JP5235293B2 - 処理ガス供給機構および処理ガス供給方法ならびにガス処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、処理容器内に収容されたフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板等の被処理体に所定の処理が施されるように処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構および処理ガス供給方法、ならびにこのような処理ガス供給機構を備えたガス処理装置に関する。

ＦＰＤの製造プロセスにおいては、被処理体であるＦＰＤ用のガラス基板に対してエッチングや成膜等の所定の処理を施すために、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等のプラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置では一般的に、ガラス基板が、処理容器内の載置台上に載置された状態で、処理容器内に処理ガスを供給しつつ高周波電界を発生させることにより生成された処理ガスのプラズマによって処理される。

処理容器内への処理ガスの供給は通常、一端を処理ガス供給源に、他端を処理容器に接続した配管等の流路を介し、マスフローコントローラ等の流量調整機構によって流量調整しながら行っている（例えば特許文献１参照）。

しかしながら、近時、ＦＰＤの大型化が指向され、一辺が２ｍを超えるような巨大なガラス基板も出現するに至っており、これに伴って処理容器が大きくなってきているため、前述した従来の処理ガスの供給態様では、処理ガスの供給を開始してから処理容器内の圧力が設定圧力に達するまでに長い時間を要し、スループットが低下してしまうという問題を有している。
特開２００２−３１３８９８号公報

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理容器内が設定圧力となるような処理ガスを短時間で供給することができる処理ガス供給機構および処理ガス供給方法、このような処理ガス供給機構を備えたガス処理装置、ならびにこのような処理ガス供給方法を実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、被処理体を収容する処理容器と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理容器内を排気する排気手段と、前記処理ガス供給機構を制御する制御部とを具備し、前記処理容器内に被処理体を収容した状態で、前記排気手段によって排気しつつ前記処理ガス供給機構によって処理ガスを供給して被処理体に対して所定の処理を施すガス処理装置であって、前記処理ガス供給機構は、前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材とを備え、処理ガスが、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留され、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給されるとともに、前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給され、前記処理ガス通流部材は、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とを有し、前記処理ガスタンクは複数設けられているとともに、前記第２の処理ガス流路は、前記処理ガスタンクの数に対応して複数設けられ、前記各第２の処理ガス流路は、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有し、前記制御部は、前記複数の処理ガスタンクの一部から前記送出流路を介して前記処理容器内に処理ガスを供給させるのと並行して、前記処理ガス供給源から前記送入流路を介して前記複数の処理ガスタンクの残りの一部または全部に処理ガスを貯留させることを特徴とするガス処理装置を提供する。

第１の観点において、前記第１の処理ガス流路は、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに貯留させる際に通流させる貯留用流路と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理容器内に供給する際に通流させる供給用流路とを別個に有していてもよい。

また、第１の観点において、前記排気手段は、前記処理容器に複数接続された排気路と、前記排気路を介して前記処理容器内を排気する排気装置とを有する場合には、前記処理ガス通流部材と前記複数の排気路のうちの一部とにはバイパス流路が接続され、前記処理ガス通流部材内の処理ガスが前記バイパス流路を介して前記排気手段により排出可能に構成されており、前記バイパス流路が接続された前記排気路は、前記バイパス流路との接続部よりも上流側が開閉自在であることが好ましい。

さらに、第１の観点において、前記処理容器内に、前記処理ガス供給機構によって供給された処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構を、さらに具備し、前記所定の処理は、処理ガスのプラズマを用いたプラズマ処理であることが好適である。

また、本発明の第２の観点では、処理容器内に収容された被処理体に所定の処理が施されるように前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給方法であって、前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材とを準備し、処理ガスを、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留し、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給し、前記処理ガス通流部材を、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とから構成しておき、処理ガスを前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給し、前記処理ガスタンクを複数設けるとともに、前記第２の処理ガス流路を、前記処理ガスタンクの数に対応して複数設け、前記各第２の処理ガス流路を、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有して構成しておき、前記複数の処理ガスタンクの一部から前記送出流路を介して前記処理容器内に処理ガスを供給するのと並行して、前記処理ガス供給源から前記送入流路を介して前記複数の処理ガスタンクの残りの一部または全部に処理ガスを貯留することを特徴とする処理ガス供給方法を提供する。

また、本発明の第３の観点では、処理容器内に収容された被処理体に所定の処理が施されるように前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給方法であって、前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材とを準備し、処理ガスを、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留し、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給し、前記処理ガス通流部材を、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とから構成しておき、処理ガスを前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給し、前記第２の処理ガス流路を、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有して構成し、前記処理ガス供給源を、異なる複数種類の処理ガスを供給するように複数設けるとともに、前記第１の処理ガス流路を、前記処理ガス供給源の数に対応して複数に分岐して前記各処理ガス供給源に接続された供給源接続流路を有して構成し、前記第２の処理ガス流路の前記送入流路を、前記第１の処理ガス流路の前記各供給源接続流路から分岐させておき、前記処理ガスタンクから前記送出流路を介して前記処理容器内に所定の種類および比率からなる処理ガスを供給した後、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記第１の処理ガス流路を介して前記処理容器内に前記所定の種類および比率からなる処理ガスを供給するのと並行して、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記送入流路を介して前記処理ガスタンクに前記所定の種類および比率とは異なる種類および／または比率からなる処理ガスを貯留することを特徴とする処理ガス供給方法を提供する。

また、本発明の第４の観点では、処理容器内に収容された被処理体に所定の処理が施されるように前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給方法であって、前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材とを準備し、処理ガスを、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留し、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給し、前記処理ガス通流部材を、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とから構成しておき、処理ガスを前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給し、前記処理ガスタンクを複数設けるとともに、前記第２の処理ガス流路を、前記処理ガスタンクの数に対応して複数設け、前記各第２の処理ガス流路を、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有して構成し、前記処理ガス供給源を、異なる複数種類の処理ガスを供給するように複数設けるとともに、前記第１の処理ガス流路を、前記処理ガス供給源の数に対応して複数に分岐して前記各処理ガス供給源に接続された供給源接続流路を有して構成し、前記第２の処理ガス流路の前記送入流路を、前記第１の処理ガス流路の前記各供給源接続流路から分岐させておき、前記複数の処理ガスタンクの一部から前記送出流路を介して前記処理容器内に所定の種類および比率からなる処理ガスを供給するとともに、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記第１の処理ガス流路を介して前記処理容器内に前記所定の種類および比率からなる処理ガスを供給するのと並行して、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記送入流路を介して前記複数の処理ガスタンクの残りの一部または全部に前記所定の種類および比率とは異なる種類および／または比率からなる処理ガスを貯留することを特徴とする処理ガス供給方法を提供する。

さらに、本発明の第５の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に第２から第４の観点のいずれか一つに係る処理ガス供給方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。

本発明によれば、処理ガスを、処理ガス通流部材を介して、処理ガス供給源から処理ガスタンクに一旦貯留し、処理ガスタンクから処理容器内に供給するため、処理容器内が設定圧力となるような処理ガスを短時間で供給することができる。したがって、被処理体の処理時間の短縮を図ることが可能となる。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明に係るガス処理装置の一実施形態であるプラズマエッチング装置の概略断面図である。

このプラズマエッチング装置１は、被処理体であるＦＰＤ用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｇに対してエッチングを行う容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。プラズマエッチング装置１は、基板Ｇを収容する処理容器としてのチャンバー２と、チャンバー２内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構３と、チャンバー２内を排気する排気手段４と、処理ガス供給機構３によってチャンバー２内に供給された処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構５とを備えている。

チャンバー２は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなり、基板Ｇの形状に対応して四角筒形状に形成されている。チャンバー２内の底壁には、基板Ｇを載置する載置台としてのサセプタ２０が設けられている。サセプタ２０は、基板Ｇの形状に対応して四角板状または柱状に形成されており、金属等の導電性材料からなる基材２０ａと、基材２０ａの周縁を覆う絶縁材料からなる絶縁部材２０ｂと、基材２０ａおよび絶縁部材２０ｂの底部を覆うように設けられてこれらを支持する絶縁材料からなる絶縁部材２０ｃとを有している。基材２０ａには、載置された基板Ｇを吸着するための静電吸着機構と、載置された基板Ｇの温度を調節するための冷媒流路等の冷却手段などからなる温度調節機構とが内蔵されている（いずれも図示せず）。

チャンバー２の側壁には、基板Ｇを搬入出するための搬入出口２１が形成されているとともに、この搬入出口２１を開閉するゲートバルブ２２が設けられておいる。搬入出口２１の開放時には、図示しない搬送機構によって基板Ｇがチャンバー２内外に搬入出されるように構成されている。

チャンバー２の底壁およびサセプタ２０には、これらを貫通する挿通孔２３が、例えばサセプタ２０の周縁部位置に間隔をあけて複数形成されている。各挿通孔２３には、基板Ｇを下方から支持して昇降させるリフターピン２４がサセプタ２０の基板載置面に対して突没可能に挿入されている。各リフターピン２４の下部にはフランジ２５が形成されており、各フランジ２５には、リフターピン２４を囲繞するように設けられた伸縮可能なベローズ２６の一端部（下端部）が接続され、このベローズ２６の他端部（上端部）は、チャンバー２の底壁に接続されている。これにより、ベローズ２６は、リフターピン２４の昇降に追従して伸縮するとともに、挿通孔２３とリフターピン２４との隙間を密封している。

チャンバー２の上部または上壁には、後述する処理ガス供給機構３によって供給された処理ガスをチャンバー２内に吐出するとともに上部電極として機能するシャワーヘッド２７がサセプタ２０と対向するように設けられている。シャワーヘッド２７は接地されており、内部に処理ガスを拡散させるガス拡散空間２８が形成され、下面またはサセプタ２０との対向面にガス拡散空間２８で拡散された処理ガスを吐出するための複数の吐出孔２９が形成されている。

排気手段４は、チャンバー２の例えば底壁に接続された排気路としての排気管４１と、この排気管４１に接続され、排気管４１を介してチャンバー２内を排気する排気装置４２と、排気管４１の排気装置４２との接続部よりも上流側に設けられた、チャンバー２内の圧力を調整するための圧力調整バルブ４３とを備えている。排気装置４２は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有し、これによりチャンバー２内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能に構成されている。排気管４１は、チャンバー２の周方向に間隔をあけて複数設けられ、排気装置４２および圧力調整バルブ４３は、各排気管４１に対応して複数設けられている。

プラズマ生成機構５は、サセプタ２０の基材２０ａに接続された、高周波電力を供給するための給電線５１と、この給電線５１に接続された整合器５２および高周波電源５３とを備えている。高周波電源５３からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力がサセプタ２０に供給され、これにより、サセプタ２０は、下部電極として機能し、シャワーヘッド２７とともに一対の平行平板電極をなすように構成されている。サセプタ２０およびシャワーヘッド２７は、プラズマ生成機構５の一部を構成している。

処理ガス供給機構３は、処理ガス、例えばＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスをチャンバー２内に供給するための処理ガス供給源、例えばＨｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２と、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２からの処理ガスを一時的に貯留または充填するための複数、例えば２つの処理ガスタンク３３、３４と、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２からの処理ガスを処理ガスタンク３３、３４およびチャンバー２内に送給し、処理ガスタンク３３、３４に貯留された処理ガスをチャンバー２内に送給する配管等からなる処理ガス通流部材３５とを備えている。処理ガス通流部材３５は、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２とチャンバー２とに接続された第１の処理ガス流路３６と、２つの処理ガスタンク３３、３４に対応するように各々が第１の処理ガス流路３６から分岐して処理ガスタンク３３、３４に接続された第２の処理ガス流路３７、３８とを有している。

第１の処理ガス流路３６は、３つの処理ガス供給源（Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２）に対応するように３本に分岐して各処理ガス供給源に接続された供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃを一方側または上流側部に有し、他端部または下流側端部がガス拡散空間２８と連通するようにシャワーヘッド２７の上面に接続されている。第１の処理ガス流路３６には、供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃにそれぞれ、処理ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ３６ｄ、３６ｅ、３６ｆおよびバルブ３６ｇ、３６ｈ、３６ｉが設けられ、第２の処理ガス流路３７、３８との分岐部よりも他方側の例えば一端部および他端部にもそれぞれバルブ３６ｓ、３６ｔが設けられている。

第２の処理ガス流路３７、３８はそれぞれ、第１の処理ガス流路３６の供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃよりも下流側から分岐し、ガス拡散空間２８と連通するようにシャワーヘッド２７の上面に接続され、中間部に処理ガスタンク３３、３４が接続されている。これにより、第２の処理ガス流路３７、３８はそれぞれ、処理ガスを処理ガスタンク３３、３４に送り入れるための送入流路３７ａ、３８ａと、処理ガスを処理ガスタンク３３、３４から送り出すための送出流路３７ｂ、３８ｂとを別個に有している。送入流路３７ａ、３８ａおよび送出流路３７ｂ、３８ｂにはそれぞれ、バルブ３７ｃ、３８ｃおよびバルブ３７ｄ、３８ｄが設けられ、処理ガスタンク３３、３４にはそれぞれ、内部の圧力を測定するための圧力計３３ａ、３４ａが設けられている。

処理ガス通流部材３５、例えば第１の処理ガス流路３６と複数の排気管４１のうちの一部、例えば１本とには、配管等のバイパス流路３９が接続されており、処理ガス通流部材３５内の処理ガスがバイパス流路３９を介して排気手段４により排出可能となっている。バイパス流路３９は、排気管４１の圧力調整バルブ４３と排気装置４２との間に接続されており、この圧力調整バルブ４３を閉じることにより、バイパス流路３９から排出された処理ガスが排気管４１を介してチャンバー２内に流入することを防止できるように構成されている。

プラズマエッチング装置１の各構成部は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ９０によって制御される。このプロセスコントローラ９０には、工程管理者がプラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやプラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス９１と、プラズマエッチング装置１で実行される処理をプロセスコントローラ９０の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部９２とが接続されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス９１からの指示等にて任意のレシピを記憶部９２から呼び出してプロセスコントローラ９０に実行させることで、プロセスコントローラ９０の制御下でプラズマエッチング装置１での処理が行われる。また、前記レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。

また、より具体的に、処理ガス供給機構３の各バルブ３６ｇ、３６ｈ、３６ｉ、３６ｓ、３６ｔ、３７ｃ、３７ｄ、３８ｃ、３８ｄ、３９ａは、プロセスコントローラ９０に接続されたユニットコントローラ９３（制御部）によって制御される構成となっている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス９１からの指示等にてプロセスコントローラ９０が任意のレシピを記憶部９２から呼び出してユニットコントローラ９３に制御させる。

このように構成されたプラズマエッチング装置１においては、排気手段４によってチャンバー２内を所定の真空度に維持したまま、まず、ゲートバルブ２２によって搬入出口２１が開放された状態で、基板Ｇが図示しない搬送機構によって搬入出口２１から搬入されたら、各リフターピン２４を上昇させ、各リフターピン２４によって基板Ｇを搬送機構から受け取って支持させる。搬送機構が搬入出口２１からチャンバー２外に退出したら、ゲートバルブ２２によって搬入出口２１を閉塞するとともに、各リフターピン２４を下降させてサセプタ２０の基板載置面に没入させ、基板Ｇをサセプタ２０に載置させる。

次に、処理ガス供給機構３によってチャンバー２内に処理ガスを供給する。ここでの処理ガスの供給は、あらかじめＨｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２から処理ガスタンク３３に充填させておいたＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスを、バルブ３７ｄを開いて放出することによって行う。

チャンバー２内は排気手段４によって排気されているため、処理ガスタンク３３に充填された処理ガスを供給しただけでは時間の経過とともにチャンバー２内の圧力が低下してしまう。したがって、処理ガスタンク３３に充填された処理ガスの供給時または供給直後に、バルブ３６ｓ、３６ｔ、３６ｇ、３６ｈ、３６ｉを開き、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２からのＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスをマスフローコントローラ３６ｄ、３６ｅ、３６ｆによって流量調整し、チャンバー２内に供給するとともに、圧力制御バルブ４３によりチャンバー２内を設定圧力、例えば２３．３Ｐａ（０．１７５Ｔｏｒｒ）に保持する。これにより、チャンバー２内の設定圧力に迅速に保持することができる。また、処理ガス通流部材３５を、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２とチャンバー２とに接続された第１の処理ガス流路３６と、第１の処理ガス流路３６から分岐して処理ガスタンク３３、３４にそれぞれ接続された第２の処理ガス流路３７、３８とから構成したため、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２からのＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスを、第１の処理ガス流路３６を介し、大きな空間である処理ガスタンク３３、３４を通過させずにチャンバー２内に短時間で供給することができ、これにより、チャンバー２内の圧力保持のさらなる迅速化を図ることが可能となる。

この状態で、サセプタ２０に内蔵された静電吸着機構に直流電圧を印加して基板Ｇをサセプタ２０に吸着させるとともに、サセプタ２０に内蔵された温調機構によって基板Ｇの温度を調節する。そして、高周波電源５３から整合器５２を介してサセプタ２０に高周波電力を印加し、下部電極としてのサセプタ２０と上部電極としてのシャワーヘッド２７との間に高周波電界を生じさせてチャンバー２内の処理ガスをプラズマ化させる。この処理ガスのプラズマによって基板Ｇにエッチング処理が施される。

基板Ｇにエッチング処理を施したら、高周波電源５３からの高周波電力の印加を停止する。次に、バルブ３６ｇ、３６ｈ、３６ｉを閉じてＨｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２からのＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスの供給を停止するとともに、排気手段４によりチャンバー２内および第１の処理ガス流路３６または処理ガス通流部材３５内の処理ガスを排出する。そして、静電吸着機構による基板Ｇの吸着を解除し、その後、チャンバー２内に処理ガスを供給し、チャンバー２内を設定圧力、例えば２６．７Ｐａ（０．２Ｔｏｒｒ）に保持した状態でサセプタ２０に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化させ、基板Ｇに対して除電処理を施す。ここでの処理ガスの供給は、バルブ３８ｄを開き、あらかじめＨｅガス供給源３０から処理ガスタンク３４に充填させておいたＨｅガスを放出するのと併せて、バルブ３６ｓ、３６ｔ、３６ｇを開き、チャンバー２内が設定圧力に保持されるように、Ｈｅガス供給源３０からのＨｅガスをマスフローコントローラ３６ｄによって流量調整し、送給することにより行う。これにより、チャンバー２内の圧力を瞬時に設定圧力または設定圧力近傍に保持することができ、基板Ｇの除電処理を迅速に行うことが可能となる。

基板Ｇの除電処理を行ったら、排気手段４によりチャンバー２内および第１の処理ガス流路３６または処理ガス通流部材３５内の処理ガスを排出する。次に、ゲートバルブ２２によって搬入出口２１を開放するとともに、リフターピン２４を上昇させ、基板Ｇをサセプタ２０から上方に離間させる。その後、図示しない搬送機構が搬入出口２１からチャンバー２内に進入してきたら、リフターピン２４を下降させ、基板Ｇを搬送機構に移し換える。その後、基板Ｇは、搬送機構によって搬入出口２１からチャンバー２外に搬出されることとなる。

処理ガスタンク３３、３４への処理ガスの再充填は、基板Ｇの搬入出時に行う。まず、バルブ３７ｃを開き、処理ガスタンク３３に処理ガスを充填する。この際には、処理ガスが処理ガスタンク３４およびチャンバー２内に流入するのを防ぐため、バルブ３７ｄ、３８ｃ、３６ｓを閉じておく。処理ガスタンク３３への処理ガスの充填が完了したら、バルブ３７ｃを閉じ、第１の処理ガス流路３６および送入流路３７ａ、３８ａに残留している処理ガスを排出するため、バルブ３９ａを開ける。この際には、処理ガスがチャンバー２内に流入しないように、バイパス流路３９が接続された排気管４１の圧力調整バルブ４３を閉じておく。処理ガスの排出が完了したら、処理ガスタンク３３への充填と同様に、処理ガスの処理ガスタンク３４への充填を行い、充填完了後には、第１の処理ガス流路３６および送入流路３７ａ、３８ａに残留している処理ガスの排出を同様に行う。なお、処理ガスの充填は、処理ガスタンク３４を先に行ってもよい。

本実施形態では、処理ガス通流部材３５を介し、処理ガス供給源、例えばＨｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２からの処理ガス、例えばＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスを処理ガスタンク３３、３４に一旦充填し、処理ガスタンク３３、３４に充填された処理ガスをチャンバー２内に供給して基板Ｇのプラズマエッチングを含む処理を行うため、チャンバー２の容量が大きい場合であっても、このチャンバー２内が設定圧力となるような処理ガスを短時間で供給することができ、これにより、処理時間の短縮化を図ることが可能となる。

なお、本実施形態では、プラズマエッチング処理時に供給される処理ガスを充填するのに処理ガスタンク３３を用い、プラズマエッチング処理後に供給される処理ガスを充填するのに処理ガスタンク３４を用いたが、これらは入れ替えて用いてもよい。また、本実施形態では、第２の処理ガス流路３７、３８を個別に第１の処理ガス流路３６から分岐させて設けたが、これらを一端部同士が合流した状態で第１の処理ガス流路３６から分岐させて設けてもよい。あるいは、第２の処理ガス流路３７、３８をシャワーヘッド２７の上面ではなく、チャンバー２の他の部分、例えば側壁に接続し、シャワーヘッド２７を通さずに処理ガスをチャンバー２内に送給するように構成してもよい。さらに、本実施形態では、第２の処理ガス流路３７、３８の送出流路３７ｂ、３８ｂをそれぞれ、チャンバー２に接続したが、これらは第１の処理ガス流路３６に接続してもよい。さらに、本実施形態では、異なる処理ガスを用いた２種のプロセスを連続して行うために２つの処理ガスタンク３３、３４を使用したが、プロセスが１種のみ等の場合には処理ガスタンクは１つのみでもよく、３種以上のプロセスを連続して行うなどの場合には３つ以上の処理ガスタンクを使用してもよい。

次に、プラズマエッチング装置１を用い、処理ガスタンク３３に処理ガスを所定の圧力で充填する時間（以下、充填時間と記す）、および処理ガスタンク３３に充填した処理ガスおよび処理ガス供給源３０、３１、３２からの処理ガスをチャンバー２内に供給し、チャンバー２内の圧力が設定圧力程度に安定するまでの時間（以下、安定時間と記す）をそれぞれ測定した。ここでのプラズマエッチング装置１は、図２に示すように、処理ガス供給機構３の第２の処理ガス流路３７、３８を簡素な構造に変形したものを用いた。ここでの第２の処理ガス流路３７、３８はそれぞれ、一端部が第１の処理ガス流路３６から分岐して他端部が処理ガスタンク３３、３４に接続され、中間部にバルブ３７ｚ、３８ｚが設けられている。したがって、ここでの第２の処理ガス流路３７、３８はそれぞれ、処理ガス供給源３０、３１、３２からの処理ガスを処理ガスタンク３３、３４に導くための流路と、処理ガスタンク３３、３４内の処理ガスをチャンバー２内に導くための流路とを兼ねている。

処理ガスであるＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスの流量比は２：１：１、合計流量は５ｓｌｍとし、チャンバー２の容量ｌ_０は２３１０ｌ、処理ガスタンク３３の容量ｌ_１は３ｌ、チャンバー２内の設定圧力Ｐ_０は２３．３Ｐａ（０．１７５Ｔｏｒｒ）とし、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力Ｐ_１が２６．７ｋＰａ（２００Ｔｏｒｒ）の場合（実施例１）、５３．３ｋＰａ（４００Ｔｏｒｒ）の場合（実施例２）、８０．０ｋＰａ（６００Ｔｏｒｒ）の場合（実施例３）についてそれぞれ測定を行った。また、比較例として、処理ガスタンク３３を使用せずに処理ガス供給源３０、３１、３２からの処理ガスのみをチャンバー２内に供給した場合の安定時間を測定した。測定結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１、２、３では、比較例と比べて安定時間が短くなることが確認された。すなわち、プラズマエッチング装置１を用いることにより、処理ガスタンク３３を使用しない従来型のプラズマエッチング装置を用いた場合と比較して安定時間を短縮できることが確認された。

また、充填時間は、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力が低いほど短かったが、安定時間は、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力が高いほど短く、８０．０ｋＰａの場合には２６．７ｋＰａの場合と比較してほぼ半分になることが確認された。これは、処理ガスタンク３３内に充填される処理ガスの圧力が低いと、処理ガス供給源３０、３１、３２からチャンバー２内に供給される処理ガスが第２の処理ガス流路３７を介して処理ガスタンク３３に流入してしまうことにも起因すると考えられる。そこで、処理ガスタンク３３からチャンバー２内への処理ガス供給開始前後の処理ガス通流部材３５内の圧力変化を測定したところ、処理ガスタンク３３からチャンバー２内への処理ガス供給開始直後の処理ガス通流部材３５内の圧力は、図３（ａ）の矢印部分に示すように、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力Ｐ_１が２６．７ｋＰａの場合に、安定時の処理ガス通流部材３５内の圧力２９．９ｋＰａ（２２４Ｔｏｒｒ）に近く、図３（ｂ）の矢印部分に示すように、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力Ｐ_１が２９．９ｋＰａ未満、例えば１７．９ｋＰａ（１３５Ｔｏｒｒ）の場合には、安定時の処理ガス通流部材３５内の圧力よりも小さく、図３（ｃ）の矢印部分に示すように、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力Ｐ_１が２９．９ｋＰａよりも大きい、例えば５３．３ｋＰａの場合には、安定時の処理ガス通流部材３５内の圧力よりも大きい結果となった。また、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力Ｐ_１が１７．９ｋＰａの場合には、２６．７ｋＰａの場合と比較して安定時間が２秒ほど長く、すなわち、処理ガスタンク３３を使用せずに処理ガス供給源３０、３１、３２からの処理ガスのみをチャンバー２内に供給した場合の安定時間よりも長い結果となった。したがって、第２の処理ガス流路３７（３８）が、処理ガスを処理ガスタンク３３（３４）に送り入れるための流路と、処理ガスを処理ガスタンク３３（３４）から送り出すための流路とを兼ねている場合には、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力を処理ガス通流部材３５内の圧力よりも高くすると、処理ガスタンク３３、３４への処理ガスの流入を防止することができ、処理ガスタンク３３に充填される処理ガスの圧力を高くするほど、安定時間を短縮することができると考えられる。

次に、プラズマエッチング装置の他の実施形態について説明する。
図４は本発明に係るガス処理装置の他の実施形態であるプラズマエッチング装置の概略断面図である。

図４に示すように、プラズマエッチング装置１′は、プラズマエッチング装置１における処理ガス供給機構３の第２の処理ガス流路３７、３８の送入流路３７ａ、３８ａおよびバイパス流路３９を変形したものであり、プラズマエッチング装置１と同部位については同符号を付して説明を省略する。プラズマエッチング装置１′における処理ガス供給機構３′の第２の処理ガス流路３７′（３８′）の処理ガスタンク３３（３４）への送入流路３７ａ′（３８ａ′）は、一端部または上流側端部が供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃのマスフローコントローラ３６ｄ、３６ｅ、３６ｆよりも上流側からそれぞれ分岐するように設けられた導入分岐流路３７ｉ、３７ｊ、３７ｋから、さらに分岐された分岐送入流路３７ｅ、３７ｆ、３７ｇ（３８ｅ、３８ｆ、３８ｇ）と、分岐送入流路３７ｅ、３７ｆ、３７ｇ（３８ｅ、３８ｆ、３８ｇ）の他端部または下流側端部同士が合流し、処理ガスタンク３３（３４）に接続された合流送入流路３７ｈ（３８ｈ）とを有している。導入分岐流路３７ｉ、３７ｊ、３７ｋにはそれぞれ、マスフローコントローラ３７ｌ、３７ｍ、３７ｎが設けられ、分岐送入流路３７ｅ、３７ｆ、３７ｇ、３８ｅ、３８ｆ、３８ｇにはそれぞれ、バルブ３７ｏ、３７ｐ、３７ｑ、３８ｏ、３８ｐ、３８ｑが設けられている。

処理ガス供給機構３′におけるバイパス流路３９′は、一方側または上流側が分岐して合流送入流路３７ｈ、３８ｈにそれぞれ接続され、各分岐部にバルブ３９ｂ、３９ｃが設けられている。

このように構成された処理ガス供給機構３′においては、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２から第１の処理ガス通流部材３５を介したチャンバー２内へのＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスの供給と並行して、Ｈｅガス供給源３０、ＨＣｌガス供給源３１およびＳＦ_６ガス供給源３２から第２の処理ガス流路３７′（３８′）を介した処理ガスタンク３３（３４）へのＨｅガス、ＨＣｌガスおよびＳＦ_６ガスの充填を行うことができるとともに、各マスフローコントローラ３６ｄ、３６ｅ、３６ｆ、３７ｌ、３７ｍ、３７ｎおよび各バルブ３６ｇ、３６ｈ、３６ｉ、３７ｏ（３８ｏ）、３７ｐ（３８ｐ）、３７ｑ（３８ｑ）によってチャンバー２内に供給されるＨｅガスの流量、ＨＣｌガスの流量、ＳＦ_６ガス流量、処理ガスタンク３３（３４）に送られるＨｅガスの流量、ＨＣｌガスの流量、ＳＦ_６ガス流量を個別に調整することができる。また、バイパス流路３９′を分岐させて合流送入流路３７ｈ、３８ｈにそれぞれ接続したことにより、合流送入流路３７ｈを含む第２の処理ガス流路３７′内の処理ガスと合流送入流路３８ｈを含む第２の処理ガス流路３８′内の処理ガスとを別個に排出することができる。したがって、あらかじめ処理ガスタンク３３（３４）に充填された所定の種類および比率からなる処理ガス、および処理ガス供給源３０、３１、３２からの所定の種類および比率からなる処理ガスをチャンバー２内に供給し、あるプロセスを行うのと並行して、次プロセスで使用される、所定の種類および比率とは異なる種類および／または比率からなる処理ガスを処理ガスタンク３４（３３）に充填することができるため、使用される処理ガスの種類や比率等が異なる３種以上のプロセスを連続的に行うことが可能となる。

なお、本実施形態では、分岐送入流路３７ｅ、３８ｅ、３７ｆ、３８ｆ、３７ｇ、３８ｇを、導入分岐流路３７ｉ、３７ｊ、３７ｋを介して供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃから分岐させたが、導入分岐流路３７ｉ、３７ｊ、３７ｋを介さずに供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃから直接分岐させてもよい。この場合には、分岐送入流路３７ｅ、３８ｅ、３７ｆ、３８ｆ、３７ｇ、３８ｇにそれぞれマスフローコントローラを設けることができる。

図５はプラズマエッチング装置１に設けられた処理ガス供給機構３の供給源接続流路の変形例を示す図である。
処理ガス供給源３０、３１、３２から処理ガスタンク３３、３４への処理ガスの充填を短時間で行うには、処理ガスを大流量で処理ガスタンク３３、３４に送れるように、供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃに設けられたマスフローコントローラおよびバルブを大流量に対応可能なもので構成することが好ましい。しかしながら、基板Ｇの処理品質を高めるには、処理ガス供給源３０、３１、３２からチャンバー２内に供給される処理ガスの流量を精緻に調整する必要があり、供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃに大流量に対応可能なマスフローコントローラを設けると、流量の微妙な調整ができずに基板Ｇの処理品質を低下させるおそれがある。そこで、図５に示すように、各供給源接続流路３６ａ、３６ｂ、３６ｃに、処理ガス供給源３０、３１、３２からの処理ガスを処理ガスタンク３３、３４に貯留または充填させる際に通流させる貯留用流路３６ｊ、３６ｋ、３６ｌと、処理ガス供給源３０、３１、３２からの処理ガスをチャンバー２内に供給する際に通流させる供給用流路３６ｍ、３６ｎ、３６ｏとを分岐させて設け、貯留用流路３６ｊ、３６ｋ、３６ｌにそれぞれ大流量に対応可能なマスフローコントローラ３６ｐおよびバルブ３６ｑを設けるとともに、供給用流路３６ｍ、３６ｎ、３６ｏにそれぞれ、微調整可能な例えば小流量用のマスフローコントローラ３６ｒおよびバルブ３６ｓを設けてもよい。このような構成により、処理ガスタンク３３、３４への処理ガスの充填を短時間で行いつつ、チャンバー２内に供給される処理ガスの流量を精緻に調整することが可能となる。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。上記実施形態では、下部電極に高周波電力を印加するＲＩＥタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置に適用した例について説明したが、これに限らず、アッシング、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用可能であり、さらに、基板等の被処理体を処理容器内に収容してガス処理する、プラズマ処理装置以外のガス装置全般にも適用可能である。また、上記実施形態ではＦＰＤ用のガラス基板の処理に適用した例について説明したが、これに限らず、半導体基板等の基板全般の処理に適用可能であり、基板以外の被処理体の処理にも適用可能である。

本発明に係るガス処理装置の一実施形態であるプラズマエッチング装置の概略断面図である。 処理ガスの充填時間、および処理ガス供給時の安定時間の測定に用いたプラズマエッチング装置の概略断面図である。 処理ガスの充填時間、および処理ガス供給時の安定時間の測定結果を示す図である。 本発明に係るガス処理装置の他の実施形態であるプラズマエッチング装置の概略断面図である。 プラズマエッチング装置に設けられた処理ガス供給機構の供給源接続流路の変形例を示す図である。

符号の説明

１、１′：プラズマエッチング装置（ガス処理装置）
２：チャンバー（処理容器）
３、３′：処理ガス供給機構
４：排気手段
５：プラズマ生成機構
４１：排気管（排気路）
４２：排気装置
３０：Ｈｅガス供給源（処理ガス供給源）
３１：ＨＣｌガス供給源（処理ガス供給源）
３２：ＳＦ_６ガス供給源（処理ガス供給源）
３３、３４：処理ガスタンク
３５：処理ガス通流部材
３６：第１の処理ガス流路
３６ａ、３６ｂ、３６ｃ：供給源接続流路
３６ｊ、３６ｋ、３６ｌ：貯留用流路
３６ｍ、３６ｎ、３６ｏ：供給用流路
３７、３７′、３８、３８′：第２の処理ガス流路
３７ａ、３７ａ′、３８ａ、３８ａ′：送入流路
３７ｂ、３８ｂ：送出流路
３９、３９′：バイパス流路
９０：プロセスコントローラ
９１：ユーザーインターフェイス
９２：記憶部
９３：ユニットコントローラ（制御部）
Ｇ：ガラス基板（被処理体）

Claims (8)

1. 被処理体を収容する処理容器と、
   前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
   前記処理容器内を排気する排気手段と、
   前記処理ガス供給機構を制御する制御部とを具備し、
   前記処理容器内に被処理体を収容した状態で、前記排気手段によって排気しつつ前記処理ガス供給機構によって処理ガスを供給して被処理体に対して所定の処理を施すガス処理装置であって、
   前記処理ガス供給機構は、
   前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、
   前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、
   前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材と
   を備え、
   処理ガスが、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留され、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給されるとともに、前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給され、
   前記処理ガス通流部材は、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とを有し、
   前記処理ガスタンクは複数設けられているとともに、前記第２の処理ガス流路は、前記処理ガスタンクの数に対応して複数設けられ、
   前記各第２の処理ガス流路は、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有し、
   前記制御部は、前記複数の処理ガスタンクの一部から前記送出流路を介して前記処理容器内に処理ガスを供給させるのと並行して、前記処理ガス供給源から前記送入流路を介して前記複数の処理ガスタンクの残りの一部または全部に処理ガスを貯留させることを特徴とするガス処理装置。
2. 前記第１の処理ガス流路は、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに貯留させる際に通流させる貯留用流路と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理容器内に供給する際に通流させる供給用流路とを別個に有することを特徴とする請求項１に記載のガス処理装置。
3. 前記排気手段は、前記処理容器に複数接続された排気路と、前記排気路を介して前記処理容器内を排気する排気装置とを有し、
   前記処理ガス通流部材と前記複数の排気路のうちの一部とにはバイパス流路が接続され、前記処理ガス通流部材内の処理ガスが前記バイパス流路を介して前記排気手段により排出可能に構成されており、
   前記バイパス流路が接続された前記排気路は、前記バイパス流路との接続部よりも上流側が開閉自在であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガス処理装置。
4. 前記処理容器内に、前記処理ガス供給機構によって供給された処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構を、さらに具備し、
   前記所定の処理は、処理ガスのプラズマを用いたプラズマ処理であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のガス処理装置。
5. 処理容器内に収容された被処理体に所定の処理が施されるように前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給方法であって、
   前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材とを準備し、
   処理ガスを、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留し、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給し、
   前記処理ガス通流部材を、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とから構成しておき、
   処理ガスを前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給し、
   前記処理ガスタンクを複数設けるとともに、前記第２の処理ガス流路を、前記処理ガスタンクの数に対応して複数設け、
   前記各第２の処理ガス流路を、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有して構成しておき、
   前記複数の処理ガスタンクの一部から前記送出流路を介して前記処理容器内に処理ガスを供給するのと並行して、前記処理ガス供給源から前記送入流路を介して前記複数の処理ガスタンクの残りの一部または全部に処理ガスを貯留することを特徴とする処理ガス供給方法。
6. 処理容器内に収容された被処理体に所定の処理が施されるように前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給方法であって、
   前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材とを準備し、
   処理ガスを、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留し、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給し、
   前記処理ガス通流部材を、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とから構成しておき、
   処理ガスを前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給し、
   前記第２の処理ガス流路を、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有して構成し、
   前記処理ガス供給源を、異なる複数種類の処理ガスを供給するように複数設けるとともに、前記第１の処理ガス流路を、前記処理ガス供給源の数に対応して複数に分岐して前記各処理ガス供給源に接続された供給源接続流路を有して構成し、
   前記第２の処理ガス流路の前記送入流路を、前記第１の処理ガス流路の前記各供給源接続流路から分岐させておき、
   前記処理ガスタンクから前記送出流路を介して前記処理容器内に所定の種類および比率からなる処理ガスを供給した後、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記第１の処理ガス流路を介して前記処理容器内に前記所定の種類および比率からなる処理ガスを供給するのと並行して、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記送入流路を介して前記処理ガスタンクに前記所定の種類および比率とは異なる種類および／または比率からなる処理ガスを貯留することを特徴とする処理ガス供給方法。
7. 処理容器内に収容された被処理体に所定の処理が施されるように前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給方法であって、
   前記処理容器内に処理ガスを供給するための処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源からの処理ガスを一時的に貯留するための処理ガスタンクと、前記処理ガス供給源からの処理ガスを前記処理ガスタンクに送給し、前記処理ガスタンク内の処理ガスを前記処理容器内に送給する処理ガス通流部材とを準備し、
   処理ガスを、前記処理ガス供給源から前記処理ガスタンクに一旦貯留し、前記処理ガスタンクから前記処理容器内に供給し、
   前記処理ガス通流部材を、前記処理ガス供給源および前記処理容器に接続された第１の処理ガス流路と、前記第１の処理ガス流路から分岐して前記処理ガスタンクに接続された第２の処理ガス流路とから構成しておき、
   処理ガスを前記処理ガス供給源からも前記処理容器内に供給し、
   前記処理ガスタンクを複数設けるとともに、前記第２の処理ガス流路を、前記処理ガスタンクの数に対応して複数設け、
   前記各第２の処理ガス流路を、処理ガスを前記処理ガスタンクに送り入れるための送入流路と、処理ガスを前記処理ガスタンクから送り出すための送出流路とを別個に有して構成し、
   前記処理ガス供給源を、異なる複数種類の処理ガスを供給するように複数設けるとともに、前記第１の処理ガス流路を、前記処理ガス供給源の数に対応して複数に分岐して前記各処理ガス供給源に接続された供給源接続流路を有して構成し、
   前記第２の処理ガス流路の前記送入流路を、前記第１の処理ガス流路の前記各供給源接続流路から分岐させておき、
   前記複数の処理ガスタンクの一部から前記送出流路を介して前記処理容器内に所定の種類および比率からなる処理ガスを供給するとともに、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記第１の処理ガス流路を介して前記処理容器内に前記所定の種類および比率からなる処理ガスを供給するのと並行して、前記複数の処理ガス供給源の一部または全部から前記送入流路を介して前記複数の処理ガスタンクの残りの一部または全部に前記所定の種類および比率とは異なる種類および／または比率からなる処理ガスを貯留することを特徴とする処理ガス供給方法。
8. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
   前記制御プログラムは、実行時に請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の処理ガス供給方法が行われるように、コンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。

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