, a double DC bar type ionizer that generates positive ions and negative ions simultaneously, and positive ions and negative ions are constant. Pulse type DC ionizer that generates alternately at intervals, AC bar type ionizer that alternately generates positive ions and negative ions, soft X-ray that generates positive ions and negative ions by irradiating X-rays An ionizer or the like can be used.

ここで発生されたプラスイオンとマイナスイオンとを上記キャリアガスと共に上記イオン流路100内に移送し得るようになっている。このイオン流路100は、例えばステンレス製、テフロン(商品名)製、セラミック製等の材質の管よりなり、好ましくは絶縁製材質により構成し、発生した上記両イオンが内部でできるだけ消滅しないようにする。また、上記両イオン吹出しノズル102は、上記旋回台92の先端部にそれぞれ取り付け固定されており、キャリアガスと共に運ばれてまた上記イオンを必要に応じて矢印110(図5及び図6参照)に示すように、前方へ吹き出すようになっている。   The positive ions and negative ions generated here can be transferred into the ion channel 100 together with the carrier gas. The ion channel 100 is made of, for example, a tube made of stainless steel, Teflon (trade name), ceramic, or the like, and is preferably made of an insulating material so that the generated ions do not disappear as much as possible inside. To do. The ion blowing nozzles 102 are fixedly attached to the tip of the swivel base 92 and are carried together with a carrier gas, and the ions are indicated by arrows 110 (see FIGS. 5 and 6) as necessary. As shown, it blows forward.

また、図2及び図7(A)にも示すように、上記イオンが吹き出される領域、すなわち被処理体移載エリア10内には、帯電量検出センサ112が設けられており、この帯電量検出センサ112の検出値は、例えばコンピュータ等よりなるイオン用制御部114へ入力されている。そして、このイオン用制御部114からの制御信号は、上記イオン発生手段60側、具体的にはイオン発生器98と開閉弁106側へ入力されており、上記帯電量検出センサ112の検出値に基づいてこのイオン発生手段60の動作を制御するようになっている。尚、上記帯電量検出センサ42を設けないで、処理システムの動作中は常に上記イオン発生手段60を動作させてイオンを吹き出すようにしてもよい。   Further, as shown in FIGS. 2 and 7A, a charge amount detection sensor 112 is provided in the region where the ions are blown out, that is, in the object transfer area 10, and the charge amount The detection value of the detection sensor 112 is input to the ion control unit 114 made of, for example, a computer. The control signal from the ion control unit 114 is input to the ion generation means 60 side, specifically, to the ion generator 98 and the on-off valve 106 side, and the detection value of the charge amount detection sensor 112 is used as the control signal. Based on this, the operation of the ion generating means 60 is controlled. In addition, without providing the charge amount detection sensor 42, the ion generating means 60 may always be operated to blow out ions during the operation of the processing system.

そして、この処理システム2の全体の動作の制御、例えば収容ボックス搬送エリア8内における収容ボックス6の搬入及び搬出操作、被処理体移載エリア10内におけるウエハWの移載操作、ウエハボート18の移載操作、ウエハボート18の昇降操作、処理ユニット22における熱処理操作(成膜処理等)等は、例えばコンピュータよりなるシステム制御部120(図1参照)により制御される。この場合、上記イオン用制御部114は、上記システム制御部120の支配下になっている。そして、上記システム制御部120やイオン用制御部114の制御に必要なプログラム(コンピュータによって読み取り可能)は記憶媒体122に記憶されている。この記憶媒体122としては、例えばフレキシブルディスクやCD(CompactDisc)やハードディスクやフラッシュメモリ等よりなる。   Control of the overall operation of the processing system 2, for example, loading and unloading operations of the storage box 6 in the storage box transfer area 8, transfer operation of the wafer W in the workpiece transfer area 10, The transfer operation, the raising / lowering operation of the wafer boat 18, the heat treatment operation (film formation process, etc.) in the processing unit 22 are controlled by a system control unit 120 (see FIG. 1) composed of a computer, for example. In this case, the ion control unit 114 is under the control of the system control unit 120. A program (readable by a computer) necessary for controlling the system control unit 120 and the ion control unit 114 is stored in the storage medium 122. The storage medium 122 is composed of, for example, a flexible disk, a CD (Compact Disc), a hard disk, a flash memory, or the like.

次に、以上のように構成された処理システム2の動作について説明する。まず、被処理体移載エリア10内は、ウエハ表面への自然酸化膜の付着を防止するために不活性ガス、例えばN ガスのサイドフロー78(図3参照)が形成されてN 雰囲気になされている。また、収容ボックス搬送エリア8内は、清浄空気のダウンフローが形成されて清浄空気の雰囲気に維持されている。 Next, the operation of the processing system 2 configured as described above will be described. First, the workpiece transfer area 10, an inert gas to prevent deposition of a natural oxide film on the wafer surface, for example (see FIG. 3) side-flow 78 of the N 2 gas is formed an N 2 atmosphere Has been made. In addition, a clean air downflow is formed in the storage box transport area 8 to maintain a clean air atmosphere.

最初に、半導体ウエハWの全体的な流れについて説明すると、収容ボックス搬送エリア8側において外部より搬送されてきた収容ボックス6は、その開閉蓋6Aをボックス搬出入口24側に向けて外側載置台26上に載置される。そして、収容ボックス6が載置されている外側載置台26上のスライド板28を前進させることによって、これを上記収容ボックス搬送エリア8内に移送する。   First, the overall flow of the semiconductor wafer W will be described. The storage box 6 transported from the outside on the storage box transport area 8 side has the opening / closing lid 6A directed toward the box transport inlet / outlet 24 and the outer mounting table 26. Placed on top. Then, the slide plate 28 on the outer mounting table 26 on which the storage box 6 is mounted is moved forward to be transferred into the storage box transfer area 8.

次に、ボックス搬送アーム34を駆動することにより、上記スライド板28上に設置されている収容ボックス6を取りに行ってこれを保持し、更に昇降エレベータ32を駆動することによって、この収容ボックス6を上方のストッカ部16の棚段30の所定の位置まで搬送して設置し、これを一時的に保管する。これと同時に、すでに棚段30に一時貯留されており、処理対象となったウエハを収容する収容ボックス6をこのボックス搬送アーム34により取りに行き、上述のように昇降エレベータ32を駆動してこれを降下させる。   Next, by driving the box transport arm 34, the storage box 6 installed on the slide plate 28 is picked up and held, and then the lift elevator 32 is driven to drive the storage box 6 Is transported to a predetermined position on the shelf 30 of the upper stocker unit 16, and is temporarily stored. At the same time, the storage box 6 that has already been temporarily stored in the shelf stage 30 and stores the wafers to be processed is picked up by the box transfer arm 34, and the elevator elevator 32 is driven as described above. Descent.

そして、移載ステージ20の置台38が空の場合には、この収容ボックス6を移載ステージ30の置台38上に移載する。また、置台38上に別の収容ボックス6がすでにセットされている場合には、ボックス搬送アーム34上の収容ボックス6を待機用ボックス搬送アーム46で把持し、これを開口36の近傍まで搬送して待機させる。そして、置台38上の収容ボックス6の開閉蓋6Aは、開閉ドア42側に向けられており、しかも、置台38の一側に設けた水平アクチュエータ40により、収容ボックス6は押圧付勢されて置台38上にて固定されている。   When the stage 38 of the transfer stage 20 is empty, the storage box 6 is transferred onto the stage 38 of the transfer stage 30. If another storage box 6 is already set on the table 38, the storage box 6 on the box transfer arm 34 is gripped by the standby box transfer arm 46 and transferred to the vicinity of the opening 36. And wait. The opening / closing lid 6A of the storage box 6 on the mounting table 38 is directed toward the opening / closing door 42, and the storage box 6 is pressed and urged by the horizontal actuator 40 provided on one side of the mounting table 38. 38 is fixed.

この状態で、蓋開閉機構44(図2参照)を駆動することにより、開口36の開閉ドア42と収容ボックス6の開閉蓋6Aとを取り外し、これらを例えば水平方向へスライド移動させて退避させる。そして、本発明に係る被処理体の移載機構52を駆動することにより、収容ボックス6内に収容されていたウエハWを、ここでは5枚ずつ取り出し、これを移載用ボート載置台48上に設置されているウエハボート18に移載する。   In this state, by driving the lid opening / closing mechanism 44 (see FIG. 2), the opening / closing door 42 of the opening 36 and the opening / closing lid 6A of the storage box 6 are removed, and these are slid and moved, for example, in the horizontal direction. Then, by driving the transfer mechanism 52 for the object to be processed according to the present invention, the wafers W accommodated in the accommodation box 6 are taken out by five pieces here, and these are taken on the transfer boat placement table 48. Are transferred to the wafer boat 18.

この場合、ウエハボート18のウエハ収容枚数が75枚で、且つ収容ボックス6内のウエハ収容枚数が25枚ならば、3つの収容ボックス6内からウエハが取り出されて移載され、1バッチの処理が行われることになる。ここで上記被処理体の移載機構52の駆動が開始されると、これに設けられたイオン発生手段60も駆動されてイオンの放出が開始される。   In this case, if the number of wafers stored in the wafer boat 18 is 75 and the number of wafers stored in the storage box 6 is 25, the wafers are taken out from the three storage boxes 6 and transferred, and one batch of processing is performed. Will be done. Here, when driving of the transfer mechanism 52 of the object to be processed is started, the ion generating means 60 provided in the mechanism is also driven to start the release of ions.

上記ウエハボート18へのウエハWの移載が完了したならば、次に、ボート移載機構74を駆動して、この移載用ボート載置台48上のウエハボート18を最下端へ降下されているキャップ70上に載置する。ここで、熱処理が完了してアンロードされたウエハを収容するウエハボート18が上記キャップ70上にある場合には、ボート移載機構74を用いてこのウエハボート18を予め待機用ボート載置台50上へ移しておく。   When the transfer of the wafer W to the wafer boat 18 is completed, the boat transfer mechanism 74 is driven, and the wafer boat 18 on the transfer boat mounting table 48 is lowered to the lowest end. It is placed on the existing cap 70. Here, when the wafer boat 18 that accommodates the unloaded wafers after the heat treatment is completed is on the cap 70, the wafer boat 18 is previously stored in the standby boat mounting table 50 using the boat transfer mechanism 74. Move it up.

そして、この未処理のウエハを収容するウエハボート18のキャップ70上への移載が完了したならば、ボート昇降機構68を駆動させて、ウエハボート18と、これを載置したキャップ70を一体的に上昇させ、このウエハボート18を処理ユニット22の処理容器64内へ、この下端開口部より導入してロードする。そして、このキャップ70によって処理容器64の下端開口部を密閉し、この状態で処理ユニット22内でウエハWに対して所定の熱処理、例えば成膜処理や酸化拡散処理等を行なう。この場合、熱処理の態様にもよるが、ウエハWの温度は800〜1000℃の高温に達する。   When the transfer of the wafer boat 18 containing unprocessed wafers onto the cap 70 is completed, the boat lift mechanism 68 is driven to integrate the wafer boat 18 and the cap 70 on which the wafer boat 18 is placed. The wafer boat 18 is introduced into the processing container 64 of the processing unit 22 from the lower end opening and loaded. Then, the lower end opening of the processing container 64 is sealed with the cap 70, and in this state, a predetermined heat treatment such as a film forming process or an oxidation diffusion process is performed on the wafer W in the processing unit 22. In this case, the temperature of the wafer W reaches a high temperature of 800 to 1000 ° C., although depending on the heat treatment mode.

このようにして、所定の時間の熱処理が終了したならば、前述したと逆の操作を行なって、処理済みのウエハWを取り出す。すなわち、アンロードを開始することよりウエハボート18を処理容器64内から降下させてアンロードを完了する。この際、アンロードを開始してウエハボート18の降下を開始すると、被処理体移載エリア10内の雰囲気は高温状態になるが上述したサイドフロー78(図3参照)で冷却される。そして、このアンロードされたウエハボート18は、ボート移載機構74により、待機用ボート載置台50を経由して、或いはこれを経由することなく直接的に移載用ボート載置台48上へ移載される。この間に上記処理済みのウエハWは、ある程度冷却されている。   In this way, when the heat treatment for a predetermined time is completed, the reverse operation as described above is performed, and the processed wafer W is taken out. That is, by starting unloading, the wafer boat 18 is lowered from the processing container 64 to complete unloading. At this time, when the unloading is started and the lowering of the wafer boat 18 is started, the atmosphere in the workpiece transfer area 10 becomes a high temperature state, but is cooled by the side flow 78 (see FIG. 3) described above. Then, the unloaded wafer boat 18 is directly transferred onto the transfer boat mounting table 48 by the boat transfer mechanism 74 via the standby boat mounting table 50 or without passing through it. It will be posted. During this time, the processed wafer W is cooled to some extent.

そして、被処理体の移載機構52の昇降手段54及びフォーク手段58を用いて処理済みのウエハWをウエハボート18から移載ステージ20の置台38上の空の収容ボックス6内に移載する。この場合にも、上記被処理体の移載機構52に設けられたイオン発生手段60を駆動しており、イオンを放出している。この収容ボックス6内への処理済みウエハWの移載が完了したならば、開閉ドア42を開口36へ装着し、更に蓋開閉機構44(図2参照)を駆動して、これに保持していた開閉蓋6Aを収容ボックス6側へ装着する。   Then, the processed wafer W is transferred from the wafer boat 18 into the empty accommodation box 6 on the stage 38 of the transfer stage 20 by using the lifting / lowering means 54 and the fork means 58 of the transfer mechanism 52 of the object to be processed. Also in this case, the ion generating means 60 provided in the transfer mechanism 52 for the object to be processed is driven to release ions. When the transfer of the processed wafer W into the storage box 6 is completed, the opening / closing door 42 is attached to the opening 36, and the lid opening / closing mechanism 44 (see FIG. 2) is driven to hold it. The opened opening / closing lid 6A is attached to the storage box 6 side.

次に、収容ボックス搬送エリア8内のボックス搬送アーム34を駆動し、この収容ボックス6を一時的にストッカ部16へ貯留し、或いは貯留することなくボックス搬出入口24を介して処理システム2の外へ搬送することになる。このボックス搬送アーム34が処理済みのウエハを収容した収容ボックス6を搬送している間、すでに空の収容ボックス6を把持して待機していた待機用ボックス搬送アーム46は、この空の収容ボックス6を置台38上にセットし、処理済みのウエハの収容ボックス6内への収容が開始されることになる。   Next, the box transfer arm 34 in the storage box transfer area 8 is driven, and the storage box 6 is temporarily stored in the stocker unit 16 or outside the processing system 2 through the box carry-in / out port 24 without storing. Will be transported to. While the box transfer arm 34 is transferring the storage box 6 storing processed wafers, the standby box transfer arm 46 that has already been holding and holding the empty storage box 6 is in the empty storage box. 6 is set on the table 38, and the accommodation of the processed wafer into the accommodation box 6 is started.

この場合、例えば3つの空の収容ボックス6が用いられることになる。そして、これにより、1バッチのウエハの処理が完了する。以下、同様な操作が繰り返される。尚、上記した収容ボックス26の流れは単に一例を示したに過ぎず、これに限定されないのは勿論である。   In this case, for example, three empty accommodation boxes 6 are used. This completes the processing of one batch of wafers. Thereafter, the same operation is repeated. The flow of the storage box 26 described above is merely an example, and it is needless to say that the present invention is not limited to this.

さて、このような一連の動作が行われている中で、上記被処理体移載エリア10内での半導体ウエハWの移載について着目すると、このウエハWは、置台38上に設置された収容ボックス6と移載用ボート載置台48上に設置されたウエハボート18との間で被処理体の移載機構52を用いて移載されることになる。すなわち、図5に示すように、被処理体の移載機構52の昇降手段54によって昇降台86は昇降移動し、またフォーク手段58の旋回台92は、昇降台86より延びる取付アーム90上で必要に応じて旋回移動し、更に、旋回台92上のスライダ96が前後へスライド移動することによって5本のフォーク本体94A〜94Eは前進或いは、後退し、これによって各フォーク本体94A〜94E上にウエハWを保持して、これを移載することになる。   Now, when such a series of operations is performed, paying attention to the transfer of the semiconductor wafer W in the workpiece transfer area 10, the wafer W is accommodated on the mounting table 38. Transfer is performed between the box 6 and the wafer boat 18 installed on the transfer boat mounting table 48 by using the transfer mechanism 52 of the object to be processed. That is, as shown in FIG. 5, the lift 86 is moved up and down by the lift 54 of the workpiece transfer mechanism 52, and the swivel 92 of the fork 58 is mounted on the mounting arm 90 extending from the lift 86. The five fork bodies 94A to 94E move forward or backward as the slider 96 on the swivel base 92 slides back and forth as a result of the pivot movement as necessary. As a result, the fork bodies 94A to 94E are moved forward and backward. The wafer W is held and transferred.

このように、ウエハWを移載する結果、ウエハW自体及びウエハWを保持して収容することになる収容ボックス6やウエハボート18が静電気により帯電する傾向となる。また、種々の原因により、この被処理体移載エリア10内に存在する僅かなパーティクル(塵)も静電気により帯電する傾向にある。   As described above, as a result of transferring the wafer W, the accommodation box 6 and the wafer boat 18 that hold and accommodate the wafer W itself and the wafer W tend to be charged by static electricity. In addition, due to various causes, a small number of particles (dust) present in the workpiece transfer area 10 tend to be charged by static electricity.

しかしながら、本発明においては、上記フォーク手段58にイオン発生手段60を設けて、このイオン発生手段60よりプラスイオンとマイナスイオンとを放出しているので、上記帯電箇所や浮遊している帯電パーティクルが除電されることになり、ウエハWにパーティクルが付着することを防止することができる。   However, in the present invention, the ion generating means 60 is provided in the fork means 58, and positive ions and negative ions are released from the ion generating means 60. It is possible to prevent the particles from adhering to the wafer W by being neutralized.

すなわち、図7(A)に示すように、イオン発生手段60のイオン発生器98にて発生したプラスイオンとマイナスイオンとは、キャリアガスにより随伴されてイオン流路100内を流れ、この先端に接続したイオン吹出しノズル102から前方に向けて常に放出されることになる。このイオン吹出しノズル102は、上述したようにウエハWの移載操作によって、昇降移動、旋回移動及び前進後退移動するので、このフォーク手段58が移動する全ての領域に対して上記イオンを放出することになる。   That is, as shown in FIG. 7A, the positive ions and negative ions generated by the ion generator 98 of the ion generating means 60 flow along the ion flow path 100 accompanied by the carrier gas, It is always discharged forward from the connected ion blowing nozzle 102. Since the ion blowing nozzle 102 moves up and down, swivels, and advances and retreats by the transfer operation of the wafer W as described above, the ions are discharged to all the regions in which the fork means 58 moves. become.

例えば図4では、フォーク手段58が左右反対側を向いた状態を示しており、このようにして、フォーク手段58が移動する全ての経路においてイオンを放出させることができる。従って、上述のように帯電する傾向にある収容ボックス6及びウエハボート18を効果的及び効率的に除電することができる。   For example, FIG. 4 shows a state in which the fork means 58 faces left and right, and in this way, ions can be released in all paths along which the fork means 58 moves. Therefore, the storage box 6 and the wafer boat 18 that tend to be charged as described above can be effectively and efficiently neutralized.

また、被処理体移載エリア10内の広い領域に対して広範囲にイオンを放出することができるので、このエリア内で帯電して浮遊しているパーティクルに対しても、これを効果的及び効率的に除電することができる。この場合、イオン発生器60は、1台或いは2台程度なので、設備コストは非常に少なくて済み、少ない台数のイオン発生手段60で広範囲に亘ってイオンを放出させることができる。   Further, since ions can be released over a wide area in the object transfer area 10, it is effective and efficient even for particles that are charged and floating in this area. Can be neutralized. In this case, since one or two ion generators 60 are provided, the equipment cost is very low, and ions can be discharged over a wide range with a small number of ion generating means 60.

また、この被処理体移載エリア10内の帯電状況は、図7(A)に示すように、帯電量検出センサ112により常時検出されており、この検出値が所定値よりも高い場合には、上記イオン用制御部114はイオン発生器98の動作を停止することができるので、キャリアガス等を無駄に消費することを防止することができる。

The charging status of the workpiece transfer area 10, as shown in FIG. 7 (A), which is always detected by the charge amount detection sensor 112, the detected value is higher if than a predetermined value Since the ion control unit 114 can stop the operation of the ion generator 98, it is possible to prevent wasteful consumption of the carrier gas and the like.

このように、被処理体である例えば半導体ウエハWを収容する収容ボックス6と処理容器64内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段であるウエハボート18との間で被処理体の移載を行う移載機構において、被処理体を載置して移動するフォーク手段58にイオン発生手段60を設けて静電気を除去するようにしたので、少ない台数のイオン発生手段60で例えば被処理体移載エリア10内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことができる。   In this way, the object to be processed is transferred between the accommodation box 6 that accommodates the object to be processed, for example, the semiconductor wafer W, and the wafer boat 18 that is the object holding means loaded and unloaded into the processing container 64. In the transfer mechanism for mounting, the ion generating means 60 is provided in the fork means 58 for moving the object to be processed so as to remove static electricity. It is possible to neutralize charged portions and neutralize floating charged dust over a wide area in the transfer area 10.

尚、上記実施形態の場合には、旋回台92の両側に2台のイオン発生手段60を設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、図7(B)に示すように1台のイオン発生手段60を設け、このイオン発生器98から延びるイオン流路100を途中で2つに分岐して、分岐したそれぞれのイオン流路100の先端部にイオン吹出しノズル102を設けるようにしてもよい。これによれば、イオン発生器98を1台減少させた分だけ、設備コストを低減させることができる。尚、図7(B)において、図7(A)に示す部分と同一構成の部分については同一参照符号を付してある。   In the case of the above embodiment, the case where two ion generating means 60 are provided on both sides of the swivel base 92 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. An ion generating means 60 is provided, and the ion flow path 100 extending from the ion generator 98 is branched into two in the middle, and an ion blowing nozzle 102 is provided at the tip of each branched ion flow path 100. May be. According to this, equipment cost can be reduced by the amount that one ion generator 98 is reduced. In FIG. 7B, parts having the same configuration as the part shown in FIG.

<変形実施形態>
次に、本発明の被処理体の搬送機構の変形実施形態について説明する。先の実施形態にあっては、イオン発生手段60の全体を旋回台92に設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、イオン発生手段60の一部、或いは全部をフォーク本体94側に取り付けるようにしてもよい。図8はこのような本発明の被処理体の搬送機構の変形実施形態の一例を示す側面図、図9は本発明の被処理体の搬送機構の変形実施形態の一例を示す平面図であり、図8中のA−A線矢視概略断面図を示している。尚、図8及び図9において、図5中の構成部費かと同一構成部品については同一参照符号を付してある。
<Modified Embodiment>
Next, a modified embodiment of the conveyance mechanism for the object to be processed according to the present invention will be described. In the previous embodiment, the case where the entire ion generating means 60 is provided on the swivel base 92 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. You may make it attach to the side. FIG. 8 is a side view showing an example of such a modified embodiment of the conveyance mechanism of the object to be processed of the present invention, and FIG. 9 is a plan view showing an example of a modified embodiment of the conveyance mechanism of the object of the present invention. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 8 and FIG. 9, the same reference numerals are given to the same components as the component costs in FIG.

一般に、図8及び図9に示すように、フォーク手段58には、ウエハWを保持するフォーク本体94A〜94E以外に、ウエハボート18や収容ボックス6内におけるウエハの収容位置を検出するセンサ付きフォーク本体94Xを有している場合がある。   In general, as shown in FIGS. 8 and 9, the fork means 58 includes a fork with a sensor for detecting the wafer accommodation position in the wafer boat 18 and the accommodation box 6 in addition to the fork bodies 94 </ b> A to 94 </ b> E that hold the wafer W. The main body 94X may be provided.

このセンサ付きフォーク本体94Xは、他のフォーク本体94A〜94Eと同様に、前進及び後退が可能になされ、先端側は2股状に分かれている。そして、この2股状の先端部に、ウエハWの有無を検出する光センサ130が設けられる。この光センサ130は、2股状の先端部の一端に設けた発光ダイオードやレーザ素子等よりなって検査光Lを発する発光器130Aと他方の先端部に設けた受光器130Bとよりなり、このセンサ付きフォーク本体94Xを前進させた状態で、ウエハWのエッジに相当する箇所を上下方向へ走査移動させることにより、ウエハの有無と、その位置を検出するようになっている。尚、このセンサ付きフォーク本体94Xを用いてウエハWの搬送ができるのは勿論である。   The fork main body 94X with sensor can be moved forward and backward in the same manner as the other fork main bodies 94A to 94E, and the tip side is divided into two forks. And the optical sensor 130 which detects the presence or absence of the wafer W is provided in this bifurcated front-end | tip part. The optical sensor 130 is composed of a light emitting diode 130A that emits inspection light L made of a light emitting diode or laser element provided at one end of a bifurcated tip, and a light receiver 130B provided at the other tip. With the sensor-equipped fork main body 94X moved forward, the position corresponding to the edge of the wafer W is scanned up and down to detect the presence and position of the wafer. Of course, the wafer W can be transferred using the fork body 94X with a sensor.

そして、この変形実施形態では、上記センサ付きフォーク本体94Xの両側に、それぞれ上記イオン発生手段60を設けている。具体的には、上記センサ付きフォーク本体94Xの2股状の先端部に、2台のイオン発生手段60の各イオン吹出しノズル102をそれぞれ取り付けている。また、ここでは各イオン発生器98をスライダ96の両側に取り付けるようにしている。この場合には、上記センサ付きフォーク本体94Xを前進させて、上記イオン吹出しノズル102を上記ウエハWやウエハボート18や収容ボックス6に更に接近させた状態でイオンを吹き出すことができるので、帯電箇所等をより効果的に除電することができる。尚、この場合にも、図7(B)に示すようにイオン発生器98を1台にしてもよいのは勿論である。   In this modified embodiment, the ion generating means 60 is provided on both sides of the sensor-equipped fork body 94X. Specifically, the ion blowing nozzles 102 of the two ion generating means 60 are respectively attached to the bifurcated tip portion of the fork main body 94X with the sensor. Here, each ion generator 98 is attached to both sides of the slider 96. In this case, ions can be blown out while the fork main body 94X with sensor is moved forward and the ion blowing nozzle 102 is brought closer to the wafer W, the wafer boat 18 or the storage box 6. Etc. can be removed more effectively. In this case as well, it is needless to say that one ion generator 98 may be provided as shown in FIG.

また、上記各実施形態では、イオン吹出しノズル102からのイオンの吹き出し方向は、前方へ直線状になるように設定したが、これに限定されず、図10に示すように、イオン吹出しノズル102の先端部に、イオンの吹き出し方向を拡散させる拡散ヘッド132を設けるようにしてもよい。この拡散ヘッド132には、吹き出し方向を前方のみならず、斜め前方に向けて拡散させるための複数の吹き出し孔132Aが形成されており、前方の広範囲な領域にイオンを吹き出すことができるようになっている。   Moreover, in each said embodiment, although the blowing direction of the ion from the ion blowing nozzle 102 was set so that it might become straight ahead, it is not limited to this, As shown in FIG. You may make it provide the diffusion head 132 which diffuses the blowing direction of ion at the front-end | tip part. The diffusion head 132 is formed with a plurality of blowing holes 132A for diffusing not only forward but also obliquely forward, so that ions can be blown to a wide area in the front. ing.

また、図示されていないが、このイオン吹出しノズル102の先端部にイオンの吹き出し方向を可変にする可変ルーバを設けるようにしてもよい。また上記各実施形態では、イオン発生手段60としてキャリアガスを用いたものを例にとって説明したが、これに限定されず、キャリアガスを用いないようにしてもよい。このキャリアガスを用いない場合には、発生したイオンをサイドフロー78(図3参照)に随伴させてイオンを拡散させるようにする。   Further, although not shown, a variable louver that makes the direction of ion blowing variable at the tip of the ion blowing nozzle 102 may be provided. In each of the above embodiments, the ion generation means 60 has been described by way of example using a carrier gas. However, the present invention is not limited to this, and the carrier gas may not be used. When this carrier gas is not used, the generated ions are caused to accompany the side flow 78 (see FIG. 3) to diffuse the ions.

また、以上の各実施形態ではイオン発生器98とイオン吹出しノズル102とを離間させて両者をイオン流路100により連結した場合(図7参照)を主に例にとって説明したが、これに限定されず、図11に示すイオン発生手段の他の変形実施形態のように、イオン発生器98とイオン吹出しノズル102とを直に接合したようなイオン発生手段も用いることができる。このようなイオン発生手段としては、例えば株式会社キーエンス(KEYENCE)製のマイクロ除電器ST−M020シリーズ(商品名)等を用いることができる。また、この場合にも、キャリアガスを用いる形式のものと、用いない形式のものがあり、図11では、キャリアガスを用いた形式を図示している。   In each of the above embodiments, the case where the ion generator 98 and the ion blowing nozzle 102 are separated from each other and are connected by the ion channel 100 (see FIG. 7) is mainly described as an example, but the present invention is not limited thereto. Instead, an ion generating means in which the ion generator 98 and the ion blowing nozzle 102 are directly joined can be used as in another modified embodiment of the ion generating means shown in FIG. As such an ion generating means, for example, a micro static eliminator ST-M020 series (trade name) manufactured by Keyence Corporation or the like can be used. Also in this case, there are a type using a carrier gas and a type not using it, and FIG. 11 shows a type using a carrier gas.

尚、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。   Here, a semiconductor wafer has been described as an example of the object to be processed, but this semiconductor wafer includes a silicon substrate and a compound semiconductor substrate such as GaAs, SiC, GaN, and the like, and is not limited to these substrates. The present invention can also be applied to glass substrates, ceramic substrates, and the like used in display devices.

本発明に係る被処理体の処理システムの一実施形態を示す概略構成図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram which shows one Embodiment of the to-be-processed object processing system which concerns on this invention. 本発明に係る被処理体の移載機構を設置した被処理体移載エリア内の各構成部材の配列位置の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the arrangement position of each structural member in the to-be-processed object transfer area which installed the to-be-processed object transfer mechanism which concerns on this invention. 被処理体移載エリア内の清浄気体の流れを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the flow of the clean gas in a to-be-processed object transfer area. 被処理体移載エリア内の各構成部材の配列位置と移載機構の動作状況の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the arrangement | positioning position of each structural member in a to-be-processed object transfer area, and the operation condition of a transfer mechanism. イオン発生手段を有する移載機構を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows the transfer mechanism which has an ion generation means. 移載機構のフォーク手段を示す側面図である。It is a side view which shows the fork means of a transfer mechanism. イオン発生手段の各種形態を示すブロック構成図である。It is a block block diagram which shows the various forms of an ion generation means. 本発明の被処理体の搬送機構の変形実施形態の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of deformation | transformation embodiment of the conveyance mechanism of the to-be-processed object of this invention. 本発明の被処理体の搬送機構の変形実施形態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of deformation | transformation embodiment of the conveyance mechanism of the to-be-processed object of this invention. イオン吹出しノズルの先端部に設ける拡散ヘッドを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the diffusion head provided in the front-end | tip part of an ion blowing nozzle. イオン発生手段の他の変形実施形態を示す図である。It is a figure which shows other deformation | transformation embodiment of an ion generation means.

符号の説明Explanation of symbols

2 被処理体の処理システム
4 筐体
6 収容ボックス
8 収容ボックス搬送エリア
10 被処理体移載エリア
18 ウエハボート(被処理体保持手段)
22 処理ユニット
32 昇降エレベータ
34 ボックス搬送アーム
48 移載用ボート載置台
50 待機用ボート載置台
52 被処理体の移載機構
54 昇降手段
56 昇降台
58 フォーク手段
60 イオン発生手段
64 処理容器
68 ボート昇降機構
70 キャップ
74 ボート移載機構
76 フィルタ
78 サイドフロー
92 旋回台
94,94A〜94E フォーク本体
96 スライダ
98 イオン発生器
100 イオン流路
102 イオン吹出しノズル
104 キャリアガス供給手段
108 キャリアガス管
112 帯電量検出センサ
114 イオン用制御部
120 システム制御部
130 光センサ
132 拡散ヘッド
W 半導体ウエハ(被処理体)
2 Processing System for Processing Object 4 Housing 6 Storage Box 8 Storage Box Transport Area 10 Processing Object Transfer Area 18 Wafer Boat (Processing Object Holding Means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 22 Processing unit 32 Lifting elevator 34 Box conveyance arm 48 Transfer boat mounting base 50 Standby boat mounting base 52 Transfer object transfer mechanism 54 Lifting means 56 Lifting stand 58 Fork means 60 Ion generating means 64 Processing container 68 Boat lift Mechanism 70 Cap 74 Boat transfer mechanism 76 Filter 78 Side flow 92 Swivel table 94, 94A to 94E Fork main body 96 Slider 98 Ion generator 100 Ion flow channel 102 Ion blowing nozzle 104 Carrier gas supply means 108 Carrier gas pipe 112 Charge amount detection Sensor 114 Ion control unit 120 System control unit 130 Optical sensor 132 Diffusion head W Semiconductor wafer (object to be processed)

Claims (15)

全体が区画壁により囲まれて閉じられた被処理体移載エリア内にて、複数の被処理体を複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックスと、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、前記被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段との間で、前記被処理体の移載を行う被処理体の移載機構において、
昇降手段により上下方向へ昇降可能になされた昇降台と、
前記昇降台に設けられて、前記被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段と、
前記フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させると共に発生した前記イオンを前記フォーク手段の前方に向けて放出するイオン発生手段と
前記被処理体移載エリア内に設けられる帯電量検出センサと、
前記帯電量検出センサの検出値に基づいて前記イオン発生手段の動作を制御するイオン用制御部とを備え、
前記フォーク手段の移動する全ての領域に対して前記イオンを放出するようにしたことを特徴とする被処理体の移載機構。
A storage box capable of holding and storing a plurality of objects to be processed in a plurality of stages in a processing object transfer area which is entirely surrounded by a partition wall and closed, and a plurality of objects to be processed Is transferred over a plurality of stages, and the object to be processed is transferred between the object holding means loaded and unloaded into a processing container for performing a predetermined process on the object to be processed. In the transfer mechanism of the object to be processed,
A lifting platform that can be moved up and down by the lifting means;
A fork means provided on the lift and configured to be able to move forward, backward and turn by placing the object to be processed;
An ion generating means that is provided in the fork means and generates ions for removing static electricity and discharges the generated ions toward the front of the fork means ;
A charge amount detection sensor provided in the object transfer area;
An ion control unit that controls the operation of the ion generation means based on the detection value of the charge amount detection sensor,
A transfer mechanism for an object to be processed, characterized in that the ions are released to all areas in which the fork means moves.
前記フォーク手段は、
前記昇降台上に旋回可能に設けられた旋回台と、
前記旋回台に設けられて前記被処理体を載置して前進及び後退可能になされた複数のフォーク本体と、
よりなることを特徴とする請求項1記載の被処理体の移載機構。
The fork means is
A swivel provided on the lift table so as to be turnable;
A plurality of fork main bodies provided on the swivel base and configured to be able to move forward and backward by placing the object to be processed;
The transfer mechanism for an object to be processed according to claim 1.
前記フォーク手段は、
前記旋回台に設けられて、前記被処理体の有無を検出する光センサを先端部に有して前進及び後退可能になされたセンサ付きフォーク本体を備えていることを特徴とする請求項2記載の被処理体の移載機構。
The fork means is
3. A fork main body with a sensor, which is provided on the swivel base and has an optical sensor for detecting the presence / absence of the object to be processed and which can be moved forward and backward. The transfer mechanism of the object to be processed.
前記イオン発生手段は、前記旋回台に設けられることを特徴とする請求項2又は3記載の被処理体の移載機構。 The said ion generation means is provided in the said turntable, The to-be-processed object transfer mechanism of Claim 2 or 3 characterized by the above-mentioned. 前記イオン発生手段は、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段を有しており、前記イオン発生手段のイオン吹出しノズルは、前記旋回台の先端部に設けられることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の被処理体の移載機構。 5. The ion generating means includes carrier gas supply means for supplying a carrier gas, and an ion blowing nozzle of the ion generating means is provided at a tip of the swivel base. The transfer mechanism of the to-be-processed object as described in any one of these. 前記イオン発生手段は、前記センサ付きフォーク本体に設けられることを特徴とする請求項3記載の被処理体の移載機構。 The said ion generation means is provided in the said fork main body with a sensor, The to-be-processed object transfer mechanism of Claim 3 characterized by the above-mentioned. 前記イオン発生手段は、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段を有しており、前記イオン発生手段のイオン吹出しノズルは、前記センサ付きフォーク本体の先端部に設けられることを特徴とする請求項3又は6記載の被処理体の移載機構。 4. The ion generating means includes carrier gas supply means for supplying a carrier gas, and an ion blowing nozzle of the ion generating means is provided at a tip portion of the fork main body with sensor. Or the transfer mechanism of the to-be-processed object of 6. 前記イオン吹出しノズルには、前記イオンの吹き出し方向を拡散させる拡散ヘッドが設けられることを特徴とする請求項5又は7記載の被処理体の移載機構。 The transfer mechanism for the object to be processed according to claim 5 or 7, wherein the ion blowing nozzle is provided with a diffusion head for diffusing the blowing direction of the ions. 前記イオン吹出しノズルには、前記イオンの吹き出し方向を変化させるための可変ルーバが設けられていることを特徴とする請求項5又は7記載の被処理体の移載機構。 8. The transfer mechanism for an object to be processed according to claim 5, wherein the ion blowing nozzle is provided with a variable louver for changing a blowing direction of the ions. 前記イオン発生手段は、イオナイザであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の被処理体の移載機構。 The ion generating means, a target object transfer mechanism according to any one of claims 1乃optimum 9, characterized in that the ionizer. 前記収容ボックスは、着脱可能になされた開閉蓋を有し、内部は密閉可能になされていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の被処理体の移載機構。 The storage box has a lid which is made detachably, inside the target object transfer mechanism according to any one of claims 1乃optimum 10, characterized in that it is adapted to sealably . 前記処理容器は、底部に開口を有すると共に有天井になされた石英製の円筒体よりなり、前記開口には気密に着脱可能になされたキャップが装着されることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の被処理体の移載機構。 The processing container is made of quartz cylindrical body was made into a closed ceiling and having an opening at the bottom, according to claim 1乃optimum to the opening, wherein a cap is adapted to removably hermetically mounted The transfer mechanism of the to-be-processed object as described in any one of Claims 11 . 前記被処理体の移載を行う空間は、前記処理容器の下方の被処理体移載エリアであることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の被処理体の移載機構。 The space for transferring the object to be processed is a target object transfer area below the processing container, wherein the object to be processed is transferred according to any one of claims 1 to 12. mechanism. 前記被処理体移載エリアには、清浄気体のサイドフローが形成されていることを特徴とする請求項13記載の被処理体の移載機構。 Wherein the workpiece transfer area is 13. Symbol mounting of the target object transfer mechanism, characterized in that the side flow of the clean gas is formed. 複数の被処理体を収容する収容ボックスから前記被処理体を取り出して前記被処理体に対して熱処理を施すようにした被処理体の処理システムにおいて、
前記被処理体に対して熱処理を施すための処理容器を有する縦型の処理ユニットと、
前記処理ユニットの下方に設けられて周囲が区画壁により区画された被処理体移載エリアと、
前記被処理体を複数段に亘って保持する被処理体保持手段と、
前記被処理体保持手段を昇降させて前記処理容器内へロード及びアンロードする保持手段用昇降手段と、
前記区画壁に設けられた移載ステージに設置した前記収容ボックスと前記被処理体保持手段との間で前記被処理体を移載するための請求項1乃至14のいずれか一項に記載の被処理体の移載機構と、
を備えたことを特徴とする被処理体の処理システム。
In the processing system of the object to be processed, the object to be processed is subjected to heat treatment by taking out the object to be processed from a storage box for storing a plurality of objects to be processed.
A vertical processing unit having a processing container for heat-treating the object to be processed;
An object transfer area provided below the processing unit and surrounded by a partition wall;
A target object holding means for holding the target object in a plurality of stages;
Lifting means for holding means that lifts and lowers the object holding means and loads and unloads it into the processing container;
According to any one of claims 1乃optimum 14 for transferring the workpiece between said storage box and said workpiece holding means installed in the transfer stages provided in the partition wall A transfer mechanism of the object to be processed;
A processing system for an object to be processed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2522130Y2 (en) 1991-03-15 1997-01-08 大成ロテック株式会社 Grizzly feeder

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011159834A (en) * 2010-02-01 2011-08-18 Yaskawa Electric Corp Substrate carrier device with gas replacement device, substrate carrier system, and replacement method
JP2013074112A (en) * 2011-09-28 2013-04-22 Yaskawa Electric Corp Hand and substrate transfer device
TWI825975B (en) * 2021-09-10 2023-12-11 美商愛玻索立克公司 Method of manufacturing cleaned packaging substrate and cleaned packaging substrate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653305A (en) * 1992-06-03 1994-02-25 Tokyo Electron Tohoku Ltd Vertical heat treating device
JPH08213445A (en) * 1995-02-03 1996-08-20 Hitachi Ltd Article receiving method and device
JPH09272095A (en) * 1996-04-04 1997-10-21 Nec Corp Plate-shaped object conveying robot
JP2000082732A (en) * 1998-09-07 2000-03-21 Mecs Corp Robot hand for removal of static electricity
JP3854757B2 (en) * 1999-08-20 2006-12-06 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP4047826B2 (en) * 2004-03-25 2008-02-13 東京エレクトロン株式会社 Vertical heat treatment apparatus and automatic teaching method for transfer mechanism
KR100806381B1 (en) * 2006-12-29 2008-02-27 세크론 주식회사 Wafer Feeder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2522130Y2 (en) 1991-03-15 1997-01-08 大成ロテック株式会社 Grizzly feeder

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