JP5233186B2 - 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体素子と蛍光体などの波長変換手段とを組み合わせた光半導体装置に用いる熱硬化性光反射用樹脂組成物、および該熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法、ならびに該光半導体素子搭載用基板を用いた光半導体装置に関する。

光半導体素子を利用した光半導体装置として、図４に示すような構成のＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅｍｏｕｎｔｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）タイプのＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が知られている。このＬＥＤは、通常、マウント基板リフレクター（光半導体素子搭載用基板）４０３に形成されたカップ状部（凹部）の、リード４０４が露出している底面にＬＥＤ素子（発光素子）４００が配置され、さらに当該素子が配置されたカップ状部に蛍光体４０５を含有する透明封止樹脂４０２が充填されている。リフレクターは、発光素子から側方に放射された光をその表面で拡散反射して軸方向に分配し、これによって軸上強度を高めることを目的として使用されている。特許文献１〜４にはリフレクターが熱可塑性樹脂組成物からなるＳＭＤタイプのＬＥＤ用形成材料が開示されている。

このような構造を有するＬＥＤは、高エネルギー効率、長寿命などの利点から、屋外用ディスプレイ、携帯液晶バックライト、車載用途などその需要を拡大しつつあるが、これに伴い、ＬＥＤデバイスの高輝度化が進み、素子の発熱量増大によるジャンクション温度の上昇、あるいは直接的な光エネルギーの増大による材料の耐熱劣化・耐光劣化が課題となっている。

この課題に対し、特許文献５には、エポキシ樹脂としてトリグリシジルイソシアヌレート、硬化剤としてヘキサヒドロ無水フタル酸を含む樹脂組成物の硬化物をリフレクターとして用い、耐熱性および光反射特性に優れるＬＥＤを提供することが開示されている。
特開２００５−１９４５１３号公報 特開２００４−２７７５３９号公報 特開２００４−７５９９４号公報 特開２００４−１２８３９３号公報 特開２００６−１４０２０７号公報

しかしながら、上記特許文献５における樹脂組成物は、硬化剤として含まれるヘキサヒドロ無水フタル酸の融点が３４〜３８℃であるため、タブレット成型性やバリ発生などに課題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、光反射特性、タブレット成型性に優れ、バリを低減することが可能な熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置を提供することを目的とする。

すなわち、本発明は下記（１）〜（９）に記載の事項をその特徴とするものである。

（１）（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填剤、および（Ｄ）白色顔料を含む樹脂組成物において、硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が９０％以上であり、硬化前には室温（０〜３５℃）において加圧成型が可能であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。

（２）上記（Ｂ）硬化剤が、イソシアヌル酸骨格を有する化合物、または、イソシアヌル酸骨格を有する化合物と融点が３５℃以上の酸無水物を含む、上記（１）に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。

（３）上記（Ｃ）無機充填剤が、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする上記（１）または（２）に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。

（４）上記（Ｄ）白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子からなる群の中から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。

（５）上記（Ｄ）白色顔料の平均粒径が、１〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。

（６）上記（Ｃ）無機充填剤と上記（Ｄ）白色顔料の合計配合量が、樹脂組成物全体に対して、１０体積％〜８５体積％の範囲であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。

（７）光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも上記凹部の内周側面が上記（１）〜（６）のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物からなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。

（８）光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも上記凹部を、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いたトランスファー成型により形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法。

（９）上記（７）に記載の光半導体素子搭載用基板または上記（８）に記載の製造方法により製造された光半導体素子搭載用基板と、
上記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載される光半導体素子と、
上記光半導体素子を覆うように上記凹部内に形成される蛍光体含有透明封止樹脂層と、
を備える光半導体装置。

本発明によれば、光反射特性、タブレット成型性に優れ、バリを低減することが可能な熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置を提供することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を説明する。

本発明で用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、電子部品用途として使用されている公知のエポキシ樹脂を用いることができ、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂等があり、これらを適宜何種類でも併用することができる。また、これらのうち比較的着色のないものが好ましく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレートを挙げることができる。

本発明で用いる（Ｂ）硬化剤としては、（Ａ）エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に制限なく用いることができ、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアヌル酸骨格を有する化合物（イソシアヌル酸誘導体）、フェノール系硬化剤などが挙げられる。より具体的には、酸無水物系硬化剤として、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸が挙げられ、イソシアヌル酸誘導体として、例えば、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレートなどが挙げられ、これらは単独で用いても、二種以上併用しても良い。また、上記硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレートを用いることが好ましい。

また、上記（Ｂ）硬化剤は、その分子量が１００〜４００程度のものが好ましく、また、無色ないし淡黄色のものが好ましい。また、本発明で用いる（Ｂ）硬化剤としては、イソシアヌル酸誘導体単独、またはイソシアヌル酸誘導体と酸無水物を含むもの、またはイソシアヌル酸誘導体と融点が３５℃以上の酸無水物を含むものを用いることが特に好ましい。イソシアヌル酸誘導体と酸無水物の配合比は、１：０〜１０の範囲が好ましく、１：１〜３の範囲であることが、コスト削減と樹脂の黄変による反射率の低下抑制の観点から好ましい。

（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の配合比は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、硬化剤におけるエポキシ基との反応可能な活性基（酸無水物基または水酸基）が、好ましくは０．５〜１．５当量、さらには、０．７〜１．２当量となるような割合であることが好ましい。活性基が０．５当量未満の場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、得られる硬化体のガラス転移温度が低くなる場合があり、一方、１．５当量を超えると、耐湿性が低下する場合がある。

本発明で用いる（Ｃ）無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも１種以上を用いることができるが、熱伝導性、光反射特性、成型性、難燃性の点からシリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムの混合物が好ましい。また、（Ｃ）無機充填材の平均粒径は特に限定されるものではないが、（Ｄ）白色顔料とのパッキングが効率良くなるように１〜１００μｍの範囲のものを用いることが好ましい。

本発明で用いる（Ｄ）白色顔料としては、特に限定されないが、例えば、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子などを用いることができる。無機中空粒子としては、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス等が挙げられる。また、（Ｄ）白色顔料の平均粒径は、１〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。（Ｄ）白色顔料の平均粒径が１μｍ未満であると粒子が凝集しやすく分散性が悪くなる傾向にあり、５０μｍを超えると反射特性が十分に得られない傾向にある。なお、上記（Ｄ）白色顔料として、アルミナ等の上記（Ｃ）無機充填材として使用可能な成分と同一成分を同時に選択することも可能である。但し、同一成分を選択した場合であっても、それらは独立した（Ｃ）無機充填材および（Ｄ）白色顔料の各成分として区別して考えることを意図している。

上記（Ｃ）無機充填剤と上記（Ｄ）白色顔料の合計配合量は、樹脂組成物全体に対して、１０体積％〜８５体積％の範囲であることが好ましい。この配合量が１０体積％未満であると樹脂組成物の硬化物の光反射特性が不十分になる恐れがあり、８５体積％を超えると樹脂組成物の成型性が悪くなり、光半導体搭載用基板の作製が困難となる。

本発明の樹脂組成物は、上述の（Ａ）〜（Ｄ）を必須成分とするが、（Ｅ）硬化促進剤および（Ｆ）カップリング剤をさらに含むことが好ましい。

本発明で用いる（Ｅ）硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノールなどの３級アミン類、２−エチル−４メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートなどのリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体などが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、あるいは、併用してもよい。これらの硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。

上記（Ｅ）硬化促進剤の含有率は、（Ａ）エポキシ樹脂に対して、０．０１〜８．０重量％であることが好ましく、より好ましくは、０．１〜３．０重量％である。硬化促進剤の含有率が、０．０１重量％未満では、十分な硬化促進効果を得られない場合があり、また、８．０重量％を超えると、得られる着色体に変色が見られる場合がある。

本発明で用いる（Ｆ）カップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、シラン系カップリング剤やチタネート系カップリング剤等を用いることができ、シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系、およびこれらの複合系等を用いることができる。カップリング剤の種類や処理条件は特に限定しないが、カップリング剤の配合量は、保存安定性の観点から、樹脂組成物全体に対して、５重量％以下であることが好ましい。

さらに本発明の樹脂組成物には、上述の成分（Ａ）〜（Ｆ）に加え、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、イオン捕捉剤等の公知の添加剤を配合してもよい。

本発明の熱硬化性光反射用樹脂組成物は、上記した各種成分を均一に分散混合することで得ることができ、その手段や条件等は特に限定されないが、一般的な手法として、所定配合量の成分をミキサー等によって十分均一に撹拌、混合した後、ミキシングロール、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって混練し、さらに、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。

また、本発明の熱硬化性光反射用樹脂組成物は、熱硬化前、室温（０〜３５℃）において加圧成型可能であり、熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が９０％以上であることが望ましい。上記加圧成型は、例えば、室温において、０．５〜２ＭＰａ、１〜５秒程度の条件下で行うことができればよい。また、上記光反射率が９０％未満であると、光半導体装置の輝度向上に十分寄与できない傾向がある。

本発明の光半導体素子搭載用基板は、光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されており、少なくとも前記凹部の内周側面が本発明の熱硬化性光反射用樹脂組成物からなることを特徴とするものである。図１は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面断面図である。図１に示す本発明の光半導体素子搭載用基板１１０では、光半導体素子搭載領域（凹部）２００の側壁が本発明の熱硬化性光反射用樹脂組成物からなり、当該凹部底面を形成するように上記樹脂組成物を挟んで対向配置された一対の正負の金属配線１０５の露出表面がＮｉ／Ａｇめっき１０４により覆われている。

本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法は、特に限定されないが、例えば、本発明の熱硬化性光反射用樹脂組成物をトランスファー成型により成型し、製造することが好ましい。図２は、本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法を説明する概略図であり、（ａ）〜（ｃ）はトランスファーモールド成型により基板を製造する場合の各工程に対応する。より具体的には、光半導体素子搭載用基板は、例えば、図２（ａ）に示すように、金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線１０５を形成し、ついで、該金属配線１０５を所定形状の金型３０１に配置し（図２（ｂ））、金型３０１の樹脂注入口３００から本発明の熱硬化性光反射用樹脂組成物を注入し、これを好ましくは金型温度１７０〜１９０℃、成型圧力２〜８ＭＰａで６０〜１２０秒、アフターキュア温度１２０℃〜１８０℃で１〜３時間の条件にて熱硬化させた後、金型３０１を外し、硬化した熱硬化性光反射用樹脂組成物からなるリフレクター１０３に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域（凹部）２００の所定位置に、電気めっきによりＮｉ／銀めっき１０４を施すことで製造することができる（図２（ｃ））。

また、本発明の光半導体素子搭載用基板を用いた光半導体装置は、例えば、本発明の光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載される光半導体素子と、光半導体素子を覆うように凹部内に形成される蛍光体含有透明封止樹脂層と、を少なくとも備える。図３（ａ）および図３（ｂ）は、それぞれ本発明の光半導体装置の一実施形態を示す側面断面図である。より具体的には、図３に示した光半導体装置は、本発明の光半導体素子搭載用基板１１０の光半導体素子搭載領域（凹部）２００の底部所定位置に光半導体素子１００が搭載され、該光半導体素子１００と金属配線１０５とがボンディングワイヤ１０２やはんだバンプ１０７などの公知の方法により電気的に接続され、該光半導体素子１００が公知の蛍光体１０６を含む透明封止樹脂１０１により覆われている。

以下、本発明を実施例により詳述するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜熱硬化性光反射用樹脂組成物の作製＞
（実施例１〜３及び比較例１，２）
下記表１に示す組成の材料を配合し、ミキサーによって十分混合した後、ミキシングロールにより溶融混練した後、室温まで冷却し、粉砕して、実施例１〜３、比較例１および２の熱硬化性光反射用樹脂組成物を作製した。

＜光反射性試験＞
実施例１〜３及び比較例１，２の光反射樹脂組成物を、金型温度１８０℃、成型圧力６．９ＭＰａ、キュア時間９０秒の条件でトランスファー成型した後、１５０℃で２時間ポストキュアすることにより、厚み１．０ｍｍのテストピースを作製した。ついで、作製した各テストピースの、波長３５０〜８００ｎｍにおける光反射率を積分球型分光光度計Ｖ−７５０型（日本分光株式会社製）にて測定した。結果を下記表１に示す。

＜バリ評価＞
実施例１〜３及び比較例１，２の光反射樹脂組成物を、ポットより、それぞれ７５，５０，３０，２０，１０，２μｍの深さのスリットを設けた金型に流し込み、上記光反射性試験のテストピースと同様にして硬化させた後、得られた硬化物のバリ（各スリット内に流れ込んで硬化した樹脂組成物）の長さをノギスで測定した。各スリットにおけるバリ長さが全て２ｍｍ未満の場合を良好とし、２ｍｍ以上のバリがある場合をＮＧとして評価した。結果を下記表１に示す。

注記：
（１）配合量の単位は、全て重量部である。
（２）各成分の詳細は以下のとおりである。
ＴＥＰＩＣ−Ｓ：トリグリシジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００、日産化学社製）
ＨＨＰＡ：ヘキサヒドロ無水フタル酸（新日本理化製、リカシッドＨＨ、融点３５℃）
Ｃ３ＣＩＣ酸：１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート（四国化成工業社製）
ヒシリコーンＰＸ−４ＥＴ：テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート（日本化学工業社製）
ＦＢ−３０１：溶融シリカ（平均粒径５．８μｍ、電気化学工業社製）
ＡＯ−８０２：アルミナ（平均粒径１μｍ以下、アドマッテクス社製）
グラスバブルズＳ６０ＨＳ：ほう珪酸ガラス（平均粒径２０μｍ以下、住友３Ｍ社製）
ＳＨ６０４０：エポキシシラン（東レダウコーニング社製）
ＨＷ−Ｅ：モンタン酸エステル（クラリアント社製）
ユトニックス４２０：アルキルポリエーテル（東洋ペトロライト社製）
（３）ロール温度（℃）前／後とは、２本ロールによる混練時の前ロールおよび後ロールにおける各温度を示す。

表１に示したように、本発明による熱硬化性光反射用樹脂組成物は、光反射特性に優れ、バリを低減することが可能である。

＜タブレット成型試験＞
各実施例および各比較例で調製した樹脂組成物をタブレット成型用金型に注入し、室温（２５℃）、５ＭＰａ、１０ＭＰａ、および３０ＭＰａの各成型圧力で、３秒間にわたって加圧することによってタブレットを成型した。なお、成型時には、図５に示すような臼５０１と、上杵５０２および下杵５０３から構成されるアルミナ製金型であり、樹脂組成物５０４と接触する臼と杵の表面が超硬合金で被覆されているものを使用した。

上述のようして作製した各々のタブレットについて、成型時の杵表面への樹脂組成物の付着、およびそれに伴うタブレットの破壊、ならびにタブレットのひび割れを評価した。評価結果を表２に示す。

注記：
（１）杵表面への樹脂組成物の付着、またはそれに伴う破損に関する評価基準
○：目視にて杵表面への貼り付きが確認できない、またはそれによる破損がない。
×：目視にて杵表面への貼り付きが認められる、またはそれによる破損が認められる。
（２）タブレットのひび割れに関する評価基準
○：目視にてタブレットのひび割れが確認できない。
×：目視にてタブレットのひび割れが認められる。

本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面断面図である。

本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法を説明する概略図であり、（ａ）〜（ｃ）はトランスファーモールド成型により基板を製造する場合の各工程に対応する。 本発明の光半導体装置の一実施形態を示す図であり、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ装置の構造を模式的に示す側面断面図である。 一般的なＳＭＤタイプのＬＥＤ（光半導体装置）を示す側面断面図である。 実施例においてタブレット成型時に使用した金型の構造を示す模式的断面図である。

符号の説明

１００・・・・・光半導体素子（ＬＥＤ素子）
１０１・・・・・透明封止樹脂
１０２・・・・・ボンディングワイヤ
１０３・・・・・リフレクター（熱硬化性光反射用樹脂組成物）
１０４・・・・・Ｎｉ／Ａｇめっき
１０５・・・・・金属配線
１０６・・・・・蛍光体
１０７・・・・・はんだバンプ
１１０・・・・・光半導体素子搭載用基板
２００・・・・・光半導体素子搭載領域（凹部）
３００・・・・・樹脂注入口
３０１・・・・・金型
４００・・・・・ＬＥＤ素子
４０１・・・・・ボンディングワイヤ
４０２・・・・・透明封止樹脂
４０３・・・・・リフレクター
４０４・・・・・リード
４０５・・・・・蛍光体
４０６・・・・・ダイボンド材
５００・・・・・タブレット成型用金型
５０１・・・・・臼
５０２・・・・・上杵
５０３・・・・・下杵
５０４・・・・・タブレット（熱硬化性光反射用樹脂組成物）
５０５・・・・・付着物

Claims (8)

1. （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填剤、および（Ｄ）白色顔料を含む樹脂組成物において、前記（Ｂ）硬化剤が、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレートと融点が３５℃以上の酸無水物とを含み、硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が９０％以上であり、硬化前には室温（０〜３５℃）において加圧成型が可能であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。
2. 前記（Ｃ）無機充填剤が、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
3. 前記（Ｄ）白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子からなる群の中から選ばれる１種以上を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
4. 前記（Ｄ）白色顔料の平均粒径が、１〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
5. 前記（Ｃ）無機充填剤と前記（Ｄ）白色顔料の合計配合量が、樹脂組成物全体に対して、１０体積％〜８５体積％の範囲であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
6. 光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも前記凹部の内周側面が請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物からなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
7. 光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも前記凹部を、請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いたトランスファー成型により形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法。
8. 請求項６に記載の光半導体素子搭載用基板または請求項７に記載の製造方法により製造された光半導体素子搭載用基板と、
   前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載される光半導体素子と、
   前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成される蛍光体含有透明封止樹脂層と、
   を備える光半導体装置。

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