JP5224665B2 - Lead frame, package component, semiconductor device, and method of manufacturing package component - Google Patents
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Description
本発明は、電気的接続領域を備えたリードフレームと、リードフレームを樹脂モールドして一体成形して製造されるパッケージ部品と、パッケージ部品を備えた半導体装置と、前記パッケージ部品の製造方法とに関するものであり、特にリードフレームを樹脂でモールドする際に、電気的接続領域への樹脂バリの侵入防止に関する。 The present invention relates to a lead frame having an electrical connection region, a package component manufactured by integrally molding a lead frame by resin molding, a semiconductor device including the package component, and a method for manufacturing the package component. In particular, the present invention relates to prevention of resin burrs from entering an electrical connection region when a lead frame is molded with resin.
従来の半導体装置としては、電気的接続部材が接続される電気的接続領域をリードフレームに形成し、電気的接続領域の周辺に溝を形成し、樹脂封止の際に生じる樹脂バリをその溝へ落とし込むことによって、電気的接続領域へのバリの侵入を防いでいた(例えば下記特許文献1参照)。 As a conventional semiconductor device, an electrical connection region to which an electrical connection member is connected is formed in a lead frame, a groove is formed around the electrical connection region, and resin burrs generated during resin sealing are formed in the groove. The burrs are prevented from entering the electrical connection region by, for example, the following Patent Document 1.
図9は、前記特許文献1に記載された従来の半導体装置50を示すものであり、(a)は平面図、(b)は(a)におけるX−X断面図、(c)は溝の拡大断面図である。
この半導体装置50は、半導体素子51と、リードフレーム52,53と、リードフレーム52,53に形成された電気的接続領域54と、半導体素子51と電気的接続領域54とを電気的に接続する電気的接続部材55(ワイヤー)と、樹脂により成形された筐体56とを有している。
FIG. 9 shows a
The
前記筐体56は、対向する一対のリードフレーム52,53を包含しており、開口した中空部57を有している。リードフレーム52,53は中空部57の底面上に配置され、半導体素子51と電気的接続領域54とは中空部57内に露出している。各リードフレーム52,53の一主面にはそれぞれ環状の溝58が形成されており、溝58の内側領域を前記電気的接続領域54としている。半導体素子51は一方のリードフレーム52の電気的接続領域54に載置され、半導体素子51から他方のリードフレーム53の電気的接続領域54へ電気的接続部材55(ワイヤー)をワイヤーボンディングしている。前記溝58の断面形状は四角形状に形成されている。
The
これによると、半導体装置50を製造する際、モールド工程において、リードフレーム52,53をモールド型(図示せず)で挟持して、筐体56を型取ったキャビティーに流動状態の樹脂を注入する。この時、キャビティーから漏洩する樹脂が溝58に流れ込むため、樹脂が電気的接続領域54まで侵入して樹脂バリとなることを防止することができる。これにより、後の工程で電気的接続領域54と電気的接続部材55(ワイヤー)との良好なボンダビリティー(ボンディングの良し悪し)を得ることが出来る。
しかしながら、前記従来の構成では、モールド工程の際に、モールド型(図示せず)のキャビティーから電気的接続領域54の方向へ漏洩する樹脂が溝58の局所(一部分)に集中した場合、前記樹脂が溝58の局所から溝58の周方向へスムーズに拡がり難く、このため、前記樹脂が溝58を局所的に越えて電気的接続領域54へ浸入し易かった。したがって、電気的接続領域54に樹脂バリとして残留するという課題が依然として残されていた。
However, in the conventional configuration, when the resin leaking from the cavity of the mold (not shown) in the direction of the
本発明は、モールド工程の際に、モールド型のキャビティーから漏洩する樹脂が溝の局所(一部分)に集中した場合でも、樹脂が溝を越え難いリードフレームおよびパッケージ部品および半導体装置およびパッケージ部品の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention provides a lead frame, package component, semiconductor device, and package component in which the resin does not easily cross the groove even when the resin leaking from the mold cavity is concentrated at a part (part) of the groove during the molding process. An object is to provide a manufacturing method.
前記従来の課題を解決するために、本発明のリードフレームは、接続部材が接続されるか又は半導体素子が搭載される電気的接続領域を有するリードフレームであって、リードフレームの一主面に、電気的接続領域を囲む樹脂誘導溝が形成され、樹脂誘導溝は、断面形状が四角形状の溝本体部と、断面形状がV形状である樹脂誘導部とで構成され、リードフレームの一主面に開口する開口部を有し、樹脂誘導部の幅が、開口部側から奥端に向かうほど縮小し、樹脂誘導溝の奥端が尖っており、溝本体部は、樹脂誘導溝の開口部側に形成され、樹脂誘導部は、樹脂誘導溝の奥端部側に形成されて、全周にわたり溝本体部に連通しており、溝本体部の幅が樹脂誘導部の幅よりも大きいものである。 In order to solve the above-described conventional problems, a lead frame according to the present invention is a lead frame having an electrical connection region to which a connection member is connected or a semiconductor element is mounted. A resin guide groove surrounding the electrical connection region is formed, and the resin guide groove is composed of a groove body portion having a square cross section and a resin guide portion having a V shape in cross section. It has an opening that opens on the surface, the width of the resin guiding part decreases from the opening side toward the back end, the back end of the resin guiding groove is sharp, and the groove body part is the opening of the resin guiding groove The resin guide part is formed on the back end side of the resin guide groove and communicates with the groove body part over the entire circumference, and the width of the groove body part is larger than the width of the resin guide part. Is.
これによると、モールド工程の際、モールド型のキャビティーから電気的接続領域の方向へ漏洩する樹脂は開口部から樹脂誘導溝内に流れ込む。この際、樹脂誘導溝の幅が縮小している奥端部において毛細管現象がより顕著に(強く)起こり、この毛細管現象によって、樹脂は、樹脂誘導溝の周方向へスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝内の周方向における広範囲に溜まる。したがって、樹脂が樹脂誘導溝の局所(一部分)に集中した場合でも、前記のように毛細管現象によって樹脂が樹脂誘導溝の周方向へスムーズに拡がるため、樹脂が樹脂誘導溝を越え難くなり、樹脂の電気的接続領域への侵入を防止することができる。 According to this, in the molding process, the resin leaking from the mold cavity toward the electrical connection region flows into the resin guide groove from the opening. At this time, the capillary phenomenon occurs more significantly (strongly) at the back end portion where the width of the resin guide groove is reduced, and by this capillary phenomenon, the resin is smoothly guided and spreads in the circumferential direction of the resin guide groove, It collects in a wide range in the circumferential direction in the resin guide groove. Accordingly, even when the resin is concentrated locally (partly) in the resin guide groove, the resin spreads smoothly in the circumferential direction of the resin guide groove due to the capillary phenomenon as described above, so that the resin is difficult to cross the resin guide groove. Can be prevented from entering the electrical connection region.
さらに、溝本体部よりも樹脂誘導部において毛細管現象がより顕著に(強く)起こるため、開口部から樹脂誘導溝内に流れ込んだ樹脂は、樹脂誘導部における毛細管現象によって、樹脂誘導溝の周方向へスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝内の周方向における広範囲に溜まる。この際、溝本体部は断面形状が四角形状であるため、より多量の樹脂を樹脂誘導溝内に溜めることが可能になり、これによって、樹脂の電気的接続領域への侵入をより確実に防止することができる。 Furthermore , since the capillary phenomenon occurs more significantly (strongly) in the resin guiding portion than in the groove main body portion, the resin flowing into the resin guiding groove from the opening portion is caused by the capillary phenomenon in the resin guiding portion in the circumferential direction of the resin guiding groove. The resin is smoothly guided and spreads, and accumulates in a wide range in the circumferential direction in the resin guide groove. At this time, since the cross-sectional shape of the groove main body is square, it becomes possible to store a larger amount of resin in the resin guide groove, thereby more reliably preventing the resin from entering the electrical connection region. can do.
本発明のリードフレームは、樹脂誘導溝の奥端部の角度が90°以下であるものである。
これによると、樹脂誘導溝の奥端部において確実かつ十分な毛細管現象が発生する。
In the lead frame of the present invention, the angle of the back end portion of the resin guide groove is 90 ° or less.
According to this, a certain and sufficient capillary action occurs at the back end of the resin guide groove.
本発明のリードフレームは、樹脂誘導溝の内側方又は外側方に樹脂溜め部が形成され、前記樹脂溜め部が樹脂誘導溝に連通しているものである。 In the lead frame of the present invention , a resin reservoir is formed inside or outside the resin guide groove, and the resin reservoir communicates with the resin guide groove.
これによると、開口部から樹脂誘導溝内に流れ込んだ樹脂は、毛細管現象によって樹脂誘導溝の周方向へスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝内の周方向における広範囲に溜まる。さらに、樹脂誘導溝内の樹脂が樹脂溜め部に流れ込むことにより、樹脂が樹脂誘導溝内から溢れ出るのを防止することができ、これによって、樹脂の電気的接続領域への侵入をより確実に防止することができる。 According to this, the resin that has flowed into the resin guide groove from the opening is smoothly guided and expanded in the circumferential direction of the resin guide groove by a capillary phenomenon, and accumulated in a wide range in the circumferential direction in the resin guide groove. Furthermore, the resin in the resin guide groove flows into the resin reservoir, so that the resin can be prevented from overflowing from the resin guide groove, thereby more reliably intruding the resin into the electrical connection region. Can be prevented.
本発明のリードフレームは、複数の樹脂誘導溝が同心状に配設されているものである。
これによると、樹脂は、先ず、最外側の樹脂誘導溝に流れ込むが、最外側の樹脂誘導溝から溢れ出した場合でも、次に、最外側の樹脂誘導溝の内側に形成されている樹脂誘導溝に流れ込む。このため、樹脂の電気的接続領域への侵入をより確実に防止することができる。
The lead frame of the present invention has a plurality of resin guide grooves arranged concentrically.
According to this, the resin first flows into the outermost resin guide groove, but even if it overflows from the outermost resin guide groove, the resin guide formed inside the outermost resin guide groove is next. It flows into the groove. For this reason, the penetration | invasion to the electrical connection area | region of resin can be prevented more reliably.
本発明のパッケージ部品は、上記のいずれかのリードフレームを備えたパッケージ部品であって、リードフレームに樹脂製の筐体が装着され、筐体は開口した中空状の収容部を有し、リードフレームは収容部の底面上に配置され、電気的接続領域と樹脂誘導溝とが収容部内に露出しているものである。 The package component of the present invention is a package component including any one of the lead frames described above , wherein a resin casing is mounted on the lead frame, the casing has an open hollow housing portion, and the lead The frame is disposed on the bottom surface of the housing portion, and the electrical connection region and the resin guide groove are exposed in the housing portion.
本発明の半導体装置は、上記のパッケージ部品を備えた半導体装置であって、複数のリードフレームに筐体が装着され、いずれかのリードフレームの電気的接続領域に半導体素子が搭載され、半導体素子と別のリードフレームの電気的接続領域とが接続部材を介して電気的に接続されているものである。 A semiconductor device of the present invention is a semiconductor device including the above-described package component, in which a casing is mounted on a plurality of lead frames, and a semiconductor element is mounted on an electrical connection region of any one of the lead frames. And an electrical connection region of another lead frame are electrically connected via a connection member.
本発明のパッケージ部品の製造方法は、上記のパッケージ部品の製造方法であって、固定金型と樹脂誘導溝形成用のパンチを有する可動金型との間にリードフレームをセットし、可動金型を可動させてリードフレームの一主面をパンチで押圧して樹脂誘導溝を形成するパンチ工程と、筐体の形状に合致するキャビティーが設けられたモールド型にリードフレームを狭持し、加熱熔融状態の樹脂を樹脂注入口からキャビティー内へ注入して充填するモールド工程とを有するものである。 The package component manufacturing method of the present invention is the above-described package component manufacturing method, wherein a lead frame is set between a fixed mold and a movable mold having a punch for forming a resin guide groove, and the movable mold is formed. The lead frame is sandwiched between a punching process in which a resin guide groove is formed by pressing one main surface of the lead frame with a punch, and a mold having a cavity that matches the shape of the housing. And a mold step of filling the molten resin from the resin inlet into the cavity.
これによると、モールド工程の際、モールド型のキャビティーから漏洩する樹脂が樹脂誘導溝の局所(一部分)に集中した場合でも、樹脂が樹脂誘導溝を越え難くなり、樹脂の電気的接続領域への侵入を防止することができる。 According to this, even when the resin leaking from the mold cavity during the molding process is concentrated on a part (part) of the resin guide groove, it becomes difficult for the resin to cross the resin guide groove, leading to the resin electrical connection region. Can be prevented from entering.
本発明のパッケージ部品の製造方法は、パンチ工程の前に、リードフレームに鍍金を施す鍍金工程を有するものである。
これによると、鍍金により、リードフレームの腐食を防止することができる。また、鍍金工程後にパンチ工程を実施するため、パンチ工程において樹脂誘導溝の表面の鍍金が剥がれて素材が露出し、樹脂誘導溝の表面に金属酸化膜が形成される。金属酸化膜と樹脂との濡れ性は良好であるため、モールド工程において、樹脂誘導溝と樹脂との毛細管現象が良好に保たれ、樹脂は毛細管現象によって樹脂誘導溝の円周方向へスムーズに拡がる。
The method for manufacturing a package component of the present invention includes a plating process for plating a lead frame before the punching process.
According to this, corrosion of the lead frame can be prevented by plating. In addition, since the punching process is performed after the plating process, the plating on the surface of the resin guiding groove is peeled off in the punching process to expose the material, and a metal oxide film is formed on the surface of the resin guiding groove. Since the wettability between the metal oxide film and the resin is good, the capillary phenomenon between the resin guide groove and the resin is kept good in the molding process, and the resin spreads smoothly in the circumferential direction of the resin guide groove by the capillary phenomenon. .
以上のように、本発明は、樹脂が樹脂誘導溝を越えて電気的接続領域へ侵入するのを防止することができるため、電気的接続領域への樹脂バリの発生を防止でき、製造歩留まりの低下や電気接続の信頼性を損なうことがない半導体装置とする事が可能となる。 As described above, the present invention can prevent the resin from entering the electrical connection region beyond the resin guide groove, thereby preventing the occurrence of resin burrs in the electrical connection region and improving the production yield. It is possible to obtain a semiconductor device that does not deteriorate or impair the reliability of electrical connection.
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
先ず、実施の形態1を図1〜図6に基いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
First, the first embodiment will be described with reference to FIGS.
図1に示すように、1は半導体装置の一例である光半導体装置であり、パッケージ部品2と光半導体素子3(半導体素子の一例)とを備えている。
図2に示すように、前記パッケージ部品2は、所定の間隙を保って対向する一対のリードフレーム6,7と、両リードフレーム6,7に装着された樹脂製の筐体8とを備えている。筐体8は、上面が開口した中空状の収容部9を有する、四角箱状の部材である。両リードフレーム6,7は収容部9の底面上に配置されており、リードフレーム6,7の相反する先端部は筐体8の外側方へ突出している。
As shown in FIG. 1, reference numeral 1 denotes an optical semiconductor device which is an example of a semiconductor device, and includes a
As shown in FIG. 2, the
尚、筐体8の材質である樹脂としては、例えば、エポキシ、フェノール、メラミン、アクリル、尿素樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテル等の熱硬化性樹脂が使用されている。 In addition, as resin which is the material of the housing | casing 8, thermosetting resins, such as an epoxy, a phenol, a melamine, an acryl, a urea resin, unsaturated polyester, an alkyd, a polyimide, a polyamide, a polyether, are used, for example.
図3に示すように、前記各リードフレーム6,7は銅又は銅を含む合金を材質としている。各リードフレーム6,7の一主面にはそれぞれ、電気的接続領域12と、電気的接続領域12を取り囲む円環状の樹脂誘導溝14,15とが形成されている。図2に示すように、これら電気的接続領域12と樹脂誘導溝14,15とは収容部9内に露出している。
As shown in FIG. 3, each of the lead frames 6 and 7 is made of copper or an alloy containing copper. An
図3に示すように、両樹脂誘導溝14,15は、同心円状に、内外二重に形成されている。各樹脂誘導溝14,15はそれぞれリードフレーム6,7の一主面に開口する開口部17を有し、各樹脂誘導溝14,15の断面形状はそれぞれV形状であり、各樹脂誘導溝14,15の幅が開口部17から各樹脂誘導溝14,15の奥端部14a,15aに向かうほど次第に縮小し、各樹脂誘導溝14,15の奥端部14a,15aが尖っている。尚、各樹脂誘導溝14,15の奥端部14a,15aの角度αは90°以下である。
As shown in FIG. 3, both
また、図1に示すように、前記光半導体素子3は一方のリードフレーム6(いずれかのリードフレームの一例)の電気的接続領域12に搭載されている。この光半導体素子3には接続部材19の一端が接続され、接続部材19の他端が他方のリードフレーム7(別のリードフレームの一例)の電気的接続領域12に接続されている。これにより、光半導体素子3と他方のリードフレーム7の電気的接続領域12とが接続部材19を介して電気的に接続される。尚、前記接続部材19としては、例えば金や銅等からなるワイヤーが用いられる。また、収容部9に光透過性樹脂(図示せず)を充填することにより、安定した信頼性を確保することができる。
As shown in FIG. 1, the
次に、図2に示したパッケージ部品2の製造方法を図4,図5に基いて説明する。
図4に示すように、先ず、パンチ工程において、プレス加工装置を用いてリードフレーム6,7に樹脂誘導溝14,15を形成する。すなわち、プレス加工装置は固定金型25と可動金型26とを有しており、可動金型26には樹脂誘導溝形成用の突起したパンチ27が備えられている。
Next, a method for manufacturing the
As shown in FIG. 4, first, in the punching process, the
図4(a)に示すように、前記固定金型25と可動金型26との間に一対のリードフレーム6,7をセットし、可動金型26を下動させて両リードフレーム6,7の一主面をパンチ27で押圧して樹脂誘導溝14,15を形成する。これにより、図4(b)に示すように、樹脂誘導溝14,15を有するリードフレーム6,7が完成する。
As shown in FIG. 4 (a), a pair of
その後、図5に示すように、モールド工程において、モールド型30を用いて筐体8を樹脂成形する。すなわち、図5(a)に示すように、モールド型30には、筐体8の形状に合致するキャビティー31(空隙)と、外部からキャビティー31内へ樹脂Rを注入する樹脂注入口32とが設けられている。
Thereafter, as shown in FIG. 5, the
一対のリードフレーム6,7をモールド型30で狭持し、樹脂供給機構(図示せず)を用いて、図5(b)に示すように、加熱熔融状態の樹脂Rを樹脂注入口32からキャビティー31内へ注入して充填する。
A pair of
その後、樹脂Rが固化すると、モールド型30を型開きして加工を終えて一体となったリードフレーム6,7と筐体8とを取り出す。これにより、図2に示したパッケージ部品2が完成する。
Thereafter, when the resin R is solidified, the
以下、前記構成における作用を説明する。
図5に示したモールド工程において、樹脂Rを樹脂注入口32からキャビティー31内へ注入した際、少なくとも電気的接続領域12と樹脂誘導溝14,15とはモールド型30と接した状態で閉塞されているが、図6に示すように、樹脂注入時の圧力によってキャビティー31から漏洩した樹脂Rが樹脂誘導溝14,15の局所(一部分)に集中的に達する場合がある。
Hereinafter, the operation of the above configuration will be described.
In the molding process shown in FIG. 5, when the resin R is injected into the
このような場合、樹脂Rは、図6(a)に示すように、先ず、外側の樹脂誘導溝14内に流れ込む。この際、樹脂誘導溝14の幅が縮小している奥端部14aにおいて毛細管現象がより顕著に(強く)起こり、この毛細管現象によって、樹脂Rは、樹脂誘導溝14の円周方向Aへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝14内の円周方向Aにおける広範囲に溜まる。したがって、樹脂Rが樹脂誘導溝14の局所(一部分)に集中した場合でも、前記のように毛細管現象によって樹脂Rが樹脂誘導溝14の円周方向Aへスムーズに拡がるため、樹脂Rが樹脂誘導溝14を越え難くなり、樹脂Rの電気的接続領域12への侵入を防止することができる。
In such a case, the resin R first flows into the outer
また、万一、樹脂Rが外側の樹脂誘導溝14から溢れ出した場合、図6(b)に示すように、樹脂Rは、次に、内側の樹脂誘導溝15内に流れ込み、前記と同様に、樹脂誘導溝15においても、毛細管現象によって、樹脂誘導溝15の円周方向Aへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝15内の円周方向Aにおける広範囲に溜まる。これにより、樹脂Rが樹脂誘導溝15を越え難くなり、樹脂Rの電気的接続領域12への侵入をより確実に防止することができる。
In the unlikely event that the resin R overflows from the outer
尚、図3(c)に示すように、各樹脂誘導溝14,15の奥端部14a,15aの角度αは90°以下であるため、各樹脂誘導溝14,15の奥端部14a,15aにおいて確実かつ十分な毛細管現象が発生する。
As shown in FIG. 3 (c), the angle α of the
上記実施の形態では、各リードフレーム6,7にそれぞれ樹脂誘導溝14,15を内外二重に形成しているが、三重以上の複数形成してもよいし、或いは、単数(すなわち一重)形成してもよい。
(実施の形態2)
次に、実施の形態2について説明する。
In the above embodiment, the
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment will be described.
パッケージ部品2の製造方法において、パンチ工程の前に、リードフレーム6,7に鍍金(メッキ)を施す鍍金工程を実施する。尚、鍍金の種類としては、例えば、Cu又はCu合金、Fe/Ni合金、Ni−Au、Ni−Pd、Ni−Pd−Au、Ag、Ni−Ag、Cu−Ag等であり、これらはボンダビリティーに優れている。
In the manufacturing method of the
これによると、鍍金により、リードフレーム6,7の腐食を防止することができる。また、鍍金工程後にパンチ工程を実施するため、パンチ工程において各樹脂誘導溝14,15の表面の鍍金が剥がれて金属素材が露出し、各樹脂誘導溝14,15の表面に金属酸化膜が形成される。金属酸化膜と樹脂Rとの濡れ性は良好であるため、モールド工程において、各樹脂誘導溝14,15と樹脂Rとの毛細管現象が良好に保たれ、樹脂Rは毛細管現象によって樹脂誘導溝14,15の円周方向Aへスムーズに誘導されて拡がる。
(実施の形態3)
次に、実施の形態3について説明する。
According to this, corrosion of the lead frames 6 and 7 can be prevented by plating. Further, since the punching process is performed after the plating process, the plating on the surface of each
(Embodiment 3)
Next,
図7に示すように、樹脂誘導溝35は、リードフレーム6,7の一主面に開口する開口部36を有しており、断面形状が四角形状の溝本体部35aと、断面形状がV形状である樹脂誘導部35bとで構成されている。溝本体部35aは樹脂誘導溝35の開口部36側に面して形成されている。また、樹脂誘導部35bは、樹脂誘導溝35の奥端部35c側に形成されて、全周にわたり溝本体部35aの底部に連通している。尚、樹脂誘導部35b(樹脂誘導溝35の奥端部35c)の角度αは90°以下である。また、溝本体部35aの幅Waは樹脂誘導部35bの幅Wbよりも大きい。
As shown in FIG. 7, the
以下、上記構成における作用を説明する。
前記モールド工程において、キャビティー31から漏洩した樹脂Rが樹脂誘導溝35の局所(一部分)に集中的に達して樹脂誘導溝35内に流れ込んだ際、溝本体部35aよりも樹脂誘導部35bにおいて毛細管現象がより顕著に(強く)起こるため、樹脂Rは、樹脂誘導部35bにおける毛細管現象によって、樹脂誘導溝35の円周方向Aへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝35内の円周方向Aにおける広範囲に溜まる。この際、溝本体部35aは断面形状が四角形状であるため、前記実施の形態1(図3参照)の樹脂誘導溝14又は樹脂誘導溝15よりも多量の樹脂Rを樹脂誘導溝35内に溜めることが可能になる。これによって、樹脂Rの電気的接続領域12への侵入をより確実に防止することができる。
Hereinafter, the operation of the above configuration will be described.
In the molding step, when the resin R leaked from the
前記実施の形態3では、各リードフレーム6,7にそれぞれ樹脂誘導溝35を単数(すなわち一重)形成しているが、前記実施の形態1(図3参照)と同様に、樹脂誘導溝35を内外二重以上の複数形成してもよい。
(実施の形態4)
次に、実施の形態4について説明する。
In the third embodiment, each of the lead frames 6 and 7 has a single resin guide groove 35 (ie, a single), but the
(Embodiment 4)
Next, a fourth embodiment will be described.
図8に示すように、各リードフレーム6,7にそれぞれ樹脂誘導溝14が形成されている。図8(d)に示すように、樹脂誘導溝14は、断面形状がV形状であり、リードフレーム6,7の一主面に開口する開口部17を有している。また、図8(a)に示すように、樹脂誘導溝14の円周方向Aにおける複数箇所には樹脂溜め部39が形成されている。図8(b)(c)に示すように、これら樹脂溜め部39は、断面形状が凹形状をしており、樹脂誘導溝14の外側方に位置し、樹脂誘導溝14に連通している。
As shown in FIG. 8,
以下、上記構成における作用を説明する。
前記モールド工程において、キャビティー31から漏洩した樹脂Rが樹脂誘導溝14の局所(一部分)に集中的に達して樹脂誘導溝14内に流れ込んだ際、樹脂Rは、毛細管現象によって、樹脂誘導溝14の円周方向Aへスムーズに誘導されて拡がり、樹脂誘導溝14内の円周方向Aにおける広範囲に溜まる。さらに、樹脂誘導溝14内の樹脂Rが樹脂溜め部39に流れ込むことにより、樹脂Rが樹脂誘導溝14内から溢れ出るのを防止することができ、これによって、樹脂Rの電気的接続領域12への侵入をより確実に防止することができる。
Hereinafter, the operation of the above configuration will be described.
In the molding process, when the resin R leaked from the
前記実施の形態4では、樹脂溜め部39を樹脂誘導溝14の外側方に形成しているが、反対側の内側方に形成してもよい。
前記実施の形態4では、各リードフレーム6,7にそれぞれ樹脂誘導溝14を単数(すなわち一重)形成しているが、前記実施の形態1(図3参照)と同様に、内外二重に樹脂誘導溝14,15を形成してもよいし、或いは、内外三重以上形成してもよい。この場合、樹脂溜め部39を最外側の樹脂誘導溝14の外側方と最内側の樹脂誘導溝15の内側方とに形成してもよい。
In the fourth embodiment, the
In the fourth embodiment, a single
リードフレームを樹脂でモールドして一体成形する際に、電気的接続領域への樹脂バリの侵入を防止するのに有用であり、特に光半導体装置に適している。 When the lead frame is molded with resin and is integrally formed, it is useful for preventing the entry of resin burrs into the electrical connection region, and is particularly suitable for an optical semiconductor device.
1 光半導体装置(半導体装置)
2 パッケージ部品
3 光半導体素子(半導体素子)
6,7 リードフレーム
8 筐体
9 収容部
12 電気的接続領域
14,15 樹脂誘導溝
14a,15a 奥端部
17 開口部
19 接続部材
25 固定金型
26 可動金型
27 パンチ
30 モールド型
31 キャビティー
32 樹脂注入口
35 樹脂誘導溝
35a 溝本体部
35b 樹脂誘導部
35c 奥端部
36 開口部
39 樹脂溜め部
α 樹脂誘導溝の奥端部の角度
R 樹脂
Wa 溝本体部の幅
Wb 樹脂誘導部の幅
1 Optical semiconductor device (semiconductor device)
2
6, 7
Claims (8)
リードフレームの一主面に、電気的接続領域を囲む樹脂誘導溝が形成され、
樹脂誘導溝は、断面形状が四角形状の溝本体部と、断面形状がV形状である樹脂誘導部とで構成され、リードフレームの一主面に開口する開口部を有し、
樹脂誘導部の幅が、開口部側から奥端に向かうほど縮小し、樹脂誘導溝の奥端が尖っており、
溝本体部は、樹脂誘導溝の開口部側に形成され、
樹脂誘導部は、樹脂誘導溝の奥端部側に形成されて、全周にわたり溝本体部に連通しており、
溝本体部の幅が樹脂誘導部の幅よりも大きいことを特徴とするリードフレーム。 A lead frame having an electrical connection region to which a connection member is connected or a semiconductor element is mounted,
A resin guide groove surrounding the electrical connection region is formed on one main surface of the lead frame,
The resin guide groove is composed of a groove main body portion having a quadrangular cross-sectional shape and a resin guide portion having a V-shaped cross section, and has an opening opening on one main surface of the lead frame,
The width of the resin guide portion decreases as it goes from the opening side to the back end, and the back end of the resin guide groove is sharp,
The groove body is formed on the opening side of the resin guide groove,
The resin guide part is formed on the back end side of the resin guide groove and communicates with the groove body part over the entire circumference.
A lead frame characterized in that the width of the groove body is larger than the width of the resin guiding portion.
前記樹脂溜め部が樹脂誘導溝に連通していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のリードフレーム。 A resin reservoir is formed inside or outside the resin guide groove,
The lead frame according to claim 1, wherein the resin reservoir portion communicates with a resin guide groove.
リードフレームに樹脂製の筐体が装着され、
筐体は開口した中空状の収容部を有し、
リードフレームは収容部の底面上に配置され、
電気的接続領域と樹脂誘導溝とが収容部内に露出していることを特徴とするパッケージ部品。 A package component comprising the lead frame according to any one of claims 1 to 4,
A resin casing is attached to the lead frame,
The housing has an open hollow housing portion,
The lead frame is arranged on the bottom surface of the housing part,
A package component, wherein the electrical connection region and the resin guide groove are exposed in the housing portion.
複数のリードフレームに筐体が装着され、
いずれかのリードフレームの電気的接続領域に半導体素子が搭載され、
半導体素子と別のリードフレームの電気的接続領域とが接続部材を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising the package component according to claim 5,
A housing is attached to multiple lead frames,
A semiconductor element is mounted on the electrical connection region of any lead frame,
A semiconductor device, wherein a semiconductor element and an electrical connection region of another lead frame are electrically connected through a connection member.
固定金型と樹脂誘導溝形成用のパンチを有する可動金型との間にリードフレームをセットし、可動金型を可動させてリードフレームの一主面をパンチで押圧して樹脂誘導溝を形成するパンチ工程と、
筐体の形状に合致するキャビティーが設けられたモールド型にリードフレームを狭持し、加熱熔融状態の樹脂を樹脂注入口からキャビティー内へ注入して充填するモールド工程とを有することを特徴とするパッケージ部品の製造方法。 A method of manufacturing a package component according to claim 5,
A lead frame is set between the fixed mold and a movable mold having a punch for forming a resin guide groove, and the movable mold is moved to press one main surface of the lead frame with a punch to form a resin guide groove. Punching process,
And a mold process in which a lead frame is sandwiched between mold molds provided with cavities that match the shape of the casing, and a resin in a heated and melted state is injected into the cavity from the resin injection port and filled. A method for manufacturing a package component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006228512A JP5224665B2 (en) | 2006-08-25 | 2006-08-25 | Lead frame, package component, semiconductor device, and method of manufacturing package component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006228512A JP5224665B2 (en) | 2006-08-25 | 2006-08-25 | Lead frame, package component, semiconductor device, and method of manufacturing package component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008053478A JP2008053478A (en) | 2008-03-06 |
| JP5224665B2 true JP5224665B2 (en) | 2013-07-03 |
Family
ID=39237238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006228512A Expired - Fee Related JP5224665B2 (en) | 2006-08-25 | 2006-08-25 | Lead frame, package component, semiconductor device, and method of manufacturing package component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5224665B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5286948B2 (en) * | 2008-06-04 | 2013-09-11 | 株式会社デンソー | Substrate and electronic device manufacturing method |
| JP2012033794A (en) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Denso Corp | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP5682341B2 (en) * | 2011-02-01 | 2015-03-11 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP6481349B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | Package manufacturing method and light emitting device manufacturing method |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54128279A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-04 | Hitachi Ltd | Heat sink for resin-sealed semiconductor device and its manufacture |
| JPS63217651A (en) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Hitachi Cable Ltd | Lead frame pressing method |
| JP2861417B2 (en) * | 1991-01-11 | 1999-02-24 | サンケン電気株式会社 | Method for manufacturing resin-encapsulated electronic component |
| JP2857648B2 (en) * | 1991-02-28 | 1999-02-17 | サンケン電気株式会社 | Electronic component manufacturing method |
| JP2698259B2 (en) * | 1991-11-27 | 1998-01-19 | 三洋電機株式会社 | Heat sink manufacturing method |
| JPH11340404A (en) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Tokai Rika Co Ltd | Lead frame and method of manufacturing plastic package using the same |
| JP2000183237A (en) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Sony Corp | Semiconductor device, printed wiring board, and method of manufacturing the same |
| KR100335480B1 (en) * | 1999-08-24 | 2002-05-04 | 김덕중 | Leadframe using chip pad as heat spreading path and semiconductor package thereof |
| JP3695434B2 (en) * | 2002-08-22 | 2005-09-14 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| JP2004214344A (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Nec Kansai Ltd | Solid-state imaging device |
| JP2005327868A (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2006135100A (en) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
2006
- 2006-08-25 JP JP2006228512A patent/JP5224665B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008053478A (en) | 2008-03-06 |
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| JP2004104155A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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